06/03/13

ESCUELA POLITCNICA NACIONAL DEPARTAMENTO DE AUTOMATIZACIN Y CONTROL INDUSTRIAL

Practica No 5

TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO (MOSFET)

1. OBJETIVO 1.1. Disear el circuito de control para un MOSFET de potencia. 1.2. Conocer las caractersticas de conmutacin de los MOSFETs

2. MARCO TERICO

El MOSFET de potencia (Metal Oxide Semiconductor, Field Effect Transistors) difiere del transistor bipolar de juntura en principios de operacin, especificaciones y funcionamiento. Las caractersticas de operacin de los MOSFETs son superiores a las de los transistores bipolares de juntura: tiempos de conmutacin ms rpidos, circuito de control simple, no segunda avalancha, posibilidad de colocarse en paralelo, ganancia estable y amplio rango de respuesta de frecuencia y temperatura.

Figura 5.1

En un MOSFET un voltaje positivo aplicado al gate de un MOSFET tipo-N crea un campo elctrico en la regin del canal debajo del gate, la carga elctrica en el gate provoca la conversin de la regin P en una regin N, en este momento el elemento deja de ser un elemento PNP y la corriente fluye a travs de un cuerpo de semiconductor tipo N. Por esta razn el principio de funcionamiento del MOSFET es completamente distinto al de los TBJ. El MOSFET de potencia es un dispositivo controlado por voltaje (si bien lo ms apropiado es sealar que es un elemento controlado por carga) a travs del terminal gate, el que est elctricamente aislado del cuerpo de silicio por una delgada capa de dixido de silicio (SiO2). Por el aislamiento de la compuerta la corriente que ingresa en el gate es pequea lo que hace que el circuito de control no deba entregar valores considerables de corriente, ventaja importante con respecto al TBJ. Al ser un semiconductor de portadores mayoritarios, el MOSFET opera a mayor velocidad que un transistor bipolar porque no tiene un mecanismo de mantenimiento de carga. Las regiones de operacin del transistor de efecto de campo son la regin de corte, regin activa y regin hmica (Figura 5.2).
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Regin de corte (Cutoff): el voltaje gate-source es menor que el voltaje de umbral VGS(th) , el cual es tpicamente unos cuantos voltios en la mayora de MOSFETs de potencia. El dispositivo puede mantenerse abierto aunque se aplique una fuente de potencia entre sus terminales siempre y cuando este voltaje sea menor que el voltaje de sustentacin BVSS. Regin activa: la corriente de Drenaje ID es independiente del voltaje drain-source VDS y depende nicamente del voltaje gate-source VGS, y est dada por ID = gm[VGS - VGS(th)]. Regin hmica: cuando el valor de voltaje gate-source es considerablemente mayor al voltaje de umbral VGS >> VGS(th) y VDS es igual o menor que VGS - VGS(th), el elemento entra en la regin hmica. En esta regin no es vlida la dependencia de la corriente ID del voltaje VGS, sino ms bien ID est limitada por el circuito dentro del cual se encuentre el MOSFET.

Figura 5.2

El TBJ y el MOSFET tienen caractersticas que se complementan entre s, por ejemplo las prdidas durante la conduccin son menores en el BJT especialmente en dispositivos con alto voltaje de bloqueo, pero tiene tiempos grandes de conmutacin sobre todo durante el apagado. Por el contrario el MOSFET puede encenderse o apagarse ms rpido, pero sus prdidas durante la conduccin son grandes especialmente para dispositivos de alto voltaje de bloqueo, por lo que una combinacin de las caractersticas positiva de cada elemento formarn un transistor de buen desempeo, con el objetivo de lograrlo aparece el elemento conocido como IGBT. El IGBT se lo puede considerar como un MOSFET el cual ha sido modificado en su estructura interna Figura 5.3 (b) agregando una capa tipo P bajo el DRAIN, esta modificacin tiene como objetivo obtener caractersticas entre Drain y Source similares a las de Colector-Emisor del transistor TBJ pero manteniendo las caractersticas del MOSFET en el Gate. Es as que el IGBT se caracteriza por tener reducidos tiempos de conmutacin, bajas prdidas durante la
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conduccin y un control por voltaje.

