Dis Positivo S

Dispositivos Electrnicos
Luczywo, Alexis Ivn 11 de diciembre de 2011
ndice general
1. Electrnica en los materiales.

1.1. 1.2. Electrones en los solidos. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Teora clsica de los metales. 1.2.1. 1.2.2. 1.3. 1.4. 1.5. 1.6. 1.7. 1.8. 1.9. Espacio de velocidad. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4
4 5 5 6 6 8 8 9 10 10 10 13 13 15 15
Densidad de partculas en el espacio de velocidad.
Teora simplicada de Sommerfeld. . . . . . . . . . . . . . . . . . Teora de las bandas. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Consideraciones de la mecnica ondulatoria. . . . . . . . . . . . . Fenmeno de acoplamiento. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Estructura de bandas en los metales. . . . . . . . . . . . . . . . . Estructura de bandas en los aisladores. . . . . . . . . . . . . . . . Estructura de banda en un semiconductor. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1.10. Efectos de juntura. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.11. Juntura Metal-Vacio. Ley de Dushman. 1.12. Efecto Schottky. 1.13. Junturas. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2. El Diodo.
2.1. 2.2. 2.3. 2.4. 2.5. Principio de funcionamiento. Circuito equivalente del diodo. Otros tipos de diodos. 2.5.1. 2.5.2. 2.5.3. 2.5.4. 2.5.5. Diodo Zener. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Ecuacin del diodo. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Curva caracterstica del diodo y parmetros importantes.
17
17 19 19 20 21 21 24 25 26 27
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Diodo Varactor o Varicap. . . . . . . . . . . . . . . . . . . Diodo Schottky. Diodo Tnel. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Diodos de aplicacin ptica. . . . . . . . . . . . . . . . . .
3. El Transistor.
3.1. 3.2. 3.3. Curva caracterstica y parmetros importantes. . . . . . . . . . . Coecientes 3.3.1.
28
30 31 32 33
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
El cuadripolo y el modulo hbrido. Anlisis de parmetros
Z.
1
NDICE GENERAL
3.3.2. 3.3.3. 3.3.4. 3.3.5. 3.3.6. 3.3.7. 3.3.8. 3.3.9.
Y. . h. . Ganancia de corriente Ai . . Impedancia de entrada Zi . . Ganancia de tensin Av . . . Impedancia de salida Zo . . Admitancias Y . . . . . . . .

Anlisis de parmetros Anlisis de parmetros 3.3.9.1. 3.3.9.2. Parmetros Parmetros
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
34 34 35 36 36 37 38 38 38 39
Relaciones paramtricas. . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
h h
en base comn. . . . . . . . . . . . en colector comn. . . . . . . . . .
4. Regmenes de temperatura y disipadores de calor.

4.1. 4.2. Regmenes de temperatura. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Disipadores. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
40
40 42
5. Transistores de efecto de campo.

5.1. JFET. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.1.1. 5.1.2. 5.2. 5.2.1. Estructura JFET. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Funcionamiento del JFET. MOSFET D. 5.2.1.1. 5.2.1.2. 5.2.2. 5.2.2.1. 5.2.2.2. 5.3. 5.4. 5.5. C-MOS
46
46 46 47 49 49 49 50 53 53 54 56 57 61
MOSFET
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Estructura MOSFET D.
Funcionamiento MOSFET D. . . . . . . . . . . . Estructura MOSFET E. . . . . . . . . . . . . . . Funcionamiento MOSFET E. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
MOSFET E . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Parmetros de los FET.
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Apndice: Valores comunes de JFET y MOSFET.
6. Familia de Tiristores-Dispositivos multijuntura.

6.1. 6.2. 6.3. 6.4. 6.5. 6.6. 6.7. 6.8. 6.9. Caractersticas de los Tiristores. . . . . . . . . . . . . . . . . . . Diodo Shockley. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . SCR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . TUJ SCS DIAC TRIAC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . PUT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
62
62 65 68 71 73 77 79 80 83 84
Sistema controlador de potencia.
6.10. Apndice: Rels estticos.
NDICE GENERAL
7. Opto-Electrnica.
7.1. Dispositivos emisores de luz. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7.1.1. 7.1.2. 7.2. 7.2.1. 7.2.2. 7.3. Diodo emisor de luz. LED. Laser. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
85
86 86 90 91 92 93 93
Dispositivos detectores de luz. Foto detectores. El diodo APD. Foto-diodo avalancha.
El diodo PIN. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Sistema opto-electrnico. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Captulo 1
Electrnica en los materiales.
1.1. Electrones en los solidos.

La materia puede encontrarse en 3 estados: Slido Lquido Gaseoso A la electrnica le interesan las propiedades de los slidos referidas a la conductividad. La conduccin es posible gracias a la existencia de cargas que pueden desplazarse bajo la inuencia de un campo elctrico superior. Los slidos son cuerpos cristalinos. Estos cuerpos se encuentran formados por una estructura de tomos dispuesta de alguna forma particular. En esta estructura los ncleos de los tomos toman posiciones jas. La conductividad se encuentra asociada al desplazamiento de los electrones del nivel superior de esos tomos. Un anlisis profundo de un metal nos muestra que una estructura metlica no es una supercie equipotencial, ya que esta ultima esta formada por los ncleos de los tomos. Entre las pequeas distancias entre ncleo y ncleo se forma un campo elctrico. Este campo esta dado por la Ec. 1.1.1
E=
1 1,6 1019 V = 1,4 1011 [ ] 4 8,85 1012 (1010 )2 m
(1.1.1)
Se debe tener en cuenta que estos campos a nivel atmico, tienen carcter peridico, ya que se repiten entre ncleo y ncleo en la estructura cristalina. Esta periodicidad es lo que le permite a los electrones mas alejados del ncleo (Que
1 La
separacin entre los ncleos se considera de
1A
CAPTULO 1.
ELECTRNICA EN LOS MATERIALES.
son los que poseen mas energa) desplazarse a travs de la supercie produciendo la conduccin. Es decir, el electrn de un tomo lejano al ncleo, se encuentra afectado tanto al campo del ncleo de su tomo, como a los campos de los tomos cercanos, la resultante de estos campos elctricos es un campo pequeo debido a que se compensan entre ellos. Este fenmeno se grca en la Fig. 1.1.1.
e
e moviles
e jos
Figura 1.1.1: Electrones en estructura Cristalina.
En la Fig. 1.1.1 se observa que existen niveles en los que es posible la conduccin y otros niveles en donde no. Esto se puede estudiar mediante la distribucin de probabilidades.
1.2. Teora clsica de los metales.

Se asemeja el comportamiento de los electrones al de una partcula de gas. El error de esta asociacin se encuentra en que las concentraciones de los electrones y de las partculas son muy diferentes, son de
1029 electrones m3
culas 1025 part , m3
respectivamente. Esta diferencia produce que no deban tenerse en cuenta las restricciones cunticas en el caso de los gases, a diferencia de los electrones de conductividad. Para entender esto es necesario introducir algunos nuevos conceptos:
1.2.1. Espacio de velocidad.

Nuestro concepto de espacio cotidiano esta formado por 3 dimensiones a las cuales llamamos alto, ancho y profundidad y usualmente los asociamos con el sistema de coordenadas cartesianas x, y, z. Anlogamente podemos desarrollar el concepto de espacio de velocidades, en donde nuestras 3 dimensiones dejan de ser parmetros de longitud y pasan a ser de velocidad, nuestro espacio (Volumen de velocidades) sera:
CAPTULO 1.
d = dvx dvy dvz
[(
m 3 ) ] s
1.2.2. Densidad de partculas en el espacio de velocidad.

El concepto de densidad en un espacio o volumen se encuentra asociado a una magnitud o cantidad que depende del volumen considerado. En el espacio de velocidad:
Debemos recordar que decir,
dn d 1 n [ m3 ] es =
1 m 3 ( ) ] m3 s n = f (vx , vy , vz ),
la ecuacin de
la cantidad de partculas por volumen, es
n = f (x, y, z ).
Si ahora consideramos
densidad resulta:
siendo
m 3/2 W dn =n e kT d 2kT 2 2 2 W =1 2 m vx + vy + vz la energa cintica del =
(1.2.1) espacio de velocidad.
La Ec. 1.2.1 se conoce como ley estadstica de Maxwell-Boltzmann. Esta ley de distribucin de probabilidades conduce a resultados contradictorios cuando se la aplica a electrones.
1.3. Teora simplicada de Sommerfeld.

Es una ampliacin a la ley de distribucin de probabilidades estudiada anteriormente. Sommerfeld agrega tres aspectos que son fundamentales: Principio de incertidumbre de Heisenberg. No se puede conocer con exactitud tanto la posicin como la cantidad de movimiento de una partcula, solo uno de ellos puede determinarse con exactitud, pero en este caso el otro tendr total incertidumbre.
px x = h
Principio de exclusin de Pauli. Dos electrones pueden hallarse en el mismo estado de energa, pero nunca sern iguales, cada uno posee un sentido de spin (giro). Principio de indiscernibilidad Es decir, no podemos distinguir un electrn de otro. Por esta razn lo nico que nos interesa son los estado cunticos posibles que se hallan ocupados. A pesar de las mejoras conseguidas al tener estas consideraciones, este modelo segua sin aproximarse del todo al modelo actual. Esto es debido a que Sommerfeld consideraba una supercie equipotencial, que como analizamos en la primer seccin, esto no es as.
CAPTULO 1.
La teora de Sommerfeld expresa la densidad de electrones respecto a un espacio de energa.
W =
dnW dW
electrones ] m3 joule
Esta funcin de densidad se encuentra denida por 2 factores.
W = N (W )f (W, T )
siendo N (W ) el numero de estados cunticos en funcin de la energa, y f (W, T ) la proporcin en que los estados estn ocupados, en funcin de la energa y la temperatura.
N (W ) = f (W, T ) =
4 (2m)3/2 1/2 W h3 1 1+ e(W Wf )/kT
(1.3.1)
(1.3.2)
La Ec. 1.3.2 se conoce como ley de distribucin estadstica de Fermi-Dirac. Recordando que esta ley representa la poblacin de electrones en los distintos niveles de energa. Teniendo esto ultimo en cuenta, podemos representar la Ec. 1.3.2 mediante el grco de la Fig. 1.3.1
Energia para temperatura T=0k Energia para temperatura T>0k

Figura 1.3.1: Energa de Fermi
Se sigue sin resolver el problema de por que algunos cristales son conductores y otros no, esto es debido al problema que mencionamos anteriormente, el hecho de que se considere a estas supercies como equipotenciales siendo que en realidad poseen un potencial peridico.
CAPTULO 1.
1.4. Teora de las bandas.

Podemos considerar que un electrn esta afectado a una sumatoria de potenciales, cada uno de los cuales pertenece a uno de los ncleos de los tomos que componen la estructura, esto se observa en la Fig. 1.1.1. Supongamos:
Ze Z
como la carga positiva del ncleo
como los electrones que rodean al ncleo, de los cuales, solo
electrones
tienen la capacidad de conducir. El potencial existente en la vecindad del ncleo sera:
Z e + C1 4ko r F e + C2 4ko r
2
El potencial fuera del casco atmico:
Recordando que la energa potencial se dene como
W = e .
W =
En la constante cristal. Si
F e2 C1 e 4ko r
C2 se encuentran incluidos los efectos de los dems iones del r entonces al no haber iones vecinos, C2 0. Esto se encuentra
representado en la Fig. 1.4.1a. En la Fig. 1.4.1b analizamos lo que sucede en el cristal considerando solo una la de sus iones, debemos recordar que en realidad el cristal es una estructura tridimensional. En esta ultima Figura se observa una linea punteada, que es la resultante de la suma de las energas en ese punto, tambin se observa que en el ultimo ion de la la (nal del cristal) se produce una barrera de conductividad. Por ultimo en la Fig. 1.4.1c podemos ver como actan los electrones frente a las energas resultantes formadas.
1.5. Consideraciones de la mecnica ondulatoria.

El electrn esta asociado a un grupo de ondas denido por la funcin en un lugar determinado.
, esta
misma elevada al cuadrado me dene la probabilidad de encontrar un electrn
2 .
Las ecuaciones de Schrdinger denen los posibles niveles donde pueden existir los electrones, estos niveles corresponden a un cierto grupo de ondas que posee una frecuencia de oscilacin natural.
2 Hablamos
de una energa potencial negativa, debido a que el potencial considerado es en
funcin del electrn
CAPTULO 1.
W

W
Barrera de conductividad
Nucleo
Nucleo
Nucleo
Nucleo
(a)
Energa
potencial
(b) Suma de las energas potenciales.
del ncleo.
W e de cond. e de cond. e de cond. e de cond. r
limite del cristal e jo

Nucleo
e jo e jo e jo e jo e jo limite del cristal

Nucleo
Nucleo
Nucleo
Nucleo
(c) Comportamiento de electrones en cristal.
Figura 1.4.1
1.6. Fenmeno de acoplamiento.

Consideremos 2 tomos, cada uno de los cuales posee un estado completo 3s. Si los acoplamos (juntamos), considerando el principio de exclusin de Pauli y el principio de indiscernibilidad, tendremos 4 electrones en niveles s, cosa que es imposible. Lo que en realidad ocurre al acoplar 2 tomos es que los niveles s se desdoblan, producindose uno de mayor energa y uno de menos. Recordando que la energa depende de la frecuencia de oscilacin del electrn, podemos explicar este desdoblamiento como un cambio de frecuencia tal como se ve en la Fig. 1.6.1. Si acoplamos n tomos se producirn n desdoblamientos. Luego si desdoblamiento depende del acoplamiento y no del numero de tomos. Este fenmeno puede producirse en cualquier nivel de energa del tomo, pero comenzara por los niveles superiores (mas lejanos al ncleo). Los niveles de energa que se solapan, pueden estar totalmente ocupados, parcialmente ocupados o vacos. dependiendo de esto ultimo sern las propiedades del material, conductor, aislante o semiconductor.
los desdoblamientos producirn una banda continua. El ancho de banda del
CAPTULO 1.
10
frec.
dist. atmicas
Figura 1.6.1: Desdoblamiento de frecuencias.
1.7. Estructura de bandas en los metales.

