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Propriet` a Fisiche della Materia

Andrea Castro

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ISBN: 978-88-6292-008-7 Prima edizione: Maggio 2009 `: Il nostro indirizzo internet e www. libreriauniversitaria.it

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Sommario

Prefazione

ix

I La fisica dei quanti


1 La quantizzazione dellenergia e il fotone 1.1 La radiazione di corpo nero . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.1.1 Caratteristiche sperimentali della radiazione da corpo nero . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.1.2 La legge di Planck per la radiazione del corpo nero 1.1.3 La quantizzazione dellenergia . . . . . . . . . . . . . 1.1.4 Implicazioni del postulato di Planck . . . . . . . . . . 1.1.5 Esempi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.2 Leffetto fotoelettrico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.2.1 Linterpretazione di Einstein per leffetto fotoelettrico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.2.2 Esempi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.3 Diffrazione dei raggi X su un cristallo . . . . . . . . . . . . . . 1.4 La diffusione di Compton . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.4.1 Esempi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.5 Natura duale delle onde elettromagnetiche . . . . . . . . . . 1.6 Applicazioni . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.6.1 Termografia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.6.2 Radiazione cosmica di fondo . . . . . . . . . . . . . . 1.7 Quesiti di riepilogo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.8 Esercizi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

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3 3 7 12 13 15 16 19 23 26 28 31 35 36 37 38 39 40 45

SOMMARIO

2 La materia: corpuscoli o onde? 2.1 Esperimento di Young con elettroni . 2.2 Lipotesi di De Broglie . . . . . . . . . 2.2.1 Esperimenti di supporto . . . 2.2.2 Esempi . . . . . . . . . . . . . . 2.3 Il dualismo onda-particella . . . . . . 2.4 Indeterminazione di Heisemberg . . 2.4.1 Esempi . . . . . . . . . . . . . . 2.5 Complementariet` a onda/particella . 2.6 Applicazioni . . . . . . . . . . . . . . . . 2.6.1 Microscopia elettronica . . . 2.6.2 Diffrazione di neutroni . . . . 2.7 Quesiti di riepilogo . . . . . . . . . . . 2.8 Esercizi . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

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47 47 50 50 54 56 59 62 68 69 69 72 75 76 79 79 81 83 84 93 96 98 100 101 102 103 105 106

3 I fondamenti della meccanica quantistica 3.1 Lipotesi di Born . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2 Lequazione di Schrodinger . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.1 Equazione di Schrodinger degli stati stazionari 3.2.2 Esempi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.3 Momenti angolari e spin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.3.1 Lesperimento di Stern-Gerlach . . . . . . . . . 3.3.2 Lo spin dellelettrone . . . . . . . . . . . . . . . . 3.3.3 Interazione spin-orbita . . . . . . . . . . . . . . . 3.3.4 Momenti magnetici nucleari . . . . . . . . . . . 3.4 Applicazioni . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.4.1 Risonanza magnetica (nucleare) . . . . . . . . . 3.5 Quesiti di riepilogo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.6 Esercizi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

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SOMMARIO

II Propriet` a elettriche, magnetiche, ottiche e termiche 107


4 La conduzione elettrica nei metalli 4.1 Classificazione dei solidi . . . . . . . . . . . . . . 4.2 Il modello di conduzione classico . . . . . . . . 4.3 Verso un modello quantistico . . . . . . . . . . . 4.3.1 Stati permessi . . . . . . . . . . . . . . . . 4.3.2 Esempi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.4 Teoria delle bande . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.5 La conduzione elettrica . . . . . . . . . . . . . . 4.6 Conduttore o isolante? . . . . . . . . . . . . . . . 4.7 Leffetto della struttura reticolare . . . . . . . . 4.8 Massa efficace . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.9 Elettroni e lacune . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.9.1 Esempio . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.10 Superconduttivit` a . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.10.1 La teoria BCS per la superconduttivit` a 4.11 Applicazioni . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.11.1 Termocoppia . . . . . . . . . . . . . . . . 4.11.2 Magneti superconduttori . . . . . . . . 4.11.3 Effetto Josephson e SQUID . . . . . . . 4.12 Quesiti di riepilogo . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.13 Esercizi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 111 112 115 119 122 128 131 134 136 138 141 144 145 146 151 153 153 156 157 158 159 161 162 163 165 167 174 174 177 178

5 I semiconduttori 5.1 I semiconduttori intrinsechi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.1.1 Propriet` a elettriche di un semiconduttore . . . . . . 5.1.2 Esempi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.2 Semiconduttori drogati . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.2.1 Propriet` a elettriche di un semiconduttore drogato 5.2.2 Effetto Hall . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.2.3 Esempi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.3 Dispositivi semiconduttori . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
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SOMMARIO

5.4

5.5 5.6

5.3.1 La giunzione p-n . . . . . . 5.3.2 Il diodo . . . . . . . . . . . . 5.3.3 Il transistor . . . . . . . . . 5.3.4 Esempi . . . . . . . . . . . . Applicazioni . . . . . . . . . . . . . . 5.4.1 I LED . . . . . . . . . . . . . 5.4.2 Il laser a semiconduttore 5.4.3 La cella fotovoltaica . . . . 5.4.4 I rivelatori di particelle . . 5.4.5 Il regolatore di tensione . Quesiti di riepilogo . . . . . . . . . Esercizi . . . . . . . . . . . . . . . . .

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178 185 188 195 198 201 202 204 206 208 210 212 215 216 218 220 227 228 230 232 233 234 235 235 237 237 244 246 249 250

6 Diamagnetismo e paramagnetismo 6.1 Campo magnetizzante e magnetizzazione . . . . . . . . . . 6.2 Diamagnetismo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.3 Paramagnetismo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.3.1 Suscettibilit` a magnetica per gli elettroni di conduzione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.3.2 Smagnetizzazione adiabatica . . . . . . . . . . . . . . 6.3.3 Esempi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.4 Applicazioni . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.4.1 Raffreddamento adiabatico . . . . . . . . . . . . . . . 6.4.2 Levitazione diamagnetica . . . . . . . . . . . . . . . . 6.5 Quesiti di riepilogo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.6 Esercizi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7 Ferromagnetismo 7.1 Ferromagnetismo . . . . 7.1.1 Domini di Weiss 7.1.2 Ciclo di isteresi . 7.1.3 Esempi . . . . . . 7.2 Ferrimagnetismo . . . .

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SOMMARIO

7.3 7.4

7.5 7.6

Antiferromagnetismo . . . . . . . Applicazioni . . . . . . . . . . . . . 7.4.1 Elettromagneti . . . . . . 7.4.2 Magneti permanenti . . 7.4.3 Nuclei per trasformatori 7.4.4 Memorie magnetiche . . 7.4.5 Dischi magneto-ottici . . 7.4.6 Schermo magnetico . . Quesiti di riepilogo . . . . . . . . Esercizi . . . . . . . . . . . . . . . .

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252 253 254 256 256 257 257 259 260 261 263 263 270 274 278 279 281 283 284 286 287 288 288 288 289 290 293 293 295 297 302

8 Onde elettromagnetiche in un dielettrico 8.1 Polarizzazione di un dielettrico . . . . . . 8.2 Equazioni di Maxwell per un dielettrico 8.3 Lindice di rifrazione . . . . . . . . . . . . . 8.3.1 Dispersione della luce . . . . . . 8.3.2 Velocit` a di gruppo . . . . . . . . . 8.3.3 Esempi . . . . . . . . . . . . . . . . 8.4 Costante dielettrica relativa . . . . . . . . 8.5 Riflessione sulla superficie . . . . . . . . . 8.5.1 Esempio . . . . . . . . . . . . . . . 8.6 Trasmissione di unonda . . . . . . . . . . 8.7 Applicazioni . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8.7.1 Spettroscopia ottica . . . . . . . . 8.7.2 Riscaldamento dielettrico . . . . 8.8 Quesiti di riepilogo . . . . . . . . . . . . . 8.9 Esercizi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

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9 Onde elettromagnetiche in un conduttore 9.1 Lindice di rifrazione di un conduttore . . . . . 9.1.1 Approssimazione per basse frequenze 9.1.2 Approssimazione per alte frequenze . 9.1.3 Esempi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
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SOMMARIO

9.2 9.3

9.4 9.5

Effetto pelle . . . . . . . . . . . . . . . . . 9.2.1 Esempio . . . . . . . . . . . . . . Applicazioni . . . . . . . . . . . . . . . . . 9.3.1 Argentatura degli specchi . . . 9.3.2 Schermatura elettromagnetica 9.3.3 Ionosfera e onde radio . . . . . Quesiti di riepilogo . . . . . . . . . . . . Esercizi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

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303 305 306 306 307 308 309 310 311 312 314 315 317 319 320 322 327 328 329 331 331 332 332 334 335 336 336

10 Propriet` a termiche 10.1 Capacit` a termica . . . . . . . . . . . . . . . . 10.1.1 Modello classico . . . . . . . . . . . 10.1.2 Modello di Einstein . . . . . . . . . 10.1.3 Modello di Debye . . . . . . . . . . 10.1.4 Contributo elettronico . . . . . . . 10.1.5 Esempi . . . . . . . . . . . . . . . . . 10.2 Conduzione termica . . . . . . . . . . . . . 10.2.1 Conduzione elettrica e termica . . 10.2.2 Esempi . . . . . . . . . . . . . . . . . 10.3 Espansione termica . . . . . . . . . . . . . . 10.4 Comportamenti termici . . . . . . . . . . . 10.4.1 Isolamento o conducibilit` a . . . . 10.4.2 Dilatazione . . . . . . . . . . . . . . 10.5 Applicazioni . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10.5.1 Isolamento termico dello Shuttle 10.5.2 Dispersori di calore . . . . . . . . . 10.6 Quesiti di riepilogo . . . . . . . . . . . . . . 10.7 Esercizi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

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11 Cristalli liquidi 339 11.1 Propriet` a elettriche e magnetiche . . . . . . . . . . . . . . . . 342 11.2 Propriet` a ottiche . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 345 11.2.1 Birifrangenza . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 346
vi

SOMMARIO

11.3 11.4

11.5 11.6

11.2.2 Dicroismo . . . . . . . . . . . . 11.2.3 Attivit` a ottica . . . . . . . . . . 11.2.4 Riflessione di Bragg . . . . . . Esempi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Applicazioni . . . . . . . . . . . . . . . . 11.4.1 Termografia a cristalli liquidi 11.4.2 Schermo a cristalli liquidi . . Quesiti di riepilogo . . . . . . . . . . . Esercizi . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

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347 348 350 352 354 354 355 356 356

12 Soluzioni 357 12.1 Quesiti di riepilogo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 357 12.2 Esercizi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 364 13 Bibliografia 373

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Prefazione
Questo testo ` e stato pensato principalmente come supporto al corso di Complementi di Fisica per la Laurea Triennale in Chimica e Chimica dei Materiali, presso la Facolt` a di Scienze MM. FF. e NN. dellUniversit` a di Bologna. Si tratta di un corso di base e non specialistico e, quindi, questo libro vuole servire da introduzione concisa e, si spera, esauriente, al tema complesso delle propriet` a fisiche della materia. A tal fine si ` e scelto di privilegiare la trattazione dei concetti e delle formule principali, limitandosi al formalismo matematico indispensabile alla comprensione dei concetti stessi in modo da non appesantire la trattazione. Le propriet` a fisiche della materia sono legate principalmente al comportamento degli elettroni, elettroni che si manifestano talvolta come particelle e talvolta come onde con un dualismo che viene spiegato nellambito della mec` in genere in grado di fornire canica quantistica. Lelettromagnetismo classico e un modello valido per la spiegazione, qualitativa se non quantitativa, dei fenomeni fisici. Laccordo tra teoria ed esperimento, cos` come la previsione di certi fenomeni inspiegabili classicamente, pu` o essere ottenuto per` o solo ricorrendo a un trattamento secondo la meccanica quantistica dei fenomeni in questione. Per questo motivo la prima parte del testo ` e dedicata a tracciare le origini, riassumere i concetti e descrivere i fondamenti di questa teoria. La seconda parte del libro affronta il tema principale e discute le propriet` a elettriche, magnetiche, ottiche e termiche della materia solida, propriet` a che hanno innumerevoli conseguenze pratiche e che portano ad applicazioni di estrema rilevanza scientifica e tecnologica. Per completare parzialmente il quadro, verr` a discusso anche il caso di uno stato di aggregazione differente da quello solido, il caso dei cristalli liquidi.

In questo testo, per ciascun capitolo, vengono presentati degli esempi seguiti dallillustrazione di alcune tra le applicazioni concrete pi` u significative dei temi discussi. Ogni capitolo terminer` a con alcuni quesiti di riepilogo e problemi, la ` soluzione dei quali e riportata alla fine del testo. ` voluto inoltre evidenziare, incorniciandole, le Per aiutare lo studente si e formule essenziali, che spesso fanno riferimento a delle leggi particolarmente importanti. Per completare la trattazione ho voluto fornire anche, ove rilevante, un breve inquadramento cronologico dei modelli o degli esperimenti, segnalando gli scienziati che vi hanno contribuito.

Parte I La fisica dei quanti


Il XIX secolo termin` o, dal punto di vista della fisica, con il grosso successo dellunificazione dei fenomeni elettrici e magnetici attraverso le quattro equazioni di Maxwell. Queste equazioni rappresentarono il compendio della conoscenza scientifica dei fenomeni elettrici e magnetici acquisita fino ad allora e diventarono le equazioni fondamentali di una nuova teoria elettromagnetica. I campi elettrici E e magnetici B non appartenevano pi` u a due mondi distinti, ma rappresentavano due aspetti della stessa entit` a, il campo elettromagnetico, descritto formalmente da un unico insieme di equazioni che legano E a B. In aggiunta a ci` o le equazioni di Maxwell portarono alla previsione, verificata poi sperimentalmente, dellesistenza delle onde elettromagnetiche. Il XX secolo cominci` o subito con delle osservazioni sperimentali che non poterono essere spiegate dalla fisica classica che includeva lelettromagnetismo derivante dalle equazioni di Maxwell, ma che invece richiesero dei nuovi modelli in netto contrasto con la teoria classica. Fu lanno 1900, quello in cui Planck present` o i suoi studi sulla radiazione termica emessa da un corpo nero, che viene convenzionalmente considerato lanno di nascita della fisica quantistica, teoria che richiese qualche decina danni per arrivare a una formulazione completa. Oltre alla radiazione termica, altri fenomeni quali leffetto fotoelettrico e la diffusione di Compton dimostrarono inequivocabilmente che la radiazione elettromagnetica quando interagisce con la materia, cio` e quando viene emessa o assorbita da essa, si comporta non come lusuale onda ma come unentit` a in cui lenergia risulta essere concentrata in pacchetti localizzati e non distribuita su tutto il fronte donda come ci si aspetterebbe classicamente.

Continuando con le osservazioni sperimentali si fecero delle scoperte ulteriori che obbligarono a cambiare drasticamente il modo in cui si interpretava la materia. Alcune assunzioni della fisica classica, quali il fatto che le particelle di materia siano localizzabili spazialmente con precisione arbitraria e che si spostino tra due punti come corpuscoli, risultarono essere in contrasto con i risultati sperimentali e dovettero essere abbandonate per fare posto al concetto di indeterminazione nella conoscenza della posizione di un corpo e al concetto di natura ondulatoria, paradossale per le particelle. Com` e vero anche per la teoria della relativit` a speciale, che venne a svilupparsi pi` u o meno negli stessi anni, la fisica quantistica rappresenta una generalizzazione di quella classica, nel senso che essa include la teoria classica come caso particolare. Cos` come la teoria della relativit` a estende il dominio di validit` a delle leggi fisiche a situazioni in cui le velocit` a in gioco sono molto grandi (vicine a quelle della luce nel vuoto, c ), allo stesso modo la fisica quantistica rappresenta unestensione delle teorie classiche, indispensabile quanto pi` u si va a indagare nel mondo microscopico. Il ruolo svolto nella teoria relativistica dalla costante universale c viene giocato in quella quantistica da unaltra costante universale, la costante di Planck, h , che fornisce la granularit` a degli aspetti quantistici della materia. I fenomeni suddescritti, assieme ad altri aspetti in netto conflitto con la fi` stata sviluppata sica classica, sono diventati i fondamenti a partire dai quali e la nuova teoria quantistica, evoluta poi in una teoria pi` u completa e formalizzata detta meccanica quantistica, che rappresenta unestensione delle teorie classiche e che descrive con successo il comportamento della materia a livello microscopico. Questa raffinata teoria si ` e sviluppata soprattutto nella prima met` a del XX secolo con contributi importanti da parte di vari scienziati, come dimostrato dalla serie di Premi Nobel per la Fisica a loro attribuiti. In questa prima parte andremo a discutere gli esperimenti e i principi fondamentali che hanno determinato la nascita della fisica quantistica, per poi fornire dei cenni su alcuni aspetti significativi della meccanica quantistica.

Capitolo 1 La quantizzazione dellenergia e il fotone


Lo spettro elettromagnetico rappresentato in figura 1.1, cio` e la caratterizzazione delle onde elettromagnetiche in funzione di lunghezza donda o frequen` convenzionalmente suddiviso in porzioni individuate da un intervallo za, e di lunghezze donda o frequenze. Queste classi di radiazione elettromagnetica non si propagano nello spazio in modo differente luna dallaltra, ma sono invece caratterizzate da modi diversi di essere prodotte e/o assorbite dalla materia. Sono tre, in particolare, le classi dello spettro elettromagnetico che ci interessa discutere in questo capitolo: la radiazione infrarossa, quella ultravioletta e i raggi X. Linizio del XX secolo ha visto, infatti, lo svolgimento di esperimenti, riferiti a queste tre classi, che hanno modificato totalmente linterpretazione di queste onde elettromagnetiche e hanno portato alla creazione di una nuova teoria, la fisica quantistica. Andiamo ora a discutere questi esperimenti, la loro interpretazione e le nuove ipotesi che vennero proposte per descriverli adeguatamente.

1.1

La radiazione di corpo nero

Tutti i corpi, in quanto si trovano a una temperatura T superiore allo zero assoluto, emettono radiazione termica. Di tale radiazione ce ne accorgiamo, ad esempio, quando avviciniamo la nostra mano a un corpo molto pi` u caldo di noi, come nel caso di una lampadina a incandescenza: anche senza toccare la lampadina la nostra mano percepisce e assorbe del calore. Questo calore

Capitolo 1

La quantizzazione dellenergia e il fotone

(m)
1013 1012 1011 1010 109 108 107 106 105 104 103 102 101 1 10 102 103 104 105 106 107

E (eV)
107 106 105 104 103 102 10 1 101 102 103 104 105 106 107 108 109 1010 1011 1012 1013

(Hz) Raggi Raggi X Ultravioletto Luce visibile Infrarosso


1022 1021 1020 1019 1018 1017 1016 1015 1014 1013 1012 1011 1010 109 108 107 106 105 104 103 102 10

Microonde TV Radio

Figura 1.1: rappresentazione dello spettro elettromagnetico in termini di lunghezza donda, energia e frequenza dei fotoni associati.

La radiazione di corpo nero

Capitolo 1

` stato trasferito n non e e per contatto diretto n e per convezione, ma secon` allora do una terza modalit` a detta irraggiamento. La radiazione termica e ` stata prodotta dal corpo caldo, si e ` propagata unonda elettromagnetica che e ` stata assorbita dalla nostra mano (non ce ne accorgiamo, nello spazio ed e ma contemporaneamente la nostra mano emette essa stessa radiazione termica). Chiaramente si tratta di unonda elettromagnetica emessa dal corpo e non riflessa/diffusa da esso perch e la possiamo osservare anche nel caso di un corpo a temperatura molto alta (incandescente) posto in una stanza buia. Unaltra osservazione sperimentale piuttosto comune riguarda il riscaldamento progressivo di un corpo e le mutazioni che avvengono nella radiazione termica da esso emessa. Infatti, la radiazione termica corrisponde tipicamente allintervallo infrarosso dello spettro elettromagnetico (vedi figura 1.1), con lunghezza donda compresa tra 700 nanometri e qualche millimetro, ` percepibile direttamente dalla vista umana. Le cose cambiano e quindi non e se la temperatura del corpo assume valori elevati: se osserviamo una sbarretta di ferro sottoposta a una fiamma, man mano che si riscalda essa comincia ad assumere unincandescenza via via pi` u brillante. Continuando a riscaldare la sbarretta ne aumentiamo la temperatura e la sua colorazione passa da un colore bruno-rossastro a un arancio pi` u vivo, per diventare poi di aspetto bianco-azzurrastro. Questa osservazione sperimentale significa due cose: 1) che allaumentare della temperatura del corpo ne aumenta la brillantezza, cio` e che la radiazione emessa aumenta in intensit` a; 2) che allaumentare della temperatura il colore dominante della radiazione emessa, e osservata dai nostri occhi, passa dal rosso al bianco-azzurro, cio` e diminuisce in lunghezza donda. In riferimento a ci` o, come in altri casi simili, si possono fare delle misure precise di intensit` a e di lunghezza donda e qualsiasi modello che si proponga di spiegare le modalit` a della radiazione termica deve essere in grado di accordarsi con le suddette osservazioni sperimentali qualitativamente e quantitativamente. Se tutti i corpi emettono e assorbono radiazione termica le caratteristi-

Capitolo 1

La quantizzazione dellenergia e il fotone

che di tale radiazione dipenderanno, come gi` a visto, dalla temperatura, ma anche dalle caratteristiche del corpo stesso e soprattutto della sua superficie: il tipo di materiale che compone la superficie, la sua forma, il grado di ruvidezza, la capacit` a di riflettere/diffondere la luce incidente su di esso. Ad esempio, una superficie piana e liscia di 1 cm2 , alla temperatura di 500 C, emette tipicamente 1.7 W, nel caso del ferro, e 0.2 W se si tratta di platino. Se poi, a parit` a di materiale, si rende la superficie pi` u ruvida la potenza emessa ` come se avessimo aumentato la superficie emettente. aumenta perch ee In una teoria della radiazione termica si vuole ricavare un modello generale che faccia riferimento a dei principi fondamentali della fisica e non a caratteristiche e dettagli individuali del corpo in questione. Per potere fare ci` o dovremmo poter fare riferimento a un corpo ideale cos` come, nel caso ` fatto riferimento a un gas ideale per poter ottenere la famosa legdei gas, si e ge di stato PV = nRT . Tale modello, basato su un corpo radiante ideale, avr` a come parametro fondamentale la temperatura del corpo stesso. ` rappresentato dal corpo nero, un Un esempio di corpo radiante ideale e corpo cio` e che assorbe tutta la radiazione incidente su di esso senza rifletterla. Un esempio di (quasi) corpo nero ` e un corpo normale ricoperto da uno strato di pigmento nero. ` freddo, Un corpo che non riflette n e trasmette la luce apparir` a nero se e ma se lo riscaldiamo esso diventa una sorgente di radiazione termica ideale perch e le caratteristiche della radiazione vengono a dipendere solo dalla temperatura del corpo e non dalla sua natura. Un corpo nero che si trovi allequilibrio termico (cio` e alla stessa temperatura) rispetto ad altri corpi che lo circondano si trover` a a emettere, in media, altrettanta energia di quella che assorbe dagli altri corpi, a qualsiasi lunghezza donda. Un corpo nero a temperatura maggiore dellambiente circostante emetterebbe, invece, pi` u radiazione di quella assorbita dallambiente. ` C` e un altro esempio di corpo che si comporta come un corpo nero ed e pi` u facile da trattare: la cosiddetta cavit` a. Immaginiamo di avere un corpo cavo le cui pareti sono mantenute alla temperatura uniforme T (vedi figura 1.2). Questa cavit` a sia fornita di un piccolo foro che consenta alla radiazione

La radiazione di corpo nero

Capitolo 1

di entrare al suo interno. Una volta entrata, questa radiazione viene assorbita e riemessa continuamente dalle pareti, raggiungendo una sorta di equilibrio termico con le pareti stesse della cavit` a. Una piccola frazione di tale radiazione riesce per` o a sfuggire dalla cavit` a emergendo dal foro avente unarea molto piccola rispetto allarea della superficie interna della cavit` a. Il foro della cavit` a agisce allora come sorgente di radiazione termica e la radiazione uscente da esso rappresenta un campione con le stesse caratteristiche della radiazione allequilibrio presente dentro la cavit` a. Siccome tale cavit` a assorbe quasi tutta la radiazione incidente essa pu` o essere assimilata a un corpo nero. Nel seguito considereremo come equivalenti i concetti di cavit` a e di corpo nero e useremo i due termini in modo intercambiabile.

1.1.1

Caratteristiche sperimentali della radiazione da corpo nero

Supponiamo di effettuare adesso delle misure quantitative sulla radiazione emessa da un corpo nero. Nello specifico si possono fare le seguenti osservazioni: lintensit` a della radiazione emessa dal corpo nero, cio` e lenergia emessa in un secondo da una superficie di area unitaria, si chiama intensit` a di irraggiamento. Misurando questa intensit` a per valori diversi della temperatura del corpo nero scopriamo che essa non solo aumenta allaumentare della temperatura, come qualitativamente avevamo anticipato, ma aumenta secondo la potenza quarta della temperatura assoluta, secondo la seguente formula empirica: I (T ) = T 4 (1.1) chiamata legge di Stefan-Boltzmann1, enunciata per la prima volta nel 1879.
Josef Stefan (1835-1893), fisico austriaco. Ludwig Boltzmann (1844-1906), fisico austriaco studente di Stefan, che contribu` anche allo sviluppo della teoria cinetica dei gas.
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Capitolo 1

La quantizzazione dellenergia e il fotone

Figura 1.2: rappresentazione di una cavit` a e della radiazione incidente su di essa e riflessa dalle pareti.

La costante viene misurata sperimentalmente e vale 5.67108 W/m2 K4 per un corpo nero. Qualsiasi altro corpo diverso dal corpo nero ideale ha ` sempre minore di quanto espresso dalla unintensit` a di irraggiamento che e legge di Stefan-Boltzmann. Per un corpo reale lintensit` a di irraggiamento si scrive allora: (1.2) I (T ) = T 4 ` una caratteristica del corpo reale e si chiama emissivit` dove < 1 e a; lintensit` a emessa in un certo intervallo di lunghezze donda (o di fre` funzione sia della lunghezquenze) si chiama radianza spettrale R ( , T ) ed e za donda sia della temperatura T . Tale quantit` a rappresenta la potenza per unit` a di superficie, emessa con lunghezza donda compresa tra il valore e il ` valore + d . Il legame tra radianza spettrale e intensit` a di irraggiamento e dato dalla formula seguente: I (T ) =
0

R ( , T )d

(1.3)

` una funzione di distribuzione che pu` La radianza spettrale cos` definita e o essere misurata per un corpo nero a una certa temperatura e che, se rappre8

La radiazione di corpo nero

Capitolo 1

Radianza spettrale (W/cm2 m)

35

2200 K
30 25 20 15 10 5 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5

2000 K

1800 K

(m)

Figura 1.3: curve di radianza spettrale per un corpo nero alla temperatura di 1800, 2000 e 2200 K.

sentata in un grafico, seguirebbe landamento di figura 1.3. Dalla figura si vede che allaumentare della temperatura aumenta larea al di sotto della curva e, essendo tale area uguale allintegrale della funzione, se ne deduce che aumenta anche lintensit` a di irraggiamento, come osservato sperimentalmente; osservando la figura 1.3 si nota anche che il massimo della funzione viene raggiunto a valori diversi di lunghezza donda max per temperature diverse. Se si studia quantitativamente la relazione tra max e T si scopre unaltra legge empirica, la legge dello spostamento di Wien2 : max T = 2898 m K (1.4)

A questo proposito bisogna prestare attenzione se si sta esprimendo la radianza spettrale in funzione della lunghezza donda o della frequenza poich e la frequenza a cui corrisponde il massimo della radianza spettrale non ` data banalmente da max = c / max . Infatti, la radianza spettrale assume e forma diversa se espressa in funzione di o in funzione di . Per passare da
Wilhelm Wien (1864-1928), fisico tedesco vincitore del Premio Nobel per la Fisica nel 1911 per le ricerche sulla radiazione termica.
2

Capitolo 1

La quantizzazione dellenergia e il fotone

Radianza spettrale (W/cm2 m)

12 10

1595 K Rayleigh-Jeans

8 6 4 2 00

Dati Wien
1 2 3 4 5 6

(m)

Figura 1.4: radianza spettrale sperimentale () e previsioni ottenute dalle formule di Rayleigh-Jeans e di Wien, per una temperatura di 1595 K.

unespressione allaltra dobbiamo ricordarci che la grandezza fisica che deve ` la potenza emessa, quindi deve valere : essere la stessa nei due casi e R ( )d = R ( )d (1.5)

dove il segno deriva dal fatto che se la lunghezza donda aumenta la frequenza diminuisce e viceversa. Essendo = c / ne deriva che d = (c / 2 )d quindi R ( ) R ( ), cio` e non si pu` o passare da R ( ) a R ( ) semplicemente per sostituzione della variabile con c / . La legge di Wien espressa per la frequenza sarebbe invece: max /T = 5.879 1010 Hz/K (1.6)

Pi` u avanti verranno discussi degli esempi (1 e 2) di radiazione termica emessa dal corpo umano e dalle stelle che si comporta in accordo con le leggi di Stefan-Boltzmann e di Wien. Date queste osservazioni sperimentali, passiamo a discutere la loro interpretazione. Agli inizi del XX secolo esistevano due formule che tentavano di spiegare le caratteristiche della radiazione da corpo nero (vedi figura 1.4):
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La radiazione di corpo nero

Capitolo 1

` stata sviluppata inizialmente da Raylei1) la formula di Rayleigh-Jeans, e sulla base di principi della fisica classica e modificata successivamente da Jeans4 . Tale formula era stata ricavata considerando la radiazione entro la cavit` a come somma di onde stazionarie aventi i nodi sulla superficie della cavit` a. Il numero di onde stazionarie presenti in un certo intervallo di frequenze veniva contato usando considerazioni geometriche. A ciascuna onda veniva associata, secondo il principio di equipartizione dellenergia5, unenergia media E = kT dipendente solo dalla costante di Boltzmann k e dalla temperatura T della cavit` a. In questo modo si arriva a valutare la densit` a di energia entro la cavit` a e, quindi, la radianza spettrale. La formula cos` ottenuta per la radianza spettrale non risulta per` o in accordo con i valori sperimentali se non a lunghezze donda molto grandi ( 50 m). Non si tratta per` o di ` una semplice differenza quantitativa; il grosso problema di questa formula e che per lunghezze donda piccole essa tende a divergere (catastrofe ultravioletta) prevedendo, cosa chiaramente assurda, unintensit` a di irraggiamento infinita. ` invece una formula di 2) la formula di Wien per lirraggiamento, che e derivazione empirica. Tale formula non ha i problemi di divergenza della formula precedente e segue abbastanza bene le misure sperimentali, cominciando a discostarsene a lunghezze donda pi` u elevate. Questa formula ha come unico presupposto la somiglianza analitica con unaltra formula usata in tuttaltra situazione, la formula di Maxwell6 , per la distribuzione delle velocit` a delle molecole di un gas ideale. Per spiegare la radiazione termica, Wien gh3
John W. Strutt noto come Lord Rayleigh (1842-1919), fisico inglese vincitore del Premio Nobel per la Fisica nel 1904 per i suoi studi sui gas e la scoperta dellargon. 4 James H. Jeans (1877-1946), fisico, astronomo e matematico inglese, studi` o oltre alla teoria della radiazione anche levoluzione stellare. 5 Il principio di equipartizione dellenergia prescrive che in un sistema di particelle clas1 kT per ogni grado di libert` a; altrettanto siche allequilibrio lenergia cinetica media valga 2 dicasi per lenergia potenziale. 6 La formula di Maxwell fornisce la distribuzione f (v ) delle velocit` a v di singole molecole di massa m in un gas alla temperatura T . Tale distribuzione risulta dipendere dalla velocit` a 2 secondo una formula del tipo f (v ) v 2 e mv /2 kT .
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Capitolo 1

La quantizzazione dellenergia e il fotone

ha usato la forma funzionale di Maxwell, adattando i parametri ai risultati sperimentali. Rispetto al mancato accordo tra risultati sperimentali e la formula di Rayleigh-Jeans, la proposta di Wien rappresent` o un passo in avanti, dal punto di vista della pratica, ma era ovviamente insufficiente dal punto di vista della teoria. Queste due formule risultano parzialmente accettabili, vista la loro applicabilit` a a porzioni diverse dello spettro infrarosso. Entrambe per` o falliscono nellinterpretazione della natura della radiazione termica.

1.1.2

La legge di Planck per la radiazione del corpo nero

Partendo dalle due descrizioni insoddisfacenti di Rayleigh-Jeans e Wien, Planck7 cerc` o di adattarle per ricavare unespressione valida su tutto lintervallo di lunghezze donda. A questo fine Planck propose inizialmente, nel 1900, una formula per la radianza ancora empirica, del tipo: R ( ) = 1 a 5 e b/T 1 (1.7)

dove i parametri empirici a e b erano stati ricavati in modo da accordare la formula con le osservazioni sperimentali. Anche se per questa formula laccordo valeva a qualsiasi lunghezza donda, essa non aveva apparentemente alcun fondamento teorico. Planck cerc` o successivamente di fornirne uninterpretazione teorica e nel giro di un paio di mesi ci riusc` , arrivando a una formulazione leggermente differente: R ( ) = 1 2c 2 h 5 hc / kT e 1 (1.8)

In questa nuova formula i due parametri a e b vennero sostituiti da due costanti universali: la costante di Boltzmann k e una nuova costante h , che assumer` a il nome di costante di Planck. Questa nuova formulazione risult` o
Max Planck (1858-1947), fisico tedesco vincitore del Premio Nobel per la Fisica nel 1918 per la scoperta della quantizzazione dellenergia.
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La radiazione di corpo nero

Capitolo 1

in pieno accordo con i risultati sperimentali (vedi figura 1.5) a piccole come a grandi lunghezze donda. Rispetto alla formulazione precedente essa non rappresenta banalmente una sostituzione di variabili perch e ora la formula viene a dipendere da costanti universali e non da parametri empirici. La nuova costante h introdotta da Planck viene ad assumere un significato fondamentale, associato alla quantizzazione dellenergia.

1.1.3

La quantizzazione dellenergia

Per arrivare alla sua formula Planck rivide la legge di equipartizione dellenergia E = kT e assunse che essa valesse ancora per frequenze vicine a zero mentre, per ovviare alla catastrofe ultravioletta, lenergia media dovesse tendere a zero ad alte frequenze. Nel modello elaborato da Planck gli atomi che compongono la superficie interna della cavit` a si comportano come degli oscillatori caratterizzati da una frequenza propria di oscillazione. Come tutti gli oscillatori essi sono in grado di assorbire energia, se sollecitati dallesterno, e di cederne a loro volta. Un tale oscillatore, secondo la teoria classica, sarebbe soggetto a variazioni continue dellenergia, cos` come un pendolo classico riduce progressivamente lampiezza delle proprie oscillazioni quando lattrito con laria o lattrito tra filo e perno dissipano in modo progressivo la sua energia. Loscillatore introdotto da Planck si comportava per` o in modo diverso e lipotesi fondamentale postulata da Planck fu che: Per un oscillatore lenergia E assorbita o ceduta pu` o assumere solo valori discreti, multipli di una quantit` a elementare, cio` e E = nh dove il numero intero n, chiamato numero quantico, ci dice che lincremento ` o decremento minimo di energia deve essere pari alla quantit` a h , dove h e una costante universale indipendente dalle caratteristiche della cavit` a. Lidea che gli incrementi o decrementi nellenergia di un oscillatore avvengano in modo discreto corrisponde ad assumere che lenergia, una grandezza fisica che veniva considerata fino ad allora variabile con continuit` a, sia

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Capitolo 1

La quantizzazione dellenergia e il fotone

Radianza spettrale (W/cm2 m)

8 7 6 5 4 3 2 1 00 1 2 3 4 5 6

1595 K

(m)

Figura 1.5: radianza spettrale sperimentale () e previsione ottenuta dalla formula di Planck per un corpo nero alla temperatura T = 1595 K. I dati sperimentali sono tratti da una misura di W.W. Coblentz (1916) e riscalati per tenere conto di una definizione diversa di radianza.

invece una quantit` a discreta o come si dice quantizzata. Questo concetto rivoluzionario non fu facile da accettare nemmeno da parte di Planck stesso che cerc` o invano, per pi` u di un decennio, di conciliare la teoria classica con il modello quantistico. La difficolt` a principale nellaccettare questa nuova idea stava nel fatto che la teoria classica aveva ben funzionato per descrivere il moto di oggetti macroscopici mentre era nel dominio del microscopico, nel caso ad esempio degli atomi-oscillatori, che essa falliva. La discrepanza era basata su dati di fatto, ma poteva essere sanata se si andava a considerare la teoria classica come un caso limite di quella quantistica. In questa ottica il legame tra le due teorie sta nel principio di corrispondenza, principio che pu` o essere enunciato nel modo seguente: La teoria quantistica coincide con quella classica quando si ha a che fare con numeri quantici grandi cio` e tipicamente con oggetti macroscopici per i quali la teoria classica funziona egregiamente. Avendo considerato lenergia come una variabile discreta e non continua,
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La radiazione di corpo nero

Capitolo 1

la legge di equipartizione dellenergia assume una forma differente: E= h e h/kT 1 (1.9)

tale da ottenere il comportamento voluto: E kT per 0 e E 0 per . ` lestrema piccolezza del valore della costante di Planck, h = Si noti che e 34 6.63 10 J s, a rendere inosservabile la discretezza dellenergia se non quando lenergia assume essa stessa valori minuscoli e confrontabili con la variazione elementare h . La costante di Planck rappresenta allora un altro modo di guardare al principio di corrispondenza: si pu` o ottenere la teoria classica a partire da quella quantistica facendo tendere h a zero; in questo modo la quantizzazione dellenergia sparirebbe e lenergia tornerebbe ad essere una grandezza continua. Il principio di corrispondenza spiega anche perch e la legge di RayleighJeans fosse in accordo con lesperimento per 50 m. Lunghezze donda elevate corrispondono, infatti, a frequenze molto piccole e, quindi, il valore di h risulta piccolo rispetto alla quantit` a kT che rappresenta lordine di grandezza dellenergia media classica di traslazione di una particella alla tempe` inosservabile e si ricade ratura T . In questo caso la discretezza dellenergia e nel caso classico. Osserviamo che le leggi sperimentali di Stefan-Boltzmann e dello spostamento di Wien possono essere ricavate a partire dalla formula di Planck per la radianza8 . Nel primo caso si integra su tutto il dominio della lunghezza donda, nel secondo caso si trova il valore di lunghezza donda che annulla la derivata della radianza spettrale, dR ( )/d = 0.

1.1.4

Implicazioni del postulato di Planck

Il postulato usato da Planck, cio` e che ogni oscillatore possiede unenergia pari ` un numero intero, pu` a nh dove n e o essere generalizzato dicendo che
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In questo caso sarebbe pi` u conveniente usare R ( ) = 2h 3 /( e h / kT 1)c 2 .

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Capitolo 1

La quantizzazione dellenergia e il fotone

Un qualsiasi sistema fisico, descritto da una coordinata che sia una funzione sinusoidale del tempo e che quindi esegua oscillazioni armoniche semplici, possiede una energia E = nh . In questo caso si dice che il sistema si trova in un insieme discreto di stati quantici permessi, descritti dal numero quantico n. Tale descrizione quantistica sarebbe vera, ad esempio, per un pendolo semplice che oscilli a partire da una certa ampiezza iniziale. Sappiamo per` o che a causa di attriti vari lampiezza delloscillazione del pendolo e, quindi, ` quantizzata, come ci aspettiamo la sua energia diminuiscono. Se lenergia e da quanto detto finora, allora anche lampiezza di oscillazione deve variare in modo discreto. Come pu` o accordarsi ci` o con la nostra esperienza che la diminuzione dellampiezza sia continua? Lo discuteremo nellesempio 3.

1.1.5

Esempi

1. Discutere la radiazione termica prodotta dal corpo umano. La radiazione termica emessa dal corpo umano segue sostanzialmente le leggi della radiazione del corpo nero. Parte dellenergia scambiata dal corpo con lambiente circostante viene scambiata sotto forma di radiazione termica, con uninterazione continua con lambiente. La potenza netta risulta essere la differenza tra quella emessa e quella assorbita: Pnetta = Pem Pass dove ciascuna potenza risulta essere pari allintensit` a di irraggiamento moltiplicata per larea A del corpo umano. A sua volta lintensit` a di irraggiamento segue la legge di Stefan-Boltzmann, tenendo conto dellemissivit` a. La potenza netta irradiata diventa allora:
4 ) Pnetta = A (T 4 T0

` la temperatura ambiente e T quella del corpo umano. Considove T0 e deriamo unarea approssimativa di 2 m2 per la superficie del corpo umano,
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La radiazione di corpo nero

Capitolo 1

unemissivit` a 1, una temperatura ambiente T0 = 20 C e una temperatura media del corpo umano T 28 C, dovuta alla presenza dellabbigliamento. Con questi valori la potenza netta risulta essere: Pnetta = 2 1 5.67 108 (3014 2934 ) = 95 W cio` e la stessa potenza emessa da una tipica lampadina a incandescenza. Una tale potenza netta persa dal corpo umano comporterebbe una perdita giornaliera di energia pari a 8.2 106 J o equivalentemente circa 2000 kcal. Ecco perch e dobbiamo assumere con il cibo una quantit` a energetica pi` u o meno equivalente anche solo per mantenere la nostra temperatura corporea. Il calcolo fatto rappresenta una stima grossolana a causa dellapprossimazione delle assunzioni. Esistono, inoltre, altri meccanismi per lo scambio di calore che andrebbero considerati, quali la conduzione, la convezione e levaporazione legata alla nostra traspirazione. Sfruttando la legge dello spostamento di Wien possiamo poi stabilire la lunghezza donda dominante della radiazione emessa dal corpo umano: max = 2898/301 = 9.6 m Il picco della radianza si trova, quindi, nella regione infrarossa. 2. Discutere la radiazione termica prodotta dalle stelle. Consideriamo la radiazione termica proveniente da tre stelle: il Sole, Antares e Vega. Per queste tre stelle conosciamo (vedi tabella 1.1) la lunghezza donda dominante (quella del picco della radianza) max e il raggio r . Con questi valori si pu` o ottenere una stima approssimativa della loro temperatura superficiale, dellintensit` a di irraggiamento e della potenza totale irraggiata. Assumendo che la superficie stellare si comporti come un corpo nero, possiamo ottenere una buona stima della sua temperatura dalla legge dello spostamento di Wien: T = 2898/ max ottendendo una temperatura superficiale di circa 5800 K per il Sole, 3500 K per Antares e 9600 K per Vega. Le intensit` a di irraggiamento si ottengono
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Capitolo 1

La quantizzazione dellenergia e il fotone

STELLA Sole Antares Vega

max (nm) 500 830 300

` RAGGIO r (m) LUMINOSITA 7.0 108 1 L 11 4.9 10 65000 L 9 1.6 10 37 L

Tabella 1.1: lunghezza donda del picco delle radianza, raggio e luminosit` a di tre stelle.

invece dalla legge di Stefan-Boltzmann: I = T 4 = 5.67 108 T 4 e corrispondono a 6.4 107 , 8.5 106 e 4.8 108 W/m2 rispettivamente per Sole, Antares e Vega. ` legata alla luminosit` La potenza totale emessa e a della stella e si ottiene moltiplicando lintensit` a di irraggiamento per larea della superficie stellare: P = I 4r 2 Le potenze corrispondenti valgono 3.9 1026 , 2.6 1031 e 1.5 1028 W rispettivamente per Sole, Antares e Vega. La luminosit` a di una stella rispetto a quella solare si ottiene facendo il rapporto tra le rispettive potenze. Da ci` o ` circa 66 000 volte maggiore di quella si ricava che la luminosit` a di Antares e ` circa 40 volte maggiore di L . Questi del sole (L ) e che quella di Vega e valori sono in accordo con quanto riportato in tabella 1.1. 3. Si discuta la quantizzazione dellenergia nel caso di un pendolo semplice. Si consideri un pendolo semplice di massa m pari a 10 grammi sospeso tramite un filo di lunghezza = 10 cm, spostato dalla verticale di un angolo = 0.1 rad. La frequenza di oscillazione del pendolo si ricava dalla formula: g 9.8 1 1 = = 1.6 Hz = 2 2 0.1 valida per piccole oscillazioni.

18

Leffetto fotoelettrico

Capitolo 1

Lenergia iniziale del pendolo corrisponde alla sua energia potenziale nella posizione iniziale, assumendo come zero dellenergia potenziale il valore corrispondente a quando il pendolo passa per la verticale. Quindi: E = mgh = mg(1 cos ) cio` e E = 0.01 9.8 0.1 (1 cos 0.1) = 5 105 J La quantizzazione dellenergia prevederebbe incrementi/decrementi di energia di entit` a E = h = 6.631034 1.6 = 1 1033 J. Chiaramente tale quantit` a discreta risulta essere enormemente pi` u piccola dellenergia stessa del pen 29 dolo, essendo E/E = 2 10 . Per accorgersi della discretezza dellenergia, e cio` e della validit` a del postulato di Planck per il pendolo in questione, dovremmo essere in grado di misurare lenergia del pendolo con unaccuratezza migliore di una parte su 1029 , cosa assolutamente impossibile in questo caso come per qualsiasi altro esempio riguardante corpi macroscopici.

1.2

Leffetto fotoelettrico

La radiazione di corpo nero riguarda tipicamente la porzione infrarossa o visibile dello spettro delle onde elettromagnetiche. Aumentando la frequenza della radiazione incidente e illuminando una piastrina metallica con radiazione ultravioletta, avente lunghezza donda compresa tra circa 1 e 400 nm, si osserva invece un altro fenomeno di estremo interesse: leffetto fotoelettrico, scoperto da Hertz9 nel 1887. Consideriamo il sistema rappresentato in figura 1.6 in cui una piastrina metallica viene illuminata con onde elettromagnetiche di frequenza . Si osserva sperimentalmente che se la radiazione incidente ha frequenza suf` in ficientemente grande (tipicamente nellintervallo dellultravioletto) essa e grado di espellere degli elettroni dalla piastrina metallica. Gli elettroni espulsi, chiamati fotoelettroni, possono poi essere raccolti da un anodo e trasformarsi in corrente misurabile in un circuito esterno. Lefficacia della raccolta
9

Heinrich R. Hertz (1857-1894), fisico tedesco, scopritore anche delle onde radio (1897).
19

Capitolo 1

La quantizzazione dellenergia e il fotone

C E

A V

Figura 1.6: apparato sperimentale per la misura delleffetto fotoelettrico. Nel recipiente sotto vuoto una piastrina (emettitore) E viene illuminata e il fotoelettrone emesso () viene raccolto dal collettore C. Variando la d.d.p. applicata V si misura con lamperometro A una corrente i .

dei fotoelettroni emessi dipende dalla differenza di potenziale V applicata tra la piastrina (catodo emettitore) e lanodo collettore. Questa differenza ` a sua volta la somma della differenza di potenziale del gedi potenziale e neratore (Vgen ) e del potenziale di contatto (Vcont ) inevitabilmente presente se emettitore e collettore sono composti da metalli differenti. Ai fini della discussione non ci interessa per` o separare i due tipi di potenziale e faremo sempre riferimento alla differenza di potenziale complessiva. La figura 1.7 mostra lintensit` a della corrente osservata allanodo in funa della radiazione incidente e per zione di V , per un certo valore I0 di intensit` un valore doppio. Dallo studio di questa figura possiamo trarre le considerazioni seguenti: per una differenza di potenziale sufficientemente grande tutti i fotoelettroni emessi dal catodo vengono raccolti allanodo e si raggiunge un valore di saturazione per la corrente; a unilluminazione con intensit` a doppia corrisponde un valore doppio per la corrente di saturazione; in corrispondenza di V = 0 esiste ancora una qualche corrente, per` o se la differenza di potenziale diventa sufficientemente negativa la corrente va a

20

Leffetto fotoelettrico

Capitolo 1

2 I0

I0

V0

Figura 1.7: intensit` a di corrente misurata in seguito ad illuminazione con intensit` a I 0 e 2I 0 .

zero. Il valore V0 di V che annulla la corrente si chiama potenziale darresto e risulta essere lo stesso indipendentemente dallintensit` a dellilluminazione. Il potenziale darresto rappresenta il potenziale (negativo) da applicare per impedire ai fotoelettroni di raggiungere lanodo. Anche il fotoelettrone emesso con velocit` a maggiore non deve essere in grado di arrivare allanodo quindi, considerando la conservazione dellenergia, ne segue che lenergia cinetica massima vale proprio Kmax = eV0 . Possiamo a questo punto provare a misurare come il potenziale darresto dipenda dalla frequenza della luce incidente. In questo caso si ottiene il grafico di figura 1.8 dal quale si evince che esiste una frequenza minima 0 , detta frequenza di soglia, corrispondente a un potenziale darresto nullo, al di sotto della quale lemissione di fotoelettroni non ha luogo. Il grafico riporta i dati tratti da una misura di Millikan10 fatta nel 1914. Sono sostanzialmente tre le propriet` a delleffetto fotoelettrico che non sono spiegabili per mezzo dellelettromagnetismo classico: 1) relazione intensit` a - energia cinetica. La figura 1.7 fa vedere che il potenziale darresto non dipende dallintensit` a della luce incidente. Ne consegue
Robert A. Millikan (1868-1953), fisico statunitense vincitore del Premio Nobel per la Fisica nel 1923 per i suoi studi sulleffetto fotoelettrico.
10

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Capitolo 1

La quantizzazione dellenergia e il fotone

allora che anche lenergia cinetica massima dei fotoelettroni Kmax = eV0 non debba dipendere dallintensit` a. Ci` o non torna per` o con lelettromagnetismo classico perch e a unintensit` a maggiore corrisponderebbe un valore maggiore dellampiezza del campo elettrico, quindi, un lavoro pi` u grande fatto sugli elettroni e dunque unenergia cinetica maggiore; 2) frequenza di soglia. Lemissione di un fotoelettrone avviene, secondo la teoria classica, quando lelettrone ha assorbito dalla radiazione incidente unenergia sufficiente a vincere le forze che lo tengono legato alla piastrina ` una propriet` a caratteristimetallica, cio` e pari al lavoro di estrazione W0 che e ca del metallo. Ne consegue che, con unintensit` a sufficientemente grande la ` in contradfotoemissione avviene per qualsiasi valore della frequenza. Ci` oe dizione, per` o, con losservazione sperimentale dellesistenza di una frequenza di soglia; 3) assenza di ritardo. Unaltra contraddizione tra teoria classica ed esperimento sta nella simultaneit` a tra arrivo dellonda luminosa e la fotoemissione. ` distribuita su tutto il fronte donda e ci si Lenergia della radiazione classica e aspetta che ciascun elettrone assorba solo quella che incide su una superficie efficace pari circa alla sezione dellatomo al quale lelettrone appartiene. Se ` estremamente debole si prevede allora che la fotoemislintensit` a della luce e sione avvenga con un ritardo significativo (come discusso nellesempio 4), durante il quale lelettrone continua a raccogliere energia dallonda incidente fino a raggiungere unenergia pari almeno al lavoro di estrazione. ` per` Un tale ritardo non e o osservato sperimentalmente: la fotoemissione ` praticamente coincidente con larrivo della luce. e Il disaccordo tra teoria elettromagnetica classica e il comportamento spe` una banale discrepanza numerica rimentale delleffetto fotoelettrico non e che potrebbe essere recuperata affinando le assunzioni alla base del modello. Si tratta, invece, di una fondamentale incapacit` a da parte della teoria classica di accordarsi con lesperimento. C` e bisogno di rivedere completamente i presupposti della teoria.

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Leffetto fotoelettrico

Capitolo 1

Potenziale darresto V0 (V)

3.5 3 2.5 2 1.5 1 0.5 00 2 4 6 8 10 12

Frequenza (1014 Hz)

Figura 1.8: potenziale darresto in funzione della frequenza della luce incidente. Misure tratte da un lavoro di Millikan (1914).

1.2.1

Linterpretazione di Einstein per leffetto fotoelettrico

Per risolvere lincompatibilit` a tra teoria classica ed esperimento, Einstein11 propose nel 1905 di rivedere il meccanismo di interazione tra radiazione e materia, alla luce dei risultati ottenuti dalla teoria di Planck per la quantizzazione dellenergia di un oscillatore. Nel momento in cui la radiazione viene assorbita dagli elettroni essa non si comporta, secondo Einstein, come unonda distribuita, ma come un pacchetto di energia localizzata. Sono tali pacchetti di energia, chiamati fotoni, a essere assorbiti individualmente e completamente dagli elettroni. Linterazione onda-materia non va allora considerata come un fenomeno complessivo, ma come uninterazione individuale tra un singolo fotone e un singolo elettrone. ` per Einstein in conflitto con i comunemente Questa assunzione non e accettati esperimenti sullinterferenza e diffrazione perch e in tali casi si ha a che fare con un numero molto grande di fotoni e, quindi, i risultati che
Albert Einstein (1879-1955), fisico tedesco famoso per la sua teoria della relativit` a; vinse invece il Premio Nobel per la Fisica nel 1921 per la teoria sulleffetto fotoelettrico.
11

23

Capitolo 1

La quantizzazione dellenergia e il fotone

si ottengono vanno riferiti a un comportamento collettivo in cui vengono mediati i comportamenti dei fotoni individuali. Lattenzione di Einstein non punta sulle modalit` a di propagazione della radiazione ben descritta della teoria ondulatoria classica ma invece sulle modalit` a di emissione e assorbimento. Il fotone porta con s` e unenergia quantizzata pari a E = h , localizzata in un piccolo volume dello spazio e che rimane localizzata mentre esso si muove nello spazio con velocit` a c. Allatto dellassorbimento della radiazione questa energia viene ceduta integralmente allelettrone in uninterazione individuale elettrone-fotone. Con questa energia lelettrone che si trova allinterno del metallo pu` o compensare lenergia dissipata negli urti con il reticolo cristallino e, una volta arrivato in prossimit` a della superficie, avere energia sufficiente per fornire il lavoro di estrazione e sfuggire al metallo. Il bilancio energetico per lassorbimento di un fotone da parte di un elettrone prossimo alla superficie del metallo sarebbe allora: Kmax = E W0 = h W0 (1.10)

mentre per tutti gli altri elettroni si avrebbero valori dellenergia cinetica K < Kmax . ` in grado di moVa sottolineato che lipotesi del fotone funziona perch ee tivare agevolmente le tre condizioni non spiegabili dalla teoria classica: 1) relazione intensit` a - energia cinetica. Il numero di fotoni associati a ` proporzionale allintensit` unonda elettromagnetica e a dellonda, quindi, anche se aumenta lintensit` a non aumenta la frequenza dellonda e il potenziale darresto: Kmax h W0 = (1.11) V0 = e e rimane indipendente dallintensit` a come osservato sperimentalmente; 2) frequenza di soglia. Per un fotone avente frequenza 0 = W0 / h lenergia cinetica massima del fotoelettrone risulterebbe nulla. Perci` o se la radiazioe per quanto ne ha frequenza al di sotto di 0 , per quanti fotoni ci siano cio` intensa sia la radiazione, nessun elettrone pu` o assorbire energia sufficiente a fornire il lavoro di estrazione e quindi leffetto fotoelettrico non si verifica;
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Leffetto fotoelettrico

Capitolo 1

3) assenza di ritardo. Nel momento in cui un fotone, con frequenza superiore alla soglia, viene a contatto con un elettrone gli cede istantaneamente la sua energia. Riducendo lintensit` a riduciamo il numero di fotoni, ma fintantoch e ce n` e almeno uno leffetto fotoelettrico si pu` o verificare. `: Per Einstein lintensit` a della radiazione e I = Nh (1.12)

` il numero medio di fotoni che attraversano lunit` dove N e a di superficie (ortogonale alla direzione di propagazione dellonda) nellunit` a di tempo (vedi esempio 5). Siccome la teoria ondulatoria prescrive che lintensit` a sia proporzionale al valore medio del quadrato dellampiezza del campo elettrico 2 pu` o essere intere siccome tutti i fotoni hanno la stessa energia, allora E m pretato come una misura del numero medio di fotoni presente nellunit` a di volume. La teoria del fotone non solo risolve elegantemente i problemi suelencati, ma risulta essere in accordo con i risultati ottenuti precedentemente sulla radiazione del corpo nero. Sulla base della misura del potenziale darresto in funzione della frequenza (vedi figura 1.8), Millikan arriv` o nel 1914 a misurare, a partire dalla pendenza della retta interpolante, il valore della costante numerica h che moltiplica la frequenza. Tale misura forn` il valore 34 h = (6.57 0.03) 10 J s, in ottimo accordo con il valore usato da Planck nella sua formula. Si tratta, quindi, della stessa costante universale a cui si assegna, sulla base di misure pi` u recenti, il valore: h = 6.626 1034 J s ` che il fotone abbia esattamente Va sottolineato che lipotesi di Einstein e energia pari a h e non pari a un suo multiplo intero. Lenergia nh delloscillatore di Planck sarebbe allora associata alla presenza di n fotoni aventi tutti frequenza . In questa ottica Einstein tratt` o la radiazione presente entro la cavit` a come un gas di fotoni non interagenti luno con laltro e ricav` o la stessa formula ottenuta qualche anno prima da Planck.

25

Capitolo 1

La quantizzazione dellenergia e il fotone

1.2.2

Esempi

4. Valutare il tempo che, nella teoria classica, sarebbe necessario a un elettrone per essere emesso da una superficie di potassio illuminata con una sorgente luminosa di potenza pari a P = 1 W, posta a una distanza = 1 m. Il potassio ha un lavoro di estrazione W0 = 2.3 eV = 3.7 1019 J e affinch e lelettrone possa essere emesso esso deve assorbire dallonda al` distribuita in modo trettanta energia. Se lenergia della radiazione incidente e uniforme su tutto il fronte donda sferico, quella assorbita dallelettrone sar` a 2 20 solo la porzione che colpisce unarea efficace pari a circa r = 10 m2 ` il raggio tipico di un atomo. La potenza assorbita dove r 1 1010 m e dallelettrone vale: Pe = P r 2 = 2.5 1021 P = 2.5 1021 W 42

Per raggiungere il valore necessario di 3.7 1019 J ci vuole un tempo pari a W0 = 1.5 102 s Pe `, quindi, facilmente osservabile. cio` e 2 minuti e mezzo, che e t =

5. In riferimento allesempio precedente, quanti elettroni potrebbero, al pi` u, essere emessi in un secondo da unarea unitaria? Si assuma luce monocromatica con lunghezza donda = 530 nm. Innanzitutto verifichiamo che leffetto fotoelettrico abbia effettivamente luogo. Lenergia di ciascun fotone vale: E = h = hc 6.63 1034 3 108 = = 3.75 1019 J = 2.35 eV 9 530 10

appena al di sopra della soglia corrispondente al lavoro di estrazione W0 = 2.3 eV.

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Leffetto fotoelettrico

Capitolo 1

Raggi X Cristallo

Macchie di Laue

Lastra fotograca

Figura 1.9: schema dellapparato usato da Laue per la diffrazione di raggi X su un cristallo.

Alla distanza = 1 m la potenza per area unitaria (cio` e lintensit` a) vale I= P 1 = 8.0 102 W/m2 = 5.0 1017 eV/m2 s = 2 4 4 1

Il numero di fotoni che colpiscono larea unitaria nellunit` a di tempo si ottiene dividendo lintensit` a per lenergia del singolo fotone: I 5.0 1017 = 2.1 1017 /m2 s = E 2.35 Ciascuno di questi fotoni pu` o essere assorbito da un elettrone, ma solo gli elettroni in prossimit` a della superficie non perdono, a causa degli urti con il reticolo cristallino, parte di questa energia finendo sotto la soglia pari a W0 . Al pi` u possono, quindi, essere emessi 2.1 1017 e /m2 s. Osserviamo che il numero di fotoni che colpiscono larea unitaria in un ` un numero enorme, quindi, la granularit` secondo e a della radiazione diventa difficile da rivelare. La radiazione appare perci` o continua, salvo circostanze speciali.

27

Capitolo 1

La quantizzazione dellenergia e il fotone

1.3 Diffrazione dei raggi X su un cristallo


Passiamo ora a discutere i raggi X12 , cio` e la radiazione elettromagnetica avente lunghezza donda compresa approssimativamente tra 0.01 e 10 nm. Questa radiazione ha lunghezza donda dellordine delle distanze interatomiche e, quindi, ci si aspetta che essa possa essere soggetta a diffrazione da parte di un cristallo. Il ruolo delle fenditure trasparenti, che funzionavano per un reticolo ottico diffrangendo la luce e producendo figure di interferenza, viene per i raggi X svolto dai piani presenti allinterno del reticolo cristallino. Inviando dei raggi X ben collimati su un cristallo, come in figura 1.9, e osservando limmagine che essi producono su una lastra fotografica, si osserva una serie di macchie luminose che ricorda il risultato dellesperimento dei fori di Young. Queste macchie (vedi figura 1.10) vengono chiamate maco la prima volta nel 1912 chie di Laue, dal nome dello scienziato13 che le osserv` studiando la diffrazione da parte di un cristallo di cloruro di sodio. Questa immagine prova chiaramente che i raggi X hanno natura ondulatoria. Nel caso del cloruro di sodio, come per altri solidi cristallini, la struttura presenta una simmetria cubica in cui gli atomi si dispongono ai vertici di un cubo a formare delle celle elementari. Allinterno del reticolo cristallino si possono individuare allora dei fasci di piani che contengono queste celle ` elementari ripetute. La ripetizione, con una certa regolarit` a, di tali piani e ci` o che porta alla formazione delle figure di interferenza. La posizione delle macchie di Laue e la direzione di diffrazione rispetto allasse di incidenza vennero studiate da Bragg14, che mise in relazione la
I raggi X, scoperti dal fisico tedesco Wilhelm C. Roentgen nel 1895, sono prodotti quando un fascio di elettroni molto energetici, accelerati da una differenza di potenziale di migliaia di volt, viene fermato da un bersaglio; la forte decelerazione risulta in emissione di onde elettromagnetiche con spettro continuo. Per questa scoperta Roentgen (1845-1923) vinse il Premio Nobel per la Fisica nel 1901. 13 Max von Laue (1879-1960), fisico tedesco vincitore del Premio Nobel per la Fisica nel 1914 per la scoperta della diffrazione dei raggi X. 14 William L. Bragg (1890-1971), fisico australiano vincitore del Premio Nobel per la Fisica nel 1915 (assieme al padre William H. Bragg) per lanalisi della struttura cristallina per mezzo di raggi X.
12

28

Diffrazione dei raggi X su un cristallo

Capitolo 1

Figura 1.10: figura di diffrazione (macchie di Laue) prodotta dalla diffrazione di raggi X su un cristallo. Per gentile concessione di Internet Microscope for Schools dellUniversit` a di Manchester, UK. Vedi anche http://www.tools4schools.org.uk.

distanza tra i piani atomici d , la lunghezza donda della radiazione X e la direzione di diffrazione, in una equazione nota come legge di Bragg: 2d sin = m (m = 1, 2, 3, ...) (1.13)

` langolo di diffrazione della radiazione che emerge dal cristallo dove e come se fosse riflessa dai piani cristallini a un angolo di riflessione15 uguale a quello di incidenza (vedi figura 1.11). La differenza di cammino tra i due raggi ` pari a AC + CB = 2d sin . La condizione di interferen(1) e (2) di figura 1.11 e za si ottiene imponendo che la differenza di cammino sia pari a un multiplo intero della lunghezza donda, ottenendo cos` la legge di Bragg. In queste condizioni le onde riemesse da ciascuna cella elementare del reticolo cristallino (atomo o molecola) risultano essere in fase e interferiscono costruttivamente nella direzione corrispondente a un angolo di diffrazione uguale a quello della radiazione incidente; si parla in questo caso di riflessione di Bragg. Allinterno del reticolo si possono definire tante famiglie possibili di piani paralleli passanti per le celle elementari. Una tra queste famiglie avr` a distanza interplanare d tale da soddisfare la legge di Bragg per la lunghezza donda
In questo caso langolo di riflessione non viene definito, come al solito, rispetto alla normale di incidenza ma rispetto al piano (angolo radente).
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Capitolo 1

La quantizzazione dellenergia e il fotone

(2) (1)

A C B

Figura 1.11: rappresentazione della diffrazione di raggi X come riflessione sui piani (linee tratteggiate) del cristallo, dove i pallini rappresentano i centri delle celle elementari. Sono evidenziati due raggi e il diverso cammino percorso.

della radiazione X incidente. Conoscendo gi` a la lunghezza donda e misurando si ottiene una caratterizzazione della struttura geometrica di un cristallo, mentre conoscendo le distanze interplanari e misurando possiamo ottenere una misura di . In esperimenti simili Debye16 e Scherrer17 studiarono la diffrazione di raggi X su una polvere cio` e su un agglomerato di cristalli minuscoli orientati a caso. In questa situazione non si ottengono delle singole macchie, ma degli anelli circolari (vedi figura 1.12) dovuti alla diffrazione sugli innumerevoli piani cristallini aventi orientazione spaziale casuale. I raggi degli anelli sono collegati alla lunghezza donda dei raggi X e forniscono un modo per misurarla. Lesperimento di Debye e Scherrer conferma in modo spettacolare quanto osservato da Laue, a dimostrazione che i raggi X hanno comportamento ondulatorio nella loro interazione con la materia in forma cristallina.
Peter J.W. Debye (1884-1966), fisico e chimico olandese vincitore del Premio Nobel per la Chimica nel 1936. 17 Paul Scherrer (1890-1969), fisico svizzero.
16

30

La diffusione di Compton

Capitolo 1

Figura 1.12: rappresentazione della figura di diffrazione prodotta dalla diffrazione di raggi X su una polvere policristallina.

1.4

La diffusione di Compton

Nel 1923 Compton18 studi` o la diffusione di raggi X monocromatici incidenti su un bersaglio di grafite, come descritto in figura 1.13. Andando a misurare la presenza di raggi X in funzione dellangolo di diffusione e la loro lunghezza donda, si osservarono due picchi di intensit` a: uno alla stessa lunghezza donda della radiazione incidente e uno a una lunghezza donda diversa , pi` u grande di un valore chiamato spostamento di Compton. Muovendo il rivelatore e, quindi, variando langolo di diffusione si osserv` o che il valore di risultava essere dipendente da . La teoria ondulatoria classica prevede che i raggi X, comportandosi come onde elettromagnetiche a tutti gli effetti, vadano a sollecitare con il loro campo elettrico gli elettroni dellatomo, costringendoli a oscillare con frequenza pari a quella dei raggi X stessi e portandoli, quindi, a emettere a loro volta ` possibile, quinonde elettromagnetiche ancora alla stessa frequenza. Non e
Arthur H. Compton (1892-1962), fisico statunitense vincitore nel 1927 del Premio Nobel per la Fisica per gli studi sulla diffusione dei raggi X.
18

31

Capitolo 1

La quantizzazione dellenergia e il fotone

rivelatore

collimatore bersaglio

Figura 1.13: descrizione dellapparato usato da Compton per lo studio della diffusione di raggi X.

di, immaginare un meccanismo che sulla base della teoria classica preveda riemissione di onde con . Compton interpret` o questi risultati postulando che i raggi X incidenti non siano semplicemente unonda di frequenza , ma uninsieme di fotoni. La diffusione dei raggi X non sarebbe altro che un urto tra questi fotoni ina di moto p = h /c e i singoli dividuali, aventi energia E = h e quantit` elettroni del bersaglio debolmente legati al resto dellatomo e, inizialmente, pressoch e in quiete. I fotoni vennero trattati da Compton ancora come particelle, ma a differenza del caso fotoelettrico non venivano assorbiti ma diffusi, cio` e deviati con direzione diversa da quella di incidenza, cos` come avviene per urti tra corpi. La giustificazione dellipotesi di un urto con un singolo elettrone deriva dallosservazione sperimentale che la frequenza della radiazione diffusa non dipende dal tipo di materiale che costituisce il bersaglio e, quindi, dal numero di elettroni o protoni presenti in ciascun atomo. Per questo motivo il fenomeno di diffusione deve riguardare non interi atomi, ma singoli elettroni. A differenza della teoria ondulatoria la teoria del fotone spiega facilmente il fatto che e arriva anche a prevedere quanto debba valere per un certo angolo di diffusione, determinando un accordo qualitativo e quantitativo con le osservazioni sperimentali. Risulta chiaro, facendo riferimento
32

La diffusione di Compton

Capitolo 1

= 0

= 90

Intensit` a

Intensit` a

= 135

45

0 0.700 0.750

) (A

0.700

0.750

) (A

Figura 1.14: risultati sperimentali per la diffusione di Compton in corrispondenza dellangolo di diffusione = 0 e = a rela45 . Viene rappresentata lintensit` tiva in funzione della lunghezza donda del raggio diffuso.

Figura 1.15: risultati sperimentali per la diffusione di Compton in corrispondenza dellangolo di diffusione = 90 e = a re135. Viene rappresentata lintensit` lativa in funzione della lunghezza donda del raggio diffuso.

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Capitolo 1

La quantizzazione dellenergia e il fotone

alle leggi di conservazione energia-quantit` a di moto in un urto, che se lelettrone emerge con una certa energia e quantit` a di moto dopo lurto, il fotone deve emergere con energia e quantit` a di moto differenti rispetto al valore posseduto prima dellurto. Si spiega, quindi, in questo modo il fatto che sia . Se si fa riferimento alla cinematica relativistica19 e si applicano le leggi di conservazione di energia e quantit` a di moto nella loro formulazione relativistica, si ottiene una previsione per lo spostamento di Compton = in funzione di : h (1 cos ) = (1.14) mc dove la quantit` a C = h /mc = 2.43 1012 m viene chiamata lunghezza donda di Compton. Tale previsione risult` o essere in accordo con le misure sperimentali, come pu` o essere osservato in figura 1.14 e 1.15. La presenza di un ` dovuta allintervallo finito picco di larghezza finita in corrispondenza di e delle lunghezze donda e degli angoli di diffusione selezionati dallapparato e allincertezza sui loro valori. ` in grado di prevedere il valore dello spostamenSe la teoria relativistica e to di Compton, resta da capire come mai avvengano anche diffusioni corri` che la spondenti a = 0 cio` e = . In questo caso quello che succede e diffusione, cio` e lurto e , avviene non con un elettrone quasi libero ma con un elettrone fortemente legato al suo atomo. In questo caso lanalogia sarebbe con un urto classico tra una particella e un corpo di massa molto grande: la particella incidente emerge dallurto con energia pressoch e immutata perch e la grande massa del corpo gli consente di rinculare con la stessa velocit` a. Se il fotone incidente viene diffuso senza variazioni sostanziali nella sua energia ne consegue che anche la sua lunghezza donda rester` a immutata come osservato nel picco di sinistra di figura 1.15. Nella soluzione delle equazio` una modifica di quella classica per renderla compatibile con La cinematica relativistica e la teoria della relativit` a di Einstein. Per essa lenergia di un corpo avente massa m e quantit` a 2 + m 2 c 4 , dove c e ` ` E = p2 c la velocit` a della luce nel vuoto, mentre la quantit` a di moto p e di moto vale p = mv / 1 v 2 /c 2 .
34
19

La diffusione di Compton

Capitolo 1

ni dellurto bisogna sostituire la massa dellelettrone m con quella dellintero atomo M . Nel caso della grafite (M 22 000 m) lo spostamento Compton diventa 22 mila volte pi` u piccolo e la radiazione diffusa finisce al di sotto del picco corrispondente alla lunghezza donda incidente. In questo caso si parla di diffusione di Thomson. La diffusione di Thomson e quella di Compton sono fenomeni che avvengono entrambi quando una radiazione elettromagnetica colpisce un ber` solo per lunghezze donda molto piccole, cio` saglio. E e nellintervallo dei raggi X, che la diffusione di Compton diventa osservabile in aggiunta a quella di Thomson. Per lunghezze donda ancora pi` u piccole, cio` e per i raggi , la diffusione di Compton diventa invece dominante. I risultati dellesperimento di Compton sancirono definitivamente la necessit` a e la validit` a dellipotesi del fotone.

1.4.1

Esempi

6. Ricavare dalla figura 1.15 il valore della costante h che compare nellequazione (1.14). I risultati della figura 1.15 mostrano, per un angolo di diffusione = 135 , e uno a circa 0.747 A. Il primo la presenza di due picchi, uno a circa 0.708 A 12 ` allora a = 70.8 10 m, mentre il secondo corrisponde a = picco e 74.7 1012 m. Lo spostamento di Compton vale, quindi: = = 3.9 1012 m Invertendo lequazione (1.14) si ottiene h= 9.1 1031 3.0 108 3.9 1012 mc = = 6.24 1034 J s 1 cos 1 cos 135

molto vicino al valore della costante di Planck. 7. Si consideri un fascio di raggi X aventi lunghezza donda = 0.1 nm. Considerando la radiazione diffusa a 90 calcolare: a) lo spostamento di Compton,

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Capitolo 1

La quantizzazione dellenergia e il fotone

b) lenergia cinetica di rinculo dellelettrone, c) la frazione energia persa dal fotone. Lo spostamento di Compton per = 90 vale = 6.63 1034 h (1 cos ) = (1 0) = 2.43 1012 m mc 9.1 1031 3.0 108

Assumendo che lelettrone sia inizialmente a riposo la conservazione del + K , quindi l energia cinetica dellelettrone lenergia prescrive che20 E = E e vale hc hc hc K e = E E = = + ( + ) cio` e: Ke = 6.63 1034 3.0 108 2.43 1012 = 4.72 1017 J 9 12 0.1 10 (100 + 2.43) 10

equivalente a 295 eV. Lenergia del fotone valeva inizialmente: E = hc 6.63 1034 3.0 108 = = 1.99 1015 J = 12.4 keV 0.1 109

`: e la frazione di energia persa e E /E = 0.295/12.4 = 0.024 quindi, il fotone perde in questa diffusione di Compton il 2.4% della sua energia.

1.5 Natura duale delle onde elettromagnetiche


Gli esperimenti presentati in questo capitolo hanno dimostrato la necessit` a di introdurre nella teoria lidea del fotone, inteso come un pacchetto di energia
Secondo la cinematica relativistica bisognerebbe considerare per lelettrone anche le` la stessa prima e dopo lurto e, quindi, si semplifica oe nergia di massa a riposo mc 2 che per` nellequazione.
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20

Applicazioni

Capitolo 1

localizzato. Sono, infatti, i fotoni che si trovano entro la cavit` a a essere responsabili delle caratteristiche della radiazione termica del corpo nero, cos` come sono ancora i fotoni a produrre leffetto fotoelettrico. Londa elettromagnetica in queste due situazioni viene emessa e assorbita dalla materia sotto forma di fotoni. Lesperimento di Compton necessita a sua volta lipotesi del ` nefotone per spiegare il suo urto con lelettrone, ma fa un passo in avanti: e cessario che questi quanti di radiazione incidano sul bersaglio e ne emergano in direzioni ben definite, per conservare quantit` a di moto ed energia. Il fotone ha effettivamente nei casi suelencati un comportamento corpuscolare, ma le esperienze precedenti riguardanti i fenomeni di interferenza (esperimento di Young) e diffrazione (diffrazione dei raggi X) non possono essere dimenticate. Lunico modo per costruire una teoria non contradditoria `, quindi, quello di accettare la natura duale delle onde elettromagnetiche: e La radiazione non ` e un fenomeno n e puramente ondulatorio n e ` tutte e due le cose contemporaneapuramente corpuscolare, ma e mente. Questo non significa che un qualsiasi esperimento possa portare a conclusioni contradditorie, ma piuttosto che in determinate situazioni prevarr` a laspetto corpuscolare (ad esempio, nella diffusione di Compton) mentre in altre circostanze la radiazione si comporter` a secondo le usuali leggi delle onde (ad esempio, nellesperimento di Laue o di Debye-Scherrer). Questa dualit` a di comportamento pu` o lasciare perplessi, inizialmente, ma va accettata come un principio fondamentale su cui si basa il comportamento della radiazione elettromagnetica.

