Processo Integrado Etf: Eb/ga. Prototipagem Rápida de Circuitos Integrados

Este Trabalho foi publicado pela Sociedade Brasileira de Microeletrnica em Abril/2002. http://www.sbmicro.org.
br/ - n 2/abril/2002
Centro de Pesquisas Renato Archer - CenPRA. Laboratrio de Tecnologia de Gesto Empresarial Rodovia D.Pedro 1, Kml43,5 - CEP 130893-120 Campinas - SP Tel. : (01 92) 3746.6206 Fax.: (0192) 3746.6028
AUTOR:
Dr. A.J. BALLONI
PROCESSO INTEGRADO ETF: EB/GA. PROTOTIPAGEM RPIDA DE CIRCUITOS INTEGRADOS.

NDICE I II III IV Resumo. Introduo. Informaes Bsicas sobre Processos e Equipamentos. Fluxograma de Processo ETF1-EB/GA. ETF-EB/GA: Equipamentos & Receitas. ETF-EB/GA: vi.a . Detalhamento Tcnico do ETF1-EB/GA. vi.b . Introduo a Caracterizao Estrutural. vi.c . Estimativa dos Tempos da Etapas de Processo Acessrios & Materiais de Consumo PERSPECTIVAS PARA O ANO DE 1999. Referncias pag.: 01 03 05 06 11 21
V VI VIII
34 38 40
RESUMO.
Visando a execuo do projeto "Prototipagem Rpida de Circuitos Integrados" fase ETF1EB/G.A. (ETAPAS FINAIS COM UM NVEL DE METAL, "GATE 2500 por Litografia Eletrnica), elaboramos um fluxograma completo das etapas de processo para etapas finais a partir de um nvel de metal (ETF1), bem como especificamos a lista de equipamentos, acessrios e materiais de consumo necessria para a sua execuo. Este processo ETF1 esta baseado na existncia de uma lmina de silcio pr-processada, onde j foram realizados todas as etapas iniciais de processo, bem como a deposio do primeiro nvel de metal (M1), do isolante dieltrico e, do segundo nvel de metal (M2). Esse processo foi extensivamente discutido com vrios pesquisadores do ASP/MP Blgica como parte da atividade de PsDoutorado/1993 e foi, na poca, considerado realizvel. 0 processo ETF1-EBIGA compreende 2 etapas estruturais, a saber: 1. 2. abertura das interconexes do metal 2; formao da camada passivadora com abertura dos contatos.
Incluso a essas etapas estruturais, esse processo possui:

VERSO FINAL GERADA EM: 12/05/94 CTI/IM/LMCI - Campinas/SP J.Balloni MODIFICADO EM: 25/06/1997 1 DOC. Anexado ao SIM: metas 555 e e meta 554: G:/IMDOC/LL/Balloni/ETF.2M
Este Trabalho foi publicado pela Sociedade Brasileira de Microeletrnica em Abril/2002. http://www.sbmicro.org.br/ - n 2/abril/2002
1. 2. 3.
etapas litogrficas do metal 2 e da camada de passivao, para as quais sendo usados um configurador por feixe eletrnico (litografia por escrita direta); etapa de corroso seca do metal, para o qual ser usado equipamento tipo "RIE/plasma etcher, uP"; etapa de aberturas dos contatos, com utilizao de uma fotoalinhadora (mscaras configuradas eletronicamente para os "bonding pads") e, corroso mida do Si02.
As etapas do processo ETF1-EBIGA, apresentados detalhadamente neste trabalho, foram intensivamente discutido com pesquisadores dos seguintes Centro de Pesquisas (*): I/3 - Thompson Composand Spatiaux, (France), ANO: 1990; II/3 - Interuniversity Microelectronic Center (IMEC/B1gica), ANO: 1992; III/3 - Fundao CTI(Pesquisadores do LMCI), ANO: 1993; (*) Cpias da verso final foram distribudas pelo LMCI aos Laboratrios do IM para criticas e continuidade ao processo Finalmente, na primeira fase do projeto "GATE ARRAY", o processo ETF1-EB/GA ser executado "dummies wafers"(lminas de 3 e lminas de 5) com o propsito de se gerar
uma curva de aprendizagem necessria para a implantao do processo em lminas com dispositivos (transistores, Ml, isolante e M2).
Palavras-chave microeletrnica gate array com 2 nveis de metais ASIC plasma etching e experimentos projetados litrografia eletrnica e tica processamento fsico qumico
VERSO FINAL GERADA EM: 12/05/94 CTI/IM/LMCI - Campinas/SP J.Balloni
MODIFICADO EM: 25/06/1997 2 DOC. Anexado ao SIM: metas 555 e e meta 554: G:/IMDOC/LL/Balloni/ETF.2M
I - INTRODUO.
0 atendimento da fabricao de circuitos integrados com matrizes de portas ("gate array") considera a aquisio de lminas pr-processadas, onde para obteno do circuito integrado final necessrio efetuar o roteamento do circuito, o que configura a Prototipagem Rpida de Circuitos Integrados [01] . Na consecuo deste objetivo, a tecnologia baseada em processos fsicoqumicos, nos quais inclui, para o caso do processo eletrnico, a escrita direta por feixe de eltrons do Laboratrio de Litografia do IM/CTI e, para o processo ptico (abertura dos "bonding pads"), uma fotoalinhadora do Laboratrio de Mostradores e Informaes do IM/CTI [02]. Para a realizao do Projeto ETF1-EB/GA, toma-se como ponto de partida uma lmina de silcio pr-processada onde foram realizadas as etapas iniciais de processo at o nvel de deposio da segunda camada de metal. So ento configuradas as linhas de interconexo nesta segunda camada de metal (M2-Al), usando-se do processo fotolitogrfico de escrita direta por feixe eletrnico do Laborat6rio de Litografia (L.L.) . Aps a etapa de corroso seca do alumineo (formao das interconexes do M2 via "RIE plasma etcher uP"), realizada pelo Laboratrio de Manufatura de C.I. (L.M.C.I.), ser depositado tambm pelo L.M.C.I. a camada de passivao (proteo da lmina). A configurao dos contatos (PAD's SiO2) ser realizada por via ptica, atravs da utilizao de uma fotoalinhadora do Laboratrio de Mostradores e Informao (L.M.I.) [02], ou tambm pelo LL. A abertura dos contatos por via mida ser realizada pelo L.M.C.I. e mscaras configuradas pelo L.L. Na primeira fase do projeto "Gate Array", o processo ETF1-EB/GA ser executado sobre "dummies wafers", sem topografia, fabricados e metalizados no BRASIL, com o propsito de se gerar uma curva de aprendizagem necessria para a implantao slida do processo em lminas com dispositivos [02,03]. (transistores, Ml, isolante e M2). Numa fase posterior, devero ser usadas lminas dummy (apenas M2 depositado, com), da Heliodinmica e em fase adiantada de desenvolvimento do processos, lminas da ES2 (European Silicon Centre)/FRANA, para, finalmente, o processo "GATE ARRAY", i.e., lminas com dispositivos. Este trabalho "Processo ETF1-EB/GA" possui 8 sees a saber: A seo II - "Fluxograma de Processo ETF1-EB/GA, apresenta de forma compacta o fluxograma de processo ETF1-EB/GA, que ser desenvolvido em detalhes nas prximas sees. A seo III - ETF1-EB/GA: Equipamentos & Receitas", apresenta todas as etapas de processo previstas para o ETF1/GA (FLUXOGRAMA DE PROCESSOS), associadas aos equipamentos de processo j existentes no CTI/IM, bem como as respectivas receitas ou variaes que podero serem adotadas para a consecuo do trabalho.
O FLUXOGRAMA BSICO DE PROCESSOS [01], obtido aps intenso estudo bibliogrfico [no qual informaes de processos foram anexadas, referenciadas e conservadas nesta verso V.99], foi tambm apresentado e intensamente discutido com vrios pesquisadores internacionais. Destacamos as colaboraes da Thompson Composant Spatiaux, resultando na referncia [03] e do IMEC/ASP/Blgica, sendo os principais resultados apresentados na referncia [04]. Finalmente, o trabalho foi discutido internamente com o grupo de processos do LMCI/IM. Cpias deste documento, por solicitao do DIM e chefia do LMCI, foi entregue a todos os laboratrios do IM com o objetivo de se ampliar as discusses e colocar o projeto em prtica [05]. Uma publicao resumida da referncia [01] foi solicitada oficialmente ao DIM [06] em 1991 ! . A seo IV - "Detalhamento tcnico do processo ETF1-EB/GA, descreve o porque de algumas etapas, uso alternativo de equipamentos e suas possveis implicaes no processo, e d outras informaes pertinentes . A seo V - "Acessrios & materiais de consumo apresenta os materiais de consumo/acessrios bsicos tais como "wafers carriers", pinas, "twezers", "storage boxes", "vaccum pincetes" , alcool isopropilico, "stripper" de resiste etc. e sua correlao direta com a etapa de processo onde sero utilizados. As sees VI temos as perspectiva para o projeto "Perspectiva" e na SeoVII a SITUAO ATUAL: ANO 1999, prevista para acontecer no presente ano [07, 08]. Finalmente na seo VIII temos as referncias. A seguir, a seo I.1 apresenta algumas informaes bsicas sobre a lmina de Si e processos.
INFORMAES BASICAS SOBRE PROCESSOS E EQUIPAMENTOS.
ORIGEM DA LMINA
:"SILICON MANUFACTURING CENTRE FOR ES2 (FRANA)" - (ES2 - EUROPEAN SILICON CENTRE)
RESISTIVIDADE
: 4 - 6 ohm cm (poder variar com o processo).
ORIENTAO CRISTALINA : <100> DOPAGEM TIPO ACABAMENTO DIMETRO DA LMINA :P : Segundo nvel de metal j depositado, mas no configurado. : 6 (150mm)
TIPO DE LIGA DO METAL : AlSiTi TOPOGRAFIA : Existir topografia quando
substrato no for plano ou, quando o substrato no for planarizado por processo SOG. Esta informao dever ser fornecida pela ES2.
: A mxima perda de SiO2 permitida durante a etapa de formao das interconexes do Metal 2 (ver etching) ser definida pela engenharia de processo do CTI/IM. Esta perda depende da topografia da 1mina.
PERDA DO DIELTRICO
(isolante entre metais)
LMINA PARA CONTROLE :0 nmero de lminas necessrias para realizao do controle de processo DE PROCESSO (inspeo visual, perfil/SEM, resistividade, etc) est definido pela
engenharia de processo do CTI/IM.
GASES A DISPOSIO NO CTI/IM/LMCI: BCL3, CL2, CF4, SiH4, PH3, O2, Ar, H2, N2, E 10%H2/90%N2 (forming gas). BCl3, Cl2 e PH3 esto vencidos: aguardando resultado de contatos realizados para adquirir produtos em condies de uso..
DUMMIES WAFER : Sero utilizados dummies wafer da: Heliodinmica, IMEC, ES2 e finalmente os DEVICE WAFER da ES2. 40 lminas de DIA=3 com 1.0 um de Al, sem topografia, depositados pelo Sputerring do CPqD. 30 lminas de DIA=3 com 1.0 um de Al, com topografia, depositados pelo Sputerring do CPqD. 25 dummies wafer da ES2 de DIA=6, com topografia e 20 device wafer da ES2. PROJETO EXPERIMENTO: Ser utilizado o software: RS1: Mtodo das Respostas Superficiais. END POINT DETECTOR : Est aguardando desembarao alfandegrio.
II - FLUXOGRAMA DE PROCESSO ETF1-EB/GA.

