Fundamentos Fsicos y

Tecnolgicos de la Informtica
Fundamentos Fsicos y
Tecnolgicos de la Informtica
Agustn lvarez Marquina
Departamento de Arquitectura y Tecnologa de Sistemas Informticos
Universidad Politcnica de Madrid
Clasificacindelosmateriales.Teoradelelectrnlibrey
teoradebandas.Semiconductoresextrnsecoseintrnsecos.
Conduccinensemiconductores.Estructuradelauninp
n.Zonadecargaespacial.Potencialdecontacto.
Fsica de semiconductores.
El diodo
Clasificacin de los materiales
Atendiendo a las caractersticas de conductividad los
materiales pueden clasificarse en:
Conductores.
Ejemplo: los metales.
Aislantes.
Son malos conductores tales como los no metales.
Semiconductores.
Ejemplos: Si, Ge (elementos del Grupo IV de la tabla peridica).
La clasificacin de los materiales viene justificada por
las fuerzas de interaccin que se establezcan entre
los tomos y los electrones ms alejados de estos.
2
Facultad de Informtica, U.P.M.
Clasificacin de los materiales
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Separacin atmica
Energa
2s
2
3s
2
3p
6
3p
3s
3sp
3
E
g
Banda de Valencia
Banda de Conduccin
r
1
r
2
r
3
Figura. Formacin delaestructuradebandas deenergaen el proceso
de cristalizacin, dependiendo de la distancia que separa los tomos,
siendod
1
< d
2
< d
3
.
Clasificacin de los materiales
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E
v
E
c
E
g
E
v
E
c
E
g
E
c
E
g
<0
E
v
E
v
E
c
E
g
d) Conductor c) Conductor
b) Semiconductor tpico
a) Aislante tpico
E
g
~5eV
E
g
~1eV
Figura. Tipos de materiales segn su distribucin de bandas de energa. La
banda de conduccin corresponde a energas E>E
c
, mientras que la banda
de valencia corresponde a energas E<E
v
. La banda prohibida (E
g
) se halla
establecida para E
v
E
g
E
c
.
Clasificacin de los materiales
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Tabla. Propiedades de algunos semiconductores de inters.
Smbolo Nombre Ancho
Banda
prohibida
(eV)
Movilidad
electrones
(cm
2
V
-1
s
-1
)
Movilidad
huecos
(cm
2
V
-1
s
-1
)
SPb Galena 0,37 575 200
SZn Blenda 3,60 110 -
Ge Germanio 0,67 3900 1900
Si Silicio 1,11 1350 480
AsGa Arseniuro de galio 1,43 8500 400
Semiconductores intrnsecos y
extrnsecos
Semiconductores intrnsecos.
Son aquellos en los que su red cristalina no est
deformada por la presencia de algn elementos
aadido (extrao), es decir, se mantiene puro.
Ej. semiconductor de silicio intrnseco.
Caractersticas:
A temperatura ambiente son malos conductores.
La agitacin trmica permite que haya una presencia muy
reducida de electrones en la banda de conduccin.
La conductividad en los semiconductores intrnsecos es
muy dependiente de la temperatura.
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Semiconductores intrnsecos y
extrnsecos
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Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si
Banda de conduccin
Banda de valencia

Si
Zona prohibida (E
g
1eV)
Figura. Representacin simplificada de un semiconductor intrnseco
de silicio (Si).
Semiconductores intrnsecos y
extrnsecos
Semiconductores extrnsecos.
Es un material semiconductor intrnseco al que se le
introduce una cantidad controlada de un elemento
contaminante, llamado impureza (generalmente del
grupo III y V de la tabla peridica) para alterar
convenientemente las propiedades de conduccin del
material.
Semiconductor extrnseco de tipo p.
Ejemplos: Boro (B), Aluminio (Al), Galio (Ga), Indio (In)
(elementos del grupo III)
Semiconductor extrnseco de tipo n.
Ejemplos: Fsforo (P), Arsnico (As), Antimonio (Sb)
(elementos del grupo V).
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Semiconductores intrnsecos y
extrnsecos
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Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si
Zona prohibida
Banda de conduccin
Banda de valencia
B
Nivel aceptador
Figura. Representacin simplificada de un semiconductor extrnseco de
tipo p. tomo de impureza de boro (B).
Semiconductores intrnsecos y
extrnsecos
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Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si
Zona prohibida
Banda de valencia
P
Nivel donador
Banda de conduccin
Figura. Representacin simplificada de un semiconductor extrnseco de
tipo n. tomo de impureza de fsforo (P).
Semiconductores intrnsecos y
extrnsecos
Semiconductores extrnsecos.
La conductividad mejora notablemente en relacin a
los semiconductores intrnsecos por la aparicin de un
nivel energtico intermedio.
Semiconductores extrnsecos tipo p.
Nivel intermedio de tipo aceptador.
Est prximo a la banda de valencia.
Inicialmente no est ocupado.
Portadores mayoritarios: huecos.
Portadores minoritarios: electrones.
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Semiconductores intrnsecos y
extrnsecos
Semiconductores extrnsecos.
Semiconductores extrnsecos tipo n.
Nivel intermedio de tipo donador.
Est prximo a la banda de conduccin.
Inicialmente est ocupado por un electrn.
Portadores mayoritarios: electrones.
Portadores minoritarios: huecos.
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Conduccin en semiconductores
Est en relacin a la cantidad de portadores de
carga presentes.
Semiconductores intrnsecos.
Concentracin de electrones en la banda de
conduccin:
Concentracin de huecos en la banda de valencia:
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kT
E E
c i
i c
e N n

