Trabajo Final Electrnica III

Introduccin El calentamiento de un elemento normalmente se produce por transferencia de calor debido al contacto o al acercamiento de un elemento con menor temperatura a uno de temperatura mayor o la circulacin de una corriente en un cuerpo de una determinada resistencia debido a una diferencia de potencial entre dos puntos del elemento (Ley de Joule). Este proyecto tiene como objetivo lograr un aumento en la temperatura de un cuerpo metlico por un fenmeno descubierto por Michael Faraday 1831 a partir de sus experimentos de induccin electromagntica. El proceso de calentamiento mediante la induccin electromagntica se debe a que debido a la circulacin de una corriente en un circuito se inducen corrientes en otro circuito cerrado cercano al anterior. Esta aplicacin del descubrimiento de Faraday es til en sistemas que necesitan ser calentados en tiempos cortos o en secciones o formas complicadas. Esta clase de sistemas buscan efectivizar la cantidad de energa a entregar al elemento, minimizando las prdidas que se ven en las aplicaciones que obedecen la ley de Joule. Cabe resaltar que los sistemas que calientan con induccin electromagntica tambin producen prdidas por efecto Joule, aunque estas prdidas podemos utilizarlas para calentar otro sistema que pueda necesitarlo o podemos disminuir estas prdidas con la utilizacin de sistemas refrigerantes para disminuir la temperatura del equipo.

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Desarrollo 1. Teora de trabajo El calentamiento por induccin tiene un factor muy importante que es la induccin electromagntica y un fenmeno que se denomina efecto Skin. El grafico 1.1 muestra una bobina por la cual circula una corriente alterna, esta es una bobina primaria que induce un flujo magntico alterno. Este flujo atraviesa a una carga secundaria, en donde se genera una corriente inducida, que tiene un sentido contrario al de la bobina primaria. Vale resaltar que entre la bobina y el cuerpocarga hay una distancia o abertura. El efecto de calentamiento se produce bajo la accin de una corriente con una alta frecuencia.

Figura 1.1

Nuestro objetivo es lograr el calentamiento por induccin es maximizar la energa calorfica generada en el secundario-carga. Esta carga debe ser una sustancia con una baja resistencia y alta permeabilidad. Los elementos no ferrosos o no ferromagnticos poseen alta resistencia y una baja permeabilidad, lo que hace que la eficiencia de nuestro sistema calentador sea menor. Como se muestra en la figura 1.1, la corriente alterna (AC) que entra en la bobina, un campo magntico se genera alrededor de la misma de acuerdo a la Ley de Ampere:

Si colocamos un objeto en el campo magntico causa un cambio en la velocidad del movimiento magntico. La densidad del campo magntico disminuyecuando el objeto se acerca al centro de la superficie. De acuerdo a la Ley de Faraday, la corriente generada en la superficie de un objeto conductor tiene relacin inversa con la corriente en el circuito de induccin como se describe en la ecuacin siguiente. La corriente en la superficie del objeto genera una corriente parsita (eddy).

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La energa elctrica causada por la corriente inducida y corriente de Foucault se convierte en la energa trmica tal como se muestra en:

La resistencia que se encuentra en esta ecuacin est determinada por la resistividad () y la permeabilidad () del objeto conductor. La corriente est dada por la intensidad del campo magntico. La energa trmica se encuentra en una relacin inversa con la profundidad del efecto Skin que se describir ms adelante. Como dijimos anteriormente, en los objetos que posean propiedades conductoras, como el hierro, la energa trmica adicional se genera debido a la histresis magntica. La cantidad de energa creada por la histresis est en proporcin con la histresis. Esta energa se desprecia debido a que es mucho ms pequea (menos del 10%) que la energa generada por la corriente de induccin. Como se indic, uno de los fenmenos que permiten un calentamiento debido a la induccin es el efecto skin. Cuanto mayor sea la frecuencia de la corriente que se administra a la bobina, mas intensa es la corriente inducida que fluye alrededor de la superficie de la carga. La densidad de la corriente inducida se ve disminuida cuando fluye ms cerca del centro, de acuerdo a la siguiente formula

Donde en el punto x

distancia de la piel (superficie) del objeto, la densidad de corriente

densidad de la corriente en la profundidad de la piel (x=0) Constante determinada por la frecuencia (profundidad de penetracin de ------------------la corriente o profundidad de la piel

Se desprende que

Donde

es la resistividad del material Permeabilidad del objeto Frecuencia de la corriente que fluye a travs del objeto

Esta ltima formula establece que el espesor de la piel est determinado por la resistividad, permeabilidad y la frecuencia del objeto. Se ve a continuacin una grfica que muestra la relacin de la densidad de corriente respecto de la penetracin.

