PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO El XTR110 se basa fundamentalmente en el principio de la conversin de voltaje a corriente que realizan dos operacionales: A1 y A2.

El operacional A1 convierte la entrada de voltaje Vin en una corriente i1, cuyo valor es i1=Vin/RSPAN ya que por la tierra virtual del operacional A1, Vin es el mismo en la entrada inversora de A1. As mismo, i1 es la misma corriente que la corriente que est pasando por el emisor de Q1; y como la impedancia de entrada en A2 es infinita no ingresa corriente por su entrada no inversora (+), luego i1 tambin es la misma corriente que la que est pasando por R8. Es decir i1 =i8. Por la tierra virtual del operacional A2, la entrada inversora de A2 (-) y la entrada no-inversora (+) son un corto circuito virtual, por lo tanto el voltaje en R8 es el mismo que el de R9, es decir VR8=VR9. Veamos con ms detenimiento. R8 est conectada entre +VCC y el (+) de A2, y R9 tambin est conectada entre +VCC y el (+) de A2. Ya que el (+) es el (-), es un corto. Por lo tanto R8 y R9 estn en paralelo. Entonces como ya est demostrado que VR8=VR9, luego i8 R8 =i9 R9 i9 = (R8/R9) i8 Como R8=500 y R9=RSPAN=50 i8 = R9/R8 iL = 50/500 iL = iL /10 Es decir el operacional A2 es un convertidor de corriente a corriente (tambin llamado escalador de corriente) o fuente de corriente. En nuestro caso, como el cociente de R8 y R9 es 1/10, es un escalador de corriente de 10 a 1. En resumen, hemos convertido el voltaje de entrada Vin en una corriente i9 = iL, en la salida. As Vin = I1 RSPAN pero i1=i8=R9/R8 i9, reemplazando Vin = I1 RSPAN = I1 RSPAN = (R9/R8) i9 RSPAN = RSPAN R9 (i9/R8) pero como i9=iL Vin = RSPAN (R9/R8) iL o para mayor claridad: iL =(Vin/ RSPAN ) x (R8/R9) iL =(10/ RSPAN ) x Vin (1) (1)

Lo que nos muestra la ecuacin (1) es que dependiendo del valor del voltaje Vin en la entrada del operacional A1, tendremos el valor de nuestra iL en la salida. Debe notarse que el valor de iL no depende del valor de la carga RL y este valor de iL solo esta limitado por las caractersticas del transistor externo PNP, QEXT en la salida: evitar que entre en saturacin. VCC= iL R9+ VEC+ iL RL iL = (VCC-VEC)/(R9+RL). Cuando el transistor QEXT se satura VEC=0.1 =0 por lo que iLSAT = VCC/ (R9+RL) por lo que existe un RL Max y va a funcionar como fuente de corriente para cualquier valor de RL entre

cero ohmios y RL max ohmios. Si aumentamos RL por encima de RL max, la corriente empezara a disminuir y por tanto la corriente ya no ser independiente de RL y no se comportara como una fuente de corriente. Si quisiramos aumentar el rango de RL max, lo nico que tendramos que hacer es aumentar el valor de VCC.

