Curso de Eletrônica Básica Parte 2

ELETRONUCLEAR
Gerncia de Treinamento - GTR.O

TGM A2 Curso de Eletrnica Bsica - Apostila Setembro/00 132

A estrutura fsica do transistor propicia a formao de duas junes entre cristais P e N:
uma juno PN entre o cristal da base e o cristal do emissor, chamada de juno
base emissor (fig.23).

Fig.23
uma juno PN entre o cristal de base e o cristal do coletor, chamada de juno base
coletor (fig.24).

fig.24
Ao unirem-se as trs pastilhas semicondutoras de um transistor ocorre um processo de
difuso dos portadores. Como em um diodo, este processo de difuso da origem a uma
barreira de potencial em cada juno.
No transistor, portanto existem duas barreiras de potencial que se formam com a juno
dos cristais:
a barreira de potencial na juno base emissor
a barreira de potencial na juno base coletor
As figuras 25 e 26 mostram as maneiras de potencial nos dois tipos de transistor.

ELETRONUCLEAR


Fig.25 Fig.26
a) A juno base emissor
Na condio normal de funcionamento, denominada de funcionamento na regio ativa,
a juno base, emissor polarizada diretamente.

A conduo da juno base emissor provocada pela aplicao de tenso externa entre
base e emissor, com polaridade correta (tenso positiva no material P e negativa no
material N).
As figuras 27 e 28 mostram a polaridade das tenses de base e de emissor em cada tipo
de transistor.

Fig.27

Transistor na regio ativa:
juno base emissor polarizada diretamente

ELETRONUCLEAR


Fig.28
b) A juno base coletor
Na regio de funcionamento ativo, a juno base coletor polarizada inversamente.

O bloqueio da juno base coletor provocado pela aplicao de tenso externa entre
base coletor, com polaridade adequada (tenso positiva no material N e negativa no
material P).
As figuras 29 e 30 mostram a polaridade das tenses de coletor em relao a base em
cada tipo de emissor.

Fig.29

Transistor na regio ativa
Juno base coletor polarizada inversamente

ELETRONUCLEAR


Fig.30
c) Polarizao simultnea das duas junes
Para que o transistor funcione corretamente as duas junes devem ser polarizadas ao
mesmo tempo.
Isto pode ser feito aplicando duas tenses externas entre os terminais do transistor
(fig.31 e 32).

Fig.31

ELETRONUCLEAR


fig.32
OBSERVAO
As baterias representam as tenses de polarizao.
Pode-se ainda, obter a polarizao correta das junes utilizando outra configurao de
ligao das baterias.
A figura 33 mostra a forma alternativa de polarizao, tomando o transistor NPN como
exemplo.

Fig.33
Analisando a figura observa-se:
a bateria B
1
polariza a juno base emissor do transistor diretamente.

ELETRONUCLEAR


a bateria B
2
aplica um tenso positiva ao coletor maior que a tenso positiva da base.
Se o coletor mais positivo que a base ento a base mais negativa que o coletor de
forma que a juno base coletor fica polarizada inversamente (fig.34).

Fig.34

A alimentao simultnea das duas junes, atravs das baterias externas, d origem a
trs tenses entre os terminais do transistor.

o coletor mais positivo a base negativa em
que a base logo relao ao coletor

TRANSISTOR REGIO ATIVA
a juno base emissor deve ser polarizada diretamente
a juno base coletor deve ser polarizada inversamente

ELETRONUCLEAR


Tenso de base a emissor denominada de V
BE
(fig.35).

fig.35
Tenso de coletor a base, denominada de V
CB
(fig.36).

fig.36
Tenso de coletor a emissor denominada de V
CE
(fig.37).

Fig.37

ELETRONUCLEAR


Dispondo as trs tenses em uma mesma figura se observa que as tenses V
BE
+ V
CB

somadas so iguais a V
CE
(fig.38)

Fig.38
Para o transistor NPN a regra tambm vlida, invertendo-se apenas a polaridade das
baterias de polarizao (fig.39)

Fig.39
8.4 Principio de funcionamento do transistor bipolar
A aplicao de tenses externas ao transistor provoca o movimento dos eltrons livres e
lacunas no interior da estrutura cristalina.

ELETRONUCLEAR


O movimento dos portadores livres d origem a trs correntes que circulam nos trs
terminais do transistor (fig.40).

Fig.40
A corrente do terminal EMISSOR denominada de corrente de emissor representada
pela notao I
E
, a do terminal BASE de corrente de base (I
B
) e a do terminal COLETOR
de corrente de coletor (I
C
). Por conveno se estabeleceu que toda a corrente que entra
no transistor positiva e a corrente que sai negativa.
As figuras 41 e 42 mostram os dois tipos de transistor com as suas correntes.

Fig.41 Fig.42
O princpio bsico de funcionamento, que explica a origem das correntes no transistor
o mesmo para os transistores NPN e PNP.

ELETRONUCLEAR


Por esta razo usa-se estudar o princpio de funcionamento apenas de um tipo. O
comportamento do tipo no analisado semelhante, diferindo apenas na polaridade das
baterias e no sentido das correntes.
a) A corrente de base
A corrente de base provocada pela tenso aplicada entre a base e o emissor do
transistor (V
BE
).
Tomando-se como exemplo o transistor PNP, para analisar o efeito causado pela tenso
(V
BE
) tm-se:
- O potencial positivo aplicado ao emissor repele as lacunas do material P em direo
base (fig.43).

Fig.43
- Se a tenso (V
VE
) tiver adequado (0,6V para o silcio e 0,3V para o germnio) as
lacunas adquirem velocidade suficiente para atravessar a barreira de potencial formada
na juno base emissor , recombinando-se com os eltrons livres da base. Esta
recombinao d origem a corrente de base (fig.44).

Fig.44

ELETRONUCLEAR


Devido a pequena espessura da base e tambm do seu pequeno grau de dopagem a
recombinao acontece em pequena escala (poucos portadores que provm do emissor
podem se recombinar). Isto faz com que a corrente de base seja pequena, com valores
que situam na faixa de microampres ou miliampres.

Como o emissor fortemente dopado, um grande nmero de lacunas se desloca em
direo base, repelidos pela tenso positiva do emissor e atrados pela tenso negativa
da base.
A base, um grande nmero de lacunas atinge a base em grande velocidade e no se
recombina, por falta de eltrons livres disponveis (fig.45).

fig.45

I
B
pequeno valor

A corrente de base provocada pela aplicao de um
potencial V
BE
ao transistor. Esta corrente muito pequena
porque se deve recombinao de portadores na base.

ELETRONUCLEAR


b) A corrente de coletor
As lacunas provenientes do emissor que no se recombinam se caracterizam por serem
portadores minoritrios na base do transistor que de material M (lacunas presentes em
um material N so portadores minoritrios).
A barreira de potencial da juno coletor base favorece o deslocamento das lacunas da
base parra o coletor, onde existe um alto potencial negativo.
As lacunas que atinge o coletor, passando atravs da juno base coletor do origem
corrente de coletor (fig.46).

Fig.46
A corrente de coletor tem valores muito maiores que a corrente de base porque a grande
maioria das lacunas que partem do emissor no se recombinam sendo absorvidos pelo
coletor

I
C
>> I
B

I
C
muito maior que I
B

ELETRONUCLEAR


Em geral, do total de lacunas que entra no emissor de um transistor PNP apenas 5% ou
menos correspondem a corrente de base. Os restantes 95% (ou mais) corresponde a
corrente do coletor (fig.47).

Fig.47
c) A corrente de emissor
Analisando-se um transistor PNP e suas correntes se verifica:
a corrente de emissor entra no transistor
as correntes de base e coletor saem do transistor (fig.48)

Fig.48

ELETRONUCLEAR


A corrente de base formada por portadores que vem do emissor e recombinam na
base.
A corrente de coletor formada por portadores que vem do emissor e no se
recombinam, dirigindo-se ao coletor.
Conclui-se portanto a corrente de base como a corrente de coletor provm do emissor ,
de forma que se pode afirmar I
C
+ I
B
= I
E
(fig.49).

Fig.49
8.5 Controle da corrente de base sobre a corrente de coletor
A principal caracterstica do transistor reside no fato de que a corrente de base (pequena
corrente) exerce um controle eficiente sobre a corrente de coletor (I
C
).

Este controle se deve ao fato de que a corrente de base flui na largura de barreira de
potencial da juno base emissor.
Quando a tenso V
BE
aumenta, a barreira de potencial na juno base emissor torna-se
mais estreita (fig.50).
A corrente de base controla a corrente de coletor

ELETRONUCLEAR


Fig.50
O estreitamento da barreira de potencial entre base e o emissor permite que um maior
nmero de portadores do emissor atinjam a base.
Esta maior quantidade de portadores absorvida pelo coletor, uma vez que a base no
tem capacidade para recombin-los. Verifica-se ento um aumento na corrente de
coletor.
Concluso
I
B
aumenta I
C
aumenta
Por analogia pode-se afirmar:
I
B
diminui I
C
diminui
Isto significa que a corrente de base de um transistor atua como corrente de controle e a
corrente de coletor como corrente controlada.

Ganho de corrente do transistor

Atravs de um transistor possvel utilizar uma pequena corrente (I
B
) para controlar a
circulao de uma corrente de valor muito maior (I
C
) que a outra:

I
B
controle I
C

ELETRONUCLEAR


A corrente controlada (I
C
) e a corrente de controle (I
B
) podem ser relacionadas entre si
para determinar quantas vezes uma maior que a outra:

B
C
I
I

O resultado desta relao denominado tecnicamente de ganho de corrente contnua
entre base e coletor, representado pela letra grega | (BETA) em corrente contnua ou
h
FE
.

Conhecendo-se o ganho de corrente entre base e coletor do transistor (|
DC
) possvel
determinar a corrente de coletor partir da corrente de base:

importante salientar que o fato do transistor permitir um ganho de corrente entre base
e coletor no significa que sejam geradas ou criadas correntes no seu interior. Todas as
correntes que circulam em um transistor so provenientes da fonte de alimentao,
cabendo ao transistor apenas controlar a quantidade de corrente fornecida por estas
fontes.

8.6 Circuito de coletor
uma pequena
corrente I
B

CONTROLA
uma corrente
I
C
muito maior
resulta em um nmero que indica quantas
vezes a corrente de coletor maior que a
corrente de base
h
FE
ou |
DC
=
B
C
I
I

ganho de corrente contnua
entre base e coletor
|
DC
=
B
C
I
I

I
C
= |
DC
. I
B

transistores no geram correntes, atuando apenas como
controladores das quantidades de correntes fornecidas pelas
fontes de alimentao.

ELETRONUCLEAR


Na grande maioria dos circuitos transistorizados o coletor do transistor conectado a
fonte de alimentao atravs de um resistor, denominado de resistor de coletor,
geralmente abreviado por R
C
(fig.51)

Fig.51
O resistor de coletor completa o CIRCUITO ou MALHA DE COLETOR, que o
composto pelo grupo de componentes onde circula a corrente de coletor (fig.52).

Fig.52

ELETRONUCLEAR


Observando a figura 2 se verifica que a malha de coletor se compe do resistor de
coletor R
C
em srie com o transistor (coletor-emissor), aos quais est aplicada a tenso
V
CC
.
Tendo um circuito serie , a malha de coletor obedece a segunda lei de Kirchhoff que
estabelece que a soma das quedas de tenso em um circuito igual a tenso aplicada a
seus extremos.
Uma parcela sobre o resistor de coletor, denominada de queda de tenso no resistor de
coletor, V
RC
.
Uma parcela entre coletor e emissor do transistor (V
CE
), conforme a figura 53.

Fig.53
Conforme estabelece a lei Kirchhoff, a soma das quedas de tenso nos componentes a
malha de coletor igual a tenso aplicada malha. A partir disto, pode-se determinar a
equao da malha de coletor.

Analisando particularmente cada um dos membros da equao da malha de coletor tm
se:
V
CC
a tenso fornecida pela bateria ao circuito. Desconsiderando-se a influncia da
resistncia interna pode-se admitir que V
CC
tem um valor constante independente da
corrente que o circuito solicitar.
V
CC
= V
CE
+ V
RC

EQUAO DA
MALHA DE COLETOR

ELETRONUCLEAR


V
RC
e a queda de tenso no resistor de coletor. O valor desta queda de tenso,
segundo a Lei de Ohm, depende de dois fatores: do valor do resistor (RC) e da corrente
que est circulando (I
C
).

Esta expresso matemtica nada mais do que a lei de Ohm aplicada ao resistor de
coletor.
V = R . I

V
RC
= R
C
. I
C
A queda de tenso no resistor de coletor (V
RC
) tem como principal caracterstica o fator
de ser proporcional a corrente de coletor do transistor.
Se a corrente de coletor se torna maior (I
C|
) a queda de tenso sobre o resistor de coletor
aumenta (R
C
. IC
|
= V
RC

|
).

V
CE
A tenso coletor emissor o ltimo membro da equao da malha de coletor. O
valor de V
CE
a resultante da equao. V
CE
depende da tenso de alimentao e da
queda de tenso em RC:

V
CC
= V
CE
+ V
RC
operando tem-se

Atravs de um exemplo pode-se ilustrar o emprego das equaes da malha de coletor.
V
RC
= R
C
+ I
C

Equao da queda de tenso
no resistor de coletor

A queda de tenso no resistor de coletor
(V
RC
) proporcional a corrente de coletor
(I
C
).
V
CE
= V
CC
- V
RC

Tenso coletor emissor
do transistor

ELETRONUCLEAR


Um transistor com resistor de coletor de 680O tem uma corrente de coletor de 6mA. A
bateria fornece uma tenso de 12V a malha de coletor. Qual a queda de tenso do
resistor de coletor e a tenso coletor emissor do transistor.
A figura 54 mostra o esquema da malha de coletor citada.

