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Alfredo Testa Appunti di Sistemi Elettrici di Bordo a.a. 2001-2002

Capitolo Quinto

Conversione
1. Materiali Semiconduttori I materiali allo stato solido possono essere raggruppati in tre classi: gli isolanti, i semiconduttori e i conduttori. Nella figura V.1 si riporta la conducibilit elettrica di alcuni importanti materiali appartenenti alle tre classi. Gli isolanti, quali il vetro, hanno una conducibilit molto bassa mentre i conduttori, quali il rame e lalluminio, presentano una conducibilit molto alta. I semiconduttori hanno conducibilit compresa tra quella degli isolanti e quella dei conduttori. La conducibilit di un semiconduttore in genere sensibile alla temperatura, allilluminazione, al campo magnetico e a minuscole quantit di atomi di impurit. Questa sensibilit della conducibilit rende il semiconduttore uno dei pi importanti materiali per applicazioni elettroniche [6].
vetro ossido di nichel (puro) diamante (puro) zolfo germanio (Ge) silicio (Si) argento rame alluminio platino

arsenurio di gallio (GaAs)

10-18 Isolanti

10-8

conducibilit [S/cm] Semiconduttori

103 Conduttori

108

Fig. V.1: conducibilit elettrica di alcuni materiali allo stato solido. Gli elementi semiconduttori possono essere composti da una singola specie di atomi, quali il silicio (Si) e il germanio (Ge) oppure da due o pi elementi come, ad esempio, larsenurio di gallio, combinazione del gallio (Ga) e larsenico (As). Lo studio dei materiali semiconduttori inizi al principio del XIX secolo. Allinizio degli anni 50 il germanio era il pi importante materiale semiconduttore (il primo transistor, ideato nei laboratori Bell nel 1947, era un dispositivo al germanio). Il germanio si dimostr per inadatto a numerose applicazioni, dato che i dispositivi al germanio mostrano correnti di dispersione di intensit elevata anche a temperature solo moderatamente alte. Inoltre, lossido di germanio solubile in acqua e quindi inadatto alla fabbricazione di dispositivi. Sin dai primi anni 60 il silicio diventato il sostituto pratico del germanio e da allora lo ha virtualmente soppiantato come materiale per la fabbricazione di dispositivi a semiconduttori. Le ragioni fondamentali che sono alla base dellaffermazione del silicio consistono nel fatto che i dispositivi al silicio presentano correnti di dispersione molto inferiori, e nel fatto che il

Cap. V Conversione

V.1

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silicio di qualit sufficiente per costruire dispositivi costa molto meno degli altri materiali semiconduttori. Al giorno doggi la tecnologia del silicio di gran lunga la pi avanzata tra tutte le tecnologie dei semiconduttori. Infine, numerosi semiconduttori composti hanno propriet elettriche e ottiche che sono assenti nel silicio. Questi semiconduttori, specialmente larsenurio di gallio (GaAs), sono impiegati soprattutto in applicazioni nel campo delle microonde e delloptoelettronica. 1.1 La giunzione pn La giunzione pn, mostrata in figura V.2, formata da un materiale semiconduttore di tipo p messo in stretto contatto con un semiconduttore di tipo n [7]. In pratica, entrambe le regioni p ed n fanno parte dello stesso cristallo di semiconduttore (ad esempio di silicio); la giunzione pn viene realizzata a partire da un unico cristallo, creando regioni di differente drogaggio (regione p e n) attraverso liniezione di impurit allinterno del reticolo cristallino, (come viene descritto pi avanti in questo stesso paragrafo). Come indicato in figura V.2, i collegamenti esterni alle regioni p ed n (cio i terminali della giunzione) sono realizzati con contatti di metallo (ad esempio lalluminio).
contatto metallico contatto metallico

Silicio di tipo p

Silicio di tipo n

Fig. V.2: la giunzione pn. La giunzione pn alla base dei dispositivi elettronici come il diodo, il tiristore e il transistor. Nel seguito si illustrano in maniera qualitativa i principi del funzionamento fisico della giunzione pn, necessari per meglio comprendere il funzionamento e le caratteristiche esterne dei dispositivi elettronici introdotti nei successivi paragrafi. Per i motivi esposti nel paragrafo riguardante i materiali semiconduttori, si tratteranno i soli componenti al silicio. 1.1.1 Il silicio intrinseco

Un cristallo di silicio puro (o intrinseco) ha una struttura cristallina regolare in cui gli atomi sono tenuti in posizione da legami covalenti, formati da i quattro elettroni di valenza propri di ciascun atomo di silicio. A temperature sufficientemente basse tutti i legami covalenti sono integri e non sono presenti elettroni liberi (o sono veramente pochi), disponibili per condurre corrente elettrica. Tuttavia, a temperatura ambiente, parte dei legami vengono spezzati per ionizzazione termica, liberando alcuni elettroni. Quando un legame covalente viene spezzato, un elettrone abbandona il suo atomo di origine e, quindi, nellatomo stesso si riscontra la presenza di una carica positiva uguale, ma di segno opposto, alla carica dellelettrone. Un elettone appartenente ad un atomo vicino pu essere attratto da questa carica positiva, lasciando il suo atomo di origine. Questa azione colma il vuoto, la lacuna che esisteva nel primo atomo ionizzato, ma crea una nuova lacuna nellaltro atomo. Tale processo pu

Cap. V Conversione

V.2

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ripetersi di nuovo dando luogo effettivamente ad una carica positiva, detta appunto lacuna, che si pu muovere lungo tutta la struttura del cristallo e che disponibile per il trasporto di corrente elettrica. La ionizzazione termica d luogo ad elettroni e lacune in numero uguale e, quindi, in uguale concentrazione. Gli elettroni liberi e le lacune si muovono casualmente attraverso la struttura cristallina del silicio e, durante questo processo, alcune lacune sono riempite da elettroni. Questo processo, detto di ricombinazione, porta alla scomparsa di lacune e di elettroni liberi perch, allequilibrio termico, la velocit di ricombinazione uguaglia la velocit di ionizzazione. 1.1.2 Diffusione e deriva

Le lacune e gli elettroni possono muoversi allinterno di un cristallo di silicio attraverso due meccanismi detti di diffusione e deriva. La diffusione associata al moto casuale dovuto allagitazione termica. In un campione di silicio con concentrazione uniforme di elettroni liberi e lacune, tale moto casuale non d luogo ad un flusso netto di cariche (cio ad una corrente). Ma, se per qualche motivo, la concentrazione, per esempio degli elettroni liberi in una parte del campione di silicio viene fatta diventare maggiore che in unaltra, gli elettroni diffonderanno dalla regione ad alta concentrazione a quella con minore concentrazione. Il processo di diffusione d luogo ad un flusso di cariche, la corrente di diffusione (ID). Laltro meccanismo con cui i portatori si spostano nei semiconduttori la deriva. La deriva dei portatori (elettroni liberi e lacune) si verifica quando un campo elettrico viene applicato ai capi di un campione di silicio. Le lacune e gli elettroni sono accelerati dal campo elettrico ed acquistano una componente della velocit (sovrapposta alla componente dovuta allagitazione termica) detta velocit di deriva. La conseguente corrente di lacune ed elettroni detta corrente di deriva (IS). 1.1.3 Semiconduttori drogati

Il silicio intrinseco descritto in precedenza caratterizzato da concentrazioni uguali di elettroni liberi e di lacune, originati dalla ionizzazione termica. I semiconduttori drogati sono materiali in cui i portatori di un tipo (elettroni o lacune) sono presenti in numero maggiore rispetto agli altri. Quando un campione di silicio viene drogato in modo che la maggior parte dei portatori di carica siano elettroni, caricati negativamente, si parla di silicio di tipo n; quando la maggior parte di portatori di carica sono lacune, cariche positivamente, si parla di silicio di tipo p. Il drogaggio di un cristallo di silicio per trasformarlo in tipo p o in tipo n si ottiene introducendo in esso un piccolo numero di atomi di impurit. Per esempio, introducendo atomi di un elemento pentavalente, quale il fosforo, si ha silicio di tipo n poich gli atomi di fosforo che prendono il posto degli atomi di silicio nel reticolo cristallino hanno cinque elettroni di valenza, quattro dei quali formano legami con i vicini atomi di silicio, mentre il quinto diviene un elettrone libero. Ogni atomo di fosforo dona un elettrone libero al cristallo di silicio e limpurit di fosforo prende il nome di donatore. Durante questo processo non viene prodotta alcuna lacuna, per cui i portatori maggioritari, nel silicio drogato con il fosforo, sono gli elettroni. Per produrre silicio di tipo p, lo si deve drogare con una impurit trivalente, come il boro. Ciascun atomo dellimpurit boro accetta un elettrone dal cristallo di silicio, in modo da poter formare legami covalenti nel reticolo cristallino. Gli atomi di boro, drogante accettore, danno luogo alle lacune che divengono portatori maggioritari.

