Anlisis a pequea seal para FET

Los amplificadores con transistores de efecto de campo proporcionan una ganancia de voltaje excelente con la caracterstica adicional de una alta impedancia de entrada. Adems son considerados como configuraciones de bajo consumo de potencia con un adecuado rango de frecuencia y un tamao y peso mnimos. Todos los dispositivos JFET como los MOSFET de tipo decremental pueden emplearse para disear amplificadores que cuenten con ganancias similares de voltaje sin embargo el circuito MOSFET decremental tiene una impedancia de entrada mucho mayor que la de una configuracin JFET similar.

Gracias a las caractersticas de impedancia de entrada alta de los FET s el modelo equivalente de AC para de alguna forma ms simple que el utilizado por los BJT s. mientras que el BJT cuenta con factor de amplificacin (beta), el FET cuenta con un factor de transconductancia gm. El FET puede emplearse como un amplificador lineal o como un dispositivo digital en circuitos lgicos. De hecho el MOSFET incremental es muy popular en los circuitos digitales, especialmente en los circuitos CMOS que requieren un consumo de potencia muy bajo. Los dispositivos FET tambin se utilizan ampliamente en aplicaciones de alta frecuencia y en aplicaciones de circuitos de interfaz para computadoras. La AV en los FETs con frecuencia menor que la obtenida para un BJT, pero la Zi es mucho mayor que los del BJT, en cambio la Z0 de salida son equivalente para ambos. La Ai ser una cantidad indeterminada debido a que la corriente de entrada en los FET s es 0 A.

Modelo de pequea seal para el FET

Recuerde que en DC, el voltaje de compuerta-fuente contra el nivel de la corriente de drenaje mediante la ecuacin de SHOCKLEY.

VGS I D ! I DSS 1  VP

El cambio en la corriente del drenador que se ocasiona por el cambio en el voltaje compuerta-fuente puede determinarse mediante el uso del factor de transconductancia gm de la siguiente forma:

(I D ! gm(V
gm=transconductancia

DETERMINACION GRAFICA DE gm
ID(mA)
Curva obtenida mediante
I ! I SS 1 

gm
IDSS

GS p

(I ( GS

Pendiente en el punto Q

Pto Q=(-2.5 ; 3)

Q VGS Vp

ID

4 2

(I 1.8 gm ! ! ( GS 1
gm ! 1.8ms

VGS

DEFINICION MATEMATICA DE gm
(I D dI D d ! gm ! |PtoQ ! (VGS dVGS dVGS VGS gm ! 2 I DSS 1  V P I DSS gm ! 2 VP
Cuando VGS=0

VGS I DSS 1  V P

d ! 2 I DSS dVGS

VGS 1  V P

1  V P

VGS 1  V P

Donde |Vp| denota solo la magnitud parar asegurar un valor positivo de gm gm alcanza su valor maximo gm0, entonces:

2 I DSS gm ! VP

2 I DSS 0 ! gm0 1  VP VP

Por lo tanto

VGS g ! g 0 1  VP

En las hojas de especificaciones proporcionan gm como Yfs donde Y f s parmetro de admitancia. parmetro de transferencia directa (forward) revela que la terminal de la fuente es la referencia del modelo Para el JFET varia desde 1000 hasta 5000s o de 1-5 ms

gm ! YFS

Grafica de gm en funcin de VGS

gm(s) gm0

VGS g ! g 0 1  VP
Si VGS=0 Si VGS=VP gm=gm0 gm=O

Vp

VGS(V)

Debido a que el factor

VGS 1  VP

es < 1 para cualquier Vgs 0, la magnitud

de gm disminuir a medida que Vgs se aproxime a Vp y que el cociente incremente en magnitud.

Vgs Vp

se

IMPACTO DE ID SOBRE gm

VGS Ec. de SHOCKLEY: I D! I DSS 1  V P I D VGS ! 1  I DSS VP

Entonces

VGS @1  ! VP

ID I DSS

gm ! gm0

ID I DSS

Se puede graficar gm(s) en funcin de ID(mA) con los siguientes datos:

a) Si ID = IDSS

g !g

I DSS g !g I DSS

b) Si ID = IDSS/2

gm ! gm0

I DSS 2 gm ! 0.707 gm 0 I DSS I DSS 4 gm ! 0.5 gm 0 I DSS

b) Si ID = IDSS/4

gm ! gm0

Ejemplo : Con IDSS=8mA y Vp=-4V. Graficar gm Vs. ID

2 I DSS 2 * 82 ! ! 4mS gm0 ! 4 VP
Con IDSS=4; gm=2.83ms Con IDSS=2; gm=2ms
gm(ms)

gm0=

ID(mA)

IMPEDANCIA DE ENTRADA Zi DEL FET

En forma de ecuacin:

Z i ! E;

Para un JFET se tom un valor tpico de 109 (1000M ), mientras que a los MOSFET s se tom un valor tpico de 1012 a 1015

IMPEDANCIA DE SALIDA Z0 DEL FET

Es de magnitud similar a la del BJT. En las hojas de especificaciones se representa como Y En forma de ecuacin:
ID(mA) VGS=0V Q
Vds ID
S.

1 Z 0 ! rd ! yUS (Vds rd ! (I d
Con VGS constante
Pto .Q

VGS=-1V VGS=-2V VGS=-3V Vds

CIRCUITO EQUIVALENTE DE AC PARA EL FET

G gm VGS S D

rd
S

CIRCUITO DE POLARIZACIN PARA EL JFET

POLARIZACIN FIJA

VDD RD

Vi

Ci RG Zi VG Z0

Datos: VDD=20v RD=2k RG=1M VG=2V IDSS=10mA VP=-8V

Asumiendo que el Pto Q:

Vgs ! 2V I DQ ! 5.625mA Y S ! 40 Qs

Pto. Q

Del anlisis DC

gm0 !

2 I DSS 2 *10 ! ! 2.5mS 8 VP

VGS  2 gm ! gm0 1  ! 2.51  ! 1.88mS 8 VP

rd ! 1 1 ! ! 25k; yUS 40 QS

Anlisis AC

Z i ! RG ! 11;
D V0 +

Vi Zi RG

Z 0 ! rd // RD
Si rd 10RD Z0=RD 25 10(2) 1 Z0 =2k Z0 =25k//2k= 1.85k

RD

Z0
-

V0 ! @V0 !  gmVgs rd // RD Vi

Como Vgs = Vi

V0 ! gmVi rd // RD

V0 ! !  gmrd // RD Vi
V

Reemplazando valores

!  1.88mS 1.85k

AV !  gmRD !  1.88 2 AV ! 3.76 } AV ! 3.48

Autopolarizacin
Vi Zi RG
G D V0 +

RD

Z0

Z i ! RG
Z 0 ! rd // RD ; si rd
10RD

Z 0 ! rd // RD

AV !  gm rd // RD AV !  gmRD G

Vi

G gm VGS

D +

ID
RD
S

Zi

RG RS

Z0 V0

Z i ! RG V0 Z0 ! Vi V
Vi
gm VGS

! 0V

I0
S

ID
RD
S

Con Vi =0V VRG=0V (cortocircuito)

RG

V0
-

gmVgs ! I D  IU ;Vgs !  gmVgs RD Vgs !  I D  IU RS

Por lo tanto en 1: gmVgs=ID+I0

RS

I0

Z0 !

V0 @ V0 !  I D RD I0

Y como ID=-I0

I D  IU ! gm I D  IU RS I D  I 0 !  gmI D RS  gmI 0 RS I 0 ?1  gmRS A !  I D ?1  gmRS A I0 !  I D

V0 ! I 0 R D V0 ! Z 0 ! RD I0
Sin considerar rd

Considerando el efecto de rd

Vi

I
Zi RG RS
S

ID
- RD

V0 Z0 ! Vi

Vi ! 0V

I D RD !  I0

Z0

V0
-

I0+ID

I0
S

rd  gmVgs  Vr d  V0 ! 0 @Vr d ! Vgs  V0 I 0 ! gmVgs  Vgs  V0 rd Vgs

I D  I 0 ! gmVgs  I d I d @ !

Vr d

 I0

V0   I0 I 0 ! gmVgs  rd rd

 1 I D RD I 0 ! Vgs gm    ID rd rd 1 I D RD I 0 !  gm  I 0  I D RS   ID rd rd 1 I R  I 0 ! gm  I 0 RS  I D RS  D D  I D rd rd I D RD 1 1  I 0 ! gm  I 0 RS  gm  I D RS   ID rd rd rd
I 0 RD I D RS I D RD  I 0 ! gm I 0 RS   gm I D RS    ID rd rd rd I D RS I D RD I 0 RD ! gm I D RS    ID  I 0  gm I 0 RS  rd rd rd

RS RS RD  I 0 1  gmRS  ! I D gmRS    1 rd rd rd

 RS RD   1 I D gmRS  rd rd I0 ! RS 1  gmRS  r d RS RD RS  I D RD gmRS    1 1  gmRS  rd rd V0 rd Z ! Z0 ! ! RD 0 R R Vi RS RD 1  gmRS  S  D  I D gmRS    1 rd rd rd rd RS 1  gmRS  r d

Si rd 10RD, entonces

1  gmRS 

RS R "" D rd rd

Z 0 ! RD

Para ganancia de voltaje

V0 A ! V Vi

V0 !  I D RD

VRS !  I D RS

Vi Vgs VRS ! 0@Vgs !Vi VRS Vi IDRS !Vgs V0 VRS I' ! rd V0 VRS ID ! gmV  I ' ! gmV  gs gs rd

Sustituyendo tenemos

I D ! gm? i  I D RS A V

 I D RD  I D RS
rd RD R  ID S rd rd

I D ! mgVi  gmI D RS  I D

R R I D 1  gmRS  D  S ! gmVi rd rd
ID ! gmVi RD  RS 1  gmRS  rd gmVi RD R  RS 1  gmRS  D rd

V0 !  I D RD 

V0 gmRD ! R  RS Vi 1  gmRS  D rd

; Si rd 10(RD+RS)

gmRD AV !  1  gmRS

3) Divisor de voltaje

R1

RD

V0

Z0 Vi R2 RS RS

Zi

Z i ! R1 // R2
Z 0 ! rd // RD V !0V
i

Si d

r u 10 RD Z 0 ! RD

Con desvo

Vi

G + R1 R2

V0

RD Z0

Zi

Z i ! R1 // R2
Z 0 ! rd // RD V !0V
i

; Si

r d u 10 R

! RD

V0 AV ! Vi

Vi ! Vgs V0 !  gmVgs rd // RD
V

 gmVgs rd // RD ! Vgs
V

!  gmVgs rd // RD

Si

rd u 10 RD AV !  gmRD

Sin Desvo
Vi G D + V0

Zi

R1

R2

S RS

RD Z0

Z i ! R1 // R2
El circuito es de forma similar al anterior con el efecto de

rd

RS 1  gmRS  rd RD Z0 ! RS RD  1  gmRS  rd rd

Si

rd u 10 RD ; entonces

RS RD 1  gmRS  "" rd rd

Z 0 ! RD
gmRD AV !  RS  RD 1  gmRS  rd
Si

rd u 10RD  RS ; entonces

gmRD AV !  1  gmRS

Fuente Seguidor (Drenaje Comn)

Z i ! RG
Z0 al hacer Vi=0V se obtiene el siguiente circuito.

Vi

G + Vgs

+ V0

Zi

RG

RS Z0

S + gmVgs Vgs rd RS I0 Z0

+ V0

V0 ! Vgs
LCK en el nodo S

I 0  gmVgs ! I rd  I RS V0 V0  I 0  gmVgs ! rd RS

1 1 I 0 ! V0   gmVgs;Vgs ! V0 rd RS 1 1  gm I 0 ! V0  rd RS
V Z0 ! 0 ! I0 1 ! 1 1  1  1 1 V0   gm  1 rd RS rd RS gm V0 
La cual tiene el formato que la resistencia total de 3 resistencias en paralelo

1 Z 0 ! rd // RS // gm

;Si rd 10RS

1 Z 0 ! RS // gm

V0 AV ! Vi V0 ! gmVgs rd // RS Vgs ! Vi  V0 1 V0 ! ?  gmrd // RS A! gmVi rd // RS V0 gmrd // RS AV ! ! Vi 1  gmrd // RS

Si no hay rd rd 10RS

V0 ! gm i  V0 rd // RS ! gmVi rd // RS  gmV0 rd // RS V

gmRS AV ! 1  gmRS

Compuerta Comn

Impedancia de entrada Zi

Vd ; Zd ! Id

Vgs ! Vi ! V d

I d gmVgs ! Ird  I d Ird  gmVgs ! V d Id  RD Id !  gmVgs rd

Vd Id R d  D  gm? V d A I ! rd rd 1 RD Id ! V d  gm 1 rd rd RD 1  r Vd rd  RD d Z id ! ! Zi ! Id 1  gmrd 1 gm  r d

 RD 1  r Vd rd  RD d ! Zi ! Zi ! 1  gmrd Id 1 gm  r d

Si rd 10RS

1 Z id ! gm

1 Z i ! RS // gm

Impedancia de salida

V0 Z0 ! I0

@ Z 0 ! RD // rd
Vi ! 0V

Si rd

10RS

Z 0 ! RD

GANANCIA DE VOLTAJE

V0 Vi
+ + D

- -

rd
gm VGS G

Vi ! Vgs
V0 + RD Z0
-

Vi + Zi
-

V0 ! I D RD Vrd ! V0  Vi V0  Vi I rd ! rd

-S

RS

I rd  gmVgs  I D ! 0 V  V V  V0 I D !  0 i  gmVsg ! i  gmVi rd rd Vi  V0 VR VR V0 !  gmVi RD ! i D  gmVi  0 D rd rd rd R R V0 ! 1  D ! Vi D  gmRD rd rd

V0 ! Vi

gmRD  R 1 D rd

RD rd

Si rd 10RD

Av=gmRD

MODELO AC PARA MOSFETs DEL TIPO DECREMENTAL

El hecho e que la ecuacin de Schockley sea tambin aplicable a los MOSFET s de tipo decremental da por resultado una misma ecuacin para gm. De hecho el modelo equivalente de Ac para los MOSFET s decremental es EXACTAMENTE el mismo que el utilizado para los FET s. La nica diferencia que presentan los MOSFETs decremental es que VGS que puede ser positivo para los dispositivos de canal n y negativo para los de canal p . El resultado de esto es que gm puede ser mayor que gm0. El rango de rd es muy similar al que se encuentra para los JFET s
G + gm VGS - S

Configuracin DIVISOR DE VOLTAJE Datos: IDSS=6mA VP=-3V YOS=10 S Del anlisis DC:
18V

VBSQ=0.35V IDQ=7.6mA

110M

1.8K

2 I DSS 2 * 6 gm0 ! ! ! 4mS VP 3

VBSQ gm ! gm0 1  VP 0.35 gm ! 4mS 1  ! 4.47 mS 3

Z0
10M 150

Zi

1 1 rd ! ! ! 100k; yOS 10 QS

Anlisis AC:
G +
110M 10M

D + 4.47*10-3 Vgs S
100K

V0

Vi -

Zi

1.8K

Z i ! 1101 // 101 Z i ! 9.171

Z 0 ! 100k // 1.8k Z 0 ! 1.77 k; } 1.8k ! RD ! Z 0

AV !  gmRD AV ! 4.47 mS  .8k 1 AV ! 8.05

Porque

rd 10RD 100k 10(1.8k)

MOSFET`S DE TIPO INCREMENTAL

CANAL P G gm VGS CANAL N

gm ! N fs

1 ; rd! yos

Del anlisis DC:

ID !kV Vgsth gs
A


A
2

(I D Como: gm ! (Vgs

gm !

d 2 k Vgs  Vgs th ! 2k Vgs  Vgs th   0 1 dVgs

gm ! 2k Vgs Q  Vgs th

1) Configuracin de Retroalimentacin en Drenaje

VDD
Impedancia de entrada:

Vi Zi ! Ii

RD C2 RF Vi C1 V0 Z0 Vi Zi

RF

Ii Ii
G

+ gm VGS
S

V0

+
RD Z0

Zi

I i ! gmVgs 

V0 ; Vgs ! Vi rd // RD

V0 I i  gmVi ! @V0 ! rd // RD I i  gmVi rd // RD

Vi  V0 Vi  rd // RD I i  gmVi ! Ii ! RF RF I i ?RF  rd // RD A! Vi ?  gmrd // RD A 1
@ Zi !
RF  rd // RD 1  gmrd // RD
Zi ! RF 1 gmrd // RD

I i RF ! Vi  rd // RD I i  rd // RD gmVi

Por lo general RF >> rd//RD

Si rd >> 10RD

RF Zi ! 1  gmRD

Impedancia de Salida

V0 Z0 ! I 0 V !0V
i

Vgs ! 0V gmVgs ! 0 A

RF

Vi=Vp=0V

rd

RD

Z0

Z 0 ! RF // rd // RD

Como: RF >> rd//RD

Z 0 ! rd // RD Z 0 ! RD

Y si rd>>10RD

Ganancia de Voltaje

AV !

V0 !? Vi

V0 I i ! gmVgs  rd // RD

Vgs ! Vi

Vi  V0 Ii ! RF

Vi  V0 V0 ! gmVi  RF rd // RD

1 1 Vi V0 V0 1  ! gmVi  @Vi  gm ! V0  RF RF rd // RD RF rd // RD RF

1  gm V RF AV ! 0 ! 1 1 Vi  rd // RD RF

Como: gm >> 1/RF

 gm AV ! 1  1  1 rd RF RD

AV !  gmRF // rd // RD

Por lo general RF >> rd//RD y

rd >> 10RD

AV !  gmRD

2) Configuracin de Divisor de Voltaje

R1

V0
C1

Z0
R2

Vi Zi
R1 R2

V0 rd
S

+ gm VGS

RD

Z
0

Zi
RS CS

Z i ! R1 // R 2 Z 0 ! rd // R D ; si

rd >>10

V0 AV ! !  gm( rd // RD ) ; si rd Vi >>10

Z 0 ! RD

AV !  gmRD

DISEO DE REDES DE AMPLIFICADOR FET

Disee la red de polarizacin fija para que tenga ganancia AC de 10. Es decir determine el valor de RD
VDD=30V

IDSS=10mA Vp=-4V yOS=20 S

0.1 F

Debido a que:

Vgs ! 0V gm ! gm0
2 I DSS 2 *10 ! ! 5mS gm0 ! 4 Vp

RD

Vi
10M

AV !  gm0 RD // rd  10 ! RD // rd  5mS @ RD // rd ! 2k
50kRD ! 100 k  2kRD 48kRD ! 100k

rd !

1 1 ! yos 20 QS

rd ! 50k;

50k RD ! 2k 50k  RD

RD ! 2.08k;

VDSQ ! VDD  I DRD ! 30   mA 2k; 10 Z i ! 101; Z 0 ! rd // RD ! 2k // 50k

Z 0 ! 1.92k; } RD ! 2k;

EJERCICICIOS
LOS SIGUIENTES EJERCIOS SON AMPLIFICADORES EN MULTIETAPA LOS CUALES TIENEN LOS TRES TIPOS DE TRANSISTORES VISTO EN CLASE

EJEMPLO

20V Datos: Q1: IDSS=10mA ; Vp=-4V Q2: IDSS=4mA ; Vp=-5V Q3: =50 ; VBC=0.7V

8.6M Vi
Q1 ID

Zi

150k

Q2 ID

RE 1k

Z0

Calcule: a) Puntos de Operacin, b) Expresin literal para AV, Zi, Z0 c) Evale del literal b

Anlisis DC: Se obtiene:

Q3: IBQ=92.4 A Q1: Vgs1=-1.44V Q2: Vgs2=0V

Anlisis AC: G Vi R1
8.6M

Q1
D

ZMi S R3 150k

gm Vgs1
B

Q1
hfe

+ IBQ

ZM0

VB -

hie

E RE 1k

V0

AV1

AV2

2 I DSS gm ! Vp

Vgs 1  Vp

10mA  1.44 gm1 ! 2 1   4 ! 3.2mv 4 gm2 ! 2

hie !

4mA 0 1  5 ! 1.6mv 5

26mV 26mV ! ! 0.279k; I BQ 92.4 QA

En Q2: Vgs2=0 ; Vs2=0 Vgs2=0 ; gmVgs=0 Abierto

AV 1 !