1.6 Applicazioni
Si vogliono fornire in questa sezione alcune applicazioni significative di quanto discusso in questo capitolo, relative alla radiazione termica e a un particolare tipo di radiazione elettromagnetica chiamata radiazione cosmica di fondo.
37

Capitolo 1

La quantizzazione dellenergia e il fotone

1.6.1

Termografia

Esistono dispositivi detti termografici (ad esempio le fotocamere allinfrarosso) sensibili alla radiazione infrarossa e che producono unimmagine della radiazione termica emessa da un corpo. Il vantaggio rispetto alla fotogra` che la radiazione termica e ` emessa da tutti i corpi in base alla fia usuale e loro temperatura e non c` e bisogno di illuminare un corpo per vederne limmagine infrarossa. Inoltre, poich e la radiazione termica segue le leggi della radiazione del corpo nero, lintensit` a e la frequenza della radiazione emessa vengono a dipendere dalla temperatura del corpo stesso. Ribaltando questa relazione, con la termografia risulta possibile individuare variazioni di temperatura in porzioni diverse del corpo tramite misure di intensit` a e di frequenza. Regioni a temperatura diversa vengono poi mappate in unimmagine a falsi colori in cui le zone pi` u calde vengono rappresentate tipicamente con colori verso il rosso e zone pi` u fredde con colori verso il blu. La figura 1.16 mostra, ad esempio, il termogramma di un edificio in cui le finestre, lasciando passare la radiazione termica dellambiente interno, risaltano rispetto alle pareti, pi` u fredde, delledificio. ` per` La termografia e o una cosa differente dal prendere unimmagine su una pellicola sensibile allinfrarosso, non fosse altro per lintervallo di sensi` sensibile tipicamente a temperature tra i 250 bilit` a. Una pellicola infrarossa e e i 500 C, mentre i dispositivi per termografia cominciano a essere sensibili gi` a attorno ai -50 C e arrivano fino a circa 2000 C. La termografia ha avuto tradizionalmente un uso esteso per fini bellici o di sicurezza, ma ha importanti applicazioni civili, ad esempio, nel campo della: diagnostica medica (vedi figura 1.17), che sfrutta il fatto che tessuti cancerosi sono caratterizzati dallavere un diverso afflusso sanguigno (a causa dellangiogenesi che modifica la vascolarizzazione), il che comporta una temperatura differente rispetto ai tessuti adiacenti. Poich e in un corpo umano normale c` e una elevata simmetria termica, piccole asimmetrie di temperatura possono essere in questo modo evidenziate. Il grosso vantaggio di questa ` che essa e ` assolutamente non-invasiva e priva di conseguenze visto tecnica e
38

Applicazioni

Capitolo 1

che non viene usata radiazione ionizzante, a differenza di altre tecniche diagnostiche che usano i raggi X. Va detto che una termografia pu` o suggerire la presenza di tessuto canceroso, ma solo una biopsia pu` o darne conferma. Differenze di temperatura possono essere indicazione di altre patologie legate a processi infiammatori come reumatismi, sinoviti, traumi muscolari, ecc. metereologia, dove si ricorre a satelliti equipaggiati con dispositivi sensibili alla radiazione infrarossa. Vengono prodotte delle immagini (vedi figu` possibile risalire al tipo e alla quota delle nuvole poich ra 1.18) dalle quali e e la temperatura delle nuvole diminuisce con la quota. Tipicamente viene usato lintervallo di lunghezze donda tra 10.3 e 12.5 m, corrispondente a temperature tra circa -40 e 10 C, consentendo la distinzione tra cirri e cumulonembi (pi` u freddi e a quota maggiore) e strati o stratocumuli (pi` u caldi e a quota minore). oceanografia, in cui le immagini infrarosse degli oceani (vedi figura 1.19) evidenziano la temperatura delle masse dacqua e la presenza di vortici o correnti, come nel caso della corrente del golfo.

1.6.2

Radiazione cosmica di fondo

Si tratta di una forma di radiazione elettromagnetica scoperta nel 1965 da Penzias e Wilson21 e che permea lintero universo. In questo caso si tratterebbe della radiazione termica di corpo nero per una temperatura di 2.7 K, la cui lunghezza donda corrispondente ha un picco a circa 1 mm, nella re` considerata dai cosmogione delle microonde. Questa radiazione residua e logi come la migliore prova della teoria del Big Bang che modella la nascita delluniverso. Secondo la teoria del Big Bang, sviluppatasi a partire dagli anni 40 con il
Arno Penzias (1933-), fisico statunitense di origine tedesca e lastronomo statunitense Robert W. Wilson (1936-), ricevettero nel 1978 il Premio Nobel per la Fisica per la loro scoperta.
21

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Capitolo 1

La quantizzazione dellenergia e il fotone

lavoro di Gamow22 , Alpher23 e Herman24 , luniverso originario era composto da un ammasso di fotoni, elettroni, barioni25 e plasma26 ad altissima temperatura. A seguito dellespansione delluniverso, con conseguente raffreddamento adiabatico dello stesso, iniziarono a formarsi atomi dalla combinazione di elettroni con protoni e neutroni. A partire da questa condizione, corrispondente a unet` a delluniverso di circa 400 mila anni, si ha il disaccoppiamento tra la materia (neutra) e la radiazione. A causa della continua espansione i fotoni hanno da allora continuato a diminuire la loro energia e, quindi, la loro temperatura fino al valore attuale di 2.7 K. ` Pi` u recentemente, linteresse verso la radiazione cosmica di fondo si e concentrato verso misure di anisotropia nella radiazione stessa, per ricavare dallinomogeneit` a maggiori informazioni sulla formazione e sulla struttura delluniverso. La figura 1.20 mostra, ad esempio, i risultati ottenuti dal satellite WMAP lanciato dallente spaziale statunitense NASA nel 2001.

1.7 Quesiti di riepilogo


1. Una certa sorgente di luce rossa ha una potenza maggiore di una certa sorgente di luce blu. Quale sorgente emette i fotoni con maggiore energia individuale? 2. La luce di frequenza espelle fotoelettroni dal metallo A ma non dal metal` maggiore lo B. Cosa significa? a) che la frequenza di soglia per il metallo B e ` maggiore che per il metallo di ; b) che il lavoro di estrazione del metallo B e A; c) entrambe le cose.
George Gamow (1904-1968), fisico di origine russa, noto anche per la spiegazione del decadimento dei nuclei attraverso leffetto tunnel. 23 Ralph A. Alpher (1921-2007), cosmologo statunitense. 24 Robert Herman (1914-1997), fisico statunitense. 25 I barioni sono delle particelle elementari composte da quark che sono tra i costituenti fondamentali della materia. Protoni e neutroni rientrano in questa categoria. 26 ` un gas di elettroni ionizzati che ha propriet` Il plasma e a distintive tali da considerarlo come uno stato della materia.
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40

Quesiti di riepilogo

Capitolo 1

` evidente la diversa temperaFigura 1.16: termogramma di un edificio. E tura di finestre e porte. Loriginale a colori pu` o essere trovato allindirizzo http://www.thermalconsultancy.com/gallery/. Per gentile concessione di www.thermalconsultancy.com.

Figura 1.17: termogramma di un corpo umano. Le zone con diversa colorazione corrispondono a valori differenti della temperatura superficiale. Loriginale a colori pu` o essere trovato allindirizzo http://www.breastthermography.com/mammography thermography.htm. Per gentile concessione di www.breastthermography.com.

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Capitolo 1

La quantizzazione dellenergia e il fotone

Figura 1.18: mappatura della temperatura delle formazioni nuvolose al di sopra della costa nord-orientale degli Stati Uniti. Zone a colore diverso corrispondono a zone a diversa temperatura e quindi a nubi a quota diversa. Mappe simili a colori possono essere trovate allindirizzo http://www.accuweather.com/maps-satellite.asp. Per gentile concessione di www.accuweather.com.

Figura 1.19: mappatura della temperatura delle acque degli oceani. Zone a colore diverso corrispondono a zone a diversa temperatura. Loriginale a colori pu` o essere trovato alindirizzo http://icons.wunderground.com/data/images/sst basin/gl sst.gif. Per gentile concessione di www.wunderground.com.

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Quesiti di riepilogo

Capitolo 1

Figura 1.20: mappatura della anisotropia della radiazione cosmica di fondo, fatta dal satellite WMAP. Loriginale a colori (e altre immagini) pu` o essere trovato allindirizzo http://map.gsfc.nasa.gov/media/080997/index.html. Per gentile concessione della NASA.

3. C` e nessuno dei metalli riportati in tabella 1.2 per il quale si potrebbe avere fotoemissione con luce visibile? 4. Supponiamo di illuminare una lastrina metallica con luce ultravioletta di intensit` a I e frequenza superiore alla frequenza di soglia per effetto fotoelettrico. a) Cosa succede al numero di elettroni emessi N e se si raddoppia la frequenza? b) E se si raddoppia lintensit` a I? 5. Che differenza c` e nel bersaglio usato per la diffrazione di Laue e per quella di Debye? ` vera: a) la diffusione di Compton 6. Quale tra le seguenti affermazioni e domina su quella di Thomson nella regione delle microonde; b) la diffusione di Compton domina su quella di Thomson per raggi ; c) la diffusione di Thomson domina sempre su quella di Compton.

43

Capitolo 1

La quantizzazione dellenergia e il fotone

METALLO LAVORO ESTRAZIONE (eV) Alluminio 4.1 Bario 2.5 Cadmio 4.1 Cobalto 5.0 Litio 2.3 Oro 5.1 Rame 4.7 Tungsteno 4.5

METALLO LAVORO ESTRAZIONE (eV) Argento 4.7 Berillio 5.0 Cesio 2.1 Ferro 4.5 Magnesio 3.7 Potassio 2.3 Tantalio 4.2 Zinco 4.3

Tabella 1.2: lavoro di estrazione per alcuni metalli.

` METALLO TEMPERATURA ( C) EMISSIVITA Alluminio (ossidato) 600 0.19 Rame (ossidato) 540 0.77 Ferro (ossidato) 500 0.84 Ferro (ossidato) 1200 0.89 Argento 540 0.03 Argento 1090 0.03 Tungsteno 500 0.07 Tungsteno 1000 0.15
Tabella 1.3: emissivit` a per alcuni metalli a diverse temperature.

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Esercizi

Capitolo 1

1.8 Esercizi
1. Calcolare la luminosit` a relativa (in unit` a di L ) per Betelgeuse ( max = 850 11 nm e r = 4 10 m). 2. Facendo riferimento alla tabella 1.3 in cui sono riportati i valori tipici di emissivit` a per alcuni metalli, si dica per piastrine di uguale dimensione di ferro, argento e tungsteno, rispettivamente alle temperature di 800, 1200 e a e quale con lunghezza 1000 C, quale emetterebbe con maggiore intensit` donda dominante minore. 3. Facendo riferimento alla tabella 1.2 si dica per quale metallo sarebbe possibile la fotoemissione se illuminato con luce ultravioletta avente frequenza = 1.1 1015 Hz. 4. Valutare, come fatto da Millikan, il valore della costante h usando i dati della figura 1.8. 5. Si immagini di illuminare un cristallo di cloruro di sodio con un fascio di raggi X avente lunghezza donda di 0.140 nm. Se, per il massimo del primo ordine, la direzione di diffrazione forma unangolo di 84 con la radiazione incidente, quanto varrebbe la distanza interplanare d ? 6. Si consideri un fascio di raggi aventi lunghezza donda = 1.9 103 nm. Considerando la radiazione diffusa a 90 calcolare: a) lo spostamento di Compton, b) lenergia cinetica di rinculo dellelettrone, c) la frazione di energia persa dal fotone.

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Capitolo 2 La materia: corpuscoli o onde?


Gli esperimenti incontrati nel capitolo precedente e i concetti di fisica quantistica ivi descritti suggeriscono di stare attenti a dare per scontati certi presupposti su cui si basa la fisica classica. Anzi, in certe situazioni la natura presenta dei fenomeni contrari al senso comune, come ad esempio il fatto che la luce in determinate circostanze si comporti come unonda mentre in altre si comporti come un corpuscolo. Data questa premessa viene spontaneo allora ricercare sperimentalmente se esistono delle circostanze nelle quali, a loro volta, particelle di materia possano esibire un comportamento ondulatorio. Cos` come il carattere ondulatorio della luce fu evidenziato per la prima volta nel 1801 da Young1 e poi da altri attraverso esperimenti di interferenza e diffrazione, per cercare di osservare un ipotetico comportamento ondulatorio delle particelle conviene ricorrere ancora a esperimenti di interferenza.

2.1 Esperimento di Young con elettroni


Possiamo pensare a duplicare lesperimento di Young considerando una barriera con doppia fenditura su cui viene inviato un fascio di elettroni prodotti da una sorgente (ad esempio, un filamento metallico riscaldato dal passaggio di corrente) e accelerati da una differenza di potenziale, come in figura 2.1. Questi elettroni passano attraverso le fenditure, vanno a colpire uno scherThomas Young (1773-1829), scienziato inglese famoso per il suo esperimento sulla interferenza prodotta dalla luce uscente da due fori o fessure.
1

Capitolo 2

La materia: corpuscoli o onde?

schermo uorescente

sorgente doppia fenditura elettroni

lastra fotograca
Figura 2.1: descrizione apparato con doppia fenditura per lo studio della diffrazione di elettroni.

mo fluorescente e vengono registrati su una lastra fotografica, producendo unimmagine particolare. Vari esperimenti sono stati condotti secondo modalit` a diverse e i risultati che si ottengono da uno di questi esperimenti sono mostrati in figura 2.2. Anzich e osservare due fasce chiare in corrispondenza delle due fenditure, viene osservato un insieme di fasce chiare e scure alternate, corrispondenti ai punti dello schermo fluorescente colpiti o meno dagli elettroni. Questo fenomeno ricorda il sistema di frange osservato per la luce, dimostrando inequivocabilmente che gli elettroni che attraversano le due fenditure interferiscono tra di loro come onde. Evidenza di comportamento interferente si osserva anche in esperimenti in cui le sorgenti di elettroni sono cos` deboli da poter assumere che sulle fenditure arrivi, praticamente, un elettrone alla volta. Se gli elettroni si comportano come onde attraversando un sistema di ` lecito domandarsi se ci` due fenditure e o sia una loro propriet` a esclusiva o se linterferenza possa verificarsi anche per altre particelle atomiche come, ad esempio, i neutroni che si possono produre nella disintegrazione di alcu48

Esperimento di Young con elettroni

Capitolo 2

Figura 2.2: immagine delle frange di interferenza prodotte da elettroni su uno schermo fluorescente. Da un articolo di C. Jonsson, American Journal of Physics, 42, 4, 1974. Copyright 1974, American Association of Physics Teachers.

ni nuclei radioattivi. Rispetto agli elettroni i neutroni hanno il vantaggio di differire non solo per la carica elettrica, essendo essi neutri, ma anche per la ` circa 2000 volte pi` massa che e u grande. Nel caso dei neutroni si possono praticare, ad esempio, due fenditure su una lastrina di materiale che li assorba fortemente (ad esempio, il boro) e misurare con un rivelatore di neutroni la loro presenza in un piano parallelo alle fenditure. Anche in questo caso verrebbe osservata una distribuzione in cui lintensit` a oscilla tra massimi e minimi, come caratteristico per due onde interferenti. ` possibile allora che le parDate queste osservazioni sperimentali, come e ticelle elettrone e neutrone manifestino propriet` a di interferenza? Nel caso delle onde elettromagnetiche erano porzioni diverse del fronte donda, le porzioni provenienti dalle fenditure, a sovrapporsi su uno schermo e a interferire, ma per le particelle che cos` e che interferisce?

49

Capitolo 2

La materia: corpuscoli o onde?

2.2 Lipotesi di De Broglie


Partendo dal dualismo onda-particella esibito dalla radiazione elettromagnetica, De Broglie2 ipotizza nel 1924 che anche la materia possieda la stessa natura duale. Il fotone introdotto da Einstein aveva energia E = h e quantit` a di moto p = h / . De Broglie sugger` allora che, analogamente, una particella materiale di quantit` a di moto p possieda unonda associata sinusoidale avente lunghezza donda data da: h = (2.1) p ` chiamata lunghezza donda di De Broglie. La coTale lunghezza donda e stante universale h , che risulta presente sia nellespressione dellenergia dei fotoni sia nellespressione della quantit` a di moto delle particelle, rappresenta il legame tra le due realt` a. ` affascinante e soddisfa un criterio di simmetria Lipotesi di De Broglie e tra materia e radiazione. Ma se la materia e il moto dei corpi sono stati osser` possibile che non vati e misurati con accuratezza da centinaia di anni, come e si sia rivelata prima lesistenza di unonda associata? La risposta sta nellestrema piccolezza della lunghezza donda associata a oggetti macroscopici, come discusso nellesempio 1 trattato pi` u avanti, che rende inosservabili queste onde. Per oggetti microscopici, invece, osservare londa di De Broglie sarebbe in linea di principio possibile, ma affinch e tale ipotesi potesse diventare un fondamento della teoria essa bisognava che venisse provata dallevidenza sperimentale.

2.2.1

Esperimenti di supporto

Se si vuole tentare di evidenziare londa associata di De Broglie bisogna necessariamente operare con oggetti microscopici o altrimenti la lunghezza donda risulta cos` piccola da essere inosservabile. Come suggerito dallesempio 1,
Louis de Broglie (1892-1987), fisico francese vincitore del Premio Nobel per la Fisica nel 1929 per la scoperta della natura ondulatoria dellelettrone.
50
2

Lipotesi di De Broglie

Capitolo 2

rivelatore fascio diuso sorgente elettroni bersaglio

fascio elettroni

Figura 2.3: schema dellapparato usato nellesperimento di Davisson-Germer.

elettroni e neutroni sono buoni candidati per esperimenti volti a evidenziare laspetto ondulatorio e, infatti, i primi esperimenti a essere stati condotti hanno riguardato proprio queste particelle. Sulla base dellesperienza acquisita con la diffrazione delle onde, e in particolare la diffrazione dei raggi X, ci si aspetta che si possa osservare diffrazione nel caso di elettroni inviati su una struttura cristallina. Descriviamo a questo riguardo alcuni esperimenti storici: Esperimento di Davisson-Germer. Similmente al caso della diffrazione di raggi X su un cristallo che evidenzia la formazione delle cosiddette macchie di Laue (vedi capitolo 1), vengono inviati degli elettroni su un bersaglio di nichel, come indicato in figura 2.3. Questi elettroni, prodotti da un filamento riscaldato, vengono accelerati da una differenza di potenziale V regolabile a piacere, ottenendo cos` un fascio di elettroni di energia eV . Se la differen` troppo grande gli elettroni, aventi bassa energia, non za di potenziale non e ` sufficiente riescono a penetrare in profondit` a nella struttura cristallina ed e considerare la diffrazione che si produce nei piani atomici superficiali. La struttura atomica superficiale si comporta come un reticolo di diffrazione in riflessione, caratterizzato da un passo d pari alla distanza interatomica.
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Capitolo 2

La materia: corpuscoli o onde?

Per tale reticolo la condizione per avere un massimo di interferenza sarebbe data dalla legge di Bragg (vedi capitolo 1): 2d sin = m (m = 1, 2, 3, ...) (2.2)

` langolo radente misurato rispetto al piano contenente i centri dove e diffrangenti. Andando a guardare la corrente misurata dal rivelatore e variando langolo tra fascio incidente e fascio diffuso, Davisson3 e Germer4 osservarono (vedi figura 2.4) un massimo di interferenza ben pronunciato a un angolo = 50 dimostrando la natura ondulatoria dellelettrone. Conoscendo, inoltre, la distanza interatomica del nichel si ottiene (vedi esempio 2) una lunghezza donda molto vicina al valore atteso secondo lipotesi di De Broglie. Notiamo che linterferenza osservata non si riferisce a onde associate a elettroni diversi, ma si tratta, invece, dellinterferenza tra porzioni dellonda associata a un singolo elettrone. Questo pu` o essere verificato riducendo lintensit` a del fascio di elettroni, facendo in modo che sul bersaglio arrivi un singolo elettrone alla volta. Esperimento di G.P. Thomson. In questo esperimento del 1927 G.P. Thomson5 diresse un fascio di elettroni aventi energia cinetica ben definita pari a 15 keV su un sottile foglio ricoperto di polvere metallica. In questo caso non si ha a che fare, come nellesperimento di Davisson-Germer, con un singolo cristallo, ma con un insieme di cristalli orientati in modo arbitrario. Andando a osservare limmagine prodotta su una lastra fotografica (vedi figura 2.5) si osserva una figura di diffrazione ad anelli, simile a quella che si produce con raggi X aventi la stessa lunghezza donda (esperimento di Debye-Scherrer, vedi capitolo 1). Lanalisi numerica della figura di diffrazione fornisce valori di lunghezza donda in accordo con quella di De Broglie.
Clinton Davisson (1881-1958), fisico statunitense vincitore del Premio Nobel per la Fisica nel 1937 per la scoperta della diffrazione degli elettroni. 4 Lester H. Germer (1896-1971), fisico statunitense. 5 George P. Thomson, (1892-1975), figlio dello scopritore dellelettrone J.J. Thomson, condivise con Davisson il Premio Nobel per la Fisica nel 1937.
52
3

Lipotesi di De Broglie

Capitolo 2

= 50

Intensit` a corrente

= 40

= 65
40 45 50 55 60 65 70

Energia cinetica (eV)

Figura 2.4: intensit` a di corrente in funzione dellenergia cinetica, per diversi valori dellangolo . Misura tratta dallesperimento di Davisson-Germer (1927).

Figura 2.5: rappresentazione della figura di diffrazione prodotta nella diffrazione di elettroni su una polvere metallica.

53

Capitolo 2

La materia: corpuscoli o onde?

Diffrazione di neutroni. I neutroni vengono prodotti abbondantemente nei reattori nucleari. Si possono cos` ottenere fasci di neutroni molto intensi e collimati. I neutroni interagiscono molto fortemente con gli atomi di idrogeno (principalmente con il suo nucleo), a differenza di quello che succede con i raggi X che interagiscono principalmente con gli elettroni dellatomo e, quindi, sentono una carica elettrica molto piccola. Per questo motivo un cristallo di materiale organico ricco di idrogeno risulta adatto a condurre esperimenti di diffrazione con neutroni. Anche in questo caso si osserva una struttura a macchie di Laue (vedi figura 2.6) a supporto della natura ondulatoria dei neutroni. ` propriet` Altri esperimenti. La natura ondulatoria non e a solamente delle ` caratteristica di qualparticelle elementari quali lelettrone o il neutrone, ma e siasi corpo materiale, carico o neutro. Per osservarla c` e solo bisogno che la lunghezza donda di De Broglie sia confrontabile con le dimensioni delloggetto diffrangente e, quindi, bisogna usare corpi aventi dimensioni microscopiche. Esperimenti su fasci composti da atomi di idrogeno, elio o da molecole sono stati condotti esibendo il comportamento atteso per unonda sogget`, quindi, una caratteristica, ta a diffrazione. Londa associata di De Broglie e osservabile o meno, di tutti i corpi materiali.

2.2.2

Esempi

1. Calcolare la lunghezza donda di De Broglie per un granello di sabbia (massa 0.1 g, velocit` a 1 mm/s), un elettrone accelerato da una d.d.p. di 1000 V e un neutrone con energia cinetica di 10 eV. La lunghezza donda di De Broglie si ricava dalla formula = h / p a partire dalla quantit` a di moto. Per il granello di sabbia: p = mv = 0.1 103 1 103 = 1 107 kg m/s 6.63 1034 7 1027 m 1 107 assolutamente inosservabile. =
54

quindi:

Lipotesi di De Broglie

Capitolo 2

Nel caso dellelettrone la sua energia cinetica sarebbe K = e V e la quantit` a di moto (classica) p = 2mK , quindi la lunghezza donda sarebbe: 6.63 1034 = 2 9.1 1031 1.6 1019 1000 cio` e 3.9 1011 m 0.4 A Il neutrone avrebbe invece lunghezza donda: 6.63 1034 = 2 1.67 1027 10 1.6 1019 9.1 1012 m 0.1 A Sia nel caso dellelettrone sia nel caso del neutrone la lunghezza donda di De Broglie viene ad avere dimensione simile a quelle di un atomo ( 1 A), quindi, ci si pu` o aspettare che un reticolo cristallino atomico, inteso come struttura diffrangente, possa per lappunto diffrangere un fascio di elettroni o neutroni. 2. Nel loro esperimento Davisson e Germer misurarono un massimo principale di interferenza per un angolo di diffusione = 50 usando elettroni accelerati da una d.d.p. di 54 V. Il passo del reticolo, cio` e la distanza interatomica, vale per il nichel d = 0.091 nm. Ricavare la lunghezza donda dellonda associata allelettrone. Considerando la legge di Bragg per il massimo del primo ordine, la lunghezza donda, in funzione dellangolo radente = (180 )/2 = 65 , vale: = 2d sin = 2 0.091 sin 65 = 0.165 nm Lenergia cinetica dellelettrone vale K = 54 eV = 8.64 1018 J e la sua ` pari a: quantit` a di moto e p = 2mK = 2 9.1 1031 8.64 1018 = 4.0 1024 kg m/s
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Capitolo 2

La materia: corpuscoli o onde?

Figura 2.6: figura di diffrazione (macchie di Laue) prodotta nella diffrazione di neutroni su un cristallo di cloruro di sodio. La figura si riferisce al lavoro di Shull e Wollan (1949) ` tratta da un articolo pi` ed e u recente di C. Shull, Review of Modern Physics, 67, 753, 1995. Copyright 1995, American Physical Society.

In questo caso la lunghezza donda di De Broglie sarebbe: h 6.63 1034 = 0.167 nm = = p 4.0 1024 in buon accordo con il valore sperimentale.

2.3 Il dualismo onda-particella


Gli esperimenti descritti finora, in questo capitolo e in quello precedente, dimostrano in modo convincente che in determinate circostanze la radiazione elettromagnetica pu` o comportarsi in modo corpuscolare mentre, in altre situazioni, le particelle materiali possono esibire comportamento ondulatorio. La differenza fondamentale tra onde e particelle sta nel concetto di localizzazione. Classicamente londa e lenergia a essa associata sono distribuite su un fronte donda esteso, mentre la particella corrisponderebbe a un volumetto individuato dalla sua posizione nello spazio. Se i due aspetti de56

Il dualismo onda-particella

Capitolo 2

vono fondersi nel dualismo onda-particella il concetto di localizzazione va ridiscusso. Affrontiamo prima il modo in cui unonda si propaga nello spazio e nel tempo, considerandone la rispettiva estensione: Estensione nello spazio. Unonda armonica che si propaga lungo la di` rappresentata da una funzione sinusoidale del tipo: rezione x e (x , t ) = 0 sin(k0 x 0 t ) caratterizzata da una lunghezza donda ben precisa 0 = 2 / k0 e una frequen` definita per qualsiasi valore di x significando za 0 = 0 /2 . Tale funzione e che londa da essa descritta (vedi figura 2.7) si estende da x = a x = +. La conoscenza della funzione non ci d` a per` o nessuna informazione sulla posizione dellonda: lincertezza sulla posizione x risulta, infatti, essere infinita. Una rappresentazione come quella di figura 2.8, chiamata pacchetto donda, sarebbe, invece, caratterizzata da unincertezza x finita, pari approssimativamente allestensione spaziale del pacchetto. Il modo per passare dal` quello di somlonda armonica della figura 2.7 al pacchetto della figura 2.8 e mare un certo numero di onde sinusoidali aventi lunghezza donda, ampiezza e fase opportune. Si fa cio` e quello che in matematica viene chiamato sviluppo di Fourier, secondo il quale una qualsiasi funzione periodica (o meno) pu` o essere ottenuta come somma finita (o infinita, cio` e un integrale) di tante funzioni seno e coseno, aventi diverso numero donda e ampiezza ricavabile secondo una certa formula. Queste onde interferiscono tra di loro in modo costruttivo in corrispondenza del pacchetto donda e distruttivo altrove. In questo modo la sovrapposizione di onde non localizzate produce un pacchetto donda che si muove con una certa velocit` a (vedi esempio 3) e che ` localizzato nello spazio con una certa indeterminazione x . e ` stata per` La localizzazione del pacchetto donda e o ottenuta a scapito della precisione sul valore del numero donda. Nello sviluppo di Fourier partecipano pi` u numeri donda distribuiti attorno a un valore centrale k0 con una dispersione k , come si pu` o vedere in figura 2.8. Notiamo che se volessimo avere un pacchetto donda di estensione x = ritorneremmo al caso
57

Capitolo 2

La materia: corpuscoli o onde?

x Ampiezza

0.5k0

k0

1.5k0

2 k0

Figura 2.7: rappresentazione di unonda armonica vista allistante t (sopra) e la distribuzione in ampiezza relativa del numero donda k (sotto).

dellonda armonica pura cio` e basterebbe un unico numero donda e, quindi, k = 0. Se, invece, si volesse avere un pacchetto donda perfettamente localizzato con x = 0, lo sviluppo di Fourier richiederebbe luso di un numero infinito di onde da sovrapporre e, quindi, k = . Ci` o suggerisce che x e k risultino tra di loro inversamente proporzionali, secondo una relazione del tipo: k x 1 (2.3) ` valida Estensione nel tempo. Una funzione (x , t ) definita come sopra e per istanti di tempo compresi tra t = a t = + e londa da essa rappresentata si estende temporalmente tra gli stessi estremi. Anche in questo caso non sarebbe possibile localizzare temporalmente londa se non ricorrendo a una sovrapposizione di Fourier di tante onde, ottenendo, quindi, un pacchetto donda anche in funzione del tempo. Per questo pacchetto donda varrebbe unespressione per lincertezza temporale simile a quanto visto sopra: t 1 (2.4)

indicando che per avere un impulso di durata molto breve bisogna ricorrere a un ampio intervallo di frequenze associate.
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Indeterminazione di Heisemberg

Capitolo 2

y
x

x Ampiezza

k 0.5k0 k0 1.5k0 2 k0

Figura 2.8: rappresentazione di un pacchetto donda visto allistante t (sopra) e la distribuzione in ampiezza relativa del numero donda k (sotto).

2.4 Indeterminazione di Heisemberg


Le relazioni di indeterminazione k x 1 e t 1 hanno validit` a generale per le onde perch e derivano dalle propriet` a dello sviluppo di Fourier. Se, secondo lipotesi di De Broglie, si pu` o associare unonda a ciascuna particella allora le suddette relazioni possono essere applicate, riscritte in modo diverso, anche alle particelle. Consideriamo una particella che si muova nella direzione x con quantit` a di moto px . La lunghezza donda di De Broglie vale = h / px e lindeterminazione k diventa: 2 p x 2 2 ) = ( )= px h h e sostituendo nellequazione (2.3) si ottiene: k = ( k x = e, quindi: px x
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(2.5)

2 px x 1 h h 2

(2.6)

(2.7)

Capitolo 2

La materia: corpuscoli o onde?

espressione che, assieme a quelle analoghe rispetto alla direzione y e z , viene chiamata relazione di indeterminazione di Heisemberg. Questa espressione, ricavata nel 1927 da Heisemberg6, riassume il suo principio di indeterminazione: Posizione e quantit` a di moto di una particella non possono essere misurate simultaneamente con precisione illimitata. Non si tratta qui di una limitazione nelle nostre capacit` a sperimentali o nellaccuratezza dei nostri strumenti di misura, ma di una limitazione intrinseca della natura: se in un esperimento riusciamo a misurare con estrema precisione la velocit` a di una particella (e, quindi, la sua quantit` a di moto) siamo costretti a rinunciare a una misura altrettanto precisa sulla sua posizione, e viceversa. Il principio di indeterminazione non limita laccuratezza ` un limite con cui si pu` o pensare di misurare individualmente px o x , ma e sulla misura simultanea di px e x . Negli esempi presentati pi` u avanti (4 e 5) vedremo la differenza dal punto di vista delle incertezze tra oggetti macroscopici e microscopici, cio` e il ruolo giocato dal valore della costante di Planck nel separare la fisica classica da quella quantistica. La meccanica classica del corpo ci consentiva, noto il valore iniziale della posizione e della velocit` a, di ricavare il moto seguente e la traiettoria seguita dal corpo a partire dalle forze in gioco. Alla luce del principio di indeterminazione ci` o non risulta essere pi` u possibile: non essendo note con precisione arbitraria la posizione e la velocit` a iniziale, le leggi orarie non possono essere risolte univocamente e il concetto stesso di traiettoria definita perde significato. Perde significato anche il concetto di valore vero di una misura, in quanto anche uno strumento con accuratezza infinita non consentirebbe di ottener`, infatti, legato allidea che il processo lo. Il principio di indeterminazione e
Werner Heisemberg (1901-1970), fisico tedesco vincitore del Premio Nobel per la Fisica nel 1932 per la sua teoria della meccanica quantistica.
6

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Indeterminazione di Heisemberg

Capitolo 2

di osservazione o misura influenzi losservazione/misura stessa e che tale influenza non possa essere minore di quanto indicato dalle relazioni di indeterminazione. Losservatore altera, quindi, in qualche modo la grandezza stessa che vuole misurare. Se, ad esempio, (vedi esempio 6) vogliamo misurare la posizione di un corpo minuscolo, inviando su di esso un raggio laser e osservandone la riflessione, dobbiamo ricordarci che i fotoni nel raggio laser possiedono quantit` a di moto oltre che energia e che venendo riflessi dal corpo, cio` e rinculando nellurto con il corpo, gli cedono una piccola quantit` a di moto. Volevamo misurare con precisione la posizione di un corpo inizialmente fermo, ma dopo la misura non siamo pi` u sicuri che esso sia fermo, u vogliamo essere sicuri della precisione sulla e quindi px 0. Quanto pi` posizione (ad esempio, usando pi` u di un raggio laser) tanto pi` u aumenta p. Alla fine px e x risultano essere inversamente proporzionali come prescritto dal principio di indeterminazione e qualsiasi esperimento non pu` o 7 essere in grado di scendere sotto un limite dato da : px x 2 (2.8)

dove h /2 = 1.05 1034 J s; analogamente per le componenti y e z . Un altro modo per misurare la posizione di una particella sarebbe di farla passare attraverso una fenditura sottile (vedi esempio 7) a scapito per` o della conoscenza della sua quantit` a di moto. Il principio di indeterminazione vale anche per la conoscenza simultanea di tempo ed energia, con unespressione simile a quella tra posizione e quantit` a di moto: E t (2.9) 2 Questultima relazione di indeterminazione ha delle conseguenze interessanti. Ad esempio: la conservazione dellenergia, principio fondamentale della fisica, pu` o
Questa, espressa in termini di limite inferiore sul prodotto delle incertezze, sarebbe la formulazione corretta delle relazioni di indeterminazione di Heisemberg.
7

61

Capitolo 2

La materia: corpuscoli o onde?

essere violata per un intervallo di tempo t della quantit` a E ; tanto pi` u gran` la violazione, tanto pi` de e u breve deve essere il tempo in cui essa avviene; un atomo che si diseccita spontaneamente in un tempo t ha una incertezza corrispondente E sul valore dellenergia dello stato eccitato e tale ` tanto pi` ` il tempo di diseccitazione incertezza e u grande quanto pi` u breve e (vedi esempio 8).

2.4.1

Esempi

3. Dimostrare che, per un elettrone descritto da un pacchetto donda, la velocit` a di gruppo risulta essere uguale a quella della particella. La velocit` a di gruppo v g viene definita a partire da frequenza angolare e numero donda come: d vg = dk Lenergia di un pacchetto donda vale, secondo Einstein, E = h = mentre lenergia (non relativistica) di un elettrone vale: E= quindi: p2 2 k 2 = 2m 2m =

k 2 2m Derivando, otteniamo la velocit` a di gruppo: vg = d k p mv = = = =v dk m m m

che risulta essere uguale a quella della particella. 4. Una pallina da ping-pong di massa pari a 10 grammi si muove con velocit` a di 1 m/s. Supponendo che la velocit` a sia stata misurata con precisione dell1%, quanto varrebbe lincertezza sulla posizione?

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Indeterminazione di Heisemberg

Capitolo 2

La quantit` a di moto della pallina vale: p = mv = 0.01 kg m/s e p = 0.01 p = 1 104 kg m/s Lincertezza minima corrispondente varrebbe: x = 1.05 1034 1 = = 5.3 1031 m 2 p 2 1 104

risultando assolutamente inosservabile. 5. Un elettrone, inizialmente a riposo, viene accelerato lungo lasse x da una differenza di potenziale di 100 V, nota con precisione dell1%. Quale sarebbe lincertezza sulla sua posizione? Un elettrone accelerato dalla differenza di potenziale di 100 V assume unenergia cinetica K = 100 eV, corrispondente a 1.6 1017 J. Lincertezza dell1% sulla differenza di potenziale si traduce direttamente in unincertezza dell1% su K , cio` e 1 eV. La sua quantit` a di moto vale (notiamo che a queste energie lelettrone non ` e relativistico): p = 2mK quindi, ricorrendo alla formula di propagazione degli errori, lincertezza sulla quantit` a di moto vale: p m K = K p = K 2K pari a: 9.1 1031 1.6 1019 = 2.7 1026 kg m/s 2 100 1.6 1019 1.05 1034 1 = = 1.9 109 m 2 nm 2 p 2 2.7 1026
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Lincertezza sulla posizione sarebbe allora: x =

Capitolo 2

La materia: corpuscoli o onde?

lente f

e x

Figura 2.9: rappresentazione del microscopio a fotoni immaginato da Heisemberg.

` per nulla trascurabile, contrariamente a quanto visto nel caso che non e precedente.

6. Si immagini di misurare la posizione di un elettrone con un microsco` un valore compatibipio. Che incertezza ci aspettiamo su questa misura? E le con il principio di indeterminazione? (Questo ` e un esperimento concettuale immaginato da Heisemberg e rivisto da Bohr.) Per misurare la posizione di un elettrone immaginiamo di illuminarlo e di osservare la luce diffusa attraverso la lente obbiettivo di un microscopio, come rappresentato in figura 2.9. La misura della posizione x (ortogonale allasse del microscopio) ` e affetta da una incertezza x perch e limmagine di un oggetto puntiforme prodotta da una lente ` e in effetti una figura di diffrazione. Considerando langolo minimo R risolvibile da una lente pari a quello che si ha nella diffrazione da parte di un foro di diametro d ( R /d ), lincertezza diventa: (2.10) x = f R f d
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Indeterminazione di Heisemberg

Capitolo 2

elettroni a py p

Figura 2.10: rappresentazione della diffrazione di un fascio di elettroni da parte di una fenditura sottile.

` la distanza focale della lente e la lunghezza donda della luce dove f e utilizzata. ` legato a f dalla relazione: Il diametro della lente e d = 2( f tan ) 2 f sin quindi: x = (2.11)

(2.12) 2 sin ` la lunghezza donda della luce impiegata, minore Notiamo che minore e ` lincertezza sulla misura di posizione; converrebbe allora usare luce ultrae violetta per ottenere la migliore accuratezza sulla misura. ` composta da fotoni e lilluminazione dellelettrone, La luce che usiamo e atto indispensabile alla sua osservazione, causa una modifica della quantit` a che si vuole misurare. Possiamo ridurre tale disturbo, ma non lo possiamo eliminare perch e ci vuole sempre almeno un fotone per illuminare lelettrone.
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Capitolo 2

La materia: corpuscoli o onde?

Stimiamo ora lincertezza sulla quantit` a di moto p dellelettrone a causa della sua interazione con il fotone. Il fotone porta con s` e una quantit` a di moto p = h / e viene diffuso dallurto a un angolo (vedi la diffusione di Compton nel capitolo 1). Quando il fotone entra nella lente in corrispondenza del a di moto totale del suo bordo destro ( = ) la componente x della quantit` sistema e + sar` a: h sin (2.13) px + mentre per un fotone che entra in corrispondenza del bordo sinistro vale: p x h sin (2.14)

Le due quantit` a (2.13) e (2.14) devono essere uguali alla quantit` a di moto ` piccola, iniziale e, quindi, uguali tra di loro. Inoltre, se lapertura della lente e . ` pari allintervallo dei Lincertezza sulla quantit` a di moto dellelettrone e valori possibili e vale: px = px p x = 2h sin (2.15)

Moltiplicando lincertezza sulla quantit` a di moto per lincertezza sulla posizione si ottiene: px x = 2h sin =h 2 sin (2.16)

confrontabile con il valore minimo previsto dalla relazione di indeterminazione. 7. Supponiamo di misurare la coordinata x di un elettrone, facente parte di un fascio, costringendolo a passare attraverso una fessura sottile di larghezza a. Cosa si pu` o dire sullincertezza px relativa alla componente x della quantit` a di moto dellelettrone dopo la fenditura? Analogamente a quanto si verifica per unonda elettromagnetica, la fenditura produce una diffrazione del fascio di elettroni, come rappresentato in

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Indeterminazione di Heisemberg

Capitolo 2

figura 2.10. La frangia centrale corrisponde a elettroni emessi in una direzio` langolo a cui si verifica il primo minimo di ne compresa tra e dove e diffrazione dato dalla formula usuale: a sin = 1 sin = a

Se chiamiamo p la quantit` a di moto del fascio di elettroni prima della fenditura, dopo la fenditura la componente x della quantit` a di moto sar` a compresa tra px e px con unincertezza px data da: px = px = p sin = p che diventa: px = h a a

ricordando che = h / p. Come risultato di un tale esperimento avremmo una misura della coordinata x con unincertezza pari allampiezza della fenditura x = a . Il prodotto delle incertezze x e px varrebbe allora: px x = h a=h a

in accordo con il limite inferiore /2 imposto dalla relazione di indeterminazione. 8. Un atomo di sodio eccitato si diseccita in un intervallo temporale che vale tipicamente t 1 108 s irradiando un fotone avente lunghezza donda = 589 nm. Calcolare lincertezza E sullenergia dello stato eccitato e lincertezza relativa sulla frequenza del fotone di diseccitazione. Il principio di indeterminazione prescrive che: E t quindi, prendendo il valore minimo: E = 2 t 2

67

Capitolo 2

La materia: corpuscoli o onde?

e numericamente: 1.05 1034 = 5.3 1027 J. 2 1 108 Siccome E = h , allora: 1 1 = E = h 4 t e lincertezza relativa sulla frequenza vale: 1 = /(c / ) = 4 t 4c t quindi: 589 109 = = 1.6 108 4 3 108 1 108 cio` e circa 2 parti su 100 milioni. E =

2.5 Complementariet` a onda/particella


Abbiamo visto, in questo capitolo e in quello precedente, che sia la radiazione elettromagnetica sia i corpi materiali esibiscono un comportamento duale, potendo apparire o come onda o come particella a seconda delle circostanze. ` importante per` E o notare che in una data situazione si applica solo uno dei due modelli possibili. Per quanto riguarda le onde, ad esempio, esse agiscono come entit` a localizzate quando interagiscono e vengono rivelate, mentre quando si muovono lo fanno come onde, estese e non localizzate. Questo apparente paradosso venne descritto da Bohr8 nel suo principio di complementariet` a: Il modello particellare e quello ondulatorio sono complementari: se una misura prova il carattere ondulatorio (o particellare) del` impossibile nella stessa mila radiazione o della materia allora e sura rivelare laspetto particellare (o ondulatorio). Il modello da applicare ` e determinato dalla natura della misura.
Niels H.D. Bohr (1885-1962), fisico danese vincitore del Premio Nobel per la Fisica nel 1922 per le sue teorie sulla struttura dellatomo.
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8

Applicazioni

Capitolo 2

In conclusione radiazione e materia non sono n e semplicemente onde n e semplicemente particelle, ma qualcosa di pi` u complicato che segue una modalit` a o laltra a seconda delle circostanze. Sar` a la natura dellesperimento ` condotto, a fare emergere un aspetto o e le modalit` a secondo le quali esso e laltro e a richiedere, nella trattazione, un modello fisico o laltro.

2.6 Applicazioni
Il fatto che particelle microscopiche si comportino, in date circostanze, come onde ha delle implicazioni importanti che possono essere sfruttate per applicazioni concrete, come nel caso della microscopia elettronica e della diffrazione di neutroni.

2.6.1

Microscopia elettronica

La risoluzione di un microscopio o di una qualsiasi apparecchiatura otti` legata alla propriet` ca composta da lenti e a diffrangente di un foro circolare. Un foro di diametro d illuminato con luce avente lunghezza donda produce, infatti, unimmagine composta da un disco centrale attorniato da ` data anelli concentrici di raggio crescente. Lampiezza del disco centrale e dallespressione: (2.17) sin = 1.22 d ` langolo misurato rispetto allasse della lente. dove e Due sorgenti i cui raggi vengono focalizzati da una lente su uno schermo formano immagini distinte (secondo il criterio di Rayleigh9) se i raggi provengono da due direzioni separate almeno da un angolo: R = 1.22
9

(2.18)

Il criterio di Rayleigh richiede almeno, per avere due immagini risolte cio` e distinte, che il massimo della figura di diffrazione di unimmagine vada a sovrapporsi con il primo minimo dellaltra immagine.

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Capitolo 2

La materia: corpuscoli o onde?

La minima dimensione dei dettagli distinguibili del campione in esame `, quindi, dellordine di grandezza di . Ecco perch e e in microscopi ottici converrebbe illuminare il campione con luce ultravioletta. ` possibile studiare la struttura cristallina ricorCome visto nel capitolo 1 e rendo a esperimenti di diffrazione di raggi X che consentono di osservare distanze interplanari dellordine del nanometro. ` fornita dal fatto che anche gli elettroni (in certe cirUnaltra possibilit` ae costanze) si comportano come onde che possono avere una lunghezza don` molto da (quella di De Broglie) molto piccola (se la loro quantit` a di moto e grande rispetto al valore di h ). Un microscopio che usi elettroni per illuminare il campione avrebbe allora un potere risolutivo molto pi` u grande di un comune microscopio ottico, consentendo ingrandimenti molto maggiori che nel caso ottico. Si passa da ingrandimenti di circa un fattore 1.000, possibili nei migliori microscopi ottici, a ingrandimenti dellordine del milione per i microscopi elettronici. Semplificando la descrizione, un microscopio elettronico usa un sistema di lenti elettrostatiche ed elettromagnetiche per focalizzare un fascio di elettroni, prodotti da un sistema ad alto voltaggio, sul campione da esaminare. Limmagine del campione viene poi ricostruita a partire dagli elettroni stessi, con diverse modalit` a. Il primo microscopio elettronico, inventato nel 1931 da Ruska10 e Knoll11 , fu successivamente modificato secondo due tipologie: il microscopio a trasmissione e quello a scansione. Riassumiamo qui le caratteristiche distintive dei due modelli: Microscopio a trasmissione. In questo caso il fascio di elettroni attraversa il campione in esame per essere poi raccolto dal sistema di formazione dellimmagine. Le informazioni sulla struttura del campione vengono amplificate da un sistema di lenti elettromagnetiche e registrate su un dispositivo sensibile come, ad esempio, uno schermo fluorescente seguito da una
Ernst Ruska (1906-1988), fisico tedesco vincitore nel 1986 del Premio Nobel per la Fisica per linvenzione del microscopio elettronico. 11 Max Knoll (1897-1969), ingegnere tedesco.
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Applicazioni

Capitolo 2

Figura 2.11: immagine di un mitocondrio presa con un microscopio elettronico a trasmissione. Per gentile concessione di Centre of Microscopy and Microanalysis, University of Queensland, Australia.

lastra fotografica o un dispositivo elettronico sensibile alla luce (letto tramio te CCD12 ). Limmagine raccolta dalla lastra fotografica o tramite i CCD pu` essere poi registrata su un computer o trasferita su un monitor. ` influenzata soprattutLa risoluzione di un microscopio a trasmissione e to dalle prestazioni del sistema di focalizzazione (la cosiddetta aberrazione o essere parzialmente corretta a livello software, consentensferica13 ) che pu` do losservazione di atomi separati da distanze dellordine di 1 angstrom, con ingrandimenti pari a qualche decina di milioni di volte. ` riUn esempio di immagine fornita da un microscopio a trasmissione e portata nella figura 2.11, dove si distinguono i dettagli interni di un mitocondrio.
` un dispositivo elettronico analogico in cui le Il CCD, cio` e il Charged-Coupled Device, e cariche elettriche vengono trasferite in stadi successivi composti da condensatori. In questo modo i CCD vengono usati per memorizzare o ritardare dei segnali analogici oppure per serializzare dei segnali che arrivano in parallelo. 13 Nel caso di lenti ottiche si parla di aberrazione sferica per descrivere il fatto che una ` in grado di fare convergere in un punto i lente, le cui superfici sono porzioni di sfera, non e raggi provenienti da una sorgente puntiforme (soprattutto quelli pi` u spostati rispetto allasse della lente). Non si forma unimmagine puntiforme, ma estesa. Tale limitazione pu` o essere corretta modificando opportunamente la forma delle superfici della lente.
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Capitolo 2

La materia: corpuscoli o onde?

Microscopio a scansione. Gli elettroni energetici che vengono inviati sul campione producono lemissione di elettroni secondari che vengono raccolti a formare limmagine. Il fascio viene spostato attraverso il campione (scansione) e gli elettroni secondari vengono osservati e registrati in funzione della posizione del fascio. Rispetto al microscopio a trasmissione, la risoluzione di quello a scan` un po peggiore (di circa un fattore 10). C` sione e e per` o il vantaggio che lemissione degli elettroni secondari proviene non solo dalla superficie, ma da tutto il campione, consentendo una rappresentazione in tre dimensioni della struttura del campione in esame. ` riporUn esempio di immagine fornita da un microscopio a scansione e ` evidente che in questo caso lingrandimento dellimtata nella figura 2.12; e magine risulta molto minore di quello relativo alla figura 2.11. Rispetto a queste due tipologie principali sono stati sviluppate nel seguito altri modelli basati su modalit` a diverse. In ogni caso la caratteristica genera` che sono molto costosi, difficili da utilizzare, le dei microscopi elettronici e sensibili a disturbi di vario tipo e utilizzabili solo per determinati tipologie di campione che devono essere preparate in qualche modo speciale. Questi microscopi sono oggi uno strumento essenziale per ricerche sui materiali, per lo studio di campioni biologici e per molteplici applicazioni industriali.

2.6.2

Diffrazione di neutroni

Anche i neutroni hanno unonda associata di De Broglie e, quindi, anche per ` possibile essere soggetti a diffrazione, come avviene per le onde elettroessi e ` che le dimensioni della struttura diffrangente magnetiche. Quello che conta e siano confrontabili con la lunghezza donda di De Broglie dei neutroni usati. I primi esperimenti di diffrazione di neutroni vennero condotti nel 1945 da Wollan14 e Shull15 che formularono i principi fondamentali conducendo
Ernest O. Wollan (1902-1984), fisico statunitense. Clifford Shull (1915-2001), fisico statunitense vincitore nel 1994 del Premio Nobel per la Fisica, assieme ad altri scienziati, per lo sviluppo della tecnica di diffrazione di neutroni.
15 14

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Applicazioni

Capitolo 2

Figura 2.12: immagine di una zampa di vespa presa con un microscopio elettronico a scansione. Per gentile concessione di Centre of Microscopy and Microanalysis, University of Queensland, Australia.

una serie di misure (vedi la figura 2.6) studiando, tra le altre cose, i momenti magnetici dei materiali. ` usata in cristallografia per misurare la strutLa diffrazione di neutroni e tura atomica/molecolare e magnetica dei materiali, fornendo informazioni sulla posizione dei nuclei degli atomi e sulla loro dimensione. Le informazioni che si possono ottenere sono simili a quelle ottenibili dalla diffrazione dei raggi X (vedi capitolo 1) con il vantaggio che, usando fasci di tipo diverso, si possono ottenere informazioni in qualche modo complementari. I neutroni sono particelle elettricamente neutre e, quindi, non sarebbe possibile agire su di essi n e attraverso campi elettrici n e attraverso campi magnetici. Tali particelle (cos` come i protoni) risultano per` o essere composte 16 da dei costituenti elementari chiamati quark . A differenza dei neutroni i
I quark sono, assieme allelettrone e a particelle simili allelettrone chiamate leptoni, tra i costituenti fondamentali della materia. Essi compaiono in 6 variet` a indicate con le lettere u , d , s , c , b e t , hanno spin 1/2 e sono dotati di carica elettrica frazionaria ((1/3) e o +(2/3) e ). ` in contraddizione con la quantizzazione Il fatto che la carica risulti essere frazionaria non e della carica elettrica che prevede cariche che siano multipli interi della carica elementare e , ` possibile avere quark isolati, ma solo combinazioni tipicamente di 2 o 3 quark perch e non e con carica intera.
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Capitolo 2

La materia: corpuscoli o onde?

Figura 2.13: immagine di una giunzione metallica presa con una tomografia a neutroni. Per gentile concessione del servizio Neutra del Paul Scherrer Institute, Zurigo, Svizzera.

quark sono dotati di carica elettrica e fanno acquisire al neutrone un momento di dipolo magnetico non nullo. Grazie a questo momento di dipolo magnetico i neutroni possono essere orientati da un campo magnetico esterno e a loro volta possono interagire con i momenti magnetici degli elettroni. Per questo motivo, a differenza della diffrazione con raggi X, la diffrazione ` sensibile alla struttura magnetica del materiale in esame. di neutroni e Anche se i neutroni sono una componente stabile del nucleo essi non esistono normalmente allo stato libero perch e sono instabili e tendono a disintegrarsi rapidamente, vivendo in media solo circa quindici minuti. Neutroni liberi sono per` o prodotti abbondantemente nelle reazioni di disintegrazione nucleare (ad esempio, la fissione) che avvengono nei reattori nucleari o nelle cosiddette sorgenti di spallazione17. I neutroni prodotti dai reattori vengono chiamati neutroni termici o neutroni freddi, a seconda dei valori di energia cinetica, temperatura e lunghezza donda di De Broglie, come indicato in tabella 2.1. Tali neutroni venNeutroni di spallazione vengono prodotti bombardando atomi pesanti (ad esempio, piombo) con particelle molto energetiche (protoni o elettroni) provenienti da un acceleratore.
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17

Quesiti di riepilogo

Capitolo 2

NEUTRONI Termici Freddi

TEMPERATURA (K) 120 1000 10 120

K (meV) (nm) 15 130 0.08 0.23 1.3 15 0.23 0.8

Tabella 2.1: valori tipici di temperatura, energia cinetica (K = 3 kT /2) e lunghezza donda ( = h / p = h / 2mK ) per neutroni cosiddetti termici e freddi.

gono collimati attraverso un sistema di fenditure e inviati sul campione da esaminare. A differenza dei raggi X, che interagiscono con gli elettroni che circondano latomo, i neutroni interagiscono direttamente con il nucleo. Nel primo caso lintensit` a della radiazione diffratta aumenta con il numero atomico Z ` la stessa per isotopi diversi dello stesso elemento. Nel caso dei neutroni, ed e ` diversa nel invece, lintensit` a diffratta dipende dal numero di massa A ed e caso di isotopi differenti. In certi casi lintensit` a diffratta per neutroni risulta essere grande anche per atomi con basso Z , contrariamente a quello che succede con i raggi X. In figura 2.13 riportiamo un esempio di tomografia18 a neutroni in cui la sensibilit` a dei neutroni a materiali idrogenati li rende utili, ad esempio, per investigare la presenza di tali materiali dentro strutture metalliche. Nella figura si vede la tomografia di una giunzione metallica incollata, dove viene evidenziata la distribuzione della colla. Una tale immagine non si potrebbe ottenere con tomografia a raggi X.

2.7 Quesiti di riepilogo


1. A parit` a di velocit` a, chi ha lunghezza donda di De Broglie maggiore, un granello di sabbia o una biglia di vetro?
Nella tomografia, sia essa a raggi X o con neutroni, vengono prese immagini di sezioni di un oggetto irradiandolo da direzioni differenti e misurando variazioni nellassorbimento. Tramite il calcolo si ottiene da queste una ricostruzione in 3 dimensioni.
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18

Capitolo 2

La materia: corpuscoli o onde?

2. Immaginando di misurare la posizione di un elettrone con il microscopio di Heisemberg (vedi esempio 6), converrebbe usare luce rossa o blu per avere la minor incertezza sulla misura di posizione? ` corretta? a) 3. Per una certa entit` a fisica quale delle seguenti affermazioni e si manifesta sempre come corpo o sempre come onda; b) si pu` o manifestare nello stesso esperimento sia come corpo sia come onda; c) si manifesta o come corpo o come onda, ma non contemporaneamente. 4. Se si vuole aumentare la risoluzione di un microscopio elettronico conviene usare elettroni pi` u energetici o meno energetici? 5. Nella diffrazione di neutroni si otterrebbero risoluzioni migliori con neutroni termici o neutroni freddi? 6. Si immagini di poter misurare la posizione di una particella in un istante a nota la posizione in un t con incertezza x . Lincertezza x con cui sar` istante successivo t risulta essere direttamente o inversamente proporzionale a x ? Si giustifichi.

2.8 Esercizi
1. Calcolare la lunghezza donda di De Broglie per i seguenti corpi: a) un pallone da calcio (massa m = 250 g) che si muove alla velocit` a di 6 m/s; b) un proiettile sferico (m = 20 g) che si muove con v = 1000 m/s; c) un elettrone con energia cinetica di 100 eV; d) un neutrone termico da 100 meV. 2. Un elettrone che si muove con velocit` a v = 106 m/s incide su un bersaglio avente una fenditura lunga e sottile di spessore a = 100 m. Quanto vale lincertezza relativa sulla velocit` a dellelettrone oltre la fenditura? 3. Per un elettrone e un fotone aventi entrambi lunghezza donda = 0.01 nm

76

Esercizi

Capitolo 2

calcolare quantit` a di moto, energia totale e cinetica (usando per lelettrone le formule relativistiche19 ). 4. In un esperimento di diffrazione su un cristallo (avente spaziatura tra i piani dellordine di qualche angstrom) si usano alternativamente elettroni e fotoni aventi energia cinetica pari a 20 keV. Quanto vale il rapporto / e tra gli angoli (piccoli) corrispondenti al primo ordine nella riflessione di Bragg? ` necessario conoscere la spaziatura tra i piani cristallini? E 5. In un esperimento di diffrazione di neutroni aventi energia cinetica Kn = 30 meV si osserva un massimo di intensit` a in corrispondenza di un angolo = 82 tra raggio incidente e diffuso. Quanto vale in questo caso la distanza interplanare minima? 6. Quanto vale lenergia cinetica e la lunghezza donda di De Broglie per un neutrone termico alla temperatura ambiente T = 300 K?

19

Vedi capitolo 1.
77

Capitolo 3 I fondamenti della meccanica quantistica


Nel capitolo precedente abbiamo visto che i risultati sperimentali confermano lipotesi che le particelle microscopiche si comportino, in determinate circostanze, come onde la cui lunghezza donda venne prevista da De Broglie. In ` visto che lidea di poter localizzare particelle materiali con preciseguito si e sione arbitraria va riconsiderata alla luce del principio di Heisemberg. Born1 , a sua volta, sugger` il modo di formalizzare queste due propriet` a.

3.1 Lipotesi di Born


Born introdusse uninterpretazione probabilistica per fornire il collegamento tra il modello corpuscolare e il modello ondulatorio per la materia. Nellipotesi di Einstein per i fotoni, la media del quadrato dellampiez` proporzionale allintensit` a dellonda che, a sua za del campo elettrico E 2 e ` una misura del numero medio di fotoni presenti nellunit` volta, e a di volume. 2 a di trovare un fotone La quantit` a E rappresenta, quindi, la probabilit` che attraversi lunit` a di area nellunit` a di tempo. In analogia con questa interpretazione Born sugger` che anche la probabilit` a di osservare una particella in un certo volume sia proporzionale al quadrato dellampiezza di unonda ` proprio la lunghezza chiamata funzione donda , la cui lunghezza donda e donda di De Broglie = h / p. Per una particella con quantit` a di moto p e energia E , che si muove lungo
Max Born (1882-1970), fisico tedesco vincitore del premio Nobel per la Fisica nel 1954 per le sue ricerche fondamentali sulla meccanica quantistica.
1

Capitolo 3

I fondamenti della meccanica quantistica

la direzione x , la sua funzione donda sarebbe: (x , t ) = A sin ( 2 x 2t ) (3.1)

dove A rappresenta lampiezza massima della funzione, = h / p e = E/ h . La quantit` a 2 fornisce allora la probabilit` a di trovare la particella in un certo punto dello spazio in un certo istante. In questo modo le ipotetiche onde di materia introdotte da De Broglie diventano onde di probabilit` a. ` regolata dalle leggi Secondo Born levoluzione dinamica di un sistema e della probabilit` a: a un certo stato corrisponde una certa probabilit` a e levo` legata allevoluzione della funzione donda asluzione dinamica del sistema e ` che viene meno sociata al sistema. Una delle conseguenze di questa ipotesi e laspetto deterministico delle leggi della meccanica secondo cui, note le con` sottoposto un sistema fisico, si possono dizioni iniziali e le forze alle quali e ricavare in modo idealmente esatto le condizioni raggiunte dal sistema in un istante successivo. Per illustrare tale concetto traduciamo qui una parte del discorso fatto da Born in occasione della cerimonia per il conferimento del Premio Nobel: Il determinismo della fisica classica si ` e rivelato unillusione creata ` un idolo e non da concetti logico-matematici sopravvalutati. E un ideale della ricerca scientifica e non pu` o perci` o essere usato come una obiezione allinterpretazione statistica essenzialmente indeterministica della meccanica quantistica. Questa idea, che assieme ad altri principi quali quello di indeterminazione e quello di complementariet` a va sotto il nome di interpretazione di Copenhagen, incontr` o lopposizione di molti scienziati tra cui Einstein stesso che non credeva che le leggi della natura potessero, in ultima istanza, non essere deterministiche, ma dettate dal caso. In meccanica classica note le condizioni iniziali possiamo prevedere quel` soggetto il corpo; nella meccanica le finali se conosciamo le forze a cui e ` pi` quantistica non e u possibile farlo in modo esatto perch e si possono conoscere solamente le probabilit` a che le condizioni iniziali e finali assumano
80

Lequazione di Schrodinger

Capitolo 3

certi valori. Valori leggermente diversi avranno probabilit` a diverse originando diversi stati finali possibili. Questa visione si accorda naturalmente con il principio di indeterminazione di Heisemberg.

3.2 Lequazione di Schrodinger


Nel 1926 Schr odinger2 , partendo dallidea di quantizzazione dellenergia di Planck e dallipotesi dellonda associata di De Broglie, svilupp` o uno schema unificato chiamato meccanica ondulatoria per estendere le leggi della meccanica classica, comunemente accettata per corpi macroscopici, al dominio del microscopico, cio` e dei fenomeni atomici o nucleari. Questa nuova teoria fu in grado di spiegare con successo il comportamento della materia non solo su scala atomica, ma anche su scala macroscopica in quanto la meccanica ondulatoria si riduce alla meccanica classica newtoniana per corpi aventi dimensioni e massa grandi. La teoria introdotta da Schr odinger risulta essere un approccio alternativo ed equivalente rispetto alla teoria sviluppata da Heisemberg chiamata ` di pi` meccanica matriciale; allo stesso tempo essa e u facile collegamento con ` quella che descriveremo qui. situazioni fisiche osservabili, ed e Nella formulazione di Schr odinger della meccanica quantistica a un qualsiasi sistema dinamico viene associata una certa funzione donda (x , y , z , t ), funzione delle coordinate spaziali e del tempo e soddisfacente a una certa equazione differenziale. Le propriet` a dinamiche del sistema dipenderanno da questa equazione e saranno determinabili quando la funzione donda risulti essere nota. Per la funzione donda si postulano le propriet` a seguenti: ` una funzione complessa associata al sistema; 1. (x , y , z , t ) e 2. la funzione donda e le sue derivate devono essere finite, continue e univoche;
Erwin Schr odinger (1887-1961), fisico austriaco vincitore del Premio Nobel per la Fisica nel 1933 assieme a Paul Dirac per la scoperta di nuove forme di teoria atomica.
2

81

Capitolo 3

I fondamenti della meccanica quantistica

` una quantit` 3. la quantit` a e a reale e rappresenta la densit` a di proba ` la probabilit` a che la particella si trovi allistante bilit` a, nel senso che d e t entro il volumetto d ; 4. alle grandezze fisiche classiche, come la quantit` a di moto p e energia E , vanno sostituiti degli operatori3 : ad esempio, E (/ i )/t e p (/ i ); 5. i valori di aspettazione di una qualsiasi variabile dinamica v , a cui va associato loperatore vop , si ottengono risolvendo il seguente integrale: v = vop d (3.2)

6. partendo dallespressione classica per lenergia totale di un corpo di massa m come somma di energia cinetica e potenziale: E= p2 + U (x , y , z , t ) 2m (3.3)

e sostituendo p ed E con i rispettivi operatori, agenti sulla funzione donda, si ottiene la equazione di Schr odinger: 2 2 + U (x , y , z , t ) = 2m i t (3.4)

dove loperatore 2 , chiamato operatore Laplaciano, corrisponde a: 2 2 2 2 + + x 2 y2 z 2 (3.5)

Queste condizioni sono dei postulati, su cui si basa tutta la meccanica ondulatoria di Schr odinger, che non possono essere provati se non attraverso le previsioni che possono essere ottenute a partire da essi, e il loro accordo con i risultati sperimentali. a di osCome abbiamo visto, la quantit` a d rappresenta la probabilit` servare una particella in un certo volumetto: trattandosi di probabilit` a non si pu` o conoscere con precisione n e la posizione n e la traiettoria della particella,
Questi operatori sono delle quantit` a matematiche che agiscono in modo definito sulla funzione donda.
3

82

Lequazione di Schrodinger

Capitolo 3

come del resto ci veniva suggerito dal principio di indeterminazione di Heisemberg. Nel caso di oggetti macroscopici, cio` e aventi dimensioni e masse grandi rispetto alla scala rappresentata dalla costante di Planck, la quantit` a va ad assumere valori non trascurabili solo entro i confini delloggetto stesso; in questo caso la meccanica newtoniana ritorna a funzionare.

3.2.1

Equazione di Schrodinger degli stati stazionari

` unequazione differenziale che mescola derivaLequazione di Schr odinger e te spaziali e temporali, ma in certe situazioni nelle quali il potenziale U non risulta essere funzione del tempo, essa pu` o essere risolta attraverso la tecnica della separazione delle variabili. Si assume in questi casi che la funzione donda (x , y , z , t ) possa essere fattorizzabile in una parte puramente spaziale e una puramente temporale: (x , y , z , t ) = (x , y , z ) ( t ) (3.6)

Sostituendo questa espressione nellequazione di Schr odinger si ottiene una nuova equazione valida per (x , y , z ), detta equazione di Schr odinger degli stati stazionari: 2m 2 (x , y , z ) + 2 [E U (x , y , z )] (x , y , z ) = 0 (3.7) che viene utilizzata tutte le volte in cui le propriet` a del sistema (cio` ei valori di U ) non cambiano nel tempo. Per la parte temporale vale invece: ( t ) = e i E t / (3.8)

Se una certa variabile non dipende dal tempo allora il suo valore di aspettazione pu` o essere ricavato a partire da (x , y , z ) anzich e da (x , y , z , t ): v = vop d (3.9)

Il requisito di finitezza, continuit` a e univocit` a della funzione donda e delle sue derivate pu` o, in determinate condizioni, selezionare a partire da un
83

Capitolo 3

I fondamenti della meccanica quantistica

insieme infinito e continuo di soluzioni solo alcune di esse che corrispondono a certi valori discreti dellenergia. Se si considerano inoltre le condizioni al contorno, solo un certo insieme discreto di soluzioni n (x , y , z ) legate a un insieme di valori En dellenergia risultano accettabili. Le funzioni accettabili vengono chiamate autofunzioni e i corrispondenti valori dellenergia autovalori.

3.2.2

Esempi

Levoluzione dinamica di un sistema dipende dalle forze a esso applicate. Se possibile, esprimere le equazioni del moto in funzione non delle forze, ma del potenziale comporta una semplificazione della trattazione, mantendendo gli aspetti essenziali. Per poter illustrare il metodo senza troppe complicazioni matematiche ci limiteremo qui a potenziali indipendenti dal tempo e in una sola dimensione. Sotto queste condizioni lequazione di Schr odinger degli stati stazionari diventa allora: d2 2m + [E U (x )] = 0 (3.10) dx 2 2 Discutiamo ora, nel modo pi` u semplificato possibile, come si pu` o risolvere tale equazione nel caso di due casi speciali: la barriera di potenziale e la buca di potenziale. 1. Risolvere lequazione di Schr odinger nel caso di una barriera di potenziale. Per barriera di potenziale, avente larghezza e altezza U0 , si intende un potenziale del tipo rappresentato in figura 3.1 e scritto come: <x< 2 2 (3.11) U (x ) = 0 per x > 0 2 Consideriamo una particella che si avvicini provenendo dalla regione x < /2 con energia E . Se E < U0 la fisica classica prevede che la particella giunga in corrispondenza del bordo sinistro della barriera e ivi venga riflessa U (x ) = U0 per

84

Lequazione di Schrodinger

Capitolo 3

U (x )

U0

I
2

II
0
+2

III
x

Figura 3.1: rappresentazione di una barriera di potenziale.

con certezza. Se invece vale E > U0 la particella ha la certezza di superare la barriera e di proseguire verso destra. Andiamo a ricavare ora il comportamento che ci si aspetta dalla meccanica quantistica risolvendo lequazione di Schr odinger degli stati stazionari, assumendo che le soluzioni siano rappresentate da funzioni corrispondenti a onde viaggianti lungo la direzione +x del tipo4 : (x ) = e ikx o viaggianti lungo la direzione x del tipo: (x ) = e ikx Anzi, per generalit` a, considereremo la sovrapposizione delle due: (x ) = Ae ikx + Be ikx
4

(3.12)

(3.13)

(3.14)

` equivalente a cos( kx t ) + Una funzione donda complessa del tipo e i ( kx t ) e ` una funzione oscillante i cui nodi si spostano verso x crei sin( kx t ). La sua parte reale e scenti. Per questo motivo diciamo che la funzione e i ( kx t ) rappresenta unonda viaggiante nella direzione +x . In seguito alla fattorizzazione (x ) = (x )( t ) si ottiene lespressione (x ) = e i kx .
85

Capitolo 3

I fondamenti della meccanica quantistica

secondo due coefficienti complessi A e B che devono soddisfare le condizioni al contorno. Nel caso in questione dobbiamo considerare le tre regioni individuate dalla barriera (x < /2, /2 < x < /2 e x > /2) e usare non solo dei valori specifici per i coefficienti A e B, ma anche per il numero donda k . Partiamo dalla regione x < /2, che chiamiamo regione I. In questo caso lequazione (3.10) diventa: d2 2m + 2 E = 0 2 dx (3.15)

Prendiamo la funzione generica (x ) = AI e ikI x + B I e ikI x e deriviamola una volta: d (x ) = AI ik I e ikI x B I ik I e ikI x (3.16) dx Deriviamo una seconda volta: d2 2 ik I x 2 ik I x 2 (x ) = A I i 2 k I e + BI i 2 kI e = k I (x ) dx 2 e sostituendo in (3.15) si ottiene: 2m E (x ) = 0 (3.18) 2 ` soddisfatta se: che e 2mE (3.19) kI = Nella regione x > /2, che chiamiamo regione III, ci aspettiamo una soluzione simile: (x ) = AIII e ikIII x + B III e ikIII x (3.20)
2 (x ) + k I

(3.17)

2mE (3.21) k III = Rispetto alla regione I non ci aspettiamo per` o che ci sia unonda viaggiante nella direzione x perch e non c` e niente a destra della barriera che possa produrre una riflessione. Si impone allora B III = 0. Per quanto riguarda la regione II, per /2 < x < /2, bisogna distinguere due casi: E > U0 e E < U0 . dove:
86

Lequazione di Schrodinger

Capitolo 3

II

III

+2

Figura 3.2: densit` a di probabilit` a nel caso di una barriera di potenziale con E < U 0 .

` ancora del tipo: Nel primo caso E U0 > 0 e, quindi, la soluzione generale e (x ) = AII e ikII x + B II e ikII x dove: 2m(E U0 ) k II = (3.22)

(3.23)

Nel secondo caso invece E U0 < 0 e il secondo termine di (3.10) diventa negativo. Affinch e la somma dei due termini dia zero, la derivata seconda deve essere proporzionale a (x ) e con il suo stesso segno. La soluzione ` quindi del tipo: generale e
k II x (x ) = AII e kII x + B II e

(3.24)

2m(U0 E) (3.25) = k II e si tratta di una funzione esponenziale e non oscillante. Abbiamo fin qui ricavato delle soluzioni generali. Resterebbero da calcolare i valori dei vari coefficienti A e B imponendo la continuit` a della funcon:
87

Capitolo 3

I fondamenti della meccanica quantistica

zione (x ) e della sua derivata prima nei punti x = /2 e x = /2. Per brevit` a non facciamo ci` o, ma andiamo a rappresentare direttamente la soluzione attraverso il grafico della densit` a di probabilit` a = . Nel caso di maggiore interesse, cio` e E < U0 , si ottiene il grafico di figura 3.2. Infatti, nella regione I vale:
ik I x +ik I x (x )(x ) = (A + B )(AI e ikI x + B I e ikI x ) = Ie Ie 2 i 2k I x +i 2k I x = (A2 + AI B ) I + BI + AI BI e Ie

(3.26)

che corrisponde a una funzione oscillante con minimo pi` u grande di zero. Nella regione III vale:
ik III x 2 )(AIII e ikIII x ) = A (x )(x ) = (A III e III A III = A III

(3.27)

` un valore costante su tutto x > /2. che e Nella regione II abbiamo:


k II x k II x k II x (x )(x ) = (AII e + B II e )(AII e kII x + B )= II e 2 2 k II x 2 2 k II x = AII e + B II e + AII B II + AII B II

(3.28)

` unesponenziale in cui domina la parte decrescente. che e ` che nella regione III la densit` Il risultato fondamentale e a di probabilit` a assume un valore non nullo. Ci` o significa che una particella proveniente da x < 0 che incide sulla barriera ha una certa probabilit` a di essere riflessa, ma anche una probabilit` a non nulla di penetrarla e di passare al di l` a della ` minore dellaltezza della barriera stessa. In barriera anche se la sua energia e questo caso si parla del fenomeno quantistico di penetrazione della barriera (o effetto tunnel). Si tratta di un fenomeno quantistico senza analogo classico nel senso che per la fisica classica non potrebbe aver luogo. ` verificata sperimentalmente in molti casi. Lesistenza delleffetto tunnel e ` Un esempio e dato dalla disintegrazione di nuclei radioattivi. In questo caso particelle 5 aventi energia cinetica K = 4.2 MeV vengono emesse, ad
Le particelle altro non sono che nuclei dellatomo di elio, formati da una coppia di protoni e una coppia di neutroni.
88
5

Lequazione di Schrodinger

Capitolo 3

esempio, dal nucleo di 238 U. Le forze che trattengono la particella entro il nucleo corrisponderebbero a una barriera di potenziale di altezza almeno doppia di K , quindi lemissione di tale particelle non potrebbe aver luogo secondo la fisica classica. 2. Risolvere lequazione di Schr odinger nel caso di una buca di potenziale finita. o Una buca di potenziale finita, avente larghezza e profondit` a U0 , pu` essere scritta come: U (x ) = U0 per x > 0 2 (3.29) U (x ) = 0 per < x < 2 2 corrispondente alla rappresentazione di figura 3.3. Supponiamo di avere una particella di energia E < U0 . La previsione ` che la particella si possa trovare solo entro la buca (cio` classica e e in una posizione x soddisfacente a /2 < x < /2), che possa avere qualsiasi valore di energia e che oscilli avanti e indietro rimbalzando in corrispondenza delle pareti della buca. Quando andiamo a risolvere lequazione di Schr odinger per gli stati stazionari possiamo seguire lapproccio usato nellesempio precedente e dividere lo spazio in tre regioni: la regione I per x < /2, la regione II per /2 < x < /2 e la regione III per x > /2. ` Nella regione della buca, cio` e nella regione II, la soluzione generale e ancora del tipo: (3.30) (x ) = AII e ikII x + B II e ikII x 2mE (3.31) k II = Una tale espressione corrisponderebbe alla sovrapposizione di onde viag` gianti nel verso positivo e in quello negativo delle x . La buca di potenziale e simmetrica rispetto a x = 0 e ci si aspetta che lo sia anche la soluzione (o meglio ) che, quindi, deve essere AII = B II . Poich e le due onde viaggianti in direzione opposta hanno la stessa frequenza e ampiezza la loro sovrappo` unonda stazionaria del tipo CII cos k II x o CII sin k II x , dove la nuova sizione e dove:
89

Capitolo 3

I fondamenti della meccanica quantistica

U (x ) U0

+2

Figura 3.3: rappresentazione di una buca finita di potenziale.

x 2

x 1

+2

Figura 3.4: le prime tre autofunzioni nel caso di una buca finita di potenziale con E < U 0 .