Los metales se caracterizan por tener una banda permitida
3 parcialmente
llena, esta banda esta ocupada por los electrones de conductividad, tambin suele llamarse banda de conduccin. Esta banda parcialmente llena le da a los metales su propiedad de conduccin y esto es debido a que al formar la estructura cristalina, estos electrones de la ultima orbita, pueden desplazarse por la estructura produciendo conduccin.
1.8. Estructura de bandas en los aisladores.

Las bandas permitidas estn totalmente ocupadas. Para que un electrn pueda conducir debe saltar de nivel, atravesando una banda prohibida para luego llegar a la prxima banda permitida. Este salto es del algunos electrnvolt, si se logra excitar un aislador con energa suciente (y producir el salto de nivel) se dice que este material entra en ruptura y comienza a conducir. La energa que se necesita para lograr esta ruptura es demasiada.
1.9. Estructura de banda en un semiconductor.

Esta es similar a la del aislante tratada en la seccin anterior. La diferencia radica en que el salto de un nivel a otro a trabes de la banda prohibida es de
1,3 [eV ]
para el silicio y
0,72 [eV ]
para el germanio. Con estos valores nos
referimos a semiconductores intrnsecos, es decir cristales puros y perfectos. La distribucin de electrones responde a la estadstica de Fermi-Dirac vista en la seccin 1.3.
3 Recordemos
que solo existen ciertos niveles donde se pueden alojar los electrones.
CAPTULO 1.
11
En este caso la funcin de estados de los electrones. Para de valencia. Cuando
N (W )
dada por la Ec. 1.3.1 no es la
misma que para los metales. El nivel de Fermi (Fig. 1.3.1) delimita la posicin
T = 0K todos los electrones se encuentran en la banda T > 0K algn electrn, debido a la energa entregada por
la temperatura, puede saltar de nivel y pasar a la banda de conduccin, como se observa en la Fig. 1.9.1.
Conduccin
Conduccin
Nivel de Fermi T>0k
Nivel de Fermi T=0k
Valencia
Valencia
Figura 1.9.1: Estructura de banda en un semiconductor
Los electrones que abandonan el nivel de valencia producen lagunas estas mismas bandas. En un semiconductor intrnseco, la densidad de
4 en
de
conductividad sera igual a la de lagunas. Lo que podemos denir a partir de la estadstica de Fermi-Dirac. Tanto los electrones como las lagunas contribuyen de igual manera a la conduccin.
ni = ke T 3/2 eW/2kT [m3 ] ke = 2(2m 1 k 3/2 ) = 5 1021 [ 3 3/2 ] h2 m k J ] k
k = constante de Boltzmann [
T = temperatura absoluta [k ]
Un cristal que no es puro, sino se encuentra contaminado, se denomina semi-
conductor extrnseco . Dependiendo de la concentracin y del tipo de impureza,

cambiara el nivel de Fermi, aproximndose a la banda de conduccin o a la banda de valencia. Este tipo de contaminacin de la que hablamos se conoce como defecto por sustitucin. Existen otras formas de aumentar la conductividad de los materiales semiconductores:
4 Se
les dice lagunas a los faltantes de electrones en un tomo.
CAPTULO 1.
12
vacantes es donde faltan tomos, de manera que la estructura queda sin

completar (Schottky).
intersticiales hay exceso de tomos en las uniones del cristal (Frenkel). dislocaciones son las roturas que se producen en el cristal.
Se trataran los defectos de sustitucin. Este fenmeno es conocido como dopado del semiconductor, lo que se logra agregando a la estructura un elemento pentavalente o uno trivalente . En el caso de un dopado con elementos de valencia 5 se producir un exceso de electrones, si la contaminacin es con elementos de valencia 3, habr huecos o lagunas de electrones. El primer caso mejora la conductividad mediante el un
que sobra en la unin del tomo pentavalente, por
esta razn se denomina a este tipo de dopado como contaminacin donora (dona
a la estructura). Para el segundo caso, la conductividad mejora por la
falta de nuevos
en la uniones trivalentes, lo que produce la capacidad de aceptar
de otras ligaduras, esta se conoce como contaminacin aceptora.
Si predominan
6 impurezas donoras, el material se clasica como tipo N y
si predominan las impurezas aceptoras se clasica como tipo P. En el primer caso el nivel de fermi se aproxima a la banda de conduccin, en el segundo se aproxima a la banda de valencia, como podemos observar en la Fig. 1.9.2.
Banda de conduccin
Banda de conduccin
Banda de conduccin
Nivel de Fermi Nivel de Fermi Nivel de Fermi
Banda de valencia
Semiconductor intrinseco
Banda de valencia
Semiconductor Tipo N
Banda de valencia
Semiconductor Tipo P
Figura 1.9.2: Niveles de Fermi en materiales tipo P y N.
5 Recordemos
manio.
que los elementos semiconductores son tetravalentes, como el silicio y el ger-
6 Decimos
que predominan porque en una estructura cristalina existen todo tipo de im-
purezas, pero nos importan las que se encuentran en mayor concentracin.
CAPTULO 1.
13
1.10. Efectos de juntura.

Nos referimos a las transiciones que se producen entre medios de diferente tipo, por ejemplo: Metal-Vacio Semiconductor-Vacio. Metal-Metal. Metal-Semiconductor. Semiconductor-Semiconductor. Una juntura puede tener caractersticas lineales, en cuyo caso se llamaran hmi-
cas (en referencia a la linealidad de la resistencia) o un comportamiento alineal,

en cuyo caso sern recticantes.
1.11. Juntura Metal-Vacio. Ley de Dushman.

Como sabemos un metal es una estructura cristalina que posee un potencial peridico
Un
ligado a esta estructura necesita una energa
para
romper esta ligadura. Podemos denir una energa de extraccin conocida como funcin de trabajo, esta ltima se dene como la diferencia entre la energa de liberacin y el nivel de Fermi. Para lograr comprender este concepto usaremos un anlisis grco.
Energa (W)
(energa extraccin)
Energa de Fermi
Wi =e
WF
Lmite Metal-Vaco
Posicin
Figura 1.11.1: Funcin de trabajo. Para lograr extraer un electrn es necesario superar tanto la energa de Fermi como la energa de extraccin, es decir
Wi . Para lograr esto el electrn debe tener
CAPTULO 1.
14
una energa cintica mayor a como liberar electrones).
Wi , pero con la consideracin de que esta velocidad
debe ser perpendicular a la supercie de juntura (Es donde nos interesa conocer Suponiendo la supercie de juntura en el plano
yz .
1 mv 2 ei 2 x vx 2ei m
Debemos conocer ahora cuantos son los electrones que sern capas de liberarse, por lo que consideramos la densidad volumtrica de electrones. Para encontrar esta densidad, derivamos se anulan lo que resulta en:
respecto de la velocidad en el eje
x.
Al
considerar la velocidad solo en ese sentido, las componentes
de la densidad
x =
dnx = f (T, vx ) dvx
(1.11.1)
Conociendo la Ec. 1.11.1 podemos obtener la densidad de corriente de conduccin.
Je = Ae T 2 e
Siendo
bo T
A m2
(1.11.2)
Ae =
4mek 2 A = 1,2 106 h3 mK b0 = e = 11600K k
Consideraciones de la ley de Dushman.

En la practica esta ley tiene ciertos inconvenientes. Algunos de los factores que afectan los resultados son: La variacin del potencial de extraccin
con la temperatura.
Esta basada en la teora de Sommerfeld, la cual no tiene en cuenta el comportamiento ondulatorio de los electrones. Las impurezas de los materiales. Los metales utilizados no son cristales perfectos, sino un conjunto de supercies cristalinas orientadas de distinta forma.
CAPTULO 1.
15
1.12. Efecto Schottky.

Si a la juntura considerada en la ley de Dushman se le aplica un campo externo a favor de la velocidad de los electrones, habr una mayor densidad de
que logren desprenderse del metal o semiconductor. En el anlisis terico
realizado este potencial del campo elctrico externo se restara a la energa de Fermi y al potencial de extraccin, esto producira que la barrera superar los electrones con su energa cintica sea menor.
Wi
que deben
Campo opuesto a la movilidad de
e .
En el caso de que el campo diculte la extraccin de electrones, el anlisis terico es idntico a lo antes expuesto con la diferencia de que la energa del campo se suma a la de Fermi y a la de extraccin.
Emisin Fra.
Cuando el campo elctrico aplicado para facilitar la extraccin de los
es muy grande, puede suceder que exista emisin de electrones a pesar de que estos no se encuentren excitados por temperatura (La temperatura es lo que les permite adquirir energa cintica). Esto puede suceder ya que un gran campo electrice externo aplicado puede producir que el nivel de Fermi baje mucho y se produzca la conduccin por efecto Tnel .
1.13. Junturas.
Cuando formamos una juntura de dos materiales que tienen distintos niveles de Fermi, estos intercambian electrones y lagunas de manera de igualar dichos niveles. El material que perdi electrones pasa a ser mas positivo, y el material que perdi lagunas mas negativo, este fenmeno hace que se produzca una diferencia de potencial en la juntura. La recombinacin electrn-hueco se produce hasta lograr igualar los niveles de Fermi de ambos materiales, en la Fig. 1.13.1 se puede observar el diagrama de las bandas de energa de una juntura.
7 Sera
analizado en el capitulo siguiente.
CAPTULO 1.
16
N
conduccin
P
conduccin
conduccin conduccin
conduccin conduccin
NF NF NF NF
valencia valencia valencia valencia valencia valencia
NF
Figura 1.13.1: Diagrama de las bandas de energa.
Algunos tipos de juntura son: Juntura Metlica. Juntura Semiconductor-Metal. Juntura Semiconductor P-Semiconductor N
Captulo 2
El Diodo.
El diodo es un dispositivo formado por una unin PN, la Fig. 2.0.1 muestra un esquema de la estructura fsica del mismo.
nodo A P
N K Ctodo
Figura 2.0.1: Estructura diodo.
2.1. Principio de funcionamiento.

El funcionamiento del diodo se encuentra basado en lo expuesto en el capitulo anterior, la unin PN del diodo forma una barrera de potencial (Capacidad de juntura) que impide la circulacin de corriente en caso de no estar polarizada esta unin. Al aplicarse un campo externo a la juntura del diodo, este puede ser constructivo a la barrera de potencial formada por la unin PN o puede disminuir su efecto. En la Fig. 2.1.1 se muestra las dos formas posibles de polarizar una juntura, las llamaremos polarizacin directa e inversa, como as tambin el efecto que
17
CAPTULO 2.
EL DIODO.
18
tiene un capo elctrico externo aplicado a la unin PN.
Juntura sin polarizar N + + + + + + P N
Polarizacin directa ++++P N
Polarizacin inversa + + + + + + + + + + + + P
Figura 2.1.1: Polarizacin Diodo.
Comenzando por la polarizacin directa, observamos que la accin del campo externo produce la recombinacin de las cargas positivas en el material N (Debido a que el terminal del material N se encuentra conectado al terminal negativo de la batera) como tambin recombinacin de las cargas negativas en el material P. Esta accin produce que la barrera de potencial de juntura se estreche a tal punto que permitir el paso de electrones y lagunas, generando as conduccin en el dispositivo. Ya conociendo el efecto de la polarizacin en la juntura sera fcil analizar lo que sucede con la polarizacin inversa. Podemos remarcar que el material P se inundara de cargas negativas, lo mismo suceder en el material N, esto provoca que la regin de empobrecimiento sea mayor, lo que equivale a decir que se necesita un mayor potencial para la extraccin de electrones.
Ruptura en inversa.
Este fenmeno se produce debido a que al aplicar un potencial externo muy elevado, se le entrega mucha energa a los electrones de los semiconductores, esto provoca que pasen a la banda de conduccin, con lo que la corriente generada en ese momento no se debe a la recombinacin de los pares electrn-hueco, sino a la misma conductividad del material. Debemos remarcar que al pasar un electrn a la banda de conduccin este afecta a otros produciendo que se multipliquen exponencialmente los efecto avalancha.
que
cambian de estado. Es por esta razn que a este fenmeno se lo conoce como
Corriente en inversa.
Al polarizar un diodo en inversa este puede presentar una pequea corriente de fuga, esta se produce debido a los efectos de la temperatura sobre los semiconductores, esta produce que aumenten los portadores minoritarios de cada material, los cuales buscan recombinarse frente a la exposicin de un campo de polarizacin inversa.
CAPTULO 2.
EL DIODO.
19
2.2. Ecuacin del diodo.

Debemos tener en cuenta que dos corrientes diferentes forman parte de la ecuacin del diodo. Primero tenemos una corriente producida por la recombinacin de los huecos y los electrones, a esta la llamaremos que se generan trmicamente, la cual llenaremos
Ir
(corriente de re-
combinacin). Existir otra corriente producida por los portadores minoritarios
Is
(corriente de saturacin).
Para el caso de haber una polarizacin (directa),
Ir >> Is .
La ecuacin que dene la corriente de recombinacin esta dada por:
Ir = Ir0 e
Siendo
V KT q
V = VB Vd
directa).
con
VB
(potencial de barrera) y
Vd
(potencial aplicado en
q:
Carga del electrn. Constante de Boltzman. Temperatura en K.
K: T:
Si no se aplica tensin (Vd
= 0), Ir = Is .
Is = Ir = Ir0 e
VB KT q
Podemos reescribir la primer ecuacin de la siguiente manera:
Ir = Ir0 e
V KT q
= I r0 e
VB Vd KT q
= Ir0 e
VB KT q
Vd KT q
= Is e
Vd KT q
Teniendo en cuenta que la corriente total sera

Vd KT q Vd KT q
I = Ir Is 1
I = Is e
Is = Is
2.3. Circuito equivalente del diodo.

