Comisso Nacional de Energia Nuclear CENTRO DE DESENVOLVIMENTO DA TECNOLOGIA NUCLEAR Programa de Ps-Graduao em Cincia e Tecnologia das Radiaes, Minerais

e Materiais

DESENVOLVIMENTO DE UM DETECTOR DE ALTA EFICINCIA PARA ESPECTROSCOPIA MSSBAUER DE ELTRONS DE CONVERSO (CEMS) A BAIXAS TEMPERATURAS (<20K) E TESTES EM BICAMADAS Fe / (EuXPb1-X) Te Carlos Jos da Silva Matos Pombo

Dissertao apresentada ao Curso de Ps-Graduao em Cincia e Tecnologia das Radiaes, Minerais e Materiais, como requisito parcial obteno do Grau de Mestre rea de concentrao: Cincia e Tecnologia dos Materiais Orientador: Dr. Waldemar Augusto de Almeida Macedo

Belo Horizonte 2006

Agradeo a todos os companheiros do Laboratrio de Fsica Aplicada do CDTN, amigos e colegas de trabalho pela ajuda e colaborao inestimveis. Agradeo a minha esposa pelo incentivo, carinho e dedicao constantes. Agradeo a minha famlia e amigos pelo voto de confiana. Finalmente, agradeo a D-us por mais este caminho agradvel que se tornou realidade em minha vida.

Onde no h conselho fracassam os projetos, mas com os muitos conselheiros h bom xito. Pv 15.22-23

DESENVOLVIMENTO DE UM DETECTOR DE ALTA EFICINCIA PARA ESPECTROSCOPIA MSSBAUER DE ELTRONS DE CONVERSO (CEMS) A BAIXAS TEMPERATURAS (<20 K) E TESTES EM BICAMADAS Fe / (EuXPb1-X)Te Carlos Jos da Silva Matos Pombo

RESUMO A espectroscopia Mssbauer de

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Fe uma tcnica nuclear, no-destrutiva, utilizada na

investigao das propriedades estruturais, magnticas e hiperfinas de diferentes materiais slidos. Trata-se, portanto, de uma poderosa ferramenta de caracterizao de materiais na fsica, metalurgia, geologia e biologia, particularmente em materiais magnticos, ligas metlicas e minerais contendo Fe. Na atualidade, a Espectroscopia Mssbauer de Eltrons de Converso (CEMS) amplamente utilizada no estudo de filmes finos e ultrafinos, bem como outros materiais nanoestruturados. No caso de nanoestruturas magnticas, estudos a baixas temperaturas (LT) so particularmente importantes devido possibilidade de efeitos oriundos do fenmeno do superparamagnetismo. Neste trabalho foi desenvolvido um sistema de medio CEMS a baixas temperaturas (< 20 K) utilizando um Channeltron (multiplicador de e-) e um Criostato tico (Modelo SVT-400 da Janis Research Co, EUA) tendo como base um detector originalmente desenvolvido no Departamento de Fsica Aplicada / Espectroscopia Mssbauer da Universidade de Duisburg-Essen, Alemanha. O detector LTCEMS foi construdo, testado e aplicado com sucesso num estudo preliminar de caracterizao de bicamadas Fe/(EuxPb1-x)Te(111) com uso de camada sonda de apenas 15, obtendo resultados a temperaturas de at 8 K na amostra.
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Fe de

DEVELOPMENT OF A HIGHLY EFFICIENT CONVERSION ELECTRON MSSBAUER SPECTROSCOPY (CEMS) DETECTOR FOR LOW TEMPERATURE (<20 K) MEASUREMENTS AND TESTS ON Fe / (EuXPb1-X)Te BYLAYERS Carlos Jos da Silva Matos Pombo

ABSTRACT The
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Fe Mssbauer spectroscopy is a nuclear, non-destructive technique used for the

investigation of structural, magnetic and hyperfine properties of several materials. It is a powerful tool in characterizing materials in physics, metallurgy, geology and biology field areas, especially magnetic materials, alloys and minerals containing Fe. Lately, the Conversion Electron Mssbauer Spectroscopy (CEMS) is widely used in making studies on ultra-thin magnetic films, as well as other nanoestructured materials. In case of magnetic nanostructures, low temperature (LT) studies are especially important due to the possibility of dealing with superparamagnetic effects. In this work it was developed a CEMS measurement system for low temperatures (< 20K) based on a solid-state electron multiplier (Channeltron) and an optical cryostat (Model SVT-400, Janis Research Co, USA), from which the project was originally conceived at the Applied Physics / Mssbauer Spectroscopy Department from University of Duisburg-Essen, Germany. The LT-CEMS system was fully built, tested and successfully applied in a preliminary characterization of Fe/(EuxPb1x)Te(111) 57

bilayers with use of a 15 ,

Fe probe layer, with reasonable results at sample

temperatures as low as 8 K.

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INTRODUO..................................................................................................................7 ABSORO NUCLEAR RESSONANTE E ESPECTROSCOPIA MSSBAUER .....10 2.1 2.2 2.3 Largura natural de linha............................................................................................10 Energia de Recuo......................................................................................................11 O Efeito Mssbauer ..................................................................................................14

3 MONTAGEM E TESTE DE UM SISTEMA CEMS A BAIXAS TEMPERATURAS BASEADO NUM MULTIPLICADOR DE ELTRNS (CHANNELTRON)......................20 3.1 Viso Geral ...............................................................................................................20 3.2 Dispositivo Multiplicador de Eltrons (Channeltron) ..............................................22 3.3 Multiplicador de Eltrons para Baixas Temperaturas ..............................................26 3.4 Instrumentao e Equipamentos...............................................................................27 3.4.1 Materiais para Vcuo e Criogenia ....................................................................29 3.4.2 Criostato ...........................................................................................................31 3.4.3 Sensores de Temperatura..................................................................................33 3.4.4 Condutores Criognicos ...................................................................................35 3.4.5 Isoladores de Alta Tenso.................................................................................36 3.4.6 Conexes Eltricas ...........................................................................................37 3.4.7 Ancoragem Trmica e Fixao.........................................................................39 3.4.8 Vedaes para Alto Vcuo ...............................................................................40 3.5 Controle do Rudo ....................................................................................................41 3.5.1 Filme de MgO...................................................................................................42 3.5.2 Controle da Tenso de Bocal do Channeltron ..................................................43 3.5.3 Recobrimento das Paredes Internas da Cmara de Amostra ............................44 3.5.4 Uso de Colimadores, Absorvedores, etc...........................................................45 3.6 Teste do Sistema CEMS Channeltron ...................................................................46 4 MONTAGEM E TESTE DE UM SISTEMA CEMS A BAIXAS TEMPERATURAS BASEADO NUM DETECTOR PROPORCIONAL A GS...................................................48 4.1 Viso Geral ...............................................................................................................48 4.2 O Detector Proporcional a Gs.................................................................................50 4.2.1 Geometria do Detector......................................................................................51 4.2.2 Gs de Preenchimento ......................................................................................52 4.3 Teste do Sistema CEMS Proporcional a Gs ........................................................54 5 UM ESTUDO CEMS DA INTERFACE Fe//(EuxPb1-x)Te(111).....................................56 5.1 5.2 5.3 6 7 Introduo.................................................................................................................56 Preparao das amostras...........................................................................................58 Espectroscopia Mssbauer das Amostras (EuxPb1-x)Te(111), (1-x)=015% ...........61

CONSIDERAES FINAIS ...........................................................................................65 REFERNCIAS ...............................................................................................................66

APNDICE A Passo-a-Passo para o uso do sistema CEMSChanneltron...........................71 APNDICE B Superparamagnetismo ...................................................................................74

INTRODUO

O recente desenvolvimento de uma srie de tcnicas as quais permitem a fabricao e a manipulao de estruturas em escala nanomtrica e que, tambm, tornam possvel a realizao de medidas experimentais nessa mesma escala, provou ser um grande avano das investigaes de fenmenos que ocorrem em tais dimenses atmicas. Essa recente habilidade tem possibilitado a descoberta de novas propriedades fsicas, passando pela elaborao de novas idias, at a inveno de novos dispositivos, promovendo um desenvolvimento cientfico fundamentado em um "mundo novo" ao qual antes se tinha pouco ou nenhum acesso. A esse novo campo de pesquisa e de novas tecnologias baseadas nessa cincia se atribui o termo nanotecnologia. Para que uma pesquisa esteja relacionada com a nanocincia ou nanotecnologia, seu objeto de investigao deve estar relacionado s diferentes propriedades apresentadas em funo das reduzidas dimenses do sistema e no simplesmente se tratar de um estudo de sistemas de dimenses reduzidas. Muito embora se utilize o termo nanotecnologia se referindo a uma nova revoluo nas cincias, importante lembrar que do ponto de vista conceitual no se trata de um novo paradigma das cincias, j que a real revoluo cientfica relacionada aos fenmenos fsicos que ocorrem nessa diminuta escala tenha se iniciado h pelo menos cerca de um sculo a partir do desenvolvimento da teoria quntica. Todavia, inegvel que o desenvolvimento recente de tcnicas que permitem a pesquisa e verificao de fenmenos nessa escala tem aberto um inesgotvel leque de possibilidades investigativas e uma enorme frente de desenvolvimento cientfico, no s na fsica, qumica ou biologia, mas tambm em virtualmente todo o saber cientfico. No que se refere aos materiais magnticos, a possibilidade de se preparar filmes de poucas monocamadas atmicas, limpos e de composio controlada, por epitaxia de feixe molecular (MBE) e por outras tcnicas, bem como a crescente importncia do armazenamento de dados em meios magnticos de alta densidade de informao, deu origem a grandes oportunidades de pesquisa em novas (nano)estruturas magnticas. A facilidade para a construo de diferentes sistemas permitiu o desenvolvimento de dispositivos com aplicaes tecnolgicas alm de permitir tambm uma nova abordagem s pesquisas em magnetismo, que passaram a contar com a construo de estruturas de poucos tomos as quais podem gerar resultados experimentais passveis de comparao com clculos ab initio de magnetismo. Dentre os fenmenos observados e utilizados em aplicaes na indstria eletrnica destaca-se a magnetoresistncia gigante (GMR), em que a resistncia eltrica de determinados sistemas

constitudos de multicamadas de filmes magnticos, intercalados com filmes metlicos no magnticos, varia significativamente e conforme a orientao e magnitude do campo magntico neles aplicado [1]. Outro fenmeno magntico de interesse, descoberto a partir da capacidade da fabricao de sistemas multi-camadas, foi o acoplamento entre camadas vizinhas ferromagnticas e antiferromagnticas, dando origem a materiais que apresentam curvas de magnetizao (coercividade magntica) assimtricas em relao direo do campo magntico aplicado, fenmeno conhecido como exchange bias [2]. Aliado a essas novas descobertas e a outros fenmenos relacionados ao transporte de eltrons dependente de spin est surgindo uma nova eletrnica, em que as funes dos dispositivos so baseadas no controle do movimento de correntes de eltrons spin-polarizadas e de campos magnticos aplicados atravs de materiais e compostos nanoestruturados dando origem a um novo ramo da tecnologia conhecido como spintrnica [3]. A Espectroscopia Mssbauer de Eltrons de Converso (CEMS) uma tcnica bastante eficaz e particularmente importante na investigao do magnetismo em filmes ultrafinos, interfaces e multicamadas [4]. Atravs da observao dos campos magnticos hiperfinos, pode-se confirmar ou no a existncia de um ordenamento magntico, bem como estimar a magnitude do momento local e a direo de magnetizao. Ao fenmeno pelo qual materiais magnticos podem exibir um comportamento similar queles denominados paramagnticos, mesmo estando a temperaturas abaixo das temperaturas mnimas de ordenamento magntico (temperaturas de Nel ou Curie), dado o nome de comportamento superparamagntico ou, simplesmente, superparamagnetismo [5]. O fenmeno do superparamagnetismo decorrente da competio entre a energia trmica e a energia decorrente do acoplamento magntico em um material, isto , se a energia decorrente da agitao trmica dos tomos for suficientemente grande para prevalecer sobre as foras decorrentes do acoplamento magntico entre os mesmos, o material exibir um comportamento similar quele apresentado por um material paramagntico [6]. Uma vez que a energia magntica decresce linearmente com o volume dos materiais magnticos [7], tal fenmeno particularmente importante quando lidamos com o magnetismo de estruturas compostas de cristais de dimenses nanomtricas (1-10 nm) [8]. Neste caso, mesmo a temperatura estando abaixo do ponto de Curie ou Nel e a energia trmica no sendo

suficiente para sobrepujar as foras de acoplamento magntico entre as estruturas cristalinas vizinhas, esta ainda capaz de alterar a direo da magnetizao global do sistema, sendo que as flutuaes na direo da magnetizao causam o momento magntico ter mdia zero e o sistema a aparentar um comportamento paramagntico. Medidas Mssbauer a baixas temperaturas (poucos Kelvin) so usuais, para se ter uma melhor resoluo dos espectros, e particularmente convenientes para o estudo de sistemas nanoestruturados, nos quais h uma grande probabilidade do surgimento do fenmeno da relaxao superparamagntica. Em vista da importncia atual do estudo de nanomateriais magnticos contendo ferro estruturado em camadas ultrafinas (simples ou mltiplas), bem como do grande potencial da espectroscopia Mssbauer para uma precisa caracterizao estrutural e magntica de tais materiais sob influncia ou no do fenmeno do superparamagnetismo, de grande interesse a possibilidade de se realizar a investigao de tal tipo de material por Espectroscopia Mssbauer de Eltrons de Converso - CEMS a baixas temperaturas como atualmente pode ser inferido na literatura [9]. Uma vez que equipamentos para a realizao de medidas CEMS a temperaturas abaixo de 77 K no esto diretamente disponveis no mercado internacional, e sendo ainda que tal capacidade experimental se encontra instalada em apenas alguns laboratrios fora do pais ([9], [10]) evidente e altamente desejvel o desenvolvimento de detectores CEMS que operem a temperaturas prximas temperatura do He liquido (< 20 K). Neste trabalho foi desenvolvido, testado e colocado sob condies operacionais um detector CEMS de alta eficincia o qual provou ser capaz de atingir temperaturas de at 8 K, utilizando um pequeno dispositivo multiplicador de eltrons (Channeltron). Foi desenvolvido ainda um detector proporcional a gs hlio (HPFC) para medidas CEMS a baixas temperaturas, porm acima de 50 K, ambos projetados para operao quando montados no tubo de amostras de um criostato de banho de LHe. O detector CEMS-Channeltron foi aplicado com sucesso a estudos iniciais de possveis reaes qumicas na interface de bicamadas Fe/(Eu,Pb)Te os quais apresentam o efeito de exchange bias.

