Gua de Calidad de la Energa Elctrica

Puesta a tierra y Compatibilidad Electromagntica

Fundamentos de la Compatibilidad Electromagntica (EMC)

6.1.2

Puesta a tierra & EMC

Puesta a tierra y Compatibilidad Electromagntica

Fundamentos de la Compatibilidad Electromagntica (EMC)
Prof Dr rer nat Wolfgang Langguth Hochschule fr Technik und Wirtschaft Mayo 2006

Esta Gua ha sido publicada como parte de la Iniciativa Leonardo para la Calidad de la Energa Elctrica (LPQI), un programa europeo de formacin y educacin respaldado por la Comisin Europea (dentro del Programa Leonardo da Vinci) y la International Copper Association. Para ms informacin sobre LPQI, visite www.lpqi.org. Centro Espaol de Informacin del Cobre (CEDIC) CEDIC es una asociacin privada sin fines de lucro que integra la prctica totalidad de las empresas fundidoras-refinadoras y semitransformadoras de cobre y de sus aleaciones en Espaa. Su objetivo es promover el uso correcto y eficaz del cobre y sus aleaciones en los distintos subsectores de aplicacin, mediante la compilacin, produccin y difusin de informacin. European Copper Institute (ECI) El European Copper Institute (ECI) es un proyecto conjunto formado por ICA (International Copper Association) y la industria europea fabricante. Por medio de sus socios, ECI acta en nombre de los principales productores mundiales de cobre y fabricantes europeos para promover la utilizacin del cobre en Europa. Fundado en enero de 1996, ECI est respaldado por una red de once Centros de Promocin del Cobre en Alemania, Benelux, Escandinavia, Espaa, Francia, Grecia, Hungra, Italia, Polonia, Reino Unido y Rusia. Limitacin de Responsabilidad El contenido de este proyecto no refleja necesariamente la posicin de la Comunidad Europea, y tampoco implica ninguna responsabilidad por parte de la misma. El European Copper Institute, la Universidad Politcnica de Madrid, la Copper Development Association UK y el Centro Espaol de Informacin del Cobre (CEDIC) rechazan cualquier responsabilidad por cualquier dao directo, indirecto, consecuencial o incidental que pueda resultar del uso de la informacin, o de la incapacidad de usar la informacin o los datos contenidos en esta publicacin.

Copyright European Copper Institute, Universidad Politcnica de Madrid y Copper Development Association UK. Su reproduccin est autorizada siempre que el material sea ntegro y se reconozca la fuente.

La LPQI es promovida en Espaa por los miembros nacionales asociados al programa:

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Fundamentos de la Compatibilidad Electromagntica (EMC)
Introduccin
En el pasado, la mayora de los aparatos utilizados en las instalaciones elctricas de los edificios convencionales eran cargas lineales (motores de corriente alterna o continua, cargas resistivas, lmparas de filamento, etc.), que generaban ninguna o pocas interferencias entre los diferentes equipos. Actualmente muchas de las cargas utilizadas son no-lineales (motores de corriente alterna accionados por inversores, lmparas de descarga, lmparas de bajo consumo, etc). Estos dispositivos producen un ruido de banda estrecha (debido a que se conmutan a frecuencia fijas superiores a 9 kHz), que puede extenderse por toda la red. Habitualmente este tipo de interferencia conducida se produce en las fuentes de alimentacin de modo conmutado (que operan en el rango de 10 kHz a 100 kHz). Al mismo tiempo se puede observar un aumento en el uso de sistemas digitales, tales como equipos informticos para la gestin de instalaciones tcnicas y para sistemas de automatizacin de procesos industriales, aplicaciones multimedia y para usos comerciales. Por una parte, los sistemas de alimentacin de energa se hacen cada vez ms potentes, lo cual puede generar interferencias electromagnticas (EMI); por otra parte las redes digitales estn expandindose, hacindose ms sensibles, funcionando a velocidades de transferencia de datos cada vez mayores y se utilizan cada vez ms para tareas relacionadas con la seguridad. Este desarrollo exige, por tanto, instalaciones elctricas de alta calidad en todos los edificios en los que la falta de compatibilidad electromagntica pudiera provocar elevados costes o una disminucin inaceptable de los niveles de seguridad. Bsicamente todos los componentes elctricos conductores de los edificios y de las instalaciones desempean algn papel en la interferencia electromagntica, sea como productores (transmisores de EMI) o como consumidores (receptores de EMI). Adems de los conductores elctricos estn las tuberas metlicas, las barras de refuerzo del hormign, las fachadas de metal y los elementos estructurales de acero, que tambin pueden formar parte de la instalacin en lo que respecta a EMC y trasmitir las interferencias electromagnticas. Con frecuencia aparecen instalaciones que pueden actuar simultneamente como productoras y como consumidoras. En general los diversos sistemas pueden comprender:

Lneas de suministro elctrico. Dispositivos de medicin y control. Dispositivos de alarma. Instalaciones informticas, incluidas las redes.