En la Fig. 2.3.1 se muestra el circuito equivalente del diodo, el cual es un sencillo interruptor.
CAPTULO 2.
EL DIODO.
20
0.7V + Polarizacin directa (En conduccin)
Polarizacin inversa (En corte)
Figura 2.3.1: Equivalente diodo.
Debemos remarcar que en la practica un interruptor tiene una respuesta como la mostrada en el grco corriente-voltaje de la Fig. 2.3.1, en cambio un diodo tiene una respuesta limitada por una resistencia dinmica . En la siguiente seccin sera descripto este concepto y se observara la diferencia con el modelo equivalente.
2.4. Curva caracterstica del diodo y parmetros importantes.

El diodo responde a una curva exponencial, la misma se muestra en la Fig. 2.4.1. Debemos remarcar que en la polarizacin inversa, el diodo entrara en ruptura para cierto voltaje.
VBR 0.7V V
Figura 2.4.1: Curva diodo.
Algunos parmetros que debemos conocer del funcionamiento del diodo son:
VBR :
1 Por
Voltaje de ruptura en inversa.
cambiar en funcin del voltaje de excitacin.
CAPTULO 2.
EL DIODO.
21
Potencial de barrera: Punto donde se desencadena la conduccin en directa (Silicio:
0,7V ,
Germanio:
0,2V ).
Variacin de la curva con la temperatura.

Al aumentar la temperatura aumenta ligeramente la concentracin de portadores en los semiconductores, esto provoca que las corrientes en estado de corte aumenten un poco, y que adems el potencial de barrera y la tensin de ruptura disminuyan.
Resistencia dinmica rd .
Este es un concepto necesario para lograr comprender porque se compara al diodo con un interruptor. Como dijimos en la seccin 2.3 el funcionamiento ideal del diodo seria como un interruptor donde se puede conseguir un estado de corte o conduccin perfectos. En la realidad esto no es as, sino que el diodo presenta una muy alta impedancia en polarizacin inversa (corte con ligera corriente de fuga) y una muy baja impedancia en conduccin (lo que genera pequeas variaciones de voltaje con la corriente). Este fenmeno se encuentra descripto por la resistencia dinmica
rd .
2.5. Otros tipos de diodos.

2.5.1. Diodo Zener.
No solo la regin de polarizacin directa es til en aplicaciones electrnicas, tambin puede ser de gran utilidad aprovechar la regin de ruptura de una diodo. Existen diodos particulares que tienen perfectamente denida esta regin de ruptura, se conocen como diodos Zener o tambin diodos avalancha.
Funcionamiento de Zener.
Este dispositivo funciona como un controlador de voltaje, una vez que entra en funcionamiento, se puede variar la corriente dentro de los limites de potencia del dispositivo sin que el voltaje vare. En la Fig. 2.5.1 se muestra el smbolo del dispositivo.
CAPTULO 2.
EL DIODO.
22
Ctodo (K)
nodo (A)
Figura 2.5.1: Smbolo Zener.
A travs del dopado de los semiconductores se puede lograr Zener de distintos voltajes. Podemos encontrar Zener de
1V
200V .
Es necesario aclarar que
aunque en la practica su uso es el mismo, el funcionamiento interno de este dispositivo varia de acuerdo al voltaje Zener. Para voltajes bajos, menores a
6V ,
la ruptura se produce por efecto Zener, para voltajes mayores la ruptura es
por efecto avalancha.
Efecto Zener.
Se produce a travs del mecanismo tnel. Los materiales semiconductores que conforman la juntura estn muy dopados, lo que produce que la banda de conduccin del material N se encuentre al mismo nivel de energa que la banda de valencia del material P. Cuando el campo externo es lo sucientemente grande, la regin de empobrecimiento se estrecha permitiendo que los electrones de la banda de valencia atraviesen esta barrera con su energa cintica y pasen a la banda de conduccin. Este fenmeno se lo puede observar en la Fig. 2.5.2.
CAPTULO 2.
EL DIODO.
23
Sin polarizacion P Conduccin N P
Con polarizacion N Conduccin
Prohibida
Conduccin
Prohibida
Conduccin
Valencia
Prohibida
Valencia
Prohibida
Valencia
Valencia
Regin empobresimiento
Regin empobresimiento
Figura 2.5.2: Ruptura efecto zener.
Multiplicacin por avalancha.

Es cuando, debido al campo externo aplicado, se excitan los materiales semiconductores generando pares electrn-hueco. En el proceso de recombinacin de los mismos, adquieren energa cintica que al colisionar con los tomos de la estructura cristalina forman nuevos portadores. Este proceso se produce cclicamente aumentando exponencialmente la existencia de electrones y lagunas de conductividad.
Curva caracterstica del zener.

En la Fig. 2.5.3 se muestra la curva caracterstica del diodo zener.
CAPTULO 2.
EL DIODO.
24
VZ
Lmite potencia
I
Figura 2.5.3: Curva zener.
2.5.2. Diodo Varactor o Varicap.

Este diodo funciona en polarizacin inversa y utiliza la regin de empobrecimiento de la unin como dielctrico para formar un capacitor. La capacidad de esta juntura es variable, es por esto que recibe el nombre de varicap. Su simbolo se muestra en la Fig. 2.5.4.
K
Figura 2.5.4: Smbolo varicap.
La razn por la cual se puede variar la capacidad es que al polarizar en inversa el diodo el ancho de la regin de empobrecimiento aumenta, recordando la formula de la capacidad, Ec. 2.5.1 , observamos que este aumento de separacin produce que disminuya la capacidad.
C=
este diodo (Donde varia su capacidad).
A d
(2.5.1)
En la Fig. 2.5.5 se puede observar el rea del grco donde puede trabajar
2 A:
rea de placas, d: distancia entre placas,
: constante dielctrica.
CAPTULO 2.
EL DIODO.
25
Regin de trabajo
I
Figura 2.5.5: Curva varicap.
2.5.3. Diodo Schottky.

La estructura de este tipo de diodo se muestra en la Fig. 2.5.6. Se puede observar que es la unin de un semiconductor tipo N, que se encuentra altamente dopado, con un metal como el platino, el oro o la plata.
nodo
Plata Oro Platino
N K Ctodo
Figura 2.5.6: Estructura diodo schottky.
Al esta muy dopado el material N, los electrones del mismo se desplazan hacia el metal para lograr igualar sus bandas de energa. Esto produce que el material N adquiera un potencial positivo. Por esta ultima razn si aplicamos una polarizacin inversa el diodo no entrara en conduccin y si aplicamos una polarizacin directa, luego de superar un potencial de barrera de aproximadamente
0,3V
entrara en conduccin.
Estos diodos tienen gran utilidad en aplicaciones de alta frecuencia debido a que pueden realizar rpidas transiciones.
CAPTULO 2.
EL DIODO.
26
2.5.4. Diodo Tnel.

El diodo tnel funciona utilizando el principio de funcionamiento tnel que explicamos durante el diodo Zener, a diferencia del Zener este tipo de diodo lleva mayor concentracin de portadores en ambos semiconductores (semiconductores degenerados: ya no tienen caractersticas de semiconductores).
K
Figura 2.5.7: Smbolo Diodo Tnel.
La banda de valencia del material P es ligeramente de mayor energa que la banda de conduccin en N. Recordando que ambos materiales estn muy dopados, la banda de conduccin de N tiene portadores, mientras que la banda de conduccin de P no los tiene. Al aplicar una polarizacin los niveles comienzan a igualarse y se comienza a inundar la regin P con portadores de N, hasta que los dos niveles se encuentran a la misma energa, que es donde se obtiene la corriente mxima. Esto produce una respuesta como la que se observa entre los puntos A y B de la Fig. 2.5.8.
I B
A I
IP
C V
IV VP VV
V
Figura 2.5.8: Curva Tnel.
Si la polarizacin sigue aumentando ahora los niveles de P y de N comienzan a desigualarse nuevamente disminuyendo la circulacin de corriente hasta cero (Puntos B y C de la Fig. 2.5.8. Adems existe una corriente producida debido a las caractersticas de la juntura, La cual se muestra en lineas de punto en la Fig. 2.5.8.
CAPTULO 2.
EL DIODO.
27
Finalmente sumando las dos respuestas de corriente se obtiene la curva caracterstica que se muestra en el segundo grco de la Fig. 2.5.8.
2.5.5. Diodos de aplicacin ptica.

Otros diodos de gran aplicacin son los utilizados en ptica. Los mismos sern desarrollados en el captulo 7, entre ellos: Diodo PIN. Diodo Lser. LED.
Captulo 3
El Transistor.
La palabra transistor se origina en base al funcionamiento del mismo. Esto es, el transistor funciona como una especie de resistencia variable que modica la cantidad de corriente que permite pasar o la cada de voltaje en l. Trans se reere a trans ferencia, istor viene de resistor. En la Fig. 3.0.1a se puede ver como acta un transistor, bsicamente se conforma por dos partes, la primera es un can de electrones, cuya nalidad es inundad de electrones el material tipo P de manera de aumentar la corriente
ic .
Este can de electrones se lo puede reemplazar por un material con exceso
de electrones como un material tipo N como se ve en la Fig. 3.0.1b . Existen diferentes conguraciones para un transistor, estas dependen de cual de sus terminales se deriva a tierra. Cada una de las conguraciones tiene distintas caractersticas en cuanto a ganancias de corriente y tensin e impedancias de entrada y salida. La conguracin que se uso con anterioridad para introducirnos al tema es
base comn, se puede notar en la Fig. 3.0.1b que es la base la que se encuentra
conectada a masa. Las otras conguraciones son emisor comn y colector comn. Podemos decir sobre el circuito de la Fig. 3.0.1b que el ujo de electrones
Ie
se dividir mayoritariamente en
Iec
y una pequea parte sera
efecto que queremos conseguir ya que nos benecia , para lo cual los transistores deben fabricarse con ciertas especicaciones. El rea del semiconductor tipo P debe ser mnima. El potencial del emisor deber ser mayor al del colector sin estar polarizada su unin, para lo cual el emisor deber tener mayor concentracin de electrones (Se logra mediante el dopado visto con anterioridad.). rea del colector deber ser mayor a la del emisor debido a que el primero debe disipar mas energa.
Ieb ,
este es un
1 Transistor en 2 Mas adelante
conguracin Base Comn. se analizara con mas detalle esta ventaja.
28
CAPTULO 3.
EL TRANSISTOR.
29
Caon de electrones
Ic
Rc Re
Diodo Comn
(a)
Emisor
Ie
Base
Iec
Colector
Ic
N
Ieb
P
Icb
Re Vee
Ib
Rc Vcc
(b)
Figura 3.0.1: Funcionamiento Transistor.
Respecto al diseo del circuito tambin debe tenerse en cuenta que: La unin Base-Emisor debe estar en polarizacin directa. La unin Base-Colector debe estar en polarizacin inversa. Aplicando la ley de Kircho de las corrientes a nuestro circuito sabemos que:
Ie = Ib + Ic Ie = Ieb + Iec Ic = Iec + Icb

Resolviendo el sistema de ecuaciones.
CAPTULO 3.
EL TRANSISTOR.
30
Ib = Ieb + Iec Iec Icb Ib = Ieb Icb

Para que esto sea posible, la corriente del emisor debe ser mayor a la del colector
Ie > I c ,
por lo que podemos concluir que no es una conguracin que
permita ganancia de corriente. Nos falta determinar si esta conguracin nos permite ganancia de tensin. Conociendo ya que:
Zi , Zo
Ai
podemos determinar si existe ganancia
3 de tensin
Av =
Si
Vo Vi
Vo = Io Zo
Vi = Ii Zi
luego:
Av =
Zo Io Zo = Ai Zi Ii Zi Zi
es baja y
En el caso particular del base comn la
Zo
muy alta, por lo que
puede tener ganancia de tensin a pesar de no tener de corriente. En el Cuadro 3.1 se realiza una comparacin entre las distintas caractersticas de cada conguracin. Base Comn Emisor Comn Moderada Moderada Tiene Colector Comn Muy Alta Muy Baja
Zi Zo Ai Av
Baja Muy Alta
<1 o T iene si Z Zi
Tiene
Zi T iene si Z o <1
Cuadro 3.1: Comparacin de las conguraciones.
3.1. Curva caracterstica y parmetros importantes.

En la Fig. 3.1.1 se puede ver la familia de curvas que representan este dispositivo. Este grco se lo encuentra de la relacin entra familias de curva, en caso de estar prximo a
VCE
IC .
El punto
Q (punto de operacin del circuito) se puede encontrar sobre cualquiera de las esta trabajando en saturacin, por el contrario se regin activa.
VCE 0 decimos que el transistor IC 0 el transistor trabaja
en corte, nalmente el punto Q puede encontrarse en un punto intermedio de la
3 Recordemos
sistema.
que la ganancia se dene como la relacin entre la salida y la entrada al
CAPTULO 3.
EL TRANSISTOR.
31
ic
IB4
regin saturacin
regin activa
IB3
regin corte
IB2 IB1
0.7V
BVCE
vce
Figura 3.1.1: Curva transistor.
Regin activa: Se denomina as por ser la que permite utilizar las propiedades de amplicacin del transistor. Regin saturacin: Es aquella en la que se produce circulacin de corriente con un mnimo de voltaje aplicado. Regin de corte: Es aquella en la que, independientemente del voltaje que se aplique a los terminales, no circula corriente signicativa.
3.2. Coecientes y .
Alfa .
Es la relacin entre un cambio en
IC
y el respectivo cambio producido en
IE .
Para corriente continua:
=
Para corriente alterna:
IC IE
=
Como siempre sera mayor la corriente 1.
ic ie IE ,
este factor nunca sera mayor que
CAPTULO 3.
EL TRANSISTOR.
32
Beta .
Es la relacin entre un cambio en
IC
y el respectivo cambio producido en
IB .
Para corriente continua:
=
Para corriente alterna:
IC IB
ic ib
Relacin entre y .
Recordando que
IE = IC + IB
Adems
IE = IB =
Luego
Ic Ic
= =
1+ 1
3.3. El cuadripolo y el modulo hbrido.