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ABSORO NUCLEAR RESSONANTE E ESPECTROSCOPIA MSSBAUER

tomos livres podem ser eletronicamente excitados pela absoro de ftons emitidos pela desexcitao de tomos idnticos. Este processo denominado absoro ressonante da radiao eletromagntica. Um processo de absoro dito ressonante quando a energia necessria para excitar o sistema absorvente igual a energia fornecida pelo sistema fonte. Ou seja, a radiao incidente dever coincidir exatamente com a separao de nveis energticos de pelo menos dois nveis do sistema absorvente. Por exemplo, a energia de uma radiao eletromagntica emitida por um tomo de sdio ser exatamente igual quela mesma energia de excitao para um outro tomo de sdio idntico e, portanto, poder ser efetivamente absorvida por este ltimo. Aplicando-se a mesma lgica para a radiao e absoro de raios-, exigir-se- que os ncleos do elemento emissor e absorvedor sejam exatamente idnticos. Trata-se de uma condio necessria, mas no suficiente para se observar o fenmeno da absoro ressonante. Durante o processo de emisso de um raio- por um ncleo, uma certa parcela da quantidade da energia de excitao (a energia de recuo ER) ser transferida para o ncleo de modo a se conservar seu momento linear. Logo, a energia efetiva do raio- ser reduzida do mesmo valor. Alguns fatores influenciam a absoro ressonante nuclear, como a largura natural de linha e a energia de recuo do tomo. 2.1 Largura natural de linha

O princpio da incerteza de Heisenberg estabelece que no possvel conhecer, simultaneamente e com preciso absoluta, a distribuio em energia e o tempo de vida de um determinado estado excitado para um tomo. Este princpio ilustrado pela inequao:
h

(1)

Em que a largura de linha associada incerteza em energia, e a vida mdia do nvel associada incerteza em tempo. Como conseqncia direta deste fato, a probabilidade de excitao (desexcitao) W(E) de um nvel, em funo da energia E do fton incidente (emitido), no ser uma funo

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deltiforme centrada na energia de ressonncia do estado excitado, mas sim seguir uma distribuio do tipo Lorentiziana conforme a relao abaixo de Breit-Wigner [11]:
2 / 2) ( W (E) = (E Eo )2 + ( / 2 )2

(2)

Em que Eo o valor mais provvel de energia para a transio (energia de ressonncia) 2.2 Energia de Recuo

Pela lei da conservao do momento e energia, a emisso- por um ncleo de um tomo livre dever ser acompanhada pelo recuo do mesmo, sendo a perda de energia ER dada por:
ER = E2 2mc 2
2 Eo 2mc 2

(3)

Em que E a energia do raio- emitido, m a massa do tomo, c a velocidade da luz e Eo a energia da transio nuclear. Portanto, a energia do raio- emitido no ser igual a energia de transio Eo, mas Eo-ER.. Por outro lado, para que o ncleo de um tomo livre possa absorver um raio-, ser necessrio que a energia deste seja igual a Eo+ER, pois parte desta energia dever ser usada propriamente para o recuo do tomo absorvente. A FIG. 1 abaixo mostra esta separao das distribuies em energia para os eventos de emisso e absoro de um fton para tomos idnticos livres:

Figura 1 Arranjo das distribuies em energia de raios- de emisso e de absoro de um tomo livre [11]

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A largura a meia altura (FWHM) da linha espectral denominada de largura natural o e determinada pela meia-vida do material: = t1/2/ln2 = 1,43x10-7 s para o nvel de 14,4 keV de 57Fe, para o qual teremos: o = h/2 = 4.6 x 10-9 eV (4)

Como a energia de recuo , para o caso do 57Fe, cerca de seis ordens de grandeza maior que a energia de transio, as linhas de emisso e absoro sero deslocadas uma da outra na ordem de 2ER 106 o, e, devido a esta enorme diferena, uma sobreposio aprecivel das distribuies de energia de emisso e absoro no ser observada. Isto significa que o efeito Mssbauer no pode ser observado para tomos livres ou molculas, isto , em compostos em fase lquida ou gasosa. Somente em estado slido, cristalino ou no, que a emisso e absoro sem recuo de raios- ser possvel, e as linhas de emisso e absoro no-deslocadas (devido a ER ser baixa) podem (parcialmente) se sobrepor e a ressonncia nuclear, enfim, ser observada. Dessa forma, o fenmeno de ressonncia s poder acontecer se houver a superposio entre as linhas de emisso e absoro, isto , se existirem valores de energia comuns aos processos de emisso e de absoro. A razo para esta emisso/absoro sem recuo se deve a massa efetiva de uma estrutura slida ser muito maior comparativamente a de um tomo ou molcula, sendo que o momento linear criado pela emisso e absoro do raio- praticamente desaparece por ser incapaz de excitar efetivamente os modos vibracionais da rede (ou seja, a energia de recuo de um tomo fortemente ligado a uma rede , em sua grande maioria, absorvida por toda a rede). H uma certa probabilidade f (fator Debye-Waller ou Lamb-Mssbauer) para a qual no h excitao da rede (processos de zero fnons) durante a emisso ou absoro. Somente para esta frao de eventos que o efeito Mssbauer ser observvel. Dentro do modelo de Debye para os slidos, a probabilidade f cresce medida que a energia de transio E ou a temperatura diminuem, ou cresce medida que a temperatura de Debye tambm cresce.

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Considerando-se que os ncleos emissores e absorventes de raios- se encontram em slidos diferentes, e tendo-se em vista que o grau de vizinhana dos ncleos afeta as posies, na escala de energia, das linhas de emisso e de absoro, tal expectativa de superposio das mesmas torna-se bastante improvvel, ou mesmo nula, j que a largura de linha das mesmas bem estreita conforme a equao (1). Uma possibilidade de contornar tal dificuldade do "casamento" das energias de absoro e emisso ressonante variar, localmente, a energia do fton por efeito Doppler, conforme visualizado na FIG.2. Um raio- emitido por uma fonte que se move com uma velocidade v, na direo e na mesma linha do absorvente, ter sua energia acrescida por: v E = Eo c

(5)

Em que v a velocidade da fonte em relao ao absorvente, Eo a energia do fton emitida pela fonte em repouso e c a velocidade da luz. Este termo pode ser acrescentado na relao anterior de Breit-Wigner (2), fazendo:
2 ( / 2) W (E) = (E Eo + E )2 + ( / 2)2

(6)

A razo Eo define o "ajuste fino" em energia o qual necessrio para que se observe a absoro ressonante, o qual ser, para o caso do 57Fe, de cerca de 10-12 (adimensional).

Figura 2 Exemplo de uma absoro ressonante num espectro Mssbauer [11]

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2.3

O Efeito Mssbauer

A importncia do efeito Mssbauer, como tcnica, reside na preciso que ela permite comparar mnimas variaes de energias de raios- absorvidos. O fator que limita tal preciso , para fins prticos, to somente a largura natural de linha oriunda do princpio da incerteza de Heisenberg. A ttulo de ilustrao, um raio- de 100 keV e uma largura de linha de 10-8 eV tem a sua energia definida ( Eo ) com uma preciso de uma parte em 1012. O uso prtico desta caracterstica, no entanto, requer uma srie de condies especiais a serem satisfeitas. Tais condies [6], em resumo, so: O tomo (ou on) em estudo dever fazer parte de uma rede cristalina, preferencialmente, para que se tornem praticamente nulos os efeitos de recuo; A energia do raio- dever ser relativamente baixa (entre 10 e 100 keV) de forma que um nmero aprecivel de emisses- sem recuo possa ser obtido; A vida mdia do estado excitado deve estar no intervalo de 10-6 a 10-11 segundos. Para tempos maiores, as linhas de energia sero muito estreitas para serem detectadas e, para tempos menores, a linha ser muito larga e se perder na flutuao estatstica da deteco; A temperatura de Debye do slido absorvente dever ser alta; O coeficiente de converso interna deve ser o menor possvel de modo a se garantir que uma parte aprecivel de decaimentos se manifeste por emisso-. O nmero de istopos os quais atendem estas condies , atualmente, de cerca de meia centena. No entanto, alguns deles no so tecnicamente aplicveis por se afastarem demasiado do caso ideal, ou seja, do istopo que atende idealmente a todas as condies acima. O 57Fe, resultante do decaimento do 57Co por captura eletrnica (FIG. 3), o istopo mais difundido, por uma combinao das condies acima bastante conveniente em termos prticos para deteco. Tabela 1 Propriedades nucleares do 57Fe
Estado fundamental Energia (keV) Spin Momento Magntico (mn) Momento de Quadrupolo (barns) Vida Mdia (s) 0 0,0904 0 Estvel Primeiro estado excitado 14,4125 3 /2 -0,1549 0,187 1,4 x 10-7

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Figura 3. Esquema de decaimento do 57Co e 57Mn O elemento Mssbauer mais popular em estudos de magnetismo o
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Fe, pois o mesmo

satisfaz de forma conveniente a maioria das condies necessrias para se observar o fenmeno da absoro ressonante. Alm disso, trata-se do representante direto de um dos elementos mais abundante no planeta (cerca de 5% na crosta, mas mais de 1/3 do total), de modo que enumerar as propriedades fsico-qumicas deste elemento a fim de se justificar sua importncia global se faz aqui desnecessrio. A desexcitao deste istopo, aps a absoro ressonante de um raio- acarreta a emisso de diversas radiaes, a seguir enumeradas na TAB. 2: Tabela 2 Natureza das radiaes oriundas da energia de desexcitao do ncleo 57Fe [5].
Geometria de Deteco Transmisso Retroespalhamento Retroespalhamento Retroespalhamento Retroespalhamento Retroespalhamento Retroespalhamento Retroespalhamento Retroespalhamento Tipo de radiao emitida Raios- de 14,4 keV (transmitido) Raios- de 14,4 keV Raios-X de 6,4 keV Eltron de Converso, Camada M, 14,3 keV Eltron de Converso, Camada L, 13,6 keV Eltron de Converso, Camada K, 7,3 keV Eltron Auger, Transio KLL, 5,4 keV Eltron Auger, Transio LMM, 0,65 keV Eltron Auger, Transio MNN, 0,05 keV Probabilidade 9% 24% 0,9% 9% 81% 57% Profundidade < 0,1mm 14 m 11 m 890 nm 310 nm 190 nm 13 nm 5 nm 2 nm

Nota: A soma das probabilidades , segundo [5], maior que a unidade devido a tabela ter sido formulada por unidade de relaxao de estado nuclear excitado.

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A TAB. 2 permite definir ao menos dois arranjos bsicos para geometria de deteco, conforme a natureza da radiao emitida ou absorvida: a geometria por transmisso, denominada TMS Espectroscopia Mssbauer de Transmisso e a de retroespalhamento, em que se destaca a CEMS Espectroscopia Mssbauer de Eltrons de Converso, sendo esta o objeto de estudo desta dissertao. Estes arranjos so esquematizados na FIG. 4:

Figura 4 Diagramas para espectroscopia Mssbauer de transmisso / retroespalhamento O arranjo para a Espectroscopia Mssbauer de Transmisso (TMS) para
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Fe geralmente

emprega o uso de um detector proporcional contendo alguma mistura de gs com propriedades convenientes para deteco da radiao- transmitida. A magnitude do pulso diretamente proporcional energia do raio- incidente e coletado por um analisador monocanal aps pr-amplificao, permitindo que se selecionem somente as radiaes com energia correspondente ao efeito Mssbauer. Este detector pode alcanar eficincia de deteco de at 65% para raios- de 14,4 keV [9]. No entanto, este arranjo exige que a amostra no seja totalmente opaca radiao a ser transmitida, sendo esta configurao, na prtica, se limita a amostras com substratos transparentes radiao ou amostras em forma de p. Por sua vez, o arranjo para a Espectroscopia Mssbauer de Eltrons de Converso (CEMS) para o 57Fe se utiliza da emisso de eltrons de converso oriundos do decaimento do estado de 14,41 keV no material absorverdor (amostra). bastante til para amostras com substratos espessos e que de outra forma iriam bloquear a transmisso dos raios- num arranjo TMS ou para estudos restritos caracterizao da superfcie. Conforme visto na TAB. 2, os eltrons de converso da camada K com energia de 7,3 keV aparecem com 81% de probabilidade de

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ocorrncia por evento de absoro ressonante, sendo assim os principais candidatos a serem coletados e tratados por algum sistema de deteco de eltrons. Um sistema de espectroscopia Mssbauer consiste basicamente de uma bancada de anlise e sistemas de controle, seleo em energia e armazenamento interfaceados a um computador pessoal (PC). A bancada de anlise geralmente suportada numa plataforma protegida contra vibraes mecnicas, contendo o Modulador por Efeito Doppler (DM), um detector de radiao (D), colimadores (C) e blindagem apropriada para confinar a radiao emitida pela fonte (S) no interior da bancada. A parte eletrnica consiste do sistema de modulao por Efeito Doppler, o sistema de armazenamento e processamento de dados, e dispositivos de controle. Mais especificamente, para os sistemas de controle, seleo por energia e armazenamento, os equipamentos so: um gerador de funes (FG), modulador eletro-mecnico Doppler (DM), um discriminador em energia com amplificador embutido (analisador monocanal) (SCA), unidades de armazenamento (SU), fonte de alta tenso (HV) e um computador pessoal (PC). V DM S

A D

M D

F G

S U

SC A

H V

L V

BARRAMENTO

PC
Figura 5 Diagrama de blocos bsico de um sistema de espectroscopia Mssbauer de transmisso [12]

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Conforme visualizado no diagrama de blocos da FIG. 5, a fonte radioativa (S) fixada na parte mvel do modulador por efeito Doppler (DM). O gerador de funes (FG), por sua vez, prover os pulsos de inicializao e de sincronizao para todo o sistema. O acionador do modulador (MD) produz todos os sinais de controle necessrios para o modulador eletromecnico Doppler (DM), fazendo-o movimentar conforme uma pr-determinada regra de movimento oscilatrio. Aps passar pelo elemento absorvedor (A), os raios- so registrados por um dos detectores (D) de transmisso ou retroespalhamento. Os sinais eltricos de sada do detector so ento coletados e amplificados pelo pramplificador. Este pr-amplificador, o qual faz parte do sistema de deteco, converte os pulsos de carga do detector em sinais de tenso num intervalo de nveis pr-definido, fazendo assim o casamento entre a sada do detector e a entrada do analisador monocanal (SCA). Este analisador monocanal poder ento fazer (ou no, para o caso de um detector tipo integral) a seleo por amplitude dos pulsos coletados (seleo em energia). Finalmente, os sinais oriundos do analisador monocanal so alimentados na unidade de armazenamento (SU) para fins de contagem, armazenamento e/ou anlise final. A alta tenso necessria para operao do detector fornecida pela fonte CC de alta tenso (HV). Tambm necessrio o uso de uma fonte CC de baixa tenso estabilizada para alimentar tos os circuitos eletrnicos contidos no DM, FG, MD, LV, etc. Durante a acumulao dos sinais de contagem, o espectro pode ser transferido para o computador pessoal (PC) atravs de alguma interface padro (serial, GPIB, IEEE 1394, etc.). As caractersticas globais de desempenho um sistema de espectroscopia Mssbauer so as faixas de velocidade, modo, linearidade, estabilidade em regime permanente, bem como a reprodutibilidade, nmero e capacidade de canais e o tempo morto do sistema de deteco/armazenamento. A faixa de velocidade compreendida entre 100 mm/s satisfaz a maior parte dos requisitos para se observar o fenmeno da absoro ressonante para a maioria dos istopos Mssbauer disponveis. No entanto, faixas maiores de velocidade so requeridas to somente para quatro istopos (237Np, 169Tm, 161Dy e 238U), raramente aplicados em experimentos. Por outro lado, a linearidade nesta faixa de velocidade o parmetro mais importante, j que o movimento oscilatrio interfere diretamente nos valores quantitativos das interaes

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hiperfinas na amostra sob investigao. Um bom sistema de espectroscopia Mssbauer deve apresentar nveis de no-linearidade inferiores a 0,1% [12]. Conforme os requisitos do experimento poder ou no ser necessrio aplicar mais de uma regra para o movimento oscilatrio (por exemplo, movimento retangular, trapezoidal, triangular, senoidal, etc., selecionveis a partir do gerador de funes integrado ao sistema. Portanto, conveniente disponibilizar alguns modos de movimento oscilatrio padro a serem selecionados conforme a necessidade. Outro aspecto importante a estabilidade em regime permanente da operao do espectroscpio, j que as medidas podem tomar desde alguns minutos, horas, dias ou at semanas. A reprodutibilidade da velocidade significa o sistema ser capaz de receber e reproduzir os mesmos parmetros (mesmas condies experimentais) a cada novo experimento. A capacidade de canais para acmulo de registros (contagens) determinada tanto pela arquitetura do sistema como tambm pela complexidade do espectro Mssbauer produzido pela amostra. Geralmente expresso em potncias discretas de 2, variam desde 128 a 1024 canais. Espectros mais complexos demandam o uso de mais canais a fim de se resolver com mais preciso as interaes hiperfinas do ncleo oriundas do fenmeno da absoro ressonante. Os sistemas disponveis no LFA/CDTN so tipicamente de 256 e 512 canais. Muito embora existam hoje diversas empresas fornecedoras de pacotes para espectroscopia Mssbauer no mercado internacional (h uma lista com os principais fornecedores de sistemas Mssbauer em [13]) , h uma clara lacuna no que se refere a medidas tomadas sob condies particulares, porm no menos importantes, como o caso de medidas a temperaturas criognicas menores que 77K (nitrognio lquido) em geometria de retroespalhamento atravs da deteco de eltrons de converso (CEMS), devido principalmente s dificuldades tecnolgicas em se realizar um sistema de deteco com razovel eficincia nesta faixa de temperatura.