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V.3

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E importante osservare che, comunque, un campione di silicio n o di silicio p elettricamente neutro: i portatori maggioritari (elettroni o lacune) sono neutralizzati da cariche localizzate associate con gli atomi di impurit. 1.1.4 La giunzione pn in condizioni di circuito aperto La figura 3a) mostra una giunzione pn in condizioni di circuito aperto, cio con i terminali + e non connessi. I segni + nel materiale di tipo p indicano le lacune maggioritarie. La carica di queste lacune neutralizzata da un numero uguale di cariche negative associate agli atomi accettori. I segni nel materiale di tipo n indicano gli elettroni maggioritari. Anche in questo caso la carica localizzata positiva associata agli atomi donatori neutralizza la carica negativa degli elettroni. Dal momento che la concentrazione delle lacune alta nel lato p e bassa nel lato n, le lacune diffondono dal lato p al lato n; viceversa, gli elettroni diffondono dal lato n a quello p. Queste due componenti si sommano per dar luogo alla corrente di diffusione, ID, che va dal lato p al lato n. Le lacune che diffondono dal lato p al lato n si ricombinano rapidamente con alcuni degli elettroni maggioritari presenti in quella zona e quindi escono di scena. Questo processo di ricombinazione ha come risultato la scomparsa di alcuni elettroni liberi dal materiale di tipo n. Quindi alcune lacune positive localizzate non saranno pi neutralizzate dagli elettroni liberi e la relativa carica rimane scoperta. Poich la ricombinazione avviene in prossimit dalla giunzione, sar presente una regione che risulta svuotata di elettroni liberi e che contiene cariche localizzate positive scoperte, cos come indicato in figura V.3a). Lo stesso processo avviene per gli elettroni che diffondono dal lato n al lato p con la conseguenza che, nella regione di tipo p, in prossimit della giunzione sar presente una regione svuotata dalle lacune, che contiene cariche localizzate negative non compensate, come mostrato in figura V.3a).
a) ID
IS Cariche localizzate

Lacune

Elettroni

+++++ +++++ +p+++ +++++

+ + + +

---------n-------

Regione svuotata

b)

potenziale

Regione di barriera V0

Fig V.3: la giunzione pn in condizioni di circuito aperto; a) regione di svuotamento; b) barriera di potenziale.

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V.4

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Da quanto esposto, segue che esister una regione svuotata dei portatori da ambo le parti della giunzione. Questa regione detta appunto regione svuotata o regione di svuotamento. La carica ai due lati della regione di svuotamento fa in modo che si stabilisca un campo elettrico nella regione stessa che d luogo ad una differenza di potenziale (potenziale di barriera) ai capi della regione di svuotamento. Il potenziale di barriera tale da opporsi alla diffusione di lacune dal lato p al lato n e di elettroni dal lato n al lato p. Pi alta la barriera di potenziale e pi piccola la corrente di diffusione ID. 1.1.5 La giunzione pn in condizioni di polarizzazione diretta La polarizzazione diretta della giunzione pn, indicata in figura V.4, d luogo ad un flusso di elettroni che si muovono nel circuito esterno dal lato p al lato n; il flusso di elettroni, a cui associata la corrente diretta I, fa si che vengano estratte delle lacune dalla zona n e degli elettroni dalla zona p. Ne deriva che, ad opera del circuito esterno, vengono forniti dei portatori maggioritari ad entrambi i lati della giunzione: lacune nel materiale p ed elettroni nel materiale n. Questi portatori maggioritari neutralizzano alcune delle cariche localizzate scoperte (presenti nella regione di svuotamento), facendo diminuire la carica immagazzinata nella regione di svuotamento. Quindi, la regione di svuotamento si assottiglia, mentre la barriera di potenziale si riduce: la riduzione della barriera di potenziale permette ad un numero maggiore di lacune di attraversarla, dal lato p al lato n, e ad un numero maggiore di elettroni dai attraversarla, dal lato n al lato p. Perci la corrente di diffusione, ID, aumenta finch non si raggiunge lequilibrio elettrico per ID-IS=I, dove I la corrente diretta fornita dal circuito esterno.
ID
IS

Lacune

+++++ +++++ +p+++ +++++

Elettroni

+ + + +

---------n-------

Fig. V.4: la giunzione pn in condizioni di polarizzazione diretta. Poich la corrente di deriva indipendente dalla barriera di potenziale, leffetto macroscopico che la corrente di diffusione si porta praticamente al valore della corrente I del circuito esterno e la giunzione quindi in grado di chiudere il circuito.
1.1.6 La giunzione pn in condizioni di polarizzazione inversa

La polarizzazione inversa della giunzione pn, indicata in figura V.5, d luogo ad un flusso di elettroni, a cui associata la corrente I, che scorrono nel circuito esterno dal lato n al lato p.

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V.5

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ID
IS

Lacune

+++++ +++++ +p+++ +++++

Elettroni

+ + + +

---------n-------

Fig. V.5: la giunzione pn in condizioni di polarizzazione inversa. Si supponga che la corrente I sia minore della corrente di deriva IS: ci si verifica se la tensione applicata V risulta minore della cosiddetta tensione di breakdown (VBD). Questo porter gli elettroni ad abbandonare il materiale di tipo n e le lacune ad abbandonare il materiale di tipo p. Gli elettroni liberi che lasciano il materiale n fanno aumentare il numero di cariche localizzate positive che rimangono scoperte. Analogamente, la lacune che lasciano il materiale p fanno aumentare il numero di cariche localizzate negative che rimangono scoperte. Quindi, la corrente inversa I provoca un aumento della regione di svuotamento e della carica in essa contenuta che, a sua volta, porta ad una tensione maggiore ai capi della regione svuotata, cio ad una barriera di potenziale V0 pi elevata. La conseguenza la diminuzione della corrente di diffusione ID. La corrente di deriva rimane invece costante poich indipendente dalla barriera di potenziale. Dunque, allequilibrio elettrico risulta: ISID=I, e laumento della tensione di ai capi della regione di svuotamento si manifesta come una tensione esterna tra i morsetti della giunzione, con il lato n positivo rispetto al lato p. Il fenomeno appena decritto si verifica fin quando la tensione applicata alla giunzione risulta minore della tensione VBD; se alla giunzione pn applicata una tensione inversa superiore a quella di breakdown, la corrente inversa I risulta maggiore della corrente di deriva IS e si scatena un rapido processo, che per semplicit non si riporta, che pu dar luogo ai cosiddetti effetto valanga e effetto zener a seconda del valore della tensione di breakdown. I due effetti non sono per forza distruttivi, ma lo diventano non appena si supera il massimo valore ammesso per la dissipazione di potenza, con la conseguenza che la giunzione si perfora e non pi in grado di funzionare come descritto.
1.2 Dispositivi a semiconduttore

