Guia de Laboratrio

Fsi a Experimental AI

Departamento de Fsi a - ICEx - UFMG

Universidade Federal de Minas Gerais

1o Semestre / 2012

Sumrio
1 OSCILOSCPIO

2 SINAIS NO SENOIDAIS e VALOR MDIO

3 CIRCUITOS RC

4 FILTROS PASSIVOS RL E RC

12

5 RESSONNCIA EM CIRCUITO RLC

14

6 FONTES RETIFICADORAS

16

7 HISTERESE MAGNTICA

19

8 CARGA MASSA

22

9 EFEITO HALL

24

10 DIODOS SEMICONDUTORES

27

A INTRODUO TERICA A CIRCUITOS DE CORRENTE ALTERNADA

31

A.1

CIRCUITO RESISTIVO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

31

A.2

CIRCUITO INDUTIVO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

33

A.3

CIRCUITO CAPACITIVO

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

34

A.4

CIRCUITO RLC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

35

B CONSTANTES FSICAS E PREFIXOS

37

SUMRIO

INFORMAES DO CURSO
obrigatria a presena das 6 horas-aula/semana. Os grupos podem ter 2 (dois) alunos no mximo. O
experimento deve ser estudado antes do in io da aula.

RELATRIOS
Os relatrios devem ser laros e podem ser su intos. Anote os dados experimentais em uma folha que
dever ser assinada pelo professor no nal da prti a e anexada ao relatrio. Os relatrios devem ser
entregues antes do in io da prti a seguinte.

Relatrios atrasados perdero pontos.

Ser observada a

utilizao orreta de unidades e a manipulao de desvios nas medidas. Leia 'Propagao de Erros' na
apostila de Introduo Fsi a Experimental.

AVALIAO
Relatrios

50 pontos

Prova experimental

20 pontos

Prova teri a

30 pontos

COMPORTAMENTO EM LABORATRIO
As regras enumeradas abaixo visam a segurana e a preservao dos equipamentos do Laboratrio de
Fsi a Experimental:

S ligue uma montagem eltri a aps autorizao do professor que onferiu o ir uito;

Guarde TODO o material apos o uso;

proibido omer, beber e fumar no Laboratrio

USO DE COMPUTADORES
Os omputadores esto disponveis para o uso ex lusivo das atividades no laboratrio.

Alm disso,

algumas regras devem ser respeitadas:

Os arquivos podem ser guardados em subdiretrio riado no endereo C: Meus Do umentos. No

nal de ada semestre, todos os arquivos sero apagados;
No instale ou modique a ongurao dos programas ou do sistema opera ional por onta prpria.

Captulo 1

OSCILOSCPIO
O que vo deve saber para fazer esta experin ia:
Montagem de ir uitos simples;
Lei de Ohm;
Utilizar um gerador de sinal.

Introduo
O instrumento bsi o de teste eletrni o de sinais
o os ilos pio. Alm de ser utilizado para obser-

Estrutura bsi a do tubo de raios atdi os de um os ilos pio.

Figura 1.1:

var visualmente formas de onda e medir tenses

e freqn ias, este verstil instrumento largamente apli ado em meios industriais e ient os
para a medio e observao de vrias grandezas

ti al, o ponto na tela deslo ar-se- rapidamente

fsi as que so onvertidas em impulsos eltri os.

para ima e para baixo.

O os ilos pio omposto basi amente por um

movimento e a persistn ia da luminosidade na

dispositivo de formao de imagem (tubo de raios

tela, apare er uma linha verti al ontnua, omo

atdi os, TRC, nos dispositivos analgi os) e uma

mostrada na g.1.2a.

unidade de tratamento de sinal.

tenso dente-de-serra s pla as horizontais, o feixe

Des reveremos ini ialmente o tubo de raios

Devido rapidez do

Apli ando tambm uma

ser deslo ado de modo linear na direo hori-

atdi os, ujo esquema mostrado na g.1.1.

zontal, on omitantemente om o seu movimento

Eltrons so emitidos por um lamento aque ido

verti al. O resultado visto na g.1.2b. A ten-

( atodo) em vrias direes.

A intensidade do

so senoidal apli ada s pla as deetoras verti ais

feixe de eltrons gerado ontrolada por uma ten-

ser desenhada na tela. Para que isso a ontea,

so apli ada a uma grade de ontrole. Em seguida

ne essrio que a tenso dente-de-serra ini ie seu

existe um primeiro anodo uja funo fo alizar o

movimento as endente exatamente no mesmo in-

feixe, e a seguir, o segundo anodo que serve para

stante em que se ini ia um novo i lo da senide,

a elerar os eltrons.

j que os dois sinais se repetem indenidamente.

Os anodos so one tados

1000V

respe ti-

A tenso apli ada s pla as deetoras horizontais obtida do gerador de varredura, ou gerador

a poten iais de

2000V ,

vamente. O onjunto atodo, grade, 1o anodo e

2o anodo forma o anho eletrni o. O feixe de

dente-de-serra, interno do aparelho. Este gerador

eltrons em alta velo idade gerado pelo anho

utiliza uma parte do prprio sinal apli ado ao am-

passa atravs de dois pares de pla as que provo-

pli ador verti al para sin ronizar a freqn ia

am a deexo verti al e horizontal do mesmo

gerada om a do prprio sinal. Os os ilos pios

quando um ampo eltri o apli ado entre elas.

dispem ainda de re ursos para sin ronizar o ger-

Finalmente o feixe eletrni o atinge a superf ie

ador de varredura om um sinal externo.

interna da tela do TRC que re oberta por um

A imagem ir ular da gura 3(a) obtida quando

lme de material uores ente, gerando assim um

duas ondas senoidais, de mesma amplitude e freo

qn ia, mas defasadas de 90 , so apli adas s

ponto luminoso na tela.

Apli ando-se uma tenso senoidal de freqn-

pla as deetoras verti ais e horizontais ( orrespon-

ia no muito baixa s pla as de deexo ver-

CAPTULO 1.

OSCILOSCPIO

Mais re entemente, foram inventados os os ilos pios digitais, nos quais a unidade de tratamento de sinal um mi ropro essador e a imagem mostrada em um display de ristal lquido.
Estes os ilos pios so extremamente teis pois
nos permitem digitalizar e armazenar os sinais desejados para uma posterior anlise atravs de soft-

Imagem de (a) somente uma tenso alternada apli ada s pla as de deexo verti al e (b)
uma tenso alternada s pla as de deexo verti al e
uma tenso dente-de-serra s pla as horizontais.

Figura 1.2:

wares adequados. O os ilos pio nos permite observar a forma de uma tenso omplexa bem omo
medir o perodo T o valor pi o a pi o (Vpp) de
sinais peridi os (Para um sinal senoidal o valor
pi o a pi o orresponde ao dobro da amplitude).

dente ao modo XY do os ilos pio).

Se a de-

fasagem for igual a zero o sinal ser uma reta e se

o
for diferente de zero e 90 ser uma elipse. Este
mtodo muito usado para medir a defasagem entre dois sinais omo ser visto adiante no prti a 3
(Cir uitos RC). Em geral, os sinais de entrada devem ser ampli ados antes de serem apli ados s
pla as deetoras. Isso porque a tenso ne essria
para deslo ar o feixe de apenas alguns entmetros

Embora as tenses ou orrentes senoidais variem

no tempo, na prti a elas so expressas pelos seus
valores e azes. Por denio, o valor e az ou
efetivo de uma tenso (ou orrente) alternada
o valor de uma tenso (ou orrente) ontnua que
produz a mesma dissipao de potn ia num resistor R.
O valor e az de uma funo peridi a f(t) de
perodo T denido por:

muito alta. O ontrole da ampli ao do sinal

2
Vef

de entrada hamada de ganho verti al (verti al

gain), ampli ador verti al ou sensibilidade verti al. O ontrole de ganho do ampli ador hori-

1
=
T

f (t)2 dt.

(1.1)

Mostre que para o aso parti ular de uma ten-

zontal tem denominao anloga, ou ainda, base

so alternada senoidal, o valor e az

de tempo. Os geradores de varredura geralmente

so dado por:

podem forne er sinais de 20 Hz a 100 kHz, ou at

Vef

Vpp
Vef = .
2 2

mais, varia para ada os ilos pio.

da ten-

(1.2)

Voltmetros e ampermetros forne em leituras

em valores e azes. As tenses espe i adas pelos
fabri antes para eletrodomsti os, por exemplo,
so valores e azes. Exemplo: uma torradeira de
127 V; um ferro eltri o de 220 V, et .

Para a

rede eltri a de 110 V, o valor efetivo 110 V e o

valor pi o a pi o prximo de 310 V (A rede da
CEMIG de 127V).

Imagem obtida quando as duas senides

tm a mesma amplitude e frequn ia, mas esto defasadas de 90o .
Figura 1.3:

O os ilos pio possui tambm uma have que

Parte Experimental
Objetivo :

Utilizar o os ilos pio em medidas

de sinais peridi os.

Material

sele iona os modos AC e DC. Na posio AC ape-

1 gerador de udiofrequn ia

nas a omponente alternada do sinal ser repro-

1 os ilos pio

duzida na tela, devido olo ao de um apa -

1 multmetro

itor interno em srie om o sinal de entrada., No

1 painel de ligao om 6 abos

modo DC, a reproduo do sinal de tenso on-

1 resistor de 10 k

tnua de entrada feita diretamente. Veremos em

1 d ada de resistn ias

detalhes o fun ionamento desta have na Prti a

2 ja ars.

2.

CAPTULO 1.

OSCILOSCPIO

PROCEDIMENTO

2. Mea 5 ( in o) valores de perodos difer-

a) Medidas de Tenso - Valor e az ou efetivo

1. Com o auxlio do os ilos pio ligado direta-

entes para ondas senoidais om freqn ias

variadas geradas pelo gerador de udio.
3. Faa uma tabela ontendo estes valores, suas

mente ao gerador de udio-frequn ia, ajuste

freqn ias al uladas e as orrespondentes

o sinal de sada para uma tenso senoidal

leituras das freqn ias feitas diretamente

om

Vpp = 6V

do gerador de udio. Lembre-se que perodo

e freqn ia de 1 kHz.

denido omo o inverso da freqn ia (f =

2. Monte o ir uito mostrado na gura 1.4 a

1/T).

seguir, olo ando em srie om o gerador

um resistor xo de 10 k e uma d ada de
resistn ias (RV ).