Esta seo apresenta de forma compacta, as etapas fundamentais do processo ETF1-EB/GA. Este fluxograma detalhado dever, aps compartilhado com equipe Responsvel pelo Projeto Prototipagem Rpida [07], ser aperfeioado com a introduo de verses atualizadas obtidas aps rodadas experimentais nos laboratrios, tornando-se o documento bsico no que se refere a informaes relacionadas com equipamentos & receitas (seo III) e, detalhamento tcnico (seo IV) para a consecuo. A consecuo do projeto Prototipagem Rpida de CIs est sendo viabilizada via Projeto Associado 02A .20 Processo ETF.5S [08] .
1 - ETAPA LITOGRFICA DO M2
PASSOS DE PPOCESSOS: Para informaes detalhadas ver seo III: Equipamentos & Receitas
0. < INSPEO >
0.1 : INSPEO VISUAL DA LMINA :
- INSPEO VISUAL DA LMINA .
1. < LITOGRAFIA M2 >

< LITOGRAFIA M2 > : LITOGRAFIA DO AlSi (1%) Ti (0.15%) : 1.1 - LIMPEZA DO WAFER. 1.2 - S.ECAR LMINA (DESIDRATAO) .
com chapa quente OU forno 1.3 - APLICAO DE PROMOTOR DE ADESO. 1.4 - APLICAO DE RESISTE 1.5 - CURA PARA ESTABILIZAO DO RESISTE 1.6 - EXPOSIO 1.7 - REVELAO 1.8 - INSPEO VISUAL 1.9 - MEDIDAS
1.10 - CURA COMPLETA DO RESISTE. 1.11 - REMOCAO DE RESDUOS DE RESISTE (ash flash). 1.12 - INSPEGAO VISUAL. 1.13 - MEDIDAS. 1.14 - TRANSPORTE.
2 - ETAPAS DE FORMAO DAS INTERCONEXES
PASSOS DE PPOCESSOS: Para informaes detalhadas ver seo III: Equipamentos & Receitas 2. < CORROSO A SECO >
2.1 - SECAR LMINA
: CORROSO DO METAL 2: INTERCONEXES.
(DESIDRATAAO).
com chapa quente OU com forno 2.2 - PREPARAO DA CMARA

2.3 - ESTABILIZAO DOS 2.4 -
GASES: REMOO DA A12O3.
REMOO DA CAMADA DE A1203 (breakthrough).
2.5- ESTABILIZAO DOS GASES: CORROSO DO M2. 2.6 - CORROSO DO AlSi(l%)Ti(0.5%) 2.7 - OVERETCHING. lmina sem topografia (PLANARIZADA) lmina com topografia (NAO PLANARIZADA) . 2.8 - TRATAMENTO ANTI CORROSO (passivao). Lmina sem topografia (PLANARIZADA) Lmina com topografia (NAO PLANARIZADA). 2.9 - INSPEO VISUAL. 2.10 - TRANSPORTE.
OU
OU
3 - ETAPA DE REM0O DO RESISTE
3. REMOCAO DO RESISTE : REMOO DO RESISTE ELETRNICO.
3.1 - REMOO SECA DO RESISTE. MODO RIE ou MODO PLASMA. 3.2 - REM0O MIDA DO RESISTE.
4 - ETAPA DE DEPOSIO DA CAMADA DE PASSIVAO
4. < DEPOSIAO DA CAMADA PASSIVADORA > : DEPOSIO DO SiO2:
PASSIVAO.
4.1 - SINTERIZAO. 4.2 - DEPOSICAO DA CAMADA DE PASSIVAAO.

4.3 - MEDIDAS
DE STRESS.
4.4- TRANSPORTE.
5 - ETAPA LITOGRFICA DOS PAD'S
PASSOS DE PPOCESSOS: Para informaes detalhadas ver seo III: Equipamentos & Receitas 5.
< LITOGRAFIA DOS PAD'S> : LITOGRAFIA DA PASSIVAO: SiO2
(100X100 um). PROCESSOS POSSVEIS: 5.1 RESISTE PTICO) OU 5.2 RESSTE ELETRNICO) 5.1 - RESISTE PTICO.
5.1.A - MSCARA DO L.L. 5.1.B - LIMPEZA DO WAFER. 5.1.C - SECAR LMINA (DESIDRATAQAO). com chapa quente OU com forno 5.1.D - APLICAO DE PROMOTOR DE ADESO. 5.1.E - APLICAO DE RESISTE PTICO. 5.1.F - CURA PARA ESTABILIZAO DO RESISTE. 5.1.G - ALINHAMENTO E EXPOSIO POR U.V. 5.1. H - REVELAO. 5.1.I - INSPEO VISUAL. 5.1.J - CURA COMPLETA DO RESISTE. 5.1.K - TRANSPORTE. 5.2 - RESISTE ELETRNICO (PROCESSO ALTERNATIVO). 5.2.A - LIMPEZA DO WAFER. 5.2.B - SECAR LMINA (DESIDRATAQAO).
com chapa quente OU com forno 5.2.C - APLICAO DE PROMOTOR DE ADESO. 5.2.D - APLICAO DE RESISTE.
5 - ETAPA LITOGRFICA DOS PAD'S
5.2.E - CURA PARA ESTABILIZAO DO RESISTE 5.2.f - EXPOSIO
5.2.G - REVELA0. 5.2.H - INSPEO VISUAL. 5.2.I - CURA COMPLETA DO RESISTE.
6 - ETAPA DE ABERTURA DOS CONTATOS

6. < CORROSO (MIDA DO SiO2 > : ABERTUPA DOS CONTATOS. (100X100um).
6.1 - CORROSO MIDA.
7- ETAPA DE REMOCAO DO RESISTE
7.
< REMOO DO RESISTE >: REMOO DO RESISTE ELETRONICO.
7.1 - REMOO SECA. MODO RIE OU MODO PLASMA. 7.2 - REMOO MIDA.
NOTA: PARA 0 CASO DE RESISTE PTICO, REPETIR AS ETAPAS 7.1
8 - ETAPA DE FORMAAO DA JUNO METLICA
8. < SINTERIZAO > 8.1 - SINTERIZAO. 8.1.A - limpeza: 8.1.B - formao da juno metlica: : FORMAO DA JUNO METLICA
III - EQUIPAMENTOS & RECEITAS.
Esta seo apresenta todas as passos de processo previstas para o ETF1-EB/GA, associadas aos equipamentos de processo j existentes no CTI/IM, bem como as respectivas receitas ou variaes de processo/equipamento que podero ser adotadas [SUGESTES COM BASE EM EXPERINCIA OBTIDA NO IMEC/Blgica] para a consecuo do trabalho. Este fluxograma de processo, originalmente baseado nas referncias [01, 03], aps ter sido apresentado e criticado construtivamente pelo Pesquisador ALAN REY [03] foi, em seguida tambm apresentado e intensivamente criticado pelos Pesquisadores do IMEC/ASP/B1gica e na seguinte ordem cronolgica [04]: 1) 2) 3) 4) 5) 6) - Herman Meynem (responsvel pelo DLM), - Pascal de Geyter (responsvel pelo Dry etching), - Jean Roggean (responsvel pelo Backside/Package), - Herman Meynem (responsvel pelo DLM), - Pascal de Geyter (responsvel pelo Dry etching), - Rick Jonckeheere (responsvel pela litografia eletrnica).
Aps este intenso trabalho, o mesmo foi apresentado aos pesquisadores do CTI/IM/LMCI. Consideraes foram obtidas do Sr. Marco Iacovacci (reponsvel pela etapa de limpeza) e Sr. Ricardo Donaton (responsvel pela etapa de metalizao), objetivando o aperfeioamento do documento relativa as suas respectivas responsabilidades.
ETAPA LITOGRFICA DO M2
PASSOS DE PROCESSOS: Para maiores informaes ver detalhamento tcnico - Seo IV.
EQUIPAMENTO:
0. < INSPEO >
: INSPEO VISUAL DA LMINA:
0.1 - INSPEOVISUAL DA LMINA . REJEIO OU ACEITAO.
OLHO N
1. < LITOGRAFIA M2 > < LITOGRMIA M2 >

: LITOGRAFIA DO AlSi(l%)Ti(0.15%):
1.1 - LIMPEZA DO WAFER.

