Curso de Eletronica Basica Parte1 Eletronuclear

ELETRONUCLEAR
Gerncia de Treinamento - GTR.O

TREINAMENTO GERAL DE MANUTENO

ANGRA 2

CURSO DE ELETRNICA BSICA


ELETRONUCLEAR

TGM A2 Curso de Eletrnica Bsica - Apostila Setembro/00
SRIE: TREINAMENTO GERAL DE MANUTENO
FICHA TCNICA
Trabalho elaborado sob a coordenao da ELETRONUCLEAR e apoio do SENAI
DR/RJ de Barra Mansa e Gerncia de Educao Profissional, com a participao
de:

Coordenador Rafael Gomes Moreira Eletronuclear
Especialista: Rafael Gomes Moreira Eletronuclear
Revisor Pedaggico Rafael Gomes Moreira Eletronuclear
Desenhista Carlos A. dos Anjos - SENAI
Digitador Waldir Martins - SENAI

ATUALIZAES
N DA REVISO DATA REVISOR

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TGM A2 Curso de Eletrnica Bsica - Apostila Setembro/00 1

NDICE:
1. MATERIAIS SEMICONDUTORES ................................................................................... 5
1.1 Materiais ............................................................................................................................... 5
1.2 Estrutura qumica dos materiais semicondutores ................................................................. 5
1.2 Dopagem .............................................................................................................................. 8
2. DIODO SEMICONDUTOR .............................................................................................. 16
2.1 Princpios ............................................................................................................................ 16
2.2 Polarizao ......................................................................................................................... 21
2.3 Polarizao direta ............................................................................................................... 21
2.4 Polarizao Inversa ............................................................................................................ 23
3. DIODO IDEAL .................................................................................................................. 26
3.1 Conduo no Diodo Ideal e Circuito Equivalente .............................................................. 26
3.2 Bloqueio do Diodo Ideal .................................................................................................... 27
4. DIODO REAL .................................................................................................................... 28
4.1 Conduo e Circuito Equivalente ....................................................................................... 28
4.2 Bloqueio ............................................................................................................................. 30
4.3 Curva caracterstica do Diodo Real .................................................................................... 30
4.4 Comportamento .................................................................................................................. 33
5. RETIFICADORES ............................................................................................................. 41
5.1 Retificao de meia onda ................................................................................................... 41
5.1.1 Fonte de Alimentao Meia Onda ...................................................................................... 52
5.2 Retificao de Onda Completa ........................................................................................... 56
5.2.1 Retificao de onda completa com derivao central ........................................................ 56

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5.2.2 Pontes Retificadoras Comerciais ........................................................................................ 64
6. FILTROS ............................................................................................................................ 67
6.1 Filtro Capacitivo ................................................................................................................. 68
6.2 Tenso de Ondulao ......................................................................................................... 72
6.3 Fatores que influenciam na ondulao ............................................................................... 74
6.4 Tenso na sada nos circuitos retificadores com filtro ....................................................... 78
6.5 Observao da ondulao com osciloscpio ...................................................................... 81
6.6 Determinao do capacitor de filtro ................................................................................... 82
6.7 Capacitor de filtro ideal ...................................................................................................... 84
7. DIODOS ESPECIAIS ........................................................................................................ 86
7.1 Diodo emissor de luz (LED) .............................................................................................. 86
7.1.1 Teste do diodo LED ........................................................................................................... 90
7.1.2 Utilizao do diodo LED em CC ....................................................................................... 92
7.2 Diodo Zener ........................................................................................................................ 93
7.2.1 Caractersticas do diodo Zener ........................................................................................... 96
7.2.2 Diodo Zener Ideal x Real ................................................................................................. 102
7.2.3 Diodo Zener como regulador de tenso ........................................................................... 104
7.2.4 Condies de regulao .................................................................................................... 108
7.2.5 Regulao de tenso com corrente de carga varivel ....................................................... 113
7.2.6 Regulao de tenso com corrente de carga e tenso de entrada variveis ...................... 116
7.2.7 Fonte de alimentao com tenso de sada regulada diodo Zener ................................. 116
8. TRANSISTOR BIPOLAR ............................................................................................... 119
8.1 Transistor bipolar estrutura bsica ................................................................................... 119
8.2 Teste de transistores ......................................................................................................... 123

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8.3 As tenses nos terminais do transistor ............................................................................. 131
8.4 Principio de funcionamento do transistor bipolar .............. Error! Bookmark not defined.
8.5 Controle da corrente de base sobre a corrente de coletor ... Error! Bookmark not defined.
8.6 Circuito de coletor .............................................................. Error! Bookmark not defined.
8.7 Dissipao de potncia no transistor .................................. Error! Bookmark not defined.
8.8 Dissipao mxima no transistor ........................................ Error! Bookmark not defined.
8.9 Correntes de fuga no transistor ........................................... Error! Bookmark not defined.
8.10 Disparo trmico .................................................................. Error! Bookmark not defined.
8.11 Influncia da temperatura na corrente de coletor ............... Error! Bookmark not defined.
8.12 Silcio versus germnio ...................................................... Error! Bookmark not defined.
8.13 Configuraes de ligao do transistor .............................. Error! Bookmark not defined.
8.14 Curvas caractersticas na configurao de emissor comumError! Bookmark not defined.
8.15 Ponto de Operao ............................................................. Error! Bookmark not defined.
8.16 Curva de dissipao mxima .............................................. Error! Bookmark not defined.
8.17 Polarizao da base por corrente constante ........................ Error! Bookmark not defined.
8.18 Estabilidade trmica dos circuitos transistorizados ............ Error! Bookmark not defined.
8.19 Correo do ponto de funcionamento ................................ Error! Bookmark not defined.
8.20 Regies de Operao de um transistor ............................... Error! Bookmark not defined.
8.21 Polarizao de base por divisor de tenso .......................... Error! Bookmark not defined.
8.22 Determinao analtica dos componentes polarizadores .... Error! Bookmark not defined.
8.23 Modificao do Ponto de Operao ................................... Error! Bookmark not defined.
9. TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO (FET) ..... Error! Bookmark not defined.
9.1 Caractersticas Gerais ......................................................... Error! Bookmark not defined.
9.1.1 Transistor efeito de campo de juno J-FET ...................... Error! Bookmark not defined.

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9.2 Princpio de funcionamento ............................................... Error! Bookmark not defined.
9.2.1 Anlise dos potenciais de porta no J-FET P ....................... Error! Bookmark not defined.
9.3 Descrio dos Parmetros Bsicos dos J-FET ................... Error! Bookmark not defined.
9.3.1 Regies de operaes do J-FET ......................................... Error! Bookmark not defined.
9.4 Transistor de Efeito de Campo de Porta Isolada (MOS-FET)Error! Bookmark not defined.
9.4.1 MOS-FET tipo deplexo .................................................... Error! Bookmark not defined.
9.4.2 MOS-FET enriquecimento ................................................. Error! Bookmark not defined.
9.5 Amplificao com FET ...................................................... Error! Bookmark not defined.
9.5.1 Polarizao do FET para amplificao ............................... Error! Bookmark not defined.
9.5.1 Princpio de funcionamento do estgio amplificador com FETError! Bookmark not defined.
9.5.2 Caractersticas dos estgios amplificados a FET ............... Error! Bookmark not defined.
9.5.3 Comparao entre caractersticas de estgios amplificadores transistor e a FETError! Bookmark not defined.
10. REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS ............................... Error! Bookmark not defined.

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1. MATERIAIS SEMICONDUTORES
1.1 Materiais
So materiais que podem apresentar caractersticas de isolante ou de condutor,
dependendo da forma como se apresenta a sua estrutura qumica.
Um exemplo tpico de material semicondutor o carbono. Dependendo da forma como
os tomos do carbono se interligam, o material formado pode se tornar condutor ou
isolante.
Duas formas bastante conhecidas de matria formada por tomos de carbono so:
o diamante
o grafite
Diamante
Material de grande dureza que se forma pelo arranjo de tomos de carbono em forma de
estrutura cristalina. eletricamente isolante.
Grafite
Material que se forma pelo arranjo de tomos de carbono em forma triangular.
condutor de eletricidade.
1.2 Estrutura qumica dos materiais semicondutores
Os materiais semicondutores se caracterizam por serem constitudos de tomos que tem
4 eltrons na camada de valncia (TETRAVALENTES ).
A figura 1 apresenta a configurao de dois tomos que do origem a materiais
semicondutores.

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Fig.1
Os tomos que tem quatro eltrons na ltima camada tem tendncia a se agruparem
segundo uma formao cristalina.
Neste tipo de ligao cada tomo se combina com quatro outros, fazendo com que cada
eltron pertena simultaneamente a dois tomos (Fig.2 e 3).

ligao covalente
Fig.2

Este tipo de ligao qumica denominada de ligao covalente, e representada
simbolicamente por dois traos que interligam os dois ncleos (Fig.4).

Fig. 3 e 4

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Quando um tomo tetravalente se associa por ligaes covalentes a quatro outros,
ligao representada conforme ostra a figura 5.

Fig.5
As ligaes covalentes se caracterizam por manter os eltrons fortemente ligados aos
dois ncleos associados.
Por esta razo as estruturas cristalinas puras, compostas unicamente por ligaes
covalentes, adquirem caractersticas de isolao eltrica.

O silcio o germnio puros so materiais com caractersticas isolantes quando
agrupados em forma de cristal.
A figura 6 mostra a configurao cristalina do silcio de forma planificada.

Fig.6

As estruturas cristalinas puras de elementos tetravalentes so
eletricamente isolantes.

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Observa-se que cada tomo realiza quatro ligaes covalentes com os tomos vizinhos.
O aspecto real de ligao dos tomos de uma estrutura cristalina de germnio ou silcio
est apresentado na figura 7.

Fig.7
1.2 Dopagem
A dopagem um processo qumico que tem por finalidade introduzir tomos estranhos
a uma substncia na sua estrutura cristalina.
A prpria natureza executa um processo de dopagem propiciando a existncia de
impurezas na estrutura qumica dos cristais que se instalam durante a sua formao.
A dopagem pode tambm ser realizada em laboratrios, com um objetivo mais
especfico:
colocar cristais semicondutores (germnio e silcio, principalmente) a dopagem
realizada para atribuir ao material certa condutibilidade eltrica).
A forma como o cristal ir conduzir a corrente eltrica e a sua condutibilidade
dependem do tipo de Impureza utilizado e da quantidade de impureza aplicada.
a) Cristal N
Quando o processo de dopagem introduz na estrutura cristalina uma quantidade de
tomos com mais de quatros eltrons na ltima camada, forma-se uma nova estrutura
cristalina denominada de Cristal N. Tomando-se como exemplo a introduo de tomos
de fsforo que possuem cinco eltrons na ltima cada no cristal (fig.8).

Dos cinco eltrons externos do fsforo apenas quatro encontram um par no cristal
possibilite a formao covalente (fig.9).

fig.8

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Fig.9
O quinto elementos do fsforo no forma ligao covalente porque no encontra um
eltron na estrutura que possibilite esta formao.
Este eltron isolado tem a caracterstica de se libertar facilmente do tomo, passando a
vagar livremente dentro da estrutura do cristal, constituindo-se um portador livre de
carga eltrica.
Cada tomo de impureza fornece um eltron livre dentro da estrutura do cristal
semicondutor (fig.10).

Fig.10

ELETRONUCLEAR


Com a adio de uma determinada quantidade de impurezas o cristal que era puro e
isolante passa a ser condutor de corrente eltrica, atravs dos portadores livres
(eltrons), que podem circular na banda de conduo.
importante observar que embora o material tenha sido dopado, seu nmero total de
eltrons e prtons igual, de forma que o material continua eletricamente neutro.
O cristal semicondutor dopado de impurezas de maior nmero de eltrons (como o
fsforo) denominado de Cristal N porque a corrente eltrica conduzida no sei
interior por cargas negativas (fig. 11 e 12).

Fig.11 Fig.12
Observa-se que o Cristal N conduz a corrente eltrica, independentemente da polaridade
da bateria.
b) Cristal P
A utilizao de tomos com menos de quatro elementos na ltima camada para o
processo de dopagem d origem a um tipo de estrutura chamada de Cristal P.
O tomo de ndio, por exemplo, que tem trs eltrons na ltima camada, d origem a um
Cristal P quando utilizado na dopagem (fig.13).