Fig.54

A figura 55 apresenta novamente a malha de coletor com os valores, de tenso em cada
elemento.

Fig.55
a) Relao entre os parmetros I
C
, V
CE
e I
B

Queda de tenso no
resistor de coletor
V
RC
= V
CC
- V
RC
V
CE
= 12V - 4,1V
V
CE
= 7,9V

ELETRONUCLEAR


Ao considerar que a queda de tenso V
RC
depende de I
C
, se afirma que V
RC
depende
tambm

de I
B
. Desenvolvendo a equao da queda de tenso no resistor de coletor tm-
se:
( )

C
I
B
C
. I .
. I como .
|
|
|
C RC
C C RC
R V
I I R V
=
= =

Nesta equao os valores de R
C
e | so constantes, logo pode-se dizer que o valor da
queda de tenso no resistor de coletor depende diretamente da corrente de base.
Tomando-se um circuito a transistor com duas correntes de base diferentes se pode
verificar a relao entre os valores de I
R
, I
C
, V
RC
e V
CE
.
A figura 56 apresenta o circuito usado como exemplo.

Fig.56
OBSERVAO
O resistor R
B
na base do transistor serva para limitar a corrente de
base do transistor.
Admitindo-se como primeiro valor de corrente de base 40A os valores do circuito so:
I
C
= I
B
. | I
C
= 40A . 100
V
RC
= I
C
. R
C
V
RC
= 0,004A . 820O
V
CE
= V
CC
V
RC
V
CE
= 10V 3,3V

A figura 57 mostra o circuito com o valores obtidos com 40A na base do transistor.
I
C
= 4mA
V
RC
= 3,3V
V
CE
= 6,7V

ELETRONUCLEAR


Fig.57
Admitindo-se um segundo valor de corrente de base 70A os valores do circuito so:
I
C
= I
B
. | I
C
= 70A . 100
V
RC
= I
C
. R
C
V
RC
= 0,007A . 820O
V
CE
= V
CC
V
RC
V
CE
= 10V 5,8V

A figura 58 mostra o circuito com os valores obtidos com 70A na base do transistor.

Fig.58
Colocando os dados do circuito nas duas situaes em uma tabela se observa o
comportamento dos valores I
C
, V
RC
e V
CE
quando a corrente de base modificada.
I
C
= 7mA
V
RC
= 5,8V
V
CE
= 4,2V

ELETRONUCLEAR


Corrente de base
I
BC

Corrente de coletor
I
C

Queda de tenso no
resistor de coletor
V
RC

Tenso coletor
emissor do transistor
40A 4mA 3,3V 6,7V
70A 7mA 5,8V 4,2V

Pela tabela se verifica que:
Se I
B
aumenta I
C
aumenta
Se I
C
aumenta V
RC
aumenta
Se V
RC
aumenta V
CE
diminui
Relacionando apenas os dados relativos ao transistor pode se resumir o comportamento
do circuito assim:

Figura
Considerando-se que a corrente de base I
B
depende da tenso V
BE
pode-se incluir mais
este parmetro no comportamento do transistor:

V
BE

|
I
B

|
logo
V
BE

+
I
B

+

ELETRONUCLEAR


Relao entre parmetros do transistor

8.7 Dissipao de potncia no transistor
Todo o componente sujeito a uma diferena de potencial e percorrido por uma corrente
eltrica dissipa uma determinada potncia (P = V . I).
Pode-se citar, por exemplo, uma lmpada que ao receber tenso sobre seus terminais
percorrido por uma corrente, dissipando energia em forma de luz e calor.
Nos transistor tambm existe uma dissipao de potncia. A circulao de corrente
eltrica atravs das junes do transistor, provocada pela aplicao de tenses aos seus
terminais, d origem a uma dissipao de potncia no interior do componente.
Esta dissipao se d em forma de energia trmica, ou seja, produo de calor,
resultando em um aquecimento do transistor.
a) Dissipao nas junes
A dissipao de potncia, em forma de calor, ocorre nas duas junes do transistor.
Estas potncias dissipadas so denominadas de Potncia de coletor (P
C
) e Potncia de
base (P
B
).
A potncia total dissipada no transistor , portanto:
Potncia total = P
C
+ P
B

Entretanto, analisando as tenses e correntes presentes nas duas junes verifica-se que
a tenso e corrente presentes na juno base emissor (V
BE
e I
B
) so muito pequenas,
comparadas com a tenso e corrente presentes na juno coletor base (V
CB
e I
C
) (fig.59).

Fig.59
V
BE

|
I
B

|
I
C

|
V
CE

+

V
BE

+
I
B

+
I
C

+
V
CE

|

ELETRONUCLEAR


Por esta razo, a potncia dissipada na juno base emissor muito pequena comparada
com a potncia dissipada na juno base coletor.
Potncia total = P
C
+ P
B.

Assim, a potncia dissipada na base do transistor desprezada e se considera que a
potncia total dissipada no transistor a prpria potncia dissipada no coletor:
P
TOTAL
= P
C

A potncia de coletor depende da tenso de coletor base (V
CB
) e da corrente de coletor
(I
C
):
P
C
= V
CB
. I
C

Por questes de facilidade prtica e objetivando a resoluo de circuitos transistorizados
atravs de curvas caractersticas, esta equao substituda por outra aproximada, cujo
erro desprezvel.

8.8 Dissipao mxima no transistor
O calor produzido pela dissipao de potncia (P
C
= V
CE
. I
C
) provoca a elevao da
temperatura dos cristais semicondutores que compe o transistor, podendo lev-lo a
destruio.
OBSERVAO
Os cristais dos transistores de germnio no devem
ultrapassar a temperatura de 90C e dos transistores de silcio
no devem ultrapassar 120C.
Para que o transistor no seja destrudo pelo aquecimento excessivo do cristal a potncia
dissipada limitada nos manuais e folhetos tcnicos.

Fatores que influenciam na dissipao mxima.
muito pequena comparada com P
C

P
C
= V
CE
. I
C

Potncia total dissipada
no transistor

Potncia de dissipao mxima o limite de
dissipao que um transistor pode suportar
sem sofrer danos por sobreaquecimento.

ELETRONUCLEAR


O limite de dissipao estabelecido em funo de dois fatores:
a) resistncia trmica do encapsulamento
b) temperatura externa ao transistor
a) Resistncia Trmica
A resistncia trmica consiste na oposio apresentada por um material ao fluxo do
calor.
Em termos de transistor, a resistncia trmica do encapsulamento, representada pela
notao Rthj-a, diz respeito a oposio imposta pela encapsulamento a transmisso do
calor gerador internamente para o meio ambiente (fig.60).

Fig.60
Os transistores fabricados para capacidade de dissipao mais elevada (denominados de
transistores de potncia) so normalmente encapsulados em invlucros metlicos
(fig.61).

Fig.61
Os encapsulamentos metlicos se caracterizam por apresentar uma baixa resistncia
trmica, transmitindo com mais eficincia o calor para o meio ambiente.

ELETRONUCLEAR


Os transistores de baixa dissipao (denominados transistores de sinal) encapsulados em
invlucros plsticos (fig.62).

fig.62
Os encapsulamentos plsticos so utilizados nestes transistores porque a quantidade de
calor gerada na estrutura pequena.
b) Temperatura externa ao transistor
Alm da resistncia trmica, a transmisso de calor entre dois pontos depende tambm
da diferena de temperatura entre estes pontos.
Para que haja transmisso um ponto deve estar a temperatura mais alta que o outro
(fig.63).

Fig.63
A quantidade de calor transmitida maior quando a diferena de temperatura grande
entre os dois pontos, e menor quando a diferena pequena. Isto explica por exemplo
porque uma xcara de caf esfria mais rapidamente no inverno que no vero. A partir
desta dependncia entre a quantidade de calor transmitido e a diferena de temperatura
se conclui que:

A quantidade de calor transmitida da juno do
transistor para o ambiente depende da diferena
de temperatura entre a juno e o ambiente.

ELETRONUCLEAR


Quanto mais baixa a temperatura do ambiente, melhor a transmisso de calor do interior
do transistor para fora, menor o seu aquecimento.
Assim, dois transistores trabalhando com as mesmas tenses e correntes (mesma
potncia dissipada P
C
) iro sofrer aquecimentos diferentes se estiverem funcionando em
temperaturas diferentes.
O transistor que estiver funcionando em um ambiente mais quente sofrer maior
aquecimento porque a quantidade de calor transmitida para fora menor.

Por exemplo:
Transistor BC547 Potncia de dissipao mxima 50 mW 25C ou menos
OBSERVAO
As potncias de dissipao mxima fornecidas pelos
fabricantes sempre so referentes a temperatura de 25C, a
menos que haja outra temperatura indicada
especificamente.
c) Reduo da potncia dissipada em funo do aumento de temperatura ambiente
Em muitas ocasies se faz necessrio utilizar transistores em circuitos que iro
funcionar em temperaturas superiores a 25C.
Nestas ocasies necessrio considerar que o valor de potncia de dissipao mxima
fornecida pelo fabricante no pode ser empregado porque vlido somente at 25C.
O aumento de temperatura ambiente pode ser compensado, fazendo com que o
transistor dissipe uma potncia menor, gerando uma menor quantidade de calor,
internamente e evitando a destruio por aquecimento excessivo.

O grau de reduo que a potncia nominal deve sofrer em funo do aumento de
temperatura varia de transistor para transistor.

Devido a influncia da temperatura na transmisso de
calor a especificao de potncia mxima de dissipao
do transistor dada em funo da temperatura.
Temperatura
ambiente maior que
25C
Potncia de dissipao
menor que o valor nominal
(a 25C)

ELETRONUCLEAR


Os fabricantes fornecem um grfico de dissipao total de potncia em funo da
temperatura ambiente (P
TOT
= T
AMB
) que indica a potncia mxima no transistor para os
diversos valores de temperatura ambiente (fig.64).

Fig.64
A figura 65 ilustra o emprego do grfico, determinando a potncia de dissipao
mxima dos transistores BC546, BC547, BC548 para uma temperatura ambiente de
50C.

Fig.65

ELETRONUCLEAR


8.9 Correntes de fuga no transistor
Os transistores so fabricados com materiais semicondutores P e N. Estes materiais
sofrem um processo de purificao e dopagem para conterem as lacunas e eltrons
livres.
Entretanto, os materiais P e N no so perfeitamente puros, de forma que cada material
contenha apenas um tipo de portadores.
O material tipo P apresente uma grande quantidade de lacunas e apenas uma pequena
quantidade de eltrons livres. Por esta razo, no material P, as lacunas so denominadas
de portadores majoritrios (principais) e os eltrons livres de portadores minoritrios
(fig.66).

Fig.66
O material do tipo N apresente uma grande quantidade de eltrons livres, que so os
portadores majoritrios e um pequeno nmero de lacunas que so os seus portadores
minoritrios (fig.9).

Fig.67

ELETRONUCLEAR


A existncia dos portadores minoritrios nos materiais semicondutores se deve
fundamentalmente a dois fatores:
- imperfeio nos processos de purificao dos cristais que sempre apresentam um
pequeno grau de impurezas.
- a ruptura das ligaes qumicas pela energia trmica (aquecimento) (fig.68).

Fig.68
Movimento dos portadores minoritrios
Os portadores minoritrios sofrem a influncia das tenses externas aplicadas ao
componente semicondutor, movimentando-se no interior da estrutura cristalina.
Como nos caso dos diodos, o movimento dos portadores minoritrios s importante
quando a juno entre os cristais est inversamente polarizada.
No caso dos diodos, durante a polarizao inversa, o movimento dos portadores
minoritrios d origem a uma pequena corrente de fuga (fig.69).

Fig.69

ELETRONUCLEAR


Nos transistores o movimento dos portadores importante apenas na juno base-
coletor porque esta juno est normalmente com polarizao inversa (fig.70)

Fig.70
O movimento dos portadores minoritrios na juno base coletor, inversamente
polarizada, d origem a uma pequena corrente de fuga entre base e coletor (fig.71).

Fig.71
Esta corrente representada pela notao I
CBO
que significa: corrente de fuga entre
coletor e base com emissor aberto (fig.72).

Fig.72

ELETRONUCLEAR


Influncia de ICBO na corrente de coletor
A corrente de coletor depende diretamente da corrente de base. Esta dependncia est
matematicamente expressa na equao que define o ganho de corrente do transistor.

Operando esta equao se obtm a expresso para determinao de I
C
a partir de I
B
:

A partir desta equao se verifica que com corrente de base I
B
= 0 a corrente de coletor
I
C
:
I
C
= |
DC
. I
B
se I
B
= 0
Ou seja, quando h corrente de base a corrente de coletor deve ser nula. Entretanto na
prtica isto no ocorre. Aplicao de tenso e coletor e emissor do transistor (VCE),
mesmo sem corrente de base (I
B
= 0) provoca a circulao de uma pequena corrente de
coletor denominada de corrente de fuga entre coletor e emissor com a base aberta,
representada pela notao ICE (fig.73).

Fig.73

I
C
= |
DC .
I
B

|
X
=
B
C
I
I

I
C
= |
DC .
I
B

|
X
=
B
C
I
I

I
C
= |
DC .
0 = 0
HFE = |DC =
B
I
Ic

ELETRONUCLEAR


Esta corrente de saturao reserva (ICE0) provocada pela corrente de fuga ICB0. Ai
circular atravs da juno base coletor a corrente ICB0 provoca uma recombinao de
portadores na base que tem um efeito resultante semelhante a aplicao de corrente de
base no transistor, gerando a corrente ICE0.
ICE0 , portanto, uma corrente aproximadamente | (BETA) vezes maior que ICB0.