WAFER WASHER
lavar a lmina com gua D.I, sem frico. tempo t = 120 seg. 1.2 - SECAR LMINA (DESIDRATAO). 1.2.A - com chapa quente Temperatura T = [120,140] C, tempo t = 90 seg. OU PROCESSO ALTERNATIVO: 1.2.B - com forno Temperatura T = ? t = 15 min. 1.3 - APLICAODE PROMOTOR DE ADESO. HMDS: [4 , 6] ml , [3000 , 6000] rpm tempo t = [20 , 30] seg. 1.4 - APLICAR,AO DE RESISTE. espessura: [1.5 , 2.2]um 1.5 - CURA PAPA ESTABILIZAO DO RESISTE. Temperatura T = [120,140] C, tempo t=90 seg. 1.6 - EXPOSIO. dose D = [40,60] uC/cm2 corrente I = [3 ,7 ] nA 1.7 - REVELAO. 1.8 - INSPEOVISUAL. 1.9 - MEDIDAS. 1.10 - CURA C0MPLETA DO RESISTE. Temperatura T = [120, 140] C, tempo t = 90 seg. 1.11 - REM0O DE RESIDUOS DE RESISTE (ash flash) . fluxo de 02: [40, 80]sccm presso : [1, 10 ]mT polarizao DC : [20, 80 ] potncia: [400, 600]W tempo : [20,60] seg. 1.12 - INSPEO VISUAL. 1.13 - MEDIDAS.
E SPIN DRYER
HOT PLATE
OVEN
HEADWAY SPINNER
HEADWAY SPINNER HOT PLATE
EBMF 10.5-20kV
APT9155 MEIJI OSI-2001
HOT PLATE
PE 80S
MEIJI OSI-2001
1.14 - TRANSPORTE. transportar lminas para o LMCI.
PORTA LMINAS
ETAPA DE FORMO DAS INTERCONEXES DO M2
PASSOS DE PROCESSOS: Para maiores informaes ver detalhamento tcnico-Seo IV.

EQUIPAMENTO:
2. < CORROSO A SECO >: CORROSO DO METAL 2: INTERCONEXES.

(A1Si(l%)Ti(0.15%)).
2.1 - SECAR LMINA
(DESIDRATA0). HOT PLATE
2. l. A - com chapa quente T = [120,140] C, t = 90 seg. OU (PROCESSO ALTERNATIVO) 2.1.B - com forno T = ?, t= 15 min. 2.2 - REPARARAO DA CMARA 1. eletrodo inferior: T = [30,40] C, 2. temperatura da cmara: T = [70,801 C, 3. presso de fundo: P= lo-4Torr, 4. colocar gases de processo (etapas 2.3 at 2.8), 5. iniciar ataque em 2 "dummies wafers" (seguir receita), 6. DESENVOLVER O PROCESSO VIA LMINAS DE Si DA HELIODINMICA . DIA=3 7. aps lmina "dummy, idem para lmina com dispositivo da ES2. 2.3 - ESTABILIZAO DOS GASES: REM0O DA A1203. preparao para . a etapa de "breakthrough": fluxo de BC13 = [80,100] sccm, fluxo de C12 = [60,100] sccm, fluxo de N2 = [40,60] sccm, presso = [150,250] mtorr, tempo = 15 seg. 2.4 - REMOCAO DA CAMADA DE A1203 (breakthrough). etapa de "breakthrough" aps estabilizao dos fluxos dos gases (receita etapa 2.3):
OVEN
RIE 80uP
RIE 80uP
RIE 80uP
potncia P = [300,400] W, tempo t = [10,20] seg. 2.5 - ESTABILIZAO DOS GASES: CORROSO DO M2. preparao para a etapa de corroso do AlSiTi: fluxo de BC13 = [20,40] sccm, fluxo de C12 = [40,60] sccm, fluxo de N2 = [30,50] sccm, fluxo de CH4 = [10,20] sccm, presso p = [150,275] mtorr, tempo t = 15 seg. 2.6 - CORROSO DO AlSi(l%)Ti(0.15%) etapa de corroso do M2 aps estabilizao dos fluxos dos gases (receita etapa 2.5) com: potncia P = [175,275] W, tempo t = end point EPD/OXFORD 2.7 - OVERETCHING. 2.7.A - Lmina sem topografia (planarizada): sem estabilizao do fluxo dos gases. fluxo de BC13 = [20,40] sccm, fluxo de C12 = [20,40] sccm, fluxo de N2 = [30,50] sccm, fluxo de CH4 = [10,20] sccm, presso p = [200,300] mTorr, potncia P = [70,130] W, tempo t t = [20,30] seg. OU 2.7.B - Lamina com topografia (no planarizada): B.1 ESTABILIZA0 DOS GASES. preparao para etapa de "overetching: fluxo de BC13 = [20,40] sccm, fluxo de C12 = [20,40] sccm, fluxo de N2 = [30,50] sccm, fluxo de CH4 = [10,20] sccm, Press5o p = [200,300] mtorr, tempo t = 20 seg. B.2 - "OVERETCHING" DO M2. etapa de overetching" do AlSi(0.5%)Ti(l%) aps estabilizao dos fluxos dos gases: potncia P = [75,125] W, tempo t = [20,30] seg.
RIE 80uP
RIE 80uP
RIE 80uP
2.8 - TRATAMENTO ANTI CORROSO (passivao) . 2.8.A - LMINA sem topografia (PLANARIZADA). Al - etapa de preveno de anti corroso: fluxo de CF4 = [75,125] sccm, fluxo de 02 = [2,6] sccm, Presso p = [250,350] mtorr, potncia P = [75,125]W tempo t = [10,30] seg. ou (PROCESSO ALTERNATIVO) A2 - etapa de preveno de anti corroso: gua DI t= [7, 15] min BANCADA QUMICA PE 80S
2.8.B - LMINA com topografia (NAO PLANARIZADA). Bl - etapa de preveno de anti corroso: CF4 = [75,125] sccm, 02 = [2,6] sccm, p = [250,350] mtorr, P = [75,125] W t = [20,401 seg. OU PROCESSO ALTERNATIVO B2 -preveno de anti corroso: gua DI tempo t = [7, 15] min 2.9 - INSPEO VISUAL. 2.10 - TRANSPORTE. transportar lamina(s) teste(s) para o LACAM para observar perfil/resduos [SEM] BANCADAQUMICA PE 80S
OPTPHOT 66
PORTA LMINAS
ETAPA DE REM0AO DO RESISTE

EQUIPAMENTO:
3.
< REMOCAO DO RESISTE >: REMOO DO RESISTE ELETRONICO. 3.1 - REMOO SECA DO RESISTE. MODO PLASMA fluxo de 02: [200,400] sccm, presso: [500,700] mtorr potncia: [550,750] W tempo : = [20,40] min, tempt. cmara : [80,110] C. PE 80S
3.2 - REMOO MIDA DO RESISTE. BANCADAQUMICA a) removedor de resiste eletrnico (dirty MICROSTRIP 2001), potncia de ultra-som reduzida Ps = (50% !!) W, t = [10, 20] min, T = [80,90] C, b) removedor de resiste eletrnico (clean), repetir as mesmas condies apresentadas em a): removedor, potncia, temperatura e, tempo. c) alcool isopropilico, t = [2,4] min, d) lavar com gua D.I. (sem frico), WAFER WASHER e) secar lmina. SPIN DRYER
ETAPA DE DEPOSIO DA CAMADA DE PASSIVAO.

