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REGULADOR SRIE:
O regulador srie na realidade uma fonte de alimentao regulada mais sofisticada em relao aos reguladores que utilizam apenas diodo zener. O diodo zener atua apenas como elemento de referncia enquanto que o transistor o elemento regulador ou de controle. Observa-se que o transistor est em srie com a carga, da o nome regulador srie. FUNCIONAMENTO: A tenso de sada estar disponvel na carga (VL), ento: VL = VZ - VBE Como VZ >> VBE podemos aproximar: VL = VZ Sendo VZ constante, a tenso no ponto "x" ser constante Caso VIN aumente podemos analisar o que acontece aplicando LKT: VIN = VR + VZ, mas VR = VCB, logo: VIN = VCB + VZ VCE = VCB + VBE Portanto, quando VIN aumenta, como VZ constante, VCB tambm aumentar provocando um aumento de VCE, de modo a suprir a variao na entrada, mantendo VL constante.
VL = VIN - VCE
Ento: se VIN aumenta VCE aumenta VL no se altera Caso VIN diminua podemos analisar o que acontece aplicando LKT, obedecendo os mesmos princpios adotados anteriormente. Neste caso VCB diminui. Com a diminuio de VIN VCE diminui VL no se altera LIMITAES: Valores mnimos e mximos de VIN Como VIN = VR + VZ e VR = R.IR mas IR = IZ + IB ento: VIN = R(IZ + IB) + VZ
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Para VIN mnima temos: VIN(MIN) = R(IZ(MIN) + IB(MAX)) Portanto, abaixo do valor mnimo de entrada o diodo zener perder suas caractersticas de estabilizao. Para VIN mxima temos: VIN(MAX) = R(IZ(MAX) + IB(MIN)) Acima do valor mximo de entrada o diodo zener perder tambm suas caractersticas de estabilizao e ser danificado. CONDIES PARA UM PROJETO: Alguns parmetros devem ser observados para que o circuito opere em condies normais sem danificar seus componentes. Tenso de entrada mxima: VIN(MAX) = (IB(MIN) + IZ(MAX)).R + VZ ( I ) Na pior condio RL = (carga aberta), logo IB(MIN) = 0
VIN(MAX) = R.(IZ(MAX)) + VZ
PZ(MAX) VZ Tenso de entrada mnima: VIN(MIN) = (IB(MAX) + IZ(MIN)).R + VZ ( II )
onde: IZ(MAX) =
De ( I ) tiramos: IZ(MAX) =
Escolha do transistor
O transistor a ser utilizado dever obedecer as seguintes caractersticas: VCBO > VIN(MAX) no caso 13,2V IC(MAX) 1 > IL(MAX) no caso 1,5A PC(MAX) 2 > (VIN(MAX) - VL) . IC(MAX)
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IC(MAX) a mxima corrente que o coletor pode suportar Prof. Corradi WWW.corradi.junior.nom.br
Supondo que o transistor escolhido seja o BD235, que de acordo com o manual do fabricante tem as especificaes: VCBO(MAX) = 45V IC(MAX) = 2A PC(MAX) = 25W > 40 < 250 Neste caso, o valor mnimo de beta 40 e o mximo 250. Para que o projeto funcione sem problemas adota-se o beta de menor valor. O transistor escolhido atende as exigncias quanto a VCBO(MAX) e IC(MAX). No entanto preciso verificar se a potncia que ser dissipada pelo coletor ser suficiente para este projeto. Verificando a potncia que ser dissipada pelo coletor: PC(MAX) = (VIN(MAX) - VL) . IC(MAX) IC(MAX) = IE(MAX) - IB(MAX) IE(MAX) = IL(MAX) IC(MAX) = IL(MAX) - IB(MAX) IB(MAX) = IC(MAX) ( MIN) logo: IC(MAX) = IL(MAX) IC(MAX) ( MIN)
IC(MAX) =
IB(MAX) =
IZ(MAX) =
Como IZ(MAX) terico = 73,53mA e IZ(MAX) = 71,2mA o diodo zener escolhido pode ser utilizado.
Clculo de R:
Para a mxima de tenso de entrada: VIN(MAX) = 13,2V VIN(MAX) = R.(IB(MIN) + IZ(MAX)) + VZ Na pior condio: RL = IB(MIN) = 0 VIN(MAX) = (R . IZ(MAX)) + VZ R= VIN(MAX) - VZ 13,2V - 6,8V 6,4V = = = 87,04 IZ( MAX) 73,53mA 73,53mA
Para a mnima tenso de entrada: VIN(MIN) = 10,8V R= VIN(MIN) - VZ 10,8V - 6V 4V = = = 89,89 IB(MAX) + IZ(MIN) 36,5mA + 8mA 44,5mA
Portanto R dever ser maior do que 87,04 e menor do que 89,89. Adotaremos o valor comercial mais prximo: 91 Potncia dissipada pelo resistor:
E2 P= R (13,2V - 6V) 2 (6,8V) 2 (VIN(MAX) - VZ) 2 P= = = = 0,508W 91 91 R
REGULADOR PARALELO:
A exemplo do regulador srie, o transistor atua como elemento de controle e o zener como elemento de referncia.