90

Lequazione di Schrodinger

Capitolo 3

costante CII vale semplicemente CII = 2AII . In questo caso la soluzione pi` u generale sarebbe del tipo:
sin k II x CII cos k II x + CII

(3.32)

Nella regione I o III le soluzioni generali sono, invece, esponenziali reali del tipo: (3.33) (x ) = A I e k I x e: (x ) = B III e kIII x dove: (3.34) 2m(U0 E) (3.35) k I = k III = Si noti che, per mantenere la finitezza della funzione donda per x e x +, abbiamo imposto B I = 0 e AIII = 0. A differenza del caso classico, lenergia E non pu` o assumere qualsiasi valore, ma solo certi valori discreti. Lenergia di una particella intrappolata in `, quindi, quantizzata. In corrispondenza di ciascun una buca di potenziale e autovalore En di energia si otterrebbe allora una autofunzione differente. In figura 3.4 si rappresentano tre di queste autofunzioni, 1 , 2 e 3 , in cui allaumentare dellenergia (E3 > E2 > E1 ) aumenta il numero donda k e, quindi, aumenta il numero di oscillazioni entro la buca di potenziale e il numero di a di nodi6 dellonda stazionaria. In figura 3.5 mostriamo la forma della densit` probabilit` a per una di queste autofunzioni. 3. Risolvere lequazione di Schr odinger nel caso di una buca di potenziale infinita. Sfruttiamo quanto imparato nel caso precedente per risolvere il caso di ` molto una buca di potenziale infinita, in cui la profondit` a U0 della buca e grande, senza entrare in troppi dettagli. Se U0 i valori di k I e k III tendono a +. Affinch e le funzioni donda restino comunque finite nelle regioni
6

` sempre nulla. I nodi di unonda stazionaria sono i punti in cui lampiezza dellonda e

91

Capitolo 3

I fondamenti della meccanica quantistica

+2

Figura 3.5: densit` a di probabilit` a nel caso di una buca di potenziale finita con E < U 0 . Si fa riferimento alla terza autofunzione.

I e III bisogna che i coefficienti AI di (3.33) e B III di (3.34) vadano a zero e, quindi, (x ) 0 su tutta la regione I e tutta la regione III. Come gi` a visto, nella regione II la soluzione ha la forma CII cos k II x o CII sin k II x , ma per raccordarsi alle regioni I e III la soluzione deve valere 0 nei punti x = /2. Ci` o significa che k/2 deve essere pari a un multiplo intero di /2. Il numero donda k assume allora dei valori che dipendono dal multiplo intero n: (n = 1, 2, 3, ...) (3.36) kn = n dove si esclude ovviamente n = 0 perch e in tale caso non si avrebbe nessuna onda. Sfruttando la (3.31) si ricavano i valori possibili per lenergia: En = 2 k 2 2 2 2 = n (n = 1, 2, 3, ...) 2m 2m2 (3.37)

Si vede allora che esiste un valore minimo dellenergia (energia di punto ` sempre maggiore di zero. zero) che e Per quanto riguarda le autofunzioni, in corrispondenza dei multipli dispari lautofunzione sar` a del tipo: n (x ) = Cn cos k n x
92

(3.38)

Momenti angolari e spin

Capitolo 3

+2

Figura 3.6: densit` a di probabilit` a nel caso di una buca di potenziale infinita. Si fa riferimento alla terza autofunzione.

mentre per i multipli pari sar` a del tipo: n (x ) = Cn sin k n x (3.39)

Si noti che nel caso di una buca finita la densit` a di probabilit` a si a di estende un po oltre i confini della buca, mentre se U0 la densit` probabilit` a diventa identicamente nulla al di fuori della buca (vedi figura 3.6). Si ottiene cos` nuovamente il risultato classico, cio` e che la particella debba trovarsi con certezza entro la buca.

3.3 Momenti angolari e spin


Alcuni concetti semplici dellelettromagnetismo classico, uniti a certi principi della meccanica quantistica, consentono di ottenere dei risultati abbastanza in accordo con quelli che si otterrebbero con una trattazione quantomeccanica pi` u rigorosa. Usiamo qui un tale approccio per ricavare i momenti angolari atomici e fare vedere che essi corrispondono a dei momenti di dipolo magnetici. Consideriamo un elettrone di massa m e carica e che percorre unorbita di Bohr circolare di raggio r attorno al nucleo. La carica in moto con velocit` a
93

Capitolo 3

I fondamenti della meccanica quantistica

v descrive la circonferenza 2r in un periodo T = 2r /v , ed equivale a una corrente elettrica di intensit` a: i= ev e = T 2r (3.40)

Dallelettromagnetismo classico sappiamo che una corrente i su una spira di area A equivale a un dipolo magnetico avente momento di dipolo magnetico: (3.41) = iA = ir 2 Del resto per un elettrone in moto attorno al nucleo si pu` o definire un momento angolare L avente modulo: L = mvr (3.42)

Siccome tale momento si riferisce a un moto orbitale dellelettrone attorno al nucleo, lo chiamiamo momento angolare orbitale (detto anche azimuthale). Sostituendo il valore di corrente dato dalla (3.40) in (3.41) e sfruttando la (3.42) si ottiene: e evr = L (3.43) L = 2 2m dove abbiamo reso esplicita la dipendenza di da L apponendo a il pedice L. Poich e sia il momento di dipolo magnetico sia il momento angolare orbitale sono vettori, possiamo riscrivere la (3.43) in forma vettoriale come: L = e L 2m (3.44)

` dovuto alla carica negativa dellelettrone, il verso dove il segno negativo e della corrente elettrica essendo opposto al moto della particella. La meccanica quantistica prescrive che il momento angolare L sia quantizzato, il suo modulo, cio` e, pu` o assumere solo dei valori discreti forniti dallespressione: L = ( + 1) (3.45)
94

Momenti angolari e spin

Capitolo 3

` un numero intero positivo chiamato numero quantico orbitale. dove e Quando si va a considerare la componente di L lungo una direzione z arbitraria, anche tale componente Lz risulta essere quantizzata secondo lespressione: (3.46) Lz = m ` un numero intero chiamato numero quantico magnetico, che dove m e assume valori compresi tra e . Siccome L , per il modulo del momento di dipolo magnetico vale: L e 2m (3.47)

` proporzionale alla quantit` cio` e, e a elementare: B = e = 9.27 1024 J/T 2m (3.48)

chiamata magnetone di Bohr. Con questa definizione riscriviamo la (3.44) come: B (3.49) L = L ` stata ricavata per un singolo elettrone in orbita attorno Questa formula e al nucleo. Nel caso di un atomo generico bisognerebbe considerare il momento angolare orbitale totale L = i Li dato dalla somma vettoriale dei momenti angolari di ciascun elettrone. In corrispondenza si ottiene un momento di dipolo magnetico atomico L = i Li . Lespressione (3.49) vale allora anche per i momenti atomici. Un momento di dipolo magnetico in presenza di un campo magnetico ` soggetto, secondo lelettromagnetismo classico, a una coppia: esterno e = L B (3.50)

che tende ad allineare il dipolo con il campo magnetico. Alternativamente, lazione tra dipolo e campo magnetico pu` o essere descritta da una energia potenziale di interazione: U = L B
95

(3.51)

Capitolo 3

I fondamenti della meccanica quantistica

Se consideriamo la situazione in cui il dipolo magnetico immerso nel campo magnetico mantiene unenergia costante, allora deve essere costante anche lenergia potenziale di interazione U e, quindi, il dipolo magnetico non pu` o allinearsi con B, ma deve formare un angolo costante nel tempo rispetto al campo magnetico. Si dice allora che il momento di dipolo magnetico L e L precedono attorno alla direzione di B (precessione di Larmor) con una frequenza angolare di precessione (frequenza di Larmor) che vale: = B B (3.52)

Tale formula si pu` o ricavare ricorrendo alla meccanica classica, ma ` e ottenibile, nella stessa forma, anche seguendo una trattazione quantomeccanica rigorosa. ` sottoposto latomo non e ` uniforme, ma Se il campo magnetico a cui e varia lungo la direzione z , oltre alla coppia interviene una forza, dovuta alla disuniformit` a del campo magnetico, avente componente: Fz = ( L )z Bz z (3.53)

che tende a traslare il dipolo magnetico lungo la direzione z .

3.3.1

Lesperimento di Stern-Gerlach

Nel 1922 Stern7 e Gerlach8 condussero un esperimento volto a misurare il momento di dipolo magnetico atomico. Nel loro esperimento i due scienziati usarono un fascio di atomi di argento prodotto facendo evaporare largento in un forno e collimando i vapori a formare un fascio da inviare entro un lungo magnete, come mostrato in figura 3.7. Alluscita dal magnete gli atomi andavano a depositarsi condensandosi su uno schermo. Il magnete era costruito in modo da fornire un campo magnetico disuniforme con un forte gradiente in una certa direzione (che chiameremo z ).
Otto Stern (1888-1969), fisico tedesco vincitore del Premio Nobel per la Fisica nel 1943 per la scoperta del momento magnetico del protone. 8 Walther Gerlach (1889-1979), fisico tedesco.
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7

Momenti angolari e spin

Capitolo 3

Gli atomi di argento sono elettricamente neutri, quindi, su di essi pu` o agire solo la forza (3.53) agente sul momento di dipolo magnetico L , forza ` proporzionale alla componente Lz . che e o assumere Dal punto di vista della fisica classica la componente Lz pu` qualsiasi valore compreso tra L e + L e di conseguenza la forza sugli atomi pu` o assumere valori Fz soddisfacenti alla diseguaglianza: Bz Bz Fz + L (3.54) z z che porterebbe gli atomi a depositarsi sullo schermo in ununica fascia continua (figura 3.8, sopra). Sullo schermo fu osservato, invece, un deposito di argento diviso in due fasce distinte (figura 3.8, sotto), osservazione in netto disaccordo con quanto ci si sarebbe aspettato classicamente. Lesperimento fu ripetuto con atomi di altri elementi e si osserv` o sempre che il fascio si separava, lungo la direzione z , in due o pi` u componenti discrete ` chiaro che se ci sono componenti discrete e distinte allora e ` la e distinte. E forza Fz che deve assumere valori discreti e distinti. Facendo riferimento alla ` effettivamente che il momento (3.53) lunico modo affinch e ci` o avvenga e angolare sia quantizzato. ` quantizzato secondo la (3.46) la comSe il momento angolare orbitale e ponente z del momento di dipolo magnetico vale: L Lz = m B dove il numero quantico m assume i valori: m = , + 1, ..., 0, ..., 1, (3.56) (3.55)

Notando che c` e un numero dispari di valori possibili di m e di Lz , quindi, ci si aspetta che il fascio si separi in un numero dispari di componenti, in contrasto, invece, con quanto osservato per largento. Per evitare possibili complicazioni legate alla presenza di molti elettroni in un atomo come quello dargento, Phipps e Taylor hanno ripetuto lesperimento nel 1927 con fasci di idrogeno a temperatura relativamente bassa.
97

Capitolo 3

I fondamenti della meccanica quantistica

sorgente

magnete

rivelatore z

Figura 3.7: rappresentazione schematica dellapparato usato da Stern e Gerlach.

In questo caso il numero quantico orbitale vale = 0 e, quindi, non ci si aspetterebbe la separazione del fascio che, invece, avviene in due componenti distinte e simmetriche. ` chiaramente necessaria per spiegare la separazione La teoria quantistica e discreta del fascio, ma non c` e un accordo quantitativo. C` e un ingrediente ` il momento angolare intrinseco dellelettrone mancante e questo ingrediente e 9 detto anche spin .

3.3.2

Lo spin dellelettrone

Per spiegare i risultati dellesperimento di Stern-Gerlach e di quello di Phipps` per quanto ne sappiamo Taylor bisogna assumere che lelettrone, anche se e una particella puntiforme, possieda comunque un momento angolare intrinseco S, il cui modulo e componente z sono anchessi quantizzati secondo le formule: (3.57) S = s ( s + 1)
Lo spin dellelettrone venne inizialmente suggerito da Samuel A. Goudsmith (1902-1978) e George E. Uhlenbeck (1900-1988) nel 1925 per spiegare una propriet` a degli spettri di emissione dellidrogeno e di altri elementi alcalini. In questi casi si osserva, infatti, che le righe spettrali presentano uno sdoppiamento chiamato struttura fine. Lo spin dellelettrone risult` o anche indispensabile per costruire una teoria quantistica compatibile con la teoria relativistica, come mostrato nel 1929 da P. Dirac.
9

98

Momenti angolari e spin

Capitolo 3

x Previsto dalla teoria classica z

x Osservato

Figura 3.8: rappresentazione del deposito di argento osservato sullo schermo nellesperimento di Stern e Gerlach.

e: S z = ms (3.58) in funzione dei numeri quantici s e ms . Analogamente a quanto succede nel caso del momento angolare orbitale, ` associato un momento di dipolo magnetico: aSe B S = g S (3.59) che differisce dalla (3.49) solo per lintroduzione del fattore g di spin. Dallosservazione sperimentale della formazione di due fasci separati si deduce che ms pu` o assumere solo i due valori: 1 (3.60) ms = 2 quindi, il numero quantico di spin deve valere: 1 (3.61) s= 2
99

Capitolo 3

I fondamenti della meccanica quantistica

Se si va poi a misurare lentit` a della separazione sullo schermo dei due fasci si pu` o ricavare lentit` a della forza: Bz Bz = gms B (3.62) Fz = ( S )z z z e, quindi, del fattore g . Queste misure forniscono il valore g = 2.

3.3.3

Interazione spin-orbita

Se gli elettroni possiedono un momento di dipolo magnetico intrinseco S allora ci deve essere uninterazione tra questo e il campo magnetico prodotto internamente allatomo dagli elettroni stessi in orbita attorno al nucleo. Tale interazione viene chiamata interazione spin-orbita ed ` e descritta da unenergia potenziale: 1 B U = S B = g S B (3.63) 2 dove il fattore 1/2 nasce da uneffetto relativistico10 . Del resto il campo magnetico, essendo proporzionale alla corrente elettrica, risulta essere proporzionale alla velocit` a v e, quindi, al momento angolare orbitale L. Si dimostra allora che: U SL (3.64) A causa dellinterazione tra S e L i due vettori non sono indipendenti ` che a essere quantizzato e ` il momento angolare luno dallaltro e il risultato e totale: J=L+S (3.65) I due vettori S e L precedono dunque attorno alla direzione di J anzich e attorno allasse z quindi, in caso di interazione spin-orbita, le componenti Sz ` Jz . Vengono introdotti due nuovi numeri e Lz non sono quantizzate ma lo e quantici j e m j per i quali vale: J = j ( j + 1) (3.66)
E necessario, infatti, passare dal sistema di riferimento solidale con lelettrone a un sistema di riferimento solidale con il nucleo. Tale passaggio comporta la comparsa del fattore 1/2.
100
10 `

Momenti angolari e spin

Capitolo 3

assieme a: Jz = m j dove i valori interi assunti da m j sono: m j = j , j + 1, ..., 0, ..., j 1, j (3.68) (3.67)

Poich e J = L + S i valori che il numero quantico j pu` o assumere sono: j=+ 1 1 o j= 2 2 (3.69)

corrispondenti rispettivamente a due vettori L e S paralleli o antiparalleli. Linterazione spin-orbita risulta essere fondamentale nella comprensione dei livelli energetici dellatomo di idrogeno, cos` come nella trattazione quantomeccanica degli atomi a molti elettroni, e per capire le strutture nucleari.

3.3.4

Momenti magnetici nucleari

I protoni, similmente agli elettroni, sono dotati sia di carica elettrica sia di spin. Per questo motivo essi sono dotati anche di momento di dipolo magnetico (orbitale e intrinseco). Il momento intrinseco (vedi la (3.59)) vale in questo caso: N p (3.70) S = g p S dove abbiamo sostituito il magnetone di Bohr B = e/2m con il ma` la massa del protone. Il magnetone gnetone nucleare N = e/2M dove M e nucleare risulta essere allora circa 1800 volte pi` u piccolo di quello di Bohr. e, vale circa 5.59 unit` a da confrontarsi Il fattore g p , chiamato fattore di Land con il valore gs = 2 per lelettrone. I neutroni, daltro canto, non essendo forniti di carica elettrica non dovrebbero avere momento di dipolo magnetico. In realt` a, i neutroni risultano essere dotati anchessi di spin e acquisiscono cos` un momento di dipolo magnetico di spin: N S (3.71) n S = gn ove il fattore di Land e del neutrone vale g n = 3.83 unit` a.
101

Capitolo 3

I fondamenti della meccanica quantistica

Figura 3.9: immagine di una sezione di un cervello umano, prodotta tramite TAC. Per gentile concessione di http://www.Imaginis.com.

` dotato di momento di dipolo magnetico, Il motivo per cui il neutrone e anche se elettricamente neutro, sta nel fatto che il neutrone (come il protone) ` una particella composta da tre quark dotati di carica elettrica. e I momenti di dipolo magnetico nucleari sono formati dai momenti angolari orbitali e di spin di tutti i protoni e neutroni che compongono il nucleo. ` circa 1800 volte pi` In ogni caso, poich e il magnetone nucleare e u piccolo di quello di Bohr, il nucleo assume momenti di dipolo magnetico che sono tre ordini di grandezza pi` u piccoli di quelli atomici. Di conseguenza, per lallineamento dei dipoli magnetici nucleari c` e bisogno di campi magnetici molto pi` u intensi.

3.4 Applicazioni
` dato dai Un esempio di applicazione di quanto studiato in questo capitolo e dispositivi chiamati SQUID che sono dei misuratori di campo magnetico
102

Applicazioni

Capitolo 3

estremamente sensibili e che sfruttano le propriet` a delleffetto tunnel e la superconduttivit` a. Tali dispositivi saranno per` o discussi nel capitolo 4. ` quelUnaltra applicazione estremamente rilevante nella pratica medica e la della visualizzazione di organi interni tramite risonanza magnetica.

3.4.1

Risonanza magnetica (nucleare)

` una tecnica usata nella diagnostica medica per viLa risonanza magnetica e sualizzare la struttura interna del corpo umano, attraverso la produzione di immagini dettagliate di una qualsiasi sezione della struttura in esame. Questa tecnica sfrutta il fenomeno della risonanza magnetica nucleare, ma nonostante il termine nucleare e diversamente dalle tecniche diagnostiche basate su raggi X come la TAC11 , non ha niente a che fare con le ra` n diazioni ionizzanti e, quindi, non e e invasiva n e potenzialmente dannosa. Rispetto alla TAC la risonanza magnetica ha anche maggiore contrasto nella visualizzazione di tessuti molli tipo il cervello, come mostrato nelle figure 3.9 e 3.10. ` diffuso nella pratica diagnostica anLuso della risonanza magnetica si e che grazie alleliminazione, dal nome originale, dellaggettivo nucleare. In questo modo si sono ridotte eventuali apprensioni da parte dei soggetti in esame evitando associazioni negative (e non giustificate) con la radioattivit` a e le radiazioni ionizzanti. Vediamo ora in che cosa consiste il fenomeno della risonanza magnetica. I nuclei degli atomi che compongono il corpo in esame, e soprattutto ` contenuta in tutti i tessuti del i nuclei di idrogeno presenti nellacqua che e corpo umano, vengono orientati grazie a un campo magnetico molto intenso e uniforme. I nuclei sono, infatti, composti da protoni e neutroni ciascuno dei quaLa TAC, o Tomografia Assiale Computerizzata, usa dei raggi X per acquisire delle immagini secondo direzioni diverse. Queste immagini vengono poi rielaborate al computer per ottenere delle rappresentazioni tridimensionali di sezioni del corpo in esame. Rispetto ` pi` alla risonanza magnetica questa tecnica e u diffusa, pi` u veloce e molto meno costosa.
11

103

Capitolo 3

I fondamenti della meccanica quantistica

` dotato di un momento di dipolo magnetico che si allinea con il campo li e magnetico applicato a causa della coppia = B. Oltre al campo magnetico uniforme vengono applicati dei campi magnetici, oscillanti a frequenze radio ( 10 100 MHz), che hanno la frequenza giusta per avere un assorbimento risonante e modificare lallineamento dei dipoli presenti nei nuclei di idrogeno. Quando il dipolo torna allallineamento originario lo fa producendo un campo magnetico oscillante che pu` o essere rivelato come una piccola corrente su una bobina dellapparecchiatura ricevente. Il segnale viene raccolto ed elaborato per produrre unimmagine delle zone che hanno risposto di pi` u o di meno, a indicazione della maggiore o minore concentrazione di nuclei di idrogeno. Le propriet` a del segnale dipendono anche della natura del tessuto perch e protoni presenti in tessuti diversi (ad esempio, muscolo o grasso) si riallineano con tempi diversi. Lutilizzo di altri tre campi magnetici, aventi orientazioni spaziali mutuamente ortogonali e con intensit` a variabile con la distanza, consente di ottenere le condizioni di risonanza in qualsiasi piano e, quindi, di ottenere una visualizzazione secondo qualsiasi sezione del corpo in esame, in orientamento e profondit` a. ` gi` Si e a detto che questa tecnica non ha alcuna controindicazione medica. ` il costo elevato delapparecchiatura dovuto soprattutLunico problema e to alla necessit` a di produrre un campo magnetico molto intenso (dellordine di 1 tesla) ed estremamente uniforme. Per fare ci` o si ricorre in genere a magneti superconduttori (vedi capitolo 4) che sono estremamente costosi. Il costo totale di unapparecchiatura per la risonanza magnetica si aggira, infatti, sul milione di euro. ` stata riconosciuta con lattribuzione nel Limportanza di questa tecnica e 2003 del Premio Nobel per la Medicina a due scienziati (Lauterbur e Mansfield12 ) per le loro scoperte a riguardo della visualizzazione con risonanza magnetica.
Paul C. Lauterbur (1929-2007), chimico statunitense, e Peter Mansfield (1933-), fisico britannico.
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104

Quesiti di riepilogo

Capitolo 3

Figura 3.10: immagine di una sezione di un cervello umano, prodotta tramite risonanza nucleare. Per gentile concessione di The whole brain Atlas vedi http://www.med.harvard.edu/AANLIB/.

3.5 Quesiti di riepilogo


` soggetto a un potenziale U = U (x ) che non dipende dal 1. Se una corpo e tempo, pu` o dipendere dal tempo il valore medio della sua coordinata x ? (Si consideri come valore medio il valore di aspettazione x e xop = x ). 2. In una buca di potenziale infinita il valore minimo dellenergia pu` o essere nullo? 3. Cosa si pu` o inferire dal principio di indeterminazione a proposito dellenergia minima per un corpo in una buca di potenziale infinita? 4. Guardando alle densit` a di probabilit` a delle figure 3.5 e 3.6, cosa si pu` o dire sul valore medio atteso per la coordinata x di un corpo in una buca di potenziale finita o infinita? 5. Perch e per una buca di potenziale finita (con E < U0 ) c` e un numero finito di autofunzioni possibili?

105

Capitolo 3

I fondamenti della meccanica quantistica

6. Se nel caso dellesperimento di Stern-Gerlach con largento si sono osservate 2 fasce discrete, cosa si pu` o concludere sul numero quantico orbitale di tale atomo?

3.6 Esercizi
1. Ricavare, nel caso di una buca di potenziale infinita, il valore di aspettazione della coordinata di una particella, partendo dalla definizione (3.9) che in una dimensione diventerebbe x = xop dx e usando xop = x . 2. Ricavare, nel caso di una buca di potenziale infinita, il valore di aspettazione della componente della quantit` a di moto di una particella, usando pop = (/ i )d /dx = ( i)d /dx . 3. Verificare che, nel caso di una buca di potenziale finita, le soluzioni generali (3.33) e (3.34) soddisfano lequazione di Schr odinger stazionaria corrispondente alle regioni fuori della buca. 4. Verificare che, nel caso di una buca di potenziale finita, la soluzione generale (3.32) soddisfa lequazione di Schr odinger stazionaria corrispondente alla regione dentro la buca. 5. Si consideri un elettrone confinato in un atomo come una particella in una Calcolare, ` pari al raggio tipico 1 A. buca di potenziale infinita, in cui /2 e secondo questa approssimazione, lenergia di punto zero. 6. Si consideri un atomo con momento di dipolo magnetico pari a 1 magnetone di Bohr. Supponendo che il dipolo sia allineato parallelamente a un campo magnetico esterno B di 0.5 tesla, che energia bisognerebbe fornire per ruotare di 180 il dipolo?

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Parte II Propriet` a elettriche, magnetiche, ottiche e termiche


Una spiegazione, abbastanza soddisfacente, dei fenomeni di natura elettrica, magnetica, ottica o termica si pu` o ottenere facendo ricorso a una trattazione atomistica classica. Ci sono per` o, come vedremo nel seguito, alcuni fenomeni incomprensibili secondo la fisica classica che possono essere interpretati solo ricorrendo alla meccanica quantistica, partendo dalla natura ondulatoria dellelettrone e sfruttando il principio di esclusione di Pauli. La trattazione degli elettroni liberi entro un metallo richiede, ad esempio, lintroduzione della distribuzione di Fermi-Dirac per giustificare come gli elettroni vadano a occupare i livelli energetici possibili. I livelli energetici si trasformano poi in bande energetiche sulla base delle quali risulta facilmente comprensibile la distinzione tra materiali conduttori, isolanti e lestremamente interessante classe dei semiconduttori. ` soprattutto grazie a questi ultimi che nella seconda met` E a del secolo ` assistito alla rivoluzione della microelettronica con tutte le sue scorso si e ricadute tecnologiche e scientifiche. Infatti, con leccezione di alcuni oggetti semplici, sostanzialmente tutte le apparecchiature elettroniche che rappresentano il cuore di innumerevoli dispositivi sono basate sullutilizzo di semiconduttori. La tecnologia moderna non pu` o fare a meno di ricorrere a materiali magnetici e alle loro propriet` a distintive. Esempi comuni in questo senso sono rappresentati da motori, generatori, trasformatori, supporti magnetici per computer (nastri e dischi), altoparlanti, microfoni e quantaltro. Nei capitoli

dedicati a questi temi vedremo che ci sono almeno cinque tipi di magnetismo: diamagnetismo, paramagnetismo, ferromagnetismo, antiferromagnetismo e ferrimagnetismo, che si realizzano con modalit` a differenti in materiali diversi. La meccanica quantistica risulter` a ancora indispensabile per giustificare tali differenze e prevedere la risposta di tali materiali allapplicazione di un campo magnetico esterno. La materia solida ha delle propriet` a ottiche particolari: alcuni solidi sono trasparenti e altri opachi rispetto alle radiazioni elettromagnetiche; inoltre alcuni tipi di superficie risultano estremamente riflettenti, mentre altri tendono ad assorbire fortemente la radiazione incidente. I metalli si distinguono poi per la loro lucentezza caratteristica. Tutti questi effetti dipendono non solo dalla natura del materiale ma, come si vedr` a, anche dalla frequenza della radiazione elettromagnetica incidente e si possono caratterizzare in termini di pochi parametri quali riflettivit` a, assorbimento e trasmissivit` a. Sia nel caso delle propriet` a elettriche sia in quello delle propriet` a magne` riconducibile alle propriet` tiche e ottiche, la maggior parte dei fenomeni e a fisiche degli elettroni e, quindi, ci sono considerazioni ed elementi comuni alle discussioni sui tre tipi di propriet` a. In tutti e tre i casi risulta comunque fondamentale una trattazione secondo i principi della meccanica quantistica ` un oggetto quantistico. proprio perch e lelettrone e Allinizio del XIX secolo gli atomi di un reticolo cristallino venivano considerati come degli oscillatori e con questo modello classico semplice si era ricavata una legge secondo la quale tutte le sostanze dovevano assorbire la stessa quantit` a di calore per aumentare di un grado la temperatura di una mole di sostanza. Ci` o si verifica sperimentalmente per alcune sostanze, ma non per tutte. Questa importante discrepanza rest` o insoluta fino allavvento nel XX secolo della fisica quantistica, che riusc` invece a dare uninterpretazione soddisfacente introducendo, a fianco degli elettroni, degli altri oggetti quantistici chiamati fononi. ` dedicata allo stato solido; cos` La maggior parte del testo e per completare almeno parzialmente la descrizione delle propriet` a fisiche fondamentali della materia viene trattata, per ultima e in modo conciso, una fase di aggre-

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gazione della materia diverse da quella solida, cio` e quella di cristallo liquido. Una tale fase si differenzia dagli stati principali della materia, cio` e lo stato aeriforme, liquido o solido, per delle peculiarit` a interessanti. A riguardo discuteremo soprattutto le propriet` a ottiche che vengono sfruttate per applicazioni di estremo interesse.

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Capitolo 4 La conduzione elettrica nei metalli


` definita come un flusso netto di carica elettrica attraLa corrente elettrica e ` legaverso una qualsiasi sezione del corpo in esame. Lentit` a di tale corrente e ta sia alla differenza di potenziale applicata agli estremi del corpo sia alla conducibilit` a elettrica del corpo, cio` e alla sua propriet` a di lasciarsi attraversare dalla carica elettrica. Dal punto di vista della conduzione elettrica i materiali si dividono, in modo grossolano, tra quelli conduttori, nei quali la corrente elettrica fluisce con una certa facilit` a, e quelli isolanti, che si oppongono invece al passaggio della corrente. Introducendo il concetto di resistivit` a come caratteristica intrinseca che descrive quanto un corpo si oppone al passaggio di corrente, si definiscono come isolanti i materiali aventi resistivit` a pi` u grande di cir14 a molto pi` u ca 10 m. I materiali conduttori hanno, invece, una resistivit` 8 piccola, tipicamente attorno a 10 m. A queste due classi estreme si aggiungono i materiali detti semiconduttori, aventi resistivit` a tipicamente1 superiore a 102 m, e i semi-metalli (tra cui arsenico, selenio e antimonio) che hanno resistivit` a attorno a 30 108 m. In questo capitolo verranno discusse le propriet` a elettriche dei materiali conduttori e specificamente dei metalli, con particolare riferimento alla conduzione di corrente elettrica. Per quanto riguarda la conduzione si osserva ` disperimentalmente che la corrente elettrica che attraversa un conduttore e rettamente proporzionale alla differenza di potenziale V applicata ai capi del
Questi sono valori di resistivit` a tipici per semiconduttori puri. La resistivit` a cambia per` o drasticamente a seconda della purezza del materiale e della sua temperatura.
1

Capitolo 4

La conduzione elettrica nei metalli

conduttore stesso. Tale comportamento viene descritto dalla legge di Ohm: i= V R (4.1)

` un parametro caratteristico del corpo conduttore, dove la resistenza R e funzione2 della resistivit` a del mezzo. Valori di resistivit` a, valutati a temperatura ambiente per alcuni metalli comuni3 , sono riportati in tabella 4.1 e abbracciano due ordini di grandezza. La fisica classica, e i modelli che a essa fanno riferimento, erano stati in grado di fornire, ad esempio, unespressione per la resistivit` a di un metallo ` per` che spiegava la legge sperimentale di Ohm. La teoria classica non e o stata capace di spingersi oltre e spiegare perch e due solidi cristallini composti da materiale diverso siano uno conduttore e laltro isolante. Resta da spiegare anche perch e due metalli, quali ad esempio il rame e il ferro, abbiano conducibilit` a parecchio diversa. ` necessario ricorrere alla Per rispondere a queste e ad altre domande e meccanica quantistica, introdotta nella prima parte di questo testo. Prima di fare ci` o, passiamo in rassegna le caratteristiche distintive di diverse categorie di solidi e riassumiamo il modello di conduzione classico.

4.1 Classificazione dei solidi


` bene coPer comprendere le propriet` a di conduzione di un corpo solido e minciare considerando i diversi tipi di solido presenti in natura. Queste diverse categorie dipendono sostanzialmente dalla struttura del solido stesso e dal tipo di forze e legami che tengono assieme le molecole. ` che le distanLa caratteristica distintiva delle sostanze allo stato gassoso e ze tra molecole sono molto grandi rispetto alle dimensioni stesse delle molecole. Di conseguenza le forze di natura elettrica tra le molecole, diminuendo
Ricordiamo che per un conduttore omogeneo di sezione A e lunghezza L la resistenza vale R = L/A. 3 Per confronto forniamo i valori di resistivit` a di alcuni isolanti (in m): 1017 per la 17 20 paraffina, 7.5 10 per il quarzo fuso, 10 per il polietilene e 1022 1024 per il teflon.
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2

Classificazione dei solidi

Capitolo 4

METALLO Ag Cu Au Al W Fe Pt Pb Ti Hg

(108 m) 1.6 1.7 2.4 2.7 5.6 9.7 10.6 22 42 98

(1/ C) 0.0061 0.0068 0.0034 0.0043 0.0045 0.0065 0.0039 0.0039 0.0009

Tabella 4.1: resistivit` a e coefficiente di temperatura per alcuni metalli, valutati a temperatura ambiente.

esse allaumentare della distanza, risultano essere molto deboli e per questo motivo le molecole si possono considerare isolate luna rispetto allaltra. A valori di temperatura e pressione ordinari (cio` e simili ai valori ambiente) molte sostanze appaiono allo stato solido e in questo caso gli atomi e le molecole non possono pi` u essere considerati come isolati. La distanza tra atomi e molecole viene a essere dello stesso ordine di grandezza della loro dimensione e allo stesso tempo le forze intermolecolari risultano avere intensit` a simile a quella delle forze che legano gli atomi a formare le molecole. Ne segue che le propriet` a di una molecola vengono influenzate fortemente dalla presenza delle molecole vicine e bisogna, quindi, esaminare il sistema nel suo complesso, considerandone la struttura. Per una certa classe di solidi, chiamati solidi cristallini, le molecole o gli atomi si dispongono nello spazio in un modo regolare, secondo un modello ripetuto, a formare quella struttura, complessa ma dotata di una certa regolarit` a, chiamata reticolo cristallino. Esistono, invece, altri tipi di solidi, chiamati solidi amorfi, in cui la regolarit` a del modello pu` o valere nei dintorni di una

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Capitolo 4

La conduzione elettrica nei metalli

qualsiasi molecola ma non si estende a tutto il solido. Non essendo caratterizzati da alcuna regolarit` a macroscopica, le propriet` a dei solidi amorfi sono pi` u difficili da generalizzare. Per questo motivo, nel seguito, faremo riferimento solo ai solidi cristallini. I solidi cristallini vengono classificati, a seconda del tipo di legame dominante che li tiene assieme, in: Solidi molecolari, per i quali gli elettroni nelle molecole sono tutti accoppiati cosicch e non si possono formare legami covalenti tra atomi appartenenti a molecole diverse. Le molecole sono cos` stabili che mantengono la loro individualit` a anche quando sono vicine ad altre molecole e solo la debole forza di van der Waals lega tra di loro molecole vicine. Tale forza trae origine dai dipoli elettrici che si formano in ciascuna molecola a causa di fluttuazioni quantomeccaniche degli orbitali atomici. Questi dipoli inducono a loro volta dipoli elettrici nelle molecole vicine risultando in una debole forza attrattiva con energie di legame dellordine di 102 eV. Nel complesso non ci sono elettroni liberi e tale assenza rende questi solidi molto poco conduttori sia di elettricit` a sia di calore. Composti organici, gas inerti e gas ordinari formano solidi molecolari a temperature molto basse. Solidi ionici, costituiti da unalternanza regolare e tridimensionale di ioni positivi e negativi, disposti come tante sfere impaccate luna contro laltra. ` intensa e renLattrazione elettrostatica netta che si esercita tra tali ioni e de la struttura particolarmente stabile. In questi solidi non ci sono elettroni liberi e risultano, quindi, essere scarsi conduttori di elettricit` a o calore. Un ` rappresentato dal cloruro di sodio. esempio di solido ionico e Solidi covalenti, dove sono i legami covalenti, in cui elettroni di valenza vengono condivisi, a tenere assieme le molecole. Anche in questo caso non ` un buon conduttore n ci sono elettroni liberi, quindi, il solido non e e per lelettricit` a n e per il calore. Solidi metallici, infine, nei quali gli elettroni sono condivisi da tutti gli ioni del solido. Gli elettroni dei livelli pi` u esterni possono essere debolmente legati e si muovono con una certa libert` a allinterno del cristallo. Il metallo appare allora come un reticolo cristallino di ioni positivi entro il quale si

114

Il modello di conduzione classico

Capitolo 4

muovono gli elettroni, quasi liberi, come se fossero molecole di un gas. Per questo motivo i solidi metallici sono ottimi conduttori sia di elettricit` a che di calore. ` chiaramente una semplificazione: esiLa classificazione qui presentata e ` regolare a causa della prestono solidi in cui la struttura cristallina non e senza di imperfezioni oppure in cui non c` e un unico tipo di legame tra le molecole. Queste deviazioni dalla classificazione ideale possono produrre comportamenti peculiari dal punto di vista della conduzione elettrica e richiederebbero una trattazione specifica. ` quella dei La classe di solidi che ci interessa studiare in questo capitolo e metalli per i quali si pu` o costruire una teoria generale della conduzione a partire dalla meccanica quantistica.

4.2 Il modello di conduzione classico


Allinterno di un metallo gli elettroni di conduzione possono essere assimilati agli atomi in un gas classico, come proposto inizialmente da Drude4 e ` che gli elettroni di conduzione si muovano poco dopo da Lorentz5 . Lidea e liberi tra una collisione e laltra, dove le collisioni non avvengono con altri elettroni, ma con gli ioni del reticolo. Con un tale modello si pu` o ricavare ` in accordo con la legge di unespressione per la resistivit` a di un metallo che e Ohm. In assenza di un campo elettrico esterno applicato al conduttore gli elettroni risultano essere in moto con velocit` a dirette in modo arbitrario, come mostrato in figura 4.1. Gli elettroni collidono con gli ioni del cristallo e mutano a ogni urto la loro direzione in modo casuale poich e la posizione dello ione allinterno della struttura cristallina oscilla rispetto alla posizione di
Paul Drude (1863-1906), fisico tedesco, propose la sua teoria sugli elettroni liberi nel 1900. 5 Hendrick A. Lorentz (1853-1928), fisico olandese, propose la sua teoria sugli elettroni nel 1909. Vincitore del Premio Nobel per la Fisica nel 1902 assieme al fisico olandese Pieter Zeeman (1865-1943) per la scoperta della separazione delle righe spettrali in presenza di campo magnetico (il cosiddetto effetto Zeeman).
115
4

Capitolo 4

La conduzione elettrica nei metalli

equilibrio a causa della sua agitazione termica. Dopo un certo numero di urti lelettrone si trover` a in una posizione che non dista molto da quella di partenza. Inoltre, data larbitrariet` a delle direzioni delle velocit` a di elettroni indipendenti, il flusso netto di carica attraverso una qualsiasi sezione del `, quindi, la corrente elettrica. conduttore risulta essere nullo e nulla e Si definisce cammino libero medio la distanza mediamente percorsa da un elettrone tra un urto e il successivo. Tale distanza dipende sia dalla velocit` a degli elettroni sia dai dettagli della struttura cristallina. Considerando il moto di agitazione termica degli elettroni, moto che avviene con una velocit` a istantanea media v i , tra un urto e il successivo intercorre un intervallo di tempo medio = /v i . Lapplicazione di un campo elettrico esterno fa s` che il moto casuale che ciascun elettrone segue dopo un urto venga modificato privilegiando una direzione rispetto ad altre. Conseguentemente tutti gli elettroni di conduzione tendono, in media, a spostarsi (derivare) nella direzione opposta al campo ` quello di imelettrico, come evidenziato in figura 4.1. Leffetto degli urti e pedire unaccelerazione continua degli elettroni anche se essi sono soggetti ` come se la velocit` a una forza costante. Dopo ciascun urto e a degli elettroni ` quello di spostare il punto di arrivo, ripartisse da zero e leffetto complessivo e dopo un certo intervallo di tempo e un certo numero di urti, nella direzione opposta a quella del campo elettrico applicato. Al moto casuale, di origine termica, si sovrappone cos` un moto di origine elettrica detto di deriva. Tale movimento avviene con una velocit` a media a di deriva, che assume valori dellordine del decimo di milvd , detta velocit` ` limetro al secondo, molto pi` u piccoli della velocit` a v i del moto casuale che e 6 dellordine di 10 m/s. Il campo elettrico E esercita una forza F = e E che si traduce in una accelerazione avente modulo a = eE /m. Subito dopo un urto tra elettrone e ione lelettrone riparte con velocit` a nulla e direzione arbitraria e laccelera` proprio zione a nel tempo medio cambia la velocit` a della quantit` a a , che e la velocit` a di deriva: a eE = (4.2) vd = a = vi m vi
116

Il modello di conduzione classico

Capitolo 4

B B e

Figura 4.1: rappresentazione del moto casuale degli elettroni allinterno del reticolo cristallino di un metallo, prima e dopo (linee tratteggiate) lapplicazione di un campo elettrico. Il ` stato esagerato rispetto al cammino degli elettroni tra un urto e laltro. moto di deriva totale e

` legata allintensit` La velocit` a di deriva e a i della corrente nel conduttore attraverso lintroduzione di una densit` a di corrente j definita come la corrente che attraversa lunit` a di superficie. Il legame tra queste quantit` a risulta essere allora: j (4.3) vd = ne ` il numero di elettroni liberi presenti nellunit` dove n e a di volume. Mettendo assieme le due equazioni (4.2) e (4.3) e ricordando che la legge ` esprimibile anche come = E / j, si ottiene la seguente espressione: di Ohm e = m ne 2 (4.4)

che dipende da alcune costanti universali, quali la massa m dellelettrone e la sua carica elementare e , cos` come da propriet` a del metallo, cio` e la densit` a di elettroni n e il tempo medio tra collisioni . Si vede, quindi, che la resistivit` a viene a essere indipendente dalla differenza di potenziale applicata, come osservato nel caso dei materiali ohmici quali, appunto, i metalli. Osserviamo che la resistivit` a dipende dalla temperatura del conduttore perch e da essa dipende il tempo = /v i . Infatti, allaumentare della tempe117

Capitolo 4

La conduzione elettrica nei metalli

ratura aumenta il moto di agitazione termica e, quindi, aumenta v i . Di conseguenza diminuisce , aumenta e perci` o d /dT > 0. Sperimentalmente si osserva che la dipendenza esplicita dalla temperatura segue un andamento ` descritta dalla formula: lineare ed e = 0 [1 + (T T0 )] (T in C) (4.5)

` una temperatura di riferimento (generalmente T0 = 20 C) a cui dove T0 e ` il coefficiente di temperatura. Nei viene valutata la resistivit` a standard 0 e e materiali puri questa formula viene seguita accuratamente per temperature comprese tra qualche decina di gradi kelvin e la temperatura di fusione del metallo. Tale linearit` a di comportamento pu` o essere usata, ad esempio, per costruire un termometro estremamente preciso. A temperature pi` u basse di qualche decina di gradi kelvin la linearit` a viene persa e la resistivit` a assume 6 un valore minimo maggiore di 0 . Esempi di valori per sono riportati in tabella 4.1. Talvolta si preferisce fare riferimento alla conducibilit` a che viene definita come il reciproco della resistivit` a: 1 ne 2 = m (4.6)

` proporzionale alla concentrazione7 Si vede allora che la conducibilit` ae ` molto grande n di elettroni liberi. Per un buon conduttore il valore di n e 28 ` molto pic(dellordine di 10 elettroni per metro cubo), per un isolante e 7 3 colo (n 10 e/m ), mentre per un semiconduttore n assume un valore intermedio, valendo ad esempio 1.5 1016 e/m3 per il silicio a temperatura ambiente.
La resistivit` a pu` o infatti, secondo la cosiddetta regola di Matthiesen, essere suddivisa in due termini: una resistivit` a ideale, che dipende dalle vibrazioni termiche degli atomi e che cresce quasi linearmente con la temperatura, pi` u una resistivit` a residua dovuta a impurit` ae difetti, essenzialmente indipendente dalla temperatura. 7 La concentrazione n per un metallo monovalente si pu` o ottenere da n = N A / M dove ` il numero di Avogadro (6.02 1023 mol1 ), e ` la densit` a (espressa in g/cm3 ) e M la NA e massa molare dellelemento (pari alla massa atomica espressa in grammi).
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6

Verso un modello quantistico

Capitolo 4

Si usa poi definire la mobilit` a degli elettroni come il valore medio della velocit` a di deriva corrispondente ad un campo elettrico unitario, cio` e: = 1 e vd j/ne = = = E j ne m (4.7)

` dato da: e, quindi, il legame tra mobilit` a e conducibilit` ae = ne (4.8)

Riassumendo, il modello classico di Drude-Lorentz giustifica la legge di Ohm, fornisce cio` e una resistivit` a indipendente da i e da V . Tale modello ` per` non e o in grado di spiegare tre fatti fondamentali: 1) Perch e un materiale sia conduttore e un altro no. 2) Lenorme differenza tra i valori di resistivit` a dei solidi. Si passa, infatti, 8 da valori dellordine di 10 m per metalli puri, fino a circa 1020 m per buoni isolanti. 3) Lesistenza di materiali (i semiconduttori) che hanno un comportamento intermedio tra quello dei conduttori e degli isolanti e in cui la resistivit` a cambia anche drasticamente con la temperatura. ` stato indispensabile ricorrere ai Per dare una risposta a questi quesiti e principi della meccanica quantistica.

4.3 Verso un modello quantistico


Cos` come fatto nel modello classico usato per la conduzione, continuiamo a usare un modello a gas di elettroni per rappresentare gli elettroni nel metallo, descrivendo per` o il sistema secondo i dettami della meccanica quantistica. Allinterno del reticolo cristallino ciascun elettrone di conduzione andr` a descritto da una funzione donda stazionaria, cio` e indipendente dal tempo ` funzione del vettore posizione r. Siccome lelettrone si trover` (r), che e a da qualche parte allinterno del metallo, ma sicuramente non al di fuori di esso, la densit` a di probabilit` a deve essere nulla al di fuori del metallo e sulla sua superficie. Lelettrone si viene a trovare in una specie di buca di
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Capitolo 4

La conduzione elettrica nei metalli

D(E ) (1028/m3 eV)

5 4 3 2 1 0 0 3 6 9 12

Energia (eV)
Figura 4.2: densit` a degli stati elettronici in funzione dellenergia.

potenziale e andando a risolvere lequazione di Schr odinger per lelettrone e imponendo le condizioni al contorno suddette si ottiene come conseguenza che lelettrone pu` o assumere solo certi valori discreti della sua energia totale E. Il numero enorme di elettroni presenti in un volumetto finito di metallo fa s` che i possibili livelli discreti di energia siano estremamente vicini, dato il grande numero di onde stazionarie che possono soddisfare le condizioni al contorno. Questi livelli sono molto vicini, ma non coincidenti, cio` e non degeneri, altrimenti si andrebbe contro il principio di esclusione di Pauli8 . Per poter trattare il numero degli elettroni nei livelli possibili si ricorre a un approccio statistico, introducendo la densit` a di stati D (E) definita come il numero di stati per unit` a di volume aventi energia compresa tra E e E + d E , diviso per lincremento energetico. Assumendo che gli elettroni di conduWolfgang Pauli (1908-1958), fisico austriaco vincitore del Premio Nobel per la Fisica nel 1945, per la sua scoperta del principio di esclusione. Il principio di esclusione da lui elaborato prescrive che non ci possano essere pi` u di due elettroni in un certo stato quantico. Di conseguenza in un certo livello energetico quantizzato possono starci al pi` u due elettroni con spin opposto.
8

120

Verso un modello quantistico

Capitolo 4

k 0
Figura 4.3: energia di un elettrone libero in funzione del suo numero donda k .

zione si comportino come in un gas, ed estendendo a tre dimensioni quanto imparato per i valori di energia per una buca di potenziale infinita, si ricava che la densit` a di stati vale: 3 8 2m 2 E (4.9) D (E) = h3 ` la massa dellelettrone. Questa densit` dove m e a di stati, il cui andamento ` riportato in figura 4.2, dipende solo da quante onin funzione dellenergia e `, quindi, una quantit` de stazionarie sono possibili nellunit` a di volume ed e a puramente geometrica che non dipende dal tipo di materiale che compone il solido. Nellesempio 1, trattato pi` u avanti, viene calcolato il numero di stati possibili presente in un volumetto di un centimetro cubo e si vedr` a che si tratta di un numero enorme. Alla luce del dualismo onda-corpuscolo sar` a conveniente fare riferimento al numero donda k , ricordando che p = k . Se si esprime lenergia di un elettrone libero in funzione di k si ottiene allora: E= 2 2 p2 = k 2m 2m (4.10)

cio` e si ottiene un dipendenza parabolica per E(k ), come mostrato in figura 4.3.

121

Capitolo 4

La conduzione elettrica nei metalli

4.3.1

Stati permessi

La densit` a di stati elettronici, descritta in figura 4.2, sembrerebbe corrispon` larea che dere a un numero totale di elettroni infinito, cos` come infinita e sottende la curva. In realt` a ci` o non avviene perch e non tutti gli stati possibili vengono effettivamente riempiti da un elettrone. Consideriamo un campione di metallo di volume unitario alla temperatura pari allo zero assoluto. Il campione in questione ha un certo numero di elettroni e questi elettroni riempiono i livelli energetici permessi, partendo dal basso, senza avere pi` u di due elettroni in ciascun livello. Supponendo allora che gli elettroni abbiano una certa energia massima Emax , i livelli energetici con E < Emax saranno riempiti, mentre quelli con E > Emax saranno necessariamente vuoti. Ragionando in termini probabilistici, nel primo caso i livelli hanno probabilit` a p = 1 (cio` e certezza) di essere occupati, mentre nel secondo caso la probabilit` a di essere occupati vale p = 0. Si definisce allora ` descritta da una una funzione di probabilit` a p(E), funzione dellenergia, che e cosiddetta funzione a gradino (vedi figura 4.4): p(E) = 1 per E < EF p(E) = 0 per E > EF (4.11)

u energetico, si chiama Lenergia EF , corrispondente al livello riempito pi` 9 energia di Fermi e dipende dal metallo in questione. In tabella 4.2 sono riportate le energie di Fermi per alcuni tra i metalli pi` u comuni; si tratta di valori dellordine di qualche elettron-volt. A differenza della densit` a D (E), la probabilit` a p(E) dipende dalla natura del materiale perch e da esso dipende il valore di EF . Avendo definito sia la densit` a di stati sia la probabilit` a di occupare un certo stato energetico, la densit` a di stati occupati vale: N (E) D (E) p(E)
9

(4.12)

Enrico Fermi (1901-1954), fisico italiano vincitore del Premio Nobel per la Fisica nel 1938 per la scoperta di reazioni nucleari indotte da neutroni lenti.

122

Verso un modello quantistico

Capitolo 4

p(E) EF
1

0.5

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14

Energia (eV)

Figura 4.4: probabilit` a di occupazione allo zero assoluto. Questa figura si riferisce al rame.

e segue il comportamento mostrato in figura 4.5. Se andiamo a integrare la funzione N (E) tra E = 0 e E = EF otteniamo il numero totale di stati occupati nocc in un volume unitario che, come si vede nellesempio 2, risulta essere un numero enorme. Tale numero deve essere uguale alla densit` a n degli elettroni di conduzione e si ottiene cos` o essere invertita per ottenere EF . Infatti: unespressione che lega n a EF , che pu` n = nocc = che diventa10
EF 0

N (E)d E =

EF 0

D (E) p(E)d E

(4.13)

3 3 EF 8 2m 2 8 2m 2 2 3 n= E dE = EF2 0 h3 h3 3 h 2 3n 3 ( ) EF = 8m
2

(4.14)

dalla quale si pu` o ricavare lenergia di Fermi: (4.15)


3

Ai fini del calcolo numerico, possiamo scrivere n = (4.531027 )EF2 dove EF va espresso in eV.
10

123

Capitolo 4

La conduzione elettrica nei metalli

N (E ) (1028 /m3 eV)

3 2 1 0

EF

8 10 12

Energia (eV)

Figura 4.5: densit` a di stati occupati allo zero assoluto. Larea ombreggiata rappresenta il numero di stati occupati nellunit` a di volume. Questa figura si riferisce al rame.

` sufficiente allora conoscere la densit` E a di elettroni di conduzione n per ricavare la energia di Fermi e viceversa. Nellesempio 3 andremo a calcolare il valore dellenergia di Fermi per alcuni metalli, note le loro densit` a n. Nellesempio 4 calcoleremo, invece, il valore dellenergia media degli elettroni di conduzione. ` assunto che il corpo sia allo zero assoluto e, nonostante Si noti che si e ` nulla, contrariamente a quanto si ci` o, lenergia media degli elettroni non e potrebbe ingenuamente immaginare. Infatti, allo zero assoluto viene meno il moto di agitazione termica, ma ci deve essere comunque unenergia non nulla perch e gli elettroni non possono trovarsi tutti nello stesso stato energetico (E = 0 ad esempio), come richiesto dal principio di esclusione di Pauli. Fino a qui abbiamo considerato le distribuzioni previste alla temperatura dello zero assoluto, andiamo ora a considerare cosa cambia in funzione della temperatura. Aumentando la temperatura la densit` a di stati D (E) non cambia, essendo una grandezza che dipende solo dalla geometria. La probabilit` a di occupazione p(E) subisce invece un lieve, ma significativo cambiamento, come ` che non tutti gli stati occurappresentato in figura 4.6. Quello che succede e
124

Verso un modello quantistico

Capitolo 4

ELEMENTO EF (eV) v F (106 m/s) Li 4.74 1.29 Be 14.3 2.25 Na 3.24 1.07 Mg 7.08 1.58 Al 11.7 2.03 K 2.12 0.86 Mn 10.9 1.96 Fe 11.1 1.98 Cu 7.00 1.57 Zn 9.47 1.83 Ga 10.4 1.92 Ag 5.49 1.39 Sn 10.2 1.90 Cs 1.59 0.75 Pt 8.8 1.76 Au 5.53 1.40 Pb 9.47 1.83

TF (104 K) 5.51 16.6 3.77 8.23 13.6 2.46 12.7 13.0 8.16 11.0 12.1 6.38 11.8 1.84 10.2 6.42 11.0

Tabella 4.2: energia, velocit` a e temperatura di Fermi per alcuni metalli. La temperatura di ` la costante di Boltzmann, mentre v F = 2E/m. ` definita come TF = EF / k dove k e Fermi e

pati hanno energia necessariamente inferiore allenergia di Fermi11 . Alcuni stati aventi energia superiore a quella di Fermi risulteranno essere occupati, ` che lenergia oe liberando altrettanti stati al di sotto di EF . Conseguenza di ci` massima Emax > EF e che il valore medio, proporzionale allintegrale della distribuzione e, quindi, allarea sottostante la curva, risulta essere leggermente maggiore che nel caso relativo a T = 0. La distribuzione rappresentata in figura 4.6 ` e rappresentata analiticamen11

Quindi non si pu` o pi` u definire EF come lenergia massima.

125

Capitolo 4

La conduzione elettrica nei metalli

p(E)
1 0.5 0

EF

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14

Energia (eV)
Figura 4.6: probabilit` a di occupazione alla temperatura di 1000 K. Questa figura si riferisce al rame.

te dalla funzione: p(E) =

1 e (EEF )/kT +1

(4.16)

chiamata funzione di distribuzione di Fermi-Dirac, sviluppata da Fermi ` tipica a, valida per gli elettroni, e e da Dirac12 . Questa funzione di probabilit` 13 14 ` definito pi` u delle particelle chiamate fermioni . In questo caso EF non e come il valore che separa p = 1 da p = 0, ma come il valore per il quale la funzione (4.16) assume il valore 1/2. Si noti come la funzione (4.16) tenda, per T 0, alla funzione a gradino
Paul A. M. Dirac (1902-1984), fisico inglese vincitore del Premio Nobel in Fisica nel 1933 assieme a Schr odinger per la sua teoria atomica. 13 I fermioni sono particelle a spin semi-intero (come lelettrone, il protone e il neutrone) che soddisfano propriet` a statistiche dette di Fermi-Dirac. Le particelle a spin intero (come il fotone) vengono invece chiamate bosoni e soddisfano propriet` a statistiche differenti dette di Bose-Einstein. 14 Con questa definizione, EF viene a coincidere con la quantit` a chiamata potenziale chi` funzione della temperatura. Va notato che (T ) diventa sensibilmente diverso da mico che e EF solo per temperature molto grandi, maggiori di qualche migliaio di gradi kelvin. A rigore, nella funzione di Fermi-Dirac dovrebbe comparire il potenziale chimico e non lenergia di Fermi.
126
12

Verso un modello quantistico

Capitolo 4

N (E ) (1028 /m3 eV )

3 2 1 0

EF

8 10 12

Energia (eV)
Figura 4.7: densit` a di stati occupati alla temperatura di 1000 K. Larea ombreggiata rappresenta il numero di stati occupati nellunit` a di volume. Questa figura si riferisce al rame.

(4.11). Per T 0 lesponente (E EF )/ kT a seconda del segno di (E EF ), quindi per E < EF lesponenziale e (EEF )/kT 0 e p(E) 1, mentre per E > EF lesponenziale e (EEF )/kT e p(E) 0. ` tanto lenergia Dallesame di (4.16) si vede che la quantit` a rilevante non e in s` e, quanto la differenza (E EF ) che, anche se piccola, produce una drastica variazione nella funzione p(E). Per quanto riguarda la densit` a di stati occupati N (E), si ottiene la distribuzione rappresentata dalla figura 4.7. Nel confronto tra la figura 4.5 e la figura 4.7 possiamo dire che un piccolo numero di elettroni di conduzione, ` passato da stati energetici di poco al di aventi energia molto vicina a EF , e sotto di EF a stati energetici di poco al di sopra di EF . La stragrande maggio` rimasta dove si trovava perch ranza degli elettroni di conduzione e e lenergia ` sufficiente a variarne il moto e il livello dovuta allagitazione termica non e energetico.

127

Capitolo 4

La conduzione elettrica nei metalli

4.3.2

Esempi

1. Si calcoli il numero di stati energeticamente possibili in 1 cm3 di un solido metallico, tra E = 4 e E + E = 4.01 eV, e quanto distano tra di loro in energia. Lequazione (4.9) ci fornisce il valore della densit` a. Sostituendo i valori numerici, espressi tutti in unit` a del SI, si ottiene: 3 8 2 (9.1 1031 ) 2 4 1.6 1019 D (E) = (6.63 1034 )3 A causa dei valori molto grandi degli esponenti non possiamo operare con la calcolatrice come indicato, ma scriviamo piuttosto: 3 8 2 (9.1) 2 ( 93 19 +102) 2 2 4 1.6 10 D (E) = (6.63)3 cio` e: D (E) = 8.4 1046 J1 m3 Se si vuole poi trasformare in eV, basta moltiplicare per il fattore di conversione 1.6 1019 J/eV per ottenere D (E) = 1.4 1028 m3 eV1 . Il numero di stati energeticamente possibili si ottiene moltiplicando D (E) per E e per il volume: N = D (E)E (102 )3 = 1.4 1020 Tale numero enorme di livelli energetici vicini corrisponderebbe a una separazione energetica E tra due livelli contigui pari a: E = 0.01 E = 7 1023 eV 20 N 1.4 10

praticamente indistinguibile dal continuo. 2. Si calcoli il numero di stati occupati in 1 cm3 di rame, allo zero assoluto. Sostituiamo nella formula (4.14) le costanti numeriche e il valore dellenergia di Fermi per il rame, cio` e 7 eV, per ottenere la densit` a di stati occupati nocc : 3 3 8 2 (9.1 1031 ) 2 2 (7 1.6 1019 ) 2 nocc = 34 3 (6.63 10 ) 3
128

Verso un modello quantistico

Capitolo 4

che diventa: nocc cio` e:

3 3 93 57 8 2 (9.1) 2 2 = (7 1.6) 2 10( 2 2 +102) 3 (6.63) 3 nocc = 8.4 1028 m3

Questo numero va moltiplicato per il volume per ottenere il numero di stati occupati nel volume in questione: Nocc = 8.4 1028 (1 102 )3 = 8.4 1022 3. Si calcoli il valore dellenergia di Fermi per rame, argento e ferro, note le densit` a di elettroni di conduzione (nCu = 8.5 1028 m3 , n Ag = 5.9 1028 m3 , n Fe = 17.0 1028 m3 ). Si confrontino i risultati con quelli della tabella 4.2. Ricorriamo alla formula (4.15) cio` e: 2 (6.63 10 34 )2 3 3 2 ( ) n3 EF = 8 9.1 1031 pari a: 2 5.85 1038 n 3 Sostituendo i valori di n si ottiene EF = 1.12 1018 , 0.89 1018 e 1.80 1018 J, per Cu, Ag e Fe, rispettivamente. Dividendo per il fattore di conversione 1.6 1019 J/eV si ottengono i valori EF = 7.0, 5.5 e 11.2 eV, che tornano con quanto riportato in tabella 4.2. 4. Si calcoli lenergia media per gli elettroni di conduzione del rame, allo zero assoluto. ` definita attraverso la formula: Lenergia media e E D (E) p(E)d E E = 0 0 D (E) p(E)d E ` una funzione a graAllo zero assoluto la funzione di probabilit` a p(E) e dino, quindi, lenergia media diventa: EF 0 E D (E)d E
F 0 D (E)d E

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Capitolo 4

La conduzione elettrica nei metalli

Sostituendo lespressione (4.9) otteniamo: 3 3 E 8 2m 2 0 F E 2 d E/ h 3 3 1 E 8 2m 2 0 F E 2 d E/ h 3 che si semplifica in:


F 2 2 E 2 d E 5 EF 3 EF E = 0EF 1 = 3 = 5 2 2 2 dE E 0 3 EF

che, nel caso del rame (EF = 7 eV), diventa E = 4.2 eV. 5. Quanto vale, a temperatura ambiente, lintervallo E tra il valore corrispondente a p(E) = 0.95 e p(E) = 0.05? Chiamiamo E il valore dellenergia per cui p(E ) = 0.95 e E quello per cui p(E ) = 0.05. Da (4.16) ricaviamo che: 1 e che diventa: cio` e: che diventa: E = EF kT ln 19 = EF 2.94 kT Analogamente si ricava che: E = EF + kT ln 19 = EF + 2.94 kT quindi: E = E E = 5.9 kT Alla temperatura ambiente T = 300 K lintervallo E vale allora 0.15 eV, ` o significa che la discesa della curva di probabilit` ae cio` e circa 1/50 di EF . Ci` estremamente rapida.
(E E
F )/kT

+1

= 0.95

0.95e (E EF )/kT + 0.95 = 1 e (E EF )/kT =

0.05 1 = 0.95 19

130

Teoria delle bande

Capitolo 4

4.4 Teoria delle bande


Si considerino inizialmente due atomi di un certo elemento metallico, posti a grande distanza tra di loro. In questo caso la funzione donda complessiva del sistema contiene una combinazione delle funzioni donda individuali, con gli stessi valori per lenergia discreta degli elettroni (i cosiddetti livelli energetici); si dice allora che i livelli sono degeneri e ci sono due tipi di funzione donda distinti15 che corrispondono allo stesso livello energetico. Quando gli atomi vengono avvicinati la sovrapposizione delle funzioni donda individuali porta a uno sdoppiamento dei livelli energetici del sistema e la separazione tra le coppie di livelli prodotti aumenta quanto pi` u vengono avvicinati gli atomi. Se anzich e avere a che fare con due atomi che vengono avvicinati, si parte da N atomi con N livelli degeneri, quando gli atomi cominciano ad avvicinarsi e le funzioni donda a sovrapporsi, la degenerazione tra i livelli sparisce e i livelli prima degeneri si suddividono in N sotto-livelli diversi, N /2 con energia minore e N /2 con energia maggiore. La separazione in energia tra questi sotto-livelli diminuisce allaumentare del numero di atomi, quindi, considerando il fatto che un solido contiene tipicamente 1023 atomi per centimetro cubo, risulta chiaro che questi sotto-livelli sono cos` finemente separati in energia da costituire una banda di energia praticamente continua. Gli elettroni non possono avere valori di energia che stiano al di fuori di queste bande e un elettrone pu` o solo essere promosso da una banda inferiore a una superiore se gli viene fornita lenergia sufficiente al salto. Per semplificare la trattazione consideriamo strutture cristalline semplici ` la cella e unidimensionali. Dal punto di vista del cristallo quello che conta e unitaria e il numero di elettroni di valenza che essa contiene, cio` e loccupazione della cella. Comunque, in un reticolo uniforme e unidimensionale di atomi identici loccupazione per cella o per atomo coincidono, essendoci un atomo per cella. Quando ci sono due elettroni di valenza, questi, avendo i due valori possibili di spin, occuperanno completamente un livello energetico e,
Lesistenza di due funzioni donda deriva dalle propriet` a statistiche degli elettroni (cio` e il fatto di essere fermioni) e dalla loro indistinguibilit` a.
15

131

Capitolo 4

La conduzione elettrica nei metalli

Energia

Atomi

Figura 4.8: rappresentazione della formazione di bande energetiche allaumentare del numero di atomi in un sistema. Nella colonna pi` u a destra si noti che le due bande a energia maggiore sono parzialmente sovrapposte (la fascia pi` u scura).

quindi, per N celle unitarie gli N livelli della banda saranno completamente riempiti. Come mostrato in figura 4.8 si viene a creare una situazione in cui si alternano bande permesse, corrispondenti allinsieme continuo di livelli permessi, e bande vietate dove non ci sono livelli energetici permessi. Siccome gli elettroni dei livelli energetici pi` u bassi sono quelli pi` u interni che risentono poco della presenza degli atomi vicini, in questo caso il nume` pi` ro di atomi da sovrapporre e u piccolo e, quindi, la larghezza della banda risulta minore. Ne segue che muovendosi dai sottogusci pi` u interni a quelli occupati pi` u esterni le bande diventano progressivamente pi` u estese. Le bande pi` u basse in energia risultano essere completamente riempite e, quindi, non sono loro, in genere, a caratterizzare il comportamento elettrico del materiale. Considerando, invece, le bande di energia pi` u elevata si nota che esse possono essere completamente distinte o parzialmente o totalmente
132

Teoria delle bande

Capitolo 4

sovrapposte. Nel caso in cui una banda non si sovrappone con altre essa viene chiamata isolata. Le bande corrispondenti agli elettroni dei sottogusci pi` u interni di un atomo isolato sono completamente riempite per definizione. Le bande (bande di valenza) prodotte dagli elettroni di valenza, quelli dei sottogusci pi` u esterni, possono invece essere parzialmente occupate. In questo caso lapplicazione di un campo elettrico pu` o sollecitare gli elettroni della banda di valenza solo se ci sono bande vicine vuote o parzialmente occupate (bande di conduzione). Se tali bande non ci sono, ma tutti i livelli energetici sono occupati, allora il corpo si comporta come un isolante. Se invece una banda completamente riempita si sovrappone a una banda completamente vuota si hanno due bande parzialmente riempite e il solido si comporta da conduttore. Questo criterio ci consente una prima distinzione tra solidi isolanti e conduttori: Un solido con un numero dispari di elettroni di valenza non pu` o riempire completamente una banda e, quindi, non pu` o essere un isolante. Cristalli di elementi alcalini monovalenti (sodio, potassio, cesio) non hanno una banda di valenza completamente riempita e si comportano, quindi, da conduttori. Al contrario, esempi di isolante si trovano, invece, tra i solidi ionici come il cloruro di sodio o covalenti come il diamante (cio` e carbonio in forma cristallina) perch e hanno un numero pari di elettroni di valenza per cella. In generale possiamo dire che la condizione secondo la quale un solido cristallino si comporta da conduttore o da isolante dipende dalla separazione tra la bande permesse e quelle vietate e dalla loro occupazione. A temperature superiori allo zero assoluto gli elettroni possiedono unenergia vibrazionale che pu` o essere sufficiente a fornire lenergia necessaria per saltare una banda vietata e passare a un livello energetico disponibile della banda permessa, lasciando un vuoto nella banda di partenza. Questo salto di banda produce una banda quasi piena (banda di valenza) e una quasi vuota (banda di condu` tanto pi` ` la temperatura e, zione). Il processo e u probabile quanto pi` u grande e

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Capitolo 4

La conduzione elettrica nei metalli

p(v ) E

v F

Velocit` a

vF

Figura 4.9: distribuzione di Fermi della componente della velocit` a, per un metallo a temperatura superiore allo zero assoluto. La curva tratteggiata rappresenta la distribuzione che ` si ottiene in presenza di un campo elettrico. La traslazione di una curva rispetto allaltra e esagerata rispetto a quanto avviene in realt` a.

` la banquindi, lenergia vibrazionale degli elettroni e quanto meno separata e da di conduzione da quella di valenza. Esisteranno allora dei materiali che restano isolanti anche ad alte temperature e materiali (i semiconduttori) che, a causa della piccola separazione tra le bande, possono diventare conduttori a temperatura ambiente.

4.5 La conduzione elettrica


` legata al moto degli elettroni liberi cio` La conduzione elettrica e e quelli in livelli parzialmente riempiti della banda di conduzione. Mentre allo zero assoluto i livelli parzialmente riempiti stanno tutti al di sotto di EF , per una temperatura differente ci saranno dei livelli parzialmente riempiti e, quindi, degli elettroni liberi anche per valori di energia di poco al di sopra di EF . a di un elettrone Chiamiamo velocit` a di Fermi v F il valore della velocit` corrispondente a una energia cinetica pari a EF . Se consideriamo v F come la

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La conduzione elettrica

Capitolo 4

componente della velocit` a piuttosto che il suo modulo si ottiene a partire da (4.16) la distribuzione di Fermi delle velocit` a rappresentata in figura 4.9. Tale distribuzione risulta essere simmetrica cio` e uguale per componenti di velocit` a positive e negative. Se si integra tale funzione o alternativamente se ne considera larea sottostante si pu` o affermare che esistono tanti elettroni che si muovono verso la direzione positiva (con componente positiva della velocit` a) quanti sono quelli che si muovono in direzione negativa (con componente negativa della velocit` a). La velocit` a media risulta, quindi, essere nulla e se si andasse a misurare lintensit` a di corrente elettrica attraverso una qualsiasi sezione del corpo metallico si ricaverebbe una corrente nulla. ` soggetto a un campo eletLe cose per` o cambiano se il corpo metallico e trico E prodotto da una differenza di potenziale applicata agli estremi del metallo. In questo caso la forza elettrica F = qE = e E produce unaccelerazione degli elettroni e, quindi, una variazione della loro velocit` a. La distribuzione ` queldi Fermi cambia nel modo indicato in figura 4.9: leffetto complessivo e lo di una traslazione rigida della distribuzione in direzione opposta a quella del campo elettrico applicato (poich e gli elettroni hanno carica negativa). Dal confronto tra le distribuzioni di velocit` a in assenza e in presenza di campo elettrico si pu` o notare che una piccola frazione di elettroni, aventi veo passare da uno stato locit` a leggermente inferiore a v F e diretta come E, pu` occupato a uno stato libero. La cosa opposta accade agli elettroni che si muo` quello di uno svuotavono in direzione opposta a E. Leffetto complessivo e u mento di stati attorno a v F con corrispondente comparsa nella regione pi` ` pi` a media non e u nulla, ma chiara vicino a +v F . Allo stesso tempo la velocit` assume una componente diversa da zero nella direzione opposta a E. Tale velocit` a media risulta essere molto pi` u piccola di v F e viene chiamata velo` imputabile a a di deriva e cit` a di deriva vd . Un valore non nullo della velocit` quel piccolo numero di elettroni (corrispondenti allarea chiara della figura 4.9) che, a causa dellaccelerazione dovuta al campo elettrico, assumono una velocit` a superiore a v F . Dalla tabella 4.1 si vede che le velocit` a di Fermi per i metalli sono molto grandi, dellordine di 1/100 della velocit` a della luce. Le velocit` a di deriva sono

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Capitolo 4

La conduzione elettrica nei metalli

invece molto pi` u piccole, dellordine del decimo di millimetro al secondo. Il ragionamento precedente evidenzia la fondamentale differenza tra il ` domodello classico e quello quantistico. Nel caso classico la conduzione e vuta a tutti gli elettroni che derivano con velocit` a vd . Nel caso quantistico invece solo una piccola porzione degli elettroni liberi, in moto con velocit` a ` responsabile effettivamente della conduzione. pari circa a v F , e

4.6 Conduttore o isolante?


Che cos` e allora che fa s` che un elemento si comporti come conduttore o come isolante? Che cos` e cio` e che determina la resistivit` a di un materiale? A parit` a di campo elettrico applicato, si hanno una corrente elettrica intensa e, quindi, una bassa resistivit` a se c` e un grande numero di elettroni di conduzione liberi di muoversi allinterno del reticolo cristallino. Tali elettroni devono trovarsi in una banda parzialmente occupata (banda di conduzione) perch e solo cos` potranno rispondere al campo elettrico applicato incrementando la propria energia. Nel caso dei metalli avviene allora che la banda di conduzione e quella di valenza siano parzialmente sovrapposte (vedi figura 4.10) oppure la separazione tra le due bande E , cio` e lintervallo energetico proibito (detto anche energia di gap), risulta essere molto piccolo, dellordine dellenergia associata allagitazione termica E kT . Nel secondo caso sar` a energeticamente possibile per alcuni elettroni passare dalla banda di valenza a quella di conduzione. Un comportamento da isolante si ha per i materiali caratterizzati da un grande valore per lintervallo energetico proibito, tipicamente maggiore di 3 eV. In questo caso, come discusso nellesempio 6, E risulta essere molto pi` u grande dellenergia termica media kT per temperature ordinarie, da fare s` che la probabilit` a che venga occupato un qualsiasi livello nella banda di conduzione sia minuscola e di conseguenza sia pressoch e impossibile trovare elettroni nella banda di conduzione. Il terzo caso, rappresentato al centro della figura 4.10, mostra un intervallo energetico proibito di valore intermedio. In questo caso si avrebbe una
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Conduttore o isolante?

Capitolo 4

Conduttore

Semiconduttore

Isolante

Figura 4.10: rappresentazione schematica delle bande energetiche di valenza (chiare) e di conduzione (scure) nel caso di un materiale conduttore (a sinistra), isolante (a destra) o semiconduttore (al centro).

probabilit` a piccola, ma non trascurabile di avere elettroni che grazie alla loro agitazione termica vengono promossi dalla banda di valenza a quella di conduzione originando corrente elettrica. Tale probabilit` a e la corrente elettrica conseguente verrebbero a crescere allaumentare della temperatura. Materiali che hanno un valore piccolo di E vengono chiamati semiconduttori. ` assoluta, ma La distinzione tra materiali isolanti e semiconduttori non e dipende anche dalla temperatura. Infatti, allo zero assoluto sarebbe impossibile per unelettrone di valenza saltare nella banda di conduzione sia per un materiale isolante sia per un semiconduttore. Allaumentare della temperatura per` o, la differenza tra un isolante e un semiconduttore si manifesta in modo via via crescente. Notiamo che per i conduttori la resistivit` a aumenta allaumentare della temperatura (d /dT > 0) mentre per i semiconduttori avviene lopposto (d /dT < 0), come vedremo nel prossimo capitolo.

