Memoria SIMM SIMM o Single in-line Memory Module (mdulo de memoria en lnea simple), pequea placa de circuito impreso

con varios chips de memoria integrados. Vinieron a sustituir a los SIP, Single in-line Package (encapsulado en lnea simple), chips de memoria independientes que se instalaban directamente sobre la placa base. Los SIMM estn diseados de modo que se puedan insertar fcilmente en la placa base de la computadora, y generalmente se utilizan para aumentar la cantidad de memoria RAM. Se fabrican con distintas capacidades (4Mb, 8Mb, 16Mb...) y con diferentes velocidades de acceso. En un principio se construan con 30 contactos y luego aparecieron los de 72 contactos. Recientemente se han desarrollado mdulos de memoria DIMM, Dual in-line Memory Module (mdulo de memoria en lnea doble), con 168 contactos, que presentan un doble nmero de vas de comunicacin entre el mdulo y la placa base, al poder utilizar de manera independiente cada lado del conector; su manejo resulta ms sencillo, ya que se pueden emplear de forma aislada, mientras que los SIMM se utilizan por pares. En los ordenadores porttiles se usan unos mdulos de memoria de perfil muy fino denominados SO-DIMM, Small Outline DIMM. Memoria DIMM Dimm o de Dual In-line Memory Module, (mdulo de memoria en lnea doble). Hace referencia a su sistema de comunicacin con la placa base, que se gestiona en grupos de datos de 64 bits, en contraposicin con los mdulos SIMM (Single In-line Memory Module, mdulo de memoria en lnea simple), que usan una va simple y slo transfieren 32 bits de datos cada vez. Se fabrican con 168 contactos en sus conectores de anclaje con la placa base; tambin suele ser habitual disponer de cuatro o ms conectores, pudiendo utilizarse uno o varios de ellos, mientras que los mdulos SIMM deben ir por parejas, adems de tener anclajes incompatibles, que son de 30 o 72 contactos. Esto determina que la mayora de las placas base puedan utilizar mdulos de uno u otro tipo, pero no ambos. La extensin en el uso de los mdulos DIMM ha coincidido con un aumento muy sustancial de la capacidad de memoria: actualmente estn disponibles de 64, 128, 256 y 512 MB (megabytes) y de 1, 2 o ms gigabytes. Los mdulos de memoria denominados DDR DIMM (Double Data Rate DIMM, mdulos DIMM de doble velocidad de transferencia de datos), han ido sustituyendo paulatinamente a los mdulos DIMM estndar a partir del ao 2000; tienen la ventaja de doblar la velocidad con que se transfieren los datos a la placa principal. As, los valores estndar de 100 y 133 MHz, se convertirn en un mdulo DDR en 200 y 266 MHz, respectivamente. Porqu la transicin de SIMM a DIMM? Los SIMM de 72 contactos transmiten datos 32 bits a la vez mientras que los DIMM de 168 contactos transmiten datos 64 bits a la vez. Cuando los sistemas progresaron a un ancho de bus de 64 bits, result ms razonable utilizar los

DIMM que los SIMM como el factor de forma de memoria estndar. La tecnologa SDRAM en s no tiene nada que ver con la transicin de SIMM a DIMM; es solamente que la transicin de EDO a la tecnologa SDRAM y la transicin de SIMM a DIMM sucedi casi al mismo tiempo. RIMM RIMM: mdulo de memoria RDRAM (Rambus Son los mdulos de memoria, sustituyen a los actuales DIMM, y son una continuacin del canal; el canal entra por un extremo del RIMM y sale por el otro. Los RIMM tienen el mismo tamao que los DIMM y han sido diseados para soportar SPD, (Serial Presence Detect). Tambin hay RIMM de doble cara o de una cara, y pueden tener cualquier nmero de chips hasta el mximo de 32 soportados por canal. Hay mdulos de 64Mb, 128Mb y 256Mb, la mxima cantidad total de memoria va desde los 64Mb hasta 1Gb por canal. Podemos instalar dos repetidores para aumentar el nmero de conectores, y as aumentar el numero de RIMMs, con un repetidor aumentamos a 6 conectores y con dos repetidores aumentamos a 12 conectores. Factores Caractersticos de la memoria SIMM, DIMM, RIMM Integridad de datos Uno de los aspectos en el diseo de la memoria implica el asegurar la integridad de los datos en ella almacenados. Actualmente, existen dos mtodos principales para asegurar la integridad de los datos: 1. Paridad: ha sido el mtodo ms comn usado hasta la fecha. Este proceso consiste en aadir un bit adicional por cada 8 bits de datos. Este bit adicional nos indica si el nmero de unos es par o impar (igual se puede hacer con los ceros. A esto se denomina criterio de paridad par o impar). 2. Cdigos de Correccin de Errores (ECC): Es un mtodo ms avanzado de control de la integridad de los datos que puede detectar y corregir errores en bits simples. Debido a la competencia de precios, la norma ms habitual es la de no introducir mtodos de control de la integridad de los datos en la memoria, siendo ms caros aquellos mdulos que s incluyen alguno de estos dos mtodos de control de errores. El controlador de memoria Tambin conocido como MMU (Memory Manager Unit, unidad de manejo de memoria), es un componente esencial en cualquier ordenador. Simplemente es un chip (actualmente suele venir integrado como parte de otro chip o del microprocesador) cuya funcin consiste en controlar el intercambio de datos entre

microprocesador y memoria. El controlador de memoria determina el funcionamiento del control de errores, si es que existe. Es muy importante determinar la necesidad de introducir o no un sistema de memoria con control de integridad. Generalmente esto se implementa en grandes servidores y ordenadores de alto rendimiento donde la integridad de datos es un factor importante. Control de Paridad Cuando se implementa un sistema de paridad en un sistema informtico, se almacena un bit de paridad por cada 8 bits de datos. Existen dos mtodos de control de paridad: paridad par y paridad impar, dependiendo de que aquello que se controle sea el nmero de ceros o de unos en cada grupo de ocho bits en memoria. El mtodo de control de paridad tiene sus limitaciones. Por ejemplo, un sistema de control de paridad, puede detectar errores, pero no corregirlos. Incluso puede darse el caso de que varios bits sean errneos y el sistema no detecte error alguno. ECC Este es un mtodo que se implementa en grandes servidores y equipos de altas prestaciones. La importancia de este mtodo es que es capaz de detectar y corregir errores de 1 bit. Todo esto ocurre sin que el usuario tenga constancia de ello. Cuando se detectan mltiples errores en varios bits, el sistema acaba por devolver un error de paridad en memoria. Introduccin Las memorias SIMM, DIMM, DDR y RIMM estn enfocadas principalmente para aumentar la capacidad de memoria en una PC principalmente en la memoria RAMM, este tipo de memorias son pequeas placas de circuitos impresos con varios chips de memoria integrados. Que se instalan directamente sobre la placa base se puedan insertar fcilmente; se fabrican con distintas capacidades y distintas velocidades. Esto aumenta considerablemente el proceso de una computadora y el almacenamiento de la informacin en la memoria RAMM. Conclusiones Gracias a este tipo de memorias la capacidad de las computadoras aumenta considerablemente es una memoria auxiliar que permite aumentar la velocidad y la capacidad de la memoria RAMM, y agiliza los procesos de la informacin. La Evolucin de estas tarjetas sigue en aumento cada vez la tecnologa es mas grande y con ello este tipo de memorias tienen que ir cambiando y aumentando su

capacidad, su velocidad y rendimiento, para ello se han estado creando nuevos diseos que marcaran la pauta sobre la informacin automatizada

Memorias: RAM, ROM, PROM. DRAM (EDO DRAM, SDRAM) y SRAM (L1, L2, Write Through, Write back, real). DIP, SIMM, DIMM, tamaos y precios. 1. TIPOS FISICOS DE MEMORIA *************************** MEMORIA RAM ----------Es llamada memoria de accceso aleatorio (Random Access Memory) debido a su peculiar caracteristica de acceso instantameno a cualquier parte de ella, gracias a un sistema de direcciones (no es acceso secuencial) que permite la lectura o escritura. Se dice que es volatil porque la informacion en ella almacenada se pierde al retirarle la energia. La memoria RAM es uno de los elementos m s crticos del computador. Cuando Ud. quiere usar un archivo de datos o programa, los datos o instrucciones son ledos desde el disco duro o disquete y colocados en la RAM, para que sean leidos por el P, permitindole manipularlos es decir: ingresar nuevos datos, modificar los existente, hacer c lculos, busquedas, resumenes etc. La memoria RAM la podemos comparar con una agenda de trabajo, en la que se puede anotar una reunin, ver el programa de actividades para un da determinado o anular una cita. Adem s en esta agenda, al igual que en la memoria, los datos no est n mezclados sino que conservan un cierto orden y cada dato ocupa una posicin bien determinada. Si se desea saber la direccin de un cliente o un proveedor, no se iniciar la bsqueda desde la A hasta encontrarlo, sino que se localiza directamente en la p gina correspondiente a la inicial del apellido. En las memorias hay dos caracteristicas temporales importantes: a. El tiempo de acceso: tiempo que tarda una escritura o lectura. b. El tiempo de ciclo: tiempo que pasa desde que se inicia un acceso hasta que se esta listo para el proximo.

El tiempo de ciclo suele ser ligeramente superior al tiempo de acceso, pero los dos estan relacionados. Tradicionalmente se ha dado mayor importancia al tiempo de acceso, pero la dinamica de las memorias cach, con sus accesos en rafagas, ha

dado mayor importancia al tiempo de ciclo. Esto ha propiciado la aparicion de mejoras estructurales en las memorias, que pretenden mejorar el tiempo de lectura o escritura de un bloque de datos y no de un dato individual, sin modificar la estructura de almacenamiento de la memoria, consiguiendo asi un aumento de prestaciones en yn caso particular y muy frecuente, sin elevar excesivamente el precio. En su mayor parte, lo que est en la memoria de la computadora es informacin temporal de trabajo. La memoria de la computadora est organizada en unidades de bytes, compuesto cada uno de ellos de 8 bits. El mismo patrn de bits puede ser visto como un nmero, una letra del alfabeto o una instruccin particular de lenguaje de m quina, segn se le interpreta. Los mismos bytes de memoria se usan para registrar cdigos de instrucciones de programa, datos numricos y datos alfabticos. Las direcciones de la memoria est n numerados comenzando con cero. Los mismos datos usados como datos de computadora tambin pueden emplearse para especificar direcciones de memoria. Los datos o programas siempre ocupan un espacio contiguo en la RAM, siempre asignandole el espacio por bloques. El DOS puede manejar de forma plana solo hasta 640 KB, para manejar valores mayores a 1 MB, requiere de ayuda de HIMEM.SYS y EMM386.EXE. MEMORIA ROM (Read Only Memory) -----------------------------Es una memoria de slo lectura. Su contenido es absolutamente inalterable, desde el instante en que el fabricante grabo las instrucciones en el Chip, por lo tanto la escritura de este tipo de memorias ocurre una sola ves y queda grabado su contenido aunque se le retire la energia. Los PC vienen con una cantidad de ROM, donde se encuentras los programas de BIOS (Basic Input Output System), que contienen los programas y los datos necesarios para activar y hacer funcionar el computador y sus perifricos. La ventaja de tener los programas fundamentales del computador almacenados en la ROM es que est n all implementados en el interior del computador y no hay necesidad de cargarlos en la memoria desde el disco de la misma forma en que se carga el DOS. Debido a que est n siempre residentes, los programas en ROM son muy a menudo los cimientos sobre los que se construye el resto de los programas (incluyendo el DOS).

La memoria ROM se puede explicar de la manera siguiente: Es un libro impreso, sea diccionario, novela, etc. no se puede variar el contenido del mismo, tan solo es posible leer, recoger la informacin, nunca aadirsela o modificar el texto. MEMORIA ROM ----------Estas memorias, cuyo nombre procede de las iniciales de Read Only Memory son solo de lectura. Dentro de un proceso de elaboracin de datos de una computadora, no es posible grabar ningn dato en las memorias ROM. Se trata de memorias no vol tiles su contenido se graba durante su construccin y no se puede cambiar. Son memorias perfectas para guardar microprogramas, sistemas operativos, tablas de conversin, generacin de caracteres etc. MEMORIA PROM -----------Tal como indica su nombre, programable ROM estas memorias son programables se entregan vrgenes al programador este mediante un dispositivo especial, las programara grabando en ellas los datos que considera de inters para su trabajo. El proceso de programacin es destructivo: una vez grabada, es como si fuese una ROM normal. Para conseguir que la informacion que se desea grabar sea inalterable, se utilizan dos tcnicas: por destruccin de fusible o por destruccin de unin. Una vez programadas por el usuario, las PROM tienen las mismas caractersticas que aquellas que poseen las ROM. MEMORIA EPROM Y RPROM --------------------Estas memorias son similares a las PROM pero con la diferencia que se pueden borrar y volver a grabar varias veces. Existen dos tipos de memorias segn el proceso de borrado de las mismas: MEMORIA EPROM ------------Se trata de una PROM, de la que se puede borrar (erasable PROM) la informacion mediante rayos ultravioleta. Par esta operacin, es necesario que el circuito

integrado disponga de una ventana de cuarzo transparente a los rayos ultravioleta. El tiempo de exposicin a los rayos ha de ser corto, pero variable segn el constructor. Una vez borrados los datos de la EPROM, se necesita disponer de un grabador especial para introducir nuevos datos. MEMORIA RPROM ------------Los datos contenidos en este circuito integrado se borran elctricamente si se aplican a las entradas unos valores de tensin oportunos. Para el borrado de los C.I RPROM, como para la programacin, se necesita un programador especial. Las memorias RPROM utilizan transistores tipos MNOS (metal nitruro xido silico) cuya principal caractersticas consiste en que pueden borrarse y grabarse elctricamente. MEMORIAS DE ACCESO SECUENCIAL ----------------------------Se caracterizan por su tiempo de acceso, dependiendo de la posicin a que se quiera acceder respecto a un punto de referencia inicial: Registro de desplazamiento Dispositivos acopladores por carga o CCD (Charge Soupled Device) MEMORIAS DE BURBUJAS MAGNETICAS ------------------------------Dentro de un campo de material magntico las burbujas son pequeos dominios estables, con una polaridad inversa a la de un campo. Estas memorias no son vol tiles y su acceso es secuencial. Constituyen un puente de unin entre las memorias centrales de acceso aleatorio (RAM o ROM) y los dispositivos de alamacenamiento (disketes, discos duros, cintas magnticas, CDROM, etc.) Como principal caractersticas, podemos sealar su gran densidad de integracin (10 bits por pulgada cuadrada). No obstante el tiempo de acceso, al ser una memoria secuencial es relativamente alto comparado con las memorias de tipo de acceso directo. 2.- TIPOS DE MEMORIA RAM ************************ DRAM (Dynamic RAM) ------------------

Este es el tipo de RAM m s comnmente usado. Internamente est compuesto por condensadores de pequea capacidad, que almacena la informacin mediante la carga y la descarga equivalen a 1 y 0 lgicos, respectivamente. Son de bajo costo, pero tiene el inconveniente de que pierden su carga, y por ende la informacin, demasiado r pido por lo que deben ser constantemente "refrescados" con una nueva carga. Una computadora puede perder un 7% de tiempo aproximadamente en "refrescar" los DRAM. La DRAM tiene sus contras: la transferencia de la informacin que va desde la memoria hasta el procesador "es m s lenta"; requiere de Cach para mejorar su desempeo; usa m s energa, lo cual implica una menor duracin de la batera para los usuarios de Laptops. Esta estructurada como una matriz, de forma que el controlador de memoria, al recibir una direccion, debe descomponerla en fila y columna. Cada acceso requiere que el controlador obtenga la descomposicion en fila columna, direccione la memoria, valide estas direcciones y espere que la matriz de celdas proporcione el dato. Una vez finalizado el acceso, el controlar invalida la fila y columna y se prepara para el siguiente acceso. Existen varios tipos de DRAM, cada placa madre esta preparada para uno de varios de estos tipos, asi que antes de comprar consulta el manual de la placa madre. 1. FP DRAM (Fast Paged mode RAM): Su estructura interna es identica a la DRAM convensional. Es usada en las PCs 386 y 486. Cuando el controlador de memoria recibe una direccion, debe descomponerla en fila y columna, proporcionar estos datos a la matriz de celdas y validarlos. La matriz de celdas proporcionara toda a fila y posteriormente se seleccionara la columna deseada. Si el nuevo acceso se refiere a una posicion que pertenece a la misma fila, no es necesario acceder a la matriz, ya que el controlador, al mantener la fila validada, hace que la matriz de celdas mantenga su salida. Para obtener el dato deseado, solo hay que direccionar el multiplexor de columnas y seleccionar las que se desean. De esta forma se elimina el tiempo de acceso a la matriz de memoria. Mediante este tipo de acceso no se mejoran los tiempos a posiciones individuales y separadas de memoria, pues el controlador debe proporcionar para cada una de ellas la fila (y esperar la respuesta de las celdas) y la columna (y esperar la respuesta del multiplexor). Sin embargo, si se realizan accesos a posiciones de memoria que se encuentran consecutivas se reduce al tiempo de respuesta del multiplexor. Esta es precisamente la forma en que nuestra memoria cach accedera a la memoria principal. Para sistemas de 66 MHz se requiere tiempos de acceso menores a 60 msegundos. 2. EDO DRAM (Extended Data Out DRAM)

En mas veloz de FP DRAM pues disminuye el numero de ciclos de reloj para acceder al contenido de las cendas de memoria. Hay versiones de 60 y 50 nsegundos. Es una nueva tecnologa de memoria que acelera las transacciones de memoria hasta en un diez por ciento sobre la memoria DRAM convencional. EDO elimina el estado de espera entre la ejecucin de comandos secuenciales de lectura de la memoria permitiendo que el P tenga acceso m s r pido a la memoria. Una transmisin m s r pida de la informacin desde la memoria hasta el P. Usa menos energa, por lo que es m s atractiva para los usuarios de Laptops. Reduce la necesidad de un cach L2 en m quinas Pentium de bajo costo. 3. BEDO RDAM (Burst EDO DRAM) 4. SDRAM (Synchronous DRAM) Gestiona todas las entradas y salidas de memoria sincronizadas con el reloj del sistema, aumentando el rendimiento global. Ademas, es mas barata de fabricar que la EDO DRAM, por lo que ha comenzado a desplazarla. Para una PC con bus de 100 MHz debe buscar SDRAM que siga las especificaciones PC100 5. SDRAM II o DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM) Que aprovechan los flancos de subida y bajada de los ciclos de reloj, duplicando la velocidad de acceso. 6. RDRAM (Direct Rambus DRAM) 7. SLDRAM 8. CDRAM SRAM (Static RAM) ----------------Su diseo interno est hecho en base a transistores que almacenan la informacin cuando son polarizados en corte o saturacin, correspondientes a los estados lgicos 1 y 0, respectivamente permaneciendo en esta condicin hasta que se cambie la informacin. No necesitan ser "refrescados", son muy veloces pero mucho m s costosos que los DRAM.

1. SRAM Sincrona Es la que esta gobernada por una seal de reloj, de forma que todas las operaciones suceden (se inician y acaban) desde la misma referencia. Esta caracteristica no aporta mejores prestaciones, pero si simplifica enormemente el diseo de sistemas de alta prestaciones, ya que una unica seal (el reloj del sistema) gobierna todos los dispositivos involucrados. La ventaja de estas memorias viene proporcionada por lo que se podria llamar su funcionamiento automatico, guiado por la seal de reloj, por lo que no es necesario ocuparse de generar las seales de control, aunque la mayoria de memorias disponen de ellas. 2. SRAM Burst: Las memorias de rafagas (burst) incluyen un circuito contador que permite que la memoria genere en la propia memoria la direccion a la que debe acceder, consiguiendo de esta forma accesos en rafagas. El funcionamiento es el siguiente: el P proporciona una direccion de memoria, la que debe propagarse por el bus hasta la memoria, decodificarse y acceder a la posicion correspondiente. Si se ha indicado que se trata de un ciclo de lectura de refaga, la memoria, una vez que se ha obtenido el primer dato, incrementa la direccion y vuelve a acceder. De esta forma se evita el tiempo de propagacion de las seales por el bus y el tiempo de decodificacion de la direccion. La longitud de acceso, es decir el numero de palabras leidas o escritas en una rafaga, viene limitado por el tamao del contador interno de la memoria.

3. SRAM Pipeline: Gracias a las dos tecnicas anteriores se consigue que el rellenado de una fila de cach o acceso a posiciones consecutivas, se realice de forma rapida. Para mantener esta velocidad cuando se cambia de secuencia, las memorias pipeline incluyen un buffer para almacenar la direccion a la que se esta accediendo y el dato proporcionado por la memoria. De esta forma, se puede enviar la nueva direccion antes de terminar la lectura, consiguiendo un solapamiento, pues el P no tiene que esperar la terminacion de un accedo para proporcionar la nueva direccion. 3.- FORMATOS FISICOS DE LAS MEMORIAS ************************************ MEMORIA DIP ----------La memoria DIP es un circuito integrado (chips), un dispositivo electrnico compuesto por un conjunto de componentes conectados permanentemente entre si

e incluidos en una placa de silicio de menos 1 mm, formando un conjunto en miniatura capaz de desarrollar las mismas funciones que un circuito formados por elementos discretos. En un circuito integrado, los componentes activos, diodos, transistores etc., y los componentes pasivos, resistencias, condensadores, etc. est n integrados dentro de un mismo bloque llamado substrato. CHIPS ----Son circuitos integrados cuyas patitas o pines se hayan en ambos lados de la c psula, formando dos lneas o hileras de pines (DIP). Los Chips de memoria se fabrican con capacidades de 64Kb, 256Kb y 1Mb. - El nmero de chips de memoria que existe fsicamente dentro del computador determina la cantidad de memoria que pueden ocupar los programas y los datos. Aunque estos puedan variar de un computador a otro. - Para el computador, los chips de memoria no son m s que unos pocos miles de posiciones de almacenamiento (1 Byte); cada una de las cuales tiene su propia direccin asociada. Modulos de memoria ================== La DRAM en general no se compra en CHIPS, sino en modulos de memoria empaquetados en dos formatos basicos SIMM y DIMM que contienen 8, 16, 32, 64 o 128 MB cada uno. Estos modulos se introducen es ranuras (slots) en la placa madre. SIMM (Single in line Memory Module) ----------------------------------Usualmente son ocho o nueve (SIMM con paridad) chips DIP fabricados con tecnologa DRAM y soldados en una tarjeta pequea de circuito impreso. El borde inferior de esta tarjeta posee contactos de oro que encajan perfectamente en zcalos (slots) especialmente diseados para ste tipo de mdulos ubicados sobre la placa madre. Los mdulos SIMM de memoria RAM, se fabrican con capacidades de 4, 8, 16 y 32 MB.

En las primeras PC se usaban SIMM de 32 pines que proporcionaban cada uno 8 bits, por lo que debian ser usadas en pares en las PC de 16 bits (hasta 386SX) y en grupos de a cuatro en las de 32 bits (4 x 8 = 32 bits), pero con las 486 desaparecieron, en favor de los modulos de 72 pines que proporcionan 16 bits por lo que hay que ponerlos en pares (2 x 16 = 32 bits). Ahora esta ocurriendo lo mismo, con los Pentium donde estan desapareciendo los SIMM de 72 pines en favor de los DIMM de 168 pines y 32 bits. DIMM (Dual In line Memory Module) --------------------------------Equivalen a dos SIMM, tienen 168 pines y en las Pentium se pueden usar de solos porque tienen 32 bits. Es posible combinar modulos SIMM y DIMM en una placa madre, pero bajo ciertas condiciones especiales. Un par de SIMM de 72 pines iguales (es decir de 8, 16 o 32 MB) deberan estar instalados en la ranuda (slot) 2 y un DIMM de la misma velocidad en su ranura respectiva, ademas el voltaje debera ser de 3.3 V y no 5 V como se usa normalmente en los SIMM. SO DIMM (Small Outline DIMM) ---------------------------Son DIMM de 72 pines (en lugar de 168) que ocupan menos espacio y suelen usarse en portatiles. Los modulos de memoria son completamente independientes de los tipos. Es decir, existen modulos SIMM de memoria EDO RAM y SDRAM, asi como modulos DIMM de memoria EDO RAM y SDRAM. Lo mas habitual es que los modulos SIMM sean EDO DRAM, mientras que los DIMM suelen ser SDRAM. Lo mas recomendable es que invierta en modulos DIMM de memoria SDRAM, pues seran los mas usados proximamente. Casi todas las computadoras Pentium II tiene ranuras (slots) DIMM y soportan SDRAM. Ademas, muchas computadoras Pentium MMX poseen ranudas (slots) mixtos, por ejemplo 4 x SIMM y 2 x DIMM. ---oOo---

DIMM
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Mdulos de memoria en formato DIMM (dos mdulos SDRAM PC133). DIMM son las siglas de Dual In-line Memory Module y se traduce como Mdulo de Memoria en lnea doble. Son mdulos de memoria RAM utilizados en ordenadores personales. Se trata de un pequeo circuito impreso que contiene chips de memoria y se conecta directamente en ranuras de la placa base. Los mdulos DIMM son reconocibles externamente por poseer sus contactos (o pines) separados en ambos lados, a diferencia de los SIMM que poseen los contactos de modo que los de un lado estn unidos con los del otro. Las memorias DIMM comenzaron a reemplazar a las SIMM como el tipo predominante de memoria cuando los microprocesadores Intel Pentium dominaron el mercado. Un DIMM puede comunicarse con el Cache a 64 bits (y algunos a 72 bits) en vez de que se salga por la calle de los 32 bits de los SIMM. Funciona a una frecuencia de 123 MHz cada una... El hecho de que los mdulos en formato DIMM (Mdulo de Memoria en Lnea Doble),sean memorias de 64 bits, explica por qu no necesitan emparejamiento. Los mdulos DIMM poseen chips de memoria en ambos lados de la placa de circuito impresa, y poseen a la vez, 84 contactos de cada lado, lo cual suma un total de 168 contactos. Adems de ser de mayores dimensiones que los mdulos SIMM (130x25mm), estos mdulos poseen una segunda muesca que evita confusiones. Cabe observar que los conectores DIMM han sido mejorados para facilitar su insercin, gracias a las palancas ubicadas a ambos lados de cada conector. Tambin existen mdulos ms pequeos, conocidos como SO DIMM (DIMM de contorno pequeo), diseados para ordenadores porttiles. Los mdulos SO DIMM slo cuentan con 144 contactos en el caso de las memorias de 64 bits, y con 77 contactos en el caso de las memorias de 32 bits.

ndice

1 Especificacin de los mdulos DIMMs 2 Correccin de errores 3 Organizacin 4 "Filas" de los mdulos

Especificacin de los mdulos DIMMs

DIMMs de 168 contactos, [DIMM] SDR SDRAM. (Tipos: PC66, PC100, PC133, ...) DIMMs de 184 contactos, DDR SDRAM. (Tipos: PC1.600 (DDR-200), PC2.100 (DDR-266), PC2.400 (DDR-300), PC2.700 (DDR-333), PC3.000 (DDR-366), PC3.200 (DDR-400), PC3.500 (DDR-433), PC3.700 (DDR466), PC4.000 (DDR-500), PC4.300 (DDR-533), PC4.800 (DDR-600) => Hasta 1 GiB/mdulo) DIMMs de 240 contactos, DDR2 SDRAM. (Tipos: PC2-3.200 (DDR2400), PC2-3.700 (DDR2-466), PC2-4.200 (DDR2-533), PC2-4.800 (DDR2-600), PC2-5.300 (DDR2-667), PC2-6.400 (DDR2-800), PC28.000 (DDR2-1.000), PC2-8.500 (DDR2-1.066), PC2-9.200 (DDR21.150) y PC2-9.600 (DDR2-1.200) => Hasta 4 GiB por mdulo) DIMMs de 240 contactos, DDR3 SDRAM. (Tipos: PC3-6.400 (DDR3800), PC3-8.500 (DDR3-1.066), PC3-10.600 (DDR3-1.333), PC3-13.300 (DDR3-1.666), PC3-14.400 (DDR3-1.800), PC3-16.000 (DDR3-2.000) => Hasta 4 GiB por mdulo)

Correccin de errores
Los ECC DIMMs son aquellos que tienen un mayor nmero de bits de datos, los cuales son usados por los controladores del sistema de memoria para detectar y corregir errores. Hay multitud de esquemas ECC, pero quizs el ms comn es el Corrector de errores individuales-Detector de errores dobles (SECDED) que usa un byte extra por cada palabra de 64 bits. Los mdulos ECC estn formados normalmente por mltiplos de 9 chips y no de 8 como es lo ms usual.

Organizacin
La mayora de mdulos [DIMM] se construyen usando "x4" (de 4) los chips de memoria o "x8" (de 8) con 9 chips de memoria de chips por lado. "X4" o "x8" se refieren a la anchura de datos de los chips DRAM en bits. En el caso de los [DIMM] "x4", la anchura de datos por lado es de 36 bits, por lo tanto, el controlador de memoria (que requiere 72 bits) para hacer frente a las

necesidades de ambas partes al mismo tiempo para leer y escribir los datos que necesita. En este caso, el mdulo de doble cara es nico en la clasificacin. Para "DIMM x8",cada lado es de 72 bits de ancho, por lo que el controlador de memoria slo se refiere a un lado a la vez (el mdulo de dos caras es de doble clasificacin).

"Filas" de los mdulos

Las filas no pueden ser accedidas simultneamente como si compartieran el mismo camino de datos. El diseo fsico de los chips [DRAM] en un mdulo DIMM no hace referencia necesariamente al nmero de filas. Las DIMMs frecuentemente son referenciadas como de "un lado" o de "doble lado", refirindose a la ubicacin de los chips de memoria que estn en uno o en ambos lados del chip DIMM. Estos trminos pueden causar confusin ya que no se refieren necesariamente a cmo estn organizados lgicamente los chips DIMM o a qu formas hay de acceder a ellos. Por ejemplo, en un chip DIMM de una fila que tiene 64 bits de datos de entrada/salida, slo hay conjunto de chips [DRAM] que se activan para leer o recibir una escritura en los 64 bits. En la mayora de sistemas electrnicos, los controladores de memoria son diseados para acceder a todo el bus de datos del mdulo de memoria. En un chip DIMM de 64 bits hecho con dos filas, debe haber dos conjuntos de chips DRAM que puedan ser accedidos en tiempos diferentes. Slo una de las filas puede ser accedida en un instante de tiempo desde que los bits de datos de los DRAM son enlazados para dos cargas en el DIMM. Las filas son accedidas mediante seales "chip select" (CS). Por lo tanto para un mdulo de dos filas, las dos [DRAM] con los bits de datos entrelazados pueden ser accedidas mediante una seal CS por [DRAM].

Dual in-line package

(Redirigido desde DIP) Paquete de lnea doble

Dual in-line package o DIP es una forma de encapsulamiento comn en la construccin de circuitos integrados. La forma consiste en un bloque con dos hileras paralelas de pines, la cantidad de stos depende de cada circuito. Por la posicin y espaciamiento entre pines, los circuitos DIP son especialmente prcticos para construir prototipos en tablillas de protoboard. Concretamente, la separacin estndar entre dos pines o terminales es de 0,1 (2,54 mm). La nomenclatura normal para designarlos es DIPn, donde n es el nmero de pines totales del circuito. Por ejemplo, un circuito integrado DIP16 tiene 16 pines, con 8 en cada fila. Dada la actual tendencia a tener circuitos con un nivel cada vez ms alto de integracin, los paquetes DIP estn siendo sustituidos en la industria por encapsulados de Tecnologa de montaje superficial, (conocida por las siglas SMT, surface-mount technology o SMD, surface-mount device). Estos ltimos tienen un diseo mucho ms adecuado para circuitos con un alto nmero de patas, mientras que los DIP raras veces se encuentran en presentaciones de ms de 40 patas.

Orientacin y numeracin de los pines

Para representar los pines en los esquemas de circuitos, se emplean nmeros que identifican a cada uno. Para numerar los pines de un DIP hay que fijarse en el pequeo agujero que incluye en un extremo. El pin que est a su lado ser el nmero 1. A partir de ah, se numeran consecutivamente los pines de su fila. Al terminar pasamos a la otra fila, y, en sentido inverso, la recorremos hasta llegar al final. Es decir, se numeran de forma circular. En la figura de la derecha aparece como se numerara un circuito DIL16.

Para trabajos en placas de circuito, se suelen usar unos soportes de plstico para este tipo de empaquetados, denominados zcalos, que contienen una serie de orificios colocados de la misma forma que el circuito. As no soldamos directamente el circuito a la placa (que podra deteriorarse con el calor), sino el zcalo. Una vez est fijado, se coloca encima el circuito integrado. Si tenemos que sacar y poner continuamente el integrado, una forma prctica para que no se deterioren las patitas del encapsulado es poner dos zcalos, uno fijo en la placa y otro fijo en el integrado. Existen los zcalos de cero fuerza cuando se necesita instalar y remover muchas veces el circuito integrado. En este caso con una palanca se libera o sujeta el circuito integrado. Los pines se extienden a lo largo del encapsulado (en ambos lados) y tiene como todos los demas una muesca que indica el pin nmero 1. Este encapsulado bsico fue el ms utilizado hace unos aos y sigue siendo el preferido a la hora de armar plaquetas por partes de los amantes de la electronica casera debido a su tamao lo que facilita la soldadura. Hoy en da, el uso de este encapsulado (industrialmente) se limita a UVEPROM y sensores.

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