Fig.13

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Quando os tomos de ndios so colocados na estrutura do cristal puro verifica-se a falta
de um eltron para que os elementos tetravalentes se combinem de forma covalente
(fig.14).

Fig.14
Esta ausncia no interior do cristal denominada de lacuna, sendo representada por uma
carga eltrica positiva na estrutura qumica (fig.15).

Fig.15
A lacuna no propriamente uma carga positiva, mas sim, a ausncia de uma carga
negativa.
Os cristais dopados com tomos de menos de quatro eltrons na cada externa so
denominados de Cristais P porque a conduo de corrente eltrica no seu interior se d
pela movimentao das lacunas.

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O movimento de lacunas no Cristal P pode ser facilmente observado, quando se analisa
a conduo de corrente passo a passo.
Quando se aplica uma diferena de potencial aos extremos de um cristal P uma lacuna
ocupada por um eltron que se movimenta deixando uma lacuna em seu lugar (fig.16 e
17).

Fig.16 Fig.17
Esta lacuna preenchida pelo eltron seguinte, que torna a criar outra lacuna atrs de si
(fig.18).

Fig.18
Assim, a lacuna ser preenchida por outro eltron gerando nova lacuna, at que esta
lacuna seja preenchida por um eltron proveniente da fonte (fig.19 e 20).

Fig.19 Fig.20

ELETRONUCLEAR


Fig.21 Fig.22
Conclui-se que os cristais P e N, isoladamente conduzem a corrente eltrica qualquer
que seja a polaridade de tenso aplicada aos seus extremos.
Os cristais P e N so a matria prima para a fabricao dos componentes eletrnicos
modernos tais como: diodos, transistores, circuitos integrados.
c) Influncia da intensidade de dopagem no comportamento dos materiais semicondutores.
A conduo de corrente eltrica nos materiais semicondutores depende dos portadores
livres de carga na estrutura qumica.
Os cristais dopados mais intensamente se caracterizam por apresentar ,maior
condutibilidade, porque sua estrutura apresenta um maior nmero de portadores livres
(fig.23 e 24).

Fig.23 Fig.24
Controlando a quantidade de impurezas introduzidas na estrutura cristalina, a faixa
proibida, localizada entre as faixas de valncia e conduo, pode ser reduzida a uma
largura desejada (figs. 25, 26 e 27).

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Figs 25, 26 e 27
Observando-se a quantidade de energia necessria para tornar os materiais condutores,
nos grficos acima, verifica-se que com o aumento da dopagem o material levado
conduo mais facilmente.
d) Influncia da Temperatura na condutibilidade dos Materiais Semicondutores.
A temperatura exerce influncia direta sobre o comportamento dos materiais
semicondutores no que diz respeito a condutibilidade eltrica.
Quando a temperatura de um material semicondutor aumenta, a energia trmica
adicional faz com que algumas ligaes covalentes da estrutura se desfaam .
Cada ligao covalente que se desfaz pelo acrscimo de temperatura propicia a
existncia de dois portadores livres de energia a mais na estrutura do cristal (fig.28 e
29).

Fig.28

Fig.29

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A existncia de um maior nmero de portadores aumenta a condutibilidade do material,
permitindo a circulao de correntes maiores no cristal (fig.30).

Fig.30

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2. DIODO SEMICONDUTOR
2.1 Princpios
O diodo semicondutor um componente que apresenta a caracterstica de se comportar
como condutor ou isolante eltrico dependendo da forma como a tenso aplicada aos
seus terminais.
Uma da aplicaes do diodo na transformao de corrente alternada em corrente
contnua utilizada, por exemplo, nos eliminadores de pilha(fig.31).

Fig.31
a) Simbologia e aspecto real
O diodo semicondutor representado nos esquemas pelo smbolo apresentado na figura.

O terminal da seta representa o material P, denominado de NODO do diodo, enquanto
o terminal da barra representa o material N, denominado de CTODO do diodo.

Fig

ELETRONUCLEAR


A identificao dos terminais (nodo e ctodo) no componente real pode aparecer de
duas formas:
smbolo impresso sobre o corpo do componente

uma barra impressa sobre o corpo do corpo do componente, que indica o ctodo.

Observa-se que o comportamento de qualquer componente eletrnico fabricado com
materiais semicondutores depende diretamente da sua temperatura de trabalho. Esta
dependncia denominada de DEPENDNCIA TRMICA, constituindo-se em fator
importante que deve ser considerado quando se projeta ou monta circuitos com estes
componentes.
A figura apresenta alguns tipos construtivos de diodos, utilizados em circuitos
eletrnicos.

Fig.
b) Formao do Diodo Juno PN
O diodo se constitui na juno de duas pastilhas de material semicondutor: uma de
material N e uma de material P.

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Fig.
c) Comportamento dos cristais aps a juno.
Aps a juno das pastilhas que formam o diodo ocorre um processo de
acomodamento qumico entre os cristais.
Na regio da juno alguns eltrons livres saem do material N e passam para o material
P, recombinando-se com as lacunas das proximidades.

Fig.
O mesmo ocorre com algumas lacunas que passam do material P para o material N e se
recombinam com os eltrons livres.

Fig.

ELETRONUCLEAR


Forma-se na juno uma regio onde no existem portadores de carga, porque esto
todos recombinados, neutralizando-se. Esta regio denominada de regio de
DEPLEXO (fig.10).

Fig.10
Como conseqncia da passagem de carga de um cristal para outro cria-se um
desequilbrio eltrico na regio da juno.
Os eltrons que se movimentam do material N para o P geram um pequeno potencial
eltrico negativo (fig.11).

Fig.11
As lacunas que se movimentam para o material N gera um pequeno potencial eltrico
positivo (fig.12).

Fig.12

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Verifica-se que na regio da juno existe uma diferena de potencial, proporcionando
pelo movimento dos portadores de um cristal para o outro.
Este desequilbrio eltrico denominado de barreira de potencial. No funcionamento
do diodo esta barreira de potencial se comporta como uma pequena bateria dentro do
componente (fig.13).

Fig.13).
importante observar que a barreira de potencial NEGATIVA NO CRISTAL P e
POSITIVA NO CRISTAL N.
A tenso proporcionada pela barreira de potencial no interior do diodo depende do
material utilizado na sua fabricao.
Nos diodos de germnio a barreira de potencial tem aproximadamente 0,2 V e nos
diodos de silcio aproximadamente 0,7 V (figs. 14 e 15).

Fig.14 Fig.15
No possvel medir a tenso da barreira de potencial, aplicando um voltmetro aos
terminais de um diodo, porque esta tenso existe apenas internamente no componente.
No todo, o componente continua neutro, uma vez que no foram acrescentadas nem
retirados portadores dos cristais.

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2.2 Polarizao
A aplicao de tenso sobre o diodo estabelece a forma como o componente se
comporta eletricamente,.
A tenso pode ser aplicada ao diodo de duas formas diferentes denominadas
tecnicamente de:
a) polarizao direta
b) polarizao inversa.
2.3 Polarizao direta
A polarizao do diodo denominada de Polarizao direta quando a tenso POSITIVA
aplicada ao MATERIAL P e a tenso NEGATIVA ao MATERIAL N (fig.16)

Fig.16
O plo positivo da fonte repele as lacunas do material P em direo ao plo negativo,
enquanto os eltrons livres so repelidos pelo plo negativo em direo ao plo
positivo, (fig.17)

Fig.17

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Se a tenso da bateria externa maior que a tenso da barreira de potencial as foras de
atrao e repulso provocadas pela bateria externa permitem aos portadores adquirir
velocidade suficiente para atravessar a regio onde h ausncia de portadores (fig.18).

Fig.18
Observa-se que nesta condio existe um fluxo de portadores livres dentro do diodo,
atravs da juno (fig.19).

Fig.19
A polarizao direta faz com que o diodo permita a circulao de corrente eltrica no
circuito, atravs do movimento dos portadores livres (figs 20 e 21).

Fig.20 Fig.21

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Quando o diodo est polarizado diretamente, conduzindo corrente eltrica diz-se que:
O DIODO EST EM CONDUO

importante observar que a seta do smbolo do diodo indica o sentido de circulao
convencional da corrente (fig.22).

Fig.22
2.4 Polarizao Inversa
A polarizao inversa de um diodo consiste na aplicao de tenso positiva no material
N e negativo no material P (fig.23).

Fig.23

Um diodo semicondutor polarizado diretamente ( )
entra em CONDUO, permitindo a passagem de corrente
eltrica.

ELETRONUCLEAR


Nesta situao os portadores livres de cada cristal so atrados pelos potenciais da
bateria para os extremos do diodo (fig.24).

Fig.24
Observa-se que a polarizao inversa provoca um alargamento da regio de deplexo,
porque os portadores so afastados da juno (fig.25).

Fig.25
No existe fluxo de portadores atravs da juno, quando o diodo polarizado
inversamente. Portanto, conclu-se que a polarizao inversa faz com que o diodo
impea a circulao de corrente no circuito eltrico.
Quando o diodo est polarizado inversamente, impedindo a circulao de corrente diz-
se que:

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O DIODO EST BLOQUEADO (Fig.26 e 27).

Fig.26 Fig.27

Um diodo semicondutor polarizado inversamente entra em
bloqueio, no permitindo a passagem de corrente eltrica.

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3. DIODO IDEAL
As caractersticas do diodo fornecem informaes sobre o seu comportamento nos
circuitos eletrnicos durante os estados de conduo ou bloqueio (Fig.1 e 2).

Fig.1 Fig.2
O diodo semicondutor ideal
Como diodo ideal se compreende um diodo que apresente caractersticas especiais,
conduzindo ou bloqueando completamente.
3.1 Conduo no Diodo Ideal e Circuito Equivalente
Um diodo ideal, polarizado diretamente, deve conduzir a corrente eltrica sem
apresentar resistncia, comportando-se como um interruptor fechado (fig.3).

Fig.3
O interruptor fechado denominado de circuito equivalente do diodo ideal em
conduo.
Os circuitos equivalentes so circuitos com componentes simples (interruptores,
resistores, capacitores) que atravs dos quais se obtm o mesmo efeito que com um
nico componente mais complexo.
So usados como ferramenta para auxiliar na compreenso do comportamento de
componentes mais complexos nos circuitos.

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3.2 Bloqueio do Diodo Ideal
Polarizado inversamente um diodo semicondutor ideal deve se comportar como um
isolante perfeito, impedindo completamente a circulao de corrente. A condio de
bloqueio de um diodo tambm pode ser denominada de corte do diodo, porque o diodo
corta a circulao de corrente.
Em circuito equivalente o diodo ideal em bloqueio pode ser representado como um
interruptor aberto (fig.4).

Fig.4

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4. DIODO REAL
O diodo real apresenta algumas diferenas em relao ao diodo ideal.
Estas diferenas existem porque o processo de purificao dos cristais semicondutores
para fabricao de componentes eletrnicos no perfeito.
Aps a purificao ainda existe nos cristais uma pequena quantidade de impurezas
originrias da formao do material na natureza.
Estas impurezas, chamadas de portadores minoritrios, resultantes da deficincia na
purificao fazem com que as caractersticas de conduo e bloqueio dos diodos reais se
distanciem dos ideais.
4.1 Conduo e Circuito Equivalente
Dois fatores diferenciam o diodo real do ideal no sentido de conduo:
a barreira de potencial
a resistncia interna.
A barreira de potencial, existente na juno dos cristais, faz com que o diodo entre em
conduo efetiva apenas a partir do momento em que a tenso da bateria externa atinge
um valor maior que a tenso interna (fig.1).

Fig.1
A resistncia interna devida ao fato de que o cristal dopado no condutor perfeito. O
valor da resistncia interna dos diodos na conduo normalmente menor que 1O.

ELETRONUCLEAR


Assim, um circuito equivalente do diodo real em conduo apresenta os elementos
representativos da barreira de potencial e da resistncia interna (fig.2).