Un cuadripolo es un dispositivo que tiene 2 terminales de entrada y 2 de salida. Se puede analizar al transistor cono si fuera un cuadripolo ya que si uno considera la malla de entrada y la malla de salida como independientes, se puede realizar un circuito equivalente con 2 terminales de entrada y con 2 terminales de salida. En la Fig. 3.3.1 se muestra un cuadripolo representado como si fuera una caja negra. Podemos observar en esta gura que las dos corrientes de los terminales del cuadripolo se denen como corrientes entrantes. Esto es una simple convencin que se utiliza para analizar un cuadripolo.
CAPTULO 3.
EL TRANSISTOR.
33
I1 V1 Cuadripolo
I2 V2
Figura 3.3.1: Cuadripolo.
Para analizar este circuito utilizaremos 3 parmetros: Impedancia Admitancia Hbrido
Z,
es la relacin entre la tensin y la corriente. la relacin entre la corriente y la tensin.
Y ,es
h,
es una combinacin de los dos parmetros anteriores.
3.3.1. Anlisis de parmetros Z .

Primero debemos aclarar la notacin que utilizaremos para evitar confusin, esta notacin tambin nos ser til en el estudio de los dems parmetros.
Z11 hace referencia a la impedancia (solo en este caso, depender de la letra si

es admitancia o parmetro hbrido.) que se observa desde la entrada del circuito
V1
aplicada a la corriente del terminal de entrada
I1 .
Z12
circuito
hace referencia a la impedancia que se observa desde la entrada del
V1 aplicada a la corriente del terminal de salida I2 . Z22 hace referencia a la impedancia que se observa desde la salida del circuito V2 aplicada a la corriente del terminal de salida I2 . Z21 hace referencia a la impedancia que se observa desde la salida del circuito V2 aplicada a la corriente del terminal de entrada I1 .
Aplicando LKV al circuito de la Fig. 3.3.1 obtenemos que la tensin en la entrada
V1
es igual a la cada de la tensin en la entrada
Z11 I1
mas la cada de
la tensin a la salida
Z12 I2 . V1 = Z11 I1 + Z12 I2

(3.3.1)
Un desarrollo anlogo para la salida resulta en:
V2 = Z22 I2 + Z21 I1
De estas dos ecuaciones se pueden despejar los cuatro parmetros de impedancia imponiendo cierta condicin para cada uno.
Z11 =
Observamos que si en la Ec. 3.3.1
V1 |I =0 I1 2 se hace 0 la
corriente
I2
se puede despejar
Z11
como lo hicimos anteriormente. De la misma manera se obtiene el resto de
los parmetros.
CAPTULO 3.
EL TRANSISTOR.
34
Z12 = Z21 = Z22 =
V1 |I =0 I2 1 V2 |I =0 I1 2 V2 |I =0 I2 1
En estas ultimas ecuaciones se reeja el signicado de los subndices que habamos explicado anteriormente.
3.3.2. Anlisis de parmetros Y .

Ya conociendo el procedimiento de la obtencin de parmetros
realizare-
mos los pasos necesarios sin mayor explicacin. Solo debemos aclarar que cuando nos referimos a admitancias, podemos representar la ley de Ohm como de esta manera la LKI del cuadripolo resulta.
I =YV,
I1 = Y11 V1 + Y12 V2 I2 = Y21 V1 + Y22 V2

de estas ecuaciones despejaremos
imponiendo condiciones
Y11 = Y12 = Y21 = Y22 =
I1 |V =0 V1 2 I1 |V =0 V2 1 I2 |V =0 V1 2 I2 |V =0 V2 1
3.3.3. Anlisis de parmetros h.

Para este caso utilizaremos tanto la LKV como la LKI. El planteo de las ecuaciones de malla resulta.
V1 = h11 I1 + h12 V2 I2 = h21 I1 + h22 V2

Despejando como ya conocemos.
h11 =
V1 I1
|V2 =0
Se observa que esta es una impedancia.
CAPTULO 3.
EL TRANSISTOR.
35
V1 V2 |I1 =0 Este parmetro es la inversa de una ganancia de tensin, ya que es entrada sobre salida y no al revs. 2 h21 = I I1 |V2 =0 Este parmetro es una ganancia de corriente. I2 h22 = V |I1 =0 Podemos ver que esto es una admitancia.
h12 =
La distinta naturaleza de cada parmetro recin nombrado es lo que da origen a su denominacin parmetro hbrido. El estudio de transistores se realiza con parmetros hbridos. un transistor dentro de un cuadripolo se vera como muestra la Fig. 3.3.2.
I1
Rs Vs hi
I2
V1
hrV2
hfV1
ho
V2
RL
Figura 3.3.2: Cuadripolo de un transistor EC.
La notacin que suele utilizarse con transistores es la siguiente.
hi hr hf ho
impedancia de entrada (input)
h11 . h12 . h21 .
ganancia inversa (reverse) de tensin
ganancia directa (forward) de corriente admitancia de salida (output)
h22 .
A dems para aclarar la conguracin en la que se encuentra el transistor se agrega un subndice dependiendo de si es base comn, colector comn o emisor comn. Por ejemplo la impedancia de entrada en emisor comn es
hie .
3.3.4. Ganancia de corriente Ai .

La representacin del transistor como un cuadripolo facilita la obtencin de ciertos parmetros como la ganancia de corriente, las impedancias de salida y de entrada, o la ganancia de tensin. Sabemos que la ganancia de corriente es la relacin entre las corrientes entrantes y salientes.
Ai =
Siendo
IL Is I2 I1
Is = I1
IL = I2 Ai =
CAPTULO 3.
EL TRANSISTOR.
36
Sabemos que:
I2 = hf I1 + ho V2 V2 = I2 RL
Reemplazando y sacando factor comn
I2 .
I2 (1 + ho RL ) = hf I1
Reagrupando trminos obtenemos.
Ai =
I2 hf = I1 1 + ho RL
(3.3.2)
3.3.5. Impedancia de entrada Zi .

Zi = V1 Vi = Ii I1
Recordemos de la denicin de parmetros hbridos que:
V1 = hi I1 + hr V2
Luego.
Zi =
Sabemos que de salida
V1 V2 = hi + hr I1 I1
V2 es el voltaje de salida que es igual al producto de la corriente I2 y la resistencia de carga RL . Siendo V2 = IL RL = I2 RL luego. Zi = hi + hr RL ( I2 ) I1
2 Ai = I I1 ,
El ultimo parntesis es tambin la ganancia de corriente que reemplazando con la Ec. 3.3.2.
por lo
Zi = hi
hr RL hf 1 + ho RL
(3.3.3)
3.3.6. Ganancia de tensin Av .

Siendo la ganancia de tensin la relacin entra las tensiones a la salida y la entrada.
Av =
Recordemos que estas expresiones.
V2 V1
adems
V2 = IL RL = I2 RL
I2 = Ai I1 .
Sustituyendo
CAPTULO 3.
EL TRANSISTOR.
37
Av =
Reagrupando convenientemente.
Ai I 1 R L V1
Av =
Ai RL 1 (V I1 )
Podemos observar que el parntesis del denominador corresponde a la impedancia de entrada, reemplazando la Ec. 3.3.3.
Av = Ai
RL Zi
(3.3.4)
3.3.7. Impedancia de salida Zo .

Esta estar denida por la tensin de salida y la corriente de salida, pero solo debe medirse bajo ciertas condiciones, estas son con la carga abierta sin seal de entrada
RL =
Vs = 0. Zo = V2 |V =0 RL = I2 s
Siendo
I2 = hf I1 + ho V2 Zo =
luego.
1 V2 = I V2 1 hf I1 + ho V2 hf V2 + ho V 2
(3.3.5)
Planteando LKV a la malla de entrada y recordando que no hay seal en la entrada del cuadripolo
Vs = 0 0 = Rs I1 + hi I1 + hr V2
Despejando obtenemos.
hr V2 = I1 (Rs + hi )
Luego.
hr I1 = V2 Rs + hi
Reemplazando esta expresin en la Ec. 3.3.5 obtenemos la impedancia de salida del cuadripolo en funcin de los parmetros hbridos.
Zo =
1 ho
hf hr Rs +hi
Rs + hi (Rs + hi )ho hf hr
(3.3.6)
CAPTULO 3.
EL TRANSISTOR.
38
3.3.8. Admitancias Y .
Para obtener las admitancias utilizaremos las formulas ya calculadas para las impedancias, ya que sabemos que
Y =
1 Z . Por lo que:
Yi = Yo =
1 Zi 1 Zo
Ejemplo 1. Los valores tpicos de los parmetros hbridos en un transistor

en conguracin emisor comn y con una corriente de emisor aproximada de
Ie = 1,3mA
son:
hie = 1100 hre = 2,5 104 hf e = 50

A [mho] hoe = 25 V
Para este ejemplo usaremos una carga
RL = 10k
y una resistencia de seal y
Rs = 1k .
Aplicaremos las ecuaciones ya conocidas de
Av , Ai , Z o
Zi .
Zi = hie Zo =
hre hf e 2,5 104 50 = 1000 = 1100 oe 25 106 + 104 1+ h RL 1

hf e hre Rs +hie
hoe
1 25 106
502,5104 1000+1100
= 52,5K
Ai =
hf e 50 = 40 = 1 + hoe RL 1 + 25 106 104 Av = Ai RL 104 = 40 3 = 400 Zi 10
3.3.9. Relaciones paramtricas.

Este tipo de relaciones nos permite conocer los parmetros de una conguracin dada teniendo como datos los parmetros de otra conguracin. Luego de obtener los parmetros de cada conguracin para conocer
Av , Ai ,
Zi
Zo
se utilizan siempre las mismas ecuaciones que se plantearon para emisor
comn.
3.3.9.1.
Parmetros
hie hf e +1
en base comn.
hib =
CAPTULO 3.
EL TRANSISTOR.
39
hrb =
hie hoe hf e 1 h
hre
fe hf b = hf e +1
hob =
3.3.9.2.
hoe hf e +1
Parmetros
en colector comn.
hic = hie hrc = 1 hf c = (hf e + 1) hoc = hoe

Ejercicio 2. Luego de aplicar las relaciones paramtricas con los valores tpicos
dados en el Ejemplo 1, calcular Comn.
Av , Ai , Z i
Zo
para Base Comn y Colector
Captulo 4
Regmenes de temperatura y disipadores de calor.
Regmenes en los dispositivos.

Las caractersticas de los dispositivos se encuentran controladas por las normas JEDEC (Joint Electron Devices Engineering Council). Estas normas controlan caractersticas como: Mximos absolutos. Mximos de diseo. Medios de diseo. Los regmenes mximos absolutos son valores limites bajo condiciones ambientales y operativas aplicables a cualquier
1 dispositivo electrnico. Estos datos se
denen por los datos publicados por el fabricante y no deben ser excedidos ante condiciones adversas de funcionamiento. Los datos mas comunes que releva el fabricante son tensiones de referencia entre terminales, la corriente que debe circular por cada terminal, las caractersticas de potencia, entre otros. En este capitulo hablaremos de las regmenes de temperatura, para luego introducirnos al estudio de los disipadores con el n de poder controlar el funcionamiento de los dispositivos que utilicemos de manera ptima.
4.1. Regmenes de temperatura.

Existen dos parmetros de temperatura que denen el funcionamiento de un dispositivo:
1 Cuando
nos referimos a cualquier dispositivo, hablamos de que deben ser parmetros
comunes a TODOS los dispositivos de un mismo tipo.
40
CAPTULO 4. REGMENES DE TEMPERATURA Y DISIPADORES DE CALOR.41
Temperatura de operacin: Es el rango de temperatura en el que el dispositivo puede funcionar respetando las especicaciones dadas por el fabricante. Temperatura de almacenamiento: Este rango dene la estabilidad del dispositivo. Para facilitar el estudio de los parmetros trmicos haremos una analoga a conceptos elctricos que tenemos mejor incorporados. En el Cuadro 4.1 se presenta la equivalencia elctrica-trmica que vamos a analizar. Parmetros elctricos Parmetros trmicos
I [A] V Resistencia elctrica R = A [] Q A.seg Capacidad C = [ V V ] Diferencia de tensin V

Corriente Voltaje de referencia: Tierra
P [W ] T C Resistencia trmica = P [W ] P.t W.seg Capacidad trmica CT = T [ C ] Diferencia de temperatura T

Calor(potencia) Temperatura de referencia: Ambiente
Cuadro 4.1: Equivalente Elctrico-trmico.
Analizando el Cuadro 4.1 podemos plantear una ley de Ohm trmica:
T = P
Debemos resaltar que en esta ecuacin
(4.1.1) cumple la funcin de disipar calor,
resaltamos este punto ya que nos sera de utilidad en el estudio de la siguiente seccin. El circuito trmico correspondiente a la Ec. 4.1.1 se muestra en la Fig. 4.1.1.
TJ
temp. juntura
O J-C
resistencia juntura-carcasa
TC
temp. carcasa
OC-D
resistencia carcasa-disipador
TD
temp. disipador
O D-A resistencia disipador-ambiente
temp. amb. T A
Figura 4.1.1: Circuito trmico.
Observemos que la ley planteada nos permite conocer las distintas temperaturas.
Tj c = Tj Tc = j c PD
De la misma manera podemos plantear el resto de las temperaturas del circuito solo analizando la Fig. 4.1.1como si fuera un circuito elctrico.
4.2. Disipadores.
Con el n de mantener la temperatura de funcionamiento de cualquier dispositivo que utilicemos dentro de un rango determinado se utilizan disipadores. Existen ciertas consideraciones que tener con los disipadores. Su supercie debe ser lo mas grande posible con el n de lograr la mxima transferencia de calor entre esta y el ambiente. El acabado de la supercie afecta factores como la emisividad . Debe considerarse tambin la conductividad trmica ya que podran producirse en el disipador gradientes trmicos excesivos, es decir, que no se produzcan cambios abruptos de temperatura, lo que afectara su funcionamiento.
Evacuacin del calor.