TEORIA DE OPERACIN El XTR110 est diseado para convertir voltaje de un nivel alto en una corriente de salida positiva. Un diagrama de bloques del XTR110, es mostrado en la figura A. El circuito contiene cuatro bloques funcionales principales que se muestran en la figura B : (1) una red divisora de resistencias de precisin (R1 al R5); (2) un convertidor de voltaje a corriente (A1,Q1,R6,R7), (3) un conversor de corriente a corriente (A2, R8,R9,QEXT), y una salida de +10V que es una referencia de precisin. La red divisora de precisin suma tres voltajes de entrada en la entrada no inversora de A1. Estos tres voltajes son: VIN1 (10V a escala completa), VIN2 (5V a escala completa) y VREF IN (para desplazar el cero de corriente, cuando se usa un cero vivo de corriente) En el convertidor de voltaje a corriente, el OPAMP A1 fuerza su voltaje de entrada (transmite el mismo voltaje de la entrada no inversora + a la entrada inversora -) a travs de las resistencias del establecimiento de rango mximo y mnimo R6 y R7 respectivamente. Como Q1 es un transistor Darlington de alta ganancia, su corriente de base es despreciable y toda la corriente fluye al convertidor de corriente- a-corriente (por R8). La funcin de transferencia incluyendo el divisor resistivo de las entradas es la siguiente: IC1= IR8 = [ (VREF IN/16) + (VIN1/4) + (VIN2/2) ]/ RSPAN Donde RSPAN es la resistencia vista desde el emisor de Q1 con respecto al comn. El convertidor de corriente a corriente es la seccin de salida del transmisor XTR110. El voltaje a travs de la resistencia de 500 (R8) es forzada a travs de la resistencia de 50 (R9) por A2 y el MOSFET externo (QEXT). Es decir como el voltaje a travs de R8 es el voltaje entre fuente Vcc y la pata positiva de A2 y como el voltaje a travs de R9 es el voltaje entre fuente Vcc y la pata negativa de A2, y como la pata positiva (+) y la pata negativa (-) de A2 estn al mismo potencial, es un corto circuito, entonces R8 Y R9 estn en paralelo y por lo tanto sus voltajes son los mismos. Como no fluye corriente por la compuerta G del MOSFET, toda la corriente entregada a la salida. Esta corriente (IOUT ) IR9 es diez veces la corriente interna que pasa por R8. La razn es la siguiente: Si fijamos la atencin en el operacional A2, Por el principio de tierra virtual:

R8 y R9 estn en paralelo lo que quiere decir que las entradas inversora y no inversora se tratan como si fueran un mismo punto. Luego si R8||R9 VR8 = VR9 R8 i8 = R9 i9 Luego i9 = R8/R9 i8 En nuestro caso: como R8 = 500 y R9 = 50 iR9 = 10 iR8 Esta etapa acta como una fuente de corriente. El uso del transistor externo mantiene la disipacin de potencia fuera del IC de precisin XTR110 con el objeto de mantener la exactitud. La funcin de transferencia total para el XTR110 es: IO= 10 [ (VREF IN/16) + (VIN1/4) + (VIN2/2) ]/ RSPAN Para corrientes de salida mayores de 40 mA se puede usar una resistencia externa en lugar de R9. La referencia de +10V nos proporciona el corrimiento de la entrada, por ejemplo, desplaza 4 ma para la configuracin de salida con rango de 4ma a 20 ma. La referencia puede entregar 10ma y est protegida contra corto circuitos al comn. Cuando se necesita proveer corrientes ms altas para otras aplicaciones se puede usar un transistor externo NPN conectado a los pines llamados sense (pin 12 VREF SENSE) y forc (pin 15 VREF FORCE). INSTRUCCIONES DE OPERACIN E INSTALACION. CONEXIN BASICA La conexin bsica del XTR110 es la estndar con una configuracin de entrada de 0 a +10V y una configuracin de salida de 4 mA a 20mA tal como se muestra en la figura 1. +VCC puede originarse en el sitio del XTR110 o puede ser trado como parte de una lnea con cables torcidos de tres cables. Asegrese de usar un condensador de suficiente tamao cerca al XTR en la lnea + VCC. (El condensador dirige la corriente alterna ac a tierra sin afectar los voltajes continuos. Esta operacin de colocar un condensador en +VCC se llama bypassing TRANSISTOR EXTERNO El propsito de la salida de A2, que es la patilla 14, es la de excitar o manejar un transistor externo de paso PNP o MOSFET, y por esta razn no es una salida tpica como generalmente son las salidas de los amplificadores operacionales. La etapa de salida se puede visualizar como una fuente de corriente de 300 A en paralelo con el colector C de un transistor NPN. El transistor NPN es el elemento activo que por medio de la realimentacin, determina o fija en que valor debe ajustarse la excitacin de la compuerta. Es capaz de absorber ms de 15 mA. TRANSISTOR MOSFET EXTERNO

