Modelos Atmicos O conceito inicial de tomo foi dado por Demcrito, que acreditava que tudo era formado

por inmeras partculas indivisveis e minsculas. No entanto o primeiro modelo atmico foi elaborado por Dalton, que se assemelha muito a uma Bola de bilhar. Dalton imaginava o tomo como uma partcula macia, indestrutvel e indivisvel, homogneo e neutro. Thompson aprimorou esse conceito atravs do seu experimento da Ampola de Crookes que provou que existiam cargas no tomo, a assim desenvolveu o modelo conhecido como pudim de passas, onde o tomo seria um aglomerado macio de cargas positivas pesadas e cargas negativas mais leves. Rutherford, atravs do experimentou em que bombardeou uma fina lmina de ouro com cargas positivas, descobriu que o tomo era constitudo por uma pequena parte densa constituda de cargas positivas (o ncleo) e uma regio maior carregada de eltrons (eletrosfera). Rutherford imaginou os eltrons em orbitais em volta do ncleo, como o Sistema Solar. No entanto, Bohr com a teoria que esses eltrons se chocariam e perderiam energia em suas orbitas deu incio a qumica quntica. Bohr determinou que os eltrons se moveriam em torno do tomo em orbitas estacionrias e sem a perda ou ganho de energia. Tambm determinou que cada rbita teria o seu nvel de energia, alm de que se um eltron mudasse de rbita existiria a perda ou ganho de energia. O nico problema do modelo de Bohr que o eltron no pode ser descrito somente como partcula pequena. A partir dai, com o desenvolvimento da qumica quntica determinou-se os quatro nmeros qunticos: principal, azimutal, magntico e spin, que conseguem definir o modelo atmico atual.

Periodicidade e conceitos bsicos o Diagrama de Linus Pauling o Energia de Ionizao: a energia que se gasta para retirar eltrons de um tomo. A primeira energia a mais baixa, isso porque a dificuldade aumenta quando os eltrons ficam mais prximos do ncleo. A maior energia de ionizao quando o tomo atinge o cerne de gs nobre. A energia de ionizao aumenta inversamente proporcional ao raio. Ou seja, quanto menor o tomo, mais o eltron atrado, maior a sua energia de ionizao. o Carga nuclear efetiva: A Zef a diferena entre o nmero atmico de um elemento e o seu cerne. O cerne a soma de eltrons que esto nas camadas abaixo da camada que est sendo analisada. Ela representa a fora com que um eltron nessa camada atrado pelo ncleo. o Raio atmico x Raio inico: Ambos possuem a mesma relao, que a distncia entre o centro do ncleo at o eltron mais afastado do ncleo. No entanto, um se refere ao tomo e o outro ao on, respectivamente. o Eletronegatividade: a habilidade de um tomo de atrair eltrons. Como a energia de ionizao, a eletronegatividade aumenta com a diminuio do raio

