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QUADERNI PER LA PROGETTAZIONE

PROGETTAZIONE FOTOVOLTAICA IN CONTO ENERGIA


Norme, tecniche ed esempi applicativi. Aggiornato alla circolare dellAgenzia delle Entrate 22 febbraio 2008, n. 61/E e alla Delibera 280/07 in vigore dal 1 gennaio 2008
Contiene il software Preventer-FV Lite che consente la preventivazione rapida degli impianti fotovoltaici e la stampa della relazione tecnica II edizione

di MAURO MORONI GABRIELE NITRATI

RINGRAZIAMENTI Questo libro nasce dallesigenza di creare uno strumento che in letteratura ancora non presente, che sia di supporto alla progettazione e che sia chiaro nei contenuti, utile per il progettista, per linstallatore e per lo studente alle prime armi nel mondo dellenergia. Per fare questo gli autori si sono avvalsi della collaborazione di diversi soggetti, presi dal mondo della tecnica, dello studio e della grafica, al fine di ottenere un prodotto di qualit, fruibile da tutti, con contenuti chiari ed esaustivi. Per questo ci sentiamo di ringraziare: - I nostri genitori, per averci permesso di scrivere questo volume - Aristide Puliti, per il supporto che ci ha sempre dato - Fabiano Di Odoardo per aver curato la parte grafica Ringraziamo altres Massimiliano Fusella, Davide Micheli, Lucio Monterubbiano, Cesare Mancini Romano, Fabrizio Onofri, Matteo Piccinini, Massimo Cesaroni, Samuele Bianchetti, Leonardo Damergy Bonfitto e Costanzo Di Perna per il contributo indispensabile alla stesura del volume. A tutti un grazie di cuore.

QUADERNI per la progettazione

INDICE GENERALE
QUADERNI per la progettazione
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Introduzione ......................................................................... 11

CAPITOLO 1 LA TECNOLOGIA FOTOVOLTAICA ............................................... 15


1.1 La radiazione solare .............................................................. 15 Componenti della radiazione solare al suolo .................... 19

1.1.1 1.2

Leffetto fotovoltaico ............................................................... 23 Semiconduttori intrinseci ................................................. 23 Semiconduttori estrinseci ................................................. 26 Giunzioni a semiconduttore ............................................ 27 Assorbimento della radiazione luminosa........................... 29

1.2.1 1.2.2 1.2.3 1.2.4 1.3

Le celle fotovoltaiche .............................................................. 31 Meccanismi di perdita di rendimento ............................... 35 Fattori di inefficienza delle celle solari .............................. 36 Celle fotovoltaiche in silicio cristallino .............................. 40 Celle fotovoltaiche in film sottile ....................................... 43 Confronto tra tecnologie a film sottile ............................... 47

1.3.1 1.3.2 1.3.3 1.3.4 1.3.5 1.4

Moduli fotovoltaici ................................................................. 48 Moduli in silicio cristallino............................................... 48

1.4.1

1.4.2 1.4.3 1.4.4 1.4.5 1.4.6 1.5

Moduli a film sottile ........................................................ 50 Scatola di giunzione....................................................... 51 Parametri caratteristici dei moduli fotovoltaici .................... 54 Collegamento elettrico tra moduli ..................................... 56 Prove sui moduli............................................................. 57

Il campo fotovoltaico ..............................................................59 Disposizione dei pannelli ................................................ 60 Ombreggiamento reciproco tra schiere ............................. 61 Orientamento ed inclinazione dei pannelli ........................ 62 Strutture di sostegno ....................................................... 62

1.5.1 1.5.2 1.5.3 1.5.4

CAPITOLO 2 PROGETTAZIONE DEGLI IMPIANTI FOTOVOLTAICI ...................67


2.1 2.2 2.3 2.4 2.5 2.6 2.7 2.8 Classificazione ......................................................................67 Impianti fotovoltaici grid-connected ..........................................69 Configurazione elettrica del generatore ....................................70 Gruppi di conversione (o inverter) ............................................72 Configurazione del sistema di conversione ...............................75 Installazione del convertitore ...................................................77 Classificazione dei sistemi elettrici ...........................................79 Interfaccia con la rete elettrica .................................................81 Criteri di allacciamento alla rete BT .................................. 85 Criteri di allacciamento alla rete MT ................................. 87

2.8.1 2.8.2 2.9

Criteri di protezione nella sezione in alternata ..........................89

2.10 Criteri di protezione nella sezione in continua ...........................90 2.11 Criteri di sicurezza elettrica ....................................................92 2.12 Protezione dai contatti indiretti negli impianti FV .......................94
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2.13 Protezioni contro i fulmini ..................................................... 103 2.14 Protezioni da sovratensione .................................................. 105 QUADERNI per la progettazione
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2.15 Impianto di terra e masse metalliche ...................................... 108 2.16 Criteri di dimensionamento ................................................... 110 2.17 Verifica tecnico funzionale ................................................... 125 2.18 Gestione e manutenzione ..................................................... 129

CAPITOLO 3 MECCANISMO DI FINANZIAMENTO IN CONTO ENERGIA .................................................................. 133


3.1 3.2 3.3 3.4 3.5 3.6 3.7 Il mercato del fotovoltaico .................................................... 133 Il programma 10.000 tetti fotovoltaici .................................... 137 Il primo conto energia .......................................................... 141 Il nuovo conto energia ......................................................... 148 Fotovoltaico per nuovi edifici: 200W per ogni unit abitativa ............................................. 161 Iter per la richiesta di connessione alla rete ............................ 161 Tassazione ........................................................................ 175

CAPITOLO 4 ESEMPI DI PROGETTAZIONE FOTOVOLTAICA ........................ 181


4.1 4.2 Tetto fotovoltaico 3,6kWp in conto energia ............................ 181 Copertura fotovoltaica 25,2kWp in conto energia .................. 198

APPENDICE A METODO DI VALUTAZIONE RAPIDA DI MODULI FOTOVOLTAICI .......................................................217

APPENDICE B Il FOTOVOLTAICO NELLE APPLICAZIONI SPAZIALI ..................219


B.1 B.2 Sintesi ................................................................................219 Trasporto spaziale e costi .....................................................220 Efficienza e riduzione di costi delle celle fotovoltaiche al silicio .................................... 221