137

Capitolo 4

La conduzione elettrica nei metalli

4.7 Leffetto della struttura reticolare


Il modello di Fermi-Dirac a gas di elettroni fornisce in modo semplice e diretto le propriet` a di conducibilit` a elettrica di un solido. Tale modello non spiega per` o pienamente come mai alcuni materiali siano conduttori e altri no. In questo modello gli elettroni si muovono soggetti solamente al vincolo di essere confinati entro il materiale. In realt` a, la struttura reticolare del cristallo ha degli effetti importanti sul moto degli elettroni. Vanno prese in considerazione soprattutto tre cose: ` alla base della trattazione classica della conduzio1) Il meccanismo che e ` il ripristino dellequilibrio, dovuto agli urti degli elettroni con gli ioni del ne e reticolo, che ridistribuisce in modo casuale la velocit` a degli elettroni. Nel caso di elettroni che si muovono in un reticolo cristallino perfettamente periodico essi non sarebbero soggetti a urti con gli ioni del reticolo e non verrebbe ostacolata la corrente elettrica. Sono invece gli urti con impurit` a (cio` e atomi estranei), imperfezioni (atomi assenti o posizionati male rispetto alla struttura cristallina ideale) o aperiodicit` a di un qualche tipo allinterno del reticolo cristallino, a determinare una certa resistenza al passaggio di corrente. Ad esempio, la presenza di impurit` a in un cristallo perfetto determinerebbe la diminuzione del tempo medio tra urti, con conseguente diminuzione della conducibilit` a . Daltro canto anche in un cristallo idealmente perfetto lagitazione termica degli atomi produce una leggera perturbazione locale e, quindi, una lieve aperiodicit` a del potenziale. Allaumentare della temperatura tende, allora, ad aumentare il numero di urti, con conseguente riduzione di e, quindi, della conducibilit` a. Altro modo di influenzare la conducibilit` a sarebbe quello di sottoporre il cristallo a sforzi meccanici intensi in modo da aumentare le imperfezioni nel cristallo, diminuire e ridurre . 2) Il potenziale al quale sono soggetti gli elettroni nel cristallo ha delle variazioni periodiche in ampiezza dovute alla ripetizione periodica delle ` soggetto leletcelle elementari allinterno del cristallo. Il potenziale a cui e ` del tipo rappresentato in figura 4.11 e pu` trone e o essere approssimato per
138

Leffetto della struttura reticolare

Capitolo 4

a V0

V0

a
` soggetto un elettrone allinterno di un reticolo cristallino (soFigura 4.11: potenziale a cui e pra) e la sua approssimazione secondo il modello Kronig-Penney (sotto) come successione di barriere di potenziale aventi altezza V0 e spaziate della distanza a pari alla separazione tra gli ioni () del reticolo.

mezzo di una successione di barriere di potenziale secondo il modello di ` una rozza approssimazione di quello Kronig-Penney16 . Tale idealizzazione e ` comunque utile a descrivere imche succede allinterno di un cristallo, ma e portanti caratteristiche del comportamento degli elettroni entro un reticolo cristallino. 3) Il comportamento degli elettroni allinterno del reticolo cristallino, cos` come pu` o essere ricavato andando a risolvere lequazione di Schr odinger, risulta essere in accordo con quello che ci si aspetterebbe per elettroni diffratti dal reticolo cristallino in modo simile a quanto avviene per la riflessione di Bragg. Quando la lunghezza donda di De Broglie dellelettrone risulta essere pari alla periodicit` a del reticolo cristallino si ha allora uninterazione particolarmente intensa tra lelettrone e il reticolo, con conseguente cambiamento nelle propriet` a di conduzione del cristallo. ` la forma del potenziale a determinare la soluCome visto nel capitolo 3 e
Ralph de L. Kronig (1904-1995), fisico tedesco-americano, e William G. Penney (19091991), fisico inglese, introdussero questo modello nel 1931.
16

139

Capitolo 4

La conduzione elettrica nei metalli

zione dellequazione di Schr odinger. Mentre per un elettrone confinato entro il volume del metallo ci si aspetterebbe come soluzione unautofunzione data da unonda viaggiante ad ampiezza costante, nel caso del potenziale che varia con periodicit` a la funzione donda diventa unonda viaggiante con ampiezza variabile e periodica. Supponiamo, infatti, di avere unonda che viaggia verso destra e che incide sulle barriere di potenziale. In corrispondenza di ciascuna barriera si avr` a una parziale riflessione dellonda dove londa riflessa non risulta essere, in generale, in fase con quella incidente. Per questo motivo la combinazione di tutte le onde riflesse non d` a luogo a interferenza costruttiva. Se, invece, la lunghezza donda e la spaziatura a tra le barriere soddisfano alla condizione di Bragg: 2a = n (n = 1, 2, 3, ...) (4.17)

le onde riflesse risultano essere in fase e interferiscono costruttivamente a formare unonda riflessa con la stessa ampiezza di quella incidente. La sovrapposizione delle due onde, incidente e riflessa, con stessa ampiezza e viaggianti in direzione opposta, d` a luogo a unonda stazionaria che pu` o essere ottenuta sia sommando sia sottraendo le due onde, corrispondente a funzioni donda periodiche chiamate funzioni di Bloch17. ` che in corrispondenza dei valori di k che soddisfano Il risultato finale e alla condizione di Bragg: k = n (n = 1, 2, 3, ...) a (4.18)

(ove si sono considerate sia le onde che si propagano verso destra sia quelle che si propagano verso sinistra aventi valori negativi di k ) ci sono due valori possibili di energia e, quindi, i livelli energetici permessi risultano spaziati da un intervallo proibito, come si vede in figura 4.12, in cui le soluzioni dellequazione di Schr odinger contengono dei termini esponenziali decrescenti molto rapidamente.
Le funzioni di Bloch hanno la propriet` a generale di fornire una densit` a di probabilit` a ` la stessa in ciascuna cella unitaria del reticolo cristallino. Tali funzioni hanno che e periodo pari alla spaziatura a .
17

140

Massa efficace

Capitolo 4

k 0
2 3 4 a a a a

Bande di energia

Figura 4.12: energie permesse in funzione di k per un elettrone soggetto a barriere di potenziale equispaziate (sinistra) e bande energetiche risultanti (destra).

Rispetto alla funzione parabolica e continua del caso dellelettrone libero (vedi figura 4.3) compaiono delle discontinuit` a in corrispondenza dei valori di k multipli di / a , in corrispondenza delle quali la funzione si incurva. Questi valori critici di k individuano quelle che vengono chiamate le zone di Brillouin dove la prima si riferisce allintervallo k < / a , la seconda a / a < k < 2 / a e cos` via. Passando a trattare dei cristalli reali, con un reticolo tridimensionale, si ottiene lo stesso comportamento qualitativo fin qui descritto, con la differenza che ci sono pi` u di due valori di k per ciascun autovalore di energia.

4.8 Massa efficace


Nel modello classico per la conduzione abbiamo visto (secondo la (4.6)) che la conducibilit` a risultava essere inversamente proporzionale alla massa dellelettrone. Vedremo ora come tale proporzionalit` a inversa valga ancora nella trattazione quantomeccanica dellelettrone soggetto a un potenziale reticolare periodico, se si sostituisce la vera massa dellelettrone con una quantit` a variabile a seconda delle condizioni chiamata massa efficace.
141

Capitolo 4

La conduzione elettrica nei metalli

Il moto dellelettrone risulta essere soggetto alla forza esterna elettrica dovuta al campo elettrico applicato e anche alle forze interne di interazione con gli ioni del reticolo cristallino. Lelettrone in moto allinterno del reticolo cristallino ha unenergia E(k ) della forma definita in (4.10). Se si applica un campo elettrico esterno E il lavoro fatto dalla forza qE sullelettrone, che nel tempo dt effettua uno spostamento dx , vale dW = qEdx e va ad aumentare lenergia dellelettrone della quantit` a: d E = dW = qEdx = qE dx dt = qEvdt = qEv g dt dt (4.19)

dove abbiamo ricordato che la velocit` a v dellelettrone risulta essere uguale alla velocit` a di gruppo v g del pacchetto donda associato (secondo quanto visto nellesempio 3 del capitolo 2). Poich e E = allora: dE = d dk = v g dk dk (4.20)

e perci` o, derivando rispetto al tempo, si ricava: dv g d 1 d E 1 d 2 E dk = ( )= dt dt dk dk 2 dt Del resto, uguagliando (4.19) e (4.20) si ottiene: dk qE = dt e, poich e v g = v , si ottiene infine unespressione dinamica del tipo: dv qE = dt m dove: m = 2 d 2 E/dk 2 (4.23) (4.22) (4.21)

(4.24)

` la massa efficace dellelettrone entro un reticolo cristalLa quantit` a m e lino e risulta essere pari al rapporto tra la forza qE e laccelerazione dv /dt .
142

Massa efficace

Capitolo 4

(II)

(I)

k (II)

Figura 4.13: energie permesse in funzione di k per la prima (I) e la seconda (II) zona di Brillouin.

` che qE non sarebbe la risultante di tutLa peculiarit` a di questa definizione e te le forze agenti sullelettrone, ma solo la forza esterna. Con lintroduzione di questa massa efficace possiamo semplificare la trattazione del moto dellelettrone come se il moto fosse dovuto solamente alle forze esterne, mentre quelle interne vengono considerate attraverso il loro effetto sulla massa. La ` legata allora allinterazione differenza tra massa efficace e massa normale e tra gli elettroni in moto e gli atomi del cristallo. ` ancora giuIn base a queste considerazioni, il modello a elettroni liberi e stificato nella trattazione della conduzione di un metallo se si fa riferimento alla massa efficace. In altre parole, i risultati ottenuti da tale modello valgono ancora se si sostituisce, ovunque, la massa dellelettrone con la sua massa efficace. Si noti che il reciproco della massa efficace 1/m risulta essere proporzionale alla curvatura della funzione E(k ), data appunto da d 2 E/dk 2 . Come si vede dalla figura 4.13, vicino al centro della prima zona di Brillouin (cio` e per k 0) lenergia vale tanto quanto ci si aspetta da un elettrone libero, cio` e E 2 k 2 /2m. Andando a calcolare la massa efficace secondo la formula (4.24) si otterrebbe m m e, quindi, un comportamento reale del-

143

Capitolo 4

La conduzione elettrica nei metalli

lelettrone simile al caso dellelettrone libero. In questa regione, infatti, il reticolo influenza molto poco lelettrone e le forze sono sostanzialmente quelle esterne. Ricorrendo alla massa efficace si pu` o scrivere lenergia di un elettrone allinterno del reticolo cristallino come: 2 k 2 (4.25) 2m ` una quantit` con la sola differenza che m non e a costante. Poich e i valori di k sono distribuiti uniformemente, la densit` a dei livelli energetici corrispondenti risulta essere pi` u grande quando E(k ) varia pi` u ` pi` lentamente e, quindi, quando la curvatura e u piccola. Di conseguenza ` piccola, e viceversa. livelli energetici molto densi si hanno quando 1/m e Il legame tra densit` a di livelli energetici e massa efficace pu` o essere utilizzato per spiegare il valore della conducibilit` a di un metallo. Sostituendo m con m nella formula (4.6) si ottiene che: E(k ) 1 m (4.26)

` maggiore quando la densit` e, quindi, la conducibilit` a di un metallo e a dei ` livelli e minore. Sulla base di questa argomentazione si capisce, come discusso nellesempio 6, perch e un metallo quale il ferro abbia una conducibilit` a inferiore rispetto a quella del rame.

4.9 Elettroni e lacune


In alcuni metalli quali lo zinco e il berillio si osserva, studiando leffetto Hall18 , che i portatori di carica devono avere segno positivo. Questi portatori di carica positiva non sono certo gli ioni positivi del cristallo n e i protoni del nucleo, ma vengono associati al concetto di lacune intese come livelli energetici non
Nelleffetto Hall un conduttore piatto percorso da corrente e sottoposto a un campo magnetico perpendicolare alle facce piatte del conduttore esibisce una differenza di potenziale, nella direzione ortogonale a corrente e campo magnetico, il cui segno dipende dal segno dei ` fornita nel capitolo 5. portatori di carica. Una discussione pi` u dettagliata e
144
18

Elettroni e lacune

Capitolo 4

occupati della banda di valenza dovuti a elettroni migrati dalla banda di valenza a quella di conduzione. Queste lacune si comportano a tutti gli effetti come portatori liberi di carica positiva e contribuiscono, quindi, alla corrente di conduzione totale. ` pi` Nel caso di una banda di valenza quasi completamente riempita e u comodo ragionare in termini del moto di un piccolo numero di lacune invece che fare riferimento a un grande numero di elettroni. Le velocit` a associate alle lacune sarebbero quelle corrispondenti a quelle che avrebbero gli elettroni assenti. Queste lacune si trovano generalmente ai livelli superiori della banda di energia, dove la funzione E(k ) tende a incurvarsi verso il basso e ad avere d 2 E/dk 2 negativo e, quindi, massa efficace negativa. Una particella (lelettrone) con carica negativa e massa efficace negativa tenderebbe a muoversi, sotto lazione di un campo elettrico E, nello stesso verso di E allo stesso modo di una particella (la lacuna) con carica positiva e massa efficace positiva. Quando in un conduttore intervengono sia elettroni sia lacune il segno delleffetto Hall dipende da quale dei due portatori di carica sia dominante e da quale tra i due portatori di carica abbia la mobilit` a pi` u elevata.

4.9.1

Esempio

6. Sulla base della distribuzione degli elettroni di valenza nei corrispondenti orbitali, si giustifichi il fatto che la conducibilit` a del rame risulta essere pi` u grande di quella del ferro. Il ferro ha numero atomico 26 e i suoi elettroni riempiono gli orbitali 1s 2 , 2s 2 , 2 p6 , 3s 2 , 3 p6 , fino al 3d 8 che risulta parzialmente riempito. Lorbitale 3d fa parte di un sottoguscio interno e, quindi, i livelli 3d non sono molto spaziati ` molto estesa. Di conseguenza, essendo la e la banda corrispondente non e ` alta e il reciproco della massa efficace e ` banda stretta, la densit` a di livelli e piccolo, risultando 1/mFe 0.1 1/m Nel caso del rame, i suoi 29 elettroni riempiono totalmente gli orbitali 3d , occupando parzialmente lorbitale 4s corrispondente a una banda molto larga perch e relativa a un sottoguscio esterno. Ne deriva una densit` a di livelli piccola e un valore grande del reciproco della massa efficace, corrispondente
145

Capitolo 4

La conduzione elettrica nei metalli

` a 1/ m e 1/m ne risulta che la conducibilit` a del rame e Cu 1/ m. Poich circa 10 volte quella del ferro.

4.10 Superconduttivit` a
Per completare la trattazione della conduzione elettrica, nei solidi in generale e nei metalli in particolare, descriviamo in breve il fenomeno della superconduttivit` a. Come abbiamo visto, la resistivit` a di un metallo diminuisce gradualmente al diminuire della temperatura, ma non si dovrebbe annullare neanche avvicinandosi allo zero assoluto. Si raggiunge, invece, un valore di saturazione dipendente dalla purezza del metallo poich e la presenza immancabile di impurit` a e imperfezioni comporta comunque delle collisioni dissipative con gli ioni del reticolo. Esistono per` o dei materiali detti superconduttori in cui, una volta raggiunta una certa temperatura critica Tc , si verifica una transizione brusca a ` stato un altro regime per il quale la resistivit` a va a zero. Questo fenomeno e 19 scoperto da Onnes nel 1911, raffreddando del mercurio alla temperatura di 4.2 K impiegando elio liquido. Se si guarda al comportamento della resistivit` a in funzione della tempe` un conduttore ratura (vedi figura 4.14) si vede che un superconduttore non e migliore degli altri, ma qualcosa di diverso. Il brusco andamento della resistivit` a fa pensare, infatti, allattivazione di un meccanismo di conduzione diverso da quello usuale, che viene a instaurarsi quando la temperatura scende al di sotto di quella critica. La superconduttivit` a si manifesta in molti elementi metallici, leghe o composti, anche in assenza di pressione. In tabella 4.3 riportiamo alcuni esempi di elementi superconduttori, indicando la loro temperatura critica. Esistono poi altri elementi che possono, invece, diventare superconduttori solo se sottoposti a pressioni elevate.
Heike K. Onnes (1853-1926), fisico olandese vincitore del Premio Nobel per la Fisica nel 1913 per la liquefazione dellelio.
146
19

Superconduttivit` a

Capitolo 4

ELEMENTO Ti Zr Hf Zn Cd Hg Al La

Tc (K) 0.4 0.5 0.1 0.9 0.6 4.2 1.1 6.0

H c (104 A/m) ELEMENTO Tc (K) 0.8 V 5.4 0.4 Nb 9.5 Ta 4.5 0.4 Ga 1.1 0.2 In 3.4 3.3 Tl 2.4 0.8 Sn 3.7 8.8 Pb 7.2

H c (104 A/m) 11.3 15.8 6.6 0.4 2.3 1.4 2.5 6.4

Tabella 4.3: temperatura critica e campo magnetizzante critico (a 0 K) per alcuni elementi superconduttori.

superconduttore

conduttore 0 Tc T

Figura 4.14: andamento della resistivit` a in funzione della temperatura per un materiale superconduttore e per un conduttore normale.

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Capitolo 4

La conduzione elettrica nei metalli

` che gli Quello che avviene in un superconduttore a temperatura T < Tc e elettroni sono liberi di muoversi indefinitamente senza incontrare resistenza ` stato effettivamente verificato in anelli e senza dissipazione di energia. Ci` oe superconduttori in cui sono state osservate correnti circolare per anni senza attenuazione. Altro aspetto importante della superconduttivit` a riguarda le propriet` a magnetiche che vengono a manifestarsi e che sono altrettanto sorprendenti di quelle elettriche. Nella fattispecie un cilindro di materiale non magnetico, in presenza di un campo magnetico esterno, viene attraversato dalle linee di campo come indicato in figura 4.15. Un corpo superconduttore, a temperatura al di sotto di Tc , si comporta invece come un diamagnete perfetto nel senso che espelle dal suo volume le linee del campo magnetico, come rappresentato ` chiamato effetto Meissner e non pu` nella figura 4.16. Questo fenomeno e o, in alcun modo, essere spiegato assumendo che il superconduttore sia in realt` a un conduttore perfetto a resistivit` a pressoch e nulla. Infatti, se si parte da un conduttore normale, in presenza di campo magnetico esterno, e si abbassa la sua temperatura fino a portarlo, idealmente, a essere un conduttore perfetto, non si ha lespulsione totale del campo magnetico, cosa che avviene invece per un superconduttore. Detto in altro modo, la magnetizzazione di un su` la stessa sia raffreddandolo in assenza di campo magnetico perconduttore e `, invece, vero nel caso sia raffreddandolo con un campo applicato. Ci` o non e di un conduttore perfetto. Il campo magnetico non riesce a penetrare allinterno del corpo superconduttore perch e gli elettroni assolutamente liberi di muoversi entro il corpo lo fanno in modo tale da produrre un campo magnetico uguale e opposto. Questo effetto di bilanciamento, e la conseguente espulsione del campo ` in grado di persistemagnetico, si mantiene fintantoch e la corrente elettrica e re, cio` e finch e il corpo resta superconduttore. Infatti, quando il superconduttore torna normale, data la resistivit` a mimima non nulla, la magnetizzazione non risulta pi` u sufficiente ad annullare, bilanciandolo, il campo esterno. Campi magnetici intensi possono distruggere la superconduttivit` a ed esi-

148

Superconduttivit` a

Capitolo 4

T > Tc
Figura 4.15: per un cilindro non magnetico o di materiale superconduttore al di sopra della temperatura critica Tc le linee del campo magnetico attraversano il cilindro.

ste un valore critico H c del campo magnetizzante20 al di sopra del quale il metallo superconduttore cessa di comportarsi come superconduttore e torna alla normalit` a. Il valore di H c dipende dalla temperatura del corpo; allaumentare di H c diminuisce la temperatura critica Tc , come indicato in figura 4.17 dove si evidenzia anche la regione di separazione tra il comportamento normale e quello superconduttore. Superconduttori di questo tipo vengono detti superconduttori di tipo I e tra di essi troviamo i metalli puri. Landa` rappresentato nella figura mento della magnetizzazione in funzione di H c e 4.18-sinistra. Esiste unaltra categoria di superconduttori (di tipo II), tra cui troviamo generalmente i materiali composti, per i quali la magnetizzazione si comporta come mostrato in figura 4.18-destra. Esistono due valori critici H c1 e H c2 tali che per H < H c1 si ha una magnetizzazione lineare con conseguente effetto Meissner, mentre per H c1 < H < H c2 si ha una magnetizzazione non lineare, ancora di tipo diamagnetico (vedi capitolo 6), che porta a un effetto Meissner parziale. In questo caso il campo penetra parzialmente en20

Per una definizione della magnetizzazione e del campo magnetizzante si veda il capitolo

6.

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Capitolo 4

La conduzione elettrica nei metalli

T < Tc
Figura 4.16: rappresentazione delleffetto Meissner per un cilindro di materiale superconduttore al di sotto della temperatura critica Tc . In questo caso le linee del campo magnetico sono espulse dal cilindro.

tro il corpo sotto forma di tubi di flusso che si dispongono in modo ordinato a sparisce. allinterno del corpo. Infine, per H > H c2 la superconduttivit` Lo stato di superconduttivit` a pu` o essere distrutto dal campo magnetizzante prodotto dalla corrente stessa se H > H c . In questo caso sono favoriti i superconduttori di tipo II perch e la soppressione della superconduttivit` a avo essere anche viene gradualmente fino a quando non si raggiunge H c2 che pu` molto pi` u grande di H c1 . Nel modello a gas di elettroni ci si basa sullassunzione, giustificata a posteriori dallesperimento, che gli elettroni di conduzione si comportino in modo indipendente luno dallaltro. Questa assunzione viene meno nel caso della superconduttivit` a perch e diventa essenziale il comportamento collettivo degli elettroni.

150

Superconduttivit` a

Capitolo 4

4.10.1

La teoria BCS per la superconduttivit` a

Bardeen, Cooper e Schrieffer21 elaborarono nel 1957 una teoria, detta comunemente teoria BCS, per spiegare il fenomeno della superconduttivit` a. In questa teoria, che qui semplifichiamo, gli elettroni sono legati in coppie (dette coppie di Cooper). Tali coppie risultano energeticamente favorite rispetto ` minore. Lenergia ai due elettroni separati in quanto la loro energia totale e della coppia risulta, infatti, minore a causa dello scambio di fononi22 tra di loro. In condizioni normali gli elettroni di queste coppie hanno uguale velocit` a, ma verso opposto, corrispondendo a una corrente nulla. Quando con lapplicazione di un campo elettrico esterno si genera una corrente, la coppia di elettroni acquista un incremento di velocit` a e il centro di massa della cop` che tutte le coppie di Cooper che pia si mette in moto. La cosa peculiare e si formano acquistano lo stesso incremento della quantit` a di moto a causa di un fenomeno cooperativo tra le coppie. Quando viene applicato un campo elettrico esterno tutte le coppie di Cooper derivano come cariche elettriche usuali, ma poich e tutte devono avere la stessa quantit` a di moto esse si muovono tutte assieme e nessuna di esse pu` o essere implicata in un urto casuale con ` lassenza di tali urti a rendere il corpo imperfezioni del reticolo cristallino. E superconduttore e per questo motivo si pu` o guardare alla superconduttivit` a come a uno stato ordinato degli elettroni di conduzione. La transizione allo stato di superconduttivit` a avviene bruscamente perch e quando la temperatura scende al di sotto di Tc la formazione di alcune coppie di Cooper provoca la produzione, moltiplicativa, di altre coppie. Esistono delle condizioni che devono essere soddisfatte affinch e si possa formare un grande numero di coppie di Cooper e si possa avere, quindi, su` importante, ad esempio, che la temperatura sia molto basperconduttivit` a. E sa in modo tale che sia debole linterazione con il reticolo cristallino vibrante ` essenziale che gli elettroni abbiano spin antiparalper agitazione termica. E lelo perch e in questo caso tendono a essere pi` u vicini che nel caso di spin
John Bardeen (1908-1991), Leon N. Cooper (1930-) e J. Robert Schrieffer (1931-), ricevettero nel 1972 il premio Nobel per la Fisica per la loro teoria sulla superconduttivit` a. 22 I fononi sono quanti di vibrazione del reticolo cristallino.
21

151

Capitolo 4

La conduzione elettrica nei metalli

H c (104 amp/m)

6 4 2 0 0 2 4 6 8

Normale Superconduttore

Tc (K)
Figura 4.17: dipendenza del campo magnetizzante critico H c dalla temperatura critica Tc . Questa figura si riferisce al piombo.

parallelo. Inoltre, in assenza di campo elettrico esterno, gli elettroni di una coppia devono avere quantit` a di moto uguale in modulo, ma opposta in direzione. In questo modo la quantit` a di moto totale della coppia sarebbe nulla e la meccanica quantistica prevederebbe unelevata probabilit` a di formare un grande numero di coppie di Cooper. La scoperta della superconduttivit` a ha suscitato un notevole interesse e grandi sforzi sono stati dedicati alla ricerca di nuovi materiali superconduttori e alla determinazione della loro temperatura critica. ` scoperta una nuova classe di materiali superconNel corso degli anni si e duttori che hanno valori di temperatura critica relativamente elevati, fino a circa 100 K. Si tratta in generale di ossidi ceramici per i quali il meccanismo ` stato ancora chiarito in modo di insorgenza della superconduttivit` a non e ` il materiale chiamato YBesauriente. Un esempio di tale superconduttore e CO che ha formula chimica YBa2 Cu3O7 e una temperatura critica Tc = 90 K. Gli sviluppi pi` u recenti, con materiali ossigenati a base di tallio, mercurio, rame, bario e calcio, indicano che si possono ottenere superconduttori con temperatura critica ancora pi` u alta (Tc 140 K).

152

Applicazioni

Capitolo 4

M Tipo I

M Tipo II

Hc

Hc1

Hc2 H

Figura 4.18: comportamento della magnetizzazione in funzione del campo magnetizzante. Superconduttori di tipo I (a sinistra) e di tipo II (a destra).

La scoperta di materiali superconduttori a temperatura ambiente avrebbe importanti conseguenze tecnologiche consentendo, ad esempio, la trasmissione di energia elettrica senza dissipazione e la costruzione di dispositivi e motori elettrici con consumo energetico ridotto.

4.11 Applicazioni
Le propriet` a di conduzione dei metalli hanno innumerevoli applicazioni scientifiche e tecnologiche, tra cui, ad esempio, la termocoppia. Discutiamo, inoltre, due applicazioni di estremo interesse che, pi` u propriamente, hanno a che fare con la superconduttivit` a: i magneti superconduttori e gli SQUID.

4.11.1

Termocoppia

` un dispositivo che pu` La termocoppia e o essere usato sia come sensore di temperatura sia come generatore di forza elettromotrice. In entrambi i casi il dispositivo si basa sulleffetto termoelettrico scoperto nel 1821 da Seebeck23 ,
23

Thomas J. Seebeck (1770-1831), fisico estone-tedesco.


153

Capitolo 4

La conduzione elettrica nei metalli

riguardante la produzione di una forza elettromotrice a partire da differenze di temperatura. Questo fenomeno, detto anche effetto Seebeck, si manifesta quando i due estremi di un conduttore sono posti a temperatura diversa. Per poter sfruttare questo effetto conviene considerare un secondo conduttore, congiunto con il primo ai due estremi, che genera una forza elettromotrice diversa (vedi figura 4.19). La differenza di tensione tra i due conduttori pu` o essere, in questo modo, misurata e dipende dalla differenza di temperatura tra i due estremi. In un metallo gli elettroni sono allo stesso tempo portatori di carica elettrica e portatori di calore. Quando esiste una differenza di temperatura tra due punti di un conduttore gli elettroni pi` u caldi, presenti con concentrazione maggiore a un estremo, si diffonderanno allaltro estremo. Gli elettroni pi` u freddi si diffonderanno, invece, seguendo il percorso inverso. Siccome la velocit` a di diffusione dei due tipi di elettroni dipende dalla loro energia24 , si viene a creare una differente concentrazione di elettroni ai due capi del conduttore. Tale differenza di densit` a su un conduttore neutro equivale a una distribuzione di cariche negative e positive separate e, quindi, alla produzione di una differenza di potenziale ai capi del conduttore. Daltro canto, quando si portano a contatto due metalli diversi aventi diverso lavoro di estrazione, gli elettroni migrano dal metallo avente energia di Fermi maggiore a quello con energia di Fermi minore, cio` e verso il metallo con lavoro di estrazione maggiore. Il processo di migrazione termina quando lenergia di Fermi assume lo stesso valore nei due metalli e uno dei due metalli assume una carica negativa rispetto allaltro. Se si considera in aggiunta leffetto del riscaldamento di uno dei due estremi si ha che un numero maggiore di elettroni migra attraverso la giunzione, producendo un maggiore accumulo di carica negativa, con conseguente produzione di una differenza di potenziale. Le differenze di potenziale che si vengono a produrre in una termocoppia sono piccole e ammontano allincirca a qualche decina o al pi` u centinaio di microvolt per ogni grado kelvin. La forza elettromotrice corrispondente vale
24

Perch e dipende dallenergia linterazione con il reticolo cristallino.

154

Applicazioni

Capitolo 4

+ T0

metallo 1

+ T1

V metallo 2 metallo 2

Figura 4.19: schema di una termocoppia formata da due metalli diversi congiunti ai due estremi.

approssimativamente: V =
T T0

[S1 (T ) S2 (T )]dT (S1 S2 )(T T0 )

(4.27)

dove S1 e S2 sono i valori per i due metalli diversi del coefficiente di Seebeck S (detto anche potenza termoelettrica), coefficiente che dipende dal materiale25 , ma anche dalla temperatura stessa. Misurando la differenza di potenziale prodotta ai capi della termocoppia, e conoscendo il valore di S per i due metalli, si ottiene una misura della temperatura T dellestremo sonda della termocoppia rispetto alla temperatura di riferimento T0 : V (4.28) T = T0 + S1 S2 Leffetto Seebeck pu` o essere amplificato disponendo pi` u termocoppie in serie. In questo modo si pu` o ottenere un generatore di forza elettromotrice sufficientemente grande, chiamato termopila. Leffetto Seebeck pu` o essere rovesciato e in questo caso si parla di effetto Peltier, dal nome del suo scopritore26 , in cui una corrente elettrica che fluisce attraverso il sistema di due conduttori produce una differenza di temperatura. La differenza di temperatura pu` o essere invertita27 cambiando il verso
Nel caso di materiali semiconduttori il coefficiente di Seebeck S viene a valere anche qualche millivolt per grado. 26 Jean Charles A. Peltier (1785-1845), fisico francese. 27 Si noti che sia leffetto Peltier che quello Seebeck sono reversibili, a differenza delleffetto ` invece irreversibile e comporta una dissipazione dellenergia. Joule che e
155
25

Capitolo 4

La conduzione elettrica nei metalli

della corrente, quindi, leffetto Peltier pu` o essere usato in dispositivi che agiscono come pompa di calore tra due punti, riscaldando o raffreddando un estremo del dispositivo rispetto allaltro.

4.11.2

Magneti superconduttori

I magneti superconduttori sono degli elettromagneti che sfruttano la superconduttivit` a per raggiungere correnti estremamente elevate e ottenere campi magnetici molto intensi, dellordine di qualche decina di tesla, non raggiungibili con normali elettromagneti. La maggior parte dei magneti superconduttori contiene bobine formate da fili composti da una lega di niobio e titanio (superconduttore di tipo II), ` in grado di restare superconduttrice che ha temperatura critica di 10 K e che e fino a 15 tesla. Per renderli superconduttori, questi fili vengono raffreddati alla temperatura dellelio liquido (4.2 K), con i problemi che ci` o comporta. Rispetto ai magneti convenzionali i magneti superconduttori hanno generalmente il vantaggio di essere pi` u stabili, di essere pi` u piccoli e di consumare meno energia una volta portati al regime di superconduzione. Quando per` o una porzione della bobina superconduttrice torna a essere ` soggetta a un rapido riscaldamento per effetto Joule, con conduttrice essa e conseguente riscaldamento delle regioni vicine. Leffetto finale (detto quench) comporta, in tempi molto brevi, il ritorno del magnete superconduttore allo stato normale, con conseguente riscaldamento del liquido criogenico. Per ` necessario tenere conto di questa evitare il danneggiamento dellapparato e eventualit` a dal punto di vista sia termico sia meccanico. ` rappreUno degli esempi pi` u imponenti di magnete superconduttore e sentato dal magnete del rivelatore CMS installato presso lacceleratore LHC del CERN28 . In questo magnete viene prodotto un campo di 4 tesla uniforme su un volume cilindrico avente un raggio di 6 metri e una lunghezza di 12.5 metri.
` lOrganizzazione Europea per la Ricerca Nucleare situata a Ginevra. LHC, Il CERN e ` lacceleratore di protoni in grado di raggiungere lenergia pi` da poco completato, e u elevata ` uno dei quattro grandi rivelatori installati presso LHC. al mondo (5 TeV). CMS e
156
28

Applicazioni

Capitolo 4

4.11.3

Effetto Josephson e SQUID

Quando si collegano tra di loro due fili di rame attorcigliandoli si osserva un passaggio di corrente anche se la superficie esterna dei fili, essendo costituita da rame ossidato, dovrebbe comportarsi da isolante e impedire il flusso di elettroni. La conduzione avviene comunque grazie a un effetto quantomeccanico: il sottile strato di materiale isolante agisce come una barriera di potenziale che pu` o per` o essere attraversata dagli elettroni per effetto tunnel, come discusso nel capitolo 3. Un fenomeno simile si osserva attraverso due superconduttori separati da uno strato sottile di materiale isolante. Anche in questo caso leffetto tunnel si manifesta come una corrente elettrica che fluisce attraverso la giunzione e questo fenomeno si chiama effetto Josephson29 . Una corrente continua fluisce senza differenza di potenziale ai capi del sistema (effetto Josephson in corrente continua). Se, invece, si applica una tensione fissa ai capi della giunzione si produce una corrente oscillante (effetto Josephson in corrente alternata). Uninteressante applicazione delleffetto Josephson (in corrente alternata) ` un magnetometro estremamensi ha nel dispositivo chiamato SQUID30 che e te sensibile. Gli SQUID sono basati su un sistema di due giunzioni Josephson in parallelo, come rappresentato in figura 4.20, che vengono attraversate da un campo magnetico. Se si mantiene una corrente costante in ingresso allo SQUID si osserva ai capi delle due giunzioni una differenza di potenziale oscillante la cui frequenza dipende dal flusso magnetico che attraversa lo SQUID. Queste oscillazioni sono dovute allinterferenza tra le correnti nei due rami del sistema e contando le oscillazioni si pu` o fare una misura di flusso magnetico (e, quindi, di campo magnetico) con una sensibilit` a molto grande. Si riescono in questo modo a misurare campi magnetici minuscoli, a irraggiungibile da altri strumenti. dellordine di 1015 T, con una sensibilit` Questa estrema sensibilit` a degli SQUID li rende in grado, tra le altre cose,
Previsto nel 1962 dal fisico britannico Brian D. Josephson (1940-). Per questa sua idea Josephson vinse nel 1973 il Premio Nobel per la Fisica. 30 Dallinglese Superconducting QUantum Interference Device.
29

157

Capitolo 4

La conduzione elettrica nei metalli

i iA B i iB superconduttore isolante superconduttore

Figura 4.20: schema di uno SQUID formato da due giunzioni Josephson attraversate da un flusso di campo magnetico.

di fare misure di encefalografia magnetica misurando lattivit` a magnetica del 14 cervello (che ha ampiezza dellordine di 10 T).

4.12 Quesiti di riepilogo


1. Lenergia di Fermi dipende dal volume del metallo in questione? 2. Lenergia di Fermi di un metallo dipende dalla sua temperatura? ` pi` 3. In un metallo a temperatura ambiente, e u grande la velocit` a di Fermi o quella di agitazione termica? ` minore di quella del rame anche se 4. Come mai la conducibilit` a del ferro e ` maggiore nel ferro rispetto al rame? la densit` a di elettroni di conduzione e 5. Un superconduttore pu` o essere considerato come un conduttore perfetto? Spiegare perch e. 6. Un superconduttore di tipo II soggetto a un campo magnetizzante H com-

158

Esercizi

Capitolo 4

` perfettamente diamagnetico o parzialmente diamagnepreso tra H c1 e H c2 e tico?

4.13 Esercizi
1. Conoscendo la massa molare del ferro (55.8 g/mole) e la sua densit` a (7.9 g/cm3), ricavare il numero di atomi per unit` a di volume. 2. Conoscendo lenergia di Fermi del ferro, si ricavi il numero di elettroni liberi per unit` a di volume. Si confronti con il risultato ottenuto nellesercizio precedente. 3. Un conduttore di ferro a temperatura ambiente (20 C) ha una resistenza di 1 k. Collegato a un generatore di forza elettromotrice viene percorso da corrente elettrica e, a causa delleffetto Joule, la temperatura del conduttore diventa di 250 C. Quanto varrebbe la resistenza a tale temperatura? 4. Nota la resistivit` a del ferro ( = 9.7 108 m a temperatura ambiente) ricavare il valore del tempo medio tra urti successivi. 5. Quanto vale lenergia media degli elettroni del ferro allo zero assoluto? 6. Conoscendo la massa molare delloro (197 g/mole) e la sua densit` a (19.3 g/cm3), si ricavi lenergia di Fermi sapendo che latomo di oro contribuisce alla conduzione con 1 elettrone.

159

Capitolo 5 I semiconduttori
I semiconduttori sono dei solidi covalenti in cui, alla temperatura dello ze` completamente occupata mentre la banro assoluto, la banda di valenza e ` completamente vuota, come mostrato in figura 4.10. A da di conduzione e ` sufficiendifferenza degli isolanti, per` o, lintervallo proibito di energia E e temente piccolo da consentire ad alcuni elettroni di passare dalla banda di valenza a quella di conduzione. Come vedremo pi` u avanti, la probabilit` a di passaggio dipende dalla temperatura e, quindi, questi materiali possono essere considerati alla temperatura dello zero assoluto come materiali isolanti, diventando semiconduttori con conducibilit` a crescente allaumentare della temperatura. I principali materiali semiconduttori sono elementi quadrivalenti come il silicio e il germanio, ma sono possibili anche composti di elementi trivalenti e pentavalenti quali larseniuro di gallio (GaAs) che hanno in media quattro elettroni di valenza per atomo. La relativa piccolezza1 dellintervallo proibito tra la banda di valenza e quella di conduzione (1.14 eV per il silicio e 0.67 per il germanio) comporta per i semiconduttori delle modifiche nelle propriet` a di conduzione che si manifestano in modo rilevante allaumentare della temperatura. Ci sono altre condizioni che influenzano la conducibilit` a. Ad esempio, la resistivit` a a temperatura ambiente per un semiconduttore puro vale tipicamente tra 102 e 109 m, ma essa viene influenzata fortemente da fattori quali la presenza di impurit` a nel reticolo cristallino.
In generale un materiale con E minore di circa 3 eV viene considerato un semiconduttore, mentre se E > 3 eV viene considerato un isolante.
1

Capitolo 5

I semiconduttori

5.1 I semiconduttori intrinsechi


` Nel caso di silicio e germanio, essendo quadrivalenti, la banda di valenza e completamente riempita grazie ai legami covalenti, mentre quella di condu` completamente vuota. zione e ` dellorA temperatura ambiente lenergia associata allagitazione termica e dine di kT 0.026 eV e tale valore per quanto piccolo risulta sufficiente per fornire a qualche elettrone lenergia necessaria a vincere lintervallo proibito e passare alla banda di conduzione. Ne segue che lelettrone viene sottratto al legame covalente diventando un elettrone libero di muoversi. Per capire come ci` o sia possibile bisogna ricorrere a una trattazione statistica, considerando la funzione di Fermi-Dirac per la probabilit` a, e calcolare la probabilit` a che il livello inferiore della banda di conduzione venga occupato. Come discusso nellesempio 1, trattato pi` u avanti, tale probabilit` a non ` trascurabile e si produce allora una promozione alla banda di conduzioe ne per un discreto numero di elettroni. La probabilit` a cresce rapidamente con la temperatura e si ottiene di conseguenza un notevole aumento della conducibilit` a, come descritto nellesempio 2. Questa conducibilit` a e la conduzione elettrica corrispondente vengono chiamate intrinseche e dipendono dalleccitazione termica del materiale. Sia nel caso del silicio sia in quello del germanio ci sono quattro elettroni di valenza che partecipano a dei legami covalenti. Per ciascuna eccitazione di un elettrone dalla banda di valenza a quella di conduzione, resta una lacuna nella banda di valenza. Questa lacuna agisce come un portatore libero di carica positiva e contribuisce anchessa alla conducibilit` a intrinseca del semiconduttore. ` In un semiconduttore puro (intrinseco) il numero di elettroni liberi e uguale al numero di lacune nella banda di valenza. Lagitazione termica continua a produrre nuove coppie elettrone-lacuna che spariscono successivamente a causa di un fenomeno di ricombinazione in cui un elettrone viene riassorbito nella banda di valenza annullando una lacuna e portando al riassorbimento della coppia.

162

I semiconduttori intrinsechi

Capitolo 5

Se chiamiamo n la concentrazione di elettroni liberi e p quella delle lacune, per un semiconduttore puro vale n = p = ni (5.1)

dove n i viene chiamata concentrazione intrinseca. Il valore della concen` inferiore di trazione intrinseca in semiconduttori puri (n i 106 1013 cm3 ) e parecchi ordini di grandezza rispetto alla concentrazione di elettroni di conduzione in un metallo (n 1022 cm3 ), comportando una grossa differenza di conducibilit` a. Notiamo che in un semiconduttore intrinseco il numero di stati liberi ` uguale al numero di stati occupati nella banda di nella banda di valenza e conduzione e se le due densit` a di stati sono simmetriche allora lenergia di Fermi si trova a met` a dellintervallo proibito. Il materiale semiconduttore, che alla temperatura dello zero assoluto si comporta come un isolante, aumenta la sua conducibilit` a grazie alleccitazione termica dei suoi elettroni di valenza, ma qualsiasi altro tipo di eccitazione, purch e dotata di energia sufficiente, pu` o contribuire alla conducibilit` a. Un esempio di ci` o si trova nella fotoconduttivit` a dove lenergia di eccitazione viene fornita da radiazione elettromagnetica, con frequenza e intensit` a opportune, che incide sul cristallo semiconduttore. Ricordando che un fotone ultravioletto ha energia di qualche elettronvolt, sufficiente a espellere gli elettroni da un metallo, osserviamo che anche radiazione a lunghezza donda maggiore, nel visibile o nellinfrarosso dove i fotoni hanno energie di qualche decimo di elettron-volt, pu` o portare alla promozione di un numero considerevole di elettroni dalla banda di valenza a quella di conduzione. Tale numero aumenta con laumentare dellintensit` a della radiazione producendo una corrente elettrica crescente.

5.1.1

Propriet` a elettriche di un semiconduttore

Nel caso di un semiconduttore la corrente elettrica dipende dal moto sia degli elettroni sia delle lacune. Nel modello di conduzione classico avevamo scritto
163

Capitolo 5

I semiconduttori

ELEMENTO Si Numero atomico 14 Massa atomica 28.1 3 Densit` a (g/cm ) 2.33 3 Atomi/cm 5.0 1022 E0 (eV) a 0 K 1.21 E (eV) a 300 K 1.14 3 n i (in cm ) 1.5 1010 Resistivit` a intr. ( cm) 2.3 105 n (in cm2 /V s) 1300 2 p (in cm /V s) 500

Ge 32 72.6 5.32 4.4 1022 0.79 0.67 2.5 1013 45 3800 1800

Tabella 5.1: parametri fondamentali per silicio e germanio a temperatura ambiente (300 K). In questa tabella deroghiamo dalla scelta usuale di unit` a di misura del SI.

la conducibilit` a (vedi la (4.8)) come: = ne che, nel caso di un semiconduttore, diventa: = (n n + p p )e (5.3) (5.2)

o assumere vadove la mobilit` a degli elettroni ( n ) e delle lacune ( p ) pu` ` la mobilit` lori differenti. E a allora, assieme alla concentrazione, a determinare la conducibilit` a/resistivit` a di un cristallo, come mostrato nellesempio 3. In tabella 5.1 riportiamo i valori di alcuni parametri fondamentali per il silicio e il germanio; si noti la grande differenza in resistivit` a (un fattore 5 mila) dovuta alla piccola differenza nel valore dellintervallo proibito. Il valore della concentrazione intrinseca n i aumenta con la temperatura perch e aumenta il numero delle coppie elettrone-lacuna che si formano di continuo a causa dellagitazione termica. In un intervallo di temperatura di
164

I semiconduttori intrinsechi

Capitolo 5

100 C attorno alla temperatura ambiente, cio` e per temperature comprese tra circa 200 e 400 K, la concentrazione varia approssimamente secondo:
3 E0 /kT n2 i T e

(5.4)

` il valore dellintervallo proibito allo zero assoluto. Questa fordove E0 e ` ricavabile integranmula (compreso il fattore moltiplicativo non indicato) e do lespressione per gli stati elettronici occupati (vedi capitolo 4) per energie superiori al livello pi` u basso della banda di conduzione. Nel caso del silicio a temperatura ambiente si calcola che ci siano circa 1010 elettroni per cm3 nella e il silicio banda di conduzione, cio` e circa uno ogni 1013 atomi. Ecco perch ` scarsamente conduttore. puro e Il valore dellintervallo proibito E decresce, invece, leggermente allaumentare della temperatura, diminuendo di circa 3/100 di eV ogni 100 K di aumento. Anche la mobilit` a delle cariche diminuisce allaumentare della temperatura sia per quanto riguarda gli elettroni sia per le lacune. Essa viene influenzata anche dal campo elettrico, per valori di campo intensi, maggiori di circa 103 V/cm. ` di aumentare la conducibilit` Leffetto combinato e a di circa il 6 8% per il silicio e il germanio per ogni grado di aumento della temperatura. Questa dipendenza non trascurabile della conducibilit` a dalla temperatura potrebbe comportare dei problemi sulla stabilit` a delle propriet` a di un dispositivo semiconduttore. Daltro canto questa dipendenza pu` o essere sfruttata nei termistori per effettuare misure di temperatura estremamente accurate. ` d /dT < 0 mentre per i metalli Si noti che nel caso dei semiconduttori e ` e d /dT > 0.

5.1.2

Esempi

1. Calcolare per il silicio e per il germanio la probabilit` a che, a temperatura ambiente, venga occupato il livello inferiore della banda di conduzione. ` data dalla funzione di Fermi-Dirac: La probabilit` a di occupazione e 1 p(E) = (EE )/kT F e +1
165

Capitolo 5

I semiconduttori

che dipende dalla differenza E EF . Assumiamo che lenergia di Fermi si trovi allincirca a met` a tra la banda di conduzione e quella di valenza, separate dallintervallo proibito E , per cui: E EF E 2

` 0.57 eV per il silicio (0.33 eV per il germanio) Il valore di tale differenza e e risulta, quindi, essere molto pi` u grande del valore di kT 0.026 eV. Per (EE )/ kT domina il denominatore e la probabilit` F a questo motivo la quantit` ae pu` o essere approssimata da: p(E) e (EEF )/kT = e E/2kT Per il silicio si ottiene: p(E) = e 1.14/(20.026) = 3 1010 mentre per il germanio: p(E) = e 0.67/(20.026) = 2.5 106 e queste sono le probabilit` a di avere un elettrone che salti alla banda di conduzione. 2. Calcolare, nel caso del silicio, laumento del numero di elettroni eccitati alla banda di conduzione, a seguito del riscaldamento del cristallo da T = 300 K a T = 400 K. ` dovuto allaumento Laumento del numero di elettroni di conduzione e della probabilit` a di occupare un livello energetico nella banda di conduzione. Usando lapprossimazione ottenuta nellesempio precedente calcoliamo il rapporto tra le due probabilit` a p(T ) e p(T ): p(T ) e E/2kT = E/2kT p( T ) e che diventa:

p( T ) E 1 1 = e 2 ( kT kT ) p( T )
166

Semiconduttori drogati

Capitolo 5

pari a: e
1.14 1 1 ( 0.026 0.035 ) 2

= 280

` Poich e il numero di elettroni che passano alla banda di conduzione e proporzionale a questa probabilit` a, il numero degli elettroni di conduzione aumenta di circa 300 volte. 3. Ricavare la resistivit` a di un cristallo puro di silicio alla temperatura di 300 K e confrontarla con il valore sperimentale = 2.3 105 cm. Ricaviamo la resistivit` a a partire dalla mobilit` a e la concentrazione intrinseca n i , prese dalla tabella 5.1: 1 1 = = (n i e n + n i e p ) che vale: 1 = 2.5 105 cm = 10 1.5 10 1.6 1019 (1300 + 500) valore molto vicino a quanto misurato sperimentalmente.

5.2 Semiconduttori drogati


Oltre alla conducibilit` a intrinseca e alla fotoconduttivit` a c` e un altro meccanismo, molto pi` u rilevante, per aumentare la conducibilit` a di un semicon` quello dellinserimento nel reticolo cristallino di silicio o gerduttore ed e manio di impurit` a, cio` e di atomi di altro tipo, scelti opportunamente. Tale ` chiamato drogaggio e i semiconduttori cos` meccanismo e ottenuti vengono detti semiconduttori drogati. Per differenziarsi da quanto succede per la conducibilit` a intrinseca si parla, in questo caso, di semiconduttori estrinsechi. Facendo riferimento alla figura 5.1, che rappresenta in due dimensioni la struttura reticolare di un cristallo di silicio, osserviamo che ciascun atomo di silicio mette a disposizione i suoi quattro elettroni di valenza per formare altrettanti legami covalenti con i quattro atomi vicini, completando loccupazione dellorbitale pi` u esterno. Se ora (vedi figura 5.2) immaginiamo di sostituire un atomo di silicio con un atomo di un elemento pentavalente, quale, ad
167

Capitolo 5

I semiconduttori

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Figura 5.1: rappresentazione schematica bidimensionale della disposizione degli atomi di silicio entro un cristallo. I pallini rappresentano gli elettroni di valenza mentre le fasce rappresentano i legami covalenti.

esempio, il fosforo si nota che uno dei cinque elettroni di valenza del fosforo non viene usato nei quattro legami covalenti con gli atomi vicini. Lenergia ` molto piccola ( 0.05 eV) e a temperadi legame dellelettrone in eccesso e ` praticamente dissociato dallatomo ture vicine a quelle ambiente lelettrone e e libero di derivare entro il cristallo. Questo elettrone va a occupare uno dei livelli energetici discreti immediatamente al di sotto della banda di conduzione (vedi figura 5.3) e che distano da essa di una quantit` a Ed dellordine ` del centesimo di eV. Poich e Ed e molto piccolo, anche a bassa temperatura gli elettroni vengono con molta facilit` a eccitati termicamente fino alla banda di conduzione. In questo caso si dice che latomo pentavalente si comporta come un atomo donatore e che lelettrone in eccesso si trova su un livello di donazione. Il semiconduttore drogato con elementi donatori si dice di tipo n in quanto c` e un eccesso di portatori di carica negativi. La conducibilit` a elettrica del cristallo semiconduttore drogato dipende dal numero di elettroni disponibili a passare alla banda di conduzione e dipende, quindi, dalla concentrazione relativa dellelemento donatore. Non c` e

168

Semiconduttori drogati

Capitolo 5

Si

Si

Si

elettrone
Si P Si

Si

Si

Si

Figura 5.2: rappresentazione schematica bidimensionale della disposizione degli atomi di silicio entro un cristallo drogato con laggiunta di fosforo. I pallini rappresentano gli elettroni di valenza mentre le fasce rappresentano i legami covalenti. Si noti un elettrone in eccesso vicino allatomo di fosforo posto al centro del disegno.

bisogno per` o di concentrazioni elevate per ottenere un effetto consistente sulla conducibilit` a: come ricavato nellesempio 4, con un drogaggio di una parte su dieci milioni si ottiene gi` a un aumento notevole della conducibilit` a, rispetto a quella del semiconduttore intrinseco. Nei semiconduttori di tipo n gli elettroni nella banda di conduzione vengono chiamati portatori maggioritari, mentre le lacune nella banda di valenza partecipano anchesse alla conduzione elettrica ma, essendo poche, vengono dette portatori minoritari. Se, invece, si introducono delle impurit` a trivalenti, cio` e se si sostituisce un atomo di silicio con uno, ad esempio, di boro, la situazione che si presenta ` quella descritta nella figura 5.4. Questa volta latomo trivalente, detto ace cettore, partecipa solamente a tre legami covalenti e manca un elettrone per poter formare il quarto legame. Questa mancanza di un elettrone corrisponde a una lacuna che si muove con una certa libert` a allinterno del cristallo comportandosi, a tutti gli effetti, come una carica positiva libera di muoversi. La presenza dellimpurit` a trivalente comporta la comparsa di livelli ener169

Capitolo 5

I semiconduttori

Banda di conduzione Ed Livello di donazione

Banda di valenza

Figura 5.3: livelli di donazione in un semiconduttore di tipo n. La loro distanza dalla banda ` molto minore dellintervallo proibito E . I pallini nella banda di condudi conduzione Ed e zione rappresentano gli elettroni in eccesso eccitati termicamente alla banda di conduzione; i puntini bianchi nella banda di valenza rappresentano, invece, delle lacune minoritarie.

getici (detti livelli di accettazione, vedi figura 5.5) leggermente al di sopra della banda di valenza (Ea 0.01 eV). Questi livelli possono essere facilmente raggiunti da elettroni eccitati dalla banda di valenza lasciando lacune nella banda di valenza che si comportano come portatori maggioritari. Un elettrone che si muove per riempire una lacuna lascia una lacuna nella sua posizione originaria che verr` a a sua volta riempita da un altro elettrone e cos` via. La lacuna si muove effettivamente in direzione opposta a quella degli elettroni e si origina un meccanismo di conduzione che non riguarda elettroni liberi. In questo caso il semiconduttore si dice di tipo p perch e sono positive le cariche maggioritarie. Gli elettroni che si trovano nella banda di conduzione si comportano come cariche minoritarie, essendo relativamente poche. Va notato che i livelli di donazione o accettazione, posti entro la banda proibita, non significano che ci siano effettivamente elettroni o lacune mobili entro la banda proibita. I livelli servono, invece, come rappresentazione per la presenza nel cristallo di elettroni/lacune in eccesso che passano agevolmente alla banda di conduzione/valenza. Se a un semiconduttore drogato si aggiungono impurit` a di tipo n dimi170

Semiconduttori drogati

Capitolo 5

Si

Si

Si

lacuna
Si B Si

Si

Si

Si

Figura 5.4: rappresentazione schematica bidimensionale della disposizione degli atomi di silicio entro un cristallo drogato con laggiunta di boro. I pallini rappresentano gli elettroni di valenza, mentre le fasce rappresentano i legami covalenti. Si noti un elettrone in meno (cio` e una lacuna) vicino allatomo di boro posto al centro del disegno.

nuisce il numero di lacune nel semiconduttore. Similmente se si aggiungono impurit` a di tipo p diminuiscono gli elettroni liberi. Questo comportamento viene riassunto nella legge dellazione di massa secondo la quale, allequilibrio termico, il prodotto delle concentrazioni di elettroni liberi e lacune rimane costante al variare della concentrazione di donatori o accettori. La formula `: corrispondente e np = n2 (5.5) i dove per` o la concentrazione intrinseca dipende dalla temperatura. Ecco che il drogaggio di un semiconduttore serve non solo ad aumentare la conducibilit` a, ma anche a produrre un conduttore in cui i portatori di carica hanno un segno dominante. Supponiamo che in un semiconduttore drogato ci sia una concentrazione Nd di atomi donatori che sono praticamente tutti ionizzati. Il numero di ` la concentrazione cariche positive per metro cubo sar` a allora Nd + p. Se N a e di atomi accettori, ciascuno dei quali contribuisce una carica negativa, il nu` N a + n. Siccome il semiconduttore mero di cariche negative per metro cubo e
171

Capitolo 5

I semiconduttori

Banda di conduzione

Ea

Livello di accettazione Banda di valenza

Figura 5.5: livelli di accettazione in un semiconduttore di tipo n. La loro distanza dalla banda ` molto minore dellintervallo proibito E . I puntini bianchi nella banda di vadi valenza E a e lenza rappresentano delle lacune, mentre i pallini nella banda di conduzione rappresentano gli elettroni minoritari.

` comunque elettricamente neutro, deve valere: e Nd + p = N a + n (5.6)

` puramente di tipo n allora N a = 0 e n p, e la (5.6) Se il materiale e diventa (5.7) n Nd Quindi, in un semiconduttore di tipo n la concentrazione di elettroni li` pressoch beri e e uguale alla concentrazione degli atomi donatori. La concentrazione delle lacune risulta essere invece: n2 (5.8) p i Nd Nel caso di un semiconduttore di tipo p i ruoli sono invertiti: la concentrazione di portatori positivi vale p N a , e per i portatori negativi n n2 i /Na . Osserviamo che partendo da un semiconduttore drogato, ad esempio di tipo n, se aggiungiamo degli atomi accettori con concentrazione N a = Nd riportiamo il semiconduttore alla condizione di semiconduttore intrinseco.
172

Semiconduttori drogati

Capitolo 5

Contrariamente a quanto succede con i semiconduttori intrinsechi, in un semiconduttore di tipo n lenergia di Fermi si trova al di sopra della met` a dellintervallo proibito perch e ci sono pi` u elettroni nella banda di conduzione che lacune nella banda di valenza. In un semiconduttore di tipo p succede lopposto, cio` e che lenergia di Fermi si trova al di sotto della met` a dellintervallo proibito. In entrambi i casi lenergia di Fermi si discosta dal centro ` la concentrazione delle dellintervallo proibito tanto pi` u quanto maggiore e ` la temperatura. impurit` a e quanto minore e A temperature molto basse, tali che kT E , la conduzione in un semi` dovuta essenzialmente alle impurit` ` molto difficile che conduttore e a perch ee gli elettroni di valenza possano essere eccitati termicamente. A temperature pi` u alte tutti gli elettroni/lacune dovuti alle impurit` a hanno contribuito alla conducibilit` a, quindi, laumento di questa dipende solo dalla conducibilit` a intrinseca. C` e una distinzione che va fatta tra semiconduttori a intervallo proibi` importante soprattutto nei dispositivi to diretto o indiretto, distinzione che e ottici. In generale il valore pi` u alto della banda di valenza e il valore pi` u basso della banda di conduzione non si verificano in corrispondenza dello stesso valore per il numero donda k . Si chiamano diretti i semiconduttori in cui ci` o avviene e indiretti tutti gli altri. Il silicio e il germanio sono esem` un esempio di pi di semiconduttore indiretto mentre larseniuro di gallio e semiconduttore diretto (avente valore di intervallo proibito2 E = 1.42 eV a temperatura ambiente). Nel caso di semiconduttori indiretti le transizioni elettroniche tra la banda di valenza e quella di conduzione, dovute allintee razione con un fotone avente energia E > E , possono avvenire solo se c` 3 interazione anche con il reticolo cristallino o altrimenti non si conserva la quantit` a di moto. Il processo indiretto avviene allora a un ritmo pi` u lento perch e riguarda tre entit` a (e , e reticolo) anzich e due (e e ).
Il relativemente elevato valore di E per il GaAs lo rende interessante perch e elimina, ` vantaggioso praticamente, il contributo intrinseco anche a temperature elevate. Il GaAs e anche per lelevata mobilit` a degli elettroni, il che favorisce le applicazioni ad alta velocit` a. ` circa 10 volte maggiore di quello del silicio. Purtroppo il costo commerciale del GaAs e 3 Cio` e interazione con fononi.
2

173

Capitolo 5

I semiconduttori

5.2.1

Propriet` a elettriche di un semiconduttore drogato

La formula (5.3), ricavata per la conducibilit` a di un semiconduttore intrinseco, continua a valere nel caso di un semiconduttore drogato. La differenza ` che la concentrazione dei portatori maggioritari e ` essenin questo caso e zialmente dominata dalla concentrazione degli elementi droganti. Di conseguenza la conducibilit` a del cristallo pu` o essere variata a piacere agendo sullentit` a del drogaggio.

5.2.2

Effetto Hall

Consideriamo una lamina semiconduttrice di lunghezza L, avente sezione rettangolare A con larghezza e spessore t (vedi figura 5.6). Se ai capi P e P della lamina viene applicata una differenza di potenziale V si viene a produrre una corrente elettrica i che fluisce nel senso della lunghezza: AV tV V = (5.9) i= = R L L Misurando il valore della corrente e conoscendo la differenza di potenziale applicata e i parametri geometrici della lamina, si pu` o determinare la conducibilit` a che risulta, nel caso di un semiconduttore fortemente drogato p, essere pari a p p e . In un secondo momento si viene ad applicare un campo magnetico B, uniforme e perpendicolare alla lamina. Su ciascuna delle lacune in moto con velocit` a pari a quella di deriva vd viene ad agire la forza di Lorentz: FL = e vd B (5.10)

` diretta a sinistra. che, nelle condizioni della figura 5.6, e Questa forza comporta la deflessione delle lacune che vengono cos` a concentrarsi sulla faccia sinistra della lamina, determinando un accumulo crescente di carica positiva. Data la neutralit` a elettrica della lamina si ha, corrispondentemente, un accumulo di carica negativa crescente sulla faccia destra della lamina. Queste distribuzioni di carica producono un campo elettrico, di

174

Semiconduttori drogati

Capitolo 5

B P Q FL vd

L t i P

Figura 5.6: rappresentazione schematica di una lamina percorsa da corrente di lacune e soggetta a effetto Hall.

ampiezza anchessa crescente, uniforme e diretto verso destra. La forza elettrica crescente che agisce sulle lacune viene a essere diretta allora in senso opposto rispetto a quella di Lorentz. In un certo istante si raggiunge la situazione in cui forza elettrica e for` in za di Lorentz si bilanciano esattamente. A partire da quel momento si e condizioni di regime e le lacune in moto non subiscono pi` u deflessione. Il valore del campo elettrico a regime corrisponde a una differenza di potenziale, tra i punti Q e Q sulle due facce opposte della lamina, detta tensione di Hall. Tale tensione pu` o essere ricavata dalla condizione di equilibrio: eE = evd B eVH = evd B VH = vd B (5.11)

175

Capitolo 5

I semiconduttori

Daltro canto la velocit` a di deriva vale: i j vd = = (5.12) pe t pe in funzione della concentrazione di lacune p, quindi la tensione di Hall risulta essere pari a: iB VH = (5.13) t pe Si introduce una grandezza R H , chiamata coefficiente di Hall, definita come: 1 (5.14) RH = pe che risulta essere pari a: VH t RH = (5.15) iB ` ricavabile a partire dalla misura di corrente e di tensione di e, quindi, e Hall, e conoscendo lo spessore della lamina e il valore del campo magnetico applicato. In conclusione, attraverso la misura prima della conducibilit` a = p p e e o determinare sperimentalmente poi del coefficiente di Hall R H = 1/ pe , si pu` a p = il valore della concentrazione di lacune p = 1/ eR H e della loro mobilit` RH . Un discorso analogo pu` o essere fatto per un semiconduttore fortemente drogato n, per il quale gli elettroni che formano la corrente elettrica si muovono con velocit` a opposta e vanno ad accumularsi sulla faccia sinistra della lamina. Si produce allora un campo elettrico e una tensione di Hall di verso/segno opposto rispetto al caso precedente. In questo caso il coefficiente di Hall risulta essere R H = 1/ne e allora dal o stabilire il tipo di drogaggio. segno di R H si pu` Nel caso in cui, invece, siano presenti con proporzioni confrontabili sia lacune sia elettroni, la conducibilit` a vale = ( p p + n n )e , mentre: 2 p 2 p n n RH = (5.16) e ( p p + n n )2 In questo caso, misurando e R H e usando i valori di mobilit` a misurati precedentemente, si possono ricavare i valori delle concentrazioni p e n simultaneamente.
176

Semiconduttori drogati

Capitolo 5

Leffetto Hall pu` o essere usato, ad esempio, per costruire dispositivi atti a misurare il campo magnetico. Come visto nel capitolo 4, leffetto Hall si verifica anche nel caso di una lamina conduttrice. La sensibilit` a di misura risulta per` o essere molto maggiore nel caso dei semiconduttori che per i metalli (vedi esempio 5) e, quindi, i primi vengono preferiti ai secondi.

5.2.3

Esempi

4. Ricavare la resistivit` a di un cristallo di silicio drogato con un atomo donatore ogni 107 atomi di silicio. Se c` e un atomo donatore ogni 107 atomi di silicio allora: atomi 1 Nd = 7 5.0 1022 = 5.0 1015 10 cm3 e la concentrazione di portatori negativi vale n Nd . Dallequazione (5.8) ricaviamo che: lacune (1.5 1010 )2 = 4.5 104 p= 15 5.0 10 cm3 Poich e p n, nel calcolo della conducibilit` a possiamo trascurare le lacune. La conducibilit` a vale allora: = ne n = 5.0 1015 1.6 1019 1300 = 1.04 ( cm)1 e la resistivit` a vale: 1 = 0.962 cm ` circa 240 mila volte pi` che e u piccola rispetto al semiconduttore intrin` aumentata di tale fattore. seco: la conducibilit` ae = 5. Calcolare il coefficiente di Hall per una lamina di silicio puro a temperatura ambiente. Confrontare con il valore atteso per un metallo tipo. In questo caso le concentrazioni di elettroni e lacune sono pari a quella intrinseca: n = p = n i = 1.5 1016 m3 . Le mobilit` a valgono invece n = 0.13 2 2 m /Vs e p = 0.05 m /Vs. Il coefficiente di Hall vale allora: 1.5 1016 (0.052 0.132 ) = 185 m3 /A s RH = 1.6 1019 (1.5 1016 )2 (0.05 + 0.13)2
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Capitolo 5

I semiconduttori

Nel caso di un metallo tipo la concentrazione di elettroni vale allincirca n = 1029 m3 , cui corrisponde: RH = 1 1 = 29 = 6 1011 m3 /A s 19 ne 10 1.6 10

Notiamo che il valore R H (Si ) R H (Fe ) il che comporta che, in corrispondenza di una certa corrente e di un certo campo magnetico, si produca una tensione di Hall molto pi` u grande e, quindi, pi` u facilmente misurabile. Ecco perch e i dispositivi basati sulleffetto Hall usano preferibilmente semiconduttori.

5.3 Dispositivi semiconduttori


Il comportamento dei semiconduttori drogati pu` o essere usato per costruire dei dispositivi con determinate propriet` a elettriche ben diverse da quelle osservate in dispositivi quali i resistori e i condensatori. Come esempio descriveremo due dispositivi fondamentali, la giunzione p-n e il transistor, che sono ampiamente utilizzati allinterno dei circuiti elettronici discreti o integrati.

5.3.1

La giunzione p-n

Se noi partiamo da un semiconduttore puro e lo droghiamo con impurit` a trivalenti otteniamo un semiconduttore di tipo p. Se poi andiamo ad aggiungere, solo entro una certa profondit` a del semiconduttore, degli atomi pentavalenti otteniamo la creazione di una regione di tipo n separata da quella di tipo p, come esemplificato in figura 5.7, chiamata giunzione p-n. Il passaggio dalla regione p a quella n pu` o essere brusco o graduale con un drogaggio che diminuisce man mano che ci si avvicina alla giunzione per poi cambiare segno. Consideriamo nel seguito il caso di un passaggio brusco perch e pi` u facile da trattare; quanto diremo vale comunque, qualitativamente, anche per la giunzione graduale. ` ricca di lacune mentre quella n e ` ricLa porzione p del semiconduttore e ca di elettroni. Quando le due regioni si trovano a contatto si ha la diffusione
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Dispositivi semiconduttori

Capitolo 5

di elettroni/lacune da una parte allaltra del piano di giunzione. Gli elettroni che si trovano immediatamente a destra della giunzione si diffondono verso sinistra ricombinandosi con le lacune della regione p. A loro volta le lacune della regione p diffondono verso destra andandosi a ricombinare con gli elettroni della regione n. La diffusione delle cariche porta a dei fenomeni di ricombinazione elettrone/lacuna a seguito dei quali la porzione immediatamente a sinistra della giunzione assume carica negativa (perch e sono sparite delle lacune), mentre la porzione immediatamente a destra della giunzione assume carica positiva (perch e sono spariti degli elettroni). Queste cariche non sono cariche libere, ma cariche localizzate nella regione spessa circa 0.5 m a ridosso della giunzione e per questo motivo vengono chiamate cariche spaziali. Tali cariche producono un campo elettrico E0 diretto verso la parte p della giunzione p-n e conseguentemente una differenza di potenziale V0 ai capi della giunzione che risulta essere pari a: V0 = kT Nd N a ln e n2 i (5.17)

come discusso nellesempio 6. Tale differenza di potenziale, dellordine di pochi decimi di volt, appare praticamente tutta agli estremi della regione di carica spaziale. ` quello di esercitare una forza elettrica che, alleLeffetto del campo E0 e quilibrio, impedisce lulteriore diffusione degli elettroni e delle lacune. Detto diversamente, la differenza di potenziale agisce come una barriera di potenziale che impedisce alle lacune/elettroni liberi di continuare a migrare verso la regione n/p. Anche una volta raggiunto lequilibrio si verifica un continuo passaggio di cariche attraverso la giunzione. Infatti, lagitazione termica produce continuamente coppie elettrone-lacuna che, sottoposte al campo elettrico (diretto verso sinistra) di cui sopra, portano a una corrente di generazione (detta anche corrente termica o di deriva) diretta dal lato n a quello p perch e gli elettroni prodotti nella regione p deriverebbero in direzione opposta al campo elettrico cio` e verso destra.
179

Capitolo 5

I semiconduttori

p p
++ ++ ++

n n

densit` a di carica spaziale campo elettrico E0 x x

potenziale

V0

eV0 energia potenziale

Figura 5.7: rappresentazione schematica di una giunzione p-n, assieme a (dallalto verso il basso) densit` a di carica spaziale, campo elettrico, potenziale elettrostatico, barriera di energia potenziale (per elettroni).

180

Dispositivi semiconduttori

Capitolo 5

A tale corrente si oppone la corrente di ricombinazione (detta anche di ` diretta dal lato p a quello n perch diffusione) che, invece, e e corrisponde a elettroni che dalla banda di conduzione nella regione n, grazie a una piccola fluttuazione nellenergia, passano alla banda di conduzione nella regione p andando ad annullare una delle tante lacune presenti nella regione p. In condizioni di equilibrio, a circuito aperto, la corrente netta stazionaria deve essere nulla, quindi, corrente di generazione e corrente di ricombina` comprensibile anche dal punto zione si annullano a vicenda. Questo fatto e di vista della termodinamica: se ci fosse una corrente essa circolerebbe e farebbe lavoro sulle cariche senza attingere energia allesterno della giunzione, in violazione del primo principio della termodinamica. Si supponga di collegare la giunzione a un generatore di forza elettromotrice. Si dice che la giunzione p-n viene polarizzata inversamente se si applica una differenza di potenziale V (detta anche tensione) negativa ai suoi capi, cio` e se si collega il polo negativo del generatore alla porzione p e il polo positivo alla porzione n della giunzione, come mostrato in figura 5.8. In tale caso le lacune nella regione p si allontanano dalla giunzione migrando verso il catodo mentre gli elettroni della regione n si allontanano dalla giunzione (e vengono raccolti allanodo del generatore). Di conseguenza la regione di carica spaziale si estende a sinistra e a destra della giunzione e lo fa tanto pi` u ` la tensione. Se si continua ad aumentare la differenquanto pi` u negativa e za di potenziale negativa si pu` o raggiungere un valore in cui tutto il volume ` completamente svuotato di lacune ed elettroni liberi. della giunzione p-n e La polarizzazione inversa fa aumentare laltezza della barriera di potenziale (vedi figura 5.9) andando a bloccare il flusso di cariche maggioritarie e a ridurre la corrente di ricombinazione, mentre la corrente di generazione resta pressoch e immutata poich e la corrente di generazione dipende solo dalla temperatura e dallintervallo proibito di energia. Leffetto netto in condizioni di polarizzazione inversa sar` a quello di avere una corrente estremamente piccola dovuta praticamente alla corrente di generazione. Tale piccola corrente ` bloccata dalla barriera di potenziale a causa del segno delle minoritaria non e cariche e viene detta corrente di saturazione inversa. La corrente di saturazio-

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Capitolo 5

I semiconduttori

i gen/der iric/di f f p
V

Figura 5.8: giunzione p-n polarizzata inversamente. Sono indicate le direzioni e le intensit` a relative delle correnti di generazione e di ricombinazione.

ne inversa cresce allaumentare della temperatura perch e aumenta il numero di coppie elettrone-lacuna che si formano. Se, invece, si applica una differenza di potenziale V positiva, come rappresentato in figura 5.10 dove il polo positivo del generatore di forza elettro` collegato alla porzione p e quello negativo alla porzione n della motrice e ` polarizzata direttamente. In questo cagiunzione, si dice che la giunzione e so si abbassa laltezza della barriera di potenziale e le lacune della regione p attraversano con facilit` a la giunzione e migrano nella regione n, dove esse costituiscono una corrente minoritaria iniettata (vedi figura 5.11). Similmente, molti degli elettroni liberi della regione n, vicini allenergia di Fermi EF , avranno energia sufficiente per migrare attraverso la giunzione e passare alla banda di conduzione della regione p perch e il livello inferiore di questa ban` abbassato. Questi elettroni diventano una corrente minoritaria nella da si e ` la stessa e si ha regione p. La direzione convenzionale di queste due correnti e come risultato una corrente dovuta ai portatori minoritari che fluisce nella direzione da p a n. Siccome la corrente di generazione non dipende dalla tensione di pola` di avere una corrente nella direzione della corrente rizzazione leffetto netto e

182

Dispositivi semiconduttori

Capitolo 5

Banda di conduzione

E eV0
giunzione non polarizzata

e (V0 V )
Banda di valenza

giunzione polarizzata

Figura 5.9: diagrammi di energia per elettroni in una giunzione p-n polarizzata inversamente (V < 0).

di ricombinazione, cio` e nella direzione da p a n. Per un dato valore di tensione, la corrente di polarizzazione diretta risulta molto pi` u grande di quella di polarizzazione inversa. Va osservato che la tensione di polarizzazione viene applicata alla giunzione p-n per mezzo di contatti metallici e che entrambi i contatti metallosemiconduttore introducono un potenziale di contatto. Tali contatti sono per` o costruiti in modo da mantenere un potenziale di contatto costante indipendentemente dalla direzione della polarizzazione e vengono detti contatti ohmici4 . In questo caso i due potenziali di contatto si bilanciano e la tensione di polarizzazione applicata alla giunzione va a modificare di altrettanto laltezza della barriera di potenziale. ` nulla, la giunzioSe la differenza di potenziale ai capi della giunzione e ` nulla. In ne risulta in corto-circuito e, quindi, anche la corrente elettrica e
I contatti ohmici consentono il passaggio di corrente nei due versi e non sono raddrizzatori. Il lavoro di estrazione del metallo, definito come lenergia necessaria a rimuovere lelettrone, deve essere minore del lavoro di estrazione del semiconduttore per un contatto ` di tipo p la relazione si inverte. metallo-semiconduttore di tipo n. Se il semiconduttore e ` usato in genere per contatti con semiconduttori di tipo p perch Lalluminio e e Al > Si .
4

183

Capitolo 5

I semiconduttori

i gen/der iric/di f f p
V

n
+

Figura 5.10: giunzione p-n polarizzata direttamente. Sono indicate le direzioni e le intensit` a relative delle correnti di generazione e di ricombinazione.

questo caso deve essere nulla anche la somma delle differenze di potenziale lungo il circuito chiuso, quindi, il potenziale di giunzione V0 viene a essere compensato dai potenziali di contatto nei contatti ohmici. Ecco allora il o essere misurato direttamente con un voltmetro, motivo per cui V0 non pu` perch e tagliando il circuito si misurerebbero sia V0 sia i potenziali di contatto, ottenendo un valore risultante nullo. Se si immagina di aumentare la tensione di polarizzazione diretta, finch e si raggiunge il valore V0 , laltezza della barriera di potenziale diventerebbe nulla e di conseguenza gli elettroni sarebbero liberi di muoversi attraverso la giunzione, portando a una corrente elettrica arbitrariamente grande. Nella realt` a questo non succede perch e allaumentare della corrente aumenta la resistenza del cristallo e dei contatti ohmici, con conseguente limitazione della corrente stessa. In queste condizioni non si pu` o pi` u pensare che tutta la tensione di polarizzazione vada ad abbassare la barriera di potenziale.

184

Dispositivi semiconduttori

Capitolo 5

Banda di conduzione

E e (V0 V )
giunzione non polarizzata giunzione polarizzata

eV0
Banda di valenza

Figura 5.11: diagrammi di energia per elettroni in una giunzione p-n polarizzata direttamente (V > 0).

5.3.2

Il diodo

` un dispoLa giunzione p-n pu` o essere usata come diodo raddrizzatore5 che e sitivo in cui la corrente che fluisce ha valore trascurabile nel caso di polarizza` polarizzata direttamente la corrente zione inversa, mentre se la giunzione e cresce esponenzialmente e assume valori molto grandi. Il comportamento ` rappresentato della corrente in funzione della tensione applicata al diodo e in figura 5.12 che fornisce quella che si chiama curva caratteristica del diodo. ` rappresentata dalla funzione: Tale curva e i = i0 (e eV /kT 1) (5.18)

` la tensione applicata alla giunzione giustificabile teoricamente, dove V e (V > 0 nel caso di polarizzazione diretta) e i0 la corrente di saturazione inAnche un contatto metallo-semiconduttore pu` o agire come raddrizzatore, cio` e consentire il passaggio di corrente in una sola direzione, con curva caratteristica simile a quella di figura 5.12. In questo caso il contatto raddrizzatore viene chiamato diodo Schottky. Per avere un contatto raddrizzatore il lavoro di estrazione del metallo deve essere maggiore di quello del semiconduttore di tipo n. Per un semiconduttore di tipo p la relazione si inverte.
5

185

Capitolo 5

I semiconduttori

i0

V
Figura 5.12: curva caratteristica corrente-tensione per una giunzione p-n. Tensioni positive corrispondono a una giunzione polarizzata direttamente.

