Tema2 DispositSC

TEMA 2.
DISPOSITIVOS
http://www.tech-faq.com/wp-content/uploads/images/integrated-circuit-layout.jpg
IEEE 125 Aniversary: http://www.flickr.com/photos/ieee125/with/2809342254/
Mara Jess Martn Martnez : mjmm@usal.es
TEMA 2. DISPOSITIVOS
2. Diodo de Unin (Unin P-N).
www.esacademic.com ees.wikispaces.com
3.
Transistor Bipolar de Unin (BJT).
4.
Transistor de Efecto de Campo Metal-OxidoSemiconductor (MOSFET).
5. 6.
Diodo emisor de luz (LED). Ejercicios propuestos

upload.wikimedia.org
erenovable.com
2.2. DIODO DE UNIN
2. El diodo de unin:
Es el dispositivo ms sencillo y bsico. Consiste en un semiconductor con impurificacin no homognea: Un lado dopado con impurezas aceptadoras (Tipo P). En el otro son impurezas donadoras (Tipo N). Tiene dos terminales externos (dos metales):
nodo (conectado a la regin P) Ctodo (conectado a la regin N)
http://www.circuitstoday.com/semiconductor-diodes-and-diode-symbol
Generalmente el ctodo se conecta a tierra, y se aplica al nodo una tensin V

Si la tensin aplicada entre terminales V=0 est en equilibrio. La unin
Si la tensin aplicada entre terminales es diferente de cero Diodo polarizado

Si la tensin V>0 Si la tensin V>0 Polarizacin directa Polarizacin inversa
http://romux.com/projects/electronics/monolithic-ic-component-fabrication
2.2. DIODO DE UNIN
2.a. La unin PN en equilibrio (V=0)

En el SC tipo P existen muchos huecos y pocos electrones, y en el SC tipo N hay muchos electrones y muy pocos huecos.
A temperatura ambiente, los huecos de la zona p pasan por difusin hacia la zona n y los e- de la zona n pasan a la zona p. La difusin crea un exceso de carga negativa (electrones) en el lado P y exceso de carga positiva (huecos) en el lado N. Debido a estos excesos de carga se crea, un campo elctrico que produce corrientes de desplazamiento, que compensan a las de difusin Dando lugar a corriente total nula. En equilibrio I = In + Ip =0
en.wikipedia.org/wiki/P-n_junction
2.2. DIODO DE UNIN
2.a. La unin PN en equilibrio (V=0)
en.wikipedia.org/wiki/P-n_junction
2.2. DIODO DE UNIN
2.b. La unin PN polarizada (V 0)

En polarizacin Directa:
El potencial aplicado externo se opone al campo elctrico que limita la difusin Disminuye el efecto del arrastre) y aumenta la difusin de portadores.
De electrones del lado N al P De huecos del lado P al N El resultado es una corriente neta elevada de portadores mayoritarios hacia donde son minoritarios.
I V>0 P N
En polarizacin Inversa:
El potencial externo refuerza el campo elctrico de arrastre.
Las componentes de difusin son nulas. Aumentan las componentes de arrastre (trasladan los minoritarios): son corrientes muy pequeas que puede considerarse despreciables.
V<0 P
I=0
2.2. DIODO DE UNIN
2.b. La unin PN polarizada (V 0)
Directa
Inversa
ees.wikispaces.com
ees.wikispaces.com
Explicacin interactiva del funcionamiento del diodo http://www-g.eng.cam.ac.uk/mmg/teaching/linearcircuits/diode.html

Mara Jess Martn Martnez : mjmm@usal.es 7
2.2. DIODO DE UNIN
2.b. Unin PN polarizada. Curva Caracteristica (I-V)

Analticamente se puede encontrar una relacin entre la corriente que circula por el mismo y la tensin externa que se aplica:
VT =
I = I0 e
VT
1 = I 0 e
eV
KB T
k BT qe
VT(300 K) = 25.85 mV kB (Cte de Boltzmann) = 1.3810-23 JK-1
VT : denominado potencial trmico I0: Corriente inversa de saturacin (pocos nA)
En polarizacin directa: V>0 podemos admitir que la exponencial es muy superior al 1

eV
Curva analtica
I = I0 e
KB T
En polarizacin inversa: V<0 podemos despreciar la exponencial frente al 1.
I0 V
Inversa Directa
I = I0
Caracterstica esttica (I-V) del diodo