Una instalacin inadecuada, combinada con una instalacin TN-C, permite que las seales de ruido se propaguen por todo el edificio y que, incluso, lleguen a afectar a otros edificios situados en las inmediaciones de la instalacin. La Comunidad Europea ha tomado conciencia de la creciente importancia que presenta la Compatibilidad Electromagntica. Segn la directiva de EMC de la Unin Europea 89/336/EEC (modificada por las directivas 91/263/EEC, 92/31/EEC, 93/68/EEC y 93/97/EEC), cualquier instalacin elctrica de un edificio debe respetar tambin las normas internacionales de EMC sobre susceptibilidad y emisin. La persona o personas responsables del diseo, realizacin tcnica y construccin (montaje y edificacin) se convierten en fabricantes segn la directiva y asumen la total responsabilidad sobre el cumplimiento por la instalacin de todos los requisitos de esta directiva cuando el edificio sea puesto en servicio. Para incorporar a un edificio una instalacin elctrica, segura en trminos de EMC, fiable y econmica, es absolutamente necesario llevar a cabo un anlisis de EMC y desarrollar un plan de EMC desde la fase inicial de planificacin del proyecto. Para ello es necesario que todas las instalaciones elctricas sean supervisadas y ejecutadas por personal adiestrado en la EMC. El propsito de este captulo es proporcionar una visin general y facilitar un conocimiento bsico de los principales principios fsicos de las interferencias electromagnticas y ofrecer una introduccin a los

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principios de la atenuacin de los efectos perturbadores. De este modo se conseguirn comprender fcilmente las medidas necesarias para conseguir una instalacin que satisfaga las normas de la EMC.

Los campos como fuente fundamental de las interferencias electromagnticas

La compatibilidad electromagntica (EMC) describe la capacidad de una mquina, aparato o sistema elctrico o electrnico de funcionar sin problemas en un entorno electromagntico perturbador sin perjudicar, a su vez, el funcionamiento de otros componentes del sistema. Las fuentes fundamentales de cualquier interferencia electromagntica (EMI) son los campos y corrientes bsicos de la electrodinmica. A bajas frecuencias los campos elctricos y magnticos actan independientemente, mientras que a altas frecuencias slo es de importancia el campo electromagntico que se propaga. En baja, media y alta frecuencia los campos electromagnticos los generan las corrientes y las cargas elctricas. En baja frecuencia los campos elctricos y magnticos tienen un alcance relativamente corto, ya que su intensidad decrece de forma inversamente proporcional al cuadrado de la distancia a la fuente, por lo que se concentran en las proximidades de las lneas conductoras que transportan alguna corriente o estn en tensin. Como en una instalacin elctrica el campo elctrico es proporcional a la tensin, slo ser suficientemente fuerte para provocar efectos EMI a cierta distancia en las proximidades de las instalaciones de alta tensin. No obstante, en la mayora de las instalaciones los campos elctricos no desempean un papel importante. Sin embargo, a distancias cortas, como es el caso de cables que discurren juntos por canalizaciones comunes, se debe tener en cuenta el campo elctrico como posible fuente de EMI. El campo magntico es proporcional a la intensidad de la corriente elctrica. En muchos sistemas de suministro de energa las corrientes pueden alcanzar valores bastante elevados, de forma que los campos magnticos pueden ser fuertes y el riesgo de que se produzcan efectos de EMI es grande. Esto es particularmente previsible en una instalacin de tipo TN-C. Debido a la combinacin del conductor neutro (N) y el conductor de proteccin (PE) de la toma de tierra en un conductor PEN, y las consecuentes conexiones a otras partes conductoras del edificio, las corrientes pueden alcanzar cualquier zona de ste y los campos magnticos resultantes pueden producir efectos EMI casi en cualquier parte. Dado que parte de la corriente de retorno del neutro fluye por partes metlicas ajenas, la suma de corrientes en la red TNC propiamente dicha est desequilibrada y el campo magntico neto de la red se incrementa en varios rdenes de magnitud. Los terminales informticos del tipo de tubos de rayos catdicos se perturban fcilmente (parpadeo de la pantalla) por la presencia de campos magnticos del orden de 1,5 mT. Un campo como ste puede proceder de una lnea elctrica nica que transporte una corriente de 10A a 50 Hz y que se encuentre a una distancia de 1.3 metros. Los terminales informticos de este tipo de tubos de mayores dimensiones (>17 pulgadas) son an ms sensibles a los campos magnticos externos. Si las corrientes de la lnea elctrica tienen componentes de frecuencia mayores, los campos magnticos tendrn unos efectos an ms pronunciados. A altas frecuencias los campos elctricos y magnticos se combinan para constituir un campo electromagntico, que viaja por el espacio a la velocidad de la luz. Consecuentemente se pueden producir perturbaciones a distancias mucho mayores. Fuentes tpicas de estos campos electromagnticos son actualmente los emisores de radar, de radio y de TV, los telfonos mviles, los telfonos DECT, las redes inalmbricas (WLAN), las conexiones Bluetooth y las instalaciones industriales que trabajan en el rango de frecuencias de las microondas. Sin embargo, tambin los cables elctricos puede actuar como antenas y propagar cualquier seal de alta frecuencia que est presente en la red de forma intencionada (p. ej. comunicaciones por lnea elctrica) o inadvertida (p. ej. regmenes transitorios rpidos). Para inmunizar las instalaciones elctricas contra los campos electromagnticos se debe realizar un cuidadoso estudio, diseo e instalacin de las medidas de apantallamiento.

