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UNIVERSIDAD FRANCISCO GAVIDIA. FACULTAD DE INGENIERA Y ARQUITECTURA. MATERIA: ELECTRNICA II CLASE:05 DOCENTE: ING. MELVIN ORELLANA 1.5 CLASES DE AMPLIFICADORES. Los amplificadores de potencia se clasifican de acuerdo con el porcentaje de tiempo donde la corriente de corriente de colector es distinta de cero. Hay cuatro clasificaciones principales: clase A, clase B, clase AB y clase C. 1.5.1 Operacin en clase A. La operacin clase A, el amplificador reproduce ntegramente la seal de entrada. La corriente de colector es diferente de cero 100% del tiempo. Este tipo de operacin es ineficiente puesto que Ic no es cero incluso cuando la seal de entrada es cero. El transistor consecuentemente disipa potencia, en la condicin de reposo. La figura 1.22 ilustra las curvas caractersticas tpicas para la operacin clase A. 29/06/13

Figura 1.22: Operacin clase A. 1.5.1.1 Circuito Amplificador de potencia en operacin clase A. Los circuitos amplificadores de potencia suelen contener transistores capaces de maneja alta potencia. Estos operan normalmente a voltajes mayores que los transistores de baja potencia y,
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en consecuencia, requieren casi siempre de una fuente de potencia independiente. Los voltajes de los transistores de potencia suelen superar los 450 V. los valores nominales de corrientes tambin son elevados, muchas veces por arriba de 10A de corriente continua. Puesto que estos transistores necesitan disipar alta potencia, se disean de manera diferente a la de los transistores de baja potencia. A continuacin se presentan algunas configuraciones tiles para amplificadores de potencia. Estas se categorizan de acuerdo con el tipo de acoplamiento. 1.5.1.2 Amplificador acoplado inductivamente. Se requiere una alta ganancia de corriente para producir potencia significativa en la carga de salida. La excursin del voltaje de salida se incrementa empleando un inductor en lugar de un resistor en el elemento colector. Se observar que esto aumenta tambin la eficiencia del circuito. El inductor se elige de forma que se acerque a un circuito abierto para la frecuencia de entrada pero a un cortocircuito para cd. En otras palabras, la reactancia inductiva deber ser relativamente grande a la frecuencia de operacin mas baja. Si es la frecuencia ms baja de la seal, entonces:

L
Rbobina

RL
RL
y

La resistencia interna de la bobina, Rbobina, debe ser relativamente pequea:

Rbobina

RE

La figura 1.23 ilustra el circuito del amplificador acoplado inductivamente y sus lneas de carga. El punto Q se elige para la mxima excursin de salida.

Figura 1.23: Amplificador Acoplado Inductivamente.

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La corriente Ic, est dada por:

Ic

Vcc Rca Rcd

La resistencia de cs es simplemente RL puesto que para ca el inductor se aproxima a un circuito abierto y los capacitores son corto circuitos. La resistencia de ca es RE siempre que se ignore la resistencia del inductor. Por tanto:
Ic Vcc RL RE

Puesto que las lneas de carga tanto de ca como de cd cruzan el punto Q, la ecuacin de la lnea de carga de ca produce:

Ic

VCE RL

Se ha supuesto que RE

RL lo cual suele ser cierto. Entonces de las ecuaciones anteriores de

Ic se observa que VCE VCC y que la lnea de carga de ca interseca al eje VCE en aproximadamente 2Vcc. El uso del dispositivo de almacenamiento (bobina) origina una excursin de voltaje que es equivalente a duplicar efectivamente el voltaje de alimentacin. El campo del inductor almacena energa durante el ciclo de conduccin actuando de ese modo como una segunda fuente de Vcc en serie con la alimentacin de cd. El amplificador acoplado inductivamente tiene una eficiencia ms alta que la del amplificador que contiene una resistencia de colector. Para probar esto, se calcula la eficiencia de este amplificador, suponiendo seales de entrada senidales. La potencia suministrada por la fuente de voltaje es:

Psu min istrada

V 2 cc Vcc I cc RL
RL . La potencia entregada

Se ignor RE en la ecuacin anterior puesto que se supuso que RE a la carga es:

Pc arg a

I 2 L max RL I 2C RL V 2 cc 2 2 2 RL

La eficiencia de conversin ( ) se define como la razn entre la potencia de carga de ca y la potencia entregada por la fuente. Esta medida de eficiencia depende, por tanto, de la potencia disipada en los circuitos de polarizacin y en RE. Con el fin de deducir un valor mximo para la

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eficiencia, se supone que la potencia disipada en los circuitos de polarizacin, en R E y en Rbobina es despreciable. La mxima eficiencia con excursin de salida mxima es:

V 2 cc 2R 2 L 50% V cc RL
De manera similar es posible demostrar que la eficiencia mxima del amplificador con resistencia de colector en lugar del inductor es de 25%, o la mitad de la eficiencia encontrada para el amplificador acoplado inductivamente. Este resultado es razonable puesto que, en el circuito con un resistor de colector, la carga vista por el transistor es la combinacin en paralelo de la resistencia de colector y la resistencia de la carga. La potencia mxima entregada por el transistor se comparte entre estos dos resistores.

