16/6/2010

IFBA

MOSFET

CELET Coordenao do Curso Tcnico em Eletrnica , Professor: Edvaldo Moraes Ruas, EE

Vitria da Conquista - 2009

MOSFETs - introduo

Semicondutor FET de xido metlico, ou Mosfet (Metal Oxide Semiconductor Field-Effect); um transistor unipolar, pois depende somente de um tipo de carga, ou as lacunas ou os eltrons; Ao contrrio do JFET a porta isolada do canal canal.

um dispositivo sensvel a tenso

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MOSFETs estrutura e smbolos

Tipo Depleo normalmente ligado

Tipo Intensidade normalmente desligado

Fonte porque os eltrons livres entram no dispositivo nesse ponto. Dreno por onde os eltrons livres saem; Substrato ou corpo (o quarto terminal); Porta = gate - SiO2 = dixido de silcio = isolante (mesmo que vidro).

MOSFET-D Tipo Depleo - Funcionamento

Modo de depleo VDD fora os eltrons livres a passarem pelo canal; Quanto mais negativa a tenso da porta, menor a corrente do dreno; Corrente da porta = de fuga, desprezvel; Deste modo o funcionamento do Mosfet semelhante ao de um Jfet; Modo de intensificao (crescimento) Como a porta isolada do canal, podemos aplicar uma tenso positiva porta; Que aumente o nmero de eltrons livres do canal; Corrente da porta = de fuga, desprezvel; Resistncia de entrada da ordem de 10.000 M a 10.000.000 M.

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MOSFET-D Tipo Depleo - Curvas

Curva de Dreno

Regio de saturao; Regio ativa; Regio de corte; Regio de ruptura.

Curva de Transcondutncia

A equao para qualquer JFET : A curva um trecho de parbola; Ponto Q --- VGS = 0 e ID = IDSS;

MOSFET-D Tipo Depleo - Polarizao

Polarizao zero;

Como o Mosfets opera no modo depleo todos os mtodos de polarizao do Mosfet s Jfets podem ser usados: Polarizao da porta; Autopolarizao; Por Divisor de Tenso; Por Fonte de Corrente.

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MOSFET-D Tipo Depleo - Aplicaes

Se a impedncia de entrada de um Jfet no for suficientemente alta, podemos usar um Mosfet; Como Buffer; Como Amplificadores GC; Baixo rudo; Mosfet com porta dupla para amplificadores cascode, que equivale a amp. GC e um SC. Usado para altas frequncias, devido sua baixa capacitncia de entrada; Circuito de RF.

MOSFET-E Tipo Intensificao - Funcionamento

Esse Mosfet conduz somente no modo de intensificao; amplamente usado como uma chave porque normalmente desligada.

Criando a camada de inverso Quando VGS = 0 o substrato p tem apenas alguns eltrons, portadores minoritrios, ID = 0; A porta e o substrato so como duas placas de capacitor separados por um dieltrico (SiO2); Um potencial positivo na porta joga eltrons livres no substrato p, que recombinam com lacunas adjacentes do dixido de silcio;

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MOSFET-E Tipo Intensificao - Funcionamento

Quanto a porta suficientemente positiva e todas as lacunas adjacentes esto recombinadas, ela passa a formar um canal fino entre a fonte e o dreno (camada de inverso tipo n); Os eltrons livres comeam a fluir da fonte para o dreno.

Tenso de Limiar (threshold) a mnima tenso VGS que cria a camada de inverso tipo n; Quando VGS < VGS(limiar) a corrente de dreno ID = 0; VGS(limiar) pode variar de 1V a mais de 3V.

MOSFET-E Tipo Intensificao - Curvas

Curva de Dreno Regio hmica (saturao - principal uso); Regio ativa = fonte de corrente; Regio de corte; Regio de ruptura. Curva de Transcondutncia A equao diferente da anterior: ID = k[VGS VGS(limiar)]2; ( ) k = constante que depende do Mosfet; Exemplo: 0,008 = K(5 - 3)2 = 4K; k = 0,002; Portanto: ID = 0,002(VGS 3)2; A curva um trecho de parbola.

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MOSFET Tenso de Ruptura

Os Mosfets dos tipo depleo e de intensificao, tm uma camada fina de dixido de silcio, justamente para dar porta maior controle sobre ID; Por esse fato ela facilmente destruda por uma tenso excessiva; Por exemplo, um 2N7000 tem uma especificao de VGS(max) = 20 V; Pode-se destruir essa camada de maneira mais sutis: Inserindo ou retirando o Mosfet de um circuito ainda energizado; Ou pegando neles, eletricidade esttica. p g , Por isso frequentemente eles so embalados com anis metlicos em volta de seus terminais, que so retirados depois de ter sido ligado ao circuito; Alguns Mosfets so protegidos por diodos zener interno, o que reduz a alta resistncia de entrada.