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MONTAGEM

TESTE

DE

UM

SISTEMA

CEMS

BAIXAS

TEMPERATURAS BASEADO NUM MULTIPLICADOR DE ELTRNS (CHANNELTRON) 3.1 Viso Geral

A tcnica ICEMS (Integral-CEMS ou simplesmente CEMS) relativamente recente, apesar do efeito Mssbauer ser conhecido e aplicado desde meados dos anos 1950. O Integral se diz ao fato de que os eltrons de converso oriundos do efeito Mssbauer no so discriminados em energia, sendo mensurados em sua totalidade pelo detector, sem distino. No entanto, os primeiros relatos formais de detectores para baixas temperaturas desenvolvidos exclusivamente para CEMS apontam para um detector proporcional a gs Hlio capaz de atingir 15 K [15] e outro, surpreendentemente, a 1,75 K [16] (este ltimo, aparentemente sem continuidade aps seu primeiro trabalho). Alguns trabalhos recentes envolvendo o uso detectores CEMS em laboratrios no Canad (90 K) e Polnia (85 K) so vislumbrados em [17] e [18]. H ainda detectores CEMS-LT (baixa temperatura) disponveis comercialmente [19], no entanto, capazes de atingir temperaturas no inferiores aos do nitrognio lquido. O sistema de medio CEMS para baixas temperaturas construdo neste trabalho foi baseado num projeto desenvolvido Departamento de Fsica Aplicada/Espectroscopia Mssbauer da Universidade de Duisburg-Essen (sob responsabilidade do Dr. W. Keune), Alemanha, atualmente em uso em suas prprias dependncias [20]. O objetivo principal desta cmara promover as condies estruturais, de temperatura e de vcuo necessrias para operar o dispositivo multiplicador de eltrons (Channeltron) tendose a amostra mantida sob baixas temperaturas (< 20 K). O conjunto original da cmara CEMS possui, ao todo, dezenove peas estruturais em ao inoxidvel, cobre, teflon e alumnio. Entretanto, suas especificaes para operao em altovcuo e em baixas temperaturas determinam um nvel de complexidade de projeto o qual no faz tal construo prontamente abordvel. Dessa forma, um rigoroso cuidado no detalhamento/fabricao das peas e em sua montagem final, foram imprescindveis. As dimenses e formas originais da maioria das peas foram modificadas tendo-se em vista um melhor aproveitamento do maior espao circular interno disponvel no criostato adquirido

21

pelo CDTN (de 2 de dimetro til frente aos 1,5 do criostato original de Duisburg). Este incremento no espao interno revelou-se bastante profcuo, permitindo a modificao de alguns componentes com melhor acomodamento dos dispositivos internos cmara, maior espao disponvel para amostras (com a utilizao de praticamente toda a rea iluminada), utilizao de novos componentes de vedao/sustentao e menor probabilidade de centelhamento entre as diversas partes energizadas em seu interior. As peas desta cmara so confeccionadas em sua maioria em ao inoxidvel devido s suas propriedades criognicas e de vcuo. Tm-se ainda uma pea cilndrica em cobre eletroltico, cuja funo remover por conduo trmica o calor proveniente da amostra at o ambiente externo cmara e interno ao criostato, onde se far o resfriamento por jato contnuo de vapor de LHe. No entanto, a juno prova de vcuo desta pea com o anel e tubo em ao inoxidvel somente possvel mediante solda de adio (Brasagem). A FIG. 6 traz um esquema resumido dos principais componentes:

Figura 6 Viso geral da cmara CEMS-Channeltron.

22

Os raios- Doppler-modulados provenientes da fonte de

57

Co externa ao criostato chegam

57

amostra que, uma vez contendo uma determinada quantidade de tomos de

Fe, emitir

eltrons de converso consoante a absoro ressonante caracterstica do fenmeno Mssbauer. Estes eltrons, uma vez que trafegam num ambiente em alto vcuo, tero um livre caminho mdio relativamente longo, podendo atingir tanto a folha de Kapton rica em MgO, como tambm diretamente as imediaes do bocal de coleta do detector Channeltron. Os eltrons que atingirem a folha de MgO geraro ionizaes secundrias que, por sua vez, reforaro a quantidade de eltrons que atingiro as imediaes do bocal do detector. O detector, por sua vez, far ento a multiplicao por avalanche dos eltrons primrios e secundrios (provenientes da folha de MgO) at que se produza um sinal na sada passvel de deteco por parte da instrumentao externa (Pr-amplificador, Analisadores Monocanal e Multicanal, etc). Estes sinais, ps-tratados conforme o esquema de modulao em velocidade usado, refletiro o espectro caracterstico de absoro ressonante Mssbauer.

3.2

Dispositivo Multiplicador de Eltrons (Channeltron)

Um dispositivo multiplicador de eltrons em estado slido e de canal nico o Channeltron fisicamente um tubo de vidro pequeno e curvo cuja parede interna apresenta uma superfcie de elevada resistividade (da ordem de 108 /cm). Este vidro geralmente dopado com algum metal (alcalino, Pb, Bi, etc.) e tratado termicamente de modo a se aumentar a condutividade eltrica e o coeficiente de emisses secundrias desta superfcie. Se um potencial eltrico for aplicado entre as extremidades deste tubo, tal superfcie se torna um dinodo contnuo, eletricamente anlogo a diversos dinodos multiplicadores de eltrons separados, porm unidos atravs da malha resistiva necessria para se estabelecer os diversos potenciais eltricos. Um eltron que porventura adentre a extremidade em menor potencial eltrico (frontend ou bocal de entrada) gerar eltrons secundrios to logo atinja uma determinada acelerao no sentido do campo eltrico e colida na parede interna do tubo. Por sua vez, estes eltrons secundrios sofrero nova acelerao no mesmo sentido do campo eltrico e causaro novas emisses secundrias em outros pontos da parede interna do dispositivo. Este ento denominado efeito de avalanche eletrnica ir culminar com um significativo nmero de eltrons em movimento at extremidade em maior potencial eltrico (sada), assim produzindo a multiplicao do evento primrio (FIG. 7).

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Figura 7 Multiplicao eletrnica no interior de um Channeltron [21] O dispositivo multiplicador de eltrons (Channeltron) necessita de alto vcuo para operar. Ele capaz de responder a um nico eltron primrio e assim produzir um pulso de carga na sada do multiplicador. Este pulso contm tipicamente 108 eltrons e sua durao de aproximadamente 10 nanosegundos. A amplitude do pulso de tenso resultante depender, portanto, dos valores de resistncia e capacitncia do circuito do anodo do multiplicador. O ganho tipicamente uma funo exponencial a partir de um patamar de tenso capaz de produzir um ganho de 107 (tpico). Abaixo desse ganho, o efeito de multiplicao geralmente cessa devido insuficincia do campo eltrico em produzir ionizaes secundrias nas paredes internas do dispositivo. Acima deste ganho, por outro lado, observar-se- uma saturao. A FIG. 8 abaixo mostra este comportamento (para a taxa de pulsos de sada e o ganho unitrio) conforme a tenso aplicada:

Figura 8 Grficos de comportamento do Channeltron conforme a tenso aplicada [22]

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Uma vez que a superfcie de multiplicao interna contnua, diversas trajetrias para os eltrons que trafegam em seu interior so possveis. As trajetrias de eltrons so diretamente proporcionais s dimenses fsicas do dispositivo para um mesmo patamar de tenso aplicado. Assim, se uma determinada razo comprimento-dimetro for preservada, os mesmos processos de multiplicao eletrnica iro ocorrer, e o mesmo ganho de carga unitria final ser atingido, independentemente do comprimento absoluto do canal. Os detectores comerciais trabalham com uma razo comprimento-dimetro superior a 30:1, sendo que tais dispositivos so invariavelmente curvados na forma de uma trompa. Alm disso, a seo efetiva de abertura (diretamente proporcional capacidade de contagens) do bocal pode ser aumentada sem incorrer aumento das dimenses totais do dispositivo a partir da adaptao de um cone (bocal de entrada ou frontend), uma vez que a resposta do multiplicador depende do ngulo de incidncia do fluxo de partculas ou quanta de entrada. Ou seja, h uma infinidade de geometrias possveis para um mesmo princpio de operao, conforme pode ser vislumbrado numa linha comercial tpica de Channeltrons disponibilizados por um determinado fabricante (FIG. 9)

Figura 9 Linha de multiplicadores Channeltron disponibilizados pela Burle, Inc. [21] Outra caracterstica relevante para o desempenho de um Channeltron sua resposta em energia para a radiao incidente. Geralmente, este dispositivo capaz de responder, direta ou indiretamente, a todo o tipo de radiao (ons, radiaes eletromagnticas, partculas pesadas eletricamente carregadas, eltrons etc.) desde que tais radiaes sejam suficientemente energticas. Ou seja, uma vez que uma partcula ou fton qualquer seja capaz de excitar um nico eltron da superfcie do dinodo, o dispositivo ter uma probabilidade no-nula de

25

detectar tal evento na sada. A eficincia na deteco tambm dependente do modo de operao do dispositivo (deteco de eltrons ou ons positivos). A regio de mxima eficincia de deteco para um detector tpico se situa entre 102 e 103 eV para energia de um eltron incidente e entre 104 e 105 eV para ons positivos, conforme pode ser observado na FIG. 10:

Figura 10 Eficincias de deteco tpicas para eltrons, prtons e ons positivos [22] A taxa de contagens de pulsos de fundo (backgroud noise) o nmero de pulsos detectados por unidade de tempo acima de um determinado limiar de tenso de multiplicao quando no h no h radiao incidente na entrada do multiplicador (bocal). Este limiar determinado a partir da capacidade de medio do discriminador de pulsos usado em conjunto com este multiplicador. geralmente da ordem de poucos pulsos [23], o que torna este dispositivo virtualmente indiferente a rudos intrnsecos a sua natureza multiplicadora. A estabilidade trmica tambm um fator determinante para aplicaes crticas. De maneira geral, os materiais constituintes do dispositivo multiplicador de eltrons (vidro, capa metlica, etc.) geralmente apresentam um comportamento dependente para com a temperatura (a resistividade efetiva destes materiais tendem a cair com a diminuio da temperatura, por

26

exemplo), um desvanecimento do sinal a baixas temperaturas pode ser observado, o que restringe sua faixa de operao em aplicaes sob baixas temperaturas. Finalmente, a vida til de um dispositivo multiplicador de canal nico finita e dependente do ambiente ao qual ele exposto e operado, bem como ao total acumulado de cargas que passaram por sua sada ao longo de sua vida operacional. Geralmente, o final da vida til de um Channeltron fica estabelecido quando no mais se consegue atingir um determinado ganho a partir do incremento da tenso aplicada em suas extremidades. No entanto, tal vida til relativamente longa, na ordem de 50 Coulombs [22] para o total de cargas medidas na sada (somatrio de todas as correntes de sada multiplicadas pela sua durao mdia) num sistema operado em ambiente de alto-vcuo (vcuos mais pobres podero implicar menores vidas teis a tais dispositivos).

3.3

Multiplicador de Eltrons para Baixas Temperaturas

Os dispositivo multiplicador de eltrons (Channeltron) escolhido para o projeto foi fabricado pela Mag-Lab s.c Magnetic NDT, Polnia (sob superviso do Dr. Trzebiatowski da Universidade Politcnica de Gdansk) [23].
Tenso de Bocal (LV) Conexo Eltrica

Isoladores PTFE

13mm

Alta-tenso (HV) Suporte

Figura 11 Channeltron fabricado na Universidade Politcnica de Gdnask, Polnia. Este dispositivo (FIG. 11) apresenta a principal caracterstica de ser opervel na faixa de 4 400 K, ou seja, capaz de operar sob baixas temperaturas. Trata-se de um dispositivo multiplicador de eltrons no-convencional, pois no mercado predominam sobretudo dispositivos com limite operacional inferior de temperatura de at LN2 [21]. Suas dimenses

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bsicas so: 13 mm de dimetro de bocal (frontend), comprimento de 40 mm, altura de 26mm e largura de 16 mm (todas estas dimenses tomadas entre os extremos). Os Channeltrons produzidos em Gdansk so baseados em tecnologia de vidros bismutosilicatos, (Bi2O3)x(SiO2)(1-x) e ou plumbo-silicatos, PbSiOx [24],[25]. A adio do metal na composio faz com que estes vidros possuem diversas aplicaes industriais tais como fibras ticas de baixa atenuao, materiais transmissores de infravermelho ou mdia ativa para amplificadores e osciladores Raman fibro-pticos. Entretanto, tais vidros passam a ter um alto coeficiente de emisses secundrias aps reduo em atmosfera de hidrognio, sendo ento empregados na produo de dispositivos multiplicadores de eltrons (Channeltrons). Mais ainda, os vidros reduzidos apresentam uma condutividade de superfcie relativamente elevada, cerca de 8 a 10 vezes maior que vidros sem tratamento. Os Channeltrons possuem ainda algumas variaes nas conexes eltricas conforme a aplicao, sendo que o sinal (avalanche eletrnica) ou captado via coletor de Faraday conectado na sada do dispositivo ou ento coletado por camada metlica (eletrodo) tambm localizada na extremidade final do mesmo. Dessa forma, ele pode operar tanto com polarizaes diretas (deteco de eltrons) como reversas (deteco de ons positivos). A folha de dados fornecida pelo fabricante contm as seguintes especificaes (Modelo KPE No. 1052), conforme a TAB. 3 abaixo: Tabela 3 Especificaes do Multiplicador de Eltrons (Channeltron) Modelo KPE #1052: Parmetro Faixa operacional de tenso Ganho (Tenso aplicada) Resistncia (T = 300 K) Taxa de pulsos de background Taxa mxima de pulsos Faixa operacional de temperatura Dimetro efetivo de entrada Especificao 1,5 3,5 kV 1,3 x 108 (1,8 kV) 2,1 x 108 (2,0 kV) 3,6 x 108 ~ 0,1 pulsos/s ~ 105 pulsos/s 4 400 K = 13 mm

3.4

Instrumentao e Equipamentos

A montagem do sistema CEMS envolveu tanto a aquisio de componentes (em sua grande maioria, importados) como a produo de peas na oficina mecnica do CDTN.

28

Para tanto, foram elaborados desenhos tcnicos em formato Autocad 2000 (Autodesk, Inc., E.U.A) para cada uma das peas, envolvendo vistas em corte, superior e lateral e, quando necessrio, vistas em destaque de algumas sees de interesse. No total, foram produzidos cerca de 30 desenhos A4 englobando 68 vises. Na TAB. 4 apresentada uma lista contendo os principais componentes adquiridos e seus respectivos fornecedores (nacionais ou estrangeiros). Tabela 4 Principais Fornecedores de Componentes e Materiais no Projeto Material
Criostato de Banho Lhe Sensores, condutores e acessrios criognicos Bombas e sensores de baixo e alto vcuo, conexes Amortecedores p/ controle de vibraes Penetraes eltricas soldveis para UHV Luvas de Teflon PTFE (isolamento de condutores) Conectores estanques a vcuo (HGP) 4 contatos Tubos de ao inox sem costura SS316L O-rings de borracha para vedaes, mangueiras de silicone, etc. Dispositivo multiplicador de eltrons (Channeltron) Conectores SHV, DIN, cabos, etc. Fio de ndio (1 Carga) A Eltrica e Hidrulica Ltda. (MG) Hipress Ltda. (MG) Mag-Lab s.c. Gdansk (Polnia) Farnell Newark (R.U.)