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2. Sistema de trabajo Si analizamos un sistema de un generador para el calentamiento por induccin se puede decir que se trata de un convertidor AC/AC cuya salida monofsica debe tener amplitud variable a una frecuencia relacionada con la frecuencia de resonancia del circuito resonante de carga.
Fuente de Potencia Rectificador Inversor de Alta Frecuencia Bobina Inductora Carga

Figura 2.1

Este convertidor indirecto se compone de dos convertidores directos, el primero de ellos es un rectificador (convertidor AC/DC) y el segundo un inversor monofsico (convertidor DC/AC). La mayora de los sistemas de calentamiento por induccin usan un circuito elctrico de salida llamado comnmente circuito tanque. Este circuito incluye un condensador y una bobina que constituyen un circuito resonante. Generalmente esta bobina es el inductor de calentamiento. El trmino tanque proviene del hecho de que sus componentes, condensador y bobina, trabajan como almacn de energa reactiva, elctrica en el caso del condensador y magntica en el caso de la bobina. Este ltimo ser el encargado de entregar su energa almacenada a una carga que se ubicar de una manera geomtricamente conveniente.

Figura 2.2

En este proyecto se opt por un sistema de potencia cuasi-resonante. Esta configuracion nos permite trabajar con un solo elemento de inversor, a diferencia de un medio puente que utiliza dos o 4 en el caso del puente completo. Ademas de que un sistema cuasi-resonante nos permite trabajar con una seal de gate no aislada.Observamos en la figura 2.2 un desarrollo prctico del sistema que explicamos anteriormente. Aqu el tanque resonante es una bobina en paralelo con un capacitor. Observamos que el circuito de potencia consta de pocos elementos que no hace falta que tengan una aislacion uno de otros.

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El inversor se excita a travs de un tren de pulsos de una frecuencia superior a la de resonancia. Dicha excitacion debe estar determinada de manera tal que la misma cumpla con los requisitos del elemento inversor (IGBT). Se opt por transitores de potencia del tipo IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), los cuales poseen caractersticas que le permiten trabajar a frecuencias altas y soportar corrientes que van desde los 5A hasta los cientos de amperes. Poseen tensiones Vce que pueden llegar hasta los miles de voltios. 3. Calculos del proyecto Como vimos en la figura 2.2 el nuestro es un sistema de potencia que debe ser calculado de acuerdo a un elemento fundamental, que es el elemento a calentar. Debemos separar las etapas del circuito de potencia, identificando cada una de ellas y lograr obtener los valores para la construccion del mismo.

Gate

Figura 3.1

Iniciamos el diseo del proyecto a partir de la fuente de tension continua requerida, la misma consta de un rectificador y un filtro a la entrada del inversor que permita absorver las corrientes armnicas que se puedan propagar hacia la instalacion electrica, ademas de dejar constante la tensin a la salida de la fuente de tensin. Para rectificar la seal senoidal del transformador de tension que nos entrega 24V de tension alterna utilizamos un puente BR1 MB1510, que posee una tension mxima de trabajo de 700V, una tension inversa de 1000V y soporta una corriente de hasta 15A. El transformador utilizado tiene una potencia de 250W, los cuales son el lmite de trabajo de nuestra mquina. El capacitor C1utilizado es de 4700F 80V, que nos disminuye el ripple y ademas de absorver las corrientes armnicas que no deseamos que se reflejen en nuestra instalacin. El circuito resonante se denomina circuito tanque. Cabe resaltar que existen dos tipos de configuracion: serie y paralelo. Utilizamos la configuracion en paralalelo que consta de un condensador, un inductor y una resistencia. En las siguientes figuras se muestran las configuraciones de un tanque:

Cuando se conecta la alimentacion en la fuente, la energa elctrica se almacena en el inductor y tranferida hacia el capacitor. La resonancia sucede cuando el inductor y el capacitor intercambian la energa acumulada en el tanque. La cantidad

