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I.E.S.

ANDRÉS DE VANDELVIRA
DEPARTAMENTO DE TECNOLOGÍAS
TECNOLOGÍAS
3º ESO CURSO 2008/2009
ÍNDICE
1. INTRODUCCIÓN A LA ELECTRÓNICA ........................................................... 1
2. RESISTENCIAS. ........................................................................... 1
2.1.1. Resistencias de hilo o bobinadas ............................................... 1
2.1.2. Resistencias químicas .......................................................... 2
2.1.3. Código de colores de las resistencias. ......................................... 3
2.2 RESISTENCIAS VARIABLE O AJUSTABLES (POTENCIÓMETROS) ................................. 4
2.3. RESISTENCIAS ESPECIALES SENSIBLES AL CALOR, A LA LUZ Y A LA TENSIÓN ................. 5
2.3.1.Resistencias NTC (Coeficiente Negativo de Temperatura) y PTC ................... 5
2.3.2. Resistencias LDR (Resistencia Dependiente de la Luz) ........................... 5
3. CONFENSADORES ........................................................................... 6
3.1. INTRODUCCIÓN ....................................................................... 6
3.2.. FUNCIONAMIENTO DEL CONDENSADOR ..................................................... 6
3.3.TIPOS DE CONDENSADORES............................................................... 7
3.4.EJEMPLOS DE IDENTIFICACIÓN CON CONDENSADORES ........................................ 8
3.5. ACOPLAMIENTO DE CONDENSADORES ....................................................... 9
3.5.1. Acoplamiento de condensadores en serie ......................................... 9
3.5.2. Acoplamiento de condensadores en paralelo ..................................... 10
4.-SEMICONDUCTORES ........................................................................ 10
4.1. INTRODUCCIÓN ...................................................................... 10
4.2. MATERIALES SEMICONDUCTORES ......................................................... 11
4.2.1. Estructura atómica de los semiconductores. .................................... 11
4.2.2. Conducción en los semiconductores ............................................. 12
4.3. CLASES DE SEMICONDUCTORES.......................................................... 13
4.3.1.Semiconductor intrínseco ....................................................... 13
4.3.2. Semiconductor extrínseco ...................................................... 13
5. DIODO SEMICONDUCTOR .................................................................... 14
5.1 DEFINICION ......................................................................... 14
5.2.-UNION PnN ......................................................................... 14
5.3. SÍMBOLO Y POLARIZACIÓN DE UN DIODO ................................................. 15
5.4.COMPROBACIÓN DE DIODOS.............................................................. 17
5.5.TIPOS DE DIODOS .................................................................... 17
5.5.1. Diodos LED .................................................................... 17
5.5.2. DIODOS RECTIFICADORES ......................................................... 18
5.5.2.1.Rectificador de media onda ................................................ 18
5.5..2.2.Puente rectificador ...................................................... 19
6. EL TRANSISTOR BIPOLAR ................................................................ 21
6.1. INTRODUCCIÓN ...................................................................... 21
6.2. DESCRIPCIÓN Y BÁSICA…..…………………………………………………………………….21
6.3.POLARIZACIÓN ....................................................................... 22
6.4. TENSIONES Y CORRIENTES D E L T R A N S I S T O R B I P O L A R . T I P O S . ..................... 24
6.5.. FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR EN CONMUTACION. .................................... 26
7. CELULAS SOLARES ................................................................... 26
8. CIRCUITOS INTEGRADOS. CHIPS……………………………………………………………………31
9. CIRCUITOS IMPRESOS…………………………………………………….…………………………32
10. SOFTWARE ASISTIDO POR ORDENADOR CROCODILE………………………………………….…..33
ELECTRÓNICA DEPARTAMENTO DE TECNOLOGÍAS

1. INTRODUCCIÓN A LA ELECTRÓNICA
La electrónica,
electrónica es una rama de la física y, fundamentalmente una especialización de la
ingeniería, que estudia y emplea sistemas cuyo funcionamiento se basa en la conducción y el
control del flujo microscópico de los electrones u otras partículas cargadas eléctricamente.

En una idea más intuitiva de la electrónica podríamos enunciar que los dispositivos
electrónicos se ocupan de convertir la información procedente del mundo exterior (luz, sonidos,
cambios de temperatura, presión etc..) en señales eléctricas, procesar esta información y
convertirla en otro tipo de energía que produce un cierto efecto (activar un timbre, hacer
vibrar un altavoz, iluminar una pantalla, cambiar de canal el televisor, convertir una señal
radio eléctrica en imágenes y sonido etc..).

En esta unidad didáctica se pretende abordar el estudio de los componentes electrónicos


básicos: resistencias, condensadores, diodos y transistores, en sus aspectos esenciales,
analizando su comportamiento y utilidades en diversos circuitos, algunos de los cuales se
montarán y ensayarán como prácticas en el aula taller. Repasemos las Leyes de Kirchoff:

VIDEO DE LAS LEYES DE KIRCH


KIRCHOFF
CHOFF (3 minutos)
http://www.youtube.com/watch?v=W3nK1Pf_Bh0&feature=related

2. RESISTENCIAS.
Las resistencias son unos elementos eléctricos cuya misión es dificultar el paso de la
corriente eléctrica a través de ellas. Su característica principal es su resistencia óhmica
aunque tienen otra no menos importante que es la potencia máxima que pueden disipar. Ésta
última depende principalmente de la construcción física del elemento.

Como ya es sabido el valor de una resistencia se mide en ohmios (Ω) . Es muy usual la
utilización de los múltiplos: el kiloóhmio (1KΩ=103 Ω) y el Megaóhmio (1MΩ=106Ω). En el
argot electrónico cuando los valores óhmicos vienen dados en kΩ y MΩ se suele utilizar una
anotación que atiende a la siguiente regla:

• Para resistencias mayores de 100 Ω y menores de 1 MΩ, se coloca una K delante de la


posición de las centenas de su valor óhmico. De este modo, una resistencia de 2300 Ω, se
suele expresar como 2K3 y, si nos indican que el valor es de 14K5, habremos de entender que
su valor óhmico nominal es de 14500 Ω.
• Para resistencias con valores óhmicos superiores a 1MΩ, la regla es la misma que en el
punto anterior, pero en este caso la M se coloca delante de la posición de la centenas de
millar .Ejemplos: Una resistencia de 2M3 equivale a 2.300.000 Ω, si su valor fuera de
34.456.000 Ω, abreviadamente se indicaría 34M456

El valor resistivo puede ser fijo o variable. En el primer caso hablamos de resistencias
comunes o fijas y en el segundo de resistencias variables, ajustables, potenciómetros,
reóstatos y resistencias dependientes de ciertas magnitudes físicas (temperatura, luz etc..).

2.1. RESISTENCIAS FIJAS.


Las resistencias fijas pueden clasificarse en dos grupos, de acuerdo con el material con
el que están constituidas: "resistencias de hilo", solamente para potencias superiores a 2 W, y
"resistencias químicas" para, en general, potencias inferiores a 2 W.