4. Compare os resultados.

Observao:

Nun a one na frequn ia nomi-

nal de um gerador de funes analgi o!

) Utilizao do modo X-Y

Para esta parte sero utilizados dois geradores,
um no anal 1 e o outro no anal 2.
1. Aplique uma tenso senoidal em ada anal
do os ilos pio. Sele ione a posio da have
Trig Mode na posio X-Y. Ajuste os onFigura 1.4:

Cir uito em srie.

troles de ganho dos anais 1 e 2 para obter

tamanho adequado de visualizao.

3. Cone te o os ilos pio ao resistor

RV

(pino

2. Sabemos que, se as freqn ias dos sinais

(+) ou vermelho no ponto A, e pino (-) ou

alternados estiverem numa relao simples

preto no terra) e mea os valores das ten-

1/2, 2/3, 3/5, et . e estveis, apare er uma

ses no resistor RV para in o valores de

Figura de Lissajous na tela do os ilos pio.

resistn ia

RV

= 10, 20, 30, 40, 50 k.

Ateno, vo far leituras de

Vpp .

Mea

Desenhe as guras de Lissajous para os asos de freqn ia senoidal dos anais 1 e 2

tambm, om o multmetro (modo Va ), os

na relao de 1/1 e 1/2.

valores das tenses para as in o resistn-

das guras observadas.

ias a ima.

no se estabilizam na tela?

4. Determine teori amente os valores de Vpp

e Vef para todas as resistn ias e ompare
om os valores experimentais. (Di a: use a
lei de Kir hho e al ule os valores pi o a
pi o e efetivo da orrente para ada aso).

Explique origem
Porque as guras

Questes
1. Desenhe a forma de onda resultante da apli ao dos sinais da g. 1.5 nos anais X e
Y:

b) Medidas de Intervalos de Tempo

O os ilos pio pode ser usado tambm para
medidas de intervalos de tempo, tais omo, por
exemplo, o perodo de um sinal gerado por um
gerador de udio-frequn ia.
1. Para realizar medidas de tempo, oloque o
ontrole variable ompletamente girado no
sentido horrio, quer dizer, na posio al
( alibrado).

Figura 1.5: Sinais apli ados s pla as horizontais e

verti ais respe tivamente.

CAPTULO 1.

OSCILOSCPIO

2. Como produzir um r ulo perfeito na tela

de um os ilos pio?
3. Por que pre isamos utilizar um ampli ador
para os sinais de entrada do os ilos pio,
antes que estes sejam apli ados s pla as
deetoras? Qual a nalidade de utilizarmos
ampli adores lineares para isso?
4. Como podemos ajustar a intensidade do feixe
eletrni o?

Bibliograa

Dispositivos Eletrni os e Teoria de Cir uitos, R. Boylestad e Louis Nashelsky 

Cap. 18.

Medidores e Provadores Eletrni os, Joseph

A. Risse.
ABC da Eletrni a, Farl J. Waters.

Captulo 2

SINAIS NO SENOIDAIS e VALOR

MDIO
O que vo deve saber para fazer esta experin ia:
Montagem de ir uitos simples;
Utilizar um gerador de sinal;
Utilizar um os ilos opio.

Portanto, o sinal omposto apare er, em erta

posio na tela om a have em DC, e j om a
have em AC, o sinal se deslo a na tela de um
valor orrespondente omponente ontinua ou
ao valor mdio.

Introduo
Sinais senoidais (harmni os) so frequentemente
usados para testar ir uitos eltri os, no entanto,
tenses e orrentes no senoidais tambm so bastante omuns em ir uitos de aparelhos eletrni os e de instrumentao. Um os ilos pio permite
a observao destas formas de onda bem omo a
determinao de seu valor mdio ou de seu omponente ontnuo.
Na experin ia anterior, vimos a denio de
valor e az, que no se deve onfundir om o
valor mdio.

A denio de valor mdio para

uma funo peridi a f(t) de perodo T dada

pela relao:

VDC = Vm

1
=
T

f (t) dt,

(2.1)

onde a integrao se faz sobre todo o perodo.

Figura 2.1:

evidente que o valor mdio de qualquer onda

Esquema do ir uito de entrada.

senoidal nulo, enquanto que o valor e az no

.

Questes

Suponhamos um sinal omposto, parte ontnua e outra os ilante.

Quando o os ilos pio

est na posio AC, um apa itor adi ional ltra a tenso ontnua.

Na g.

1. Mostre que a omponente ontnua de um

2.1 pode-se ver

sinal igual ao seu valor mdio? Di a: Pode-

um esquema do ir uito de entrada de um anal

mos ra io inar de duas maneiras equivalentes:

do os ilos pio. Desta maneira, s vemos a omponente os ilante do sinal na posio AC. J na

posio DC, o apa itor no est mais no ir uito do os ilos pio, e vemos o sinal ompleto.

O sinal os ila em torno do seu valor

mdio;

CAPTULO 2.

SINAIS NO SENOIDAIS E VALOR MDIO

Se desenvolvermos em srie de Fourier

3. Com o os ilos pio, verique e desenhe a

uma funo peridi a, temos um termo

forma da tenso na entrada e na sada do

onstante e uma soma de termos senoidais.

reti ador (ver Figura 2).

O termo onstante denido omo o

onda esto de a ordo om o esperado? Por

valor mdio.

qu?

2. Mostre que o valor mdio de uma tenso

As formas de

4. Com o os ilos pio na sada do reti ador

senoidal nulo.

(ponto B) passe a have de AC para DC diversas vezes, medindo o deslo amento verti al da imagem (em Volts). Este deslo a-

Parte Experimental
Objetivo :

Utilizar o os ilos pio em medidas

mento representa o valor mdio da tenso?

5. O valor mdio medido orresponde ao esperado? Cal ule o valor teri o pela equao

de sinais peridi os no senoidais.

2.1 e dis uta. Prove que

Vm = Vpp /2

para

uma onda senoidal.

Material
1 gerador deudiofrequn ia

6. A res ente o diodo Zenner sada do reti-

1 os ilos pio

 ador (ver g.

1 multmetro

tenso numa forma trapezoidal. Verique e

2.3).

Isto transformar a

1 painel de ligao om 6 abos

mea seu valor mdio (novamente do ponto

1 resistor de 10 k

B para o terra).

1 d ada de resistn ias

mdio, atravs da medida da rea sob a

2 ja ars.

Cal ule tambm o valor

urva dividida pelo perodo.

Compare os

resultados.

Pro edimento

Observao:

Neste experimento, vamos utilizar um diodo reti-

Conra a polarizao dos diodos e

a posio dos terras dos abos do os ilos pio.

 ador de meia onda para gerar formas de ondas

no senoidais a partir de uma tenso de entrada
senoidal.
1. Antes de ini iar a experin ia, verique se o
os ilos pio est bem alibrado. Para veri ar, observe uma forma de onda senoidal
em um dos anais do os ilos pio, e ao passar a have de AC para DC observe se houve
deslo amento da urva. Explique.

Figura 2.3:

Cir uito de um reti ador trapezoidal.

2. Monte o ir uito da g. 2.2 e ajuste o gerador de udio para uma tenso senoidal de
sada om frequn ia de 1 kHz e mxima
amplitude

Vpp 20

V.

Bibliograa

Dispositivos Eletrni os e Teoria de Cir uitos, R. Boylestad e Louis Nashelsky 

Cap. 18.

Figura 2.2: Cir uito de um reti ador indi ando

onde a tenso ser medida: de A ao terra (entrada
do reti ador), e de B ao terra (sada do reti ador).

Medidores e Provadores Eletrni os, Joseph

ABC da Eletrni a, Farl J. Waters.

A. Risse.

Captulo 3

CIRCUITOS RC
LER O APNDICE A !

O que vo deve saber para fazer esta experin ia:

Montagem de ir uitos simples;
Utilizar um gerador de sinal e os ilos pio;
Con eitos de reatn ia apa itiva e indutiva.

Introduo
Esta prti a se destina ao estudo de ir uitos RC.
Na primeira parte, a determinao experimental
da diferena de fase entre a orrente e a tenso em
um ir uito RC ser realizada. Este mtodo vale

Figura 3.1: Tenso e orrente senoidais. t a diferena de tempo entre os dois mximos.

tambm para ir uitos RL e RLC. Na segunda

parte ser onstrudo um ir uito RC diferen iador.
A seguir des revemos dois mtodos para a de-

Na gura 3.2 mostramos uma gura de Lissajous,

terminao da diferena de fase em ir uitos de

obtida pela apli ao de duas tenses senoidais

orrente alternada. O primeiro mtodo onsiste

(g.3.1) defasadas de um ngulo

em representarmos num mesmo gr o om um

Y do os ilos pio. O valor da defasagem obtido

eixo de tempo omum, omo mostrado na g.3.1,

a partir dos valores de a e b mostrados na g.3.2.

os sinais senoidais da tenso e a orrente. A difer-

Sendo assim

ena de fase

=
T

o perodo

2
t
T

nos anais X e

dado por:

entre os dois sinais pode ser fa il-

mente al ulada pela equao:

onde

= arcsen

a
b

(3.1)

t o deslo amento relativo

entre os dois sinais.

O segundo o mtodo da elipse, que onsiste
em apli ar s pla as horizontais (ou verti ais) do
os ilos pio a tenso do elemento uja fase se quer
veri ar e nas pla as verti ais (ou horizontais) um
sinal propor ional orrente. O sinal da orrente
pode ser obtido atravs da insero de uma resistn ia em srie em algum ponto da malha que
d uma queda de tenso

VR = R.I

para o os-

ilos pio. Este mtodo de medida de defasagem

Figura 3.2:

assim obtido atravs de guras de Lissajous.

Figura de Lissajous.

(3.2)

CAPTULO 3.

10

CIRCUITOS RC

Parte Experimental

om um ir uito RLC em srie, adi ionando um

indutor (200 mH < L < 500 mH) entre o ponto

Objetivos:

B e a d ada. Dis uta o resultado.