EQUIPAMENTO: 4. < DEPOSIAO DA CAMADA PASSIVADORA > : DEPOSIAO DO SiO2: PASSIVAO. 4.1- SINTERIZAO. THERMCO MB forming gs N2/10%H2 , Temperatura T = 420 C, tempo TOTAL t = 40 min (*). (*) - Considerar os seguintes tempos: tempo de entrada (t e ), com velocidade constante de introduo das lminas: te= 10 min, tempo de estabilizao do fluxo de gs (tf): . tempo de sinterizao (TH): tf = 5 min, t H = 20 min
.tempo de sada (t S), COM VELOCIDADE CONSTANTE DE RETIRADA DA LMINAS: 4.2 - DEPOSIO DA CAMADA DE PASSIVAO
tS=10 min APCVD/VAPOX-5000
4.3
- MEDIDAS DE STRESS.
IONIC
4.4 - TRANSPORTE. transportar lminas para o L.L.
PORTA LMINAS
ETAPA LITOGRFICA DOS PADS

5. EQUIPAMENTO: < LITOGRAFIA DOS PAD'S> : LITOGRAFIA DA PASSIVAQAO: SiO2. [100X100um] .
PROCESS0S POSSVEIS 5.1 (RESISTE PTICO) OU 5.2 RESISTE ELETRONICO) . 5.1 - RESISTE PTICO. 5.1.A - MSCARA DO L.L. mascaras configuradas ELETRNICAMENTE para os "bondinG AND PADS :100x100um 5.1.B - LIMPEZA DO WAFER. lavar a lminas com gua DI, sem frico tempo t= 120 SEG 5.1.C - SECAR LMINA EB-10.1-20Kv
WAFER WASHER E SPIN DRYER HOT PLATE
(DESIDRATA0).
C.1 - com chapa quente Temperatura T = [120,140] C, tempo t = 90 seg.
OU [PROCESSO ALTERNTIVO] C.2 - com forno T = ?, t=15 min. OVEN
5.1.D - APLICAO DE PROMOTOR DE ADESO HEADWAY SPINNER volume de HMDS Vol = [4 , 6] ml , velocidade de rotao do Vr = [3000 , 6000] rpm Tempo t = [20,30]SEG. 5.1.E - APLICAO DE RESISTE PTICO.
HEADWAY SPINNER
espessura:
[3.0 , 3.5] um HOT PLATE
5.1.F - CURA PARA ESTABILIZAO DO RESISTE. Temperatura T = [120,140] C, tempo t = 90 seg. 5.1.G - ALINHAMENTO E EXPOSIO POR U.V 5.1.H - REVELAO. H.1 - soluo proposta revelador: AZ 312 MIF T =?,t=? OU (PROCESSO ALTERNATIVO) H.2 - soluo alternativa 5.1.I - INSPEO VISUAL. 5.1.J - CURA COMPLETA DO PESISTE. temperatura T = [120, 140] C, tempo t = 90 seg. 5.1.K - TRANSPORTE. transportar laminas para o LMCI.
ORIELCORPORATION BANCADA QUMICA
APT 9155 MEIJI HOT PLATE
PORTA LMINAS
5.2 - RESISTE ELETRNICO (PROCESSO ALTERNATIVO). 5.2.A - LIMPEZA DO WAFER. lavar a lmina com gua D.I, sem frico. tempo t = 120 seg. 5.2.B - SECAR LMINA (DESIDRATAO). B.1 - com chapa quente Temperatura T = 120,140] C, TEMPO: t = 90 seg. OU (PROCESSO ALTERNATIVO) B.2 - com forno T = ?, t= 15 min. WAFER WASHER SPIN DRYER
HOT PLATE
OVEN
5.2.C - APLICAAO DE PROMOTOR DE ADESO. HEADWAY SPINNER volume de HMDS vol = [4 , 6] ml , velocidade de rotao Vr = [3000 , 6000] rpm
tempo
t = [20 , 30] seg. HEADWAY SPINNER HOT PLATE EBMF 10.5-20Kv
5.2.D - APLICAGAO DE PESISTE. Espessura: [3.0 , 3.5] um
5.2.E - CURA PAPA ESTABILIZAO DO RESISTE. 5.2.F - EXPOSIO. dose D = [40,60] uC/cm2 corrente I = [3 ,7] nA 5.2.G - REVELACA0. 5.2.H - INSPEO VISUAL. 5.2.I - CURA COMPLETA DO RESISTE. T = [120, 140] C, t = 90 seg.
APT 9155 MEIJI HOT PLATE
ETAPA DE ABERTURA DOS CONTATOS

EQUIPAMENTO: 6. < CORROSO MIDA DO SiO2 > : ABERTURA DOS CONTATOS. [100x100um] 6.1- CORPOSAO MIDA. 6.1.A - soluo proposta: NH4F:HF:CH3COOH (8:1:1), t=[2,4] min. lavar lmina. secar lmina. OU (PROCESSO ALTERNATIVO) 6.1.B - soluo alternativa: HF ou BHF lavar lmina. secar lmina. NOTA: PARA REMOVER SiO2: USA-SE HF(2%): 3.3 litros de H20 DI + 0.15 litros de HF(2%) - etch rate - 74OA/min.
BANCADA QUMICA
WAFER WASHER SPIN DRYER
ETAPA DE REM0AO DO RESISTE

7. EQUIPAMENTO: < REMOO DO RESISTE >: REMOAO DO RESISTE ELETRONICO. 7.1 - REMOO SECA. - MODO PLASMA fluxo de 02 presso p potncia P tempo t 7.2 - REMOO MIDA. a) PE 80S = [300,400] sccm, = [500,700] mtorr, = [550, 750] W, = [20,40] min. BANCADA QUMICA
removedor de resiste eletrnico (dirty MICROSTRIP 2001), potncia de ultra-som reduzida Ps = (50% W, t = [10, 20] min, T = [80,901 C, b) removedor de resiste eletrnico (clean), repetir as mesmas condies apresentadas em a) removedor, potncia, temperatura e, tempo. c) alcool isopropilico, t = [2,4] min, d) lavar com gua D.I. (sem frico), WAFER WASHER e) secar lamina. SPIN DRYER
NOTA: PARA 0 CASO DE RESISTE PTICO, REPETIR AS Etapas 7.1 E 7.2.
ETAPA DE FORMAO DA JUNO METALICA

EQUIPAMENTO: 8 < SINTERIZAAO > 8.1- SINTERIZA0. FORMAAO DE JUNO METALURGICA. THERMCO MB
8.1.A - limpeza: a) removedor de resiste eletrnico (dirty MICROSTRIP 2001), SEM potncia de ultra-som e, t = [10, 20] min, T = [80,90] C, b) removedor de resiste eletrnico (clean), repetir as mesmas condies apresentadas em a): removedor, temperatura e, tempo.
c) alcool isopropilico, t = [2,4] min, d) lavar com gua D.I. (sem frico), e) secar Lmina.
8.1.B - FORMAAO DE JUNO METALURGICA. forming gs N2/10%H2 , Temperatura T = 420 C, tempo TOTAL t = 40 min (*). (*) - Considerar os seguintes tempos: tempo de entrada (t e ), com velocidade constante de introduo das lminas: te= 10 min, tempo de estabilizao do fluxo de gs (tf): . tempo de sinterizao (TH): tf = 5 min, t H = 20 min
.tempo de sada (t S), COM VELOCIDADE CONSTANTE DE RETIRADA DA LMINAS: tS=10 min
IV -DETALHAMENTO TCNICO DO PROCESSO ETF1-EB/G.A

Esta seo apresenta, sempre que possvel, uma explicao complementar para cada etapa de processo mostrada na seo III - "Fluxograma de processo ETF1-EB/GA" . Para este detalhamento tcnico, foram conservados os equipamentos e a seqncia de processo da seo III, porm, as receitas foram omitidas. Note-se que os comentrios apresentados aqui so sugestes/propostas provindas das discusses com colegas pesquisadores [01, 03 e 04]. Essas sugestes, para a poca que esta verso foi escrita [1993] , se enquadravam realisticamente no processo ETF1-EB/GA. Informaes provenientes de outras referncias sero citadas no texto.
ETAPA LITOGRFICA DO M2
PASSOS DE PROCESSOS: PARA MAIORES INFORMAES VER SEO V ACESSRIOS E

MATERIAIS DE CONSUMO .
EQUIPAMENTOS:
0. < INSPEO > : INSPEO VISUAL DA LMINA . : OLHO NO. E OPTPHOT 66.
0.1 - INSPEO VISUAL DA LMINA REJEIO OU ACEITAO.
Olhar em tangente e verificar a existncia de defeitos. Examinar em 5 pontos de cada lmina (N., S., L., 0., Centro),com microscpio e verificar a existncia de defeitos. Note que dever ser definido quais sero as lminas utilizadas para controle de processo (ver seo I.1).-Como sugesto, poderamos adotar o critrio de se examinar 5 lminas de um lote de 25: a primeira, a sexta, a dcima primeira, e a vigsima primeira. Outra possibilidade, seria, como inicialmente teremos pouca lminas, examinar todas. Este procedimento (5 em 25) ou todas dever ser estendido a todo o processo (ver seo I.1).
1. < LITOGRAFIA M2 > 1.1 - LIMPEZA DO WAFER. lavar a lmina sem frico. 1. 2 - SECAR LMINA (DESIDRATAAO) . : LITOGRAFIA DO AlSi(l%)Ti(0.5%): WAFER WASHER SPIN DRYER.
A desidratao dependente do tipo de resiste em uso, para o caso de resiste CMS, T = 15OC e t = 30 seg. suficiente. HOT PLATE.
OVEN. Cuidado com as micro gotas de gua na lmina: "local wafer cooking". VERSO FINAL GERADA EM: 12/05/94 CTI/IM/LMCI - Campinas/SP J.Balloni MODIFICADO EM: 25/06/1997 22 DOC. Anexado ao SIM: metas 555 e e meta 554: G:/IMDOC/LL/Balloni/ETF.2M
1.3 - APLICAO DE PROMOTOR DE ADESO.
HEADWAYSPINNER.
A funo do HMDS de minimizar ou prevenir "undercutting" da interface do metal e o resiste durante a etapa de ataque. Sua aplicao depende do resiste, E para o caso de resiste eletrnico CMS, O HMDS no necessrio. Promotores de adeso so compostos que contm grupo de silana em sua estrutura . 0 HMDS (Hexa Metil Di Silana) possui a seguinte f6rmula estrutural (CH3)3Si-(NH)-Si(CH3)3 . Quando usado, acredita-se que ocorram dois tipos de reaes: na primeira etapa o HMDS remove a gua adsorvida na superfcie do substrato e numa segunda etapa, reduz a energia superficial pela reao com ligaes ATIVAS DE HIDROGNIO .... aconselhvel trabalhar com temperaturas acima da temperatura ambiente com este tipo de reagente(HMDS).
1.4 - APLICAGAO DE RESISTE. HEADWAY SPINNER.
Em geral, para os metais se usa resiste eletr6nico tipo CMS. A espessura deve ser suficiente para cobrir os "hillocks". Note que os passos 1. 3 (promotor de adeso) at 1.7 (revelao) dependem fortemente da topografia da lmina da ES2 (planarizada ou no) . Caso a lmina no seja planarizada, ser necessrio o uso de um processo de tres camadas (three layer): resiste/SOG/resiste, sendo o SOG removido por plasma de flor. A camada de resiste (top layer) devera ser bem fina a fim de impedir o aparecimento de "bridges" (stringer). Neste caso, o SOG poderia ser removido pelo equipamento PE 8OS, - ver etapa 3.1 "remoo seca do resiste".
1.5 - CURA PAPA ESTABILIZAO DO RESISTE HOT PLATE.
O processo de cura depende do resiste, Para o caso de resiste eletrnico CMS, T= 130 C, e t= 30 seg. deve ser suficiente 1.6 - EXPOSIO Etapa crtica: testar outras condies
1.7 Revelao:
EBMF 10.5 -2OkV.