Fig.2
Na maioria dos casos em que o diodo utilizado, a tenses e resistncias externas do
circuito so muito maiores que os valores internos do diodo (0,7V; 1O). Assim, se pode
normalmente considerar o diodo real igual ao ideal no sentido de conduo, sem
provocar um erro significativo.
No circuito da figura 3 , por exemplo, a tenso e resistncia externa ao diodo so to
grandes, comparadas com os valores do diodo, que se pode considerar o modelo ideal
sem qualquer prejuzo.

Fig.3

ELETRONUCLEAR


4.2 Bloqueio
Devido a presena dos portadores minoritrios resultantes da purificao imperfeita, o
diodo ideal em bloqueio no capaz de impedir completamente a existncia de corrente
no sentido inverso.
Esta corrente inversa que circula no diodo, denominada de CORRENTE DE FUGA,
da ordem de alguns microampres.
Isto significa que no sentido inverso o diodo apresenta uma resistncia elevadssima
(vrios Megaohms).
O circuito eqivalente do diodo real em bloqueio apresenta esta caracterstica
configurada (fig.4).

Fig.4
Como a corrente de fuga muito pequena comparada com a corrente de conduo a
resistncia inversa do diodo pode ser desprezada na anlise da grande maioria dos
circuitos, considerando-se o diodo como ideal.
4.3 Curva caracterstica do Diodo Real
O comportamento dos componentes eletrnicos pode ser expresso atravs de uma curva
caracterstica que permite determinar a condio de funcionamento do dispositivo em
um grande nmero de situaes.
A curva caracterstica do diodo mostra seu comportamento na conduo e no bloqueio.
a) REGIO DE CONDUO
Durante a conduo do diodo a corrente do circuito circula no cristal. Devido a
existncia da barreira de potencial e da resistncia interna no diodo verifica-se a
presena de um pequeno valor de tenso sobre o diodo (fig.5).

ELETRONUCLEAR


fig.5
A curva caracterstica do diodo em conduo mostra o comportamento da queda de
tenso em funo da corrente que flui no circuito (fig.6).

Fig.6
Analisando a curva caracterstica de conduo verifica-se que a tenso no diodo sofre
um pequeno aumento quando a corrente aumenta (fig.7).

Fig.7
Atravs da curva verifica-se tambm que enquanto a tenso sobre o diodo est abaixo de
0,7V (no caso do silcio) a corrente circulante muito pequena (regio c da curva).

ELETRONUCLEAR


Isto se deve ao fato de que a barreira de potencial se ope ao fluxo de cargas no diodo.
Devido a existncia desta barreira de potencial a regio tpica de funcionamento dos
diodos fica acima da tenso de conduo caracterstica (fig.8).

Fig.8
b) REGIO DE BLOQUEIO
No bloqueio o diodo semicondutor no atua como isolante perfeito, permitindo a
circulao de uma corrente de fuga, de valor muito pequeno (da ordem de
microampres). Esta corrente de fuga aumenta, a medida que a tenso inversa sobre o
diodo aumenta (fig.9).

Fig.9
A figura 10 apresenta a curva do diodo com os dois quadrantes: de conduo e de
bloqueio.

ELETRONUCLEAR


Fig.10
Regimes mximos do diodo em CC
Os regimes mximos do diodo em CC estabelecem os limites da tenso e corrente que
podem ser aplicados ao componente em circuitos de corrente contnua, sem provocar
danos a sua estrutura..
Analisando o comportamento do diodo em conduo e bloqueio verifica-se que os
fatores que dependem diretamente do circuito ao qual est conectado so:
a) corrente de conduo (I
F
0
b) tenso reversa (V
R
).
4.4 Comportamento
A tenso de conduo V
D
no depende do circuito (0,7 para silcio de 0,2 para
germnio) e a corrente de fuga tambm depende apenas do material do diodo (alguns
microampres).
a) CORRENTE MXIMA DE CONDUO
A corrente de conduo mxima de cada tipo de diodo dada pelo fabricante em
folhetos tcnicos. Nestes folhetos, a corrente mxima de conduo aparece designada
pela sigla I
F
proveniente do idioma ingls:

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Abaixo esto colocados dois diodos comerciais e suas caractersticas de corrente
mxima (I
F
).

TIPO I
F

SKE 1/12 1,0
A

1N4004 1,0A

b) TENSO REVERSA MXIMA
As tenses reversas colocam o diodo em bloqueio. Nesta condio toda a tenso
aplicada ao circuito fica aplicada sobre o diodo (fig.11).

Fig.11
Cada diodo tem a estrutura preparada para suportar um determinado valor de tenso
reversa. Aplicando um valor de tenso reversa superior ao especificado para cada diodo
a corrente de fuga aumenta excessivamente e o diodo danificado.
Os fabricantes de diodos fornecem em folhetos tcnicos o valor caracterstico de tenso
mxima que o diodo suporta sem sofrer a ruptura.
Este valor aparece designado pela sigla V
R
.

CORRENTE
(FORWARD) DE CONDUO

Corrente mxima
de conduo em
regime contnuo.
I F
V
R

Tenso reversa mxima em
regime contnuo

ELETRONUCLEAR


Abaixo esto colocados alguns diodos comerciais e seu valores caractersticos de tenso
reversa mxima.
TIPO V
R

1N4001 50V
BY127 800V
BYX13 50V
SKE1/12 1200V

c) TESTE DE DIODOS SEMICONDUTORES
As condies de funcionamento de um diodo podem ser verificadas pela medio de
resistncias atravs do multmetro.
Os testes realizados para determinar as condies de um diodo se resumem a uma
verificao da resistncia do componente nos sentidos de conduo e bloqueio,
utilizando a tenso fornecida pelas baterias do ohmmetro (fig.12).

Fig.12
Entretanto, existe um aspecto importante, com relao ao multmetro, que deve ser
considerado ao testar componentes semicondutores:

ELETRONUCLEAR


Existem alguns multmetros que, quando usados como ohmmetro tem a polaridade real
das pontas de prova invertida com relao a cor. Isto

Para realizar o teste com segurana deve-se utilizar um multmetro conhecido (cuja
polaridade real das pontas de prova seja conhecida) ou consultar o esquema do
multmetro para determinar as polaridades reais.
Execuo do Teste
Para determinar se o diodo est defeituoso no necessrio identificar os terminais
nodo e ctodo.
Basta apenas colocar as pontas de prova do multiteste sobre o diodo nos dois sentidos
possveis (fig.13 e 14).

Fig.13 Fig.14

c.1) Diodo em boas condies
Em alguns
multmetros
na escala de
resistncia
ponta de prova preta positiva
ponta de prova vermelha negativa

ELETRONUCLEAR


Em uma das medidas o ohmmetro (em escala R x 10) deve indicar baixa resistncia e
em outra medida alta resistncia (fig.15 e 16).

Fig.15

Fig.16
OBSERVAO:
No multmetro usado como ilustrao neste material instrucional a polaridade real das
pontas de prova invertida com relao a cor, na escala de medida de resistncia.

c.2) Diodo em Curto

ELETRONUCLEAR


Se as duas leituras indicarem baixa resistncia o diodo est em curto, conduzindo
corrente eltrica nos dois sentidos.
As figuras 17 e 18 mostram as medidas em um diodo em curto.

Fig.17

Fig.18

c.3) Diodo Aberto (Interrompido Eletricamente)

ELETRONUCLEAR


Se as duas leituras indicarem alta resistncia o diodo est aberto, bloqueando a passagem de
corrente eltrica nos dois sentidos (fig.19 e 20).

Fig.19

Fig.20
c.4) Identificao do nodo e Ctodo de um diodo
Em muitas ocasies a barra de identificao do ctodo no corpo de um diodo se apaga.
Nestas ocasies os terminais do diodo podero ser identificados com auxlio do
multmetro.
O diodo conduz (baixa resistncia) quando a ponta de prova com a polaridade real
positiva conectada ao nodo (fig.21).

ELETRONUCLEAR


Fig.21
Tomando-se o diodo com identificao apagada testa-se as pontas de prova nas duas
posies possveis. Quando o multmetro indicar baixa resistncia o seu nodo estar
conectado a ponta de prova com polaridade real positiva.

ELETRONUCLEAR


5. RETIFICADORES
5.1 Retificao de meia onda
Retificao o nome dado ao processo de transformao de corrente alternada em
corrente contnua.
A retificao utilizada nos equipamentos eletrnicos com a finalidade de permitir que
equipamentos de corrente contnua sejam alimentados a partir da rede eltrica CA.
A retificao de meia onda um processo de transformao de CA em CC, que permite
o aproveitamento de apenas um semiciclo da tenso de entrada na carga (fig.1).

Fig.1
O circuito retificado de meia onda com diodo empregada em equipamentos que no
exigem um tenso contnua pura, como por exemplo, os carregadores de bateria.
a) Retificao de meia onda com diodo semicondutor
As caractersticas de conduo e bloqueio do diodo semicondutor podem ser utilizadas
para obter uma retificao de meia onda a partir da corrente alternada da rede eltrica
domiciliar.

ELETRONUCLEAR


A figura 2 mostra a configurao de um circuito retificador de meia onda com diodo.

Fig.2
b) Funcionamento
Tomando-se como referncia o circuito retificador de meia onda como diodo da figura
3.

Fig.3
b.1) Primeiro Ciclo
Durante o primeiro semiciclo a tenso positiva no ponto A, com relao ao ponto B.
Esta polaridade de tenso de entrada coloca o diodo em conduo, permitindo a
circulao de corrente (fig.4).

Fig.4
A tenso sobre a carga assume a mesma forma de tenso de entrada (fig.5).

ELETRONUCLEAR


Fig.5
O valor de pico de tenso sobre a carga menor que o valor do pico de tenso da
entrada por que o diodo, durante a conduo, apresenta uma pequena queda de tenso
V
D
(0,7 para silcio e 0,2 para germnio) (fig.6).

Fig.6
Entretanto na maioria dos casos, a queda de tenso do diodo pode ser desprezada porque
o seu valor muito pequeno em relao ao valor total do pico de tenso sobre a carga.

ELETRONUCLEAR


A queda de tenso sobre o diodo deve ser considerada apenas quando o circuito
retificador for aplicado a tenses pequenas (menores que 110 V).
b.2) Segundo semiciclo
Durante o segundo semiciclo a tenso de entrada negativa no ponto A, com relao ao
ponto B.
Esta polaridade de tenso de entrada coloca o diodo em bloqueio, impedindo a

Fig.7
Nesta condio toda a tenso de entrada aplicada sobre o diodo que atua como
interruptor aberto, e a tenso na carga nula porque no h circulao de corrente
(fig.8).

Fig.8
Observa-se que para cada ciclo completo de tenso de entrada apenas um semiciclo
passa para a carga, enquanto o outro semiciclo fica sobre o diodo. Os grficos da figura
9 ilustram o que foi descrito.

ELETRONUCLEAR


Fig.9
A forma de tenso encontrada na carga denominada de tenso contnua pulsante.
Contnua por que a corrente, quando flui, flui sempre no mesmo sentido o que uma
caracterstica da tenso contnua e pulsante por que a circulao de corrente ocorre em
forma de pulsos.

c) Retificao de meia onda com tenso de sada negativa

ELETRONUCLEAR


Dependendo da forma como o diodo est colocado no circuito retificador, pode-se obter
uma tenso CC positiva ou negativa em relao ao terra (fig.10 e 11).

Fig.10

Fig.11
c.1) Tenso de sada

ELETRONUCLEAR


A tenso de sada de uma retificao contnua, embora seja pulsante. Para medir esta
tenso de sada utiliza-se um voltmetro de CC ou multmetro (fig.12).

Fig.12
Ao conectar-se um voltmetro de CC (ou multmetro em escala de tenso CC) na sada
de uma retificao a tenso indicada pelo instrumento ser a mdia entre os perodos de
existncia e inexistncia de tenso.

Na retificao de meia onda se alternam os perodos de existncia e inexistncia de
tenso sobre a carga (fig.13).

Fig.13

Os multmetros (em escala de V
DC
) e os
voltmetros de CC indicam sempre um valor de
TENSO CONTNUA MDIA.

ELETRONUCLEAR


Consequentemente, o valor de tenso CC mdia sobre a carga (medindo com voltmetro
CC na sada da retificao) est muito abaixo do valor efetivo CA aplicado entrada do
circuito (fig.14).