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Tipos de acoplamientos electromagnticos
Modelo elemental de acoplamiento de EMI
Para describir el mecanismo de una interferencia electromagntica lo ms fcil es empezar con un modelo muy sencillo. Consiste en una fuente que produce la interferencia, un mecanismo o medio de acoplamiento y el dispositivo perturbado.

Fuente de perturbaciones electromagnticas (EM)

Mecanismo de acoplamiento

Drenaje de la perturbacin EM

Figura 1 - Modelo elemental de acoplamiento de EMI Ejemplos de fuentes de perturbaciones son, como se ha mencionado anteriormente, las lneas de los sistemas de distribucin elctrica, las antenas de los sistemas LAN inalmbricos, etc. El acoplamiento se produce a travs de la corriente si conductores comunes a diferentes circuitos son afectados por campos elctricos, magnticos o electromagnticos. Los dispositivos perturbadores pueden ser aparatos de cualquier tipo o cualquier parte de la instalacin elctrica. Naturalmente, la interaccin electromagntica completa de todas las instalaciones de un edificio o instalacin es una combinacin muy compleja de estas interacciones elementales. Adems, cualquier dispositivo consumidor puede actuar tambin como fuente de EMI, y viceversa. Durante la fase de planificacin de una instalacin nueva o remodelada se debe elaborar un cuadro en el que se incluyan todas las fuentes, rutas de acoplamiento y posibles elementos perturbadores. Con la ayuda de este cuadro, se estimar la posible intensidad de las interferencias mutuas para determinar qu perturbaciones EMI pueden producirse y cules pueden ser importantes. Slo sobre la base de un cuadro de interaccin de las EMI se pueden planificar desde el inicio aquellas contramedidas que aseguren una puesta en servicio rpida y econmica. Se pueden distinguir cuatro tipos diferentes de interferencias electromagnticas (EMI) elementales:

Acoplamiento impedante Acoplamiento inductivo Acoplamiento capacitivo Acoplamiento por radiacin

Las propiedades fsicas bsicas de los diferentes mtodos de acoplamiento se resumen en la tabla siguiente:
Fuente Campo elctrico Campo magntico Campo electromagntico Dominio de frecuencia Baja frecuencia Baja frecuencia Alta frecuencia Acoplamiento Capacitivo Inductivo Por radiacin Alcance Corto Corto Largo Receptores Cables de a.t. y b. Cables de a. y b.t. Cables de a. y b.t.

Tabla 1 - Propiedades elementales de los tipos de acoplamiento de interferencias electromagnticas (EMI) Los fenmenos perturbadores preponderantes en los edificios se deben al acoplamiento inductivo, seguido del capacitivo y del impedante. En general, el acoplamiento por radiacin no ha sido importante hasta ahora, ya que las intensidades de los campos EM presentes normalmente estn muy por debajo de los valores lmite requeridos para las pruebas de susceptibilidad de la directiva de EMC de la UE. No obstante, el uso cada vez ms frecuente de dispositivos inalmbricos puede, en el futuro, llegar a producir un aumento de los fenmenos de EMI debidos a esta fuente.

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Acoplamiento por impedancia
El acoplamiento galvnico se produce cuando diferentes circuitos utilizan lneas comunes y/o impedancias de acoplamiento. Esto puede suceder, por ejemplo, cuando circuitos diferentes utilizan la misma fuente de tensin. El principio subyacente del acoplamiento por impedancia se puede ver fcilmente en la Figura 2. El circuito I puede formar parte de una red de suministro elctrico y el circuito II puede ser parte de una red de transferencia de datos. La tensin uc se superpone a la seal u2 debido a la impedancia del acoplamiento comn Zc = Rc + j Lc . Para valores pequeos de Zc Zi + ZL viene dada por: Figura 2 - Acoplamiento impedante (1) Si la corriente i1 y/o la impedancia de acoplamiento Zc son bastante grandes, la tensin superpuesta, uk, puede ser lo suficientemente grande, comparada con la seal u2, para perturbar el circuito de datos. La impedancia de la lnea compartida est formada por las componentes resistiva e inductiva, Zc ( )= Rc + j Lc . Mientras que la parte resistiva del acoplamiento es del mismo valor para todas las frecuencias (despreciando el efecto pelicular), la parte inductiva es de una importancia creciente con las altas frecuencias. Para explicarlo brevemente nos fijaremos en el modelo siguiente: Figura 3 - Modelo simplificado de un acoplamiento impedante

Unidad 1

Unidad 2

La tensin perturbadora udist, desarrollada a travs de Zc , se superpone a la seal de la unidad 2 y depende de la corriente i(t) y tambin de su variacin con respecto al tiempo di(t)/dt. En un modelo simplificado la tensin perturbadora puede estimarse por medio de: (2) Si escogemos unos parmetros realistas para nuestro modelo: (longitud de la lnea l=2 m, autoinductancia Lc=1 H/m, resistencia Rc=1 , corriente i=1A y una variacin de corriente en el tiempo di/dt=1A/100 ns), obtenemos las siguientes contribuciones para el acoplamiento galvnico:

(3)

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A altas frecuencias la autoinduccin de las lneas desempea claramente un papel preponderante. Esto sigue siendo cierto incluso si se hubiera tenido en cuenta el aumento de la resistencia aparente de la lnea debida al efecto pelicular, que no es despreciable para regmenes transitorios rpidos y seales digitales. De acuerdo con las leyes de Kirchhoff, las seales perturbadoras pueden propagarse por la instalacin de todo un edificio e incluso llega a afectar a instalaciones de complejos vecinos. Para reducir al mnimo el acoplamiento galvnico ser necesario evitar las conexiones entre sistemas independientes y, en los casos en que sean necesarias, mantener su autoinductancia tan baja como sea posible. Generalmente el desacoplamiento galvnico de circuitos de alimentacin elctrica se puede conseguir ms fcilmente cuando se utiliza un esquema TN-S en lugar del esquema TN-C.

Acoplamiento Inductivo
Una corriente externa que vara con el tiempo i1(t) genera un campo magntico B(t), que induce una tensin perturbadora udist(t) en un circuito prximo. En un circuito equivalente esto se puede describir como un acoplamiento de ambos circuitos a travs de una inductancia de acoplamiento M. La tensin udist(t) genera una corriente comn i2(t) que, a su vez, genera por s misma un campo magntico para debilitar el campo externo. La corriente i2(t) se superpone a las corrientes del sistema perturbado y puede introducir anomalas en el sistema. El acoplamiento de los campos magnticos de los diferentes sistemas puede representarse por un circuito equivalente por medio de inductancias mutuas de los circuitos acoplados (Figura 4).
a) b)

Figura 4 - Acoplamiento inductivo a) modelo del campo, b) circuito equivalente La relevancia del acoplamiento depende principalmente de tres parmetros:

la intensidad de la corriente perturbadora la distancia entre la fuente y el receptor la frecuencia del campo perturbador

La seal perturbadora se hace grande y significativa si:

las corrientes de los circuitos exteriores son grandes las corrientes de una lnea con ida y retorno estn desequilibradas (como ocurre en una red TN-C) los circuitos estn muy prximos y cubren un rea grande las seales del circuito externo varan rpidamente en el tiempo y por tanto tienen un contenido de alta frecuencia

Sin embargo, el acoplamiento inductivo tambin puede ser til para controlar una perturbacin. Si la instalacin de bandejas de cables y de cables coaxiales se hace correctamente (es decir, se conectan adecuadamente con conexiones cortas de una baja impedancia incluso a altas frecuencias), esto facilita el

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apantallamiento de los cables (a travs del acoplamiento inductivo) contra campos magnticos externos, especialmente a altas frecuencias.

Dependencia geomtrica del acoplamiento inductivo

La sensibilidad de un acoplamiento inductivo con respecto al tipo de red elctrica y a la geometra de la instalacin se puede demostrar por medio del ejemplo siguiente. Las conclusiones son importantes para las instalaciones con compatibilidad EMC. Consideremos dos circuitos, una lnea unifilar y una lnea bifilar con ida y su retorno, y calculemos la influencia de ambos sistemas sobre un circuito representado por medio de una malla rectangular situado a una distancia r. Se puede calcular exactamente el campo magntico de cada configuracin: donde (4)

El campo magntico es proporcional a la corriente i(t). Sin embargo, mientras que el campo de la lnea unifilar decrece de forma inversamente proporcional a la distancia, el campo de una lnea con ida y retorno decrece de forma inversamente proporcional al cuadrado de la distancia. Esto significa una dependencia del acoplamiento inductivo con la distancia radicalmente distinta para cada modelo de red. Este comportamiento del campo magntico y del acoplamiento inductivo por unidad de longitud se muestra en la Figura 6. Se ha escogido una corriente i(t) de 1A y una distancia a = 1,5 mm.
a) b)

Lnea de conductor nico o incluyendo ida y retorno

Circuito elctrico perturbado

Flujo magntico

Figura 5 - a) Una lnea unifilar y una lnea con retorno, como generadoras de un campo magntico, b) un circuito elctrico receptor de interferencias El campo magntico de la lnea con ida y retorno equilibrados es dos rdenes de magnitud menor y decae ms rpidamente que el de una lnea unifilar. Lo mismo puede decirse de la inductancia de acoplamiento. La dependencia de la inductancia de acoplamiento con la superficie del bucle rectangular es bastante similar a la representada en la Figura 6b. Este ejemplo nos proporciona el conocimiento ms elemental de algunas reglas de oro de una instalacin elctrica con compatibilidad EMC:

Mantener la superficie de cualquier instalacin elctrica tan pequea como sea posible. Alejarse todo lo posible de las lneas con corrientes elevadas. Separar las lneas de energa de las lneas de datos. Utilizar slo redes del tipo TN-S.

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a) b)

Lnea unifilar Lnea unifilar

Lnea bifilar con retorno

Lnea bifilar con retorno

Figura 6 - a) campo magntico de una lnea unifilar y de una lnea con retorno b) acoplamiento inductivo por unidad de longitud de un bucle con una lnea unifilar o bifilar con ida y retorno Slo los esquemas de distribucin TN-S son adecuados para la EMC. En los esquemas TN-C pueden aparecer corrientes desequilibradas, por lo que una red TN-C genera el mismo campo magntico que una lnea unifilar que transportara la corriente desequilibrada. Para una misma geometra de la instalacin la corriente desequilibrada genera un campo magntico al menos dos rdenes de magnitud mayor que el de una red TN-S.

Dependencia del acoplamiento inductivo con la frecuencia

El comportamiento del acoplamiento inductivo respecto a la frecuencia proporciona un valioso conocimiento sobre cmo se puede realizar una instalacin elctrica para conseguir una proteccin ptima contra las perturbaciones externas de alta frecuencia. Una vez ms consideramos un modelo idealizado experimental similar al representado en la Figura 5b. La Figura 7 muestra el circuito equivalente de un pequeo bucle de autoinductancia L2 y resistencia R2 que est influida por una lnea externa que transporta una corriente i1(t) y cuya inductancia de acoplamiento es M.

Figura 7 - Circuito equivalente para un acoplamiento inductivo Si consideramos corrientes de una frecuencia determinada , i1,2 (t) = i1,2 ( )e j t, la funcin de transferencia de la corriente perturbadora i1 ( ) y la corriente inducida i2 ( ), se puede calcular exactamente para un modelo sencillo, obtenindose la funcin de transferencia de la Ecuacin 5: (5) Para comprender lo que significa esta frmula en una instalacin real, consideremos un bucle cerrado de una longitud l = 0,3 m y una anchura de = 0,1 m, situada a una distancia d = 2 mm de la lnea que transporta la corriente perturbadora. Como valor de la resistencia interna tomamos R2 = 50 . En este ejemplo se pueden calcular la autoinductancia y la inductancia mutua, que son L2 = 0.9 H y M = 0.2 H. La magnitud de la corriente perturbadora por unidad de la corriente externa i2 ( )/ i1 ( ) se muestra en la Figura 8 siguiente.

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Figura 8 - Estudio del caso de la funcin de transferencia de la corriente La corriente perturbadora i2 aumenta con la corriente externa i1 y con su frecuencia. A frecuencias bajas aumenta de forma proporcional a , mientras que a frecuencias altas i2 alcanza su valor de saturacin. Este valor de saturacin est limitado por la relacin M/L2. Para reducir al mnimo los efectos de la EMI (interferencia magntica), una instalacin con compatibilidad EMC deber reducir al mnimo la inductancia muta M y aumentar al mximo la autoinductancia L2 del circuito acoplado. Como las perturbaciones rpidas tienen mayor contenido de altas frecuencias elevadas, generan mayor perturbacin. Esto puede verse en la Figura 9, donde se muestra la corriente perturbadora calculada resultante de una corriente de forma de onda trapezoidal, que representa una seal digital.
i(t)
i1(t)

i2(t)

i2(t)

M R2 F loop( ) i = i , s = j , j = -1 w 2 2 1 R2 + sL2
t

Figura 9 - Acoplamiento inductivo de unas corrientes trapezoidales, lenta y rpida En la Figura 9 se puede ver que la corriente perturbadora alcanza ms del 10% de la amplitud de la corriente externa lenta y ms del 15% de la amplitud de la rpida. Estos elevados valores son consecuencia de los reducidos tiempos de conexin de las seales digitales. Altos valores similares se pueden presentar en cualquier proceso de conmutacin electrnica, como en los reguladores de control de ngulo de desfase. La conmutacin del regulador se puede representar como el comienzo de la seal trapezoidal. La contribucin del resto de la seal de 50 Hz es despreciable. Hasta ahora hemos considerado el bucle cerrado como un receptor de interferencia electromagntica. En este caso deben optimizarse sus propiedades elctricas para reducir al mnimo la corriente perturbadora i2(t). La propiedad de las corrientes inducidas i2(t) de generar un campo magntico que debilita el campo externo, tambin puede utilizarse para apantallar sistemas internos elctricos o electrnicos sensibles. En este caso los parmetros elctricos del bucle cerrado se deben escoger de forma que se optimice la corriente que genera el contra-campo i2(t) y se reduzca al mnimo el flujo magntico neto a travs del bucle cerrado. Ejemplos prcticos de esta aplicacin son las pantallas conductoras de cualquier cable apantallado, las

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bandejas de cables, las almas de los cables no utilizados, etc. El flujo magntico neto a travs de la superficie de nuestro bucle cerrado se puede calcular como: (6) Puede observarse que el flujo magntico neto se reduce al mnimo para valores pequeos de R2. Las propiedades de apantallamiento de nuestro modelo de bucle de cortocircuito, para diversos valores de R2 se muestran en la Figura 10.
bucle

Figura 10 - Eficacia del apantallamiento de un bucle en cortocircuito para distintos valores de la resistencia R2 La eficacia del apantallamiento aumenta drsticamente segn disminuye la resistencia del bucle en cortocircuito. Aqu se muestra para valores de R2 = , 500, 50, 5 . De este resultado se deducen importantes reglas para las instalaciones en edificios. Todas las conexiones de los sistemas de apantallamiento, tales como conductos de cables, canales, armarios de cableado, etc., deben ser de baja resistencia a altas frecuencias. Debido al efecto pelicular, la resistencia de un conductor aumenta con la frecuencia de la seal. Por lo tanto, se debe elegir la geometra de los conductores de forma que se reduzca al mnimo su resistencia aparente a altas frecuencias. La geometra de conductor ptima es la de una tira plana, tanto maciza como trenzada, en la que el rea de la superficie es grande y el espesor es pequeo. No son los ms adecuados los conductores normales de seccin circular. Naturalmente un bucle de cortocircuito slo funciona eficazmente como dispositivo de apantallamiento si la corriente protectora puede fluir y no hay desconexin en el bucle cortocircuitado. Los apantallamientos deben estar conectados a tierra en ambos extremos para permitir el flujo de la corriente de apantallamiento sin interrupciones.

Acoplamiento capacitivo
La variacin en el tiempo del campo elctrico de un sistema externo genera en el sistema perturbado cargas que varan con el tiempo. El flujo del desplazamiento de las corrientes se puede representar con un circuito equivalente a las corrientes parsitas, constituido por condensadores que enlazan los dos sistemas y generan las tensiones perturbadoras.

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a) b)

Figura 11 - Acoplamiento capacitivo a) modelo del campo, b) circuito equivalente De forma similar al caso del acoplamiento inductivo, el acoplamiento capacitivo se hace mayor si:

Los dos circuitos se encuentran muy prximos. La diferencia de tensin entre los dos circuitos es grande. Las seales del circuito externo varan rpidamente en el tiempo y por lo tanto poseen un elevado contenido de alta frecuencia.

Como ejemplo, se pueden considerar los cables del circuito de una fuente de alimentacin y del circuito de una red de rea local, que estn muy prximos y paralelos entre s en un tramo de 10 metros sobre una bandeja de cables. Si la corriente que circula por el cable de fuerza tiene una forma puramente senoidal a 50 Hz y 230 V, la seal perturbadora en el cable de datos alcanza una amplitud de 10 V, lo cual podra ser aceptable. Sin embargo, si la corriente que circula por el cable de energa tiene componentes de alta frecuencia, generados por cargas no lineales, la seal perturbadora en el cable de datos puede alcanzar una amplitud de ms de 90 V, lo cual s podra provocar un bajo rendimiento y el mal funcionamiento de la red de rea local. Si los requisitos del cableado y del apantallamiento se planifican adecuadamente, y la instalacin se realiza con cuidado, se pueden evitar este tipo de perturbaciones, o al menos se pueden reducir a un nivel tolerable. Para abordar los aspectos ms importantes del acoplamiento capacitivo, consideraremos de nuevo un modelo elemental, que pueda ser resuelto analticamente. El modelo consiste en dos circuitos que, por simplicidad, utilizan una lnea de retorno comn. En la figura siguiente se muestra el circuito equivalente del sistema.

Figura 12 - Acoplamiento capacitivo para un modelo de tres lneas Las lneas a y c forman parte del sistema externo, las lneas b y c lo son del sistema perturbado. Si consideramos que las tensiones presentan una frecuencia definida , u1,2 (t) = u1,2 ( )e j t, para este modelo sencillo se puede calcular exactamente la relacin entre la tensin perturbadora u1 y la tensin acoplada u2 :

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(7)

Como valores de los parmetros del modelo tomaremos R2=1k , Cab= Ccb=100 pF, que son valores razonables para cables paralelos de un dimetro de 1 mm, situados a una distancia de 5 mm a lo largo de una longitud de 10 m, y una tensin externa u1=220 V. En la Figura 13 se muestra el comportamiento de u2 dependiendo de la frecuencia y de la tensin capacitiva acoplada u1.

Figura 13 - Dependencia de la frecuencia de un acoplamiento capacitivo El comportamiento de un acoplamiento capacitivo es muy similar al del acoplamiento inductivo. A bajas frecuencias la tensin perturbadora u2 aumenta linealmente con la frecuencia de la seal perturbadora y alcanza un valor de saturacin a altas frecuencias. De nuevo, las seales perturbadoras rpidas que contienen componentes de alta frecuencia influyen de forma predominante sobre el circuito perturbado. La Figura 14 muestra la tensin acoplada de una onda senoidal de 220 V a 50 Hz y un regulador de control de ngulo de desfase.
a)

u(t)

u1(t) = 220sin(100 t)*[10-4]

u2(t)

b)

u(t)
u2(t)

u1(t) = 220sin(100 t) (t-10-5)*[10-2]

Figura 14 - Seales capacitivas acopladas para a) una onda senoidal de 50 Hz, b) un regulador de control de ngulo de desfase

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La onda senoidal produce una seal perturbadora senoidal con una amplitud de unos 7 mV, que en la mayora de los casos se puede despreciar. En cambio, el proceso de conmutacin del regulador produce un pico de tensin de 110 V. El acoplamiento capacitivo se puede reducir mediante la utilizacin de cables apantallados. En la figura siguiente se muestra un esquema de un par de cables apantallados.

S1 S2

C13

C34

C24

Figura 15 - Acoplamiento capacitivo de dos cables apantallados Las pantallas conductoras S1 y S2 estn conectados a un nico punto del sistema. La dependencia de la frecuencia de la tensin perturbada u2 es la misma que se indicaba en la Ecuacin 7, pero donde: Cab debe sustituirse por y Cbc por C34.