Medir a diferena de fase entre a tenso e a orrente em ir uitos RC;

Estudar um ir uito RC diferen iador.

Material:
1 gerador de udio-frequn ia;
1 os ilos pio;
1 painel de ligao om 6 abos;
Resistores (1 de 80 a 120, 1 de 390 a 680);
1 D ada de resistn ia;
Capa itor (1 de 22nF e 1 de 2,2nF);
Diodos;

Figura 3.3:

Cabos e ja ars.

Pro edimento

Cir uito RC

Questo

a) Cir uito RC

possvel atravs do mtodo da elipse se deter1) Monte o ir uito RC da gura 3.3, om um a-

minar se a tenso est adiantada ou atrasada em

pa itor C=22 nF. O valor do resistor R deve ser

relao a orrente, isto , o sinal de

bem pequeno entre 80 a 120 (apenas para visualizar a orrente). Cal ule XC para erti ar-se

b) Cir uito Diferen iador

que a resistn ia muito menor que a reatn ia

apa itiva

R XC = 1/(2f C).

9) Utilize um ir uito reti ador trapezoidal igual

ao onstrudo na prti a 2 para gerar uma forma

2) Cone te no anal X do os ilos pio a tenso

de onda trapezoidal om freqn ia de 1 kHz.

do ponto A para o terra, e no anal Y, a tenso

Aplique o sinal gerado (tenso no diodo Zener)

de B para o terra. Sele ione a posio X-Y no seu

no ir uito esquematizado na Figura 3.4.

os ilos pio.
3) Ajuste a tenso do gerador e os ganhos dos
anais do os ilos pio de modo a obter uma elipse
na tela om uma frequn ia de 2kHz.
4) Qual a defasagem entre a tenso total

VT OT

a orrente I? Lembre-se que vo esta observando

os sinais

VX R I

VY VT OT .

5) Faa um diagrama de fasores para este ir uito.

Figura 3.4:

Cir uito Diferen iador

6) Insira uma d ada entre o ponto B e o apa -

10) Verique a relao entre a forma da tenso

itor, e varie a resistn ia de 0 a 9 k. Desenhe

de entrada (VIN ) e a tenso no resistor (VOUT ).

e explique a Figura de Lissajous observada para

Analise e desenhe para ada tre ho de um perodo:

ada resistn ia.

VIN e VOUT em funo do tempo. Pro ure en-

7) Com uma resistn ia de 3 k na d ada, mea

entre a arga (e tenso) no apa itor om a or-

tender o resultado obtido em funo da relao

a diferena de fase

entre VT OT e I utilizando

rente (e tenso) no resistor.

os dois valore medidos e faa um diagrama de fasores mostrando VT OT e I.

11) Mostre porque para

R XC

onhe ido omo diferen iador.

8) Repita o pro edimento do item (7), mas agora

este ir uito

CAPTULO 3.

11

CIRCUITOS RC

Bibliograa

Dispositivos Eletrni os e Teoria de Cir uitos, R. Boylestad e Louis Nashelsky 

Cap. 18.

Medidores e Provadores Eletrni os, Joseph

A. Risse.
ABC da Eletrni a, Farl J. Waters.
Fundamentos de Fsi a, D. Halliday, R.
Resni k and John Merril - Vol.
36.

3 - Cap.

Captulo 4

FILTROS PASSIVOS RL E RC
O que vo deve saber para fazer esta experin ia:
Montagem de ir uitos simples;
Utilizar gerador de sinal e os ilos pio;
Con eitos de reatn ia apa itiva e indutiva.

A dependn ia da amplitude do sinal na sada

do ltro (VO - output), em funo do sinal de
entrada (VIN - input), uma funo da freqn ia
f (veja, por exemplo, a g.4.2). Um sinal de sada
om freqn ia f , por denio, onsiderado
omo rejeitado, se sua amplitude est abaixo de

1/ 2) da amplitude mxima do sinal

de sada VO . A freqn ia em que isto a onte e
onhe ida omo freqn ia de orte fC ou ut-o.

Introduo

70% (ou

A impedn ia de um indutor propor ional fre-

Ela dada por:

qn ia enquanto que a impedn ia de um apa itor inversamente propor ional freqn ia.

fc =

Estas ara tersti as podem ser usadas para se

rejeitar ou sele ionar sinais de diferentes freqn-

1
2RC

(4.1)

R
2L

(4.2)

ias de ir uitos eletrni os. A esta funo d-se o

nome de ltragem de sinais, e ombinao de a-

fc =

pa itores/indutores e resistores que exer em esta

funo, de ltros passivos. Filtros que rejeitam altas freqn ias so onhe idos omo passa-baixas
enquanto que aqueles que rejeitam baixas freqn ias so onhe idos omo passa-altas.

Na Fig.

4.1(a) e 4.1(b) podem ser vistos dois exemplos de

ltros passivos, um passa-baixa, e outro passaalta, respe tivamente.

Resposta em freqn ia de um ltro passivo apa itivo passa-baixa, ( omo o da Fig. 4.1(a)).
Figura 4.2:

Figura 4.1: (a) Filtro passa-baixa apa itivo; (b) Filtro passa-alta indutivo.

12

CAPTULO 4.

13

FILTROS PASSIVOS RL E RC

Questes

ampla faixa de freqn ias.

1) Explique a dependn ia da queda do sinal de

mas de orte. Mea no mnimo 30 pontos.

Pro ure obter uma

alta densidade de pontos para frequn ias prxi-

sada em um ltro passivo em funo da frequn ia, seja RC ou RL.

4) Faa um gr o de
partir do mesmo..

Vo f

e determine

fC

2) A freqn ia de orte tambm denida por

5) Compare o valor determinado pela experin ia

freqn ia de meia-potn ia.

om o valor esperado, al ulado em (1).

para expli ar o fator

1/ 2

Use esta denio

na

Vo

para

f = fC .

Lembre-se que a potn ia propor ional ao quadrado

da tenso.

b) Filtro passa-alta RL
6) Repita os itens (1) a (5) para o ir uito da

3)

fC

pode ser es rita em termos dos tempos ar-

a tersti os

1/ 2C)

C = RCe L
fC = 1/( 2).

= L/R, isto

Fig. 4.1(b) om o indutor es olhido.

fC =

Qual o signi ado

fsi o destas duas onstantes de tempo?

4) Mostre omo ltros passa-alta podem ser onstrudos om apa itores, e passa-baixas om indutores.

Bibliograa

Dispositivos Eletrni os e Teoria de Cir uitos, R. Boylestad e Louis Nashelsky 

Cap. 18.

5) Um ir uito RLC pode ser en arado omo ltro

passa-faixa? Por qu?

Medidores e Provadores Eletrni os, Joseph

Parte Experimental

ABC da Eletrni a, Farl J. Waters.

Objetivo:
Montar e ara terizar ltros passivos de sinais
baseados em ir uitos apa itivos e indutivos

Material
1 gerador de udio-frequn ia
1 os ilos pio
1 painel de ligao om 6 abos
Resistor, R = 2 a 4k
Capa itor, C = 10 a 33 nF
Indutor, L = 100 a 300 mH
Cabos

Pro edimento
a) Filtro passa-baixa RC
1) Monte o ir uito da Fig. 4.1(a) om os valores
R e C sugeridos a ima. Cal ule o valor esperado
para a frequn ia de orte, ele deve estar entre 1
e 5 kHz.
2) Aplique um sinal senoidal de VIN = 4 V (pi o
a pi o) na entrada do ir uito.
3) Varie a freqn ia a partir de 50Hz, em intervalos iguais e mea Vo (pi o-a-pi o) para uma

A. Risse.

Captulo 5

RESSONNCIA EM CIRCUITO RLC

O que vo deve saber para fazer esta experin ia:
Montagem de ir uitos simples;
Utilizar gerador de sinal e os ilos pio;
Con eito de impedn ia em ir uito RLC;

108 .

dem de

O fator de qualidade tambm pode

ser al ulado atravs da relao:

Q=
onde

Introduo

fo

fo
o
=

(5.2)

a frequn ia de ressonn ia e

largura do pi o de ressonn ia para uma potn ia

efetiva orrespondente a:

Um ir uito RLC est em ressonn ia quando a

tenso apli ada V e a orrente resultante I esto
em fase. Na ressonn ia, portanto, a impedn ia

Pef (o

omplexa equivalente do ir uito exatamente o

valor da resistn ia R, ou seja, quando

Pef (o )
Max
)=
= 50% Pef
2
2

(5.3)

XC = XL .

O valor da impedn ia mnimo na ressonn ia.

Como

= 2f ,

a freqn ia

fo ,

denominada fre-

500

1,000

qn ia de ressonn ia do ir uito, dada por:

100

(5.1)

Observa-se uma inteira analogia entre a ressonn ia de ir uitos RLC forados e os iladores me ni os forados. A energia armazenada num ir uito
RLC onstante, uma vez que, quando a tenso

Potncia efetiva

f = fo =
2 LC

no apa itor mxima, a orrente no indutor

nula, e vi e-versa.

80

60

40

20

A g.5.1 mostra a variao

da potn ia efetiva om a freqn ia angular

do gerador de udio para um ir uito RLC. A

frequn ia de ressonn ia

fo

Q = 2fo L/R

200

neste aso est em

torno de 500Hz.
A razo

0
0

Figura 5.1:

denominada fator de

ia.

qualidade do ir uito. Ela uma gura de mrito

400

600
800
Frequncia (1/s)

1,000

1,200

Potn ia efetiva em funo da frequn-

do ir uito. Valores grandes de Q impli am em

Questo

ressonn ias intensas e estreitas. Os ir uitos de

sintonia de re eptores de rdio, por exemplo, so
do tipo RLC. Em geral, a sintonia do re eptor se

Mostre que a potn ia mdia

faz variando o valor da apa itn ia C de um apa itor varivel at que a frequn ia de ressonn ia

Pef ()

e a orrente

so mximas na freqn ia de ressonn ia.

o do ir uito se iguale frequn ia da onda

portadora enviada pela emissora. Os melhores re eptores de rdio tm fator de qualidade da or-

14

CAPTULO 5.

