Proceso de refinacin por zonas.

Lo primero que se debe de hacer para fabricar cualquier dispositivo semiconductor es la obtencin de los materiales semiconductores con el nivel de pureza deseado. Las materias primas tanto como las del dixido de silicio y el dixido de germanio (que son las ms utilizadas) se someten a procesos qumicos y de fundicin para obtener silicio y germanio. Los tomos de estos cristales se encuentran desordenados (material policristalino). Para que se logre una purificacin mayor y un ordenamiento de los cristales, se someten al proceso llamado Refinacin por Zonas Mtodo de Bridgman .En la figura se muestra el aparato o dispositivo con el cual se logra la purificacin y ordenamiento del cristal.

Este sistema est formado por un recipiente (bote) largo y angosto hecho de material de cuarzo o de grafito para que exista una contaminacin mnima, adems de un contenedor de cuarzo en forma de tubo y un grupo de bobinas de induccin de RF (radio frecuencia). Existen dos formas para fundir el material que se encuentra en el interior; una es que las bobinas se muevan a lo largo del contenedor en otro caso sea el recipiente el que se mueve. El resultado es el mismo en cualquiera de los dos casos, el fines fundir una pequea porcin del lingote y hacer un desplazamiento de la zona fundida continuamente a todo lo largo del lingote, de un extremo al otro; aunque para este ejemplo, son las bobinas las que se mueven. Para un mayor grado de purificacin, al interior del contenedor se le aplica un vaco para reducir la posibilidad de contaminacin. El material que va ser purificado se coloca en el recipiente (bote). En un extremo se coloca una pequea semilla, que es una pequea muestra monocristalina con el patrn deseado de los tomos (como alguna de las redes de Bravais) y se colocan las bobinas en el mismo extremo de la semilla. Posteriormente se le aplica a la bobina la seal de radio frecuencia la cul, inducir un flujo de carga en el lingote o barra. La magnitud de estas corrientes aumenta hasta que se desarrolla una cantidad de calor

suficiente para fundir esa regin del material semiconductor as, las impurezas en el lingote pasarn a un estado lquido. Al mover en forma transversal las bobinas de radio frecuencia, se va creando un material fundido que al irse enfriando, los tomos adoptan un patrn de red similar al de la semilla. Conforme la zona fundida va pasando lentamente a travs de la barra slida, la mayor parte de los tomos de impureza en el fundido son rechazados por el slido en la interfaz, en donde la regin que est fundida se solidifica para volver a formar una barra slida. Cuando la zona fundida pasa a travs del lingote largo, los tomos de las impurezas se van acumulando (recogiendo) en el lquido y al final se acumulan solamente en el extremo del lingote cuando la ltima parte de la zona fundida se solidifica finalmente; osea, las bobinas de induccin ya han alcanzado el extremo de la barra. Esta parte del lingote contiene casi todas las impurezas y entonces se corta, y se repite el proceso completo hasta que se haya logrado el nivel de impurezas que se desea. Una desventaja que presenta este mtodo, es el contacto del material fundido con las paredes del crisol; la interferencia resultante de la pared del crisol introduce tensiones durante la solidificacin y forma desviaciones en la estructura reticular de los tomos, por lo que el arreglo peridico de los tomos no es del todo perfecto.