2.1.1. Resistencias de hilo o bobinadas


bobinadas
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Generalmente están constituidas por un soporte de material aislante y resistente a la


temperatura (cerámica, esteatita, mica, etc.), alrededor del cual, está la resistencia
propiamente dicha, constituida por un hilo cuya sección
y resistividad depende de la potencia y de la
resistencia deseada. En los extremos del soporte hay
fijados dos anillos metálicos sujetos con un tornillo o
remache cuya misión, además de fijar en él el hilo de la
resistencia, consiste en permitir la conexión.

Por lo general, una vez construidas, se recubren


de un barniz especial que se somete a un proceso de
vitrificación a alta temperatura con el objeto de
proteger el hilo y evitar que las diversas espiras hagan contacto entre sí. Sobre este barniz
suelen marcarse con serigrafía los valores en ohmios y en vatios, tal como se observa en esta
figura. En ella vemos una resistencia de 250 Ω, que puede disipar una potencia máxima de 10
vatios.

Aquí vemos el aspecto exterior y estructura constructiva de las resistencias


de alta disipación (gran potencia). Pueden soportar corrientes relativamente
elevadas y están protegidas con una capa de esmalte.
A. hilo de conexión
B. soporte cerámico
C. arrollamiento
D. recubrimiento de esmalte.

2.1.2. Resistencias químicas.


químicas.
Las resistencias de hilo de valor óhmico elevado
necesitarían una cantidad de hilo tan grande que en la
práctica resultarían muy voluminosas. Las resistencias de
este tipo se realizan de forma más sencilla y económica
empleando, en lugar de hilo, carbón pulverizado mezclado
con sustancias aglomerantes.

La relación entre la cantidad de carbón y la


sustancia aglomerante determina la resistividad por
centímetro, por lo que es posible fabricar resistencias
de diversos valores. Existen 3 tipos: De película de
carbón y de película metálica.
metálica Normalmente están constituidas por un soporte cilíndrico
aislante (de porcelana u otro material análogo) sobre el cual se deposita una capa de material
resistivo.

En las resistencias, además del valor óhmico que se expresa mediante un código de
colores, existe una franja, que determina la precisión de su valor, o sea la tolerancia.

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En la imagen de arriba vemos resistencias de película de carbón de diferentes potencias


(y tamaños) comparadas a una moneda. De izquierda a derecha, las potencias son de 1/8, ¼, ½,
1 y 2 W, respectivamente.(P= V*I). En ellas se observan las diferentes bandas de color que
representan su valor óhmico. Aquí abajo vemos unos ejemplos de resistencias de película de
carbón y de película metálica, donde se muestra su aspecto constructivo y su aspecto exterior:

2.1.3. Código de colores de las resistencias.


Las resistencias llevan grabadas sobre su cuerpo unas bandas de color que nos permiten
identificar el valor óhmico que éstas poseen. Esto es cierto para resistencias de potencia
pequeña (menor de 2 W.), ya que las de potencia mayor generalmente llevan su valor impreso con
números sobre su cuerpo.

El número que corresponde al primer color indica la primera cifra significativa, el


segundo color la segunda cifra y el tercer color indica el número de ceros que siguen a la
cifra obtenida, con lo que se tiene el valor efectivo de la resistencia. El cuarto anillo, o su
ausencia, indica la tolerancia.

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Los colores amarillo-


amarillo-violeta-
violeta-naranja-
naranja-oro , de forma que según la tabla podríamos decir
que tiene un valor de: 4-7-3ceros,
3ceros con una tolerancia del 5%, o sea, 47000 Ω ó 47 KΩ.KΩ La
tolerancia indica que el valor real estará entre 44650 Ω y 49350 Ω (47 KΩ±5%).
KΩ±5%)

2.2
2.2 RESISTENCIAS VARIABLE O AJUSTABLES (POTENCIÓMETROS)
Estos componentes son resistencias que pueden variar su
valor óhmico dentro de unos límites y en función del desplazamiento
de un contacto móvil. Por ello, estos elementos tienen un tercer
terminal, que unido al contacto móvil, permite obtener valores
resistivos variables en función de su posición. Este tercer
terminal suele tener, normalmente, un desplazamiento angular
(giratorio), aunque también hay resistencias variables con
1 2
desplazamientos lineales.

Se conoce como valor nominal de una resistencia variable, al


3
valor óhmico que existe entre los dos terminales unidos a contactos
fijos, este valor suele venir impreso en el costado del componente.

Observando la figura, el Ohmetro 3, estaría midiendo el valor


nominal o asignado de la resistencia variable (conexión entre los dos
terminales fijos de la resistencia).
El Óhmetro 1 mide la resistencia entre el contacto móvil, llamado
cursor, y uno de los contactos fijos, de esta forma a medida que el
contacto móvil se desplace en el sentido de las agujas del reloj, la
medida de Óhmetro 1 irá aumentando, por el contrario, la lectura del
Óhmetro 2 irá disminuyendo conforme se eleva la del Óhmetro 1. Si en
cualquier posición del cursor, se suman las lecturas de los Óhmetros 1 y
2, su valor será igual al nominal de la resistencia. Puesto que las
resistencias carecen de polaridad, es indistinto, que punta de prueba
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del polímetro (roja o negra), se conecte a los dos terminales de la resistencia entre los que
se efectúa la lectura.

Para el desplazamiento del cursor, las resistencias variables suelen tener una ranura en
la que se puede introducir un destornillador pequeño para el giro del cursor.

2.3.RESISTENCIAS
2.3.RESISTENCIASESPECIALES
RESISTENCIASESPECIALES SENSIBLES AL CALOR, A LA LUZ Y A
LA TENSIÓN. RESISTENCIAS TÉRMICAS NTC, PTC, LDR Y VDR.

2.3.1.Resistencias NTC (Coeficiente Negativo de Temperatura) y PTC (Coeficiente


Positivo de Temperatura). La resistencia NTC tiene la particularidad de disminuir la
resistencia interna al aumentar su temperatura. También se llaman
termistores. Pueden tener muchas aplicaciones entre las que podríamos
destacar:

· La medida de temperatura en motores y máquinas.


· Termostatos.
· Alarmas contra calentamientos.
· Compensación de circuitos eléctricos.
· etc. La resistencia PTC aumenta la resistencia interna al aumentar la
temperatura. Suelen utilizarse para protección de circuitos electrónicos.
2.3.2. Resistencias LDR (Resistencia Dependiente de la Luz)
Ciertos materiales como el Selenio varían sus propiedades conductoras
cuando varía la intensidad de luz que incide sobre ellos. Este efecto se denomina
fotoconductividad. Si construimos un circuito eléctrico
formado por una pila, un amperímetro y un trozo de
Selenio y hacemos incidir un fuerte rayo de luz sobre el
Selenio, veremos que el amperímetro marca mayor paso de
corriente.

Las resistencias LDR, también llamadas


fotorresistencias, tienen aplicaciones entre las que destacan puertas automáticas de
ascensores, control del alumbrado público, alarmas, máquinas detectoras de luz (visión
artificial), etc.