B.2.1 B.3

Applicazioni delle celle solari nello spazio .............................222 Specifiche tecniche dei pannelli solari della Stazione Spaziale Internazionale (ISS).................... 224 Conseguenze delle Radiazioni solari sui pannelli fotovoltaici ................................................. 225 Conseguenze dellossigeno atomico sui polimeri utilizzati nei pannelli fotovoltaici dei satelliti su orbita bassa (Low Earth Orbit) ................... 225

B.3.1 B.3.2 B.3.3

B.4

Pannelli fotovoltaici gonfiabili ................................................226 Esempio applicativo sul satellite ST4 .............................. 226

B.4.1 B.5

Applicazione dei pannelli fotovoltaici nella implementazione di una futura base lunare .....................227 Potenza elettrica media generate su ogni LEMB dai pannelli solari fotovoltaici .................... 229 Assemblaggio finale della base lunare .......................... 231

B.5.1 B.5.2 B.6


8

Bibliografia .........................................................................231

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APPENDICE C
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GUIDA ALLA RICHIESTA DEGLI INCENTIVI E ALLUTILIZZO DEL PORTALE WEB (REV. 2.0 del 23/1/08) .............................. 233
Incentivazione degli impianti fotovoltaici con il nuovo conto energia (D.M. 19.02.2007, Delibera AEEG n. 90/07) ................................ 233 C.1 Generalit .......................................................................... 233 Requisiti minimi per lutilizzo dellapplicazione Web ....... 233 Finalit ....................................................................... 233 Campo di applicazione ................................................ 234 Documenti di riferimento ............................................... 234 Norme generali per le comunicazioni al GSE.................. 234

C.1.1 C.1.2 C.1.3 C.1.4 C.1.5 C.2 C.3

Quadro sintetico delle comunicazioni fra Soggetto Responsabile dellimpianto e GSE ....................... 235 Come richiedere gli incentivi ................................................ 235 Utilizzo del portale Web .............................................. 236

C.3.1

C.3.1.1 La fase di registrazione ..............................................236 C.3.1.2 Laccesso al portale come utente registrato ...................237 C.3.1.3 Inserimento della richiesta per un nuovo impianto .........238 C.3.1.4 Modifica dati anagrafici ............................................242 C.3.1.5 Segnalazione Guasti- Furti .........................................242 C.3.2 C.3.3 C.3.4 C.3.5 C.4 Invio della documentazione per la richiesta degli incentivi........................................ 245 La Documentazione da allegare .................................... 245 Richiesta del premio per impianti fotovoltaici abbinati ad un uso efficiente dellenergia .................................... 249 La Documentazione da allegare per la richiesta del premio ............................................ 254

Convenzione per il riconoscimento delle tariffe incentivanti ...... 255 Cambio Titolarit ......................................................... 257

C.4.1

C.5

Documentazione da conservare a cura del Soggetto Responsabile dellimpianto .................................258

APPENDICE D PREVENTERFV LITE 1.0 - MANUALE D'USO ............................263


D.1 D.2 Guida allinstallazione .........................................................263 Guida alla compilazione ......................................................268

Glossario Tecnico ................................................................279

Bibliografia .........................................................................285

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INTRODUZIONE
Gli ultimi anni sono stati caratterizzati da un considerevole aumento dellattenzione mondiale sul riscaldamento globale, sempre pi concordemente attribuito allinfluenza delluomo nellalterazione del clima. Anche lultimo G8, svoltosi in Germania sulle coste del Mar Baltico, ha dato leggeri segni di interesse, rimandando per la soluzione ai cambiamenti climatici ai nostri pronipoti, nel 2050. LUnione Europea, dal canto suo, vede lanno 2020 come quello nel quale il 20% di tutta lenergia in Europa sar prodotta da fonte rinnovabile. Questo forte segnale della politica comunitaria ha posto lattenzione sul modo attuale e futuro di convertire lenergia, ed ha posto serie basi per la riconversione energetica del sistema energetico europeo. Per quel che concerne lItalia, il 2007 stato caratterizzato dallintroduzione di diversi strumenti legislativi ed economico-finanziari, atti ad iniziare il cammino verso gli obiettivi previsti dal protocollo di Kyoto. Molta attenzione stata posta al miglioramento dellefficienza energetica in ambito civile, con luscita del Decreto Legislativo 29/12/06, n. 311, in vigore dal 2/2/07, che contiene le disposizioni correttive ed integrative al decreto legislativo del 19 agosto 2005, n. 192, recante lattuazione della direttiva 2002/91/CE, relativa al rendimento energetico nelledilizia. In aggiunta a questo, nello stesso periodo sono anche state emanate le modalit per lottenimento delle detrazioni fiscali del 55% relative agli interventi di ristrutturazione energetica di edifici ed impianti, nonch lintroduzione del meccanismo dello scambio sul posto anche per la cogenerazione (fino a 200kWe), lincentivazione al solare termodinamico, ed infine il nuovo Conto Energia, per lincentivazione del fotovoltaico. LENEA, nel suo Rapporto Energia e Ambiente 2006, affronta il problema del cambiamento climatico individuando la strategia per garantire la sicurezza energetica del Paese e la sua competitivit economica nellottica della salvaguardia dellambiente, dando una rilevante importanza al miglioramento tecnologico del sistema energetico. Nella fattispecie, lENEA individua tre strategie: 1) un massiccio ricorso allefficienza energetica negli usi finali, con un diffuso impiego di tecnologie a basso consumo nel civile, nellindustria e nei trasporti;
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2) unincisiva promozione delle fonti rinnovabili per la produzione di energia elettrica e per gli usi termici nel settore civile e per il ricorso a biocarburanti nel settore dei trasporti; 3) nel lungo periodo (dopo il 2020) la diversificazione del mix di combustibili per la generazione termoelettrica, anche mediante un maggiore ricorso al carbone, reso ambientalmente sostenibile con limpiego delle tecnologie per il sequestro e il confinamento del CO2. In particolare, in merito al punto 1, il riscaldamento domestico costituisce quasi l70% dei consumi finali. In questo settore le tecnologie efficienti per ledificio e limpianto (isolamenti termici, ventilazione meccanica controllata con recupero di calore, doppi e tripli vetri con gas inerti, caldaie a condensazione, pompe di calore geotermiche), possono produrre effetti significativi gi nel breve-medio periodo, consentendo una riduzione della domanda nel lungo periodo compresa tra il 16 e il 23%. Per quanto concerne lutilizzo di fonti rinnovabili, dopo una prima fase di forte impulso alla diffusione delle tecnologie gi oggi disponibili sul mercato (eolico, biomassa, solare termodinamico, solare termico e fotovoltaico), si prevede lutilizzo generalizzato ed economico di una seconda generazione delle rinnovabili, frutto della ricerca e dello sviluppo tecnologico. Gli investimenti nella ricerca energetica dovranno essere sempre pi consistenti, e saranno concentrati soprattutto in quelle tecnologie che a parit di prestazioni energetiche ed ambientali, meglio si integreranno nel territorio e nellarchitettura. La rincorsa alla diminuzione di CO2 pu essere, per lItalia e in particolare per lindustria italiana, un ottimo trampolino di lancio per lo sviluppo di tecnologie a basso impatto ambientale, per il miglioramento dellefficienza energetica in tutto il bacino del Mediterraneo, per aumentare la sicurezza di approvvigionamento ed lindipendenza dalle fonti convenzionali. Questo libro nasce con lintenzione di fornire a progettisti, operatori del settore e studenti, gli strumenti operativi per progettare ed eseguire impianti fotovoltaici a regola darte. Attraverso unanalisi preliminare della tecnica fotovoltaica, il testo si sviluppa nella spiegazione delle varie problematiche relative agli impianti, tenendo in considerazione la normativa tecnica di riferimento, la gestione delle pratiche per laccesso alle tariffe incentivanti e la manutenzione degli impianti. Molto importante la presenza di esempi, che illustrano tramite calcoli ed illustrazioni, la scelta di tutti i componenti dellimpianto e la metodologia per eseguire una corretta analisi costi-benefici in conto energia. Allegato al volume il software Preventer-FV Lite, di ESFERA
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Ing. Mauro Moroni Ing. Gabriele Nitrati

