FACULDADE de Engenharia de Ilha Solteira - Departamento de Engenharia Eltrica

Circuitos Digitais II - Profa. Suely C. A. Mantovani - 1o.sem/2011

Memrias ROM
1-Introduo Rom (Read-Only Memories) memria de apenas leitura a semicondutor,
que armazena informao em caratr permanente. Durante sua operao normal nenhum dado pode ser escrito na ROM, ou seja, utilizada somente para leitura dos dados que foram armazenados previamente. Para alguns tipos de ROM os dados so gravados durante o processo de fabricao enquanto que, para outros, os dados so gravados eletricamente. O processo de gravao de dados em uma ROM denominado programao ou queima. Algumas ROMs no podem ter seus dados alterados, enquanto que outras podem ter seus dados apagados e regravados. As ROMs so no volteis e por isso so empregadas para guardar dados alimentao eltrica os dados no se perdem. Aplicada no armazenamento de programas de sistemas operacionais em computadores e outros sistemas digitais (eletrodomsticos, sistema de segurana, caixa eletrnico), Circuitos Geradores de Caracteres e pode ser empregada na construo de um circuito combinacional qualquer. Simbologia (mais comun): que no mudaro durante a operao de um sistema, uma vez que, aps cessada a

Figura 1- Smbolo ROM

Uma ROM pode ser implementada como um circuito combinacional, conforme ilustra a figura 2, abaixo: 1

Figura 2- Circuito Combinacional ROM

Na realidade trata-se de um circuito combinacional codificador onde E0 a E2 so as entradas. Essas entradas combinadas equivalem ao endereo e , na sada tm-se a palavra S0 aS4. Por exemplo: para o endereo 100, a palavra na sada seria 10111. importante notar que no codificador somente uma das entradas pode ser levada a nvel lgico 1 de cada vez, o que limita uma ROM feita com codificadores. Outra alternativa utilizar um decodificador e um codificador, para implementar uma ROM, conforme mostra a figura 3. Podemos atravs das combinaes de entrada estabelecer uma sada, onde neste caso, as entradas podero estar todas submetidas a nvel 1.

Figura 3- Estrutura Geral para uma ROM combinacional

A vantagem deste circuito o aumento na capacidade de armazenamento, para um nmero de linhas de endereamento mais reduzido. Para n linhas de endereamento haver 2n entradas no codificador e consequentemente 2n palavras. Com base no decodificador e codificador, podemos projetar uma memria ROM , conforme a tabela 1, mostrada na fig.4:
Tabela 1

Figura 4- ROM combinacional

ROM (Read Only Memory) uma memria somente de leitura , ou seja, os dados so armazenados no processo de fabricao, no permitindo nova gravao. Em computadores antigos a ROM continha a programao (BIOS-Basic Input Output System) que permite a inicializao de um computador

2-Estrutura Geral e Organizao de uma Mmria

A Arquitetura bsica utilizada para ROM nos processos de fabricao dos circuitos integrados atuais mostrada na figura 5.

Figura 5 Arquitetura Interna das Memrias ROM Bloco decodificador de endereos um gerador de produtos cannicos e ativa uma linha por vez, de acordo com o endereamento . Na figura 5a

tem-se um exemplo para o

decodificador de endereos, usando portas lgicas ANDs.

Figura 5a Bloco decodificador de endereos Gerador de produtos cannicos de 2 bits constituido por portas AND e INVERSOR

Matriz de dados arranjo de linhas e colunas que atravs de um elo de ligao possibilita a gravao dos dados pelo fabricante e consequente leiutura pelo usurio. Na prtica, esses elos so elementos semicondutores (diodos ou transistores) que se constituem na estrutura de dados propriamente ditos.

Figura 5b- ROM Mscara com diodo substituindo o codificador na fig.4-Matriz de dados com diodo ROM 4X4

Figura 6b Estrutura interna de uma Mask-ROM bipolar Chaves de sada- conjunto de chaves (buffers) que so habilitadas atravs do terminal
CS (chip select). A conexo feita em nvel 0 ( 1 fica em alta impedncia)

A chave (buffer) de sada normalmente habilitada em nvel 0:

Figura 7 Mecanismo de acionamento de sada das memrias 7

PROM ( Programmable Read-only Memory) uma ROM que fornecida virgem para o comprador(fig.8). Para a gravao de dados na PROM deve ser usado um equipamento especial. A gravao feita de uma s vez , para toda a capacidade da PROM, e uma vez realizada , no pode ser desfeita. A gravao feita atravs da circulao de uma corrente eltrica que rompe o fusvel onde se deseja armazenar o nvel lgico 0.