In questo paragrafo si danno alcuni cenni circa le caratteristiche esterne (tensione - corrente) di alcuni dispositivi oggi utilizzati nella conversione statica dellenergia [SE_S]. I dispositivi a semiconduttore utilizzati nei convertitori sono interruttori statici, con caratteristiche esterne di vario tipo. Gli interruttori possono quasi sempre essere considerati come ideali; vale a dire che i tempi caratteristici di commutazione tra i diversi stati (on e off), ed alcune delle loro caratteristiche elettriche possono essere trascurate rispetto ai tempi ed alle

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V.6

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grandezze tipiche dei convertitori di cui tali dispositivi costituiscono lelemento base. In tal modo, le caratteristiche del convertitore potranno essere esaminate pi facilmente. I dispositivi a semiconduttore oggi disponibili possono essere classificati in tre gruppi in dipendenza dal loro grado di controllabilit. Tali gruppi sono:

Diodi: gli stati on (acceso) ed off (spento) sono controllati dal circuito di potenza; Tiristori: commutati on (accesi) da un segnale di controllo, sono commutati off (spenti) dal circuito di potenza oppure, in alcune applicazioni, da un opportuno circuito di spegnimento. Interruttori controllati: accesi e spenti da un segnale di controllo.

Nel seguito, si esamina il diodo, e si danno alcuni cenni circa le caratteristiche del tiristore. Non si prenderanno invece in considerazione gli interruttori controllati.
1.2.1 Il Diodo

Nellambito degli scopi connessi alla stesura di questa dispensa, il diodo sar considerato come un dispositivo ideale al quale si suppone associata la Caratteristica Tensione-Corrente ed il Simbolo riportati in figura V.6.
a)

A
A

b)

v
0
Caratteristica ideale

AK

AK

K
simbolo

Fig. V.6: il diodo, a) caratteristica ideale tensione corrente; b) simbolo. In altri termini, si considera il diodo come un interruttore ideale non controllato. Si dice non controllato in quanto il fatto che si trovi in conduzione (on) oppure in interdizione (off) dipende solo dalla tensione e dalla corrente del circuito in cui il diodo inserito: il diodo sar on se la corrente di anodo positiva (assunto il verso di fig. x) mentre sar off se la tensione tra Anodo (A) e Catodo (K) vAK negativa1. La caratteristica reale del diodo mostrata in figura V.7: sono evidenziate la caduta di tensione in polarizzazione diretta (VF) e la tensione di breakdown (VBD).

Per lanodo si usa la lettera A mentre per il catodo si usa la lettera K dai termini greci s e s che significano, rispettivamente, strada di sopra e strada di sotto.

Cap. V Conversione

V.7

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VBD

0 VF

AK

Caratteristica reale Fig. V.7: caratteristica reale tensione - corrente. Risulta quindi che nellidealizzare la caratteristica del diodo si sono trascurate la corrente di dispersione in polarizzazione inversa (tipicamente dellordine delle decine di mA) e la caduta di tensione in polarizzazione diretta VF (tipicamente inferiore al Volt) ed inoltre si supposto che la massima tensione di polarizzazione inversa risulti inferiore alla tensione di breakdown, VBD, che va dalla decina a qualche migliaio di Volt in dipendenza del tipo di diodo.
1.2.2 Il Tiristore

Il simbolo, la caratteristica ideale e quella reale del tiristore sono mostrati in figura V.8.
a)

A
A

b)

c)

v
G

iG
AK

VBD

iG
0 VF
Caratteristica reale

AK

AK

simbolo

Caratteristica ideale

Fig. V.8: il tiristore, a) simbolo; b) caratteristica ideale tensione corrente; c) caratteristica reale tensione corrente. Il funzionamento del tiristore si pu spiegare tenendo presente che:

per accenderlo, bisogna applicare un segnale di corrente positivo alla gate (G) mentre la tensione tra anodo e catodo (vAK) positiva; una volta acceso, il tiristore resta tale indipendentemente dalla presenza o meno del segnale sulla gate fino a quando la corrente di anodo (iA) non si annulla, cio, in questa fase, il tiristore si comporta come un diodo; per spegnere il tiristore necessario contropolarizzarlo, ovvero necessaria una tensione tra anodo e catodo negativa.

1.3 Conversione CA/CC

I convertitori CA/CC o raddrizzatori sono largamente utilizzati in tutte quelle applicazioni in cui necessario alimentare carichi in continua a partire da unalimentazione in alternata. I

Cap. V Conversione

V.8

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raddrizzatori sono impiegati, ad esempio, per lalimentazione dei circuiti elettronici, nei controlli di tipo industriale o di processo, negli azionamenti con regolazione della velocit e nei processi elettrolitici dellindustria chimica. In questo paragrafo verranno descritte diverse tipologie di questi convertitori. In particolare, si partir dallo studio di tipologie elementari, in presenza di diversi tipi di carico, per fornire i concetti base della conversione alternata continua; quindi si affronter lo studio di configurazioni pi complesse a ponte monofase e trifase. La classificazione delle diverse topologie di convertitori CA/CC caratterizzata dal numero di vie di conduzione, spesso indicato con la lettera q, che si definisce come il numero dei diversi percorsi che pu avere la corrente nel circolare dal lato in alternata a quello in continua in un periodo della tensione di alimentazione.
1.3.1 Raddrizzatori ad una via di conduzione

Nei raddrizzatori ad una via di conduzione (q = 1) il percorso della corrente dallalimentazione al carico unico; per motivi che saranno chiariti nel seguito, queste configurazioni si dicono anche ad una semionda. 1.3.1.1 Carico resistivo Il raddrizzatore ad una via di conduzione con carico resistivo mostrato in figura 9. Si supponga che la tensione di alimentazione, va, sia sinusoidale esprimibile come:

va = Va sin(t ) ,
essendo la pulsazione di alimentazione (misurata in radianti al secondo) e t il tempo. Si definisce angolo elettrico il prodotto = t. In ogni istante vale la relazione:

va = v AK + v0 ,
dove con vAK e v0 si sono indicate rispettivamente la tensione tra catodo e anodo del diodo e quella sul carico.

ia
+

va ~

vAK

i0 v0
R

Fig. V.9: raddrizzatore ad una via di conduzione con carico resistivo. Si assuma il diodo ideale; supponendo che allistante iniziale la corrente i0 sia nulla, allora, essendo la tensione sul carico esprimibile come v0 = Ri0, si ha che va = vAK. Quando la va tende a diventare positiva, il diodo entra in conduzione e, quindi, consente il passaggio di corrente. In questa fase, e cio per ]0, ], il diodo un corto circuito per cui la tensione sul carico uguale a va e la corrente i0 = ia = va/R. Quando va si inverte, e cio per ], 2], il diodo si spegne poich risulta contropolarizzato, e, poich un dispositivo unidirezionale , impedisce il passaggio di corrente. Quindi, la corrente i0 si annulla come pure la tensione sul carico v0. Questa situazione permane fin quando ], 2], dopodich si ripresenta la situazione

Cap. V Conversione

V.9

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descritta in precedenza in cui il diodo conduce. Il ragionamento fin qui riportato conduce agli andamenti di tensione e corrente riportati in figura V.10.
100

a)

va [V]

60 20 0 -20 -60 0 2 3 4

-100

[rad]
100 60 20 0 -20 -60 0 15 10 2 3 4

b)

v0 [V]

-100

[rad]
c)

ia = i0 [A]

5 0 -5 2 3 4

-10 -15 0

[rad]

Fig. V.10: grandezze elettriche del circuito di figura V.9; a) tensione di alimentazione; b) tensione sul carico; c) corrente nel diodo. Risulta chiaro che la tensione sul carico ha un valore medio diverso da zero (precisamente vale Va/, come banalmente calcolabile). 1.3.1.2 Carico ohmico - induttivo Si consideri ora il caso in cui il carico sia costituito dalla serie di una resistenza e di una induttanza (carico ohmico - induttivo). Lo schema del circuito mostrato in figura V.11.

ia
+

i0 vAK v0
R L

va ~

Fig. V.11: raddrizzatore ad una via di conduzione con carico ohmico - induttivo.