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Energia, che consente la preventivazione rapida di impianti fotovoltaici che desiderano accedere al nuovo Conto Energia. Dopo un dimensionamento della taglia dellimpianto, il software calcola la produzione energetica annua attesa (secondo UNI 10349), e guida loperatore alla compilazione dello studio di fattibilit, eliminando tutte le scelte non conformi alla normativa. La vers i o n e P R O d e l p r o g r a m m a P r e v e n t e r - F V, i n v e n d i t a s u l s i t o www.esferaenergia.it, contiene invece numerosi plus, che seguono il progettista nel dimensionamento totale dellimpianto e nella compilazione della modulistica necessaria per laccesso alle tariffe incentivanti.

CAPITOLO 1

LA TECNOLOGIA FOTOVOLTAICA
1.1 La radiazione solare
Grazie alle reazioni nucleari che avvengono allinterno del suo nucleo, il Sole rappresenta una fonte energetica vitale per il nostro pianeta. Limmensa quantit di energia irradiata sotto forma di onde elettromagnetiche, rende chiaro come questa stella possa essere considerata con buona approssimazione un corpo nero (radiatore integrale) alla temperatura superficiale media di circa 5780 K. Allinterno del Sole, mediante le reazioni di fusione termonucleare, ogni secondo 600 milioni di tonnellate di idrogeno si trasformano in 595,5 milioni di tonnellate di elio e la restante parte di 4,5 milioni di tonnellate di idrogeno (pari allo 0,75%), si trasforma direttamente in energia secondo lequazione di Einstein E=mc. Lenergia cos generata pari a circa 405.000 miliardi di TJ, una quantit di energia impensabile a livello terrestre. Tutta la straordinaria potenza della nostra stella dovuta alla conversione in energia di questa infinitesima, per il Sole, quantit di materia, paragonabile approssimativamente alla massa di un piccolo gruppo di montagne sulla terra. Il flusso di energia radiante che incide in unarea unitaria perpendicolare ai raggi allesterno dellatmosfera terrestre definito costante solare, e risulta pari a 1367 W/m2. Il valore di questa costante pu essere calcolato a partire dalla potenza irradiata dal sole (L):
7 erg 33 10 J 26 L = 4 Rs2 Ts4 3,9 1033 3 , 9 10 = 3,9 10 [W ] s s

Considerando la distanza D=1AU tra Terra e Sole (dove 1 Astronomic Unit corrisponde a circa 150.000.000 Km), abbiamo che il flusso di energia traspor15

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tato , comunemente denominato costante solare, risulta pari a:

Sun =

erg AU R 1371 5 [W/m 2 ] = s Ts4 1.366 106 2 2 4D D D s cm L


2 2

dove: = 5,67x10-8 W/(m2 K4) (costante Stefan-Boltzmann); D = 1 AU distanza media Terra-Sole 1,496x1011[m]; L = luminosit solare 3,9x1026 [W]; Rs = raggi solari = 6,958x108 [m]; T = temperatura corpo nero [5780K].

Figura 1.1
Alterazione dellirradiazione solare in funzione delle macchie solari

Variando la distanza tra Sole e Terra nel corso dellanno (3%) in virt di un orbita ellittica, ed essendo noto come lattivit periodica delle macchie solari produca alterazioni del valore dellenergia emessa dal sole (vedi figura 1.1), chiaro come tale parametro rappresenti in realt un valore medio di potenza specifica. Se consideriamo che annualmente circa 1,5110 17 kWh raggiungono la superficie terrestre e che il fabbisogno energetico primario mondiale annuo nel 2006 stato stimato in 5,391013 kWh di petrolio, 2,71013 kWh di gas, 3,11013 kWh di carbone, 8,471012 kWh di energia nucleare e 1,651013 per valorizzazione rifiuti e rinnovabili, otteniamo che il sole potrebbe dare circa 1100 volte lenergia di cui necessitiamo. Considerando invece il consumo elettrico italiano del 2006 pari a 337 TWh e la superficie dellItalia, pari a 301.338 km, abbiamo che potenzialmente lenergia ricevibile e trasformabile da impianti fotovoltaici in Italia (con le attuali tecnologie), ammonterebbe a 31.650 TWh, pari a circa 94 volte il fabbisogno energetico elettrico della nostra nazione. Ovviamente non tutto il Bel Paese potrebbe e dovrebbe essere ricoperto di moduli ma, in considerazione dellaumento dellefficienza di questi, degli enormi risparmi energetici che si potrebbero avere con un uso razionale ed intelligente dellenergia, nonch con