=
kT
E E
v i
v i
e N p

=
Conduccin en semiconductores
Donde:
n
i
es la densidad volumtrica de electrones en la banda de
conduccin.
p
i
es la densidad volumtrica de huecos en la banda de valencia.
N
c
es el nmero mximo de electrones por unidad de volumen
que se admitirn en la banda de conduccin.
N
v
es el nmero mximo de huecos por unidad de volumen
potencialmente disponibles en la banda de valencia.
E
c
es la energa del fondo de la banda de conduccin.
E
v
es la energa del techo de la banda de valencia.
E
i
es la energa de Fermi (mide la proporcin de ocupacin de
las bandas de valencia y conduccin).
k es la constante de Boltzmann.
T es la temperatura en K.
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Conduccin en semiconductores
Semiconductores intrnsecos.
El producto de las concentraciones anteriores ser:
Este producto ser nicamente dependiente de la
temperatura.
Por tanto para una temperatura determinada ser una
constante.
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kT
E
v c i i
g
e N N p n

=
Conduccin en semiconductores
Semiconductores intrnsecos.
En un semiconductor intrnseco (sin impurezas) las
concentraciones de portadores son iguales dado que
se generan a pares, por lo que:
En equilibrio trmico la expresin del producto de
ambas concentraciones se escribe como:
Si se desequilibra artificialmente una de estas concentraciones
ser compensada con la variacin de la otra, manteniendo
siempre su producto constante.
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| |
kT 2
E E
2 / 1
v c i i
v c
e N N p n

= =
kT
E E
v c i
v c
e N N n p n
2
2
0 0

= = =
Conduccin en semiconductores
Semiconductores extrnsecos.
En los semiconductores extrnsecos hay un
desequilibrio muy grande en las concentraciones de los
portadores mayoritarios y minoritarios.
Semiconductor extrnseco tipo p.
N
A
es el nmero de impurezas aceptadoras por unidad
de volumen (cm
3
)
Portadores mayoritarios (huecos): p
0
N
A
Siendo N
A
>>p
i
y como p
i
=n
i
se tiene que: N
A
>>n
i
Portadores minoritarios: n
0
n
i
2
/N
A
= n
i
n
i
/N
A
<<n
i
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Conduccin en semiconductores
Semiconductores extrnsecos.
Semiconductor extrnseco tipo n.
N
D
es el nmero de impurezas donadoras por unidad de
volumen (cm
3
)
Portadores mayoritarios (electrones): n
0
N
D
Siendo N
D
>>n
i
y como n
i
=p
i
se tiene que: N
D
>>p
i
Portadores minoritarios: p
0
p
i
2
/N
D
= p
i
p
i
/N
D
<<p
i
Notas:
Los portadores mayoritarios son prcticamente constantes y
solo dependen de la concentracin de las impurezas.
La concentracin de portadores minoritarios es mucho menor
que en un semiconductor intrnseco y es fuertemente
dependiente de la temperatura.
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Estructura de la unin p-n
Se forma al poner en contacto un semiconductor
de tipo p con uno de tipo n.
Representacin esquemtica.
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Huecos
Electrones
IonesP
+
IonesB