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V.10

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Vale la seguente relazione:

va = v AK + v0 = v AK + Ri0 + L

di0 ; dt

si supponga che, allistante iniziale, la corrente i0 sia nulla. Per ]0, ], la tensione va positiva forza una corrente i0 positiva, il diodo entra in conduzione (e si pu considerare come un corto circuito) e la corrente i0 seguir il tipico transitorio di un circuito RL con alimentazione sinusoidale. A parte un diverso transitorio di corrente, fino a = , il funzionamento del raddrizzatore di figura V.11 simile a quello visto nel caso di carico resistivo. Per = la tensione va si annulla ma non altrettanto la corrente i0 poich la tensione Ldi0/dt forza ancora la conduzione del diodo (linduttanza funzione come generatore). Dunque, la tensione sul carico, v0, non si annulla a = ma ha una coda negativa a causa della caduta sullinduttanza. Nel momento in cui la corrente i0 si annulla, il diodo risulta contropolarizzato e si spegne e la v0 si annulla restando tale fino a = 2 dove ricomincia lo stesso funzionamento fin qui descritto. Le forme donda di tensione e corrente sono riportate in figura V.12.
100

a)

va [V]

60 20 0 -20 -60 0 2 3 4

-100

[rad]
100

v0 [V]

60 20 0 -20 -60 0 2 3 4

b)

-100

[rad]
15 10

c)

ia = i0 [A]

5 0 -5 2 3 4

-10 -15 0

[rad]

Fig. V.12: grandezze elettriche del circuito di figura 11; a) tensione di alimentazione; b) tensione sul carico; c) corrente nel diodo.

Cap. V Conversione

V.11

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Come facilmente riscontrabile dalla figura V.12, la presenza dellinduttanza causa, rispetto al caso di carico resistivo, una riduzione del valore medio di tensione sul carico per la presenza della coda negativa di tensione. Inoltre, per il raddrizzatore in esame la corrente si annulla (nel periodo dellalimentazione) prima che parta la nuova semionda positiva dellalimentazione va. Questo tipo di funzionamento detto conduzione discontinua di corrente (Discontinuous Current Mode, DCM). Per altre tipologie di raddrizzatori possibile che la corrente nel carico a regime non si annulli allinterno del periodo. Questa condizione operativa va sotto il nome di conduzione continua di corrente (Continuous Current Mode, CCM). Per evitare gli effetti descritti prima, si pu modificare il circuito di figura V.11 inserendo il cosiddetto diodo di libera circolazione (freewheeling diode) cos come mostrato in figura V.13.

ia
+

va ~

vAK

ifw v0
Dfw

i0
R L

Fig. V.13: raddrizzatore ad una via di conduzione con carico ohmico induttivo e diodo di libera circolazione. In questo circuito, quando la tensione va si annulla il diodo di libera circolazione entra in conduzione e mantiene nulla la tensione v0 evitando la coda negativa e provocando la scarica della corrente i0 sulla resistenza R. Gli andamenti di tensione e corrente sono riportati in figura V.14. Inoltre, la presenza del diodo di libera circolazione rende possibile il CCM poich la corrente nellinduttanza va rigorosamente a zero solo dopo un tempo infinito2. Quanto maggiore linduttanza di carico tanto meno variabile risulta la corrispondente corrente (i0). In particolare, se si assume che linduttanza sia molto elevata, nel senso che la costante di tempo L/R molto maggiore del periodo della tensione di alimentazione, va, allora si pu, con buona approssimazione, affermare che la corrente nel carico costante.

Matematicamente, la durata della scarica infinita poich landamento di tipo esponenziale decrescente. Ingegneristicamente, la si pu considerare esaurita, e quindi la corrente si pu considerare nulla, dopo un tempo pari a 45 volte la costante di tempo del circuito RL.

Cap. V Conversione

V.12

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100

a)

va [V]

60 20 0 -20 -60 0 2 3 4

-100

[rad]
100 60 20 0 -20 -60 0 15 10 5 2 3 4

b)

v0 [V]

-100

[rad]
c)

i0 [A]

0 -5

-10 -15 0

[rad]

Fig. V.14: grandezze elettriche del circuito di figura 13; a) tensione di alimentazione; b) tensione sul carico; c) corrente nel carico.

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V.13

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1.3.1.3 Carico con induttanza infinita Portando al limite il ragionamento precedente, si pu considerare un carico con induttanza infinita (L = ) assumendo, quindi, rigorosamente costante la corrente nel carico. Tale ipotesi, pur non essendo rigorosamente verificata, non lontana dalla realt nel caso si assuma come carico, ad esempio, il modello di un motore elettrico; ma, soprattutto, viene introdotta in quanto consente una notevole semplificazione nellanalisi delle grandezze elettriche tipiche dei convertitori CA/CC. Il raddrizzatore ad un via di conduzione con carico L = mostrato in figura V.14 mentre landamento delle tensioni e delle correnti mostrato in figura V.15A.

ia
+

va ~

vAK

ifw
Dfw

I0
L = v0

Fig. V.15A: raddrizzatore ad una via di conduzione con carico L = e diodo di libera circolazione. La corrente nel carico pari a I0 ed costante, la corrente nellalimentazione pari ad I0 solo per ]0, ], cio solo quando conduce il diodo D, mentre per ], 2] nulla in quanto la corrente costante nel carico sostenuta dal diodo di libera circolazione. La tensione sul carico non cambia rispetto al caso precedente assumendo il solito andamento ad una semionda.

Cap. V Conversione

V.14

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100

a)

va [V]

60 20 0 -20 -60 0 2 3 4

-100

[rad]
100 60 20 0 -20 -60 0 2 3 4

b)

v0 [V]

-100

[rad]
14 10

c)

ia [A]

8 4 0 0 2 3 4

[rad]
14 10

d)

ifw [A]

8 4 0 0 14 10 2 3 4

[rad]
e)

I0 [A]

8 4 0 0 2 3 4

[rad]

Fig. V.15B: grandezze elettriche del circuito di figura V.14; a) tensione di alimentazione; b) tensione sul carico; c) corrente nel diodo D; d) corrente nel diodo Dfw e) corrente nel carico.

Cap. V Conversione

V.15

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Molto spesso lalimentazione dei raddrizzatori costituita dal secondario di un trasformatore. In tal caso non possibile trascurare la presenza a monte del raddrizzatore stesso di un induttanza di linea Lc detta induttanza di commutazione. Una immediata conseguenza della presenza di Lc che le forme donda di corrente relative allalimentazione e al diodo di libera circolazione, in precedenza assunte discontinue, ora non possono pi esserlo (si ricordi che la corrente in un induttore non pu essere discontinua). In altri termini, come si espliciter meglio in seguito, linduttanza di commutazione ritarda la commutazione stessa. Per il momento, si osservi solo lo schema di figura V.16 e le relative forme donda in figura V.17.

Lc ia
+

va ~

vAK

ifw
Dfw

I0
L = v0

Fig. V.16 : raddrizzatore ad una via di conduzione con carico L = , diodo di libera circolazione ed induttanza di commutazione.

Cap. V Conversione

V.16

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100

a)

va [V]

60 20 0 -20 -60 0 2 3 4

-100

[rad]
100 60 20 0 -20 -60 0 2 3 4

b)

v0 [V]

-100

[rad]
14 10

c)

ia [A]

8 4 0 0 2 3 4

[rad]
14 10

d)

ifw [A]

8 4 0 0 2 3 4

[rad]
14 10

e)

I0 [A]

8 4 0 0 2 3 4

[rad]

Fig. V.17: grandezze elettriche del circuito di figura 16; a) tensione di alimentazione; b) tensione sul carico; c) corrente nel diodo D; d) corrente nel diodo Dfw e) corrente nel carico.