VIDEO DE FUNCIONAMIENTO DE LA RESISTENCIA LDR

http://www.youtube.com/watch?v=BOkQ9vFjHHE&feature=related

2.3.3. Resistencias VDR


VDR (Resistencias Dependientes de la
Tensión):
Tensión): Este tipo de resistencia disminuye el valor óhmico al
aumentar el voltaje eléctrico entre sus extremos.

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3. CONFENSADORES
3.1. INTRODUCCIÓN
Básicamente un condensador es un dispositivo
capaz de almacenar energía en forma de campo
eléctrico. Está formado por dos armaduras metálicas
paralelas (generalmente de aluminio) separadas por un
material dieléctrico. Tiene una serie de
características tales como capacidad,
capacidad tensión de
trabajo,
trabajo tolerancia y polaridad,
polaridad que deberemos aprender
a_distinguir.
En la figura de la derecha vemos esquematizado un
condensador, con las dos láminas (también se llaman
placas o armaduras), y el dieléctrico entre ellas. En la versión más sencilla del condensador,
no se pone nada entre las armaduras y se las deja con una cierta separación, en cuyo caso se
dice que el dieléctrico es el aire.

• Capacidad:
apacidad Se mide en Faradios (F F), aunque esta unidad resulta tan grande que se suelen
-6
utilizar varios de los submúltiplos, tales como microfaradios (µF µF=10
µF F ), nanofaradios
-9 -12
(nF
nF=10
nF F) y picofaradios (pF
pF=10
pF F).
• Tensión de trabajo:
trabajo Es la máxima tensión que puede aguantar un condensador, que depende
del tipo y grosor del dieléctrico con que esté fabricado. Si se supera dicha tensión, el
condensador puede perforarse (quedar cortocircuitado) y/o explotar. En este sentido hay
que tener cuidado al elegir un condensador, de forma que nunca trabaje a una tensión
superior a la máxima.
• Tolerancia:
Tolerancia Igual que en las resistencias, se refiere al error máximo que puede existir
entre la capacidad real del condensador y la capacidad indicada sobre su cuerpo.
• Polaridad:
Polaridad Los condensadores electrolíticos y en general los de capacidad superior a 1
µF tienen polaridad, eso es, que se les debe aplicar la tensión prestando atención a sus
terminales positivo y negativo. Al contrario que los inferiores a 1µF, a los que se
puede aplicar tensión en cualquier sentido, los que tienen polaridad pueden explotar en
caso de ser ésta la incorrecta.

3.2.. FUNCIONAMIENTO DEL CONDENSADOR


Un condensador se carga de electricidad según los
A B siguientes fundamentos. Si conectamos las armaduras de un
condensador como se indica en la figura, los electrones del
polo negativo de la pila se dirigirán hacia la armadura A,
cargándola negativamente. Por otro lado, los electrones de
la armadura B se dirigirán al polo positivo de la pila, de
este modo podemos considerar que la armadura B queda cargada
positivamente al tener defecto de electrones. De este modo,
se tienen dos placas cargadas con cargas eléctricas de signo
contrario que forman lo que se denomina un campo eléctrico.
Estas cargas eléctricas de signo contrario, al estar
separadas por un dieléctrico muy fino se atraen entre ellas, tanto más, cuanto más delgado sea
el dieléctrico.

Una vez cargado el condensador, si se desconecta de la fuente de energía eléctrica, la


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acumulación de cargas se mantiene gracias a que sigue existiendo la fuerza de atracción entre
las armaduras cargadas debido a la diferencia de potencial.

¿Qué ocurrirá si una vez cargado el condensador le aplicamos una tensión mayor?. Al aumentar
la tensión aplicada, aumenta las fuerzas de atracción entre las cargas de las armaduras, y por
tanto, aparece una nueva corriente que carga el condensador hasta alcanzar la nueva tensión
aplicada.
¿Qué ocurre si conectamos un condensador en serie en un circuito de corriente
continua?. En un circuito serie sólo existe una corriente eléctrica mientras se carga el
condensador, por lo que una vez que se termina la carga se interrumpe el circuito. A todos los
efectos, es como si el condensador no dejara pasar la corriente continua.

¿Qué ocurre si conectamos un condensador en serie en un circuito de corriente alterna?.


El condensador se carga mientras aumente la tensión entre sus placas, y se descarga cuando la
tensión acumulada es superior a la aplicada. Con lo cual en c.a el condensador se carga y se
descarga en cada mitad de ciclo, haciendo fluir por el circuito corriente en todo momento. En
conclusión, un condensador sí permite el paso de corriente alterna, aunque produce una
distorsión o desfase entre la corriente y la tensión que no son objeto de estudio este curso.

Se denomina capacidad de un condensador: Q=C*V V= Q/C C= Q/V

• Q = Cantidad de carga almacenada por el condensador en Culombios [C]


• C = Capacidad del condensador en Faradios [F]
• V = Tensión entre sus armaduras en Voltios [V]

La expresión matemática que relaciona la capacidad con sus características contractivas es:
ε S
C= *
4 * π * 9 * 10 9
d
donde:
C = Capacidad del condensador en Faradios [F]
S = Superficie de las armaduras en m2
d = Espesor del dieléctrico en m
ε = Constante dieléctrica del tipo de dieléctrico aplicado (aire=1, poliéster=3, porcelana 4,5 a 6, vidrio de 5 a 10,
baquelita de 5,6 a 8,5 papel de 2 a 3, 8 etc…)

VEAMOS UN VIDEO DE CONDENSADORES EXPLICATIVO (3 min)


http://www.youtube.com/watch?v=h2t-
http://www.youtube.com/watch?v=h2t-KPEbFN8&feature=related

3.3
3.3.TIPOS DE CONDENSADORES
Se muestran seguidamente distintos tipos de los condensadores de los más
típicos. Todos ellos están comparados en tamaño a una moneda de diámetro
similar a una de 20 céntimos de €.

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1. Electrolíticos. Tienen el dieléctrico


formado por papel impregnado en
electrólito. Siempre tienen
polaridad, y una capacidad superior
a 1 µF. Arriba observamos claramente
que el condensador nº 1 es de 2200
µF, con una tensión máxima de
trabajo de 25v. (Inscripción: 2200 µ
/ 25 V). Abajo a la izquierda vemos
un esquema de este tipo de condensadores y a la
derecha vemos unos ejemplos de condensadores electrolíticos .

2. Electrolíticos
Electrolíticos de tántalo o de gota. Su forma de gota les da
muchas veces ese nombre.
3. De poliester metalizado
4. De poliéster.
poliéster

5. De poliéster tubular.
tubular
6. Cerámico "de lenteja" o "de disco".
disco"
7. Cerámico "de tubo.
tubo

3.4
3.4..Ejemplos de Identificación con Condensadores

0,047 J 630
403
C=47 nF 5%
C=40 nF
V=630 V.

0,068 J 250
47p
C=68 nF 5%
C=47 pF
V=250 V.

22J 2200
C=22 pF 5% C=2.2 nF

10K +/-
+/-10% 400 V 3300/10 400 V
C=10 nF 10% C=3.3 nF 10%
V=400 V V=400 V.

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amarillo-
amarillo-violeta-
violeta- 330K 250V
naranja-
naranja-negro C=0.33 µF
C=47 nF 20% V=250 V.