Fig.14
A tenso mdia na sada dada pela equao:
( )
: onde
t
D M
CC
V E
V

=
V
CC
= tenso contnua mdia sobre a carga
E
M
= tenso de Pico da CA aplicado ao circuito ( ) 2 .
CA M
V E =
V
D
= queda de tenso tpica do diodo (0,3v ou 0,7v)
OBSERVAO
Os livros e publicaes de eletrnica costumam denominar o valor tenso de pico(V
P
)
de tenso mxima (E
M
). Por esta razo nas equaes apresentadas ser utilizada a
notao E
M
para a tenso de pico.
Quando as tenses de entrada (V
CA
ef
) forem superiores a 10V pode-se eliminar a queda
de tenso do diodo que se torna desprezvel, rescrevendo a equao conforme
apresentado abaixo:
t t
2 .
CA M
CC
V E
V =
Simplificando os termos
t
2
obtm-se 0,45; logo: V
CC
= V
CA
. 0,45

ELETRONUCLEAR


A seguir so apresentados dois exemplos de clculo empregando a frmula completa e
frmula simplificada.

Dados: V
CA
= 6V (menor que 10V)
V
D
= 0,7V (silcio)
( )
V V
V
V E
V
CC
CC
D M
CC
47 , 2
14 , 3
7 , 0 41 , 1 . 6
=
=
t

EXEMPLO 2

Dados: V
CA
= 50V (maior que 10V)
V
CC
= V
CA
. 0,45
V
CC
= 50 . 0,45
V
CC
= 22,5V
A equao da tenso de sada vlida tanto para retificao com tenso de sada
positiva como negativa.

ELETRONUCLEAR


c.2) Na retificao de meia onda a corrente de sada tambm pulsante, uma vez que a
tenso sobre a carga pulsante (fig.15).

Fig.15
Isto implica que a corrente mdia na sada (sobre a carga) uma mdia entre os
perodos de existncia e inexistncia de corrente (fig.16).

Fig.16
O valor da corrente mdia de sada pode ser determinado a partir da tenso mdia e da
resistncia de carga:

O clculo da corrente media de sada muito importante porque serve como ponto de
partida para a escolha do diodo que ser utilizado no circuito.
L
CC
CC
R
V
I =

Corrente mdia
de sada

ELETRONUCLEAR


c.3) Inconveniente da Retificao de meia onda
A retificao de meia onda apresente alguns inconvenientes, decorrentes da sua
condio de funcionamento:
1. A tenso de sada pulsante, diferindo sensivelmente de uma tenso contnua pura (fig.17).

Fig.17
2. O rendimento baixo (45%) em relao a tenso eficaz de entrada (fig.18).

Fig.18

ELETRONUCLEAR


3. Nas retificaes com transformador existe um mau aproveitamento da capacidade de
transformao porque a corrente circula apenas um semiciclo (fig.19).

Fig.19
5.1.1 Fonte de Alimentao Meia Onda
O circuito retificador de meia onda pode ser utilizado como fonte de alimentao para
um circuito eletrnico.
Para que se tenha uma fonte de alimentao completa deve-se acrescentar ao circuito
retificador.
uma chave liga-desliga
um fusvel de proteo
uma chave seletora 110/220V
As figuras 20 e 21 mostram o esquema e o circuito de uma fonte de alimentao meia
onda completa.

Fig.20

ELETRONUCLEAR


Fig.21
Este circuito pode ser dividido em 4 partes distintas (fig.22).
1 entrada
2 controle e proteo
3 rebaixamento ou elevao da tenso
4 retificao

Fig.22

ELETRONUCLEAR


Quando uma fonte retificadora de meia onda apresenta defeito deve-se executar uma
seqncia de medidas que permitem localizar a etapa com problema e posteriormente o
componente.
Geralmente o defeito constatado ao realizar-se uma medida na sada do circuito. Se o
circuito apresenta defeito so duas possibilidades na sada:
Existindo tenso CA na sada pode-se imediatamente concluir que as etapas 1 2 e 3
esto corretas. O defeito provvel o diodo em curto.
No existindo tenso na sada existem muitas hipteses para o defeito. Deve-se,
ento, realizar um teste por etapas do circuito.
Testar se h tenso na sada da etapa 3 (secundrio do transformador).
SIM : ate a etapa 3 tudo est correto.
Defeito na etapa 4 testar diodo (aberto)
NO: o defeito est antes da etapa 4
Testar se h tenso na entrada da etapa 3 (primrio do transformador) do
transformador
SIM: etapas 1 e 2 esto corretas. O defeito est na etapa 3 (transformador).
Testar continuidade das bobinas do transformador com um ohmmetro.
NO: o defeito est nas etapas 1 ou 2.
Testar tenso de entrada na etapa 1.
SIM: etapa 1 est correta, etapas 3 e 4 j foram verificadas. Defeito na etapa 2
(controle e proteo).
Testar componentes e conexes da etapa 2. Caso o fusvel esteja rompido
descobrir a causa antes de substituir.
NO: Testar cabo, plugue e verificar se h energia na tomada onde a fonte est
sendo conectada .
O procedimento parece difcil de ser executado. Entretanto, esta freqncia fica
simples se for colocada em forma de fluxograma.

ELETRONUCLEAR


Fluxograma

ELETRONUCLEAR


5.2 Retificao de Onda Completa
um processo de converso de corrente alternada em corrente contnua que faz um
aproveitamento dos dois semiciclos da tenso da tenso de entrada (fig.23).

Fig.23
O circuito retificador de onda completa o mais empregado nos equipamentos
eletrnicos porque realiza um melhor aproveitamento da energia aplicada a entrada.
A retificao de onda completa com diodos semicondutores pode ser realizada de duas
formas distintas:
empregando um transformador com derivao central e dois diodos.
empregando 4 diodos ligados em ponte.
5.2.1 Retificao de onda completa com derivao central
Retificao de onda completa com derivao central denominada tcnica do circuito
retificador de onda completa que emprega dois diodos e um transformador com
derivao central.

ELETRONUCLEAR


A figura 24 apresenta a configurao deste tipo de circuito retificador.

Fig.24
Este tipo de retificao tambm chamado de retificao de onda completa CENTER
TAPE.
A expresso center tape inglesa e significa derivao central.
FUNCIONAMENTO
O princpio do circuito retificador de onda completa pode ser facilmente compreendido,
considerando-se cada um dos semiciclos da tenso de entrada isoladamente.
a) PRIMEIRO CICLO
Considerando-se o terminal central do secundrio como referncia verifica-se a
formao de duas polaridades opostas nos extremos das bobinas (fig.25).

Fig.25

ELETRONUCLEAR


Nesta condio verifica-se que o diodo D
1
polarizado diretamente, conduzindo,
enquanto o diodo D
2
polarizado inversamente, entrando em bloqueio.
Substituindo os diodos por seus circuitos equivalentes ideais obtm-se a configurao
apresentada na figura 26.

Fig.26
A condio de conduo D
1
permite a circulao de corrente atravs da carga do
terminal positivo para o terminal de referncia (fig.27).

Fig.27

ELETRONUCLEAR


A tenso aplicada a carga a tenso existente entre o terminal central do secundrio e o
extremo superior do transformador (fig.28).

Fig.28
Durante todo o semiciclo analisado o diodo D
1
permanece em conduo e a tenso na
carga acompanha a tenso da parte superior do secundrio (fig.29).

Fig.29

ELETRONUCLEAR


b) SEGUNDO SEMICICLO
No segundo semiciclo da tenso de entrada ocorre uma inverso na polaridade do
secundrio do transformador (fig.30).

Fig.30
Nesta condio o diodo D
2
entra em conduo e o diodo D
1
em bloqueio (fig.31).

Fig.31

ELETRONUCLEAR


A corrente circula pela carga, passando atravs de D
2
que est em conduo, no mesmo
sentido que circulou no primeiro semiciclo (fig.32).

Fig.32
A tenso aplicada a carga a tenso da bobina inferior do secundrio do transformador
(fig.33).

Fig.33

ELETRONUCLEAR


Durante todo o semiciclo analisado o diodo D
2
permanece em conduo e a tenso na
carga acompanha a tenso da parte inferior do secundrio (fig.34).

Fig.34
Analisando um ciclo completo da tenso de entrada verifica-se que o circuito retificador
entrega dois semiciclos de tenso sobre a carga:
um semiciclo do extremo superior do secundrio atravs da conduo de D
1
.
um semiciclo do extremo inferior do secundrio atravs da conduo de D
2
(fig.35).

Fig.35

ELETRONUCLEAR


O teste de condies e pesquisa de defeitos pode ser feito segundo o fluxograma a
seguir:

Fluxograma

H TENSO NA SADA H TENSO NA SADA
H TENSO NA H TENSO NA
SADA DA ETAPA 3 SADA DA ETAPA 3
H TENSO CA NA H TENSO CA NA
H TENSO CA NA H TENSO CA NA
NO H TENSO CA NA NO H TENSO CA NA
ENTRADA DO ENTRADA DO

CIRCUITO CIRCUITO
TESTAR CABO, PLUGLE E TESTAR CABO, PLUGLE E
TOMADA DE ENERGIA TOMADA DE ENERGIA
NO H TENSO CA NA NO H TENSO CA NA
ENTRADA DO ENTRADA DO

CIRCUITO CIRCUITO
ENTRADA DO TESTE ENTRADA DO TESTE
NO NO
NO NO
SIM SIM
SIM SIM
SIM SIM
SIM SIM
FONTE OK FONTE OK
TESTAR DIODO TESTAR DIODO
ONDA ONDA
COMPLETA COMPLETA
MEIA MEIA
ONDA ONDA
ETAPA 1, 2 ETAPA 1, 2
E 3 OK E 3 OK
TESTAR ETAPA 4 TESTAR ETAPA 4
ETAPA 1 E ETAPA 1 E
2 OK 2 OK
TESTAR TESTAR
TRANSFORMADOR TRANSFORMADOR
ETAPA 1 OK ETAPA 1 OK
TESTAR TESTAR
COMPONENTES COMPONENTES
DA ETAPA 2* DA ETAPA 2*
FLUXOGRAMA FLUXOGRAMA

DE DE
TESTES DAS ETAPAS 1, TESTES DAS ETAPAS 1,
2 E 3 IGUAL A MEIA 2 E 3 IGUAL A MEIA
ONDA ONDA

ELETRONUCLEAR


OBSERVAES
* Pode-se determinar se a sada est em meia onda atravs da medida de tenso.
onda completa V
CC
= V
CA
. 0,9
V
CC
= V
CA
. 0,45
possvel a sada em meia onda se apenas 1 dos diodos retificadores estiver aberto.
A Se o defeito for fusvel rompido, verificar as causas antes de substituir (diodos em
curto, curto entre ligaes, curto na sada da fonte).
O rompimento do fusvel tambm pode ser provocado pelo funcionamento anormal do
circuito alimentado pela fonte.
IMPORTANTE: Nas configuraes de onda completa (com derivao e ponte) quando
um diodo entra em curto normalmente faz com que todos os outros
tambm entrem em curto.
Por isto costuma-se substituir todos os diodos da retificao quando se
encontra um em curto, mesmo que no teste com ohmmetro os outros
no acusem defeito.
5.2.2 Pontes Retificadoras Comerciais
A configurao da ponte retificadora muito empregada em equipamentos eletrnicos.
Isto levou os fabricantes de diodos a produzirem as pontes retificadoras prontas.
Estas pontes nada mais so do que os 4 diodos j ligados entre si, encapsulados em um
s componente. As figuras 38 e 39 mostram alguns tipos de pontes retificadoras
comerciais.

Fig.38 Fig.39
Este tipo de pontes tem 4 terminais:

ELETRONUCLEAR


dois para entrada de tenso CA e dois para a sada da tenso CC.
Os terminais de entrada da CA Normalmente so identificados pelo smbolo ~ e os de
sada em CC so identificados pelos sinais + e (fig. 40 e 41).