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PROGETTAZIONE FOTOVOLTAICA IN CONTO ENERGIA

il miglioramento delle tecnologie per lo sfruttamento di altre risorse rinnovabili (eolico, biomasse e biogas, solare termodinamico e geotermico), si potrebbero avere risultati insperati anche con una ricopertura di un solo cinquecentesimo del territorio. Lenorme quantit di energia solare che arriva sul suolo terrestre ha per lo svantaggio di essere poco concentrata e di subire alterazioni durante il suo percorso verso la Terra. Tornando a parlare di flusso di energia radiante, un parametro che tende ad inglobare tutti gli effetti che latmosfera esercita sulla radiazione solare quello della massa daria relativa (air mass, AM) che corrisponde alla lunghezza relativa del percorso della radiazione diretta attraverso latmosfera. A livello internazionale, per distinguere le condizioni in cui pu operare un convertitore solare, si sono definite con AM0 (air mass 0) la curva corrispondente alla radiazione solare misurata al di fuori dellatmosfera terrestre e con AM1 (massa daria unitaria) la composizione spettrale che si riscontra a livello del mare quando lo spessore di atmosfera standard attraversato dai raggi solari in direzione perpendicolare alla superficie terrestre. Al livello del mare la massa daria relativa pu essere calcolata con la formula approssimata:

Figura 1.2
Definizione di massa daria relativa

AM =

1 sen
Figura 1.3
Spettro della radiazione solare AM0 e AM1

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QUADERNI per la progettazione

Leffetto dellatmosfera, espresso in massa daria, sullo spettro solare mostrato in figura 1.3. Durante il percorso verso la superficie terrestre, non tutta lenergia solare presente allesterno dellatmosfera riesce a raggiungere la Terra. Ci dovuto ad una molteplicit di fenomeni fisici che si originano nei diversi strati dellatmosfera stessa, quali riflessione diffusa, rifrazione e assorbimento, i quali causano la presenza di vere e proprie buche a determinati intervalli di lunghezza donda nei diagrammi di densit spettrale. La diffusione (scattering), uno dei fenomeni pi rilevanti, il risultato degli urti tra fotoni e molecole dacqua, aria e pulviscolo atmosferico, mentre lassorbimento dovuto principalmente allozono, al vapore dacqua e allanidride carbonica. Nella pratica impiantistica di progettazione di sistemi fotovoltaici, il valore di massima radiazione al suolo viene assunto pari a 1000 W/m2, mentre si considera come radiazione solare di riferimento per le prove in laboratorio dei componenti fotovoltaici quella relativa alla curva AM1,5 cos come prescritto dalla norma CEI EN 60904-3. La misura della radiazione solare su un piano inclinato, si effettua con diversi tipi di strumenti di seguito indicati. Piranometro Strumento basato su un sensore a termopila, normalmente utilizzato per misurare lirraggiamento solare su un piano di captazione nei sistemi di monitoraggio e nelle prove di laboratorio (CEI EN 60904-3). Piranometro con banda ombreggiante Piranometro per la misura dellirradiazione diffusa; fornito di un dispositivo supplementare che fa da schermo allirradiazione diretta. Pireliometro Piranometro che misura lirradiazione diretta; esso presenta una apertura ridotta e riceve i raggi del sole mediante un tubo allungato. Solarimetro Strumento utilizzato per la misura dellirraggiamento sul piano di captazione, basato su sensori al silicio. E usualmente utilizzato nel monitoraggio si sistemi fotovoltaici. E spesso preferito al Piranometro perch rispetto a questo ha un costo pi contenuto e il vantaggio di non richiedere frequenti calibrazioni. La misura si effettua normalmente in W/m2 e tipicamente i valori massimi di potenza specifica riscontrati durante una bella giornata estiva, in Italia, variano dai 900 a 1100 W/m2.
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PROGETTAZIONE FOTOVOLTAICA IN CONTO ENERGIA

1.1.1

Componenti della radiazione solare al suolo


QUADERNI per la progettazione
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Prima di addentrarci in una descrizione del calcolo delle componenti della radiazione solare, vale la pena definire alcune grandezze fondamentali per la progettazione di sistemi solari. Definiamo: Altezza (o altitudine) solare (s) Angolo tra la direzione dei raggi solari ed il piano orizzontale. Angolo di incidenza () Angolo tra la normale (retta perpendicolare) alla superficie e la direzione dei raggi solari. Angolo di azimuth solare (s) Angolo tra la direzione Sud e la proiezione della direzione del Sole sul piano orizzontale. Angolo di azimuth di una superficie () Angolo tra la direzione Sud e la proiezione della normale alla superficie considerata sul piano orizzontale. Angolo di inclinazione o di tilt () Angolo di inclinazione rispetto allorizzontale della superficie considerata. Declinazione solare () Angolo che la direzione dei raggi solari forma a mezzogiorno, sul meridiano considerato, col piano equatoriale. Latitudine () Fissato un punto sulla Terra, angolo che la normale (perpendicolare) alla superficie passante per il punto forma con il piano equatoriale; la latitudine si dice Nord se il punto considerato sullemisfero settentrionale, Sud se sullemisfero meridionale. I principali angoli prima definiti sono rappresentati in figura 1.4.

Figura 1.4
Grandezze angolari di interesse

La radiazione solare globale al suolo intercettata da una superficie inclinata di un angolo rispetto allorizzonte, comunemente denominato angolo di tilt, e la cui normale orientata di un angolo rispetto alla direzione dei raggi solari, detto angolo di incidenza, viene distinta in diverse componenti. La principale, in termini di importanza, sicuramente la radiazione diretta, costituita dai raggi che non subiscono assorbimenti e riflessioni ma che raggiungono direttamente la superficie inclinata. La relazione matematica che fornisce il valore di tale componente la seguente: B = GB ORTO cos
dove GB-ORTO la radiazione sul piano ortogonale alla direzione dei raggi. Tale parametro pu essere valutato in maniera empirica tramite modelli di calcolo matematici (es: modello di Hottel) o tramite misure sperimentali eseguibili con lausilio di un solarimetro.