Como a carga fica em paralelo com o transistor, da a denominao regulador paralelo, cujo circuito mostrado abaixo.
A anlise do seu funcionamento segue basicamente os mesmos princpios do regulador srie, no que diz respeito aos parmetros do transistor e do diodo zener.
FUNCIONAMENTO: VZ = VCB como VZ constante, VCB ser constante VCE = VCB + VBE, mas VCB >> VBE logo: VCE = VCB, onde VCE = VZ
Ao variar a tenso de entrada em certos limites, como VZ fixa, variar VBE variando a corrente IB e conseqentemente IC. Em outras palavras, variando-se a tenso de entrada ocorrer uma atuao na corrente de base a qual controla a corrente de coletor. Neste caso, VCE tende a permanecer constante desde que IZ no assuma valores menores que IZ(MIN) e maiores que IZ(MAX). Os parmetros para o projeto de em regulador paralelo so essencialmente: VIN, VL e IL(MAX).
Tenso de entrada mxima: Na pior condio RL = IL = 0 VIN(MAX) = R1.(IL(MAX) + IC(MAX)) + VZ + VBE
+ IC(MIN)
+ IL(MAX) ( II )
Dividindo ( I ) e ( II ), temos: IZ(MAX) + IC(MAX) VIN(MAX) - VZ - VBE = IZ(MIN) + IC( MIN) + IL(MAX) VIN(MIN) - VZ - VBE Isolando IZ(MAX):
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VIN(MAX) - VZ - VBE . (IZ(MIN + IC(MIN) + IL(MAX)) - IC(MAX) ( III ) VIN(MIN) - VZ - VBE OBS: IC(MIN) a corrente de coletor para uma tenso de entrada mnima. Em muitos projetos a mesma pode ser desprezada por no ter influncia significativa no resultado final.
IZ(MAX) =
Corrente em R2:
IC(MIN) ( MIN)
IC(MIN) ( IV ) ( MIN) Quando a tenso de entrada for mxima e a carga estiver aberta (pior condio), um acrscimo de corrente circular pelo diodo zener. Como VBE praticamente constante, essa corrente circular pela base do transistor, da ento teremos: IC(MAX) = ( MIN ) . IB(MAX) IC(MAX) = (MIN) . (IZ(MAX) - IR2 ( V ) IB(MAX) = IZ(MAX) - IR2 portanto: IR2 = IZ(MIN) Substituindo ( V ) em ( III ), temos: VIN(MAX) - VZ - VBE IZ(MAX) = . (IZ(MIN) + IC(MIN) + IL(MAX)) - (MIN).(IZ(MAX) - IR2 VIN(MIN) - VZ - VBE
VIN(MAX) - VZ - VBE 1 IZ(MAX) = . (IZ(MIN) + IC(MIN) + IL(MAX)) + ( MIN ) . IR2 . VIN(MIN) - VZ - VBE ( MIN) + 1
Escolha do transistor: Devero ser observados os parmetros: VCEO 3 > (VZ + VBE) IC(MAX) > IL(MAX) PC(MAX) > (VZ + VBE) . IC(MAX) Escolha do diodo zener: Os parmetros so idnticos aos adotados no regulador srie.