Cap. V Conversione

V.17

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1.3.1.4 Carico resistivo con filtro capacitivo La natura pulsante della tensione di uscita dei circuiti discussi in precedenza la rende inutilizzabile come tensione continua. Per questo motivo, in cascata ai raddrizzatori sono posti opportuni circuiti che stabilizzano ulteriormente la tensione continua da fornire al carico. Tuttavia, una semplice soluzione a questo problema consiste nel collegare un condensatore in parallelo al carico. Si consideri il circuito di figura 18, in cui il carico considerato, per semplicit, resistivo. Il circuito di figura 18 spesso chiamato rivelatore di picco poich in grado di fornire in uscita una tensione con valore medio molto prossimo al valore di picco della tensione di alimentazione.

ia
+

i0 vAK
C

va ~

v0

Fig. V.18: il rivelatore di picco. Il circuito funziona nel modo seguente: in corrispondenza di un ingresso sinusoidale, il condensatore si carica fino alla massima tensione di ingresso (Va). Non appena la tensione di alimentazione decresce dal suo massimo, il condensatore comincia a scaricarsi sulla resistenza R e, dal momento che la tensione vAK risulta negativa, il diodo viene contropolarizzato e si spegne. La scarica del condensatore, che dipende dalla costante di tempo RC del circuito, dura fino a che la tensione di alimentazione non raggiunge un valore tale da superare la tensione ai capi del condensatore che, ovviamente, coincide con la tensione sul carico v0. Quindi, il diodo si riaccende, poich vAK risulta ora positiva, e il condensatore comincia una nuova fase di ricarica. Questo ragionamento porta alle forme donde mostrate in figura 19.

Cap. V Conversione

V.18

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100

a)

va [V]

60 20 0 -20 -60 0 100 2 3 4

-100

[rad]
b)

va [V]

60 20 0 -20 -60 0 2 3 4

-100

[rad]
100

c)

ia [A]

50 0 -50 -100 0 2 3 4

[rad]

Fig. V.19: grandezze elettriche del circuito di figura 18; a) tensione di alimentazione; b) tensione sul carico; c) corrente nel diodo. Si osservi come, in questo circuito, la tensione di uscita sia molto meno pulsante di quanto avvenisse per le configurazioni mostrate in precedenza. In particolare, tanto pi grande la costante di tempo del circuito (e cio, a parit di resistenza, quanto pi grande il valore della capacit C) tanto pi piccola sar londulazione (ripple) sovrapposta al valore medio. Per ultimo, si noti l andamento della corrente assorbita dallalimentazione, ia, giustificato dal fatto che il diodo conduce solo per un breve intervallo di tempo e cio solo durante la fase di carica del condensatore.
1.4 Raddrizzatori monofase a ponte

Le configurazioni ad una via di conduzione non sono utilizzate nella pratica per diversi motivi. Il motivo principale consiste nel fatto che il circuito non viene utilizzato nel pieno delle sue potenzialit, nel senso che si sfrutta solo la semionda positiva della tensione di alimentazione. Per ovviare a questo inconveniente si utilizzano le cosiddette strutture a ponte. La figura 20 mostra il raddrizzatore monofase a ponte con carico L = , detto anche a doppia semionda per i motivi che saranno chiari tra breve. Questa configurazione caratterizzata da 2 vie di conduzione (q = 2).

Cap. V Conversione

V.19

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ia
+

I0
L=

va ~
4 2

v0

Fig. V.20: raddrizzatore monofase a ponte con carico L = . Semplici considerazioni consentono di affermare che condurranno i diodi D1 e D2 per ]0, ] ed i diodi D3 e D4 per ], 2]. Infatti, se si suppone di partire da = 0 e che stiano conducendo i diodi D1 e D2, la tensione sul carico sar:

v0 = v a > 0 ,
e le tensioni tra gli anodi ed i catodi dei diodi D3 e D4 saranno:

v AK 3 = v AK 4 = v0 < 0 .
Quindi, i diodi D3 e D4 risultano contropolarizzati, ma solo fino a quando la tensione sul carico non tende a diventare negativa. In questo punto, e cio per = , i diodi D3 e D4 cominciano a condurre fornendo una tensione sul carico pari a:

v0 = v a > 0 .
Dunque, per ], 2], i diodi D1 e D2 risultano contropolarizzati poich, in questa situazione, risulta:

v AK 1 = v AK 2 = v0 < 0 .
Questa nuova condizione di funzionamento permane fino a = 2, dopodich si riparte dalla condizione iniziale in cui conducono i diodi D1 e D2. Landamento delle tensioni e delle correnti mostrato in figura V.21.

Cap. V Conversione

V.20

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100

a)

va [V]

60 20 0 -20 -60 0 100 2 3 4

-100

[rad] va [V]
60 20 0 -20 -60 0 15 10 5 2 3 4

b)

-100

[rad]
c)

ia [A]

0 -5

-10 -15 0

[rad]
15 10

d)

I0 [A]

5 0 -5 0 2

[rad]

Fig. V.21: grandezze elettriche del circuito di figura 20; a) tensione di alimentazione; b) tensione sul carico; c) corrente assorbita lato CA; d) corrente nel carico. La presenza dellinduttanza di commutazione modifica la configurazione del circuito di figura V.20 in quella mostrata in figura V.22. Una immediata conseguenza della presenza di Lc , come nel caso delle altre topologie, limpossibilit che la corrente di alimentazione ia, risulti discontinua: linduttanza di commutazione ritarda la commutazione. Le forme donda relative a al circuito di figura V.22 sono mostrate in figura V.23.

Cap. V Conversione

V.21

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Lc
+

ia

I0
L=

va ~
4 2

v0

Fig. V.22: raddrizzatore monofase a ponte con carico L = ed induttanza di commutazione.

Cap. V Conversione

V.22

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100

a)

va [V]

60 20 0 -20 -60 0 100 2 3 4

-100

[rad]
b)

va [V]

60 20 0 -20 -60 0 15 10 5 2 3 4

-100

[rad]
c)

ia [A]

0 -5

-10 -15 0

[rad]
15 10

d)

I0 [A]

5 0 -5 0 2

[rad]

Fig. V.23: grandezze elettriche del circuito di figura V.22; a) tensione di alimentazione; b) tensione sul carico; c) corrente assorbita lato CA; d) corrente nel carico.
2 Raddrizzatori Trifase a Ponte

2.1 Ponte a diodi

Uno dei circuiti pi utilizzati per la conversione da alternata a continua, il ponte di diodi trifase, il cui schema di principio mostrato in figura V.24 [3]: il ponte funziona in modo tale che, partendo dalle tensioni in alternata (Vab, Vbc, Vca), in uscita si osserva una tensione continua (Vdc) con una ondulazione (ripple) sovrapposta.

Cap. V Conversione

V.23

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+
1
A

2
B C

AC

vdc
4

DC

Fig. V.24: Schema di principio di un raddrizzatore trifase a ponte di diodi. Questa configurazione si dice a sei vie di conduzione (six-pulse) perch esistono 6 diverse configurazioni circuitali cui corrispondono 6 diversi percorsi che pu avere la corrente nel circolare dal lato in alternata a quello in continua in un periodo della tensione di alimentazione. Per illustrare il principio di funzionamento del raddrizzatore a diodi si supponga che: 1) lalimentazione in alternata sia ideale, costituita cio da una terna simmetrica di tensioni sinusoidali; 2) siano trascurabili le induttanze del lato in alternata; 3) il carico sia ideale (L =); 4) sia trascurabile il tempo di spegnimento dei diodi; Si osservi subito che, data la natura del carico, la corrente in uscita al raddrizzatore, Idc, perfettamente costante.
Idc
+

L=

ea
~

1
A
~

2
B C

ec

eb

V dc
4

Fig. V.25: La configurazione circuitale nelle ipotesi di funzionamento ideale. La sequenza di accensione dei diodi del ponte illustrata in figura V.26: ciascun diodo conduce per 120 elettrici e, come detto prima, esistono 6 vie di conduzione che conducono ciascuna per 60 elettrici, ovvero per t* = 2/q, q = 6. Ad esempio, allorch conduce la coppia di diodi (1,5), il che equivale a dire che la tensione Vab risulta maggiore delle tensioni Vac e Vcb, allora per 60 elettrici la tensione Vdc in uscita al ponte sar proprio Vab.