Las conexiones al MOSFET son: la corriente de compuerta (patilla 14), y la resistencia de fuente (patilla 1). Para eliminar los errores debido a la resistencia en la conexin entre la patilla 1 y la Fuente del transistor MOSFET externo, conecte la patilla 13 directamente a la patilla 1 tal como se muestra en la figura 1. El XTR10 puede funcionar con una variedad de transistores de salida que tengan un voltaje de ruptura y una disipacin de potencia adecuada para la aplicacin en la que se va a usar, esta ltima caracterstica es influenciada por el tipo de envoltura del transistor externo. Para evitar sobrecalentamiento del transistor QEXT, se debe elegir el tipo de transistor y el disipador segn la mxima disipacin de potencia.En la tabla I se da algunas recomendaciones generales sobre las caractersticas trmicas de las envolturas de los transistores externos.

TIPO DE ENVOLTURA TO-92 TO-237 TO-39 TO-220 TO-3

DISIPACION DE POTENCIA PERMISIBLE La ms baja disipacin de potencia: Use la Fuente de alimentacin mnima y a +25C. Disipacin aceptable: Es un compromiso entre la fuente de alimentacin y la temperatura. Buena disipacin de potencia: Adecuada para la mayora de diseos. Excelente: Cuando se usan los valores mximos de la hoja de datos por tiempos prolongados. Disipacin excesiva. Usar este envase si no hay nada mas que se adecue, y si se require un envase hermetico.

Tabla I. Disipacin de potencia que pueden soportar los transistores externos QEXT segn los diversos tipos de envoltura. La mxima disipacin de potencia del transistor externo se puede obtener de la curva de derrateo. Tambin se puede calcular a partir de las caractersticas trmicas usando la siguiente ecuacin: PA = PD ( TA -25)/ IA PA = Potencia que va a ser disipada a la temperatura TA. TA = Mxima temperatura ambiente. PD = mxima disipacin de potencia continua a +25C (ID x VDS) IA = resistencia trmica desde la unin al medio ambiente. (Refirase a la hoja de datos tcnicos del fabricante del transistor para obtener los valores respectivos de cada parmetro). En la tabla II se muestran transistores de salida MOSFET adecuados para trabajar con el XTR110.

En la Tabla I se recomiendan varios tipos de transistores MOSFET.

FABRICANTE Ferranti NO. DE PARTE ZVP1304A ZVP1304B ZVP1306A ZVP1306B IRF9513 BVDSS<1> 40V 40V 60V 60V BVGS(1) 20V 20V 20V 20V TIPO DE ENVOLTURA TO-92 TO-39 TO-92 TO-39

International Rectifier Motorola

60V 80V
80V 80V 30V 30V 30V 80V 80V 80V 40V 40V 60V 60V

20V 20V
20V 20V 40V 40V 40V 40V 40V 40V TO-39 TO-220

TO-220

MTP8P08 RFL1P08 RFT2P08 VP0300B VP0300L VP0300M VP0808B VP0808L VP0808M VP1304N2 VP1304N3 VP1306N2 VP1306N3

TO-220

RCA
Siliconix (preferimos este fabricante)

TO-39 TO-92 TO-237 TO-39 TO-92 TO-237

Supertex

20V 20V 20V 20V

TO-220 TO-92 TO-220 TO-92

NOTA: (1) BVDSSvoltaje de ruptura entre el Drenador y el Surtidor del MOSFET. BVGS voltaje de ruptura entre la Compuerta y el Surtidor del MOSFET.