Il valore analitico del cos, dipende invece da diversi parametri, come declinazione (), angolo orario (), latitudine del sito (), inclinazione e orientamento dei moduli, in virt del fatto che la posizione del sole diversa in ciascun momento dellanno ed funzione della posizione del punto di osservazione sulla terra. Lespressione generale di cos la seguente:

cos = sen (sen cos - cos sen cos) + + cos cos (cos cos+ sen sen cos) + + (cos sen sen sen)
dove la declinazione nel giorno n dellanno e langolo orario , sono dati dalle seguenti relazioni: 20
PROGETTAZIONE FOTOVOLTAICA IN CONTO ENERGIA

= 23,5 sen [360(284+n)/365] = 15 (ts-12)


ts lora solare compresa tra 0 e 24.

La seconda componente la radiazione diffusa, dovuta a fenomeni di scattering che variano al variare dellangolo di incidenza della radiazione sulla superficie terrestre. Per questa componente la relazione matematica la seguente:

D = GD ORIZZ (1 + cos ) / 2
dove GD-ORIZZ la radiazione diffusa sul piano orizzontale.

Facendo riferimento alla progettazione fotovoltaica, tali componenti potrebbero per risultare insufficienti. Esiste infatti una terza componente da prendere in considerazione, che tiene conto delle riflessioni al suolo della radiazione luminosa. Questa componente, comunemente denominata di albedo, in grado di contribuire in modo efficace alla conversione fotovoltaica e pu essere calcolata nel modo seguente:

R = (GB ORIZZ + GD ORIZZ ) (1 cos ) / 2


dove GB-ORIZZ la radiazione diretta sul piano orizzontale e la riflettanza del suolo, compresa tra 0 e 1.

Il valore di riflettanza dipende ovviamente dal tipo di suolo a cui si fa riferimento e la tabella seguente fornisce dei dati di albedo indicativi per alcune tipologie di superfici.
Tab. 1.1 - Valori di albedo per varie superfici
SUPERFICIE ALBEDO SUPERFICIE ALBEDO

Neve Specchio dacqua Terreni di varia natura, argilla Strade in terre scure

0,75 0,07 0,14 0,04

Cemento Fogliemorte Erba secca Erba secca

0,22 0,3 0,3 0,26

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QUADERNI per la progettazione

dove

Tab. 1.1 (segue) - Valori di albedo per varie superfici


SUPERFICIE ALBEDO SUPERFICIE ALBEDO

Boschi di conifere in inverno Boschi in autunno Campi con messi, piante Asfalto consumato

0,07 0,26 0,26 0,1

Tetti con bitume e pietrisco Superfici in pietra Mattoni, intonaci scuri Mattoni chiari, intonaci chiari

0,13 0,2 0,27 0,6

In definitiva, la radiazione complessiva sulla superficie sar data dalla somma delle tre componenti:

G = B+D+R
Per una trattazione specifica e dettagliata sullargomento si rimanda tuttavia a testi specifici in materia [3]. Per quanto riguarda la radiazione diretta e diffusa, ai fini della progettazione fotovoltaica prassi comune utilizzare valori di radiazione solare giornalieri o medie mensile sul 2 piano orizzontale espressi in kWh/m giorno, tabulati per diverse localit e resi disponibili dalla norma UNI 10349 (Dati climatici) e UNI 8477 (Valutazione dellenergia raggiante ricevuta). Altre pubblicazioni, come lAtlante Europeo della Radiazione Solare e La radiazione solare globale al suolo in Italia edito dallENEA, forniscono mappe isoradiative e valori di radiazione solare sia per superfici orizzontali, sia per superfici disposte con vari angoli di inclinazione ed orientazione. Siti internet specifici, come il sito del centro di ricerche di Ispra http://re.jrc.ec.europa.eu/solarec/index.htm o il sito dellENEA http://erg7118.casaccia.enea.it, offrono valori di radiazione solare sul piano orizzontale tramite pubblicazioni gratuite. A partire dai valori di radiazione solare sul piano orizzontale, sulla base di metodi di calcolo matematici, sono stati sviluppati diversi software che consentono una rapida determinazione dellirraggiamento solare incidente su una superficie variamente inclinata ed orientata.
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PROGETTAZIONE FOTOVOLTAICA IN CONTO ENERGIA

Figura 1.5
Componenti della radiazione solare

1.2 Leffetto fotovoltaico


Parlare di tecnologia fotovoltaica senza toccare la fisica dei semiconduttori risulta alquanto arduo e limitativo. In questo paragrafo verr illustrato il comportamento elettrico di questi materiali, definendone le caratteristiche, le tipologie e le applicazioni tipiche.

1.2.1

Semiconduttori intrinseci

Il punto di partenza nella descrizione fisica di un solido cristallino, quello di definire i livelli energetici che possono assumere gli elettroni al suo interno. Infatti anche se lontano dal nostro modo di percepire le cose, la natura si manifesta ai nostri occhi in maniera discontinua per il fatto che gli elettroni presenti allinterno di una struttura cristallina sono raggruppati in bande di energia. Le uniche zone dove possibile trovare elettroni sono:
O

la banda di valenza, caratterizzata da livelli energetici che gli elettroni assumono nellorbita pi esterna degli atomi che formano il solido (banda energetica Ev); in questo caso tali elettroni sono denominati elettroni di valenza; la banda di conduzione, che raggruppa i livelli energetici della cosiddetta nube elettronica responsabile del fenomeno della conduzione (banda energetica Ec); in questo caso tali elettroni sono denominati elettroni di conduzione.

Tra queste due bande vi poi una regione proibita in cui non vi sono livelli energetici permessi agli elettroni. La larghezza della banda proibita, detta energy gap, una caratteristica molto importante del semiconduttore e si denota di solito con Eg.1 Il suo valore energetico pari alla differenza tra lenergia della banda di conduzione e lenergia della banda di valenza:

Eg = Ec Ev
La distribuzione degli elettroni e il loro modo di interagire fra le varie bande di energia consentite, determina le caratteristiche elettriche del materiale. Gli elettroni di valenza sono legati ai singoli atomi del reticolo, vibrano nelle posizioni di equilibrio, ma non possono contribuire alla conduzione. Gli elettroni che occupano i livelli energetici della banda di conduzione, essendo
1. Il valore di Eg per i materiali semiconduttori dellordine di 11,5eV.