Existen tres maneras en las que se disipa el calor para as disminuir la temperatura de funcionamiento de los dispositivos electrnicos. Conduccin. Conveccin. Radiacin. Hay diferentes ecuaciones que denen cada una de las formas de evacuacin de calor en un disipador. Conduccin.
cond =
Siendo:
d C [ ] 4,186KA W
d =longitud del camino trmico. K =conductividad trmica. A =rea perpendicular al camino

Conveccin.
trmico (rea total expuesta).
conv =
Siendo:
2300 L A Ts Tamb
1/4
A =rea total expuesta. Ts =temperatura de la supercie Tamb =temperatura ambiente. L =altura del disipador.
del disipador.
2 A continuacin se vera la emisividad como un factor que afecta a la radiacin del disipador.
Radiacin.
rad =
Siendo:
1793 108 2 + T 2 )(T + T AE (Ts s amb ) amb
A =rea total expuesta. E =emisividad 0 < E < 1. Ts =temperatura de la supercie Tamb =temperatura ambiente.
del disipador.
Cuando buscamos un material para fabricar un disipador, no solo nos debemos jar en la conductividad trmica como mencionamos anteriormente. Esto es debido a que segn la densidad del metal a utilizar, podramos tener un disipador mas grande y con menos conductividad termina o viceversa. Para aclarar lo recin mencionado podemos ver en el Cuadro 4.2a una tabla de la conductividad trmica de los distintos metales y en el Cuadro 4.2b la densidad de los mismos. Material Plata Cobre Oro Aluminio(6063) Aluminio(comn) Acero Cond. Term. [ 412 377 296 220 206 45
W mK ]
(a) Conductividad trmica.
Material Plata Cobre Oro Aluminio(6063) Aluminio(comn) Acero
Densidad [ 10.5 8.96 19.3 2.7 2.7 7.86
g cm3 ]
(b) Densidad.
Cuadro 4.2
Factor de disipacin.
Llamaremos factor de disipacin a la relacin que existe entre la conductividad trmica y la densidad de un material.
fd =
cond. term. densidad
En el siguiente ejemplo comprenderemos el uso de esta relacin.
Ejemplo 3. Supongamos que fabricamos dos disipadores con metales distintos pero utilizando la misma cantidad de material. El primero sera de plata y utilizaremos
50g
de material.
Lo que buscamos obtener es la potencia disipada por unidad de temperatura y por unidad de supercie. Para ello utilizaremos la siguiente formula.
P ot. dis. = fd m
Siendo plata.
fd
el factor de disipacin y
la masa del disipador. Para el caso de la
P ot. dis. =
W 412 mK g 50g 10,5 cm 3
P ot. dis. = 1961,9

Para el caso del aluminio(6063).
W cm3 mK
P ot. dis. =
W 220 mK g 50g 2,7 cm 3
P ot. dis. = 4074,1
W cm3 mK
De este ejemplo podemos concluir que no siempre la mayor conductividad trmica es el mejor caso, tambin podemos realizar un anlisis de las unidades obtenidas
W 3 mK cm . Observemos que esta unidad concuerda con la lgica, ya que la conductividad
trmica se ve incrementada por la supercie del disipador.
Tipos de disipadores.
Aletas verticales planas.
Se encuentra hecho de aluminio y puede o no tener un acabado de su supercie anodizado. La forma de disipar es a travs de la conveccin natural, o de conveccin forzada suave.
Aletas verticales cilndricas radiales.
Se encuentra hecho de aluminio fundido con acabado negro anodizado. La forma de disipar es a travs de la conveccin natural, o de conveccin forzada suave. Permite un mximo enfriamiento utilizando el mnimo posible de espacio lateral.
Aletas horizontales cilndricas.
Se fabrica de aluminio. Permite un mximo enfriamiento utilizando el mnimo posible de volumen.
Aislantes elctricos.
Existen distintos aislantes elctricos que se suelen colocar entre el dispositivo electrnico y el disipador con el n de evitar corto circuitos. 1. Mica: su espesor es de aproximadamente es de
C 0,4 W ,
y presenta una capacidad de
0,05mm, 90pF .
su resistencia trmica
2. Aluminio anodizado: su espesor es de aproximadamente sistencia trmica es de
C 0,35 W ,
0,4mm, su 110pF .
re-
3. Oxido de berilio: su espesor es de aproximadamente trmica es de
C 0,25 W ,
1,59mm, su resistencia 15pF .
No solo se debe considerar la resistencia trmica que aportan estos aislantes en el circuito trmico (como el de la Fig. 4.1.1), sino tambin la resistencia que aporta la unin de los aislantes y los disipadores. Existen distintas maneras de unirlos entre ellas: 1. Contacto directo entre dispositivo y disipador:
C 0,25 W C 0,12 W
2. Contacto directo entre dispositivo y disipador con pasta siliconada: 3. Contacto directo entre dispositivo, mica y disipador:
C 0,8 W
4. Contacto directo entre dispositivo,mica y disipador con pasta siliconada:
C 0,4 W
Captulo 5
Transistores de efecto de campo.
Existen dos tipos de transistores de efecto de campo, JFET (de juntura) y MOSFET (semiconductor oxido-metlico). Estos poseen un funcionamiento similar con algunas diferencias que desarrollaremos en el transcurso del capitulo. La diferencia con los transistores bipolares que ya hemos visto radica en sus caractersticas, no as en su uso. Es decir, una caracterstica que los diere es el hecho de que un transistor bipolar es excitado por corriente, mientras que un FET lo hace por tensin; cuando decimos que su uso es similar es porque en algunas aplicaciones se pueden utilizar cualquiera de los dos, por ejemplo en una etapa amplicadora.
5.1. JFET.
5.1.1. Estructura JFET.
Internamente este dispositivo esta formado por una canal N rodeado por un anillo de material P o viceversa. La estructura recin nombrada del JFET se muestra en la Fig. 5.1.1 junto con su smbolo.
46
CAPTULO 5.
TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO.
47
Drenador
Drenador
N
Gate Gate
P
Gate
Drenador
Drenador
Gate
Surtidor
Surtidor
Surtidor
Surtidor
Canal N
Canal P
Canal N
Canal P
Figura 5.1.1: JFET de canal N y P.
Regin de empobrecimiento.
El funcionamiento del JFET consiste en una oblea conductora, supondremos en este caso de material N, que acta como una resistencia. Esta canal conductor se encuentra rodeado por un anillo de material P. Al polarizar inversamente el material P se genera un campo elctrico sobre el canal N que va dicultando el paso de los electrones progresivamente. Este campo elctrico creciente es lo que se denomina Regin de empobrecimiento. Este fenmeno se lo grca en la Fig. 5.1.2. Si la unin PN no esta polarizada por el gate, la regin de empobrecimiento crecer solo por el aumento de la corriente de drenador. En el caso de existir una polarizacin del gate, con menor corriente de drenador se lograra estrangular el canal, esto es lo que da origen a la familia de curvas del JFET.
Idss
Id<Idss
Id<<Idss
N
Vg=0 Vg=-2
N
Vg=-4
Figura 5.1.2: Regin de empobrecimiento.
5.1.2. Funcionamiento del JFET.

Observemos que para el caso de resistencia, en un grco
VGS = 0
el canal N se comporta como
I = f (V )
esto seria una recta, en la Fig. 5.1.3 este
CAPTULO 5.
48
comportamiento es el que se presenta en la regin hmica. Tambin se aprecia en esta gura que al llegar a cierto voltaje este valor lo llamamos
VDS
la corriente se hace constante, a
IDSS .
Este fenmeno se produce porque el voltaje
VDS
en ese punto produce una polarizacin inversa en la unin PN que no permite el aumento de corriente. y se conoce como estrangulamiento.
id
Idss
vgs=0
region ohmica
Vpo
BVds
Figura 5.1.3: Comportamiento JFET.
vds
Recordemos que cualquier dispositivo se encuentra denido por su ecuacin caracterstica y el comportamiento de sus parmetros expresados en un grco en el que se denen las curvas caractersticas. La Ec. 5.1.1 es conocida como ecuacin de Shockley, esta dene las caractersticas del JFET con la relacin
VGS -ID . VGS 2 ] VGSof f

(5.1.1)
ID = IDSS [1
Esta ecuacin resulta en una curva como la que se observa en la Fig. 5.1.4. Figura 5.1.4: Curva Shockley de JFET.
CAPTULO 5.
49
Adems se puede denir el comportamiento del JFET considerando la familia de curvas caractersticas
VDS -ID .
Estas se muestran en la Fig. 5.1.5.
id
Ipo
vgs=0
vgs=-2
vgs=-4 vgs=-6
Vpo
BVds
vds
Figura 5.1.5: Curva caracterstica JFET.
5.2. MOSFET
MOSFET hace referencia a la tecnologa que se utiliza en la estructura de estos dispositivos, signica Transistor de Efecto de Campo Semiconductor Oxido-
Metlico.
Existen dos tipos principales de MOSFET, un es el tipo D, otro es el tipo
E. El primero puede funcionar tanto en modo de empobrecimiento como de enriquecimiento, en cambio el segundo solo funciona en modo de enriquecimiento.
5.2.1. MOSFET D.
Se los denomina tipo D (dual) por su capacidad de funcionar en ambos modos como lo mencionamos anteriormente.
5.2.1.1.
Estructura MOSFET D.
Este dispositivo esta compuesto por un canal semiconductor que puede ser P o N. Para el caso de un canal N, este se encuentra unido a un sustrato P que en oposicin tiene un contacto de oxido de silicio, esto se observa en la Fig. 5.2.1. tanto Drenador como Surtidor se conectan al canal semiconductor, el Gate se conecta a la capa de oxido de silicio.
CAPTULO 5.
50
Drenador
Drenador
D G
SiO2
N P
SiO2
P N
S Canal P D G S Canal N
Gate
Gate
Surtidor Canal N
Surtidor Canal P
Figura 5.2.1: MOSFET tipo D.
La capa de oxido de silicio asla al Gate del resto del dispositivo, es por esta razn es que, tanto al MOSFET D como al E se los suele llamar IGFET (Insulated Gate Field Efect Transistor).
5.2.1.2.
Funcionamiento MOSFET D.
Debemos en primer instancia comprender el funcionamiento de el modo de enriquecimiento y del modo de empobrecimiento.
CAPTULO 5.
51
Modo enriquecimiento.
Esta conguracin se logra colocando un voltaje positivo en Gate. De esta manera el campo elctrico formado al rededor del oxido de silicio genera cargas negativas en el canal semiconductor N, lo que permite una mayor conductividad. Se observa que este modo enriquece de electrones al canal N.
Modo empobrecimiento.
Esta conguracin se logra colocando un voltaje positivo en Gate. De esta manera el campo elctrico formado al rededor del oxido de silicio genera cargas positivas en el canal semiconductor N, esto diculta la circulacin de corriente a travs del mismo. Observamos que este modo empobrece de electrones al canal N. En la Fig. 5.2.2 se muestra el efecto de la polarizacin del Gate en este dispositivo.
Modo Enriquecimiento
Modo Empobrecimiento
Figura 5.2.2: Empobrecimiento y enriquecimiento. Sabiendo que la compuerta puede polarizarse tanto con voltajes positivos como con voltajes negativos, observamos en la Fig. 5.2.3 que luego de superada
IDSS
todava se sigue incrementando la corriente de Drenador.
+ + + + + + +
+ + + + + + +
CAPTULO 5.
52
Lmite de potencia
IDSS
VGS(o) Modo Empobrecimiento

Figura 5.2.3:
Modo Enriquecimiento
para MOSFET D de canal N.
ID = f (VGS )
En el caso de utilizar un MOSFET de canal P, este grco se ve invertido, siendo
VGSof f > 0.
Para describir el funcionamiento de este tipo de MOSFET se utiliza la ecuacin de Shockley.
ID = IDSS 1
VGS VGSof f
En la Fig. 5.2.4 se muestra las curvas caractersticas del MOSFET D. Al tener la misma ecuacin que el JFET tiene las mismas curvas con la excepcin de que este puede trabajar en voltajes
VGS > 0.
CAPTULO 5.
53
ID
ID
vgs=2
IDSS
vgs=0
vgs=-2 vgs=-3
VGS
VGSo
2V
BVds
VDS
Figura 5.2.4: Curva MOSFET D.
5.2.2. MOSFET E
Se denomina E por su capacidad de trabajar solamente en modo de enriquecimiento (Enhacement).
5.2.2.1.
Estructura MOSFET E.
A diferencia del MOSFET D, en este dispositivo el sustrato P (Para el caso de un MOSFET canal N) se extiende hasta la capa de oxido de silicio, por lo que el canal de conduccin se encuentra interrumpido. En la Fig. 5.2.5 se puede observar la estructura del MOSFET E.
CAPTULO 5.
54
Drenador
Drenador
SiO2
SiO2
P
P
G
N Gate
S Canal P
D
Gate
P
G
Surtidor Canal N
Surtidor
S
Canal P
Figura 5.2.5: MOSFET E.
Canal N
5.2.2.2.
Funcionamiento MOSFET E.
Ya conociendo los modos de funcionamiento de los MOSFET en general, analizaremos porque este dispositivo solo puede funcionar en modo de enriquecimiento como mencionamos anteriormente. Como se observa en la Fig. 5.2.5, el canal de conduccin N se encuentra interrumpido por el sustrato P. para lograr la conduccin debemos colocar un voltaje en Gate tal que el campo elctrico generado en el capacitor de oxido de silicio, induzca cargar negativas en el sustrato P. Este fenmeno permitir generar un canal de conduccin siempre y cuando se supere un voltaje umbral en el Gate. Por debajo de este voltaje las cargas negativas generadas en el sustrato P no sern sucientes para formar un canal de conduccin. Notemos que para el caso de un MOSFET E de canal N la polarizacin del Gate debe ser positiva. En la Fig. 5.2.6 se puede observar como las cargas producidas por la polarizacin del Gate forman un canal de conduccin.
CAPTULO 5.
55
Figura 5.2.6: Funcionamiento MOSFET E.
La Ec. describe el comportamiento de este dispositivo.
ID = K (VGS VGSumbral )
siendo
K =
IDQ
(VGSQ VGSumbral )
, observemos que
se obtiene de la misma
ecuacin reemplazando las incgnitas por valores conocidos (Punto Q). Al igual que los otros FET puede identicarse con dos curvas distintas,
VGS ID
VDS ID ,
solo que en este caso dieren levemente por no emplear
la misma ecuacin. En la Fig. 5.2.7 se muestra las curvas caractersticas del MOSFET E.
CAPTULO 5.
56
ID
ID
vgs=8
vgs=6
vgs=4 vgs=3
VGSumbral
8V
VGS
BVds
VDS
Figura 5.2.7: Curva MOSFET E.
5.3. Parmetros de los FET.

