Informe de laboratorio 2. Diodo rectificador.

Por: Ana Milena Prez Reyes. Cod.1032445193 19 Abril 2013

Universidad Antonio Nario. Laboratorio de ingeniera I. Bogot. 2013 I.

Informe de laboratorio 2. Diodo Rectificador.

Tabla de contenido.

1. 2. 3. 4.

INTRODUCCIN. .............................................................................................................. 1 1.1. Abstract. ................................................................................................................... 1 Planteamiento del problema. ......................................................................................... 2 Objetivo general. ............................................................................................................. 3 3.1 4.1 4.2 4.3 4.4 4.5 4.6 Objetivos especficos. .............................................................................................. 3 Identificacin de terminales del diodo. ................................................................... 4 Determinacin de caractersticas. ........................................................................... 5 Rectificador de media onda. .................................................................................... 8 Rectificador de onda completa. ............................................................................... 9 Rectificador puente. .............................................................................................. 11 Rectificador de media onda con generador. ......................................................... 12 Desarrollo de prcticas y resultados. .............................................................................. 4

5. 6. 7. 8.

Elementos y equipos de trabajo.................................................................................... 14 Conclusiones.................................................................................................................. 15 Referencias. ................................................................................................................... 17 Cuestionario .................................................................................................................. 18

1. INTRODUCCIN.
El presente informe pretende dar a conocer los resultados obtenidos despus de la realizacin de distintas prcticas de laboratorio, para reforzar la teora expuesta.

Estas prcticas de laboratorio tenan como principal objetivo ver el funcionamiento de los diodos rectificadores.

1.1. Abstract.
The present report seeks to highlight the results obtained after the accomplishment of different practices of laboratory, to observe the exposed theory.

These practices of laboratory had as principal object see the operation of rectifier diodes.

2. Planteamiento del problema.

Surge la obligacin de conocer la forma en que funciona el diodo rectificador y sus terminales, conocer cmo funciona en los distintos circuitos rectificadores y su desempeo.

3. Objetivo general.
Emplear los fundamentos tericos de diodos en la prctica, para consolidar una autntica adquisicin del conocimiento mediante el anlisis de los circuitos usados con los diodos.

3.1 Objetivos especficos.

Ejecutar en forma correcta el diseo y operacin de un rectificador de media onda y onda completa. Poner en prctica las diferentes aplicaciones de diodos. Conocer las especificaciones del diodo rectificador. Identificar claramente los terminales del diodo y su diagrama.

4. Desarrollo de prcticas y resultados.

En esta seccin se abordan los clculos, diseos y anlisis de las distintas prcticas realizadas.

4.1

Identificacin de terminales del diodo.

Un diodo es un dispositivo semiconductor que permite el paso de la corriente elctrica en una nica direccin con caractersticas similares a un interruptor. De forma simplificada, la curva caracterstica de un diodo (I-V) consta de dos regiones: Por debajo de cierta diferencia de potencial, se comporta como un circuito abierto (no conduce); Por encima de ella como un circuito cerrado con una resistencia elctrica muy pequea.

Debido a este comportamiento, se les suele denominar rectificadores, ya que son dispositivos capaces de suprimir la parte negativa de cualquier seal, como paso inicial para convertir una corriente alterna en corriente continua. Los terminales del diodo son nodo que es el positivo y ctodo que es el negativo.

Figura No.1. Identificacin de terminales de diodo y diagrama.

5 Determinacin de estado de varios diodos y sus voltajes de umbral o tensin de barrera.

Referencia del diodo. D1N4002 D1N4004 D1N4007

Tensin de barrera (V). 0.18 0.375 0.68

Estado. OK OK OK

Tabla No.1. Estado y tensin de barrera de los diodos de referencia D1N4002, D1N4004, D1N4007.

4.2 Determinacin de caractersticas.

Por medio del circuito de prueba mostrado en la Fig.2 se determinaran las caractersticas del diodo a usar que es el D1N4007.

Figura No.2. Circuito de prueba para determinacin de caractersticas del diodo D1N4007.

ID(mA) VD(V)

1mA 0.4

5mA 0,47

10mA 0,513

15mA 0,6

20mA 0,641

25mA 0,675

50mA 0,692

70mA 95mA 0,702 0,752

Tabla No.2. Polarizacin directa a temperatura ambiente.