Este fator tem determinado uma crescente utilizao dos transistores de silcio em
substituio aos transistores de germnio.
8.10 Disparo trmico
O disparo trmico, tambm denominado de AVALANCHE TRMICA, um fenmeno
que ocorre no transistor devido a corrente de fuga I
CBO
e que pode lav-los a destruio
por aquecimento excessivo
A medida em que o transistor funciona em um circuito eletrnico ocorre um
aquecimento das junes, pela dissipao de potncia (P
C
= V
CE
. I
C
).
O aquecimento da juno provoca um aumento na corrente de fuga I
CBO
. Como a
corrente do coletor composta de duas parcelas I
C =
BI
B
+ BI
CBO
o aumento de I
CBO

resulta em I
C
maior.
Com I
C
maior a potncia dissipada aumenta (V
CE
. I
C|
= P
C |
) e o transistor sofre novo
aquecimento. A maior temperatura da juno provoca novo aumento em I
CBO
.
A equao mostra que a corrente de fuga ICBO amplificada pelo transistor da mesma
forma como corrente de base.
Nos circuitos a transistor a corrente ICE0 (provocada pela corrente de fuga ICB0) e a
corrente I
C
(provocada pela corrente de base I
B
), circulam ao mesmo tempo no terminal
coletor do transistor (fig.74).

Fig.74
ICE0 = ICB0 . |
DC

ELETRONUCLEAR


Conclui-se, ento, que a corrente real de coletor de um transistor sempre a soma destas
duas correntes.

OBSERVAO:
A corrente de fuga entre coletor e emissor com a base aberta
ICE0 , em valor exato, igual a ICB0 (| + 1). Porm devido ao
fato de |
DC
dos transistores ser normalmente elevado (maior que
100) pode-se na prtica desprezar o acrscimo da unidade
considerando ICE0 ICB0 x |
DC
.
8.11 Influncia da temperatura na corrente de coletor
O aquecimento um dos fatores responsveis pela gerao de portadores minoritrios
nos materiais semicondutores, provocando o rompimento das ligaes covalentes do
cristal.
A partir do momento em que um transistor sofre um aumento de temperatura o maior
nmero de portadores minoritrios na estrutura provoca um aumento na corrente de fuga
ICB0 ( que constituda pelo movimento destes portadores).
A figura 75 apresenta uma curva caracterstica de transistor que mostra o
comportamento da corrente de fuga ICB0 frente as variaes de temperatura.

Fig.75
I
C
= (|
DC
. I
B
) + (|
DC
. I
CB0
)

ELETRONUCLEAR


Atravs desta curva verifica-se claramente que a corrente ICB0 aumenta a medida que a
temperatura do transistor se torna mais elevada. A corrente de fuga ICB0 dobra a cada
10C aproximadamente nos transistores de silcio e 6C nos de germnio. Uma vez que
parte da corrente de coletor causada por ICB0 (I
C
= I
B
. | + ICB0 . |) os aumentos de
ICB0 provocados pelo aumento de temperatura do transistor se refletem num acrscimo
de I
C
.

8.12 Silcio versus germnio
Embora a variao da corrente de fuga ICB0 com a temperatura seja aproximadamente
a mesma (a cada 6C no germnio e 10C no silcio), os transistores de silcio se
caracterizam por apresentarem um valor inicial de ICB0 at 500 vezes menores do que
os transistores de germnio na mesma temperatura.
Fecha-se um crculo vicioso:

Nesta condio o transistor pode provocar uma auto destruio. Por este motivo deve-
se sempre que possvel, evitar que os transistores trabalhem prximo sua potncia
mxima de dissipao.

A corrente de coletor do transistor sofre influncia
da temperatura devido as variaes de I
CB0

ELETRONUCLEAR


8.13 Configuraes de ligao do transistor
No transistor a corrente de base atua como corrente de controle, determinando a
corrente de coletor que poderia ser denominada de corrente controlada.
Em princpio, a circulao de duas correntes de valores diferentes em um componente
pressupe a existncia de quatro terminais (dois terminais para cada corrente) (fig.76).

Fig.76
Como o transistor no dispe de quatro terminais (dois de entrada e dois de sada) sua
ligao aos circuitos eletrnicos feita de forma que um dos terminais seja comum ao
circuito de entrada e de sada simultaneamente.
a) Configurao emissor comum
Quando o terminal emissor utilizado como terminal comum, a forma de ligao do
transistor denominada tecnicamente de Configurao de emissor comum (fig.77).

Fig.77

ELETRONUCLEAR


OBSERVAO
As baterias de polarizao no foram colocadas para dar maior clareza a figura.
b) Configurao de base comum
Quando a base utilizada como terminal comum, a forma de ligao do transistor
denominada de configurao de base comum (fig.78).

Fig.78
c) Configurao de coletor comum
a denominao dada a forma de ligao em que o coletor do transistor comum a
entrada e a sada do circuito (fig.79).

Fig.79
d) Curvas caractersticas de um transistor
Quando se analisa o comportamento de um componente eletrnico procura-se colocar
este componente sob as mais diversas situaes em termos de correntes e tenses.
No diodo semicondutor, por exemplo, a corrente circulante depende do valor e da
polaridade da tenso aplicada aos seus terminais.
Assim , por exemplo, como o diodo Zener. Aplicam-se diversos valores de tenso
direta e reversa aos seus terminais e mede-se a corrente circulante.

ELETRONUCLEAR


A figura 80 mostra a curva caracterstica de um diodo Zener.

fig.80
O comportamento do transistor tambm expresso atravs de curvas caractersticas. As
curvas caractersticas so grficos obtidos atravs de medidas eltricas no transistor em
vrios circuitos, sob condies de tenses e corrente controladas.
As curvas caractersticas do transistor assumem grande importncia no projeto de
circuitos porque expressam o comportamento do componente em uma ampla faixa de
condies de funcionamento, levando em considerao a forma como o transistor est
ligado.
e) Parmetros eltricos nas curvas caractersticas do transistor
Nos componentes semicondutores com apenas dois terminais (diodo semicondutor,
diodo Zener) so necessrios apenas dois parmetros eltricos para expressar o
comportamento em grfico:
- tenso entre os dois terminais (ex.: V
D
).
- corrente no dispositivo (Ex.: I
D
).
No transistor, pelo fato de serem 3 terminais, existem 6 valores em jogo:
I
C
= corrente de coletor
I
B
= corrente de base
I
E
= corrente de emissor
V
BE
= tenso de base a emissor
V
CE
= tenso de coletor a emissor
V
CB
= tenso de coletor a base

ELETRONUCLEAR


A figura 81 mostra os parmetros eltricos do transistor.

Fig.81
Com base neste valores e ainda outros no eltricos, tais como a temperatura, podem ser
levantadas uma srie de curvas caractersticas que expressam o comportamento do
transistor nas mais diversas condies.
8.14 Curvas caractersticas na configurao de emissor comum
A configurao de ligao do transistor mais utilizada a de emissor comum, razo pela
qual as curvas caractersticas dos transistores, fornecidas pelos fabricantes, so relativas
a esta forma de ligao.
A figura 82 mostra um esquema ilustrativo de um emissor comum quatro parmetros
so fundamentais:

V
BE
, I
B
, V
CE
e I
C

Os valores V
BE
e I
B
so denominados de parmetros de entrada e os valores V
CE
e I
C
de
parmetros de sada da configurao emissor comum.
Portanto, para representar atravs de grficos o comportamento do transistor em emissor
comum so necessrias duas curvas caractersticas:

ELETRONUCLEAR


uma que expressa o comportamento dos parmetros da entrada do
transistor, denominada de CURVA CARACTERSTICA DE
ENTRADA.
uma que expressa o comportamento dos parmetros de sada,
denominada de CURVA CARACTERSTICA DE SADA.
a) Caracterstica de sada do transistor em emissor comum
Do conjunto de curvas caractersticas que pode ser levantado a parti dos valores
eltricos do transistor a curva que assume maior importncia a curva caracterstica de
sada, tambm denominada de caracterstica de coletor.
Os parmetros de sada do transistor so I
C
e V
CE
. Entretanto, sabe-se que os valores
V
CE
e I
C
dependem do valor de I
|
.
A curva caracterstica de sada construda de forma a permitir que se relacionem as
grandezas I
C
, V
CE
e I
|
em um nico grfico.

A figura 83 mostra a caracterstica de sada do transistor BC 547.

Fig.83
RELAO
I
|
I
C
V
CE

CARACTERSTICA
DE SADA EM
EMISSOR COMUM

ELETRONUCLEAR


As curvas mostram a dependncia da corrente de coletor (I
C
) em funo da tenso
coletor emissor, mantendo a corrente de base em um valor constante. Nos manuais esta
curva identificada com I
CF
(V
CE
) I
B
parmetros (l-se: corrente de coletor em funo da
tenso coletor emissor para valores fixos de corrente de base).
Deve-se observar que nos transistores PNP os parmetros nas curvas so negativos: -I
B
,
e V
CE
(as correntes I
B
e I
C
no transistor PNP saem do transistor e o coletor negativo
com relao ao emissor) (Fig.84 e 85)

Fig.84 Fig.85
Outro aspecto importantssimo a ressaltar com relao as curvas caractersticas
fornecidas pelo fabricante de um transistor que estas curvas representam o
comportamento mdio de um grande nmero de transistores testados.
Isto significa que, na prtica, o comportamento do componente pode apresentar alguma
diferena com relao a curva.

As curvas caractersticas fornecidas por um fabricante
representam o comportamento mdio de um grupo de
componentes de mesma especificao

ELETRONUCLEAR


b) Aplicao da caracterstica de sada em emissor comum
A caracterstica de sada em emissor comum encontra a sua maior aplicao na
determinao das condies de funcionamento de um transistor em um circuito.
Dispondo de valores do circuito tais como a tenso de alimentao e o valor do resistor
de coletor traa-se a reta de carga que permite determinar graficamente o
comportamento transistor em um circuito.
Reta de Carga
A reta de carga traada sobre a curva caracterstica de sada do transistor, permitindo
que se determine graficamente as tenses presentes sobre o transistor e sobre o resistor
de coletor em funo da corrente de base (fig.86).

Fig.86
c) Traado da reta da carga
O traado da reta de carga leva em conta dois fatores:
- a tenso de alimentao do circuito.
- o valor do resistor de coletor
Isto significa que para cada transistor, e em cada circuito, existe uma reta de carga
especfica.

ELETRONUCLEAR


Para traar a reta de carga utilizam-se dois pontos que ocorrem em duas situaes
especiais do transistor:
- ponto de corte
- ponto de saturao
O ponto de corte a situao em que o transistor est sem corrente de base.
Usando as equaes do transistor se verifica o seu comportamento nesta situao:

I
C
= I
|
. | como I
|
= 0 I
C
= 0
V
CR
= I
C
. R
C
como I
C
= 0 V
RC
= 0
V
CE
= V
CC
- V
RC
como V
RC
= 0 tem-se V
CE
= V
CC

Estes dois valores representam um ponto na curva caracterstica de sada do transistor.
Tomando como exemplo o circuito da figura 87 o ponto de corte fica na posio
mostrada na figura 88.

Fig.87 Fig.88
V
CE
= V
CC
I
C
= 0

ELETRONUCLEAR


Este um dos pontos da reta de carga.
O ponto de saturao a situao em que se aplica ao transistor ruma corrente de base
suficiente para fazer com que a tenso de coletor a emissor caia praticamente a zero.
Considerando a tenso de coletor a emissor como zero tem-se:
VCE = VCC - VRC como VCE = 0 VRC = VCC
VRC = IC . RC
C
RC
C
R
V
I = como VRC = VCC
C
CC
C
R
V
I =
Na situao se saturao a corrente de coletor assume o seu valor mximo, como se o
resistor de coletor estivesse ligado diretamente a fonte de alimentao.. Esta valor de
corrente de coletor denominado de CORRENTE DE SATURAO.

No circuito tomado como exemplo a tenso de alimentao de 30V e o resistor de
coletor de: 470O. Portanto a corrente de saturao :
ICsat = mA
V
R
V
sat sat
C
CC
63 I
470
30
I
C C
=
O
=

Estes dois valores do origem a outro ponto sobre a curva caracterstica do transistor
(fig.89).

Fig.89
I
Csat
=
Rc
V
CE

V
CE
~ 0 I
C
= 63 mA

ELETRONUCLEAR


importante salientar que tanto o ponto de corte como o de saturao dependem
fundamentalmente da tenso de alimentao e do valor do resistor de coletor. Caso
estes valores sejam modificados, os pontos de saturao e corte tem a sua posio
alterada sobre a curva caracterstica.

Este o segundo ponta da reta de carga. Unindo os dois pontos tm-se a reta de carga
do circuito usado como exemplo (fig. 90 e 91).

Fig.90 Fig.91
Esta reta de carga serve apenas para o circuito apresentado: transistor BC 547, V
cc
=
30V e R
C
= 470O.
Caso o transistor, a alimentao ou o valor do resistor de coletor sejam modificados
deve-se traar outra reta de carga de acordo com os novos dados.
d) Aplicao da reta de carga
Uma vez traada a reta de carga pode-se determinar graficamente os valores da tenso
V
CE
, da tenso sobre o resistor de coletor e da corrente de coletor do transistor, para
cada valor de corrente de base.

Os pontos de saturao e corte dependem da tenso
de alimentao e do valor do resistor de coletor

ELETRONUCLEAR


Tomando-se o circuito de exemplo (transistor BC 547, V
CC
= 30V e R
C
= 470O) pode-
se determinar as tenses e correntes na malha de coletor quando a corrente de base for,
por exemplo 100A.
A resposta obtida atravs do ponto de encontro entre a reta de carga e a curva de
corrente de base 0,1mA (fig.92).

Fig.92
Projetando o ponto encontrado at o eixo horizontal encontra-se o valor do V
CE
do
transistor (fig.93)

Fig.93
V
CE
= 13V

ELETRONUCLEAR


Encontra-se tambm a tenso sobre o resistor de coletor do circuito (fig.94).