APT9155.
Reveladores so usados para dissolver as regies sensibilizadas (ou no) do resiste e permitir que determinadas padres sejam mantidos para serem definidos pela etapa de corroso seca (definida seguir) A melhor condio para revelao devera ser obtida experimentalmente. 0 tempo de revelao pode comprometer o processo, por exemplo alterar a largura da linha. 0 APT9155 j possui o processo de lavagem.
1.8 - INSPEOVISUAL. MEIJI.
Usando-se microscpio U.V., verificar em aproximao grossa, a existncia de "resist fillets",

1.9 - MEDIDAS. VERSO FINAL GERADA EM: 12/05/94 CTI/IM/LMCI - Campinas/SP J.Balloni OSI-2001. MODIFICADO EM: 25/06/1997 23 DOC. Anexado ao SIM: metas 555 e e meta 554: G:/IMDOC/LL/Balloni/ETF.2M
Para o caso de desenvolvimento de processo: checar largura de linha antes de continuar.
1.10 - CURA COMPLETA DO RESISTE.
HOT PLATE.
A fim de melhorar a adeso superficial e tambm retirar resduos volteis da revelao.

1.11 - REMOO DE RESDUOS DE RESISTE (ash flash). RIE .80.
Resiste 'ash flash', esta relacionado com "resist cusping" proveniente de "resist fillets".
Esta etapa de processo necessria para remover resistes residuais antes de se iniciar a prxima etapa de processo. Esta etapa de processo "ash flash", 6 geralmente necessria porque a etapa de exposio litogrfica no perfeita devido ao espalhamento do feixe de eltrons durante a exposio pelo E.B., o qual gera uma exposio indesejada no resiste, dificultando a sua revelao.
Em geral, para toda etapa que envolva corroso seca (plasma etching) necessrio, para cada lmina, realizar as seguintes medidas visuais, e "on line": nveis de potncia, temperatura dos eletrodos e da cmara, nvel de partculas, fluxo dos gases, seletividade e inspecionar qualidade final do ataque .
1.12 - INSPEO VISUAL. MEIJI.
Usando-se microscpio U.V., verificar em aproximao grossa, a existncia de "resist fillets", 1.13 - MEDIDAS. OSI-2001. Para o caso de desenvolvimento de processo: checar largura de linha antes de continuar. Com o processo desenvolvido e estabilizado, este procedimento no ser necessrio.
1.14 - TRANSPORTE. PORTA LMINA S
Transportar lminas para o LMCI. Inicio da etapa de corroso seca do metal. NOTA:
ser necessrio rotular os acessrios para se identificar de onde a lmina esta vindo, a fim de se evitar contaminao por resiste (no reutilizar cassete contaminado por resiste)
ETAPA DE FORMAO DAS INTERCONEXES DO M2

MATERIAIS DE CONSUMO
EQUIPAMENTOS:
2. < CORROSO A SECO >
: CORROSO DO METAL 2: INTERCONEXES. (A1Si(l%)T1(0.5%)). MODIFICADO EM: 25/06/1997 24 DOC. Anexado ao SIM: metas 555 e e meta 554: G:/IMDOC/LL/Balloni/ETF.2M
2.1 - SECAR LMINA (DESIDRATAO) HOT PLATE.
Para evitar "resist flow", reticulao ou carbonizao do resiste durante a etapa de corroso seca. Esta secagem ser valida por at 24 horas. Cuidado com micro gotas de gua: "local resist cooking". "resist flow" : perda da definio do resiste sobre a superfcie depositada, ficando com os cantos arredondados, comprometendo o processo. reticulao : pequenas fraturas no resiste. carbonizao : queima do resiste.
2.2 - PREPARAAO DA CAMARA RIE 80uP.
Antes de iniciar o ataque das lminas, "aquecer" o sistema com duas ou mais 1minas "dummies" . Note que a temperatura do eletrodo inferior importante no que se refere a manuteno da limpeza da cmara: se a cmara estiver fria poder ocorrer polimerizarao na cmara.
2.3 - ESTABILIZAO DOS GASES: REMOO DA A1203. 2.4 Preparao para a etapa de "breakthrough". 2.4 - REMOO DA CAMADA DE A1203 (breakthrough). RIE 80uP RIE 80uP
Etapa de "breakthrough" aps estabilizao dos fluxos dos gases. Esta etapa de remoo de Al203 deve ser perfeita, caso contrrio podero aparecer "fillets" ou "stringer".
2.5 - ESTABILIZAO DOS GASES: CORROSO DO M2. RIE 80uP.
Preparao para a etapa de corroso do AlSiTi. BC13: garante ataque mais anisotrpico, C12: para ataque do Al, CH4: para melhor definio das paredes : "side wall passivation or notching - pequena corroso no canto do metal, sob o resiste - NAO "under cutting" . 0 "UNDER CUTTING tambm pode ocorrer, mas acontece no corpo do Al (parede lateral), e sua preveno tambm realizada com CH4. N2: para facilitar a produo de plasma e melhorar uniformidade do ataque (resfriamento das espcies mais quentes)
2.6 - CORROSO DO AlSi(l%)Ti(0.5%) RIE 80uP
Etapa de corroso do M2 aps estabilizao 'End point Detector" (EP) .

dos fluxos dos gases: usar EDP/Oxford

Durante o desenvolvimento do processo, pode-se retirar o E.P., e atacar o M2 por um tempo fixo, a fim de se analisar a uniformidade, velocidade de corroso, reproducibilidade, e perfil (SEM) e a seletividade. Outra possibilidade a de se fixar, via E.P. , o tempo mximo de ataque.
2.7 - OVERETCHING. RIE 80uP
Necessrio para remoao de "fillets" ou "stringer". Cuidado com o tempo de 'over etching", de forma a minimizar a perda de SiO2 (isolante entre metais - ver seo I.1 . 2.8 - TRATAMENTO ANTI CORROSO (passivao). Lmina sem topografia (PLANARIZADA) 2.8.A - Lmina sem topografia (PLANARIZADA) Al - etapa de preveno de anti corroso: PE 80S. Para impedir a continuidade da corroso pelo cloro (ps corroso) , aps a etapa de plasma. Esta etapa, a1m de iniciar a corroso do resiste pelo plasma de 02 ( provoca tambm a passivao da superfcie do Al pelos tomos de Flor. Deve se evitar a contaminao por resiste do RIE 80 uP. NOTA1:este procedimento "passivao por tomos de flor" ou mesmo a remoo total do resiste (plasma de 02 - ver etapa 3), no sai suficiente para eliminar completamente o "under cutting" do Al. NOTA2 : Caso a lmina de alumnio precise ficar mais de 12 horas esperando para ser passivada ou para remover o resiste, ento a mesma dever ser guardada em ambiente ventilado. OU (PROCESSO ALTERNATIVO) A2 - etapa de preveno de anti corroso: Bancada Qumica Bequer com H2O
Colocar a lmina em gua DI para diluir a ao do plasma (cloro) minimizando-se assim os efeitos de ps corroso. Verificar no laboratrio a viabiliadade deste processo atravs seguinte procedimento: Aps a etapa de corroso seca do metal, colocar a lmina na gua DI por 10 minutos, retirar, secar via "spin dryer" e hot plate, deixar a lmina dentro do cassete por 48 horas, verificando diariamente (via microscpio ptico) se esta ocorrendo corroso das linhas. 2.8.B - Lmina com topografia (NAO PLANARIZADA). Bl - etapa de preveno de anti corroso: Para impedir a continuidade da corroso pelo cloro (ps corroso), aps a etapa de plasma etching. A explicao 2.8.Al valida aqui.
PE 80S
OU (PROCESSO ALTERNATIVO) B2 - etapa de preveno de anti corroso: BANCADA QUMICA BEQUER COM H20 Colocar a lmina em gua DI para diluir a ao do plasma (cloro), evitando-se assim a ps corroso : A explicao 2.8.A2 valida aqui.
2.9 - INSPEO VISUAL.
OPTPHOT 66.
Observar se existe corroso do metal ou resduos. Caso positivo, rejeitar a lmina.