La tensin mxima, que puede acoplarse asciende a , lo cual muestra que una buena conexin capacitiva C34 entre el conductor y el apantallamiento mejora la eficacia de la pantalla. En la figura siguiente se muestra la eficacia de un cable apantallado frente a un pulso transitorio rpido para varios acoplamientos capacitivos.

Figura 16 - Apantallamiento de un pulso sbito con pantallas de diferente capacidad interna de acoplamiento

Acoplamiento por radiacin

Los campos electromagnticos viajan por el espacio a la velocidad de la luz c = 2.998 x 108 m/s y pueden afectar las instalaciones elctricas situadas en su proximidad o en lugares alejados de la fuente. Fuentes tpicas de campos electromagnticos son los transmisores de radio o TV, los telfonos mviles o muchos otros tipos de aplicaciones inalmbricas. Las partes de alta frecuencia de las seales rpidas o de regmenes transitorios rpidos (descargas electrostticas, sobretensiones, rfagas de destellos) tambin pueden provocar la irradiacin de campos electromagnticos por cables o por otras partes conductoras

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de la instalacin elctrica y pueden causar perturbaciones en los sistemas elctricos de otras partes del edificio. Si las perturbaciones en la red de suministro elctrico o de datos contienen componentes de alta frecuencia, otros elementos de la instalacin pueden actuar como antenas e irradiar los campos electromagnticos. El dipolo hertziano puede servir como modelo elemental para estimar la magnitud de estos campos radiados. Todas las partes conductoras de una instalacin elctrica pueden servir como antenas, incluyendo:

Cables Aberturas y ranuras de cajas, cubculos, etc. Tiras impresas de regletas

f [MHz] 0.1 1 10 100 1000

[m] 3000 300 30 3 0.3

Las aberturas y ranuras de las cajas de los equipos irradian perturbaciones hacia la zona circundante o hacia el interior del recinto, perturbando as a otros objetos del entorno y/o transmitiendo campos electromagnticos desde el exterior a los sistemas.

Tabla 2 - Algunos valores de Como ejemplo podemos fijarnos en la descarga electrosttica frecuencias y sus correspondientes de un cuerpo humano al entrar en contacto con una placa longitudes de onda metlica. El arco de la descarga electrosttica no slo transporta una corriente significativa, sino que tambin genera un campo electromagntico, que puede alcanzar fcilmente una magnitud de campo de 0,5 - 4 kV a distancias inferiores a 1 m. Estos campos electromagnticos pueden perturbar un sistema elctrico que se encuentre en un recinto inadecuado a travs de las propiedades de antena de las ranuras. Los elementos conductores como los cables y las ranuras comienzan a radiar cuando su dimensin lineal supera aproximadamente la mitad de la longitud de onda. La longitud de onda y la frecuencia f de una onda electromagntica estn relacionadas entre s y con la velocidad de la luz a travs de la relacin: = c / f. En la Tabla 2 se muestran algunos pares de valores tpicos. En la prctica, los armarios no pueden estar completamente cerrados. Aberturas tales como puntos de entrada de cables, ranuras de ventilacin y huecos alrededor de las puertas y tapas son inevitables. Estas aberturas reducen el apantallamiento efectivo de cualquier recinto. Se puede conseguir un nivel aceptable de apantallamiento construyendo de forma inteligente los envolventes. La magnitud de las prdidas debidas a una discontinuidad en el apantallamiento depende principalmente de tres factores:

de la mxima dimensin lineal de la abertura de la impedancia de la onda de la frecuencia de la fuente

Para ranuras de una longitud l = /2 la eficacia de un apantallamiento viene dada por: (8) La disminucin de la longitud de la ranura en un factor 2 aumenta el apantallamiento en 6 dB. La Figura 17 muestra la eficacia de apantallamiento para varias frecuencias segn la longitud de la ranura.

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Fundamentos de la Compatibilidad Electromagntica (EMC)

S [dB]

Range

l= l= l= l= l=

1 cm 5 cm 10 cm 50 cm 1m

Figura 17 - Eficacia del apantallamiento de ranuras de distinta longitud en funcin de la frecuencia En la prctica de las instalaciones, la longitud mxima de las ranuras debera ser menor que 1/20 de la longitud de onda para garantizar una eficacia de apantallamiento de al menos 20 dB. De la Ecuacin 8 o de la Figura 17 se puede obtener la longitud de ranura mxima correspondiente a la eficacia de apantallamiento requerida.

Las Interferencias Electromagnticas complejas en la prctica

En el mbito de las interferencias electromagnticas, stas se presentan como una compleja combinacin de todos los tipos de acoplamientos elementales que hemos tratado en los apartados anteriores. Un ejemplo sencillo de un sistema de automatizacin (Figura 18) muestra que todos los acoplamientos son aplicables simultneamente a un nico sistema en contacto con su entorno. Un sistema individual est integrado en una red de otros sistemas y juntos forman un sistema complejo de interrelaciones mutuas de Interferencias Electromagnticas. Para garantizar un funcionamiento correcto de todo el conjunto en el proceso de planificacin de edificios tanto nuevos como reformados se debe elaborar y evaluar lo que hemos denominado cuadro de compatibilidad electromagntica (EMC).
Campos electromagnticos