2.2. DIODO DE UNIN

La caracterstica I-V de un diodo real es ligeramente diferente:
Curva REAL I
La corriente en inversa es prcticamente nula.
En directa existe un voltaje umbral V, que es una polarizacin mnima que hay que aplicar para que la unin est en directa Caracterstica desplazada hacia la derecha.
VR
V V
Inversa
Directa
Para polarizaciones muy elevadas en inversa (inferiores a VR) aparecen fenmenos de multiplicacin de portadores la corriente se hace muy elevada
Caracterstica REAL esttica (I-V) del diodo
2.2. DIODO DE UNIN

Influencia de la temperatura
ees.wikispaces.com
10
2.2. DIODO DE UNIN
2.c. Comparativas de Curvas I-V de diodos reales

Ge: mejor en conduccin Si: mejor en corte
i [mA]
1
i [mA]
30
Ge
Si
V [Volt.]
Ge Si
V [Volt.]
-0.25
0.25
0.5 i [A] V [Volt.]
-4
i [pA] V [Volt.] 0 -0.5
-0.5
Ge
Si
-0.8 -10
www.uniovi.es/ate/manuel
11
2.2. DIODO DE UNIN
2.d. Diodo Zener

Si la tensin de polarizacin inversa V en la que se produce el fenmeno de conduccin por avalancha es pequea (en mdulo) hablamos del diodo Zener Para una tensin inversa dada, llamada tensin Zener, sta se mantiene constante aunque la corriente vare.
En polarizacin directa funciona como un diodo normal. Su smbolo circuital:
I
Tensin Tensin Zener Zener
Vz V
FFI-UPV.es
12
2.2.b Modelado DIODO DE UNIN
I. Curva Caracteristica (I-V). Modelos

1 aproximacin: diodo ideal
En el modelo del diodo ideal se equipara ste a un cortocircuito o a un circuito abierto, segn cmo est conectado.
V
DIRECTA R I I I
FFI-UPV.es FFI-UPV.es
INVERSA R
13

2 aproximacin lineal
Se considera que el diodo conduce sin resistencia por encima de la tensin umbral, y no conduce por debajo de la misma. Esto equivale a considerar un diodo como un interruptor o un diodo ideal en serie con un receptor. VO= 0.3 V para el diodo de Ge VO= 0.7 V para el de Si.
VO
DIRECTA
Vf = 6V
R=1k I
Vf = 6V
R=1k I
VO=0.7 V
FFI-UPV.es
I=
V f VO R
6 0.7 = 5.3 mA 1k
14

3 aproximacin lineal
La 3 aproximacin es un diodo ideal con una resistencia en serie y una fuente de tensin.
0,15 0,15 I (mA) I (mA)
V = Vo + IRd
Rd = V/I
DIRECTA R=1k
Vf = 6V
I V
0,05 0,05
Io I
-0,05 -0,05
0,2
0,4
0,6VO 0,8
V (V) fV (V)
FFI-UPV.es
R=1k
Vf = 6V
Rd = 500 VO=0.7 V
I=
V f VO R
6 0.7 = = 3.5 mA 1000 + 500

15

I Ideal I
Solo tensin de codo Ge = 0.3 Si = 0.6
I
Tensin de codo y Resistencia directa
Curva real (simuladores, anlisis grfico) V

www.uniovi.es/ate/manuel
V
16
2.2. DIODO DE UNIN
Ejercicios propuestos.
D. Pardo, et al. 1999
17
2.2. DIODO DE UNIN
18
2.2. DIODO DE UNIN
19
2.2.b DIODO DE UNIN