2.10 - TRANSPORTE. Transportar laminas para o LACAM. PORTA LMINA S
SEM.
Separar lmina para controle de processo. Verificar perfil e/ou existncia de resduos (fillets or stringer) linhas de metal. Como o resiste ainda no foi removido observar se houve "under corrosion" . Alternativamente, pode ser retirado o resiste (etapa 3 - resist strip) verificar perfil no SEM. NOTA: ser necessrio a rotulao dos acessrios para se identificar de onde a lmina esta vindo, a fim de se evitar contaminao por resiste (no reutilizar cassete contaminado por resiste)
ETAPA DE REM0O DO RESSTE

EQUIPAMENTOS:
3. < REMOO DO RESISTE >: REMOO DO RESISTE ELETRONICO. 3.1 - REMOO SECA DO RESISTE.
3.1 - MODO PLASMA. PE 8OS.
Colocar lmina dentro da cmara somente aps o sistema ter atingido a temperature de "SET UP" . 3.2 - REM0O MIDA DO RESISTE.
BANCADA QUIMICA.
Como resduo de resiste fonte de contaminao, sero necessrios dois "SPIN DRYER", um para ser usado para toda lmina que no tiver resiste (SPIN DRYER I ) e o outro (SPIN DRYER II) para toda lmina contaminada de resiste. Neste fluxograma se refere de forma genrica aos spin dryers.
3.3 - CONTROLE DE PERFIL. SEM.
Separar lmina para controle de processo. Verificar perfil e/ou exist6ncia de resduos (fillets or stringer) entre as linhas de metal. Esta uma opo. Controle de perfil pode ser feito com o resiste. Ver etapa 2.10 (transporte/SEM).
ETAPA DE DEPOSIO DA CAMADA DE PASSIVAO

EQUIPAMENTOS:
4.
< DEPOSICAO DA CAMADA

PASSIVADORA > : DEPOSIO DO SiO2: PASSIVAO. THERMCO MB.
4.1 - SINTERIZAO.
forming gs N2 / 10%H2 . Sempre aps uma etapa completa de remoo seca, se faz necessrio uma etapa de sinterizao. 0 H2 usado para ajuste da tenso de "threshold", realizando ligaes do tipo HSi, e consequentemente eliminando cargas presas na interface (M2/xido) e cargas presas no xido.
4.2 - DEPOSICAO DA CAMADA DE PASSIVAQAO. APCVD/vapox-5000
Camada protetora para toda a lmina. Inicialmente esta camada devera ser depositada sem o dopante fsforo (PH3) . Numa fase posterior, o dopante (PH3) dever ser includo, o qual, devido a ao passivadora do fsforo (reduo dos estados eletrnicos superficiais do SiO2), conferir camada passivadora maior resistncia ao meio ambiente, como por exemplo a umidade.
4.3 - MEDIDAS DE STRESS. IONIC.
Realizar somente no caso de desenvolvimento de processo. Quando o processo estiver estabilizado e "rodando" esta etapa poder ser realizada, periodicamente, dependendo do critrio definido pela engenharia de processo Esta medida de "stress" deve ser realizada da seguinte forma: depositar a camada de passivao diretamente sobre a lamina de Si e medir o "stress". Esta medida no deve ser realizada sobre laminas com dispositivos (transistores, Ml, isolante, M2).
4.4
- TRANSPORTE. PORTA LMINA S
Transportar lminas para o L.L.
ETAPA LITOGRICA DOS PAD's

EQUIPAMENTOS: 5.
< LITOGRAFIA DOS PAD' s> : LITOGRAFIA DA PASSIVAO: SiO2. (100xl00um).
PROCESS0S :
5. 1: (resiste ptico) OU
5.2: (resiste eletrnico)
5.1 - RESISTE PTICO. 5.I.A - MSCARA DO L. L. (100xl00um) . 5.1.B - LIMPEZA DO WAFER. EB-10.1 - 20Kv Mscaras configuradas eletronicamente para os "bonding pad's
WAFER WASHER
Lavar a lmina com gua D.I, sem frico. 5.1. C - SECA LMINA (DESIDRATA0) . Comentrio 1.2 vlido aqui.
5.1.D - APLICAO DE PPOMOTOR, DE ADESO. HOT PLATE.
Ou
OVEN. HEADWAY SPINNER.
0 HMDS usado para minimizar ou prevenir "undercutting" da interface SiO2 (passivao) e o resiste durante o etapa de ataque a seco. A reao do silcio com o HMDS cria uma superfcie mais hidrfoba devido a troca dos grupos SI-OH pelos grupos apolares trimetilsiloxana (TMS). Acredita-se que seja eliminada pela reao a gua absorvida fisicamente, atravs da converso dos grupos silanol (SIOH) em grupos trimetilsiloxanos (Si-SiH3).
5.1.E - APLICAO DE RESISTE PTICO. HEADWAY SPINNER.
A espessura do resiste deve ser suficiente para cobrir os "hillocks. Note que o equipamento "Headway Spinner estar sendo usado para aplicao de resiste eletrnico (fabricao de mscaras) . Caso a injeo de resiste, seja feita independentemente existe possibilidade de se usar o equipamento acima para aplicar tambm resiste ptico.
5.1.F - CURA PARA ESTABILIZAO DO RESISTE. 5.1.G - ALINHAMENTO E EXPOSIO POR U.V. HOT PLATE. ORIEL CORPORATION
Equipamento do LMI/CTI: sistema de exposio com iluminao ultravioleta, com preciso de 3um. Esta etapa definir totalmente o trabalho, JA que um bom resultado totalmente dependente do alinhamento entre A mascara e o equipamento da ORIEL CORP. Uma
possibilidade, caso ocorra problemas de alinhamento, seria a de se configurar os PADS (8Ox80)um sobre metal de (100xlOO)um ou, (100xlOO)um sobre metal de (110xl10)um
5.1.H - REVELAO.
Comentrio 1.7 valido aqui.
BANCADA QUMICA. ou APT 9155.
Note que o equipamento "Headway Spinner estar sendo usado para aplicao de resiste eletrnico (fabricao de mscaras) . Caso a injeo de resiste, seja feita independentemente existe possibilidade de se usar o equipamento acima para aplicar tambm resiste ptico.
5.1.I - INSPEO VISUAL. MEIJI.
Aproximao grossa (para o caso de desenvolvimento de processo) 5.1.J - CURA COMPLETA DO RESISTE. A fim de melhorar a adeso superficial e tambm retirar resduos volteis da revelao.
5.1.K - TRANSPORTE. Transportar 1minas para o LMCI.
HOT PLATE.
PORTA LMINAS
5.2
- RESISTE ELETRNICO (PROCESSO ALTERNATIVO).

WAFER WASHER
5.2.A - LIMPEZA DO WAFER.
lavar a lmina com gua D.I, sem frico.

5.2.B - SECAR L6AMINA (DESIDRATA0).
E
SPIN DRYER. HOT PLATE.
Desidratao dependente do tipo de resiste em uso. Para o caso de resiste CMS, T= 150 C , t= 30 seg. suficiente.
5.2.C - APLICACAO DE PROMOTOR DE ADESO.
ou OVEN.
HEADWAY SPINNER.
Depende do resiste, para o caso de resiste CMS, HMDS no necessrio. 0 HMDS usado para minimizar ou prevenir "undercutting" da interface SiO2 (passivao) e o resiste durante o etapa de ataque a seco. A reao do silcio com o HMDS cria uma superfcie mais hidrfoba devido a troca dos grupos SI-OH pelos grupos apolares trimetilsiloxana (TMS). Acredita-se que seja eliminada pela reao a gua absorvida fisicamente, atravs da converso dos grupos silanol (SIOH) em grupos trimetilsiloxanos (Si-SiH3).
5.2.D - APLICAO DE RESISTE. HEADWAY SPINNER.
A espessura deve ser suficiente para cobrir os "hillocks". Em geral, para SiO2 usa-se resiste tipo AZ.
5.2.E - CURA PARA ESTABILIZAO DO RESISTE. HOT PLATE.
0 processo de cura depende do resiste. Para o caso de resiste eletrnico CMS, T = 13OC e t = 30 seg. suficiente.
5.2.F - EXPOSIO. VERSO FINAL GERADA EM: 12/05/94 CTI/IM/LMCI - Campinas/SP J.Balloni EBMF 10.5 - 2OkV MODIFICADO EM: 25/06/1997 30 DOC. Anexado ao SIM: metas 555 e e meta 554: G:/IMDOC/LL/Balloni/ETF.2M
Etapa critica: testar outras condies.

5.2.G - REVELAO. APT9155
Comentrio 1.7 vlido aqui.

5.2.H - INSPEO VISUAL. MEIJI.
Aproximao grossa. Para o caso de desenvolvimento de processo.

5.2.I - CURA COMPLETA DO RESISTE. HOT PLATE.
A fim de melhorar a adeso superficial e tambm retirar resduos volteis da revelao

5.2.J - TRANSPORTE. PORTA LMINAS
Transportar lminas para o LMCI. Iniciar etapa de abertura dos "bonding pad's NOTA: ser necessrio a rotulao dos acessrios para se identificar de onde a lmina esta vindo, a fim de se evitar contaminao por resiste (no reutilizar cassete contaminado por resiste)
ETAPA DE ABERTURA DOS CONTATOS

EQUIPAMENTOS:
6. < CORROSO (MIDA DO SiO2 > : ABERTURA, DOS CONTATOS. (100xl00um) . Para permitir conexo entre 0 dispositivo e 0 meio externo (encapsulamento).
6.1 - CORROSO MIDA.
Usar reagentes com grau eletrnico.
BANCADA QUIMICA. WAFER WASHER. SPIN DRYER II.
NOTA: PARA REMOVER SiO2: HF(2%):3.3 litros de H20 DI + 0.15 litros de HF(2%) - etch rate - 74OA/min. Esta soluo no ataca a lmina de Si.
ETAPA DE REMOO DO RESISTE

EQUIPAMENTOS:
7. < REMOO DO RESISTE >: REMOO DO RESISTE ELETRONICO.