TABLA II. MOSFETs de canal-P disponibles comercialmente en el mercado. Un resumen de los puntos que deben ser considerados para seleccionar un transistor es el siguiente: 1. Valor de Potencia del transistor si es posible, debe ser igual a 1.5 PA o como mnimo igual a PA. 2. Voltaje de ruptura entre el drenador surtidor debe ser mayor que el valor mximo esperado de VDS. Esto incluye cualquier voltaje adicional que pueda existir entre las tierras del transmisor y receptor de la corriente de 4-20 mA. 3. Voltaje de ruptura entre la compuerta y el surtidor debe ser mayor que +VCC , ya que cuando se produce la condicin de que la lnea del drenador se abre (entonces el Voltaje de compuerta es igual a 0), +Vcc es aplicado entre compuerta-drenador. La mayora de MOSFETs toleraran nicamente 20V, pero se puede conectar un diodo zener (de 12V o mas) entre la compuerta y el surtidor, el cual va a sujetar la unin compuerta surtidor en 12V y no va a conducir durante una operacin normal. TRANSISTOR PNP EXTERNO En la salida, tambien se puede usar un transistor bipolar PNP , pero causara una ligera cada en la exactitud y la linealidad total. Un transistor que desempea adecuadamente es el TN2905 con envase TO-237. Los desplazamientos del punto extremo se pueden calcular si se conoce el beta del transistor PNP. El corrimiento del cero es IOS/beta y el corrimiento del mximo es

ISPAN/beta. Por ejemplo, si el beta del transistor es 250, y el rango de salida es de 4mA a 20mA, los clculos son como se muestra a continuacin: El alcance o rango es 20mA-4mA = 16mA dIOS = 4mA/250 = 16A (0.1% del alcance o rango) dISPAN = 16mA/250 = 64 A (0.4% del alcance o rango) el error producido por el cero puede ser corregido usando el circuito corrector del cero que se muestra en la figura 5. El error de alcance debido a la perdida de la corriente de base puede ser compensado conectando una resistencia externa RPAD, en paralelo con la resistencia interna tal como se muestra en la figura 2. La resistencia externa RPAD se puede calcular con la siguiente formula: RPAD = 50/(beta+1) Cualquier error en el alcance debido al mismo XTR110 puede ser corregido con el circuito de ajuste del alcance o rango de la figura 5. Si no se dispone del valor de beta para ese transistor individual (por que no se le ha medido o no se dispone de la hoja de datos tcnicos) use un beta nominal para calcular el valor de la resistencia externa RPAD . Debe de haber un rango suficiente en el circuito de ajuste del alcance para compensar las variaciones originadas por las tolerancias normales. Los cambios en el beta del transistor causados por los cambios en la potencia cuando la corriente del colector varia de 4mA a 20mA, producen una pequea degradacin de la nolinealidad (con una fuente VCC de 24V un valor tpico es 0.01%). Al transistor se le puede colocar un disipador de potencia para minimizar los efectos que produce la disipacin de calor. Tambin se puede usar una configuracin Darlington (dos transistores PNP separados) sin que se degrade la exactitud y linealidad total. Tal como se muestra en la figura 3, se necesita colocar un condensador de 0.047 F entre las patillas 13 y 14 del integrado para darle estabilidad. No se recomienda usar Darlington en circuito integrado debido a que contienen resistencias de descarga internas que degradan severamente la exactitud. Para seleccionar un transistor bipolar, siga los mismos pasos que para los MOSFETS. Sin embargo, note que no se est considerando el voltaje inverso de ruptura entre base y emisor porque esta unin base-emisor queda polarizada directamente en caso que el colector se abra. CALCULOS DEL ERROR Se puede calcular los errores considerando estos parmetros claves: 1. Corriente de desplazamiento o del cero (la corriente inicial del cero, la corriente del cero versus la temperatura, la corriente del cero versus la fuente de alimentacin) 2. Error del alcance o del mximo (la corriente inicial del mximo, la corriente del mximo versus la temperatura, la corriente del mximo versus la fuente de alimentacin)

3. La no-linealidad Fcilmente se pueden obtener menores errores ajustando externamente a cero, los errores inicial del cero e inicial del mximo (vea las curvas de desempeo)