UNIVERSIDADE FEDERAL DE SANTA MARIA COLGIO TCNICO INDUSTRIAL DE SANTA MARIA CURSO DE ELETROMECNICA ELETRNICA

RELATRIO DA AULA PRTICA

Jos Edgar Evangelho Lopes Junior, Bruno zarantonello, Larrison Guamarra, Dionata Budel, Jonas Mainardi

Santa Maria, RS, Brasil. 2013

AULA PRTICA DE TRANSISTORES.

Jos Edgar Evangelho Lopes Junior

Trabalho apresentado ao Colgio Tcnico Industrial de Santa Maria (CTISM) da Universidade Federal de Santa Maria (UFSM) para a obteno da nota de eletrnica do curso de Eletromecnica

Santa Maria, RS, Brasil. 2013

Introduo: Este relatrio tem por meio esclarecer ou demonstrar o funcionamento do transistor de juno bipolar (TJB), bem como aplicaes, funcionamento, construo, fabricao. Desenvolvimento: O transistor um componente eletrnico que comeou a popularizar-se na dcada de 1950, tendo sido o principal responsvel pela revoluo da eletrnica na dcada de 1960. So utilizados principalmente como amplificadores e interruptores de sinais eltricos. O processo de transferncia de resistncia, no caso de um circuito analgico, significa que a impedncia caracterstica do componente varia para cima ou para baixo da polarizao pr-estabelecida. Graas a esta funo, a corrente eltrica que passa entre coletor e emissor do transistor varia dentro de determinados parmetros pr-estabelecidos pelo projetista do circuito eletrnico. Esta variao feita atravs da variao de corrente num dos terminais chamados base, o que, consequentemente, ocasiona o processo de amplificao de sinal. Entende-se por "amplificar" o procedimento de tornar um sinal eltrico mais fraco num mais forte. Um sinal eltrico de baixa intensidade, como os sinais gerados por um microfone, injetado num circuito eletrnico (transistorizado, por exemplo), cuja funo principal transformar este sinal fraco gerado pelo microfone em sinais eltricos com as mesmas caractersticas, mas com potncia suficiente para excitar os alto-falantes. A este processo todo se d o nome de ganho de sinal. Funcionamento No transistor de juno bipolar ou TJB, o controle da corrente coletor-emissor feito injetando corrente na base. O efeito transistor ocorre quando a juno coletor-base polarizada reversamente e a juno base-emissor polarizada diretamente. Uma pequena corrente de base suficiente para estabelecer uma corrente entre os terminais de coletor-emissor. Esta corrente ser to maior quanto maior for a corrente de base, de acordo com o ganho. Fabricao O transistor montado justapondo-se uma camada P, uma N e outra P, criando-se um transistor do tipo PNP. O transistor do tipo NPN obtido de modo similar. A camada do centro denominada base, e as outras duas so o emissor e o coletor. No smbolo do componente, o emissor indicado por uma seta, que aponta para dentro do transistor se o componente for PNP, ou para fora, se for NPN

-Emissor: constitudo por um semicondutor densamente dopado, sua funo emitir eltrons, ou injetar eltrons na base. -Base: um semicondutor levemente dopado e muita fina permite que a maioria dos eltrons injetados pelo emissor passe para o coletor. -Coletor: junta ou coleta eltrons que vem da base, a parte mais extensa dos trs, portanto dissipando mais calor. Polarizao do transistor: Polarizando o transistor de forma adequada consegue-se estabelecer um fluxo de corrente, permitindo que o transistor seja utilizado em inmeras aplicaes Um transistor formado por um emissor (e), uma base (b) e um coletor (c). A Figura a seguir mostra um transistor NPN polarizado. A regio da base do transistor fina de modo que os eltrons so impelidos para esta regio por causa da polarizao direta na juno entre o emissor e a base e depois so atrados pela carga positiva presente no material tipo ''N'' atravessando a outra juno entre base e coletor.

Figura - Polarizao do transistor NPN. A presena da bateria "VBB" e o fato da base do transistor ser constituda de uma camada muito fina, faz com que um pequeno nmero de eltrons e lacunas se recombinem na regio da base produzindo uma pequena corrente

"IB" no circuito base-emissor; por outro lado, uma grande quantidade de eltrons provenientes do emissor densamente dopado, atravessam a regio da base e constituem uma grande corrente "IC" de emissor para coletor, devido a uma segunda bateria "VCC" que polariza inversamente a regio de coletor. Na regio de emissor constata-se a existncia das duas correntes, portanto, a corrente de emissor igual soma das outras duas, desse modo: (IE=IC+IB). Para polarizar um transistor PNP inverte-se a polaridade de cada bateria, o comportamento dos portadores no transistor PNP idntico ao que ocorre no NPN, exceto que o sentido dos eltrons so invertidos conforme ilustra a figura abaixo.