Fornecedor Nacional (Estado) Estrangeiro (Pas)

Janis Research, Inc. (E.U.A) Lakeshore, Inc. (E.U.A) Edwards (R.U.) Vibranihil Ltda. (SP) Friatec AG (Alemanha) SPC Technology (E.U.A) LEMO Elektronik GmbH (Alemanha)

Farnell Newark (SP) USP (SP)

As soldagens tipo TIG (Solda de Tungstnio Gs Inerte) dos componentes em ao inoxidvel e penetraes eltricas tipo weld lip (soldveis) foram realizadas nas prprias dependncias do CDTN. A operao de brasagem das peas em inox com a massa de cobre (dedo frio), entretanto, devido necessidade de uso de equipamentos especiais (forno a vcuo) e complexidade operacional, foi realizada nas dependncias do Laboratrio Nacional de Luz Sncroton (LNLS, Campinas, SP), sob responsabilidade do Dr. Osmar Roberto Bagnato, do grupo de pesquisa de materiais desta instituio. A FIG. 12 traz uma viso geral dos principais componentes da cmara CEMS-Channeltron.

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Trocador Calor Cu Cmara Vcuo Anel Vedao In Batente da Cmara (Bipartido) Dedo-frio Cu

Janela Mylar

Porta-amostras

Channeltron

Figura 12 Detalhe da cmara CEMS-Channeltron com os principais componentes

3.4.1 Materiais para Vcuo e Criogenia

O escopo do projeto requer a utilizao de materiais os quais apresentem um bom desempenho no ambiente da medio, isto , materiais que apresentem bom desempenho tanto a baixas temperaturas, como tambm em ambientes de alto vcuo. Aos inoxidveis austenticos possuem uma combinao nica de propriedades as quais os tornam indicados para construes submetidas a temperaturas criognicas. Por outro lado, aos ferrticos ou martensticos geralmente no so recomendados para uso em temperaturas criognicas, pois apresentam uma significativa perda de suas propriedades mecnicas (tenacidade, por exemplo) mesmo a temperaturas moderadamente frias e no muito abaixo da temperatura ambiente. Portanto, o emprego de ao inoxidvel bastante recomendvel para o ambiente sob vcuo e frio da cmara CEMS. O polmero PTFE (comercialmente conhecido como Teflon ), por sua vez, apresenta tambm propriedades interessantes tanto do ponto de vista de baixa presso de vapor (indicado para ambientes de alto vcuo), bem como de propriedades criognicas, tais como baixo coeficiente de condutividade trmica (cerca de 0,25 W/m.K) e bom desempenho estrutural a baixas temperaturas (sem perda significativa de suas propriedades mecnicas).

30

Alm disso, este material tambm um excelente isolante eltrico, o que o torna conveniente para confeco de elementos isoladores e suportes termicamente isolados. Finalmente, optou-se tambm pela utilizao de uma massa de cobre (dedo frio) e peas estruturais em alumnio para fins de transferncia de calor desde a amostra at o ambiente externo cmara CEMS. O cobre eletroltico isento de oxignio (OFHC), bem como o alumnio tambm so materiais indicados para ambientes de alto vcuo. Na TAB. 5 apresentada uma lista de faixas de utilizao de alguns materiais conforme o ambiente de vcuo requerido. Na TAB. 6, por sua vez, apresentado um quadro resumido das quantidades e tipos de materiais envolvidos na construo de cada sistema CEMS. Tabela 5 Faixa de Utilizao de Materiais para Recipientes e Tubos de Vcuo [26]
Presso (Torr) Material Ferro, Aos Ferro Fundido, Cobre ou Alumnio Comercial Cobre Eletroltico ou Ligas Nquel e Ligas Alumnio Vidro, Quartzo Cermicas Mica Borrachas Plsticos 760 1 Bom 1 10 Bom
-3

10-3 10-5 Bom

10-5 10-7 Somente aps degas Ruim

10-7 10-10 Somente Aos Inox Ruim

Bom

Bom

Ruim

Bom Bom Bom Bom Bom Bom Bom Bom

Bom Bom Bom Bom Bom Bom Bom Bom

Bom Bom

Somente aps degas Bom

Somente Cobre OFHC Bom No recomendado Somente parede grossa Somente tipos especiais No recomendado Ruim No recomendado

Somente aps degas Bom Somente aps degas

Somente com revestimento vtreo Somente aps degas rigoroso Somente aps degas Ruim

Somente PTFE, Epxi

Tabela 6 Materiais envolvidos na construo dos detectores CEMS. Material Ao Inoxidvel Cobre Teflon Alumnio Quantidade de Peas CEMS-Channeltron CEMS-HFPC (Proporcional) 10 peas + 1 tubo 5 peas + 2 tubos 2 peas 1 pea 3 peas 1 pea 3 peas 3 pea

31

3.4.2 Criostato
Um criostato tpico de Hlio ou Nitrognio lquido consiste de um corpo cilndrico em ao inoxidvel contendo em seu interior alguns reservatrios dispostos radialmente. Mais ao centro se localiza o tubo de insero do conjunto do porta-amostras, o qual tipicamente estanque a baixo vcuo. Os reservatrios internos destinados a armazenar os lquidos criognicos so geralmente circundados por uma camisa de vcuo exterior a qual evacuada de modo a reduzir a condutividade trmica radial resultante. Para o caso especfico de um criostato de Hlio lquido (LHe), este possui ao menos duas camisas de vcuo comunicantes as quais circundam os reservatrios de Hlio e Nitrognio, respectivamente, de modo que a radiao trmica seja ainda mais reduzida na vizinhana externa ao reservatrio de LHe. Estas camisas, por sua vez, possuem uma vlvula de evacuao externa, a qual deve ser acoplada a um sistema de evacuao apropriado. A presso nas camisas de vcuo deve ser mantida abaixo de 10-4 Torr, pelo menos, j que a carga trmica total para este recipiente preenchido com LHe geralmente de apenas alguns poucos milijoules [27]. Os criostatos podem ainda possuir diversos tipos de dispositivos de variao da temperatura na amostra (por exemplo, dedo frio acoplado a um aquecedor eltrico, controle da impedncia trmica, troca de gs e fluxo contnuo de vapor criognico na amostra, etc.). O Criostato tico com Temperatura Varivel da Janis Research Co. (E.U.A), modelo SVT400 Optical Cryostat foi adquirido pelo LFA/CDTN principalmente para a realizao de experimentos de espectroscopia Mssbauer a baixas temperaturas.. O termo tico se refere a sua construo, a qual prev a instalao de janelas de material polimrico transparentes radiao- no corpo do criostato e na altura da amostra, de modo a viabilizar os estudos de absoro/retroespalhamento desta radiao pela amostra, como por exemplo em ensaios de espectroscopia Mssbauer. A presena destas janelas, no entanto, requer cuidados especiais no manuseio do criostato, j que uma falha de vedao neste ponto inviabiliza a manuteno do nvel de temperatura nos criognicos devido conseqente degradao do vcuo em suas camisas interna e externa. O Criostato Janis SVT-400 possui resumidamente as caractersticas acima num corpo de Dewar de 24 x 12 com cmara de amostra de 2 de dimetro interno (um dos maiores

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espaos internos disponveis). Os reservatrios de LN2 e de LHe so de 5 e 6 litros, respectivamente. Possui tambm as seguintes faixas operacionais de temperatura: LHe 1.4 300K; LN2 65 - 300K. A FIG. 13 a seguir apresenta uma foto do criostato bem como um esquema de seus principais componentes.

Figura 13 Foto e esquema tpico do criostato Janis srie SVT [27]. O controle da temperatura na amostra neste criostato se d por dois mtodos: um mtodo indireto, controlando-se o fluxo de vapor de hlio lquido na amostra atravs de um sistema de vaporizao atrelado ao reservatrio de LHe, e outro direto, usando-se o elemento aquecedor (Heater) posicionado tanto no trocador de calor do crisotato como tambm no porta-amostras. Uma ligeira abertura do operador da vlvula-agulha (ver FIG. 13) permite um pequeno fluxo de Hlio Lquido (cerca de 100 a 500cc/hora) desde o reservatrio at o trocador de calor localizado no fundo do tubo de amostra. Dessa forma, tem-se um controle indireto da temperatura nesta poro do criostato, controlando-se o fluxo de LHe no vaporizador e no tubo capilar at o trocador de calor. O fluxo de vapor de hlio aquecido, aps deixar o trocador de calor, tende a subir em direo ao flange de sada do tubo do porta-amostras.

33

A maior vantagem deste mtodo que a amostra no precisa ser aquecida (com isso, tem-se boa economia de lquidos criognicos) e nem deve estar termicamente ancorada montagem interna do tubo de amostra (o vapor de LHe far o contato trmico para com o portaamostra, realizando assim a transferncia de calor). A leitura e controle de temperatura so realizados atravs dos sensores de temperatura localizados tanto no vaporizador, o qual fornecer uma medida razovel do estado trmico desta poro final do tubo de amostra, bem como diretamente no porta-amostras, a apenas poucos milmetros da real posio de interesse. Evacuando-se a sada deste tubo a partir de uma bomba de baixo vcuo (~10-1 Torr), cria-se baixa presso acima do nvel de LHe depositado na poro inferior do tubo de porta-amostras (a partir de 4,2K), permitindo assim atingir temperaturas de at 1,4K (Hlio em estado superfluido) ou 65K (nitrognio lquido). H ainda um controlador de temperaturas usado em conjunto com o criostato. Trata-se do controlador de temperatura CryoCon 32B, o qual possui duas malhas de aquecimento independentes com controle tipo PID, sendo adequado para o uso de diversos tipos de sensores de temperatura (Diodos, NTC/PTC, etc.). O controle de temperatura se d, basicamente, pela definio de um set-point de temperatura e ajuste dos parmetros P(Proporcional), I(Integral) e D(Derivativo) das malhas de controle PID em srie com os circuitos resistivos dos elementos aquecedores (Heater) presentes na amostra e vaporizador. A estabilidade do controle de temperatura na amostra, tanto a partir do mtodo direto como tambm do indireto na faixa de 4,2 100K geralmente melhor que 0,1K, bastando apenas observar o consumo de lquidos criognicos ao longo do tempo de medio. A autonomia mxima de ambos reservatrios de cerca de 40 horas. No entanto, completando-se o nvel de LHe e LN2 no sistema pelo menos a cada 12-15 horas suficiente para se manter a amostra sob razovel estabilidade na temperatura de set-point desejada.

3.4.3 Sensores de Temperatura

Um sensor de temperatura do tipo semicondutor/juno p-n est baseado na dependncia da tenso de polarizao direta para com a temperatura. So geralmente baseados em tecnologia de silcio, mas h tambm alguns diodos especiais confeccionados em GaAs e GaAlAs para esta finalidade.

34

Estes sensores operam na faixa de 1,4 a 500 K. Entre 25 K e 500 K, um diodo de silcio possui uma sensibilidade aproximadamente constante de 2,3 mV/K. No entanto, abaixo de 25 K, tal sensibilidade tende a aumentar significativamente e de forma no-linear [28]. Em aplicaes de criogenia, uma das maiores vantagens da utilizao de diodos semicondutores como sensores de temperatura o fato de que seu sinal de sada em tenso ser razoavelmente grande e tende a aumentar com a diminuio da temperatura. Por exemplo, um diodo tpico de silcio excitado com uma corrente constante de apenas 10A produz um sinal de tenso de sada de 0,5V a temperatura ambiente (300 K) e de cerca de 1V a 77 K. Para ambos sistemas CEMS desenvolvidos nesta dissertao foi escolhido o sensor DT470SD [28] como principal sensor de temperatura, por apresentar uma resposta monotnica de 1,4 a 500K (conformidade para com a Lakeshore Curve Index No. 10), alm de ser encapsulado num pacote robusto e termicamente ancorvel em diversas geometrias (FIG. 14).

Figura 14 Sensores de temperatura para aplicaes em criogenia Foi tambm acrescido aos sistemas CEMS um sensor secundrio do tipo resistivo RTD-PTC (Resistividade Dependente da Temperatura / Coeficiente de Temperatura Positivo) designado sobretudo para operao em faixas superiores de temperatura (acima de 40K), bem como para atuar como um sensor redundante em caso de malfuncionamento ou falha irrecupervel do sensor principal (semicondutor). Trata-se do PT-103 (FIG. 14), o qual possui faixa operacional desde 30 a 873K. Este sensor, baseado na dependncia direta para com a temperatura de uma resistncia padro de platina (100 a 273,15 K ou 20 oC), possui uma resposta em temperatura quase linear em toda faixa de operao, bem como uma sensitividade constante de 0,4 /K acima de 77 K, o que o torna um sensor de alta confiabilidade e, dessa forma, sendo amplamente empregado na indstria.

35

3.4.4 Condutores Criognicos

Fios condutores criognicos apresentam caractersticas bem distintas dos condutores convencionais, especialmente no que tange a sua baixa condutividade trmica e elevada resistividade eltrica. O que se espera destes condutores , sobretudo, que a variao de sua resistividade com a temperatura seja a menor possvel, de modo a conservar sua resistividade aproximadamente constante na medida em que se abaixa a temperatura do sistema. As ligas de condutores criognicos mais comuns so o Manganin, Fsforo-Bronze, Nquel-Cromo, Cobre-Constantan e mesmo o Ao Inoxidvel. Estas ligas pertencem ao grupo de materiais condutores de alta resistividade e baixo coeficiente de temperatura. Por isso, tais ligas so muito usadas em resistores de referncia termoestveis e outros produtos cuja resistncia hmica praticamente independente da temperatura. So geralmente solues slidas de metais com estrutura desordenada, dentre as quais as ligas mais comuns so ligas de cobre-nquel conhecidas como Manganin e Constantan. O Manganin uma liga que contm 84 a 86% de Cobre, 2 a 3% de Nquel, e 12 a 13% de Mangans. de colorao vermelho-amarelada, tem densidade de 8400 Kg/m3 e ponto de fuso a 960C. Seu coeficiente de dilatao 18 x 10-6/oC. O Manganin pode ter sua quantidade aumentada de mangans (60 67%) e nquel s custas do cobre para aumentar a resistividade para 1,5 2 /m . A resistncia hmica quase independente da temperatura e pequeno campo eletromagntico trmico quando em contato com cobre (0,9-1 V/C) so as vantagens deste material como condutor criognico. A estabilidade das caractersticas eltricas normalmente adquirida no annealing (tratamento trmico) a vcuo do fio de Manganin a cerca de 400C e subseqente resfriamento lento at a temperatura ambiente. Tal tratamento trmico melhora a homogeneidade da liga e estabiliza as caractersticas de resistividade ao longo do tempo. A temperatura mxima de operao para produtos de Manganin Annealed de 200C. Para produtos no tratados, de 60C. Temperaturas mais elevadas causam mudanas irreversveis em sua estrutura fsico-qumica.

36

O fio de Manganin est disponvel com isolamento esmaltado ou de polmeros especiais tais como Formvar e o Heavyformvar [28]. Estes polmeros possuem excelentes propriedades mecnicas tais como resistncia abraso e elevada flexibilidade, alm de serem mecanicamente resistentes a baixas temperaturas. Alm disso, possuem elevada capacidade contra ruptura dieltrica, sendo que um isolamento de apenas 40 m de espessura pode resistir a at 400 Vcc. Para este projeto foram adquiridos condutores de Manganin com revestimento Heavyformvar de sees 32 AWG (13/m) para as conexes do Channeltron e 36 AWG (52/m) para conexo dos sensores de temperatura e confeco dos enrolamentos para os elementos aquecedores (Heaters). Os elementos aquecedores so, por sua vez, conectados ao ambiente externo mediante condutores comuns de cobre metlico.