Cap. V Conversione

V.24

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a)
A B C

b)
Vdc=Vcb

1
A B C

Vdc=Vab

5
-

VCB>VAB, VCA

VAB>VAC, VCB
+

c)
1
A B C

d)
1
A

+
2
B C

Vdc=Vac
4

Vdc=Vbc
4

VAC>VAB, VBC

VBC>VBA, VAC
+

e)
2
A B C

f)
2
A

+
3

Vdc=Vba
4
-

B C

Vdc=Vca

VBA>VBC, VCA

VCA>VBA, VCB

Fig. V.26: Le sei vie di conduzione. Dalla figura V.26 a), b), c), d), e) ed f), in cui i due diodi in neretto conducono mentre il terzo si appena spento, si nota che il passaggio da una via di conduzione a quella successiva non avviene forzatamente ma in modo naturale (dipende solo dalle tensioni concatenate che determinano quale coppia di diodi, uno sulla gamba superiore ed uno sulla gamba inferiore, conduce) ed per tale motivo che questo tipo di raddrizzatore detto a commutazione naturale La conseguenza dellalternarsi delle vie di conduzione che la forma donda della tensione continua, Vdc, in uscita al raddrizzatore presenta un andamento del tipo riportato in figura V.27 (curva in neretto), in cui sono riportate anche le tensioni concatenate e le coppie di diodi in conduzione: essa costituita dallinviluppo delle tensioni concatenate di maggior valore.

Cap. V Conversione

V.25

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(3, 5)

(1, 5)

(1, 4)

(2, 4)

(2, 6)

(3, 6)

(3, 5)

0 0

/3 Fig. V.27: La tensione continua in uscita al raddrizzatore in condizioni ideali.

Laver supposto lassenza di induttanze lato alimentazione, comporta che le correnti lato alternata si portino istantaneamente dal valore Idc a zero o viceversa; nei circuiti reali la presenza di induttanze di dispersione rende impossibili tali discontinuit di corrente e, quindi, il passaggio da una via di conduzione ad unaltra avviene in un tempo non nullo o, equivalentemente, in un angolo elettrico (angolo di overlap) spesso indicato con . Come conseguenza si ha che la tensione sul carico, Vdc, presenta un andamento diverso da quello mostrato in precedenza e che pu essere esemplificato cos come riportato in figura V.28.

Cap. V Conversione

V.26

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(3, 5)

(1, 5)

(1, 4)

(2, 4)

(2, 6)

(3, 6)

(3, 5)

0 0

(1, 3, 5)

(1, 5, 4)

(2, 1, 4)

(2, 4, 6)

(3, 2, 6)

(3, 6, 5)

/6 Fig. V.28: La tensione continua in uscita al raddrizzatore in presenza di induttanze di dispersione sul lato in alternata.

Per chiarire tale meccanismo, detto commutazione reale, supponiamo di essere allangolo = /6, cio nel momento in cui alla conduzione del diodo 3 dovrebbe sostituirsi quella del diodo 1. La presenza delle induttanze di linea relative alle fasi A e C determina una nuova configurazione del raddrizzatore che riportata in figura V.29 in cui si osserva che sono in conduzione contemporanea tre diodi (1,3,5).
I dc
d

ia
ea
~

L
A

1
B

ec
~

o
~

eb

ib ic
5

V dd =

V cb +V ab 2

Fig. V.29: La commutazione reale. La corrente ic deve portarsi da Idc a zero (e viceversa per ia) ed in particolare, durante tale fase di funzionamento, si ha che istantaneamente: IDC=IA+IC IDC=-IB . (5)

Cap. V Conversione

V.27

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Per valutare gli effetti di questo fenomeno sulla tensione sul carico si pu osservare che:

Vdo ( t ) = e a ( t ) L Vdo ( t ) = e c ( t ) L Vd 'o ( t ) = e b ( t ) L

d i a (t) dt d i c (t) dt d i b (t) dt (6)

dunque, sommando membro a membro le prime due relazioni della (6), tenuto conto che d d d L I dc = 0 e quindi L i b = 0 e L (i a (t ) + i c (t )) = 0 , si ha: dt dt dt 2 Vdo ( t ) = e a ( t ) + e c ( t ) L e dalle (5), (6) e (7) si pu quindi stabilire che:
Vdd ' ( t ) = e a (t) + e c (t) V ( t ) + Vab ( t ) e b ( t ) = cb 2 2

d d i a (t) L i c (t) dt dt

(7)

(8)

Dunque il passaggio dalla via di conduzione caratterizzata dalla coppia di diodi (3,5) a quella (1,5), non avviene istantaneamente ma in un angolo elettrico, , durante il quale la tensione in uscita al raddrizzatore si porta al valore indicato dalla (8). Poich lo stesso fenomeno si ripete per le altre commutazioni, particolarizzando opportunamente la (8) facile capire landamento della forma donda di tensione mostrata in figura 28. Il raddrizzatore a ponte di diodi presenta essenzialmente due svantaggi: a) non pu essere variato il valore medio della tensione in uscita; b) il flusso di potenza unidirezionale, quindi non pu essere utilizzato nei casi in cui si renda necessaria linversione corrente continua corrente alternata.
2.2 Ponte a tiristori

Se si sostituiscono ai diodi degli interruttori di potenza come il tiristore (chiamato anche Silicon Controlled Rectifier, SCR) possibile superare gli svantaggi sopraelencati [3]. Come visto nel paragrafo 1.2.2, il tiristore un interruttore di potenza a tre terminali, anodo, catodo e gate, dalla particolare caratteristica Corrente-Tensione; in pratica pilotabile, dalla gate, in accensione ma si spegne naturalmente (a volte si dice impropriamente che un ibrido tra un transistor e un diodo nel senso che si accende come un transistor ma si spegne come un diodo). Un raddrizzatore a ponte realizzato con SCR si dice totalmente controllato: possibile, ritardando laccensione degli SCR, variare il valore medio della tensione in uscita e, inoltre, invertire la direzione del flusso di potenza.

Cap. V Conversione

V.28

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V d c (t) [ V ]

10000

= 3 0 = 0

a)

8000

6000

4000

2000

t [s ]

0 .0 2

V d c (t) [ V ]

10000

= 6 0 = 0

b)

8000

6000

4000

2000

t [s ]

0 .0 2

V d c (t) [ V ]

10000

= 9 0 = 0

c)

5000

-5 0 0 0

t [s ]

0 .0 2

Fig. V.30: Tensione ai morsetti in continua di un ponte trifase totalmente controllato, nelle ipotesi di commutazione ideale, per tre valori di . Come si pu osservare dalla figura 30, ritardando laccensione dei tiristori, di un angolo elettrico pari ad , si ottiene una variazione della forma donda in uscita, ed una conseguente diminuzione del valore medio. In particolare vale: dove:

V dc = V m c o s

Vdc il valore medio della tensione in uscita dal convertitore; Vm il valore medio in uscita in assenza di ritardi di accensione (=0).