0,1 J 250
n47
n47 J
C=0.1 µF 5%
C=470 pF 5%
V=250 V.

verde-
verde-azul-
azul-naranja-
naranja-
µ1 250
negro-
negro-rojo
C=0.1 µF
C=56 nF 20%
V=250 V.
V=250 V.

22K 250 V
n15 K
C=22 nF
C=150 pF 10%
V=250 V.

azul-
azul-gris-
gris-rojo y
marron-
marron-negro-
negro-naranja amarillo-
amarillo-violeta-
violeta-rojo
C1=8.2 nF C=4.7 nF
C2=10 nF

amarillo-
amarillo-violeta-
violeta-rojo,
rojo, rojo-
rojo-
negro-
negro-marrón y amarillo-
amarillo-
.02µF 50V
violeta-
violeta-marrón
C=20 nF
C1=4.7 nF
V=50 V.
C2=200 pF
C3=470 pF

3.5. ACOPLAMIENTO DE CONDENSADORES


CONDENSADORES
3.5.1. Acoplamiento de condensadores en serie
Como sabemos, decimos que dos o más receptores están conectados en serie, cuando pasa la
misma corriente a través de ello.
C1 C2 C3 C4

U1 U2 U3 U4
U

U = U1 + U 2 + U 3 + U 4

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Al tratarse de un circuito serie, la


Q Q Q Q
intensidad tiene que ser la misma en todos sus U1 = ; U2 = ; U3 = ; U4 =
puntos, y por tanto, la carga (Q) será la misma C1 C2 C3 C4
en todos los condensadores ( Según la ley de sustituyen do en la expresión anterior :
Coulomb Q=I*t). La tensión total es la suma de
Q Q Q Q Q
las tensiones parciales de los condensadores: = + + +
C C1 C 2 C 3 C 4
despejando :
1
C=
1 1 1 1
+ + +
C1 C 2 C 3 C 4
3.5.2.
3.5.2. Acoplamiento de condensadores en paralelo
Acoplar en paralelo es unir a un punto común las entradas de los condensadores y a otro,
distinto del anterior, todas las salidas o finales de los mismos.
En este caso, la carga es función de la capacidad de cada uno de los condensadores, y la
carga torta es la suma de las cargas parciales. Tendremos por lo tanto:

I1 C1

I2 C2

I3 C3

I4 C4

Q = Q1 + Q 2 + Q 3 + Q 4
C * U = C1 * U + C 2 * U + C 3 * U + C 4 * U
C = C1 + C 2 + C 3 + C 4

En definitiva, la capacidad total de varios condensadores conectados en paralelo, es


igual a la suma de las capacidades de cada uno de ellos.

4.-
4.-SEMICONDUCTORES
4.1. INTRODUCCIÓN
Los semiconductores son materiales que en condiciones normales no conducen la corriente
eléctrica, pero se convierten en conductores al cambiar estas condiciones con la aplicación de
una fuente de energía eléctrica, térmica o luminosa, o mediante su dopado (adición a los
semiconductores de otros materiales como el arsénico, antimonio, etc.). Los materiales
semiconductores más utilizados son el Germanio y sobre todo el Silicio.

Según el tipo de materiales que se utilice en el dopado, podemos obtener dos tipos de
cristales semiconductores:
• Semiconductores tipo P
• Semiconductores tipo N
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Los efectos producidos por estos materiales y la unión de dos o más cristales de tipo P
y N han generado la aparición de un gran número de componentes semiconductores, como son el
DIODO, el TRANSISTOR,
TRANSISTOR el TIRISTOR,
TIRISTOR las resistencias sensibles a la luz, temperatura y tensión
(LDR,
LDR, NTC, PTC y VDR),
VDR), las células solares fotovoltaicas, etc..

El estudio de las propiedades eléctricas de los semiconductores lo realizaron Faraday y


Becquerel, a mediados del siglo pasado, pero su aplicación práctica es mucho más reciente,
remontándose a 1923, año en que Schotlky publicó sus estudios sobre la rectificación, si bien
hasta 1948 no se consigue el empleo de los semiconductores en amplificación; en este año
Brattain y Bardeen descubren el transistor de puntas de contacto, y es a partir de esta fecha
cuando se desarrollan un sinfín de componentes, basados en las mismas propiedades, las de los
semiconductores.

4.2. MATERIALES SEMICONDUCTORES


Desde el punto de vista eléctrico los materiales los podemos clasificar en:
 Aislantes
 Semiconductores
 Conductores.

Materiales aislantes: son aquellos que no permiten el


paso de la corriente eléctrica.

Materiales conductores:
conductores son aquellos que
dejan pasar la corriente eléctrica con
mucha facilidad.

Materiales semiconductores: podríamos decir


que son aquellos que se encuentran entre
los dos anteriores, sólo conducen en determinadas condiciones.
Las propiedades más importantes de estos materiales son tres:
 Su estructura
 Su resistividad.
 La conductividad eléctrica varía
con la temperatura.

4.2.1. Estructura atómica de los semiconductores.

Se caracterizan por tener cuatro electrones de


valencia. Ejemplos típicos de semiconductores serian el
Germanio y el Silicio (siendo éste el semiconductor mas
utilizado en la actualidad) cuyas estructuras atómicas se
muestran a continuación.

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Los átomos por ejemplo de Silicio se combinan entre si mediante una estructura
ordenada llamada cristal covalente. Cada átomo de Si “comparte” su electrones de
valencia (cuatro) con los átomos de silicio vecinos mediante enlaces covalentes, de tal
modo que cada átomo tiene de esta forma ocho electrones en la orbita de valencia. Estos
electrones llamados ligados están fuertemente unidos en los átomos. Es por ello que un
cristal de silicio es casi un aislante perfecto a
temperatura ambiente.

Estructura cristalina del silicio


4.2.2. Conducción en los
los semiconductores
Como se ha mencionado anteriormente, los electrones
en los semiconductores están compartidos mediante enlaces
covalentes, por tanto, rara vez podrán utilizarse para la
conducción, lo que se traducirá en el hecho de que su
resistividad será mayor que la de los conductores. En
consecuencia, los materiales semiconductores dificultan el
paso de la corriente eléctrica.

Efecto de la temperatura en la conducción


A -273,15 ºC, o sea, a 0º Kelvin, la formación reenlaces covalentes es perfecta y la
estrucutura es completamente estable y aislante, pero a medida que la temperatura se eleva
aumenta la agitación desordenada de los electrones y, algunos de ellos salen de su órbita
rompiendo el enlace covalente. Al electrón desprendido se le conoce como electrón libre. Este
electrón que ha “escapado” de la orbita de valencia deja un vacío (una ausencia de carga)
que denominaremos a partir de ahora como hueco.
Para nosotros el hueco se comporta como si fuera
“una carga positiva” en el sentido de que atraerá
y capturará cualquier electrón vecino.
Se entenderá perfectamente que si la
temperatura ambiente en la que se encuentra un
semiconductor se eleva, aumentará la vibración de
los átomos, originándose un mayor número de pares
“electrón-hueco”.