Fig.94
Projetando o ponto encontrado at o eixo vertical, encontra-se a corrente de coletor do
transistor (fig.95).

Fig.95

V
RC
= 17V
I
C
= 35 mA

ELETRONUCLEAR


A seguir, esto apresentados dois exemplos de reta de carga e determinao de
parmetros de um circuito atravs da curva caracterstica de sada.

Fig.

fig.

ELETRONUCLEAR


8.15 Ponto de Operao
Ponto de operao ou ponto quiescente a denominao dada ao conjunto de valores de
tenso e corrente que se estabelecem automaticamente em um circuito a partir da sua
alimentao.
A figura 96 mostra um circuito com um transistor no ponto de operao:
V
CE
= 10V
V
RC
= 14V
I
C
= 52Ma

Fig.96
Uma vez estabelecidos os valores do ponto de operao, se nenhuma modificao for
realizada no circuito, os valores permanecero constantes.
A escolha correta do ponto de operao fundamental, na medida em que todo o
funcionamento do circuito se dar em torno das condies estabelecidas por este ponto.
a) Influncia do ponto quiescente no circuito
O ponto de funcionamento determina, em outras palavras, a condio normal de
funcionamento de um circuito, que se estabelece a partir da alimentao.
A importncia do ponto de operao de um circuito eletrnico pode ser comparada, por
exemplo, a importncia do ajuste da posio de referncia do trao do osciloscpio para
uma medida de tenso CC.

ELETRONUCLEAR


Se a referncia est mal ajustada, todas as medidas realizadas esto erradas. O mesmo
ocorre com os circuitos eletrnicos. Se o ponto de operao estiver mal posicionado,
todo o funcionamento do circuito estar prejudicado.
b) A escolha do ponto de operao
O ponto de operao de um circuito com um transistor sempre estar sobre a reta de
carga deste circuito, pode-se afirmar que o ponto de funcionamento depende dos fatores
que determinam a reta de carga (fig. 97 e 98).
transistor utilizado
tenso de alimentao
resistor de coletor

Fig.97 Fig.98
De acordo com a funo que o circuito ir desempenhar, o ponto de operao pode se
situar em qualquer posio sobre a reta de carga do circuito.

ELETRONUCLEAR


As figuras 99, 100 e 101 mostra 3 exemplos de ponto quiescente.

Fig.99 Fig.100 Fig.101
Na maioria dos circuitos eletrnicos o ponto de operao localizado na regio central
da reta de carga (fig.102).

Fig.102

ELETRONUCLEAR


A partir do momento em que o ponto quiescente localizado sobre a reta de carga ficam
automaticamente estabelecidos os valores da malha de coletor. Tomando como
exemplo o circuito apresentado a seguir (fig.103 e 104).

Fig.103 Fig.104
Escolhendo um ponto de operao na regio central da reta de carga, conforme mostra a
figura 105.

Fig.105

ELETRONUCLEAR


Deste ponto quiescente se obtm:
a) a tenso entre coletor-emissor (fig.106)
b) a queda de tenso no resistor de coletor (fig.107)
c) a corrente de coletor (fig.108).

Fig.106 Fig.107 Fig.108
Estes valores so valores do ponto quiescente, razo pela qual so denominados de:
V
CEQ
tenso coletor-emissor no ponto quiescente.
V
RCQ
queda de tenso no resistor de coletor no ponto quiescente
I
CQ
corrente de coletor no ponto quiescente (fig.109)

fig.109

ELETRONUCLEAR


No exemplo utilizado estes valores so:
V
CEQ
= 10,5V V
RCQ
= 13,5V I
CQ
= 50Ma
OBSERVAO:
Pequenas diferenas devido a impreciso grfica e espessura dos traos no desenho no
so significativas.
Para obter os valores quiescentes (V
CEQ
, V
RCQ
e I
CQ
) necessrio aplicar ao transistor
uma determinada corrente de base quiescente (I
BQ
).
O valor deste corrente de base obtido diretamente do grfico.
No grfico da figura 110, utilizado como exemplo, o ponto de operao est colocado
sobre a curva de I
B
= 0,2 mA. Esta a corrente necessria para obter as condies
desejadas.

Fig.110
8.16 Curva de dissipao mxima
Utilizando o valor de potncia de dissipao mxima do transistor e a equao P
C
= V
CE

. I
C
pode-se traar sobre a curva de sada do transistor o limite de dissipao ponto a
ponto.
Na equao P
C
= V
CE
. I
C
o valor de P
c
dado pelo fabricante.
Tendo o valor de P
C
e escolhendo diversos valores para V
CE
acha-se os valores de I
C

mximo.

ELETRONUCLEAR


Por exemplo transistor BC547 PC = 500 mW a 25C.

Fig.

Colocando-se os pontos em dois eixos I
C
e V
CE
tm-se a curva de dissipao mxima do
transistor 25C (500mW) (Fig.111)

escolhendo alguns valores para V
CE
, tais
como:5V; 10V; 20V; 40V.

ELETRONUCLEAR


Fig.111
A regio da caracterstica de sada acima da curva traada denominado de regio de
dissipao excessiva e a regio abaixo da curva traada a regio de funcionamento
(fig.112).

Fig.112
Se for necessrio determinar a reduo da potncia de dissipao mxima, para
funcionamento em temperaturas maiores que 25C, usa-se o grfico P
tot
= (T
amb
) e

ELETRONUCLEAR


depois realiza-se o traado sobre a caracterstica de sada utilizando o valor encontrado
(fig. 113 e 114).
Traado da Curva Limite de Potncia
Transistores BC 413, BC 414 50C.

Fig.113 Fig.114
A reta de carga e a curva de dissipao de potncia mxima
A reta de carga expressa todas as possibilidades de funcionamento de um transistor para
um determinado valor de resistor de coletor e de tenso de alimentao. Como a curva
de dissipao de potncia mxima estabelece o limite da regio de funcionamento para
um transistor, faz necessrio que a reta de carga esteja sempre situada abaixo desta
curva.
A figura 115 mostra a curva caracterstica de sada do transistor BC 413 com a curva de
dissipao mxima a 50C (240mW).

ELETRONUCLEAR


Fig. 115
Os resistores de coletor (R
C
) e as tenses de alimentao (V
CC
) devem ser selecionados
de modo a darem origem a retas de carga que se situam sempre abaixo da curva de
limite de dissipao. (Fig. 116 e 117).

Fig.116 Fig.117

ELETRONUCLEAR


Quando a reta de carga est abaixo da curva limite de dissipao qualquer ponto de
operao escolhido poder ser utilizado sem o risco de provocar dissipao excessiva no
transistor.
8.17 Polarizao da base por corrente constante
Denomina-se de polarizao de base o processo de obteno da corrente de base
necessria para levar o transistor ao ponto de operao.
Dentre os processo de polarizao de base o mais simples o de polarizao por
corrente constante.
Atravs do traado da reta de carga e da determinao do ponto de funcionamento (PQ)
fica determinada a corrente de base quiescente (I
BQ
) (fig.118 e 119)

Fig.118 Fig.119

ELETRONUCLEAR


No mtodo de polarizao por corrente de base constante, a corrente de base quiescente
(I
BQ
) obtida atravs de um resistor, denominado de resistor de base, que ligado entre
a base e a tenso de alimentao (Fig.120).

Fig.120
a) Anlise do circuito de base
O circuito de base, se compe do resistor de base (R
B
) e da juno base emissor ligados
em srie e aplicados a tenso de alimentao (fig.121).

Fig.121

ELETRONUCLEAR


O circuito de base tambm denominado de massa de base.
Considerando que a juno base emissor do transmissor se comporta como um diodo, o
circuito equivalente da malha de base fica conforme mostram as figuras 122 e 123.

Fig.122 Fig.123
Observando o circuito equivalente verifica-se que o diodo base emissor polarizado
diretamente, permitindo a circulao de corrente atravs do resistor. Esta corrente, que
circula atravs do resistor, a corrente de base (fig.124).

Fig.124

ELETRONUCLEAR


b) Determinao do resistor de base
A corrente que circula na base do transistor (I
B
) depende:
do valor do resistor (elemento de controle)
da tenso de alimentao j definida
do tipo de transistor utilizado j definido.
Do circuito equivalente se verifica que a corrente circulante na base dada pela
equao:

Operando esta equao se obtm a frmula Para determinar o resistor de base:
BQ
BE CC
B
B
BE CC
BQ
I
V V
R
R
V V
I

=
=
A seguir est apresentado um exemplo completo de determinao do resistor de base
para a obteno de um ponto de operao desejado.
Dado o circuito, apresentado a seguir com o transistor BC 200 (silcio) e sua curva
caracterstica de sada, determinar o valor do resistor de base necessrio para obter um
V
CEQ
= -3V (a reta de carga para 330O j est traada na curva.

Fig.125
B
BE CC
BQ
R
V V
I

=
V
CC
tenso de alimentao
V
BE
tpico do transistor
R
B
resistor de base

ELETRONUCLEAR


Fig.125 (continuao)
Considerando que a diferena de 0,2V admissvel, o valor de I
BQ
necessrio -80
Para determinar o valor de R
B
aplica-se a equao.
O =
= 25 . 86
00008 , 0
6 , 0 5 , 7
B
BQ
BE CC
B
R
I
V V
R
O valor comercial mais prximo para R
B
82KO
O resistor de base utilizado para a polarizao por corrente de base constante
normalmente de valor elevado (por exemplo 68KO, 220 KO, 470 KO) por que as
correntes de base dos transistores so baixas (microampres e miliampres).
8.18 Estabilidade trmica dos circuitos transistorizados
A corrente de coletor dos transistores est sujeita a variaes de valor em funo da
temperatura, devido as correntes de fuga I
CBO
e I
CEO
.
I
C
= | I
|
+ I
CBO . (
| + 1)

DEPENDENTE DA
TEMPERATURA

ELETRONUCLEAR


A corrente de coletor responsvel pela tenso no resistor de coletor (V
RC
= I
C
. R
C
) e,
consequentemente, pela tenso V
CE
(V
CE
= V
CC
V
RC
).
Assim, as variaes da corrente de coletor, ocasionadas pelas variaes de temperatura,
modificam a forma como as tenses se dividem entre o transistor e o resistor de coletor,
retirando o transistor do ponto de funcionamento (fig.126).

Fig.126

Todo o circuito eletrnico com transistores apresenta um certo grau de instabilidade
trmica.
a) Fator de estabilidade S
O fator de estabilidade, representado pela letra S, um coeficiente utilizado para avaliar
o grau de estabilidade trmica de um estgio transistorizado.
Este fator de estabilidade corresponde ao cociente entre a variao da corrente de
coletor (AI
C
) e a variao da corrente de fuga (AI
CBO
) responsvel pelo fenmeno.

Um estgio transistorizado ter melhor qualidade quanto menor for a variao de
I
C
(AI
C
) em funo da variao de I
CBO
(AI
CBO
).

As variaes de temperatura tendem a fazer com que o ponto de funcionamento
do circuito se desloque.
Aumento de temperatura deslocamento para a parte superior da reta da carga
Reduo de temperatura parada de estabilidade corresponde ao cociente
entre a variao da corrente de coletor (AA a parte inferior da reta de carga)

CBO
C
I
I
S
A
A
=

ELETRONUCLEAR


Isto significa que quanto menor for o resultado da diviso AI
C
/AI
CBO
mais estvel o
circuito.

A estabilidade trmica admissvel depende fundamentalmente da aplicao a qual o
circuito se destina.
b) Estabilidade trmica dos circuitos com polarizao por corrente de base constante
O mtodo de polarizao por corrente de base constante no deve ser empregado em
circuitos que estejam sujeitos a grandes variaes trmicas. Este tipo de polarizao
propicia uma estabilidade trmica muito pequena.
O fator de estabilidade trmica dos circuitos polarizados por corrente de base constante
dado pela equao:

Com valor de S elevado o circuito tem pouca estabilidade trmica. Observa-se aInda
que o fator S = | + 1 indica que quanto maior o | do transistor maior ser sua
instabilidade.
8.19 Correo do ponto de funcionamento
Devido a diferena no processo de fabricao os transistores de um mesmo tipo podem
apresentar ganhos de correntes diferentes, variando em uma ampla faixa.
O transistor BC 337, por exemplo, pode apresentar um ganho de corrente situado entre
60 e 630.
A curva caracterstica de sada, fornecida pelo fabricante, representa a caracterstica
mdia para um tipo de transistor.
Como na polarizao por corrente de base constante o ponto de funcionamento depende
diretamente do ganho de corrente do transistor, comum ocorrer uma diferena entre os
valores reais obtidos no circuito e os valores de projeto (fig.127, 128 e 129).

menor AI
C
em
funo de AI
CBO

S menor

mais estvel
termicamente

S = | + 1
I
CQ
= 37 mA mA
I
BQ
= 0,15 mA
V
CEQ
= 12 V
V
RCQ
12V V
R
C
= 330O O
R
B
= 150K O

ELETRONUCLEAR


Fig.127

Fig.128

Fig.129
No exemplo apresentado o transistor apresenta um ganho de corrente superior a mdia,
resultando em uma modificao do ponto de funcionamento (fig.130).

ELETRONUCLEAR


Fig.130
Neste caso se faz necessrio corrigir o circuito, de forma que o ponto de funcionamento
seja o desejado.
Como o ganho de corrente do transistor no pode ser alterado, a correo feita atravs
do resistor de base.
Dependendo de como o ganho de corrente real do componente se situa em relao ao
ganho mdio podem ocorrer trs situaes:
a) V
CEQ
do transistor prximo ao valor desejado
b) V
CEQ
do transistor muito abaixo do valor desejado
c) V
CEQ
do transistor muito acima do valor desejado.