15

RESSONNCIA EM CIRCUITO RLC

Parte Experimental
Objetivo:
Estudar o fenmeno de ressonn ia em ir uitos
RLC em srie.

Material:
1 gerador de udio-frequn ia
1 os ilos pio
1 painel de ligao om 6 abos
Resistor

Importante: - Utilize o valor al ulado em (3)

omo refern ia para avaliar o passo em frequn ia a ser utilizado nas medidas de modo
a obter uma urva de ressonn ia experimental que delimite bem a posio de ressonn ia.
- Certique-se que a tenso do gerador seja,
para todas as medidas, 6Vpp , ajustando a ada
ponto a tenso total se ne essrio.
5) Cal ule a orrente no ir uito para ada fre-

Capa itor

qn ia (i

Indutor

em funo de f.

Pro edimento

= VR /R) e faa um gr o da orrente

6) A partir do gr o do item 5, determine a

frequn ia de ressonn ia,

fo ,

e o fator de quali-

1) Monte o ir uito RLC da g. 5.2, es olhendo

dade, Q, de seu ir uito RLC. Des reva omo vo

os omponentes ujos valores estejam dentro das

obteve tais valores e ompare om os valores es-

faixas espe i adas na tabela (use os indutores

perados ( al ulados no item 3).

om base de madeira).

Obs.: Note que, para a har Q a partir do gr o de ressonn ia da orrente, a largura do
pi o
deve ser determinada a uma altura de
1/ 2 do valor mximo, e no 1/2 omo no aso
da g. 5.1.

OPCIONAL
7) Dis uta os efeitos sobre a urva de ressonn ia
ao se alterar: a resistn ia; a apa itn ia; e a
indutn ia.
8) Cal ule, para ada freqn ia, a reatn ia indutiva e a reatn ia apa itiva, usando os valFigura 5.2:

Esquema do ir uito RLC ressonante.

L (mH)
100-300

C (H )
0,01-0,02

R ()
390 a 680

ores medidos das tenses e a orrente al ulada

no item anterior.
9) Cal ule o valor da impedn ia Z para ada
valor da freqn ia e faa um gr o de Z em
funo de f.

2) Mea a resistn ia do indutor e do resistor om

um multmetro. A resistn ia total do ir uito
a soma destes dois valores. Mea a apa itn ia
e a indutn ia do ir uito om o medidor LCR.

Bibliograa

qun ia de ressonn ia (fo ) e fator de qualidade

4) Ajuste o gerador para uma tenso de 6 Vpp

(lidos no os ilos pio) e mea os valores pi o a
pi o das tenses em R, L e C para diversas frequn ias (

KHz.

30),

omeando de 400 Hz at 10

uitos, R. Boylestad e Louis Nashelsky 

Cap. 18.

3) Com os dados obtidos em (2), al ule a fre(Q) esperados para o ir uito.

Dispositivos Eletrni os e Teoria de Cir-

Medidores e Provadores Eletrni os, Joseph

ABC da Eletrni a, Farl J. Waters.

Fsi a, Sears - Vol. II, Cap. 37

Fundamentos de Fsi a, D. Halliday, R.

A. Risse.

Resni k and John Merril, vol.4, Cap. 39.

Captulo 6

FONTES RETIFICADORAS
O que vo deve saber para fazer esta experin ia:
Montagem de ir uitos simples;
Utilizar gerador de sinal e os ilos pio;
Filtros apa itivos;
Fun ionamento de diodos.

A tenso de sada deste reti ador orresponde

a um valor de tenso ontnua (valor mdio) igual
a

( al ulado na Prti a 2 - Sinais

de 60Hz em torno deste valor.

onhe ida omo ripple.

Esta os ilao

Na maioria das fontes

reti adoras, o ripple espe i ado ou por seu

Introduo

valor pi o-a-pi o ou por seu valor e az (rms),

aindo normalmente na faixa dos 50 a 100mV
para fontes de baixa tenso. Ripples de at 1%

Reti ao o pro esso de onverso de uma ten-

da tenso de sada nominal so desprezveis para

so alternada em uma tenso ontnua. Este pro-

a maioria das apli aes de reti adores.

esso usado em uma vasta gama de equipamentos ( omputadores, eletrodomsti os, rdios, instrumentos ient os, et .).

VDC = Vpp /2

no-senoidais e valor mdio), om uma os ilao

Questo

Numa fonte reti-

adora, os omponentes prin ipais so diodos de

sil io (o fun ionamento de diodos investigado

Utilizando um segundo diodo na ongurao da

na prti a 10). O reti ador mais simples o de

g. 6.1(b), tem-se uma reti ao de onda om-

meia onda, mostrado na g. 6.1. Nele, uma ten-

pleta. Cal ule

VDC

para este reti ador.

so senoidal (nesse aso forne ida por um transformador) apli ada a um resistor ( arga). Du-

Para a supresso do ripple, a grande maioria

rante o meio- i lo positivo, isto quando a volt-

dos reti adores faz uso de um ltro, usualmente

agem do anodo do diodo positiva om relao

omposto de um apa itor eletrolti o em paralelo

ao atodo, o diodo permite a passagem de or-

sada da fonte, i.e. arga. Podemos entender

rente. Por outro lado, no i lo negativo o diodo

o fun ionamento deste ltro atravs do exemplo

bloqueia a orrente reversa.

mostrado na g.

t = 0, Vo = 0V ,

6.2. Em

e o

apa itor est des arregado. A tenso na entrada

Vin

, aps o transformador, uma tenso senoidal

de amplitude

Vs (= 5V )e perodo T ( 17ms para

uma freqn ia de 60 Hz).

A queda de tenso

no diodo para polarizao direta 0.7 V. Ele s

omea a onduzir, e onsequentemente a tenso
na sada s aumenta, quando a tenso
este valor. A medida que

Vin

Vin

supera

aumenta, no sub-

i lo positivo, o apa itor se arrega at

t = T1 .

Atingido o mximo (Vs ) a tenso de sada omea

a air e o apa itor omea a des arregar lentamente.
A des arga do apa itor exponen ial e o orre
om um tempo ara tersti o RC, onde R a re-

(a) Reti ador de meia onda e (b) de

onda ompleta, om respe tivas tenses na arga (R).
Figura 6.1:

sistn ia da arga. Ela faz om que a tenso de

16

CAPTULO 6.

17

FONTES RETIFICADORAS

sada aia numa taxa muito menor que a tenso

da entrada, dada por:

Material:
- Diodo tipo 1N4007 (D)

Vo = Vh e

- Capa itor eletrolti o de 470F (C)

(tT1 )
RC

(6.1)

- D ada de resistn ias (Rd )

- Resistn ia de

Esta tenso ontinuar a air at que a queda

de tenso no diodo hegue novamente a 0.7 V, em

t = T2 .

Em outras palavras:

V1 = Vo (T2 ) = Vh e

Vr = Vh Vl = Vh (1e
onde

T = T2 T1 , e
RC T .

ida para

(T2 T1 )
RC

(6.2)

Vh Vl

) Vh

- Cabos e mesa de ontatos

Pro edimento:

(T2 T1 )
RC

Uma vez que a tenso de ripple

100(RL )

- Transformador de 120V / 2x12V

temos:

T
RC

a) Reti ador de meia onda

1. Monte o ir uito da g.6.3 e hame o professor
para onferir antes de ligar o ir uito. A resistn-

(6.3)

ia

RL = 100

apenas para limitar a orrente

na arga.

a aproximao a ima valEm termos da freqn ia

f (=60Hz) e da tenso mxima na entrada (Vs )

temos:

Vr =

Vh
Vs 0.7V
=
f RC
60Hz.RC

(6.4)

Desta equao,  a laro que a tenso do ripple

deve ser dimensionada pelo apa itor C do ltro e
que ela depende tambm da resistn ia da arga.

Figura 6.3:

Esquema do reti ador de meia onda.

OBS.: Certique-se que as polaridades do diodo

e do apa itor eletrolti o estejam orretas e
que a resistn ia da d ada nun a seja menor
que 100, sob o ris o de exploso!
2. Sem

RL

Rd

no ir uito, i.e. sem arga, mea

om o os ilos pio e om um multmetro (DC)

Tenses na entrada Vin e na sada Vout

de uma fonte reti adora de meia-onda de 5V om
ltro RC.
Figura 6.2:

a tenso ontnua no apa itor.

Compare e ex-

plique as possveis diferenas.

3. Mea a tenso de ripple na arga, ou seja, entre
o ponto A e o terra, em funo de

Parte Experimental
Objetivo:

Rd de 100 a 5k.

Rd ,

variando

No se esquea de sempre medir

a resistn ia da d ada om um multmetro.

4. Faa um gr o de tenso de ripple em funo

-Montar uma fonte reti adora de meia-onda us-

da resistn ia total da arga (R

ando um diodo de sil io.

ajuste om a eq.(6.3). En ontre os parmetros do

= RL + Rd )

-Medir a os ilao de tenso (ripple) em ima do

ajuste, e dis uta o resultado om base no mod-

valor ontnuo para este tipo de fonte e rela ion-

elo simpli ado apresentado a ima.

la resistn ia da arga do ir uito.

desvios da linearidade (aproximao da eq. 6.3).

Dis uta os

CAPTULO 6.

FONTES RETIFICADORAS

Questes (Op ional)

-Mostre que para a fonte reti adora de onda
ompleta ( om dois diodos de sil io), a tenso
de ripple dada por:

Vr =

Vh
Vs 0.7V
=
2f RC
120Hz.RC

(6.5)

-Cal ule o valor de um apa itor a ser usado em

uma fonte reti adora de onda ompleta em que
a tenso de ripple seja 1% da tenso da fonte para
uma arga de

2k.

Bibliograa

R. Boylestad, Cap. 2, Sees 2.7 e 2.8 (reti-

Horowitz, Cap. 1, Sees 1.26, 1.27 e 1.28

 adores).