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QUADERNI per la progettazione

invece liberi di muoversi in presenza di un campo elettrico possono contribuire alla generazione di un flusso di cariche elettriche. A seconda del valore dellenergy gap, distinguiamo:
O O O O

materiali isolanti; materiali semiconduttori; materiali conduttori; materiali superconduttori.

Il valore di Eg varia in base alla temperatura del materiale e di conseguenza in funzione della temperatura dellambiente di operativit. Come possibile osservare dalla figura 1.6, gli elementi conduttori hanno la caratteristica di avere una banda proibita molto limitata e, in certi casi, le bande energeticamente possibili si sovrappongono. Gi a temperatura ambiente, numerosi elettroni occupano la banda di conduzione. Gli elementi isolanti al contrario, hanno una banda proibita molto larga (45 eV, fino anche a 10 eV) che, a temperatura ambiente, non permette lesistenza di elettroni in banda di conduzione.
Figura 1.6
Struttura a bande dei materiali

I materiali semiconduttori invece rappresentano una via intermedia, dato che la distanza tra le due bande maggiore rispetto al caso dei conduttori, ma minore rispetto agli isolanti. Questa vicinanza tra le bande rende dunque possibile che un elettrone, con unopportuna quantit di energia, salti con una certa facilit al livello energetico superiore, dove poi libero di muoversi sotto lazione di un eventuale campo elettrico applicato. La lacuna, cio il posto vuoto lasciato nella banda di valenza dallelettrone passato alla banda di conduzione, pu essere considerata a tutti gli effetti una carica positiva, partecipando in modo rilevante al meccanismo di creazione della corrente elettrica.
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PROGETTAZIONE FOTOVOLTAICA IN CONTO ENERGIA

Risulta chiaro dunque, come le cariche che partecipano al fenomeno della conduzione elettrica siano gli elettroni nella banda di conduzione e le lacune nella banda di valenza. In questo caso la concentrazione delle cariche negative pari alla concentrazione delle cariche positive ed detta concentrazione di portatori intrinseci ni. Nei semiconduttori intrinseci , cio assolutamente puri, le coppie elettrone-lacuna si formano solo fornendo lenergia necessaria a rompere i legami; in termini di teoria delle bande, lenergia richiesta corrisponde al salto energetico Eg. Secondo questo modello, a basse temperature gli elettroni di valenza rimangono aggrappati agli atomi di appartenenza e il semiconduttore si comporta essenzialmente come un isolante, dal momento che anche in presenza di un campo elettrico esterno, che vincola gli elettroni nel loro movimento, non ci sono portatori di carica in banda di conduzione. Allaumentare della temperatura, lenergia termica produce le rotture del legame covalente consentendo ad un numero equivalente di elettroni di agitarsi nella struttura cristallina. Questi elettroni energizzati, avendo acquisito unenergia superiore ad Eg passano dalla banda di valenza alla banda di conduzione. Questo processo si intensifica man mano che si va ad incrementare la temperatura. Sperimentalmente si osserva che la concentrazione di portatori intrinseci ni aumenta molto rapidamente con laumentare della temperatura e che per una data temperatura, ni diminuisce molto rapidamente al crescere della banda proibita. La dipendenza della concentrazione di portatori intrinseci dalla Eg e dalla temperatura espressa dalla seguente relazione:

ni exp (Eg/2kT)
dove: k = 1,38 10-23 J/K la costante di Boltzmann; T la temperatura assoluta.
2. Un legame covalente si instaura quando una o pi coppie di elettroni vengono messe in comune fra due atomi. Ci avviene per una ragione ben precisa: gli atomi tendono al minor dispendio energetico possibile ottenibile con la stabilit della loro configurazione elettronica. Lassenza di un elettrone in un legame covalente si dice lacuna.

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QUADERNI per la progettazione

Quando presente una lacuna probabile che un elettrone di valenza di un atomo contiguo, lasci il suo legame covalente 2 e vada a riempirla. Cos facendo dar luogo ad unaltra lacuna spostata di un passo atomico rispetto a quella iniziale e cos via.

1.2.2

Semiconduttori estrinseci

Le propriet elettroniche dei semiconduttori sono notevolmente modificate quando, nella struttura cristallina, vengono introdotte delle impurit o droganti mediante tecniche di diffusione termica e impiantazione ionica. Nellindustria elettronica e conseguentemente in quella fotovoltaica, lintroduzione di queste piccole quantit consente di modificare le propriet elettriche del semiconduttore, rendendole idonee al tipo di applicazione richiesta. Aggiungendo al semiconduttore delle impurit ad hoc, si pu aumentare il numero degli elettroni in banda di conduzione o di lacune in banda di valenza. Un semiconduttore con questo tipo di impurit in posizione reticolare e cio tale da sostituire un atomo nella struttura cristallina del semiconduttore puro, si dice drogato od estrinseco. Ci vuol dire che, ad esempio, al posto di un certo numero di atomi tetravalenti di silicio (Si) o germanio (Ge), vengono inseriti altrettanti atomi pentavalenti (come fosforo o arsenico) o trivalenti (come boro o alluminio). Prendendo in considerazione il materiale semiconduttore pi utilizzato nella tecnologia fotovoltaico, il silicio, abbiamo che i suoi cristalli sono abitualmente drogati con materiali quali fosforo e boro. In figura 1.7 si pu notare come il fosforo inserito nel reticolo cristallino, apporti un elettrone in pi mentre il boro un elettrone in meno.