` dellordine del microampere per il germanio e del nanoampere versa, che e per il silicio. Per valori grandi della tensione di polarizzazione diretta, il comportamento del diodo viene a essere dominato dalla resistenza del cristallo e dei contatti ohmici e la curva caratteristica diventa praticamente una retta. La forma della curva caratteristica nella regione di polarizzazione diretta ` tale che la corrente risulti pressoch mostrata in figura 5.13 e e nulla per valori di tensione minori di una tensione di soglia Vs , mentre per valori maggiori la corrente cresce esponenzialmente con la tensione. La tensione di soglia Vs vale circa 0.2 V per il germanio e 0.6 V per il silicio. La curva caratteristica di figura 5.13 pu` o essere approssimata da una forma lineare del tipo rappresentato in figura 5.14. Per differenze di potenziale ` quasi nulla mentre per valori maggiori la correnminori di Vs la corrente e te cresce linearmente con una pendenza pari a 1/Rd dove Rd viene chiamata o assumere che resistenza diretta del diodo. Per tensioni minori di Vs si pu` la curva abbia una pendenza molto piccola, corrispondente a una resistenza e infinita. inversa R i molto grande, pressoch Quando un circuito elettrico contiene uno o pi` u diodi, ciascuno di essi

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Dispositivi semiconduttori

Capitolo 5

i Ge Si

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

V (V)

Figura 5.13: curva caratteristica corrente-tensione per un diodo di silicio e germanio polarizzati direttamente. Si noti il valore diverso della tensione di soglia.

pu` o essere sostituito da (approssimazione lineare): un resistore avente resistenza Rd collegato in serie a un generatore avente ` polarizzato direttamente; forza elettromotrice Vs , se il diodo e un resistore avente resistenza inversa R i (praticamente infinita), se il diodo ` polarizzato inversamente. e La figura 5.15 mostra la sostituzione equivalente. Il simbolo grafico usato per rappresentare i diodi indica con il verso della freccia il verso della corrente diretta. La base del triangolo rappresenta il lato p della giunzione mentre la barretta ne rappresenta il lato n. Operativamente, nei circuiti contenenti uno o pi` u diodi (vedi esempi 7 e 8), si assume uno dei due possibili stati per ciascun diodo (acceso se polarizzato direttamente, spento se polarizzato inversamente), si va a sostituire il diodo secondo la ricetta di cui sopra e si va a risolvere il circuito. Una volta trovata la corrente e la differenza di potenziale ai capi dei diodi bisogna ve` soddisfatta, altrimenti si inverte lo rificare per` o se lassunzione da noi fatta e ` stato del diodo e si risolve nuovamente il circuito. Si ricordi che il diodo e effettivamente acceso se viene attraversato da una corrente nel verso diretto (cio` e dallanodo al catodo) o se, equivalentemente, la differenza di potenziale

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Capitolo 5

I semiconduttori

i
pendenza= R1d

Vs

Figura 5.14: approssimazione lineare della curva caratteristica corrente-tensione per un diodo.

nella direzione diretta supera la soglia Vs .

5.3.3

Il transistor

Il transistor, inventato nel 1948 da Shockley, Bardeen e Brattain6 , e modificato successivamente da Shockley, consiste in un cristallo di silicio (o di germanio) in cui uno strato sottile di tipo n si trova in mezzo a due strati di tipo p, come rappresentato in figura 5.16. Un tale transistor si dice di tipo pn-p, ma comportamenti analoghi si osservano in transistor di tipo n-p-n (vedi figura 5.17) in cui si inverte il tipo di drogaggio. In entrambi i casi si tratta in sostanza di una giunzione bipolare il cui comportamento pu` o essere compreso considerando il transistor come due diodi collegati in serie. Le tre porzioni del transistor sono chiamate emettitore, collettore e base e tali termini fanno anche da attributo alle correnti che fluiscono verso il connettore corrispondente. La rappresentazione circuitale di un transistor p-n-p ` riportata in figura 5.16 (5.17 per il transistor n-p-n), dove le correnti sono e
William Shockley (1910-1989), John Bardeen (1908-1991) e Walter Brattain (1902-1987) vincitori del Premio Nobel per la Fisica nel 1956 per linvenzione del transistor.
6

188

Dispositivi semiconduttori

Capitolo 5

i
1 Rd

anodo

Vs Rd Ri

1 Ri 0

catodo diretta inversa

Vs

Figura 5.15: sostituzione circuitale equivalente a un diodo polarizzato direttamente o inversamente.

considerate positive se fluiscono nel verso della freccia. Il verso della freccia nel simbolo usato per il transistor sta allora a indicare la direzione della ` polarizzata direttamente. corrente quando la giunzione emettitore-base e Le propriet` a circuitali di un transistor dipendono sostanzialmente da due cose: 1) come le due giunzioni sono polarizzate; 2) come il transistor viene collegato al circuito esterno. In base a queste condizioni il transistor pu` o agire come amplificatore di corrente, di tensione o di potenza e come tale viene usato nei circuiti elettronici. In seguito andremo a descrivere le modalit` a principali del funzionamento di un transistor facendo riferimento a un transistor p-n-p di tipo simmetrico, in cui le due giunzioni (cio` e le due porzioni p) hanno stessa dimensione e lo stesso drogaggio. Per quanto riguarda i transistor n-p-n (che tra laltro sono pi` u diffusi sul mercato) le propriet` a sono analoghe se si invertono correnti e tensioni. Se non si applica nessuna tensione di polarizzazione, n e sullemettitore n e sul collettore, tutte le correnti sono nulle e le barriere di potenziale delle due

189

Capitolo 5

I semiconduttori

n
JE B JC

E + VEB iE

VCE iC iB B

C + VCB

Figura 5.16: schema di un transistor p-n-p (sopra) e corrispondente rappresentazione circuitale (sotto). JE e JC rappresentano le giunzioni p-n emettitore-base e collettore-base. Sono indicate, inoltre, le correnti di emettitore i E , di collettore i C e di base i B , assieme alle tensioni emettitore-base VEB , collettore-base VC B e collettore-emettitore VC E .

p
JE B JC

E + VEB iE

VCE iC iB B

C + VCB

Figura 5.17: schema di un transistor n-p-n (sopra) e corrispondente rappresentazione circuitale (sotto). JE e JC rappresentano le giunzioni n-p emettitore-base e collettore-base. Sono indicate, inoltre, le correnti di emettitore i E , di collettore i C e di base i B , assieme alle tensioni emettitore-base VEB , collettore-base VC B e collettore-emettitore VC E .

190

Dispositivi semiconduttori

Capitolo 5

giunzioni, rappresentate in figura 5.18, hanno il valore V0 di circa qualche decimo di volt, come visto precedentemente. Per fare funzionare il transistor bisogna allora collegarlo a un circuito esterno che fornisca delle tensioni di polarizzazione ai capi delle due giunzioni. Se si polarizza direttamente la giunzione emettitore-base e inversamente quella collettore-base, come rappresentato in figura 5.19, il transitor si dice polarizzato in regione attiva. In questa condizione la barriera di potenziale emettitore-base si abbassa della quantit` a VEB mentre la barriera di potenziao le collettore-base si alza della quantit` a VCB , come indicato in figura 5.20. Ci` consente a lacune nellemettitore di venire iniettate come cariche minoritarie nella base (e viceversa elettroni di venire iniettati dalla base allemettitore). Tali lacune si diffondono attraverso la sottile base, arrivano alla giunzione base-collettore, dove cadono dalla barriera e vengono raccolte al collettore. ` che la corIl principio di funzionamento del transistor in regione attiva e rente di collettore iC viene regolata dalla corrente di emettitore iE secondo la relazione: iC = iC0 (1 e eVC /kT ) iE (5.19) ` la corrente di saturazione del collettore e rappresenta la fradove iC0 e zione della corrente di emettitore che compare come corrente minoritaria al ` la differenza di potenziale ai capi della giunzione JC . collettore; VC , invece, e ` vicino a 1 (tipicamente magIl fattore , detto anche guadagno di corrente, e ` una costante, ma giore di 0.9), ma non pu` o essere uguale o superare 1 e non e dipende dalla temperatura, dalla corrente iE e dalla tensione VCB . ` negativo e VC kT , quindi, il In condizioni operative normali VC e termine esponenziale risulta trascurabile e si pu` o assumere: iC iC0 iE (5.20)

che ha come interpretazione fisica il fatto che la corrente di collettore viene aumentata della frazione di quella dellemettitore. Si noti che iE > 0 poich e entrante nel transistor, mentre iC < 0 essendo una corrente uscente dal transistor, cos` come risulta essere negativa iB . Siccome < 1 allora

191

Capitolo 5

I semiconduttori

iC < iE . Nonostante ci` o il transistor agisce come amplificatore di potenza. Infatti, la giunzione emettitore-base viene ad assumere resistivit` a piccola mentre la giunzione base-collettore avrebbe resistivit` a molto pi` u grande. Es2 u grande nel circuito sendo iC iE allora la potenza P = Ri risulta essere pi` del collettore. Il comportamento del transistor viene descritto attraverso curve caratteristiche corrente-tensione del tipo mostrato in figura 5.21, espresse in funzione della corrente di emettitore. ` polarizzata direttamente il Se, invece, anche la giunzione di collettore e transistor si dice in saturazione e una piccola variazione di VCB porta a un aumento esponenziale di iC come ci si aspetta nel caso di un diodo. ` quello detto a emettitore coUn modo diverso di collegare il transistor e mune, rappresentato in figura 5.22, dove abbiamo scelto di usare un transistor n-p-n. In questo caso la curva caratteristica diventa quella di figura 5.23 per un transistor nella regione attiva. In questo caso si vede che luscita di corrente risponde in modo molto sensibile a variazioni della corrente in ingresso ` polaalla base. Il transistor si trova nella regione attiva se la giunzione JC e rizzata inversamente di qualche decimo di volt, mentre VBE deve valere circa 0.7 V per il silicio e circa 0.2 V per il germanio. In questa configurazione la corrente al collettore segue landamento: iC = (1 + ) iC0 + iB dove il parametro: = (5.21)

(5.22) 1 assume valori grandi, dellordine di 100. Poich e iB iC0 allora iC iB iB nella regione attiva e la configurazione a emettitore comune pu` o essere usata per ottenere unamplificazione di corrente. Osserviamo che lutilizzo di un transistor deve essere compatibile con le ` sue propriet` a fisiche e, quindi, quando si sceglie un modello di transistor e importante verificare che la corrente al collettore, la potenza di dissipazione

192

Dispositivi semiconduttori

Capitolo 5

Base Emettitore p JE V0 n JC Collettore p

Figura 5.18: potenziale per un transistor p-n-p a circuito aperto, cio` e in assenza di tensioni di polarizzazione.

E iE + VEB B iC

C +

VB

iB

VCB +

VC
Figura 5.19: schema di un transistor p-n-p polarizzato nella regione attiva. Questo tipo di collegamento si dice a base comune.

193

Capitolo 5

I semiconduttori

V VEB Collettore VCB JC p

V0 Base n

Emettitore p JE

Figura 5.20: potenziale per un transistor p-n-p nella regione attiva.

zione

Regione attiva iE = 25 mA -25 -20 -15 -10 -5 0 iE = 20 mA iE = 15 mA iE = 10 mA iE = 5 mA

Regio

VCB (V)

ne sat ura

0.8 0.6 iC (mA)

Figura 5.21: curva caratteristica corrente-tensione in uscita da un tipico transistor p-n-p al silicio in configurazione a base comune: i C in funzione di VC B per diversi valori di i E . La ` in saturazione. regione attiva corrisponde a VC B < 0.6 V, mentre per VC B > 0.6 V si e

194

Dispositivi semiconduttori

Capitolo 5

C iC B + iB VBE E iE

VCE VCC

Figura 5.22: schema di un transistor n-p-n in configurazione a emettitore comune.

al collettore e le tensioni di polarizzazione non superino i valori limite forniti dal costruttore. Oltre ai transistor bipolari, fino a qui descritti, esistono altri tipi di transistor tra cui quelli a effetto di campo, chiamati MOSFET, in cui una tensione (detta tensione di gate) regola il flusso di corrente tra due punti del transistor chiamati source e drain. Sia i transistor bipolari sia i MOSFET (o altri tipi ancora) possono essere usati come interruttori per costruire dei circuiti logici come quelli usati nei computer. Variando le tensioni applicate al transistor questo pu` o passare da ` bloccata. I uno stato in cui circola corrente a uno stato in cui la corrente e due stati vengono poi associati a due stati logici 0 e 1, fornendo le basi per una logica binaria. Lesempio 9 discute lutilizzo di un transistor in un circuito elettrico semplice.

5.3.4

Esempi

6. Si consideri una giunzione p-n di silicio a temperatura ambiente in cui la concentrazione di donori (nella parte n) e accettori (nella parte p) valgono ri195

Capitolo 5

I semiconduttori

iC (mA)

40 30 20 10 0 0 2 4 6 8 10 iB = 160 A iB = 120 A iB = 80 A iB = 40 A

VCE (V)
Figura 5.23: curva caratteristica corrente-tensione in uscita da un tipico transistor n-p-n al silicio nella configurazione a emettitore comune: i C in funzione di VC E per diversi valori di iB.

spettivamente Nd = 5 1015 cm3 e N a = 1 1014 cm3 . Che valore ci si aspetta per laltezza V0 della barriera di potenziale? Facciamo riferimento a (5.17), quindi: V0 = 0.026eV 5 1015 1 1014 ln = 0.56 V e (1.5 1010 )2

7. Un generatore di fem alternata Vin viene collegato a un carico resistivo R ai cui capi si misura la differenza di potenziale Vout . Cosa succede inserendo un diodo come in figura 5.24? ` acceQuando Vin assume valori positivi maggiori di Vs allora il diodo e so, lascia passare corrente e Vout risulta essere proporzionale a Vin . Quando, ` minore di Vs e soprattutto quando e ` negativo, il diodo e ` spento, invece, Vin e non lascia passare corrente e Vout = 0. Qualitativamente Vout assume la for` assunto che lampiezza massima di Vin sia ma indicata in figura 5.25, dove si e ` chiaro allora il motivo molto maggiore della tensione di soglia del diodo. E per cui il diodo viene chiamato raddrizzatore, visto che loscillazione viene raddrizzata diventando sempre positiva.

196

Dispositivi semiconduttori

Capitolo 5

8. Si risolva il circuito di figura 5.26 contenente, tra le altre cose, un diodo di silicio. Assumiamo prima che il diodo sia acceso, cio` e polarizzato direttamente. Allora il circuito diventa equivalente al circuito della figura 5.27. Se, invece, il ` spento non si ha passaggio di corrente e molto semplicemente Vout = diodo e 0. Consideriamo il primo caso. Applicando la legge delle maglie si ricava: V R2 i Vs Rd i R1 i = 0 cio` e: i= e Vout = R1 i = 1.4 V. V Vs = 0.028 A R1 + R2 + Rd

9. Si risolva il circuito di figura 5.28 contenente tra le altre cose un transistor n-p-n al silicio, avente un guadagno 100. Lapplicazione della tensione VB col verso indicato dovrebbe polarizzare direttamente la giunzione base-emettitore. Del resto la giunzione collettorebase dovrebbe essere polarizzata inversamente e, quindi, il transistor sarebbe nella regione attiva, ipotesi per` o da verificare a posteriori. Supponiamo allora di essere nella regione attiva. La legge delle maglie applicata al circuito baseemettitore prescrive che: VB R B iB VBE = 0 cio` e: 5 300 103 iB 0.7 = 0 dove abbiamo usato il valore tipico VBE 0.7 V per un transistor al silicio. Si ricava: 5 0.7 = 0.014 mA iB = 300 103 e: iC iB = 1.4 mA

197

Capitolo 5

I semiconduttori

Vin

Vout

Figura 5.24: schema di un circuito diodo-resistore.

Passiamo ora a discutere il circuito collettore-emettitore, applicando ancora la legge delle maglie: VC RC iC VCE = 0 cio` e: 5 1 103 iC VCE = 0 quindi: VCE = 5 1 103 iC = 3.6 V o VCB = VCE VBE = 2.9 V e la giunzione collettoreMa VCE = VCB +VBE e perci` base risulta essere polarizzata inversamente come ipotizzato allinizio.

5.4 Applicazioni
Le applicazioni delle propriet` a dei semiconduttori sono molteplici e sono presenti in qualsiasi dispositivo elettronico basato su componenti discrete o circuiti integrati e costituito essenzialmente da diodi e transistor. Riportiamo qui altre applicazioni di particolare interesse.
198

Applicazioni

Capitolo 5

Vin

Vout

Figura 5.25: tensione in ingresso Vin e in uscita Vout al sistema diodo-resistore.

R2

R1

Vout

Figura 5.26: schema di circuito elettrico. Si assuma V = 5 V, R 1 = 50 , R 2 = 100 , Vs = 0.6 V e R d = 6 per correnti fino a 50 mA.

199

Capitolo 5

I semiconduttori

R2 Vs V

Rd

R1

Vout

Figura 5.27: schema del circuito elettrico equivalente nel caso di diodo acceso.

C iC RB B RC VB iB VC E

Figura 5.28: schema di circuito elettrico. VB = 5 V, R B = 300 k, VC = 5 V, R C = 1 k.

200

Applicazioni

Capitolo 5

Banda di conduzione

Banda di valenza

Figura 5.29: schema della ricombinazione in un LED. I pallini rappresentano elettroni, i puntini bianchi le lacune.

5.4.1

I LED

I LED7 sono dei diodi in grado di emettere luce. Il meccanismo di produzione della luce si basa sugli elettroni che dal limite inferiore della banda di conduzione vanno a ricombinarsi con lacune poste vicino al limite superiore della banda di valenza, come indicato in figura 5.29. Nella ricombinazione viene rilasciata unenergia pari allincirca allintervallo proibito E . Tale energia va normalmente ad aumentare le vibrazioni del reticolo e la sua energia interna. Esistono per` o materiali semiconduttori (quelli diretti) in cui questa energia pu` o convertirsi in radiazione elettromagnetica avente frequenza data dalla relazione di Einstein: E (5.23) = h che pu` o essere regolata se si sceglie un materiale semiconduttore con valore opportuno di E . I fotoni emessi nella ricombinazione potrebbero a loro volta essere assorbiti da un elettrone nella banda di valenza che verrebbe portato alla banda di conduzione. Per non avere un effetto complessivo nullo c` e bisogno che il
7

Dallinglese Light Emitting Diode.

201

Capitolo 5

I semiconduttori

numero di elettroni liberi (e le lacune) sia molto pi` u grande di quello dovuto allagitazione termica. Conviene usare, quindi, pi` u che un semiconduttore, la giunzione p-n di un diodo fortemente drogato e polarizzato nel verso diretto. ` importante il loro rendimento cio` Si noti che nel caso dei LED e e la frazione di energia elettrica in ingresso convertita in energia radiante. Questo ` decisamente pi` u grande di rendimento8 , dellordine di 20 50 lumen/W, e quello delle lampade a incandescenza ( 15 lumen/W), in cui la maggior parte dellenergia viene convertita in radiazione termica, e vicino a quello delle lampade a fluorescenza ( 150 lumen/W). Questo fatto, unito alle loro piccole dimensioni, rende i LED estremamente versatili nel loro utilizzo nelle fonti di illuminazione e importanti dal punto di vista del risparmio energetico. ` che attraverso la scelta dei materiali che comAltro vantaggio dei LED e pongono il diodo (e il valore corrispondente di E ) si pu` o ottenere luce avente frequenza e colore diversi.

5.4.2

Il laser a semiconduttore

Il meccanismo della produzione di fotoni nei LED pu` o essere sfruttato per produrre un fascio di luce laser monocromatico, collimato, brillante e coee il laser funzioni in modo efficace la cosa che bisogna assirente9 . Affinch ` che la banda di conduzione/valenza contenga un grande numero di curare e elettroni liberi/lacune. Per produrre tale situazione di inversione di popolazione si ricorre a un meccanismo di pompaggio. In questo modo un grosso numero di elettroni e lacune vengono portati a uno stato meta-stabile cio` ea vita media relativamente lunga. Da questo stato vengono soggetti a emissione
Come rendimento si prende usualmente lefficacia luminosa definita come la porzione di energia dellonda utile alla visione umana. Tale quantit` a si misura nel SI in lumen/watt ` lunit` dove il lumen e a con cui si misura la potenza luminosa percepita dallocchio umano. 9 ` caratterizzato da una sola Con queste caratteristiche si intende che il fascio luminoso e ` un fascio praticamente rettilineo a divergenza trascurabile, con elevata intensit` frequenza; e a luminosa sulla sezione del fascio e con elevata estensione spaziale/temporale del pacchetto donda.
8

202

Applicazioni

Capitolo 5

contatto metallico p+ GaAs p AlGaAs regione attiva n AlGaAs n+ GaAs regione emettente contatto metallico

Figura 5.30: schema di un tipico diodo-laser.

spontanea ed emissione stimolata10 passando allo stato fondamentale attraverso lemissione di un fotone avente frequenza dipendente dalla differenza energetica tra i due livelli; da qui la monocromaticit` a. ` fatto un tipico diodo-laser. Partendo da un La figura 5.30 mostra come e ` un cristallo semiconduttore, ad esempio di arseniuro di gallio (GaAs, che e semiconduttore diretto), si isola al centro uno strato sottile (avente spessore di circa 0.2 m) che rappresenta lo strato attivo del laser. Attorno a questo strato si formano due zone drogate p e n che hanno un intervallo proibito
` quello in cui unelettrone passa da uno stato eccitaIl processo di emissione spontanea e to a un altro (a energia minore) emettendo un fotone. Ci` o avviene spontaneamente in tempi molto brevi ( ns). Lemissione stimolata avviene quando un fotone avente energia pari alla differenza tra due stati stimola la diseccitazione (che avverrebbe comunque spontaneamente) senza essere assorbito. Per basse frequenze ( h kT ) il ritmo a cui la diseccitazione stimolata avviene risulta essere maggiore che nel caso di emissione spontanea.
10

203

Capitolo 5

I semiconduttori

di poco superiore a quello dello strato attivo, come si vede in figura 5.31. La corrente in arrivo al diodo porta elettroni al lato n del diodo; alcuni di questi elettroni si spostano nella regione attiva dove restano intrappolati a causa della barriera di potenziale della regione p. Similmente le lacune migrano dal lato p alla regione attiva restandovi intrappolate. Elettroni e lacune imprigionati nella regione attiva producono leffetto laser grazie allemissione stimolata e alla ripetuta riflessione dalle pareti laterali trattate a specchio. La piccola dimensione, il basso assorbimento di potenza (dellordine dei milliwatt) e il costo ridotto di tali diodi ne hanno amplificato la diffusione. Oggi i diodi laser si trovano dappertutto, nei lettori di CD/DVD, nei lettori ottici dei codici a barre e nelle telecomunicazioni, accoppiati a fibre ottiche.

5.4.3

La cella fotovoltaica

In un diodo al buio e a circuito aperto non ci sono correnti stazionarie circolanti e il potenziale di contatto tra i contatti metallo-semiconduttore bilancia ` esposta alla luce si il potenziale della giunzione p-n. Se per` o la giunzione e osservano una tensione e una corrente misurabili. Consideriamo prima il caso della giunzione a circuito aperto. La luce che incide sulle regioni p e n crea coppie elettrone-lacuna in entrambe le regioni. Elettroni presenti in eccesso nella regione p si diffondono e migrano attraverso la giunzione fino alla regione n. Analogamente lacune create dalla luce nella regione n migrano verso la regione p. Si produce, quindi, come mostrato in figura 5.32, una carica netta positiva sul lato p e una carica netta ` quello di abbassare la differenza di potenzianegativa sul lato n. Leffetto e le ai capi della giunzione dal valore V0 a V0 0 . Tale nuovo valore per il potenziale di giunzione non viene pi` u bilanciato dal potenziale di contatto e, quindi, ai capi della giunzione p-n a circuito aperto si manifesta una tensione misurabile diversa da zero detta fotovoltaggio e pari a 0 . Questo fenomeno ` chiamato effetto fotovoltaico. e Se adesso immaginiamo di chiudere il circuito, il fotovoltaggio produce la circolazione di una corrente elettrica nel circuito esterno poich e la corrente ` maggiore di quella di ricombidi generazione i gen (ottica in questo caso) e
204

Applicazioni

Capitolo 5

` indipendente dalla luce. Tale corrente si mantiene durante nazione iric che e tutta la fase di illuminazione, cio` e fintantoch e continua la produzione ottica di elettroni/lacune in eccesso. Lintensit` a della corrente dipende dallintensit` a di illuminazione perch e ` proporzionale al numero di fotoni incidenti il numero di elettroni prodotti e ` la corrente di genee, quindi, allintensit` a della luce. Inoltre, pi` u grande e ` la potenza erogata al circuito esterno con conseguente razione, pi` u grande e maggiore efficienza di conversione da energia luminosa a energia elettrica. Oltre allintensit` a di illuminazione ci sono altri fattori che influenzano la corrente prodotta e lefficienza di conversione. Due sono i fattori importanti: lo spessore d di semiconduttore prima della giunzione (cio` e rivolto alla lu` ce) e lo spessore D dopo la giunzione (vedi figura 5.33). Se lo spessore d e troppo grande, la luce verr` a assorbita distante dalla regione di giunzione e, quindi, la corrente di diffusione verr` a ridotta a causa del maggior numero di ricombinazioni che si possono verificare prima di arrivare alla giunzione. ` troppo sottile ci sar` Daltro canto se d e a una probabilit` a minore che la luce venga assorbita a formare coppie elettrone/lacuna. Valori ottimali per d sono di circa 1 m, mentre lo spessore D dipende dallo spessore dei cristalli ` tipicamente di qualche centinaio di micrometri. che e ` la dipendenza dalla frequenza della luUn altro aspetto da considerare e ` monocromatica, ma ha un ce incidente, tipicamente luce solare, che non e ampio spettro di frequenze. In questo caso conviene scegliere materiali semiconduttori che abbiano un intervallo proibito E vicino allenergia della radiazione incidente cio` e vicino al valore dellenergia dei fotoni in corrispon` circa 2 denza del massimo della radianza spettrale, che per la luce solare e eV. Ricordando che lintervallo proibito di silicio (germanio) vale 1.14 (0.67) eV risulta chiaro il motivo per cui celle al silicio risultano pi` u efficienti di quelle al germanio, ma anche che semiconduttori di tipo differente, tipo i composti GaP o SiC possano risultare ancora pi` u efficienti. Le celle fotovoltaiche disponibili attualmente hanno unefficienza tipica di circa il 20%, con tensioni in uscita attorno a 0.6 V e potenze in uscita di

205

Capitolo 5

I semiconduttori

Banda di conduzione

Banda di valenza tipo n regione attiva tipo p

Figura 5.31: configurazione delle bande in un diodo-laser. I pallini rappresentano elettroni, i puntini bianchi le lacune.

circa 200 W per m2 di superficie illuminata. Efficienze record di circa il 45% sono state raggiunte recentemente, ma si tratta di prototipi. Nonostante lefficienza relativamente alta, al momento il costo dellelettri` superiore a quello dellelettricit` cit` a prodotta con celle fotovoltaiche e a prodotta con altre sorgenti, e ci` o non ne facilita la diffusione commerciale.

5.4.4

I rivelatori di particelle

Quando una particella carica attraversa uno strato di materiale essa pu` o, se possiede energia sufficiente, interagire con gli elettroni e ionizzare gli atomi al suo passaggio. Si pu` o allora evidenziare il passaggio di particelle cariche nella materia rivelando gli elettroni di ionizzazione che vengono prodotti lungo la traiettoria. A tale scopo si possono usare diversi dispositivi, ma un esempio ` dato dai interessante, per laccuratezza raggiungibile sulla misura spaziale, e cosiddetti rivelatori a microstrisce. In questo caso si usano dei cristalli di silicio drogati n su cui vengono formate delle micro-strisce fortemente drogate p (per cui si usa il simbolo p+ ), a formare un sistema di giunzioni p-n co-

206

Applicazioni

Capitolo 5

Luce

Elettroni in eccesso Lacune in eccesso

p + 0

Figura 5.32: rappresentazione schematica di una giunzione p-n colpita dalla luce.

d Luce

Elettroni in eccesso Lacune in eccesso

i
Figura 5.33: rappresentazione schematica di una cella fotovoltaica.

207

Capitolo 5

I semiconduttori

me in figura 5.34. Tali giunzioni sono polarizzate inversamente con tensioni relativamente elevate (V 100 V) in modo da produrre uno svuotamento totale della giunzione stessa, eliminando la presenza di cariche libere entro il semiconduttore. Particelle cariche che attraversano il cristallo producono un elevato numero di coppie elettrone-lacuna11 . Gli elettroni migrano verso lanodo (la parte n+ ) mentre le lacune migrano verso il catodo rappresentato dalle strisce p+ e vengono raccolte in tempi dellordine della decina di nanosecondi, originando una corrente sulla striscia. La coordinata della striscia percorsa da corrente (o il baricentro nel caso di pi` u strisce) d` a uninformazione sulla coordinata di passaggio della particella ionizzante con incertezze dellordine di qualche micrometro (per distanze tra strisce di qualche decina di micrometri).

5.4.5

Il regolatore di tensione

Quando si polarizza un diodo con una tensione inversa molto grande si pu` o raggiungere una regione detta di breakdown dove si verifica un brusco allontanamento dal comportamento descritto dalla curva caratteristica di figura 5.12, che diventa quella di figura 5.35. La differenza di potenziale resta fise la corrente non sa al valore VZ anche se la corrente varia molto, fintantoch scende al di sotto del valore i Z 0 . Il limite superiore sulla corrente tollerabile `, invece, dettato dalla capacit` e a del diodo di dissipare potenza elettrica. Un diodo che ha caratteristiche di dissipazione di potenza adeguate a operare nella regione di breakdown viene chiamato diodo Zener e usato come regolatore di tensione. Il meccanismo su cui si basano tali diodi ha a che fare con la realizzazione di grandi correnti elettriche inverse secondo due possibili modalit` a. In un caso (meccanismo a valanga) un portare minoritario generato termicamente cadendo dalla barriera di potenziale acquisisce energia cinetica
Tipicamente questi rivelatori hanno spessori di circa 300 m, e per essi vengono prodotte circa 3 104 coppie elettrone-lacuna.
11

208

Applicazioni

Capitolo 5

SiO2 p+ n+
+ + + e + + + +

Al

silicio di tipo n

V >0
Figura 5.34: rappresentazione schematica di un rivelatore di vertice a microstrisce. Le regioni p+ e n+ rappresentano porzioni di semiconduttore fortemente drogate rispetto al drogaggio della porzione n. Le strisce conduttrici di alluminio portano la corrente ai circuiti elettronici di lettura e sono isolate le une dalle altre dalle strisce di SiO2 .

sufficiente a urtare con uno ione nel cristallo e a rompere uno dei suoi legami covalenti. Si viene a produrre unaltra coppia elettrone-lacuna che pu` o a sua volta acquisire sufficiente energia da rompere un altro legame covalente. Si produrrebbe, cos` , un effetto a valanga che porta a grandi correnti inverse. La tensione di breakdown in questo caso viene a dipendere dal drogaggio: ` il drogaggio e minore e ` la tensione di breakdown. maggiore e Secondo unaltra modalit` a (meccanismo Zener), levento scatenante la va`, invece, la rottura diretta del legame a causa dellintenso campo eletlanga e ` intentrico applicato. Questo meccanismo predomina quando il drogaggio e so, lo spessore dello strato di svuotamento molto piccolo e, quindi, leffetto tunnel rilevante. Sfruttando le due modalit` a si possono ottenere dei diodi Zener in grado di mantenere una differenza di potenziale fissa a valori tra la decina e le centinaia di volt, con capacit` a dissipativa dellordine della decina di watt.

209

Capitolo 5

I semiconduttori

i VZ iZ0 V

iZ

Figura 5.35: curva caratteristica corrente-tensione per un diodo Zener.

5.5 Quesiti di riepilogo


1. Quali altri elementi, a parte fosforo (boro) possono essere usati per formare un semiconduttore drogato n (p)? 2. La conducibilit` a di un semiconduttore intriseco aumenta o diminuisce con la temperatura? Perch e? 3. Un semiconduttore intrinseco viene prima drogato con atomi donatori con concentrazione Nd e successivamente con atomi accettori con concentrazione N a . Se Nd = N a cosa succede al semiconduttore e alla sua conducibilit` a? 4. Quali sono i portatori maggioritari in un cristallo di silicio drogato con boro? 5. Per un semiconduttore drogato p allo zero assoluto, dove si trova lenergia di Fermi rispetto al centro dellintervallo proibito? 6. Quali propriet` a di un semiconduttore potrebbero essere determinate ricorrendo alleffetto Hall?
210

Quesiti di riepilogo

Capitolo 5

D2 R2

D1

Vin

R1

Vout

Figura 5.36: schema di circuito elettrico.

7. Come agiscono sul numero di elettroni liberi e di lacune i fenomeni di ricombinazione e di generazione termica? 8. Quali sono le due propriet` a principali che distinguono i semiconduttori dai conduttori? 9. Cosa succede alla regione di carica spaziale quando si aumenta la tensione di polarizzazione inversa in una giunzione p-n? 10. Cosa succede alla corrente di saturazione inversa di un diodo allaumentare della temperatura? Perch e? 11. Perch e la conducibilit` a di un semiconduttore aumenta allaumentare della temperatura mentre per un metallo si verifica lopposto? ` tipicamente maggiore per un diodo 12. La corrente di saturazione inversa e di silicio o uno di germanio? Perch e? ` il segno di iE , iC , VCB e VEB per un transistor p-n-p a base comune 13. Qual e in regione attiva? (Le correnti sono considerate positive se fluiscono verso il transistor).
211

Capitolo 5

I semiconduttori

C iC RB B RC VB iB VC E

Figura 5.37: schema di circuito elettrico.

5.6 Esercizi
1. Ricavare il numero di atomi di germanio per centimetro cubo e confrontare con il valore di tabella 5.1. 2. Ricavare la resistivit` a di un cristallo puro di germanio alla temperatura di 300 K e confrontarla con il valore sperimentale riportato in tabella 5.1. 3. Ricavare la resistivit` a di un cristallo di germanio, a temperatura ambiente, drogato con un atomo accettore ogni 106 atomi di germanio. 4. Che tipo di semiconduttore si ottiene drogando un cristallo di germanio con a) arsenico, b) gallio, c) indio, d) antimonio? 5. Calcolare il valore del coefficiente di Hall per germanio a temperatura ambiente. 6. Si risolva il circuito di figura 5.36 dove Vin = V0 sin t (V0 = 10 V), R1 = a) e 50 , R2 = 100 , R = 100 e per i due diodi Vs 0 V (per semplicit` Rd = 10 fino a 100 mA.

212

Esercizi

Capitolo 5

7. Si risolva il circuito di figura 5.37 ricavando il valore di iC . Si assuma che per il transistor p-n-p di silicio sia = 50. Si usi VB = 5 V, R B = 200 k, RC = 4 k, VC = 10 V e VBE = 0.7 V, ma prima si definisca il verso di VB e VC affinch e il transistor sia in regione attiva.

213

Capitolo 6 Diamagnetismo e paramagnetismo


Corpi solidi privi inizialmente di propriet` a magnetiche manifeste e posti in ` presente un campo magnetico altamente disuniforme una regione in cui e sono soggetti a una forza, piccola o grande a seconda dei casi, diretta nella di` maggiore (cio` rezione in cui la disuniformit` ae e nella direzione del gradiente del campo magnetico) o nel verso opposto. Se un tale fenomeno avviene vuol dire che il campo magnetico va a modificare le propriet` a magnetiche del corpo e, come si dice, lo magnetizza. In analogia con quanto avviene per la polarizzazione di un dielettrico, si immagina che vengano creati dei dipoli magnetici e che il corpo trasli a causa dellinterazione dei dipoli con il campo magnetico non uniforme. Per capire cosa stia alla base di un tale fenomeno andiamo a studiare le diverse modalit` a secondo le quali si produce la magnetizzazione tenendo presente che, come abbiamo visto nel capitolo 3, gli atomi possono possedere un momento di dipolo magnetico che dipende dal momento angolare orbitale e di spin dellatomo. Se un mezzo viene sottoposto a un campo magnetico esterno sono i dipoli magnetici contenuti nel volume che interagiscono con il campo producendo la magnetizzazione del materiale.

Capitolo 6

Diamagnetismo e paramagnetismo

6.1 Campo magnetizzante e magnetizzazione


Per affrontare largomento delle propriet` a magnetiche della materia si preferisce qui distinguere tra il campo magnetizzante H1 , che dipende solo dalle correnti libere, e il campo magnetico vero e proprio B, che dipende anche dalle cosiddette correnti di magnetizzazione presenti in un corpo immerso in un campo H. Fatta questa distinzione, il campo magnetico allinterno di un corpo viene a valere: (6.1) B = 0 H + 0 M dove M rappresenta la magnetizzazione del corpo, definita come il momento di dipolo magnetico netto per unit` a di volume, cio` e: M= = i i (6.2) V V dove la somma i va intesa come somma vettoriale di tutti i dipoli magnetici i contenuti entro il volume V. Ricavare la magnetizzazione di un mezzo qualsiasi pu` o essere una cosa complicata ma, in certi materiali magnetici dotati di una certa simmetria geometrica, la magnetizzazione risulta essere proporzionale al campo magnetizzante stesso secondo lespressione: M = m H (6.3)

` introdotta la quantit` dove si e a adimensionale m , chiamata suscettibilit` a 2 magnetica . In queste condizioni il campo magnetico totale risulta essere allora: B = 0 (1 + m )H = m 0 H
1

(6.4)

Il campo magnetizzante H detto anche intensit` a magnetica o induzione magnetica si ` la corrente totale misura in A/m e per esso la legge di Amp` ere diventa H d s = i c dove i c e (di cariche libere) concatenata con il percorso di integrazione. 2 ` una quantit` a adimensionale bisogna prestare ugualmente attenzione al Anche se m e sistema di unit` a usato perch e cambiano le equazioni che definiscono le grandezze fisiche ` B = 0 (H + M) mentre nel CGS si scrive B = H + 4 M, quindi, in gioco. Nel SI infatti e SI = 4 CG S .
216

Campo magnetizzante e magnetizzazione

Capitolo 6

` chiamata permeabilit` a magnetica relativa dove la quantit` a m = 1 + m e e caratterizza la risposta magnetica del mezzo rispetto a quella del vuoto. Studiando la magnetizzazione di corpi sottoposti a campo magnetizzante si scopre che esistono classi di materiali per cui la suscettibilit` a magnetica risulta essere piccola e negativa oppure piccola e positiva. Nel primo caso si ha a che fare con materiali detti diamagnetici, mentre nel secondo caso si parla di materiali paramagnetici. Esistono poi altre classi, tra le quali quella dei materiali ferromagnetici, in cui, invece, la suscettibilit` a assume valori positivi anche molto grandi. Tali materiali saranno per` o oggetto del prossimo capitolo. Data la piccolezza (in modulo) del valore della suscettibilit` a nei materiali diamagnetici e paramagnetici, possiamo assumere: B (6.5) B 0 H, M m 0 e, quindi, la suscettibilit` a stessa pu` o essere definita come: 0 M m = (6.6) B Per questi materiali risulta in genere pi` u semplice fare riferimento a B anzich e H, e cos` faremo nel seguito. La differenza tra il comportamento diamagnetico e quello paramagnetico dipende dalla presenza nel materiale di momenti di dipolo magnetici. Il diamagnetismo corrisponde allora al caso di assenza di magnetizzazione intrinseca e si verifica sostanzialmente nei materiali in cui tutti gli atomi hanno momento di dipolo magnetico nullo. Affinch e ci` o avvenga deve essere nullo sia il momento angolare orbitale L sia quello di spin S. Non essendoci dipoli magnetici permanenti per questi materiali si produce comunque, come vedremo pi` u avanti, una magnetizzazione estremamente debole che tende a ridurre il campo magnetico esterno. Se o L o S o entrambi sono non nulli allora gli atomi sono dotati di momento di dipolo magnetico che andr` a a interagire con il campo magnetizzante producendo una debole magnetizzazione del mezzo che aumenta il ` il caso dei materiali campo magnetico allinterno del mezzo stesso: questo e paramagnetici.
217

Capitolo 6

Diamagnetismo e paramagnetismo

Senza entrare nei dettagli osserviamo che, anche se si possono impostare dei ragionamenti classici per cercare di spiegare i fenomeni dia- e paramagnetici, una spiegazione corretta e coerente pu` o essere data solo dalla 3 meccanica quantistica .

6.2 Diamagnetismo
Il fenomeno del diamagnetismo, inizialmente osservato in corpi che venivano respinti da un magnete molto intenso, ha a che fare con la propriet` a delle cariche elettriche in moto entro gli atomi di schermare il corpo cercando di impedire alle linee del campo magnetico di entrare in esso. Ci` o pu` o essere 4 compreso alla luce della legge di Lenz per le correnti indotte. Dal punto di vista dellelettromagnetismo classico una corrente indotta, che va ad aggiungersi alla corrente associata a un elettrone orbitante attorno al nucleo, sarebbe equivalente alla sovrapposizione di un moto di precessione5 dellelettrone con frequenza angolare pari a quella di Larmor6: = L = eB 2m (6.7)

` il campo magnetico applicato al corpo e m la massa dellelettrodove B e ne. Se introduciamo il periodo del moto orbitale T = 1/ = 2 / allora la corrente dovuta agli Z elettroni dellatomo pu` o essere scritta come: i=
3 4

Ze eB Ze = T 2 2m

(6.8)

Gi` a Bohr aveva dimostrato ci` o nella sua tesi di dottorato (1911). La legge di Lenz per linduzione elettromagnetica prescrive che a seguito di una variazione di flusso magnetico si generi una corrente indotta che si oppone alla variazione stessa. 5` E il momento angolare dellelettrone a precedere attorno a B cos` come per una trottola o giroscopio in rotazione il suo asse di rotazione precede attorno alla verticale. 6 Il teorema di Larmor prescrive che, in presenza di campo magnetico, il moto degli elettroni attorno al nucleo sia lo stesso di quello in assenza di campo, con la sovrapposizione di un moto di precessione con frequenza angolare L .

218

Diamagnetismo

Capitolo 6

SOSTANZA Bismuto Germanio Oro Mercurio Argento Berillio Carbonio (diamante) Piombo Carbonio (grafite) Cloruro di sodio Rame Acqua Silicio Anidride carbonica (1 atm) Azoto (1 atm)

m (105 ) 16.6 7.1 3.4 2.9 2.6 2.3 2.1 1.8 1.6 1.4 1.0 0.9 0.4 1.1 103 5.4 104

Tabella 6.1: suscettibilit` a magnetica a temperatura ambiente per alcune sostanze diamagnetiche. (Ordinate per valori assoluti decrescenti).

e considerando la definizione di momento di dipolo magnetico = iA, ` larea dellorbita circolare, si ottiene: dove A = r 2 e = Ze 2 B 2 r 6m (6.9)

La formula fa riferimento a orbite in tre dimensioni anzich e in due e, ` diviso per 3/2 per tenere conto che il valore medio quindi, per ricavarla si e 2 ` 3/2 di quello in due dimensioni7 . Indichiamo esplidi r in tre dimensioni e citamente con il segno negativo il fatto che la magnetizzazione si oppone in verso al campo applicato.
In tre dimensioni r 2 3d = x 2 + y 2 + z 2 = 3x 2 per una distribuzione sferica di r 2 2 d . carica. In due dimensioni sarebbe r 2 2d = x 2 + y 2 = 2x 2 . Quindi r 2 3d = 3 2
7

219

Capitolo 6

Diamagnetismo e paramagnetismo

Considerando ora la presenza di n atomi per unit` a di volume la suscettibilit` a magnetica diventa: m = 0 nZe 2 2 0 n = r B 6m (6.10)

` stata qui ricavata seguendo detta formula di Langevin. Tale formula e argomentazioni proprie della fisica classica, ma la stessa espressione si otterrebbe seguendo i principi della meccanica quantistica. La suscettibilit` a magnetica di un corpo diamagnetico viene allora a dipendere dalla distribuzione spaziale degli elettroni entro latomo, cio` e dalla 2 o essere ricavata solo dalla meccanica quantistica. quantit` a r , che pu` Per fornire unidea della grandezza della magnetizzazione riportiamo in tabella 6.1 il valore della suscettibilit` a magnetica per alcune sostanze diamagnetiche; si tratta comunque di valori molto piccoli, tipicamente dellordine di 109 105. Il fatto che la suscettibilit` a magnetica delle sostanze diamagnetiche risulti negativa comporta una magnetizzazione che tende a ridurre allinterno del mezzo il campo magnetico applicato dallesterno. Ai fini pratici, data la pic` giustificati per` o ad assumere che nel mezzo B 0 H, come colezza di m , si e nel vuoto. Ci` o non impedisce che ci siano degli effetti macroscopici osservabili, infatti, in presenza di un campo magnetizzante non uniforme si sviluppa (vedi 3.53) una forza sul corpo diamagnetico opposta al gradiente del campo. Tutte le sostanze sono soggette agli effetti diamagnetici sopra descritti e sono intrinsecamente diamagnetiche. Esse restano tali a meno che altri fenomeni quali il paramagnetismo o il ferromagnetismo non prendano il sopravvento.

6.3 Paramagnetismo
Esistono dei materiali, detti paramagnetici, in cui gli atomi che li compongono sono dotati di momento di dipolo magnetico diverso da zero. Questo si

220

Paramagnetismo

Capitolo 6

pu` o verificare se gli atomi possiedono un numero dispari di elettroni di modo che il momento angolare orbitale o di spin risulti non nullo, oppure nel caso di atomi/ioni con un guscio interno parzialmente riempito8 come nel caso delle terre rare e degli attinidi. Altri esempi di materiali paramagnetici si trovano tra i metalli. In assenza di campo magnetico applicato dallesterno tutti i dipoli magnetici sono orientati a caso e, quindi, in un certo volume la somma vettoriale dei momenti di dipolo magnetico risulta nulla, come anche la magnetizzazione. La presenza di un campo magnetizzante esterno comporta, invece, uninterazione con i singoli dipoli magnetici, che tendono ad allinearsi con il campo esterno a causa del momento di forza: = B (6.11)

` perfetto perch ` ridotto dallagitaVa notato che lallineamento non e ee zione termica degli atomi che tende a riorientare in modo causale i dipoli atomici. ` comprensibile allora che, in generale, lallineamento tenda a essere magE giore in presenza di campi magnetizzanti intensi e per basse temperature. Il tendenziale allineamento dei dipoli magnetici comporta che la somma vettoriale dei momenti di dipolo magnetico in un certo volume di materiale risulti non nulla e di conseguenza risulti non nulla anche la magnetizzazione. Considerando il momento angolare totale J degli elettroni dellatomo, il momento magnetico risulta essere: = g B J (6.12)

dove il fattore g vale circa 2 per un elettrone dotato di spin, ma non di momento angolare orbitale. In generale invece per un atomo libero vale
In materiali con sottogusci parzialmente riempiti gli spin tendono a disporsi secondo le regole di Hund, in modo tale da (1) massimizzare il numero quantico di spin totale s , soddisfacendo al principio di esclusione, (2) massimizzare il numero quantico orbitale totale , consistentemente con s , e (3) con un numero quantico totale j che vale j = s o j = + s a seconda che lorbitale sia riempito meno o pi` u di met` a.
221
8

Capitolo 6

Diamagnetismo e paramagnetismo

U
g B B

mj = +3 2
1 mj = +2

U0

g B B
1 mj = 2

mj = 3 2

Figura 6.1: livelli energetici di un atomo sottoposto a campo magnetico, nel caso j = 3/2.

(equazione di Land e): g =1+ j ( j + 1) + s ( s + 1) ( + 1) 2 j ( j + 1) (6.13)

dove j, e s sono i numeri quantici associati rispettivamente al momento angolare totale, orbitale e di spin. ` sottoposto a un campo magnetico la sua Quando il dipolo magnetico e energia E cambia della quantit` a: U = B corrispondente allinterazione tra dipolo e campo magnetico. Chiamando z la direzione del campo magnetico risulta allora: U = z B = g B Jz B (6.15) (6.14)

Poich e la componente Jz del momento angolare totale assume i valori quantizzati m j , dove il numero quantico m j varia tra j e j con incrementi di una unit` a, lenergia del sistema atomico vale U = m j g B B e si scinde in 2 j + 1 livelli equispaziati, come descritto in figura 6.1.
222

Paramagnetismo

Capitolo 6

Nella maggior parte dei solidi si osserva solo paramagnetismo legato agli spin. Infatti, nei cristalli le orbite elettroniche sono fortemente accoppiate al reticolo e ci` o impedisce ai momenti di dipolo magnetico orbitali di allinearsi nella direzione del campo magnetico; si ha come uno spegnimento dei momenti angolari orbitali. Uneccezione a questo comportamento si trova negli elementi delle terre rare che mostrano lo stesso comportamento magnetico sia in fase liquida sia in fase solida. Trattiamo ora il caso semplice di un atomo i cui elettroni sono dotati solo di spin e hanno momento angolare orbitale nullo. In questo caso ( g = 2, j = s = 1/2 e m j = 1/2) vale U = B B e si ha la scissione in solo due sottolivelli aventi energia: (6.16) E = E + U e E = E U dove il primo valore si riferisce a uno spin parallelo al campo magnetico (spin su), mentre il secondo riguarda uno spin antiparallelo rispetto a B (spin gi` u). Se abbiamo n atomi per unit` a di volume essi si distribuiscono tra i due 9 livelli con probabilit` a che sono proporzionali al fattore: e E/kT (6.17)

quindi, il numero di atomi, per unit` a di volume, con spin allineato al campo B sar` a dato da: (6.18) n = Ae E /kT mentre quello degli atomi con spin antiparallelo sar` a: n = Ae E

/kT

(6.19)

` una costante di proporzionalit` ` la stessa nei due casi. dove A e a che e Poich e deve essere: (6.20) n + n = n
` un risultato della meccanica statistica secondo il quale allequilibrio termico alQuesto e ` tale che il nula temperatura T la distribuzione statistica di particelle su vari stati energetici e mero N i di particelle nello stato di energia E i risulta proporzionale a e E i / kT (distribuzione di Boltzmann).
223
9

Capitolo 6

Diamagnetismo e paramagnetismo

allora la costante di proporzionalit` a assume il valore: A= e E /kT n + e E /kT (6.21)

Data la carica elettrica negativa degli elettroni, gli atomi con lo spin su contribuiscono con un momento magnetico con componente , mentre quelli con spin gi` u contribuiscono con + . Il momento magnetico medio vale allora: n ( ) + n ( ) (6.22) = n cio` e: = ( e E /kT n n E /kT E /kT + E /kT ) /n / kT e / kT e E E +e e +e

e E /kT + e E /kT = E /kT (6.23) e + e E /kT che, in seguito allintroduzione dei valori dei sottolivelli energetici, diventa: e E/kT e U /kT + e E/kT e U /kT = E/kT U /kT e e + e E/kT e U /kT = e B B/kT e B B/kT e U /kT e U /kT = e U /kT + e U /kT e B B/kT + e B B/kT (6.24)

formula usata nel caso di solo spin. ` definita come il momento magnetico per unit` La magnetizzazione e a di volume, quindi: M = n = n B B e B B/kT e B B/kT ) = n tanh ( e B B/kT + e B B/kT kT (6.25)

Questa espressione, detta formula paramagnetica di Langevin, descrive la magnetizzazione in funzione del rapporto B/ kT . Tale funzione ha il comportamento crescente descritto in figura 6.2, in accordo con le misure sperimentali.

224

Paramagnetismo

Capitolo 6

Notiamo che nel caso in cui B B kT (vedi esempio 1) la tangente iperbolica tanh( B B/ kT ) tende al valore B B/ kT (vedi esempio 2) e, quindi, la magnetizzazione risultante per n atomi per unit` a di volume diventa: 2 B B B =n B M n kT kT (6.26)

poich e (per elettroni dotati solo di spin) = B . La suscettibilit` a magnetica vale allora: C 0 M 0 n 2 B = = m (6.27) B kT T ` proporzionale al dove la costante C = 0 n 2 B / k , detta costante di Curie, e numero di atomi per unit` a di volume. Ricordiamo che questa formula, detta legge di Curie10 in onore di Pierre ` stata ricavata assumendo che gli elettroni avessero solo momento Curie11 , e angolare di spin. Nel caso generale, invece, in cui essi abbiano anche momento angolare orbitale le cose vanno modificate tenendo conto del fattore di Land e g 2 e del fatto che i dipoli magnetici sono liberi di ruotare. Si ottiene ancora una suscettibilit` a magnetica inversamente proporzionale alla temperatura, secondo lespressione: m =
2 0 nn2 0 ng 2 j( j + 1) 2 B B B = 3kT 3kT

(6.28)

` il numero effettivo di magnetoni di Bohr. dove nB = g j( j + 1) e La legge di Curie prevede che la magnetizzazione cresca indefinitamente al crescere del campo magnetizzante. Ci` o ovviamente non pu` o essere vero infatti, come scritto in (6.2), la magnetizzazione di un corpo dipende dalla somma vettoriale dei singoli momenti di dipolo magnetico. Allaumentare dellintensit` a del campo magnetizzante lallineamento dei dipoli aumenta,
La legge di Curie, ricavabile classicamente, contiene in realt` a un fattore 3 a denominatore, a differenza della formula quantistica. 11 Pierre Curie (1859-1906), fisico francese vincitore nel 1903 del Premio Nobel per la Fisica assieme alla moglie Maria Sklodowoska-Curie e Henri Becquerel per la scoperta della radioattivit` a.
10

225

Capitolo 6

Diamagnetismo e paramagnetismo

M /Ms
1 0.75 0.5 0.25 0 0 1 2 3 4

B/T (T/K)

Figura 6.2: rapporto M / M s in funzione del rapporto B/T . Si noti il raggiungimento della condizione di saturazione, lallontanamento dalla legge di Curie (linea tratteggiata) e laccordo tra la formula paramagnetica di Langevin (linea continua) e i dati sperimentali ().

ma nel momento in cui tutti sono esattamente allineati avremmo che la magnetizzazione raggiunge il suo valore massimo Ms , chiamato magnetizzazione di saturazione, che non pu` o aumentare in seguito a un ulteriore aumento del campo magnetizzante. Il raggiungimento della condizione di saturazione viene favorito dallaumentare del campo magnetizzante, ma viene contrastato da un aumento di temperatura. La legge di Curie, nella forma (6.27) o (6.28), vale solo quando il cor` lontano dalla condizione di saturazione. Unanalisi completa secondo po e i principi della meccanica quantistica porta invece, a partire dalla formula paramagnetica di Langevin, a unespressione in perfetto accordo con i risultati sperimentali, come mostrato in figura 6.2. Il comportamento di 1/ m in funzione della temperatura segue comunque una dipendenza lineare, come verificato sperimentalmente in un ampio intervallo di temperature, da pochi gradi fino a qualche centinaio di gradi kelvin. Osserviamo che per i materiali paramagnetici la suscettibilit` a magnetica m assume valori piccoli ma positivi, nel senso che la magnetizzazione totale del campione risulta avere lo stesso verso del campo magnetizzante. In tabella 6.2 riportiamo il valore della suscettibilit` a per alcune sostanze paramagnetiche a temperatura ambiente.
226

Paramagnetismo

Capitolo 6

SOSTANZA Ossido ferroso (FeO) Biossido di manganese (MnO2 ) Ossido ferrico (Fe2 O3 ) Solfuro di ferro (FeS) Uranio (*) Cromo (*) Platino (*) Tungsteno (*) Alluminio (*) Litio (*) Magnesio (*) Sodio (*) Ossigeno (gas)

m (105 ) 720 160 150 70 40 33 26 6.8 2.2 1.4 1.2 0.7 0.2

Tabella 6.2: suscettibilit` a magnetica a temperatura ambiente per alcune sostanze paramagnetiche. (Ordinate per valori decrescenti). Le sostanze indicate con (*) sono di tipo metallico e per esse non vale la legge di Curie.

6.3.1

Suscettibilit` a magnetica per gli elettroni di conduzione

Nel caso degli elettroni di conduzione di un metallo, la teoria classica degli elettroni liberi prevederebbe una magnetizzazione del tipo (6.26), cio` e inversamente proporzionale alla temperatura. Sperimentalmente si osserva, invece, che nel caso della maggior parte di metalli la magnetizzazione risulta essere indipendente dalla temperatura, risultato in netto disaccordo con la legge di Curie. Inoltre, la suscettibilit` a assume valori uno o due ordini di grandezza pi` u piccoli rispetto a quella dei materiali paramagnetici non metallici. Un calcolo corretto dal punto di vista della meccanica quantistica richiederebbe lutilizzo della distribuzione di Fermi-Dirac descritta nel capitolo 4. Come gi` a visto precedentemente, lapplicazione di un campo magnetico
227

Capitolo 6

Diamagnetismo e paramagnetismo

comporta laumento (o diminuzione) dellenergia totale del singolo elettrone della quantit` a B per gli elettroni con momento magnetico antiparallelo (o parallelo) al campo, come evidenziato in figura 6.3-b. Successivamente, transizioni dagli stati a energia maggiore a quelli a energia minore portano il sistema alla situazione di equilibrio, rappresentata in figura 6.3-c. Le transizioni si sono verificate solamente per elettroni vicini allenergia (o teme solamente gli elettroni vicini a EF sono peratura) di Fermi EF (o TF ) perch in grado di riallineare i loro spin nella direzione del campo magnetico. ` che solo una frazione T /TF degli elettroni di conduzione Il risultato e contribuisce alla magnetizzazione, riducendo cos` il valore della suscettibilit` a. Il valore fornito da (6.26) andrebbe allora moltiplicato per T /TF , eliminando la dipendenza dalla temperatura. Il calcolo completo12 fornisce: M= 3 n 2 BB 2 kTF (6.29)

detta magnetizzazione di spin di Pauli: conseguentemente la suscettibilit` a non viene pi` u a dipendere dalla temperatura. Rispetto alle altre sostanze paramagnetiche a temperatura ambiente la suscettibilit` a viene ridotta di un 2 a magnetica fattore TF /T 10 . Lesempio 5 discute il valore della suscettibilit` per un paramagnete metallico come il litio.

6.3.2

Smagnetizzazione adiabatica

Il metodo di smagnetizzazione adiabatica merita di essere discusso perch e, come suggerito da Debye nel 1926, esso consente di ottenere temperature dellordine del millesimo di grado kelvin e anche minori. Il metodo si basa sulleffetto magneto-calorico riguardante il fatto che, nel caso di un sistema di dipoli magnetici in equilibrio a una data temperatu` data dalla Bisognerebbe anche tenere conto del fatto che la magnetizzazione totale e somma del termine paramagnetico con quello diamagnetico sempre presente. Se si tiene conto di ci` o la magnetizzazione totale va moltiplicata per un fattore 2/3 e, quindi, sarebbe 2 M tot = n B B/ kTF .
12

228

Paramagnetismo

Capitolo 6

N (E)

N (E)

N (E)

EF

a)

b)

c)

Figura 6.3: occupazione degli orbitali per elettroni con momento magnetico antiparallelo (sopra) o parallelo (sotto) al campo magnetico. Da sinistra verso destra viene rappresentata la situazione a) prima dellapplicazione del campo magnetico, b) subito dopo e c) una volta raggiunto lequilibrio.

ra, lentropia13 del sistema diminuisce in seguito allapplicazione di un campo ` dovuto al fatto che dipoli magnetici allineati corrisponmagnetico. Ci` oe dono a dipoli magnetici ordinati e, quindi, con minore entropia. Daltro canto la diminuzione della temperatura produce anchessa una diminuzione dellentropia perch e facilita lallineamento dei dipoli magnetici. Ricordiamo che i processi adiabatici non comportano variazioni di entropia, quindi, se mantenendo il campione isolato termicamente, eliminiamo lentamente14 il campo magnetico, laumento atteso di entropia deve essere compensato da unequivalente diminuzione che pu` o essere ottenuta solo attraverso la diminuzione della temperatura. Lentropia del sistema viene a dipendere dal rapporto B/T tra campo magnetico e temperatura. Se lentropia deve rimanere costante e se il campo magnetico viene fatto diminuire allora diminuisce anche la temperatura.
Dal punto di vista della meccanica statistica lentropia misura il grado di disordine di ` massima quando il disordine e ` massimo. un sistema ed e 14 La riduzione del campo magnetico deve essere fatta in modo graduale perch e lenergia termica pu` o essere trasferita oltre che ai dipoli magnetici anche al reticolo atomico. Ad alta temperatura domina il reticolo atomico mentre a bassa temperatura diventa rilevante il contributo dei dipoli magnetici. Si vuole allora cambiare lentamente le condizioni esterne per mantenere equilibrio tra il reticolo e i dipoli.
13

229

Capitolo 6

Diamagnetismo e paramagnetismo

` tanto pi` Il meccanismo di raffreddamento e u efficace quanto pi` u for` lallineamento dei dipoli. Usando questa tecnica si possono ottenere te e temperature molto basse, dellordine del millesimo di grado kelvin. Va osservato che i dipoli magnetici non sono completamente indipendenti luno dallaltro, ma i campi magnetici che essi stessi producono influen` nullo, zano i dipoli vicini. Ne deriva che, anche quando il campo esterno e ciascun dipolo individuale sente comunque il piccolo campo magnetico dei dipoli vicini. Quindi, anche se si elimina completamente il campo esterno, allinterno del corpo il campo non si annulla totalmente e non si annulla totalmente neppure la temperatura. Ci` o comporta il fatto che non si riesca ad andare al di sotto di una certa temperatura. I momenti magnetici nucleari sono molto pi` u deboli di quelli atomici e, quindi, interagiscono tra loro molto meno, con una tendenza minore allautoallineamento. Di conseguenza lapplicazione del metodo della smagnetizzazione adiabatica dei nuclei consentirebbe il raggiungimento di temperature ancora pi` u piccole, dellordine del milionesimo di grado kelvin. Questo risultato pu` o venire raggiunto, per` o, solo impiegando campi magnetici molto intensi, necessari per allineare i deboli momenti magnetici nucleari e partendo da una temperatura di qualche millesimo di grado kelvin, ottenuta per smagnetizzazione atomica.

6.3.3

Esempi

1. Confrontare lenergia di interazione tra un dipolo magnetico (di spin) di un elettrone e un campo magnetizzante di intensit` a H = 106 A/m con lenergia termica a temperatura ambiente. Innanzitutto osserviamo che il campo magnetizzante corrisponde a un ` parecchio intenso. valore di B 1 T, quindi, e Il momento di dipolo magnetico dellelettrone vale (vedi (3.59)): = B = 9.27 1024 J/T ` data da: mentre lenergia di interazione e U = B = ( 0 H)
230

Paramagnetismo

Capitolo 6

che al massimo assume un valore 0 H = 1.17 1023 J, corrispondente ` effettivamente molto pi` u piccola (di un fattore a 7.3 105 eV. Tale energia e 400 circa) dellenergia termica kT = 0.026 eV. Lapprossimazione usata per `, quindi, giustificata. ottenere la formula (6.26) e 2. Ricavare lespressione approssimata della magnetizzazione di un materiale paramagnetico quando B B kT. Definiamo x = B B/ kT . Se B B kT allora x 1 e possiamo approssimare la funzione esponenziale con e x 1 + x . Allora: e U /kT e U /kT 1 + U / kT 1 + U / kT U = U / kT U / kT e +e 1 + U / kT + 1 U / kT kT Quindi: M = n cio` e lespressione (6.26). 3. Valutare lordine di grandezza della suscettibilit` a magnetica di un materiale paramagnetico non metallico a temperatura ambiente, avente n = 1028 atomi per metro cubo. Supponiamo che non ci sia nessuna interazione tra gli elettroni dello stesso atomo e degli atomi diversi e supponiamo che ci sia (dellordine di) un dipolo magnetico per ciascun atomo, avente momento = B . Sostituiamo i valori numerici nella formula (6.27) ottenendo: m = 4 107 1028 (9.3 1024 )2 = 2.6 104 23 1.38 10 300 B B U = n kT kT

` dellordine di grandezza dei che, nonostante le approssimazioni fatte, e valori di suscettibilit` a magnetica osservati. 4. Per un certo sale paramagnetico di cromo (s = 3/2, = 0) si misura un momento magnetico i per ione pari a circa 1.0 B quando il rapporto B/T = 0.3 T/K. Verificare che tale misura risulta in accordo con la formula (6.28). La definizione della magnetizzazione data dalla formula (6.2) corrisponde a un momento magnetico per ione i = / N dove N sarebbe il numero
231

Capitolo 6

Diamagnetismo e paramagnetismo

di ioni presenti in un certo volume V. Del resto = M V, quindi: MV M = i = N n ` il numero di ioni per unit` dove n e a di volume. Ricorrendo alla (6.28) si ottiene: B B M n2 = B B i = n 3k T ` abbastanza pi` visto che B B/ kT = 0.2 e u piccolo di 1. Il numero effettivo di magnetoni di Bohr vale nB = g s (s + 1) = 3.9 e perci` o M 3.92 9.3 1024 = 0.3 B = 1.0 B i = n 3 1.38 1023 in accordo con losservazione sperimentale. 5. Ricavare la suscettibilit` a del litio (n = 4.6 1028 atomi/m3 , TF = 5.5 104 K). Essendo il litio un metallo, ricorriamo alla formula di Pauli (6.29) che corrisponde a una suscettibilit` a 3 n 2 m = 0 B 2 kTF e sostituendo i valori numerici si ottiene: 3 4 107 4.6 1028 (9.3 1024 )2 = 1 105 m = 2 1.38 1023 5.5 104 ` vicino al valore riportato in tabella 6.2. La discrepanza tra i due valori e attribuibile allaver trascurato le interazioni elettrone-elettrone. Se avessimo usato invece la legge di Curie (6.27) avremmo ottenuto un u grande di quanto osservato sperivalore m = 1.2 103 circa 100 volte pi` mentalmente.

6.4 Applicazioni
In questo capitolo saranno discusse due applicazioni interessanti: la tecnica di raffreddamento adiabatico, indispensabile per portare dei campioni a temperature estremamente basse, e la levitazione diamagnetica in cui, senza contatto alcuno, sarebbe possibile sollevare corpi di dimensioni piccole.
232

Applicazioni

Capitolo 6

6.4.1

Raffreddamento adiabatico

` quella tecnica che consente di raggiungere Il raffreddamento adiabatico e temperature prossime allo zero assoluto sfruttando leffetto magneto-calorico. Il raffreddamento adiabatico pu` o essere realizzato secondo il seguente ciclo: 1. Magnetizzazione adiabatica. Si parte ponendo la sostanza refrigerante in un ambiente isolato e si applica un campo magnetico crescente che allinea i dipoli. Questo processo adiabatico non comporta una variazione dellentropia totale, quindi, la diminuzione dellentropia magne` compensata da un aumento di entropia termica e da un riscaltica e damento della sostanza refrigerante. 2. Trasferimento isomagnetico. In questa fase si riporta la sostanza refrigerante alla temperatura originaria raffreddandola attraverso il contatto con un fluido (ad esempio, elio liquefatto), ma mantenendo costante il campo magnetico in modo che i dipoli non perdano lallineamento. ` staQuando il calore in eccesso, accumulato nella fase precedente, e to rimosso, si isola nuovamente la sostanza refrigerante dal fluido di raffreddamento. ` la fase in cui avviene il vero 3. Smagnetizzazione adiabatica. Questa e raffreddamento. Mantenendo la sostanza refrigerante in condizioni adiabatiche, si riduce il campo magnetico con conseguente perdita dellallineamento dei dipoli. Il disallineamento dei dipoli comporta un aumento dellentropia magnetica che viene bilanciato da una riduzione dellentropia termica attraverso la riduzione della temperatura della sostanza refrigerante. 4. Trasferimento isomagnetico. Per prevenire il riscaldamento della sostanza refrigerante si mantiene costante il campo magnetico. Si pone il campione da raffreddare in contatto con la sostanza refrigerante determinando un trasferimento di calore dal primo alla seconda fino al raggiungimento dellequilibrio termico a una certa temperatura.
233

Capitolo 6

Diamagnetismo e paramagnetismo

A questo punto il ciclo pu` o ripartire per un ulteriore raffreddamento. Per il raffreddamento adiabatico sono stati inizialmente impiegati dei sali paramagnetici per i quali si possono ottenere temperature da 1 a 100 mK con campi magnetici dellordine di 1 tesla. Pi` u recentemente si preferisce impiegare come sostanza refrigerante il gadolinio (sostanza ferromagnetica, vedi il prossimo capitolo) o sue leghe, che consentono un raffreddamento pi` u efficace.

6.4.2

Levitazione diamagnetica

Il moto relativo tra due corpi (ad esempio, un oggetto che scorre su un tavolo) ` ostacolato dagli attriti dovuti al contatto tra di essi. Luso di lubrificanti e riduce lattrito, ma non lo elimina. Se si potesse eliminare del tutto il contatto si potrebbe eliminare lattrito, la dissipazione di energia, il riscaldamento dei corpi e lusura degli stessi. Tutto ci` o verrebbe realizzato se si potesse fare levitare un corpo rispetto allaltro, e le forze magnetiche rappresentano dei possibili candidati per questo scopo. Due magneti aventi polarit` a uguale (o opposta) si respingono (o attraggono) con una forza che cresce al diminuire della distanza tra i magneti. Questa repulsione farebbe immaginare di poter costruire con facilit` a dispositivi di levitazione magnetica, con assenza di attriti meccanici, in cui la forza di gravit` a viene bilanciata dalla forza magnetica. Il problema consiste, per` o, 15 a in tali sistemi e nella necessit` a di un bilanciamento nellassenza di stabilit` perfetto tra forza gravitazionale e magnetica, bilanciamento che pu` o essere fornito da un sistema attivo che risponda velocemente a cambiamenti delle distanze relative variando il campo magnetico. Un altro modo di ottenere levitazione sfrutta, invece, le propriet` a dei ma`, infatti, un fenomeno dinamico nel teriali diamagnetici. Il diamagnetismo e senso che la magnetizzazione cambia al variare del campo magnetico16 , inolS. Earnshaw dimostr` o (teorema di Earnshaw) nel 1842 che per corpi che interagiscono con forze proporzionali a 1/r 2 non possono esserci posizioni di equilibrio stabili. 16 In questo caso linterazione non viene pi` u a dipendere da 1/r 2 e non vale pi` u il teorema di Earnshaw.
234
15

Quesiti di riepilogo

Capitolo 6

tre i materiali diamagnetici vengono respinti dal campo magnetico e attirati da minimi locali. In tali posizioni si pu` o ottenere stabilit` a sia verticale sia orizzontale, requisito fondamentale per la levitazione. Nella pratica si sfruttano dei sistemi ibridi in cui magneti permanenti intensi forniscono il grosso della forza di sollevamento, mentre materiali diamagnetici, opportunamente posizionati, forniscono la stabilit` a necessaria controbilanciando le piccole perturbazioni rispetto alla condizione di equilibrio.

6.5 Quesiti di riepilogo


1. Atomi dotati di sottogusci completamente riempiti possono essere paramagnetici? ` una buona appros2. La legge di Curie (6.27) per materiali paramagnetici e simazione per valori piccoli o grandi di B/T ? 3. La saturazione magnetica in materiali paramagnetici avviene per valori piccoli o grandi di B/T ? 4. Si pu` o parlare di saturazione per materiali diamagnetici? 5. La magnetizzazione di un materiale diamagnetico varia sensibilmente con la temperatura? 6. Perch e con la smagnetizzazione adiabatica dei nuclei si possono raggiungere temperature pi` u basse rispetto a quelle ottenibili con la smagnetizzazione atomica?

6.6 Esercizi
1. Valutare lordine di grandezza della suscettibilit` a magnetica del rame, assumendo come raggio medio il raggio di Bohr (0.53 1010 m), conoscendo la densit` a ( = 8.6 g/cm3) e la massa atomica (A = 63.5).
235

Capitolo 6

Diamagnetismo e paramagnetismo

2. Per un certo sale paramagnetico di ferro (s = 5/2, = 0, nB = 5.9) si misura un momento magnetico per ione pari a circa 1.7 B quando il rapporto B/T = 0.2 T/K. Verificare che tale misura risulta in accordo con la formula (6.28). 3. Per un certo sale paramagnetico di gadolinio si misura un momento magnetico per ione pari a circa 7 B quando il rapporto B/T = 4 T/K. In assenza di momento angolare orbitale, quanto dovrebbe valere quello di spin? 4. Per un atomo a temperatura ambiente con due livelli energetici separati di E = 0.6 103 eV, valutare il rapporto n /n tra il numero di atomi (per unit` a di volume) con spin allineato e antiallineato rispetto al campo magnetico. 5. Per un certo sale di rame composto dallo ione Cu2+ si misura un numero effettivo di magnetoni di Bohr nB = 1.9. Confrontare il valore di n B previsto per j = 5/2 (cio` e = 2, s = 1/2) con quello che si ottiene per s = 1/2 e = 0.

236

Capitolo 7 Ferromagnetismo
Esiste una classe di materiali, detti ferromagnetici, per i quali si pu` o avere magnetizzazione anche in assenza di campo magnetizzante esterno. Questo fatto suggerisce che in questi materiali i momenti angolari orbitali o di spin degli elettroni e i momenti magnetici corrispondenti siano orientati secondo una direzione privilegiata e che mantengano tale orientamento in assenza di campo esterno. Comportamenti simili si osservano anche in altre classi di materiali, detti ferrimagnetici e antiferromagnetici

7.1 Ferromagnetismo
Sperimentalmente si osserva che la magnetizzazione spontanea dei materiali ferromagnetici varia con la temperatura essendo massima per temperature vicine allo zero assoluto e diventando nulla in corrispondenza di una temperatura TC detta temperatura di Curie. Al di sopra di tale temperatura il materiale perde, infatti, la magnetizzazione spontanea e si comporta effettivamente come un paramagnete con suscettibilit` a magnetica data dalla legge 1 di Curie-Weiss : C m = (7.1) T TC che, rispetto alla legge di Curie (6.27), presenta una singolarit` a per T = TC .
1

Un calcolo pi` u dettagliato fornirebbe una dipendenza m 1/(T TC ) dove 1.33.