Curva del diodo a temperatura ambiente

100 90 80 70 Corriente (mA) 60 50 40 30 20 10 0 0 0.2 0.4 Voltaje (V) Figura No.3. Curva del diodo D1N4007 a temperatura ambiente (Voltaje Vs. Corriente). 0.6 0.8 Curva del diodo a temperatura ambiente

ID(mA) VD(V)

1mA 0.35

5mA 0,42

10mA 0,463

15mA 0,55

20mA 0,591

25mA 0,625

50mA 0,642

70mA 95mA 0,652 0,702

Tabla No.3. Polarizacin directa a temperatura del cautn.

Curva del diodo a temperatura del cautin

100 Corriente (mA) 80 60 40 20 0 0 0.2 0.4 Voltaje (V) Figura No.4. Curva del diodo D1N4007 a temperatura del cautn. 0.6 0.8 Curva del diodo a temperatura del cautin

100 90 80 70 Corriente (mA) 60 50 40 30 20 10 0 0 0.2 0.4 Voltaje (V) Figura No.5. Superposicin de las 2 curvas del diodo a diferente temperatura. 0.6 0.8 Curva del diodo a temperatura del cautin Curva del diodo a tempreatura ambiente

Para la tabla No.2 y la tabla No.3 se utiliz 2 multmetros uno en funcin de voltmetro y el otro en la funcin de ampermetro.

Se debe tener controlado el tiempo cuando se coloca el cautn sobre el diodo, el tiempo utilizado fue de 5 segundos y se pudo observar que cuando la temperatura aumenta el voltaje disminuye.

4.3

Rectificador de media onda.

Para esta prctica se usa el circuito de la figura No.6 disponiendo del diodo para realizar un rectificador de media onda con una resistencia de 1K.

Figura No.6. Esquema del circuito rectificador de media onda.

La siguiente tabla muestra los resultados de esta prctica.

MEDIDA

CLCULOS

%ERROR

VRMS DE LA SEAL APLICADA

14.2V 7.5V 8.96V 4.78V 28.3V 15.6V 60Hz 55Hz

14V 7V 9V 5V 27.75V 15.1V 60Hz 53Hz

1.42% 7.14% 0.4% 4.4% 1.98% 3.31% 0% 3.77%

VRMS DE LA SEAL RECTIFICADA

VDC DE LA SEAL APLICADA

VDC DE LA SEAL RECTIFICADA

Vpp DE LA SEAL APLICADA

Vpp DE LA SEAL RECTIFICADA

FRECUENCIA DE LA SEAL APLICADA

FRECUENCIA DE LA SEAL RECTIFICADA

Tabla No.4. Resultados de la prctica de rectificacin de media onda.

9 Para el completar el recuadro de Error % se utiliza la siguiente formula:

Figura No. 7 Formula de error porcentual.

4.4

Rectificador de onda completa.

Para esta prctica se usa el circuito de la figura No.8 disponiendo del diodo para realizar un rectificador de media onda con una resistencia de 1K.

Figura No.8. Esquema del circuito rectificador de onda completa.

La siguiente tabla muestra los resultados de esta prctica.

MEDIDA

CLCULOS

%ERROR

VRMS DE LA SEAL APLICADA

14.2V 6.20V 12.68V 3.878V 19.4V

14V 6.6V 12V 4V 19V

1.42% 6.06% 5.6% 3.05% 2.10%

VRMS DE LA SEAL RECTIFICADA

VDC DE LA SEAL APLICADA

VDC DE LA SEAL RECTIFICADA

Vpp DE LA SEAL APLICADA

10
Vpp DE LA SEAL RECTIFICADA

8.86V 60Hz 55Hz

9V 60Hz 53Hz

1.55% 0% 3.77%

FRECUENCIA DE LA SEAL APLICADA

FRECUENCIA DE LA SEAL RECTIFICADA

Tabla No.5. Resultados de la prctica de rectificacin de onda completa.

Para el completar el recuadro de Error % se utiliza la frmula de la figura No.7.

11

4.5

Rectificador puente.

Para esta prctica se usa el circuito de la figura No.9 disponiendo del diodo para realizar un rectificador de media onda con una resistencia de 1K.

Figura No.9. Esquema del circuito rectificador puente.

La siguiente tabla muestra los resultados de esta prctica.