Transconductancia
gm .
La transconductancia es la relacin que existe entre la variacin de la corriente de salida y la variacin del voltaje de entrada. tambin se la puede denir en funcin del voltaje de salida y la corriente de entrada.
gm = ID
Io = Vi
Vo Ii
Para el caso de los FET consideraremos la corriente de salida, ya que la ecuacin de es conocida por desarrollos anteriores.
gm =
ID VGS
(5.3.1)
Conforme consideremos estas variaciones en rangos mas pequeos, estas tendern a ser continuas y la Ec. 5.3.1 se convierte en una derivada.
gm =
Sabiendo que
dID dVGS
ID = IDSS [1
VGS 2 VGSof f ]
gm = IDSS 2(1
VGS 1 2IDSS VGS )( )= (1 ) VGSof f VGSof f VGSof f VGSof f VGSof f

puede ser positivo o
Debido a que negus el FET sea canal N o P, el se toma el modulo de la Ec. anterior.
negativo, la transconductancia se toma como un parmetro positivo por lo que
CAPTULO 5.
57
gm =
2IDSS VGS VGS (1 ) = gm0 (1 ) | VGSof f | VGSof f VGSof f rds .
(5.3.2)
Impedancia de salida
De igual manera que la transconductancia podemos denir la impedancia de salida
rds ,
tambin conocida como resistencia diferencial, como.
rds =
VDS ID
Con pequeas variaciones esto se transforma en una derivada.
rds =
Ganancia de tensin
dVDS dID
(5.3.3)
Por ultimo, podemos denir la ganancia de tensin como otro parmetro importante de los FET. Como ya sabemos esta sera la relacin entre los voltajes de entrada y salida.
VDS VGS
observemos que los dos parmetros mencionados anteriormente son importantes porque nos permiten denir la ganancia de tensin de FET.
= gm rds =
ID VGS
VDS = ID
VDS VGS
(5.3.4)
5.4. C-MOS
Signica Complementary MOS, es decir, tecnologa complementaria de semiconductor oxido metlico. Consiste en la utilizacin de dispositivos MOSFET de canal P y de canal N para construir nuevos dispositivos. Antes de comenzar a ver dispositivos C-MOS implementaremos unos negadores utilizando solamente MOSFET E de canal N, para luego analizar las ventajas de la tecnologa complementaria.
CAPTULO 5.
58
Inversor con carga pasiva

En este dispositivo estando el MOSFET en corte, entrar este en conduccin
Vout = VDD VR 0
siempre que
Vout = VDD pero en caso R >> rds .
de
Vdd
Vout Vin
Figura 5.4.1: Inversor con carga pasiva
Inversor con carga activa

Cuando nos encontremos en corte tambin veremos
Vout = VDD , pero a diferen-
cia del circuito anterior la resistencia que produce la cada de tensin al entrar en conduccin no la podemos denir arbitrariamente, sino que se encuentra denida por las curvas caractersticas del MOSFET.
Vdd
3mA
Vgs=15V
Vout Vin
2mA 0.7mA
Vgs=10V Vgs=5V
Figura 5.4.2: Inversor con carga activa.
Como observamos en la Fig. Para
T 1: VGS = 15V
ID = 3mA
luego
R=
Para
VGS = 5k ID
luego
T 2: VGS = 5V
ID = 0,7mA
rds =
VGS = 667 ID
CAPTULO 5.
59
Podemos observar que el consumo de energa en los ejemplos anteriores iba a ser elevado debido a que exista una circulacin de corriente considerable por la rama de salida, con la utilizacin de C-MOS logramos reducir este consumo de energa.
Inversor
La funcin de salida del circuito de la Fig. 5.4.3 es
Vout = Vin .
Vdd
Vin
Vout
Figura 5.4.3: Inversor.
Nand
Vout = A.B .
CAPTULO 5.
60
Vdd
Vout
Figura 5.4.4: Nand.
Nor
Vout = A + B .
CAPTULO 5.
61
Vdd
Vout
Figura 5.4.5: Nor.
5.5. Apndice: Valores comunes de JFET y MOSFET.

Parmetro JFET MOSFET
gm
Transconductancia. Drenador-Surtidor Drenador-Surtidor
rds Resistencia Cds Capacidad Cgs , Cgd
Capacidad Gate-Drenador y Gate-Surtidor
rgs Resistencia Gate-Surtidor rgd Resistencia Gate-Drenador

Cuadro 5.1: Valores comunes.
0,1 0,1 1M 0,1 1pF 1 10pF 8 mayor a 10 8 mayor a 10
10 mA V
0,1 20 mA V 1 50K 0,1 1pF 1 10pF 10 mayor a 10 14 mayor a 10
Captulo 6
Familia de Tiristores-Dispositivos multijuntura.
Los tiristores son dispositivos que me permiten controlar la potencia mediante un disparo controlado. Son conocidos por este nombre debido a esta misma caracterstica de control de potencia, ya que los tiristores son la evolucin del
tiratron (dispositivo de estado solido que controla la potencia) a travs del uso
de la tecnologa de multijuntura como la del transistor. Tiratron+Transistor=Tiristor
6.1. Caractersticas de los Tiristores.

Comenzaremos por describir algunas caractersticas que son comunes a todos los dispositivos de este tipo.
Cebado o disparo.
Nos referimos al cebado del dispositivo cuando este logra pasar de un estado de corte a un estado de conduccin. Esta caracterstica solo es valida para aquellos dispositivos que tienen una compuerta (Gate) que permita controlar su disparo. En la Fig. 6.1.1 observamos la relacin tensin corriente que se presenta en el Gate. Este grco nos permite conocer los lmites sobre los cuales puede dispararse cierto dispositivo.
62
CAPTULO 6. FAMILIA DE TIRISTORES-DISPOSITIVOS MULTIJUNTURA.63
Vg
Corriente mxima de gate Tensin mxima de gate
Limite Superior
Limite Inferior Ig
Figura 6.1.1: Lmites de cebado.
Otra caracterstica a tener en cuenta es como varia el cebado conforme a la temperatura. Figura 6.1.2: Variacin del cebado con la temperatura.
Tiempos de retardo y crecimiento.

Otra caracterstica que es importante en un dispositivo que puede funcionar como interruptor es el tiempo de respuesta que tiene a un disparo o una excitacin. Debemos notar que la respuesta no es inmediata ya que todo dispositivo tiene una pequea capacidad intrnseca que produce retardos. Vale decir que no existen las discontinuidades o cambios inmediatos, toda respuesta es continua. En la Fig. 6.1.3 se diferencia un tiempo de retardo de crecimiento
td
(delay) y un tiempo
tr
(rise) que se produce por un pulso entrante.
Vin
Vg
t0
t0 td+t0 tr+t0
Figura 6.1.3: Tiempo de retardo y crecimiento.
Tiempo de retardo: es el tiempo que demora el dispositivo en reconocer una

seal entrante. Este tiempo se considera desde un estado sin seal (0 %) hasta que se reconoce un 10 % de la misma.
Tiempo de crecimiento: es el tiempo que se demora el dispositivo en replicar

la seal entrante. Se considera la seal como ya copiada al llegar al 90 % del valor de la misma.
Control de Potencia.
As como los tiempos de respuesta son importantes en un dispositivo que puede funcional como interruptor, tambin debemos conocer como analizar el control de potencia de los dispositivos que realizan esta tarea. Si consideramos la carga conectada a estos circuitos como constante, la potencia solo depende de la corriente o del voltaje. Para nuestro anlisis utilizaremos la corriente, ya que
P = I 2R
con
R = cte.
En la Fig. 6.1.4 se muestran
distintos ngulos de conduccin y como en funcin de distintas corrientes obtendremos distintas potencias.
30
60
90
I
Figura 6.1.4: ngulo de conduccin.
Cuando hablamos de ngulo de conduccin nos referimos al momento en que comienza a conducir el dispositivo. Por ejemplo la curva de un ngulo de cuando su argumento es 30 o mayor. En la Fig. 6.1.5 se muestra la lectura de corriente para un ngulo de conduccin de 30. conduccin de 30 representa una seal sinusoidal que solo entra en conduccin
I sen30
Figura 6.1.5: A. de conduccin 30.
6.2. Diodo Shockley.

Es un dispositivo importante porque de su estructura derivan otros dispositivos multijuntura.
Estructura fsica y Caractersticas de funcionamiento.

En la Fig. 6.2.1 se muestra la estructura bsica de este dispositivo.
nodo
1IA
P N P N
IA
Icx
2
IA
Ctodo
Figura 6.2.1: Diodo Shockley.
Al polarizar el dispositivo entre nodo y ctodo se producen
n IA
en las que
junturas de los extremos, esto es debido a que son junturas PN con polarizacin directa. Luego, por efecto de estas corrientes, se produce una corriente es una corriente de realimentacin.
Icx
IA = 1 IA + 2 IA + Icx
Luego
IA =
Icx 1 (1 + 2 )
Un anlisis del dispositivo con su circuito equivalente nos permitir ver con mas detalle las corrientes que mencionamos con anterioridad.
Circuito equivalente.
En la Fig. 6.2.2 se muestra el circuito equivalente del diodo Shockley.
A P N P N P N C C
Figura 6.2.2: Equivalente Shockley.
IA Icx
Aqu observamos que la corriente
Icx
que mencionamos con anterioridad, es
aquella que se produce entre las bases y que produce una accin regenerativa que mantiene en conduccin el dispositivo.
Curva caracterstica y parmetros importantes.

La curva que dene el funcionamiento del diodo Shockley se muestra en la Fig. 6.2.3.
Ih
Vh
VBRf
Figura 6.2.3: Curva Shockley.
Los parmetros que nos permiten conocer el funcionamiento de este dispositivo son:
VBRf :
Voltaje de ruptura entre nodo y ctodo en directa.
Ih : Corriente de mantenimiento, que es la mnima corriente necesaria para

que el dispositivo permanezca en conduccin.
Vh :
Voltaje correspondiente a la corriente de mantenimiento.
Adems de estos parmetros, siempre es necesario conocer los valores mximo absolutos, por ejemplo los valores de potencia soportados, o las caractersticas trmicas.
6.3. SCR
Si al diodo Shockley la agregamos un terminal de control, forma un dispositivo denominado SCR.

En la Fig. 6.3.1 se muestra la estructura bsica del SCR.
nodo
P N Gate P N
IA
A G K
Ctodo
Figura 6.3.1: Estructura fsica SCR.
Se observa que el Gate me permite polarizar la juntura entre nodo y ctodo menor a polarizar el Gate (Igual al
J3 , esto es til ya que
me permite controlar el disparo. Supongamos que colocamos una polarizacin
VBRf0 .
Siendo
VBRf0
el voltaje de ruptura sin
VBRf
del diodo Shockley). En estas condiciones, mien-
tras no polaricemos el Gate, el dispositivo no se disparara, pero si polarizamos G con un voltaje positivo, esto producir una corriente entrante que disparara el dispositivo. Una vez disparado, al igual que en el diodo Shockley, este permanece en ese estado a excepcin de que no superemos la corriente y el voltaje de mantenimiento.
En el siguiente apartado comprenderemos porque una corriente entrante en G permite disparar el dispositivo, y porque existe una corriente y voltaje de mantenimiento.
En la Fig. 6.3.2 se indica el circuito equivalente del SCR.
A P A N P N C C IA
N P
Figura 6.3.2: Equivalente SCR.
En este circuito se ve claramente que el Gate se dispara por una corriente entrante debido a que esta ultima permite disparar el transistor mentacin entre los transistores. Otro punto importante a describir es la existencia de una corriente de mantenimiento. sta existe debido a que si la corriente entrante por el nodo es inferior a la corriente que necesita la base del transistor
T2 ,
esto luego
produce lo que habamos denominado accin regenerativa que es la retroali-
T2
para mantener a
este en un estado de conduccin, el mismo principio de accin regenerativa producir el corte del dispositivo. Este ultimo concepto tambin es extensible al diodo Shockley.

En la Fig. 6.3.3 se muestra la curva caracterstica correspondiente al SCR.
Ih VBRr Vh VBRf2 VBRf1 VBRf0 V
Figura 6.3.3: Curva SCR.
Es importante destacar en el grco como con distintas excitaciones del Gate se producen distintos voltajes de disparo al variar la excitacin del Gate tambin se producen cambios de son despreciables y pueden no tenerse en cuenta. Los parmetros que nos permiten conocer el funcionamiento de este dispositivo son:
VBRfn . Adems debemos remarcar que Ih , pero estos
VBRfn :
Voltaje de ruptura entre nodo y ctodo en directa para distintas
excitaciones de Gate.
VBRr :Voltaje
de ruptura entre nodo y ctodo en inversa.

Vh :
Voltaje correspondiente a la corriente de mantenimiento.
Polarizacin, formas de encendido y de apagado.

Existe una sola forma de polarizar este dispositivo, El potencial del nodo debe ser mayor al potencial del ctodo, y el potencial del Gate debe ser mayor al potencial del ctodo (corriente entrante). Para su encendido, como mencionamos anteriormente, es necesaria una corriente entrante en Gate. La intensidad de esta excitacin depender de la polarizacin nodo-ctodo. Para el apagado del SCR solo se necesita disminuir la corriente de
IA por debajo
Ih .
6.4. TUJ
El nombre de este dispositivo proviene de Transistor UniJuntura. Tambin es conocido como UJT.
Estructura fsica.
En la Fig. 6.4.1 se muestra la estructura del TUJ.
Base 2
Hilo aluminio
N
E
B2
Emisor
P
B1
Base 1
Figura 6.4.1: Estructura TUJ.
La estructura de este dispositivo es una barra semiconductora que tiene como emisor un hilo de aluminio que forma en la unin una juntura PN. Este canal conductor acta cono una resistencia entre la bases, la unin PN se encuentra cercana a la Base 1 y divide al canal en 2 partes, el funcionamiento de este dispositivo se vera junto con su circuito equivalente para mayor comprensin.
Circuito equivalente y funcionamiento.