Capitolo 7

Ferromagnetismo

In questo senso la temperatura di Curie separa la fase disordinata paramagnetica (T > TC ) da quella ordinata ferromagnetica (T < TC ). Questa e altre propriet` a dei materiali ferromagnetici possono essere spie` in grado di spiegate attraverso i principi della meccanica quantistica che e gare anche perch e, tra tutti gli elementi, solo ferro, cobalto, nichel, gadolinio e disprosio risultano avere propriet` a ferromagnetiche. Gli elementi Fe, Co e Ni sono elementi di transizione la cui configurazione orbitale presenta il sottoguscio 3d parzialmente riempito. Per essi la ` dovuta agli spin piuttosto che ai momenti angolari orbimagnetizzazione e tali, con gli spin allineati parallelamente. Infatti, due elettroni dellorbitale 3d , aventi spin parallelo, tendono a stare pi` u distanti tra di loro e, quindi, la ` lenergia di tutto loro energia coulombiana risulta essere minore; e minore e latomo. Laccoppiamento tra gli spin degli elettroni che li porta ad allinearsi parallelamente viene chiamato interazione di scambio (o campo molecolare HM o campo di Weiss) e, grazie a essa, il singolo atomo, ad esempio, di ferro, assume un momento magnetico permanente. Linterazione di scambio viene trattata secondo unapprossimazione di campo medio supponendo che ciascun dipolo interagisca con il campo medio prodotto da tutti gli altri dipoli. Ci` o comporta che lintensit` a dellinterazione sia proporzionale alla magnetizzazione, cio` e: (7.2) HM = M ` una costante indipendente dalla temperatura. Questo campo dove e molecolare H M va a sommarsi al campo applicato H a , in modo da avere un campo magnetizzante totale pari a: H = Ha + H M = Ha + M
p

(7.3)

La suscettibilit` a per un paramagnete era definita come m = 0 M /B e p valeva (vedi la (6.27)) m = C /T in funzione della costante di Curie C . In questo caso si ricava allora: m =
p

0 M 0 M M C = = = B 0 H H a + M T

(7.4)

238

Ferromagnetismo

Capitolo 7

che diventa:

C (H a + M ) T Ricavando la magnetizzazione M otteniamo: M= M= CH a T C

(7.5)

(7.6)

M C (7.7) = H a T C ` proprio il comportamento descritto dalla (7.1), se si assume TC = che e C. Ricorrendo poi alla (6.28) si ottiene per la costante il valore: m = = 3 kTC 2 0 nn2 B B (7.8)

e, quindi:

` che ogni dipolo magnetico La conseguenza dellinterazione di scambio e risente della magnetizzazione media dovuta agli altri dipoli. Notiamo che linterazione di scambio ha la dimensione di un campo magnetizzante e nei ferromagneti viene ad assumere, tipicamente, valori dellordine di circa 109 A/m, corrispondenti a campi magnetici dellordine di 103 tesla. Osserviamo, inoltre, che, anche se ha la dimensione di un campo magnetizzante, questa interazione non ha origine magnetica (vedi esempio 1), ma viene originata da effetti quantomeccanici2 . Nel caso di un reticolo cristallino si sviluppa uninterazione di scambio anche tra atomi adiacenti, con conseguente accoppiamento degli spin, e la configurazione con minore energia corrisponde al caso in cui gli spin di coppie di atomi adiacenti risultano essere paralleli (o antiparalleli). Gli elementi di transizione hanno i 5 livelli 3d sovrapposti a formare una banda energetica relativamente stretta perch e si tratta di un sottoguscio in` completamente occupata ci sono 5 elettroni terno. Quando questa banda e con spin su e 5 elettroni con spin gi` u. Gli stati con spin su e con spin gi` u
Lantisimmetria a cui deve essere soggetta la funzione donda degli elettroni in quanto fermioni comporta delle modalit` a di interazione tra gli elettroni che corrispondono a un accoppiamento tra i momenti magnetici intrinsechi.
239
2

Capitolo 7

Ferromagnetismo

formano due bande parziali che per` o vengono alzate e abbassate in energia dallinterazione di scambio. Daltro canto lasimmetria nelloccupazione dei livelli comporta una differenza energetica e, infatti, le regole di Hund prescrivono che venga massimizzato lo spin totale. Considerando questi due meccanismi in competizione, gli elettroni di un sottoguscio 3d parzialmente riempito vanno a popolare i livelli pi` u bassi in energia, compatibilmente con il principio di esclusione di Pauli. Nel caso di ferro, cobalto e nichel la com` tale che una delle due bande parziali risulta essere petizione tra i due effetti e totalmente riempita mentre laltra no. Conseguentemente il materiale pos` quindi, il siede una magnetizzazione spontanea particolarmente grande. E, modo in cui sono occupati i livelli 3d a separare un elemento ferromagnetico da uno no, come nel caso di ferro e rame (vedi esempio 2). Requisito fondamentale per il funzionamento dei meccanismi che por` che la banda di valenza non sia troppo ampia, ma tano al ferromagnetismo e allo stesso tempo che ci sia una una buona sovrapposizione spaziale tra le funzioni donda di elettroni in atomi diversi in modo da avere interazione di ` effettivamente soddisfatto per i succitati elementi scambio. Tale requisito e di transizione Fe, Co e Ni, cos` come dalle terre rare. Ci` o pu` o essere verificato ricorrendo a una trattazione quantomeccanica del ferromagnetismo che pu` o essere semplificata considerando il problema di una coppia di atomi solamente. In questo caso linterazione di scambio contiene linterazione tra i due nuclei, tra i due elettroni e tra ciascun nucleo e gli elettroni vicini. Risolvendo lequazione di Schr odinger corrispondente si ottiene una quantit` a contenente le autofunzioni , del tipo: Isc = n (1)n (2)n (2)n (1) [ r 1
nn

1 r n2

1 r n 1

1 ] d r12

(7.9)

detta integrale di scambio e descritta da una curva detta curva di Bethe` la distanza tra i due Slater3 rappresentata in figura 7.1. Nellequazione, r12 e elettroni, rnn la distanza tra i due nuclei e rn 1 o rn2 la distanza tra un nucleo
Hans A. Bethe (1906-2005), fisico tedesco-americano vincitore del Premio Nobel per la Fisica nel 1967 per la sua teoria sulla nucleosintesi stellare. John C. Slater (1900-1976), fisico e chimico statunitense.
3

240

Ferromagnetismo

Capitolo 7

Isc + Co Fe Mn Cr Ni Gd r nn /r d

Figura 7.1: andamento dellintegrale di scambio in funzione del rapporto r nn /r d , e curva di ` il valore medio delle ` r nn /r f dove r f e Bethe-Slater. (Per il gadolinio la variabile in ascissa e orbite f .

`, quindi, un elementino di e gli elettroni vicini. Lintegrale di volume (d e volume) viene calcolato scambiando tra di loro le coordinate (1) e (2) degli elettroni. Un valore positivo per Isc significa che gli spin paralleli sono energeticamente favoriti rispetto agli spin antiparalleli e di conseguenza il materiale si comporta da ferromagnetico. Ci` o avviene, ad esempio, quando la distanza r12 diventa piccola rispetto alla distanza internucleare. Il materiale risulta ` il raggio medio degli orbitali ferromagnetico quando rnn /rd 3.0 dove rd e d. Guardando ai valori dellintegrale di scambio rappresentati in figura 7.1 si vede che cromo e manganese non sono metalli ferromagnetici mentre gli altri s` . Andando a misurare sperimentalmente la magnetizzazione di saturazione in funzione della temperatura (vedi figura 7.2) si nota che essa diminuisce allaumentare di T fino a raggiungere un valore nullo per T = TC . Il comportamento sperimentale pu` o essere riprodotto abbastanza bene andando a sostituire nella formula (6.25) al posto del campo magnetico B il valore

241

Capitolo 7

Ferromagnetismo

dellinterazione di scambio che risulta come gi` a detto proporzionale alla ma` possibile visto che tipicamente H a H M . Si ottiene gnetizzazione M ; ci` oe allora: M 0 M M = n tanh( B 0 ) = n tanh( ) (7.10) kT n B kT dove n B = / B . Riscriviamo lespressione sostituendo TC = n 2 0 / k , ottenendo4 : 1 M TC ) (7.11) M = n tanh( n B n T per temperature comprese tra 0 e TC . Considerando che n rappresenta il valore massimo della magnetizzazione, cio` e la magnetizzazione di saturazione, possiamo scrivere la (7.11) come: M 1 M TC ) tanh(x ) = tanh( (7.12) Ms n B Ms T che pu` o essere risolta numericamente o graficamente ed espressa come funzione di Ms (T )/ Ms (0). Sperimentalmente si verifica che landamento di (7.12) risulta essere in discreto accordo con le misure per la magnetizzazione di saturazione (vedi figura 7.2). Attraverso misure sperimentali si costruisce la tabella 7.1 che riporta i valori di temperatura di Curie per alcuni esempi di materiali ferromagnetici, assieme alla magnetizzazione di saturazione Ms . Nella tabella sono riportati anche i valori dei momenti magnetici atomici espressi come multipli del magnetone di Bohr ( = n B B ). I valori dei momenti magnetici atomici dipendono da come gli elettroni riempiono i sottogusci 3d e bilanciano i loro spin, con laggiunta eventuale di momento angolare orbitale. Ne consegue che i valori del multiplo n B sono tipicamente non interi. Lesempio 3 spiega perch e il momento magnetico del nichel valga appunto 0.6 B .
Se si usa la definizione di TC della (7.8) bisogna introdurre un fattore 1/3 che va aggiunto anche alla (7.10). Alla fine questi due fattori uguali si semplificano.
4

242

Ferromagnetismo

Capitolo 7

SOSTANZA Ferro Cobalto Nichel Gadolinio Disprosio CrO2

TC (K) 1043 1388 627 292 88 386

Ms (106 A/m) n B 1.7 2.2 1.4 1.7 0.5 0.6 5.7 7.6 10.2 0.5 2.0

Tabella 7.1: valori di temperatura di Curie, di magnetizzazione di saturazione (a temperatura ambiente) e del numero di magnetoni di Bohr (a 0 K) per alcune sostanze ferromagnetiche.

Ms (T )/ Ms (0)

1 0.8 0.6 0.4 0.2 0 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 T /TC

Figura 7.2: andamento della magnetizzazione di saturazione in funzione della temperatura, ricavato nellapprossimazione di campo medio. Viene riportato il rapporto tra la magnetizzazione alla temperatura T e quella allo zero assoluto in funzione di T /TC .

243

Capitolo 7

Ferromagnetismo

7.1.1

Domini di Weiss

Allinterno di un campione di materiale ferromagnetico esistono delle regioni, chiamate domini di Weiss, nei quali i momenti magnetici individuali sono tutti allineati tra di loro, con conseguente saturazione della magnetizzazione in ciascun dominio. Domini differenti possono avere per` o direzione di magnetizzazione diversa e arbitraria e di conseguenza il momento magnetico ` nullo. risultante a livello macroscopico e ` quella che minimizza La forma e la dimensione di ciascun dominio e lenergia totale. La minimizzazione dellenergia pu` o avvenire attraverso la creazione di molti domini le cui magnetizzazioni tendono a bilanciarsi reciprocamente, con conseguente riduzione del campo magnetico allinterno ` rappresentato quadel campione e, quindi, energia associata minore. Ci` oe litativamente nella figura 7.3 in cui si vede che allaumentare del numero di domini diminuisce lintensit` a del campo magnetico allesterno del dominio e, quindi, diminuisce lenergia magnetostatica. La diminuzione dellenergia magnetostatica tende allora a favorire domini con spin antiparalleli. Le superfici di separazione tra i domini sono chiamate pareti di Bloch e attraverso queste pareti, spesse alcune distanze reticolari, si ha una progressiva rotazione dellorientamento dei dipoli magnetici che dalle due parti della parete hanno direzione differente. Risulta energeticamente favorevole anche la formazione di domini (detti domini di chiusura) con le pareti di e in tale caso la componenBloch a 45 rispetto alla magnetizzazione perch te della magnetizzazione normale alla parete di Bloch sarebbe continua nel passaggio da un dominio allaltro. Daltro canto i bordi di ciascun dominio sono zone di transizione tra regioni con campi magnetici differenti e comportano campi magnetici non uniformi particolarmente intensi. Una configurazione avente energia minore richiederebbe, quindi, un numero piccolo di bordi, in contrasto con quanto osservato precedentemente quando il numero di domini tendeva ad aumentare. Intervengono, infine, considerazioni energetiche legate alla struttura cristallina che determinano energie diverse a seconda della direzione relativa tra magnetizzazione del dominio e assi di simmetria del cristallo. A contrastare la tendenza ad avere domini estrema244

Ferromagnetismo

Capitolo 7

NSNS

SNSN

(a)

(b)

(c)

(d)

Figura 7.3: esemplificazione della formazione dei domini di Weiss.

mente piccoli interviene poi linterazione di scambio che tende ad accoppiare gli spin di atomi adiacenti, spingendoli a essere paralleli. La combinazione di tutti questi effetti porta alla formazione dei domini secondo la configurazione specifica osservata nel campione. In ogni caso la struttura dei domini ` conseguenza della diminuzione dellenergia del sistema in corrispondenza e di una certa configurazione. Lesistenza dei domini di Weiss pu` o essere evidenziata sperimentalmente ricorrendo a microfotografie ottenute secondo tecniche particolari. Quando il campione ferromagnetico non magnetizzato viene posto in ` duplice, attraverso due un campo magnetizzante H leffetto di questultimo e processi indipendenti. Nel primo processo si ha lo spostamento dei confini dei domini e laccrescimento dei domini orientati favorevolmente, cio` e parallelamente al campo H, che aumentano il loro volume a scapito degli altri domini. Il secondo processo riguarda, invece, la rotazione della direzione di magnetizzazione di tutto un dominio verso la direzione di H. Questa seconda modalit` a si verifica principalmente in presenza di campi magnetizzanti particolarmente intensi. La struttura dei domini determina la permeabilit` a magnetica relativa. Per materiali molto puri, omogenei e con orientamenti opportuni dei cristalli, si possono ottenere permeabilit` a relative estremamente grandi ( 106 ) grazie

245

Capitolo 7

Ferromagnetismo

alla facilit` a con cui i confini dei domini si spostano. Se, invece, si tratta di materiali a elevata granularit` a, costituiti da particelle molto piccole, lo spo` sfavorito e di conseguenza il materiale si stamento delle pareti dei domini e magnetizza con minore facilit` a.

7.1.2

Ciclo di isteresi

I due processi di modifica dei domini non avvengono in modo reversibile e se si varia in modo continuo il valore di H , riportandolo al valore di partenza, la magnetizzazione non segue una curva, percorrendola a ritroso, ma un ciclo detto ciclo di isteresi, rappresentato in figura 7.4. La magnetizzazione (e anche la suscettibilit` a magnetica) non risulta essere, quindi, una funzione univoca del campo magnetizzante, ma assume valori diversi a seconda di quale ramo del ciclo si stia percorrendo e viene a dipendere dalla storia del materiale cio` e dal cammino seguito perch e da esso dipendono i moti irreversibili e dissipativi delle pareti di Bloch. Nel ciclo di isteresi in figura 7.4 sono indicati la magnetizzazione di saturazione Ms , il valore H c detto campo coercitivo, in corrispondenza del quale ` si ottiene una magnetizzazione nulla, e la magnetizzazione residua Mr che e il valore di magnetizzazione nel quale viene lasciato il campione quando il campo magnetizzante viene riportato a zero. Un ciclo analogo viene seguito anche dal campo magnetico B in funzione di quello H e in questo caso larea compresa entro il ciclo risulta essere proporzionale allenergia dissipata durante un ciclo completo. In particolare lenergia dissipata U risulta essere pari al volume del materiale moltiplicato per larea5 racchiusa dal ciclo di isteresi di B in funzione di H . Le modifiche che avvengono sui domini di Weiss sottoponendo il ferromagnete a un campo magnetizzante (ad esem` pio, lallineamento dei domini o lo spostamento delle pareti di Bloch) non e un processo reversibile, quindi, alla fine di un ciclo si pu` o tornare ai valori ` dissipata energia. iniziali di H e di B, ma si e Il tipo di ciclo di isteresi seguito dal materiale ferromagnetico influenza
5

` data da u = HdB. La densit` a di energia dissipata in un ciclo e

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Ferromagnetismo

Capitolo 7

M Ms Mr Hc H

Figura 7.4: ciclo di isteresi, cio` e grafico della magnetizzazione in funzione del campo magnetizzante. La linea tratteggiata rappresenta la fase di magnetizzazione del campione a partire dal materiale vergine.

la sua utilizzazione. Nei trasformatori di tensione per correnti alternate due bobine conduttrici sono avvolte su un nucleo di materiale ferromagnetico per avere una mutua induzione molto elevata. Per ridurre le perdite energetiche si vuole che lenergia dissipata in ciascun ciclo sia piccola e, quindi, si ricorre a nuclei ferromagnetici che abbiano un ciclo di isteresi stretto cio` e con bassi valori di Mr e H c . In questa tipologia entrano materiali molto puri e omogenei per i quali il meccanismo di spostamento dei confini dei domini viene facilitato con conseguente alto valore per la permeabilit` a magnetica. Materiali ferromagnetici di questo tipo (a basso valore di H c ) vengono chiamati soffici e includono, ad esempio, gli acciai elettrici e varie leghe di ferro, cobalto e manganese tra le quali la lega chiamata permalloy avente formula chimica Ni78 Fe22 . Si noti che il valore di H c diminuisce in cristalli molto puri e in cui le tensioni interne tra i piani cristallini sono rimosse se la cristallizzazione a ` avvenuta attraverso un raffreddamento lento. partire dalla fase liquida e

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Capitolo 7

Ferromagnetismo

` quella chiamata mumetal (5% di Cu, 2% di Cr, Altra lega di interesse e 77% di Ni e 16% di Fe), usata per schermi magnetici e nuclei di trasformatori. ` caratterizzata da un campo coercitivo molto piccolo, e quindi, da Tale lega e un ciclo di isteresi di poco diverso da un segmento di retta. Materiali ferromagnetici soffici vengono usati, tipicamente, anche per gli elettromagneti (vedi pi` u avanti) in cui si vuole che la permeabilit` a relativa sia molto alta, ma che la magnetizzazione residua sia pressoch e nulla. Nel caso si voglia, invece, ottenere un magnete permanente si preferiscono cicli larghi corrispondenti a valori elevati per Mr e H c . Un tale tipo di magnete pu` o essere ottenuto con campioni composti da particelle molto piccole o cristalli formati da un singolo dominio. In questo caso le particelle (con dimensioni del decimo di micrometro o meno) corrispondono a ` possibile il singoli domini a magnetizzazione saturata. In questo caso non e meccanismo di accrescimento dei domini, ma invece essi devono ruotare e allinearsi al campo magnetizzante. Materiali di questo tipo sono detti duri e includono, ad esempio, la lega chiamata Alnico V (8% di Al, 14% di Ni, 24% di Co, 3% di Cu e 51% di Fe). Il confronto tra il comportamento di questa ` describile attraverso i parametri riportati in tabella 7.2. lega e il mumetal e Un caso particolare di ferromagneti ` e rappresentato da leghe di manganese, ferro, cobalto e nichel assieme alle terre rare tipo il samario o il neodimio. In questi casi, a causa anche di grandi anisotropie della struttura cristallina, si ottengono valori molto elevati di H c che li rendono magneti permanenti a elevata magnetizzazione residua, con valori dellordine di 106 107 A/m. Si noti che, anche se non c` e proporzionalit` a diretta tra magnetizzazione e campo magnetizzante, si pu` o definire una permeabilit` a magnetica relativa ef f efficace m di modo che: ef f (7.13) B m 0 H Questa approssimazione ha ovviamente un senso soprattutto per i mate` approssimabile a una retta. riali soffici, in cui il ciclo di isteresi e

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Ferromagnetismo

Capitolo 7

LEGA ALNICO V MUMETAL Ms (A/m) 1.12 106 5.2 105 Mr (A/m) 1.04 106 4.8 105 H c (A/m) 5.3 104 4 ef f m 20 250 2 104
Tabella 7.2: magnetizzazione di saturazione e residua, campo coercitivo e permeabilit` a ef f magnetica relativa efficace m per Alnico V e mumetal.

7.1.3

Esempi

1. Verificare che linterazione magnetica tra dipoli non ` e sufficiente a spiegare lallineamento in un materiale ferromagnetico. Il campo magnetico prodotto da un dipolo magnetico ha linee di campo ed espressione simile a quella del campo elettrico prodotto da un dipolo ` che lungo lasse (definito come la retta orelettrico. La cosa fondamentale e togonale al dipolo e passante per il suo centro) il campo varia come 1/r 3. Lespressione completa del campo magnetico prodotto dal dipolo sarebbe: 0 B= 2r 3 e lenergia di interazione tra il campo prodotto da un dipolo e un dipolo vicino, a distanza r , vale: 0 2 U = B = 2r 3 ` Ricordando la (6.12) osserviamo che il momento di dipolo magnetico e dellordine di B , mentre come distanza tra dipoli usiamo una tipica distanza = 2 1010 m. Sostituiamo i valori numerici: interatomica r 2A 4 107 (9.3 1024 )2 = 2.2 1024 J U = 2 (2 1010 )3 cio` e 1.4 105 eV. Uninterazione di orientamento avente tale energia sarebbe assolutamente impotente di fronte al disallineamento prodotto dallagitazione termica che ha unenergia media a temperatura ambiente (0.026 eV) circa 2000 volte pi` u grande.
249

Capitolo 7

Ferromagnetismo

2. Giustificare perch e il nichel ` e ferromagnetico, mentre il rame no. ` completamente riempito con Per il rame (Z = 29) il sottoguscio 3d e uguale numero di elettroni con spin su e con spin gi` u. Il momento magnetico ` nullo e ci` totale del sottoguscio 3d e o rende il rame non ferromagnetico, ma diamagnetico. ` completamente riemNel caso del nichel (Z = 28) il sottoguscio 3d non e pito e i suoi 10 elettroni di valenza vanno a occupare parzialmente anche il sottoguscio 4s . Nella configurazione che ne risulta ci sono in media circa 9.4 elettroni nei sottogusci 3d e 0.6 nel sottoguscio 4s . Per temperature al di sopra di quella di Curie i 9.4 elettroni dei sottogusci 3d si dividono equamente tra quelli con spin su e quelli con spin gi` u, determinando un momento magnetico netto nullo. Al di sotto della temperatura di Curie i livelli energetici per lo spin su e lo spin gi` u si separano a causa dellinterazione di scambio, con unenergia leggermente maggiore nel caso di spin gi` u, i cui livelli vengono, quindi, popolati un po meno. Allo zero assoluto, ad esempio, dei 9.4 elettroni dei sottogusci 3d , 5 hanno lo spin su e 4.4 lo spin gi` u. Lo sbilanciamento tra gli spin produce un momento magnetico netto diverso da zero e determina le propriet` a ferromagnetiche del nichel. Un ragionamento analogo si potrebbe fare nel caso di cobalto (Z = 27) e ferro (Z = 26). Nel caso di gadolinio e disprosio i sottogusci interessati sono i 4f. 3. Giustificare il valore = 0.6 B per il nichel. Come visto sopra, la sovrapposizione tra le bande energetiche fa s` che nel guscio 3d ci siano 5 elettroni con lo spin su e 4.4 con lo spin gi` u. Lo ` di 0.6 unit` ` sbilanciamento tra gli spin e a, quindi, il momento magnetico e pari a 0.6 B .

7.2 Ferrimagnetismo
In alcuni materiali quali la magnetite (FeO Fe2 O3 ), il valore della magnetiz` quello corrispondente allallizazione di saturazione allo zero assoluto non e

250

Ferrimagnetismo

Capitolo 7

8Fe3+

s=

5 2

s=

5 2

s=2 8Fe2+

8Fe3+

Figura 7.5: allineamento degli spin in un cristallo di magnetite. Sono evidenziati gli spin degli ioni Fe3+ e Fe2+ . Sono indicati gli 8 siti di tetraedro occupati (sopra) e i 16 siti di ottaedro occupati (sotto), della cella unitaria.

neamento completo di tutti i momenti magnetici e degli spin. In questo caso specifico gli ioni ferrici Fe3+ hanno spin s = 5/2 e momento angolare orbitale nullo, mentre gli ioni ferrosi Fe2+ hanno, invece, spin s = 2. Gli ioni del primo tipo contribuiscono al momento di saturazione con 5 B , mentre gli ioni del secondo tipo con 4 B . Se tutti gli spin fossero paralleli, per la magnetite ci si aspetterebbe un momento magnetico pari a 14 magnetoni di Bohr (14 = 2 5 + 1 4). Il `, invece, circa 4, il che corrisponde valore che si osserva sperimentalmente e alla situazione rappresentata in figura 7.5 in cui i momenti degli ioni Fe3+ sono antiparalleli tra di loro e si elidono, lasciando solo il contributo degli ioni Fe2+ . Ricordiamo che la magnetite rientra nella classe di cristalli del ` composta da 16 siti di ottaedro e 8 di tipo spinello in cui la cella unitaria e tetraedro. Materiali che esibiscono il suddetto comportamento si chiamano ferrimagnetici e includono oltre alla magnetite anche le ferriti la cui formula chi` X Fe2 O3 dove lelemento X pu` o essere zinco, ferro, nichel, rame, comica e balto, magnesio o cadmio. Essi hanno valori elevati per la magnetizzazio251

Capitolo 7

Ferromagnetismo

ne di saturazione e residua, anche se inferiori rispetto a quelli dei materiali ferromagnetici. Nel caso di ferrimagneti vanno definite due costanti di Curie distinte per gli ioni di un tipo e dellaltro, con la conseguenza che la suscettibilit` a segue unespressione un po pi` u complicata della legge di Curie-Weiss. Una caratteristica importante delle ferriti e, quindi, di molti materiali fer` la loro scarsa conducibilit` rimagnetici e a elettrica che li rende buoni candidati come nuclei di trasformatori.

7.3 Antiferromagnetismo
` quella dei Unaltra classe di materiali che esibiscono propriet` a magnetiche e materiali antiferromagnetici che sono caratterizzati dallavere gli spin e i momenti magnetici di coppie di ioni adiacenti che sono antiparalleli in modo da ottenere momento magnetico netto nullo. Il cristallo antiferromagnetico pu` o essere pensato allora come composto da due sottounit` a ciascuna delle quali caratterizzate da spin allineati, ma che hanno allineamento opposto. ` completo allo zero assoluto e tende a diminuire al Questo ordinamento e crescere della temperatura. Lordinamento tra gli spin e i momenti magnetici si annulla in corrispondenza di una temperatura detta temperatura di N eel TN . ` che la suscettibilit` Il risultato e a magnetica m cresce tra T = 0 e T = TN . Per temperature al di sopra di TN il materiale si comporta, invece, da paramagnetico e la suscettibilit` a magnetica assume un valore massimo in corrispondenza della temperatura TN , come indicato in figura 7.6, seguendo unespressione del tipo: C (7.14) m = T+ dove il parametro assume valori tipicamente compresi tra TN e 5TN . Esempi di sostanze antiferromagnetiche sono i cristalli di ossido di manganese (MnO, TN = 116 K, = 610 K), di ferro (FeO, TN = 198 K, = 570 K) o di cobalto (CoO, TN = 291 K, = 330 K).

252

Applicazioni

Capitolo 7

TN

Figura 7.6: suscettibilit` a magnetica in funzione della temperatura per un materiale ` la temperatura di N eel. antiferromagnetico. TN e

Si noti che nel caso degli antiferromagneti lintegrale di scambio (7.9) risulta negativo. Va osservato che al momento non ci sono applicazioni pratiche importanti per questi materiali. Lantiferromagnetismo gioca, per` o, un ruolo importante nella magneto-resistenza gigante. Si tratta di un fenomeno6 quantomeccanico che si manifesta come una forte riduzione della resistenza elettrica quando si applica un campo magnetico a un sistema composto da sottili pellicole ferromagnetiche e non.

7.4 Applicazioni
Le applicazioni pratiche delle propriet` a dei materiali ferromagnetici e ferrimagnetici sono molteplici. Ne riportiamo qui soltanto alcune tra le pi` u comuni.
Il fenomeno della magneto-resistenza gigante fu scoperto da Albert Fert (1938-) e Peter A. Gr unberg (1939-) nel 1988. Per questa loro scoperta i due fisici furono insigniti nel 2007 del Premio Nobel per la Fisica.
6

253

Capitolo 7

Ferromagnetismo

Hf Bf i i Hi Bi
x

Figura 7.7: rappresentazione di un elettromagnete a C con interferro di spessore x .

7.4.1

Elettromagneti

` un elettromagnete composto da una bobina con Un elettromagnete a C e ` avvolta (vedi fiN avvolgimenti, percorsa da una corrente i . Tale bobina e gura 7.7) attorno a un nucleo di materiale ferromagnetico (generalmente soffice), sagomato a formare una zona in aria, detta interferro, in cui il campo magnetico pu` o risultare particolarmente intenso. Notiamo che la legge di Gauss applicata al campo magnetico prescrive che il flusso di B sia nullo attraverso una superficie chiusa, quindi, prendendo come superficie su cui calcolare il flusso un cilindro avente basi (una dentro il ferro, laltra nellinterferro) perpendicolari alle linee di campo e di area A, possiamo dire che: Bi A B f A = 0 ` nullo, non essendo visto che il flusso sulla superficie laterale del cilindro e 7 e tale superficie attraversata da linee di campo . Ne segue che B i = B f cio` ` pressoch e uguale a quello entro il nucleo che il campo nellinterferro B i e ferromagnetico B f .
7

` tanto pi` ` lo spessore dellinterferro. Ci` oe u vero quanto pi` u piccolo e

254

Applicazioni

Capitolo 7

Facciamo ora riferimento alla legge di Amp` ere (scritta per il campo ma` uguale alla corrente gnetizzante) secondo la quale la circuitazione di H e concatenata alla superficie delimitata dal percorso chiuso L avente lunghezza e che attraversa i punti centrali dellelettromagnete. Data la simmetria il percorso L coincide con una linea di campo di H e la circuitazione di H diventa: H i x + H f ( x ) = Ni ` la lunghezza dellinterferro, mentre ( x ) e ` la lunghezza del dove x e percorso entro il nucleo ferromagnetico. ` trascurabile e, quindi, B i = 0 H i . Se Nellinterferro la magnetizzazione e ` composto da un ferromagnete soffice possiamo invece scrivere il nucleo e ef f o nellespressione B i = B f , si ottiene: B f m 0 H f e, sostituendo ci` 0 H i = m 0 H f H i = m H f che, inserita nella legge di Amp` ere, porta a: Hf = e, quindi: Bi = ` Tipicamente e
ef f m ef f ef f

Ni + ( m 1) x m 0 Ni
ef f ef f ef f

+ ( m 1) x 1 perci` o: Bi = 0 Ni
ef f

x + / m Considerando dei valori tipici per i parametri ( i = 1 A, N = 1000, = 20 ef f cm, x = 1 cm, m 400) si otterrebbe un campo magnetico nellinterferro ` decisamente pi` di 0.12 T. Tale valore e u grande di quello che si otterrebbe con un semplice solenoide (B = 0 Ni / 6 mT con i valori suindicati), ma ef f risulta essere minore di quello entro il ferro (B = m 0 Ni / 2.5 T con i ` la presenza stessa dellinterferro a ridurre il valore del valori suindicati). E ` campo in aria, rispetto a quello entro il ferromagnete, ma tale interferro e necessario se si vuole poter utilizzare il campo magnetico.
255

Capitolo 7

Ferromagnetismo

7.4.2

Magneti permanenti

Leghe di manganese, ferro, cobalto e nichel con elementi delle terre rare (lantanidi come il samario, neodimio, ecc.) hanno grandi anisotropie cristalline o li rende ottimi e, quindi, valori di campo coercitivo H c molto grandi. Ci` candidati per costruire dei magneti permanenti in cui si raggiungono campi residui dellordine del tesla. Nel caso di una certa lega di ferro, neodimio e boro (Fe14 Nd2 B) si ottiene un campo residuo Br 1.3 T e un campo coercitiu grande che nel materiale duro Alnico vo H c 1.1 106 A/m, circa 20 volte pi` V. Sfortunatamente tale lega ha una temperatura di Curie relativamente bassa o essere sostituita da una lega di samario e (TC 300 C), ma se necessario pu` ` pi` u costosa, ma ha una temperatura di Curie pi` u alta. cobalto (SmCo5 ) che e ` bene ricoprirli con maQuesti magneti risultano essere molti fragili ed e teriali adeguati tipo il nichel per proteggerli anche da corrosione od ossidazione. Nonostante il loro nome, le terre rare non sono particolarmente preziose e, quindi, il costo di tali magneti non risulta essere elevato.

7.4.3

Nuclei per trasformatori

Nel caso dei trasformatori la corrente alternata cambia continuamente il verso del campo magnetizzante. Vengono percorsi allora innumerevoli cicli di isteresi e per ciascuno di essi c` e una certa energia dissipata, proporziona` persa dal punto di vista del circuito le allarea del ciclo. Questa energia e secondario e va a riscaldare il ferromagnete. Per risparmiare energia e non surriscaldare il trasformatore, si vuole che lenergia dissipata per ciclo sia la minore possibile e, quindi, si ricorre preferibilmente a nuclei del trasformatore composti da materiali soffici caratterizzati da un ciclo di isteresi molto stretto. A tali perdite vanno comunque aggiunte anche quelle dovute alleffetto Joule delle correnti parassite di Foucalt che vengono indotte nel nucleo del trasformatore. Per ridurre queste ultime si ricorre a materiali isolanti (quindi le ferriti) oppure si suddivide il nucleo del trasformatore in lamine sottili isolate luna dallaltra.
256

Applicazioni

Capitolo 7

7.4.4

Memorie magnetiche

Per registrare dei dati (in formato digitale) su nastri, dischi o bande magnetiche, si usa un supporto non magnetico su cui sono inseriti degli elementini ferromagnetici/ferrimagnetici di forma allungata, aventi dimensioni tipiche di circa 0.1 0.5 m. Tali elementini sono costituiti da un singolo dominio di Weiss che viene magnetizzato fino alla saturazione lungo lasse maggiore dellelementino. Materiali usati tipicamente sono il ferrimagnete Fe2 O3 (avente H c 2 4 10 A/m e TC 600 C) o il ferromagnete CrO2 (H c 4 8 104 A/m e TC 120 C) per il quale lelevato valore di H c previene la smagnetizzazione accidentale. Nel caso del biossido di cromo, per` o, il basso valore della temperatura di Curie rende possibile la smagnetizzazione nel caso di esposizione a calore eccessivo. La registrazione di un bit (0/1) avviene facendo scorrere il supporto magnetico in prossimit` a di un elettromagnete a nucleo soffice in cui il verso della corrente determina il verso del campo. Il campo magnetico prodotto dallelettromagnete orienta come voluto la magnetizzazione dellelementino producendo cos` una successione di magnetizzazioni con verso opposto, corrispondenti a una sequenza di bit 0/1 (vedi figura 7.8). Per la lettura si avvicina una bobina al supporto magnetico e le variazioni del campo magnetico inducono sulla bobina una forza elettromotrice il cui verso viene tradotto in bit 0/1.

7.4.5

Dischi magneto-ottici

` possibile immagazzinare I dischi magneto-ottici sono dei dispositivi su cui e dei dati in formato digitale e rileggerli. A differenza delle normali memorie magnetiche descritte sopra, essi si basano per la lettura sulleffetto magnetoottico. Tale effetto, chiamato anche effetto Kerr, si riferisce al cambiamento nella direzione di polarizzazione di un raggio riflesso da un mezzo magnetizzato. Tale fenomeno ha luogo anche per materiali non magnetici (cio` e dia- o paramagnetici), ma diventa molto pi` u grande per materiali ferro- o ferrima257

Capitolo 7

Ferromagnetismo

Elettromagnete

Supporto magnetico

Moto relativo

Figura 7.8: schema della testina di scrittura magnetica. Il verso della tensione applicata V determina il verso del campo magnetico e la direzione della magnetizzazione sul supporto magnetico. Lo scorrimento relativo consente di cambiare a piacere la magnetizzazione e quindi i bit.

` stato scoperto da Kerr8 , mentre un effetto analogo, gnetici. Questo effetto e ma riguardante i raggi trasmessi, fu osservato da Faraday9 . Leffetto magneto-ottico di Kerr assume modalit` a differenti a seconda della direzione del vettore magnetizzazione M rispetto alla superficie del mate` quelriale e al piano di incidenza del raggio luminoso. Il caso pi` u comune e ` parallelo alla lo della orientazione longitudinale (vedi figura 7.9) in cui M e superficie e al piano di incidenza. ` polarizzata linearmente (o nel piano In questo caso, se la luce incidente e di incidenza o nel piano ortogonale a quello di incidenza), viene riflessa con polarizzazione ellittica in cui il verso e lampiezza delleffetto dipende dalla magnetizzazione. In figura 7.9 si vede, ad esempio, come il raggio incidente avente il campo elettrico E i polarizzato nel piano viene riflesso con un campo corrisponJohn Kerr (1824-1907), fisico scozzese. Michael Faraday (1791-1867), fisico e chimico inglese, studioso di elettromagnetismo e elettrochimica.
9 8

258

Applicazioni

Capitolo 7

ancora nel piano e una componente molto pi` dente a una componente Er u piccola Ek ortogonale a Er . Siccome le due componenti non sono necessa` riamente in fase ne risulta una polarizzazione ellittica in cui lasse maggiore e ruotato di un piccolo angolo rispetto a quello di incidenza. Se si inverte la direzione di M si ha linversione di E k e linversione della direzione di rotazione dellasse maggiore. I dischi magneto-ottici consistono in un materiale ferromagnetico protetto da un involucro trasparente e vengono registrati/letti attraverso un raggio laser, senza contatto fisico. In fase di scrittura il raggio laser ha potenza sufficiente da riscaldare un punto del disco a una temperatura superiore alla temperatura di Curie, cos` da poter cambiare la direzione di magnetizzazione grazie a un elettromagnete. Rimuovendo il raggio la temperatura scende e la magnetizzazione si fissa. In lettura un raggio laser linearmente polarizzato viene riflesso e dalla misura della rotazione di Kerr della direzione di polarizzazione si ricava il verso della magnetizzazione. A differenza degli usuali CD o DVD, che anchessi registrano/leggono attraverso un raggio laser, la registrazione di un disco magneto-ottico risulta pi` u affidabile perch e consente un controllo in fase di registrazione di quanto effettivamente scritto sul disco.

7.4.6

Schermo magnetico

Le linee del campo magnetico sono, a differenza del caso elettrico, chiuse. ` una diretta conseguenza della legge di Gauss B d A = 0 o, in altre Ci` oe parole, dellinesistenza dei monopoli magnetici. Per questo motivo i campi magnetici non possono essere bloccati (a differenza di quanto avviene per quelli elettrici), ma si pu` o tentare di dirigerli in modo da evitare la zona o loggetto che si vuole schermare. Sfruttando lelevata magnetizzazione dei materiali ferromagnetici si pu` o cercare di ridirigere le linee di campo facendole passare attraverso un materiale ferromagnetico che agisce da schermo. Per rendere efficace tale proces259

Capitolo 7

Ferromagnetismo

E i

E k
Er

Figura 7.9: rappresentazione delleffetto Kerr.

so abbiamo bisogno di un materiale ferromagnetico a elevata permeabilit` a, ma che non sviluppi esso stesso una magnetizzazione residua. ` il mateIl mumetal (vedi tabella 7.2) ha appunto queste propriet` a, anzi e ` relativariale ferromagnetico schermante pi` u efficace. Il costo del mumetal e mente elevato e lo si sostituisce in genere con altre leghe con composizione simile. Esempi di utilizzo di schermatura magnetica li troviamo nei tubi catodici dei monitor/televisori, dove ci si vuole proteggere da eventuali disturbi ` inolmagnetici esterni o da quelli prodotti dai magneti degli altoparlanti. E tre molto importante schermare gli elevati campi magnetici prodotti dalle apparecchiature per risonanza magnetica.

7.5 Quesiti di riepilogo


` definita univocamente per sostanze ferroma1. La suscettibilit` a magnetica e gnetiche al di sotto della temperatura di Curie?

260

Esercizi

Capitolo 7

2. Che tipo di ferromagneti (soffici oppure duri) si preferisce impiegare per magneti permanenti e per nuclei di trasformatori? 3. Che tipo di ferromagneti (cristalli piccoli e imperfetti oppure cristalli grandi molto puri) si preferisce impiegare per magneti permanenti e per nuclei di trasformatori? 4. Quali sono le unit` a di misura per larea di un ciclo di isteresi HB? 5. Da cosa dipende la dimensione dei domini di Weiss in un materiale ferromagnetico? 6. Dal punto di vista della magnetizzazione di saturazione, cosa distingue un ferromagnete da un paramagnete?

7.6 Esercizi
1. Calcolare la magnetizzazione di saturazione attesa per il ferro. 2. Conoscendo la magnetizzazione di saturazione del nichel (0.5 106 A/m) e la sua densit` a ( = 8.9 g/cm3), valutare il numero di magnetoni di Bohr presenti in un atomo di nichel. 3. Calcolare il valore della costante di proporzionalit` a del campo molecolare nel caso del ferro e la sua magnetizzazione. A che campo molecolare corrisponderebbe? 4. Calcolare il campo magnetico ottenibile nellinterferro di un elettromagnete a C (N = 500 spire percorse da corrente i = 1.5 A, lunghezza totale = 15 cm, interferro x = 0.5 cm) composto da un nucleo di mumetal. 5. Calcolare lenergia dissipata in un ciclo di isteresi per un volume di 0.2 cm3 di materiale magnetico duro, a ciclo pressoch e rettangolare, con Bs = 1 T e H c = 200 A/m.

261

Capitolo 8 Onde elettromagnetiche in un dielettrico


Quando unonda elettromagnetica incide su un corpo solido la superficie del solido tende a rifletterne o diffonderne1 una parte. La parte non riflessa o diffusa viene trasmessa attraverso il corpo che pu` o assorbirla totalmente o lasciarla passare almeno in parte. Nel primo caso il corpo risulta opaco nel secondo sar` a parzialmente trasparente. Le propriet` a di opacit` a, trasparenza e riflettivit` a di un corpo sono estremamente variabili da corpo a corpo e dipendono anche dalla natura dellonda ` posincidente (cio` e dalla sua frequenza), oltre che dalla natura del corpo. E sibile, comunque, ricondurre questi comportamenti variegati a un modello relativamente semplice che descrive la risposta di un corpo denso a unonda incidente. In questo capitolo discuteremo il modo in cui le propriet` a di un corpo solido influenzano la propagazione attraverso di esso di unonda elettromagnetica.

8.1 Polarizzazione di un dielettrico


Cominciamo considerando unonda elettromagnetica che si propaga lungo la direzione x , attraverso un volume di gas. Il campo elettrico associato allonda agisce sulle molecole del gas polarizzandole, producendo cio` e dei momenti di dipolo elettrico indotti o orientando quelli eventualmente gi` a esistenti.
Nel caso della riflessione londa viene riemessa con direzione definita, mentre ci` o non ` una avviene per la diffusione. La riflessione riguarda superfici lisce, mentre la diffusione e conseguenza della ruvidezza e irregolarit` a della superficie.
1

Capitolo 8

Onde elettromagnetiche in un dielettrico

Questi dipoli oscillano in risposta al campo elettrico oscillante e a loro volta emettono radiazione elettromagnetica che interferisce con londa incidente. Linterferenza tra londa incidente e quella emessa dai dipoli produce unonda risultante che si propaga nel mezzo con velocit` a di fase diversa che nel vuoto. Consideriamo leffetto del campo elettrico sugli atomi (o molecole non polari n e ioniche) racchiusi in un certo volume. In assenza di campo elettrico gli elettroni sono distribuiti come una nube di carica negativa che circonda il nucleo, con baricentro coincidente con il baricentro delle cariche positive contenute nel nucleo. Lapplicazione di un campo elettrico comporta lo spostamento relativo tra il baricentro delle cariche negative e il baricentro di quelle positive, inducendo cos` la formazione di un dipolo elettrico. Se il ` quello associato a unonda elettromagnetica la sua ampiezza campo elettrico e sar` a oscillante e di conseguenza oscilleranno anche i dipoli elettrici. ` per` ` soggetta a una forza di smorzamenLoscillazione non e o libera, ma e to, una specie di attrito viscoso, dovuta allinterazione con gli atomi/molecole `, inoltre, forzata dal campo elettrico dellonda incidente. circostanti ed e Lequazione differenziale che descrive il moto di un oscillatore smorzato ` del tipo: e forzato e m( d2x dx + 2 + 0 x ) = qE 2 dt dt (8.1)

` la frequenza propria delloscillatore, il coefficiente di smordove 0 e zamento, m la massa delloscillatore, q la carica elettrica, e E lampiezza del campo elettrico oscillante che descriveremo con notazione complessa co` la frequenza angolare dellonda elettromagnetica me E = E0 e it dove e incidente. ` una funzione oscilA regime, la soluzione dellequazione differenziale e lante, con la stessa frequenza angolare del campo elettrico sia per il nucleo sia per gli elettroni, che descrive lo spostamento rispetto al centro di massa. Alternativamente si pu` o fare riferimento allo spostamento relativo al nucleo

264

Polarizzazione di un dielettrico

Capitolo 8

e usare la massa ridotta2 . In questo secondo caso la soluzione diventa: eE0 e it x (t ) = (8.2) 2 m(0 2 i) ` ora la massa dellelettrone avente carica e . dove m e Allo spostamento x corrisponde un momento di dipolo indotto p = Zex acquistato dallatomo, che risulta essere parallelo e concorde con il campo elettrico. Considerando un volumetto V di dielettrico, questo conterr` a un certo a di numero N a V di atomi (o molecole) corrispondente a N a atomi per unit` 3 volume . Il momento di dipolo elettrico totale per unit` a di volume viene chiamato polarizzazione del dielettrico P e vale: ptot p N a Vp = = = Na p P (8.3) V V V ` il valore medio del momento di dipolo degli atomi. dove p e Il vettore polarizzazione P, cos` definito, descrive la risposta di un dielettrico allapplicazione di un campo elettrico esterno e risulta, quindi, funzione del campo elettrico stesso. Nel caso di dielettrici isotropi e lineari il vettore polarizzazione risulta essere parallelo al campo elettrico e lo possiamo scrivere come: P = 0 e E (8.4)

dove la quantit` a4 macroscopica e viene chiamata suscettibilit` a elettrica e a di volume vale: nel caso di N a atomi per unit` e = Na
2

(8.5)

Luso della massa ridotta = ( M 1 M 2 )/( M 1 + M 2 ) serve per poter considerare il moto rispetto al nucleo anzich e rispetto al centro di massa. Dal momento che la massa degli elet` molto pi` troni e u piccola di quella del nucleo, la massa ridotta coincide praticamente con quella degli elettroni. 3 Diversamente da quanto fatto nei capitoli precedenti, usiamo qui N anzich e n per definire il numero per unit` a di volume. Facciamo cos` per potere, pi` u avanti, usare n per lindice di rifrazione. 4 ` un numero ma un tensore di rango 2, cio` In un mezzo non isotropo e non e e una grandezza a 9 componenti.
265

Capitolo 8

Onde elettromagnetiche in un dielettrico

Con questa definizione la grandezza microscopica rappresenta la polarizzabilit` a di volume cio` e la risposta relativa del mezzo al campo elettrico 5 applicato , e risulta essere pari a 1/3 del volume atomico. La suscettibilit` a elettrica risulta a sua volta collegata alla costante dielettrica relativa dalla definizione: = 1 + e Per un dielettrico lineare si potrebbe scrivere allora: P = 0 N a E (8.7) (8.6)

ma questa espressione funziona nel caso di gas in cui, a causa della densit` a ridotta, il campo elettrico locale Eloc , cio` e quello effettivamente sentito dai ` molto diverso da quello esterno E (vedi esempio 1). dipoli, non e ` la cosa nel caso di dielettrici densi perch Diversa e e in questo caso bisogna tenere conto dei dipoli elettrici indotti che circondano il singolo dipolo e producono un campo elettrico a loro volta. Si dimostra in questo caso che il valore del campo elettrico locale diventa: Eloc = E + 1 P 30 (8.8)

` considerata (il secondo addendo) lazione addizionale dei dipoli dove si e che circondano latomo in questione. Sostituendo Eloc al posto di E in (8.7) si ricava: P = 0 Na E 1 N a /3 Na 1 N a /3 (8.9)

dalla quale si otterrebbe la equazione di Clausius-Mossotti: e =


5

(8.10)

In questo caso viene definito in modo che il momento di dipolo prodotto p valga a con la dimensione di un p = 0 E, e che e sia adimensionale. Si tratta di una quantit` volume. In letteratura si usa talvolta una definizione differente secondo cui si misura in Cm2 /V.
266

Polarizzazione di un dielettrico

Capitolo 8

orientamento -onde IR UV ionico elettronico

Figura 8.1: andamento qualitativo della polarizzabilit` a in funzione della frequenza. Sono indicati i tre meccanismi principali e le regioni dello spettro (ultravioletto, infrarosso e microonde) in cui essi sono determinanti.

Figura 8.2: rappresentazione della struttura atomica di un dielettrico: i pallini scuri rappresentano il nucleo, mentre la bolla pi` u chiara rappresenta la nube elettronica. La figura di destra descrive la polarizzazione elettronica del dielettrico a causa della deformazione della nube elettronica indotta in risposta al campo elettrico esterno.

267

Capitolo 8

Onde elettromagnetiche in un dielettrico

E
Figura 8.3: rappresentazione delle molecole ioniche in un dielettrico: i pallini scuri rappresentano lo ione positivo, mentre quelli chiari rappresentano lo ione negativo. Allinterno del quadrato tratteggiato c` e un momento di dipolo netto nullo in assenza di campo elettrico esterno (sinistra) che diventa un momento netto diverso da zero dopo lapplicazione di un campo elettrico (destra).

Figura 8.4: rappresentazione delle molecole polari in un dielettrico (es. H2 O): i pallini scuri rappresentano gli atomi meno elettronegativi (H), mentre i cerchi chiari rappresentano gli atomi pi` u elettronegativi (O). Nella figura di destra si vede come lapplicazione di un campo elettrico esterno comporti lallineamento delle molecole polari.

268

Polarizzazione di un dielettrico

Capitolo 8

scrivibile anche in funzione della costante dielettrica relativa come: 1 Na = +2 3 (8.11)

Come visto sopra, il campo elettrico agisce sugli atomi distorcendo la ` descrivinube elettronica e inducendo cos` un dipolo elettrico. Tale effetto e bile attraverso lintroduzione della polarizzabilit` a elettronica e , che assume valori tipici dellordine di 1029 m3 . `, per` Se il dielettrico e o, composto da molecole ioniche il campo elettrico agisce cambiando la posizione degli ioni, spostando gli ioni positivi in un verso e quelli negativi nel verso opposto, producendo una distorsione del reticolo. Ne consegue che la distanza tra le coppie di ioni cambia e leffetto ` quello di produrre un momento di dipolo complessivo in un certo volume e netto. Per descrivere questo effetto si introduce la polarizzabilit` a ionica i . Un dielettrico pu` o anche essere formato da molecole polari, come nel caso dellacqua. Tali molecole presentano un momento di dipolo elettrico intrinseco p0 a causa di una differenza tra il baricentro delle cariche negative e quello delle cariche positive. In un gas o in un liquido questi dipoli intrinseci tendono a orientarsi in presenza di un campo elettrico esterno e ` tanto pi` il loro allineamento e u efficace quanto pi` u intenso il campo elettrico e quanto minore la temperatura e lagitazione termica corrispondente. Si parla in questo caso di polarizzazione per orientamento e conseguentemente a per orientamento. Tasi introduce la grandezza o chiamata polarizzabilit` le polarizzabilit` a risulta essere inversamente proporzionale alla temperatura assoluta T , secondo la formula di Debye6: o = p2 0 30 kT (8.12)

` la I tre meccanismi coesistono e in generale la polarizzabilit` a totale e somma delle tre: = e + i + o (8.13)
Lequazione si basa su una definizione per o coerente con quella usata per e . Altre definizioni per o non contengono 0 .
6

269

Capitolo 8

Onde elettromagnetiche in un dielettrico

Si ottiene cos` la cosiddetta formula di Langevin-Debye per la suscettibilit` a: p2 0 ) e = N a ( e + i + (8.14) 30 kT oppure nella forma (8.10) per dielettrici densi. Si pu` o notare che per la suscettibilit` a ci si aspetta un valore costante e = a per molecole senza dipolo permanente e del tipo e = a +b/T se sono presenti invece dipoli permanenti. Questo diverso comportamento in funzione della temperatura aiuta la misura sperimentale delle polarizzabilit` a. ` quella che contribuisce in modo prevalenLa polarizzabilit` a elettronica e te nella regione del visibile e ultravioletto. La polarizzabilit` a ionica diventa, invece, rilevante dallinfrarosso in gi` u, mentre quella per orientamento pree ha una rivale a basse frequenze, dalle microonde in gi` u ( 109 Hz), perch ` descritto sposta pi` u lenta alla sollecitazione esterna del campo elettrico. Ci` oe schematicamente dalla figura 8.1. Riassumiamo nelle figure 8.2, 8.3 e 8.4 i diversi meccanismi (principali) di polarizzazione di un dielettrico.

8.2 Equazioni di Maxwell per un dielettrico


Levoluzione del campo elettromagnetico, in qualsiasi condizione, pu` o essere ricavata dalle quattro equazioni di Maxwell per il campo elettromagnetico: q E d A = (legge di Gauss per E) 0 B d A = 0 (legge di Gauss per B) E d s = t B d A (legge di Faraday Henry ) ere Maxwell) B d s = 0 i 00 t E d A (legge di Amp` che possono essere riscritte in forma differenziale come: E = (divergenza di E) 0
270

(8.15) (8.16) (8.17) (8.18)

(8.19)

Equazioni di Maxwell per un dielettrico

Capitolo 8

B = 0 (divergenza di B) e E =

(8.20)

B (rotore di E) (8.21) t E (rotore di B) (8.22) B = 0 j + 0 0 t in funzione della densit` a di carica e della densit` a di corrente j. ` la somSe non siamo nel vuoto, ma entro un dielettrico la carica totale e ma di tutte le cariche libere pi` u quelle di polarizzazione. Analogamente, la a di cariche libere l e di densit` a totale vale = l + p , somma della densit` quelle di polarizzazione p . Se si introduce il vettore polarizzazione P, variabile da punto a punto, la densit` a della carica di polarizzazione risulta essere uguale a: p = P (8.23)

Daltro canto, se la polarizzazione varia nel tempo ci sono cariche di polarizzazione in moto e, quindi, anche una corrente di polarizzazione da sommare a quella delle cariche libere. Per le cariche libere q (di cui non specifi`: chiamo il segno) la densit` a di corrente e jl = Nq qvd (8.24)

` la velocit` a di deriva, mentre per quelle di polarizzazione vale: dove vd e P (8.25) jp = t Tenendo conto di (8.23) possiamo riscrivere la (8.19) come: l + p l 1 E = = P (8.26) 0 0 0 che, in assenza di cariche libere, diventa: 1 (8.27) E = P 0 Lequazione di Amp` ere-Maxwell (8.22), a sua volta, pu` o essere riscritta come: E (8.28) B = 0 j l + 0 j p + 0 0 t
271

Capitolo 8

Onde elettromagnetiche in un dielettrico

che, usando (8.25), si trasforma in: B = 0 jl + 0 (0 E + P) t (8.29)

In assenza di cariche libere tale espressione diventa allora: B = 0 (0 E + P) t ( B) t (8.30)

Partiamo ora dalla (8.21) e prendiamo il rotore di entrambi i membri: ( E) = (8.31)

commutando liberamente derivate spaziali e temporali. Ricordando che: ( E) = ( E) 2 E il primo membro della (8.31) diventa: 2 E 1 ( P) 0 (8.33) (8.32)

mentre il secondo membro diventa (usando la (8.30)): 0 0 2 E 2 P 1 2 E 1 2 P = 0 t 2 t 2 c 2 t 2 0 c 2 t 2 1 2 E 1 1 2 P = ( P ) + c 2 t 2 0 0 c 2 t 2 (8.34)

Riordinando i termini si ottiene lequazione: 2 E (8.35)

` che se il seconAl di l` a dei dettagli di questa equazione, quello che conta e do membro fosse nullo avremmo semplicemente lequazione di DAlembert per il campo elettrico che avrebbe come soluzione unonda armonica piana ` nullo, ma siccome P che si propaga con velocit` a c . Il secondo membro non e ` funzione di E allora anche lequazione (8.35) pu` e o avere onde come soluzioni generali, come mostrato nellesempio 2.

272

Equazioni di Maxwell per un dielettrico

Capitolo 8

Consideriamo ora per semplicit` a unonda piana che si propaga nella dire` polarizzata linearmente con il campo elettrico diretto secondo zione x e che e lasse y. Lampiezza del campo elettrico pu` o essere scritta come: E y = E0 e i(kx t) (8.36)

` lampiezza massima dellonda, la sua frequenza angolare e k dove E0 e il numero donda. Se ricordiamo che la velocit` a di fase vale v = / k e che lindice di rifrazio` definito come n = c /v possiamo riscrivere lampiezza del campo elettrico ne e come: (8.37) E y = E0 e i(nx /ct) ` lespressione generale per unonda armonica, espressa in funQuesta e zione della variabile da determinarsi n. Si verifica (vedi esempio 2) che tale espressione per il campo elettrico soddisfa allequazione (8.35) se: n2 = 1 + N a (8.38)

e N a = P /0 E , e usanSostituendo a N a il valore fornito da (8.7), cio` ` a di do P = N a p = N (e )x dove x e dato dallequazione (8.2) e N la densit` elettroni, si ottiene: 1 Ne 2 2 = 1 + (8.39) n 2 0 m 0 2 i perch dove abbiamo sostituito n con n e risulta evidente che lindice di rifrazione, soluzione di (8.39), deve essere una quantit` a complessa. ` stata ricavata usando la (8.7) che per` Questa espressione e o non tiene conto che la polarizzazione in un materiale denso dipende non solo dal campo esterno, ma anche dal campo prodotto dagli atomi vicini. Si pu` o tenere conto di ci` o andando a sostituire la (8.7) con la (8.9) che comporta una riscrittura della costante di proporzionalit` a tra P e E. Con questa sostituzione la (8.39) viene rimpiazzata da: 2 1 n 1 Ne 2 = Na = 3 2 (8.40) 2 +2 n 0 m 0 2 i ` un altro modo di scrivere la equazione di Clausius-Mossotti. che e
273

Capitolo 8

Onde elettromagnetiche in un dielettrico

8.3 Lindice di rifrazione


Lequazione di Clausius-Mossotti definisce il valore dellindice di rifrazione n che risulta essere funzione, tra le altre cose, dei parametri 0 e caratteristici del dielettrico. ` visto, lindice di rifrazione non e ` una quantit` Come si e a reale ma complessa. Scriviamola allora esplicitamente come somma di una quantit` a reale pi` u una immaginaria pura: = nR + in I (8.41) n La parte reale (n R ) e quella immaginaria (n I ) non sono indipendenti tra loro, ma sono legate da quelle che si chiamano relazioni di dispersione, che incontreremo pi` u sotto. dentro lespressione dellonda Sostituiamo questa rappresentazione per n piana (8.37) che diventerebbe: E y = (E0 e nI x /c ) e i(nR x /ct) (8.42)

La fattorizzazione indicata suggerisce che si tratta ancora di unonda che si propaga lungo lasse x con velocit` a di fase v = c /nR , ma la cui ampiezza E0 ` pi` non e u costante e descresce esponenzialmente secondo:
= E0 e nI x /c E0

(8.43)

` proporzionale al quadrato delRicordando che lintensit` a di unonda e ` una funzione anlampiezza del campo elettrico, si ottiene che lintensit` ae chessa di x data da: (8.44) I e 2nI x /c e x dove abbiamo introdotto il coefficiente di assorbimento = 2nI /c . Si usa anche definire la lunghezza di assorbimento come reciproco del coefficiente a diventa: di assorbimento, cio` e ass = 1/ . Con questa definizione lintensit` I e x / ass
274

(8.45)

Lindice di rifrazione

Capitolo 8

n ( )

Figura 8.5: indice di rifrazione n in funzione della frequenza angolare dellonda incidente. In assenza di smorzamento, cio` e con = 0.

detta equazione di Beer, che ci dice che unonda che si propaga entro un dielettrico riduce la sua intensit` a al 37% di quella incidente dopo aver attraversato una distanza pari a ass . Valori tipici per il coefficiente di assorbimento dei solidi variano tra circa zero e circa 108 m1 con forti dipendenze dalla presenza nel cristallo di imperfezioni e impurit` a. In maniera corrispondente la lunghezza di assorbimento varia tra circa 10 8 m e valori molto grandi. Poich e risulta essere proporzionale alla parte immaginaria dellindice di rifrazione possiamo eliminare possibili ambiguit` a chiamando dora in poi n la parte reale n R e usare la coppia di coefficienti n e . Razionalizzando lequazione (8.40) si ottengono le seguenti espressioni7 per n() e (): n ( ) = 1 +
7

2 2 Ne 2 0 2 2 2 2 20 m (2 0 ) +

(8.46)

I coefficienti n e non sono indipendenti tra di loro, ma legati da espressioni dette relazioni di dispersione ricavabili, a loro volta, dalle relazioni di Kramers-Kronig riguardanti la polarizzabilit` a di un dielettrico.

275

Capitolo 8

Onde elettromagnetiche in un dielettrico

n ( )

Figura 8.6: indice di rifrazione n in funzione della frequenza angolare dellonda incidente. In presenza di smorzamento, assumendo = 0 /10.

e ( ) =

2 Ne 2 2 2 2 2 0 mc (2 0 ) +

(8.47)

Si noti che per 0 il coefficiente di assorbimento 0 e che il fenome` legato allo smorzamento delle oscillazioni no dellassorbimento dellonda e entro il dielettrico. Le funzioni n() e () seguono landamento rappresentato in figura 8.5, 8.6 e 8.7. Nel caso di n() si parla di curva di dispersione. Landamento di () ricorda le curve di risonanza e in questo caso il ` . Per 0 ci sarebbe un picco diventa tanto pi` u stretto quanto pi` u piccolo e assorbimento nullo per qualsiasi frequenza angolare diversa da 0 e infinito in corrispondenza di 0 . Il mezzo sarebbe perfettamente opaco per onde incidenti aventi = 0 e totalmente trasparente per frequenze diverse. Dal valore del coefficiente dipende la forma del picco, dove la larghezza del picco di (), calcolata a met` a altezza, risulta essere pari a . ` una funzione della frequenza angolare Poich e lindice di rifrazione e dellonda incidente, anche la velocit` a di fase risulta essere funzione di : v ( ) = c / n ( )
276

(8.48)

Lindice di rifrazione

Capitolo 8

( )

Figura 8.7: coefficiente di assorbimento in funzione della frequenza angolare dellonda incidente. In presenza di smorzamento, assumendo = 0 /10.

e per questo motivo il mezzo si dice dispersivo. Si usa il termine dispersione perch e un pacchetto donde, esprimibile secondo quanto visto nel capitolo 2 come somma di onde armoniche di frequenza diversa, tenderebbe a disperdersi (cio` e espandersi spazialmente) a causa della propagazione con velocit` a diversa di ciascuna componente. Tornando alle figure 8.6 e 8.7 si pu` o evidenziare come, al di fuori di un intervallo di ampiezza = centrato in 0 , lassorbimento sia trascurabile e lindice di rifrazione n sia una funzione crescente di . In questo caso si parla di dispersione normale e il mezzo risulta praticamente trasparente per londa che vi incide. Nellintervallo attorno a 0 si parla invece di dispersione anomala perch e lindice decresce allaumentare di e londa viene attenuata. Nel caso di un solido i valori dei parametri che caratterizzano loscillae intervengono tore, 0 e sono diversi che nel caso di atomi liberi perch interazioni intense tra un atomo e quelli vicini. Bisogna allora considerare pi` u oscillatori, con intensit` a relativa differente f j . La (8.40) diventa: 3 fj 2 1 Ne 2 n = 2 2 + 2 0 m j 0 j 2 i j n
277

(8.49)

Capitolo 8

Onde elettromagnetiche in un dielettrico

risultato valido anche applicando rigorosamente i principi della meccanica quantistica. Andando a ricavare la parte reale e immaginaria, o meglio n() e , si ottiene: 2 f j ( 2 Ne 2 0j ) n ( ) = 1 + (8.50) 2 2 2 2 20 m j (2 0j ) + j e f j j 2 Ne 2 ( ) = 2 2 2 2 0 mc j (2 0j ) + j

(8.51)

La funzione n() segue un andamento come quello rappresentato nella curva di dispersione riportata in figura 8.8, caratterizzato da pi` u frequenze proprie 0 j . Si noti che in corrispondenza di ciascuna frequenza angolare propria si riproduce il comportamento tipico della dispersione per il singolo oscillatore. Riassumiamo quanto discusso in questa sezione dicendo che le propriet` a ottiche di un corpo, osservate a livello macroscopico, possono essere espresse in funzione dellindice di rifrazione complesso e, quindi, in funzione di n() ` il comportamento delle due funzioni n() e (), alla frequenza e (). E dellonda incidente, a determinare la risposta del corpo dal punto di vista della riflettivit` a, trasparenza e dispersione. Siccome la riflettivit` a e lassorbimento sono funzioni di n e di , si possono usare misure di riflettivit` a e assorbimento, fatte a una certa frequenza angolare , per ottenere i valori di n() e () corrispondenti (o alternativamente n R () e n I ()).

8.3.1

Dispersione della luce

Discutiamo ora il caso specifico di un dielettrico colpito da un raggio luminoso, cio` e unonda elettromagnetica con frequenza angolare compresa tra circa 2.7 1015 e 4.7 1015 rad/s, corrispondente allintervallo del visibile con lunghezza donda compresa tra 400 e 700 nm. Nel caso di dispersione normale lindice di rifrazione riceve contributi soprattutto dal termine della sommatoria avente frequenza angolare propria
278

Lindice di rifrazione

Capitolo 8

n ( )

Figura 8.8: curva di dispersione tipica di un mezzo solido. Sono evidenziate due frequenze angolari proprie.

0 j pi` u vicino al valore di . Se, inoltre, si va a esprimere n() in funzione di = 2c / si ottiene una formula del tipo: n( ) = A + B 2 (8.52)

detta formula di Cauchy, i cui coefficienti A e B dipendono, tra le altre cose, dalle frequenze angolari proprie 0 j . Come esempio riportiamo in figura 8.9 landamento dellindice di rifrazione per un cristallo dispersivo come il quarzo. In questo caso si possono ricavare sperimentalmente i valori dei coefficienti A e B che valgono, per il quarzo, A = 1.446 e B = 3.5 1015 m2 .

8.3.2

Velocit` a di gruppo

Ricordiamo che la velocit` a di gruppo v g viene definita a partire da frequenza angolare e numero donda come: vg = d dk (8.53)

Nellesempio 3 dimostreremo che la velocit` a di gruppo pu` o essere scritta


279

Capitolo 8

Onde elettromagnetiche in un dielettrico

n( )

1.446

0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 6 (10 m)


Figura 8.9: indice di rifrazione del quarzo in funzione della lunghezza donda.

in funzione dellindice di rifrazione come: vg = c n + dn/d (8.54)

` funzione di , Si pu` o notare subito che nei mezzi non dispersivi n non e e quindi dn/d = 0 implica che la velocit` a di gruppo coincida con quella di fase. Ci` o avviene anche per mezzi dispersivi in corrispondenza di un minimo o massimo di n per cui dn/d = 0. In caso di dispersione normale abbiamo dn/d > 0 da cui segue v g < v . ` nelle condizioni di dispersione anomala, cio` Se, invece, si e e vicini a una frequenza angolare propria, vale dn/d < 0 e di conseguenza sarebbe v g > v ` unapparente violazione del principio e si potrebbe avere v g > c . Questa e di relativit` a di Einstein secondo cui un segnale o una perturbazione fisica non pu` o mai propagarsi con velocit` a maggiore della velocit` a della luce nel vuoto c . In realt` a ci` o non rappresenta un problema perch e in corrispondenza delle frequenze proprie il pacchetto donde subisce una forte deformazione e ` pi` il concetto di velocit` a di gruppo non e u adeguato a descrivere leffettiva ` comunque sempre minore velocit` a di propagazione del segnale fisico che e di c .
280

Lindice di rifrazione

Capitolo 8

8.3.3

Esempi

1. Determinare la differenza relativa tra il campo elettrico locale e quello esterno nel caso di azoto gassoso ( e = 5.8 104 a temperatura e pressione ambiente) e allo stato liquido ( e = 5.9 101 a 80 K). Dallequazione (8.8) ricaviamo che la differenza relativa vale: Eloc E 1 P = E 30 E che, ricorrendo a (8.4), diventa in modulo: E loc E 1 1 = o e = e E 30 3 ` circa di 2 parti su 10 000 Quindi, nel caso gassoso la differenza relativa e ` di circa 2 parti su 10 (si(pressoch e trascurabile), mentre nel caso liquido e gnificativo). 2. Verificare che un campo elettrico oscillante, se vale la condizione (8.38), soddisfa allequazione differenziale (8.35), nel caso di un dielettrico isotropo e assumendo che la polarizzazione sia proporzionale al campo elettrico. Il primo termine del primo membro di (8.35) vale: 2 E y 2 E y 2 E y uy + uy + u y = k 2 E y u y E= 2 2 2 x y z
2

(8.55)

per londa descritta da (8.36). Il secondo termine del primo membro vale invece: 1 2 E 2 = E y uy c 2 t 2 c 2 (8.56)

` isotropo allora P e ` parallelo a E e, quindi, nel caso diSe il dielettrico e scusso la polarizzazione ha solo componente y che non dipende da y e la divergenza P = Px /x + Py /y + Pz /z diventa nulla. Il primo termine `, quindi, nullo. Se assumiamo poi: del secondo membro di (8.35) e Py = 0 N a ()E y (8.57)

281

Capitolo 8

Onde elettromagnetiche in un dielettrico

allora il secondo termine del secondo membro vale: 2 E y 1 2 N ( ) u = N a ( )E y u y a y c2 t 2 c2 Sostituendo queste espressioni entro (8.35) si ottiene: k 2 E y + 2 2 E = N a ( )E y y c2 c2 2 [1 + N a ()] c2 (8.59) (8.58)

Semplificando E y e riordinando si ottiene lequazione: k2 = cio` e: n 2 = 1 + N a ( ) (8.61) Per questo valore di n lespressione del campo elettrico soddisfa, come si voleva provare, lequazione (8.35). 3. Ricavare la velocit` a di gruppo in funzione dellindice di rifrazione (reale) n e della frequenza angolare . Partiamo sostituendo = kv nella definizione (8.53): vg = Del resto: inoltre: e, quindi: vg = v da cui ricaviamo: vg = c v = 1 + (/n)(dn/d) n + dn/d dv d (kv ) =v+k dk dk (8.60)

dv dv d dv = = vg dk d dk d dv d (c /n) c dn = = 2 d d n d dn kc dn = v vg v g n2 d n d

282

Costante dielettrica relativa

Capitolo 8

8.4 Costante dielettrica relativa


Cos` come avviene per lindice di rifrazione, anche la costante dielettrica re` una quantit` lativa di un mezzo e a complessa definibile come somma di una parte reale pi` u una immaginaria pura: = R + iI (8.62)

` legata allenergia elettrostatica immagazzidove la componente reale R e ` legata alla dissipanata nel mezzo, mentre la componente immaginaria I e zione energetica entro il mezzo. la parte reale e quella immaginaria sono legate da relaAnche nel caso di zioni di dispersione dipendenti dalla frequenza e di conseguenza la costante = (). dielettrica viene anchessa a dipendere8 dalla frequenza: ` Il legame tra la costante dielettrica (complessa) e lindice di rifrazione e dato dalla relazione: () = n R () + in I () ( ) = n (8.63) Linversione della (8.63), assieme alla definizione del coefficiente di asa: sorbimento = 2n I /c , d` c2 2 2 2 (8.64) R ( ) = n 2 R nI = n 42 e nc (8.65) I ( ) = 2n R n I = Se si conoscono invece R e I si possono ottenere n R e n I come: 1 2 nR = R + 2 (8.66) R + I 2 e 1 2 nI = R + 2 (8.67) R + I 2 La costante dielettrica relativa segue curve di dispersione analoghe a quelle dellindice di rifrazione, cio` e simili alla figura 8.8.
La dipendenza dalla frequenza rende improprio luso del termine costante dielettrica. Sarebbe preferibile allora usare il termine permittivit` a dielettrica.
283
8

Capitolo 8

Onde elettromagnetiche in un dielettrico

8.5 Riflessione sulla superficie


Le propriet` a di riflessione di una superficie, intesa come separazione tra due mezzi dotati di propriet` a ottiche (cio` e indici di rifrazione) differenti, possono essere ricavate risolvendo le equazioni di Maxwell relative ai due mezzi e imponendo delle condizioni di continuit` a ai campi elettrici e magnetici nellattraversamento della superficie di separazione. Si possono ottenere cos` dei coefficienti (detti coefficienti di Fresnel) che forniscono il rapporto tra le ampiezze dei campi riflessi o trasmessi e quelle dei campi incidenti. Nel fare questo si usa scomporre i campi secondo due direzioni, una parallela al piano di incidenza e una ortogonale, ottenendo due insiemi di relazioni per i coefficienti. Per questo motivo risulta importante conoscere la direzione di polarizzazione (se c` e) dellonda rispetto al piano di incidenza. In questo capitolo ci limiteremo a trattare un caso semplificato, cio` e quello in cui londa incide normalmente rispetto alla superficie di un mezzo otti` che in queste condizioni non serve neanche fare riferimenco. Il vantaggio e to alla direzione di polarizzazione perch e i campi (essendo londa trasversa) sono sempre tangenti alla superficie stessa. Consideriamo unonda elettromagnetica che si propaga lungo la direzione x e che incide normalmente sulla superficie piana di un mezzo isotropo. Essa sar` a soggetta a parziale riflessione e a parziale trasmissione, mentre a a scindersi come somma di unintensit` a riflessa lintensit` a incidente I i andr` a trasmessa I t secondo: Ir e unintensit` I i = Ir + I t = RI i + (1 R )I i (8.68)

dove abbiamo introdotto il coefficiente R chiamato riflettivit` a definito come: Ir (8.69) R Ii Per ricavare R esprimiamo il campo elettrico incidente proveniente dallaria (n = 1) come (vedi la (8.37)): E i = E i0 e i(x /ct)
284

(8.70)

Riflessione sulla superficie

Capitolo 8

Ei Et x Er

mezzo ottico

Figura 8.10: rappresentazione schematica della formazione di unonda riflessa E r e trasmessa E t , in seguito allarrivo di unonda E i incidente normalmente sulla superficie piana di un mezzo ottico isotropo.

Tale campo verr` a parzialmente riflesso a produrre un campo Er e parzialmente trasmesso a produrre un campo E t , come rappresentato in figura 8.10. Nella regione x < 0, cio` e quella da cui proviene londa, lampiezza totale ` la somma del campo incidente e di quello riflesso e vale: del campo elettrico e E (x ) = E i + Er = E i0 e i(x /ct) + Er0 e i(x /c+t) (8.71)

e nel verso posicorrispondente a unonda E i viaggiante verso destra (cio` tivo delle x ) e unonda Er viaggiante verso sinistra (nel verso negativo delle x ). ` solo quello trasmesso: Entro il mezzo, cio` e nella regione x > 0, il campo e E (x ) = E t = E t0 e i(nx /ct) (8.72)

Imponendo la condizione di continuit` a del campo per x = 0 si ottiene: E t0 = E i 0 + E r0 (8.73)

Espressioni analoghe vanno scritte per il campo magnetico, prestando attenzione al fatto che londa riflessa ha un campo magnetico diretto opposto a
285

Capitolo 8

Onde elettromagnetiche in un dielettrico

` necessario se si vuole invertire la direzione del vettore quello incidente (ci` oe a la direzione di propagazione dellonda). Per di Poynting S = E B/ 0 , che d` il campo magnetico la condizione di continuit` a sarebbe: B t0 = B i 0 B r0 E t0 E i 0 E r0 = v c c (8.74)

dove abbiamo sfruttato il fatto che in unonda elettromagnetica lampiezza ` pari a quella del campo elettrico divisa per la velocit` del campo magnetico e a di propagazione dellonda. Ricordando che n = c /v allora la (8.74) diventa: nE t0 = E i0 Er0 (8.75)

. che si pu` o generalizzare al caso di un indice di rifrazione complesso n Abbiamo ora due equazioni e due incognite (le ampiezze del campo riflesso e di quello trasmesso) e possiamo ricavare il rapporto tra ampiezza riflessa e ampiezza incidente: E r0 1 n = E i0 1 + n (8.76)

Essendo lintensit` a dellonda elettromagnetica proporzionale al quadrato dellampiezza del campo elettrico, si ottiene che la riflettivit` a per incidenza normale R vale: R= (n R 1)2 + n2 2 (1 n R ) in I 1n I = = 1+n (1 + nR ) + in I (nR + 1)2 + n2 I
2

(8.77)

Nel caso in cui lindice di rifrazione sia puramente reale la riflettivit` a risulta essere R < 1, quindi, parte dellintensit` a dellonda incidente viene trasmessa.

8.5.1

Esempio

= 4.141 + i 2.215 4. Conoscendo lindice di rifrazione complesso del germanio (n alla lunghezza donda = 400 nm), si ricavi la lunghezza di assorbimento e la riflettivit` a per incidenza normale.
286

Trasmissione di unonda

Capitolo 8

Anche se non si tratta propriamente di un dielettrico, le definizioni date in questo capitolo valgono lo stesso. Allora: c 400 109 = 1.44 108 m = = ass = 2nI 4n I 4 2.215 La riflettivit` a vale invece: (nR 1)2 + n2 (4.141 1)2 + 2.2152 I = = 0.47 R= (nR + 1)2 + n2 (4.141 + 1)2 + 2.2152 I cio` e viene riflesso il 47% dellintensit` a incidente.

8.6 Trasmissione di unonda


Nel caso di un materiale di piccolo spessore (ad esempio, una lastra di vetro) pu` o interessare conoscere la frazione dellintensit` a incidente che emerge come intensit` a trasmessa dallaltra parte della lastra. Se non ci fosse assorbimento da parte del mezzo la frazione di intensit` a trasmessa T , detta trasmissivit` a, si ricaverebbe dalla conservazione dellener9 gia : R+T =1 (8.78) Come visto pi` u sopra il mezzo pu` o assorbire in parte londa che lo attraversa, quindi, la trasmissivit` a di un mezzo di spessore d vale: T = (1 R1 )e d / ass (1 R2 ) (8.79)

se le riflettivit` a delle due facce del mezzo sono differenti. In generale per` o le due riflettivit` a sono identiche, se le due superfici della lastra sono uguali, ` il mezzo prima e dopo la lastra; si ottiene10 cos` : e uguale e T = (1 R )2 e d / ass
9

(8.80)

I coefficienti R e T andrebbero definiti come rapporti tra le potenze piuttosto che tra le intensit` a, perci` o quando si vogliono calcolare le intensit` a interverrebbero considerazioni geometriche legate alle aree delle sezioni dei fasci di luce. Per incidenza normale per` o il rapporto tra le potenze e il rapporto tra le intensit` a coincidono. 10 Questa formula ignora la possibilit` a di riflessioni multiple tra le facce parallele del ` effettivamente piccolo e pu` mezzo. Nella maggior parte dei casi leffetto e o essere trascurato.
287

Capitolo 8

Onde elettromagnetiche in un dielettrico

8.7 Applicazioni
Come applicazione di quanto descritto in questo capitolo riportiamo gli esempi della spettroscopia ottica condotta utilizzando prismi di quarzo e del riscaldamento dielettrico dei corpi.