PROJETO
Projetar um regulador paralelo, com as seguintes caractersticas: VL = 15V IC(MAX) = 600mA VIN = 22V 10%
Escolha do transistor: O transistor dever ter as seguintes caractersticas:
VCEO a tenso entre coletor e emissor com a base aberta Prof. Corradi WWW.corradi.junior.nom.br
PC(MAX) > (VZ + VBE) . IC(MAX) Adotaremos o transistor 2N3534, que tem as caractersticas: VCEO = 35V IC(MAX) = 3A PC(MAX) = 35W (mnimo = 40; mximo = 120)
Escolha do diodo zener: O diodo zener escolhido foi o BZXC1C15, que tem as caractersticas: PZ(MAX) = 1,3W IZ(MIN) = 20mA VZ = 15V PZ(MAX) 1,3 = = 86,67mA IZ(MAX) = VZ 15 Verificando se o diodo zener escolhido pode ser utilizado: VIN(MAX) - VZ - VBE 1 IZ(MAX) = . (IZ(MIN) + IC(MIN) + IL(MAX)) + ( MIN ) . IR2 . VIN(MIN) - VZ - VBE ( MIN ) + 1
24,2V - 15V - 0,7V 1 IZ(MAX) = . (20mA + 0 + 600mA) + 40.(20mA) . 19,8V - 15V - 0,7V 41
8,5V IZ(MAX) = . (620mA + 800mA) . 0,0244 = (2,073 . 1,42).0,0244 = 71,83mA 4,1V IZ(MAX) = 71,83mA (o zener pode escolhido compatvel)
Calculando IC(MAX): IC(MAX) = (MIN) . (IZ(MAX) - IR2) IC(MAX) = 40 . (71,83mA - 20mA) IC(MAX) = 40 . 51,83mA = 2,073A IC(MAX) = 2,073A (o transistor compatvel quando a IC(MAX)) Calculando PC(MAX): PC(MAX) = (VZ + VBE) . IC(MAX) = 15,07 . 2,073 = 31,24W PC(MAX) = 31,24W O transistor escolhido atender as necessidades do projeto quanto a dissipao de potncia, por estar abaixo da potncia mxima especificada pelo fabricante. Torna-se necessrio, entretanto o uso de um dissipador adequado para evitar sobreaquecimento do transistor.
R2 =
PR2 =
(ER2 )2 = (0,7 )2
R2 33
0,49V = 14,85mW 33
Calculando R1: VIN(MIN) - VZ - VBE 19,8V - 15V - 0,7V 4,1V R1 = = = = 6,613 IZ(MIN) + IC(MIN) + IL(MAX) 20mA + 600mA 620mA
OBS: IC(MIN) = 0 VIN(MAX) - VZ - VBE 24,2V - 15V - 0,7V 8,5V = = = 3,94 R1 = IZ(MAX) + IC(MAX) 86,67mA + 2,073A 2,16 R1 dever ser maior do que 3,94 e menor do que 6,613 3,94 < R < 6,61 R1 adotado = 5,6 (valor comercial)
Potncia dissipada por R1: (VR1) 2 = (VIN(MAX) - VZ - VBE ) 2 = (24,2V - 15V - 0,7V ) 2 = (8,5V ) 2 = 12,9W PR1 = R1 5,6 5,6 5,6 (adotar 15W - valor comercial)
FUNCIONAMENTO: Quando houver uma variao da tenso de entrada, a tendncia ocorrer uma variao da tenso de sada. Supondo que VIN aumente, a tenso nos extremos de RL tender a aumentar, aumentando a tenso VR2 e VR3, mas, como a tenso no emissor de T2 fixada por VZ, ento um aumento de tenso no ponto "x" provocar um aumento de VBE2, que aumentar IB2 e conseqentemente IC2. Quando IC2 aumenta, haver um aumento da tenso em R1 (VR1), uma vez que a tenso do emissor de T2 fixada pela tenso de zener (VZ). Como VBE1 fixa, ento um aumento de VR1 provocar um aumento de VCE1. Lembrar que VR1 = VCB1 e que VCB1 + VBE1 = VCE1. Um aumento de IC2 provocar tambm um discreto aumento na corrente de base de T1 (IB1). IC2 = IR1 - IB1 IR1 = IC2 + IB1 FORMULRIO: Considerando a tenso de entrada mxima
VIN(MAX) = VL + VBE1(MIN) + R1.(IZ(MAX) + IB1(MIN)) mas, IZ(MAX) >> IB1(MIN), logo: VIN(MAX) = VL + VBE1(MIN) + R1.(IZ(MAX)) VIN(MAX) - VL - VBE1(MIN) (I) R1 Considerando a tenso de entrada mnima IZ(MAX) = VIN(MIN) = VL + VBE1(MAX) + R1.(IZ(MIN) + IB1(MAX)) IZ(MIN) + IB(MAX) = mas, IB(MAX) = VIN(MIN) - VL - VBE1(MAX) R1
IL(MAX) IL(MAX) IC(MAX) temos ento: 1( MIN ) IL(MAX) VIN(MIN) - VL - VBE1(MAX) IZ(MIN) + = ( II ) 1( MIN ) R1
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dividindo ( I ) e ( II )