atmico. Assim, quanto menos camadas o tomo possuir, menor o seu raio, maior a eletronegatividade. J analisando em uma mesma camada, quanto maior o nmero atmico, mais os eltrons vo ser atrados, e menor ir ser o raio, ocasionando maior eletronegatividade. o Distribuio de elementos na tabela peridica: Primeiramente deve-se olhar a camada que o tomo est, que o ndice antes da letra, que varia de 1 a 7. Depois deve-se olhar o subnvel que a distribuio eletnica acaba, que so as letras s, p, d, f. Se as letras forem s e p, deve-se olhar a quantidade de eltrons na camada de valncia, que equivaler as famlias A. J se o subnvel for d ou f este elemento ser um metal de transio, sendo que se for f estar nas duas linhas abaixo da tabela. Se for d, deve-se olhar a quantidade de eltrons do ltimo subnvel da distribuio eletrnica e somar com os eltrons da camada de valncia e encaix-los na tabela comeando a contagem pela famlia 1B. J se for f, deve-se considerar a quantidade de eltron que tiver no subnvel f, e iniciar a contagem da primeira coluna das linhas abaixo da tabela. o Isbaros: So tomos que possuem o mesmo nmero de massa. Por exemplo, Cl e Cl-. o Istonos: So tomos que possuem o mesmo nmero de nutrons. Por exemplo, Na e Na+. o Istopos: So tomos que possuem o mesmo nmero de prtons. Por exemplo, K e K+. o Isoeletrnicos: So tomos que possuem o mesmo nmero de eltrons. Por exemplo, Cl- e Ar. o Substncias simples: So substncias formadas por apenas um elemento. Por exemplo, Mg2 e O2. o Substncias compostas: So substncias formadas por mais de um elemento. Por exemplo, CO2, NaCl. o ons: So tomos com cargas positivas ou negativos. Por exemplo, Na+, F-. o Ctions: So tomos com cargas positivas. o nions: So tomos com cargas negativas. Nmeros qunticos o Principal: Simbolizado pela letra n. Define o tamanho do orbital. Pode assumir valores inteiros positivos a partir do 0. o Azimutal: Simbolizado pela letra l. Define o formato do orbital. Vai 0 a n-1. Para subnvel s, l=0; p, l=1; d, l=2; f, l=3. o Magntico: Simbolizado por ml. Define a orientao do orbital no espao. Vai de l a l. o Spin: Simbolizado por s ou ms. Define o sentido do orbital no espao. Pode ser +1/2 ou -1/2. Ligaes inicas

As ligaes inicas acontecem entre metais e ametais, onde ocorre a transferncia de eltrons de um tomo para o outro. Como os ametais so mais eletronegativos eles tendem a se transformar em nions, enquanto os metais tendem a formar ctions. A ligao inica um processo exotrmico devido a energia de rede. A formao dos ons acontece de forma endotrmica, j a formao da substncia pelos ons de forma exotrmica com variao menor que a formao dos ons, o que ocasionaria um processo endotrmico. No entanto, existe a energia de rede que a energia necessria para separar um mol de ons gasosos do composto slido. Essa energia de rede altamente exotrmica, o que torna o processo exotrmico. Os compostos inicos apresentam a estrutura sob forma de cristais, o que torna os compostos duros e quebradios, uma vez que difcil rearranjar a estrutura. Os compostos inicos fundidos ou em soluo conduzem corrente eltrica. Apresentam alto ponto de fuso e geralmente so solveis em gua. Exemplos de ligaes inicas so: NaCl, LiF, MgO, Fe(OH)3. Ligaes metlicas As ligaes metlicas acontecem entre metais. Os metais tem como caracterstica poucos eltrons na camada de valncia. Assim esses tomos no conseguem se estabilizar nem com a doao de eltrons, como acontece nas ligaes inicas, e nem com o compartilhamento de eltrons, como acontecem nas ligaes covalentes. Assim, o modelo de mar de eltrons explica como acontecem essas ligaes. Nesse modelo, os eltrons das camadas de valncia dos tomos ficam disponveis para todos os tomos nessa nuvem. O que mantm os tomos unidos a fora atrativa, onde o ncleo de um tomo atrai os eltrons nos orbitais dos outros tomos, o que muito semelhante a Disperso de London que acontece nas ligaes covalentes. Os compostos metlicos so dcteis e maleveis, caracterstica que acontece devido a forma como os tomos esto ligados. Nessa configurao, os eltrons se rearranjam facilmente, o que bem diferente dos compostos inicos. Outra caracterstica dos compostos metlicos a conduo trmica e de eletricidade. Essa caracterstica pode ser explicada pela teoria dos orbitais moleculares para metais. Nas ligaes metlicas os orbitais atmicos se sobrepe formando um grande nmero de orbitais moleculares. Como esse nmero muito grande, a distncia entre esses orbitais mnima, o que ocasiona a formao de uma banda de energia. Como no existem eltrons suficientes para preencher esses orbitais, essa banda fica s parcialmente preenchida. Assim, com um pequeno incentivo os eltrons se promovem a nveis desocupados de energia (energia mais alta), e ocorre a conduo trmica e eltrica. Outra caracterstica dos metais, que so frios ao tato. Lembrete: 6B tem a quantidade correta de eltrons para preencher exatamente a metade da banda de energia. Ligaes covalentes