18

Captulo 7

HISTERESE MAGNTICA
O que vo deve saber para fazer esta experin ia:
Diamagnetismo, paramagnetismo, e ferromagnetismo;
Utilizar gerador de sinal e os ilos pio;

podemos es rever:

~r
~ r = o M
B
onde

a magnetizao residual. Se o ampo

apli ado gradualmente intensi ado na direo

Introduo

oposta ini ial, assim, o ampo B somente se anu

lar ao apli ar um ampo igual a H , denominado
ampo oer ivo ou oer ividade. Continuando o

Vrios metais, omo o Fe, Ni e Co, e um grande

pro esso de variao do ampo apli ado, o ampo

nmero de ligas ontendo estes e outros elemen-

tos, apresentam uma alta magnetizao temper-

per orre o i lo fe hado indi ado na gura. O

i lo de histerese varia muito sensivelmente de um

atura ambiente quando submetidos a um pequeno

ampo externo.

Mr

(7.2)

material ferromagnti o para outro, e esta diver-

Nestes materiais, hamados de

sidade muito til em apli aes te nolgi as.

ferromagnti os, existe um tipo espe ial de interao entre tomos vizinhos hamado de a oplamento de tro a que faz om que os seus momentos
magnti os quem alinhados. O omportamento
de um material ferromagnti o submetido a um
ampo magnti o externo tem pe uliaridades de
grande interesse ient o e te nolgi o. Consideremos um material ferromagnti o ini ialmente
no imantado e vejamos o seu omportamento sob
apli ao de um ampo magnti o externo H'. Na
g.7.1 mostramos uma urva de histerese para o
ferro-do e, que mostra a variao do ampo B,
propor ional a sua magnetizao, em funo do
ampo apli ado. O ampo B res e muito rapidamente om H' ( urva a), ini ialmente sendo er a
4
de 10 vezes maior do que o ampo apli ado. O
valor de B, entretanto, tende a saturar em um
valor um pou o maior do que 15.000 G (Gauss)
ou 1,5 T. Se o ampo apli ado H' , ento, gradualmente de res ido, o ampo B no refaz a urva
de subida, mas de res e mais lentamente do que
res eu, pela urva b.

Para H'=0, o ampo B

permane e em um valor nito

Br ,

denominado

ampo residual, ou remann ia. Note-se que, uma

Curva de histerese para o ferro-do e.

Observe-se que o eixo horizontal representa o ampo
apli ado H = o H , que pode ser medido nas mesmas
unidades do ampo B.
Figura 7.1:

vez que:

~ = o (H
~ +M
~)
~ =H
~ + o M
B

(7.1)

19

CAPTULO 7.

(10

20

HISTERESE MAGNTICA

A oer ividade do ferro do e inferior a 1G

4
T ), ou seja, a magnetizao deste material

pode ser fa ilmente revertida.

Isto no apro-

priado, entretanto, se o objetivo fazer um im

VC . Observe a urva de
Campo(B) Campo(H ), utilizando o

a tenso do apa itor

histerese

os ilos pio no modo XY, om entradas no modo

DC. Dis uta o observado.

permanente, quando se deseja uma alta remann ia e alta oer ividade. Entretanto, o ferro do e

3) Agora om auxlio do medidor PASCO de aquisio

de grande utilidade na onstruo de transfor-

de dados, obtenha a urva de histerese, ompondo

madores, pois neste aso a histerese indesejada.

no CANAL A, a tenso no resistor

B, a tenso

Parte Experimental

VC

no apa itor de

VR1 e no CANAL
10F .

4) Mostre que o ampo riado por um solenide

de raio r om N espiras, pode ser aproximado por:

Objetivo:
Medir a urva de histerese magnti a de um ma-

H =

terial ferromagnti o e determinar os parmetros

N o I
2r

(7.3)

ara tersti os do mesmo.

5) Aproximando o ampo riado na bobina pelo

de um solenide (N = NP , H = Hmax e I =

Material:
1 gerador de udiofrequn ia da Pas o

IP max ),

1 os ilos pio

valor do ampo magnti o apli ado mximo,

utilize a equao a ima e determine o

Hmax
.

Sistema de aquisio - Pas o

Transformador (1000/10000 espiras)

6) Demonstre que:

N leo de material magnti o des onhe ido

Resistores:
Capa itor:

R1 = 56, R2 = 680
C = 10F

B=

VC R2 C
NS A

(7.4)

onde A a rea da seo reta do n leo ferromag-

Pro edimento:

nti o. Di a: Lembre-se que a tenso induzida na

VS faz ir ular uma orrente

R2 C1 (R2 = 680K, C1 = 10F ),

bobina se undria
1) Monte o ir uito da g.7.2 om as bobinas,

IS

o n leo magnti o forne ido e os resistores e a-

onde:

no ir uito

pa itores indi ados. Aplique uma tenso senoidal

VS = NS

om mxima amplitude e freqn ia entre 0,5 e 1

Hz.

B
B

.
t
t

(7.5)

Sabe-se tambm que o uxo do ampo magnti o

dado por:

B =

BdA = BA

(7.6)

Considere ainda que, no presente aso,

7) Estime o ampo mximo

Bmax

XC R .

do material

ferromagnti o atravs da expresso deduzida no

item anterior.

Figura 7.2: Cir uito a ser utilizado para medida da

urva de histerese em n leo magnti o.
2) Aplique no anal X do os ilos pio a tenso
do resistor

VR1 (56),

que diretamente propor-

ional a orrente no ir uito primrio do transformador (IP ) e, onseqentemente, propor ional ao

ampo magnti o apli ado H. No eixo Y, aplique

8) Cal ule a onstante de permeabilidade mag

nti a relativa do material m = Bmax /Hmax e

a magnetizao M = (B H )/o . Compare o

resultado de

obtido om os valores para difer-

entes materiais magnti os.

9) Determine tambm o valor do ampo oer ivo
Hc e a magnetizao residual Mr .

CAPTULO 7.

HISTERESE MAGNTICA

Bibliograa

Dispositivos Eletrni os e Teoria de Cir uitos, R. Boylestad e Louis Nashelsky 

Cap. 18.

Medidores e Provadores Eletrni os, Joseph

A. Risse.
ABC da Eletrni a, Farl J. Waters.
Fsi a, D. Halliday, R. Resni k and John
Merril - Vol. 3 - Cap. 37. - Propriedades
Magnti as da Matria

Fsi a, Alaor S. Chaves, vol. 2 - Cap. 22,

Materiais Magnti os.

21

Captulo 8

CARGA MASSA
O que vo deve saber para fazer esta experin ia:
Fora de Lorentz;
Campo magnti o gerado por bobinas de Helmholtz.

ten ial

Introduo

Substituindo o valor de

Os eltrons so a elerados atravs de um po-

V , ganhando assim energia inti a.

forma:

eV =

1
mv 2
2

Desta

(8.5)

v da equao 8.4 na equao

8.5, obtemos:

A razo arga/massa do eltron foi determinada

pela primeira vez por J. J. Thomson em 1897

eV =

utilizando-se um tubo de raios atdi os. Atravs

2

1
eBr
.
m
2
m

(8.6)

de uma diferena de poten ial, ele a elerou eltrons

Rearranjando a equao anterior, temos que:

gerados por um lamento aque ido dentro do tubo

e mediu a deexo no feixe gerada por um ampo
magnti o.

2V
e
= 2 2
m
B r

Por ser muito dif il medir direta-

mente a massa do eltron, a des oberta de Thom-

(8.7)

son mostrou-se de onsidervel importn ia.

~m ) que atua em uma

A fora magnti a (F

part ula om arga q movendo-se om velo idade

~v

dentro de um ampo magnti o uniforme

~
B

Parte Experimental

dada pela equao:

~
F~m = q(~v B),
onde

F~m , ~v

~
B

so vetores.

Objetivo:

(8.1)

Determinar o valor da razo arga/massa (e/m)

de um eltron.

Considerando um

feixe de eltrons perpendi ular a um ampo mag-

Material:

nti o, a equao 8.1 pode ser es rita omo:

-bobina de Helmholtz

Fm = evB,

-tubo de raios atdi os (vlvula)

(8.2)

- abos
em que

e a arga do eltron.

Como a fora mag-

-fontes de tenso para valvula

nti a atua perpendi ularmente velo idade dos

-fonte de orrente para bobina

eltrons, estes des revem uma trajetria ir ular.

Assumindo que a ni a fora atuando sobre eles

Aparato

seja a magnti a, temos:

O aparato a ser utilizado similar ao usado por J.

J. Thomson. Um esquema mostrado na g.8.1.

Fm = Rc

(8.3)

Ele onsiste de duas bobinas de Helmholtz mon-

(8.4)

se en aixa um tubo de raios atdi os (feixe de

tadas numa base tendo no entro um soquete onde

evB =
em que

Rc

do eltron,

eBr
mv
v=
r
m

a resultante entrpeta,

sua velo idade e

eltrons).

a massa

Uma fonte forne e uma tenso de 6V (AC ou

o raio da tra-

DC) para o aque imento do lamento/ atodo do

jetria.

22

CAPTULO 8.

23

CARGA MASSA

tubo, sendo que a orrente de lamento pode ser

Ateno todos os pontos negativos devem estar

ajustada no reostato.

ligados ao ponto terra. Chame o professor para

O atodo aque ido emite

eltrons que so a elerados e olimados pelos po-

veri ar as ligaes.

ten iais positivos de grade (G) e pla a (P) (poten iais positivos em relao ao atodo), ujos val-

2) Mea o poten ial de a elerao (tenso entre

ores podem ser ajustados pelos poten imetros.

o lamento e a pla a) e a orrente que ir ula na

Alguns dos eltrons a elerados passam pelos

bobina para vrios valores do raio da trajetria.

orif ios de grade e de pla a des revendo ento

Lembrando que os quatro anis on ntri os mar-

uma trajetria ir ular, sob efeito do ampo uni-

ados sobre um alvo ujos raios so de 0.5, 1.0,

forme B produzido pelas bobinas de Helmholtz,

1.5 e 2.0 m.

B1 e B2, ujos raios so iguais distn ia entre elas. A orrente destas bobinas, i, ajustada

3) Determine o valor mdio da razo arga/massa

pelo reostato ou diretamente na fonte.

e a sua respe tiva in erteza.

No ul-

trapasse 4A. A trajetria ir ular dos eltrons

visualizada pela ionizao de um gs existente na

4) Dis uta as fontes de desvio e impre iso dessa

vlvula. O dimetro da trajetria dos eltrons

medida.

ajustado (variando a intensidade do ampo eltri o

ou a tenso de a elerao do feixe) para um dos
quatro anis on ntri os mar ados sobre um alvo
ujos raios so de 0.5, 1.0, 1.5 e 2.0 m.