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total de energa almacenada en el circuito durante la resonancia se mantiene sin cambios. Pero hay prdidas en el proceso de resonancia, por lo que la energa almacenada en el inductor se decrementa en cada intercambio de resonancia. La frecuencia de resonancia, que es la velocidad con la que se transfiere la energa, esta determinada por la capacitancia y la inductancia. Si analizamos el circuito, podemos obtener los valores de las reactancias inductivas y capacitivas, las cuales nos permiten obtener la impedancia de nuestro sistema. [ ] [ ]

| |

) [ ]

A la frecuencia de resonancia, la reactancia inductiva y la capacitiva se igualan, por lo que el voltaje en la fuente y la corriente en el circuito se mantienen al mismo nivel. De aqu podemos determinar el valor de la frecuencia de resonancia a partir de esta igualdad. [ ]

Los valores de inductancia y capacidad son calculados de acuerdo a la frecuencia a la cual trabajar el calentador. Se considera que la frecuencia de trabajo ser frecuencia a la cual nuestro sistema resonar. Tomamos como parmetro la inductancia, que tiene un valor y nos da un valor de capacidad de

Se utilizaron capacitores de polyester por la capacidad ( ) y la tensin que los mismos soportan (400V). La frecuencia de trabajo de los mismos se indica en hojas de datos es hasta 1kHz, pero se trabaj con los mismos por su bajo costo y disponibilidad en el mercado local. Los capacitores de policarbonato cumplan con los requerimientos de nuestro sistema, pero su elevado costo y falta de stock en locales nacionales nos oblig a optar por los poliester. Como dijimos antes, utilizamos un transistor IGBT, que dada su robustez nos permite trabajar tensiones de hasta 600V y corrientes de 16A continuas, en condiciones de temperatura de 100C.

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Este dispositivo posee la caractersticas de las seales de puerta de los transistores de efecto campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturacin del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitacin del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las caractersticas de conduccin son como las del BJT.

El IGBT es adecuado para velocidades de conmutacin de hasta 120 kHz y ha sustituido al BJT en muchas aplicaciones. Su presentacion puede ser desde grandes mdulos hasta pequeos modulos en empaquetaduras TO-220. Tiene la capacidad de manejo de corriente de un bipolar pero no requiere de la corriente de base para mantenerse en conduccin. Sin embargo las corrientes transitorias de conmutacion de la base pueden ser igualmente altas. En aplicaciones de electrnica de potencia es intermedio entre los tiristores y los mosfet. Maneja ms potencia que los MOSFET y es mucho mas veloz que los tiristores de potencia. Esta clase de semiconductores otorgan una mejor calidad de conmutacin con tensiones de gate muy bajas (15V) con corrientes no superiores a los 2A. En nuestro caso se trabaj con un generador de seales que entrega una tension de 5V, por lo que se tuvo que adecuar la amplitud para llegar a la Vge exigida por el IGBT. Para exitar el Gate del transistor, se calcul la resistencia de Gate ( ) a partir de los parmetros y , los cuales se encuentran en la hoja de datos que nos porporciona el fabricante:

Se utiliza parael control del gatillado del gate del IGBT el circuito integrado TL494, el cual es un circuito de control de ancho de pulso modulado (PWM). La salida del TL494 es una onda cuadrada de 0 voltios a 15 voltios en el pin 8 y 11, cuya frecuencia se ajusta variando los valores de CT y RT conectados en los pines 5 y 6 respectivamente, estos pines estn conectados a un oscilador interno el cual genera una onda diente de sierra, la frecuencia es calculada con la siguiente ecuacin:

Previamente determinamos que la frecuencia de conmutacin del IGBT ser de 25kHz, asumiendo un valor de CT= 47pF, teniendo en cuenta la operacin elegida para el TL494 y logramos la frecuencia que preferimos variando el potenciometro que reemplaza a RT en el circuito general. El grfico siguiente es el esquematico dado por el fabricante.

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El circuito que controla a la compuerta del IGBT se muestra a continuacin.