Fig.40 Fig.41

As designaes inscritas no encapsulamento se referem a caracterstica da ponte.
XX duas letras que indicam o fabricante
B do alemo BRCKEN ponte retificadora.
80 valor limite de tenso CA eficaz que pode ser aplicada a entrada da ponte.
1000/
1800
- corrente mdia que pode ser obtida a partir da ponte:
1000 com carga resistiva
1800 com capacitor na sada de CC da ponte

ELETRONUCLEAR


A figura 42 mostra uma fonte retificadora montada com uma ponte semicondutora
comercial.

Fig.42

ELETRONUCLEAR


6. FILTROS
As tenses contnuas puras se caracterizam por apresentarem polaridade definida e valor
constante ao longo do tempo.
A figura 1 mostra o grfico de uma tenso contnua pura fornecida por uma bateria.

Fig.1
As tenses fornecidas pelos circuitos retificadores, tanto de meia onda como de onda
completa so pulsantes. Embora tenham a polaridade definida, as tenses fornecidas
pelos circuitos retificadores sofrem constantes variaes de valor, pulsando conforme a
tenso senoidal aplicada ao diodo (fig.2).

Fig.2

ELETRONUCLEAR


6.1 Filtro Capacitivo
A capacidade de armazenamento de energia dos capacitores pode ser utilizada como
recurso para realizar um processo de filtragem na tenso de um circuito retificador.
O capacitor conectado diretamente nos terminais de sada da retificao (fig.5 e 6).

Fig.5 Fig.6
Nos intervalos de tempo em que o diodo conduz circula corrente atravs da carga e
tambm para o capacitor. Neste perodo o capacitor armazena energia (fig.7).

Fig.7

ONDA
COMPLETA

ELETRONUCLEAR


Nos intervalos de bloqueio do diodo o capacitor tende a descarregar a energia
armazenada nas armaduras.
Como no possvel a descarga atravs da retificao, porque o diodo este em bloqueio,
a corrente de descarga se processa pela carga (fig.8).

Fig.8
Portanto, a tenso continua pulsante fornecida pelos circuitos retificadores no serve
para a alimentao de equipamentos de corrente contnua, devido as diferenas entre sua
forma de onda de sada e a forma de uma contnua pura (fig.3)

Fig.3

ELETRONUCLEAR


A necessidade de realizar a alimentao dos equipamentos de corrente contnua a partir
da rede eltrica CA, levou utilizao de CIRCUITOS DE FILTRO.

Os filtros so colocados entre a retificao e a carga, e atuam sobre a tenso de sada
dos circuitos retificadores aproximando tanto quanto possvel a sua forma de uma
tenso contnua pura (fig.4).

Fig.4
Como o capacitor est em paralelo com a carga, a tenso presente nas armaduras
aplicada a carga (fig.9).

Fig.9

Nas fontes de alimentao os filtros tem por finalidade
permitir a obteno de uma CC mais pura.

ELETRONUCLEAR


A corrente absorvida pela carga fornecida pelo capacitor. Com o passar do tempo a
tenso do capacitor diminui devido a sua descarga (fig.10).

Fig.10
O capacitor permanece descarregado at que o diodo conduza novamente, fazendo uma
recarga nas suas armaduras (fig.11).

fig.11)
Com a colocao do capacitor a carga passa a receber tenso durante todo o tempo.

ELETRONUCLEAR


As figuras 12 e 13 mostram uma comparao entre a tenso de sada de uma retificao
de meia onda sem filtro e com filtro.

Fig.12 Fig.13
A presena de tenso sobre a carga durante todo o tempo, embora com valor varivel,
proporciona a elevao do valor mdio de tenso fornecido (fig. 14 e 15).

Fig.14 Fig.15

6.2 Tenso de Ondulao

A colocao de um filtro aumenta o valor da tenso mdia
de sada de um circuito retificador..

ELETRONUCLEAR


O capacitor colocado em circuito retificador esta sofrendo sucessivos processos de
carga e descarga.
Nos perodos de conduo do diodo o capacitor sofre carga e sua tenso aumenta. Nos
perodos de bloqueio o capacitor se descarrega e a sua tenso diminui (fig.16).

Fig.16
t
1
= tempo em que o capacitor sofre carga (sua tenso aumenta).
t
2
= tempo em que o capacitor se descarrega parcialmente sobre a carga (sua
tenso diminui).
A forma de onda da tenso de sada no chega a ser uma contnua pura, apresentando
uma variao entre um valor mximo e um mnimo denominada de ONDULAO ou
RIPPLE (fig.17).

Fig.17

ONDULAO ou RIPPLE a variao de tenso existente
no topo da CC fornecida por um circuito retificador com
filtro.

ELETRONUCLEAR


A diferena de tenso entre o valor mximo e mnimo que a ondulao atinge
denominada de tenso de ondulao de pico a pico, abreviada por VONDpp (fig.18).

Fig.18
A tenso de ondulao na sada de uma fonte tambm denominada de
COMPONENTE ALTERNADA de sada da fonte.
Um dos fatores que definem a qualidade de um circuito retificador e o valor da
componente alternada presente na sua sada.

6.3 Fatores que influenciam na ondulao
A ondulao na sada de um circuito retificador depende fundamentalmente de trs
fatores:
a da capacidade de armazenamento do capacitor;
b da corrente absorvida pela carga;
c do tempo que o capacitor permanece descarregado.
Observando atentamente os fatores se verifica que todos influenciam na descarga do
capacitor, que resulta na ondulao.

Quanto menor o valor da componente alternada presente na
sada uma fonte melhor a sua qualidade

Os fatores que influenciam na ondulao so aqueles que
influenciam na descarga do capacitor.

ELETRONUCLEAR


a) A capacidade de armazenamento de um capacitor expressa pela sua capacitncia.
Quanto maior o valor do capacitor, maior a capacidade de armazenamento. Assim, um
capacitor de filtro maior mantm a tenso de sada mais constante, diminuindo a
ondulao (fig.19 e 20)

Fig.19 Fig.20

Capacitor de filtro com maior capacitncia TENSO DE
ONDULAO MENOR

ELETRONUCLEAR


b) A corrente absorvida pela carga responsvel pela descarga do capacitor.
Quando a corrente absorvida pela carga menor o capacitor descarrega mais
lentamente. Como conseqncia a reduo de tenso do capacitor menor, obtendo-se
menor ondulao (fig. 21 e 22).

Fig.21 Fig.22

Entretanto, a corrente de carga o ponto de partida para o clculo da fonte.
necessrio que o circuito projetado tenha capacidade de alimentar a carga mesmo na
pior situao de consumo.
Por esta razo no se pode contar com modificaes de consumo para melhorar o
desempenho de sada de uma fonte de alimentao.
c) tempo de descarga influncia a ondulao, visto que quanto mais tempo p capacitor
descarrega, menor a tenso nas suas armaduras.
I
1
maior que I
2

V
OND1
maior que V
OND2

ELETRONUCLEAR


Por esta razo, para uma mesma carga e mesmo capacitor de filtro, os circuitos de onda
completa tem menor ondulao (fig.23 e 24).

Fig.23 Fig.24
Em onda completa o capacitor carregado duas vezes a cada ciclo de entrada (fig.25).

Fig.25

ELETRONUCLEAR


6.4 Tenso na sada nos circuitos retificadores com filtro
A tenso CC mdia de sada em circuitos retificadores com filtro dada pela equao:

onde:
Vcc tenso CC na sada
E
M
tenso de pico 2 .
CA
V , desconsiderando-se a queda nos diodos
V
ONDpp
tenso de ondulao de pico a pico.
Quando um circuito retificador com filtro capacitivo est sem carga no h ondulao.
A tenso de sada uma CC perfeita.
A tenso de sada , neste caso:
2 . V ou V
se - tem 0 V como
2
CC CC
ONDpp
CA M
ONDpp
M CC
V E
V
E V
= =
= =

Isto vlido tanto para a retificao de meia onda como para a onda completa com filtro
(fig.26 e 27).

Fig.26 Fig.27
2
ONDpp
M CC
V
E V =

ELETRONUCLEAR


Um exemplo ilustra o comportamento da tenso de sada de uma retificao de meia
onda com filtro sem e com carga.

V 21,2 1,41 . 15
2 .
= =
=
=
CC
CA CC
M CC
V
V V
E V

Conectando-se um osciloscpio em modo DC na sada da fonte a forma de onda
observada seria uma CC pura (fig.28).

Fig.28
Quando a carga aplicada a ondulao aparece, fazendo com que a tenso de sada caia
para valores inferiores a E
M
.
A reduo na tenso de sada se deve a ondulao, e ser tanto maior quanto maior for a
corrente solicitada pela carga

Quanto no h carga na sada a tenso de sada dos circuitos
retificadores de meia onda e onda completa com filtro a
mesma
Vcc = 21,2 V

ELETRONUCLEAR


Admitindo-se uma carga que provoque uma ondulao de 3Vpp.

2
Vpp 3,0
- 2 , 21 V
diodo) no queda a do (desprezan 2 .
2
CC
=
=
=
CA M
ONDpp
M CC
V E
V
E V

A forma de onda da sada, observada em osciloscpio, em modo DC, seria a mostrada
na figura 29.

Fig.29

A ligao da carga a uma fonte provoca o aparecimento da
ondulao, resultando em uma reduo da tenso de sada.
Vcc = 19,7 V

ELETRONUCLEAR


O valor mdio da tenso de sada CC, devido a ondulao, cairia de 21,2V (sem carga)
para 19,7V (mdia entre 21,2 e 18,2) devido a carga.
6.5 Observao da ondulao com osciloscpio
A ondulao uma componente alternada presente no topo da forma de onda fornecida
por uma fonte com filtro capacitivo e carga na sada.
Como o valor desta ondulao normalmente igual ou menor que 10% do valor da CC
fornecida pela fonte, tornasse difcil medir o seu valor exato usando o osciloscpio no
modo DC (fig.30).

Fig.30
Para obter uma medida precisa da tenso de ondulao de pico a pico utiliza-se o modo
AC. Neste modo de entrada a componente CC da sada eliminado de forma que o
osciloscpio apresenta na tela apenas a ondulao. Isto permite aumentar o ganho
vertical, ampliando apenas a ondulao na tela.

ELETRONUCLEAR


As figuras 31 e 32 mostram mesma sada de uma fonte, nos modos DC e AC de entrada.

Fig.31 Fig.32

6.6 Determinao do capacitor de filtro
A tenso de sada de uma retificao com filtro dada pela equao:
2
ONDpp
M CC
V
E V =
Pela equao verifica-se que a tenso de sada depende da tenso de ondulao. A
tenso de ondulao depende do tipo de circuito retificador (meia onda, onda completa),
do valor do capacitor de filtro e da corrente da carga.
Observa-se que a tenso de ondulao depende de vrios fatores que esto relacionados
entre si. Esta dependncia torna difcil a formulao de uma equao exata que
determine o valor de capacitor a ser usado para uma tenso preestabelecida.
Entretanto, devido a grande tolerncia de valor dos capacitores eletrolticos (at 50%)
pode-se formular uma equao simplificada para o seu clculo.

Para medir com preciso o valor da tenso de ondulao na
sada de uma fonte deve-se utilizar o modo de entrada AC
no osciloscpio.

ELETRONUCLEAR


Esta equao pode ser usada para clculo de capacitores de filtros para at 20% de
ondulao de pico a pico sem introduzir um erro significativo.
A equao simplificada para o clculo do valor do capacitor de filtro :
ONDpp
V
x
T C
Im
=
onde:
C = valor do capacitor de filtro em F
T = perodo aproximado de descarga do capacitor
meia onda T = 16,6 ms p/60 Hz
onda completa T = 8,33MS P/60Hz
Imax = corrente de carga mxima em mA
V
ONDPP
= tenso de pico a pico de ondulao em volts.

O fator T determinado em funo do tipo de retificao usado (meia onda ou onda
completa), a corrente de carga mxima pela lei de OHM e a tenso de pico a pico de
ondulao assume o valor desejado (V
ONDpp
at 20% de Vcc).
A seguir esto apresentados dois exemplos de emprego de equao para determinao
do capacitor de filtro.
a) Deseja-se montar uma fonte retificadora de meia onda para tenso de sada 12 V corrente
de 150 mA, com ondulao de 2Vpp.
Qual o valor do capacitor de filtro?