8.7.1

Spettroscopia ottica

Consideriamo un mezzo dispersivo quale il quarzo. Inviando un fascio di luce bianca (cio` e contenente, con distribuzione pi` u o meno uniforme, frequenze nel dominio del visibile) si verifica che la diffrazione nel passaggio da ` ee aria a quarzo avviene ad angoli differenti11 per ciascuna frequenza perch diverso il valore dellindice di rifrazione. Se la seconda superficie quarzo-aria ` parallela alla prima (ecco perch non e e si usano prismi e non parallelepipe` compensato dalla seconda rifrazione. Di conseguenza un di) leffetto non e fascio bianco incidente su una faccia del prisma di quarzo emerge dallaltra faccia come un fascio di raggi divergenti di colore (frequenza) diverso (vedi figura 8.11). Questo effetto pu` o essere usato per separare un fascio di luce bianca nel suo spettro costituente di colori/frequenze. Un tale metodo presenta dei vantaggi rispetto alla spettroscopia fatta con reticoli di diffrazione perch e funziona su uno spettro di frequenze pi` u ampio e non risente del problema della sovrapposizione di ordini differenti, come avviene nei reticoli.

8.7.2

Riscaldamento dielettrico

Poich e i dielettrici sono dei materiali isolanti non sarebbe possibile riscaldarli in modo efficace facendoli attraversare da una corrente elettrica e sfruttando ` possibile per` leffetto Joule. E o riscaldarli sfruttando loscillazione a cui sarebbero soggetti i dipoli permanenti (nel caso in cui siano presenti) soggetti al
Ricordiamo la legge di Snell per la rifrazione, nel passaggio da un mezzo 1 a un mezzo 2: n 1 sin 1 = n 2 sin 2 , dove i sono gli angoli formati dai raggi rispetto alla normale al piano di incidenza.
11

288

Quesiti di riepilogo

Capitolo 8

rosso violetto
Figura 8.11: dispersione della luce bianca attraverso un prisma di quarzo. La componente rossa viene deviata meno di quella violetta.

campo elettrico oscillante di unonda elettromagnetica inviata sul corpo. In seguito allinversione continua della direzione del campo elettrico si ha una rotazione del dipolo con conseguente aumento della sua energia vibrazionale e, quindi, della temperatura stessa del corpo. Il trasferimento di energia al ` tanto pi` corpo e u efficace quanto pi` u ci si avvicina alla condizione di risonanza, cio` e quanto pi` u ci si avvicina alla frequenza propria del materiale che compone il corpo. Questo meccanismo risulta essere molto efficace per una molecola polare quale lacqua e meno efficace per altri tipi di molecole; su ci` o si basa il riscaldamento/cottura di alimenti allinterno di un forno a microonde. In questo caso la frequenza propria dellacqua vale circa 20 GHz, mentre le microonde usate hanno una frequenza di circa 2 GHz. Ne segue che leffetto riscaldante non ha la massima efficacia possibile per` o agisce pi` u in profondit` a. ` che e ` possibile Un aspetto interessante del riscaldamento dielettrico e agire su materiali compositi, riscaldandoli in modo selettivo.

8.8 Quesiti di riepilogo


1. Lindice di rifrazione (nella regione del visibile) di un materiale dielettrico trasparente dipende principalmente dagli ioni, dagli elettroni o dai dipoli permanenti?
289

Capitolo 8

Onde elettromagnetiche in un dielettrico

2. In che condizioni un dielettrico pu` o essere totalmente trasparente? Totalmente assorbente? ` pi` 3. Perch e un forno a microonde e u efficace nel riscaldare acqua rispetto a ghiaccio? Non si tratta delle stesse molecole? 4. Come varia la velocit` a di propagazione di unonda luminosa nel quarzo? 5. Perch e per un prisma di quarzo illuminato con un raggio di luce bianca emerge pi` u deviata la componente violetta? (vedi figura 8.11).

8.9 Esercizi
1. Calcolare la lunghezza di assorbimento e la riflettivit` a per unonda infrarossa ( = 60 m) incidente normalmente su un cristallo di cloruro di sodio. = 6.2 + i 7.4. Per = 60 m lindice di rifrazione complesso di NaCl vale n = 77.6 + i 7.5 2. Per lacqua a 25 C la costante dielettrica relativa vale per onde radio aventi frequenza di 2 GHz. Calcolare lindice di rifrazione corrispondente. 3. Il massimo assorbimento per acqua a 25 C avviene per microonde di circa = 6.89 + i 2.65. Calcolare 20 GHz. In questo caso lindice di rifrazione vale n la lunghezza di assorbimento e confrontarla con quella per le microonde di un tipico forno a microonde ( 2 GHz). 4. Calcolare la frazione di intensit` a trasmessa da una lastrina di germanio avente lo spessore d = 1 m nel caso di unonda infrarossa avente frequenza = 4.42 + i 0.123). 2.9 1014 Hz. (Si usi n 5. Un raggio di luce bianca incide a 45 su una lastra di quarzo di spessore D = 10 cm. Che distanza separa il raggio rosso ( = 700 nm) e quello violetto ( = 400 nm) che escono dallaltra parte della lastra? 6. Una lastrina di materiale trasparente dello spessore di 10 mm lascia pas290

Esercizi

Capitolo 8

sare il 75% dellintensit` a non riflessa. Che frazione dellintensit` a non riflessa attraverserebbe uno spessore di 20 mm?

291

Capitolo 9 Onde elettromagnetiche in un conduttore


Consideriamo ora la propagazione di onde elettromagnetiche attraverso un conduttore omogeneo, non magnetico e in assenza di cariche libere esterne o correnti di conduzione. In aggiunta si far` a riferimento a materiali in regime di risposta lineare per il quale i cambiamenti sia in densit` a di carica sia in corrente, indotti dal campo elettromagnetico dellonda incidente, risultano essere proporzionali al campo stesso. Facciamo, inoltre, riferimento alle transizioni intrabanda tra bande energetiche parzialmente occupate, cosa che si verifica nel caso di metalli o di semiconduttori aventi un grande numero di portatori liberi (opposte alle transizioni interbanda che si riferiscono a bande completamente riempite o completamente vuote, come succede per materiali isolanti e per i semiconduttori in genere).

9.1 Lindice di rifrazione di un conduttore


Nel caso di un conduttore possiamo partire dal modello a gas di elettroni (modello di Drude, vedi capitolo 4), cio` e supporre che ci siano elettroni di conduzione liberi di muoversi entro il reticolo cristallino. Questi elettroni di conduzione sono quelli che danno il contributo pi` u importante allindice di rifrazione e nel seguito tratteremo solo loro. Considerando le oscillazioni a cui questi elettroni sarebbero sottoposti dallazione di un campo elettrico associato a unonda elettromagnetica, le-

Capitolo 9

Onde elettromagnetiche in un conduttore

quazione del moto (8.1) andrebbe riscritta come: m( dx d2x + ) = eE 2 dt dt (9.1)

dove abbiamo eliminato il termine 2 e sullelettrone li0 x proprio perch bero non agiscono forze di richiamo e, quindi, la frequenza propria risulta essere nulla. Il termine contenente il coefficiente rappresenta uno smorzamento viscoso. Esso dipende dal meccanismo specifico responsabile della dissipazione ` dovuta alle collisioni casuali tra gli elettroni e le impurit` che in generale e ae imperfezioni del reticolo cristallino. Unaltra differenza rispetto al caso dei dielettrici densi sta nel fatto che per gli elettroni di un metallo il campo elettrico locale coincide con il campo elettrico esterno poich e non c` e praticamente interazione tra gli elettroni. Per questo motivo usiamo per lindice di rifrazione lespressione (8.39) e non la (8.40), dove per` o eliminiamo il termine 2 0x: 2 = 1 + n 1 Ne 2 2 m0 i (9.2)

Ricordiamo quanto trattato nel capitolo 4, dove si discuteva il moto di deriva degli elettroni di conduzione assumendo che il campo elettrico fosse costante e che laccelerazione fosse proporzionale a esso. Nel caso di un cam` nullo e sarebbe nulla anche laccelerazione po oscillante il valore medio e 2 2 media d x /dt in (9.1). Per questo motivo il termine di resistenza mdx /dt risulta essere uguale alla forza applicata eE . Ricordando lespressione (4.2): vd = eE m (9.3)

` il tempo medio tra gli urti successivi (chiamato anche tempo di dove e rilassamento), si ricava che il coefficiente deve valere: =
294

(9.4)

Lindice di rifrazione di un conduttore

Capitolo 9

Del resto dalla (4.6) si ricava anche: = m Ne 2 Ne 2 m (9.5)

Il valore del coefficiente in funzione della conducibilit` a diventa allora: = (9.6)

che, sostituito entro (9.2), porta a scrivere lindice di rifrazione di un conduttore in funzione della sua conducibilit` a e del tempo medio tra urti come: 1 i 2 = 1 =1 n (9.7) 0 + i 0 1 + 2 2 Lindice di rifrazione complesso viene, quindi, a dipendere dalla frequenza . Per discutere le implicazioni di ci` o scegliamo due regimi di frequenza diversi, cio` e basse e alte frequenze, in corrispondenza dei quali scrivere . unespressione approssimata per la parte reale e immaginaria di n

9.1.1

Approssimazione per basse frequenze


+i +i 0 0 0 0

Lespressione (9.7), nel regime di basse frequenze per cui 1, diventa: 2 = 1 n (9.8)

` trascurato il termine 1 rispetto a /0 106 per un conduttore dove si e tipico. Nellipotesi 1 il termine reale risulta essere molto pi` u piccolo di quello immaginario e, quindi, scriviamo: 2 = i n 0 (9.9)

che pu` o essere risolta come1: = +i n 20 20

(9.10)

1 = z /2 + i z /2 allora n 2 = ( z /2 + i z /2) a ritroso: se poniamo n Verifichiamo 2 = z /2 + i 2 z /2 + 2 iz /2 e, quindi, essendo i 2 = 1 si ottiene n 2 = iz . en ( z /2 + i z /2) cio`
295

Capitolo 9

Onde elettromagnetiche in un conduttore

La parte immaginaria corrisponde al coefficiente di assorbimento: 2 n I = (9.11) =2 c 0 c 2 mentre la lunghezza di assorbimento vale: 0 c 2 1 ass = 2

(9.12)

Considerando valori di conducibilit` a tipici di un metallo, cio` e 108 1 m1 , ci aspettiamo una lunghezza di assorbimento pari a circa:
li metal ass

6 102

(9.13)

metri, che nel regime di basse frequenze (tipicamente 1013 rad/s viu) corrisponde a una disto che metal l i 1014 s, quindi, dallinfrarosso in gi` stanza molto piccola, dellordine di qualche nanometro. Lastrine metalliche anche se sottili hanno comunque uno spessore d molto pi` u grande della luno opaghezza di assorbimento, quindi e d / ass 0 e il conduttore risulta perci` co alla trasmissione di unonda elettromagnetica a bassa frequenza ( 1013 rad/s). C` e bisogno di andare a una frequenza angolare molto pi` u bassa, pari cir5 ca a 4 10 rad/s, per ottenere in corrispondenza una lunghezza di assorbimento di un decimo di millimetro, quindi, non troppo pi` u piccola di quanto possa essere lo spessore di una lastra sottile di conduttore. Solo a bassissime frequenze ( 104 rad/s) uno spessore sottile (un millimetro o meno) di conduttore pu` o diventare parzialmente trasparente allonda. Per quanto riguarda la riflettivit` a, sostituendo i valori di n R e nI dati da (9.10) nella definizione (8.77), si ottiene: /20 (9.14) R =14 /0 + 1 + 2 /20 Trascurando gli ultimi due addendi al denominatore perch e risultano a si semplifica come: essere molto pi` u piccoli rispetto a /0 la riflettivit`

296

Lindice di rifrazione di un conduttore

Capitolo 9

R 12

20

(9.15)

detta equazione di Hagen-Rubens. Considerando i valori tipici di conducibilit` a, la riflettivit` a per una superficie metallica diventa allora: R 1 109 (9.16) ` molto piccolo, quindi, R 1 e il A basse frequenze il secondo addendo e metallo diventa quasi totalmente riflettente.

9.1.2

Approssimazione per alte frequenze

Se si considera, invece, un regime di alte frequenze per cui 1 (cio` e 14 o trascurare il termine i 10 rad/s, quindi, dal vicino infrarosso in su) si pu` rispetto a nel denominatore dellespressione (9.7) che diventa: 2 p 2 = 1 = 1 n (9.17) 2 2 0 dove abbiamo introdotto il parametro p , chiamato frequenza di plasma, definito come: Ne 2 = p = (9.18) 0 0 m Per un conduttore tipico la frequenza di plasma vale p 1 1016 rad/s, corrispondente alla regione ultravioletta (vedi tabella 9.1). Si parla di fre` la frequenza alla quale gli elettroni oscillano quenza di plasma perch e p e spontaneamente, in fase tra di loro, sotto lazione del campo elettrico prodotto da loro stessi. In questo modo si viene a produrre un moto collettivo degli elettroni di conduzione, analogo a quanto si verifica in gas ionizzati. Facendo riferimento alla (9.17) si possono individuare due casi: risulta essere reale, 1. > p . In questo caso lindice di rifrazione n quindi, il coefficiente di assorbimento diventa = 0. Ne segue che non c` e assorbimento dellonda e il conduttore risulta completamente trasparente per londa, anche se comunque si parla di dispersione perch e lindice reale n()
297

Capitolo 9

Onde elettromagnetiche in un conduttore

dipende dalla frequenza. In tabella 9.1 vengono riportati i valori di lunghezza donda al di sotto dei quali un metallo diventa trasparente. Allo stesso tempo la riflettivit` a tende a zero poich e nR 1 e n I 0, quindi, praticamente tutta lintensit` a dellonda viene trasmessa al di l` a del metallo. o comporta un assorbimen2. < p (detta regione di rilassamento). Ci` to dellonda perch e lindice di rifrazione diventa immaginario puro, infatti, 2 trascurando nella formula (9.17) laddendo 1 rispetto a 2 p / si ottiene: 2 p p 2 = 2 n =i (9.19) n La lunghezza di assorbimento viene a valere: c 1 c ass = = = 1 108 m (9.20) 2nI 2 p quindi, dellordine di qualche nanometro. Essendo lindice di rifrazione quasi puramente immaginario, R 1 e si ha riflessione quasi totale dellonda incidente. Ecco spiegato perch e i metalli hanno unelevata lucentezza: perch e per essi nI n R e, quindi, sono caratterizzati da unelevata riflettivit` a per la luce visibile. Ricordiamo che un materiale con la parte immaginaria dellindice di rifrazione molto grande presenta, allo stesso tempo, un forte assorbimento ` grande. Notiamo allora la corrispondenza secondo perch e il coefficiente e la quale un materiale (come i metalli) che assorbe fortemente londa elettromagnetica ha anche una forte propensione a rifletterla. La frequenza di plasma rappresenta una frequenza critica al di sotto o al di sopra della quale si manifestano due comportamenti qualitativamente differenti. La regione del visibile (2.7 1015 4.7 1015 rad/s) risulta essere al di sotto della frequenza di plasma tipica dei metalli e londa subisce unattenuazione parziale mentre si propaga attraverso il metallo. Ecco perch e siamo abituati a considerare i metalli come generalmente opachi e riflettenti mentre, a rigore, essi lo sono solo per la luce visibile o per onde con lunghezza donda maggiore. Il comportamento tipico di un metallo per frequenze vicine a quella di plasma ` e riportato in figura 9.1, per un metallo avente p = 1.4 1016 rad/s. Per
298

Lindice di rifrazione di un conduttore

Capitolo 9

METALLO p (1016 rad/s) Ni 1.1 Fe 1.1 Mn 1.3 Ag 1.4 Au 1.4 Zn 1.5 Cu 1.6 Mg 1.7 Al 2.4

t (nm) 170 170 145 135 135 126 118 111 79

Tabella 9.1: frequenza di plasma per alcuni metalli e lunghezza donda t al di sotto della ` trasparente ( t = 2c / p ). (Elementi ordinati per valori crescenti di p ). quale il metallo e

altri metalli ci si aspetta un comportamento simile: basta immaginare di traslare le curve verso destra per i metalli aventi frequenza di plasma maggiore, o verso sinistra per quelli a frequenza di plasma minore. ` la diLaspetto pi` u rilevante del comportamento descritto in figura 9.1 e scesa netta per la riflettivit` a in corrispondenza della frequenza di plasma. Questo comportamento, regolato esclusivamente dalla frequenza di pla` vero per la maggior parte dei metalli, ma non per tutti. Un comsma, e portamento peculiare si verifica, ad esempio, nel caso del rame, delloro o dellargento, comportamento che ne spiega anche il colore. Se consideriamo questi tre metalli notiamo che hanno una frequenza di plasma molto simile e hanno anche una configurazione elettronica in cui il guscio d risulta essere completamente riempito2 . In tutti e tre i casi le bande elettroniche corrispondenti ai gusci d risultano essere al di sotto dellenergia di Fermi della banda di conduzione. Ci` o comporta il fatto che le transizioni dalla banda d a quella di conduzione avvengono in corrispondenza di una stretta fascia di energie EF Ed e,
Le configurazioni elettroniche dei gusci pi` u esterni sarebbero 3s2 3p6 3d10 4s1 , 6 10 1 2 6 10 1 4s 4p 4d 5s e 5s 5p 5d 6s rispettivamente per Cu, Ag e Au.
2 2

299

Capitolo 9

Onde elettromagnetiche in un conduttore

1.0 0.8 0.6 0.4 0.2 0 0 0 3 2 6 4 9 6 12 8 15 10 18 12 21 (rad/s) 1015 14 E (eV)

R nI

nR

Figura 9.1: riflettivit` a, parte reale e parte immaginaria dellindice di rifrazione per un metallo conduttore, in funzione della frequenza angolare della radiazione incidente. La figura si riferisce a un metallo con frequenza di plasma pari a circa 1.4 1016 rad/s. Lavvallamento ` dovuto a una transizione interbanda. attorno a 1.5 eV e

quindi, una stretta fascia di valori di frequenza angolare 0 = (EF Ed )/. Questa fascia di frequenze pu` o essere modellata come un oscillatore aggiuntivo. Oltre agli elettroni liberi del modello di Drude vanno allora conside` libero, ma rati elettroni legati del modello di Lorentz dove lelettrone non e risonante e la riflettivit` a deve tenere conto di entrambi i casi. Nel caso del rame la risonanza avviene a unenergia di circa 2 eV corrispondente a 0 = 3 1015 rad/s comportando una drastica riduzione della riflettivit` a in corrispondenza di tale frequenza angolare (vedi figura 9.2). Nel caso dellargento la risonanza avviene attorno a circa 4 eV corrispondente a 0 = 6 1015 rad/s (vedi figura 9.3). Caratterizziamo quanto detto discutendo nellesempio 1 lassorbimento da parte di una lastra di rame su cui incidono micronde, luce visibile o luce ultravioletta, mentre nellesempio 2 si tratta la trasmissivit` a di una pellicola di alluminio.

300

Lindice di rifrazione di un conduttore

Capitolo 9

1.0 0.8 0.6 0.4 0.2 0 0 0 3 2 6 4 9 6 12 8 15 1015

(rad/s)

10 E (eV)

Figura 9.2: riflettivit` a del rame in funzione della frequenza angolare della radiazione incidente.

1.0 0.8 0.6 0.4 0.2 0 0 0 3 2 6 4 9 6 12 8 15 1015

(rad/s)

10 E (eV)

Figura 9.3: riflettivit` a dellargento in funzione della frequenza angolare della radiazione incidente.

301

Capitolo 9

Onde elettromagnetiche in un conduttore

9.1.3

Esempi

1. Si consideri unonda elettromagnetica incidente su una lastra di rame e si discuta lassorbimento nel caso di microonde ( = 1 1010 Hz), luce visibile ( = 5 1014 Hz) e ultravioletta ( = 1017 Hz). a di Per il rame la conducibilit` a vale circa = 6 107 1 m1 , la densit` ` circa N = 8.5 1028 m3 e il tempo medio tra collisioni vale circa elettroni e = 2.5 1014 s. Il valore del coefficiente si ricava da = 1/ e vale 4 1013 s1 . Nel caso delle microonde = 2 = 1.6 103 1, quindi, si ricade nellapprossimazione delle basse frequenze per la quale la lunghezza di assorbimento vale (vedi la (9.12)): 0 c 2 ass = 2 e numericamente: 8.86 1012 (3 108 )2 3 107 m = 0.3 m ass = 2 6 107 2 1 1010 perci` o bastano pochi micrometri di rame per assorbire completamente londa e, quindi, la lastra di rame risulter` a opaca per le microonde. Nel caso di luce visibile vale 80 1 e, quindi, va usata lapprossimazione per alte frequenze. La frequenza angolare corrispondente vale o lindice di rifrazione = 3.1 1015 rad/s e risulta essere minore di p , perci` diventa immaginario e la lunghezza di assorbimento vale (vedi la (9.20)): ass = c 3 108 = = 9 109 m 2 p 2 1.6 1016

quindi, anche la luce visibile viene fortemente assorbita. e, Passando allultravioletto si ha = 6.3 1017 > p e = 0. Non c` quindi, assorbimento e la lastra di rame risulta trasparente per la radiazione ultravioletta. 2. Si valuti la frazione di intensit` a riflessa e trasmessa per unonda infrarossa 14 avente frequenza = 2.9 10 Hz, incidente normalmente su una pellicola di alluminio ( = 3.6 107 1 m1 ) avente lo spessore di 1 micrometro. A tale
302

Effetto pelle

Capitolo 9

= 1.26 + frequenza lindice di rifrazione complesso dellalluminio vale circa n i 10.0. Conoscendo gi` a i valori dellindice di rifrazione passiamo a calcolare direttamente ass e R . In questo caso siamo nel regime di alte frequenze con < p e, quindi, (vedi la (9.20)): ass c 3 108 = 6 109 m 2 p 2 2.4 1016

perci` o, essendo e d / ass 0, londa viene completamente assorbita e T = 0. La riflettivit` a vale invece: R= (n R 1)2 + n2 (1.26 1)2 + 10.02 I = = 0.95 (nR + 1)2 + n2 (1.26 + 1)2 + 10.02 I

` assorbito e Quindi il 95% dellonda infrarossa viene riflesso, il resto e niente passa oltre la pellicola.

9.2 Effetto pelle


Se il campo in cui gli elettroni si muovono, tra una collisione e laltra, pu` o essere considerato costante allora la riflettivit` a risulta essere funzione solo di due parametri: la conducibilit` a e il tempo di rilassamento elettronico . La conduciperch e da questi due parametri dipende lindice di rifrazione n ` una conducibilit` bilit` a cos` come labbiamo discussa nel capitolo 4 e a rispetto a correnti continue e rendiamo ci` o esplicito usando il simbolo 0 , intenden` per` do che la frequenza a cui si riferisce vale 0. Se il conduttore e o sottoposto a una corrente oscillante, la sua conducibilit` a viene a dipendere anche dalla frequenza delloscillazione secondo lespressione: = 0 1 i (9.21)

Bisogna considerare, inoltre, la capacit` a dellonda elettromagnetica di penetrare entro il metallo, capacit` a che come abbiamo visto dipende anchessa dalla frequenza perch e da essa dipende il coefficiente di assorbimento .
303

Capitolo 9

Onde elettromagnetiche in un conduttore

` una misura di quanto in profondit` La profondit` a di pelle e a3 avviene la conduzione elettrica in un conduttore o in maniera equivalente la distanza entro la quale si pu` o considerare il campo elettrico approssimativamente costante. Nel caso di un campo elettrostatico, e analogamente per unonda con frequenza 0, tale quantit` a risulta essere molto grande e, quindi, praticamente tutto lo spessore di conduttore partecipa alla conduzione. La profondit` a di pelle diminuisce, per` o, al crescere della frequenza. Di conseguenza per un conduttore la sua resistenza al passaggio di una corrente alternata viene a essere maggiore rispetto al valore relativo al passaggio di ` dovuto al fatto che attraverso la sezione del conuna corrente continua. Ci` oe duttore non si ha una distribuzione uniforme della corrente, ma essa risulta essere minore al centro e maggiore in periferia. ` una funzione della frequenza secondo La profondit` a di pelle (classica) e la formula: 20 =c (9.22) e per conduttori tipici ( 0 5 107 1 m1 ) vale: 0.2 (9.23)

metri. La profondit` a vale, quindi, tipicamente qualche centimetro per 10 Hz, qualche millimetro per 1 kHz, fino a diventare minore del micrometro per 40 GHz (vedi esempio 3). Consideriamo lespressione di . A basse temperature la conducibilit` a aumenta e pu` o diventare molto grande in un metallo puro. La profondit` a di ` la temperatura e quanto maggiore pelle diminuisce allora quanto pi` u bassa e ` la frequenza. Daltro canto il percorso libero medio aumenta al diminuie ` la vibrazione del reticolo cristallino e, re della temperatura perch e minore e ` la frequenza di urti con lo stesso. quindi, minore e
` definita come la distanza dopo la quale il campo elettrico viene La profondit` a di pelle e attenuato di un fattore 1/ e . Dopo uno spessore pari a 5 volte la profondit` a lampiezza del campo elettrico verrebbe ridotta a circa il 7 per mille, diventando praticamente trascurabile.
304
3

Effetto pelle

Capitolo 9

A un certo punto, per basse temperature e alte frequenze, si pu` o verificare il che comporterebbe la violazione delle premesse a partire dalle quali ` stato discusso leffetto pelle classico. Si parla in questo caso di effetto pelle e anomalo e viene a dipendere da cos` come dipende da . La soglia in frequenza angolare che separa leffetto pelle normale da quello anomalo vale tipicamente 1013 rad/s (vedi esempio 3): a queste frequenze, a di pelle vale qualche decina di dellordine del THz (1012 Hz), la profondit` nanometri, valore dellordine del cammino libero medio dellelettrone, invalidando completamente la teoria classica della conduzione elettrica perch e il campo elettrico agente sullelettrone verrebbe a variare considerevolmente durante il percorso dello stesso. Leffetto pelle anomalo influenza le propriet` a di riflettivit` a e trasmissivit` a di un metallo in una regione di frequenze compresa tra il visibile e la frequenza di plasma, cambiando di qualche percento i valori rispetto a quelli attesi nel caso delleffetto pelle normale. Diverse espressioni sono state ricavate nel caso di riflessione speculare o diffusa e sono generalmente in buon accordo con i risultati sperimentali.

9.2.1

Esempio

3. A che frequenza angolare la profondit` a di pelle viene a valere altrettanto del cammino libero medio? Si consideri il rame (vedi esempio 1). Invertendo lespressione (9.22) si ottiene: = 2c 20 2

dove eguagliamo al cammino libero medio che per il rame vale circa la velocit` a di Fermi v F = 2 106 m/s). = v F 4 108 m (usiamo qu` Si ottiene numericamente: = 2 (3 108 )2 8.86 1012 2 1013 rad/s 6 107 (4 108 )2

nella regione dellinfrarosso vicino.

305

Capitolo 9

Onde elettromagnetiche in un conduttore

9.3 Applicazioni
Descriviamo ora in breve tre applicazioni di quanto trattato in questo capitolo. Nel primo caso si tratta di rendere massima la riflettivit` a, mentre nel secondo si vuole il massimo assorbimento per onde elettromagnetiche. Nel terzo caso si mostrer` a come si possa sfruttare la ionizzazione degli strati alti dellatmosfera per le comunicazioni radio a grande distanza.

9.3.1

Argentatura degli specchi

Depositando uno strato sottile di metallo su una lastra di vetro (processo e quello chiamato argentatura) si ottiene una superficie ad alta riflettivit` a4 , cio` che comunemente viene chiamato specchio. Il tipo di metallo che conviene usare per largentatura dipende da considerazioni quali il costo, lintervallo di lunghezze donda a cui viene usato lo specchio ed eventuali requisiti sulla riflettivit` a. Confrontiamo, ad esempio, due casi: leconomico alluminio e il pi` u costoso argento. Come si vede in figura 9.4, usare argento al posto dellalluminio comporta non solo un aumento della riflettivit` a nella porzione infrarossa ( 1000 nm), ma anche un miglioramento della riflettivit` a nellintervallo tra 400 e 800 nm. Questo miglioramento diventa importante quando gli specchi5 fanno parte di unapparecchiatura scientifica, come nel caso dei telee alluminio, scopi dellosservatorio Gemini6 nei quali, usando argento anzich
Se si vogliono ottenere riflettivit` a estremamente alte si ricorre ai cosiddetti specchi dielettrici formati da strati paralleli di dielettrico alternati da altro materiale trasparente. Sfruttando linterferenza costruttiva delle riflessioni sugli strati successivi si raggiungono valori di riflettivit` a molto vicini al 100%, cosa molto utile, ad esempio, in un apparecchio laser. 5 Nel caso degli specchi per telescopi la parte argentata riflette direttamente i raggi, senza farli passare prima attraverso il supporto di vetro. In questo modo si evitano le deboli riflessioni secondarie e si migliora limmagine. Questo comporta per` o dei problemi di annerimento della superficie argentata che richiede di essere trattata periodicamente o di essere ricoperta da uno strato protettivo. 6 Losservatorio astronomico Gemini consiste di due telescopi gemelli operanti nellottico e nellinfrarosso, situati uno nelle Ande cilene e uno alle Hawaii.
4

306

Applicazioni

Capitolo 9

R (%)
98 96 94 92 90 88 86

Ag Al

400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800

(nm)

Figura 9.4: riflettivit` a per unargentatura in alluminio o in argento per uno specchio del telescopio Gemini. Figura rifatta a partire dalle misure originali, per gentile concessione del Gemini Observatory, vedi http://www.gemini.edu. Lapplicazione necessaria di strati protettivi riduce leggermente la riflettivit` a dellargento.

si migliora notevolmente la sensibilit` a nella regione del visibile. ` loro, che e ` ancora pi` Altro tipo di materiale usato per largentatura e u costoso, ma garantisce una migliore riflettivit` a nellinfrarosso ( 98%), a scapito della regione < 550 nm dove la riflettivit` a scende7 sotto il 40%.

9.3.2

Schermatura elettromagnetica

La crescente diffusione di apparecchiature elettroniche usate nel calcolo, comunicazioni, automazione e molti altri campi inclusi la bio-medicina, rendono importante lutilizzo di sistemi adeguati per ovviare a problemi di interferenza elettromagnetica che possono compromettere luso dellapparecchiatura. La schermatura elettromagnetica serve nei due sensi: 1) per evitare che lapparecchiatura interferisca con altre e 2) per evitare che dispositivi esterni interferiscano con lapparecchio in questione.
Ecco spiegato il colore tipico delloro: in riflessione vengono soppresse le componenti verdi-bluastre dello spettro, restituendo luce riflessa giallo-rossastra.
7

307

Capitolo 9

Onde elettromagnetiche in un conduttore

Nel primo caso rientrano i forni a microonde domestici che operano a una frequenza di circa 2.4 GHz, compresa nella banda delle trasmissioni wireless. Per consentire la visione del suo interno la porta del forno ha una ` applifinestra costituita da una lastra di vetro, sulla cui superficie interna e cato uno strato di rete conduttrice in cui la dimensione delle maglie risulta molto minore della lunghezza donda ( 12 cm) delle microonde usate. La rete si comporta allora come se fosse una lamina metallica omogenea e bastano spessori di pochi decimi di micrometro per assorbire completamente londa. A proposito del secondo caso, notiamo che sorgenti tipiche di interferenza (dallesterno) possono essere molto comuni: alimentatori elettrici, luci fluorescenti, motori elettrici, altri circuiti integrati o elettrici in cui la corrente varia rapidamente e onde a radiofrequenza (da 1 kHz a 10 GHz). Tali disturbi possono essere talvolta ridotti o eliminati aggiungendo ai circuiti dei condensatori di disaccoppiamento, ma ci` o non sempre risulta possibile o sufficiente. ` quello di racUn modo semplice per schermare un circuito elettronico e chiudere il circuito entro un contenitore metallico. Bastano, infatti, pochi micrometri di metallo per assorbire quasi totalmente unonda elettromagnetica con frequenza fino allultravioletto (vedi esempio 1). Nella pratica ci possono essere considerazioni geometriche/costruttive che rendono difficile una tale schermatura e talvolta non tutto lapparecchio necessita8 di schermatura. In tali casi si pu` o ricoprire linvolucro (tipicamente di plastica) che contiene lapparecchio, o parte di esso, con vernici conduttrici. Attualmente la maggior ` schermata con vernici parte dei prodotti tipo cellulari, modem o monitor e allargento, aventi spessore dellordine del micrometro.

9.3.3

Ionosfera e onde radio

` la porzione pi` La ionosfera e u esterna dellatmosfera, compresa tra circa 100 ` estremamente rarefatta, ma anche e 400 km di quota. In questo strato laria e
8

Ad esempio, non c` e bisogno di schermare la batteria di un cellulare.

308

Quesiti di riepilogo

Capitolo 9

parzialmente ionizzata a causa della radiazione ultravioletta proveniente dal sole. Laria ionizzata pu` o essere considerata alla stregua di un metallo, con una densit` a N di elettroni per unit` a di volume. Questa densit` a` e tipicamente comu presa tra 1011 e 1012 elettroni per metro cubo, essendo maggiore nella parte pi` esterna della ionosfera maggiormente esposta ai raggi solari. Facendo riferimento allintervallo di concentrazione e considerando lo strato ionizzato alla stregua di un metallo, si avrebbe una frequenza di plasma pari a p 1.8 5.6 107 rad/s (vedi la (9.18)) corrispondente a una frequenza p 3 9 MHz. Per onde provenienti da sorgenti sulla superficie terrestre, aventi frequenza maggiore di p , la ionosfera risulterebbe praticamente trasparente, mentre per le frequenze decisamente minori la superficie inferiore della ionosfera corrisponde a uno strato ad alta riflettivit` a, che fa rimbalzare le onde verso la superficie terrestre. Per questo motivo le onde radio AM, che hanno frequenze tipiche attorno al MHz (0.5 1.6 MHz), vengono trasmesse e ricevute a grande distanza, nonostante la curvatura terrestre impedisca il collegamento diretto, sfruttando la riflessione da parte della ionosfera. Per comunicare con i satelliti in orbita si devono usare, invece, onde radio a frequenza maggiore, ` anche quella tipica delle stazioni radio FM o 108 Hz. Questa frequenza e TV, che, quindi, non possono, quale che sia la potenza dellantenna emittente, essere ricevute a distanza troppo grande perch e non possono sfruttare la riflessione sulla ionosfera.

9.4 Quesiti di riepilogo


1. Per quali intervalli di frequenza angolare una pellicola di alluminio non risulta essere fortemente riflettente? 2. Per quali intervalli di frequenza angolare una pellicola di alluminio diventa perfettamente trasparente? ` possibile avere trasmissivit` 3. E a non trascurabile per una pellicola di metallo
309

Capitolo 9

Onde elettromagnetiche in un conduttore

dello spessore di qualche micrometro rispetto a onde radio alla frequenza = 1 MHz? ` la relazione (a basse frequenze) tra la lunghezza di assorbimento e 4. Qual e la profondit` a di pelle di un metallo? 5. A che frequenza risultano uguali la profondit` a di pelle e il cammino libero medio? Si consideri largento ( 6 108 m, = 6.3 107 1 m1 ). 6. Perch e il rame appare rossastro in riflessione, mentre largento appare incolore?

9.5 Esercizi
1. Quanto vale la lunghezza di assorbimento nel caso di unonda ultravioletta ( = 100 nm) incidente su una pellicola di alluminio? 2. A che frequenza risulta completamente trasparente una lamina di ferro dello spessore di qualche millimetro? 3. Si consideri unonda avente frequenza = 10 kHz che incide normalmente su una pellicola di alluminio dello spessore di 1 millimetro. Che frazione dellintensit` a incidente viene riflessa dalla pellicola? 4. Quanto vale la trasmissivit` a di una lastra di alluminio dello spessore di 2 mm per onde ultraviolette aventi frequenza = 5 1015 Hz? = 1.24 + i 1.54 per = 480 5. Loro ha un indice di rifrazione pari a circa n = 0.09 + i 3.82 per = 700 nm. Confrontare i valori di nm, mentre vale n riflettivit` a per le due lunghezze donda. 6. Che spessore di metallo risulta necessario per assorbire le microonde di un forno a microonde?

310

Capitolo 10 Propriet` a termiche


Un corpo solido, a cui viene ceduta energia sotto forma di calore risponde principalmente in tre modi: 1) aumenta la sua temperatura, 2) trasferisce calore al resto del corpo e 3) subisce unespansione del suo volume. In questo capitolo ci proponiamo di discutere questi tre fenomeni e di caratterizzarne gli aspetti pi` u salienti. Laumento di temperatura dovuto a una certa quantit` a di calore assorbita dipende da una caratteristica del corpo che si chiama capacit` a termica C . Tale parametro dipende a sua volta dalla massa m del corpo e da una caratteristica intrinseca del materiale che lo compone, detta calore specifico c = C /m1 . A tale proposito si osserva sperimentalmente che per molte sostanze solide la capacit` a termica di una mole assume approssimativamente lo stesso valore, indipendentemente dalla sostanza. Per quanto riguarda il fenomeno della conduzione termica esso viene descritto attraverso un parametro detto conducibilit` a termica. A riguardo si osserva come alcuni materiali come i metalli siano contemporanemente buoni conduttori termici e buoni conduttori elettrici, quindi, il meccanismo di conduzione nei due casi deve in qualche modo essere collegato. Per i metalli la `, infatti, dovuta in entrambi i casi a elettroni liberi e allora si conduzione e recupereranno qui argomenti trattati nel capitolo 4. Esistono per` o altri materiali, tipo i dielettrici, che conducono in modo efficace il calore, ma non la corrente elettrica. In questo caso ci deve essere un altro meccanismo che partecipa al fenomeno e, infatti, la conduzione termica viene a dipendere
` legato allaumento di Ricordiamo che il calore Q assorbito da una massa m e temperatura T dalla legge calorimetrica Q = C T = mc T .
1

Capitolo 10

Propriet` a termiche

non dal moto degli elettroni ma da quello dei fononi, che sono i quanti della vibrazione reticolare. In ogni caso la conducibilit` a termica abbraccia un intervallo molto pi` u ristretto che nel caso elettrico: nel primo caso si tratta di 3 o 4 ordini di grandezza, mentre nel secondo si tratta di pi` u di 20 ordini. I corpi solidi assumono, con leccezione di quelli amorfi, una struttura cristallina che presenta certe regolarit` a che derivano dalla natura delle forze di legame tra gli atomi e le molecole. Le propriet` a di espansione dei corpi a seguito del loro riscaldamento dipendono allora da come reagisce il reticolo cristallino allaumento di temperatura e soprattutto da come variano le distanze interatomiche.

10.1 Capacit` a termica


La capacit` a termica di un corpo viene definita come lenergia (calore) necessaria a produrre un aumento della temperatura del corpo pari a un grado ` convekelvin. Poich e la capacit` a termica dipende dalla massa di materiale, e ` la capacit` niente usare invece la capacit` a termica molare (in J/moleK), che e a che si riferisce a una mole di sostanza. Da adesso, a meno di indicazione esplicita, faremo sempre riferimento alla capacit` a molare. Nel definire la capacit` a termica si distinguono due casi: quello in cui si assume che il volume del corpo resti costante e quello in cui si assume che sia la pressione esterna a rimanere costante. In maniera corrispondente si introducono due tipi di capacit` a termica, CV e C p , a volume o a pressione ` grande per un corpo solido, ma costante. La differenza tra i due valori non e e nel primo caso il calore assorbito deve generalmente vale C p > CV , perch servire anche a un eventuale lavoro fatto contro lambiente esterno, a causa dellespansione del corpo. La capacit` a termica a volume costante viene a essere definita come: CV = ( U ) T V (10.1)

` lenergia interna di una mole di sostanza. dove U e


312

Capacit` a termica

Capitolo 10

CV (J/moleK)

25 20 15 10 5 0 0 200 400 600 800 1000

Pb Al C

T (K)
Figura 10.1: capacit` a termica molare in funzione della temperatura. Le curve si riferiscono al piombo, alluminio e carbonio (diamante).

Si osserva (vedi tabella 10.1) che per una gran parte dei solidi il valore della capacit` a termica risulta essere pari circa a 25 J/moleK, a temperatura ambiente, come scoperto sperimentalmente da Dulong e Petit2 nel 1819. In certi casi, per` o, il valore della capacit` a termica a temperatura ambiente risulta essere pi` u piccolo (ad esempio, per il carbonio-diamante) e risulta necessario andare a temperature molto elevate per raggiungere valori vicini a 25 J/moleK. Tutte le capacit` a termiche valgono zero per T = 0 K, come previsto dal terzo principio della termodinamica3. Al crescere della temperatura le misure della capacit` a termica indicano una crescita proporzionale al cubo della temperatura assoluta fino a quando la temperatura non raggiunge un valore TD , detto temperatura di Debye (vedi tabella 10.1), in corrispondenza della quale la capacit` a termica assume il 95% del suo valore limite (vedi nota pi` u ` rappresentato in figura 10.1 per alcuni metalli, avanti). Questo andamento e dove si capisce perch e per il carbonio a temperatura ambiente non si ha il valore di Dulong-Petit. La temperatura TD rappresenta un valore di separazione tra due regimi: uno ad alta temperatura, descrivibile attraverso un moPierre L. Dulong (1785-1838) e Alexis T. Petit (1791-1820), fisici francesi. Il terzo principio della termodinamica afferma in realt` a che avvicinandosi allo zero assoluto lentropia tende a un valore minimo. In maniera equivalente il calore scambiato deve tendere a zero cos` come la capacit` a termica.
3 2

313

Capitolo 10

Propriet` a termiche

SOSTANZA Alluminio Ferro Rame Piombo Argento Nichel Carbonio (diamante)

CV (J/moleK) 23.0 24.7 23.4 24.7 24.3 24.7 7.6

TD (K) 375 360 340 95 230 450 1850

Tabella 10.1: capacit` a termica molare (a temperatura ambiente) e temperatura di Debye per alcune sostanze.

dello classico e uno a bassa temperatura che richiede invece una trattazione quantistica.

10.1.1

Modello classico

Ad alta temperatura la capacit` a termica assume il valore di circa 25 J/moleK, comune a molte sostanze. Questa misura pu` o essere giustificata classicamente assumendo che ciascun atomo del cristallo sia vincolato in posizione da forze di tipo elastico. Latomo si comporta allora come un oscillatore armonico che assorbe energia termica dallambiente aumentando lampiezza delloscillazione. Tali vibrazioni non possono avere ampiezza arbitrariamente grande perch e sono comunque limitate dalle forze elettrostatiche dovute agli atomi vicini. Il principio di equipartizione dellenergia prescrive che lenergia media di un oscillatore unidimensionale valga: E = kT (10.2)

` la costante di Boltzmann. Nel caso di un oscillatore tridimensiodove k e nale, come per un atomo di un cristallo isotropo, lenergia media per atomo

314

Capacit` a termica

Capitolo 10

risulta essere pari a: E = 3kT (10.3) ` cinetica e met` ` potenziale. dove (in media) met` a dellenergia e ae Considerando ora una mole di sostanza, contenente un numero di Avogadro N A di atomi, lenergia interna totale viene a essere: U = 3 N A kT = 3RT (10.4)

dove abbiamo introdotto la costante dei gas ideali R = 8.314 J/moleK. La capacit` a termica viene a valere allora: CV = J U = 3R = 24.9 T mole K (10.5)

in accordo con i valori sperimentali osservati per vari metalli a temperatura ambiente. Il problema insito in questo modello sta per` o nel fatto che la capacit` a termica data da (10.5) risulta essere indipendente dalla temperatura e dal tipo di sostanza, in contrasto con losservazione sperimentale.

10.1.2

Modello di Einstein

Come abbiamo visto nel capitolo 1, per interpretare leffetto fotoelettrico Einstein introdusse lipotesi dei fotoni intesi come quanti localizzati di energia elettromagnetica. In analogia con questo modello Einstein postula nel 1907 che per gli oscillatori, usati per descrivere il comportamento degli atomi allinterno del cristallo, siano possibili solo certi valori discreti di energia. Lenergia di vibrazione viene a essere allora quantizzata e i quanti di energia di vibrazione vengono chiamati fononi, per suggerire unanalogia con i fotoni. Sfruttando poi il dualismo onda-particella questi quanti vengono associati a onde elastiche fononiche che si propagano entro il cristallo con velocit` a pari a quella del suono nel mezzo. Il comportamento dei fononi presenta delle analogie con quello degli elettroni. Ad esempio, per essi si introduce una densit` a di modi vibrazionali
315

Capitolo 10

Propriet` a termiche

D ( ) definita in modo che D ( )d fornisca il numero di modi (o fononi) aventi frequenza compresa tra e + d . ` una Va detto che, a differenza degli elettroni, il numero di fononi non e quantit` a conservata. I fononi vengono, infatti, prodotti in misura maggiore ad alta temperatura, con ciascun fonone avente la stessa energia h . ` Il numero medio di fononi N f , prodotti a una certa temperatura T , e dato da una funzione di distribuzione detta distribuzione di Bose4 -Einstein, espressa come: 1 (10.6) N f = h/kT e 1 e, quindi, lenergia media di un oscillatore vale: h E( ) = N f h = h/kT (10.7) e 1 Lenergia interna termica di un solido alla temperatura T viene a essere pari allenergia media delloscillatore, moltiplicata per il numero di oscillatori presenti in una mole, cio` e 3 N A: h (10.8) U = 3 N AE = 3N A h/kT e 1 Derivando questa espressione e ricordando che N A k = R , il calore termico molare viene a valere: e h/kT h 2 (10.9) CV = 3R ( ) kT (e h/kT 1)2 che dipende ora dalla temperatura, andando a zero per T 0 come previsto e tendendo per temperature elevate al valore di Dulong-Petit (vedi esempio 1). Lespressione (10.9) fallisce, per` o, a basse temperature perch e 2 ( h / kT ) prevede un andamento esponenziale descrescente come (h / kT ) e in contrasto con losservazione sperimentale di una crescita proporzionale a T 3. Il modello di Einstein fa riferimento ad atomi intesi come oscillatori indipendenti luno dallaltro e aventi la stessa frequenza che pu` o essere ricavata andando a interpolare i risultati sperimentali per CV (T ) con la funzione (10.9).
4

Satyendra N. Bose (1894-1974), fisico indiano.


316

Capacit` a termica

Capitolo 10

In corrispondenza del valore unico di frequenza = E si definisce la temperatura di Einstein TE in modo tale che: kTE = h E (10.10)

Con questa definizione la capacit` a termica pu` o essere riscritta come: CV = 3R ( e TE /T TE 2 ) T (e TE /T 1)2 (10.11)

` pari al 92%5 del e allora TE rappresenta la temperatura alla quale CV e valore limite 3R . Ciascuna sostanza ha un valore caratteristico per la temperatura di Einstein che pu` o essere ottenuto interpolando le misure sperimentali di CV in funzione di T con la funzione (10.11). Per il rame si ottiene, ad esempio, un ` tipico della maggior parte dei metalli. Se per` o rapvalore TE = 240 K, che e presentiamo la funzione (10.11) in funzione del rapporto TE /T otteniamo una curva che vale per tutte le sostanze (vedi figura 10.2). Anche se il modello di Einstein rappresenta un miglioramento rispetto ` ancora insoddisfacente perch alla previsione classica, esso e e prevede una capacit` a termica leggermente pi` u piccola di quanto osservato sperimentalmente e soprattutto non riesce a descrivere landamento sperimentale proporzionale a T 3 per piccole temperature.

10.1.3

Modello di Debye

A differenza di quanto assunto da Einstein, gli atomi in un cristallo interagiscono luno con laltro e lo stesso devono fare i singoli oscillatori usati nel modello. Linterazione tra oscillatori comporta allora che, anzich e lunica u frequenze da considerare. Debye sugger` allora di frequenza E , esistano pi` sostituire i 3N A oscillatori di Einstein, aventi tutti la stessa energia h E , con unintegrazione sul numero di modi di vibrazione possibili: U =
5

E( )D ( )d

(10.12)

Infatti alla temperatura di Einstein C V = 3R e /( e 1)2 = 0.92 3 R .


317

Capitolo 10

Propriet` a termiche

CV (J/moleK)

25 20 15 10 5 0 0 1

T /TE (K)

Figura 10.2: capacit` a termica molare in funzione del rapporto TE /T .

integrando da = 0 fino a un estremo superiore D detto frequenza di Debye. In questo modo si ottiene un modello che consente lassorbimento di quanti con energia piccola, risolvendo la discrepanza a basse temperature tra il modello di Einstein e i risultati sperimentali. La densit` a di modi D ( ) pu` o essere scritta per una mole come6 : D ( ) = 9NA 2 3 D (10.13)

e lenergia interna di una mole viene a valere: U = 9R


TD /T x3 T4 dx 3 TD ex 1 0

(10.14)

dove x h / kT . Derivando rispetto alla temperatura si ottiene la capacit` a termica molare: T 3 TD /T x 4 e x dx CV = 9 R ( ) TD (e x 1)2 0 (10.15)

Questa espressione tende ancora al valore di Dulong-Petit per temperatu` che re elevate (vedi esempio 2), ma la cosa fondamentale di questa formula e per basse temperature, molto pi` u piccole cio` e della temperatura di Debye, la capacit` a termica diventa (vedi esempio 3):
La densit` a di modi si ottiene a partire dal numero di onde stazionarie possibili in un reticolo periodico.
6

318

Capacit` a termica

Capitolo 10

CV =

T 3 12 4 R( ) 5 TD

(10.16)

e risulta, quindi, essere proporzionale a T 3 come osservato sperimentalmente. ` legata alla frequenza di Debye dalla relaLa temperatura di Debye TD e zione: h D (10.17) TD = k e anchessa pu` o essere ricavata7 tramite interpolazione di curve sperimentali. Anche nel caso del modello di Debye si pu` o rappresentare la capacit` a termica in funzione del rapporto T /TD ottenendo una curva che va bene per tutte le sostanze, curva simile a quella di figura 10.2. Riassumendo, la differenza fondamentale tra il modello di Einstein e quello di Debye consiste nel fatto che il secondo modello tiene in considerazione anche le oscillazioni a bassa frequenza (implicanti bassa energia e bassa temperatura). Queste oscillazioni avvengono a bassa temperatura con pro` babilit` a piccola e perci` o la differenza quantitativa tra i due modelli non e particolarmente grande.

10.1.4

Contributo elettronico

` in genere piccolo rispetto Il contributo degli elettroni alla capacit` a termica e a quello dei fononi, eccetto che nel caso di metalli o leghe metalliche in cui il numero di elettroni coinvolti sia molto grande. ` pari al contributo individuaLenergia cinetica del sistema di elettroni e le (3/2)kT moltiplicato per il numero di elettroni coinvolti. Gli elettroni coinvolti sono quelli eccitabili, cio` e quelli prossimi allenergia di Fermi. Tale ` pari a D (EF )kT dove la densit` a vale: numero e 3 ne D (EF ) = (10.18) 2 EF
Calcolando numericamente lintegrale 0 x 4 e x /( e x 1)2 dx si ottiene il valore 0.317. La e il 95% del valore limite. capacit` a termica per T = TD vale allora C V = 0.95 3 R cio`
7 1

319

Capitolo 10

Propriet` a termiche

espressione ricavabile combinando la (4.9) con la (4.14). Assumendo che il metallo sia monovalente il numero di elettroni coincide con il numero di Avogadro N A e lenergia interna di una mole vale: 9 k2 T 2 3 3 NA kT = N A U = kT 2 2 EF 4 EF e, quindi:
e = CV

(10.19)

U 9 N A k 2 T = (10.20) T 2 EF Imponendo agli elettroni di soddisfare al principio di esclusione, lespressione corretta della capacit` a termica diventa:
e CV =

2 NA k2 T 2 T = R 2 EF 2 TF

(10.21)

che risulta essere proporzionale alla temperatura. Tenendo conto del contributo fononico oltre che di quello elettronico, la capacit` a termica totale al di sotto della temperatura di Debye vale:
e + CV CV = CV f

(10.22)

e si comporta in funzione della temperatura come: CV (T ) = a e T + a f T 3 (10.23)

Studiando il comportamento di CV in funzione di T si possono ricavare i valori dei coefficienti a e e a f , relativi rispettivamente agli elettroni e ai fononi. Per largento a bassa temperatura, ad esempio, domina il contributo Ag elettronico e si ricava a e = 0.65 103 J/moleK2 . Oltre che a basse temperature, il contributo elettronico diventa rilevante f e continua a crescere con T mentre CV a temperature molto elevate, dove CV ha raggiunto il valore limite di Dulong-Petit.

10.1.5

Esempi

1. Mostrare che, per temperature elevate, lespressione di Einstein della capacit` a termica tende al valore di Dulong-Petit.
320

Capacit` a termica

Capitolo 10

Lespressione (10.9) pu` o essere riscritta come: CV = 3Rx 2 ex (e x 1)2

dove x h / kT . Tale espressione pu` o essere approssimata sostituendo x al termine esponenziale e lo sviluppo in serie arrestato al primo termine, ` molto grande. e x 0 se la temperatura T e cio` e e x 1 + x , poich Con questa sostituzione otteniamo: CV 3Rx 2 1+x 1+x = 3Rx 2 2 = 3R (1 + x ) 3R 2 (1 + x 1) x

cio` e il valore atteso classicamente. 2. Mostrare che, per temperature elevate, lespressione di Debye della capacit` a termica tende al valore di Dulong-Petit. ` elevata e, in maniera corrispondente, x 0, Quando la temperatura T e possiamo usare lapprossimazione dellesempio precedente e lintegrale presente nellespressione (10.15) diventa: 0
TD /T TD /T TD /T x 4 (1 + x ) 1 TD 3 2 2 dx = x (1 + x )dx x dx = ( ) (1 + x 1)2 3 T 0 0

quindi: CV 3R cio` e il valore atteso classicamente. 3. Mostrare che, per basse temperature, lespressione di Debye della capacit` a termica tende allespressione (10.16). A basse temperature il termine x h / kT tende a essere grande e diventa grande anche lestremo superiore TD /T . Assumendolo tendente allinfinito8 il termine integrale dellespressione (10.14) pu` o essere riscritto come: 0
8

x3 4 dx = ex 1 15

` giustificato dal fatto che per valori grandi di x lesponenziale a denominatore diCi` oe venta molto grande e lintegrando diventa molto piccolo. Non fa allora molta differenza se si prende direttamente come estremo superiore.
321

Capitolo 10

Propriet` a termiche

sfruttando un integrale noto. Lenergia interna diventa: U= e la capacit` a termica vale allora: CV = come riportato in (10.16). U 12 4 R 3 = T 3 T 5TD 3 4 RT 4 3 5TD

10.2 Conduzione termica


Quando unestremit` a di un corpo viene riscaldata, il calore ceduto si diffonde al resto del corpo secondo il meccanismo della conduzione termica. Questo fenomeno di trasporto viene rappresentato introducendo una grandezza j q , detta flusso di calore, che rappresenta la quantit` a di calore che attraversa una sezione del corpo di area unitaria nellunit` a di tempo. Il flusso si misura allora 2 2 in J/m s=W/m e dipende dalla differenza di temperatura tra i due estremi, secondo lespressione: dT j q = (10.24) dx dove (in W/mK) rappresenta la conducibilit` a termica del materiale che ` compone il corpo, mentre dT /dx e il gradiente di temperatura. Tale espressione, detta legge di Fourier, si riferisce a una condizione stazionaria in cui il flusso di calore non dipende dal tempo perch e viene mantenuto costante il gradiente di temperatura. Il segno sta a indicare che la direzione del flusso di calore risulta essere opposta a quella del gradiente di temperatura, cio` e dallestremit` a pi` u calda verso quella pi` u fredda. Poich e i metalli sono buoni conduttori di calore, cos` come lo sono di corrente elettrica, gli elettroni liberi devono giocare una parte di rilievo nel fenomeno della conduzione termica. Daltro canto esistono materiali (tipo il carbonio-diamante) che sono isolanti elettrici, ma buoni conduttori termici. In questo caso la conduzione deve seguire un altro meccanismo che riguarda i fononi.
322

Conduzione termica

Capitolo 10

` dovuta allora principalLa conduzione del calore attraverso un corpo e mente a due meccanismi: il movimento degli elettroni liberi e la propagazione delle vibrazioni reticolari, cio` e dei fononi. Il primo meccanismo domina nel caso dei metalli, mentre il secondo domina nel caso dei dielettrici. Gli elettroni liberi (di conduzione) aumentano la loro energia cinetica in prossimit` a dellestremit` a pi` u calda del corpo. Questi elettroni migrano poi per diffusione verso lestremit` a pi` u fredda del corpo trasportando lenergia cinetica da loro guadagnata e andandola a trasferire parzialmente al reticolo cristallino che aumenta la sua energia vibrazionale e, quindi, la sua temperatura. Poich e la neutralit` a elettrica viene mantenuta, ci sono anche elettroni che migrano dallestremit` a fredda verso quella calda. Questi elettroni, per` o, hanno energia cinetica minore dei primi e, quindi, possono trasferire meno ` che il calore trasferito dallestremit` energia al reticolo. Leffetto netto e a calda a quella fredda dipende dalla differenza di energia tra gli elettroni che a sua volta dipende dalla differenza di temperatura. Nel caso dei fononi si tratta di vibrazioni del reticolo che si trasmettono al resto del reticolo come onde elastiche che si propagano con la velocit` a del suono. Queste vibrazioni hanno una certa distribuzione di energie e frequenze in cui solo certi valori discreti sono permessi. Il quanto minimo di energia `, come gi` vibrazionale e a visto, il fonone e si assume che un grande numero di essi venga creato nella parte riscaldata del volume in questione, si diffonda entro il volume e venga parzialmente assorbito/eliminato presso lestremit` a ` minore, quindi, fredda. Il numero di fononi che migra in verso opposto e il trasferimento di calore entro il corpo viene a essere dovuto alla migrazione netta di fononi dallestremo riscaldato al resto del corpo, migrazione che avviene sotto forma di onde elastiche. Data la compresenza dei due meccanismi, la conducibilit` a termica risulta essere la somma di due contributi: = e + f (10.25)

uno, cio` e, dovuto agli elettroni ( e ) e uno dovuto ai fononi ( f ). In genere per` o si ha la prevalenza di uno solo dei due contributi.
323

Capitolo 10

Propriet` a termiche

T2 jq T T T x T1

Figura 10.3: rappresentazione della conduzione termica attraverso una sbarra.

Per capire lorigine della legge di Fourier facciamo prima riferimento alla conduzione elettronica e consideriamo inizialmente il caso di una sbarra metallica lunga e sottile (vedi figura 10.3) in cui la temperatura diminuisce uniformemente passando dallestremit` a sinistra a quella destra. Cominciamo con un modello unidimensionale in cui gli elettroni si muovono lungo lasse x e consideriamo un volumetto posto allinterno della sbarra e avente spessore pari a due volte il cammino libero medio e. In corrispondenza della faccia sinistra del volume gli elettroni hanno unenergia E = E(T ) che dipende dal valore di temperatura in quei punti. Sulla faccia di destra lenergia vale invece E = E(T ). Cos` come la densit` a di corrente era data da j = nevd (vedi (4.3)), analogamente il flusso di calore, da sinistra a destra attraverso il volume in que` pari al numero9 di elettroni per unit` a di volume n e /2, moltiplicato stione, e o: per la velocit` a v e e moltiplicato per lenergia. Il flusso netto vale perci`
D j1 q =

ne ne ne v e E v e E = v e (E E ) 2 2 2

(10.26)

Essendo infinitesimo lo spessore del volumetto in questione possiamo sviluppare E E come: E E =


9

dE d E dT 2 e = 2 e dx dT dx

(10.27)

Il fattore 1/2 compare perch e vanno considerati solo gli elettroni che si muovono nella direzione voluta che, in un moto unidimensionale, sono la met` a del totale.

324

Conduzione termica

Capitolo 10

d E dT (10.28) dT dx Per passare al caso generale in tre dimensioni bisogna moltiplicare10 per 1/3, ottenendo: d E dT 1 (10.29) jq = ne ve e 3 dT dx Confrontando questa espressione con la legge di Fourier si ricava che la conducibilit` a corrisponde a:
D j1 q = n e v e e

e, quindi:

dE 1 e = ne ve e 3 dT

(10.30)

Ciascun elettrone ha unenergia cinetica (dal principio di equipartizione dellenergia) pari a (3/2)kT , quindi: 3k 1 1 = n e kv e e e = ne ve e 3 2 2 (10.31)

Del resto, per un metallo monovalente lenergia cinetica media per unit` a di volume vale: 3 (10.32) EcV = n e kT 2 e, visto che gli elettroni liberi interagiscono debolmente tra di loro e con il reticolo, lenergia interna risulta essere pari allenergia cinetica. La capacit` a 11 termica per unit` a di volume vale allora:
V = CV

3 U EcV = = ne k T T 2

(10.33)

Confrontando (10.33) e (10.31) si ricava il legame tra conducibilit` a e capacit` a termica: 1 V e = CV ve e (10.34) 3
2 Perch e v x = v 2 /3. V La capacit` a molare si pu` o ottenere da quella per unit` a di volume C V moltiplicando per ` la massa molecolare espressa in grammi e la densit` a il volume molare Vm = M / dove M e espressa in g/cm3 . 10 11

325

Capitolo 10

Propriet` a termiche

Come abbiamo visto nel capitolo 4, solo gli elettroni vicini allenergia di Fermi partecipano alla conduzione elettrica. Allo stesso modo, solo gli elettroni vicini allenergia di Fermi possono cambiare la loro energia cinetica a seguito del calore assorbito e partecipare alla conduzione termica. Per questo ` la velocit` motivo la velocit` a da considerare nellespressione (10.34) e a di Fermi a di volume che partecipano v F . Analogamente il numero di elettroni per unit` ` pari alla densit` effettivamente alla conduzione e a elettronica valutata allener` praticamente uguale al numero di elettroni gia di Fermi n e = D (EF ), che e liberi per unit` a di volume. 2 /2, si ottiene: Sfruttando la (10.21), e sostituendo F = v F e EF = mv F 2 n e k 2 T (10.35) e = 3m dove, similmente a quanto fatto nel caso elettrico, abbiamo introdotto la massa efficace m per descrivere le piccole differenze tra il valore atteso e quello misurato. ` dominata dal conNel caso di materiali dielettrici la capacit` a termica e tributo fononico con unespressione analoga alla (10.34), cio` e: 1 V f = CV vf f (10.36) 3 ` pari alla velocit` dove la velocit` a dei fononi e a del suono nel mezzo, mentre il cammino libero medio f dipende dagli urti tra fononi e con difetti e impurit` a del reticolo cristallino. A basse temperature ci sono pochi fononi eccitati e con un grande cam` limitata dalla capacit` mino libero medio. La conducibilit` a in questo caso e a 3 termica che varia come T . Ad alte temperature vengono prodotti molti fononi e la conducibilit` a viene a essere limitata dal cammino libero medio che varia approssimativamente come 1/T . Ne deriva che la conducibilit` a termica in funzione della temperatura segue un andamento simile a quello descritto in figura 10.4 che presenta un massimo a temperature intermedie. Laltezza relativa del picco dipende a sua volta dalla frazione relativa di impurit` a o difetti presenti nel materiale; il picco diventa pi` u alto e pi` u stretto quanto pi` u ` il materiale. puro e
326

Conduzione termica

Capitolo 10

minor purezza CV T 3

1 T

Figura 10.4: conducibilit` a termica in funzione della temperatura. Si osserva che la condu` ` dominata dal termine C V T 3 , mentre ad alta temperatura e cibilit` a a bassa temperatura e dominata dal termine f 1/T . Per sostanze meno pure laltezza del picco tende a diminuire.

10.2.1

Conduzione elettrica e termica

Nel caso dei metalli i fenomeni della conduzione termica ed elettrica sono riconducibili alle propriet` a di mobilit` a degli elettroni liberi. Gi` a nel 1853 Wie12 ` anche un demann e Franz osservarono che un buon conduttore elettrico e buon conduttore termico. Ricordiamo lespressione (4.6) per la conducibilit` a elettrica: ne 2 (10.37) = m dove abbiamo sostituito la massa dellelettrone con la sua massa efficace. Se si costruisce il rapporto L tra la conducibilit` a termica e il prodotto di conducibilit` a elettrica e temperatura, si vede che vale: L= J2 2 k2 e 8 = = 2.44 10 T 3e 2 C2 K2 (10.38)

` Tale espressione si chiama legge di Wiedemann-Franz e il numero L e 13 detto numero di Lorenz .


Gustav H. Wiedemann (1826-1899), fisico tedesco. Ci si riferisce in questo caso al fisico e matematico danese Ludvig V. Lorenz (1829-1891) e non allolandese Heindrich Lorentz.
13 12

327

Capitolo 10

Propriet` a termiche

METALLO Alluminio Rame Oro Zinco

L (108 J2 /C2 K2 ) 2.20 2.25 2.50 2.28

METALLO L (108 J2 /C2 K2 ) Ferro 2.71 Argento 2.13 Nichel 2.08 Piombo 2.64

Tabella 10.2: valori assunti dal numero di Lorenz per alcuni metalli.

Il numero di Lorenz dovrebbe essere indipendente dal tipo di metallo e in tabella 10.2 ne riportiamo il valore in alcuni casi, a conferma della legge di Wiedemann-Franz.

10.2.2

Esempi

4. Conoscendo la conducibilit` a termica dellargento (430 W/mK) si ricavi il cammino libero medio degli elettroni a temperatura ambiente. Ricordando che lenergia di Fermi dellargento vale 5.5 eV (vedi tabella ` (vedi la (10.21)): 4.2), il valore della capacit` a termica elettronica e
e = CV

2 6.02 1023 (1.38 1023 )2 293 J = 0.19 2 5.5 1.6 1019 mole K e V v e CV

Il cammino libero medio pu` o essere ricavato dalla (10.34) come: e = 3

Come valore di v e usiamo la velocit` a di Fermi 1.4 106 m/s (vedi tabella 4.2), mentre la capacit` a per unit` a di volume si ottiene dividendo la capacit` a `: molare per il volume molare. Nel caso dellargento il volume molare e Vm = quindi:
V CV =

m3 cm3 M 107.9 = = 10.3 = 10.3 106 10.5 mole mole


e CV J 0.19 = = 1.8 104 3 6 Vm 10.3 10 m K

328

Espansione termica

Capitolo 10

Si ottiene allora: e = 3 1.4 106 430 = 5 108 m 1.8 104

5. Calcolare la conducibilit` a termica a temperatura ambiente di un metallo 28 avente n e = 8.5 10 elettroni per metro cubo e un tempo medio tra collisioni pari a = 2.5 1014 secondi. Ricorriamo alla formula (10.35) e sostituiamo i valori dei parametri, usando come massa efficace quella normale dellelettrone: 2 8.5 1028 (1.38 1023 )2 293 2.5 1014 W = 430 31 3 9.1 10 mK valore vicino a quello della conducibilit` a del rame, a cui si riferiscono i valori scelti per i parametri. e =

10.3 Espansione termica


Per la maggior parte dei corpi solidi si osserva che un riscaldamento del corpo porta a unespansione del suo volume. Nel caso di un corpo lungo e sottile il riscaldamento ne aumenta la lunghezza dal valore ad un valore = + . La variazione relativa di lunghezza / risulta dipendere linearmente dalla differenza di temperatura T secondo lespressione: = T (10.39) dove il parametro viene detto coefficiente di espansione lineare (in K1 ). Lespansione avviene comunque in tutte e tre le dimensioni, quindi, per il volume si pu` o scrivere: V = V T (10.40) V in funzione di un coefficiente di espansione volumica V . In generale i materiali sono anisotropi e, quindi, il valore di V dipenderebbe dalla direzione in cui viene misurata lespansione, rispetto agli assi cristallografici del reticolo.
329

Capitolo 10

Propriet` a termiche

U
r1 r2 r3

r
E3 E2 E1

Figura 10.5: rappresentazione dellenergia potenziale in funzione della distanza interatomica. Sono indicati alcuni autovalori di energia e il corrispondente valore medio della distanza interatomica.

Nel caso invece di materiali isotropi il valore di V risulta essere pari a circa 3 . Il fenomeno dellespansione termica pu` o essere spiegato considerando le forze agenti tra gli atomi e andando a guardare alla curva di energia potenziale in funzione della distanza interatomica (o intermolecolare). Tale curva segue landamento tipico rappresentato in figura 10.5 e rappresenta una buca di potenziale asimmetrica. Il riscaldamento del corpo comporta un aumento della sua temperatura e conseguentemente un aumento dellenergia vibrazionale che passa da un autovalore a uno pi` u elevato (E1 E2 E3 En ). Di conseguenza i valori permessi per la distanza interatomica abbrac` solo a causa dellasimmetria della buca ciano un intervallo pi` u ampio, ma e di potenziale che il valore medio della distanza interatomica aumenta con la temperatura (rn > > r3 > r2 > r1 ). Notiamo che quanto pi` u legati sono gli atomi tra di loro, tanto pi` u fon` il valore da e ripida risulta essere la buca di potenziale e tanto minore e corrispondente del coefficiente di espansione .

330

Comportamenti termici

Capitolo 10

10.4 Comportamenti termici


Per descrivere il comportamento termico dei materiali facciamo riferimento a tre classi rappresentative, quella dei metalli, quella dei materiali ceramici e quella dei polimeri14 .

10.4.1

Isolamento o conducibilit` a

I metalli sono conduttori termici estremamente buoni perch e per essi il meccanismo di migrazione degli elettroni risulta essere molto rilevante grazie al numero elevato di elettroni liberi che possono prendervi parte. La conduzione tramite elettroni domina su quella tramite fononi anche perch e i primi sono soggetti meno dei secondi a interazioni con il reticolo cristallino. Valori tipici di conducibilit` a termica per metalli sono dellordine di 100 W/mK (vedi tabella 10.3). La presenza di impurit` a nel metallo comporta una riduzione nella conducibilit` a termica cos` come comporterebbe una diminuzione nella conducibilit` a elettrica: infatti, le impurit` a contrastano il movimento degli elettroni riducendone la migrazione. ` dominata dal Nel caso dei materiali ceramici la conducibilit` a termica e comportamento dei fononi, visto che in tali materiali il numero di elettroni ` molto piccolo (e, infatti, sono tipicamente isolanti dal punto di vista liberi e elettrico). Ne risulta una conducibilit` a minore rispetto a quella dei metalli, che tende per` o a diminuire allaumentare della temperatura perch e lampiezza delle vibrazioni reticolari aumenta con il crescere della temperatura, ostacolando maggiormente il movimento dei fononi. Materiali ceramici di tipo amorfo (come anche il vetro) hanno una conducibilit` a minore rispetto ai materiali ceramici cristallini perch e avendo una struttura atomica irregolare e disordinata tendono a ostacolare maggiormente i fononi, riducendone il trasporto da unestremit` a allaltra del corpo. Nel caso della silice (polvere di quarzo purissima, cio` e SiO2 ) si ha un valore della conducibilit` a termica di solo 1.4 W/mK, due ordini di grandezza
I polimeri sono dei composti chimici formati da molecole di elevate dimensioni in cui delle piccole unit` a (monomeri) sono legate a formare una catena.
331
14

Capitolo 10

Propriet` a termiche

pi` u piccolo dei valori tipici per i metalli. Per questo motivo ceramiche a base di silice sono ottimi isolanti termici. Nel caso dei polimeri la conducibilit` a assume valori molto piccoli perch e ` dovuta alla vibrazione e alla rotazione di lunghe per loro la conduzione e catene molecolari, cosa che avviene con maggior difficolt` a.

10.4.2

Dilatazione

Le tre classi di materiali introdotte sopra hanno un comportamento peculiare anche dal punto di vista della dilatazione termica. Per i polimeri il coefficiente di espansione lineare assume valori dellor` relativamente dine di 100 106 K1 e lespansione termica corrispondente e grande. Nel caso dei metalli il coefficiente di espansione lineare assume valori intermedi, dellordine di 10 106 K1 . Gli effetti di dilatazione termica diventano allora particolarmente rilevanti dato lampio intervallo di temperature a cui un metallo pu` o essere sottoposto prima di fondersi. I materiali ceramici sono caratterizzati da intense forze di legame tra gli atomi e i valori corrispondenti per sono dellordine di 1 106 K1 . In questo caso la dilatazione non sarebbe un problema se non fosse per lestrema fragilit` a di questi materiali. Intervengono, infatti, considerazioni legate allo stress termico indotto dalle modifiche interne della struttura cristallina. Nel caso di materiali poco duttili lespansione termica pu` o portare a fratture nel materiale con conseguente frantumazione del corpo.

10.5 Applicazioni
Come esempi di applicazione delle propriet` a termiche riportamo due casi in cui si vuole avere un ottimo isolamento termico o viceversa unelevata dissipazione termica, sfruttando rispettivamente materiali a conducibilit` a ter` quello dellisolamento mica ridotta oppure molto elevata. Il primo caso e

332

Applicazioni

Capitolo 10

(W/m K) 106 (1/K) POLIMERI Polistirene 0.1 100 150 Polietilene 0.40 0.50 100 200 Teflon 0.2 150 200 METALLI Alluminio 240 24 Ferro 80 12 Rame 400 17 Oro 315 14 Argento 430 20 Nichel 90 13 MATERIALI CERAMICI Allumina (Al2 O3 ) 35 8 Magnesia (MgO) 38 14 Silice (SiO2 ) 1.4 0.4 Vetro pyrex 1.4 3.3 ALTRO Diamante 1000 2600 1 Silicio 150 2.6 Acqua 0.6 Ghiaccio (0 C) 2.2 Asbesto 0.08 Fibra di vetro 0.04 Sughero 0.04 Aria 0.02 SOSTANZA
Tabella 10.3: valori tipici della conducibilit` a termica e del coefficiente di espansione lineare medio per alcune sostanze a temperatura ambiente.

333

Capitolo 10

Propriet` a termiche

delle navicelle spaziali Shuttle, mentre il secondo riguarda i dispositivi di dissipazione di calore per circuiti elettronici.

10.5.1

Isolamento termico dello Shuttle

Le navicelle Shuttle, usate nelle missioni spaziali della NASA15 , sono state progettate per essere impiegate in pi` u missioni. Essenziale per la loro riuti` il sistema di protezione termica TPS16 che utilizza una combinalizzabilit` ae zione di materiali e tecnologie per proteggere lo Shuttle e i suoi occupanti, ` scelto di utilizzare del convenzionale alluNel progetto dello Shuttle si e minio per la fusoliera, proteggendolo per` o con uno strato di materiale termicamente isolante. Lalluminio ha, infatti, un punto di fusione di soli 660 C e deve resistere alle temperature estremamente elevate che vengono a prodursi sulla superficie esterna dellapparecchio a causa dellattrito con latmosfera sia durante la fase di decollo sia, soprattutto, nella fase di rientro. Per lintegrit` a ` bene che la temperatura esterna della fusoliera non superi i 175 strutturale e C. Lo strato isolante impiegato consiste principalmente di due tipi di piastrelle: quelle resistenti a basse temperature (tra 370 e 650 C) e quelle resistenti ad alte temperature (tra 650 e 1260 C). Entrambe sono composte da fibre di silice molto puro, ma anche estremamente poroso17, aventi spessori tra i 2 e i 13 centimetri. Le piastrelle a bassa temperatura hanno una copertura di ceramica bianca per riflettere la radiazione solare quando lo Shuttle ` nello spazio, al di fuori dellatmosfera. Quelle ad alta temperatura hanno e invece una copertura di ceramica nera per favorire il loro raffreddamento tramite irradiamento termico, soprattutto durante la fase di rientro. Altri tipi di piastrelle aiutano a proteggere lo Shuttle nei punti pi` u critici, dove si raggiungono temperature fino a circa 1600 C. Il sistema TPS nel suo complesso soddisfa i requisiti di riutilizzabilit` ae
National Aeronautics and Space Administration, lente spaziale statunitense. Dallinglese Thermal Protection System. 17 La piastrella contiene fino al 90% di spazio vuoto, riempito in realt` a da aria che ha un valore di conducibilit` a termica estremamente piccolo, pari a circa 0.02 W/mK.
16 15

334

Applicazioni

Capitolo 10

` dato dalla fragilit` leggerezza. Laspetto delicato e a delle piastrelle che non possono essere incollate direttamente alla fusoliera per non essere sottoposte allo stress termico dovuto alla dilatazione dellalluminio.