V
0
+
x=0
x
p
+x
n
Zonan Zonap
x

Estructura de la unin p-n

Al ponerse en contacto ambos semiconductores
se iniciar:
Un proceso de difusin de los portadores mayoritarios
desde una zona hacia la otra
pero interrumpindose este proceso antes de llegar
a igualar dichas concentraciones dado que con esta
difusin se va creando un potencial elctrico.
El potencial elctrico va aumentando progresivamente y
que se opone al proceso de difusin.
El potencial de contacto alcanzar un nivel para el que
se establecer el equilibrio entre el proceso de difusin y
el de arrastre (campo elctrico del potencial de contacto).
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Estructura de la unin p-n
Esta situacin de equilibrio se puede expresar del
siguiente modo:
Donde:
J
pd
es la densidad de corriente de huecos por difusin.
J
nd
es la densidad de corriente de electrones por
difusin.
J
pa
es la densidad de corriente de huecos por arrastre.
J
na
es la densidad de corriente de electrones por
arrastre.
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pa pd p
J J J + =
na nd n
J J J + =
Estructura de la unin p-n
Siendo:
22
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dx
x dp
qD J
p pd
) (
=
) ( ) ( x p x E q J
p pa
=
) ( ) ( x n x E q J
n pa
=
dx
x dn
qD J
n nd
) (
=
Estructura de la unin p-n
Sustituyendo en la expresin del equilibrio en la
zona p, tenemos:
Pero:
Por tanto:
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Facultad de Informtica, U.P.M.
) (
) (
) (
x p
x dp
D
dx x E
p
p

=
) ( ) ( x dV dx x E =
) (
) (
) (
x p
x dp
D
x dV
p
p

=
Estructura de la unin p-n
Integrando en la ltima expresin entre los dos
lados de la unin entre los que se ha establecido
el potencial de contacto, tenemos:
Empleando la relacin de Einstein
y las expresiones que relacionan las concentraciones
de portadores
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} }
=
ne
pe
p
p
p
V
p
dp Dp
dV

0
0
A pe
N p ~

q
kT Dp
p
=

| | ) ln( ) ln(
0 ne pe
p
p p
Dp
V =

D
i
ne
N
n
p
2
~
Estructura de la unin p-n
Finalmente, podemos escribir que:
De la anterior expresin podemos obtener una
expresin que relaciona las concentraciones a ambos
lados la unin:
25
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|
|
.
|

\
|
=
|
|
.
|

\
|
=
2
0
ln ln
i
D A
ne
pe
n
N N
q
kT
p
p
q
kT
V
kT
qV
pe ne
e p p
0

=
Estructura de la unin p-n
Este mismo resultado se puede aplicar al caso de
concentraciones de los electrones a ambos lados
de la unin, siendo:
26
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kT
qV
ne pe
e n n
0

=
Zona de carga espacial en la unin p-n
Una vez alcanzado el equilibrio las cantidades de
carga a ambos lados de la unin sern:
Lado n:
Lado p:
S el rea de la seccin del semiconductor.
x
n
y x
p
es la profundidad de la zona de vaciamiento o
carga espacial en el lado n y el lado p, respectivamente.
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Huecos
Electrones
IonesP
+
IonesB

V
0
+
x=0
x
p
+x
n
Zonan Zonap
x

S x qN Q
n D n
+ =
S x qN Q
p A p
=
Zona de carga espacial en la unin p-n
Como la unin debe seguir elctricamente neutra,
tenemos que:
Grficamente, la distribucin de carga ser:
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p n
Q Q =
p A n D
x N x N =
+

+qN
D
-qN
A
+x
n
x
p
x=0

x
Zona de carga espacial en la unin p-n
La expresin del campo elctrico en ambos lados
ser:
Lado p:
Lado n:
Integrando en los lmites de la zona de carga
espacial:
Lado p:
Lado n:
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dx
N
q dE
A
c
=
dx
N
q dE
D
c
+ =
) ( ) (
n
D
x x
qN
x E =
c
( ) x x
N
q x E
p
A
=
c
) (
Zona de carga espacial en la unin p-n
Grficamente, el campo elctrico ser:
Una vez conocido el campo elctrico se puede
determinar el potencial de contacto (o barrera de
potencial), puesto que:
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+qN
D
/c qN
A
/c
x
n
x
p
E(x=0)

x
E(x)
dx
dV
E =
Zona de carga espacial en la unin p-n
Integrando, el potencial de contacto ser el rea
bajo las dos rectas (rea de un tringulo):
W es el ancho de la zona de carga espacial.
Adems:
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) 0 (
2
) 0 (
2
0
= = =
+
= x E
W
x E
x x
V
n p
n p
x x W + =
n D p A
x N
q
x N
q
x E
c c
= = = ) 0 (
Zona de carga espacial en la unin p-n
Combinando las anteriores expresiones se
obtiene:
Despejando el trmino ancho de zona de carga
espacial de la expresin anterior, tenemos:
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|
|
.
|

\
|
+
=
D A
D A
N N
N N q W
V
c 2
2
0
2 1
0
2
(

|
|
.
|

\
|
+
=
D A
D A
N N
N N
q
V
W
c
Zona de carga espacial en la unin p-n
La representacin grfica de la tensin de
contacto V
0
ser:
Consecuencia importante:
Si aumentamos externamente el valor del potencial V
0
(aplicando una polarizacin en inverso) aumentaremos
el ancho de la zona de carga.
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x
p
x
n
x=0

x
V
V
0