Dados meia onda (T = 16,6mS)
I
RL
= 150mA
V
ONDpp
= 2V
Vpp 2
150
. 6 , 16
Im
.
mA
C
V
ax
T C
ONDpp
=
=

b) A mesma fonte em onda completa
C = 1245, F

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Dados onda completa T = 8,33ms
I
RL
= 150mA
V
ONDpp
= 2V
2
150
. 33 , 8
Im
.
=
=
C
V
ax
T C
ONDpp

Alm da capacitncia do capacitor de filtro deve-se tambm especificar a sua tenso de
isolao. A tenso de isolao deve ser sempre superior ao maior valor de tenso que o
capacito ir realmente funcionar. Por exemplo:

Tenso de sada (sobre o capacitor) Tenso de isolao a ser usada
12V 16V
17V 25V
28V 40V

6.7 Capacitor de filtro ideal
O capacitor de filtro ideal seria aquele que possibilitasse a obteno de uma tenso de
sada sem componente alternada (ondulao inexistente). Certamente o valor de
capacitncia deste capacitor seria elevadssimo para que sua capacidade de
armazenamento fosse suficiente para manter a tenso de sada absolutamente constante.
Entretanto a utilizao prtica de um capacitor como filtro implica em um compromisso
entre alguns fatores:

Por esta razo, verifica-se at que ponto compensador diminuir a tenso de ondulao
de pico a pico de 20% para 5% de CC em relao ao custo e volume do capacitor.
C = 1245, F

Diminuir o percentual de ondulao obriga ao uso de
capacitores de maior capacitncia e portanto maior volume
e custo mais elevado.

ELETRONUCLEAR


Na prtica, os capacitores utilizados como filtro so normalmente eletrolticos por que
possuem maior capacitncia por volume.
Se uma tenso de ondulao da ordem de 10% de Vcc elevada demais para que uma
fonte de alimentao possa ser usada em um determinado equipamento, utiliza-se
circuitos eletrnicos destinados especificamente a regulao da tenso de sada, sem que
seja necessrio aumentar a capacitncia do filtro.

ELETRONUCLEAR


7. DIODOS ESPECIAIS
7.1 Diodo emissor de luz (LED)
um tipo especial de diodo semicondutor que emite luz quando polarizado
diretamente.
O diodo emissor de luz, identificado comumente como DIODO LED representado
pelo smbolo apresentado na figura 1.

Fig.1
Os diodos LED so encontrados com as mais diversas formas e dimenses. A figura 2
apresenta alguns tipos construtivos de diodos LED.

Fig.2

ELETRONUCLEAR


O ctodo de um diodo LED pode ser identificado por um corte na base do
encapsulamento (fig.3).

Fig.3
O diodo LED utilizado principalmente em substituio s lmpadas incandescentes de
sinalizao, devido a uma srie de vantagens que apresenta, tais como:
baixo consumo
alta resistncia a vibraes
nenhum aquecimento
grande durabilidade
a) Corrente direta nominal (I
F
)
um valor de corrente de conduo indicado pelo fabricante no qual o diodo LED
apresenta um rendimento luminoso timo (normalmente 20mA).
b) Tenso direta nominal (V
F
)
Especificao que define a queda da tenso tpica do diodo no sentido de conduo. A
queda de tenso nominal (V
F
) ocorre no componente quando a corrente direta tem valor
nominal (I
F
) (fig.4).

Fig.4

ELETRONUCLEAR


Para valores de corrente direta diferentes do valor nominal (I
F
) a tenso direta de
conduo sofre pequenas modificaes de valor.
c) Tenso inversa mxima (V
R
)
Especificao que determina o valor de tenso mxima que o diodo LED suporta no
sentido inverso sem sofrer ruptura.
A tenso inversa mxima dos diodos LED pequena (da ordem de 5V) uma vez que
estes componentes no tem por finalidade a retificao.
A tabela 2 apresenta as caractersticas de alguns diodos LED.
TABELA 2
LED COR V
F
a I
F
= 20mA I
F MAX

LD 30C VERMELHO 1,6 V 100 mA
LD 37I VERDE 2,4 V 60 mA
LD 35I AMARELO 2,4 V 60 mA

d) LED bicolor
O LED bicolor consiste, na verdade, de dois LEDS colocados dentro de uma mesma
cpsula>
Estes LEDs tem trs terminais (fig.5 e 6)

Fig.5 Fig.6

ELETRONUCLEAR


Um dos terminais comum aos dois LEDs. Dependendo da cor que se deseja acender,
polariza-se um dos diodos (Fig. 7 e 8).

Fig.7 Fig.8
e) LED infravermelho
A Luz infravermelha um tipo de luz que no visvel ao olho humano. Este tipo de
luz usado principalmente em alarmes contra roubos e circuitos do gnero.
Existem diodos LEDS que emitem luz infravermelha. Estes LEDS funcionam como os
outros, porm no se pode observar visualmente se esto ligados ou no.

ELETRONUCLEAR


7.1.1 Teste do diodo LED
Os diodos LED podem ser testados como um diodo comum, usando um multmetro na
escala de resistncia.
Em um sentido o teste deve indicar resistncia e, em outro , alta resistncia (fig.9 e 10).

Fig.9

Fig.10
OBSERVAO:
Em alguns casos, dependendo do multmetro utilizado para o teste, o LED acende
durante o teste com polarizao direta.

ELETRONUCLEAR


A identificao dos terminais nodo e ctodo tambm podem ser feitos com o
multmetro, da mesma forma que um diodo comum.
a) Funcionamento
Quando o diodo LED polarizado diretamente entra em conduo, permitindo a

Fig.11
A circulao da corrente se processa pela liberao de portadores livres na estrutura dos
cristais.
O deslocamento de portadores da banda de conduo provoca a liberao de energia
(emisso de ftons) em forma de luz (fig.12).

Fig.12

ELETRONUCLEAR


b) Caractersticas dos diodos LED
As caractersticas importantes do diodo LED so:
- corrente direta mxima (I
FM
)
- corrente direta nominal (I
F
)
- tenso direta nominal (V
F
)
- tenso inversa mxima (V
R
)
Corrente direta mxima (I
FM
)
Especificao que define a corrente mxima de conduo do diodo LED sem prejuzo
para sua estrutura.
7.1.2 Utilizao do diodo LED em CC
A aplicao do diodo LED em tenses contnuas exige a fixao da sua corrente direta
nominal (I
F
). A limitao da corrente pode ser feita atravs de um resistor.
A figura 13 apresenta um circuito retificador de onda completa que utiliza o diodo LED
como indicador de fornecimento.

Fig.13

O valor do resistor limitador dado pela expresso.

ELETRONUCLEAR


onde:
V
CC
tenso da sada da fonte
V
F -
tenso

nominal

de

conduo

do

diodo

LED
I
F -
corrente

nominal

de

conduo

do

diodo

LED
Tomando-se como exemplo a fonte retificadora da figura com os seguintes valores V =
tenso de sada da fonte = 10V (por exemplo DIODO LED FLV 110)

COR I
F
(mA) V
F
(V) I
FM
(mA)
vermelho 20 1,7 50

O valor do resistor seria
O = =
= 415
0,02
1,7 - 10
R
F
F CC
I
V V
R
R = 390O ou 470O em valores padronizados.
7.2 Diodo Zener
O diodo Zener um tipo especial de diodo utilizado como regulador de tenso. A sua
capacidade de regulao de tenso empregada principalmente nas fontes de
alimentao, visando a obteno de uma tenso de sada fixa.

O diodo Zener representado nos diagramas pelo smbolo mostrado na figura 1.
F
F
I
V Vcc
R

=

O diodo Zener essencialmente um regulador de tenso.

ELETRONUCLEAR


Fig.1
a) Comportamento do diodo Zener
O comportamento do diodo Zener depende fundamentalmente da forma como
polarizado.
a) com polarizao direta
b) com polarizao inversa
a.2) Polarizao direta: com polarizao direta o diodo Zener se comporta da mesma forma
que um diodo retificador, entrando em conduo e assumindo uma queda de tenso
tpica.
A figura 2 mostra um diodo Zener polarizado diretamente e a figura 3 mostra a curva
caracterstica de conduo.

Fig.2 Fig.3

Polarizado diretamente o diodo Zener se comporta como um
diodo retificador convencional.

ELETRONUCLEAR


Normalmente o diodo Zener no utilizado com polarizao direta nos circuitos
eletrnicos.
a.2) Polarizao inversa: At um determinado valor de tenso inversa, o diodo Zener se
comporta como um diodo comum, ficando em bloqueio.
No bloqueio, circula no diodo Zener uma pequena corrente de fuga, conforme mostra a
figura 4.

Fig.4
O sinal negativo de I
Z
(-I
Z
) na figura 4 indica que esta corrente circula no sentido
inverso pelo diodo.
Em um determinado valor de tenso inversa, o diodo Zener entra subitamente em
conduo, apesar de polarizado inversamente.
A corrente inversa aumenta rapidamente e a tenso sobre o Zener se mantm
praticamente constante (fig.5)

Fig.5

ELETRONUCLEAR


O valor de tenso inversa que faz com que o diodo Zener entre em conduo
denominado de TENSO ZENER.

Enquanto houver corrente inversa circulando no diodo Zener a tenso sobre seus
terminais se mantm praticamente no valor de tenso Zener.

importante observar que, no sentido reverso, o diodo Zener difere do diodo retificador
convencional.
Um diodo retificador nunca chega a conduzir intensamente no sentido reverso e se isto
acontece o diodo estar em curto, danificado permanentemente.
O diodo Zener levado proporcionalmente a conduzir no sentido reverso, visando obter
a tenso Zener constante sobre seus terminais, sem que isto danifique o componente.
7.2.1 Caractersticas do diodo Zener
As caractersticas eltricas importantes do diodo Zener so:
a) Tenso Zener
b) Potncia Zener
c) Coeficiente de temperatura
d) Tolerncia
a) Tenso Zener
A tenso Zener (tenso de ruptura) dos diodos Zener depende do processo de fabricao
e da resistividade da juno semicondutora. Durante a ruptura o diodo Zener fica com o
valor de tenso Zener sobre seus terminais.

Tenso Zener (V
Z
) a tenso que aplicada inversamente a
um diodo Zener provoca a sua conduo.

O funcionamento tpico do diodo Zener com corrente
inversa, o que estabelece uma tenso fixa sobre seus
terminais.

A tenso Zener a tenso que fica sobre o componente na
condio de funcionamento normal..

ELETRONUCLEAR


Os diodos Zener so fabricados para valores de tenso Zener da ordem de 2V at
algumas dezenas de volts. Este valor fornecido pelo fabricante nos folhetos tcnicos
dos diodos Zener.
b) Potncia Zener
O diodo Zener funciona na regio de ruptura, apresentando um valor determinado de
tenso sobre seus terminais (V
Z
) e sendo percorrido por uma corrente inversa (fig.6).

Fig.6
Nestas condies, verifica-se que o componente dissipa potncia, em forma de calor. A
potncia dissipada dada pelo produto de tenso e corrente.
P = V . I
Potncia
Os diodos Zener so fabricados para determinados valores de potncia de dissipao
(o,4W, 1W, 10W).
Estes valores determinam a dissipao mxima que o componente pode suportar. Cada
diodo Zener tem um valor de dissipao mxima que fornecido pelo fabricante nos
folhetos tcnicos.
Utilizando os valores de tenso Zener e potncia mxima, fornecidos pelo fabricante,
pode-se determinar a corrente mxima que o Zener pode suportar.

P
Z
= V
Z
. I
Z
P
ZMAX
= V
Z
. I
ZMAX

P
Z
= V
Z
. I
Z

POTNCIA ZENER

Z
ZMAX
ZMAX
V
P
I =

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Este valor da corrente no pode se excedido sob pena de danificar o diodo Zener por
excesso de aquecimento.
Os diodos Zener de pequena potncia (at 1W) podem ser encontrados em
encapsulamento de vidro ou plstico enquanto os de maior potncia so geralmente
metlicos para facilitar a dissipao de calor (fig. 7 e 8).