CANAL N

(a) Figura 5.3

3. EQUIPOS Y MATERIALES 3.1 Equipo Osciloscopio (Digital de 100MHz) Fuente variable aproximadamente de 40 VDC (Usar dos salidas de la fuente en serie para obtener este voltaje) Focos de 100W @ 120V 3.2 Materiales MOSFETde potencia , ( en esta prctica puede usarse de un voltaje de 100V, pero se remienda uno de 400V que ser usado en futuras prcticas), la corriente puede ser alrededor de 5 A LM555 1 Resistencia de un valor alrededor de 1 Ohm. Resistencias varias y elementos adicionales.

4. PREPARATORIO 4.1 Disear un control PWM en base a un LM555 de 1 KHz con una fuente de 12 V 4.2 Disear el circuito de la Figura 6.4 si la fuente de potencia a usarse es de aproximadamente 40 V (lo que se obtenga al
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poner en serie las dos salidas de las fuentes de laboratorio) y la resistencia de carga es un foco de 100W. Una resistencia de un valor aproximado a 1 Ohm debe colocarse en serie con el Source para poder monitorear simultneamente el voltaje fuente-drenaje y la corriente de drenaje del dispositivo. No olvidar de colocar una resistencia en serie con el Gate del MOSFET (Rg) (es necesaria) y adems sobre esa resistencia se medir la corriente Ig, tambin tomar en cuenta que el Vth de estos elementos es mayor de 5 V, por lo que el circuito de control debe ser alimentado con 12 o 15 VDC. 4.3 Repetir lo pedido en el numeral anterior si la carga es un foco de 100W mas una inductancia que se proporcionar en el laboratorio. Como es una carga inductiva, debe colocarse un diodo rpido en paralelo inverso en la carga ( DEBE SER UN FAST RECOVERY DIODE).

4.4 Traer armado el circuito diseado con el MOSFET.;

5. PROCEDIMIENTO (USAR LOS OSCILOSCOPIOS DIGITALES NUEVOS)

5.1 . a) Usar dos puntas de prueba en el osciloscopio, colocar la referencia de las dos puntas de prueba en el Drain del MOSFET, el canal A en el Source (invertir este canal), y el canal B al otro extremo de la resistencia de 1 Ohm, a una relacin de trabajo aproximada de 0.5 tomar formas de ondas de corriente de Drain (sobre la resistencia de menos de 1 Ohm) y voltaje Drain-Source en funcin del tiempo y adems tomar tiempos de conmutacin con carga resistiva. Tomar tambin el tiempo que permanece saturado y en corte el Mosfet para calcular luego la potencia. Con el mdulo matemtico del osciloscopio, multiplicar las ondas de voltaje y corriente para observar la curva de potencia disipada en el dispositivo (no todos los osciloscopios tienen esta facilidad). Poner el osciloscopio en formato XY (X=voltaje colector-emisor ; Y= corriente de Drain tomada sobre la resistencia colocada en el Drain) y tomar la forma de las trayectorias de las conmutaciones. 5.1 . b) Usar dos puntas de prueba en el osciloscopio, colocar la referencia de las dos puntas de prueba en el Gate del MOSFET, el canal A en el Source (invertir este canal), y el canal B al otro extremo de la resistencia de 1 Ohm. A una relacin de trabajo aproximada de 0.5 tomar formas de ondas de corriente en la compuerta (sobre la resistencia de menos de 1 Ohm) y voltaje Gate-Source en funcin del tiempo.
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5.2 Repetir el numeral 5.1 con carga inductiva. 6. INFORME Calcular la potencia de disipacin para el circuito probado con los datos tomados en el laboratorio, y comentar las caractersticas estticas y dinmicas del dispositivo.

7. REFERENCIAS BIBLIOGRFICAS

[1] [2] [3]

HARRIS SEMICONDUCTOR, MCT/IGBTs/Diodes for Commercial Aplications, Part #620075,1995. MOHAN, Ned, Power Electronics: Converters, Applications and Design, John Wiley & Sons,1989. RASHID Muhammad H., Electrnica de Potencia, Circuitos, Dispositivos y Aplicaciones. Segunda Edicin, 1995.

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