MEDIDA

CLCULOS

%ERROR

VRMS DE LA SEAL APLICADA

14.2V 12V 12.68V 12.75V 19.4V 19.4V 60Hz 55Hz

14V 12V 12V 13V 19V 19V 60Hz 53Hz

1.42% 0% 5.6% 1.92% 2.10% 2.10% 0% 3.77%

VRMS DE LA SEAL RECTIFICADA

VDC DE LA SEAL APLICADA

VDC DE LA SEAL RECTIFICADA

Vpp DE LA SEAL APLICADA

Vpp DE LA SEAL RECTIFICADA

FRECUENCIA DE LA SEAL APLICADA

FRECUENCIA DE LA SEAL RECTIFICADA

Tabla No.6. Resultados de la prctica de rectificacin puente.

Para el completar el recuadro de Error % se utiliza la frmula de la figura No.7.

12

4.6

Rectificador de media onda con generador.

Para esta prctica se usa el circuito de la figura No.10 disponiendo del diodo para realizar un rectificador de media onda con una resistencia de 1K.

Figura No.10. Esquema del circuito rectificador de media onda con generador.

La siguiente tabla muestra los resultados de esta prctica.

MEDIDA CLCULOS %ERROR

VRMS DE LA SEAL APLICADA

14.2V 6.2V 9.1V 4.69V 19.3V 6.45V 60Hz 55Hz

14V 7V 9V 5V 19V 6V 60Hz 55Hz

1.42% 11.42% 1.11% 6.2% 1.57% 7.5% 0% 0%

VRMS DE LA SEAL RECTIFICADA

VDC DE LA SEAL APLICADA

VDC DE LA SEAL RECTIFICADA

Vpp DE LA SEAL APLICADA

Vpp DE LA SEAL RECTIFICADA

FRECUENCIA DE LA SEAL APLICADA

FRECUENCIA DE LA SEAL RECTIFICADA

Tabla No.7. Resultados de la prctica de rectificacin de media onda con generador.

Para el completar el recuadro de Error % se utiliza la frmula de la figura No.7.

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Figura No.11. Seal rectificada de media onda con generador.

14

5. Elementos y equipos de trabajo.

Los elementos implementados en las distintas prcticas son: 1 resistencia de 1K. 4 diodos D1N4007. 1 transformador. 1 multmetro. 1 fuente de alimentacin. 1 osciloscopio. 1 generador de seales.

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6. Conclusiones.
En esta experiencia se pudo evidenciar que el voltaje de encendido del diodo cambia entre 0.5 y 0.7 voltios, ya que al indicar una diferencia de potencial entre estos dos valores, el diodo conduce flujo grande de corriente.

Adems, cabe enfatizar que en la polarizacin inversa el flujo de corriente a travs de los diodos es 0, en este caso no se puede determinar el punto de ruptura.

A continuacin se puede decir que la rectificacin es un procedimiento en donde una forma de onda aplicada que cuenta con un valor promedio cero es cambiada a una que tiene un nivel de DC. Para seales aplicadas de ms de algunos voltios, la aproximacin del diodo ideal puede ser normalmente aplicada. Las caractersticas de un dispositivo no son afectadas por la red en la que ste se utilice. La red solamente determina el punto de operacin del dispositivo. Los recortadores son redes como bien su nombre lo indica recortan parte de la seal aplicada ya sea para crear un tipo especfico de seal o para limitar el voltaje que puede ser empleado a una red.

En dichas experiencias de laboratorio se pudo observar el trabajo del rectificador de media onda y el rectificador de onda completa, realizados con diodos. La curva caracterstica del diodo sirvi para comprender la utilidad de los diodos como rectificadores de seales alternas.

En el caso del rectificador de media onda, se comprob que solo un semiciclo (el semiciclo en el cual el diodo se polariza en directa) el diodo conduca la corriente y para el otro semiciclo se comportaba como llave abierta. Es decir solo permite el paso del semiciclo positivo y le dificulta el paso al semiciclo negativo

En el caso del rectificador de onda completa, se confirm que los dos semiciclos de la seal de entrada son rectificados y se presentan sobre la resistencia de carga como

16 semiciclos positivos, gracias a que en cada semiciclo hay un par de diodos que estn polarizados en directa permitiendo as que para los dos semiciclos circule corriente.