Fig.7 Fig.8
A regio de funcionamento do Zener, determinada por dois valores de corrente uma
vez que sua tenso inversa constante.
Estes valores de corrente so:
I
Z
mximo
I
Z
mnimo (fig.9)

Fig.9
O valor de I
Z
mximo definido pela potncia Zener:
Z
Z
ZMAX
V
P
I =
O valor de I
Z
mnimo definido como 10% do valor de I
Z
mximo.

10
max
min
Z
Z
I
I =

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c) Coeficiente de temperatura
Os diodos Zener so fabricados com material semicondutores, que sofrem influncia da
temperatura nas suas condies de funcionamento (dependncia trmica).

A influncia da variao de temperatura na tenso Zener expressa sob a forma de
relao entre dois valores (tenso e temperatura). Esta relao define em quantos
milivolts a tenso Zener se modifica para cada grau centgrado de alterao da
temperatura do componente.

Devido a uma diferena no princpio de funcionamento Interno, os diodos Zener so
divididos em dois grupos:

TENSO ZENER
COEFICIENTE DE
TEMPERATURA
SIGNIFICADO
at 6V -mV/C a tenso sobre o Zener
diminui com o aumento da
temperatura
acima de 6V +mV/C a tenso sobre o Zener
aumenta com o aumento da
temperatura.

A tenso Zener se modifica com a variao de temperatura
do componente
COEFICIENTE DE
TEMPERATURA
mV/C

ELETRONUCLEAR


As curvas caractersticas das figuras 10 e 11 exemplificam a dependncia trmica nos
dois grupos de diodo Zener.

Fig.10 Fig.11
OBSERVAO
Os valores de tenso Zener fornecidos pelo fabricante nos folhetos tcnicos so vlidos
para a temperatura de 25C.
d) Tolerncia
A tolerncia do diodo Zener especifica a variao que pode existir entre o valor
especificado e o valor real de tenso reversa do diodo Zener.
Isto significa que um diodo Zener de 12V pode ter uma tenso reversa real, por
exemplo, de 11,5V.
Para especificar a tolerncia os fabricantes de diodo Zener utilizam uma codificao:
Tolerncia de 5% - a designao do diodo Zener vem acompanhada de uma letra
Exemplo: 1N4742 A
Consultando o manual de diodos Zener se verifica que o diodo 1N4742 de 12V, 1W.
A letra A indica que pode existir uma variao de 5% no valor de tenso do Zener (de
11,4V a 12,6V).
Tolerncia de 10% - a designao do diodo vem sem letra no final.
Exemplo: 1N4733
Caractersticas 5,1V; 1W; 5% de tolerncia (de 4,85V a 5,35V).

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A tabela a seguir apresenta a especificao de alguns diodos Zener.

Fig - tabela

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7.2.2 Diodo Zener Ideal x Real
A caracterstica fundamental do diodo Zener manter uma tenso constante sobre seus
terminais quando colocado em conduo no sentido inverso.
Diodo Zener ideal aquele que, em conduo inversa, mantm a tenso absolutamente
constante independente da corrente circulante (fig.12).

Fig.12
Entretanto, o diodo Zener no um componente ideal, de forma que a tenso sobre os
seus terminais sofre uma pequena variao quando a corrente inversa se modifica
(fig.13).

Fig.13

ELETRONUCLEAR


Porm, considerando que a variao em V
Z
muito pequena, o diodo Zener pode ser
considerado como ideal na maioria das aplicaes.
a) Relao entre corrente e resistncia no diodo Zener
O diodo Zener se caracteriza por apresentar uma tenso que pode ser considerado
constante na regio de ruptura.
Considerando-se um diodo Zener ideal, a tenso constante ao longo da regio de
ruptura.
A figura 14 mostra a comparao entre as curvas caractersticas de um Zener real e
ideal.

Fig.14
Analisando o diodo Zener ideal obtm-se uma relao importante para a compreenso
do funcionamento deste componente nos circuitos eletrnicos:
a relao entre a corrente e resistncia Zener.
A lei de OHM define a relao entre corrente, tenso e resistncia em um
dispositivo |
.
|
\
|
=
R
E
I .
Como no diodo Zener a tenso constante, a relao fica resumida a corrente e
resistncia..
V
Z
= I
Z
. R
Z

ELETRONUCLEAR


Na equao acima, para que a tenso seja constante no Zener, o produto I.R deve ser
constante, ou seja:
Se a corrente no diodo Zener aumenta, sua resistncia diminui na mesma proporo ou
vice versa.
Da mesma forma, se a corrente no diodo se reduz, sua resist6encia aumenta para que o
produto (tenso) se mantenha constante.
V
Z
= I
Z
+. R
Z
|
(const)

7.2.3 Diodo Zener como regulador de tenso
As caracterstica de comportamento do diodo Zener na regio de ruptura permitem que
o componente seja utilizado em circuitos que possibilitam a obteno de uma tenso
regulada, a partir de fontes que forneam tenses variveis ou mesmo com cargas de
consumo variveis (fig.15).

Fig.15

Na regio de ruptura a corrente e a resistncia Zener so
inversamente proporcionais. Quando uma aumenta, a outra
diminui na mesma proporo.

ELETRONUCLEAR


Para que o diodo Zener seja utilizado como regulador de tenso necessrio introduzir
junto com o componente, no circuito regulador, um resistor que limite a corrente do
Zener abaixo do seu valor mximo (I
ZMXIMO
)
A figura 16 apresenta caracterstica de um circuito regulador de tenso com o diodo
Zener.

Fig.16
A tenso sobre a carga a mesma do diodo Zener porque a carga e Zener esto em
paralelo.
a) Funcionamento do circuito regulador
O circuito regulador com diodo Zener deve receber na entrada uma tenso no mnimo
40% maior que o valor desejado na sada para que seja possvel efetuar a regulao.
Assim, se a tenso de sada desejada de 6V o circuito regulador deve utilizar um diodo
Zener com V
Z
= 6V e tenso de entrada de pelo menos 8,5V (fig.17).

Fig.17

ELETRONUCLEAR


b) Condio normal
A aplicao de tenso de entrada superior a tenso de ruptura do diodo Zener, coloca o
componente na regio de ruptura.
Desta forma a tenso sobre o Zener assume o valor caracterstico V
Z
(Fig.18).

Fig.18
Como diodo Zener e a carga esto em paralelo, assumem a mesma tenso (fig.19).

Fig.19

ELETRONUCLEAR


Nesta condio circula corrente atravs da carga e do diodo Zener (fig.20)

Fig.20
Atravs do resistor limitador circula a soma das correntes do Zener e da carga (fig.21)

Fig.21
Estas correntes provocam uma queda de tenso sobre o resistor, cujo valor exatamente
a diferena entre a tenso da entrada e a tenso Zener (fig.22).

Fig.22

ELETRONUCLEAR


Esta a condio normal de funcionamento do circuito (fig.23).

Fig.23
7.2.4 Condies de regulao
A partir da condio normal de funcionamento so possveis trs situaes distintas:
regulao de tenso quando a tenso de entrada est sujeita a variaes.
regulao de tenso quando o consumo de corrente de carga pode ser varivel.
regulao de tenso quando a tenso de entrada e a corrente de carga variam.
a) Regulao de tenso com tenso de entrada varivel
Esta situao muito comum em circuitos eletrnicos alimentados pela rede eltrica CA.
A tenso fornecida pelas fontes retificadoras alimentadas pela rede eltrica CA variam
proporcionalmente em relao a tenso de entrada (fig.24).

Fig.24

ELETRONUCLEAR


Para conseguir que a tenso CC fornecida aos circuitos eletrnicos alimentados pela
rede CA seja constante, so utilizados circuitos reguladores com diodo Zener. A seguir
est descrita a forma como circuito regulador atua quando ocorre variao na tenso de
entrada, tomando como referncia um circuito na condio normal de funcionamento
(fig.25).

Fig.25
a.2) Aumento na tenso de entrada
Quando ocorre um aumento na tenso de entrada este aumento tende a se transferir para
a carga.
Entretanto, o Zener em paralelo com a carga mantm a tenso na carga constante; a do
Zener diminui, permitindo a circulao de um valor de corrente Zener maior (V
Z
= R
Z

+ . I
Z
|) (fig.26 e 27).

Fig.26 Fig.27

ELETRONUCLEAR


Resumindo:
Com o aumento na tenso de entrada.
a) a tenso e corrente na carga permanecem praticamente constantes.
b) a corrente do Zener aumenta
A soma das correntes do Zener e carga (I
Z
+ I
RL
) circula no resistor limitador. Com
aumento na corrente de Zener aumenta tambm a corrente no resistor limitador (I
L
+ I
Z

| = I
RS
|).
Com acrscimo da corrente no resistor limitador a sua queda de tenso aumenta
compensando o aumento na tenso de entrada (fig.28 e 29)

Fig.28 Fig.29
Na prtica, observa-se um pequeno aumento na tenso Zener (por exemplo de 6V para
6,1V). A figura 30 ilustra o comportamento do circuito regulador com o aumento da
tenso de entrada.

Fig.30
a.2) Reduo na tenso de entrada

ELETRONUCLEAR


Quando h uma reduo na tenso de entrada o Zener se comporta de forma inversa.
Embora a tenso de entrada diminua, o Zener em paralelo com a carga mantm a tenso
de sada constante.
Para que a tenso no Zener (e na carga) permanea constante a resistncia interna do
Zener aumenta, de forma que a corrente Zener diminui (V
Z
= R
Z
| . I
Z
+) (FIG. 31 E
32).

Fig.31 Fig.32
Com a diminuio de I
Z
a corrente que circula no resistor limitador (I
Z
+ I
RL
) se reduz.
Isto provoca a reduo na queda de tenso no resistor limitador, compensando a
reduo na tenso de entrada. (fig.33 e 34).

Fig.33 Fig.34

ELETRONUCLEAR


Verifica-se que a tenso sobre a carga permanece praticamente constante (6V e 5,9V)
mesmo que a tenso de entrada diminua significativamente (8,5V para 7,5V). A figura
35 ilustra o comportamento do circuito regulador com a reduo na tenso de entrada.

Fig.35
Analisando as duas situaes de regulao, conclui-se que as diferenas de tenso de
entrada ficam sobre o resistor limitador, permitindo a carga receber uma tenso
praticamente constante (fig.36).

Fig.36

ELETRONUCLEAR


7.2.5 Regulao de tenso com corrente de carga varivel
As variaes de tenso de alimentao em funo da corrente de carga ocorrem,
principalmente, devido as caractersticas dos filtros utilizados nas fontes retificadoras.
A variao na tenso de ondulao na sada das fontes provoca alteraes na tenso
fornecida em funo da corrente consumida pela carga.
O diodo Zener pode ser utilizado, formando um circuito regulador, que possibilita o
fornecimento de tenso constante, independentemente do consumo de corrente pela
carga. A seguir analisada a forma como o diodo Zener se comporta frente as
variaes da corrente de carga, tomando como base um circuito na condio normal,
com valor de carga mdia (fig.37).

Fig.37
Considerando-se que a tenso de entrada seja constante pode-se afirmar que a tenso
sobre O resistor limitador constante (fig.38).

fig.38

ELETRONUCLEAR


Isto implica em que a corrente que circula atravs do resistor limitador tenha um valor
constante, independente das variaes de carga.
Resumindo, pode-se dizer:

Como I
RS
dado pela soma I
Z
+ I
RL
pode-se escrever:

A partir desta concluso pode-se analisar o comportamento do circuito quando a
corrente de carga varia.
Aumento na corrente de carga
Quando a corrente de carga aumenta, a corrente no diodo Zener diminui, porque a soma
de I
Z
+ I
RL
sempre constante.
I
Z
+ I
RL
=constante I
RL
| + I
Z
+ = constante
As figuras 39 e 40 ilustram o que foi descrito.

Fig.39 Fig.40
I
RL
= aumentou 20mA I
Z
= diminui 20 mA I
RS
= permanece constante

Vi = constante V
RS
= constante I
RS
= constante.
Tenso de entrada constante I
Z
+ I
RL
= constante.