Fonte Preta para apli ao da tenso na

bobina para gerao do ampo magnti o. Ateno
use no mximo uma orrente de 4A.

Figura 8.2:

Esquema ilustrativo do aparelho para

medida da razo arga/massa do eltron.

Figura 8.1:

Questo
Demonstre que o ampo magnti o B produzido
no meio das bobinas dado por:

B=
onde

N o i
(5/4)3/2 a

(8.8)

o numero de espiras da bobina de Helmholtz,

a permeabilidade magnti a do ar,

rente eltri a na bobina e

a or-

o raio da bobina.

Pro edimento:

Bibliograa

Use a fonte preta

uitos, R. Boylestad e Louis Nashelsky 

Medidores e Provadores Eletrni os, Joseph

ABC da Eletrni a, Farl J. Waters.

para apli ar a tenso nas bobinas para a gerao do ampo magnti o.

Dispositivos Eletrni os e Teoria de CirCap. 18.

1) Faa as ligaes de a ordo om as espe i aes dos desenhos abaixo.

Figura 8.3: Fonte Phywe para apli ao da tenso

na Grade, pla a e lamento. Ateno todos os pontos
negativos devem estar one tados entre si, e ligado no
ponto terra.

Use a fonte Phywe

para apli ar a tenso na grade, pla a e lamento.

A. Risse.

Captulo 9

EFEITO HALL
O que vo deve saber para fazer esta experin ia:
Fora de Lorentz;
Prin pios bsi os de transporte em materiais
semi ondutores.

ular ao ampo e velo idade, om magnitude

~.
F~ = q~v B

Para o aso parti ular das direes

indi adas na g.9.1, onsiderando-se eltrons (q

e)

Introduo

omo portadores de arga majoritrios, e

+z , e tendo em mente que v

x, para um eltron, F~ ser na
y , e om magnitude Fy = evx Bz .

=
~
B

no sentido

no sen-

tido de

direo

de

A medida quantitativa das on entraes de por-

Q1) Mostre que de maneira anloga se os por-

tadores e sua mobilidade de vital importn ia

tadores majoritrios forem bura os (q

para o onhe imento de materiais, em parti ular

tambm ser no sentido de

os semi ondutores.

Um dos mtodos mais bem

= +e), Fy

y .

estabele idos para isso baseado no Efeito Hall,

A fora

des oberto por E. H. Hall em 1880.

bura os) a se urvar, omo mostrado pela linha

Quando uma orrente atravessa um ondutor,

Fy

leva a trajetria dos eltrons (e dos

tra ejada na g.9.1, on entrando os eltrons na

imerso em um ampo magnti o perpendi ular

superf ie da frente da amostra (fa e 1), se o

direo do uxo de arga, um ampo eltri o

semi ondutor for tipo-n (ou bura os se for tipo-

gerado, o qual por sua vez tambm perpendi -

p).

Como resultado, surge um ampo eltri o

ular a ambos: orrente e ao ampo magnti o.

Ey

(o ampo Hall) a apontar para frente para

Esse ampo eltri o pode ser dete tado omo uma

eltrons (ou seja,

diferena de poten ial entre eletrodos adequada-

o aso dos portadores serem bura os. Esse ampo

Ey

negativo), e vi e-versa para

mente olo ados, e propor ional s magnitudes

gera uma nova fora

da orrente e do ampo magnti o. A g.9.1 ilus-

ra o), apontando para trs.

tra esquemati amente o fenmeno.

anado quando a fora magnti a

qEy

em ada eltron (ou buO equilbrio al-

Fy

e a fora

eltri a gerada pelo ampo Hall (qEy ) se igualam,

i.e.:

Ey = vx Bz

(9.1)

O ampo Hall (Ey ) gera um poten ial entre as

fa es 1 e 2 que pode ser medido externamente,
hamado poten ial Hall,

UH = Ey a.

(9.2)

Desde que portadores de arga negativos e pos-

Ilustrao geomtri a dos ampos e dos

ontatos na amostra para a medida do efeito Hall.

Figura 9.1:

itivos em semi ondutores movem-se em direes

opostas, ambos so deetidos na mesma direo.
O tipo de portador de arga ausador do uxo de

O efeito Hall surge porque, se uma part ula

orrente pode ser, portanto, determinado a partir

q se move om velo idade v em um ampo

~ , ela experimagnti o de densidade de uxo B

de arga

da polaridade da tenso Hall. Para isto basta onhe er a direo da orrente e a direo do ampo

menta uma fora (fora de Lorentz) perpendi -

24

CAPTULO 9.

25

EFEITO HALL

magnti o.
Segundo o modelo de Drude, pode-se supor

Q3) A partir das equaes a ima, demonstre que

que os eltrons tm uma velo idade de deslo a-

em uma medida Hall a mobilidade pode ser de-

mento uniforme na direo x, vx. Assim, a den-

terminada por

= RH

sidade de orrente na direo x dada por:

Jx = qe vx n

(9.3)

sendo n a densidade de portadores por unidade

de volume.
A razo entre o ampo Hall e o produto da
densidade de orrente pelo ampo magnti o apli ado denida omo oe iente Hall,

RH =

RH .

vx Bz
1
Ey
=
=
B z Jx
Bz qe vx n
qe n

Parte Experimental
Objetivo:
Estudar o efeito Hall em um material semi ondutor;

(9.4)

Determinar parmetros omo mobilidade e on entrao de portadores em um material semi-

Nota-se na eq. 9.4 que a densidade de portadores

pode ser determinada a partir da medida Hall.

ondutor.

Material:

Q2) Mostre que o oe iente Hall tambm pode

-sensor Hall

ser es rito omo:

-milivoltmetro

RH =

(9.9)

-voltmetro

UH .d
B.I

(9.5)

- abos
- apa itor eletrolti o, resistores, poten imetro

Tal relao indi a que a onstante Hall,

RH ,

pode ser obtida de duas maneiras; a partir da

-fontes de tenso

medida da dependn ia linear da tenso Hall em

Aparato

funo da orrente apli ada, mantendo-se o ampo

Um esquema da montagem experimental a ser

B apli ado xo; ou ento, xando-se a orrente

utilizada mostrada na g. 9.2. O sensor Hall

apli ada e medindo-se a dependn ia da tenso

deve ser uidadosamente olo ado no interior da

Hall om o ampo B apli ado.

bobina magnti a. A orrente de ontrole vem da

Alm do sinal e densidade dos portadores, a

sada de tenso alternada da unidade de ontrole,

medida do poten ial Hall (UH ) pode forne er um

atravs da ponte reti adora de diodos. Para se

parmetro importante que a mobilidade dos por-

fazer isto, o reti ador one tado por um lado

tadores, que est asso iada a fa ilidade de deslo-

ao soquete inferior da fonte e por outro ao soquete

amento dos portadores sob a ao de um ampo

mar ado 15V sobre o seletor a ima dele.

eltri o externo. A mobilidade

denida omo

a razo entre velo idade mdia dos portadores e o

Um ondensador eletrolti o one tado sada

do reti ador para suavizao do sinal (note a po-

ampo externo apli ado. No aso da g.9.1, para

laridade). A orrente de ontrole apli ada om

os eltrons temos que:

a ajuda do poten imetro ao ristal semi ondutor.

vx = Ex

(9.6)

que a densidade de orrente depende do ampo

externo omo

onde

(9.7)

a ondutividade do material, que pode

(l ), de sua seo transversal (A) e de sua resistn-

R0 ,

via

l
R0 A

one tada em

a ima do mximo permitido de 7mA no sensor.

Para evitar problemas de ontato, o sensor
Hall (modelo KSY 14 da Siemens-Inneon) foi

ser al ulada a partir do omprimento da amostra

ia

330

tor e assim prevenir uma sobre arga de orrente

Por outro lado, segundo a lei de Ohm, sabemos

J = E,

Uma resistn ia de

srie para limitar a orrente no ristal semi ondu-

(9.8)

one tado a um soquete de onde saem 4 abos

que permitem a passagem da orrente e a leitura
da tenso Hall.
Os abos para a passagem da orrente de ontrole devem ser one tados onforme indi ado na
g. 9.2. O poten imetro de

560

deve ser ajus-

tado para obter-se uma orrente na faixa dos 5.0

CAPTULO 9.

26

EFEITO HALL

listadas na tabela 9.1.

Comprimento (l)
Largura (a)
Espessura (d)
Resistn ia (R0 )

0.35mm
0.35mm
0.30m
1.0k

Tabela 9.1: Cara tersti as do ristal do sensor Hall

KSY 14. Ver g 9.1.

Figura 9.2:

Esquema da montagem experimental.

mA. A tenso Hall medida por um multmetro

digital de alta resistn ia.

b) Medida da tenso hall versus orrente

3) Agora mea a tenso Hall em funo da orrente para um ampo magnti o onstante tem-

O ampo magnti o produzido pelas duas

bobinas one tadas em srie, alimentadas pela

peratura ambiente (es olha um ampo magnti o

alto 200mT, por ex.).

sada DC da fonte prin ipal. a onselhvel para

este propsito xar a limitao de voltagem no

4) Faa um gr o da tenso Hall versus orrente

valor mximo, na fonte de orrente, e ajustar

de ontrole. Tambm a partir destes dados al-

o ampo magnti o no valor desejado usando-

ule mobilidade Hall

se apenas o boto de ontrole da orrente.

tadores, de a ordo om os dados da 9.1.

e a on entrao de por-

fonte de alimentao age ento omo uma fonte

de orrente onstante, assegurando que variaes

5) Compare os valores de

na temperatura induzidas pelas variaes na re-

mtodos (tens 2 e 4) e tambm om o valor tabelado

sistn ia no afetem a intensidade do ampo.

para o GaAs (Ver artigo olo ado sobre a ban-

A induo magnti a do ampo medida pelo

obtidos pelos dois

ada, ou pro ure na literatura). Dis uta.

Teslammetro, om a sonda Hall olo ada na regio

entral de apli ao do ampo magnti o aps
o aparato ter sido ajustado, isto , zerado sem
ampo.