17

7. Referencias.
http://paginas.fisica.uson.mx/horacio.munguia/aula_virtual/Cursos/Instrumentaci on%20I/Documentos/Circuitos_Rectificadores.pdf http://tamarisco.datsi.fi.upm.es/ASIGNATURAS/FFI/apuntes/Tema_4_4_Mat_Semi .pdf http://www.ladelec.com/teoria/informacion-tecnica/321-diodos-rectificadores http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/tema3/Paginas/Pagina3.ht m http://www.buenastareas.com/ensayos/Voltaje-Incerso-Maximo/779893.html http://www.asifunciona.com/fisica/af_diodos/af_diodos_2.htm http://www.profesormolina.com.ar/tutoriales/diodo.htm http://omarai.wordpress.com/conceptos-teoricos/semiconductores/analisisprevio-al-diodo-la-juntura-pn/la-juntura-pn-con-tension-aplicada/ http://www.uned.es/cabergara/ppropias/Morillo/web_et_dig/02_semiconduc/diodos.pdf

18 8. Cuestionario.

Qu componentes bsicos conforman al tomo? RTA/ Un tomo est formado por partculas an ms pequeas, llamadas partculas subatmicas, son tres: electrones, protones y neutrones. Qu son los electrones de valencia? RTA/ Los electrones de valencia son los electrones que se encuentran en los mayores niveles de energa del tomo, siendo estos los responsables de la interaccin entre tomos de distintas especies o entre los tomos de una misma. Son los que presentan la facilidad de formar enlaces. Estos enlaces pueden darse de diferente manera, ya sea por intercambio de estos electrones, por comparticin de pares entre los tomos en cuestin o por el tipo de interaccin que se presenta en el enlace metlico, que consiste en un "traslape" de bandas. Segn sea el nmero de estos electrones, ser el nmero de enlaces que puede formar cada tomo con otro u otros. Qu fuerzas intervienen para mantener a los electrones alrededor del ncleo? RTA/ Fuerza electromagntica, la cual afecta a los cuerpos elctricamente cargados, es mucho ms intensa que la gravitatoria pero de un muy corto alcance y es la responsable de todas las transformaciones fsicas y qumicas de tomos y molculas. En qu consiste el equilibrio elctrico del tomo? RTA/ El equilibrio elctrico consiste en que hay la misma cantidad de protones, neutrones y electrones, cuando se pierde algn electrn, el tomo pierde su equilibrio elctrico quedando cargado positivamente. Qu es el enlace inico y entre qu tomos se presenta? RTA/ Es el enlace que se da entre elementos de electronegatividades muy diferentes. Se produce una cesin de electrones del elemento menos electronegativo al ms electronegativo y se forman los respectivos iones positivos (los que pierden

19 electrones) y negativos (los tomos que ganan los electrones). Este tipo de enlace suele darse entre elementos que estn a un extremo y otro de la tabla peridica. O sea, el enlace se produce entre elementos muy electronegativos (no metales) y elementos poco electronegativos (metales).

Qu es el enlace covalente y entre qu tomos se presenta? RTA/ Es el enlace que se da entre elementos de electronegatividades altas y muy parecidas, en estos casos ninguno de los tomos tiene ms posibilidades que el otro de perder o ganar los electrones. La forma de cumplir la regla de octeto es mediante la comparticin de electrones entre dos tomos. Cada par de electrones que se comparten es un enlace. Este tipo de enlace se produce entre elementos muy electronegativos (no metales). Los electrones que se comparten se encuentran localizados entre los tomos que los comparten

Qu es el enlace metlico? RTA/ Es el enlace que se da entre elementos de electronegatividades bajas y muy parecidas, en estos casos ninguno de los tomos tiene ms posibilidades que el otro de perder o ganar los electrones. La forma de cumplir la regla de octeto es mediante la comparticin de electrones entre muchos tomos. Se crea una nube de electrones que es compartida por todos los ncleos de los tomos que ceden electrones al conjunto. Este tipo de enlace se produce entre elementos poco electronegativos (metales). Los electrones que se comparten se encuentran deslocalizados entre los tomos que los comparten. Qu nombre adquiere el resultado de enlazar dos o ms tomos? RTA/ Recibe el nombre de molcula.

20 Los gases nobles forman enlace? RTA/ Los gases nobles no forman enlaces qumicos porque tienen su ltimo nivel energtico completo, es decir, poseen 8 electrones, lo que le otorga gran estabilidad y por eso no buscan combinarse qumicamente. Cules son los niveles de energa que se consideran en un tomo? RTA/ Existen 7 niveles de energa o capas donde pueden situarse los electrones, numerados del 1, el ms interno, al 7, el ms externo. Los niveles de energa son: K= 2 e-, L= 8e-, M= 18e-, N= 32e-, O= 50e-, P= 72e-, Q=98e-, el nmero de electrones (e-). De los niveles de energa cules son los que interesan? RTA/ El ultimo nivel de energa Qu es el electrn voltio? RTA/ El Electrn-voltio, unidad de energa con smbolo eV, es utilizada para pequeas energas. 1 eV se define como la cantidad de energa equivalente a la que gana un electrn libre (o un protn) cuando es acelerado mediante una diferencia de potencial de un voltio en el vaco.

