UNIVERSIDADE FEDERAL DE OURO PRETO ESCOLA DE MINAS - DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA DE CONTROLE E AUTOMAO E TCNICAS FUNDAMENTAIS DECAT Programa de Disciplina

CAT 157

CIRCUITOS E DISPOSITIVOS ELETRNICOS I

Professor: Ronilson Rocha Turma: Horrio: Quarta-feira (13:30 s 15:10 hs) e Sera-feira (17:10 s 18:50 hs) Objetivos da disciplina: a) Geral Capacitar o aluno a analisar, projetar e construir circuitos eletrnicos analgicos e digitais. b) Especficos Demonstrar o funcionamento bsico de dispositivos semicondutores; Introduzir metodologias para a anlise de circuitos eletrnicos; Desenvolver habilidades para o projeto de circuitos eletrnicos; Apresentar aplicaes da Eletrnica dentro da Engenharia de Controle e Automao. Metodologia: a) Aulas tericas, onde sero apresentados os dispositivos semicondutores bsicos e metodologias para a anlise de circuitos eletrnicos; b) Aulas prticas, onde os fundamentos tericos sero corroborados e as habilidades de projeto e montagem de circuitos sero desenvolvidas.

Aulas

Contedo UNIDADE 1: Fsica dos Semicondutores Modelos atmicos; Modelo de bandas de energia para cristais; Materiais condutores; semicondutores e isolantes. Prtica 1 Equipamentos de Medio: Osciloscpios, multmetros e geradores de sinais. UNIDADE 2: Diodos Semicondutores Juno PN; Diodo ideal; Caractersticas dos diodos de juno; Operao do diodo em CC e CA; Circuitos com diodos: retificadores, limitadores e grampeadores; Diodos Zener; Outros tipos de diodos. Prtica 2: Diodos Semicondutores e Diodos Zeners: curva caracterstica, operao em CC, circuitos retificadores, filtro capacitivo, regulador de tenso, circuitos grampeadores e multiplicadores de tenso. UNIDADE 3: Transistores Bipolares Constituio fsica do transistor bipolar; Caractersticas do transistor bipolar; Circuitos de polarizao; Operao como amplificador; Configuraes: Emissor Comum, Coletor Comum e Base Comum; Anlise para pequenos sinais. Prtica 3: Transistores Bipolares: circuitos de polarizao, amplificao, configuraes emissor comum, coletor comum e base comum. UNIDADE 4: Transistores de Efeito de Campo Transistores de efeito de campo de juno e MOSFET; Tipos: depleo e induo; Caractersticas; Circuitos de polarizao; Anlise para pequenos sinais. Prtica 4: Transistores de efeito de campo: Transistores de efeito de campo de juno (depleo), Transistores de efeito de campo MOSFET (induo), circuitos de polarizao, operao como amplificador.

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UNIDADE 5: Amplificadores Operacionais O amplificador diferencial, O Amplificador Operacional ideal; Configuraes: inversora, no-inversora e seguidor de tenso; Circuitos com Amplificadores Operacionais. Prtica 5: Amplificadores Operacionais: Circuitos com Amplificadores Operacionais Trabalho Prtico: Fonte de Alimentao Projeto e montagem, em placa de circuito impresso, de uma fonte varivel de tenso com proteo contra sobrecarga, tenso: -15V/0V/+15V, capacidade: 1A. Bibliografia: (1) BOYLESTAD, R. & NASHELSKY, L. - Dispositivos eletrnicos e teoria dos circuitos Rio de Janeiro, Livros Tcnicos e Cientficos Editora S.A., 1998. (2) MALVINO, A. P. Eletrnica Vols. 1 e 2, So Paulo, Makron Books do Brasil Editora Ltda, 1997. (3) SEDRA, A. S. & SMITH, K. C. Microelectronic circuits New York, Oxford University Press, 1998. (4) MILLMAN, J. & HALKIAS, C. C. Eletrnica - dispositivos e circuitos So Paulo, Editora McGraw-Hill do Brasil, 1981. (5) CATHEY, J.J. Dispositivos e circuitos eletrnicos Porto Alegre, Bookman companhia editora, 2002. Sistema de Avaliao: N1 e N2 2 provas tericas individuais (10 pontos cada), N3 Anlise de relatrios das aulas prticas (4 pontos)+ 1 trabalho prtico (6 pontos). 4 * N1 + 4 * N 2 + 2 * N 3 Mdia Semestral = 6 10 Exame Especial (resoluo CEPE N0 2.027 de 18/12/2001): Pr-requisito: 75% de freqncia s aulas tericas e prticas Media Semestral + Exame Especial Mdia final = 2