ELETRONUCLEAR


Diminuio da corrente de carga
Quando a corrente de carga diminui, a corrente no Zener aumenta, fazendo com que a
corrente no limitador permanea constante.
I
Z
+ I
RL
= constante I
RL
+ + I
Z
| = constante
As figuras 41 e 42 ilustram o comportamento do circuito com reduo I
RL

Fig.41 Fig.42
I
RL
= diminui 20 mA
I
Z
= aumenta 20mA
I
RS
= permanece constante.
Observando as duas situaes de variao da corrente de carga se observa que o Zener
absorve estas variaes, de forma que a tenso sobre a carga permanea constante
(fig.43).

Fig.43

ELETRONUCLEAR


7.2.6 Regulao de tenso com corrente de carga e tenso de entrada variveis
Na maioria dos casos os circuitos reguladores esto sujeitos a variaes simultneas de
tenso de entrada e corrente de carga.
Nestas condies o comportamento do circuito pode ser resumido em duas situaes:
as variaes de tenso de entrada aparecem sobre o resistor limitador.
as variaes de corrente de carga se traduzem em variaes na corrente do Zener
(fig.44).

Fig.44
7.2.7 Fonte de alimentao com tenso de sada regulada diodo Zener
Uma fonte de alimentao com tenso de sada regulada diodo Zener se compe
basicamente dos trs blocos apresentados na figura 45.

Fig.45

ELETRONUCLEAR


A retificao transforma a CA em CC pulsante, podendo ser meia onda ou onda completa.
A filtragem aproxima a forma de tenso de sada CC.
A regulao recebe a tenso filtrada, que contm uma ondulao e que varia em funo da
carga e da CA de entrada, entregando na sada uma tenso constante (fig.46)

Fig.46
A figura 47 mostra o chapeado de uma placa de circuito impresso para uma fonte de CC
com tenso de sada regulada Zener, identificando os blocos do circuito.

Fig.47
OBSERVAO
No aparecem no circuito a chave liga-desliga, o fusvel, a chave seletora 110V/220V e
o transformador porque esto fora da placa de circuito impresso.

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Caso seja necessrio reparar ou testar uma fonte deste tipo, pode-se utilizar o
fluxograma de teste colocado a seguir:
Circuito para o fluxograma

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8. TRANSISTOR BIPOLAR
8.1 Transistor bipolar estrutura bsica
O transistor bipolar um componente eletrnico constitudo por materiais
semicondutores, capaz de atuar como controlador da corrente, o que possibilita o seu
uso como amplificador de sinais ou como interruptor eletrnico.
Em qualquer uma das duas funes o transistor encontra ampla aplicao:
amplificador de sinais = equipamento de som e imagem e controle industrial
interruptor eletrnico = controles industriais, calculadoras e computadores
eletrnicos.
O transistor bipolar proporcionou um grande desenvolvimento eletrnica, devido a sua
versatilidade de aplicao, constituindo-se em elemento chave de grande parte dos
equipamentos eletrnicos.
a) Estrutura bsica
A estrutura bsica do transistor se compe de duas pastilhas de material semicondutor,
de mesmo tipo, entre as quais colocada uma terceira pastilha, bastante mais fina, de
material semicondutor com tipo diferente de dopagem, formando uma configurao
semelhante a um sanduche (fig.1).

Fig.1
b) Tipos de transistores

ELETRONUCLEAR


A configurao da estrutura, em forma de sanduche, permite que se obtenham dois
tipos distintos de transistores:
um com pastilha externas de material N e pastilha central de material P (fig.2).

Fig.2
Este tipo de transistor denominado de TRANSISTOR BIPOLAR NPN
outro com pastilhas externas de material P e pastilha central de material N,
denominado de TRANSISTOR BIPOLAR PNP (fig.3).

Fig.3
Os dois tipos de transistores podem cumprir as mesmas funes diferindo apenas na
forma como as fontes de alimentao so ligadas ao circuito eletrnico.

c) Terminais do transistor
Existem dois tipos de transistores bipolares: NPN e PNP.

ELETRONUCLEAR


Cada uma das pastilhas formadoras do transistor conectada a um terminal que permite
a interligao da estrutura do componente ao circuito eletrnico (fig.4).

Fig.4
Os terminais recebem uma designao que permite distinguir cada uma das pastilhas.
a pastilha central denominada de BASE, representada pela letra B.
uma das pastilhas externas denominada de COLETOR, representada pela letra C.
a outra pastilha externa denominada de EMISSOR, representada pela letra E.
A figura 5 apresenta os dois tipos de transistores, com a identificao dos terminais.

Embora as pastilhas do coletor e do emissor sejam do mesmo tipo de material
semicondutor, no possvel trocas as ligaes de um terminal com o outro nos
circuitos eletrnicos porque existe diferena de volume de material semicondutor e de
intensidade de dopagem entre as pastilhas.
d) Simbologia
A figura 6 apresenta o smbolo dos transistores NPN e PNP, indicando a designao dos
terminais.

A diferena entre os smbolos dos dois transistores apenas o sentido da seta no
terminal emissor.

O transistor possui trs terminais: coletor, base e emissor..

Fig.6

ELETRONUCLEAR


Alguns transistores , fabricados para aplicaes especficas, so dotados de blindagem.
Esta blindagem consiste em um metlico ao redor da pastilhas semicondutora, que tem
por finalidade evitar que o funcionamento do transistor seja afetado por campos
eltricos ou magnticos do ambiente.
Estes transistores apresentam um quarto terminal, ligado blindagem para que esta
possa ser ligada ao terra do circuito eletrnico.
O smbolo destes transistores mostra a existncia do quarto terminal (fig.7).

Fig.7
Aspecto real dos transistores
Os transistores podem ser apresentar nos mais diversos formatos (encapsulamento).
Os seus formatos geralmente variam em funo:
do fabricante
da funo da montagem
do tipo de montagem
da capacidade de dissipar calor.

A figura 8 apresenta alguns tipos construtivos de transistores.

ELETRONUCLEAR


Fig.8
Por esta razo, a identificao dos terminais do transistor deve sempre ser feita com
auxlio de um manual de transistores ou folheto tcnico especfico do fabricante do
transistor.
A figura 9 a parte de um folheto tcnico de um transistor, mostrando a posio dos
seus terminais.

Fig.9

8.2 Teste de transistores

ELETRONUCLEAR


Existem equipamentos destinados especificamente ao teste de transistores, que fazem os
mais diversos testes no componente.
Entretanto, pode-se realizar um teste nos transistores, usando um multmetro, que
permite detectar os seus defeitos mais comuns.
Da mesma forma, que em um diodo, o teste de transistores com multmetro no
definitivo. Um diodo pode passar no teste com o multmetro e mesmo assim
apresentar fuga quando funcionando com tenses elevadas.
O teste com o multmetro detecta apenas os defeitos mais comuns nos transistores e
diodos:
curto em uma juno PN
abertura de uma juno PN
Relembrando o teste de diodos
Para testar um diodo com o multmetro primeiro realiza-se a identificao da polaridade
real das pontas de prova do multmetro.
Aps a identificao da polaridade das pontas de prova se realiza o teste de diodo
(fig.10).

Fig.10
Se a juno PN (diodo) em teste estiver em curto ou aberta, as leituras indicaro.

a) Teste entre os terminais de um transistor

Uma juno PN em curto ou aberta pode ser detectada
usando-se um multmetro..

ELETRONUCLEAR


Analisando-se a estrutura dos transistores observa-se que entre a base e o coletor forma-
se uma juno PN que para fins de teste pode ser tratada como um diodo (fig.11).

Fig.11
Da mesma forma, entre a base e o emissor forma-se outra juno PN, que para fins de
teste pode ser tratada como diodo (fig.12).

Fig.12

Desta forma verifica-se que o transistor, para fins de teste com o multmetro pode ser
tratado como dois diodos ligados em oposio (fig.13).

ELETRONUCLEAR


Fig.13

A partir desta concluso pode-se afirmar:
Testar um transistor verificar s existe curto-circuito ou abertura entre cada par de
terminais (BC, BE, CE).
b) Teste das junes base-coletor e base emissor
Atravs deste teste pode-se verificar se h outro circuito ou abertura das junes PN
entre base emissor e base coletor.
OBSERVAO
A polaridade apresentada nas pontas de prova das figuras que seguem corresponde a sua
polaridade real. (ponta de prova preta + ponta de prova vermelha -).
Tomando como base um transistor NPN para a realizao do teste.
Teste de abertura das junes (fig.14)

Entre base e coletor de um transistor existe uma juno PN que pode
ser testada da mesma forma de que um diodo.
Entre base e emissor de um transistor existe uma juno PN que pode
ser testada da mesma forma de que um diodo.

ELETRONUCLEAR


Fig.14
Com potencial positivo aplicado a base (nodos dos diodos) o instrumento deve
indicar que existe continuidade entre base-coletor e base-emissor. Pode-se afirmar que
no existe juno aberta (BC ou BE).
Se houver uma juno aberta (BC ou BE) o instrumento indicar resistncia altssima
(infinita) quando esta juno estiver sendo testada.
Teste De Curto Circuito Nas Junes (fig.15)

Fig.15
Observa-se que agora a polaridade aplicada aos diodos tal que deve fazer com que
estes bloqueiem, indicando alta resistncia. Se isto ocorrer se poder afirmar que no
existe curto entre base-coletor e base- emissor.

ELETRONUCLEAR


Se houver uma juno em curto o instrumento indicar baixa resistncia.
Deve-se ainda proceder no teste entre coletor e emissor, que deve apresentar alta
resist6encia nas duas medies.
Transistor NPN Teste Coletor Emissor (fig.16 e 17)

fig.16

Fig.17

As figuras 18, 19 e 20 ilustram o teste de um transistor PNP
Teste de abertura

Todos os testes devem ser feitos na escala R x 10 e com o
transistor desligado de qualquer circuito.

ELETRONUCLEAR


Fig.18
Teste de curto-circuito

Fig.19
Teste de coletor - emissor

Fig.20
importante lembrar que os teste devem ser realizados utilizando as escalas de
resistncia R x 10 ou R x 100 (caso no haja a escala R x 10) sem tocar as partes
metlicas das pontas de prova, evitando a introduo de erros nos testes.

ELETRONUCLEAR


c) Defeitos comuns nos transistores
As junes base-coletor e base-emissor so diodos. Assim sendo, devem indicar
conduo em um sentido e bloqueio em outro quando se invertem as ponteiras do mult-
teste sobre os terminais do transistor.
CURTO EM UMA JUNO:
Se ao realizar o teste de uma das junes se encontra conduo nos dois sentidos,
significa que esta juno est em curto e que o transistor est danificado.
A figura 21 ilustra a existncia de um curto na juno base-coletor do transistor.

Fig.21
Abertura de uma juno
Se ao realizar o teste de uma das junes se encontra bloqueio nos dois sentidos, significa que
houve rompimento na ligao entre as duas pastilhas semi-condutoras. Diz-se que a juno em
teste est aberta.
O transistor est danificado.

A figura 22 mostra os resultados do teste realizado em uma juno base-emissor aberta.

ELETRONUCLEAR


Fig.22
Curto ou fuga entre coletor e emissor
Se qualquer uma das medidas entre coletor e emissor provocar um movimento do
ponteiro do ohmmetro (em escala x 10) significa que existe fuga ou curto-circuito entre
coletor e emissor do transistor.
O teste com o multmetro no permite detectar alteraes de caractersticas no
transistor. Isto significa que:
se o transistor no passar no teste com o multmetro pode-se garantir que ele est
danificado.
se o transistor passar no teste, existe ainda a possibilidade de que existam alteraes
nas suas caractersticas que o tornem imprprio para funcionar em um circuito.
8.3 As tenses nos terminais do transistor
O estudo do princpio de funcionamento do transistor consiste em uma anlise do
movimento dos eltrons livres e lacunas no interior do componente, provocados pela
aplicao de tenses externas ao coletor, base e ao emissor.
Para que os portadores se movimentem no interior da estrutura do transistor necessrio
aplicar tenses aos seus terminais. O movimento dos eltrons livres e lacunas est
intimamente ligado a polaridade da tenso aplicada a cada um dos terminais do
transistor.
Por esta razo a polaridade da tenso de funcionamento dos terminais do transistor NPN
diferente da polaridade dos transistores PNP.

a) As junes do transistor e a polaridade das tenses nos terminais

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