Cap. V Conversione

V.29

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Quindi se si ritarda di 90 laccensione dei tiristori, si ottiene unuscita con valore medio nullo. Inoltre se la corrente si mantiene costante e sempre positiva sul lato in continua, possibile ritardare laccensione dei tiristori di valori superiori ai 90. Cos facendo la tensione in uscita si inverte mentre la corrente resta positiva [3]. Quindi il flusso di potenza questa volta dal carico si trasferisce allalimentazione. In pratica il carico deve forzare la circolazione della corrente per soddisfare la condizione esposta. Le curve mostrate in figura 30 si riferiscono al caso ideale, ovvero sono senzaltro verificate tutte le ipotesi dette circa lalimentazione in alternata ed il carico; in particolare la presenza delle induttanze di alimentazione provoca lo stesso fenomeno visto per il ponte a diodi: si osservi solo come la forma donda ottenuta per =30 e =12, mostrata in figura V.31, sia molto diversa da quella mostrata in Figura V.11 a) in cui, a parit di angolo di ritardo di accensione, langolo di overlap nullo.
Vdc(t) [V] 10000

8000

6000

4000

2000

t [s]

0.02

Fig. V.31: Tensione ai morsetti in continua di un ponte trifase totalmente controllato: =30, =12
3 INVERTER TRIFASE

Lo schema utilizzato per convertire la tensione continua in una tensione alternata di frequenza variabile (conversione continua alternata) sempre di tipo a ponte come mostrato in figura V.32 [3].

Cap. V Conversione

V.30

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Id
+

Sa+
A

Sb+
B

Sc+

Vd

Sa-

Sb-

Sc-

Fig. V.32: Schema di principio dell inverter trifase a ponte In questo caso, il ponte deve essere autocommutato: gli interruttori devono essere quindi realizzati con dispositivi elettronici di potenza totalmente pilotabili, e cio sia in accensione che in spegnimento. Tra gli interruttori di potenza oggi disponibili, quelli pi utilizzati sono [4]: GTO (Gate Turn Off thyristors); BJT (Bipolar Junction Transistor); SCR (Silicon Controlled Rectifier), detti anche tiristori, con circuiti di pilotaggio per la commutazione forzata; MOSFET di potenza; IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor). La scelta dei componenti da utilizzare dipender dalle frequenze di commutazione desiderate, dalle prestazione richieste e dalle potenze in gioco, nonch dal livello di sviluppo delle tecnologie produttive. Il principio di funzionamento dellinverter molto semplice; aprendo e chiudendo gli interruttori, ogni fase viene collegata alternativamente al ramo positivo e a quello negativo dellalimentazione in continua. Lalimentazione in continua pu essere caratterizzata dallimpedenza vista dal circuito di uscita. Si distinguono due casi limite:
a) Inverter a tensione impressa in cui la tensione Vd resta costante qualunque sia la corrente richiesta dal carico: in questo modo accendendo e spegnendo gli interruttori, sulla coppia di fasi in quel momento collegate si presenta la tensione Vd. b) Inverter a corrente impressa in cui lalimentazione si comporta da generatore ideale di corrente, quindi la chiusura di un interruttore non fa altro che indirizzare la corrente Id, costante, sulla fase opportuna.

Attualmente, il sistema pi diffuso per piccoli valori della potenza (<1 MW) linverter a tensione impressa del quale, nel seguito, si descrive con maggior dettaglio il principio di funzionamento. Tuttavia, si riportano anche cenni del principio di funzionamento dellinverter

Cap. V Conversione

V.31

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a corrente impressa di cui si trovano ancora oggi applicazioni in impianti di elevatissima potenza e che, comunque, costituiscono una tecnologia pi consolidata.
3.1 Inverter a tensione impressa

Nel circuito mostrato precedentemente, la corrente pu circolare solamente negli intervalli in cui c una coppia di interruttori chiusi. Per la natura induttiva del carico e per la presenza delle induttanze, non possibile interrompere bruscamente la circolazione di corrente a causa delle notevoli sovratensioni che verrebbero a presentarsi sugli interruttori. Si rendono cos necessarie alcune modifiche al circuito di figura V.32, introducendo dei diodi contropolarizzati rispetto agli interruttori per creare un cammino alternativo alla corrente quando gli interruttori sono aperti.
A + R

Vd/2
o

Sa+
A

Sb+
B

Sc+

ea
~

Vd/2
-

Sa-

Sb-

ScL R C

ec
~

N ~

eb
L R B

Fig. V.33: Linverter a tensione impressa connesso ad un carico generalizzato A seconda della tecnica utilizzata per la sintesi dei segnali di uscita, gli inverter a tensione impressa possono operare in modalit onde quadre (square-wave) o PWM: si veda innanzitutto il principio di funzionamento in modalit square wave. 3.1.1 Realizzazione Square Wave (Six-Step) Si consideri il circuito di figura V.33 in cui linverter alimentato da una sorgente di tensione ideale ed alimenta un carico generalizzato. Il principio di funzionamento molto semplice: Gli interruttori Sa+, Sa- sono pilotati in modo tale da condurre ciascuno per un angolo elettrico ( = t) pari a e vengono comandati in logica complementare , cio: Sa+ on e Sa- off, 2 k < (2 k +1) , k N0 .

Sa+ off e Sa- on, (2 k+1) < (2 k +2)

Gli interruttori degli altri due rami dellinverter sono pilotati in modo analogo ma sfasati di 120 elettrici in ritardo e in anticipo rispettivamente. In questo modo si ha che Vao pari a Vd/2 quando acceso Sa+ ed a -Vd/2 quando acceso Sa-. Lo stesso dicasi per Vbo e Vco. Le tensioni in uscita allinverter possono essere espresse rispetto al punto centrale dellalimentazione in continua: Vab=Vao-Vbo; Van=Vao-Vno ;

Cap. V Conversione

V.32

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Vbc=Vbo-Vco; Vca=Vco-Vao;

Vbn=Vbo-Vno ; Vcn=Vco-Vno .

Nelle ipotesi che il carico generalizzato sia simmetrico ed equilibrato, si ha che: Van+Vbn+Vcn=0 , e quindi si pu scrivere: Vno=1/3 (Vao+Vbo+Vco) . Dunque le tensioni di fase presenti sul carico generalizzato sono espresse dalle seguenti relazioni: Van = 2/3 Vao 1/3 Vbo- 1/3 Vco ; Vbn = -1/3 Vao + 2/3 Vbo- 1/3 Vco ; Vcn = -1/3 Vao 1/3 Vbo+ 2/3 Vco . Nelle figure V.34 e V.35 si riportano le forme donda delle tensioni in uscita allinverter, quelle sul carico e la corrente di linea (fase A) in uscita allinverter. Questultima caratterizzata dalleffetto di smoothing (addolcimento) prodotto dalle induttanze di carico che impediscono la circolazione di componenti armoniche ad alta frequenza.
V ao

a)
V d /2
0

-V d /2
0

0.1

V bo

V d /2
0

-V d /2
0

0.1

V co

V d /2
0

-V d /2
0

t [s]

0.1

Cap. V Conversione

V.33

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V ab

b)
Vd
0

-V d
0

0.1

V bc

Vd
0

-V d
0

0.1

V ca

Vd
0

-V d
0

t [s]

0.1

V an
0

c)

0.1

V bn
0

0.1

V cn
0

t [s]

0.1

Fig. V.34: Le tensioni riferite al punto centrale dellalimentazione in continua; (a), in uscita allinverter (b) e quelle sul carico (c).
i
a

( t )

[ s ]

0 . 1

Fig. V.35: Corrente di linea (fase A) con funzionamento six-step 3.1.2 Realizzazione PWM (Pulse Width Modulation) Il sistema PWM, ha in generale un campo di attuazione pi vasto del precedente. Se si utilizzano interruttori con frequenza di commutazione molto elevata, possibile ottenere correnti sinusoidali anche per bassi valori della frequenza ed inoltre il contenuto armonico delle grandezze in uscita meno significativo [3].