IZ(MAX) VIN(MAX) - VL - VBE1(MIN) = IL(MAX) VIN(MIN) - VL - VBE1(MAX) IZ(MIN) + 1( MIN )
R1 >
R1 <
A potncia desenvolvida em R1 no pior caso dada por: VR1 = VIN(MAX) - (VL + VBE1(MIN)) PR1 =
Clculo de R2 Adota-se uma regra prtica, onde: IR2 = 0,1.IC2 Quando IC2 = IZ(MIN) R2 <
IZ(MAX) =
VIN(MAX) - VL - VBE1(MIN) R1 (adotado) IL(MAX) VIN(MIN) - VL - VBE1(MAX) - IB1(MAX) IB1(MAX) = 1( MIN ) R1 (adotado)
IZ(MIN) =
Clculo de R3
VR3.R2 + VR3.R3 = VL.R3 VR3.R2 = VL.R3 - VR3.R3 VR3.R2 = R3.(VL - VR3) VR3 . R2 R3 = (R2 adotado no clculo anterior) VL - VR3
PROJETO
Projetar uma fonte regulada com amplificador de erro, usando dois transistores e um diodo zener de referncia, que obedea as caractersticas: VIN = 25V 10% IL(MAX) = 800mA Tenso na carga (VL) = 12V Teremos: VIN(MAX) = 25 + 2,5 = 27,5V VIN(MIN) = 25 - 2,5 = 22,5V
Escolha de T1: O transistor T1 dever ter as seguintes caractersticas: IC(MAX) > IL(MAX) = 0,8A VCEO > VIN(MAX) - VL = 27,5 - 12 = 15,5V PC(MAX) > (VIN(MAX) - VL).IL(MAX) = (27,5V - 12V).800mA = 12,4W
O transistor escolhido foi o BD233 que tem os seguintes parmetros: VCEO = 45V IC(MAX) = 2A PC(MAX) = 25W (MIN) = 40 (MAX) = 250
Escolha do diodo zener: Podemos escolher uma tenso de referncia. Adotamos como tenso de referncia para nosso projeto VZ aproximadamente 0,5VL. No entanto, outro valor pode ser escolhido. Para este projeto, optou-se pelo diodo zener BZX87-C5V1, que tem os parmetros: IZ(MIN) = 50mA VZ = 5,1V PZ(MAX) = 1,3W
Devemos verificar se o zener escolhido adequado ao projeto: PZ(MAX) 1,3W IZ(MAX) = = = 255mA 5,1V VZ
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VCEO > (VL + VBE2(MIN) - VZ) = (12V + 0,6V) - 5,1V = 12,6V - 5,1V = 7,5V IC(MAX) > IZ(MAX) = 255mA PC(MAX) > [(VL + VBE1(MIN)) - VZ] . IZ(MAX) PC(MAX) > [(12V + 0,6V) - 5,1V] . 255mA = 1,912W Para o transistor T2 tambm foram adotados os valores de 0,6V e 0,7V para VBE2(MIN) e VBE2(MAX) respectivamente. O transistor escolhido foi o BD135 que tem as seguintes caractersticas: VCEO = 45V IC(MAX) = 1A PC(MAX) = 8W (MIN) = 40 (MAX) = 250 Clculo de R1: VIN(MAX) - VL - VBE1(MIN) 27,5V - 12V - 0,6V 14,9V = = 58,4 R1 > = IZ(MAX) 255mA 255mA R1 <
22,5V - 12V - 0,7V 9,8V VIN(MIN) - VL - VBE1(MAX) = = 140 = 800mA IL(MAX) 70mA 50mA + IZ(MIN) + 40 1( MIN ) 58,4 < R1 < 140 valor adotado: 100
Calculando a potncia desenvolvida em R1: [ (VIN(MAX) - (VL + VBE(MIN) )] 2 (27,5V - 12,6V) 2 (14,9V) 2 = = 2,22W = PR1 = R1 (adotado) 100 100 (adotar 5W) Clculo de R2: VL - VZ - VBE2(MIN) VIN(MAX) - VL - VBE1(MIN) R2 > IZ(MAX) = 0,1.IZ(MAX) R1 (adotado)
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IZ(MAX) =
R2 >
R2 <
22,5V - 12V - 0,7V 800mA = 98mA - 20mA = 78mA 100 40 R2 < 12V - 5,1V - 0,7V 6,2V = = 794,87 7,8mA 7,8mA
422,82 < R2 < 794,87 adotar 560 Calculando a potncia desenvolvida em R2: (VL - VZ - VBE2(MIN)) 2 PR2 = R2 (adotado) PR2 =
Clculo de R3:
R3 =
VR3 . R2 5,7V . (560) 3.192 = = 506,67 adotar 470 = 6,3 VL - VR3 12V - 5,7V
onde: VR3 = (VZ + VBE2(MIN)) Calculando a potncia desenvolvida em R3: (VZ + VBE2(MAX) ) 2 PR3 = R3 (adotado) PR3 = (5,1V + 0,7V) 2 (5,8) 2 = = 71,57mW 470 470
CONFIGURAO DARLINGTON:
A configurao Darlington consiste na ligao entre dois transistores na configurao seguidor de emissor, ligados em cascata, conforme ilustra a figura ao lado, proporcionando em relao a um nico transistor um ganho de corrente bastante elevado. O ganho total de tenso aproximadamente igual a 1.