10.5.2

Dispersori di calore

Transistor, microprocessori, regolatori di tensione e altri dispositivi elettronici di tipo discreto o integrato sono in grado, durante il loro funzionamento, di raggiungere temperature elevate. Per impedire che il riscaldamento provochi un danneggiamento del dispositivo o del circuito risulta necessario smaltire il calore in eccesso cedendolo eventualmente allambiente circostante. A tal fine si possono utilizzare dei dispositivi chiamati dissipatori di calore (detti in inglese heat sinks) che sono in grado di trasferire in modo estremamente efficace il calore da un corpo a temperatura elevata a un corpo a bassa temperatura, ma con grande capacit` a termica. Il trasferimento di calore deve essere rapido tra il dispositivo da raffreddare e il dissipatore e tra il dissipatore e lambiente (tipicamente aria) circostante. ` composto da piccoli pannelli metallici o alette. Il Un dissipatore tipico e metallo, data la sua elevata conducibilit` a termica, garantisce un veloce assorbimento di calore dal dispositivo da raffreddare, mantendendo questultimo in equilibrio termico con il dissipatore. I pannelli, data la superficie relativamente grande, permettono a loro volta un trasferimento veloce del calore allaria. Prestazioni migliori possono poi essere ottenute sfruttando una ventola per produrre circolazione forzata daria e raffreddare laria che circonda il dissipatore. I dissipatori sono fatti, in genere, di alluminio. Questo metallo ha, infatti, il vantaggio di avere un valore di conducibilit` a termica relativamente elevato (240 W/mK) e unestrema duttilit` a che consente, per estrusione, di ottenere la forma voluta. Altra scelta possibile comprende il rame che ha una conducibilit` a maggiore (400 W/mK), ma anche costo e peso pi` u elevati. ` importante, inoltre, che Affinch e il dissipatore agisca in modo efficace, e ci sia il migliore contatto possibile con il dispositivo da raffreddare, la cui superficie deve essere il pi` u aderente possibile al dissipatore. A questo scopo
335

Capitolo 10

Propriet` a termiche

si usa, talvolta, un grasso termico che ha una notevole conducibilit` a termica perch e composto, generalmente, da particelle metalliche in sospensione colloidale.

10.6 Quesiti di riepilogo


1. Quanto vale la capacit` a termica molare alla temperatura di Einstein? 2. Facendo riferimento alla figura 10.1, indicare quale delle tre sostanze ha la temperatura di Einstein maggiore. 3. Sono migliori isolanti termici i materiali cristallini o quelli amorfi? Perch e? 4. Conduce meglio un metallo puro o una lega? Perch e? 5. Un materiale poroso conduce meglio il calore di uno compatto? 6. La dilatazione termica di un materiale ceramico dipende dalle propriet` a dei suoi elettroni? E nel caso di un metallo?

10.7 Esercizi
1. Conoscendo la temperatura di Debye del rame (TD = 340 K) ricavare la sua capacit` a termica alla temperatura T = 50 K. 2. Conoscendo il calore specifico del rame (c = 180 J/kgK) misurato alla temperatura di 60 K, si ricavi il valore della sua temperatura di Debye.
e 3. A quale temperatura il contributo elettronico CV alla capacit` a termica diventerebbe pari a quello fononico? Si consideri il caso del rame.

4. Calcolare il calore che attraversa in un minuto una sbarra di rame di sezioa distanti L = 50 cm sono mantenute ne pari a 25 cm2 , in cui le due estremit` alla temperatura costante di 150 e 50 C.
336

Esercizi

Capitolo 10

5. Di quanto si dilaterebbe un filo di rame lungo 5 metri riscaldato da 20 a 300 C?

337

Capitolo 11 Cristalli liquidi


Per certi materiali organici la transizione dallo stato di aggregazione solido a quello liquido avviene attraverso il passaggio per fasi successive. Tali fasi, dette mesofasi, hanno propriet` a di simmetria che sono intermedie tra quelle caratteristiche del liquidi e quelle proprie dei solidi cristallini. I materiali che si trovano in tali fasi si chiamano cristalli liquidi e presentano una forte anisotropia unita a una certa fluidit` a. Transizioni verso le mesofasi possono essere prodotte o tramite processi puramente termici o con luso di solventi. Nel primo caso si parla di cristalli liquidi termotropici, nel secondo di cristalli liquidi liotropici, che non verranno qui considerati. ` I cristalli liquidi sono conosciuti da pi` u di cento anni, da quando si e notata lesistenza, in certi composti organici, di uno stato della materia con propriet` a peculiari. Questi composti cambiavano carattere al crescere della temperatura e sembravano possedere due temperature di fusione. Tali sostanze agivano in modo particolare sulla luce, cambiandone la polarizzazione e il colore. Questi comportamenti sono stati studiati in dettaglio negli anni ` solo a partire dagli anni 60 del secolo scorso che si sono cosuccessivi, ma e minciate a cogliere le possibilit` a di applicazione nel campo della termografia o della visualizzazione elettro-ottica (schermi a cristalli liquidi). ` un campo complesso nel quale La disciplina che tratta queste sostanze e la connessione tra chimica e fisica svolge un ruolo fondamentale e la cui ri` stata riconosciuta con lassegnazione di un Premio Nobel a Pierre levanza e de Gennes1 .
1

Pierre G. de Gennes (1932-2007), fisico francese vincitore del Premio Nobel per la Fisica

Capitolo 11

Cristalli liquidi

Un tema cos` complicato verr` a discusso qui in modo semplificato, facendo riferimento principalmente alle propriet` a ottiche di questi cristalli e come tali propriet` a possono essere modificate e sfruttate. Nel caso dei cristalli solidi le molecole sono ordinate con estrema regolarit` a secondo un reticolo periodico, mentre per i liquidi questo ordinamento sparisce. In un caso le molecole sono vincolate al reticolo, nellaltro caso sono libere di scorrere le une rispetto alle altre. I cristalli liquidi condividono importanti propriet` a sia con i solidi sia con i liquidi, assieme ad aspetti di distinzione. Ad esempio la fluidit` a dei cristalli liquidi ricorda quella dei liquidi propriamente detti, ma mentre per un liquido le propriet` a fisiche sono isotrope, cio` e uguali in tutte le direzioni, ci` o non avviene per i cristalli liquidi. Dal punto di vista della loro struttura i cristalli liquidi sono formati da molecole fortemente allungate per le quali c` e una simmetria parziale. Si possono distinguere tre tipologie principali (corrispondenti a tre tipi di fase): i cristalli liquidi smectici, in cui non c` e un ordinamento su tre dimen` equivalente a quella di sioni, ma su una dimensione sola. La situazione e strati bidimensionali sovrapposti luno sullaltro, con spaziatura definita. La figura 11.1 fornisce una rappresentazione di tali sostanze. i cristalli liquidi nematici (vedi figura 11.2), caratterizzati da molecole allineate preferenzialmente in una direzione, ma senza che ci sia un ordine traslazionale su grande scala. Tale allineamento si osserva in domini aventi dimensione dellordine del micrometro, ma pu` o essere esteso a tutto il cristallo applicando a esso un campo elettrico o magnetico opportuno. La direzione preferenziale definisce un vettore n chiamato vettore direttore. Per questi cristalli liquidi le molecole possono scorrere le une rispetto alle altre con fluidit` a, mantenendo per` o lallineamento. 2 i cristalli colesterici (detti anche nematici chirali3 ). Questi cristalli linel 1991 per i suoi studi sui cristalli liquidi e sui polimeri. 2 Tale termine si ispira alla molecola di colesterolo, per alcuni derivati della quale venne evidenziata nel 1888, dal botanico austriaco Friedrich Reinitzer, lappartenenza a una fase della materia intermedia tra quella solida e quella liquida. 3 Dotati cio` e di chiralit` a (distinzione tra destra e sinistra), nel senso che la loro struttura

340

Figura 11.1: rappresentazione della fase smectica di un cristallo liquido. Sono raffigurati tre piani di molecole.

` evidenziato il Figura 11.2: rappresentazione della fase nematica di un cristallo liquido. E vettore direttore n.

341

Capitolo 11

Cristalli liquidi

p = P /2

Figura 11.3: rappresentazione della fase colesterica di un cristallo liquido. A sinistra sono ` rappreraffigurati quattro piani aventi le molecole allineate in modo differente. A destra e sentata la direzione in ciascun piano del direttore n e la lunghezza del passo p pari a met` a del passo P dellelica.

quidi sono simili a quelli nematici, ma hanno in aggiunta unorganizzazione ` un parametro a elica delle molecole, elica caratterizzata da un passo4 p che e importante per descrivere le propriet` a fisiche del cristallo liquido.

11.1 Propriet` a elettriche e magnetiche


I cristalli liquidi sono tipicamente diamagnetici (nella maggior parte dei casi) o paramagnetici. Cristalli ferromagnetici possono comunque venire prodotti inserendo materiali ferromagnetici in sospensioni colloidali di cristallo liquido. Nel seguito considereremo, per` o, soltanto cristalli non ferromagnetici. I cristalli liquidi sono soggetti, come qualsiasi altro materiale, a magnenon resterebbe uguale in seguito a riflessione speculare, come avviene per unelica cilindrica o per una mano. 4 Dal punto di vista delle propriet` a fisiche le due direzioni n e n sono equivalenti, quindi ` in realt` la periodicit` a p della struttura colesterica e a met` a di quella geometrica P dellelica.

342

Propriet` a elettriche e magnetiche

Capitolo 11

tizzazione descritta (vedi la (6.3)) dal vettore: M = m H (11.1)

A causa dellanisotropia del cristallo liquido la suscettibilit` a magnetica m ` non e un numero ma un tensore simmetrico di rango 2. Dei 6 numeri che descrivono il tensore simmetrico solo due sono indipendenti per i cristalli nematici e assumono due valori che indichiamo con e (riferiti rispetto alla direzione del vettore direttore e a una direzione a esso ortogonale) che differiscono della quantit` a m = . Il tensore diventa allora: 0 0 m 0 0 0 0 (11.2)

Linterazione tra il corpo magnetizzato e il campo magnetizzante pu` o essere descritta attraverso lenergia di interazione tra M e H e che contribuisce alla densit` a di energia libera5 con la quantit` a: 1 f H = 0 M H 2 Tale contributo diventa (nel caso di un cristallo diamagnetico): 1 1 f H = 0 H 2 0 m (H n)2 2 2 (11.4) (11.3)

` una quantit` dove il primo termine e a costante, che non dipende dallorientamento delle molecole rispetto a H. Questo contributo va a sommarsi alla densit` a di energia libera fd dovuta alla eventuale distorsione meccanica del cristallo liquido e cio` e alla distorsione di n. Per i cristalli nematici vale usualmente m > 0 e, quindi, lenergia viene minimizzata quando la direzione preferenziale del cristallo liquido, cio` e il o ottenere vettore n si allinea ad H. Se invece m < 0 la minimizzazione si pu` con n H.
5

Dicesi libera lenergia in grado di fare lavoro macroscopico.

343

Capitolo 11

Cristalli liquidi

I cristalli liquidi paramagnetici sono costituiti in genere da molecole al cui centro si trova un atomo metallico paramagnetico. Per questi cristalli c` e competizione con il contributo diamagnetico comunque presente. Lorientamento della molecola nel campo magnetico esterno dipende allora sia da quale tra i due contributi (paramagnetico o diamagnetico) prevale perch e diminuisce maggiormente la densit` a di energia libera sia dal corrispondente valore di m . La presenza di un campo magnetico esterno pu` o agire allora controllando lallineamento delle molecole del cristallo liquido, producendo un allineamento delle molecole parallelo o ortogonale al campo stesso. Una tale transizione avviene, per` o, se il campo magnetizzante applicato supera un va6 ` inversamente proporzionale allo spessore del cristallo lore critico H c che e liquido. Osserviamo, inoltre, che nel caso di cristalli colesterici lapplicazione di un campo magnetico sufficientemente intenso, con direzione parallela allasse dellelica, produce una torsione della struttura a elica che pu` o essere svolta, portando il cristallo a una fase nematica. Le propriet` a elettriche di un cristallo liquido sono complicate dalla possibilit` a di accumulo di cariche o reazioni chimiche in corrispondenza degli elettrodi, ma per quanto riguarda leffetto di orientamento delle molecole possiamo seguire un ragionamento analogo a quello usato nel caso magnetico. La polarizzazione del cristallo liquido comporta (vedi la (8.4)) una polarizzazione P che pu` o essere scritta come: P = 0 e E (11.5)

dove la suscettibilit` a elettrica e viene rappresentata, in mezzi non isotropi, da un tensore. Si introduce poi un vettore D chiamato induzione dielettrica definito come: (11.6) D = 0 E + P = 0 E
6

Valori tipici di H c sono dellordine di 6 105 A/m per uno spessore di 10 micrometri.

344

Propriet` a ottiche

Capitolo 11

` anchessa descritta da un dove la costante dielettrica relativa = 1 + e e tensore. Linterazione tra materia polarizzata e campo elettrico contribuisce alla densit` a di energia libera con un termine: 1 (11.7) fE = E D 2 In un cristallo nematico tale contributo diventa pari a: 1 1 f E = 0 E 2 0 (E n)2 (11.8) 2 2 ` una quantit` dove il primo termine e a costante, che non dipende dallorientamento delle molecole rispetto a E. Analogamente al caso magnetico questo contributo va a sommarsi alla densit` a di energia libera per distorsione fd . Nei casi in cui > 0 lenergia viene minimizzata quando la direzione preferenziale del cristallo liquido, cio` e il vettore direttore n, si allinea a E. Se invece < 0 allora la minimizzazione si pu` o ottenere con n E. Anche qui la transizione avviene se il campo elettrico supera un valore critico7 E c . ` di gran lunga pi` Linterazione magnetica e u debole di quella elettrica, ` preferibile ricorrere a quindi, per cambiare lallineamento di un cristallo e campi elettrici, come discusso nellesempio 1.

11.2 Propriet` a ottiche


Le propriet` a ottiche dei cristalli liquidi, rispetto a unonda elettromagnetica ad alta frequenza, possono essere descritte come visto nel capitolo 8 attraverso la loro risposta in termini di riflettivit` a, trasmissivit` a e rifrazione, che sono concetti utili nel caso di dielettrici isotropi. Nel caso dei cristalli liquidi hanno inoltre luogo dei fenomeni peculiari quali la birifrangenza, il dicroismo e lattivit` a ottica, fenomeni che descriveremo brevemente nel prossimo paragrafo.
Valori tipici per E c sono dellordine di 100 V/m, ottenibili, ad esempio, applicando una differenza di potenziale dellordine del millivolt su uno spessore di 10 micrometri.
345
7

Capitolo 11

Cristalli liquidi

Per comprendere il comportamento dei cristalli ottici in risposta a unon` importante capire come tali fenomeni camda elettromagnetica incidente e bino in seguito a variazioni di temperatura o allazione di forze meccaniche, magnetiche o elettriche.

11.2.1

Birifrangenza

In generale per un cristallo (solido o liquido) anisotropo e non ferromagnetico la velocit` a di propagazione delle onde elettromagnetiche assume valori diversi a seconda della direzione di propagazione entro il cristallo. A causa delle simmetrie presenti entro il cristallo si individuano tre assi principali rispetto ai quali lindice di rifrazione assume tre valori possibilmente distinti n1 , n2 e n3 . In molti casi due dei tre indici assumono lo stesso valore (ad esempio, n1 = n2 n3 ) e il cristallo si dice uniassico. La direzione corrispondente allindice diverso (n3 ) rappresenta una direzione particolare, detta asse ottico, che nel caso dei cristalli liquidi corrisponde alla direzione del vettore direttore. Lindice di rifrazione relativo allasse ottico viene chiamato straordinario (ns ) e risulta essere uguale a n3 nel caso indicato sopra. Alternativamente lindice di rifrazione relativo a un qualsiasi asse ortogonale allasse ` uguale a n1 = n2 nel caso specifico. ottico viene detto ordinario (no ) ed e Unonda che si propaga parallelamente rispetto allasse ottico vede un mezzo isotropo, tale che uneventuale polarizzazione dellonda non viene alterata, e qualsiasi onda polarizzata si propagherebbe con la stessa velocit` a. Si parla in questo caso di raggio ordinario. Le cose cambiano se londa non si propaga parallelamente allasse ottico. In questo caso onde con polarizzazione diversa vedrebbero un mezzo con indice di rifrazione diverso, propagandosi con velocit` a diversa v = c /n. Il valore dellindice di rifrazione dipende dalla direzione di propagazione ri` compreso tra no e ns . Un tale raggio viene detto spetto allasse ottico ed e straordinario e subisce una rifrazione non soddisfacente alla legge di Snell8 .
Nel caso del raggio ordinario i campi E e D sono paralleli tra di loro e tangenti al fronte ` parallelo a D e non e ` pi` donda. Per il raggio straordinario E non e u tangente al fronte donda. Fronte donda e direzione di propagazione non sono, quindi, ortogonali.
346
8

Propriet` a ottiche

Capitolo 11

Ei

asse ottico

Es Eo raggio raggio straordinario ordinario

Figura 11.4: rappresentazione della birifrangenza per un cristallo uniassico. Caso particolare di incidenza obliqua rispetto alle facce del cristallo e con asse ottico obliquo rispetto alle facce del cristallo.

Nel caso di un raggio incidente su un cristallo liquido si produce allora una doppia rifrazione (vedi figura 11.4) perch e londa emerge dal cristallo come due raggi aventi polarizzazione rettilinea mutuamente ortogonale. ` il fenomeno detto birifrangenza, dove londa si scinde in una comQuesto e ponente ordinaria polarizzata ortogonalmente allasse ottico e soddisfacente alla legge di Snell, pi` u una componente straordinaria, polarizzata perpendicolarmente a quella ordinaria e che non segue la legge di Snell.

11.2.2

Dicroismo

Se gli indici di rifrazione (complessi) assumono valore diverso a seconda della direzione di propagazione dellonda e della sua polarizzazione rispetto al` diversa anche la loro parte immaginaria e, quindi, i due raggi lasse ottico, e prodotti dalla birifrangenza possono essere soggetti a diverso assorbimento. Si parla in questo caso di dicroismo intendendo il fatto che il coefficien-

347

Capitolo 11

Cristalli liquidi

asse ottico

Es

Eo

Figura 11.5: rappresentazione del dicroismo per un cristallo uniassico. La componente a del cristallo. straordinaria E s dellonda incidente si attenua rapidamente e non emerge al di l` e senza attenuazione. La componente ordinaria E o emerge, invece, pressoch

te di assorbimento assume due valori diversi a seconda della direzione di polarizzazione dellonda rispetto allasse ottico (vedi figura 11.5). Osserviamo che unonda che si propaga parallelamente allasse ottico vede un mezzo isotropo, senza birifrangenza n e dicroismo.

11.2.3

Attivit` a ottica

Nel caso di cristalli colesterici ci pu` o essere una differenza nella velocit` a di propagazione di unonda polarizzata circolarmente in un senso o nellaltro. Ci` o comporta una rotazione del piano9 di polarizzazione dellonda. Questo fenomeno viene chiamato attivit` a ottica. ` molto maggiore della lunghezza donda impiegata, Quando il passo p e ` troppo grande e soddisfa alla condizione: ma allo stesso tempo non e pn
9

(11.9)

Unonda polarizzata rettilinearmente pu` o essere pensata come sovrapposizione di due onde con uguale ampiezza polarizzate circolarmente in verso opposto.

348

Propriet` a ottiche

Capitolo 11

allora il cristallo colesterico si comporta come un rotatore puro, con potere rotatore dato da (equazione di de Vries): = ( n)2 p 2 2 (11.10)

che, in corrispondenza allattraversamento di uno spessore d di cristallo, produrrebbe una rotazione del piano di polarizzazione di un angolo: = d (11.11)

` la lunghezza donda (misurata nel vuoto) dellonda In queste formule e incidente, d il percorso entro il cristallo e n = ns no la differenza, dovuta alla birifrangenza, tra i valori dellindice di rifrazione straordinario e ordinario. Per cristalli colesterici valori tipici dei parametri sono n = 0.05 e p = 2.5 m. Con questi valori, e usando = 0.5 m, si otterrebbe per il potere rotatore un valore molto grande, pari a 2250 mm1 . Il segno negativo ` opposta al senso dellelica della struttura colesta a indicare che la rotazione e ` parecchi sterica. Osserviamo che il potere rotatore di questi cristalli liquidi e ordini di grandezza pi` u grande di quello relativo a liquidi o solidi cristallini 10 dotati di attivit` a ottica . In aggiunta allattivit` a ottica il mezzo ottico pu` o essere dispersivo, introducendo una dipendenza di n dalla lunghezza donda. Ci` o pu` o produrre luce polarizzata con colori diversi. Quando il passo p assume valori maggiori11 e soddisfa, invece, alla condizione: pn (11.12) (detta limite di Mauguin), la luce polarizzata rettilinearmente rimane tale ma, man mano che il raggio si propaga entro il cristallo, il piano di polarizzazione segue la torsione dellelica. Ne segue che unonda incidente polarizzata
Per il quarzo, ad esempio, 20 mm1 . Il passo pu` o essere modificato a piacere diluendo un materiale otticamente attivo entro un cristallo nematico. Si ottengono cos` valori pari a p 5 25 m.
10 11

349

Capitolo 11

Cristalli liquidi

Ein n

Ein n

Eapp n n

Eout

Eout

Figura 11.6: rappresentazione di una cella nematica ritorta (a sinistra) che cambia la polarizzazione dellonda ruotando di 90 la direzione del campo elettrico in uscita E out rispetto a quello in ingresso alla cella E in . A destra si vede che lapplicazione di un campo elettrico a ottica. E a pp allinea le molecole ed elimina lattivit`

rettilinearmente subisce una rotazione di un angolo: d (11.13) = p che corrisponde a 90 se d = p/2. ` quello Un altro modo per creare attivit` a ottica in un cristallo liquido e che si usa nelle celle nematiche ritorte. In questo caso il cristallo liquido di ` inserito tra due lamine di vetro o materiale plastico e ha tipo nematico e il vettore direttore omogeneo su tutto il cristallo e allineato parallelamente alle pareti. Girando una delle due lamine attorno a un asse perpendicolare alla lamina si viene ad applicare una torsione agli strati paralleli del cristallo, producendo una situazione come quella rappresentata in figura 11.6. Una tale ` in grado di ruotare la polarizzazione cella acquisisce cos` attivit` a ottica ed e di 90 .

11.2.4

Riflessione di Bragg

Nel caso dei cristalli colesterici si verifica anche unaltro fenomeno. Se un raggio di luce viene inviato parallelamente allasse dellelica, la periodicit` a dellelica produce uninterferenza in riflessione, simile a quella incontrata per i
350

Propriet` a ottiche

Capitolo 11

R
1

0.8

0.6

0.4

0.2

Figura 11.7: riflettivit` a in funzione della lunghezza donda della luce polarizzata circolarmente (nel senso giusto) che incide normalmente su un cristallo liquido colesterico senza assorbimento e avente spessore molto maggiore del passo p. Il valore centrale 0 della lunghezza ` uguale a n2 p mentre lintervallo = 2 p n. donda e

raggi X diffratti dai piani di un cristallo (vedi capitolo 1). Linterferenza diven` nello ta costruttiva quando la polarizzazione circolare dellonda incidente e 12 stesso verso dellelica e il passo p soddisfa alla condizione di Bragg: 2 p = n = n (11.14)

` il valore misurato nel mezzo, mentre n = (ns + no )/2 e ` il vadove n e lore medio dellindice di rifrazione. In questo caso, rispetto alla condizione generale (1.13), si prende m = 1 perch e gli ordini superiori risultano essere soppressi (a parte il caso di incidenza obliqua). In queste condizioni luce polarizzata circolarmente con lo stesso verso ` in verdellelica viene riflessa quasi totalmente, mentre se la polarizzazione e `, so opposto la luce viene trasmessa quasi totalmente. Se la luce incidente e
12

Ad esempio unelica destrogira riflette luce con polarizzazione circolare destrogira.


351

Capitolo 11

Cristalli liquidi

` in grado di separarla in una invece, non polarizzata, il cristallo colesterico e componente polarizzata circolarmente in un verso, pi` u una componente polarizzata circolarmente nel verso opposto. Una delle due viene riflessa, men` trasmessa, quindi, circa il 50% della luce incidente non polariztre laltra e zata viene riflesso come luce polarizzata circolarmente con lo stesso verso dellelica. La riflettivit` a R per incidenza normale segue allora landamento ideale rappresentato in figura 11.7, dove la larghezza della regione in cui R 1 corrisponde a = 2 p n. Al di fuori di questa regione la riflettivit` a va rapidamente a zero. Poich e il passo dellelica varia con la temperatura, solo la frequenza che soddisfa alla (11.14) subisce unintensa riflessione. Come risultato la lamina di cristallo liquido appare possedere un colore brillante, anche se illuminata con luce bianca, la cui tonalit` a dipende dalla temperatura. Lincremento relativo del passo in funzione della temperatura T pu` o essere piuttosto grande, e assumere valori dellordine di: 1 dp 100 K1 p dT (11.15)

Ci` o significa che un cristallo liquido pu` o diventare uno strumento di misura della temperatura estremamente sensibile, come discusso nellesempio 2.

11.3 Esempi
1. Confrontare lazione di un campo elettrico o magnetico su un cristallo liquido nematico avente vettore direttore perpendicolare al campo. Si faccia riferimento al momento di forza per unit` a di volume e si considerino un campo 5 magnetico di ampiezza H = 10 A/m e quello elettrico prodotto applicando una differenza di potenziale di 10 V ai capi di un cristallo liquido dello spessore di 100 m. ` uniassico e la magnetizzazione si pu` Il cristallo nematico e o scrivere co-

352

Esempi

Capitolo 11

me: M = H + m (H n)n (11.16) quindi, ricordando che il momento meccanico sul dipolo magnetico vale = B, il momento meccanico per unit` a di volume diventa:
B = 0 M H = 0 m (H n)n H V

(11.17)

che risulta, quindi, proporzionale a: 0 m H 2 Similmente per il caso elettrico scriviamo: P = 0 [ E + e (E n)n] (11.18)

quindi, ricordando che il momento meccanico sul dipolo elettrico p vale = p E, il momento meccanico per unit` a di volume diventa:
E V = P E = 0 e (E n)n E

(11.19)

che risulta, quindi, proporzionale a: 0 e E 2 Valori tipici per lasimmetria di suscettibilit` a sono dellordine di m = e e = 0.1, mentre il campo elettrico suggerito vale E = V / h = 105 V/m. Ne risulta che: 107 0 e E 2 102 > 0 m H 2 103 ` facile ottenere campi elettrici anche pi` Tenuto conto che e u intensi di cos` , ` tipicamente molto pi` possiamo dire che leffetto dei campi elettrici e u intenso di quello dei campi magnetici. 2. Quanto vale la sensibilit` a di temperatura tipica di un cristallo liquido colesterico, assumendo una sensibilit` a del 10% sulle misure di lunghezze donda?
353

Capitolo 11

Cristalli liquidi

In condizioni di Bragg ( = n 2 p) lincertezza del 10% su si traduce in unincertezza del 10% sul passo p, cio` e p/ p = 0.1. Ricorrendo alla (11.15) otteniamo che: p 100T p quindi, la sensibilit` a sulla misura di temperatura sarebbe: T = 1 1 p = 0.1 = 1 103 K 100 p 100

` una sensibilit` cio` e un millesimo di grado kelvin, che e a molto buona.

11.4 Applicazioni
Le applicazione pensate nel corso degli anni per sfruttare le propriet` a dei cristalli liquidi sono molteplici. Qui ne riportiamo due tra le pi` u significative.

11.4.1

Termografia a cristalli liquidi

Come gi` a visto, nella maggior parte dei cristalli colesterici il passo dellelica diminuisce allaumentare della temperatura. Questa forte dipendenza dalla temperatura trova unapplicazione pratica in termografia. Attraverso miscele opportune si producono dei cristalli liquidi con un passo dellordine della lunghezza donda della luce usata. Piccole variazioni di temperatura appaiono come cambiamenti nel colore della luce diffusa dal cristallo liquido secondo la riflessione di Bragg. In questo modo si possono produrre dei termometri che possono anche fornire una mappatura punto a punto delle regioni a temperatura diversa o del flusso di calore. Tipicamente un termometro a cristalli liquidi viene costruito spruzzando un supporto dipinto di nero con una miscela opportuna di cristalli liquidi. Questa miscela ha la propriet` a di avere una temperatura di attivazione (in corrispondenza della quale il cristallo liquido appare rosso) e una di estinzione (in corrispondenza della quale appare blu). Al di fuori di questo intervallo

354

Applicazioni

Capitolo 11

di temperatura13 la lamina appare scura allocchio. A una certa temperatura corrispondono diverse intensit` a relative per la componente rossa, verde e blu, producendo una diversa tonalit` a di colore. Queste diverse intensit` a vengono poi tradotte in una misura della temperatura tramite una procedura di calibrazione.

11.4.2

Schermo a cristalli liquidi

Il tipico schermo a cristalli liquidi (detto anche LCD14 ) consiste di uno strato sottile ( 10 m) di cristallo liquido disposto tra due superfici vetrose provviste di elettrodi trasparenti e al cui esterno si trovano due lamine polarizzatrici ` poi organizzato in una matrice di con asse ottico ortogonale. Lo schermo e pixel15 che concorrono a formare limmagine. In condizioni normali lattivit` a ottica del pixel, composto da cristalli liquidi colesterici o nematici ritorti, comporta una rotazione del piano di polarizzazione della luce uscente dal primo polarizzatore, consentendole di passare attraverso il secondo polarizzatore. Lelementino appare allora trasparente e il pixel appare illuminato. Sottoponendo il pixel a un campo elettrico di valore opportuno, tramite applicazione di una differenza di potenziale agli elettrodi corrispondenti, si viene a cambiare lorientamento delle molecole del cristallo liquido e lattivit` a ottica sparisce eliminando la rotazione della polarizzazione. Il pixel diventa cos` opaco in trasmissione e appare scuro. Usando dei filtri opportuni si possono generare dei pixel di colore rosso, verde o blu, di intensit` a diversa, producendo una colorazione del pixel con la tonalit` a voluta.
Si usano delle sigle del tipo R35C5W a indicare che il rosso comincia a 35 C e il blu comincia cinque gradi sopra cio` e a 40 C. 14 Dallinglese Liquid Crystal Display. 15 ` lunit` Il pixel (contrazione dellinglese picture element) e a minima in cui limmagine viene riprodotta sullo schermo o digitalizzata. Al massimo della risoluzione la dimensione del ` quella degli elementini unitari che formano lo schermo ( 1/5 mm). Usiamo quepixel e sto termine a indicare indifferentemente la granularit` a fisica dello schermo e dellimmagine prodotta.
13

355

Capitolo 11

Cristalli liquidi

11.5 Quesiti di riepilogo


1. Cosa succede tipicamente a cristalli liquidi termotropici sottoposti a temperature molto basse o elevate? 2. Cosa succede a un cristallo liquido nematico paramagnetico (con m > dia m > 0) se viene applicato a esso un campo magnetizzante sufficientemente intenso? 3. Basandosi sulla figura 11.6, spiegare perch e lapplicazione di un campo elettrico a una cella nematica ritorta elimina lattivit` a ottica. 4. Se si aumenta la temperatura di un cristallo colesterico, come cambia il colore visto in riflessione?
para

11.6 Esercizi
1. Partendo dalla (11.1) si verifichi la (11.4), per un cristallo liquido nematico. 2. Si verifichi la (11.8) per un cristallo liquido nematico. 3. Una lamina di cristallo colesterico appare rossa ( = 700 nm) alla temperatura di 35 C. Di quanto deve variare la temperatura affinch e appaia violetta 1 ( = 400 nm)? Si assuma (1/ p)d p/dT = 0.09 K . 4. Che rotazione viene imposta al piano di polarizzazione di luce avente = 0.5 m da un cristallo nematico tipico avente spessore d = 20 m, passo p = 5 m e n = 0.05?

356

Capitolo 12 Soluzioni
Riportiamo qui, in breve, le risposte ai quesiti di riepilogo e le soluzioni degli esercizi proposti alla fine di ciascun capitolo.

12.1 Quesiti di riepilogo


Capitolo 1 1. La sorgente blu. 2. La risposta c. 3. Lintervallo di lunghezza donda della luce visibile vis = 400 700 nm corrisponde a E = 1.83.1 eV, che deve essere maggiore di W0. I metalli che vanno bene sono, quindi, Ba, Li, Cs, K. 4. a) Il numero di elettroni N e resta lo stesso; b) N e raddoppia. Infatti, ` uguale al numero di fotoni che e ` proporzionale allintensit` a. Ne e 5. Nel secondo caso si hanno cristalli polverizzati e, quindi, orientamento dei piani variabile nello spazio, con la produzione di una figura di diffrazione simmetrica rispetto allasse del fascio, composta da anelli circolari. 6. La risposta b.

357

Capitolo 12

Soluzioni

Capitolo 2 1. Il granello di sabbia perch e ha massa e, quindi, quantit` a di moto minore ( = h / p). 2. Luce blu perch e x . 3. La risposta c, come prevede il principio di complementariet` a. 4. Elettroni pi` u energetici che hanno minore e quindi R (dato dal criterio di Rayleigh) minore. 5. Neutroni termici, perch e hanno minore. 6. Lincertezza sulla quantit` a di moto px 1/ x e v x px 1/ x . Nel tempo t t la particella percorre uno spazio x = v x (t t ) che ` incerto allora della quantit` e a x v x 1 / x . Capitolo 3 1. No, perch e non dipende dal tempo e non dipende dal tempo x = (x )x(x )dx . 2. No, perch e c` e lenergia di punto zero. ` possibile 3. Poich e x = 0 allora deve essere p 0 e perci` o non e E = 0 p = 0 perch e richiederebbe p = 0. 4. Poich e la densit` a di probabilit` a` e simmetrica rispetto al centro della bu` 0 in entrambi ca (per buca sia finita sia infinita), il valore medio di x e i casi. 5. Perch e gli autovalori En sono in numero finito dovendo essere E < V0 (e siccome la differenza tra En1 e En aumenta al crescere di n). 6. Si conclude che m j = 1/2 e che, quindi, non c` e momento angolare orbitale e = 0.
358

Quesiti di riepilogo

Capitolo 12

Capitolo 4 1. No, solo dal tipo di metallo. ` definito (ad esempio) come energia massima allo zero 2. No, perch ee assoluto.
6 3. I valori della velocit` a a di Fermi sono v F 10 m/s mentre la velocit` 5 ` pi` u grande v F . termica vale v T 3kT /m 1 10 m/s, quindi, e

` circa 10 volte pi` 4. Perch e la massa efficace m e u grande nel ferro che nel rame e 1/m . 5. No, perch e un conduttore perfetto non sarebbe un diamagnete perfetto con effetto Meissner completo. 6. Parzialmente diamagnetico perch e la magnetizzazione non riesce a bilanciare del tutto il campo esterno. Capitolo 5 1. Al posto del fosforo si pu` o usare arsenico o antimonio (anchessi pentavalenti). Al posto del boro si pu` o usare alluminio o gallio (anchessi trivalenti). ` d /dT < 0 e d /dT > 0, quindi, la con2. Per un semiconduttore e ducibilit` a aumenta perch e aumenta il numero di elettroni promossi termicamente alla banda di conduzione. 3. Ritorna a comportarsi da semiconduttore intrinseco. ` trivalente e, quindi, contribuisce con lacune che diventano 4. Il boro e portatori maggioritari. 5. Al di sotto del valore medio della banda proibita, leggermente al di sopra della banda di valenza.
359

Capitolo 12

Soluzioni

6. Il segno e la concentrazione dei portatori maggioritari e, quindi, il tipo di drogaggio. 7. La ricombinazione riduce il numero di coppie elettrone-lacuna mentre la generazione le aumenta. 8. Il fatto che d /dT < 0 anzich e d /dT > 0 come per i conduttori, e il fatto che la resistenza (definita come V / i ) dipende da V . 9. La regione si estende fino, eventualmente, a occupare tutto lo spessore della giunzione. 10. Aumenta perch e aumentano le coppie elettrone-lacuna generate termicamente. 11. In un caso aumentano gli elettroni nella banda di conduzione, nellaltro aumentano gli urti degli elettroni con gli ioni del reticolo. ` minore e quindi i gen maggiore, e mag12. Per il diodo di germanio E e ` la corrente di saturazione inversa. giore e 13. Per le tensioni vale VEB > 0, VCB < 0 (ad essere precisi VCB < Vs ), ` iE > 0, iC < 0. mentre per le correnti e Capitolo 6 1. No, perch e L = 0 e S = 0 e, quindi, non ci sono dipoli magnetici da orientare. 2. Per valori piccoli di B/T . 3. Per valori grandi di B/T . 4. No, perch e i dipoli indotti sono gi` a allineati e non c` e niente da orientare vincendo lagitazione termica. 5. No, vedi risposta precedente.
360

Quesiti di riepilogo

Capitolo 12

6. Perch e i dipoli magnetici nucleari interagiscono meno, hanno una tendenza minore allallineamento tra di loro e, quindi, si hanno campi interni minori (dovuti ai dipoli stessi) e, quindi, una temperatura minore. Capitolo 7 1. No, infatti il ciclo di isteresi ha 2 valori di B per ciascun valore di H . 2. Per magneti permanenti si preferiscono ferromagneti duri avente grande campo coercitivo H c e, quindi, grande magnetizzazione residua Mr . Per i trasformatori si preferiscono ferromagneti soffici aventi ciclo di isteresi molto stretto per ridurre lenergia dissipata. 3. Cristalli piccoli e imperfetti per i magneti permanenti perch e hanno e grandi valori di Mr ; cristalli grandi e puri per i trasformatori perch hanno bassi valori di H c e un ciclo di isteresi molto stretto. 4. Il campo magnetizzante H si misura in A/m, quello magnetico B in T ` N/m2 = N m/m3 = J/m3 cio` e N/(A m), quindi, lunit` a di misura di HB e cio` e lunit` a di misura per una densit` a volumica di energia. 5. La dimensione dei domini dipende dalla minimizzazione dellenergia magnetostatica, compatibilmente con leffetto contrastante dovuto allinterazione di scambio e alla minimizzazione del numero di bordi tra domini. 6. In entrambi i casi il momento di dipolo magnetico dei singoli atomi assume valori simili. Nel caso dei ferromagneti la saturazione viene raggiunta, al di sotto della temperatura di Curie, per valori non troppo elevati del campo magnetizzante. Per i paramagneti, invece, la saturazione a temperatura ambiente richiederebbe campi magnetizzanti estremamente intensi ( 108 A/m), come si ricava dalla figura 6.2.

361

Capitolo 12

Soluzioni

Capitolo 8 ` dominata dal contributo 1. Nella regione del visibile la polarizzabilit` ae elettronico e e lo stesso vale per lindice di rifrazione n. 2. Nel primo caso deve essere = 0 e 0 . Nel secondo caso deve essere molto grande e 0 . 3. Nel caso del ghiaccio le molecole sono vincolate al reticolo cristallino e, quindi, meno libere di ruotare in risposta al campo elettrico oscillante. 4. Siccome n = c /v diminuisce allaumentare di allora la velocit` av cresce allaumentare di . 5. Siccome 1 < nR < nV allora (legge di Snell) i > R > V vuol dire che ` pi` il raggio rosso e u vicino alla direzione incidente i e quello violetto ` pi` e u deviato. Capitolo 9 1. La riflettivit` a R 0 per > p = 2.4 1016 rad/s cio` e nellultravioletto. 2. Di nuovo, il coefficiente di assorbimento 0 e R 0, quindi, la e nellultravioletto. trasmissivit` a T 1 per > p = 2.4 1016 rad/s cio` 3. Siamo nel regime a basse frequenze e la lunghezza di assorbimento o R 1 109 1 ass 6 102 / 24 m. Allo stesso tempo per` `, e (1 R )2 0. La risposta e e, quindi, T = (1 R )2 e d / ass 0 perch quindi, no. 4. Descrivono entrambi lo spessore d tale da attenuare di un fattore 1/ e rispettivamente lintensit` a o il campo elettrico: I /I0 = e d / ass e E /E0 = e I E 2 allora = 2 ass , come si pu` o verificare anche e d / . Poich guardando alle (9.12) e (9.22). 5. La profondit` a di pelle vale = c 20 /, quindi, = 20 c 2 / 2 = 7 1012 rad/s, se si usa = .
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Quesiti di riepilogo

Capitolo 12

6. Per il rame la riflettivit` a diminuisce fortemente per 630 nm, cio` e passando dal rosso al violetto, In riflessione prevale, quindi, la parte rossa della luce bianca incidente. Nel caso dellargento la risonanza di Lorentz avviene nellultravioletto ( 300 nm), quindi, non influenza pesantemente la riflettivit` a della luce visibile e il metallo non appare colorato. Capitolo 10 1. Dalla (10.11) ricaviamo per T = TE che CV = 3R 12 e 1 /(e 1 1)2 = 3R 0.92 = 22.9 J/molK. 2. Il carbonio perch e la capacit` a termica raggiunge il valore limite a temperature pi` u elevate. 3. Quelli amorfi perch e hanno conducibilit` a minore, in quanto il traspor` ostacolato maggiormente. to dei fononi e 4. Il metallo puro perch e essendoci meno impurit` a la migrazione elettronica viene ostacolata meno. ` riempito di aria che 5. No, nel materiale poroso gran parte del volume e ` estremamente isolante. e ` no in entrambi i casi perch 6. La risposta e e la dilatazione dipende dalle forze interatomiche. Capitolo 11 1. La fase di cristallo liquido dipende dalla presenza di un certo ordinamento che viene modificato sostanzialmente da forti variazioni di temperatura. A basse temperature il cristallo liquido passa a una fase cristallina convenzionale, mentre ad alte temperature passa a una fase propriamente liquida.
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Capitolo 12

Soluzioni

2. Anche per le sostanze paramagnetiche il contributo alla densit` a di enerpara 2 ` del tipo (1/2) 0 m (H n) e si somma allanalogo congia libera e tributo dal diamagnetismo sempre presente, che assume per` o intensit` a para dia minore (perch e m > m ). In ogni caso essendo m > 0 la minimizzazione avviene allineando n parallelamente a H. 3. In questo caso la propagazione dellonda avviene parallelamente allasse ottico e, quindi, londa vede un mezzo isotropo, senza birifrangenza, dicroismo o attivit` a ottica. 4. Poich e d p/dT < 0, il passo p diminuisce e conseguentemente diminuisce = np. Il colore si sposta allora verso il blu.

12.2 Esercizi
Capitolo 1 1. Da T = 2898/0.85 = 3400 K ricaviamo I = T 4 = 7.6 106 W/m2 e P = I 4r 2 = 1.5 1031 W. Quindi, L/L = P /P 4 104 . 2. Lintensit` a vale I = T 4 , quindi, I Fe = 6.5 104 W/m2 , I Ag = 8 103 W/m2 e I W = 2.2 104 W/m2 ; lintensit` a maggiore si ha per il ferro. La Ag lunghezza donda vale max = 2898/T quindi Fe max = 2.7 m, max = onda maggiore si ha per il ferro. 2.0 m e W max = 2.3 m; la lunghezza d Si ricordi di usare le temperature assolute. 3. Lenergia del fotone vale E = h = 4.6 eV e deve essere E > W0 , quindi, si ha la fotoemissione per tutti i metalli della tabella con lesclusione di Co, Cu, Au, Ag e Be. ` proprio h , quindi, h = y/ x = (3.5 1.6 4. La pendenza della retta e 19 14 10 )/(13 4.4) 10 = 6.51 J s, vicino al valore misurato da Millikan.

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Esercizi

Capitolo 12

5. Dalla legge di Bragg 2d sin = m ricaviamo d = /2 sin = 0.09 nm dove langolo di diffrazione vale = (180 )/2 = 48 , essendo = 84 . 6. Lo spostamento di Compton vale = h (1 cos )/mc = 2.43 1012 m; lenergia cinetica dellelettrone vale K e = hc /[ ( + )] = 5.9 1014 J = 369 keV; lenergia del fotone prima della diffusione vale E = e il 56%. hc / = 654 keV e E = K e , quindi, E /E = 0.56 cio` Capitolo 2 1. Usiamo = h / p oppure = h / 2mK , quindi, a = 4.4 1034 m, b = 3.3 1035 m, c = 1.2 1010 m e d = 9 1011 m. 2. Lincertezza sulla quantit` a di moto vale p = h / a = 6.631030 kg m/s, quindi, v = p/m = 7.3 m/s e v /v = 7.3 106 . 3. Le quantit` a di moto valgono p = p e = h / = 6.63 1023 kg m/s. Lenergia del fotone vale E = hc / = 2 1014 J = 124 keV, ed essendo ` K = E . Lenergia dellelettrone vale Ee = c m2 c 2 + p2 = m = 0 e 8.44 1014 J = 527 keV, mentre la sua energia cinetica vale K e = Ee mc 2 = 2.5 1015 J = 15.6 keV. 4. Le lunghezze donda nei due casi valgono = hc /E = 6.2 1011 m e e = h / 2mK e = 8.7 1012 m. Dalla legge di Bragg 2d sin = m ricaviamo che (sin ) / e = / e = 7.1. Non importa allora conoscere la distanza interplanare d . 5. La legge di Bragg prescrive che sia 2d sin = m, dove = h / 2mK = 1.66 1010 m e = (180 )/2 = 49 . Si ricava allora d min = /(2 sin ) = 1.1 1010 m.
21 6. Lenergia cinetica del neutrone vale K = (3/2)kT = 6.2 10 J = 39 meV, quindi, = h / 2mK = 1.46 1010 m.

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Capitolo 12

Soluzioni

Capitolo 3 1. Partiamo da una soluzione del tipo C cos kx . Il valore di aspettazione ` vale x = xdx = C C x cos2 kxdx = 0 perch e lintegrando e una funzione dispari e gli estremi di integrazione sono simmetrici rispetto allorigine. Stesso risultato si ottiene partendo da una soluzione del tipo C sin kx . 2. Partiamo da una soluzione del tipo C cos kx . Il valore di aspettazione vale p = ( id /dx )dx = C cos kx ( i)(Ck ) sin kxdx = ` una funzione dispari e gli D sin 2kxdx = 0 perch e lintegrando e estremi di integrazione sono simmetrici rispetto allorigine. Stesso risultato si ottiene partendo da una soluzione del tipo C sin kx . 3. Basta sostituire la soluzione generale nellequazione di Schr odinger sta` soddisfatta per qualsiasi valore di AI o B III zionaria (3.10) e vedere che e se k = 2m(U0 E)/. 4. Basta sostituire la soluzione generale nellequazione di Schr odinger sta` zionaria (3.10) e vedere che e soddisfatta per qualsiasi valore di CII se k = 2mE / . 5. Il primo autovalore dellenergia vale E1 = 2 2 /2m2 = 1.5 1018 J = 9.4 eV. ` parallelo lenergia di interazione vale U = B B, 6. Quando il dipolo e ` antiparallelo vale U = B B, quindi, ci vuole unenergia U = quando e 2 B B = 9.3 1024 J = 6 105 eV. Capitolo 4 1. La densit` a atomica vale n A = N A / M = 8.5 1022 cm3 = 8.5 1028 m3 . 2. Secondo la (4.14) la densit` a di elettroni liberi vale n = (4.53 1027 ) 3 EF2 = 16.81028 m3 . Si hanno, quindi, circa due elettroni di conduzione per atomo.
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Esercizi

Capitolo 12

3. La resistenza alla temperatura T vale R = R / = 2.5 k , dove = [1 + (T 20)] = 2.5. 4. Secondo la (4.4) il tempo medio tra gli urti vale = m/ne 2 = 2.2 1015 s. 5. Dallesempio 4 si ricava E = (3/5)EF = 6.7 eV. 6. Prima si ricavi la densit` a atomica n A = N A / M = 5.9 1022 cm3 = 5.9 1028 m3 , da cui si ottiene, usando la formula (4.15), EF = 8.9 1019 J = 5.5 eV, in accordo con la tabella 4.2. Capitolo 5 1. La densit` a atomica vale n A = N A / M = 4.4 1022 cm3 come in tabella 5.1. 2. La conducibilit` a vale = (n n + p p )e = n i ( n + p )e = 0.022 1 a vale = 1/ = 44.6 cm come in tabella ( cm) . La resistivit` 5.1. 3. La concentrazione di lacune vale p N a = 106 n A = 4.4 1016 cm3 , quindi, p p e = 12.7 ( cm)1 e = 7.9 102 cm. 4. Rispettivamente n, p, p e n. 5. Per il germanio a temperatura ambiente le concentrazioni valgono n = a valgono invece n = 0.38 m2 /Vs e p = n i = 2.5 1019 m3 . Le mobilit` p = 0.18 m2 /Vs. Il coefficiente di Hall vale allora: RH = 2.5 1019 (0.182 0.382 ) = 0.089 m3 /A s 19 19 2 2 1.6 10 (2.5 10 ) (0.18 + 0.38)

` acceso e D1 spento, allora dalla legge delle ma6. Per V Vin > 0 D2 e glie V R2 i Rd i Ri = 0 si ricava i = V /(R2 + Rd + R ) e Vout = e Vout = 4.8 sin t (se sin t > 0). InRV0 sin t /(R2 + Rd + R ), cio` ` acceso e D2 spento, e si ricava Vout = 6.3 sin t vece, se V < 0 D1 e
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Capitolo 12

Soluzioni

(se sin t < 0). Si ottiene in uscita ancora una tensione oscillante, ma con ampiezza massima diversa per quanto riguarda la parte positiva e quella negativa. 7. La giunzione EB deve essere polarizzata direttamente, quindi, VBE < 0 e VB < 0 ; la giunzione CB deve essere polarizzata inversamente, quindi, VCB < 0 e VC < 0. La legge delle maglie per il circuito di base e iB = (VBE VB )/R B = 0.022 prevede che VB R B iB +VBE = 0 cio` mA, quindi, uscente dalla base. La corrente al collettore vale iC iB = e 1.08 mA ancora uscente. Al collettore vale VC RC iC + VCE = 0, cio` VCE = 5.7 V e VCB = VCE VBE = 5 V. Capitolo 6 ` diamagnetico, quindi, m = 0 nZe 2 r 2 /6m (vedi (6.10)) 1. Il rame e 2 = 2.8 1021 m2 , per dove n = N A / M = 8.2 1028 m3 , r 2 rBohr ottenere m 3.9 105 dellordine del valore di tabella 6.1 (1.0 105 ). 2. Il momento magnetico per ione = M / N viene a essere uguale a (n 2 B B B /3 kT ) B , come ottenuto combinando la (6.28) con la (6.6). Sostituendo i valori dei parametri si ottiene = 1.6 B in accordo con la misura. 3. In corrispondenza di B/T = 4 T/K abbiamo B B/ kT = 2.7, quindi, non vale lapprossimazione usata per x 1, anzi in questo caso tanh(x ) e s = 7/2. 1 e = M /n = gs B (vedi la (6.12)). Quindi, gs = 7 cio` 4. Il rapporto tra le popolazioni vale n /n = e E /kT / e E /kT = e (E E )/kT che, per E E = 0.6 103 eV diventa circa 0.98. 5. Se c` e momento angolare orbitale n B = g j( j + 1), mentre nel caso di e vale (vedi solo spin nB = g s (s + 1). Nel primo caso il fattore di Land` la (6.13)) g = 1 +[ j( j + 1)+ s (s + 1) ( + 1)]/[2 j( j + 1)] = 1.2, mentre nel
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Esercizi

Capitolo 12

secondo caso g = 2. Quindi, nel primo caso n B = 3.55 e nel secondo n B = 1.73, vicino alla misura sperimentale. Capitolo 7 1. La magnetizzazione di saturazione vale Ms = n = nn B B = 1.74 106 A/m dove n B = 2.2 e n = 8.5 1028 m3 (vedi esercizio 4.1). Il valore torna con quanto riportato in tabella 7.1. 2. Da Ms = nn B B ricaviamo n B = Ms /n B = 0.59, dove n = N A / M = 9.1 1028 m3. 3. Per il ferro TC = 1043 K, n B = 2.2 e n = N A / M = 8.51028 m3 . Si ottie2 ne allora (vedi la (7.8)) = 3kTC / 0 nn2 B B = 970. La magnetizzazione vale M = i /V = nnB B = 1.74106 A/m. Allora H M = M = 1.7109 A/m. 4. Il campo nellinterferro vale B i = 0 Ni /(x + / m ) = 0.19 T dove ef f abbiamo usato m = 2 104 . ` pari a ` un rettangolo avente lati 2Bs e 2H c , quindi, larea e 5. Il ciclo e 2 4H c Bs = 800 N/m , che moltiplicato per il volume diventa U = 1.6 104 J. Capitolo 8 1. La lunghezza si assorbimento vale ass = /4nI = 6.5 107 m. La riflettivit` a vale (vedi la (8.77)) R = 0.77. 2. Dalle formule (8.66) e (8.67) si ricava n R = 8.82 e n i = 0.43. 3. La lunghezza si assorbimento vale ass = c /4nI = 0.05 cm, mentre per 2 GHz (e i valori di nR e nI dallesercizio precedente) si ricava ass = 2.8 cm. Il vantaggio di usare la frequenza di 2 GHz nei for` che il calore (e la cottura) penetra maggiormente in ni a microonde e profondit` a.
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ef f

Capitolo 12

Soluzioni

4. La lunghezza si assorbimento vale ass = c /4nI = 0.67 m, mentre R = 0.40 (vedi la (8.77)). Allora T = (1 R )2 e d / ass = 0.62 0.22 = 0.08 cio` e l8%. 5. Il punto di uscita di uno dei due raggi dista dalla normale h = D tan , dove si ricava dalla legge di Snell e vale = arcsin(sin 45 /n). Dallequazione (8.52) si ricava nR = 1.453 e nV = 1.468, quindi, R = 29.1 e V = 28.8 . La distanza vale d = h R hV = 0.7 mm. 6. La frazione di intensit` a non riflessa che attraversa la lastrina vale f = d / e ass (vedi (8.80)) e cio` e ln f = d / ass e ass = d / ln f = 35 mm. Se lo spessore diventa d allora la frazione trasmessa diventa f = e d / ass = 0.57 cio` e il 57%. Capitolo 9 1. La frequenza angolare vale = 2c / = 1.9 1016 rad/s, mentre per i metalli 1014 s, quindi, 1. Siccome < p usiamo lapprossimazione per alte frequenze nella regione di rilassamento, per la quale vale ass = c /2 p = 6.3 nm. 2. La lamina diventa trasparente se > p = 1.1 1016 rad/s. Quindi, > p /2 = 1.7 1015 Hz. 3. La frequenza angolare vale = 2 = 6.3 104 rad/s e in questo caso 1. Usiamo lapprossimazione per basse frequenze per la quale si ricava n R = n I (vedi la (9.10)). Inoltre n R = /20 1, quindi, ` pari al 100%. R 1, e la frazione di intensit` a riflessa e 4. La frequenza angolare vale = 3.1 1016 > p perci` o si pu` o applicare lapprossimazione delle alte frequenze, con > p . In questo caso n I = 0 e = 0. Dalla 9.17 si ricava n R 0.63 e, quindi, R = (n R 1)2 /(n R + 1)2 = 0.05. Allora T = (1 R )2 = 0.9.

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Esercizi

Capitolo 12

5. Dalla (8.77) si ricava, per le due lunghezze donda, R480 = 0.33 e R700 = 0.98. Quindi, la parte giallo-rossa dello spettro viene riflessa quasi tutta, contrariamente alla parte verde-blu. 6. Sostituendo la frequenza angolare = 2 = 1.3 1010 rad/s nella (9.23) si ricava 1.8 m, quindi, 5 9 m per assorbire il 99.3%. Qualche ` pi` decina di m e u che sufficiente. Capitolo 10 1. Poich e T TD possiamo usare lapprossimazione (10.16), quindi, CV = 4 (12 /5)R (T /TD )3 = 6.2 J/moleK. 2. La capacit` a termica si ottiene moltiplicando il calore specifico per la massa molare (63.5 103 kg/mole) ottenendo CV = 11.4 J/moleK. Sfruttando poi la (10.16) otteniamo TD = (12 4 R /5CV )1/3 T = 333 K. ` generalmente considerato a pressione costante, (Il calore specifico e ` leggermente sovrastimato.) quindi, il valore di CV e 3. A basse temperature, uguagliando lespressione (10.21) alla (10.16) si ot 3 2 tiene T = 5TD /24 TF = 3.2 K, dove abbiamo usato TF = 8.2 104 K (vedi tabella 4.2). 4. In condizioni stazionarie e per una sbarra uniforme vale dT /dx = T /x , quindi, j q = T / x = 8 104 W/m2 . Il calore che attraversa ` q = j q A t = 12 kJ. la sezione A nel tempo t e 5. Lallungamento vale = T = 24 mm. Capitolo 11 1. Usando lespressione (11.2), e assumendo che lasse z sia parallelo al direttore n, si ricava M = H x ux + H y u y + Hz uz . Aggiungendo e sottraendo il termine Hz uz si ottiene M = H x ux + H y u y + e M = H + (H n)n. Quindi, M H = Hz uz + ( )Hz uz cio` 2 2 H + m (n H) , da cui si ottiene la (11.4).
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Capitolo 12

Soluzioni

2. Similmente a quanto visto nellesercizio precedente, vale D = 0 [ E + (E nn)]. Quindi, D E = 0 [ E 2 + (n E)2 ], da cui si ottiene la (11.8). 3. La variazione di temperatura pu` o essere scritta come T = (1/0.09) p/ p. Dalla condizione di Bragg per la riflessione = n2 p deriviamo = n2 p e / = p/ p. Quindi, T = (1/0.09) / = (1/0.09)300/700 = 4.8 C. 4. Siamo in condizione p n e, quindi, il potere rotatore vale = ( n)2 p/(2 2 ) = 4.5 m1 . Il piano viene allora rotato di un angolo = d = 90 .

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Capitolo 13 Bibliografia
Per approfondire i temi sviluppati in questo testo si consigliano i libri seguenti1 , divisi per argomento. Fisica quantistica: Gasiorowicz, S. Quantum Physics, USA, John Wiley & Sons, 2003. Landshoff, P.; Metherell, A.; Rees, G. Essential quantum physics, Cambridge, UK, Cambridge University Press, 1997. Slater, J.C. Teoria quantistica della materia, Bologna, Zanichelli, 1980. Propriet` a fisiche della materia solida: Duan, F.; Guojun, J. Introduction to Condensed Matter Physics - vol. 1, USA, World Scientific, 2005. Marder, M.P. Condensed Matter Physics, USA, John Wiley & Sons, 2000. Myers, H.P. Introductory Solid State Physics, USA, CRC/Taylor & Francis, 1997. Propriet` a elettriche: Cottrell, A.H. Introduction to the modern Theory of Metals, London, The Institute of Metals, 1988.
Questi libri sono presenti, al momento della stampa di questo libro, nel sistema bibliotecario dellAteneo di Bologna.
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Capitolo 13

Bibliografia

Schroder, D.K. Semiconductor material and device characterization, USA, John Wiley & Sons, 1998. Propriet` a magnetiche: Jiles, D. Introduction to Magnetism and Magnetic Materials, USA, CRC/Taylor & Francis, 1998. OHandley, R.C. Modern Magnetic Materials, USA, John Wiley & Sons, 2000. Propriet` a ottiche: Abeles, F. Optical properties of solids, Amsterdam, North-Holland Publishing, 1972. Propriet` a termiche: Berman, R. Thermal conduction in solids, UK, Clarendon Press, 1979. Blundell, S.J.; Blundell, K.M. Concepts in Thermal Physics, UK, Oxford University Press, 2006. Cristalli liquidi: Chandrasekhar, S. Liquid Crystals, Cambridge, USA, Cambridge University Press, 1992. de Gennes, P.G. The Physics of Liquid Crystals, UK, Clarendon Press, 1974. de Gennes, P.G.; Prost, J. The Physics of Liquid Crystals, Cambridge, UK, Cambridge University Press, 1995.
Trova i libri in bibliografia su www.libreriauniversitaria.it

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Indice analitico
acciai elettrici, 247 Alpher, Ralph A., 40 approssimazione di campo medio, 238 argentatura, 306 asse ottico, 346 attinidi, 221 attivit` a ottica, 348 autofunzioni, 84, 91 autovalori, 84, 91 bande di conduzione, 133, 136, 145, 161 di energia, 131 di valenza, 133, 136, 145, 161 isolate, 133 permesse, 132 teoria delle, 131 vietate, 132 Bardeen, John, 151, 188 barioni, 40 barriera di potenziale, 84 base comune, 193 Beer equazione di, 275 Bethe, Hans A., 240 Bethe-Slater curva di, 240 Big Bang, 39 birifrangenza, 347 Bloch funzione di, 140 pareti di, 244 Bohr, Niels H.D., 68 Boltzmann costante di, 12 Boltzmann, Ludwig, 7 Born ipotesi di, 79 Born, Max, 79 Bose, Satyendra N., 316 bosoni, 126 Bragg legge di, 29, 52, 351 riflessione di, 29, 139 Bragg, William L., 28 Brattain, Walter, 188 Brillouin zone di, 141 buca di potenziale, 84 buca di potenziale infinita, 91 calore specifico, 311 cammino libero medio, 116 campo coercitivo, 246 di Weiss, 238 magnetizzante, 216

INDICE ANALITICO

molecolare, 238 capacit` a termica, 311, 312 molare, 312 cariche spaziali, 179 catastrofe ultravioletta, 11 Cauchy formula di, 279 CCD, 71 cella fotovoltaica, 204 unitaria, 131 celle nematiche ritorte, 350 ciclo di isteresi, 246 classificazione solidi, 112 Clausius-Mossotti equazione di, 266, 273 coefficiente di assorbimento, 274, 296 di espansione lineare, 329 di espansione volumica, 329 di Fresnel, 284 di Hall, 176 di Seebeck, 155 di temperatura, 118 complementariet` a principio di, 68 Compton diffusione di, 31, 66 lunghezza donda di, 34 spostamento di, 31, 34, 36 Compton, Arthur H., 31 concentrazione intrinseca, 163

condizione di Bragg, 140 conducibilit` a elettrica, 111, 118 intrinseca, 162 termica, 311, 322 conduttori, 111 conduzione elettrica, 111, 134 conduzione termica, 322 contatti ohmici, 183 Cooper coppie di, 151 Cooper, Leon N., 151 Copenhagen interpretazione di, 80 coppie di Cooper, 151 corpo nero, 6 corrente di saturazione inversa, 181 di deriva, 179 di diffusione, 181 di generazione, 179 di magnetizzazione, 216 di ricombinazione, 181 termica, 179 costante di Boltzmann, 12 di Curie, 225 di Planck, 12, 15, 25, 35 dielettrica relativa, 266 cristalli uniassici, 346

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INDICE ANALITICO

cristalli liquidi, 339 colesterici, 340 liotropici, 339 nematici, 340 smectici, 340 termotropici, 339 criterio di Rayleigh, 69 Curie costante di, 225, 238 legge di, 225 temperatura di, 237, 242 Curie, Pierre, 225 Curie-Weiss legge di, 237 curva caratteristica, 185 di Bethe-Slater, 240 di dispersione, 276 Davisson, Clinton, 52 Davisson-Germer esperimento di, 51 De Broglie lunghezza donda di, 50, 79, 139 De Broglie, Louis, 50 De Gennes, Pierre G., 339 Debye formula di, 269 frequenza di, 318 modello di, 317 temperatura di, 313, 318 Debye, Peter J.W., 30, 228 Debye-Scherrer
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esperimento di, 30, 52 densit` a di modi vibrazionali, 315 di stati, 120 di stati occupati, 122 diagnostica medica, 38 diamagnete perfetto, 148 diamagnetismo, 218 dicroismo, 347 diffrazione neutroni, 69, 72 diffusione di Compton, 31 di Thomson, 35 diodo approssimazione lineare, 187 laser, 202 raddrizzatore, 185 Schottky, 185 Zener, 208 Dirac, Paul A., 98, 126 direttore, 340 dischi magneto-ottici, 257 disintegrazione nucleare, 74 dispersione, 277 anomala, 277, 280 curva di, 276 normale, 277, 280 relazioni di, 274, 275, 283 dissipatori di calore, 335 distribuzione di Boltzmann, 223 di Bose, 316

INDICE ANALITICO

di Fermi-Dirac, 126, 162, 227 domini di chiusura, 244 di Weiss, 244 donatori, 168 drogaggio, 167 Drude modello di, 300 Drude, Paul, 115 dualismo onda-particella, 57 Earnshaw teorema di, 234 effetto fotoelettrico, 19 fotovoltaico, 204 Hall, 144, 174 Josephson, 157 Kerr, 257 magneto-calorico, 228 Meissner, 148 pelle, 303 pelle anomalo, 305 Peltier, 155 Seebeck, 153 termoelettrico, 153 tunnel, 88, 157 Zeeman, 115 efficacia luminosa, 202 Einstein modello di, 315 principo di relativit` a di, 280 temperatura di, 317
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Einstein, Albert, 23 elettromagnete, 254 emettitore comune, 192 emissione spontanea, 203 stimolata, 203 emissivit` a, 8 encefalografia magnetica, 158 energia di gap, 136 di punto zero, 92 libera, 343 magnetostatica, 244 entropia, 229 equazione di Beer, 275 di Clausius-Mossotti, 266, 273 di de Vries, 349 di Hagen-Rubens, 297 di Land e, 222 equazioni di Maxwell, 270 espansione termica, 329 esperimento di Compton, 31 di Davisson-Germer, 51 di Phipps-Taylor, 97 di Stern-Gerlach, 96 di Thomson, 52 di Young, 47 Faraday, Michael, 258 fattore g di Land e, 101

INDICE ANALITICO

g di spin, 99 Fermi energia di, 122 velocit` a di, 134 Fermi, Enrico, 122 Fermi-Dirac distribuzione di, 126, 227 fermioni, 126 ferrimagnetismo, 250 ferriti, 251 ferromagnetismo, 237 Fert, Albert, 253 flusso di calore, 322 fononi, 151, 173, 315, 323 formula paramagnetica di Langevin, 224 di Cauchy, 279 di Debye, 269 di Langevin, 220 di Langevin-Debye, 270 di Maxwell, 11 di propagazione degli errori, 63 di Rayleigh-Jeans, 11 di Wien, 11 forza di van der Waals, 114 fotoconduttivit` a, 163 fotoelettroni, 19 fotoni, 23 fotovoltaggio, 204 Fourier legge di, 322

sviluppo di, 57 frequenza di Debye, 318 di Larmor, 96, 218 di plasma, 297 di soglia, 21 propria, 264 Fresnel coefficienti di, 284 funzione donda, 79, 81, 119 di Bloch, 140 di distribuzione, 8 di probabilit` a, 122 Gamow, George, 40 Gerlach, Walther, 96 Germer, Lester H., 52 giunzione bipolare, 188 p-n, 178 Goudsmith, Samuel A., 98 Gr unberg, Peter A., 253 grasso termico, 336 Hall coefficiente di, 176 effetto, 144, 174 tensione di, 175 Heisemberg indeterminazione di, 59 meccanica matriciale di, 81 principio di, 79

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INDICE ANALITICO

principio di indeterminazione di, 81, 83 relazioni di indeterminazione di, 60 Heisemberg, Werner, 60 Herman, Robert, 40 Hertz, Heinrich R., 19 indeterminazione di Heisemberg, 59 indice di rifrazione ordinario, 346 straordinario, 346 induzione dielettrica, 344 integrale di scambio, 240, 253 intensit` a di irraggiamento, 7 di unonda, 274 interazione di scambio, 238 spin-orbita, 100 interferro, 254 interpretazione di Copenhagen, 80 intervallo energetico proibito, 136 intervallo proibito diretto, 173 indiretto, 173 inversione di popolazione, 202 ionosfera, 308 ipotesi di Born, 79 irraggiamento, 5, 11
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isolanti, 111 isteresi ciclo di, 246 Jeans, James H., 11 Josephson effetto, 157 giunzione, 157 Josephson, Brian D., 157 Kerr effetto, 258 Kerr, John, 258 Knoll, Max, 70 Kronig, Ralph de L., 139 Kronig-Penney modello di, 139 lacune, 144, 169 Land e equazione di, 222 Langevin formula di, 220 formula paramagnetica di, 224 Langevin-Debye formula di, 270 Larmor frequenza di, 96 precessione di, 96 Laue macchie di, 28, 29, 51, 54 Laue, Max von, 28 Lautebur, Paul C., 104 lavoro di estrazione, 22

INDICE ANALITICO

LCD, 355 LED, 201 legami covalenti, 114 legge dellazione di massa, 171 di Bragg, 29, 52, 351 di Curie, 225 di Curie-Weiss, 237 di equipartizione dellenergia, 15 di Fourier, 322 di Lenz, 218 di Ohm, 112, 115 di Snell, 288 di Stefan-Boltzmann, 7, 15 di Wiedemann-Franz, 327 di Wien, 9, 15 Lenz legge di, 218 leptoni, 73 levitazione diamagnetica, 234 limite di Mauguin, 349 livelli di accettazione, 170 di donazione, 168 energetici, 131 Lorentz modello di, 300 Lorentz, Hendrik A., 115 Lorenz numero di, 327 Lorenz, Ludvig V., 327

lunghezza donda di Compton, 34 di De Broglie, 50 lunghezza di assorbimento, 274, 296 macchie di Laue, 54 magneti permanenti, 256 superconduttori, 156 magnetite, 250 magnetizzazione, 215, 216 di saturazione, 226, 241 di spin di Pauli, 228 magneto-resistenza gigante, 253 magnetometro, 157 magnetone di Bohr, 95 nucleare, 101 magnetoni di Bohr numero effettivo di, 225 Mansfield, Peter, 104 massa efficace, 141 materiali antiferromagnetici, 237, 252 ceramici, 331 diamagnetici, 217 ferrimagnetici, 237, 251 ferromagnetici, 217, 237 paramagnetici, 217, 220 Matthiesen regola di, 118 Maxwell formula di, 11
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INDICE ANALITICO

meccanica matriciale, 81 ondulatoria, 81 quantistica, 112 meccanismo a valanga, 208 Zener, 209 memorie magnetiche, 257 mesofasi, 339 metereologia, 39 mezzo dispersivo, 277 microscopia elettronica, 69 microscopio a scansione, 72 a trasmissione, 70 elettronico, 69 Millikan, Robert A., 21 mobilit` a, 119 modello a gas di elettroni, 119 di Debye, 317 di Drude, 300 di Drude-Lorentz, 115 di Eistein, 315 di Kronig-Penney, 139 di Lorentz, 300 molecole polari, 269 momenti magnetici nucleari, 101 momento angolare azimuthale, 94 intrinseco, 98 orbitale, 94

totale, 100 MOSFET, 195 mumetal, 248 N eel temperatura di, 252 neutroni diffrazione di, 54 freddi, 74 termici, 74 numero di Lorenz, 327 numero quantico, 13 di spin, 99 magnetico, 95 orbitale, 95 oceanografia, 39 Ohm legge di, 112, 115 onde radio AM, 309 radio, 308 radio FM, 309 Onnes, Heike K., 146 operatore laplaciano, 82 pacchetto donda, 57 paramagnetismo, 220 pareti di Bloch, 244 Pauli magnetizzazione di spin, 228 principio di esclusione, 120 Pauli, Wolfgang, 120, 228
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INDICE ANALITICO

Peltier effetto, 155 Peltier, Jean Charles A., 155 pendolo semplice, 18 penetrazione della barriera, 88 Penney, William G., 139 Penzias, Arno, 39 permalloy, 247 permeabilit` a magnetica relativa, 217 Phipps-Taylor esperimento di, 97, 98 pixel, 355 Planck costante di, 12, 15, 25, 35 postulato di, 13, 15 Planck, Max, 12 plasma, 40 polarizzabilit` a, 266 elettronica, 269 ionica, 269 per orientamento, 269 polarizzazione, 263 dielettrico, 265 diretta, 182 inversa, 181 per orientamento, 269 polimeri, 331 pompaggio laser, 202 portatori maggioritari, 169 minoritari, 169 postulato

di Planck, 13, 15 potenza termoelettrica, 155 potenziale chimico, 126 darresto, 21 di contatto, 183 potere rotatore, 349 principio di complementariet` a, 68 di corrispondenza, 14 di equipartizione dellenergia, 11, 314 di esclusione, 120 di indeterminazione, 60, 81 profondit` a di pelle, 304 quantizzazione energia, 13 quark, 73, 102 quench, 156 radianza spettrale, 8 radiazione cosmica di fondo, 39 termica, 3, 38 raffreddamento adiabatico, 233 raggi X, 28, 31, 36 raggio ordinario, 346 straordinario, 346 Rayleigh criterio di, 69 Rayleigh, Lord, 11 Rayleigh-Jeans

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INDICE ANALITICO

formula di, 11 reattori nucleari, 74 regime risposta lineare, 293 regione di rilassamento, 298 regola di Matthiesen, 118 regolatore di tensione, 208 regole di Hund, 221, 240 relazioni di dispersione, 274, 275, 283 di indeterminazione, 60 di Kramers-Kronig, 275 resistenza diretta, 186 inversa, 186 resistivit` a, 111 reticolo cristallino, 113 ricombinazione, 162, 179 riflessione di Bragg, 29, 139 riflettivit` a, 284, 286 ripristino dellequilibrio, 138 risoluzione, 69 risonanza magnetica nucleare, 103 tecnica di, 103 rivelatori a microstrisce, 206 Roentgen, Wilhelm C., 28 Ruska, Ernst, 70 schermo a cristalli liquidi, 355 schermo magnetico, 259 Scherrer, Paul, 30 Schr odinger
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equazione degli stati stazionari di, 83 equazione di, 82, 120, 140 Schr odinger, Erwin, 81 Schrieffer, J. Robert, 151 Seebeck coefficiente di, 155 effetto, 153 Seebeck, Thomas J., 153 semi-metalli, 111 semiconduttori, 111, 119, 134, 137, 161 drogati, 167 estrinsechi, 167 intrinsechi, 162 Shockley, William, 188 Shull, Clifford, 72 Shuttle, 334 silice, 331, 334 Slater, John C., 240 smagnetizzazione adiabatica, 228 Snell legge di, 288 solidi amorfi, 113 covalenti, 114 cristallini, 113 ionici, 114 metallici, 114 molecolari, 114 sorgenti di spallazione, 74 specchi dielettrici, 306 spettro elettromagnetico, 3

INDICE ANALITICO

spin, 93, 98 spinello, 251 spostamento di Compton, 31, 34, 36 SQUID, 102, 157 stati permessi, 122 Stefan, Josef, 7 Stefan-Boltzmann legge di, 7, 15 Stern, Otto, 96 Stern-Gerlach esperimento di, 96 stress termico, 332 struttura fine, 98 supeconduttivit` a, 146 superconduttori, 146 tipo I, 149 tipo II, 149 suscettibilit` a elettrica, 265 magnetica, 216 sviluppo di Fourier, 57 TAC, 103 temperatura critica, 146 di Curie, 237, 242 di Debye, 313, 318 di Einstein, 317 di N eel, 252 tempo di rilassamento, 294 tensione di Hall, 175
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di soglia, 186 teorema di Earnshaw, 234 di Larmor, 218 teoria BCS, 151 delle bande, 131 termistori, 165 termocoppia, 153 termografia, 38 termogramma, 38 termopila, 155 terre rare, 221, 256 Thomson diffusione di, 35 esperimento di, 52 Thomson, George P., 52 tomografia a neutroni, 75 TPS, 334 transistor, 178, 188 base del, 188 collettore del, 188 emettitore del, 188 guadagno di corrente del, 191 regione attiva del, 191 saturazione del, 192 transizioni intrabanda, 293 trasformatori, 256 trasmissivit` a, 287 Uhlenbeck, George E., 98 van der Waals

INDICE ANALITICO

forza di, 114 velocit` a di deriva, 116, 135 di Fermi, 125 di gruppo, 62 Weiss campo di, 238 domini di, 244 Wiedemann, Gustav H., 327 Wiedemann-Franz legge di, 327 Wien formula di, 11 legge di, 9, 15 Wien, Wilhelm, 9 Wilson, Robert W., 39 Wollan, Ernest O., 72 Young esperimento di, 47 Young, Thomas, 47 Zeeman, Pieter, 115 zone di Brillouin, 141

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