UE
2.e. PRACTICA N 1. Laboratorio

Rectificador de media onda
Baja frecuencia
VD
+
VR =is.R iS
iS R
UE
VR VD I Curva REAL V VD
S
VR =is.R
Visualizacin de la caracterstica I-V de un diodo real
VR
2.3. TRANSISTOR BIPOLAR DE UNIN (BJT)
3. El transistor bipolar de unin:
a. Introduccin
Los transistores son:
Dispositivos de tres terminales La corriente o la tensin en un terminal (terminal de entrada) Controla el flujo de la corriente entre los otros dos terminales.
ees.wikispaces.com
21
Emisor
www.alcatel-lucent.com
Colector Base
bellsystemmemorial.com
bellsystemmemorial.com
22

b. Tipos de transistores bipolares
Emisor B ase N C olector
Emisor
Colector
P P
Base
Emisor B ase P C olector N
Emisor
Colector
Base poco dopada Emisor ms dopado que colector
Base
23
c. Tensiones y corrientes
Las corrientes entre terminales dependen de las tensiones que se apliquen. Para un transistor NPN y tomando el terminal de emisor como referencia de tensin (el ms usual):
C IB
IC VCE
VBE= VB VE VCE= VC- VE
B
VBE IE
C E
Aplicando la ley de Kirchoff (corrientes que entran = corrientes que salen):
IE= IB + IC
Se puede calcular la relacin entre las corrientes de colector y de base:
F : factor de ganancia en corriente

F : 150-200 en transistores comerciales
I C = F I B + (1 + F ) I C 0 F I B
Indica que la corriente de colector es proporcional a la de base
24
c. Caractersticas de salida de un transistor NPN

La representacin grfica de la ecuacin anterior:
IC ( mA)
IB = 80 A
Regin de saturacin
IB = 60 A IB = 40 A IB = 20 A IB = 0 A
I C = (1 + F ) I C 0
Regin activa Regin de corte Ruptura
FFI-UPV.es
VCE (V)
25
d. Lnea de carga: Clculo del punto de operacin

Si un transistor trabaja dentro de un circuito Se dice que el transistor est polarizado. El conjunto de fuentes de tensin y resistencias se le denomina RED DE POLARIZACIN Para resolverlo, se deben cumplir:
Las caractersticas de salida Las ecuaciones de las mallas del circuito en que se encuentre: VBE 0,7 V = 100 RC =1 k RB=16 k IC VBB = 2 V IB VBE Ic = IB = 8,125 mA VCE VCC=10 V VCC=VCE+ IC RC VBB= VBE + IB RB
IB = VBB VBE 2 0,7 = = 81,25 A RB 16000
Lnea de carga
VCE = VCC - IC RC = 10 - 8,125 = 1,875 V

FFI-UPV.es
26
d. Lnea de carga: Clculo del punto de operacin (II)

Punto de Operacin Estacionario:
Ic = 8,125 mA
I B = 81,25 A
IC
VCC RC
VCE = 1,875 V
Q Q
IB2 IB1
FFI-UPV.es
IB4 IB3
l n ea de ca rg a
VBB (V) 0,7 0,8 0,9 1 1,2 1,4 1,6 1,8 2 2,2 2,3 VCE (V) 10 9,375 8,75 8,125 6,875 5,625 4,375 3,125 1,875 0,625 0 Ic (mA) 0 0,625 1,25 1,875 3,125 4,375 5,625 6,875 8,125 9,375 10 IB (A) 0 6,25 12,5 18,75 31,25 43,75 56,25 68,75 81,25 93,75 100
Corte Regin activa Saturacin 27
VCC = 10 V
VCE
d. Lnea de carga: Clculo del punto de operacin (III)
Ejercicio 4.
28

Ejercicio 6.
29

Ejercicio 7.
30
e. BJT en aplicaciones analgicas: Amplificador.

Para variaciones sobre el POE (amplificacin de seales variables en el tiempo) debemos tener en cuenta:
Que entre base y emisor tenemos una unin en directa. En colector las variaciones de corriente son proporcionales a la corriente de base. El conjunto de fuentes de tensin y resistencias se le denomina RED DE POLARIZACIN
Cuando usemos el BJT en un circuito como amplificador sustituiremos su smbolo por un circuito equivalente y el anlisis resultar muy sencillo.
VCC
I C (t )
Sedra/Smith 2004
Circuito equivalente de pequea seal:

RC
RB
ib
+
RC
C
RB B
vi (t )
I B (t )
vi (t )
VCE (t )
vbe
ic
F ib
E
VBE (t ) VBB
r y (ganancia) son los parmetros del circuito.