También puede ocurrir que un electrón libre


se aproxime a un hueco, el cual lo atraerá y caerá
hacia él, volviendo entonces a ser un electrón
ligado (en el enlace covalente) y desapareciendo el
hueco. A este fenómeno se le denomina
“recombinación”.

Este fenómeno del aumento de la producción de pares electrón libre-hueco con la


I.E.S. ANDRÉS DE VANDELVIRA 12 TECNOLOGÍA 3º ESO
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temperatura se podría concretar diciendo que los materiales semiconductores Intrínsecos (es
decir los puros, Si o Ge) disminuyen su resistencia con la temperatura, al contrario que los
metales. VIDEO DE SEMICONDUCTORES
http://www.youtube.com/watch?v=rm8V7aBWvXM&feature=related (6 minutos)
4.3. CLASES DE SEMICONDUCTORES
4.3.1.Semiconductor intrínseco
A un semiconductor puro se le denomina semiconductor intrínseco. Un cristal de Si es un
semiconductor intrínseco si cada átomo del cristal es un átomo de silicio (es decir no hay
átomos de otros elementos).

4.3.2. Semiconductor extrínseco


¿Se puede aumentar la conductividad de un semiconductor?. La respuesta es sí; la forma:
añadiendo átomos de “impurezas” (es decir, de átomos distintos al del semiconductor) al
semiconductor intrínseco. A esta técnica se le denomina “dopado”. Por tanto, un
semiconductor dopado recibe el nombre de semiconductor extrínseco. Ahora bien, un semiconductor
se puede dopar para que tenga un exceso de electrones libres o un exceso de huecos.

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¿Qué ocurre cuando ponemos en contacto un cristal de semiconductor tipo P con uno tipo N?.
OTRO VIDEO DE SEMINCONDUCTORES EXPLICATIVO
http://www.youtube.com/watch?v=4WK8l8vlAxY
5. DIODO SEMICONDUCTOR
5.1 DEFINICION
El diodo semiconductor es un elemento que sólo deja pasar la corriente eléctrica en un
sentido (y diremos entonces que esta en conducción directa o polarizado en directa). En sentido
contrario sólo circularán una corriente muy débil (y por tanto despreciable) de unos pocos
portadores minoritarios (y diremos entonces que esta en conducción inversa o polarizado en
inversa).

5.2.-
.2.-UNION PN
PN
Un semiconductor tipo N se obtenía
añadiéndole átomos pentavalentes, produciéndose
electrones libres.
Un semiconductor tipo P se obtenía
añadiéndole átomos trivalentes, produciéndose
huecos.
Si colocamos un semiconductor de tipo P
junto a otro de tipo N, se produce el fenómeno de difusión, por el cual, los electrones de la
parte N, con alta concentración de los mismos, tienden a dirigirse a la zona P, que apenas
tiene, sucediendo lo contrario con los huecos, que tratan de dirigirse de la zona P a la N

Esta estructura recibe el nombre de DIODO DE UNION O DIODO SEMICONDUCTOR

Al encontrarse el electrón con un hueco, desaparece el electrón libre, que pasa a ocupar
el lugar del hueco, y por tanto también desaparece este último, formándose en dicha zona de
unión una estructura estable y neutra.

Aunque la explicación de cómo


se forma esta zona sin portadores es
mucho más compleja, hemos de entender
que se ha formado una especie de
barrera de potencial, la cual habría
que superar para que volviera a haber circulación de portadores a través de ella.
Por ejemplo, a 25ºC la barrera de potencial es aproximadamente de 0,3 V para diodos de
Germanio y de 0,7 V para diodos de Silicio. Dicho de otro modo necesitaríamos aplicarle al
diodo de Silicio, por ejemplo, una tensión entre sus bornes superior a 0,7 V para que empezará
a conducir.

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5.3. SÍMBOLO Y POLARIZACIÓN DE UN DIODO.


El símbolo del diodo rectificador es el que se indica en la siguiente figura. Para
identificar los terminales en el componente real se suele hacer una franja al diodo en el lado
del cátodo. El terminal A es el que nos indica el ánodo, y el terminal K, identifica al
cátodo.

Como ya se ha indicado, el diodo semiconductor, se puede definir como un componente


electrónico que permite el paso de corriente eléctrica en un solo sentido, si su polarización
es la adecuada. De está forma se dice que un diodo está polarizado directa o inversamente.

POLARIZACIÓN DIRECTA  Polarización directa.-


directa.- Un diodo
está polarizado directamente
A K cuando el potencial del ánodo es
más positivo que el del cátodo,
en este caso, el diodo se
comporta como un “interruptor
- cerrado” permitiendo el paso de
+

la corriente eléctrica, sin


apenas, oponer resistencia.

POLARIZACIÓN INVERSA
 Polarización inversa.-
inversa. Un diodo está La bombilla está apagada

polarizado inversamente cuando el A K


potencial del ánodo es negativo
respecto al del cátodo. El diodo
polarizado inversamente se comporta
como un “interruptor abierto”. -
+

Veamos unos ejemplos de polarización del


diodo:

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El diodo no empieza a conducir (a dejar pasar corriente) hasta que no aplicamos en sus bornes una
tensión superior a un cierto valor, y que en el caso de los diodos de Silicio es de 0,7 voltios. A este
valor, se le denomina “barrera
barrera de potencial”
potencial o “tensión
tensión umbral”
umbral (Vγ). Una vez se ha superado esa
tensión, observa que con poca tensión que aumentes, la corriente que se obtiene es muy grande, o sea no
ofrece prácticamente resistencia y se convierte en un conductor casi perfecto.

En la zona inversa, puedes observar, que la corriente es despreciable hasta un determinado valor de
tensión, a partir de la cual el diodo se daña.

De las conclusiones anteriores, podríamos resumirlas del siguiente modo y tal como nosotros vamos
a trabajar con los diodos:

 Un diodo polarizado en directa conduce si le aplicamos una tensión superior a la tensión


umbral (o barrera de potencial) y entonces se convierte en un “interruptor cerrado”.
 Un diodo polarizado en inversa no conduce y como un “interruptor abierto”

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5.4.
5.4.COMPROBACIÓN DE DIODOS

La forma más sencilla de comprobar el correcto estado de un diodo es mediante el polímetro. El


procedimiento de operativo es el siguiente:
1.- Conectamos la punta de prueba de color negro al terminal marcado como COM en el polímetro.
2.- Conectamos la punta de prueba roja al terminal que indique el símbolo Ω en el polímetro.
.
3.- Seleccionamos con el conmutador del polímetro la posición de comprobación de diodos, la cual, se
indica con el símbolo del diodo.
4.- Conectamos la punta de prueba roja al ánodo del diodo y la punta de prueba negra
al cátodo del diodo. En esta posición el diodo está polarizado directamente y en el
polímetro se debe apreciar unas lecturas entre 300 y 900 Ω
5.- Cambiamos la posición de las puntas de prueba respecto a la conexión del
apartado anterior, y la resistencia que debe marcar el polímetro debe ser infinita
(recuerda que el polímetro marca resistencia infinita, o por encima del valor final
de escala seleccionado, mostrando un 1 en la parte izquierda del display).

