CLULAS SOLARES MULTIUNIN Concepto bsico.

Con la tradicional clula solar de una sola capa, mucha energa de la luz incidente no se convierte en electricidad. Si un fotn incidente tiene menos energa que el hueco de banda de los materiales semiconductores, los fotones no pueden ser absorbidos, ya que no hay suficiente energa para excitar un electrn de la banda de conduccin a la banda de valencia. Por lo tanto, ninguna luz con menos energa que el hueco de banda se aprovecha en la clula solar. Si un fotn incidente tiene ms energa que el hueco de banda, el exceso de energa se convertir en calor ya que el electrn slo puede absorber la cantidad exacta de energa necesaria para desplazarse a la banda de valencia. Las clulas solares multiunin pueden hacer un mejor uso del espectro solar por tener mltiples capas de semiconductores con diferente hueco de bandas. Cada capa est hecha de un material diferente, que por lo general es un semiconductor III-V, y absorbe una porcin diferente del espectro. La capa superior tiene el mayor hueco de banda de modo que slo los fotones ms energticos son absorbidos en esta capa. Los fotones menos energticos deben pasar por la capa superior, ya que no son lo suficientemente energticos para generar EHP (pares electrn-hueco) en el material. Cada capa, yendo desde la cima hasta el fondo, tiene un hueco de banda menor que la anterior. Por lo tanto, cada capa absorbe los fotones que tienen energas superiores a los huecos de banda de esa capa y nada del hueco de banda de la capa superior. La forma ms comn de la clula solar multiunin se compone de tres capas, lo que se llama una clula solar triple-unin. Mejoras en el diseo futuro El uso actual de GaInP (Fosforuro de Galio e Indio), GaAs (Arseniuro de Galio), y Ge (Germanio) paralas capas de una clula solar multiunin se puede mejorar. La capa de Ge absorbe gran parte del espectro, ya que la diferencia entre el hueco de banda de las dos primeras capas es de 0,4 eV, mientras que la diferencia entre las dos capas del fondo es del 0,7 eV. Usando una nueva capa de semiconductor que tenga un hueco de banda de 1,25 eV, har que la clula ms eficiente desde los huecos de banda diferir en una constante 0,55 eV. Otra posible mejora de diseo mantiene las tres capas GaInP, GaAs, y Ge, pero aade otra capa de un material con un hueco de banda de 1,0 eV. Esta nueva clula solar cuatriunin tendr una diferencia de 0,3 o 0,4 eV entre cada capa adyacente. La distribucin del espectro dentro de la capa que absorbe cada longitud de onda en esta propuesta de diseo de clulas solares se presenta en la figura 8. Las eficiencias terica y prctica de estas nuevas tecnologas en condiciones normales de iluminacin terrestre se muestran cmo superan el 40% y 32%, respectivamente, con una mayor

eficiencia posible si aumentar la iluminacin. Adems, los requisitos para el hueco de banda de un nuevo material semiconductor, tambin debe coincidir con el entramado constante del Ge con el fin de ser viable. Figura 8. Eficiencias y divisin espectral basada en capas