Qu significa que un electrn de valencia pase a la banda de conduccin? RTA/ En virtud de que las bandas de valencia y de conduccin son adyacentes, se requiere slo una cantidad despreciable de energa para promover un electrn de valencia a la banda de conduccin, donde adquiere libertad para moverse a travs de todo el metal, dado que la banda de conduccin carece de electrones. Esta libertad de movimiento explica el hecho de que los metales sean capaces de conducir la corriente elctrica, esto es, que sean buenos conductores. Qu es un portador de corriente? RTA/ Las lagunas y los electrones en estado libre en un semiconductor son los llamados portadores de corrientes

21 Cul es la diferencia entre un conductor, un aislante y un semiconductor desde el punto de vista de las bandas de energa? Cmo se comporta un semiconductor a temperatura cero absoluto? RTA/ A temperatura cercana al cero absoluto no hay electrones libres y el

semiconductor se comporta como un aislador o dielctrico. A mayores temperaturas algunos electrones adquieren suficiente energa para escapar del enlace y se convierten en electrones libres (libres pero dentro del slido cristalino), dejando atrs una vacante en el enlace covalente. Cules son los portadores en un semiconductor? RTA/ Los portadores de un semiconductor con los electrones y los huecos reciben el nombre. Qu carga se le asocia a un hueco? RTA/ Es la ausencia de un electrn en la banda de valencia. Tal banda de valencia estara normalmente completa sin el "hueco". Una banda de valencia completa (o casi completa) es caracterstica de los aislantes y de los semiconductores. El hueco de electrn tiene valores absolutos de la misma carga que el electrn pero, contrariamente al electrn, su carga es positiva. Cules son los semiconductores utilizados en la fabricacin de los dispositivos electrnicos? RTA/ Los semiconductores ms utilizados para la fabricacin de dispositivos electrnicos son el silicio y el germanio. Por qu se suele utilizar ms a menudo el silicio y no el germanio? RTA/ Porque el silicio es rentable debido a que es el segundo elemento ms abundante sobre la tierra, tiene una baja densidad y ms fuerte que el Germanio.

22 Qu es un semiconductor intrnseco? RTA/ Es un semiconductor puro. A temperatura ambiente se comporta como un aislante porque solo tiene unos pocos electrones libres y huecos debidos a la energa trmica. En un semiconductor intrnseco tambin hay flujos de electrones y huecos, aunque la corriente total resultante sea cero. Esto se debe a que por accin de la energa trmica se producen los electrones libres y los huecos por pares, por lo tanto hay tantos electrones libres como huecos con lo que la corriente total es cero. Qu es el tiempo de vida de un portador? RTA/ Es el tiempo de existencia de un hueco (electrn) antes de recombinarse. Cmo es el nmero de huecos comparado con el de electrones en un semiconductor intrnseco y por qu? RTA/ El nmero de huecos comparado con el de electrones en un semiconductor intrnseco es IGUAL, esto se debe a que por accin de la energa trmica se producen los electrones libres y los huecos por pares, por lo tanto hay tantos electrones libres como huecos con lo que la corriente total es cero. Qu significa dopar un semiconductor? RTA/ Es el proceso intencional de agregar impurezas en un semiconductor extremadamente puro (tambin referido como intrnseco) con el fin de cambiar sus propiedades elctricas. Cmo se denomina a un semiconductor contaminado? RTA/ Se denomina como semiconductor extrnseco. Con qu materiales se contamina un semiconductor? RTA/ Con impurezas pequeas y en cantidades exactas de elementos como Indio, Aluminio o Fsforo.