Pro edimento:
a) Medida da tenso hall versus ampo magnti o
Esta parte da experin ia onsta em medir a tenso Hall de um ristal de arseneto de glio, GaAs
(sensor Hall KSY 14), em funo do ampo magnti o (B) temperatura ambiente, mantendo-se
onstante a orrente de ontrole em 5mA.
1) Mea a tenso transversal em funo do ampo
magnti o para ambas as direes de B (para isso
inverta o sentido da orrente de alimentao da
bobina). Faa um gr o da tenso Hall versus
ampo magnti o B.
2) A partir destas medidas, al ule a mobilidade
e a on entrao de portadores no material analisado. As dimenses e a resistn ia do sensor so

Bibliograa

P. B. Allen, Ele tri al ondu tivity. Physi s

Tea her, 17, 362 (1977).
S. M. Rezende, Materiais e Dispositivos Eletrni-

os, Ed. Livraria de Fsi a, So Paulo 2004.

Captulo 10

DIODOS SEMICONDUTORES
O que vo deve saber para fazer esta experin ia:
Fora de Lorentz;
Prin pios bsi os de transporte em materiais
semi ondutores.

ligam fortemente (ligao ovalente) aos dos tomos vizinhos, e temperatura ambiente somente
alguns se tornam eltrons livres. A on entrao
intrnse a de argas livres (de onduo) numa
dada temperatura mais elevada no germnio do
que no sil io, porque a largura da banda de en-

Introduo

ergia proibida (Eg ) mais estreita no germnio

(0,67 eV) do que no sil io (1,14 eV).

Dispositivos baseados eletrni os baseados em materiais semi ondutores in luem, dentre outros, transistores, reti adores (diodos), moduladores, dete tores, termistores, foto lulas.

De um modo

geral, o que se  ontrola em um dispositivo semi ondutor a sua resistividade. O exemplo mais
simples seria o diodo semi ondutor, o qual apresenta uma resistn ia muito baixa quando polarizado numa direo e resistn ia muito elevada
( omportando-se omo isolante) quando polarizado
inversamente.
Um semi ondutor altamente puro onhe ido
por semi ondutor intrnse o. A ondutividade intrnse a (para distingui-la da ondutividade provo ada por impurezas) prati amente nula a tem-

(a) Semi ondutor tipo N om a banda

de energia Ed prxima ao fundo da banda de onduo; (b) Semi ondutor tipo P om a banda de energia Ed prxima banda de valn ia.

peraturas prximas do zero absoluto. medida

Figura 10.1:

que a temperatura aumenta, os eltrons  am

termi amente ex itados e passam da banda de
valn ia para a banda de onduo.

Tanto os

eltrons da banda de onduo quanto os bura os

Adi ionando-se pequenas quantidades de im-

deixados na banda de valn ia ontribuem para

a ondutividade eltri a.

purezas pentavalentes (p. ex. Sb, As, P) ao Si ou

Nos metais, a banda

de valn ia no ompletamente heia, e a ex-

Ge, um dos eltrons de valn ia no toma parte

istn ia de estados deso upados na imediata viz-

na ligao, tornando-se livre fa ilmente e aumen-

inhana energti a dos eltrons de mais alta ener-

tando assim a ondutividade do semi ondutor.

gia na banda leva a uma alta ondutividade. Os

Este material (dopado) ser onhe ido por semi-

isolantes, por outro lado, tm alta resistividade,

ondutor extrnse o tipo N, e os prin ipais por-

pois o gap de energia grande demais para ser

tadores de arga so os eltrons.

ven ido por ex itao trmi a.

tor extrnse o tipo P obtido adi ionando-se ao

O semi ondu-

semi ondutor tetravalente uma impureza triva-

Os semi ondutores mais utilizados pela indstria eletro-eletrni a so o germnio (Ge) e o sil-

lente (p.

io (Si) do grupo IV da tabela peridi a.

Os

eltron (bura o) pode transferir-se de um tomo a

quatro eltrons de valn ia destes materiais se

outro, aumentando tambm a ondutividade pela

27

ex.:

B, Ga, In).

A ausn ia de um

CAPTULO 10.

28

DIODOS SEMICONDUTORES

presena desta  arga positiva mvel.

Em um

O diodo do estado slido um dispositivo obtido

semi ondutor tipo P, os prin ipais portadores de

quando num mesmo ristal riada uma regio P

arga so os bura os.

e outra N adja entes, se ongurando a juno

Eltrons livres e bura os esto sempre sendo

riados e se re ombinando em um semi ondutor.
Seu nmero mdio , entretanto, onstante para

PN (g.

10.2).

Atravs da interfa e da juno

haver a difuso de argas negativas na direo

N P

e de bura os na direo

P N,

om

erta temperatura. Em um semi ondutor N (P)

uma distribuio de argas omo mostrado na g.

os portadores majoritrios so os eltrons (bura-

10.2. Essa distribuio gera um ampo eltri o e

os) e os minoritrios so os bura os (eltrons).

poten ial des ritos pelos gr os da mesma gura.

A adio de impurezas N equivale riao de

O resultado que nesta regio de depleo da

um nvel de energia dis reto

Ed

(d = doador)

tambm onhe ido omo nvel doador, prximo

ao fundo da banda de onduo, sendo

Ed

juno PN o esquema de nveis de energia  ar

omo mostrado na g. 10.3a.

signi-

 ativamente menor do que o gap do material

intrnse o (veja g. 10.1a). Uma pequena quantidade de energia (p.ex., agitao trmi a) ser su iente para promover esses eltrons para a banda
de onduo e permitir sua onduo no ristal. O
resultado que temperatura ambiente existir
um grande nmero de portadores (eltrons) no
nvel de onduo, e a ondutividade do material
aumenta signi ativamente.

O Si intrnse o,

temperatura ambiente, possui aproximadamente

12
um eltron livre para ada 10
tomos (1 para
9
10 para o Ge). Se o nvel de dopagem fosse 1:107 ,
12
7
5
a relao (10 /10 = 10 ) indi aria que a on en5
trao de portadores aumentou um fator 10 : 1.

Figura 10.3: Diodo (a) sem tenso apli ada (b) em

polarizao direta ( ) e em polarizao inversa.

Se polarizarmos a juno PN na direo

P N,

omo na g. 10.3(b), ou seja, apli armos um poten ial positivo no lado P em relao ao lado N,

riaremos um ampo externo que tende a desfazer

a distribuio de argas da g. 10.2. A largura da
regio de depleo ser diminuda, assim omo, a
diferena de altura (energia) entre os lados P e
N. Neste aso, o uxo de portadores minoritrios
no muda, porm a reduo na largura da regio
de depleo ausa um uxo majoritrio intenso

Esquema de uma juno P-N om gr os esquemti os para a distribuio de argas, ampo
eltri o, poten ial ao longo da juno.
Figura 10.2:

atravs da juno.

O uxo de portadores ma-

joritrios aumentar exponen ialmente om o aumento da polarizao direta, omo ser veri ado
experimentalmente.
A polarizao ser reversa omo na g. 10.3( )

CAPTULO 10.

29

DIODOS SEMICONDUTORES

se apli armos um poten ial negativo no lado P e

Para a regio de polarizao direta um diodo

positivo no lado N. Neste aso a largura da regio

real, a orrente I em funo da tenso apli ada

de depleo aumenta, se estabele endo uma grande

obede e equao empri a:

barreira para os portadores majoritrios ven erem

I = IS (ekV /T 1)

e o uxo de orrente ai a quase zero.

A gura 10.4 mostra o smbolo usado para representar um diodo e sua urva ara tersti a de
orrente em funo da tenso apli ada,

I V

para

um diodo ideal. Na gura 10.5 est mostrado o

omportamento

IV

de um diodo real em po-

larizao direta e reversa.

(10.1)

onde:

Is - orrente de saturao inversa

T - Temperatura (K)
k = 11.600/ om = 1 para o Ge

e 2 para o Si.

Questes:
1) Quais diferenas vo en ontra entre esse diodo
real (g.10.5) e o diodo ideal (g. 10.4)?
2) Com relao urva

I V

(g.10.5), explique

o apare imento das regies A, B, C e D.

3)Que fatores inuen iam a forma da urva I(V)
de um diodo?

Use a relao 10.1 para sua dis-

usso.

Figura 10.4:

Diodo Ideal (a) smbolo (b) urva I V .

Parte Experimental
Objetivo
Cara terizao eltri a de diodos baseados em materiais semi ondutores.

Material
H diversos tipos de diodo, ada qual om sua
funo: reti ador, reti ador ontrolado (SCR),
Zener, emissor de luz (LED), de apa itn ia varivel (vari ap), tnel et . Nesta aula sero vistos
os seguintes diodos:
- diodo de sil io;
- diodo de germnio;
- diodo emissor de luz  LED;
- diodo Zener.

Pro edimento
1) Utilize um multmetro analgi o e verique
(anote) a ordem de grandeza das resistn ias direta e inversa dos quatro diodos a ima des ritos.
Varie a es ala do multmetro, observe e explique.
2) Monte o ir uito em srie da g. 10.6 om um
diodo de sil io e um resistor de 1

k.

Aplique

uma tenso senoidal de um gerador de udio. No

Figura 10.5:

Curva I V de um diodo real de sil io.

ultrapasse 5 V.

CAPTULO 10.

DIODOS SEMICONDUTORES

Figura 10.6: Cir uito em srie: gerador de sinais,

diodo, resistn ia.

3) Com auxlio do medidor PASCO de aquisio

de dados, obtenha as urvas I(t) e V(t), apli ando
no CANAL A, a tenso do diodo e no CANAL B,
a tenso do resistor. Na dvida onsulte o professor. Observe e dis uta. Lembre-se que a tenso
no resistor diretamente propor ional orrente
que passa no ir uito.
4) Fazendo o gr o do CANAL B

CANAL

A, que urva observada? Compare essa urva

om a da g. 10.5.
5) Levante a urva I(V) para os trs outros diodos
a ima: Ge, LED e Zener.
6) Atravs da urva I

V, determine o valor da

orrente de fuga e a tenso de ativao do diodo.