Figura 1.7
Effetto delle impurit introdotte nel cristallo (Fonte: EERE)

Sulla base del numero di elettroni di valenza degli atomi introdotti, il drogaggio pu essere di tipo n o di tipo p. Il drogaggio con il boro consente di ottenere una struttura di tipo p, con eccesso di lacune; il drogaggio con il fosforo consente di ottenere una struttura di tipo n, con eccesso di elettroni. Gli atomi di fosforo, appartenenti al quinto gruppo del sistema periodico degli elementi, sono detti donatori, mentre gli atomi di boro, appartenenti invece al terzo gruppo sono detti accettori.
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PROGETTAZIONE FOTOVOLTAICA IN CONTO ENERGIA

Tab. 1.2 Confronto tra silicio di tipo p e silicio di tipo n


TIPO P (POSITIVO) TIPO n (NEGATIVO)

Droganti Legami Portatori maggiori Portatori minoritari

Eccesso di lacune Lacune Elettroni

Eccesso di elettroni Elettroni Lacune

1.2.3

Giunzioni a semiconduttore

La conversione della radiazione solare in energia elettrica, avviene attraverso leffetto indotto da un flusso luminoso incidente su una regione di carica spaziale, in cui la presenza di un campo elettrico consente di separare le cariche prodotte. Tale regione pu instaurarsi nelle seguenti strutture: - omogiunzioni o giunzioni p-n; - strutture metallo-semiconduttore; - strutture metallo-isolante-semiconduttore (MIS); - eterogiunzioni ottenute accoppiando due semiconduttori dissimili. Le giunzioni p-n sono comunemente usate come diodi: interruttori elettronici che permettono un flusso di corrente in una direzione ma non in quella opposta. Questo risultato pu essere ottenuto incrementando o riducendo lestensione dello strato non conduttivo (la zona svuotata) grazie agli effetti della polarizzazione inversa e della polarizzazione diretta, dove il termine polarizzazione indica lapplicazione di una tensione elettrica alla giunzione p-n. La tensione esterna influenza la dimensione del diodo, richiamando un maggiore o minore numero di portatori; a seconda della densit di portatori disponibili, e quindi del tipo di semiconduttore scelto e del tipo di drogaggio con il quale stato prodotto, sar possibile variare con un ulteriore grado di libert lestensione della regione di svuotamento. Per giunzione p-n si intende un dispositivo in cui si realizza, tra un semiconduttore drogato di tipo p ed uno drogato di tipo n, un contatto che garantisce la continuit cristallina. Una volta realizzato il contatto, per effetto dellagitazione termica, gli elettroni maggioritari della zona n tendono a diffondere nella zona p, e in modo analogo le lacune nella zona p tendono a diffondere verso la zona n,
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QUADERNI per la progettazione

Gruppo III (Boro)

Gruppo V (Fosforo)

Figura 1.8
Giunzione PN

lasciando dietro di loro ioni negativi negli atomi accettori e ioni positivi negli atomi donatori. Sono queste cariche fisse che fanno assumere alle due parti costituenti la giunzione un potenziale diverso con la conseguente nascita di un campo elettrico E. Lequilibrio si raggiunge nel momento in cui il campo elettrico generato in grado di opporsi al moto di diffusione delle cariche, dando origine ad un bilancio sui due movimenti di carica contrapposti dovuti ai portatori maggioritari (elettroni nella zona n e lacune nella zona p) e minoritari (elettroni nella zona p e lacune nella zona n), come indicato in figura 1.8. La regione di carica spaziale rappresenta dunque lostacolo fisico che le cariche elettriche devono superare per dar origine al fenomeno della conduzione. Applicando un opportuna tensione esterna alla giunzione possibile far in modo che tale regione aumenti o diminuisca. In definitiva, si possono individuare 3 diverse situazioni in funzione della tensione applicata ai capi della giunzione:
O

Equilibrio (V=0); non viene riscontrato passaggio di corrente in virt di una condizione di equilibrio. Polarizzazione diretta (V>0); la barriera di potenziale si riduce e il diodo passa in conduzione. Polarizzazione inversa (V<0); la barriera di potenziale aumenta e il diodo passa in interdizione.

Figura 1.9
Giunzione PN in polarizzazione inversa (sinistra) e in polarizzazione diretta (destra)

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PROGETTAZIONE FOTOVOLTAICA IN CONTO ENERGIA

In termini matematici la caratteristica I-V di un diodo data dalla seguente equazione: QUADERNI per la progettazione
Figura 1.10
Assorbimento tipico di alcuni semiconduttori

I = I0 [exp(qV/ kT)-1]
dove: I lintensit di corrente; V la tensione; k = 1,38 10-23 J/K la costante di Boltzmann; q = -1,6 10-19 la carica di un elettrone; T la temperatura assoluta.

A questo punto occorrerebbe chiedersi il perch, una cella fotovoltaica, essendo un diodo esposto alla luce solare a circuito aperto (V=0), sia invece in grado di generare corrente elettrica. Nei prossimi paragrafi cercheremo di spiegarlo.

1.2.4

Assorbimento della radiazione luminosa

In una giornata con cielo limpido, ogni centimetro quadrato della superficie terrestre colpito ogni secondo da 4.4x1017 fotoni. Solo alcuni di questi fotoni, quelli con energia superiore allenergy gap del semiconduttore, possono generare una coppia elettrone-lacuna ed essere convertiti in energia elettrica dalla cella solare.

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Il valore di energia di un fotone, cio del pacchetto elementare di energia luminosa, definito dallespressione:

E=h
dove: h la costante di Planck (h=6,62610-34 J s); la frequenza

Poich la frequenza inversamente proporzionale alla lunghezza donda , si ha che il valore energetico del fotone diminuisce al crescere di , con la conseguenza che ogni semiconduttore pu convertire solo una parte dello spettro solare. Vale la pena sottolineare che una parte dellenergia del fotone viene persa nel processo di assorbimento: tutte le coppie elettrone-lacuna che vengono generate, hanno in pratica energia superiore allenergy gap e tale eccesso energetico conduce inevitabilmente ad una dissipazione di calore con conseguente riscaldamento del materiale. Questo rappresenta uno dei meccanismi di perdita fondamentali in una cella solare. Trascurando le perdite, si pu fare una stima approssimativa dellentit di corrente elettrica che pu essere prodotta:

IL = q N A
dove: N il numero di fotoni avente energia superiore allenergy gap; A larea superficiale del semiconduttore esposto alla luce; q = -1,6 10-19 la carica dellelettrone.