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Se 1 = 2 = 100, teremos: IC1 = IE1 e IC2 = IE2 O ganho total (T) ser dado por: 1 . 2 = 100.100 = 10.000 Assim, IC2 = T . IB1 A tenso entre base e emissor dada por: VBE = VBE1 + VBE2 Por se tratar da configurao emissor comum, assume valor bastante elevado de impedncia de entrada e valor bastante baixo de impedncia de sada, em relao a um transistor comum. A configurao Darlington normalmente encontrada em um nico invlucro, como por exemplo, os transistores BD262 e BD263, com polaridades pnp e npn respectivamente.
O valor comercial mais prximo de 7,5V. O diodo zener escolhido foi oBZX75C7V5, cujas caractersticas so: VZ = 7,5V PZ(MAX) = 400mW IZ(MIN) = 10mA IZ(MAX) = 0,4W = 53,33mA 7,5V
PC(MAX) = (VIN(MAX) - VL) . IC(MAX) IC(MAX) = IE(MAX) - IB(MAX) IE(MAX) = IL(MAX) IC(MAX) = IL(MAX) - IB(MAX) IB(MAX) = IC(MAX) ( MIN) logo: IC(MAX) = IL(MAX) IC(MAX) ( MIN)
IC(MAX) =
VIN(MAX) - VZ IZ(MAX) = . (IZ(MIN) + IB(MAX)) VIN(MIN) - VZ IB(MAX) = IC(MAX) 1,497A = = 2,994mA ( MIN) 500
13,2V - 7,5V IZ(MAX) = . (10mA + 2,994mA ) 10,8V - 7,5V IZ(MAX) = 5,7V .12,994mA = 22,44mA 3,3V
Como PZ(MAX) terico = 53,33mA e IZ(MAX) = 22,44mA o diodo zener escolhido pode ser utilizado.
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Clculo de R:
Para a mxima de tenso de entrada: VIN(MAX) = 13,2V VIN(MAX) = R.(IB(MIN) + IZ(MAX)) + VZ Na pior condio: RL = IB(MIN) = 0 VIN(MAX) = (R . IZ(MAX)) + VZ R= 5,7V VIN(MAX) - VZ 13,2V - 7,5V = = = 106,88 53,33mA 53,33mA IZ( MAX )
Para a mnima tenso de entrada: VIN(MIN) = 10,8V R= 3,3V 10,8V - 7,5V VIN(MIN) - VZ = = = 253,96 IB(MAX) + IZ(MIN) 2,994mA + 10mA 12,994mA
Portanto R dever ser maior do que 106,88 e menor do que 253,96. Adotaremos o valor comercial mais prximo a partir de uma mdia aritmtica dos dois valores, que neste caso 180. Potncia dissipada pelo resistor: P= E2 R
P=
Projeto com transistor comum 91 508mW 1,46A 10,5W 73,53mA 71,2mA 6,8V 36,5mA
Projeto com transistor Darlington 180 180,5mW 1,497A 10,78W 53,33mA 22,44mA 7,5V 2,994mA
Dos parmetros acima apresentados, a concluso mais importante que com o transistor Darlington controla-se uma corrente de carga com uma corrente de base bem menor. Isto se explica pelo fato de que o ganho de corrente no transistor Darlington bem maior.
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BIBLIOGRAFIA:
Malvino, Albert Paul - ELETRNICA - vols. 1 e 2 - Ed. McGraw-Hill SP - 1.986 Boylestad, Robert - Nashelsky, Louis - DISPOSITIVOS ELETRNICOS E TEORIA DE CIRCUITOS - Ed. Prentice/Hall Brasil - RJ - 1.993 Schilling, Donald L. - Belove, Charles - ELECTRONIC CIRCUITS - McGraw-Hill International Editions - Singapore Horenstein, Mark N. - MICROELETRNICA CIRCUITOS E DISPOSITIVOS - Ed. Prentice/Hall - RJ - 1.996 Grob, Bernard - BASIC ELECTRONICS - McGraw-Hill Kogakusha - Tokyo - 1.990 Ibrape - MANUAL DE TRANSISTORES - DADOS PARA PROJETOS - 1.990
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