En la Fig. 6.4.2 se muestra el circuito equivalente de este dispositivo.
RB2
RB1
Figura 6.4.2: Equivalente TUJ.
Con este grco podemos observar que el voltaje que tendremos en el emisor sera:
Vp =
Siendo
VBB RB 1 + 0,7V RB 1 + RB 2
una relacin intrnseca del dispositivo.
RB 1 RB 1 +RB 2
con
Vp = VBB + 0,7V
Cuando la base 2 supere este voltaje, el dispositivo comenzara a conducir. Adems volver al estado de corte cuando el voltaje Debemos aclarar que
VB 1B 2
sea menor que
Vp .
Vp
depende de la resistencias de base, y debemos tener
en cuenta que una vez que el dispositivo entra en conduccin, que el voltaje llamamos
RB 1
disminuye
abruptamente (desde miles de ohm hasta algunas decenas de ohm), esto produce
Vp
disminuya, a este voltaje reducido por la conduccin es el que
Vp .

En la Fig. 6.4.3 se muestra la curva caracterstica del TUJ.
VP VBB 0,7V
VV
IP
IV
Figura 6.4.3: Curva TUJ.
Los parmetros del TUJ son:
Vp : Ip : Vv : Iv :
Voltaje de punto pico, es el mayor voltaje al que se llega antes de
entrar en conduccin. Corriente de punto pico,es la corriente correspondiente a
Vp .
Voltaje de valle, es el mnimo voltaje que se puede lograr en conduc-
cin. Corriente de valle, es la corriente correspondiente a
Vv .
6.5. PUT
Si a nuestro diodo Shockley le colocamos el Gate en el sustrato N como muestra la Fig. 6.5.1, obtenemos un dispositivo denominado PUT. Las siglas PUT signican Programable Unijunction Transistor, este nombre lo recibe no por sus caractersticas fsicas si no por su comportamiento. Este es un dispositivo multijuntura, a pesar de que su nombre indica lo contrario, pero tiene un funcionamiento similar a TUJ (Sera visto mas adelante) que si es de una sola juntura.

En la Fig. 6.5.1 se muestran las caractersticas fsicas del dispositivo.
nodo IA
P N P N
Gate
Ctodo
Figura 6.5.1: Estructura PUT.
A diferencia del SCR que con el Gate se poda disparar el dispositivo, en este caso la compuerta se utiliza para crear un voltaje umbral por debajo del cual no existir conduccin. Estando el Gate polarizado positivamente respecto del ctodo, este dispositivo entrara en conduccin cuando el nodo sea aproximadamente ultimo como ya sabemos el que implementemos
0,7V
mas
positivo que G. En este sentido el PUT es muy similar al TUJ. Pero en este
ya se encuentra denido por la estructura fsica,
en cambio el PUT es programable, esto quiere decir que de acuerdo al circuito
cambiara. A continuacin veremos un ejemplo de esto.
Ejemplo 4. Implementacin del PUT.
VBB
R4
R2
C R3
Vout
R1
Figura 6.5.2: Circuito PUT.
La fuente del circuito es llamada TUJ. El voltaje de Gate sera:
VBB
con el n de demostrar la analoga con el
VG =
siendo
VBB R1 R1 = VBB = VBB R1 + R2 R1 + R2 VBB + 0,7V

el dispositivo entrara
R1 R1 +R2 Por lo que cuando el capacitor logre cargarse
en conduccin y
se descargara por
R3
y luego deber cargarse nuevamente
produciendo la seal de salida
Vout .

En la Fig. 6.5.3 se muestra la curva caracterstica del PUT.
VP
1
VBB
0,7V
VBB
VV
IP
IV
Figura 6.5.3: Curva PUT.
A pesar de ser un dispositivo multijuntura, cambiaremos la nomenclatura de sus parmetros para lograr la analoga con el TUJ. Los parmetros del PUT son:
Vp : Ip : Vv : Iv :
Voltaje de punto pico, es el mayor voltaje al que se llega antes de
entrar en conduccin. Corriente de punto pico,es la corriente correspondiente a
Vp .
Voltaje de valle, es el mnimo voltaje que se puede lograr en conduc-
cin. Corriente de valle, es la corriente correspondiente a
Vv .
Modicaciones del PUT

SUS
SUS signica llave unilateral de silicio. Este dispositivo es tan solo un PUT que tiene el voltaje de Gate controlado con un Zener. Como el voltaje
VGK
sera siempre menor o igual a
VZ ,
el punto de disparo
variara entre dos limites,
VGK = 0V
VGK = VZ .
Su smbolo se muestra en la Fig. 6.5.4.
SBS
El SBS es una llave bilateral de silicio, este dispositivo es la conexin en antiparalelo del SUS. Tiene las mismas caractersticas del dispositivo recin mencionado, y adems permite trabajar tanto en el primer como en el tercer cuadrante. Su smbolo se muestra en la Fig. 6.5.4.
A G K
Figura 6.5.4: Smbolo SUS y SBS.
A1 G A2
6.6. SCS
Este dispositivo se denomina switch controled silicon que signica llave controlada por silicio. Este dispositivo es similar al SCR pero tiene dos compuertas, una mas prxima al nodo
GA
y otra mas prxima al ctodo
GK .

En la Fig. 6.6.1 se muestra la estructura y el smbolo del SCS.
nodo
GateK
P N P N
IA
GateA
GK
GA
Ctodo
Figura 6.6.1: Estructura SCS.
Este dispositivo responde de igual manera que el SCR si solo se utiliza
GK ,
con la diferencia de que tambin puede ser disparado o apagado por
GA . Veremos
mas detalles del funcionamiento de este dispositivo en el modelo equivalente.
En la Fig. 6.6.2 se muestra el circuito equivalente de este dispositivo.
A P A N P N K K
GK
N P
GA GK
IA
GA
Figura 6.6.2: Equivalente SCS.
En esta gura observamos que
GA
controla la base de un transistor NPN,
por lo que se dispara con un pulso de corriente positivo. Adems negativo. Finalmente para el apagado se utiliza la compuerta
GK
controla
la base de un transistor PNP, por lo que se dispara con un pulso de corriente
GA
y se enva un pulso
de corriente positivo, lo que produce la disminucin de la corriente de base de
T1 ,
de
entrando este en corte lo que luego produce la falta de corriente en la base
T2
por lo que el SCS no conduce.
Debemos remarcar que es suciente con que uno de los transistores entre en conduccin para disparar el dispositivo, es por ello que el dispositivo se puede disparar tanto por
GA
como
GK .

La curva caracterstica de este dispositivo es exactamente igual a la del SCR. La diferencia radica en que para apagar un SCR debemos disminuir la debajo de
IA
por
Ih ,
en cambio en el SCS adems de esta forma tambin se puede
lograr el corte desde cualquier punto de la curva solo con un pulso entrante de corriente en
GA .
6.7. DIAC
Este dispositivo esta formado por 2 diodos Shockley en antiparalelo (El nodo de uno conectado al ctodo del otro y viceversa).

En la Fig. 6.7.1 se muestran las caractersticas fsicas del dispositivo.
A1
N Diodo Shockley 1 Diodo Shockley 2
P N
IA
A1
A2
Figura 6.7.1: Estructura DIAC.
A2
Este dispositivo funciona igual al diodo Shockley , con la diferencia de que puede conducir en ambos sentidos.
Ejercicio 5. Con los conceptos ya adquiridos elabore el circuito equivalente de
este dispositivo y explquelo. Recuerde que esta compuesto por 2 diodo Shockley en antiparalelo.

En la Fig. 6.7.2 se grca la curva caracterstica del DIAC.
1 Nos
referimos a que luego de un voltaje de ruptura entra en conduccin, y que este
fenmeno se logra gracias al principio de accin regenerativa.
Ih VBRr Vh Vh Ih
Figura 6.7.2: Curva DIAC. Los parmetros que nos permiten conocer el funcionamiento de este dispositivo son:
VBRf
VBRf :

Vh :
Voltaje correspondiente a la corriente de mantenimiento. Voltaje de ruptura entre nodo y ctodo en inversa.
VBRr :
6.8. TRIAC
El TRIAC esta formado por dos SCR en antiparalelo. Este dispositivo es muy utilizado en control de potencia debido a que permite variar el ngulo de conduccin entre
180.

En la Fig. 6.8.1 se muestra la estructura del TRIAC y su smbolo.
A1
N
G
N
P N P
A1 G
A2
A2
Figura 6.8.1: Estructura TRIAC. Esta de mas decir que este dispositivo funciona exactamente igual a un SCR. La diferencia es que puede funcionar en cualquiera de los cuadrantes, normalmente se utiliza el primer y el tercero. Cuando hablamos de cuadrantes nos referimos al grco co se muestra en la Fig. 6.8.2.
VT M -IGT , este gr-
VTM Modo I(-) II Cuadrante Modo I(+) I Cuadrante IGT
Modo III(-) III Cuadrante
Modo III(+) IV Cuadrante
Figura 6.8.2: Cuadrantes TRIAC.
El uso del primer y el tercer cuadrante se debe a que en estos dos el rendimiento del dispositivo es mejor. A continuacin, en el Cuadro 6.1, compararemos las caractersticas de cada cuadrante, recordemos que cada cuadrante es un modo distinto de trabajo como se lo indica en la Fig. 6.8.2.
Modo I: es equivalente a decir que
Modo III: es equivalente a decir que
VT M > 0. VT M < 0. IGT > 0. IGT < 0.

III(-) Media-baja
Modo #(+): se reere a corriente entrante al gate Modo #(-): se reere a corriente saliente del gate Modo Corriente de disparo I(+) I(-) Media-alta
III(+) Fuerte
IGT
Debil
Cuadro 6.1: Caractersticas de modos.
Ejercicio 6. Con los conceptos ya adquiridos elabore el circuito equivalente de
este dispositivo y explquelo. Recuerde que esta compuesto por 2 diodo Shockley en antiparalelo.

En la Fig. se grca la curva caracterstica del TRIAC.
Ih VBRr0 VBRr1 VBRr2 -Vh Vh -Ih VBRf2 VBRf1 VBRf0 V
Figura 6.8.3: Curva TRIAC.
Los parmetros que nos permiten conocer el funcionamiento de este dispositivo son:
VBRfn :

Vh :
Voltaje correspondiente a la corriente de mantenimiento. Voltaje de ruptura entre nodo y ctodo en inversa.
VBRrn :
6.9. Sistema controlador de potencia.

Debemos tener en mente el propsito de estos dispositivos, algunos de ellos sirven como llave para controlar una etapa secundaria, otros sirven para controlar la potencia de una carga. Estos ltimos dispositivos tienen el problema de que pueden ser sensibles a ruidos y el disparo controlado se puede producir cuando no es deseado. Para solucionar este problema se implementan sistemas de control de potencia, en los cuales el disparo de los dispositivos que controlan la potencia esta hecho por medio de dispositivos disparadores. En la Fig. 6.9.1 se muestra un esquema de como seria este sistema.
VCC R2 C Dispositivos de conmutacin R1 Dispositivos controladores de potencia
RL
Figura 6.9.1: Sistema controlador de Potencia.
CR2 = : Sirve para controlar el tiempo de disparo. R1 : Sirve para descargar C de manera de llevar al corte
mutador.
el dispositivo con-
RL :
Resistencia de carga.
Los dispositivos que funcionan como disparadores son: TUJ PUT
SUS SBS DIAC Los dispositivos que se utilizan para controlar potencia son: SCR SCS TRIAC
6.10. Apndice: Rels estticos.

Un rel es un dispositivo elctrico-mecnico que funciona como interruptor, el problema se este dispositivo es que tiene un gran desgaste por su parte mecnica. Un rel esttico es igual al anterior en cuanto al funcionamiento, pero no tiene un parte mecnica, sino que funciona solo con dispositivos de estado solido. En la Fig. 6.10.1 se muestran 4 circuitos de rels estticos utilizando transistores y TRIAC en sus 4 modos de trabajo.
Modo I(+)
Modo III(+)
+ + +
+
Modo I(-) Modo III(-)
+
Figura 6.10.1: Rels estticos.
Captulo 7
Opto-Electrnica.
Para introducirnos en este tema primero debemos tener algunas consideraciones generales acerca de la ptica. Toda emisin electromagntica se produce a cierta frecuencia y longitud de onda. La frecuencia y la longitud de onda se relacionan por Cierto banda de longitudes de onda son visibles,
f=
C .
400nm 800nm.
Se encuentra hecha una clasicacion de las distintas bandas de frecuencia:
VLF: very low frecuency. LF: low frecuency. MF: medium frecuency. HF: high frecuency. VHF: very high frecuency. UHF: ultra high frecuency.
En el Cuadro 7.1 se puede ver el detalle de los colores del espectro visible.
85
CAPTULO 7.
OPTO-ELECTRNICA.
86
Color lmite violeta medio azulado azul verde amarillo anaranjado rojo medio turquesa medio amarillo medio anaranjado medio rojizo medio limite
longitud de onda 400 420 440 470 500 530 560 580 590 600 610 650 750-780
[nm]
Cuadro 7.1: Colores del espectro visible.
Fotn.
Un fotn es la emisin de energa en forma de onda electromagntica, esta energa puede ser tanto del espectro visible como del no visible. La energa que logra emitir un fotn es
E = h = h
7.1. Dispositivos emisores de luz.