7.1 - REMOO SECA.
Em geral, toda etapa de "plasma etching" necessrio, para cada lmina, realizar as seguintes medidas visuais, e "on line": nveis de potncia, temperatura dos eletrodos e da cmara, nvel de partculas, fluxo dos gases, seletividade e inspecionar qualidade final do ataque .
MODO PE PE 80S Colocar lmina dentro da cmara somente aps o sistema ter atingido temperatura de "SET UP" .
7.2 - REM0O MIDA. BANCADA QUMICA
WAFER WASHER SPIN DRYER Como resduo de resiste fonte de contaminao, sero necessrios dois "SPIN DRYER", um para ser usado para toda lmina que no tiver resiste (SPIN DRYER I ) e o outro (SPIN DRYER II) para toda lmina contaminada de resiste. Neste fluxograma se refere de forma genrica aos spin dryers. NOTA: PARA 0 CASO DE RESSTE PTICO, REPETIR, AS ETAPAS 7.1 E 7.2.
ETAPA DE FORMAO DA JUNO METLICA

EQUIPAMENTOS: 8. < SINTERIZAO >

8.1 - SINTERIZAO. comentrio 4.1 6 aplicado aqui. 8.1.A - limpeza: VERSO FINAL GERADA EM: 12/05/94 CTI/IM/LMCI - Campinas/SP J.Balloni WAFER WASHER. SPIN DRYER. MODIFICADO EM: 25/06/1997 32 DOC. Anexado ao SIM: metas 555 e e meta 554: G:/IMDOC/LL/Balloni/ETF.2M
: FORMAO DE JUNO METALURGICA
8.1.B - formao da juno metlica:
THERMCO M.B.
Forming gs: N2/10%H2. 0 H2 usado para ajuste da tenso de "threshold", realizando ligaes do tipo HSi, e consequentemente eliminando cargas presas na interface (M2/xido) e cargas presas no xido.
V - ACESSRIOS & MATERIAIS DE CONSUMO.

Para a fabricao de componentes e dispositivos eletrnico se faz necessrio o uso de acessrios e produtos qumicos especiais, com altssimo grau de qualidade. Como a maior parte dos acessrios e produtos qumicos usados na fabricao de semicondutores feita em pequena quantidade, seu custo representa uma pequena frao do custo de fabricao dos dispositivos eletrnicos. Os acessrios e produtos qumicos utilizados para fabricao de semicondutores podem ser divididos nas seguintes categorias: PRODUTOS QUIMICOS: substratos, fotorresistes, reveladores, promotores de adeso, produtos qumicos para limpeza :corroso mida/seca, metais para deposio de filmes finos, gases com alto grau de pureza, etc. ACESSRIOS: lminas de seis polegadas, wafer carrier (single and multiple - quartzo/PFA), storage box (caixa para armazenar lminas), pingas especiais (extremidades com teflon, para pegar lminas), vaccum pincettes (pingas a vcuo, para menor gerao de partculas), pingas manuais (revestidas com TFA), beakers (quartz/PFA), termmetros, process handle (para bancada qumica), papel e canetas para sala limpa, handles - squeeze style wafer shippers individual wafer trays chip trays individual wafer dippers beakers PFA/quartz tweezers pipettes thermometers Para o caso do substrato de silcio e, em particular para o caso da lmina metalizada at ao segundo nvel de metal-projeto ETF1-EB/GA, as principais caractersticas da lmina fornecida pela ES2 ( European Silicon Structures), esto apresentadas na seo I.1 . A seguir apresentamos uma lista de fornecedores de alguns materiais para processos de Microeletrnica. Note que a lista
do fornecedores no fechada i.e., outros fornecedores podero ser apresentados. Esta lista no est atualizada desde 1993.
LISTA DE FORNCEDORES DE MATERIAIS. Lminas pr-processadas: ES2 A/C: Franck Buonanno - Export Sales Engineer B&t 24 - Parc Burospace - 91572 Bi6ves Cedex IRP.ANCE PAX Nr.: 33 - 1 - 60190307. Lminas de Silcio (virgens): Wacker Chemitronic - Alemanha Hemlock - DOW Corning Corp. - USA Monsanto Company - USA Holiodinamica - BRASIL A/C: Dr. Bruno Toppel - Presidente PAX nr.: 011-79603511. 2. Fornecedores de vesturio para sala limpa: macaco, overshoes,.capuz e luvas de ltex (anti estticos), . Laporte do Brasil Ltda - A/C: Luiz Roberto S. Alves Av. Eng. Eus6bio Stevaux, 1771 Jurubatuba - SP/SP. CEP 04696 - 908 PAX 011-5244149 - Tel 011 - 2471966 3. Fornecedores de wafer carrier PFA (single and multiple), . 1501 Park Road - Chanhassen, Minnesota 55317 PHONE 612-4745282 FAX 612-4745399 . Fluoroware, INC. CORP. Headquarters 102 JONATHAN BOULEVARD NORTH, CHASKA MINNESOTA - 55318 USA FAX: 612/3688022 14485576 4. Fornecedor de vaccum pincettes e/ou pingas manuais revestidas com teflon,
. 311 South Spring Street, Suit 531, Los Angeles, Califrnia 90013. Phone 213/6252020 12105193
..Fluoroware, INC. CORP. Headquarters 102 JONATHAN BOULEVARD NORTH, CHASKA MINNESOTA - 55318 USA PAX: 612/3688022 /4485576 5. - APLICAO DE PPOMOTOR DE ADESO: EMS. (MOS:Rexa Metil Di Silana 6 um produto inflamvel e deve ser manuseado com toda precauo. Pode ser estocado na mesma sala dos fotorresistes). . American Hoescht Corp. Fornecedor no Brasil: Swisstec Tecnologia e Com6rcio de Comp. Eletr. Av. Brigadeiro Faria Lima Tel. 8154144 e 8154790 . Merck Electronic Chemicals. A/C.: Abel Baptistucci (Product Manager) Fornecedor no Brasil: QUIMITRA Com. e Indstria Qumica S/A. Rua Mazzini, 143 Cambuci - 01528 - SP/SP. 6. Fornecedores de Fotorresistes:
ARMAZENAMENTO: Os fotorresistes por serem substancias muito sensveis, devem ser armazenadas em salas onde a temperatura no ultrapasse ' 21 C Celsius (entre 10 a 21 C) . Nesta faixa de temperatura seu tempo de vida 6 de aproximadamente 1 ano. Devem se mantidos selados, longe de agentes oxidantes, luz , faiscas e, longe de reagentes qumicos. . American Hoescht Corp. Fornecedor no Brasil: Swisstec Tecnologia e Com6rcio de Comp. Eletr. Av. Brigadeiro Faria Lima Tel. 8154144 e 8154790 . Merck Electronic Chemicals. Fornecedor no Brasil: QUIMITRA Com. e Industria Qumica S/A. Rua Mazzini, 143 Cambuci - 01528 - SP/SP. 7. Fornecedores de reveladores: Existem dois tipos de reveladores: 0 "convencional' e o "metal ion free". Ambos silo fabricados pela Hoescht Corporation e pela Merck electronic Chemicals. ARMAZENAMENTO: Os reveladores devem ser armazenados longe do produtos qumicos cidos e solventes orgnicos. A temperatura deve ser mantida entre 17 2 C . mesmo fornecedor de MWS. 8. Fornecedor de alcool isopropilico:
. Baker VLSI / GRADE J.P. Baker B.V. Deventer HOLLAND.
VI - PERSPECTIVAS.
0 documento "Processo ETF1-EB/GA apresentou com algum detalhamento tcnico , lista de equipamento materiais & acessrios um fluxograma de processo baseado numa lmina de metal pr processada at ao segundo nvel de metal. Apesar deste documento ter sido intensamente discutido com pesquisadores do IMEC/ASP e, do IM/LMCI e da THOMPSON COMPOSANT SPATIAUX e, ter sido considerado realizvel, o mesmo no se encontra de forma absolutamente concluda. Se faz necessrio tambm a incluso das criticas de outros laboratrios do IM/CTI, bem como receitas e processos obtidas experimentalmente nos laboratrios do IM/FCTI. Finalmente, neste documentos precisa ainda ser includo o controle estatstico de processo e diagnsticos e projetos de experimentos. Em paralelo devemos estabelecer um cronograma de sua implantao com o propsito de se
gerar uma curva de aprendizagem necessria para a implantao do processo em lminas com dispositivos.
HIPOTESES DESEJVEIS PARA O PROJETO PROTOTIPAGEM RPIDA DE CIS: 1. Produzir CIs do tipo Gate Array com at 50000 portas lgicas e com tecnologia de 1.2 um. 2. Para os CIs citados acima, supe-se servir, simultaneamente, vrios nichos de mercados com expectativas mercadolgicas variando entre 1000 e 50000 CIs/ano. Aqui seria pertinente ouvir o Sr. Suado sobre Perspectiva de Mercado e competidores de acordo com ref. [07]. 3. Para a consecuo de 1. E 2. Acima, o Instituo de Microeletrnica se incumbir das etapas finais de processo envolvendo basicamente: metalizao (dois nveis), partindo de um inicialmente; litografia dos dois nveis, partindo de um inicialmente; deposio de camada dieltricas; 4. A produo dirio, considerando-se um turno, ser entre 10 e 20 lminas de 150mm (6). Quem fornecer estas lminas ? DAS HIPTESES ACIMA, TEMOS OS PRINCIPAIS OBJETIVOS A PROCURAR: 1. Analisar as possveis metodologias de Projeto, Tcnicas de Otimizao com base em Experimentos Projetados DOE/RSM (Software da BBN/RS1, sob responsabilidade pesquisador Balloni) e outras metodologias aplicveis de forma integrada ao P.P.R. e pertinente a cada laboratrio/etapa, visando obter um processo com menor custo; maior flexibilidade; todos os parmetros de um processo que possam interferir nos resultados de uma unidade de processo sejam conhecidos. Se no for possvel control-lo sua importncia dever ser minimizada (aplicao da ferramenta estatstica RSM/RS1) Avaliar a atual viabilidade tecnolgica das possveis solues em processo e equipamentos hoje disponveis. Desenvolver e melhorar as seqncias de etapas necessria para o processo DLM (ETF), apresentadas e divulgadas via este documento.
DINMICA PROPOSTA: 1. Estabelecer e ampliar a dinmica de cooperao entre os vrios laboratrios, propiciando a conciliao de interesses de atividades e facilitar treinamentos quando necessrio; 2. Ampliar o sinergismo da interao com outros laboratrios. Por exemplo, a utilizao do Sputterring da Telebrs (futuramente instalado no FCTI/IM), foi uma proposta surgida internamente do grupo envolvido, portanto de baixo para cima, e aceita pelo DIM.
SOLUES IMEDIATAS, NECESSRIAS: 1. Foram compradas 110 lminas da Heliodinmica de DIA=3. Estas lminas serviro de dummies wafer para os objetivos propostos; 1.a - 40 lminas de 3 depositadas com 1.2 um de Al, sem topografia. Aplicao de projeto e experimento para procura inicial de janela de processo; 1.b - 30 lminas de 3, com topografia (semelhante a gerada pelos Device Wafer), e recobertos com 1.2 um de Al. Aplicao de projeto e experimento para procura estabilizao da janela inicial de processo encontrada em 1.a; 1.c - 20 lminas dummies da ES2 para se estabilizar o processo em fase final a ser aplicado sobre as Lminas de Device [Mtodo das Respostas Superficiais] 2. END POINT DETECTOR: desembarao alfandegrio se faz necessrio. 3. CHUCK de 5: desembarao alfandegrio se faz necessrio. 4. Restaurar a aplicao metodolgica do Software RS1. Treinamento pode ser pertinente. 5. Iniciar processo de compra dos gases txicos: BCl3, PH3, e Cl2. Contatado fornecedores em 03/98 e obtida a devida ateno . Contato reiniciado em 22 de junho/1999e aguardando retorno. Novos contatos em andamento cobrando o anterior. 6. . Outras providncias, antecipadas, para uma consecuo eficaz do Projeto Prototipagem Rpida de CIs. 7. Delegao de atribuies, com responsabilidade, a servidores envolvidos.
VII - REFERNCIAS. [01] [02] A.J. BALLONI, "Especificao Bsica do processo ETF-2M/LE - PAM 302 E7 DOC. Nr 012 V.08 /Janeiro (1991). A.J. Balloni, E.L. Carpi, M.A. Schereiner, "Investigao do uso da fotoalinhadora da "Terra Universal" na .litografia de "PAD's de 100pm. R7 - PAM 302-33 02A10107/maro (1993). A J.Balloni, S.P. Cunha e M. Iacovacc, Integrao de Processos para o CA-200: Resultados Experimentais- maio/94 (1994). A.J. BALLONI e Alan Rey (*), "Dry Etching and DLM Process" Rel.Nr 07 - Written Report NR I,II,III,IV,V,VI,VII,VIII,IX,X,XI,XII - CTI/IM/LMCI IMECJASP (fevereiro a novembro de 1992). (1992). A J. Balloni, Integrao de Processos e a Prototipagem Rpida-LMCI/009/ (1994). A J. Balloni , Fluxograma de Processos ETF-2M - Mem. LMCI/Jan/91 (1991). Perspectiva de Mercado e Competidores: Projeto Prototipagem Rpida de CIs Mem. 097/99 - DIM -07/junho (1999). A J. Balloni - SIM: Metas 554 e 555 , Desenvolvimento do Processo Modular Seco, para ataque do Alumineo e preparao das amostras - maro/99 (1999).
[04]-
[05] [06] [07] [08] -