A) V
CEQ
prximo ao valor desejado
Quando o ganho real do transistor aproximadamente igual ao ganho mdio, fornecido
pela curva caracterstica o funcionamento do circuito se situar prximo ao ponto
desejado (fig.131).

ELETRONUCLEAR


Fig.131
Neste caso no necessrio realizar uma correo porque as diferenas entre os valores
desejados e os reais so pequenas.
B) V
CEQ
muito abaixo do valor desejado.
Quando o ganho real do transistor maior que o valor mdio o ponto de funcionamento
sofre um deslocamento para a parte superior da reta de carga. (fig.132).

Fig.132
Tomando como ponto de partida os dados obtidos a partir da curva caracterstica
(mdia).

VALORES DO
PROJETO
I
CQ
= 37 mA mA
I
BQ
= 0,15 mA
V
CEQ
= 12 V
V
RCQ
12V
VALORES REAIS
OBTIDOS
I
BQ
= 0,15 mA
I
CQ
= 34 mA
V
CEQ
= 12,5 V
V
RCQ
11,5V
CONDIO DESEJADA
(| MDIO)
I
BQ
= 0,15 mA
I
CQ
=

37 mA
V
CEQ
= 12 V
V
RCQ
12V
R
B
= 150KO

ELETRONUCLEAR


Fig
Devido ao maior ganho de corrente do transistor, o mesmo circuito, com os mesmos
resistores, apresentou um resultado muito diferente do desejado.
Como o ganho de corrente do transistor no pode ser modificado, compensa-se este
maior ganho de corrente reduzindo a corrente de base quiescente (I
BQ
) do transistor.
Reduzindo a corrente de base I
BQ
a corrente de coletor se reduz, retornando ao valor
desejado.
Para reduzir a corrente de base I
BQ
deve-se aumentar o valor do resistor R
B
(fig.133).
VALORES REAIS
OBTIDOS
(Com | real mais baixo)
I
BQ
= 0,15 mA
I
CQ
=

27 mA
V
CEQ
= 15 V
V
RCQ
9V
R
B
= 150KO
INCORRETOS
I
BQ
= 0,11 mA
I
CQ
=

37 mA
V
CEQ
= 12 V
V
RCQ
12V
CORRIGIDOS

ELETRONUCLEAR


Fig.133
CONCLUSO

Se o transistor apresenta um ganho real menor que o ganho mdio o ponto de
funcionamento sofre um deslocamento para a parte inferior da reta de carga (fig.134)

Fig.134
Tomando novamente, como ponto de partida, os dados obtidos a partir da curva
caracterstica (mdia).

Quando for necessrio aumentar o V
CE
de um transistor
polarizado por corrente de base constante deve-se diminuir a
corrente de base, aumentando o valor do resistor de base

CONDIO
DESEJADA
(| MDIO)
I
BQ
= 0,15Ma
I
CQ
= 37mA
V
CEQ
= 12V

ELETRONUCLEAR


O ponto de funcionamento do circuito muito diferente do desejado, fazendo-se
necessria uma correo.

O ganho de corrente mais baixo do transistor deve ser compensado, atravs de um
aumento correspondente na corrente de base quiescente I
BQ
.
Para aumentar I
BQ
o valor de R
B
deve ser reduzido (fig.135).

VALORES REAIS OBTIDOS
(com | real mais baixo)
I
BQ
= 0,15mA
I
CQ
= 27Ma
V
CEQ
= 15V
V
RCO
= 9V
R
B
= 150kO

IBQ = 0,2mA
ICQ = 36Ma
VCEQ = 12V
VRCQ = 12V

ELETRONUCLEAR


Fig.135
Concluso:

8.20 Regies de Operao de um transistor
O ponto de operao de um transistor pode ser localizado em qualquer posio ao longo
da reta de carga.
De acordo com a posio da reta de carga em que o ponto de operao se situa diz-se
que o transistor est operando em uma das trs regies denominadas:
a) regio de corte (fig.136)
b) regio de saturao (fig.137)
c) regio ativa (fig.138)

Quando for necessrio reduzir o V
CE
de um transistor
polarizado por corrente de base constante deve-se
aumentar a corrente de base, reduzindo o valor de R
B
.

ELETRONUCLEAR


Fig.136 Fig.137 Fig.138
A) Regio de corte
Um transistor est na regio de corte quando a juno base emissor est polarizada
inversamente.
A polarizao inversa na juno B
E
torna a corrente de base nula.
Com base na equao de I
C
e na corrente I
B
= - tm-se:
I
C
= | . I
|
+ | . I
CBO
onde | .I
CBO
= I
CEO
I
C
= 0 . I
|
+ | . I
CBO

A corrente de coletor apenas de fuga (corrente de saturao reversa I
CEO
) e seu valor
da ordem de microampres nos transistores de silcio.
Com corrente de coletor praticamente nula no h queda no resistor de coletor (V
RC
= I
C

. R
C
) e o V
CE
do transistor o prprio valor da tenso de alimentao do circuito.

A figura 139 mostra um circuito transistorizado com a juno BE polarizada
inversamente, de forma a estar em corte.

I
C
= | . I
CBO

NO CORTE V
CE
= V
CC

ELETRONUCLEAR


Fig.139
Na reta de carga o ponto de corte est sobre o eixo horizontal (fig.140).

Fig.140

Nos transistores de silcio em geral bastar cortar a corrente de base para levar o
transistor ao corte, sendo desnecessrio polarizar inversamente a juno BE.
A figura 141 mostra um transistor de silcio polarizado na regio de corte.
TRANSISTOR
NA REGIO
DE CORTE
JUNO B
E

JUNO C
E

V
CE
~ V
CC
INVERSAMENTE
POLARIZADA
}

ELETRONUCLEAR


Fig.141
b) Regio de saturao
Um transistor est na regio de saturao quando a tenso V
BE
maior que a tenso
V
CE
.
A figura 142 mostra um transistor que est operando na regio de saturao.

Fig.142

O que caracteriza a regio de saturao que devido ao fato de V
BE
ser maior que V
CE
a
juno coletor base do transistor tambm fica diretamente polarizada.

TRANSISTOR NA
REGIO DA
SATURAO
JUNO B
E

DIRETAMENTE POLARIZADAS
JUNO C
B

V
BE
> V
CE

ELETRONUCLEAR


Na curva caracterstica de sada a regio de saturao fica prxima ao eixo vertical,
onde os valores de Vc
E
so mnimos e os valores de I
C
so mximos (fig.143).

Fig.143
Nas curvas caractersticas de sada normais a regio de saturao corresponde a uma
faixa muito estreita.
Por esta razo alguns manuais trazem uma segunda curva caracterstica de sada
somente para a regio de saturao(fig.144).

c) Regio ativa
A regio ativa corresponde a todo o trecho da reta de carga entre as regies de corte e de
saturao. (Fig.145).

Fig.144

ELETRONUCLEAR


Fig.145
Esta a regio caracterstica de funcionamento dos estgios amplificadores. Para
pontos de operao nesta regio so vlidas as regras de polarizao.
juno base emissor polarizao direta
juno base-coletor polarizao inversa
As figuras 146 e 147 mostram a caracterstica de sada e as tenses eltricas de um
transistor polarizado na regio ativa.

Fig.146 Fig.147
Em resumo, pode-se dizer que um transistor estar na regio ativa sempre que V
CE
for
maior que V
BE
e menor que V
CC
(ou seja, fora das regies de saturao e corte).

TRANSISTOR NA
REGIO ATIVA
JUNO B
E
diretamente polarizadas
JUNO C
E
inversamente polarizada
V
BE
< V
CE
< V
CC

ELETRONUCLEAR


8.21 Polarizao de base por divisor de tenso
A polarizao da base de um transistor pode ser feita a partir da utilizao de um divisor
de tenso, atravs do qual se aplica uma tenso V
BE
entre base e emissor do transistor.
A figura 148 mostra um circuito transistorizado que emprega este tipo de polarizao,
denominado de polarizao de base por divisor de tenso.

Fig.148
O divisor de tenso aplica uma tenso a base (V
B
) que polariza diretamente a juno
base emissor do transistor, provocando a circulao da corrente I
BQ
.

Como o emissor est terrado, a tenso de base V
B
a prpria tenso V
BE
aplicada ao

Na polarizao de base por divisor de tenso a finalidade
do divisor fornecer base uma tenso que polariza
diretamente a juno base emissor.

ELETRONUCLEAR


Fig.149
O valor da corrente I
BQ
ajustado aumentando ou diminuindo a tenso V
BE
, que
fornecida pelo divisor.
Normalmente os circuitos polarizados por divisor de tenso tem ainda um resistor de
emissor (R
E
), que tem por finalidade melhorar a estabilidade trmica do circuito
(fig.150).

Fig.150

A polarizao por divisor de tenso acrescida do resistor de emissor a mais empregada
porque propicia um alto grau de estabilidade trmica ao circuito.
Outra caracterstica importante deste tipo de polarizao a menor variao dos valores
de polarizao quando o transistor substitudo.
a) Anlise do circuito de coletor

A incluso de um resistor de emissor no circuito de
polarizao de um transistor tem por finalidade melhorar a
sua estabilidade trmica..

ELETRONUCLEAR


Nos circuitos polarizados por divisor a malha de coletor se compe:
da fonte de alimentao
do resistor de coletor
do transistor
do resistor de emissor (fig.151).

Fig.151
A tenso fornecida pela fonte se distribui sobre os componentes do circuito de coletor
(fig.152).

Fig.152
Segundo a Lei de Kircchoff para circuitos srie a soma das tenses eqivale a tenso de
alimentao.

V
RC
+ V
CE
+ V
RE
= V
CC

ELETRONUCLEAR


As quedas de tenso no resistor de coletor (V
RC
) e no resistor de emissor (V
RE
)
dependem da corrente no circuito de coletor (fig.153).

Fig.153
A diferena entre I
C
e I
E
muito pequena, pois corresponde ao valor de I
B
(I
E
= I
C
+ I
B
).
Por esta razo, costuma-se considerar I
E
= I
C
.
Desta forma, a equao da queda de tenso no resistor de emissor pode ser rescrita
como:
V
RE
= I
C
. R
E

A seguir est apresentado um exemplo de aplicao das equaes do circuito de coletor.
Dado o circuito apresentado ao lado, determinar os valores de V
RC
, V
RE
e V
CE
.

As equaes do circuito de coletor so:
V
CC
= V
RC
+ V
CE
+ V
RE

V
RC
= I
C
. R
C

V
RE
= I
C
. R
E

ELETRONUCLEAR


Fig.
Com os dados disponveis possvel calcular os valores de V
RC
e V
RE
.
V
RC
= I
C
. R
C
V
RC
= 1000O . 0,004A V
RC
= 4V
V
RE
= I
C
. R
E
V
RE
= 270O . 0,004A V
RC
= 1,08V
Dispondo de V
CC
, V
RC
e V
RE
pode-se determinar o V
CE
do transistor.
V
CC
= V
RC
+ V
CE
+ V
RE
V
CE
= V
CC
(V
RC
+ V
CE
)
V
CE
= 10 (4,0 + 1,08) V
CE
= 10 5,08
V
CE
= 4,92V
b) O circuito de base
O circuito de base, que corresponde ao divisor de tenso, tem por finalidade polarizar
diretamente a juno base-emissor do transistor, provocando a circulao da corrente
I
BQ
.
Quando o circuito de polarizao utiliza um resistor de emissor a tenso aplicada entre a
base e emissor (V
BE
) a diferena entre a tenso de base e a tenso de emissor (fig.154).

Fig.154
A tenso V
BE
aplicada a juno base emissor ( que se comporta como um diodo em
conduo) d origem a uma corrente de base (fig.155 e 156).

V
BE
= V
B
- V
RE

ELETRONUCLEAR


Fig.155 Fig.156
A prpria curva caracterstica da juno base emissor , essencialmente, a curva
caracterstica de um diodo em conduo.
Atravs da aplicao do valor correto de V
BE
se obtm a condio de funcionamento
desejada para o circuito.
8.22 Determinao analtica dos componentes polarizadores
A incluso do resistor de emissor torna o circuito mais estvel termicamente, o que
interessante do ponto de vista prtico.
Entretanto, no que diz respeito a anlise grfica, atravs de uma reta de carga, a
colocao do resistor de emissor se constitui em um problema.
Por esta razo, a determinao dos valores dos resistores de polarizao neste tipo de
circuito feita de forma analtica (matemtica).
Para simplificar a anlise matemtica, podem ser consideradas algumas aproximaes e
estimativas, que em nada prejudicam os resultados obtidos, tais como:
A pequena diferena existente entre Ic e I
E
(que a corrente de
base) no representa erro, comparada com a tolerncia dos
resistores (10% ou 5%)

O ganho dos transistores que empregam a polarizao por divisor
(chamados transistores de sinal) raramente inferior a 100.

Na determinao dos valores dos elementos polarizadores toma-se como pontos de
partida os valores:
- da tenso de alimentao (Vcc)
- da corrente de coletor (I
CQ
)
- da tenso sobre o resistor de coletor (V
RCQ
)
IC = IE
| = > 100

ELETRONUCLEAR


A tenso sobre o resistor de coletor (V
RC
) e a tenso de alimentao esto relacionados
entre si. Neste tipo de estgio adota-se normalmente uma tenso no resistor de coletor
igual ou prxima a metade da tenso de alimentao.

A corrente de coletor I
CQ
nos estgios transistorizados por divisor assume, normalmente,
valores que variam entre 1 a 10mA.
Dispondo dos valores Vcc, I
CQ
e V
RCQ
pode-se determinar os valores dos componentes
da malha de coletor.
Resistor de coletor calculado atravs da lei de Ohm, aplicada aos valores do

Fig.157
Resistor de emissor Adotando para o resistor de emissor uma queda de tenso um
dcimo da tenso de alimentao (V
RE
= 0,1Vcc) se obtm um fator de estabilidade
timo (10 a 15). Desta forma o resistor de emissor determinado pela equao:
E
RE
E
I
V
R = como V
RE
= 0,1Vcc
I
E
~ I
CQ

V
RCQ
~
2
CC
V

R
E
=
CQ
I
Vcc 1 , 0

ELETRONUCLEAR


Resistores de base o divisor de tenso formado pelos resistores de base tem por
finalidade fornecer a tenso V
B
base do transistor (fig.158).