Si en la conexión de los apartados 4 o 5


anteriores dieran lecturas distintas a las indicadas, el
SIMBOLODEL
SIMBOLO DELDIODO
DIODOLED
LED
diodo no funciona, y por tanto, habrá que cambiarlo por
otro.

5.5.TIPOS
5.5.TIPOS DE DIODOS
P N En el mercado existen varios tipos de diodos, entre
ANODO los más comunes están: Los diodos rectificadores, los diodos
+ - CATODO
LED (Light emisor diode), los, los Schottky, los Zener,
Varicap etc…
En este tema, sólo estudiaremos los dos primeros en
sus características y particularidades fundamentales, sin
profundizar en su estudio teórico, el cual, supera ampliamente el nivel académico de este curso.
5.5.1.
5.5.1. Diodos LED
Se denominan Diodos Emisores de Luz, los cuales por medio de un proceso
conocido como electroluminiscencia transforma la energía eléctrica en luminosa.
Los LED han sustituido en muchas aplicaciones
a las lámparas de incandescencia debido a su baja
tensión, la gran rapidez de conmutación y su larga
vida. Para fabricarlos se emplean elementos como el
arsénico, el fósforo y el galio, con los que se pueden obtener LED que
radien luz roja, verde, amarilla, azul, naranja o infrarroja (invisible).
¿Dónde se emplean?. Seguramente te habrás fijado en equipos de música que
llevan unos pequeños pilotos de color verde, rojo etc, los cuales suelen
utilizarse como indicadores de que el aparato se encuentra encendido. Estos
pilotos son LED. Los LED de luz infrarrojos suelen utilizarse para
aplicaciones en sistemas de alarma.
VIDEO DE DIODOS LED, DEMOSTRACIÓN ( 1 minuto)
http://www.youtube.com/watch?v=_SO1J1kP3YQ&feature=related

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El símbolo del diodo LED es igual al diodo semiconductor al que se añaden unas flechas que salen
del triángulo y que simbolizan la luz radiada.

Cómo ya se ha comentado, es importante conectar (o polarizar) correctamente un diodo (ya sea un


LED o de cualquier otro tipo); para ello es necesario aprender a identificar sus terminales (ánodo y
cátodo).

Un LED, normalmente lleva un chaflán que coincide en la patilla más corta, indicándonos que es el
cátodo y que debe conectarse al polo negativo. La patilla más larga es el ánodo y es la que debe
conectarse al polo positivo.
Con relación a sus características eléctricas los LED admiten entre sus terminales una
tensión comprendida entre 1,5 a 2 V, y aproximadamente una intensidad máxima de 30 mA.

Dicho en otras palabras, un diodo LED no lo puedes conectar a una tensión superior a 2 V, pues
corres el riesgo de “fundirlo”. Y sin embargo suele ser muy habitual utilizar en el aula-taller pilas
de 4,5 V. ¿Cómo podemos solucionar este problema?. La solución estriba en intercalar en serie con el
diodo LED una resistencia de un valor óhmico tal que nos produzca una caída de tensión en ella, que
provoque que el diodo se encuentre a 2 Voltios como máximo; de este modo se limita la corriente que
circula por el LED, y evitando así posibles sobrecargas. Normalmente los valores nominales de los diodos
suelen venir dadas por el fabricante de dichos componentes.

5.5.2.
5.5.2. DIODOS RECTIFICADORES
Aprovechando la propiedad que este componente ofrece, al conducir la corriente en un el sentido
(ánodo-cátodo), se consiguen circuitos que permiten la conversión de la corriente alterna en corriente
continua, dando lugar a lo que se denominan rectificadores, lo que es sin duda, la aplicación más
importante de este componente electrónico.
Se puede asegurar que la totalidad de dispositivos electrónicos conectados a la red eléctrica
utilizan un circuito rectificador para la conversión de la corriente alterna en continua. Entre los más
comunes están: Ordenadores, Amplificadores, vídeo-reproductores, televisores etc...
5.5.2.1.
5.5.2.1.R
.2.1.Rectificador de media onda
V El
125/220 V
variación
circuito
variac
V V V V más
t
t t t t sencillo
que nos
permite
convertir
Red Transformador Rectificador Filtro Regulador una
corriente
alterna en
continua es el rectificador de media onda

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Rectificador de media

V
125/220
V
V

t t t

En el semiciclo
125/220 + positivo si hay
- corriente

En el semiciclo
125/220 + negativo no hay
corriente
-
Durante el semiciclo positivo de la corriente alterna, se observa que tenemos tensión
positiva en el ánodo y negativa en el cátodo, estando, por tanto, el diodo polarizado en
directa y por tanto conduce (es como un interruptor cerrado).
Durante el semiciclo negativo de la tensión que proporciona el transformador, tenemos
que el ánodo del diodo está puesto a tensión negativa mientras que el cátodo está puesto a
tensión positiva, es decir, está polarizado en inversa y se comporta como un interruptor
abierto. Por tanto no deja pasar corriente y en la resistencia no habrá tensión.

Como se observa, la señal (la forma de la onda) que se obtiene se denomina de media onda
porque los semiciclos negativos han sido eliminados, obteniéndose en la carga (resistencia)
una corriente en forma de pulsos senoidales positivos.

Cómo se puede observar, esta corriente todavía no puede considerarse continua, en el


aspecto de presentar un valor
prácticamente constante. Para intentar
conseguir la corriente continua se coloca
un condensador en paralelo con la carga
(R).
D
V

C R
t

E
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Este condensador actuará como un almacén de energía cargándose en la zona ascendente


(consideremos solo valores absolutos) de la curva, y cediendo esa energía a la carga en la
descendente.

5.5.
5.5.2.2.P
2.2.Puente rectificador A

En la siguiente figura se puede ver un D2


D1

circuito de rectificación de onda completa Vi

(no se elimina ninguna semionda, sino que


Vo
todas las semiondas obtenidas son ya B
D4 D3 R

positivas). A este circuito se le denomina


puente rectificador o de Graetz

Durante el semiciclo positivo (A positivo respecto a B) el paso de la corriente sigue el


camino D2, R, D4. Cuando cambia la polaridad
de Vi, el recorrido será D3, R , D1.

A fin de tener una onda continua sin tanto rizado (Tensión de pico a pico de la señal
rectificada) se añade un condensador.

D1 D2

D4 D3 R C

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6. EL TRANSISTOR BIPOLAR
BIPOLAR
6.1. INTRODUCCIÓN
De la misma forma que el diodo semiconductor significó un gran avance frente a
los componentes a los que sustituyó, el transistor (dispositivo semiconductor
también), no sólo amplía los campos de aplicación de la electrónica de su época sino
que supone el inicio de una evolución vertiginosa que, partiendo de los años
cincuenta, llega a los actuales circuitos integrados y microprocesadores y deja
adivinar la conversión de la ciencia ficción en realidad.

Como resumen de sus aplicaciones podemos decir, sin riesgo de error, que se
encuentra presente en todos los sistemas electrónicos discretos e integrados que
realicen cualquier tratamiento de señales.