Cap. V Conversione

V.34

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La realizzazione di questa tecnica si basa essenzialmente sullelettronica, quindi il costo di realizzazione ha seguito la caduta dei prezzi dei microprocessori e dei circuiti integrati. Con la tecnica PWM, si utilizza una frequenza di commutazione degli interruttori molto elevata in modo da ricreare una tensione con profilo sinusoidale in uscita. Utilizzando questa tecnica possibile anche variare lampiezza della sinusoide in uscita, variando lampiezza degli impulsi di comando degli interruttori, senza variare la tensione continua in ingresso allinverter. Per ottenere questo scopo sufficiente generare opportunamente i treni di impulsi di comando degli interruttori. Si possono utilizzare diverse tecniche, ma di seguito si riportano i fondamenti teorici che stanno alla base della sola tecnica della sottooscillazione sinusoidale mentre non verranno trattate le altre tecniche elencate. Con la tecnica della sottooscillazione sinusoidale il treno di impulsi di comando per gli interruttori generato dal confronto di tre segnali sinusoidali, alla frequenza desiderata in uscita dallinverter e di ampiezza proporzionale a quella voluta sul carico, sfasati di 120 luno dallaltro con un segnale triangolare di frequenza pari a quella di commutazione. I segnali sinusoidali sono detti modulanti mentre il segnale triangolare detto portante. Si definiscono un fattore di modulazione di frequenza mf = fp/fm, dove fp la frequenza del segnale portante triangolare e fm la frequenza della modulante sinusoidale, ed un fattore di modulazione di ampiezza ma = Max(V~)/Max(Vtri), dove Max(V~) il valore massimo della modulante sinusoidale e Max(Vtri) il valore massimo della portante triangolare [3]. In figura 36 riportato un esempio di applicazione della tecnica di cui sopra per generare gli impulsi di comando degli interruttori della gamba A dellinverter.
1

-1
S a+ o n

t [s]

0 .0 2

S a- o n

0
0 t [s] 0 .0 2

Fig. V.36: La tecnica di sottooscillazione sinusoidale e gli impulsi di comando per gli interruttori della gamba A dellinverter In pratica, Sa+ acceso (e Sa- spento) quando la portante risulta maggiore della modulante e, viceversa Sa- acceso (Sa+ spento) quando la portante risulta minore della modulante. In uscita allinverter si ottiene un segnale con una componente fondamentale alla stessa frequenza della modulante ed un contenuto armonico confrontabile con quello della portante. Nelle figure V.37 e V.38 si riportano le forme donda delle tensioni in uscita allinverter, quelle sul carico ottenute in analogia a quanto fatto per la figura V.35, e la corrente di linea (fase A) in uscita allinverter.

Cap. V Conversione

V.35

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V ab

a)

0
V bc

0.1

0
V ca

0.1

0
0.1
b)

t [s]

V an

0
V bn

0.1

0
V cn

0.1

0
0.1

t [s]

Fig. V.37: Le tensioni in uscita allinverter (a) e quelle sul carico (b)
i
a

( t )

[ s ]

0 . 1

Fig. V.38: Corrente di linea (fase A) con funzionamento PWM

Cap. V Conversione

V.36

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3.2 Cenni sullinverter a corrente impressa

Il funzionamento dellinverter a corrente impressa, molto semplice [1]: si considerino le figure V.32 e V.39: modulando opportunamente lapertura e la chiusura degli interruttori, si reindirizza la corrente di regime, in uscita dallalimentazione in continua (Id), sulle singole fasi delluscita; pi complessa invece la modellazione [5].

2 chiuso

Id

-Id Fig. V.39: Ciclo di chiusura degli interruttori ed andamento della corrente nella fase A In questo caso non sono pi necessari, come visto per gli inverter a tensione impressa, i diodi di libera circolazione dal momento che esiste sempre un cammino per la corrente. Lunica condizione richiesta che almeno due interruttori, uno posto sul ramo positivo ed uno sul ramo negativo dellinverter, devono essere chiusi per garantire un percorso alla corrente [1].
4 CONVERTITORI DOPPI CA/CC/CA

I convertitori CA/CC/CA sono utilizzati in tutte quelle applicazioni che richiedono la variazione della frequenza di alimentazione del carico in alternata. La soluzione da adottare dipende dal sistema utilizzato per realizzare la sezione di conversione CC/CA, poich, oltre alla frequenza, spesso richiesta anche la variazione dellampiezza della componente fondamentale della tensione in uscita allinverter.
4.1 realizzazione con inverter VSI - square wave

Per ottenere la variazione dellampiezza della componente fondamentale della tensione in uscita, necessario ricorrere ad una regolazione della tensione di ingresso allinverter [1]. La regolazione pu essere effettuata agendo sul raddrizzatore (se di tipo controllato, figura 40a)) o sul circuito intermedio mediante un chopper (figura 40b)). Il chopper essenzialmente un convertitore continua-continua che, alimentato da una tensione di valore medio fisso, in grado di innalzare (step-up) o abbassare (step-down) la tensione ai suoi morsetti di uscita.

Cap. V Conversione

V.37

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Riferimento

a)

Circuito di controllo
Vd

=
raddrizzatore

Vd

=
inverter VSI

Riferimento

b)

Circuito di controllo Vd

=
raddrizzatore

Chopper

Vd

=
inverter VSI

Fig. V.40: Metodi di regolazione della tensione e della frequenza in un inverter VSI di tipo six step: controllo a ciclo aperto Quando le tensioni e le correnti in uscita allinverter presentano un contenuto armonico significativo a frequenze piuttosto vicine a quella fondamentale necessario ricorrere al filtraggio che incide negativamente sui costi.
4.2 realizzazione con inverter VSI - PWM

Si dimostra che nelle ipotesi che il fattore di modulazione di ampiezza, ma, sia minore di uno, il valore della componente fondamentale della tensione sul carico, VL, proporzionale al valore della tensione continua in ingresso allinverter: VL = ma Vd/2. Per questo motivo la sorgente in continua pu essere realizzata con un semplice ponte di diodi (non pi necessario il chopper di figura 40 b), come esemplificato dalla figura V.41.
Riferimento

Circuito di controllo

mf, ma
Vc

PWM
V, f

Vc

Fig. V.41: Metodi di regolazione della tensione e della frequenza in un inverter VSI di tipo PWM: controllo a ciclo aperto

Cap. V Conversione

V.38

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Uno dei vantaggi principali del PWM che il contenuto armonico si trova a frequenze pi elevate rispetto al caso del six-step ( legato alla frequenza di commutazione degli interruttori). Quindi, grazie alle propriet filtranti di un carico induttivo, il profilo della corrente pressoch sinusoidale e quindi il ripple di corrente generalmente piccolo anche grazie alle reattanze di dispersione del carico che, ad alte frequenze, assumono valori elevati.
4.3 realizzazione con inverter CSI

Lalimentazione a corrente costante fornita allinverter da un raddrizzatore controllato (ad SCR), che si trasforma in un generatore di corrente inserendo una induttanza di valore considerevole in uscita al ponte, e controllando ad anello chiuso il valore della corrente.

=
raddrizzatore

+ Id
inverter CSI

Controllo

Id*

riferim ento

Fig. V.42: Schema di principio di un azionamento realizzato con inverter a corrente impressa Questa soluzione oggi impiegata praticamente solo per applicazioni di elevatissima potenza.

Cap. V Conversione

V.39

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Bibliografia

[6] Simon M. Sze, Dispositivi a semiconduttore, Hoeply; [7] Adel S. Sedra, Kenneth C. Smith, Circuiti per la microelettronica, Edizioni INGEGNERIA 2000; [1] JMD Murphy, FG Turnbull, Power electronic control of AC motors, Pergamon Press; [3] Mohan, Undeland, Robbins, Power electronics: converters, application and design, John Wiley & sons, Inc.; [4] B. K. Bose, Power electronics and variable frequency drives: technology and application, IEEE Press; [5] R. Carbone, F. De Rosa, R. Langella, A. Testa, A New Approach to Model AC/DC/AC Conversion Systems, 2001 Power Engineering Society Summer Meeting, Vancouver July, 15-19.

Cap. V Conversione

V.40