As ligaes covalentes acontecem entre ametais ou entre ametais e o hidrognio. Nessas ligaes acontece o compartilhamento de eltrons afim da estabilizao desses tomos. o Polares e Apolares: Os compostos formados por esse tipo de ligao podem ser polares e apolares. A polaridade definida pela diferena de eletronegatividade entre os tomos. Assim, quando o momento polar igual a zero falamos que a molcula apolar. Quando prximo de 2 dizemos que polar. o Geometria Molecular: Linear: dois ou trs tomos, onde no existem pares de eltrons descompartilhados; Trigonal Plana: um tomo central ligado a trs tomos iguais, sem nenhum par de eltrons sobrando; Angular: um tomo central ligado a dois tomos, com um ou dois pares de eltrons sobrando; Tetradrica: um tomo central ligado a quatro tomos, sem nenhum par de eltrons sobrando; Piramidal Trigonal: um tomo central ligado a trs tomos e com um par de eltrons sobrando;

Foras intermoleculares: mais fracas que as intramoleculares, e representadas por linha tracejadas. o on- dipolo: a fora intermolecular entre um on e uma molcula. A gua um exemplo. a mais forte ligao intermolecular que existe. o Disperso de London dipolo induzido ou instantneo: a mais fraca das ligaes, ocorre entre molculas apolares. O ncleo de um tomo ou molcula se liga com a camada de valncia do outro. A fora dessa ligao aumenta com o aumento da rea de contato ou com o aumento da massa. o Dipolo- dipolo: ocorre entre molculas polares neutras. Acontece porque as molculas necessitam ficar muito unidas. mais forte que a Disperso de London e mais fraca que a on-dipolo. A foras de dipolo atrativas e repulsivas se misturam a medida que as molculas se viram. Aumenta com o aumento da polaridade. o Ligaes de Hidrognio: um caso especial da dipolo-dipolo. muito forte porque o hidrognio se liga com o FON (elementos mais eletronegativos). Tem um alto ponto de ebulio. Responsvel pela flutuao do gelo. o Hibridizao: explica como subnveis diferentes podem formar ligaes idnticas, com mesmo ngulo e comprimento. Ocorre a mistura de orbitais atmicos diferentes, o que ocasiona a formao de orbitais hbridos.

 1s+1p=2sp 1s+2p=3sp2 1s+3p=4sp3 As ligaes simples so ligaes sigmas, que ocorrem no eixo internuclear. As ligaes duplas e triplas apresentam ligaes pi, que so mais fracas que as sigmas, elas so responsveis pela ressonncia das molculas. o Teoria do Orbital Molecular Nomenclatura Semicondutores: Os materiais semicondutores so materiais que formam uma rede cristalina e geralmente so da famlia 4, como o Si e o Ge. Esses materiais so dopados, ou seja, so introduzidos outros materiais em sua estrutura cristalina a fim de formar lacunas ou deixar eltrons livres. Esses materiais que so introduzidos so chamados de impurezas. A adio de impurezas a um material o torna apto para uso na eletrnica, eles so usados, por exemplo, na fabricao de diodos e transistores (3N e 1P ou 2N e 2P). Existem dois tipos de semicondutores. Os intrnsecos so os materiais semicondutores com caractersticas naturais, no estado fundamental. J os extrnsecos so os que precisam ter suas redes cristalinas dopadas com impurezas. A partir da dopagem passam a existir dois tipos de materiais: N e P. Os materiais N so aqueles que a adio de impurezas deixam eltrons livres, por exemplo dopar Si com o Fsforo (P). J os do tipo P so aqueles que deixam uma lacuna, por exemplo dopar Si com o Boro (B).