Ejercicio 5.
32
2.4. TRANSISTOR MOSFET
a. Estructura de un transistor MOSFET

La corriente ID entre el contacto de fuente y el de drenador (la conductancia o resistencia del semiconductor), puede ser modulada:
http://en.wikipedia.org/wiki/File:MOSFET_functioning_body.svg
Mediante la variacin de tensin en el electrodo de puerta. El electrodo de puerta est aislado elctricamente del Silicio mediante un xido (SiO2).
Transistor MOSFET de Canal N (NMOSFET)
El transistor de efecto de campo se comporta como un interruptor controlado por tensin, donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no corriente entre drenador y fuente.
33
b. Tipos de transistores MOSFET

Metal S G D xido
Semiconductor
Tipo N
Metal
Tipo P
FFI-UPV.es
Formado por una placa de metal y un semiconductor, separados por una zona de xido del semiconductor - por ejemplo SiO2 - de unos 100 nm de espesor. Dos regiones dopadas de dopaje contrario al semiconductor que forma el substrato. Posee tres electrodos:
Puerta, gate en ingls, simbolizado con G; que se conecta a la placa metlica. La corriente en la puerta es nula siempre Fuente (Source) y drenador (Drain), ambos simtricos, que se internan en el sustrato.
34
d. Modo de operacin : tensin umbral

Existe un potencial en la puerta mnimo que debe superarse para que la corriente de drenador sea distinta de cero:
Por debajo del valor umbral (VGS<VT) no hay carga en el canal No hay conduccin no hay corriente. ID=0. Para valores de (VGS>VT) . Aparece la capa de inversin Es posible la conduccin entre fuente y drenador
VT=valor de en el que comienza a haber una corriente no nula de drenador. Valores tpicos de VT: 0.3 to 0.8 volts.
Caracterstica de transferencia
www.romux.com
35
c. Transistor MOSFET: smbolo circuital

Diferentes transistores MOSFET: signos de corriente en terminales, tensiones en terminales, etc.
36
d. Comparacin de caractersticas de salida de BJT y MOSFET

En la forma las caractersticas de los MOSFETs son anlogas a las de los BJTs. Eje y Eje x
BJT: tensin entre emisor y colector (VCE) MOSFET: tensin entre fuente y drenador (VDS) BJT: corriente de colector (IC) MOSFET: corriente de drenador (ID)
Sin embargo, la diferencia est en el tercer terminal o terminal de control:

BJT: controla la corriente de base MOSFET: controla la tensin de puerta.
BJT
IC ( mA) IB = 80 A IB = 60 A IB = 40 A IB = 20 A IB = 0 A VCE (V)
FFI-UPV.es
MOSFET
37
e. Clculo del Punto de Operacin Estacionario (POE)

Polarizacin. Anlisis de la recta de carga.
Igual que ocurre en el BJT, debemos polarizar el MOSFET para tener entre sus terminales unas diferencias de potencial y unas corrientes determinadas.
Sedra/Smith 2004
laimbio08.escet.urjc.es/
38
d. Lnea de carga: Clculo del punto de operacin (II)

Ejercicio 8.
39
e. MOSFET en aplicaciones analgicas: Amplificador.