Se observa que se utiliz un transisitor MOSFET para adecuar la seal de salida del TL494. Se utiliza una fuente regulada de tension con una corriente de 2A a partir de dos LM7815 en paralelo, los cuales entregan 1A cada uno de acuerdo a su hoja de datos. Estos estan alimentados con un puente rectificador BR310 de LCR, el cual puede suministrarnos una corriente directa de 3, con una tensin inversa de pico de 1000V lo cual nos permite trabajar bastante holgados. Para eliminar el riple de la seal rectificada, se proyect la fuente con un capacitor de 1400uF 50V. Para calcular la resistencia de Gate del MOSFET para el encendido del mismo se calcula de manera similar al calculo de Gate el IGBT:

Esta ser la salida que encender al IGBT. Si observamos, se dejaron dos salidas adicionales de 15V y 12V, las cuales son utilizados para la refrigeracin del sistema. El montado del sistema se realiz sobre una misma placa, para prevenir cableados inseguros o ruidosos. Como se indic al principio, la configuracin QuasiResonante nos permite trabajar con la misma masa en todo el sistema. Por lo que esto

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nos dio la posibilidad de realizar un esquematico con menores masas diseminadas en toda la placa. 4. Implementacion del proyecto En primera instancia, se construy la bobina inductora. La misma esta compuesta de un cao de cobre de 1/4 hueco, al cual se le dio forma cilindrica, de una sola capa. Por lo tanto, qued una bobina de 8 vueltas con un dimetro de 4cm y 7cm de alto. De acuerdo a estos datos geomtricos podemos obtener la inductancia de la bobina: [ Donde: L = inductancia en microhenrys; d = diametropulgadas (desde el centro del cao al centro del cao); l = largo de la bobina en pulgadas; n = nmero de vueltas. Esta frmula es una aproximacion muy cercana para bobinas que tienen un largo igual o mayor a . Como la inductancia vara con el cuadrado de las vueltas, si el nmero se duplica, la inductancia se cuadriplica. De acuerdo a los datos que tenemos obtenemos una bobina con una inductancia que tiene el valor: [ ] ]

Este es un valor que depende solamente de la gemoetra de la bobina inductora. Aun con el clculo realizado, se realiz la medicion con un inductmetro para corroborar el valor.

El valor de capacidad que se calcul fue a partir de tomar a la bobina como parmetro, la cual se lo decidi por la dificultad de medirla de manera exacta. De acuerdo a lo calculado, debemos utilizar un arreglo de capacitores de 22F en paralelo, de manera de obtener 22uF con 10 capacitores de polyester, como ya dijimos.

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Este arreglo de capacitores se adhiri a la bobina mediante soldadura con estao. La soldadura se logr gracias a una estacin de soldado, la que permite soldar a tempreaturas de hasta 400. La placa que corresponden al control de la compuerta del IGBT fue diseada mediante software de diseo electrnico (PCB Wizard), en donde se pudo reducir al mximo el tamao de la placa, asimismo se pudo optimizar la posicin de los reguladores y del MOSFET para ubicarlos sobre una plancha disipatoria de aluminio. Para alimentar el control se us un transformador de 220V/24V AC 50Hz que permite soportar el consumo de los 2A exigidos por la fuente.

El IGBT es el elemento fundamental en este circuito, por lo que debe de trabajar bajo las condiciones para las cuales se calcul y se parametriz. Debido a esto se busc disipar las prdidas por efecto Joule que sufriera el semiconductor. Se utiliz un disipador de un 10x7x1,4cm de seis aletas totalmente aislado debido a que el colector del IGBT es la espalda del encapsulado. Aislando el disipador, se lograr evitar cortocircuitos accidentales como tambin de permitir uno de los que el oscilador Quasi-Resonante posea una masa comn. RAMIREZ, Pablo J. CARO, Carlos F. Pgina 10

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El puente de diodo del sistema de potencia se monto en un disipador C, de 4x3x10cm montado sobre el chasis totalmente aislado. El chasis sobre el que se trabaj fue un gabinete de una computadora personal en desuso, el cual sirvi para ubicar todos los elementos en un solo lugar. Se realizaron pruebas de trabajo del sistema con elementos ferromagnticos, luego se pas a un elemento no ferromagntico como el aluminio. La prueba con elementos ferromagnticos mostr que el calentamiento se logra de manera mas rpida, debido a que se tiene el fenmeno de histresis. Se demoraron dos minutos con la potencia calculada para calentar al elemento que era un tornillo hexagonal. Como el proyecto tena como objetivo sellar envases de aluminio, se busc hacer pruebas con lminas de este material. En primera instancia se realiz una prueba con un bloque de una masa de aproximadamente diez gramos, la cual no lleg a una temperatura alta por las cualidades del material.

