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La combinazione combina ione di alti ingrandimenti, ingrandimenti alta risoluzione, risol ione larga ampiezza ampie a del fuoco f oco e facile preparazione e osservazione del campione rende il SEM uno degli strumenti pi affidabili e pi semplici da utilizzare per lo studio e la diagnostica delle difettosit nei componenti elettronici.
MO Range di ingrandimento Risoluzione Ordinaria Per osservazioni accurate Limite Profondit di campo 5m 0,2m 0 1m 0,1 0,1mm a 10x m a 100x Ambiente
versatile
SEM 10-10000
TEM 1000-1000000
1-1000
5nm 1nm 0 2nm 0,2nm limitata allo spessore del film limitata allo spessore del film
richiede il vuoto (0,03Pa)
Confronto tra la micrografia ottica (a) e SEM (b) di un radiolare Trochodiscus Longispinus. Sono evidenti la profindit di fuoco ed il superiore potere risolutivo
Gli elettroni emessi dal catodo vengono accelerati da un elettrodo forato (1 30kV) Un sistema di lenti elettromagnetiche focalizza il fascio Un sistema di bobine di scansione d fl deflette il f fascio i che h colpisce l i sequenzialmente la superficie del campione. Gli elettroni l tt i del d l fascio f i interagiscono i t i con il il campione dando luogo vari effetti (es SE o BSE). Un detector U d t t rivela i l il segnale l e lo l invia i i ad uno schermo.
Microscopia elettronica:
Parti principali
La sorgente L t di illuminazione: ill i i il cannone elettronico l tt i Il sistema per il vuoto spinto Le lenti elettromagnetiche (1 o pi a seconda dello strumento) Le bobine di deflessione La lente obiettivo I rivelatori di segnale Il sistema di trasformazione dei segnali in immagini La camera porta-campioni
Microscopia elettronica:
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H=B/
= permeabilit magnetica
Microscopia elettronica:
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cross over
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Microscopia elettronica a scansione Parametri da controllare saturazione del fascio tensione ingrandimento dimensione del fascio
Importanti parametri
Sorgente degli elettroni Focalizzazione del fascio interazione elettroni con la materia Detectors Preparazione del campione Manualit