3.4.5 Isoladores de Alta Tenso

A fim de promover um isolamento adicional para as altas tenses envolvidas, foram adquiridas luvas de condutores em PTFE (Teflon) de modo a revestir os condutores criognicos no interior da cmara. Alm disso, um conjunto nico de isoladores em PTFE reduz as conexes eltricas a uma s localizao, facilitando sua manuteno. (FIG. 15). O PTFE apresenta uma tenso de ruptura de dieltrico bem elevada (de 50 a 170 kV/cm) bem como estabilidade a vcuo e criognica, conforme mencionado anteriormente. O isolamento dimensionado prev o uso de luva de PTFE de 22 AWG de espessura de 12 mils (milsimos de polegada linear), capaz de suportar at 6 kV, alm de permitir a passagem de at 4 condutores de 32 AWG ou ainda 7 condutores de 36 AWG em seu interior.
Anel Vedao In Channeltron Amostra

Luva PTFE Conjunto Isoladores+Conexes

Figura 15 Detalhe dos isoladores de alta tenso do conjunto interior da cmara CEMS

37

3.4.6 Conexes Eltricas

Tanto a medio de tenso de polarizao (diodo) como a da resistncia eltrica (PTC) requer a passagem de uma corrente de excitao atravs do sensor, a qual produzir uma diferena de potencial entre os terminais e, dessa forma, constituir-se- como varivel medida. No entanto, conforme os condutores eltricos destinados para criogenia (Manganin, por exemplo) tipicamente apresentam elevadas resistividades, um circuito de medio simples baseado em dois condutores geralmente no apropriado, j que a resistncia eltrica de cada um dos condutores ser significativa e produzir um erro considervel na leitura tanto da queda de tenso nos terminais do sensor, como a da resistncia total vista pelos terminais do medidor. Outra fonte de erro para esta abordagem a juno eltrica dos terminais do sensor com cada um dos condutores (geralmente feitas a partir solda de liga resistiva): conforme a liga possui um comportamento da resistividade dependente da temperatura, acrescentar-se- uma nova varivel ao valor global da resistncia efetiva at o sensor. Uma abordagem alternativa o circuito de medio baseado em quatro condutores (FIG. 16), sendo que dois deles (I+ e I-) ficam responsveis em estabelecer o determinado nvel de corrente no circuito, enquanto que os outros dois (V+ e V-) medem a queda de tenso diretamente nos terminais do sensor, assim eliminando do resultado o efeito da resistncia dos condutores. A razo deste esquema de medio funcionar razoavelmente bem o fato de que a queda de tenso nos condutores de leitura de tenso ser extremamente pequena devido a pequena corrente necessria para se excitar o voltmetro que realiza a leitura do sensor.

Figura 16 Circuito de medio baseado em quatro condutores [28] Os contatos eltricos entre terminais e condutores foram feitos por meio de solda comum de liga resistiva Sn-Pb, a qual apresenta um desempenho satisfatrio mesmo quando submetidas a baixas temperaturas (o coeficiente de dilatao trmica desta liga relativamente pequeno).

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Para a comunicao do ambiente em alto vcuo interno para com o ambiente externo do sistema CEMS-Channeltron, foram adquiridas penetraes eltricas (electrical feedthroughs) do tipo weld-lip (soldveis) do fornecedor Friatec AG (Alemanha). Estas penetraes em cermica especial (FRIALIT F99,7) com contatos em cobre permitem a circulao de correntes de at 15A e tenses de at 3 kV (item n 551-1066-2), sendo adequadas tanto para a excitao em alta tenso dos dispositivos de multiplicao de eltrons (Channeltron, fio Anodo, etc.) como tambm suportam elevadas correntes tpicas de elementos aquecedores. Por sua vez, a escolha de conectores eltricos se baseou, sobretudo, na ordem de grandeza das tenses a serem aplicadas (por exemplo, conectores tipo SHV para a alta-tenso do Channeltron e Anodo do HFPC, e BNC para conexes de baixa tenso), bem como na estanqueidade a baixo vcuo no interior do criostato (por exemplo, o conector HGP vacuumtight da Lemo, Inc.) para as conexes de sensores trmicos. A FIG. 17 apresenta um esquema simplificado das conexes eltricas para o sistema CEMS-Channeltron.

Figura 17 Viso simplificada das conexes eltricas do sistema CEMS-Channeltron

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3.4.7 Ancoragem Trmica e Fixao

Muitas medies de temperatura so feitas presumindo-se que a rea de interesse isotrmica. Mas isso geralmente no o caso. Um cuidado bsico que se deve ter posicionar o sensor de temperatura o mais prximo possvel do objeto da medio. Mas nem sempre isso possvel, como no caso de sistemas totalmente hermticos tais como o CEMS-Channeltron, pois a fixao deste sensor aumentaria e muito a quantidade de condutores passantes no interior do tubo central, bem como a quantidade de penetraes eltricas requeridas. Uma forma econmica de se ter uma leitura bem aproximada da temperatura da amostra ancorar o sensor trmico numa massa de cobre a qual ficar responsvel pela transferncia de calor do interior da cmara (dedo frio) para o ambiente externo. Dessa maneira, esperar-se- que o gradiente trmico estabelecido entre a amostra e o sensor seja relativamente pequeno (devido elevada condutividade trmica do Cobre), sendo que a leitura da temperatura auferida no sensor, para todos os fins prticos, ser aproximadamente a temperatura da amostra aps decorrido um certo tempo para a estabilizao trmica do sistema. Outro cuidado necessrio a fim de se obter uma leitura fidedigna da temperatura a ancoragem trmica do sensor na massa de cobre. Para tanto, optou-se por fazer cavidades no interior da massa de cobre em cujo interior o sensor seria imerso juntamente com graxa trmica (Apiezon tipo N) de modo a melhorar o contato trmico com as paredes internas da cavidade e, por conseguinte, com toda a massa de cobre. Uma vantagem desta abordagem que a fixao do sensor se torna extremamente simples, robusta e bem protegida. A aplicao de suportes ou grampos de fixao, por outro lado, poderia eventualmente causar danos ao sensor durante o manuseio, alm de permitir contato trmico em somente uma das faces. A graxa trmica escolhida foi a Apiezon tipo N, a qual apresenta propriedades trmicas, criognicas e de presso bastante interessantes. Uma das vantagens desta graxa sua baixa presso de vapor (cerca de 3x10-9 mbar a 20 oC), a qual permite seu uso direto em ambientes de alto vcuo. Outra vantagem sua solidificao completa somente ocorrer a baixas temperaturas, o que permite que os materiais de diferentes coeficientes de dilatao trmica se acomodem durante os ciclos de resfriamento/aquecimento do sistema sem causar maiores danos estruturais aos mesmos.

40

3.4.8 Vedaes para Alto Vcuo

Para a vedao da cmara de vcuo foi utilizada uma juno desmontvel tipo O-ring de seo circular. O O-ring, feito de metal ndio de alta pureza (99,9999%), disposto numa fenda circular e comprimido entre as faces da vedao, proporcionando assim uma vedao para alto vcuo e tambm resistente ao resfriamento do sistema a temperaturas criognicas. A geometria da fenda (groove) deve ser tal que permita o completo enchimento sem formao de ilhas ou bolses de ar quando da montagem da vedao, o que poderia resultar na ocorrncia de vazamentos virtuais e a conseqente degradao do vcuo na cmara. Roth [26] sugere algumas geometrias padro para vedaes do tipo O-ring. Para este projeto, optou-se por uma geometria tipo trapezoidal aberta, em que as dimenses sugeridas so aquelas as quais satisfazem as equaes de projeto sugeridas por este autor para um fio de ndio com seo circular de 1 mm. Esta geometria possui ainda a vantagem de permitir uma melhor limpeza da fenda aps a utilizao da vedao se comparada com as fendas do tipo retangulares. Outra medida que melhora tanto a vedao como a limpeza futura das faces a aplicao de graxa Apiezon nas superfcies de vedao em cada face. Esta graxa permite o preenchimento das micro-ranhuras e pequenas imperfeies de superfcie que porventura escaparam do processo de polimento durante a confeco da pea ou provocadas por manuseio inadequado, assim melhorando a eficincia da vedao. O material de vedao o metal ndio, possui algumas propriedades que o tornam um material de escolha para aplicao em vedaes desmontveis para alto vcuo submetidas a baixas temperaturas. Sua maleabilidade to grande que, mesmo pressionado minimamente entre as superfcies polidas do anel de vedao (mediante simples aperto dos oito pequenos parafusos do batente da cmara), este se conformar mecanicamente em todo o espao disponvel na fenda de vedao, assim preenchendo de maneira eficiente os espaos internos existentes e, conseqentemente, promovendo uma excelente vedao. Alm disso, sua maleabilidade e ductibilidade se conservam bastante elevadas independentemente da temperatura, o que permite a manuteno da eficincia da vedao em praticamente toda faixa de temperaturas de operao do criostato.

41

3.5

Controle do Rudo

A espectroscopia Mssbauer envolve a utilizao de uma fonte radioativa emissora de diversas radiaes oriundas dos processos de decaimento de um determinado ncleo-pai em questo. Entre as principais fontes de rudo para o detector, podemos destacar as emisses fotoeltricas oriundas de praticamente todos os materiais dispostos nas direes de iluminao da fonte radioativa, inclusive aquelas originadas nas paredes internas dos componentes elementos estruturais que circundam o detector. Estes fotoeltrons sero emitidos continuamente to logo o sistema seja exposto iluminao da fonte radioativa e, uma vez que os mesmos no so originrios do fenmeno da absoro ressonante, podero dar origem a pulsos esprios em detectores localizados nas proximidades. Estes pulsos esprios, por sua vez, estaro associados ao rudo de fundo do espectro Mssbauer. A razo entre pulsos associados a eventos de absoro ressonante (pulsos Mssbauer) e pulsos esprios oriundos de outros fenmenos (fotoemisso, eltrons noressonantes, descargas eltricas, etc.) representar a relao sinal/rudo do espectro final. A relao sinal/rudo, portanto, informa a qualidade do espectro da aquisio de dados por espectroscopia Mssbauer. Um espectro ter uma maior definio quanto maior for o tempo de aquisio (uma vez satisfeitas as condies de repetitividade a cada ciclo de aquisio). Outro fator importante para obteno do espectro diz respeito atividade da fonte radioativa: quanto maior a atividade da fonte, menor o tempo gasto para obter um espectro com uma determinada relao sinal/rudo desejada (se factvel), uma vez que maior ser a contagem dos pulsos no detector do experimento por canal de aquisio ao longo do tempo. Segundo Horowitz e Hill [29], a relao sinal/rudo pode ser informada pela seguinte expresso:

Ps t S / R = 10 log P n
em Ps a potncia do sinal, Pn a potncia do rudo e t o tempo de aquisio. De acordo com [30], considera-se que dez um valor timo para a relao sinal/rudo.

(7)

De modo a melhorar a relao sinal/rudo do experimento e diminuir os tempos totais de aquisio, foram adotadas algumas medidas de modo ou a reforar o sinal oriundo do fenmeno, ou diminuir a interferncia de fenmenos estranhos absoro ressonante (rudo).

42

3.5.1 Filme de MgO

A despeito da ordem de grandeza de um ganho tpico (107~108) para o dispositivo multiplicador de eltrons (Channeltron), nem sempre possvel garantir que os eltrons de converso emitidos estejam exatamente na faixa de energia de maior sensibilidade para este detector. De fato, a regio tpica de maior sensibilidade de um Channeltron ronda a faixa de 0,1 a 1 keV para eltrons (FIG. 10) e a faixa de energia tpica para eltrons de converso da camada K (maior probabilidade) se situa em 7,3 keV, o que implica uma reduo significativa da sua eficincia de deteco para experimentos tipo CEMS. Klingelhfer [31] em seu trabalho citou alguns materiais com diferentes taxas de produo de emisses secundrias de acordo com a energia do eltron primrio incidente, conforme a TAB. 7 a seguir: Tabela 7 Razo R da produo de emisses secundrias com respeito a impureza adicionada ao vidro do Channeltron (apud Manalio et al) Material Alumnio (metal) Al2O3 (p) Al2O3 (anodizado) BaO (p) Bi2O3 (p) Co (p) CrO (p) MgO (camada xido) MgO (difuso) SnO2 (p) R (5 keV) 4,8 1,9 2,3 3,0 2,5 2,7 2,3 3,4 4,7 R (10 keV) 4,5 2,7 2,7 4,0 2,0 2,5 3,1 4,7 4,0 R (20 keV) 0,3 5,0 1,3 1,0 4,3 1,8 6,5 5,5 -

Para o caso de eltrons de converso com energia na ordem de 7,3 keV (cerca de 81% das emisses de converso interna de um ncleo de 57Fe), uma fina camada de MgO se converter num razovel agente gerador de emisses secundrias, amplificando assim o nmero de eventos Mssbauer capazes de produzir pulsos detectveis e aumentando sobremaneira a magnitude do sinal de sada. Alm disso, estas emisses secundrias apresentaro menores energias que o eltron primrio (na faixa de 1-2 keV), o que coincide com a faixa de energia de maior eficincia de deteco de dispositivos multiplicadores de eltrons tais como o Channeltron.

43

Dessa maneira, conveniente recobrirmos uma pequena pelcula adesiva de Kapton com p de MgO (a partir do p de fumaa oriundo da queima ao ar livre de uma pequena fita de magnsio metlico), fixando-a em contraposio e ao redor da superfcie da amostra, de modo que os eltrons oriundos do processo de absoro ressonante na faixa de 7,3 keV (57Fe) sejam ejetados preferencialmente contra este material, gerando emisses secundrias que, por sua vez, reforaro o sinal captado pelo detector (vide FIG. 6).

3.5.2 Controle da Tenso de Bocal do Channeltron

Drte [32], em sua dissertao, apresenta um grfico (FIG. 18) em que o bocal de um Channeltron tpico excitado a diferentes tenses (de negativas a positivas, tendo-se como referencial o terra comum s fontes CC) e avaliando-se as contagens produzidas na sada do multiplicador. Ele concluiu que uma tenso de bocal de aproximadamente +60 V era capaz de atingir a mxima eficincia relativa em termos de deteco (ou seja, trabalhando-se a tenses maiores, observar-se- pouco ou nenhum ganho adicional relativo em termos de contagens).

Figura 18 Curva de saturao de um Channeltron num cilindro recoberto com MgO [32] O Channeltron fornecido pela Universidade de Gdansk apresenta uma conexo eltrica independente para aplicao de tenso de bocal. No entanto, seu fornecedor sugeriu, num email, ser dispensvel a aplicao desta tenso uma vez que a excitao em alta-tenso do Channeltron acarreta a gerao de tenses de +20 a 30V j no coletor do dispositivo (bocal), o que tornaria supostamente desnecessria tal providncia.

44

Apesar disso, conforme se vislumbrou o incremento da eficincia de deteco na FIG. 18 acima num dispositivo similar, optou-se por operar com tenses de bocal em cerca de +60 V.