Processo Integrado Etf: Eb/ga. Prototipagem Rápida de Circuitos Integrados

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Este Trabalho foi publicado pela Sociedade Brasileira de Microeletrnica em Abril/2002. http://www.sbmicro.org.

Dr. A.J. BALLONI

PROCESSO INTEGRADO ETF: EB/GA. PROTOTIPAGEM RPIDA DE CIRCUITOS INTEGRADOS.

Incluso a essas etapas estruturais, esse processo possui:

VERSO FINAL GERADA EM: 12/05/94 CTI/IM/LMCI - Campinas/SP J.Balloni

VERSO FINAL GERADA EM: 12/05/94 CTI/IM/LMCI - Campinas/SP J.Balloni

INFORMAES BASICAS SOBRE PROCESSOS E EQUIPAMENTOS.

: 4 - 6 ohm cm (poder variar com o processo).

TIPO DE LIGA DO METAL : AlSiTi TOPOGRAFIA : Existir topografia quando

(isolante entre metais)

engenharia de processo do CTI/IM.

VERSO FINAL GERADA EM: 12/05/94 CTI/IM/LMCI - Campinas/SP J.Balloni

II - FLUXOGRAMA DE PROCESSO ETF1-EB/GA.

- INSPEO VISUAL DA LMINA .

1. < LITOGRAFIA M2 >

2 - ETAPAS DE FORMAO DAS INTERCONEXES

com chapa quente OU com forno 2.2 - PREPARAO DA CMARA

GASES: REMOO DA A12O3.

REMOO DA CAMADA DE A1203 (breakthrough).

3 - ETAPA DE REM0O DO RESISTE

4 - ETAPA DE DEPOSIO DA CAMADA DE PASSIVAO

4.1 - SINTERIZAO. 4.2 - DEPOSICAO DA CAMADA DE PASSIVAAO.

5 - ETAPA LITOGRFICA DOS PAD'S

5 - ETAPA LITOGRFICA DOS PAD'S

5.2.G - REVELA0. 5.2.H - INSPEO VISUAL. 5.2.I - CURA COMPLETA DO RESISTE.

6 - ETAPA DE ABERTURA DOS CONTATOS

6.1 - CORROSO MIDA.

7- ETAPA DE REMOCAO DO RESISTE

8 - ETAPA DE FORMAAO DA JUNO METLICA

VERSO FINAL GERADA EM: 12/05/94 CTI/IM/LMCI - Campinas/SP J.Balloni

III - EQUIPAMENTOS & RECEITAS.

0.1 - INSPEOVISUAL DA LMINA . REJEIO OU ACEITAO.

1. < LITOGRAFIA M2 > < LITOGRMIA M2 >

1.1 - LIMPEZA DO WAFER.

HEADWAY SPINNER HOT PLATE

APT9155 MEIJI OSI-2001

1.14 - TRANSPORTE. transportar lminas para o LMCI.

ETAPA DE FORMO DAS INTERCONEXES DO M2

PASSOS DE PROCESSOS: Para maiores informaes ver detalhamento tcnico-Seo IV.

2. < CORROSO A SECO >: CORROSO DO METAL 2: INTERCONEXES.

2.1 - SECAR LMINA

(DESIDRATA0). HOT PLATE

VERSO FINAL GERADA EM: 12/05/94 CTI/IM/LMCI - Campinas/SP J.Balloni

ETAPA DE REM0AO DO RESISTE

PASSOS DE PROCESSOS: Para maiores informaes ver detalhamento tcnico-Seo IV.

ETAPA DE DEPOSIO DA CAMADA DE PASSIVAO.

PASSOS DE PROCESSOS: Para maiores informaes ver detalhamento tcnico-Seo IV.

tS=10 min APCVD/VAPOX-5000

4.4 - TRANSPORTE. transportar lminas para o L.L.

ETAPA LITOGRFICA DOS PADS

PASSOS DE PROCESSOS: Para maiores informaes ver detalhamento tcnico-Seo IV.

WAFER WASHER E SPIN DRYER HOT PLATE

C.1 - com chapa quente Temperatura T = [120,140] C, tempo t = 90 seg.

OU [PROCESSO ALTERNTIVO] C.2 - com forno T = ?, t=15 min. OVEN

[3.0 , 3.5] um HOT PLATE

ORIELCORPORATION BANCADA QUMICA

APT 9155 MEIJI HOT PLATE

t = [20 , 30] seg. HEADWAY SPINNER HOT PLATE EBMF 10.5-20Kv

5.2.D - APLICAGAO DE PESISTE. Espessura: [3.0 , 3.5] um

APT 9155 MEIJI HOT PLATE

ETAPA DE ABERTURA DOS CONTATOS

PASSOS DE PROCESSOS: Para maiores informaes ver detalhamento tcnico-Seo IV.

WAFER WASHER SPIN DRYER