Igual que en el caso del BJT, para variaciones sobre el POE (amplificacin de seales variables en el tiempo) debemos tener en cuenta:
Si aplicamos un incremento VGS en la tensin de puerta, provocar un incremento fijo en la corriente de drenador: ID. I D gm = Podemos definir el parmetro TRANSCONDUCTANCIA: VGS
Cuando usemos el MOSFET en un circuito como amplificador sustituiremos su smbolo por un circuito equivalente y el anlisis resultar muy sencillo.
Sedra/Smith 2004
I D (t )
D G
V DD RD
Circuito equivalente de pequea seal: G

vi (t )
+
vGS
iD
S
RD
g m v GS
vi (t ) VGG
VGS (t )
V DS (t )
S
40
2.5. DIODO LED
a. Diodo emisor de luz: LED

Como hemos estudiado, en una Unin P-N, en polarizacin Directa:
Aumenta la difusin de portadores (desde donde son mayoritarios, hasta donde son minoritarios). En torno a la unin, aparecen unos excesos de portadores, que sern mayores cuanto ms polarizacin en directa se aplique. El exceso de portadores va a dar lugar PROCESOS DE RECOMBINACIN:
Tiene lugar una radiacin de los electrones (al pasar de la BC a la BV) que pasa al exterior como radiacin : fotones de energa: h =GAP El color de la luz del LED lo marca el GAP del semiconductor.
V>0 P N
Este proceso se denomina Electroluminiscencia
http://micro.magnet.fsu.edu/primer/lightandcolor/ledsintro.html
41
2.5. DIODO LED

Luego un LED es un dispositivo que consume energa elctrica y nos devuelve energa electromagntica.
http://static.howstuffworks.com/gif/led-diagram.jpg
http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/7/7c/PnJunction-LED-E.PNG
Cuando hay suficiente voltaje en directa aplicado entre extremos de la unin fluye la corriente: Los electrones (y huecos) pasan de la regin n (p) a la regin p (n) por difusin El LED se asemeja a un diodo normal, pero con importantes diferencias: Un empaquetado transparente permitiendo que la energa (luz en el espectro del visible o el IR) pase a su travs. Area de la unin P-N muy grande.
2.5. DIODO LED

Longitudes de onda de inters: Espectro electromagntico
Imagen de dominio pblico
43
2.5. DIODO LED
b. Color de la luz de un LED

Para poder crear dispositivos en el rango del visible ha sido necesario fabricar semiconductores con gaps elevados.
sensores y procesado visible comunicacin
IR trmico
0.4
0.7
1.6
(m)
f =
UV
3 SiC GaP
NIR
1.6 GaAs
MIR
h (eV) 0.8 Si Ge
= h
Eg (eV)
44
2.5. DIODO LED
b. Color de la luz de un LED

Para poder crear dispositivos en el rango del visible ha sido necesario fabricar semiconductores con gaps elevados.
IR trmico
45
2.5. DIODO LED
c. Aplicaciones de los LEDs

Los diodos infrarrojos (IRED) se emplean desde mediados del siglo XX en mandos a distancia de televisores (hoy por hoy su uso se ha generalizado en general para aplicaciones de control remoto). Fuentes de luz para aplicaciones de comunicaciones de fibra ptica Los LEDs se emplean con profusin:
Indicadores de estado (encendido/apagado) Dispositivos de sealizacin (de trnsito, de emergencia, etc.)
http://es.wikipedia.org/wiki/Led
Paneles informativos (uno de los mayores del mundo, del NASDAQ, 36,6 metros de altura y est en Times Square, Manhattan).
46
2.5. DIODO LED
c. Aplicaciones de los LEDs

Calculadoras Alumbrado de pantallas LCD de telfonos mviles Agendas electrnicas, etc. Fotodetectores para lecturas de cdigos de barras. Displays de 7 segmentos
http://alcancepublicitario.com/LED_Displays.jpg
Display LEDs para aplicaciones numricas y alfanumricas (a): Aplicacin numrica de 7 barras
http://www.robotroom.com/PWM/DisplayBrightnessLameSchematic.gif
47
2.5. DIODO LED
d. LASER Semiconductor
Si en vez de usar una unn p-n, se utiliza una estructura semiconductora de heterouniones, podemos crear un LASER. Cuando se invent en 1960, se denominaron como "una solucin buscando un problema a resolver". Desde entonces se han vuelto omnipresentes. Las propiedades ms importantes:
Corriente umbral Eficiencia Potencia Rapidez Monocromticidad Estabilidad Fiabilidad
http://farm5.static.flickr.com/4122/4755943633_c35273a350_o.jpg
48
2.5. DIODO LED
d. Aplicaciones del LASER

