Universidade Federal do ABC

Aula Prtica 2 Caracterizao de diodos e circuitos com Diodos

Disciplina: EN2701 Fundamentos de Eletrnica

Professora: Dr. Ariana Serrano Alunos:

Eduardo Amaro Campos Henrique Mariano Rodrigues Ferreira Pedro Schatz Wisnerowicz Rodrigo da Silva Ferreira

RA: 11001910 RA: 11000510 RA: 11054010 RA: 11145609

Santo Andr, 29 de maio de 2013

Sumrio
1.0 - Introduo ............................................................................................................................. 3 2.0 - Objetivos ............................................................................................................................... 6 3.0 - Materiais ............................................................................................................................... 6 4.0 - Metodologia Experimental.................................................................................................... 7 Parte 1- Determinao do ganho de corrente hfe e levantamento da curva caracterstica Ic x Vce. ............................................................................................................................................ 7 Parte 2- Polarizao por divisor de tenso ............................................................................... 8 Parte 3 Amplificadores de pequenos sinais ........................................................................... 8 Parte 4 Transistor como chave ............................................................................................... 9 5.0 - Resultados e Discusses ........................................................................................................ 9 Parte 1 ....................................................................................................................................... 9 Parte 2 ..................................................................................................................................... 13 Parte 3 ..................................................................................................................................... 15 Parte 4 ..................................................................................................................................... 17 6.0 - Concluso ............................................................................................................................ 19 7.0 - Referncias Bibliogrficas ................................................................................................... 19

1.0 - Introduo
Transistores so componentes eletrnicos utilizados principalmente como amplificadores e interruptores de sinais eltricos. [1] O primeiro tipo de transistor foi inventado nos Laboratrios da Beel Telephone em dezembro de 1947 por Bardeen e Brattain. Esse era um transistor chamado de point-contact, que acabou no se popularizando muito pelo seu elevado custo. No entanto, em 1951, a mesma empresa anunciava a criao do dispositivo conhecido como transistor de juno. [2]

O Transistor de juno consiste em uma juno de trs materiais semicondutores, sendo que o do meio (conhecido como base) ser de um tipo diferente dos das pontas, como mostra a figura 1.

Figura 1: Transistor npn. fonte: BOYLESTAD, R. L.

O transistor mostrado na figura 1 um do tipo npn, tambm havendo o tipo pnp. Quando s houver tenso nas regies do tipo P, o transistor no ir conduzir, pois a regio do meio possu portadores de carga positiva, e no negativa. [3] Por questo de conveno, a simbologia dos transistores tipo pnp e npn so demostradas na figura 2.

Figura 2: Simbologia dos transistores

Como mencionado anteriormente, o transistor pode ser utilizado como interruptor de sinal eltrico, pois quando no houver corrente na base, ele no ir conduzir entre as pontas de emissor e coletor. Para ele conduza entre o E e C (emissor e coletor), ter que ser imposta uma corrente em sua base, como mostrado na figura 3 e 4.

Figura 3: Circuito com transistor npn

Figura 4: Circuito com transistor pnp

Exatamente pelas condies caractersticas dos semi-condutores, dependendo da condio de polarizao de cada juno, so obtidos diferentes modos de operao para o transistor, como mostrado na figura 5.

Figura 5: Regies de funcionamento de um transistor

A parte inicial da curva chamada de regio de saturao. toda a curva entre a origem e o joelho. A parte praticamente plana chamada de regio ativa. Nesta regio uma variao do VCE no influencia no valor da corrente de coletor (IC). IC mantm-se constante e igual a corrente de base vezes o ganho CC do transistor (CC) IC = IB * CC. A parte final a regio de ruptura ou Breakdown e deve ser evitada. [2]

2.0 - Objetivos
Este experimento possui as metas de introduzir os conceitos bsicos sobre os transistores, obter experimentalmente as curvas caractersticas de transistores e discutir e apresentar o funcionamento bsico dos transistores como chaves.