Figura - Polarizao do transistor PNP. Caractersticas de um transistor O fator de multiplicao da corrente na base (iB), mais conhecido por Beta do transistor ou por hfe, que dado pela expresso iC = iB x 1. IC: corrente de coletor 2. IB: corrente de base 3. : beta (ganho de corrente de emissor) Configuraes bsicas de um transistor: Existem trs configuraes bsicas (BC, CC e EC), cada uma com suas vantagens e desvantagens. Base comum (BC) 1. Baixa impedncia(Z) de entrada. 2. Alta impedncia(Z) de sada. 3. No h defasagem entre o sinal de sada e o de entrada. 4. Amplificao de corrente igual a um.

Coletor comum (CC) 1. Alta impedncia(Z) de entrada. 2. Baixa impedncia(Z) de sada. 3. No h defasagem entre o sinal de sada e o de entrada. 4. Amplificao de tenso igual a um. Emissor comum (EC) 1. Mdia impedncia(Z) de entrada. 2. Alta impedncia(Z) de sada. 3. Defasagem entre o sinal de sada e o de entrada de 180. 4. Pode amplificar tenso e corrente, at centenas de vezes. Desenvolvimento prtico: Na aula foi feito o reconhecimento dos transistores do tipo: 1-BC328-40 Transistor folha de dados. Parmetros e caractersticas. Designador Tipo: BC328-40 Material de transistor: Si Polaridade: PNP Dissipao mxima de coletor de energia (Pc), W: 0.5 Mxima coletor-base de tenso | UCB |, V: 30 Mxima tenso coletor-emissor | Uce |, V: 25 Mxima emissor-base de tenso | Ueb |, V: 5 Coletor de corrente mxima | Ic max |, A: 0,8 A temperatura mxima da juno (Tj), C: 150 Frequncia de transio (ft), MHz: 60 Coletor capacitncia (Cc), pF: 18 Relao de corrente direta de transferncia (HFE), min: 250

Figura de rudo, dB: -

2-BU208A Transistor. Parmetros e caractersticas. Designador Tipo: BU208A Material de transistor: Si Polaridade: NPN Dissipao mxima de coletor de energia (Pc), W: 12.5 Mxima coletor-base de tenso | UCB |, V: 1500 Mxima tenso coletor-emissor | Uce |, V: 700 Mxima emissor-base de tenso | Ueb |, V: 5 Coletor de corrente mxima | Ic max |, A: 8 A temperatura mxima da juno (Tj), C: 115 Frequncia de transio (ft), MHz: 4 Coletor capacitncia (Cc), pF: 125 Relao de corrente direta de transferncia (HFE), min: 2 Figura de rudo, dB: 3-TSB146 Transistor folha de dados. Parmetros e caractersticas. Designador Tipo: TSB146 Material de transistor: Si Polaridade: PNP Dissipao mxima de coletor de energia (Pc), W: 125 Mxima coletor-base de tenso | UCB |, V: 0 Mxima tenso coletor-emissor | Uce |, V: 80 Mxima emissor-base de tenso | Ueb |, V: 0 Mxima corrente de coletor | Ic max |, A: 10 A temperatura mxima da juno (Tj), C: 150 Frequncia de transio (ft), MHz:

Coletor capacitncia (Cc), pF: Relao de corrente direta de transferncia (HFE), min: 1 Figura de rudo, dB: 4-BC546B Transistor. Parmetros e caractersticas. Designador Tipo: BC546B Material de transistor: Si Polaridade: NPN Dissipao mxima de coletor de energia (Pc), W: 0.5 Mxima coletor-base de tenso | UCB |, V: 80 Mxima tenso coletor-emissor | Uce |, V: 65 Mxima emissor-base de tenso | Ueb |, V: 6 Coletor de corrente mxima | Ic max |, A: 0,1 A temperatura mxima da juno (Tj), C: 150 Frequncia de transio (ft), MHz: 150 Coletor capacitncia (Cc), pF: 4.5 Taxa de transferncia de corrente direta (HFE), min: 200 Figura de rudo, dB: -

Imagem referente a alguns tipos de transistor.

Concluso: Portanto, o pouco visto na aula pratica foi muito importante para que pudssemos realmente chegar a resultados semelhantes assim vistos nas aulas tericas, e, basicamente nos integrar ao que realmente um transistor. Bibliografia: http://www.ebah.com.br/content/ABAAAA49QAG/relatorio-eletronica; http://alltransistors.com; Poligrafo de eletrnica do Professor Claudio Nascimento do Colgio Tcnico De Santa Maria;