23 Cules son los portadores mayoritarios en un semiconductor tipo N? RTA/ Los portadores mayoritarios en el semiconductor tipo N son los de carga negativa o electrones. Cules son los portadores minoritarios en un semiconductor tipo N? RTA/ Los portadores minoritarios en el semiconductor tipo N son los huecos o de carga positiva. Cules son los portadores mayoritarios y minoritarios en un semiconductor tipo P y quin los genera? RTA/ Los portadores mayoritarios son los huecos y los minoritarios son los electrones y los generan los dopantes. Qu es un tomo aceptor y un tomo donador? RTA/ Un tomo aceptor es una red cristalina de silicio, si introducimos impurezas de modo controlado de elementos trivalentes como el galio o indio, existir un enlace deficitario en electrones que a muy bajas temperaturas es completado por electrones procedentes de otros enlaces, los cuales dejarn un "hueco". Dicho hueco es mvil y se comporta como una partcula real cargada positivamente. Como consecuencia, el tomo de impureza se ioniza con carga negativa (tiene un electrn de ms), constituyendo una carga fija en la red. Un tomo de donador es una red cristalina de silicio, si introducimos impurezas de modo controlado de elementos pentavalentes como el fsforo, arsnico o antimonio, el quinto electrn de la impureza se ioniza a muy bajas temperaturas proporcionando electrones libres en la red. Como consecuencia, el tomo de impureza se ioniza con carga positiva, constituyendo una carga fija en la red.

Por qu se genera la corriente de difusin en el semiconductor? RTA/ sta corriente aparece en forma espontnea cuando de un lado del semiconductor hay mayor concentracin de portadores que en otro lado, es decir,

24 cuando existe un gradiente de concentracin de portadores. La corriente de difusin en un semiconductor no necesita campo elctrico externo aplicado para producirse. Cundo se genera la corriente de arrastre en el semiconductor? RTA/ El efecto de arrastre es anlogo al que se produce en los metales, est motivado por el campo elctrico aplicado, debido al cual los electrones libres de la Banda de conduccin y los huecos en la Banda de valencia se mueven en sentidos opuestos, dando lugar a una corriente en el mismo sentido suma de ambos. Cmo se forma un diodo? RTA/ Un diodo se forma cuando se unen dos piezas de cristal

semiconductor compuestas por tomos de silicio (Si) puro, pero procesadas cada una de forma diferente. Durante el proceso de fabricacin del diodo ambas piezas se someten por separado a un proceso denominado dopado consistente en aadirle a cada una impurezas diferentes, procedentes de tomos de elementos

semiconductores tambin diferentes. Al final del proceso se obtiene una pieza de cristal de silicio positiva (P) con faltante de electrones en su estructura atmica (lo que produce la aparicin de huecos) y otra pieza negativa (N) con exceso de electrones. Por qu se forma una barrera de potencial en la unin del diodo? RTA/ El campo elctrico entre los iones es equivalente a una diferencia de potencial llamada "Barrera de Potencial" que a 25 C vale: 0.3 V para diodos de Ge. 0.7 V para diodos de Si.

25 Qu significa polarizar un dispositivo? RTA/ Polarizar directamente es aplicar una tensin como se muestra en la figura siguiente.

Juntura PN con polarizacin directa. Puede observarse que la polarizacin directa provoc una disminucin del ancho de la barrera de potencial de la zona de agotamiento. El lado p tiene una diferencia de potencial positiva respecto al lado n. Los electrones y huecos tienen ahora mayor facilidad para cruzar la barrera. La corriente de difusin aumenta y la de deriva disminuye, teniendo as una corriente neta en el diodo que circula desde el lado p hacia el lado n. Qu corriente se genera al polarizar en inverso un diodo y a qu se debe esa corriente? RTA/ La polarizacin inversa provoca que el lado n tenga una diferencia de potencial positiva respecto al lado p. Esta diferencia de potencial positiva provoca que la barrera de potencial de la regin de agotamiento se expanda, impidiendo con mayor fuerza que los portadores mayoritarios la crucen. Impedir que los portadores mayoritarios pasen hacia el otro lado por difusin provoca un aumento de la corriente de deriva la cual est compuesta por los portadores minoritarios. Al ser los portadores minoritarios menores en cantidad, la corriente inversa es pequea. Esta corriente trasciende las barreras de la juntura pn, circulando desde el lado n al lado p. La concentracin de portadores minoritarios se mantiene a ambos lados de la juntura gracias a la generacin trmica.