3.0 - Materiais
1 Multmetro Porttil com adaptador jacar em ambas as pontas de prova 1 Multmetro de bancada com adaptador jacar em ambas as pontas de prova 2 Fontes de tenso contnua varivel 1 Protoboard 1 Osciloscpio com duas pontas de prova 1 Gerador de funes com cabo BNC e ponta jacar 2 Pares de cabos banana/banana 2 Pares de cabos banana/jacar 1 BC547 1 Resistor de 220k x 1/8W 1 Resistor de 12k x 1/8W 1 Potencimetro de 100 k x 1W 1 Resistor de 820 x 1/8W 2 Resistor de 2,2k x 1/8W 2 Capacitores eletrolticos de 10uF x 25V

4.0 - Metodologia Experimental

O experimento foi subdividido em 4 etapas:

Parte 1- Determinao do ganho de corrente hfe e levantamento da curva caracterstica Ic x Vce.

Figura 6: Circuito 1

A) Montar no protoboard o circuito 1. Com o multmetro de bancada medir as correntes e com o porttil, as tenses. Variar o potencimetro P1 para Vce = V1/2.

Figura 7: Circuito 2

B) Montar no protoboard o circuito 2. Com o multmetro de bancada medir as correntes Ib e Ic, e com o multmetro porttil, as tenses Vbe e Vce. Variar o potencimetro P1 para Ib=120 A e variar P2 para diferentes valores de Vce.

Parte 2- Polarizao por divisor de tenso

Figura 8: Circuito 3

A) Montar no protoboard o circuito 3. Medir as tenses e correntes quiescentes do circuito e anotar os valores.

Parte 3 Amplificadores de pequenos sinais

Figura 9: Circuito 4

A) Montar o circuito 4. Com o gerador desligado, medir as tenses e calcular as correntes quiescentes do circuito.

B) Calcular as tenses Vce, Vbe e Vcb. C) Aplicar na entrada um sinal senoidal de 1V de pico, com frequncia de 1kHz e medir com o osciloscpio as formas de onda na entrada (Vi) e na sada (Vo) e imprimir as formas de onda.

Parte 4 Transistor como chave

Figura 10: Circuito 5

A) Monte o circuito mostrado na Fig. 5. Utilize o gerador de funes para gerar o sinal quadrado na frequncia de 5 kHz com amplitude de 0 a 5 V. Salve a curva de entrada e sada do circuito.

5.0 - Resultados e Discusses

Parte 1
Do circuito montado na Parte 1 do experimento (figura 6), obtivemos os valores para Vce, Ib, Ic e hfe conforme tabela 1. O valor hfe obtido dividindo a corrente do coletor pela corrente do emissor, Ic/Ib.

Tabela 1: Dados obtidos experimentalmente

V1 (V) 10 15

Vce (V) 5,013 7,33

Ib (uA) 351 542

Ic (mA) 45,68 68,05

hfe 130,14 125,56

O valor obtido de hfe do experimento com valor de V1 = 10V para o de V1 = 15V variou cerca de 4%, uma variao aceitvel para valores experimentais. De acordo com o DataSheet do fabricante, o BC547 possu valor mnimo de ganho de 110 e mximo de 800, conforme Figura 11.

Figura 11: Datasheet BC 547 fonte: http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/fairchild/BC547.pdf

Dessa forma, possvel dizer que os valores de hfe obtidos experimentalmente so condizentes com os obtidos a partir do DataSheet. Para fins comparativos, foram feitas simulaes do circuito proposto utilizando a plataforma online Circuit Lab. Foi gerado o circuito representado pela figura 12.

10

Figura 12: circuito simulado pelo Circuit Lab

A partir dos dados obtidos do circuito exemplificado na figura 6 e da simulao (figura 12) foram montadas as seguintes tabelas:
Tabela 2: dados do experimento da figura 6, com V1 = 10V