Fig.158
Para que o circuito tenha um fator de estabilidade timo a corrente do divisor I
D
deve
ser suficientemente grande para que pequenas variaes na corrente absorvida pela base
no alterem significativamente a proporo de diviso da tenso sobre os resistores.
Adota-se, em funo desta necessidade uma corrente I
D
com valor:

Este valor de corrente do divisor pelo menos 10 vezes maior que a corrente de base
(considerando que o transistor tem | mnimo de 100).
Com os valores dos resistores determinado com auxlio da lei de Ohm.

R =
I
V

I
D
= 0,1 I
CQ

D
RB
B
I
V Vcc
R
2
1

=
D
RB
B
I
V
R
2
2
=

D
RB
B
I
V
R
1
1
=
D
RE re
B
I
V V
R
+
=
2

ELETRONUCLEAR


RESUMINDO
As equaes para o clculo dos elementos polarizadores por divisor de tenso so:
Rc =
CQ
RCQ
I
V
V
RB2
= V
BE
+ V
REQ

I
D
= 0,1 . I
C

V
REQ
= 0,1 . V
CC
R
B2
=
D
RB
I
V
2

R
E
=
CQ
REQ
I
V
V
RB1
= V
CC
V
RB2

D
RB
B
I
V
R
1
1
=
Para que a juno base-emissor conduza, a tenso fornecida a base deve ser a tenso
V
RE
(fig.159).

Fig.159
A tenso de sada do divisor a prpria queda de tenso no resistor R
B2
, de forma que:
V
RB2
= V
BE
+ V
RE

A tenso sobre R
B2
a tenso de alimentao menos a parcela que cabe a RB1.
V
RB1
= V
CC
V
RB1

ELETRONUCLEAR


Dispondo dos dois valores de tenso sobre os resistores deve-se assumir (escolher) um
valor para a corrente de funcionamento do divisor (fig.160).

Fig.160
A seguir esto apresentados dois exemplos de determinao dos elementos
polarizadores.
Exemplo 1
Determine os valores de R
C
, R
E
, R
B
1 e R
B2
para que o circuito funcione com I
CQ
=
5,8mA e V
RCQ
= 10V

Determinar os valores de RC, RE RB1 e
RB2, para que o circuito funcione com
ICQ = 5,8mA e VRCQ = 10V

Fig.
- Clculo de R
C
R
C
=
CQ
RCQ
I
V
R
C
= =
A
V
0058 . 0
10

R
C
= 1724O

ELETRONUCLEAR


-Clculo de R
E

V
REQ
= 0,1 . V
CC
V
REQ
= 0,1 . 20V V
REQ
= 2V
R
E
=
CQ
REQ
I
V
R
E
=
A
V
0058 , 0
2

- Clculo de R
B2
V
RB2
= V
BE
+ V
REQ
V
RB2
= 0,6V + 2V V
RB2
= 2,6V
I
D
= 0,1 . I
C
I
D
= 0,0058
A
. 0,1 I
D
= 580A
R
B2
=
D
RB
I
V
2
R
B2
=
A
V
00058 , 0
6 , 2

- Clculo de R
b1

VRB1 = VCC VRB2 VRB1 = 20V 2,6V VRB2 = 17,4V
RB1 =
D
RB
I
V
1

A
V
00058 , 0
6 , 17

Usando valores de resistores comerciais com 5% de tolerncia o circuito seria montado
conforme mostra a figura 161.

Fig.161
Exemplo 2

R
E
= 344O
R
B2
= 4,48kO
R
B
= 30,3K

ELETRONUCLEAR


Fig.
Determinar os valores de R
C
, R
E
, R
B1
e R
B2
para obter um V
CEQ
= 7v e I
CQ
= 12mA
Com os dados disponveis no possvel determinar o valor de R
C
. Pode-se iniciar
determinando o valor de V
REQ
, que depende apenas da tenso de alimentao.
- Clculo de V
REQ

V
REQ
= 0,1 . V
CC
V
REQ
= 0,1 . 12V V
REQ
= 1,2V
- Clculo de R
E

R
E
=
CQ
REQ
I
V
R
E
=
A
V
012 , 0
2 , 1

Agora dispondo dos valores de V
CEQ
e V
REQ
possvel calcular o valor de V
RCQ
.
- Clculo de V
RCQ

V
CC
= V
RCQ
+ V
CEQ
+ V
REQ
V
CC
V
REQ
V
CEQ
= V
RCQ

V
RCQ
= 12V 1,2V 7V V
RCQ
= 3,8V
- Clculo de R
C

R
C
=
CQ
RCQ
I
V
R
C
=
A
V
012 , 0
8 , 3

- Clculo de R
B2

V
RB2
= V
REQ
+ V
BE
V
RB2
= 1,2V + 0,6V V
RB2
= 1,8V
R
E
= 100OO
R
C
= 316O
R
B2
= 1500O

ELETRONUCLEAR


I
D
= 0,1 . IC I
D
0,1 . 0,012A I
D
= 0,0012A
R
B2
=
D
RB
I
V
2
R
B2
=
A
V
0012 , 0
8 , 1

- Clculo de R
B1
V
RB1
= V
CC
V
RB2
V
RB1
= 12V 1,8V V
RB1
= 10,2V
R
B1
=
D
RB
I
V
1
R
B1
=
A
V
0012 , 0
2 , 10

Usando os valores comerciais de resistores, com tolerncia de 5%, o circuito seria
montado conforme mostra a figura 162.

Fig.162
8.23 Modificao do Ponto de Operao
Os estgios transistorizados polarizados por divisor de tenso se caracterizam por
possuir tima estabilidade trmica, no necessitando de correes em funo de
variaes de temperatura

ELETRONUCLEAR


A modificao do ponto de funcionamento nestes estgios [ apenas quando se faz
necessrio alterar o ponto de funcionamento.
Supondo, por exemplo, como condio inicial, um estgio polarizado por divisor de
tenso com os valores indicados na figura 163.

Fig.163
Situao 1 Deseja-se aumentar o V
CE
do transistor
Para aumentar o V
CE
do transistor necessrio reduzir a queda de tenso nos resistores
R
E
e R
C
(fig.164).

Fig.164
As tenses V
RC
e V
RE
dependem da corrente I
C
(V
RC
= I
C
. R
C
e V
RE
~ I
C
. R
E
). A
reduo nos valores de V
RC
e V
RE
pode ser obtida pela reduo de I
C
.

ELETRONUCLEAR


Fig.
Como a corrente I
C
proporcional a I
B
, para reduzir I
C
se reduz I
B
.

Neste tipo de polarizao a corrente I
B
determinada pela tenso V
BE
(fig.165).

Fig.165
Portanto, para reduzir I
B
deve-se reduzir a tenso V
BE
.
A tenso V
BE
corresponde a diferena de tenso entre a base (V
B
) e o emissor (V
RE
):

I
B
MENOR

I
C
MENOR
V
BE
MENOR

I
B
MAIOR
V
BE
MENOR

I
B
MENOR

ELETRONUCLEAR


Fig.
A tenso V
B
fornecida pelo divisor de tenso (resistor de base R
B1
e resistor de base
R
B2
) (fig.166).

Fig.166
Para reduzir o V
BE
reduz-se V
B
, alterando os valores dos resistores que compem o
divisor de tenso.

ELETRONUCLEAR


Fig.
Resumindo processo de correo, utilizando setas para indicar os valores que aumentam
(|) ou diminuem (+) tm-se:

R
B1
|
ou
R
B2
+
V
B
+
V
RC
+
e
V
RE
+
V
BE
+ I
B
+ I
C
+ V
CE
+
R
B1
|
ou
R
B2
+
V
CE
|

ELETRONUCLEAR


Situao 2 Deseja-se reduzir o V
CE
do transistor.
Para conseguir uma reduo de V
CE
do transistor deve-se reduzir R
B1
ou aumentar R
B2
A seqncia de blocos abaixo mostra o comportamento do circuito.

a) Fator de estabilidade
Os circuitos polarizados por divisor de tenso se caraterizam por apresentar um fator de
estabilidade S de bom e timo. A alta estabilidade trmica deste mtodo de polarizao
se deve, principalmente, a incluso do resistor do emissor.
O fator de estabilidade deste tipo de circuito dado pela equao:
|
|
.
|
\
|
+
+
+
=
1 |
B
E
B E
R
R
R R
S
onde: R
E
= valor do resistor de emissor
R
B
= valor equivalente dos dois resistores de base.
2 B1
B2 1
R
R x
B
B
B
R
R
R
+
=
| = ganho de corrente do transistor
b) Princpio de funcionamento da estabilizao trmica
R
B1
+
ou
R
B2
|
V
B
|
V
RC
|
e
V
RE
|
V
BE
| I
B
| I
C
|
R
B1
+
ou
R
B2
|
V
CE
+
V
CE
+

ELETRONUCLEAR


As variaes de temperatura influenciam na corrente de coletor do circuito. A equao
da corrente de coletor mostra a dependncia trmica:
I
C
= | I
C
+ I
CBO

-|

A parcela da corrente de coletor que provocada pela corrente de fuga I
CBO
.
(|+1)
no
pode ser alterada porque se deve a fenmenos internos do transistor.
A polarizao por divisor de tenso atua na parcela de I
C
que provocada pela corrente
de base fazendo com que as variaes na corrente de fuga sejam compensadas por
variaes opostas na corrente I
B
.
I
C
= | (I
B
+ I
CBO
)

ICBO AUMENTA IB reduzida na mesma proporo pelo
circuito
ICBO DIMINUI IB aumentada na mesma proporo pelo
circuito

Esta correo automtica pode ser facilmente compreendida analisando o
comportamento de um circuito sujeito a variaes trmicas.
Tomando como ponto de partida o circuito apresentado na figura 167.

VARIVEL COM A
TEMPERATURA
NA POLARIZAO
POR DIVISOR DE
TENSO
AS VARIAES EM I
CBO
SO
COMPENSADAS POR VARIAES
OPOSTAS EM I
B

ELETRONUCLEAR


Fig.167
A partir do momento em que a temperatura aumenta (T|) como conseqncia do
aumento da corrente de fuga.

A modificao de I
C
provoca uma mudana indesejvel no ponto de operao. A partir
do momento em que I
C
aumenta I
E
aumenta tambm (I
E
= I
C
+ I
B
):

O aumento em I
E
provoca a existncia de uma maior queda de tenso em R
E

V
RE
= I
E
. R
E

Como a tenso VBE depende da tenso fornecida pelo divisor (fixa) e de VRE observa-
se que o seu valor decresce.
VRE = VB VRE como

Diminuindo o V
BE
do transistor a corrente de base I
B
diminui.

A reduo em I
B
ocorre na proporo correta para reduzir a corrente de coletor ao seu
valor original.
CONDIO
INICIAL
T| I
CBO
| I
C
|
I
C
| I
E
|
I
E
| V
RE
|
V
B
FIXO
V
BE

DIMINUI
V
RE

AUMENTOU
V
RE
| V
BE
+
V
RE
+ V
BE
+

ELETRONUCLEAR


IB+ IC+ (Volta ao valor original)

Resumindo o processo de correo tm-se:

Desta forma o circuito praticamente insensvel as variaes de temperatura.
CONDIO
FINAL
T| I
CBO
| I
C
| I
E
| V
RE
| V
BE
+ I
B
+ I
C
+

I
C
AUMENTA E DEPOIS RETORNA AO
VALOR ORIGINAL

ELETRONUCLEAR


9. TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO (FET)
9.1 Caractersticas Gerais
Os FETs so transistores especiais que tm a capacidade de exercer o controle sobre um
fluxo de corrente atravs da tenso aplicada em um terminal de comando.

Os transistores FET so utilizados principalmente em estgios iniciais de instrumentos
de medida (osciloscpio, voltmetro eletrnico, receptores e outras aplicaes) onde seja
necessrio uma elevada impedncia de entrada.
A designao FET provm do idioma ingls (Field Effect Transistor) e se aplica a toda
uma famlia de componentes que funciona pelo mesmo princpio.

Os estudos dos FETs pode ser feito em duas etapas (J-FET e MOS-FET) porque cada
um dos tipos tem caractersticas prprias de comportamento.

9.1.1 Transistor efeito de campo de juno J-FET
FET
CONTROLE DA CORRENTE
ATRAVS DA TENSO
Transistores
FET
FET de Juno
(J.FET)
Canal N
Canal P
Deplexo
FET de ponta
isolada
(MOS-FET)
Canal N
Canal P
Canal N
Canal P
Enriquecimento

ELETRONUCLEAR


O FET de juno constitudo por um bloco de um tipo de material semicondutor no
qual fundida uma barra de outro tipo de material semicondutor, formando um canal
(fig.1).

Fig.1
Desta forma so possveis dois tipos de J-FET:
a) Bloco de Material P e canal de material N, denominado de J-FET canal N (fig.2).

Fig.2
b) Bloco de material N e canal de material P, denominado de J-FET canal P (fig.3).

Fig.3
c) Terminais de ligao do J-TEF

ELETRONUCLEAR


Os J-FETs possuem 3 terminais. Dois terminais esto ligados as extremidades do canal
e so denominados de fonte e dreno. O terminal fonte identificado pela letra S
(do ingls source) e o terminal dreno pela letra D (do ingls (drain) (Fig.4).

Fig.4
Os terminais de efeito de campo so fabricados em invlucros semelhantes aos
transistores bipolares. As figuras 6 e 7 ilustram dois tipos de FET.