6.2.. DESCRIPCION BASICA.


BASICA.
Es un dispositivo cuya resistencia puede variar en función de la señal de
entrada. Esta variación de resistencia provoca que sea capaz de regular la corriente
que circula por el circuito en que se encuentre conectado.

De dicho comportamiento como resistencia variable se deriva su nombre, del


inglés: TRANsfer-reSISTOR.
Un transistor de unión bipolar es un
cristal semiconductor en el que una zona tipo
P o N está entre medias de otras dos N o P. En
el primer caso el transistor es del tipo N-P-N
y en el segundo P-N-P.

El conjunto así formado se encierra


herméticamente en una cápsula metálica o de
plástico. Presenta exteriormente tres
terminales que parten de cada una de las regiones semiconductoras.

En la figura se representa la estructura y símbolo de cada tipo indicado:

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El emisor está fuertemente dopado y su misión es inyectar portadores en la


base. La base que está ligeramente impurificada es muy delgada (algunas micras);
siendo atravesada por la mayor parte de los portadores que abandonan el emisor y se
dirigen al colector.

El colector tiene una impurificación media y recoge los portadores liberados


por el emisor que no son recogidos por la base. Es mayor que ninguna de las otras
regiones y disipa más calor que ninguna.

De la misma forma que existen diodos de silicio y de germanio, también hay


transistores de ambos materiales. Mientras no se diga lo contrario, nosotros haremos
referencia siempre a los diodos de silicio que presentan las mismas ventajas que
presentaban los diodos de silicio frente a los de germanio. De igual forma nos
centraremos en el estudio del transistor NPN, extensivo a PNP, teniendo en cuenta
que en éstos los portadores mayoritarios son los huecos y ello implica el cambio de
sentido de las corrientes y de las polaridades de las tensiones.
6.3.POLARIZACIÓN
6.3.POLARIZACIÓN DEL TRANSISTOR

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1.-
1.- Funcionamiento en corte
2.-
2.- Funcionamiento en activa
3.-
3.- Funcionamiento en saturación

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VIDEO DE DETECTOR DE PRESENCIA http://www.youtube.com/watch?v=jxAYX3FCmvc&feature=related


http://www.youtube.com/watch?v=jxAYX3FCmvc&feature=related

6.4. TENSIONES Y CORRIENTES D E L T R A N S I S T O R B I P O L A R . P A R Á M E T R O S Y T I P O S D E T R A N S I T O R E S


En el transistor de la figura podemos apreciar los diferentes voltajes y
corrientes existentes en un transistor.
C
En adelante nos atendremos a los siguientes IC
convenios: VCB
• Las flechas de corriente indican el sentido
IB
convencional (del positivo a negativo) B VCE
• Las letras de tensiones y corrientes y sus
VBE
subíndices en mayúsculas son referidas a c.c y
minúsculas a c.a. IE
• Los subíndices en magnitudes referidas a E
transistores, indican el terminal o terminales a
que afectan.
• El mismo subíndice dos veces, representa el voltaje de la fuente que alimenta
ese terminal.
• Un tercer subíndice O indica que el terminal cuya inicial no está presente
está en circuito abierto (open).
• En el caso de dos subíndices se toma el primero como positivo.
• Un único subíndice en tensiones, representa el voltaje entre ese terminal y
masa.
EJEMPLOS:
VCE = Tensión de c.c entre colector y emisor.
IB = Intensidad de base en c.c.
Vcc = Tensión de alimentación de colector.
VBE = Tensión entre base y emisor.
La relación entre estas corrientes viene dada:

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IC
α=
IE
Valores usuales de α son de 0.95 a 0. 99, pero en cualquier caso α < 1

De la misma forma se observa que Ic>> IB y la relación entre ambas es el


parámetro "beta":
α β
β = α=
1−α β +1

Si consideramos las expresiones anteriores y despejamos:


α 
β = 
1−α IC IC

I  IE IE IC IC I
α= C  β = = = = = C
IE  I I E − IC I E − IC I B + IC − IC IB
1− C
I E = I B + IC  IE IE


I
β = C
IB
El parámetro beta se le denomina ganancia de corriente del transistor, y nos
indica el número de veces que la corriente del colector multiplica a la de la base.
Este parámetro suele presentarse también bajo la designación hfe o ganancia de
amplificación.
Por otra parte, las tensiones están relacionadas entre sí mediante la 2ª ley
de Kirchhoff, según: VCE = VCB + VBE

al igual que en las corrientes, esta relación también es constante.


En este curso utilizaremos fundamentalmente la configuración emisor común,
cuyas características son:
• Mínimo desnivel entre las impedancias de entrada y salida.
• Se consigue la máxima potencia de amplificación.
• Condiciones aceptables tanto en amplificación de corriente como en tensión.

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6.5.
6.5.CONMUTACION

6.5.1..INTRODUCCION
S e d i c e q u e u n t r a n s i s t o r t r a b a j a e n c o n mu t a c i ó n , c ua n d o l o s e s t a d o s d e op e r a c i ó n s on
e n c o n d uc c i ó n o e n c o r t e . D a d o q ue p a r a p a s a r d e l a z o n a d e c o n mu t a c i ó n a l a d e c o r t e s e
p a s a a t r a vé s d e l a r e gi ó n a c t i va , c o n ve n d r á h a c e r l o l o má s r á p i d a me n t e p o s i b l e .

6.5.2..DESCRIPCION BASICA.
P o d e mo s h a c e r u n a a n a l o gí a e n l o s t r a n s i s t o r e s t r a ba j a n d o
e n a c t i va , s a t u r a c i ó n y e n c o r t e a un i n t e r r up t or qu e t o ma l a s
p o s i c i o ne s de c e r r a d o y a b i e r t o r e s p e c t i va me n t e .

L a s l á mi n a s d e c o nt a c t o d e i nt e r r u pt o r s on e q ui va l e nt e s a l
c o l e c t or y a l e mi s o r , y l a p a l a n c a q u e pr o vo c a l a un i ó n de a mb a s
l á mi n a s e q u i va l e a l a b a s e . E s c o mo s i l a f u e r z a qu e u ne l os
c o n t a c t os e s l a s e ña l a p l i c a da a l a b a s e .

E s t e s í mi l s e r í a t ot a l me n t e c i e r t o e n e l c i r c u i t o de p a s o
I.E.S. ANDRÉS DE VANDELVIRA 26 TECNOLOGÍA 3º ESO
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c o l e c t or -e mi s o r , s i e l t r a ns i s t or p r e s e n t a r a V C E = 0 y e n c o r t e un a I c = 0 , l o c ua l s a b e mo s q u e
n o e s c i e r t o , p e r o e n l a ma yo r í a d e l o s c a s o s a mb a s ma gn i t u d e s s e p u e de n de s pr e c i a r y
c o n s i d e r a r e l t r a ns i s t o r c o mo u n i n t e r r u p t o r i de a l p a r a c . c . , ya q u e e l t r a n s i s t o r s ó l o d e j a
c i r c u l a r c or r i e nt e p or e l c i r c ui t o c o l e c t o r -e mi s o r e n e l s e nt i d o i mp u e s t o p o r l o s p or t a d or e s
ma yo r i t a r i os .