26 Qu caractersticas elctricas presenta un diodo polarizado en inverso? RTA/ Un diodo polarizado de forma inversa impide que la.corriente elctrica pueda fluir en sentido contrario, por lo que no puede atravesarlo, ni completarse. Qu caractersticas elctricas presenta un diodo polarizado en directo? RTA/ Es aplicar tensin positiva a la zona P y negativa a la zona N. Un diodo PN conduce en directa porque se inunda de cargas mviles la zona de deplecin. La tensin aplicada se emplea en: - Vencer la barrera de potencial. - Mover los portadores de carga. Cmo se reduce la barrera de potencial del diodo? RTA/ Cuando la tensin aplicada al diodo de silicio alcanza 0,7 volt, el tamao de la zona de deplecin se reduce por completo y los electrones en la parte negativa adquieren la carga energtica necesaria que les permite atravesar la barrera de potencial. Qu efecto tiene la temperatura en la polarizacin directa e inversa del diodo? RTA/ Se puede demostrar que la corriente de saturacin inversa se duplica cada incremento de 10C. La caracterstica directa del diodo tambin se ve afectada por la temperatura, siendo el efecto ms importante la influencia sobre la barrera de potencial, conforme aumenta la temperatura, la tensin directa necesaria para polarizar el diodo disminuye y por tanto decimos que tiene un coeficiente de temperatura negativo (en ingls "tempco" negativo). El valor de esta variacin en diodos de seal tanto de silicio como de germanio es de 2mV por grado centgrado. Qu sucede si un diodo supera el PRV? RTA/ Voltaje reverso mximo o voltaje inverso mximo es el voltaje mximo que un diodo puede soportar en la direccin contraria sin la subdivisin o el avalancha. Si se excede este voltaje, el diodo puede ser destruido. Los diodos deben tener un grado

27 inverso mximo del voltaje que sea ms alto que el voltaje mximo que ser aplicado a ellos en un uso dado. En qu consiste la avalancha trmica del diodo? RTA/ En el efecto avalancha la ionizacin se produce por choques de los portadores minoritarios con los tomos. Al subir la temperatura los tomos adquieren tambin ms energa trmica y por tanto vibran ms lo que da como resultado ms colisiones. Pero como los electrones chocan con el tomo antes de haber recorrido la suficiente distancia y tener por tanto la suficiente energa cintica, no desprenden ningn electrn adicional y se ionizan menos tomos. Por tanto necesitamos ms campo elctrico (ms tensin inversa) para ionizar la unin y la tensin de ruptura por efecto avalancha aumenta con la temperatura. El coeficiente de temperatura del efecto avalancha es positivo. Qu sucede con la tensin de barrera cuando aumenta la temperatura? RTA/ Esta corriente, como depende de los portadores minoritarios ser muy dbil y prcticamente independiente de la tensin aplicada Si un diodo est en capacidad de manejar alta corriente, cmo cree que se puede controlar la temperatura de trabajo? RTA/ Se puede controlar la temperatura de trabajo teniendo una buena ventilacin y que as no se sobrepase el margen de temperatura de operacin que se encuentra indicado en las especificaciones del diodo. Es el diodo un dispositivo lineal o no lineal? Sustentar su respuesta. RTA/ El diodo es un dispositivo no lineal, debido a su composicin a partir de material semiconductor, lo que hace que exista una barrea de potencial y esto hace que su curva caracterstica no sea recta. Qu caractersticas debe tener el diodo ideal? RTA/ Las caractersticas de un diodo ideal son las de un interruptor que puede conducir corriente en una sola direccin.

28 Por qu se denomina al diodo rectificador? RTA/ Porque este separa los ciclos positivos de una seal de corriente alterna. Cmo se denominan los terminales del diodo? RTA/ La Terminal positiva del diodo se le denomina nodo y la Terminal negativa se denomina ctodo. Se puede establecer una forma normal de polarizar un diodo? Explicar su respuesta. RTA/ La forma normal de polarizar el diodo es en directa, porque es la forma correcta en la que conduce el diodo. Qu se debe aadir al circuito en que est un diodo polarizado en directo y por qu? RTA/ Se debe aadir una resistencia para limitar la corriente, ya que si esta no se coloca el diodo continua aumentado la corriente llevndolo al deterioro por completo Qu caractersticas circuitales y de funcionamiento tiene un rectificador de media onda? RTA/ El rectificador de media onda es un circuito empleado para eliminar la parte negativa o positiva de una seal de corriente alterna de lleno, conducen cuando se polarizan inversamente. Adems su voltaje es positivo. Qu caractersticas circuitales y de funcionamiento tiene un rectificador de onda completa? RTA/ Un rectificador de onda completa es un circuito empleado para convertir una seal de corriente alterna de entrada (Vi) en corriente continua de salida (Vo) pulsante. A diferencia del rectificador de media onda, en este caso, la parte negativa de la seal se convierte en positiva o bien la parte positiva de la seal se convertir en negativa, segn se necesite una seal positiva o negativa de corriente continua.