Fig.6 Fig.7
e) Simbologia dos J-FET
As figuras 8 e 9 apresentam os smbolos dos J-FET canal N e canal P.

Fig.8 Fig.9
A diferena entre os smbolos apenas o sentido da seta no terminal porta (G).
f) Polarizao dos J-FET

ELETRONUCLEAR


Como nos transistores bipolares, o J-FET funciona como um dos terminais comum a
entrada e a sada do circuito. A configurao mais usual aquela que emprega o
terminal fonte como terminal comum (figs. 10 e 11).

Fig.10 Fig.11
OBSERVAO:
A polarizao ser analisada a partir do J-FET canal P. Para o J-FET canal N existe
apenas a troca dos portadores envolvidos e a conseqente troca da polaridade das fontes
de alimentao.
g) Terminal Fonte
O terminal fonte dos J-FET ligado ao plo positivo da fonte de alimentao (fig.12).

Fig.12
O terminal fonte o terminal de referncia para o FET assim como o emissor o
terminal de referncia para o transistor bipolar.
h) Terminal Dreno

ELETRONUCLEAR


O terminal dreno (D) ligado ao plo negativo da fonte de alimentao atravs de um
resistor denominado resistor de dreno R
D
(Fig.13).

Fig.13
O resistor de dreno tem funo semelhante ao resistor de coletor nos transistores
bipolares.
i) Terminal Porta
A porta o terminal de controle dos FETs (como a base dos transistores bipolares). Isto
significa que seu potencial varivel, conforme o sinal.
Entretanto, existe uma condio fundamental de polarizao que deve ser observada:

Observando a juno PN formada no J-FET canal P verifica-se a polaridade necessria
para obter o bloqueio (fig.14).

Fig.14
Na J-FET canal P a porta tem potencial positivo em relao ao terminal fonte (fig.15).

J-FET
POLARIZAO
DA PORTA

A juno PN formada entre porta e fonte sempre deve
estar polarizada inversamente

ELETRONUCLEAR


Fig.15
Esta condio de polarizao inversa atribui ao FET uma altssima impedncia de
entrada (dezenas de MO).
9.2 Princpio de funcionamento
O estudo do princpio de funcionamento do FET feito com base em uma anlise de
parmetro eltrico do componente, que so colocados em uma curva caracterstica.
Estes parmetros so:
I
DS
Corrente de fonte a dreno, tambm denominada de corrente de dreno (I
D
)
V
DS
Tenso entre dreno e fonte.
V
GS
Tenso de controle entre porta e fonte (fig.16)

Fig.16

O FET um transistor cujo princpio de funcionamento baseia-se no controle que a
tenso de porta V
GS
exerce sobre a corrente de dreno I
D
.

ELETRONUCLEAR


Com auxlio de um sistema hidrulico torna-se fcil compreender, por comparao, a
forma como o controle se realiza.
Este sistema hidrulico se compe de um conduto que dispe de um pisto com a
finalidade de controlar o fluxo de fluido (fig.17).

Fig.17
O maior fluxo de fluido no conduto ocorre quando o elemento de controle (pisto)
permite a abertura total (canal aberto) (fig.18).

Fig.18
A medida que o canal vai sendo obstrudo pela penetrao do pisto, o fluxo de fluido
diminui (porque o canal de passagem reduzido) (Fig.19).

Fig.19
Atravs do fechamento total do canal pelo elemento controlador (pisto) possvel
cortar completamente o fluxo do fluido (fig.20).

ELETRONUCLEAR


Fig.20
9.2.1 Anlise dos potenciais de porta no J-FET P
Da mesma forma que o pisto atua sobre o fluxo de fluido, abrindo ou fechando
fisicamente o canal, a tenso de porta VGS (tenso de controle) atua de forma
eletrosttica sobre o canal do J-FET, determinando a sua maior ou menor abertura e
consequentemente, o maior ou menor fluxo de corrente entre dreno e fonte (I
D
).
A atuao do potencial de porta sobre a corrente no J-FET P pode ser resumida a trs
situaes bsicas:
a) com o terminal porta desligado
b) com o potencial de porta nulo em relao ao terminal fonte
c) com potencial do porta positivo em relao ao terminal fonte.
Para facilitar a compreenso do princpio de funcionamento, o FET ser representado
em desenho conforme ilustra a figura 21.

Fig.21
a) comportamento com porta desligada: Tomando como ponto de partida duas
condies bsicas no J-FET P:
- a corrente no canal unicamente de lacunas.

ELETRONUCLEAR


- a corrente circula no sentido fonte-dreno (fig.22).

Fig.22
Com o terminal de controle desligado, o cana esta totalmente aberto e a corrente entre
fonte e dreno depende exclusivamente da tenso aplicada aos terminais dreno e fonte.
As figuras 23, 24 25 e 26 ilustram o comportamento do FET de juno nesta condio.

Fig.23 Fig.24

Fig. 25 Fig.26
Observa-se que o comportamento do canal semelhante ao de um resistor, de forma que
aumentos de tenso aplicada se traduzem em aumentos de corrente.

FET DE JUNO COM A PORTA DESLIGADA
O canal se comporta como uma resistncia eltrica e a corrente
circulante depende da tenso aplicada

ELETRONUCLEAR


Colocando em grfico os valores de VDS e IDS se verifica o comportamento do FET
com porta desligada (fig.27).

Fig.27
Um aspecto importante a salientar que uma vez que o canal se comporta como uma
resistncia, o potencial aplicado entre os terminais dreno e fonte se distribui ao longo do
canal como em um divisor de tenso (fig.28)

Fig.28
A partir do terminal fonte, que o terminal de referncia, o potencial cresce
internamente no canal em direo ao dreno.

ELETRONUCLEAR


O FET no utilizado, na prtica, com o terminal porta desligado, mas muito
importante conhecer a distribuio do potencial ao longo do canal para compreender o
seu princpio de funcionamento.
b) Comportamento com potencial de porta nulo: quando o terminal porta conectado ao
terminal fonte, o potencial entre porta e fonte zero (V
GS
0V).
Como a porta est com potencial zero, o potencial negativo distribudo ao longo do
canal coloca a juno PN em bloqueio (fig.29).

Fig.29
O potencial negativo no interior do canal provoca um acmulo de lacunas na juno
entre canal e porta (fig.30). O acmulo de lacunas maior na regio mais prxima do
dreno devido ao maior potencial negativo do canal nesta regio.

Fig.30
O acmulo de cargas positivas junto a juno provoca o aparecimento de um campo
eltrico positivo que se projeta para dentro do canal, reduzindo a rea til [ara a

ELETRONUCLEAR


circulao das lacunas (da mesma forma que o pisto no sistema hidrulico) (figs. 31 e
32).

Fig.31 Fig.32
A reduo da rea til do canal resulta em uma reduo da corrente que pode circular
entre fonte e dreno.
A regio do canal onde existe ausncia de portadores (provocada pelo campo eltrico )
denominada de regio de deplexo.
Quanto maior a regio de deplexo menor a rea til do canal, menor a corrente
circulante.
Como os dois efeitos so dependentes (a corrente de dreno gera a regio de deplexo e
tambm controlada por esta) o fenmeno atinge um equilbrio que resulta numa
limitao automtica da corrente I
D
a partir de certo valor de tenso dreno-fonte (V
DS
).

Colocando os valores de V
DS
e I
D
num grfico com V
GS
parmetro se verifica a
limitao de corrente (fig.33).

ELETRONUCLEAR


Fig.33
O grfico mostra que a partir de certo valor de tenso entre dreno e fonte (V
DS
) a
corrente I
D
no acompanha o aumento de tenso, permanecendo praticamente constante.
O maior acmulo de cargas se traduz em uma maior regio de deplexo, reduzindo a
rea til do canal. Como conseqncia final da aplicao, tem-se a reduo da corrente
der dreno I
D
que limitada em um valor menor.
O valor de tenso em que ocorre a estabilizao da corrente denominada de tenso de
pinamento Vp (pinch off) e a corrente que circula denominada de corrente de
saturao de dreno (I
DSS
) (fig.34).

Fig.34

ELETRONUCLEAR


c) Comportamento com tenso de porta positiva: Aplicando-se uma tenso positiva entre
porta e fonte o efeito da tenso inversa externa se soma ao efeito de polarizao interno,
gerando um acmulo maior de cargas positivas nas proximidades do canal.
As figuras 35 e 36 comparam o acmulo de cargas positivas nas proximidades do canal
com V
GS
= 0 e com V
GS
positivo.

Fig.35 Fig.36
Como a circulao de corrente depende de abertura no canal, se conclui que:

Do exposto, pode-se afirmar:

Esta frase praticamente define o comportamento dos transistores FET.
importante observar que os FETs diferem dos transistores bipolares, nos quais a
corrente I
C
controlada por outra corrente que I
B
.

MAIOR TENSO DE
PORTA
MENOR TENSO DA
PORTA
MAIOR ESTREITA-
MENTO NO CANAL
MENOR
ESTREITAMENTO
NO CANAL
MENOR CORRENTE
DE DRENO
MAIOR CORRENTE
DE DRENO

A CORRENTE ENTRE FONTE E DRENO DE UM TRANSISTOR FET (I
DS
)
CONTROLADA PELA TENSO INVERSA APLICADA ENTRE PORTA E FONTE
(V
GS
).

ELETRONUCLEAR


Utilizando vrias tenses de porta em um FET se obtm uma famlia de curvas
caractersticas denominada de caracterstica de dreno do J-FET (fig.37).

Fig.37
Um dos aspectos mais importantes a observar, ao utilizar um transistor FET de juno,
que o potencial de porta tal que sempre coloca a juno porta-fonte em bloqueio.
Se esta juno polarizada em conduo o transistor pode ser danificado. A forma mais
fcil de memorizar o potencial que pode ser aplicado porta :

J - FET
Canal P Porta
Positiva
em relao ao
terminal fonte
Canal N Porta
Negativa

ELETRONUCLEAR


9.3 Descrio dos Parmetros Bsicos dos J-FET
a) Tenso de pinamento (pinch-off): o valor de tenso (especfico para cada curva) em
que a corrente de dreno se forma praticamente independente da tenso dreno-fonte V
DS

(fig.38).

Fig.38
Para o caso especial de tenso de porta nula a tenso de pinamento Vp recebe a
designao de Vpo e a corrente de saturao designada por I
DSS
(fig.39).

Fig.39
b) Tenso de porta de corte (V
GS
OFF): a tenso de porta V
GS
que provoca o fechamento
completo do canal, no havendo circulao de Corrente I
D
(fig.40).

Fig.40

ELETRONUCLEAR


Na maioria dos casos o valor de tenso de porta necessrio para cortar o FET
aproximadamente igual a tenso de pinch-off (fig.41).

Fig.41
Na condio de porta inversamente polarizada circula uma corrente de fuga na porta
denominada I
GSS
que da ordem de microampres.
c) Resistncia de conduo do canal (R
DS
ON): a resistncia de conduo que o canal
apresenta na faixa de tenses V
DS
< Vp (regio hmica da curva).
um valor geralmente especificado na folha de dados do transistor (para V
GS
= OV).
Situa-se normalmente na faixa dos 20O a algumas centenas de Ohms.
d) Tenso de ruptura porta-canal BV
GDS
: dado fornecido os folhetos tcnicos do
comportamento que define a mxima tenso admitida pela juno PN porta-canal de
forma que no haja ruptura.
9.3.1 Regies de operaes do J-FET
A curva caracterstica de dreno do FET pode ser dividida em trs regies:
a) regio hmica
b) regio de amplificao
c) regio de ruptura.

A figura 42 mostra as trs regies da curva caracterstica.

ELETRONUCLEAR


Fig.42
a) Regio hmica (resistncia linear): Esta regio vai at o momento em que o tenso V
DS

atinge o valor de Vp. (fig.43).

Fig.43
O transistor se comporta como um resistor, com valor hmico controlado pela tenso de
porta.

A operao do FET mais linear quanto mais prximo do incio da curva caracterstica
do componente, ou seja, nos valores baixos de tenso V
DS
(fig.44).
V
GS
maior maior resistncia.
V
GS
menor menor resistncia

ELETRONUCLEAR


Fig.44
b) Regio de amplificao: Esta regio se situa entre os valores:

Fig.45
A resistncia do canal praticamente constante com valor que pode atingir algumas
centenas de KO.

c) Regio de ruptura: A regio de ruptura se situa na faixa de tenses V
DS
que provocam a
ruptura da juno PN formada entre bloco e canal (fig.46).

ELETRONUCLEAR


Fig.46
Esta regio deve sempre ser evitada, sob pena de causar danos irreparveis ao transistor.
9.4 Transistor de Efeito de Campo de Porta Isolada (MOS-FET)
Os transistores de efeito de campo do tipo porta isolada (MOS), assim como os FETs de
juno, so dispositivos unipolares cuja operao baseia-se no controle da corrente por
meio de campos eletrostticos.
Os MOS-FET, tambm conhecidos como IG-FET, diferem dos J-FETs pelo fato de
apresentarem a porta isolada do canal atravs de uma pelcula de xido.
Comparao estrutural J-FET / MOS FET: Nos J-FETs, o canal est fundido dentro do
bloco formador da porta de controle G, originando uma juno semicondutora porta-
canal (fig.47).

Fig.47
Nos MOS-FETs o terminal de controle constitudo por um elemento metlico
separado do canal por uma camada isolante de xido metlico, formando uma seqncia
que deu origem ao designativo MOS: Metal xido Silcio (fig.48).

ELETRONUCLEAR


Fig.48
OBSERVAO:
O substrato serve como base de montagem para o FET, podendo ser utilizado em
algumas aplicaes especiais.
A colocao da camada isolante entre porta e canal d aos MOS-FETs uma
caracterstica importante nos circuitos eletrnicos: impedncia de entrada extremamente
alta (da ordem de 10
15
O).
Existem dois tipos de MOS-FETs: deplexo e enriquecimento (figs. 49e 50). Cada um
dos tipos tem caractersticas prprias, razo pela qual os dois tipos so estudados
separadamente.