6. 5. 3.CÁLCULOS DEL TRANSISTOR EN CONMUTACIÓN

L a s i gu i e n t e f i gu r a mu e s t r a u n s e n c i l l o c i r c u i t o de p ol a r i z a c i ó n N P N e mp l e a n d o do s
b a t e r í a s V c c y V B B j un t o c on l a r e c t a d e c a r ga c o r r e s p on d i e n t e a d i c h o c i r c ui t o.

IC

Saturación
VCC
RC RCC

VCC
RB

S
VBB Recta de carga
Corte
VCC V
CIRCUITO DE POLARIZACIÓN

Cuando S está abierto la corriente de base es nula, luego el transistor permanece en


C O R T E , e s t o e q u i v a l e a d e c i r q u e Ic = 0 V C E = V c c , t a mb i é n c o m o e s l ó g i c o I B = 0

Vcc= VRc + VCE


V c c = R c . Ic + V C E C o m o Ic = 0 ,, Vcc = VCE

Cuando S está cerrado, suponiendo que VBB proporciona suficiente corriente a través
de RB el transistor está en activa o saturación, entonces:

VCC
IC = y VCE = VCE ( Sat )
RC

Es decir entre colector y emisor existe alguna décima de voltio.

L a s ú n i c a s c o n d i c i o n e s a c o n s i d e r a r p a r a e l t r a b a j o e n c o n m u t a c i ó n d e l c o mp o n e n t e
s e r á n o s o b r e p a s a r l a s e s p e c i f i c a c i o n e s m á x i m a s d e l c o mp o n e n t e .

Si consideramos la recta de carga del transistor, para asegurar que este permanezca en
corte, es necesario que la corriente de base sea nula; esto se consigue no aplicando tensión a
I.E.S. ANDRÉS DE VANDELVIRA 27 TECNOLOGÍA 3º ESO
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d i c h o c i r c u i t o o b i e n p o l a r i z a n d o i n v e r s a m e n t e e l d i o d o b a s e -e m i s o r , s i e mp r e q u e n o s e
sobrepase el valor máximo de VEBO presente en las especificaciones del transistor.

Para asegurar la permanencia del transistor en SATURACIÓN se debe suministrar


suficiente corriente de base, que mantenga la corriente de colector de saturación, esto es:
VBE > 0,7 V
VCE = 0,1-0,2 V, se puede considerar VCE = 0V

Ic = Vcc - VCE / Rc ,, Como VCE = 0V Ic = Vcc / Rc

I Csat V CC
IB = o bien IB =
Hfe Rc * Hfe

Esta situación se debe mantener en todas las condiciones de funcionamiento. Como es


s a b i d o , H f e n o e s c o n s t a n t e , p o r e j e mp l o , a 2 5 º C e s m e n o r q u e a 8 0 º C , p o r l o q u e s e d e b e r á
tomar Hfemín, que es la menor que asegura el fabricante para todos los transistores de la
misma serie y tipo, siendo entonces:
Vcc
IB =
Rc * Hfe

L a e c u a c i ó n a n t e r i o r a s e g u r a q u e e l t r a n s i s t o r p e r ma n e z c a e n s a t u r a c i ó n p e r o , s i l a
conmutación del transistor ha de ser provocada por una señal de frecuencia elevada, se
d e b e r á d e t r a t a r d e r e d u c i r a l m í n i m o l o s t i e mp o s d e c o n m u t a c i ó n .

E l t i e mp o d e c o n e x i ó n s e p u e d e r e d u c i r h a c i e n d o q u e :

I Csat
I B >>
Hfe min
A efectos de diseños prácticos se suelen seguir las dos tendencias siguientes:

I Csat
- IB = * 10
Hfe min

I.E.S. ANDRÉS DE VANDELVIRA 28 TECNOLOGÍA 3º ESO


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P o r o t r a p a r t e , e l t i e mp o d e d e s c o n e x i ó n s e p u e d e a c o r t a r a p l i c a n d o u n p o t e n c i a l
i n v e r s o a l a u n i ó n b a s e -e m i s o r c o n l o q u e e l t i e mp o d e a l m a c e n a m i e n t o q u e d a
considerablemente reducido.

Cuando el circuito de aplicación es activado por contactos de actuación mecánica (


N.C o N.A.), los retardos producidos por el transistor se pueden despreciar, ya que la
velocidad del transistor es muchísimo más rápida de la que pueda tener cualquier contacto
mecánico.

Para asegurar la condición de corte, basta por tanto con que IB s ea cero.
Para el trabajo en conmutación aplicaremos las siguientes ecuaciones:

+ VCC

RC

Vo
RB

Vi

a) Obtenemos IB
I Csat
IB = * 10 p a r a g a r a n t i z a r l a c o n d u c c i o n s e m u l t i mp l i c a IB p o r 1 0 .
Hfe min
b) Aplicamos la 2ª Ley de kirchoff al circuito obteniendo la ecuación:
Vi = V RB + V BE = RB . IB + VBE
c) Fijaremos para los transistores de silicio VBE = 0.7 V.

d) Finalmente obtenemos RB

V i − V BE
RB =
IB
= V i – 0 ,7 / IB

Es necesario pararse un momento y pensar que la potencia que un transistor necesita


en conmutación es mínima, pues trabajando en conmutación la VCE es pequeña
(aproximadamente 0,2 V), y por tanto el producto VCE * Ic se hace muy pequeño.

E n l o q u e r e s p e c t a a c o r t e a l s e r Ic = 0 , l a p o t e n c i a d e l t r a n s i s t o r s e r á c e r o .

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7. CÉLULAS SOLARES.
Consiste en un semiconductor con una unión PN que transforma la energía luminosa
en energía eléctrica. La luz provoca la rotura de algunos enlaces del
semiconductor, con lo que los electrones libres se mueven por difusión,
apareciendo una tensión entre los terminales. El valor de esta tensión depende de
la cantidad de iluminación recibida. Se utiliza en la alimentación de equipos
electrónicos, Generación de electricidad, etc.

El principio de funcionamiento es el siguiente: Los módulos fotovoltaicos funcionan por efecto


fotoeléctrico. Cada célula fotovoltaica
está formada por dos delgadas láminas de
silicio, positivo y negativo, separadas por
otra capa de material semiconductor, los
fotones chocan contra la superficie de la
capa positiva, y al chocar liberan
electrones de los átomos positivos, los
cuales, al estar en movimiento pasan por el
semiconductor, pero no pueden volver para
atrás, la capa negativa adquiere una
diferencia de potencial (tensión) respecto
la positiva, que se introduce en la instalación en concepto de intensidad.

CELULAS FOTOVOLTAICAS. PRINCIPIOS DE FUNCIONAMIENTO (4 min)


min)
http://www.youtube.com/watch?v=s1pMnr4qaag

INSTACION DOMESTICA SOLAR FOTOVOLTAICA (3,45 min)


http://www.youtube.com/watch?v=V5mR-
http://www.youtube.com/watch?v=V5mR-STBz2k&feature=related

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