Para V1 = 10V Vce (V) Ib (A) Ic (mA) hfe

Experimental 5,013 351 45,68 130,14

Simulao 5 352,7 44,84 127,13

Diferena (%) 0,26 0,48 1,87 2,37

Tabela 3: dados do experimento da figura 6, com V1 = 15V

Para V1 = 15V Vce (V) Ib (A) Ic (mA) hfe

Experimental 7,33 542 68,05 125,55

Simulao 7,5 558,9 67,44 120,66

Diferena (%) 2,26 3,02 0,90 4,06 11

Os

dados

da

simulao

esto

bem

prximos

aos

valores

obtidos

experimentalmente, a maior diferena percentual foi no valor de hfe, 4,06%, onde temos um ganho hfe variando de 120-130, o que corresponde ao datasheet do transistor BC547, portanto os dados obtidos so confiveis. Para o circuito 2 (figura 7) os dados obtidos foram organizados na tabela 4 e tambm no grfico da figura 13, o qual tem forma semelhante e condizente com as curvas do datasheet do componente (figura 14) .
Tabela 4: valores para o circuito 2

Vce (V) Ic (mA)

0,005 0,02

0,1 8,14

0,3 23,8

0,5 26,7

0,7 29,42

0,9 31,43

1 32,16

2,22 36,08

40 35 30 25 20 15

10
5 0 0 0,5 1 1,5 2 2,5

Figura 13: Grfico da curva Ic x Vce. Dados da tabela 4

Figura 14: Grficos de Ic x Vce do datasheet do transistor BC547. fonte: http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/fairchild/BC547.pdf

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Parte 2
A partir do circuito apresentado na figura 8 foram medidas as tenses e correntes quiescentes, vide tabela 5
Tabela 5: tenses e correntes quiescentes do circuito 3

Vrc1(V) 4.320

Vre1(V) 1.129

Vrb1(V) 10.274

Vrb2(V) 1.797

Vce(V) 6.594

Ic(mA) 5.26

Ie(mA) 5.22

Ib(mA) 0.016

Irb1(mA) Irb2(mA) 0.852 0.857

Destes valores possvel calcular a potncia dissipada em cada componente. Estes valores so apresentados na tabela a seguir:

Tabela 6: clculo e valores da potncia dissipada nos componentes do circuito 3.

Tenso Vrc1 Vre1 Vrb1

(V) 4,32 1,13 10,27

Correntes Ic Ie Irb1

(mA) 5,26 5,22 0,85

Potncia Vrc1 x Ic Vre1 x Ie Vrb1 x Irb1 Vrb2 x Irb2 Potncia Total

(mW) 22,72 5,89 8,75

Vrb2

1,8

Irb2

0,86

1,54

Vce

6,59

Ib

0,02

38,91

A potncia total dissipada no circuito de 38,91mW segundo demonstrado na tabela 6. O circuito foi simulado no software Multisim para temperaturas de juno de 40 e 27C segundo a figura 15 e os valores apresentados na tabela 7.

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Figura 15: Circuito simulado no Multisim

Tabela 7: valores para o circuito das figuras 8 e 15.

Vrc1(V) Vre1(V) Vrb1(V) Vrb2(V) Vce(V) Experimento 4,32 1,129 10,274 1,797 6,594 Simulado 4,256 1,146 10,171 1,829 6,598 (27C) Simulado 4,152 1,118 10,171 1,829 6,73 (40C) Diferena Simulao 2,50 2,50 0 0 1.96 40C e 27C (%) Diferena Simulado (27C) e 1,5 1,48 1,01 1,75 0,1 Experimento (%)

Ic(mA) 5,26 6,04 5,91

Ie(mA) Ib(mA) Irb1(mA) Irb2(mA) 5,22 0,016 0,852 0,857 5,21 5,08 0,016 0,016 0,848 0,848 0,831 0,831

2,20

2,56

14,82

0,19

0,47

3,13

Como pode se observar na tabela acima, a diferena entre os dados experimentais e o da simulao feita a 27C muito pequena e portanto as anlises feitas a partir dos dados experimentais so vlidas. Da mesma tabela possvel verificar que a variao das correntes no transistor mnima e portanto o projeto de polarizao bom.

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Parte 3
O circuito da figura 9 foi montado e os valores das tenses e resistncia dos componentes foram obtidas e a partir desses valores calculou-se a corrente, estes dados so apresentados na tabela 8.
Tabela 8: valores para o circuito da figura 9.