7) Faa um ajuste da funo I(V) segundo a equao
empri a 10.1 para o diodo de sil io e determine
o fator

Bibliograa

Captulo 14 do vol.

III de "Le tures on

Physi s", R. P. Feynman.

Introduo a Fsi a do Estado Slido, C.
Kittel.
Dispositivos Eletrni os e Teoria de Cir uitos, R. Boylestad e Louis Nashelsky 
Cap. 18.

30

Apndi e A

INTRODUO TERICA A
CIRCUITOS DE CORRENTE
ALTERNADA
extremamente re omendvel que
antes de ini iar os experimentos en-

VR = Vo sen(.t) = R.io sen(.t) (A.3)

volvendo ir uitos R L e C, se faa

uma reviso do Captulo 26, p. 182
197 do Livro Fsi a, Vol. 2, Alaor

onde io e Vo so as amplitudes mximas

da orrente e da tenso e f a frequn ia
em Hertz (Hz) ou s1 , e a frequn ia
angular em rad/s.
A relao de fase entre a orrente e a
tenso no resistor em um tempo t qualquer, pode ser visualizada no diagrama
de fasores (inserido na gura 1(b)). Este
nada mais do que um diagrama XY, em
que a tenso VR e a orrente iR no resistor
so asso iados a vetores omplexos V~R e
I~R , girando om uma freqn ia = 2f .
Notadamente, a diferena de fase entre a
a orrente e a tenso zero em um ir uito resistivo puro. Neste aso omum
se dizer que "a tenso e a orrente esto
em fase".

Chaves.

Em um ir uito de orrente alternada

(AC), os eltrons de um ondutor metli o
uem num sentido somente por um urto
intervalo de tempo, aps o qual invertem
o sentido do uxo, voltando depois ao anterior, e assim su essivamente. Por exemplo, se uma tenso senoidal de 60 Hz
existem 120 inverses por segundo.

A.1 CIRCUITO RESISTIVO

Se uma resistn ia R per orrida por uma
orrente (gura A.1a) dada pela equao
(A.1), haver uma queda de tenso VR
dada pela expresso (A.3), que evidentemente est em fase om a orrente i (ver
gura A.1b):
i = io sen(.t)

(A.1)

= 2f

(A.2)

onde

Como expli ado na experin ia 1, o valor

efetivo de uma orrente (ou tenso) alternada equivalente ao valor que dissipa
numa resistn ia a mesma potn ia de uma
orrente ontnua de mesmo valor. O valor
efetivo , naturalmente, um valor onstante.
A energia dissipada W da orrente alternada em um perodo T que passa pelo re31

APNDICE A.

INTRODUO TERICA A CIRCUITOS DE CORRENTE ALTERNADA

32

az dada por:
i2ef

 2Z T
i
sen2 (.t)dt.
= o
T
0

(A.6)

Fazendo os l ulos, temos:

ief

 
2
=
io = 0.707io
2

(A.7)

Analogamente, temos que a tenso e az

dada por:
Vef

(a) Cir uito AC resistivo. (b) Forma de

onda da tenso e da orrente no resistor e diagrama
de fasores mostrando a relao de fases.

Figura A.1:

sistor R a ima ser dada por:

W =R

i2o sen2 (.t)dt.

(A.4)

Seja ief , o valor efetivo da orrente,

ento temos:
W = Ri2ef T.

(A.5)

Comparando (A.4) e (A.5), a orrente e-

 
2
Vo = 0.707Vo
=
2

(A.8)

APNDICE A.

INTRODUO TERICA A CIRCUITOS DE CORRENTE ALTERNADA

A.2 CIRCUITO INDUTIVO

Na gura A.2(a) mostramos um ir uito
indutivo, em que uma orrente senoidal
passa atravs de um indutor L no sentido
res ente da esquerda para a direita.

33

itivo em relao ao "lado direito". O efeito

resultante ser uma queda de poten ial
atravs do indutor igual a:
VL = L

diL
dt

(A.9)

onde VL a queda de poten ial atravs

do indutor. Derivando a equao (A.1)
teremos:
VL = L

diL
= L[.io cos(t)]
dt

VL = L.io sen(.t + 90o ).

(A.10)
(A.11)

Comparando as equaes (A.1) e (A.11),

vemos que h uma diferena de fase de
90o entre a tenso e a orrente no indutor,
sendo assim, a tenso indutiva est sempre adiantada em relao a orrente. O
ra io nio para a orrente uindo no sentido ontrrio leva ao mesmo resultado.
o que mostra as formas de onda e o diagrama de fasores da gura A.2b.

(a) Cir uito AC indutivo. (b) Forma de

onda da tenso e da orrente no indutor; e diagrama
de fasores mostrando a relao de fases.
Figura A.2:

No indutor riada uma f.e.m. que

tende a fazer a orrente uir no sentido
oposto (da direita para a esquerda). Assim, o "lado esquerdo"do indutor  a pos-

APNDICE A.

INTRODUO TERICA A CIRCUITOS DE CORRENTE ALTERNADA

A.3 CIRCUITO CAPACITIVO

Consideremos um ir uito DC apa itivo.
No instante em que o ir uito fe hado,
haver ir ulao de uma orrente ontnua
at que as pla as do apa itor atinjam o
poten ial forne ido pela fonte. A partir
deste instante en erra-se a passagem da
orrente. Em um ir uito de orrente alternada (AC) omo o mostrado na gura
A.4a, as pla as arregam-se alternadamente
om argas ontrrias. Existe, portanto,
uma ontinua ida e volta de argas no ir uito, e onsequentemente uma orrente
alternada.

34

A orrente no apa itor dada pela expresso:

ic =

dQ
dVC
=C
.
dt
dt

(A.12)

Se a tenso apli ada for:

VC = Vo sen(t),

(A.13)

a orrente ser dada por:

iC = CVo cos(t)

(A.14)

iC = CVosen(t + 90o ).

(A.15)

Vemos portanto, que a tenso se atrasa

em relao orrente de um ngulo de fase
de 90o . Esta situao representada nas
formas de onda mostradas gura A.4b e na
representao fasorial inserida na gura.

Figura A.3: (a) Cir uito AC apa itivo. (b) Forma

de onda da tenso e da orrente no apa itor; e diagrama de fasores mostrando a relao de fases.

APNDICE A.

INTRODUO TERICA A CIRCUITOS DE CORRENTE ALTERNADA

A.4 CIRCUITO RLC

Exer io 1:

No ir uito RLC em srie mostrado na

gura 4(a), a tenso apli ada igual
soma dos vetores omplexos relativos s
tenses em ada elemento
~ = V~ = V~R + V~L + V~C

35

(A.16)

nos dando:
V = Vr sen(.t) + (VL VC )cos(.t)

(A.17)

Mostre que estas tenses

podem ser tratadas omo vetores.
Uma vez que estas tenses omplexas
podem ser tratadas omo vetores, seus mdulos podem ser tanto os valores e azes
quanto os valores pi o-a-pi o. A representao fasorial do ir uito vista na gura
4(b). O valor do mdulo da tenso total
dado por:
q
V = VR2 + (VL VC )2

(A.18)

Exer io 2:

Verique se a tenso nos

extremos de um elemento pode ser maior
que a tenso apli ada.
No ir uito RLC, a orrente omplexa
dada pela expresso:
I=

Cir uito RLC: representao fasorial em

um instante t qualquer.

Figura A.4:

V
Z

(A.19)

onde Z a impedn ia omplexa do ir uito, que uma grandeza omplexa anloga

resistn ia. De fato, sempre se tem I =
V /R num ir uito puramente resistivo, entretanto, se houver indutn ias e apa itn ias em srie om R, sempre se ter Z.
Exer io 3: Demonstre que o valor absoluto da impedn ia omplexa :

Z=

R2 + (XL XC )2

(A.20)

onde XL = L e XC = (C)1 so as
reatn ias indutiva e apa itiva do ir uito
(medidas em Ohms), respe tivamente.
Exer io 4: Verique que nos extremos
do indutor ou apa itor tem-se sempre que:

I=

Figura A.5: (a) Cir uito AC apa itivo. (b) Forma

de onda da tenso e da orrente no apa itor; e diagrama de fasores mostrando a relao de fases.

VC
VL
V
=
=
Z
XL
XC

(A.21)

Como visto a ima, em um ir uito srie

RLC de orrente alternada, a tenso VR no
resistor e a orrente esto em fase; a tenso no apa itor VC se atrasa 90o; e a ten-

APNDICE A.

INTRODUO TERICA A CIRCUITOS DE CORRENTE ALTERNADA

so no indutor VL adianta 90o em relao a

orrente. Alm disto, estas tenses, bem
omo a orrente a a tenso total no ir uito, podem ser representadas na forma
de fasores, ou vetores em um plano omplexo.
Exer io 5:

Mostre que a diferena de

fase entre a tenso e a orrente em um
ir uito RLC dada pela equao:
tan =

XL XC
R

(A.22)

onde R a resistn ia, XL e XC so as

reatn ias indutivas e apa itivas, respe tivamente.

36

Apndi e B

CONSTANTES FSICAS E PREFIXOS

ALGUMAS CONSTANTES FSICAS
Constante

Carga elementer
Velo idade da luz no v uo
Massa de repouso do eltron
Constante de permissividade do v uo
A elerao da gravidade no laboratrio
Constante de permeabilidade do v uo
Constante de Plan k
Constante molar dos gases
Nmero de Avogrado
Constante de Boltzmann

Smbolo Valor Cal ulado

e
1, 602 1019 C

3, 00 108 m/s
me
o

h
R

NA

9, 11 1031 Kg
8, 85 1012 F/m
(9, 78 0, 01)m/s2
1, 26 106 H/m
6, 63 1034 J.s

8,31 J/mol.K

6, 02 1023 /mol
1, 38 1023 J/K

ALGUNS PREFIXOS
Fator
1

10
102
103
106
109
1012
1015
1018

Prexo Smbolo
De a
d
He to
h
Quilo
k
Mega
M
Giga
G
Tera
T
Peta
P
Exa
E

Fator
1

10
102
103
106
109
1012
1015
1018

37

Prexo Smbolo
De i
D
Centi

Mili
m
Mi ro

Nano
n
Pi o
p
Femto
f
Atto
A