Entrada o salida de cables de sealizacin

Sistema de automatizacin

Bus de cables de datos

Suministro de energa

Cables de toma de tierra

Figura 18 - Distintas vas de acoplamiento de un sistema de automatizacin

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Fundamentos de la Compatibilidad Electromagntica (EMC)

La directiva de Compatibilidad Electromagntica (EMC) y su aplicacin a las instalaciones de edificios
Las directivas de la Unin Europea (UE) tienen por objeto asegurar que todos los productos fabricados o comercializados en la UE cumplen normas comunes y pueden ser comercializados en los Estados miembros sin necesidad de aplicar otras normativas adicionales. En el caso de la compatibilidad electromagntica (EMC), la directiva de la Unin Europea 89/336, modificada por las directivas 91/263/EEC, 92/31/EEC, 93/68/EEC y 93/97/EEC, proporciona unas normas generales que garantizan la compatibilidad electromagntica de cualquier producto, restringiendo su nivel mximo de emisin y fijando la inmunidad mnima que debe presentar a las interferencias electromagnticas (EMI) externas. El fabricante de cualquier producto transportable debe declarar la conformidad de dicho producto con las normas de la UE. El producto debe estar etiquetado con el distintivo CE para certificar al consumidor que cumple con los normas sobre EMC y otras directivas. Por lo que respecta a las instalaciones elctricas no son necesarias la declaracin de conformidad y el distintivo CE, aunque s se debe garantizar el cumplimiento de las normas de las directivas de la UE. Esta tarea corresponde a los responsables del diseo, ingeniera y construccin de las instalaciones elctricas. Existen varios procedimientos para garantizar y verificar ese cumplimiento. El primero es utilizar mdulos cualificados EMC, que sern instalados por personal especializado y adiestrado en las normas EMC. El segundo es emplear los mdulos disponibles y despus certificar que la instalacin cumple las normativas EMC por medio de mediciones efectuadas por un laboratorio de EMC o por un organismo cualificado. En cualquier caso, el encargado del planeamiento del proyecto debe certificar el cumplimiento de las normas sobre EMC de la directivas de la Unin Europea por medio de la documentacin correspondiente. Adems el fabricante de la instalacin debe proporcionar instrucciones claras para la operacin y mantenimiento de los sistemas, segn lo especificado en el Anexo III de la directiva de la UE. Estas instrucciones deben proporcionar informacin suficiente sobre las condiciones de uso previstas, y sobre la instalacin, montaje, ajustes, puesta en servicio, uso y mantenimiento del sistema instalado. En los casos en que fuese necesario se debern incluir advertencias sobre las limitaciones de uso pertinentes. La forma ms segura de garantizar que la instalacin elctrica de un edificio cumple lo dispuesto en la normativa puede ser el cumplimiento de las siguientes reglas:

Tener en cuenta la compatibilidad electromagntica desde el principio, utilizando, si es preciso, los servicios de un experto en EMC. Emplear solamente mdulos y materiales con certificacin EMC. Utilizar personal adiestrado en la normativa EMC para realizar los trabajos de instalacin. Los trabajos de instalacin deben ser supervisados por ingenieros expertos en EMC.

Dado que la compatibilidad electromagntica se ha introducido como materia en los cursos de formacin hace relativamente poco tiempo, existe necesidad de una mayor formacin sobre este tema.

Bibliografa
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Socios Fundadores* y de Referencia

European Copper Institute* (ECI) www.eurocopper.org ETSII - Universidad Politcnica de Madrid www.etsii.upm.es LEM Instruments www.lem.com

Akademia Gorniczo-Hutnicza (AGH) www.agh.edu.pl

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MGE UPS Systems www.mgeups.com

Centre d'Innovaci Tecnolgica en Convertidors Esttics i Accionaments (CITCEA-UPC) www.citcea.upc.edu Comitato Elettrotecnico Italiano (CEI) www.ceiuni.it

Hochschule fr Technik und Wirtschaft* (HTW) www.htw-saarland.de

Otto-von-Guericke-Universitt Magdeburg www.uni-magdeburg.de

Hogeschool West-Vlaanderen Departement PIH www.pih.be

Polish Copper Promotion Centre* (PCPC) www.miedz.org.pl

Copper Benelux* www.copperbenelux.org

International Union for Electricity Applications (UIE) www.uie.org

Universit di Bergamo* www.unibg.it

Copper Development Association* (CDA UK) www.cda.org.uk

ISR - Universidade de Coimbra www.isr.uc.pt

University of Bath www.bath.ac.uk

Deutsches Kupferinstitut* (DKI) www.kupferinstitut.de

Istituto Italiano del Rame* (IIR) www.iir.it

The University of Manchester www.manchester.ac.uk

Engineering Consulting & Design* (ECD) www.ecd.it

Katholieke Universiteit Leuven* (KU Leuven) www.kuleuven.ac.be

Wroclaw University of Technology* www.pwr.wroc.pl

EPRI Solutions Inc www.epri.com/eprisolutions

Laborelec www.laborelec.com

Consejo Editorial
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Hochschule fr Technik und Wirtschaft des Saarlandes

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EMC-Laboratory Hochschule fr Technik und Wirtschaft University of Applied Sciences Goebenstrasse. 40 D66 117 Saarbrcken Germany Tel.: Fax: Web: 0049 681 5867279 0049 681 5867302 www.htw-saarland.de

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