7.1.1. Diodo emisor de luz. LED.
Sabemos que un diodo es una juntura PN, y conocemos caractersticas de la misma como la recombinacin que se produce al polarizar el dispositivo. Algo que habamos obviado es el hecho de que al producirse esa recombinacin el diodo emite energa en forma de onda electromagntica (fotn). Existen diferentes LED, los cuales dependen de los materiales y de sus caractersticas de fabricacin. En la Fig. 7.1.1 se muestran dos maneras distintas de elaborar un LED.
CAPTULO 7.
OPTO-ELECTRNICA.
87
terminal P
Luz absorvida Luz emitida
terminal
terminal P
Luz emitida Luz reejada
terminal
Sustrato opaco
Sustrato transparente
Supercie reectante
Figura 7.1.1: Estructura LED.
Esta diferencia de estructura afecta posteriormente al rendimiento externo del dispositivo (Ya se explicara con mas detalle a que nos referimos con rendimiento). La razn por la que al trabajar con los diodos de silicio o germanio anteriormente no los vimos emitir luz es porque la radiacin que producen es a una longitud de onda infrarroja. El silicio emite a
= 1850nm
y el germanio a
= 1150nm.
Existen combinaciones de materiales que son los utilizados para fabricar LED. En el Cuadro 7.2 se muestra la emisin de algunos materiales. Materiales Ge Si GaAs GaP GaAsP SiC GaN
[nm]
1850 1150 900 550 650 550-400 330
Color infrarrojo infrarrojo infrarrojo verde rojo azul-violeta ultravioleta Cuadro 7.2: Emisin de materiales.
Semiconductores ternarios y cuaternarios.

La utilidad de estos semiconductores es ampliar el numero de frecuencias que se pueda obtener de un LED. Son aleaciones que combinan varios elementos, tres en el caso de los ternarios y cuatro en caso de los cuaternarios. En la Fig. 7.1.2 se puede ver un esquema de la formacin de un semiconductor ternario, en el mismo se existe una cantidad ja de arsnico (As) y se varia la concentracin respectiva del aluminio (Al) y del galio (Ga). Hablamos de
CAPTULO 7.
OPTO-ELECTRNICA.
88
concentracin respectiva porque a medida que uno disminuye su concentracin el otro la aumenta.
Al
x
As Ga
Figura 7.1.2: Semiconductor ternario.
(1-x)
La composicin del material resultar
Alx Ga(1x) As
Al variar esta concentracin podemos obtener emisiones que van desde (AlAs) hasta
570nm
870nm
(GaAs)
De igual manera se realizan las aleaciones cuaternarias, solo que en ellas se varan 2 concentraciones a la vez. En la Fig. 7.1.3 se puede observar un esquema de la formacin de un compuesto cuaternario.
Ga
x
P
y
(1-x)
In
As
(1-y)
Figura 7.1.3: Semiconductor cuaternario.
Un ejemplo de semiconductor cuaternario es
Gax In(1x) Py As(1y)
CAPTULO 7.
OPTO-ELECTRNICA.
89
Los datos que debe dar un fabricante para poder conocer la operacin de un diodo LED son: Caractersticas trmicas:
Top :
Temperatura de operacin.
Tlead : Temperatura mxima que puede soportar el dispositivo durante

cierto intervalo. Caractersticas elctricas:
Vr : Ir : If : Vf :
Tensin mxima en polarizacin inversa. Corriente mxima en polarizacin inversa. Corriente en polarizacin directa recomendada. Cada de tensin en polarizacin directa.
Caractersticas lumnicas.
Rendimiento: En este caso podemos hablar de un rendimiento interno o uno externo. El rendimiento interno se reere a la cantidad de fotones producidos por la juntura en relacin a la corriente de circulacin.
int =
f otones generados corriente de exitacio n
El rendimiento externo se reere a la capacidad del dispositivo de emitir luz, este se expresa como la relacin entre fotones emitidos (los que logran generar excitacin lumnica) y fotones producidos.
ext =
Intensidad luminosa.
f otones emitidos f otones generados
Esta se mide con la candela. Originalmente esta unidad surgi como el equivalente a la luz producida por una vela, hoy se dene como:
Es una fuente que emite una radiacin monocromtica en una di12 reccin dada, tiene una frecuencia de 540 10 Hz y su intensidad 1 W energtica es de 683 Sr (vatios sobre estreo radianes).
ngulo de visin. Este me va a permitir conocer que tipo de emisin es la del dispositivo que utilizo, un ngulo de visin chico implica una intensidad concentrada al centro del dispositivo, un ngulo grande indica uniformidad en la emisin de luz. En la Fig. 7.1.4 se muestra una grca del ngulo de visin de un LED.
CAPTULO 7.
OPTO-ELECTRNICA.
90
-30
30
-60
60
-90
0.2
Figura 7.1.4: ngulo de visin.
0.4
0.6
90
7.1.2. Laser.
LASER signica Light Amplication Stimulated by Energy Radiation. Un laser funciona con un medio activo encerrado entre supercies reectantes las cuales una de ellas posee una reectividad menos al un laser.
100 %.
Este medio activo
se lo excita por medio del bombeo. En la Fig. 7.1.5 se muestra un esquema de
Supercie 100% reectante
Supercie 99% reectante Medio activo Haz Laser
Bombardeo
Figura 7.1.5: Estructura laser.
En su estructura interna los Laser generan una anormalidad que se llama inversin de poblacin, esto es, mediante la aplicacin de energa se logra que los electrones pasen de los estados de menor energa a los de mayor energa. Una vez que los
se encuentra en este estado solo es necesario que uno baje
a un nivel de energa menor para producir un efecto en cadena en donde todos
CAPTULO 7.
OPTO-ELECTRNICA.
91
los electrones disminuyen de nivel de energa. Cada electrn libera fotones que son los que producen la emisin laser. El medio activo puede estar formado por compuestos solidos (rub), gaseosos (Ar), semiconductores, entre otros. Una importante consideracin el laser es que emite luz coherente tanto en el espacio como en el tiempo, esta es una gran diferencia con dispositivos como el LED, cuya emisin se forma por un conjunto de espectros en los que predomina un color.
Potencia medida en decibelios.

Esta potencia se encuentra denida por la ecuacin:
P (dbm) = 10log
Siendo cia
P P0 P0
una potencia referencia (1W).
la potencia en W del dispositivo, y
As si la potencia entregado por el dispositivo es menor a 1W, entonces la poten-
P (dbm) sera negativa, adems una potencia de 1W equivaldr a P (dbm) = 0.
7.2. Dispositivos detectores de luz. Foto detectores.

Existen diferentes dispositivos que me permiten captar la luz y procesar alguna informacin. Un ejemplo de un foto detector natural es el ojo humano. En breve se vern algunos de los foto-detectores utilizados en la electrnica. Primero introduciremos el concepto de foto detector como componente no lineal (diodo), anlisis necesario para comprender el funcionamiento de los dispositivos posteriores.
Ipn
Figura 7.2.1: Diodo foto detector. En la Fig. 7.2.1 se muestra un diodo foto detector, este ante la ausencia de
CAPTULO 7.
OPTO-ELECTRNICA.
92
luz se comporta como un diodo comn, respondiendo a la ecuacin.
I = Id e KT 1
Cuando este dispositivo es excitado por luz, aparece un nuevo termino en la ecuacin correspondiente a la potencia lumnica suministrada.
eV
I = Id e KT 1 Ipn
siendo
eV
Ipn =
Poptica
con
= responsividad.
En la Fig. 7.2.2 se muestra la respuesta de las corrientes del diodo para distintas excitaciones lumnicas
00 01 02
Id Ipn1 Ipn2
Figura 7.2.2: Curva diodo foto detector.
Es necesario saber que estos diodos se encuentran trabajando en polarizacin inversa, por lo que
Id
sera negativa.
El rendimiento en dispositivos foto detectores.

Recordando que se poda denir el rendimiento
en un dispositivo emisor
de luz, en este tipo de dispositivos tambin se lo puede hacer.
numero de pares generados numero de f otones incidentes 80 %.
Los mejores rendimientos en estos dispositivos rondan el
7.2.1. El diodo PIN.

En la Fig. 7.2.3 se muestra la estructura de este dispositivo.
CAPTULO 7.
OPTO-ELECTRNICA.
93
+ + + +
+
Figura 7.2.3: Estructura diodo PIN.
En esta gura se puede observar que al realizar la unin de los materiales no existe una recombinacin de electrones y huecos entre los materiales P y N (ambos fuertemente dopados), ya que estos se encuentran separados por un material intrnseco. Es por esta razn que se forman cargas negativas en la unin I-N y se forman cargas positivas en la unin I-P. Es necesario solo un pequeo voltaje para lograr la conduccin (conducir a travs de la regin intrnseca). A dems, a medida que la potencia ptica incidente aumenta, aumenta la cantidad de portadores de los materiales y el diodo posee una mayor conduccin.
7.2.2. El diodo APD. Foto-diodo avalancha.

Este dispositivo funciona utilizando un diodo en polarizacin inversa, cuyo efecto de avalancha se encuentra limitado y controlado para no romper el dispositivo. Este diodo conduce muy poca corriente mientras no esta excitado por luz, pero al hacer incidir fotones, estos provocan electrones de conduccin que son los que luego ocasionan el efecto avalancha. Los diodos APD son mas sensibles que los PIN, pero tambin son mas lentos y tienen menos vida til.
7.3. Sistema opto-electrnico.

Con la utilizacin de elementos como los analizados en este capitulo se pueden desarrollar sistemas pticos-electrnicos que me permitan mandar informacin. En la Fig. 7.3.1 se muestra un esquema de la composicin de uno de estos sistemas.
CAPTULO 7.
OPTO-ELECTRNICA.
94
Modulacin Lente Lente
Fuente de luz
Foto detector
Procesamiento de informacin
Suministro de energa
Medio de transmicin
Suministro de energa
Figura 7.3.1: Sistema opto-electrnico.
Opto-acopladores.
Estos se podran analizar como un sistema opto-electrnico, se utilizan dispositivos denominados opto-acopladores para lograr aislar elctricamente dos etapas de un circuito. En la Fig. 7.3.2 se muestra un esquema de un opto-acoplador.
Encapsulado Emisor Aislante Detector
Figura 7.3.2: Opto-acoplador.
Los distintos dispositivos que pueden encontrarse dentro de un opto-acoplador son: Emisores:
Lamparas incandescentes Lamparas de nen LED
Aislantes (elctricos, no lumnicos):
CAPTULO 7.
OPTO-ELECTRNICA.
95
Aire Cristal Plstico Vidrio
Detector:
Fotoconductor Fotodiodo Fototransistor FotoFET As como otros dispositivos basados en la tecnologa multijuntura.

Dis Positivo S

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Dispositivos Electrnicos

Luczywo, Alexis Ivn 11 de diciembre de 2011

1. Electrnica en los materiales.

Densidad de partculas en el espacio de velocidad.

Diodo Varactor o Varicap. . . . . . . . . . . . . . . . . . . Diodo Schottky. Diodo Tnel. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Diodos de aplicacin ptica. . . . . . . . . . . . . . . . . .

El cuadripolo y el modulo hbrido. Anlisis de parmetros

3.3.2. 3.3.3. 3.3.4. 3.3.5. 3.3.6. 3.3.7. 3.3.8. 3.3.9.

Y. . h. . Ganancia de corriente Ai . . Impedancia de entrada Zi . . Ganancia de tensin Av . . . Impedancia de salida Zo . . Admitancias Y . . . . . . . .

en base comn. . . . . . . . . . . . en colector comn. . . . . . . . . .

4. Regmenes de temperatura y disipadores de calor.

5. Transistores de efecto de campo.

Funcionamiento MOSFET D. . . . . . . . . . . . Estructura MOSFET E. . . . . . . . . . . . . . . Funcionamiento MOSFET E. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Parmetros de los FET.

Apndice: Valores comunes de JFET y MOSFET.

6. Familia de Tiristores-Dispositivos multijuntura.

Sistema controlador de potencia.

6.10. Apndice: Rels estticos.

Dispositivos detectores de luz. Foto detectores. El diodo APD. Foto-diodo avalancha.

1.1. Electrones en los solidos.

1 1,6 1019 V = 1,4 1011 [ ] 4 8,85 1012 (1010 )2 m

separacin entre los ncleos se considera de

ELECTRNICA EN LOS MATERIALES.

Figura 1.1.1: Electrones en estructura Cristalina.

1.2. Teora clsica de los metales.

culas 1025 part , m3

1.2.1. Espacio de velocidad.

ELECTRNICA EN LOS MATERIALES.

d = dvx dvy dvz

1.2.2. Densidad de partculas en el espacio de velocidad.

Debemos recordar que decir,

la cantidad de partculas por volumen, es

m 3/2 W dn =n e kT d 2kT 2 2 2 W =1 2 m vx + vy + vz la energa cintica del =

(1.2.1) espacio de velocidad.

1.3. Teora simplicada de Sommerfeld.

ELECTRNICA EN LOS MATERIALES.

La teora de Sommerfeld expresa la densidad de electrones respecto a un espacio de energa.

Esta funcin de densidad se encuentra denida por 2 factores.

4 (2m)3/2 1/2 W h3 1 1+ e(W Wf )/kT

Energia para temperatura T=0k Energia para temperatura T>0k

ELECTRNICA EN LOS MATERIALES.

1.4. Teora de las bandas.

como la carga positiva del ncleo

como los electrones que rodean al ncleo, de los cuales, solo

tienen la capacidad de conducir. El potencial existente en la vecindad del ncleo sera:

El potencial fuera del casco atmico:

Recordando que la energa potencial se dene como

1.5. Consideraciones de la mecnica ondulatoria.

misma elevada al cuadrado me dene la probabilidad de encontrar un electrn

de una energa potencial negativa, debido a que el potencial considerado es en

funcin del electrn

ELECTRNICA EN LOS MATERIALES.

(b) Suma de las energas potenciales.

limite del cristal e jo

e jo e jo e jo e jo e jo limite del cristal

(c) Comportamiento de electrones en cristal.

1.6. Fenmeno de acoplamiento.

los desdoblamientos producirn una banda continua. El ancho de banda del

ELECTRNICA EN LOS MATERIALES.

1.7. Estructura de bandas en los metales.

1.8. Estructura de bandas en los aisladores.

1.9. Estructura de banda en un semiconductor.

para el germanio. Con estos valores nos

1.3. Teora simplicada de Sommerfeld.

Esta funcin de densidad se encuentra denida por 2 factores.

Recordando que la energa potencial se dene como

misma elevada al cuadrado me dene la probabilidad de encontrar un electrn

vacantes es donde faltan tomos, de manera que la estructura queda sin

6 impurezas donoras, el material se clasica como tipo N y

La ecuacin que dene la corriente de recombinacin esta dada por: