Clasificacin de memorias

Clasificacin de memorias semiconductoras de acceso aleatorio Las memorias se clasifican, por la tecnologa empleada y, adems segn la forma en que se puede modificar su contenido, A este respecto, las memorias se clasifican en dos grandes grupos: 1) Memorias RAM: Son memorias en las que se puede leer y escribir, si bien su nombre (Random access memory) no representa correctamente este hecho. Por su tecnologa pueden ser de ferritas (ya en desuso) o electrnicas. Dentro de stas ltimas hay memorias estticas (SRAM, static RAM), cuya clula de memoria est basada en un biestable, y memorias dinmicas (DRAM, dinamic RAM, en las que la clula de memoria es un pequeo condensador cuya carga representa la informacin almacenada. Las memorias dinmicas necesitan circuitos adicionales de refresco ya que los condensadores tienen muy poca capacidad y, a travs de las fugas, la informacin puede perderse, por otra parte, son de lectura destructiva. a) Memoria RAM Esttica.

b) Memoria RAM Dinmica.

c) Memoria Cach

2) Memorias ROM (Read 0nly Memory): Son memorias en las que slo se puede leer. Pueden ser: a) ROM programadas por mscara, cuya informacin se graba en fbrica y no se puede modificar. b) PROM, o ROM programable una sola vez. c) EPROM (erasable PROM) o RPROM (reprogramable ROM), cuyo contenido puede borrarse mediante rayos ultravioletas para regrabarlas. d) EAROM (electrically alterable ROM) o EEROM (electrically erasable ROM), que son memorias que est en la frontera entre las RAM y las ROM ya que su contenido puede regrabarse por medios elctricos, estas se diferencian de las RAM en que no son voltiles. En ocasiones a este tipo de memorias tambin se las denomina NYRAM (no voltil RAM). e) Memoria FLASH, denominada as por la velocidad con la que puede reprogramarse, utilizan tecnologa de borrado elctrico al igual que las EEPROM. Las memorias flash pueden borrar-e enteras en unos cuantos segundos, mucho ms rpido que las EPROM. Bsicamente las memorias ROM se basan en una matriz de diodos cuya unin se puede destruir aplicando sobre ella una sobretensin (usualmente comprendida entre -12.5 y -40 v.). De fbrica la memoria sale con 1's en todas sus posiciones, para grabarla se rompen las uniones en que se quieran poner 0's. Esta forma de realizar la grabacin se denomina tcnica de los fusibles. CARACTERSTICAS DE LAS MEMORIAS.

Volatilidad. Se dice que una memoria es voltil si la informacin almacenada desaparece si se corta la alimentacin elctrica. Las memorias semiconductoras son voltiles. Tiempo de acceso. Es el tiempo que transcurre entre el instante en que se ordena una Operacin de lectura y el instante en que se dispone de la primera informacin. Pensando en que la escritura o lectura es algo de lo que se sirve un dispositivo como el microprocesador, se define lo que se llama tiempo de ciclo. Se trata del tiempo que debe transcurrir entre dos operaciones de lectura o escritura consecutivas. Ello es debido a que los procesos de escritura/lectura, no requieren en sus fases terminales la atencin completa del microprocesador, pudiendo comenzar a realizar otras operaciones mientras tanto. Modo de direccionamiento (o de seleccin del punto de memoria). Acceso aleatorio: si el tiempo de acceso no depende de la ubicacin de los datos en la memoria. Acceso secuencial: si el tiempo de acceso depende de la localizacin del elemento de memoria a utilizar. Capacidad. Se denomina capacidad de una memoria a la cantidad de informacin que puede almacenar. Dado que la informacin se almacena en el sistema binario, la capacidad se mide en la unidad de medida de la informacin binaria, que es el bit. La capacidad, por tanto, se puede considerar como el nmero total de bits. En la prctica, la informacin se almacena en grupos de bits denominadas palabras o posiciones formales constituidas por un determinado nmero de bits accesibles simultneamente, y por lo tanto, el nmero de palabras de una memoria viene dado por el cociente (nmero de bits totales / bits por palabra). En consecuencia, la capacidad de una memoria se puede expresar indicando el nmero de palabras que puede almacenar. Por cuestiones histricas la unidad de medida de capacidad de la memoria en la prctica suele ser el Byte=8bits. Dada la gran capacidad de las memorias actuales, para expresar su capacidad se usan los siguientes mltiplos de cualquiera de las unidades anteriores: K = 210 = 1024 unidades Mega = M = 2 10 K = 210 210 unidades Giga = G = 210 M = 210 210 210 unidades Tera = T = 210 G = 210 210 210 210 unidades

Caudal. Es el nmero mximo de informaciones ledas o escritas por unidad de tiempo. El caudal se expresa generalmente en K-informaciones o megainformaciones por segundo. Por ejemplo, se habla de un caudal de megabytes por segundo. Segn el tiempo de permanencia. Se refiere al tiempo que permanece la informacin graba en la memoria: No voltil o duradera. Una vez escrito un punto de memoria, su informacin no se borra hasta que se vuelva a escribir sobre l. Por ejemplo los medios magnticos. Voltil. La informacin desaparece si se deja de suministrar energa a la memoria. Por ejemplo, las memorias de semiconductores. Con refresco. Aunque la memoria est alimentada, su informacin se va degradando paulatinamente, llegando un momento en que no se puede leer correctamente. Para que este tipo de memorias sean tiles deben refrescarse peridicamente, esto es, deben reactivarse para regenerar los estados de sus puntos de memoria. Por ejemplo un condensador que se descarga por las corrientes de fuga, o las memorias RAM dinmicas. Permanente o de slo lectura (memorias muertas o pasivas). Son aquellas que contienen siempre la misma informacin y no pueden borrarse. La informacin puede grabarse en el proceso de fabricacin o posteriormente, en un proceso de grabacin destructivo o permanente. Por ejemplo las memorias ROM de semiconductores. Segn la forma de acceso. Acceso aleatorio (RAM). El tiempo de escritura/lectura es independiente de la localizacin de la informacin dentro de la memoria. Dentro de este tipo de memorias podemos hacer la siguiente clasificacin, basndonos en la permanencia de la informacin en ellas: 1. Memorias activas. Los tiempos de escritura/lectura (R/W) son del mismo orden. Segn como se realice la operacin de lectura/escritura tenemos:

a) Lectura/escritura no simultnea. En estas memorias slo se puede seleccionar una posicin de memoria simultneamente y realizar en ella la operacin de lectura o escritura. b) Lectura/escritura simultnea. Se pueden realizar ambas operaciones a la vez, pero sobre posiciones de memoria distintas. c) Acceso mltiple. Permiten realizar ambas operaciones simultneamente y sobre mltiples posiciones de memoria. Memorias: conceptos generales. 2. Memorias pasivas. En stas los tiempos de escritura y lectura difieren considerablemente, siendo generalmente mucho mayor el de escritura. Los tipos ms importantes son: a) Totalmente pasivas (ROM). La escritura se realiza en el momento de la fabricacin, siendo imposible escribir sobre ellas despus (tiempo de escritura infinito). b) Pasivas programables (PROM). El proceso de escritura slo puede realizarse a travs de aparatos especiales y es mucho mayor que el de lectura. Una vez almacenada la informacin, basta con lanzar un impulso elctrico para que la informacin quede grabada para siempre. c) Pasivas reprogramables (RPROM). Son iguales que las PROM, salvo que el mtodo de escritura se puede usar para borrar y volver a escribir. El nmero de veces que se puede realizar esta operacin no es ilimitado. Acceso serie o secuencial. El tiempo de escritura/lectura depende de la localizacin del lugar de la memoria donde queremos realizar esas operaciones. Un ejemplo de stas son las cintas.

JERARQUA DE LAS MEMORIAS. En una mquina lo ideal sera disponer de una memoria central muy rpida y de gran capacidad. Esta solucin resulta demasiado costosa y en cualquier caso irrealizable tcnicamente ya que la capacidad de direccionamiento del microprocesador es limitada.

Los parmetros que caracterizan a las diferentes tecnologas para la fabricacin de memorias son: El coste por bit. El tiempo que se emplea en acceder a la informacin. La capacidad de almacenamiento. La memoria se suele estructurar en varios niveles debido al compromiso costecapacidad velocidad (velocidades altas significan costes tambin altos, y de igual forma, grandes capacidades supone aumento del coste). Existir un nivel rpido de pequea capacidad, y niveles sucesivos de menor velocidad, pero mayor capacidad. La informacin se ubicar en uno de los niveles, de acuerdo a su probabilidad de uso. As un programa poco empleado o unos datos de archivo, estarn almacenados en un nivel inferior ms lento y de mayor capacidad. Si en un momento determinado se necesita esta informacin, se transfiere al nivel superior ms rpido para ser utilizada Por ello se ha llegado a establecer una jerarqua de las memorias, fundamentalmente en dos niveles: Una memoria central relativamente rpida pero de capacidad muy limitada. Una memoria auxiliar de mucha mayor capacidad pero con un tiempo de acceso considerable. Sin embargo, dentro de un computador pueden aparecer ms niveles. Los que suelen existir son: Registros: Son de acceso aleatorio y muy pequea capacidad y tiempo de acceso. Lo constituyen los registros internos del microprocesador. Son voltiles y de semiconductores. Memorias cach: Las caractersticas son idnticas a las de los registros, aumentando un poco su capacidad y tiempo de acceso. Se sitan, en general, fuera del microprocesador. Se usan, como veremos, para acelerar los accesos a la memoria principal. Memoria central: Son de semiconductores y acceso aleatorio. Su funcin, como veremos, es la de almacenar las instrucciones y datos a los que accede la CPU. Memorias secundarias o masivas de tipo bloque: Son memorias de mucha ms capacidad que la central, pero tambin de tiempo de acceso mayor. Son de acceso directo o aleatorio y no voltiles. La mnima informacin accesible es un bloque de informacin llamado sector o segmento (cluster). Son los discos magnticos. Otra caracterstica de estas memorias es su gran caudal de informacin. Memorias secundarias o masivas tipo fichero: La mnima informacin accesible es el fichero. Son las cintas magnticas. Se caracterizan por su acceso secuencial, que implica Memorias: conceptos generales.

Tiempos de acceso elevados, incluso de hasta varios minutos, pero de una gran capacidad, mayor que las anteriores. Cada vez que se quiere leer un dato, se carga previamente todo el fichero en memoria y, a continuacin, se asla el dato.