Componente Rb1 Rb2 Rc Re Emissor* Coletor* Base*

Resistencia (ohm) 11,83 K 2,135K 826,6 215,4 -

Tenso(V) 10,316 1,816 4,441 1,158 1,158 7,696 1,814

Corrente(A) 859,67u 824,55u 5,335m 5,376m 5,376m 5,335m Ie Ic = 41u

Os valores das tenses Vce, Vcb e Vbe foram calculadas da seguinte maneira:

Vce = Vcc-VRc1-Vre1 = 12,145 4,441 1,158 = 6,546 V Vcb = VRb1 VRc1 = 10,316 4,441 = 5,875 V Vbe = VRb2 Vre1 = 1,814 1 158 = 0,656V A partir das tenses acima calculadas e dos dados da tabela, foram obtidos os valores de e e algumas relaes foram testadas: = Ic/Ib = 5,335/0,041 = 130,12 = Ic/Ie = 5,335/5,376 = 0,992 Ie = Ic + Ib => 5,376mA = 5,335mA + 0,041mA = 5,376mA. Portanto verdadeiro. IRb1 = IRb2 + Ib = 824,55uA + 41uA = 865,55uA ~ 859,67uA. Pequeno erro experimental, porm o erro no grande o suficiente para desvalidar a relao ou o experimento. =/(1 +) => 0,992 = 130,12/(130,12+1)= 0,992. Portanto verdadeiro

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O circuito da figura 9 foi montado e os sinais de entrada e sada foram capturados no osciloscpio. Uma simulao foi feita no Multisim segundo a figura 16 e os grficos obtidos foram os seguintes:

Figura 17: Circuito simulado em Multisim.

Figura 16: imagem do osciloscpio para o circuito da figura 9. Curva em verde o sinal de entrada e a curva em amarelo o de sada.

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Figura 18: grfico obtido pela simulao feita em Multisim, o sinal de entrada o de menor amplitude e o de sada o de maior amplitude.

Aps uma rpida observao dos grficos verifica-se que a simulao e o as curvas experimentais so muito semelhantes em formato e amplitude. O ganho do circuito pode ser calculado pelos valores apresentados na figura 17, AV = Vo/Vi = - (5,39-2,09) = 2,578. O sinal de entrada e de sada possuem uma diferena de fase de 180 em relao ao sinal de entrada. Isto ocorre pois quando o a tenso na base do transistor mxima, ele conduz mais, o que causa um aumento na tenso Rc1, e consequente queda na tenso Vo. Quando a tenso na base atinge seu mnimo o diodo conduz menos, o que causa uma diminuio na tenso Rc1, e consequente aumento na tenso Vo.

Parte 4
O circuito abaixo foi simulado no programa Circuit Lab, o sinal de sada apresentado na figura 19.

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Figura 19: Circuito simulado em Circuit Lab.

Figura 20: Sinal de sada do circuito simulado da figura 18

O transistor ir funcionar como uma chave eletrnica ao se aplicar a onda quadrada na base. Quando a onda atinge o seu valor mnimo (zero volts) a corrente na base, Ib, zero e o transistor no conduzir corrente. No havendo portanto corrente em R4 e a tenso de sada igual a tenso da bateria 5V. Quando a tenso aplicada na base do transistor for mxima, o transistor conduz e a tenso de sada ser igual a tenso de referncia, ou seja, 0 Volts. Dessa forma a onda de sada tambm quadrada, figura 20.

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6.0 - Concluso
Com esse experimento consolidou-se o conhecimento sobre os transistores e algumas de suas aplicaes, verificou-se experimentalmente a sua atuao como amplificador de corrente e de pequenos sinais, alm da sua atuao de chave num circuito, tambm foi possvel por meio de simulaes e comparaes com os resultados experimentais observar o efeito da variao de temperatura nos transistores, alm da avaliao do ganho nos diversos circuitos.

7.0 - Referncias Bibliogrficas

[1] Morimoto, Carlos E. (26 de junho de 2005). Transstor. Guia do Hardware. [2] BOYLESTAD, R. L. Dispositivos Eletronicos e teoria de circuitos. 8 a Edio [3] Behzad Razavi. Fundamentals of Microelectronics

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