1 UNIVERSIDAD INDUSTRIAL DE SANTANDER

ESCUELA DE INGENIERAS ELCTRICA, ELECTRNICA Y DE TELECOMUNICACIONES

Perfecta Combinacin entre Energa e Intelecto

PRACTICA CUATRO: INVERSOR LGICO CMOS JUAN FELIPE MEJA ROS ALVARO RODRIGUEZ SEBASTIAN NIETO

I.

OBJETIVOS

Reconocimiento del inversor lgico CMOS implementado con cd4007 caracterizado. Encontrar las diferencia s y semejanzas de la configuracin de fuente comn implementada mientras transistores NMOS y PMOS.

2.5 2.6 2.7 2.8 2.9 3 3.1 3.2 3.3 3.4 3.5

4.04 0.79 0.64 0.32 0.23 0.17 0.12 0.11 0.7 0.05 0

0.4u 0.4u 0.4u 0.3u 0.3u 0.2u 0.1u 0.1u 0 0 0

II.

Procedimiento
Se hace el montaje del circuito planteado en la gua, para lo cual utilizaremos una capacitancia de 56pF y alimentaremos con 5 V una onda triangular de entrada. En la primera parte que ser la parte esttica del inversor, conectamos en la entrada una fuente de tensin DC variable y mediremos las tensiones de salida y las corrientes. Experimentalmente obtuvimos esto: Tabla 1
Vin[V] 0.5 1 1.5 1.6 1.7 1.8 1.9 2 2.1 2.2 2.3 2.4 Vo[V] 5 5 4.99 4.96 4.95 4.92 4.87 4.82 4.80 4.67 4.58 4.40 I[A] 0 0 0 0 0 0 0 0.1u 0.1u 0.2u 0.2u 0.3u

De la anterior tabla se produjo la siguiente grfica: Grfica Experimental

En cuanto a la Simulacin se dibuj el siguiente circuito:

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La simulacin fue la siguiente:

Como podemos ver es muy parecida a la obtenida experimentalmente, lo cual nos da seguridad de que lo realizado esta bien. En la segunda parte en la entrada se utiliza una fuente de onda cuadrada y luego una triangular.

Cuando comparamos el voltaje de entrada con el de salida en una onda cuadrada notamos la siguiente grfica

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Tiempo de subida

Tiempo de bajada
6.0V

4.0V

2.0V

0V 0s V(M7:d) 0.1ms V(V11:+) 0.2ms 0.3ms 0.4ms 0.5ms Time 0.6ms 0.7ms 0.8ms 0.9ms 1.0ms

5.58V

4.00V

2.00V

Cuando comparamos el voltaje de entrada con el de salida en una onda triangular notamos la siguiente grfica

0V 720.0us V(M7:d) 740.0us V(V11:+) 760.0us 780.0us 800.0us Time 820.0us 840.0us 860.0us 880.0us

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Tiempo de subida

Los mrgenes de ruido se hallaran asumiendo que

Tiempo de bajada

|]

Se igualan las dos corrientes, se derivan en ambos lados de la igualdad, la salida respecto a la entrada. Luego se reemplaza la derivada por (-1), y VI por VIH. El resultado mnimo para el voltaje de entrada:

Por simetra queda

Luego los mrgenes de ruido

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Nivel alto: Vsb 1.0 1.5 2 Vt 2.1 2.5 2.8

2.2 Nivel bajo:

1.631606187 1.778987970 1.7902861664

2.2 Disipacin de potencia CONCLUSIONES Para la Parte 3 hallamos el nuevo valor de gamma variando el voltaje Vsb y obteniendo los Vt correspondientes a cada variacin para luego obtener gamma en funcin de l.

La respuesta del inversor viene determinada por el tiempo necesario para cargar/descargar la Capacitancia a travs de R del transistor.
Gracias a su carcter regenerativo, los circuitos CMOS son robustos frente a ruido o degradacin de seal y tambin son sencillos de disear.

Un inversor CMOS no consume potencia esttica, en un inversor CMOS los niveles lgicos y mrgenes de ruido son controlados mediante Wn y Wp.

BIBLIOGRAFA Circuitos Microelectrnicos, Sedra & Smith. Cuarta Edicin http://materias.fi.uba.ar/6625/Clases/Cla se20.pdf

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