TRANSISTORES BIPOLARES DE PORTA ISOLADA (IGBT) O transistor bipolar de porta isolada (IGBT) mescla as caractersticas de baixa queda de tenso

no estado ligado do BJT com as excelentes caractersticas de chaveamento do MOSFET. Os IGBTs esto substitudo os MOSFETs em aplicaes de alta tenso, nas quais as perdas na conduo precisam ser mantidas em valores baixos. Embora as velocidades de chaveamento dos IGBTs sejam maiores (at 50 kHz) do que as dos BJTs, so menores do que as dos MOSFETs. Portanto, as freqncias mximas de chaveamento possveis com IGBT ficam entre as dos BJT e as dos MOSFETs. A Figura abaixo mostra o smbolo do um IGBT canal (N) e seu equivalente, constitudo por um MOSFET e um BJT. O IGBT possui trs terminais: a porta (G), o coletor (C) e o emissor (E).

IGBT e seu equivalente constitudo por um MOSFET e um BJT

PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO A operao do IGBT muito similar dos MOSFETs de potncia. Para coloc-lo no estado ligado, basta polarizar positivamente o terminal coletor (C), em relao ao terminal emissor (E). Uma tenso positiva (VGE) aplicada na porta em relao ao emissor far o dispositivo passar para o estado ligado quando a tenso na porta exceder a tenso de limiar (VGE(TH). O IGBT passar para o estado desligado no momento em que houver a anulao do sinal de tenso do terminal de porta. CURVA CARACTERSTICA DE TENSO-CORRENTE DO IGBT A curva caracterstica (V-I) mostrada na figura abaixo representa a corrente de coletor (IC) versus a tenso coletor-emissor (VCE). Quando no houver tenso aplicada na porta, o IGBT estar no estado desligado, no qual a corrente (IC) igual a zero e a tenso atravs da chave igual tenso da fonte. Se a tenso (VGE > VGE( TH )) for aplicada na porta, o dispositivo passar para o estado ligado e permitir a passagem da corrente (IC). A corrente de coletor limitada pela tenso da fonte e pela resistncia da carga. No estado ligado, a tenso(VCE) atravs da chave e prxima de zero.

Curva caracterstica do IGBT

IGBT OPERANDO COM CHAVE Estado ligado. O IGBT entrar em conduo se a tenso VGE > VGE (th). Estado desligado O IGBT entrar em corte de VGE < VGE (th). PERDAS NO IGBT A perda de potncia no IGBT durante o estado ligado dado pela equao

P( ON ) = VCE ( sat ) . IC (max)

DADOS QUE DEVEM SER RETIRADOS DOS DATA SHEETS VCEMAX Tenso de coletor emissor mxima VCE(sat) Tenso de coletor emissor na saturao. IC max Corrente de coletor mxima. VGE Tenso de gate emissor. VGE (th) Tenso de gate emissor mnima para o disparo. PD Potncia dissipada. TJmax Temperatura de juno mxima. Rth j-c Resistncia trmica juno caixa. Rth c-r Resistncia trmica caixa radiador VF Tenso direta no diodo de retorno. IF Corrente direta no diodo de retorno.

EXEMPLO DE APLICAO