3.5.3 Recobrimento das Paredes Internas da Cmara de Amostra

Existem trs mecanismos fundamentais de interao da matria com a radiao eletromagntica: absoro fotoeltrica, espalhamento Compton e produo de pares [33]. A absoro fotoeltrica o modo predominante de interao para raios- de relativa baixa energia (at algumas centenas de keV). Este o caso, portanto, para as radiaes incidentes de um ncleo de
57

Co em processo de decaimento. Por outro lado, este processo ocorre ainda

com mais severidade em materiais de alto nmero atmico, o que sugere que as paredes da cmara de vcuo, ricas em elementos pesados tais como Fe, Mo, Cr, emitiro significativas levas de eltrons fotoexcitados em todas as direes, inclusive na direo do detector, o que aumentar os nveis de rudo devido multiplicao de eventos esprios. Uma maneira de se mitigar este fenmeno foi o recobrimento das paredes internas da cmara de vcuo com uma chapa delgada de cobre devidamente aterrada. Este material, de elevada condutividade eltrica, tornar-se- o caminho preferencial para os eltrons ejetados das paredes at a carcaa externa do condutor, desviando significativamente a quantidade de eltrons fotoexcitados que de outra forma atingiriam as imediaes do detector, provocando a gerao de pulsos esprios associados a rudos. Entretanto, o cobre elementar ainda apresenta uma massa relativamente elevada, o qual tender a produzir ainda alguns fotoeltrons. Para isso, empregou-se tambm uma pequena folha delgada de Mylar aluminizado (material polimrico aluminizado), a qual recobrir a superfcie exterior da chapa de cobre, tambm devidamente aterrada. Este material ser responsvel, por sua vez, pela coleta destes fotoeltrons adicionais, no mais emitindo quantidade significativa de eltrons fotoexcitados por apresentarem nmeros atmicos baixos em seus principais componentes (H, C, Al, etc.). A FIG. 19 traz o esquema de recobrimento:

45

Mylar Aluminizado (externo) e Cu (interno)

Figura 19 Detalhe do recobrimento das paredes internas da cmara de amostra (CEMSChanneltron)

3.5.4 Uso de Colimadores, Absorvedores, etc.

Existem ainda outras medidas as quais permitem uma reduo ainda maior do rudo inerente natureza das radiaes emanadas pela fonte Mssbauer. Uma vez que a fonte de 57Co irradia isotropicamente, praxe a utilizao de colimadores de chumbo dispostos frente e na direo da fonte radioativa de modo que o feixe de raios- incida preferencialmente na rea da amostra, assim evitando a exposio indesejada de outras regies e a conseqente gerao de rudo. Um colimador com dimetro interno de 30 mm e externo de 60 mm foi o que apresentou melhores resultados em termos de melhor iluminao da rea da amostra e reduo geral de rudo para o sistema CEMS-Channeltron. Outra medida a adoo de uma barreira de acrlico (ou outro material polimrico) a qual ficar responsvel pela absoro de raios-X de alta energia, os quais tambm so gerados no processo de decaimento radioativo da fonte de 57Co. Esta barreira, posicionada logo frente da fonte de 57Fe e externamente ao criostato, rica em materiais de baixo nmero atmico (C, H, O, etc.), os quais apresentam uma maior seo de choque de absoro de radiaes eletromagnticas de relativa alta energia (acima de 100 keV).

46

3.6

Teste do Sistema CEMS Channeltron

Uma lmina de ferro natural (Fe-nat) de cerca de 10x10mm2 foi usada como amostra para testes do sistema CEMS-Channeltron, produzindo os resultados a seguir (Pcmara < 10-6 Torr): CEMS Fe-nat 10x10mm2 @ 70K HV = 1300V (End) Vc = 60V (Frontend) Id (S/N) = 4,3 Tempo: 8h57
-8 -6 -4 -2 0 2 4 6 8

CEMS-Channeltron @ 70K - Fe-nat Sam ple

1,12 1,10

Emisso Relativa (%)

1,08 1,06 1,04 1,02 1,00 0,98

Velocidade (m m /s)

Contagens: 332/seg CEMS Fe-nat 10x10mm2 @ 50K HV = 1300V (End) Vc = 60V (Frontend) Id (S/N) = 3,0 Tempo: 16h16
0 ,98 -8 -6 -4 -2 0 2 4 6 8

C E M S -C h a n n e ltro n @ 5 0 K - F e -n a t S a m p le
1 ,12

1 ,10

Emisso Relativa (%)

1 ,08

1 ,06

1 ,04

1 ,02

1 ,00

V e lo c id a d e (m m /s)

Contagens: 250/seg CEMS Fe-nat 10x10mm2 @ 30K HV = 1450V (End) Vc = 60V (Frontend) Id (S/N) = 3,2 Tempo: 31h43

C E M S-C hanneltron @ 30K - Fe-nat Sam ple

1,14 1,12 1,10

Emisso Relativa (%)

1,08 1,06 1,04 1,02 1,00 0,98 -8 -6 -4 -2 0 2 4 6 8

Velocidade (m m /s)

Contagens: 73/seg

47

Conforme pode ser observado a partir destes resultados, medida que se abaixa a temperatura do sistema, tem-se piorada a taxa mdia de contagens. Este comportamento, contudo, esperado para todos os dispositivos multiplicadores de eltrons baseados nesta configurao, uma vez que a liga metlica responsvel pelo efeito de multiplicao tem sua resistividade diminuda com o abaixamento da temperatura (o tipo da liga metlica e seu comportamento para com a temperatura um parmetro importante para dispositivos que operam em faixas de temperatura mais baixas). Isto, por sua vez, refletir em menos emisses secundrias e a conseqente perda de eficincia e ganho. Abaixo de 25 K, no so mais observados pulsos discriminveis na sada do Channeltron, mesmo se aumentarmos a tenso de excitao at o limite operacional (cerca de 3,0 kV). Dessa forma, de modo a se realizar medidas abaixo deste limite de temperatura, se fez necessrio o aquecimento localizado do dispositivo multiplicador de eltrons sem, no entanto, perturbar significativamente a temperatura de outros componentes e, em particular, a temperatura da amostra. Uma vez que o projeto original considerava o uso de um suporte metlico para o Channeltron, o aquecimento localizado deste ltimo mostrou-se bastante ineficiente, pois grande parte do calor produzido pelo elemento aquecedor (heater) era conduzido diretamente para a massa de cobre e, por sua vez, at a amostra, prejudicando o controle de temperatura e impedindo a operao em temperaturas mais prximas ao do hlio lquido. Uma melhoria proposta foi a substituio deste suporte metlico por outro feito em Teflon, que um mau condutor de calor, alm de ser um dieltrico de elevada tenso de ruptura. Este suporte apresenta a vantagem de poder melhor suportar os isoladores de alta tenso, permitindo a operao segura do Channeltron com menor risco de centelhamentos. Essa melhoria implicou numa significativa maior estabilidade nas medies (taxa de contagens maior e constante ao longo do tempo), bem como na realizao de operao segura do dispositivo multiplicador de eltrons a temperaturas to baixas quanto 8 K, conforme demonstrado no estudo CEMS descrito no CAP. 5 desta dissertao (caracterizao Mssbauer de amostras com bicamadas de Fe / (EuxPb1-x)Te(111) com 15 de 57Fe).

48

MONTAGEM

TESTE

DE

UM

SISTEMA

CEMS

BAIXAS

TEMPERATURAS BASEADO NUM DETECTOR PROPORCIONAL A GS 4.1 Viso Geral

O projeto de um sistema CEMS usando um detector proporcional a gs Hlio (Helium Filled Proportional Counter HFPC) tambm est baseado num projeto desenvolvido pela mesma Universidade Duisburg-Essen, na Alemanha. O HFPC opera na regio de multiplicao dita proporcional a baixas temperaturas apesar de conter pouco ou nenhum gs de quenching (frenagem). No entanto, devido a ausncia de significativas concentraes deste gs de frenagem, principalmente sob baixas temperaturas, descargas eltricas auto-sustentadas ocorrero tipicamente a ganhos considerados baixos (cerca de 200), dessa forma limitando seu uso ao limiar de ocorrncia de tal fenmeno [10]. Por outro lado, sua construo relativamente mais simples que o detector CEMS baseado em dispositivo multiplicador de eltrons em estado slido (Channeltron), o que o torna atraente para realizao de experimentos envolvendo relativamente grandes concentraes do elemento Mssbauer na amostra, de modo a se obter um sinal de pulso razoavelmente detectvel. Outra caracterstica conveniente deste sistema a possibilidade de se realizar medidas CEMS a baixas temperaturas (50 K) simultaneamente a um campo magntico externo aplicado, permitindo assim a determinao de sua influncia na textura magntica dos filmes ultrafinos depositados sobre substratos espessos e/ou no-transparentes radiao-. Neste caso, um sistema CEMS baseado em dispositivos multiplicadores de eltrons em estado slido (Channeltron) no seria passvel de aplicao devido influncia direta do campo magntico externo no funcionamento do detector. Cuidados especiais com a presso, temperatura e pureza do gs de preenchimento, contudo, devem ser tomados, j que este parmetro influi diretamente no fenmeno da multiplicao de eltrons por avalanche eletrnica [12]. Outro fator determinante, especialmente quando se opera sem gs de quenching, o limite de ganho no limiar de descargas auto-sustentadas, o qual exige o monitoramento da relao sinal-rudo em praticamente todo o decorrer da medio. Dessa forma, sua operao um tanto mais complicada que o detector baseado em Channeltron, j que diversas variveis influenciam diretamente a eficincia da deteco.

49

A FIG. 20 traz uma viso geral do detector CEMS baseado num detector proporcional a gs hlio (HFPC):

Figura 20 Viso geral do sistema CEMS-Proporcional a Gs

50

4.2

O Detector Proporcional a Gs

O contador proporcional um detector de radiao o qual foi introduzido primeiramente em meados dos anos 1940 por H. Geiger e E. Rutherford. De maneira anloga aos detectores Geiger-Mueller (desenvolvidos anteriormente em 1928), operam quase sempre em modo de "pulso" e se fundamentam no fenmeno da multiplicao de eltrons que ocorre num determinado gs de preenchimento interno. Abaixo segue a curva caracterstica de detectores a gs operados em modo de "pulso":

Figura 21 Regies de operao de detectores gs para duas diferentes energias [33] A multiplicao de eltrons no gs conseqncia do aumento do campo eltrico at certo limiar no qual no mais ocorre o simples arrasto de pares eltron-on at o eletrodo, mas sim uma verdadeira "avalanche" eletrnica. Durante a migrao destas partculas carregadas, diversas colises ocorrem com molculas neutras do gs. Devido sua baixa mobilidade, os ons positivos ou negativos adquirem uma relativamente baixa energia cintica e no so capazes de causar novas excitaes. No entanto, os eltrons livres, devido sua pequena massa, so facilmente acelerados pelo campo eltrico presente e, aps atingido um certo limiar de energia cintica, so capazes de formar um novo par eltron-on antes de serem finalmente coletados pelo eletrodo.

51

Para gases monoatmicos tpicos presso atmosfrica, o campo eltrico limiar da ordem de 106 V/m. Este processo de multiplicao de eltrons num gs se d na forma de uma "cascata", recebendo o nome de "Avalanche de Townsend", governada pela equao de mesmo nome:
dn = dx n

(8)

4.2.1 Geometria do Detector

Tipicamente se utiliza uma configurao cilndrica, em que o anodo um fio metlico condutor e ctodo um tubo externo tambm metlico (FIG. 22). O gs fica aprisionado neste volume, e uma alta-tenso aplicada entre o anodo e o ctodo.

Figura 22 Elementos bsicos de um contador proporcional gs [33]. A distribuio do campo eltrico no interior deste detector, em funo da distncia r at o ctodo, ser:

(r ) =

V b r ln a

(9)

Para a cmara CEMS proporcional construda, a geometria retangular. No entanto, uma vez que o dimetro do anodo bem reduzido (da ordem de 60m) se comparado com as dimenses da cmara, tem-se que a distribuio campo eltrico nas imediaes do anodo se comporta de maneira quase anloga configurao cilndrica acima descrita.

52

A seguir mostrada uma simulao simplificada (FIG. 23) da distribuio do campo eltrico no interior da cmara CEMS proporcional, feita em software Quickfield [34] baseado em anlise por elementos finitos. Este software de engenharia permite o projeto de peas, componentes e estruturas a partir de simulaes numricas para os comportamentos eletromagntico, trmico e mecnico esttico dos materiais constituintes em diversas geometrias e configuraes quando submetidos a uma ou vrias excitaes simultneas.

Intensidade do Campo Eltrico

(viso transversal)

Sistema CEMS Proporcional a Gs (HFPC)

Intensidade do Campo Eltrico
(viso longitudinal)

Figura 23 Simulaes numricas simplificadas da distribuio do campo eltrico no interior da cmara CEMS-Proporcional Para as simulaes numricas acima, foi considerado o uso de um fio metlico de 70 m de espessura como o anodo do detector proporcional. Desse modo, conforme a equao acima, pode-se atingir campos eltricos nas imediaes do anodo da ordem de 106 V/m, condio necessria para que ocorra o fenmeno da multiplicao eletrnica no gs de preenchimento submetido a presses prximas da ambiente (at 1,4 bar ver [33]) .

4.2.2 Gs de Preenchimento
Uma vez que o efeito da multiplicao altamente dependente da migrao dos eltrons livres, o gs de preenchimento nos detectores proporcionais deve ser escolhido de forma que se mantenha a mais alta pureza possvel (menor coeficiente de aprisionamento de eltrons).

53

Gases monoatmicos (hlio, nenio, argnio) de alta pureza so os gases preferidos para este detector. Alm disso, impurezas de alta eletronegatividade, como o oxignio, no devem estar presentes em grandes concentraes no gs. No entanto, uma vez que o efeito da multiplicao em detectores proporcionais a gs est associado s ionizaes secundrias criadas nas colises entre os eltrons e mleculas neutras do gs, nem sempre estas colises produzem uma excitao que dar origem a um eltron secundrio. Muito antes, certas molculas podem no contribuir diretamente para o fenmeno da avalanche, mas sim retornar ao seu estado original atravs da emisso de um fton na regio visvel ou ultravioleta. Sob circunstncias apropriadas, estes ftons desexcitados podem acarretar a perda da proporcionalidade, bem como a gerao de pulsos esprios. De modo a mitigar este efeito, geralmente se adiciona uma pequena concentrao de gs poliatmico (por exemplo, gs metano) que ir preferencialmente absorver os ftons desexcitados e no mais acarretar novas ionizaes a partir da. Ou seja, a importncia deste gs aditivo est em manter a estabilidade do detector e reduzir o rudo associado pela propagao de ftons desexcitados. Portanto, para os gases monoatmicos operados na regio proporcional, deve-se adicionar uma pequena concentrao de gs de frenagem poliatmico (ou gs de quenching). Muitos gases hidrocarbonetos, tais como o metano, o etileno, o propano, etc., so usados como gases de frenagem, sendo que suas propores de adio variam conforme o tipo de radiao e as energias envolvidas. Para estudos realizados a baixas temperaturas, como o caso do CEMS, a escolha do gs de preenchimento dever se fundamentar, dentre outras caractersticas, no ponto de orvalho da mistura, j que a condensao no controlada deste gs interfere diretamente na presso da cmara e nas fraes do gs de frenagem. Para isso, optou-se pelo uso de uma mistura de 95% He e 5% CH4, em que seus constituintes, individualmente, possuem os menores pontos de orvalho de gases monoatmicos e orgnicos simples, respectivamente. Sua faixa de operao em termos de temperatura, no entanto, estar restrita s imediaes do ponto de condensao do gs metano (CH4), que fica prximo aos 100 K sob presso atmosfrica.