29 Qu caractersticas circuitales y de funcionamiento tiene un rectificador puente? RTA/ Es un circuito electrnico usado en la conversin de corriente alterna en corriente continua. Es conocido adems como circuito o puente de Graetz, en referencia a su creador, el fsico alemn Leo Graetz. Consiste en cuatro diodos comunes de uso general, que convierten una seal con partes positivas y negativas en una seal nicamente positiva. Un simple diodo permitira quedarse con la parte positiva, pero el puente permite aprovechar tambin la parte negativa. Trace la curva de transferencia de un rectificador puente. RTA/

Determinar el voltaje pico inverso que soporta el diodo en cada uno de los tres rectificadores. RTA/ El PIV= 1.5 V en cualquiera de los 3 rectificadores. Con qu especificaciones tcnicas se adquiere comercialmente un diodo? RTA/ Las especificaciones tcnicas con las que se adquiere comercialmente un diodo, son el voltaje de umbral y el material. Qu especificaciones elctricas no se deben superar en el funcionamiento del diodo? RTA/ Las especificaciones elctricas que no se deben superara en el manejo de un diodo es la corriente mxima en directa, la tensin de ruptura en polarizacin inversa y la corriente en inversa.

30 Qu es el factor de rizado y, desde su punto de vista, que es mejor: un factor de rizado pequeo o grande? Explicar su respuesta. RTA/ El factor de rizo algunas veces llamado fluctuacin o ripple (del ingls), es la pequea componente de alterna que queda tras rectificarse una seal a corriente continua. El rizado puede reducirse notablemente mediante un filtro de condensador, este proceso es llamado a veces "filtrar", y debe entenderse como la reduccin a un valor mucho ms pequeo de la componente alterna remanente tras la rectificacin, pues, de no ser as, la seal resultante incluye un zumbido a 60 50 Hz muy molesto. Desde mi punto de vista es mejor que sea pequeo el rizado ya que esto es lo que da la calidad de la seal que se obtiene. Al conectar uno de los rectificadores a la red de energa domstica, qu parmetros elctricos se deben tener en cuenta para seleccionar los diodos? RTA/ Se debe tener en cuenta la corriente mxima, VRSM o Tensin inversa de pico no repetitiva, IFSM o Corriente directa de pico (inicial) no repetitiva. Qu es la recta de carga y cmo se construye para un circuito con diodo? RTA/

La recta de carga es una herramienta que se emplea para hallar el valor de la corriente y la tensin del diodo. Tiene una pendiente negativa. El punto de corte de la recta de

31 carga con la exponencial es la solucin, el punto Q, tambin llamado "punto de trabajo" o "punto de funcionamiento". Este punto Q se controla variando VS y RS. Al punto de corte con el eje X se le llama "Corte" y al punto de corte con el eje Y se le llama "Saturacin". Qu efecto se obtiene si coloca dos o ms diodos en paralelo? RTA/ El efecto que se tiene es que soportan mas corriente. Y qu se logra cuando se colocan dos o ms diodos en serie? RTA/ El efecto que se tiene es soportan mas voltaje. Explique el significado de los siguientes parmetros: IFM, IFSM, VR, PVR, VF(Av), VRRM, VRSM, Tj, VRWM, IFRM, TA, Io, JEDEC RTA/ IFM: Es la corriente continua mxima que puede atravesar el diodo en directa sin que este sufra ningn dao, puesto que una alta corriente puede provocar un calentamiento por efecto Joule excesivo. IFSM: Corriente directa de pico (inicial) no repetitiva. VR: Tensin inversa en los extremos del diodo en polarizacin inversa. PVR: Tensin de ruptura en polarizacin inversa (Breakdown Voltage, BV; Peak Inverse Voltage, PIV): Es la tensin a la que se produce el fenmeno de ruptura por avalancha. VF(Av): Tensin directa en los extremos del diodo en conduccin. VRRM: Tensin inversa de pico repetitiva. VRSM: Tensin inversa de pico no repetitiva. Tj: Valor mximo de la temperatura que soporta la unin de los semiconductores VRWM: Tensin inversa de cresta de funcionamiento. IFRMS: Corriente eficaz en estado de conduccin. Es la mxima corriente eficaz
que el diodo es capaz de soportar.

TA: Tiempo de almacenamiento. JEDEC: En Estados Unidos se utiliza la nomenclatura de la JEDEC ( Joint Electronic Devices Engineering Council) regulado por la EIA (Electronic Industries Association),

32 que consta de un nmero, una letra y un nmero de serie (este ltimo sin significado tcnico).