1.5.2 Operacin en clase B. En la operacin en clase B, un amplificador se usa para amplificador el medio ciclo positivo de la seal de entrada en tanto se emplea un segundo amplificador para amplificar el medio ciclo negativo. Esta configuracin de amplificador se conoce como simetra push-pull o simetra complementaria. Debido a que se restringe un solo transistor para responder exclusivamente a ciclos medios, se requieren dos transistores para producir la forma de onda completa. Cada uno de estos transistores se polariza en el corte a la mitad del intervalo de operacin, como es el caso de la operacin clase A. Cada transistor opera la mitad del tiempo (la corriente del colector da cada uno es diferente de cero 50% del tiempo). La ventaja de la operacin de clase B es que la corriente de colector es cero cuando la entrada de seal al amplificador es cero. Por tanto, el amplificador no disipa potencia en la condicin de reposo. Entre las desventajas del amplificador clase B est que la regin de corte no lineal se incluye en el intervalo de operacin. Esto es, a diferencia de la situacin de clase A, 5% de la regin sombreada en la figura 1.22 se incluye en la regin de operacin. Por consiguiente, se produce cierta distorsin. La figura 1.24 ilustra una curva caracterstica tpica de un par de transistores en la configuracin push-pull.

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Figura 1.24: Operacin clase B. En vista que se conectan dos transistores espalda contra espalda, el conjunto de curvas del transistor est repetido para el segundo transistor, aunque los signos de la corriente del colector y del voltaje de colector-emisor se hayan invertido. Esto es, estas dos cantidades aumentan, respectivamente, en las direcciones hacia abajo e izquierda en las caractersticas del segundo transistor. La parte superior izquierda representa el primer transistor que solamente conduce durante el medio ciclo positivo de la entrada. La parte derecha inferior representa el segundo transistor que se configura para conducir solo durante el medio ciclo negativo. Una forma de onda de salida ordinaria se muestra en la figura 1.25.

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Figura 1.25: Forma de onda de salida push-pull.

El primer transistor produce la parte positiva de la salida y el segundo, la parte negativa. Advirtase tambin que las figuras 1.25 a) y b) indican cierta distorsin cerca del punto Ic=0. Cuando estas dos curvas se suman, se origina la salida que se muestra en la figura 1.25 c). Esta se asemeja a la entrada senoidal, aunque se distorsiona cerca del eje cero. En una configuracin push-pull, es importante que los dos transistores se acoplen con todo cuidado. De esta forma, las partes positiva y negativa de la entrada se amplifican en la misma cantidad.

1.5.2.1 Circuito Amplificador de potencia en operacin Clase B. Un amplificador de audio clase B usa un transistor para amplificar la parte positiva de la seal de entrada y otro transistor para amplificar la parte negativa de la misma. Como se indic antes, el amplificador de audio clase B presenta una ms alta eficiencia y una menor impedancia de salida para manejar una carga por lo comn de baja impedancia. Por ejemplo, la carga de un altavoz es normalmente 8. 1.5.2.2 Amplificador de potencia Clase B de Simetra Complementaria. Un amplificador de potencia push-pull comn se disea con un transistor pnp y un npn que tenga caractersticas simtricas como se muestra en la figura 1.26

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Figura 1.26: Simetra Complementaria Este circuito se llama comnmente amplificador de potencia de simetra complementaria. La carga se asla con un capacitor (C1) y se emplea una sola fuente de alimentacin. El transistor superior es npn, el cual se configura como un amplificador SE. El transistor inferior pnp tambin se configura como un amplificador SE. Los resistores se eligen de manera que los voltajes base-emisor de ambos transistores pongan el punto Q en la frontera entre el corte y el modo activo. Cuando el voltaje de entrada aumenta el medio ciclo positivo de la entrada, Q1 conduce y Q2 est en corte. Cuando la entrada disminuye en la direccin del voltaje negativo, la situacin inversa ocurre. Esto se muestra en la figura 1.26 c).
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El capacitor C1, sirve para dos propsitos. Primero, bloquea la cd de la carga. Segundo, proporciona el voltaje de la fuente de potencia a Q2 cuando Q1 no est conduciendo. Esto es el capacitor se carga hasta valores de cd de Vcc/2 en la conexin de los dos emisores. Como en el caso del amplificador de potencia acoplado por transformador, RB se determina de las ecuaciones de ganancia de corriente o de resistencia de entrada. La resistencia de entrada Rin, se determina de la siguiente manera:

Rin RB ( RL )

RB RL RB

RL

La ganancia de corriente se calcula como:

Ai

R2 R2

2 RL

La ganancia de voltaje es:

Av Ai

RL 1 Rin

El voltaje VBB es:

VBB

R1 Vcc R1 R2 2

Para evitar fugas trmicas se coloca un resistor pequeo en serie con cada emisor para aumentar el nivel de polarizacin. Con una carga de 4 a 8 , cada resistor debe ser aproximadamente de 0.5. La potencia entregada por la fuente de ca se divide entre el transistor y los resistores en los circuitos de polarizacin. La fuente de la seal de ca aade una cantidad insignificante puesto que las corrientes de base son relativamente pequeas en comparacin con las corrientes de colector. Los valores mximos de la corriente de colector y la potencia entregada al transistor son:

I Cmax

VCC 2 RL

Pdc

V 2CC 2 RL

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La mxima potencia de salida de ca, es:
V 2CC Pca 8 RL

La eficiencia del amplificador push-pull clase B es la razn entre la potencia de salida y la potencia entregada al transistor:

V 2cc

8RL

2 cc

78.5%

2 RL

Este amplificador es ms eficiente que un amplificador clase A. con frecuencia se usa en circuitos de salida donde la eficiencia es un requerimiento importante en el diseo.

1.5.3 Operacin en clase C. En la figura 1.27 representa una lnea de carga del amplificador clase C, donde V BE se se fija en un valor negativo.

Figura 1.27: Operacin clase C. En transistor se polariza con un VBB negativo. De esta forma solo conducir cuando la seal de entrada este arriba de un valor positivo especificado. La corriente de colector es diferente de cero menos de 50% del tiempo.

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Si una senoidal forma la entrada para un amplificador clase C, la salida consiste en crestas senoidales a la frecuencia de la entrada. Esto se forma a la izquierda de la figura 1.27. Si la seal pasa a travs de un circuito LC (un filtro pasabanda) sintonizado para la frecuencia fundamental, la salida es aproximadamente una seal senoidal a la misma frecuencia que la entrada.

1.5.3.1 Circuito Amplificador de potencia en operacin Clase C. Con la clase B, necesitamos circuitos de contrafase. Por esto, la mayora de los amplificadores de clase B son amplificadores en contrafase. Con la clase C necesitamos usar circuitos resonantes para la carga. Por ello, la mayora de amplificadores de clase C son amplificadores sintonizados. En la clase C, la corriente colector circula durante menos de un semiciclo. Un circuito resonante en paralelo puede filtrar los pulsos de corriente de colector y producir una seal de voltaje senoidal pura en la salida. Su principal aplicacin es en los amplificadores sintonizados de RF. El mximo rendimiento en la clase C es cercano al 100%. La figura 1.28 a) muestra un amplificador sintonizado de RF.

Figura 1.28 Amplificador sintonizado en clase C.

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El voltaje de entrada de alterna alimenta la base y aparece un voltaje de salida amplificado en el colector. La seal amplificada e invertida est acoplada por capacitor a la resistencia de carga. Debido al circuito resonante en paralelo, el voltaje de salida es mximo a la frecuencia de resonancia dada por:

fr

1 2 LC

En el resto de frecuencias la ganancia de voltaje cae como lo muestra la figura 1.28 b). El amplificador clase C est sin polarizar, como muestra la figura 1.28 c). La resistencia Rs en el circuito del colector es la resistencia interna de la bobina. La figura 1.28 d) muestra la rectas de cargas para ac y cd. La recta de carga para cd es vertical, ya que la resistencia interna de la bobina (Rs) es muy pequea. Esta recta no es importante, puesto que el transistor no est polarizado. La que es importante es la recta de carga para alterna. Como se indica, el punto Q est en el extremo inferior de la recta de carga. Cuando una seal est presente, el funcionamiento instantneo mueve el punto Q hacia arriba a travs de la recta de carga hacia el punto de saturacin. El pulso mximo de la corriente de colector viene dado por la corriente de saturacin Vcc/rc La potencia de salida para alterna se calcula con la siguiente ecuacin:

V 2 out Pout 2 RL
La potencia de entra para cd es:

Pdc VCC I dc
El rendimiento:

Pout x100% Pdc

El ancho de banda BW se calcula as:

BW

fr Q

Donde Q es el factor de calidad del circuito (es adimensional). El ancho de banda es inversamente proporcional a Q.

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Los amplificadores de clase C casi siempre tienen un circuito donde Q es mayor que 10. Esto quiere decir que el ancho de banda es 10% de la frecuencia de resonancia. Cualquier bobina tiene una resistencia interna Rs. El valor de Q para la bobina se defien como:

QL

XL Rs

El circuito completo tiene un factor de calidad menor, ya que incluye el efecto de la resistencia de carga. La resistencia en serie de una bobina puede ser sustituida por una resistencia en paralelo Rp, como se muestra en la figura 1.29. Cuando Q es mayor que 10, esta resistencia equivalente viene dada por:

Rp QL X L

Figura 1.29: Resistencia equivalente serie y paralelo para la bobina. En la resonancia, XL cancela a XC, quedando solo Rp en paralelo con RL. Por ello, la resistencia vista desde el colector en la resonancia es:

rc Rp RL
El valor de Q para el circuito total viene dado por:

rc XL

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