Fig.49 Fig.50
9.4.1 MOS-FET tipo deplexo
o tipo de FET de porta isolada em que o princpio de controle da corrente semehante
ao J-FET: pela formao de uma regio de deplexo no canal.

ELETRONUCLEAR


a) Estrutura fsica: O transistor de efeito de campo MOS, tipo deplexo, constitudo por
um substrato (bloco de sustentao), uma barra de material semicondutor (canal) e uma
camada de depsito metlico isolada do canal, usada como elemento de controle (gate
ou porta).
Os MOS-FETs deplexo podem ser de dois tipos: canal P e canal N (figs. 51 e 52).

Fig.51 Fig.52
b) Simbologia
Os smbolos dos MOS-FETs P e N diferem apenas no sentido da seta no terminal ligado
ao substrato. Est expressa graficamente no smbolo a situao de isolamento entre
porta e canal (figs. 53 e 54).

Fig.53 Fig.54
c) Princpio de funcionamento (MOS-FET deplexo canal N): O princpio de
funcionamento do MOS-FET tipo deplexo o mesmo do J-FET. Quando o terminal
de porta no tem polarizao o movimento de portadores livre no canal, propiciando o
aparecimento de uma corrente entre fonte-dreno (fig.55).
O MOS-FET deplexo , portanto, normalmente condutor, aspecto expresso
graficamente no smbolo pela linha cheia que liga dreno e fonte (fig.56).

ELETRONUCLEAR


Fig.55 Fig.56
A aplicao de uma tenso positiva porta do MOS-FET tipo P (negativa no MOS-FET
N) provoca o aparecimento de uma regio de deplexo no canal que reduz a sua rea
til, reduzindo a corrente I
DS
(fig.57).

Fig.57
O aumento do potencial positivo da porta provoca um estreitamento na rea til do
canal, reduzindo a corrente I
DS
.
Desta forma, atravs do controle do potencial positivo da porta (MOS-FET P), pode-se
controlar a corrente no canal.
H contudo uma diferena singular entre os J-FETs e os MOS-FETs deplexo. Nos J-
FETs, a juno PN formada entre canal e porta no deve ser polarizada diretamente,
pois, provocaria o aparecimento de uma corrente de porta, bem como, uma queda
acentuada na impedncia de entrada (fig.58).

ELETRONUCLEAR


Fig.58
Nos FETs de porta isolada no ocorre este problema porque o terminal porta isolado
do canal, independentemente da polaridade dos terminais.
Nos MOS-FETs deplexo tipo P a aplicao de um potencial negativo porta provoca
um aumento na corrente I
DS
, pois o efeito da porta se soma ao do potencial negativo do
dreno (fig.59).

Fig.59

A figura 60 mostra a curva caracterstica de sada do MOS-FET P. Atravs da curva
pode-se verificar que a porta pode receber tanto potenciais positivos como negativos.

ELETRONUCLEAR


Fig.60
Pode-se verificar tambm que com a porta conectada ao terminal fonte (V
GS
= 0) o
MOS-FET P tipo enriquecimento condutor.
9.4.2 MOS-FET enriquecimento
a) Estrutura fsica: O MOS-FET tipo enriquecimento composto por duas pastilhas
semicondutoras isoladas entre si pelo material semicondutor do substrato. Sobre este
conjunto esto depositadas uma camada de xido isolante e uma camada metlica
formadora da porta de controle (fig.61).

Fig.61
b) Simbologia: Os smbolos dos MOS-FETs enriquecimento tipo P e tipo N diferem
apenas no sentido das setas (fig. 62 e 63).

ELETRONUCLEAR


Fig.62 Fig.63
c) Princpio de funcionamento (MOS-FET enriquecimento N): Quando a tenso da porta
nula, a juno PN formada entre dreno e substrato fica polarizada inversamente,
impedindo que haja circulao de corrente (fig.64).

Fig.64
Por esta razo os MOS-FETs, enriquecimento so chamados normalmente de
bloqueados, O que justifica a representao grfica interrompida entre fonte e dreno no
smbolo do componente (fig.65).

Fig.65
Aplicando-se um potencial negativo porta dos MOS-FET canal P (positiva no MOS-
FET N), o metal, xido e silcio formam um capacitor que atra cargas negativas para as
proximidades do xido, no substrato (figs 66 e 67).

ELETRONUCLEAR


Fig.66 Fig.67
A capa negativa criada pela aplicao do potencial positivo porta forma um canal de
ligao entre as pastilhas da fonte e dreno, permitindo o aparecimento de uma corrente
I
S
(fig.68).

Fig.68
A corrente I
DS
depende diretamente do potencial aplicado porta, uma vez que este o
fator determinante da quantidade de cargas formadoras do canal.
O comportamento dos MOS-FETs enriquecimento fica bem caracterizado pela sua
curva caracterstica de sada (fig.69).

ELETRONUCLEAR


Fig.69
d) Proteo da porta: O terminal porta isolado do restante da estrutura dos FET pela
pelcula isolante. Esta pelcula extremamente fina de forma que sua capacidade
dieltrica (de isolao) para tenses pequenas.
Quando o FET no est sendo empregado, o capacitor formado internamente tende a
armazenar eletricidade esttica, o que pode ao fim de um perodo provocar a destruio
da pelcula isolante.
Por esta razo, no se deve tocar os terminais dos transistores FET que no estejam em
uso e ainda manter os terminais curto circuitados ou inseridos em espuma condutiva
durante o perodo de armazenamento.

9.5 Amplificao com FET
A amplificao de sinais uma das aplicaes mais importantes dos transistores de
efeito de campo (fig.70).

Transistores MOS FET que no esto sendo utilizados devem ser
armazenados com os terminais inseridos em espuma condutiva ou
curto circuitados.
Deve-se evitar tocar nos terminais deste tipo de transistores para
evitar danos.

ELETRONUCLEAR


Fig.70
Os estgios amplificadores com FET so empregados principalmente quando se
necessita alta impedncia de entrada, citando-se por exemplo:
- entrada de sinal dos osciloscpios
- estgio inicial de sintonizadores de FM.
9.5.1 Polarizao do FET para amplificao
A polarizao do FET visa estabelecer as condies de funcionamento do circuito.
Toma-se como exemplo J _FET canal N em um circuito em fontecomum.
a) Polarizao de dreno: O potencial do terminal dreno deve ser positivo em relao ao
terminal fonte. Esta condio obtida pelo uso de um resistor de dreno, semelhante ao
resistor de coletor nos transistores bipolares NPN (fig.71).

Fig.71
b) Polarizao da porta: Para o correto funcionamento, o FET de juno canal N deve ter o
terminal porta(G) polarizado negativamente em relao ao terminal fonte (S).
O mtodo mais usual para o obteno desta polarizao denominada de auto-
polarizao ou polarizao por fonte.
A polarizao por fonte baseia-se no fato de que a tenso entre dois pontos relativa.
Se a porta deve ser negativa em relao ao terminal fonte, significa que o terminal fonte
deve ser positivo em relao a porta.

ELETRONUCLEAR


A polarizao por fonte, tambm conhecida como auto-polarizao, exatamente isto:
ao invs de fazer a porta negativa em relao ao fonte, torna-se o fonte positivo em
relao a porta.
A figura 72 mostra como a auto polarizao obtida.

Fig.72
O resistor de porta R
G
tem alto valor (para garantir a alta impedncia de entrada) mas o
potencial desenvolvido na porta muito pequeno (devido a corrente de fuga (I
GS
) de
forma que a porta pode ser considerada a potencial de terra (nulo).

A circulao da corrente de dreno no resistor de fonte (R
F
) provoca uma queda de
tenso, tornando o terminal fonte positivo em relao ao terra (fig.73).

V
G
= OV

ELETRONUCLEAR


Fig.73
A diferena entre o potencial de porta e de fonte polarizam negativamente a porta em
relao ao terminal fonte (fig.74).

Fig.74
O circuito completo de um estgio amplificador com FET canal N, se constitui dos
elementos polarizadores e dos capacitores de acoplamento e desacoplamento (fig.75).

Fig.75
Os capacitores de acoplamento (de entrada e sada) geralmente no so eletroliticos,
porque a impedncia de entrada e de sada do FET alta.
Geralmente, o nico capacitor eletroltico o de desacoplamento do terminal fonte.
Esta forma de polarizao empregada para:
FETs de juno canal P e N.
MOS FETs tipo deplexo canal P e N.

ELETRONUCLEAR


Os MOS FETs tipo enriquecimento exigem uma forma de polarizao diferente, devido
ao seu princpio de funcionamento. Este tipo de MOS FET polarizado por divisor de
tenso.
As figuras 76 e 77 mostram as polarizaes para os MOS FET P e N tipo
enriquecimento.

Fig.76 Fig.77
Neste tipo de polarizao, a corrente I
DQ
do ponto de funcionamento determinada
atravs do divisor de tenso R
G1
, R
G2
e do resistor de fonte R
F
.

9.5.1 Princpio de funcionamento do estgio amplificador com FET
Toma-se como referncia o estgio amplificador com FET no ponto de funcionamento
mostrado na figura 78, com a curva e reta de carga da figura 79.

ELETRONUCLEAR


Fig.78 Fig.79
Aplicando-se o semiciclo positivo de um sinal de entrada com +1Vpico a polarizao
negativa de porta diminui (V
GS
= -2V + 1V = - 1V). O ponto de operao do circuito se
desloca, sobre a reta de carga, para a curva de V
GS
= -1V (fig.80).

Fig.80
Verifica-se pela curva caracterstica que a diminuio do potencial inverso de porta
provoca: I
D
| V
RD
|V
DS
+. a FIGURA 81 ILUSTRA O QUE FOI DESCRITO.

ELETRONUCLEAR


Fig.81
Aplicando-se o semi perodo negativo do sinal de entrada (-1Vp) a polarizao negativa
da porta aumenta (V
GS
2V 1V = - 3V). O ponto de funcionamento de desloca sobre
a reta de carga para a curva de V
GS
= -3v (figs 82 e 83).

Fig.82

Fig.83
Observando o comportamento do estgio amplificador a FET em configurao fonte
comum verifica-se que existe um defasamento de 180 entre os sinais de sada e de
entrada.
9.5.2 Caractersticas dos estgios amplificados a FET
As caractersticas mais importantes dos estgios amplificadores a FET so:
impedncia de entrada

ELETRONUCLEAR


ganho de tenso.
a) impedncia de entrada: Considerando que a impedncia porta-fonte dos transistores
FET altssima (juno PN polarizada inversamente ou porta-isolada) a impedncia de
entrada determinada exclusivamente pelos elementos de polarizao (fig.84).

Fig.84
Como R
G
normalmente est na faixa das centenas de quiloohms, a impedncia de
entrada pode ser considerada altssima.
b) Ganho de tenso: Os estgios amplificadores com FET em geral tem um ganho de
tenso baixo, situando-se na faixa de 3 a 15 vezes.
Apesar do baixo ganho de tenso, os FETs so largamente utilizados, em funo da alta
impedncia de entrada.

9.5.3 Comparao entre caractersticas de estgios amplificadores transistor e a FET
1. Impedncia de entrada do estgio:
A Transistor baixa (dezenas ou centenas de ohms) podendo ser utilizado apenas para
amplificao de sinais provenientes de fontes com baixa impedncia.
A FET alta, dependendo quase exclusivamente do resistor de polarizao da porta.
Permite a amplificao de sinais provenientes de fontes de alta ou baixa impedncia.

ELETRONUCLEAR


2. Correntes de fuga do elemento amplificador
Transistor nos de silcio pequena mas provoca o desvio do ponto de funcionamento.
FET muito pequena (nanoampres), podendo ter seu efeito neutralizado pela correta
polarizao.
Torna o FET ideal para montagem de amplificadores de nveis contnuos de tenso.
3. Resposta de freqncia do estgio:
A transistor prejudicada pela perda de ganho em altas freqncias, devido as
capacitncias de juno (principalmente capacitncia coletor-base).
A FET superior aos amplificadores transistorizados.
4. Ganho de tenso do estgio:
A transistor elevado, podendo atingir valores da ordem de 50 vezes.
A FET menor que os estgios a transistor, podendo atingir uma ou duas dezenas de
vezes.
5. Ganho de potncia do estgio
A transistor pode atingir valores elevados, dependendo da configurao de ligao do
transistor.
A FET muito elevado, tendo em vista que a potncia absorvida na entrada muito
pequena (correntes de entrada da ordem de nano a pico ampres).

ELETRONUCLEAR


10. REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS
CIPELLI, Antnio Marco Vicari & SANDRINI, Waldir Joo. Teoria e
desenvolvimento de projetos de circuitos eletrnicos. 7 ed. 289p.
MALVINO, Albert Paul. Eletrnica. So Paulo, Mc Graw Hill do Brasil, 1986. v.2.
il.
MILLMAN, Jacob & HALKIAS, Christos C. Eletrnica: dispositivos e circuitos.
trad. Eldio Jos Robalino e Paulo Elyot Meirelles Villela. So Paulo, Mc Graw
Hill do Brasil. 1981. il v.2.

Curso de Eletrônica Básica Parte 2

Caricato da

Informazioni sul documento

Titolo originale

Copyright

Formati disponibili

Condividi questo documento

Condividi o incorpora il documento

Opzioni di condivisione

Hai trovato utile questo documento?

Questo contenuto è inappropriato?

Copyright:

Formati disponibili

Curso de Eletrônica Básica Parte 2

Caricato da

Copyright:

Formati disponibili

ELETRONUCLEAR

Gerncia de Treinamento - GTR.O

Potrebbero piacerti anche