VB }1 Vi

Z M 0 ! R2

Z M 0 ! 21

EJEMPLO
+Vcc R1 8M B
2 2

R4 2k V01 Z0 Q3
1

Vi Zi

R2 2M A 150M R3

Datos: Q1: IDSS=10mA ; Vp=-4V Q2: k=0.3mA/V2 ; VTH=1V ; Vgsq=8V Q3: =50 ; VBC=0.7V ; Ibq=10 A

1 1

Vg1=0 Vs1=0 Vgs1=0

R5 1k

V02

V01 AV 1 ! Vi V02 AV 1 ! Vi

; Zi ; Z0

B Vi R1 8M R2 2M

G2

D2

gmVgs2
S2 A R3 150M b3

Ib3
hie e3

C3

V01 R4 2k Z0

Vgs1

gmVgs1

hfeIb3 V02

R5 1k

26mV 26 mV hie ! ! ! 2.6k; I bq 10 QA

Vgs I DSS gm1 ! gm0 1  @ gm0 ! 2 Vp Vp 10mA 0 gm1 ! 2 1  4 ! 5mv 4

gm2 ! 2k Vgs  VT

gm2 ! 20.3 8  1A! 4.2mv ?

Ii R1 8M I2

Vi

I1

+ R2 Vgs2 2M A I3 R3 150M

gmVgs2
b3 Ib3 hie e3 C3

V01 R4 2k

hfeIb3 V02

AV 1 !

V01 V01 VA ! v Vi VA Vi

VA
-

LCK nodo A

R5 1k

I 2  gm2Vgs 2 ! I 3  I b 3 V VA Vi  V A  gm2  i  V A ! A  V R3 hie   fe  1 5 h R R2 Vi 1 1 VA   gm2Vi  gm2V A ! V A  R2 R2 R3 hie   fe  1 5 h R

RRb3

1 1 1 1   gm Vi  gm2 ! V A  R R3 RRb 3 R2 2

1  gm2 VA R2 ! 1 1 1 Vi    gm2 R3 RRb 3 R2

Evaluando VA ! 0.994 Vi
V 01 !  h fe I b3 R4 V A ! I b3 RR b3 V 01 VA V 01 VA

1  gm2 h fe R4 R2 AV1 ! v 1 1 1 RRb3   gm2  R3 R2 RRb3 Evaluando AV1 !  1.853 0.994

!  h fe R4
RR b3

 h fe I b3 R4
I b3 RR b3

Evaluando

AV1 ! 1.853

! 1 .853

1  gm2 h fe  1 R5 R2 AV2 ! 1 1 1 RRb3    gm R3 R2 RRb3 Evaluando AV2 ! 0.951 0.994

V 02 ! I e3 R 5 !  fe  1 b3 R5 h I V A ! I b3 RR b3 V 02 VA V 02 VA
fe

h  1 I R ! I  RR
b3 b3 b3

h !

fe

 1 5 R

RR b3

Evaluando

AV2 ! 0.945

! 0 .951

Impedancia de Entrada: Z i ! LCK nodo B

Vi Zi

I i ! I1  I 2 Ii ! Vi Vi  V A  R1 R2

Vi Vi V A Vi Vi V A Vi  !  R Ii !  2 R1 R2 R2 R1 R2 Vi Vi Vi Vi AVA  Ii !  R1 R2 R2 1 1 AVA   I i ! Vi R1 R2 R2 1 V i ! ! 1  1  AVA Ii R1 R2 R2

1
1 8M

 1 2 M  0.994 2 M

Z i ! 7.8125?1; A

Impedancia de Salida:

V' Z0 ! 0 Z0 '

Z0 !

V 0 CA I cc

V01 V0CA ! AV 1 ! @V0CA !  1.853 i V Vi VA

I cc ! h fe I 'b3
Z0 !

;
!

V A p 0.994Vi 0.994Vi I b3 ! ! h hie  R5  fe  1 hie  R5  fe  1 h

1.853 h fe RRb3

 1.853 Vi
0.994Vi  h fe RRb3

0.994

Evaluando

Z 0 ! 1.999k