Per quanto riguarda la tensione che pu generare una cella solare, si pu dare un valore limite superiore pari a:

V = Eg / q
Sebbene la tensione effettivamente raggiunta nella pratica sia considerevolmente pi bassa di questo limite teorico, lespressione di cui sopra mostra chiaramente che semiconduttori con banda proibita pi ampia producono in genere una tensione pi elevata.
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PROGETTAZIONE FOTOVOLTAICA IN CONTO ENERGIA

1.3 Le celle fotovoltaiche


Lelemento cardine dei dispositivi che convertono la radiazione luminosa in elettricit la cella fotovoltaica. Nel paragrafo precedente si cercato di chiarire il processo fisico che porta alla generazione di corrente elettrica attraverso una giunzione p-n al buio. Che cosa succede per se la giunzione viene investita dalla radiazione solare? In condizioni di irraggiamento il comportamento della cella cambia. Quando la cella viene illuminata, la radiazione luminosa libera in tutto il cristallo delle coppie di portatori (elettrone-lacuna) che, sospinte dal campo elettrico creato dalla giunzione, danno luogo ad un flusso di cariche. Gli elettroni generati nella zona P raggiungono la zona N (carica positivamente) mentre le lacune generate nella zona N migrano verso la regione P (carica negativamente). In pratica ci si riconduce al caso di una giunzione p-n dove, pur non applicando nessuna tensione (V=0), leffetto dei fotoni quello di ridurre la barriera di potenziale, in maniera del tutto analoga al caso in cui venisse applicato un generatore che polarizzi direttamente la giunzione stessa. Da un punto di vista circuitale, leffetto fotovoltaico pu essere schematizzato da un generatore di corrente IL in parallelo ad una giunzione p-n (diodo), dove la corrente risultante fornita dalla relazione:
I = I L I D = I L I 0 (exp(qV / KT ) 1)

Considerando poi i contributi parassiti introdotti dalle connessioni elettriche (schematizzati della resistenza Rs) e dai fenomeni ohmici causati dalla non idealit del diodo (rappresentati dalla resistenza Rsh), il circuito equivalente risultante pu essere schematizzato nel modo seguente:

Figura 1.11
Rappresentazione circuitale di una cella FV

La curva caratteristica I-V della cella assume quindi un andamento traslato rispetto alla curva del diodo di una quantit pari a IL, come rappresentato nella figura seguente.
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QUADERNI per la progettazione

Figura 1.12
Curva I-V della cella fotovoltaica

Il ribaltamento della curva I/V frutto della diversa conversione di segno tra i dispositivi utilizzatori (diodi) e i dispositivi generatori (celle FV). Attraverso un circuito di test, costituito da una lampada ad alogenuri metallici in grado di simulare lintero spettro solare, possibile ricavare la curva caratteristica della cella fotovoltaica collegando ai suoi morsetti un resistore di resistenza variabile da zero (corto circuito) fino a infinito (circuito aperto). In questo modo sar possibile misurare per ogni condizione di resistenza un valore di tensione e di corrente, che riportati in un piano cartesiano I-V, consentiranno di tracciare sperimentalmente la caratteristica I-V del generatore fotovoltaico. Tale caratteristica pu essere suddivisa in tre tratti principali:
O

Figura 1.13
Circuito test

Tratto AB: dove la cella si comporta in maniera simile ad un generatore ideale di corrente. Tratto CD: dove la cella si comporta in maniera simile ad un generatore ideale di tensione. Tratto BC: il cosiddetto ginocchio della curva ed la tipica zona di funzionamento del generatore fotovoltaico.

Figura 1.14
Tratti caratteristici della curva I-V

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PROGETTAZIONE FOTOVOLTAICA IN CONTO ENERGIA

La corrente IL la stessa corrente che circolerebbe qualora la cella fotovoltaica fosse chiusa su di un corto circuito e pertanto viene anche denominata corrente di corto circuito ISC (short circuit). La tensione che invece si manifesta ai morsetti della cella in assenza di carico (o con carico di elevata impedenza), indicata con VOC ed detta tensione a circuito aperto (open circuit). Scegliendo un carico opportuno quindi possibile far operare la cella nelle condizioni di massimo trasferimento di potenza (PMAX) e cio in un punto del ginocchio della curva che massimizza il prodotto tra la tensione (VM) e la corrente in uscita (IM). A livello internazionale, per garantire delle condizioni di prova normalizzate per tutti i moduli fotovoltaici sono state definite dalla norma IEC EN 60904-3 le cosiddette Standard Test Condiction (STC):
O O O O

Radiazione solare: 1000 W/m2 Temperatura cella: 25 C Spettro: AM1,5 Vento: 0 m/s

Altro parametro molto importante la Nominal Operative Cell Temperature (NOCT), che fornisce la temperatura nominale di lavoro di una cella inserita allinterno di un modulo posto nelle seguenti condizioni ambientali:
O O O O

Radiazione solare: 800 W/m2 Temperatura ambiente: 20 C Velocit dellaria sul vetro del modulo: 1 m/s Modulo funzionante a vuoto

Tale valore oscilla normalmente tra i 40 e i 50C, ma pu risultare anche pi elevato. Noto il significato di condizione standard ora possibile definire alcuni parametri caratteristici della cella che, come vedremo, potranno successivamente essere estesi ai moduli fotovoltaici. Potenza di Picco (PP) E la massima potenza (PM) generata in condizioni STC dalla cella e viene indicata con lunit di misura Wp (Watt di picco).
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QUADERNI per la progettazione

Rendimento () E determinato dal rapporto tra la potenza di picco erogabile dalla cella e quella della radiazione solare incidente3:

=
Fill Factor (FF)

PP I STC A

Il fattore di riempimento rappresenta il rapporto tra la potenza massima estraibile dalla cella PM = VMIM e il prodotto tra i valori massimi di corrente (ISC) e di tensione (VOC) in condizioni STC.

FF =

PM I SC VOC

Da un punto di vista geometrico, facendo riferimento alla caratteristica I-V, il FF rappresenta il grado di inscrizione del rettangolo con lati VM e IM, allinterno del rettangolo con lati ISC e VOC. Nelle celle classiche in silicio cristallino, il FF assume un range di valori compresi tra 0,7 0,8. Nelle celle in silicio amorfo invece, un curva caratteristica pi schiacciata vincola il FF ad assumere valori pi bassi (tipicamente 0,4-0,5).
Figura 1.15
Confronto tra curve caratteristiche di un modulo in silicio cristallino e un modulo in silicio amorfo

Tale parametro fornisce in oltre una indicazione sullefficienza della cella: pi elevato, maggiore lefficienza della cella (modulo) e minore sar la superficie necessaria per linstallazione di una determinata potenza.
3. Larea della cella in m2 indicato con la lettera A.

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PROGETTAZIONE FOTOVOLTAICA IN CONTO ENERGIA

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