El tamao de los lseres vara ampliamente
Diodos lser microscpicos Lser de cristales de neodimio (tamao similar al de un campo de ftbol): investigacin sobre armas nucleares u otros experimentos fsicos con altas densidades de energa
En bastantes aplicaciones, los beneficios de los lseres se deben a sus propiedades fsicas:
la coherencia la alta monocromaticidad la capacidad de alcanzar potencias extremadamente altas. Ejemplo: un haz lser altamente coherente puede ser enfocado a unos pocos nanmetros. Esta propiedad permite al lser:
http://es.wikipedia.org/wiki/L%C3%A1ser
Grabar gigabytes de informacin en las microscpicas cavidades de un DVD o CD. Tambin permite a un lser de media o baja potencia alcanzar intensidades muy altas y usarlo para cortar, quemar o incluso sublimar materiales.
2.5. DIODO LED

Se pueden encontrar en miles de variadas aplicaciones en cualquier sector de la sociedad actual:
Industrial
Sistemas de alineamiento o localizacin (posicionamiento) Deteccin de bordes y medida de distancias. Mecanizado, soldadura o sistemas de corte. Tratamientos de calor para endurecimiento o recocido de superficies en metalurgia o en chasis de automviles.
http://www.mtiinstruments.com/img/images/MicrotrakSpecDiagrams3Fig3.jpg
Aplicaciones de diodos lser de alta potencia

http://images.industrial.omron.eu
http://blog.photonic-products.com/wp-content/uploads/2007/11/laser_engraving_big.jpg
50
2.5. DIODO LED

Cientfico:
Contadores de partculas, Dispersin de luz, Anlisis qumicos, Fsica atmica
Mdico:
Mtodos de diagnstico, Anlisis de sangre Posicionamiento de pacientes en sistemas de captacin de imgenes mdicas. Como instrumento de corte y cauterizacin o para realizar fotocoagulacin.
La electrnica de consumo Tecnologas de la informacin (informtica) Artes grficas: impresoras lser y equipos de oficinas
http://es.wikipedia.org/wiki/Disco_compacto http://optima-prec.com/images/ldo.jpg
51
Referencias
Pardo Collantes, Daniel; Bailn Vega, Lus A., Elementos de Electrnica.Universidad de Valladolid. Secretariado de Publicaciones e Intercambio Editorial.1999. http://www.esacademic.com/pictures/eswiki/68/Diode-photo.JPG http://ees.wikispaces.com/diodos http://en.wikipedia.org/wiki/P-n_junction http://www-g.eng.cam.ac.uk/mmg/teaching/linearcircuits/diode.html http://www.circuitstoday.com/semiconductor-diodes-and-diode-symbol http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/6/64/Electronic_component_tran sistors.jpg http://www.uniovi.es/ate/manuel (Manuel Rico Secades, Javier Ribas Bueno). Area de tecnologa electrnica. Universidad de Oviedo. Universidad de Oviedo. Area de tecnologa Electrnica (ATE). Departamento de Ingeniera Elctrica, Electrnica, de Computadores y de Sistemas. Area de Tecnologia Electrnica. www.ate.uniovi.es/354/Trans01.ppt http://erenovable.com/wp-content/uploads/2010/12/VarianteLED.jpg http://www.alcatel-lucent.com/wps/portal/BellLabs www.bellsystemmemorial.com/belllabs_transistor.html Jose Antonio Gmez Tejedor. Apuntes Fundamentos Fsicos de la Informtica (FFI). Universidad Politcnica de Valencia. http://personales.upv.es/jogomez/ffi.html
52
Referencias
Microelectronic Circuits - Fifth Edition Sedra/Smith. Copyright 2004 by Oxford University Press, Inc. http://en.wikipedia.org/wiki/File:MOSFET_functioning_body.svg www.romux.com/_files/image/projects/electronics/e-mosfet-tranfercharacteristics-218x300.jpg http://romux.com/projects/electronics/monolithic-ic-component-fabrication http://laimbio08.escet.urjc.es/assets/files/docencia/AFE/Tema5FETAFE0910.pdf http://www.tech-faq.com/wp-content/uploads/images/integrated-circuit-layout.jpg http://static.howstuffworks.com/gif/led-diagram.jpg http://alcancepublicitario.com/LED_Displays.jpg http://www.robotroom.com/PWM/DisplayBrightnessLameSchematic.gif http://es.wikipedia.org/wiki/L%C3%A1ser Computer desktop encyclopedia. http://farm5.static.flickr.com/4122/4755943633_c35273a350_o.jpg http://es.wikipedia.org/wiki/Disco_compacto http://optima-prec.com/images/ldo.jpg
53