El aluminio en forma de lmina calent en menor tiempo, debido a que su espesor es del orden de .1mm, que son las lminas de una lata de bebiba. En ambos ensayos se sensaron las formas de las corrientes y los valores de la misma. Se observ que los elementos de menor masa llegaban a la misma temperatura que uno de mayor masa, en menor tiempo.

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Esta relacin nos permiti concluir que la energa que se transfiere difiere de acuerdo a la masa del elemento.

Se realizaron distintos ensayos durante los cuales se sacaron las conclusiones anteriores. 5. Problemas en el montaje Uno de los problemas que se encontro al montar en el gabinete final fue el aislar totalmente a los sistemas uno de otros, como as de los ruidos electromagnticos de la instalacin cableada para la compuerta del IGBT. Dicha aislacin fue la razn por la que se destruyeron dos transisitores de potencia, que fueron montados de manera incorrecta. Aun a pesar de tener sus disipadores trmicos, se coloc un ventilador sobre el del IGBT. Se solucion este problema constructivo con la total aislacin del disipador con patas de goma adheridas al piso del chasis. Se realizo el mismo trabajo sobre todas las placas del gabinete, asi poder lograr una asilacin total. De esta manera se eliminaron los ruidos en el generador que alimenta el gate del IGBT. Otras de las cuestiones a tratar era la estabilidad del sistema en general, lo cual se lograra implementando algn circuito para ayudar a la correcta conmutacin de nuestro IGBT. Estos circuitos son conocidos como Snubbers, o atenuadores, y hay 3 tipos de bsicos:

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Redes de Bloqueo o Apagado Redes de Disparo o Encendido Redes de Sobretensin

Figura a

Figura b

Figura c

Para explicar la necesidad de estas redes se muestra un convertidor sin ningn circuito de ayuda a la conmutacin en la Fig. a donde las inductancias parasitas en las diferentes partes del circuito se ilustran de forma explcita. En principio el transistor conduce e ic = Io. Durante la conmutacin del apagado, en t = t 0, el voltaje del transistor empieza a subir, pero las corrientes en diferentes partes de circuito permanecen iguales hasta t1, cuando empieza a conducir el diodo de libre circulacin. Luego, la corriente del transistor empieza a disminuir y la velocidad con que disminuye se determina por las propiedades del transistor y su accionamiento base. El voltaje del transistor se expresa como:

Donde sobre tensin, pues

la presencia de inductancias parasitas produce una es negativo. En t3, al final del tiempo de cada de corriente, el

voltaje baja a Vd y permanece en ese valor. Durante la transicin del encendido, la corriente del transistor empieza a subir en t4 con una velocidad dictada por las propiedades del transistor y el circuito de accionamiento base. La ecuacin an es vlida pero debido a un positivo, el voltaje del transistor VCE es un poco menor que Vd. Debido a la corriente de recuperacin reversa del diodo de libre circulacin, ic excede a . El diodo de libre circulacin se recupera en t5 y el voltaje a travs del interruptor controlado disminuye a cero en t6 con una velocidad impuesta por las propiedades del dispositivo.

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Estas formas de onda de conmutacin se representan por los lugares geomtricos de conmutacin como los que se muestran la Fig. c. Las lneas punteadas representan los lugares geomtricos de conmutacin idealizados tanto para el encendido como para el apagado, a partir de la suposicin de cero inductancias parasitas y de que no hay ninguna corriente de recuperacin reversa a travs de diodo. Ellas muestran que el transistor sufre grandes esfuerzos en el encendido y apagado cuando tanto su voltaje como su corriente estn al mismo tiempo, lo que causa una alta disipacin instantnea de potencia. Adems, las inductancias parasitas generan una sobretensin ms all de Vd, y de la corriente de recuperacin reversa causando una sobre corriente ms all de I0. Una suposicin importante que simplifica el anlisis es que la corriente del transistor cambia de forma lineal con el tiempo con un constante, lo que solo esta dictado por el transistor y su circuito de accionamiento base. Algunos de ejemplos de las tipos de redes mencionadas, son:

Red de Apagado

Red de Sobretensin

Red de Encendido en serie con el transistor

Red de Encendido en serie con el diodo de libre circulacin

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