54

4.3

Teste do Sistema CEMS Proporcional a Gs

Os testes preliminares da cmara CEMS proporcional a gs indicaram a necessidade de se observar estritamente s condies necessrias para que se ocorra o fenmeno da multiplicao por avalanche eletrnica. Ou seja, as condies de temperatura, presso e pureza do gs de preenchimento devem estar obrigatoriamente satisfeitas de modo a se observar o trem de pulsos caractersticos de um detector proporcional devidamente excitado na tela de um osciloscpio [10]. Conforme mencionado anteriormente nesta dissertao, para o caso de cargas puras de gs hlio, existe um certo limiar de tenso no anodo o qual no pode ser ultrapassado para que no ocorram descargas eltrica auto-sustentadas, uma vez que no h quantidade significativa de gs de frenagem (gs de quenching) na mistura. Este limiar, como era esperado, mostrouse ser bem baixo (da ordem de 750 V para um fio anodo de 70 m), o que confirma sua baixa eficincia em termos de ganho de carga frente a outros detectores/multiplicadores de eltrons. Outro item de fundamental importncia no desempenho de um detector proporcional a gs o fio do anodo. Alm do dimetro, que se relaciona diretamente com o valor mximo do campo eltrico e o limiar de avalanche eletrnica, seu material constituinte dever ser o mais inerte possvel, de modo que a superfcie do condutor no reaja com as impurezas presentes no gs, mesmo que em pequenas concentraes. Outra caracterstica importante o nmero de imperfeies ao longo da seo reta do fio, o qual dever ser o mais baixo possvel a fim de no se distorcer o campo eltrico no interior do detector. Aps completada sua construo, o detector foi submetido a alguns ensaios preliminares a temperatura ambiente. Entretanto, seu funcionamento mostrou-se um tanto complicado, sendo que o sistema apresentava uma estabilidade altamente dependente da realizao de vrios ciclos de purga (limpeza do interior da cmara) antes do incio de cada medida, bem como uma manuteno constante da taxa de contagens (via aumento da tenso do anodo) a qual demonstrou ter vis de queda ao longo da medio. Instabilidade, necessidade de realizao de vrios ciclos de purga, controle da presso interna do gs, bem como a falta do gs de frenagem para maiores testes tornaram a operao deste detector um tanto trabalhosa, sendo que aqui ser apresentada uma curva de teste realizada temperatura ambiente apenas para fins de comprovao de seu funcionamento.

55

HFPC @ RT - Fe Sample
2,0
ISO -0.105079E+00 QUA 0.318384E-02 BHF 33.00000E+00 0.279036E-02 mm/s 0.534184E-02 mm/s 0.223874E-01 T

57

1,8

Emisso Relativa (u.a.)

1,6

1,4

1,2

1,0

-6

-4

-2

Velocidade (mm/s)

Figura 24 Espectro Mssbauer CEMS @ RT de uma amostra de 57Fe 10x10mm2 colhido no sistema CEMS-Proporcional (HFPC) Este espectro foi colhido nas seguintes condies operacionais: Gs de Preenchimento: He Puro (99,9999% pureza), Anodo: Cu (70 m), Va=675V, Pc=350mbar (manomtrica), Tc=300K. Tempo de aquisio: 15 minutos Portanto, conforme visto na FIG. 24 acima para uma amostra de
57

Fe 10x10mm2, o detector

proporcional apresentou um desempenho considerado satisfatrio em testes realizados a temperatura ambiente. No entanto, sua aplicabilidade a baixas temperaturas resta ainda ser comprovada dadas suas limitaes intrnsecas de ganho e complexidade operacional especialmente para baixas concentraes de gs de quenching num sistema resfriado a 50K.

56

5 5.1
As

UM ESTUDO CEMS DA INTERFACE Fe//(EuxPb1-x)Te(111) Introduo

interaes magnticas nas interfaces entre diferentes materiais magnticos

(nano)estruturados em camadas so tpicos de especial interesse atualmente em fsica e em cincia dos materiais, principalmente quando se combinam materiais ferromagnticos e semicondutores com propriedades antiferromagnticas. O efeito de exchange bias (campo de troca), associado com a interao de troca na interface entre um material antiferromagntico (AF) e um material ferromagntico (F), chamado simplesmente de exchange bias (HE), tem sido extensivamente investigado tanto devido sua importncia fundamental para dispositivos tais como vlvulas de spin e magnetoresistncia tnel, dentre outros, bem como devido as suas propriedades fsicas bsicas [35], [36]. Entres os estudos em nanomagnetismo ora conduzidos no grupo de Nanociencias, Fisica de Superfcie e Espectroscopia Mssbauer do LFA/CDTN, se encontram algumas investigaes referentes s correlaes estruturais versus magnetismo em bicamadas de materiais ferromagnticos (F) e antiferromagnticos (AF) os quais apresentam o efeito de exchange bias. Tais nanoestruturas magnticas so preparadas por epitaxia de feixe molecular (MBE) em ambiente de ultra-alto vcuo (UHV) disponvel nas prprias dependncias do LFA/CDTN. Em geral, nos sistemas F/AF observado um HE negativo, isto , um deslocamento da curva de histerese no sentido contrrio ao campo magntico aplicado para a saturao da camada F. Um HE positivo raro, mas tem sido observado principalmente em sistemas F/AF que apresentam HE negativo quando resfriados em campos magnticos baixos, e HE positivo somente aps o resfriamento sob campos magnticos externos altos, da ordem de 7 T [37]. Por outro lado, semicondutores magnticos diludos do tipo IV-VI (EuTe, por exemplo) so especialmente interessantes do ponto de vista da investigao de fenmenos magneto-ticos devido ao magnetismo associado a um de seus constituintes (Eu2+), bem como uma vasta possibilidade de configuraes de bandas desde o meio-infravermelho at a regio visvel. O EuTe um semicondutor magntico extensivamente investigado: um antiferromagneto de Heisenberg tipo II, com temperatura de Nel de 9,6 K [38], isto , abaixo de TN apresenta ordem antiferromagntica (AF) com planos (111) ferromagnticos e spins antiparalelos em planos (111) adjacentes, sendo o plano (111) o plano de magnetizao fcil (baixa

57

coercividade) [39]. Por sua vez, o sistema ternrio (EuxPb1-x)Te um semicondutor cujo o constituinte magntico (Pb2+, Eu2+) situa a banda de absoro por uma vasta faixa de energias desde Eg=0,334 eV (T=300 K) para o composto PbTe at Eg=2,25 eV para o composto EuTe [39]. Ambos compostos PbTe e EuTe se cristalizam numa estrutura do tipo NaCl, sendo completamente miscveis em praticamente toda a faixa de concentraes. O estudo de compostos (EuxPb1-x)Te(111) de interesse em semicondutores [40], sendo que, para (1-x) < 20%, a substituio parcial de Eu por Pb no EuTe no altera significativamente as propriedades magnticas desse chalconide de Eurpio [41].

0,0003

Fe / EuTe(111)
LongMomente LongMomente LongMomente A
0,0004

0,0002

20 K 2K

0,0001

0,0002

M (emu)

M (emu)

0,0000

0,0000

-0,0001

-0,0002

-0,0002 -100 -80 -60 -40 -20 0 20 40 60 80

-0,0004 -150 -100 -50 0 50 100 150

H (Oe)

H (O e)

Figura 25 Exchange bias em amostras de Fe//EuTe (W.A.A. Macedo et al, 2005 comunicao privada) Embora a combinao de semicondutores com filmes de metais de transio 3d seja hoje de grande interesse para a spintrnica, existem apenas uns poucos trabalhos sobre sistemas de metais 3d / EuTe [40], [41] e nenhum estudo experimental ou terico sobre o efeito de exchange bias em sistemas F/AF baseados no AF EuTe. No grupo de responsabilidade do Prof. Waldemar Macedo, os estudos do efeito de HE em bicamadas Fe / (EuxPb1-x)Te(111), (1-x)<20% esto sendo realizados em colaborao com pesquisadores do INPE e da Unicamp [42]. Os resultados at aqui obtidos para bicamadas de 150 Fe / 1200 (EuxPb1-x)Te(111), com (1-x)=0 mostraram a existncia de HE positivo em amostras recm preparadas, independentemente do campo de resfriamento aplicado (vide FIG. 25), como recentemente observado em bicamadas F/AF com exchange bias [43]. Entretanto, aps cerca de um ms de armazenamento, essas amostras apresentaram exchange bias negativo quando submetidas s mesmas condies experimentais, como pode ser observado na FIG. 26. Esta surpreendente

58

alterao das propriedades magnticas desse sistema num curto espao de tempo sugere um forte efeito de envelhecimento das bicamadas Fe/EuTe, a ser detalhadamente investigado.
0,0002

2K
0,0001

M (emu)

0,0000

-0,0001

fresh, CF = 3.0 T "old", CF = 3.5 T

-0,0002 -600 -400 -200 0 200 400 600

H (Oe)

Figura 26 Efeito do envelhecimento no fenmeno de exchange bias de amostras de Fe//EuTe (W.A.A. Macedo et al, 2005 comunicao privada) Para investigar possveis reaes qumicas ou interdifuso na interface Fe/EuTe, esto sendo realizados estudos Mssbauer com camadas-sonda de
57

Fe depositadas na interface

Fe/(Eu,Pb)Te. Uma vez que as bicamadas de Fe so crescidas sobre um substrato espesso de BaF2, o CEMS a tcnica Mssbauer mais adequada para a realizao dessas medidas. Tambm, de modo a excluir efeitos de superparamagnetismo [44], h necessidade de se realizar as medidas a baixas temperaturas. Dessa forma, o detector CEMS aqui construdo foi utilizado para realizar as medidas de tais amostras a baixas temperaturas, e os resultados obtidos so apresentados a seguir.

5.2

Preparao das amostras

Os filmes epitaxiais de (EuxPb1-x)Te(111) sobre substratos de BaF2(111) foram crescidos no Laboratrio Associado de Sensores e Materiais do INPE, em um sistema de MBE Riber 32P, pelos Profs. Paulo Rappl e Paulo Motisuke. Os substratos de BaF2(111) foram clivados imediatamente antes do uso, e aquecidos a 450 C por 30 min antes da deposio do EuTe, de modo a evitar a formao de tenses trmicas nas amostras quando do posterior resfriamento a temperaturas criognicas. Para a preparao do EuTe foram utilizadas duas clulas individuais como fontes de Eu e de Te, sendo empregada uma taxa de evaporao de ~1,3 /s. Os filmes de EuTe(111) foram crescidos com o substrato mantido a 175 C.

59

Aps o crescimento do (Eu,Pb)Te(111)/BaF2(111), as amostras foram transferidas ex-situ para o Laboratrio de Fsica Aplicada do CDTN e inseridas em um dos sistemas de MBE. Foram ento crescidas as camadas de 57Fe e Fe natural, de 15 e 50 de espessura, respectivamente, e em seguida as camadas protetoras de Cu (amostra 15% de Pb) e de Al (amostras com 10, 5 e 0 %Pb) ambas depositadas a temperatura ambiente, com taxas de deposio de 5.0 /min. Durante a deposio do Fe e do Cu, a presso na cmara de MBE foi mantida na faixa de ~2.10-9 mbar. Uma descrio em detalhe dos equipamentos UHV disponveis no LFA/CDTN pode ser encontrada em [45].
30 Cu/Al cap layer 50 nat. Fe

15 Fe

57

1200 EuxPb(1-x)Te(111) 0<x<0,15 BaF2 (111)

Figura 27 Esquema de deposio para as amostras de Fe/(Eu,Pb)Te(111)/BaF2(111) Antes da deposio das camadas de 57Fe e Fe-nat, a estequiometria da superfcie dos filmes de EuTe foi analisada por Espectroscopia de Fotoeltrons Excitados por Raios-X (XPS ou ESCA) com a amostra j colocada em ambiente de ultra-alto vcuo (UHV). A quantificao das linhas 3d do Eu e do Te confirma uma razo de Eu:Te igual a 1,0 para as superfcies de EuTe/BaF2(111) como recebidas. Nos espectros tambm se percebe uma elevada concentrao de impurezas na superfcie: Carbono e Oxignio. Por outro lado, um bombardeamento com ons de Ar+ de energia de 1,0 keV, na tentativa de se remover tais contaminantes, resulta num significativo empobrecimento da superfcie em Te, como pode ser observado no espectro a seguir (FIG. 28). Fica evidente, portanto, o aumento da relao Eu:Te aps o sputtering (de 1,0 para 2,1).

60

XPS Al K EuTe - Sample 1 as grown sputtered

Eu3d Te3d 50.6% 49.4% 68.1% 31.9%

Eu 3d kcounts
2

Concentration formulae x = Ax/x Eu3d = 1.0220 Cx = x/i Te3d = 0.4205

Te 3d

0 1180 1160 1140 610 600 590 580 570

Binding Energy (eV)

Figura 28 Espectros de XPS da superfcie de um filme de EuTe(111)/BaF2(111) como introduzido na cmara de MBE (preto), e apos sputtering, em vermelho (W.A.A Macedo et al, 2005 comunicao privada). Por Epitaxia de Feixe Molecular (MBE) foram depositados 15 de
57

Fe nas amostras

(EuxPb1-x)Te(111), (1-x)=0, 5, 10 e 15%. O procedimento foi realizado sob presses inferiores a 1x10-9 mbar e a temperatura ambiente, sendo que a taxa mdia de deposio de 57Fe foi de cerca de 1/min, calibradas por um sistema com balana de quartzo posicionado nas imediaes do evaporador. No foram observadas alteraes significativas nos picos XPS para os elementos Eu e Pb [46], bem como nos contaminantes da amostra (C,O). Continuando o experimento, foram acrescentados outros 50 de Fe natural na amostra e mais 30 de Cu/Al para camada de proteo, de modo a prosseguir com os estudos CEMS ex-situ posteriores. Uma vez que no houve preparao da superfcie para remoo de contaminantes (C, O, etc.), esperada uma provvel reao de oxidao da camada de em contato com a superfcie contaminada do ternrio.
57

Fe+Fe-nat quando

61

5.3

Espectroscopia Mssbauer das Amostras (EuxPb1-x)Te(111), (1-x)=015%

Testes iniciais nas amostras de Fe / (EuxPb1-x)Te(111) depositadas em BaF2 (111) indicaram ser este substrato transparente radiao- de 14,4 keV (57Fe), de modo que a possibilidade de se realizar este estudo Mssbauer na geometria de transmisso (TMS) parecia ser, a primeira vista, factvel. No entanto, devido nfima concentrao de 57Fe na interface (15 ), tais medidas revelaram-se tecnicamente inviveis devido ao longo tempo necessrio para se obter um espectro de razovel relao sinal/rudo. Dessa forma foi realizado apenas um estudo Mssbauer por Transmisso (TMS) na amostra (EuxPb1-x)Te(111), (1-x)=15%, temperatura ambiente, o qual revelou a presena de apenas um dubleto aps um longo tempo de medio (cerca de quatro semanas). Isto sugeriu de imediato um provvel comportamento superparamagntico do sistema SC/FM, j que outros resultados (MOKE, SQUID, etc.) j haviam indicado anteriormente a presena de ordenamento magntico no filme metlico. Portanto, tem-se justificada a necessidade de realizar as medies Mssbauer a baixas temperaturas, e com alta eficincia de deteco, de modo a se observar, de fato, o ordenamento magntico nestas amostras de Fe / (EuxPb1-x)Te(111) depositadas em BaF2. Uma suposta utilizao da espectroscopia Mssbauer de transmisso convencional para estas amostras, caso fossem realizadas a baixas temperaturas, seria bastante onerosa tanto pelo longo tempo necessrio de medio e pelo conseqente elevado consumo de lquidos criognicos. Para tanto, foi empregado o sistema CEMS de alta eficincia recm-desenvolvido para esta finalidade, que a investigao de filmes magnticos ultrafinos crescidos sobre substratos pouco transparentes ou simplesmente opacos radiao- oriunda de uma fonte Mssbauer. De fato, a tcnica CEMS mais indicada para este estudo, seja por sua caracterstica de medio por retroespalhamento, seja tambm por sua caracterstica seletiva interface (sonda de 57Fe) e inerente superfcie (at 200nm de profundidade).