MOSFET-E Tipo Intensificao - Polarizao

Quando o Mosfets operam no modo intensificao nem todos os mtodos de polarizao do Jfets podem ser usados: Polarizao da porta; Por Divisor de Tenso. Polarizao por realimentao do dreno; Como IG 0, no aparece nenhuma tenso atravs de RG; Portanto VGS = VDS(ligado); Se ID(ligado) aumenta, VDS(ligado) diminui. Isto reduz VGS. O que compensa parcialmente o aumento inicial em ID(ligado); Ponto Q RD.

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MOSFET-E Amplificador cc

Opera sempre at a frequncia zero, sem perda de ganho; No necessrio capacitores de acoplamento; A tenso quiescente de sada 0 V.

MOSFET-E Tipo Intensificao Como chave

Os circuitos que utilizam o transistor como fonte de corrente so chamados: circuitos lineares, circuito analgicos etc. Os circuitos que utilizam o transistor como chave so chamados: Circuito de chaveamento, circuito digital ou circuito lgico. Os Mosfets tipo intensificao so mais indicados para circuitos digitais. Pelo seu baixo consumo; Pequeno espao de ocupao numa pastilha. Regio hmica:

RDS(lig) = VDS(lig) ID(lig)

Por esta razo so usados na fabricao de microprocessodores, memrias e em outros dispositivos.

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MOSFET-E Tipo Intensificao Como chave

Amplificador amostra e mantm
O Jfet ou o Mosfet pode funcionar como chave, em derivao ou srie com a carga; O Mosfet tipo Intensificao conveniente porque normalmente est desligado; A constante de tempo de carga pequena porque rds(ligado) pequeno; J a constante de tempo de descarga depende de RL; Fazendo RL suficientemente grande o capacitor pode manter sua carga durante um longo tempo; Usados em conversores.

MOSFET-E Tipo Intensificao Como chave

Carga Ativa Por causa da polarizao por realimentao do dreno; rds(ligado) 10 vezes maior do que rds(ligado) de Q2; S Superior funciona como resistor; i f i i O inferior como chave.

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MOSFET-E Tipo Intensificao Como chave

Inversor CMOS Circuitos MOS complementares (CMOS); Quando um componente est ligado; O outro esta d li d e vice-versa; desligado i A tenso de sada sempre oposta a da entrada; Circuitos em sria corrente fuga (nanoampres).

MOSFET-E Tipo Intensificao - VMOS

Mosfet convencional

Canal Vertical - VMOS Duas Fontes; Substrato age como dreno; Q d VGS > VGS(limiar); Quando Forma-se dois canais mais largos; ID muito maior;

ID

Antes no podiam competir com as especificaes de potncia dos TBJ; Amplificadores de udio, de RF, etc.

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MOSFET-E Tipo Intensificao - VMOS

Vantagens
TBJ - Deriva trmica U aumento na t Um t temperatura; t Abaixa VBE o que provoca um aumento e IC; Que por sua vez produz um aumenta maior na temperatura; Se a dissipao de calor for inadequada, o transistor danificado.

VMOS - Ausncia de deriva trmica Coeficiente trmico negativo; medida que a temperatura aumenta ID diminui; O que reduz a dissipao.

MOSFET-E Tipo Intensificao - VMOS

Vantagens
TBJ No podem ser ligados em paralelos S queda em VBE no se ajusta; Sua d j t O TBJ que tiver VBE mais baixo tem IC maior.

VMOS - Podem ser ligados em paralelos Coeficiente trmico negativo; As correntes so aproximadamente iguais. p g

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MOSFET-E Tipo Intensificao - VMOS

Vantagens
TBJ Velocidade de chaveamento S t Saturao; Tempo de atraso de saturao.

VMOS Maior velocidade de chaveamento No existe cargas extras estocadas; Pode sair da saturao quase imediatamente; q De 10 a 100 vezes mais rpido que o TBJ.

MOSFET-E VMOS Aplicaes

Amplificador Classe C

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MOSFET-E VMOS Aplicaes

Interface p potncia e uma carga de alta g Um buffer entre um dispositivo de baixa p potncia.

MOSFET-E VMOS Aplicaes

Interface p potncia e uma carga de alta g Um buffer entre um dispositivo de baixa p potncia.

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