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TEMA 2.

IEEE 125 Aniversary: http://www.flickr.com/photos/ieee125/with/2809342254/

Mara Jess Martn Martnez : mjmm@usal.es

Transistor Bipolar de Unin (BJT).

Transistor de Efecto de Campo Metal-OxidoSemiconductor (MOSFET).

Diodo emisor de luz (LED). Ejercicios propuestos

Mara Jess Martn Martnez : mjmm@usal.es

2.2. DIODO DE UNIN

Generalmente el ctodo se conecta a tierra, y se aplica al nodo una tensin V

Si la tensin aplicada entre terminales es diferente de cero Diodo polarizado

Mara Jess Martn Martnez : mjmm@usal.es

2.2. DIODO DE UNIN

2.a. La unin PN en equilibrio (V=0)

Mara Jess Martn Martnez : mjmm@usal.es

2.2. DIODO DE UNIN

2.a. La unin PN en equilibrio (V=0)

Mara Jess Martn Martnez : mjmm@usal.es

2.2. DIODO DE UNIN

2.b. La unin PN polarizada (V 0)

Mara Jess Martn Martnez : mjmm@usal.es

2.2. DIODO DE UNIN

2.b. La unin PN polarizada (V 0)

Explicacin interactiva del funcionamiento del diodo http://www-g.eng.cam.ac.uk/mmg/teaching/linearcircuits/diode.html

2.2. DIODO DE UNIN

2.b. Unin PN polarizada. Curva Caracteristica (I-V)

VT(300 K) = 25.85 mV kB (Cte de Boltzmann) = 1.3810-23 JK-1

VT : denominado potencial trmico I0: Corriente inversa de saturacin (pocos nA)

En polarizacin directa: V>0 podemos admitir que la exponencial es muy superior al 1

En polarizacin inversa: V<0 podemos despreciar la exponencial frente al 1.

Caracterstica esttica (I-V) del diodo

2.2. DIODO DE UNIN

2.b. Unin PN polarizada. Curva Caracteristica (I-V)

La corriente en inversa es prcticamente nula.

Caracterstica REAL esttica (I-V) del diodo

Mara Jess Martn Martnez : mjmm@usal.es

2.2. DIODO DE UNIN

2.b. Unin PN polarizada. Curva Caracteristica (I-V)

Mara Jess Martn Martnez : mjmm@usal.es

2.2. DIODO DE UNIN

2.c. Comparativas de Curvas I-V de diodos reales

0.5 i [A] V [Volt.]

i [pA] V [Volt.] 0 -0.5

Mara Jess Martn Martnez : mjmm@usal.es

2.2. DIODO DE UNIN

2.d. Diodo Zener

En polarizacin directa funciona como un diodo normal. Su smbolo circuital:

Mara Jess Martn Martnez : mjmm@usal.es

2.2.b Modelado DIODO DE UNIN

I. Curva Caracteristica (I-V). Modelos

Mara Jess Martn Martnez : mjmm@usal.es

2.2.b Modelado DIODO DE UNIN

I. Curva Caracteristica (I-V). Modelos

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2.2.b Modelado DIODO DE UNIN

I. Curva Caracteristica (I-V). Modelos

6 0.7 = = 3.5 mA 1000 + 500

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2.2.b Modelado DIODO DE UNIN

I. Curva Caracteristica (I-V). Modelos

Curva real (simuladores, anlisis grfico) V

2.2. DIODO DE UNIN

D. Pardo, et al. 1999

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