62

Eute 15% Pb

Fe//(EuxPb1-x)Te(111),(1-x)=15% @ RT (Transmisso)
Dubleto ISO = 0,14 0,06 mm/s QUA = 0,53 0,06 mm/s rea relativa = 70% 2% Singleto ISO = 0,26 0,06 mm/s rea relativa = 30% 2%

RT Transmisso

Fe//(EuxPb1-x)Te(111),(1-x)=15% @ 70 K (CEMS)
Sexteto ISO = 0,01 0,06 mm/s QUA = 0,05 0,06 mm/s BHF = 33,9 0,05 T rea relativa = 69% 2% Dubleto ISO = 0,54 0,06 mm/s QUA = 0,69 0,06 mm/s rea relativa = 31% 2%

70K CEMS

-6

-4

-2

Velocidade (mm/s)

Figura 29 Espectros Mssbauer da amostra (EuxPb1-x)Te(111), (1-x)=15% @RT (TMS) e @70K (CEMS) O abaixamento da temperatura a 70K revelou um desdobramento hiperfino para a mesma amostra, o que confirmou a suspeita do superparamagnetismo (FIG. 29). O

superparamagnetismo geralmente ocorre quando o material composto de cristais com dimenses nanomtricas (1-10nm). Neste caso, mesmo a temperatura estando abaixo do ponto de Curie ou Nel e a energia trmica no sendo suficiente para sobrepujar as foras de acoplamento magntico entre as estruturas cristalinas vizinhas, esta ainda capaz de alterar a direo da magnetizao global do sistema, sendo que as flutuaes na direo da magnetizao causam o momento magntico ter mdia zero e o sistema a aparentar um comportamento aparentemente paramagntico quando medido a temperatura ambiente.

63

O ajuste mostra que, alm do ferro em fase alfa (sexteto com R23 = I2/I3 = 4,0, indicando spins totalmente magnetizados no plano do filme), h um dubleto que pode ser uma indicao da formao de ligaes Fe-Te (provavelmente Fe2Te3) na interface, correspondendo a cerca de 15-20% dos tomos de Fe (~ 2 ). Sugere-se, portanto, a formao de compostos FeTe e/ou Fe2Te3 na interface SC/FM. Ambos os compostos acima mostram um ordenamento magntico somente a baixas temperaturas [47]. O composto FeTe do tipo antiferromagntico com temperatura de Nel em cerca de 63K. Por sua vez, o composto Fe2Te3 apresenta fraco ordenamento ferromagntico a temperaturas abaixo de 10K. Comparativamente, fez-se a medio na amostra de (EuxPb1-x)Te(111), (1-x)=5% de Pb, de modo a se avaliar o efeito de uma menor concentrao deste metal no ordenamento magntico da interface do sistema SC/FM.

70K CEMS

Fe//(EuxPb1-x)Te(111),(1-x)=5% @ 70 K (CEMS)
Sexteto ISO = 0,01 0,06 mm/s QUA = 0,03 0,06 mm/s BHF = 33,8 0,05 T rea relativa = 87%6% Dubleto ISO = 0,63 0,06 mm/s QUA = 0,77 0,06 mm/s rea relativa = 13%2%

Eute 5% Pb

Fe//(EuxPb1-x)Te(111),(1-x)=15% @ 70 K (CEMS)
Sexteto ISO = 0,01 0,06 mm/s QUA = 0,05 0,06 mm/s BHF = 33,9 0,05 T rea relativa = 69% 6%
2 4 6

Eute 15% Pb
-6 -4 -2 0

Velocidade (mm/s)

Dubleto ISO = 0,54 0,06 mm/s QUA = 0,69 0,06 mm/s rea relativa = 31% 2%

Figura 30 Espectros CEMS @ 70K da amostra (EuxPb1-x)Te(111), (1-x)=15% e 5%

64

Comparando-se os espectros CEMS das amostras com 5% e 15% de Pb (FIG. 30), observa-se que o composto mais rico em Pb (15%) possui a componente de fase paramagntica significativamente maior que aquele com menor teor de Pb (5%), o que indica que este metal, consoante sua concentrao relativa, tambm pode estar interferindo no ordenamento magntico das primeiras monocamadas de Fe depositadas sobre o semicondutor. Finalmente, deu-se o procedimento para obteno de um espectro CEMS a apenas 8 K, de modo a evidenciar a capacidade de medio do sistema CEMS-Channeltron desenvolvido no CDTN.

EUTE5: Fe / Fe / EuTe(111)
1,010

57

CEMS @ 8 K

Fe//(EuxPb1-x)Te(111),(1-x)=5% @ 8 K (CEMS)

1,008

1,006

Effect (%)

1,004

Sexteto ISO = 0,09 0,06 QUA = 0,01 0,06 BHF = 34,0 0,05 rea rel. = 87%

mm/s mm/s T 6%

1,002

1,000

-6

-4

-2

Dubleto ISO = 0,51 0,06 mm/s QUA = 0,53 0,06 mm/s rea rel. = 13% 2%

Velocity (mm/s)

Figura 31 Espectro CEMS @ 8K da amostra (EuxPb1-x)Te(111), (1-x)=5% Observa-se, no entanto, que o espectro tomado a 8 K (FIG. 31) permaneceu praticamente inalterado se comparado com aquele realizado a 70 K. Entretanto, como o tempo de medio disponvel foi insuficiente a fim de se obter uma estatstica razovel em todas as medies CEMS realizadas, os ajustes atribudos principalmente ao dubleto so pouco confiveis e meramente passveis de interpretaes qualitativas. Entretanto, o espectro sugere, da mesma forma que antes, provveis ligaes Fe-Te na interface. A realizao desta medio nesta faixa de temperatura serviu para demonstrar toda a potencialidade deste sistema tal como desenvolvido em Duisburg/CDTN, sendo que sua faixa de operao o torna extremamente verstil e apto a realizar, de forma eficiente, medies Mssbauer de filmes magnticos depositados sobre praticamente qualquer tipo de substrato.

65

CONSIDERAES FINAIS

O presente trabalho consistiu na adequao do projeto, construo, montagem, teste e operao de um sistema de medio para Espectroscopia Mssbauer de Eltrons de Converso (CEMS) a temperaturas prximas ao hlio lquido. Tal sistema est baseado na utilizao, para a deteco dos eltrons de converso decorrentes do decaimento de ncleos excitados de
57

Fe, de um multiplicador de eltrons em estado slido (Channeltron) no

comercial, de alta eficincia e especialmente projetado para operao sob baixas temperaturas. Nossos resultados demonstram que conjunto do detector, montado numa mini-cmara de alto vcuo, se encontra plenamente operacional para medidas a temperaturas a partir de 8 K, quando inserido no criostato de banho de LHe. A alta eficincia do detector construdo foi demonstrada num estudo preliminar de bicamadas de Fe / (EuxPb1-x)Te(111), (1-x)=0-15%, com camadas-sonda de apenas 15 (cerca de 10 monocamadas) de
57

Fe depositadas na

interface Fe/EuTe. Tais resultados CEMS, adquiridos entre 70 e 8 K, aparentam indicar a formao de fases paramagnticas na interface SC/FM mediadas pela maior ou menor concentrao de Pb. No entanto, conforme somente foram medidas amostras envelhecidas no sistema CEMS, sugere-se a continuao do estudo, por exemplo, com amostras frescas (recm-constitudas) variando-se tambm a concentrao do metal Pb. Adicionalmente foi tambm construdo um detector proporcional a gs hlio (HFPC) para baixas temperaturas (> 50 K). Este detector proporcional apresentou um desempenho considerado satisfatrio em testes realizados temperatura ambiente, restando ainda o conjunto ser submetido a baixas temperaturas a fim de se concluir sobre sua aplicabilidade, dadas suas limitaes intrnsecas de ganho e complexidade operacional, especialmente para baixas concentraes de gs de quenching esperadas para um sistema resfriado a 50K. Portanto, nesta dissertao, ficou evidenciado a capacidade operacional do sistema de medio CEMS baseado no multiplicador de eltrons (Channeltron) em se atingir temperaturas to baixas quanto 8 K para amostras contendo camadas-sonda de apenas poucos ngstrons de
57

Fe e de dimenses reduzidas (reas menores que 100 mm2). Tal

instrumentao, at ento inexistente no pas para esta faixa de temperaturas, significa uma expanso da capacidade experimental ora disponvel no Laboratrio de Fsica Aplicada do CDTN, e a disponibilizao de uma ferramenta importante para o estudo Mssbauer de materiais magnticos nanoestruturados.

66

7
[1]

REFERNCIAS
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APNDICE A Passo-a-Passo para o uso do sistema CEMSChanneltron

A seguir apresentado um guia passo-a-passo para se realizar uma medida CEMS a partir deste sistema: 1) Monte a amostra no porta-amostras de alumnio usando uma fita condutora dupla-face ou o suporte aparafusvel em alumnio. Certifique-se de posicionar o clipe de tungstnio sobre a superfcie da amostra, de modo a aterr-la apropriadamente ao corpo metlico do criostato (especialmente para substratos no-condutores eltricos). 2) Prepare a fita de Mylar aluminizada para receber a camada de xido de magnsio. O recobrimento tanto da amostra como da fita de Mylar bastante simples: corte um pedao de 15 mm de fita de magnsio e, segurando-a ao ar livre a partir de uma pina alongada, queime a mesma nas proximidades da fita de Mylar a ser recoberta. Deixe que a fumaa da combusto (rica em MgO) atinja diretamente a superfcie a ser recoberta por cerca de 3-5 segundos. 3) Em seguida, fixe a fita de Mylar recoberta com MgO no verso do porta-amostras de alumnio com uso de fita adesiva (Kapton, por exemplo). Posicione a parte recoberta com xido de magnsio (MgO) logo acima da amostra, sem contudo encost-la. 4) Certifique-se de que no haja curto-circuitos ou desconexes nos terminais eltricos do Channeltron e/ou fugas nos isoladores de PTFE antes de fechar a cmara. 5) Limpe tanto o sulco (groove) do anel inox inferior como tambm a superfcie do topo do copo da janela usando um cotonete embebido em acetona. Certifique-se de no haja resduos de material em ambas superfcies de contato com o o-ring. 6) Preparao da vedao com fio de ndio ( 1mm): Corte um pedao de cerca de 15cm de comprimento do fio de ndio e ento o cubra com uma pequena quantidade de graxa Apiezon N. Esta graxa permitir uma maior aderncia e capacidade de adeso do fio de In quando prensado, alm de permitir uma melhor limpeza das superfcies de contato quando de sua troca. 7) Posicione o fio de ndio ao longo do sulco (groove) do anel inox inferior, cruzando as extremidades ao final. Certifique-se de que no haja dobras, rugas, mal posicionamento ou qualquer tipo de descontinuidade do fio ao redor do sulco.

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8) Posicione o copo sobre o anel de vedao tendo a janela na posio correta em respeito iluminao do porta-amostras de alumnio, colocando as duas metades do batente de fixao e tomando cuidado para no mover O-ring de ndio durante a fixao dos parafusos. Aperte os parafusos com mo nua o mximo que puder. 9) Aperte os oito parafusos num determinado sentido, saltando um e apertando o prximo na seqncia, at que todos tenham sido apertados adequadamente. Tome cuidado para no aplicar demasiado torque e espan-lo. 10) Conecte o KF superior ao sistema de bombeamento. Comece por uma evacuao a baixo vcuo (~10-2 torr) a partir da bomba mecnica. Aps decorridos cerca de uns 1530 minutos, acionar a bomba turbomolecular ou difusora. Observar se no h quaisquer fugas durante a evacuao. 11) Aps atingir vcuo em torno de 10-5 torr, colocar o sistema CEMS no criostato prresfriado (a pelo menos 100 150K) conforme instrues de carregamento. 12) Deixe o sistema resfriar naturalmente por pelo menos 4 5 horas, fechando a vlvula de agulha de controle de injeo de LHe. Observar o efeito da criobomba (a presso cair ainda mais rapidamente com o sistema em resfriamento). 13) Aps o sistema ter atingindo a faixa 10-6 torr, ligar a alta-tenso (+HV) da extremidade do Channeltron e a tenso (+V) de bocal do mesmo conforme os ltimos ajustes bem-sucedidos. Observar o surgimento de pulsos detectveis no osciloscpio e no software de controle do MCA. 14) Inicie o resfriamento fino do criostato abrindo a vlvula de agulha de controle de injeo de LHe de modo a obter uma taxa de resfriamento do sistema razovel. 15) Aps o sistema atingir temperaturas inferiores a 80K, ligar o aquecedor (HTR) do Channeltron conforme o ltimo ajuste bem-sucedido. 16) Aps o sistema atingir e se estabilizar na temperatura desejada (aps decorridas cerca de 12 horas), reinicie o MCA e faa os ajustes de janela de tenso (via software) necessrios para se obter o espectro CEMS desejado.

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17) A cada 12 horas, ou quando da recarga dos lquidos criognicos, observar se a taxa de contagens continua estvel. Reajuste a alta-tenso ou altere levemente o aquecimento do Channeltron caso necessrio. 18) Ao final da medio, retire cuidadosamente o porta-amostras do interior do criostato e deixe-o aquecer naturalmente (mantendo o vcuo interno) por algumas horas.

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APNDICE B Superparamagnetismo
Normalmente, as foras de acoplamento no interior dos materiais ferromagnticos causam aos momentos magnticos dos demais tomos da vizinhana a se alinharem numa determinada orientao. No entanto, tais materiais mantidos temperaturas acima do ponto de Curie (ou de Nel para materiais antiferromagnticos), a energia trmica suficientemente grande para prevalecer sobre tais foras de acoplamento magntico, causando aos momentos uma flutuao trmica de forma aleatria. O Superparamagnetismo um fenmeno pelo qual materiais magnticos podem exibir um comportamento similar queles denominados paramagnticos sob temperaturas abaixo das temperaturas de Nel ou Curie. Uma vez que no h mais ordenamento magntico, o material exibir um comportamento similar quele material paramagntico (ou seja, sem campo magntico interno ordenado e definido). O Superparamagnetismo geralmente ocorre quando o material composto de cristais de dimenses nanomtricas (1-10nm). Neste caso, mesmo a temperatura estando abaixo do ponto de Curie ou Nel e a energia trmica no sendo suficiente para sobrepujar as foras de acoplamento magntico entre as estruturas cristalinas vizinhas, esta ainda capaz de alterar a direo da magnetizao global do sistema, sendo que as flutuaes na direo da magnetizao causam o momento magntico ter mdia zero e o sistema a aparentar um comportamento paramagntico. O momento magntico [8] de uma partcula poder flutuar devido a agitao trmica com uma freqncia dada por:
KV kT

= foe

(12)

Em que fo o fator de freqncia, K a densidade de energia anisotrpica, V o volume, k a constante de Boltzmann e T a temperatura absoluta da amostra. Para tempos de relaxao muito curtos, o espectro Mssbauer caractersticos para materiais magnticos se constitui de uma s raia (ou dubleto). Entretanto, caso o tempo de relaxao

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seja da ordem de 10-8s , a linha espectral se alarga, revelando-se num desdobramento hiperfino num espectro Mssbauer devido ao aumento do tempo de relaxao.

Figura 32 Colapso de um espectro hiperfino de um ncleo de 57Fe conforme a diminuio do tempo de relaxao [8] Conforme exemplificado na FIG. 32, se a taxa de flutuao trmica lenta comparativamente com a freqncia de precesso do ncleo sob influncia de um campo magntico interno (devido a um ordenamento magntico, por exemplo), o espectro Mssbauer contendo um sexteto referente ao desdobramento hiperfino ser observado. Por outro lado, se a taxa de flutuao trmica for extremamente rpida, o ncleo de 57Fe somente sofrer a influncia de um campo magntico com mdia temporal zero, produzindo ento um espectro Mssbauer contendo apenas um dubleto (o primeiro grfico se parece com um singleto devido componente de baixa velocidade do dubleto relaxar somente a freqncias mais elevadas que aquela referente componente de alta velocidade). Assim, com um tempo de relaxao eletrnica de 2x10-9s, a componente de alta velocidade j ter colapsado a uma s linha, enquanto que a componente de baixa velocidade ainda se encontrar alargada e somente se resolver quando o tempo de relaxao se aproximar de 10-10s.