Figura 8-Uma memria PROM com diodo , desprogramada (virgem)

EPROM
1-Introduo

(Erasable Programmable ROM - ROM Apagvel e Programvel) foi

inventada pelo engenheiro Dov Frohman. Uma EPROM, ou erasable programmable read-only memory, um tipo de

dispositivo de memria de computador no-voltil , isto , mantm seus dados quando a energia desligada. Uma EPROM programada por um dispositivo eletrnico que fornece tenses maiores do que as usadas normalmente na alimentao do dispositivo. Uma vez programada, uma EPROM pode ser apagada apenas por exposio a uma forte luz ultravioleta (comprimento de onda entre 0,2 a 0,4 microns). EPROMs so 8

facilmente reconhecveis pela janela transparente no topo do pacote, pela qual o chip de silcio pode ser visto (Fig.9), e por onde passa luz ultravioleta durante o apagamento.

Fig. 9. EPROMS e a pequena janela de quartzo para a passagem da luz ultravioleta durante o apagamento.

Uma EPROM programada mantm seus dados por mais de vinte anos e pode ser lida ilimitadas vezes. A janela de apagamento tem que ser mantida coberta para evitar apagamento acidental pela luz do sol. Antigos chips de BIOS (Basic Input/Output Systems) de PC usavam EPROMs, e a janela de apagamento era frequentemente coberta com um adesivo contendo o nome do produtor da BIOS, a reviso da BIOS, e um aviso de copyright (Fig.10a).

Figura 9a .Microcontrolador 8749 que armazena seu programa em uma EPROM.

Figura 10- a) EPROM ;b) Apagador de EPROM Antes da era da memria flash, alguns microcontroladores(fig.9a) frequentemente, usavam EPROM para armazenar seus programas. Este procedimento til para desenvolvimentos de projetos, possibilitanto que os dispositivos programveis sejam programados vrias vezes, facilitanto a depurao do projeto. Para se programar uma EPROM, necessrio utilizar um equipamento conhecido como Programador (fig.10.b), que encontrado em empresas epecializadas ou pode-se fazer um programador do tipo caseiro. Existem EPROMs em vrios tamanhos (fsicos) e de capacidade de armazenamento, ver tabela 2:
Tabela 2- Memrias EPROMs comerciais

Tipo de EPROM 2716, 27C16 2732, 27C32 2764, 27C64 27128, 27C128 27256, 27C256 27512, 27C512 27C010, 27C100 27C020 27C040

Tamanho bits 16 kbit 32 kbit 64 kbit 128 kbit 256 kbit 512 kbit 1Mbit 2 Mbit 4 Mbit

Tamanho bytes 2KBytes 4KBytes 8KBytes 16KBytes 32KBytes 64KBytes 128KBytes 256 kbytes 512 kbyte

Tamanho (hex) 800 1000 2000 4000 8000 10000 20000 40000 80000

ltimo endereo (hex) 007FF 00FFF 01FFF 03FFF 07FFF 0FFFF 1FFFF 3FFFF 7FFFF

NOTA: As sries de EPROMs 27x contendo um C no nome so baseadas em CMOS, sem o C so NMOS

2- Clulas de Armazenamento Na figura11 mostra-se uma clula de uma EPROM. As clulas de armazenamento em uma EPROM so transistor MOS com porta de silcio sem conexo (flutuante). No estado normal, o transistor est desligado e a clula armazena 1 lgico. O transistor pode ser ligado aplicando um pulso de tenso que injeta eltrons de alta energia na 10

regio da porta flutuante. Estes eltrons ficam presos, pois no h caminho de fuga.

Figura11- Seo transversal de uma clula de uma EPROM NMOS

Uma EPROM pode ser programada pelo usurio e tambm pode ser apagada e reprogramada quantas vezes desejar. O processo de programar uma EPROM consiste em aplicar tenses especiais (10 a 24V) nos pinos apropriados, durante um certo tempo (50ms por locao). Uma EPROM pode ser apagada se for exposta a luz ultravioleta, que produzir uma corrente da porta flutuante para o substrato, removendo as cargas e desligando o transistor, e restaurando o 1 lgico. Este processo deve gastar entre 15 e 30 minutos, dependendo da memria e intensidade de luz, e apagar toda a memria.

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O estado da arte das EPROMs usam variantes de clulas de memria cuja a seo transversal mostrada na figura 12.a, Sua clula basicamente um MOSFET canal n com dois gates feitos de polisilcio. Observe que um dos gates no eletricamente conectado em qualquer parte do circuito; deixado flutuante , por isso o nome .

Fig.12.(a)-Seo transversal. (b) smbolo do circuito para o transistor de gate flutuante usado como uma clula EPROM.

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Fig. 13-Ilustrando o deslocamento da caracterstica iD - vGS no transistor de gate flutuante como resultado da programao.

Fig. 14-Transistor de gate flutuante durante a programao.

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OPERAO Antes de a clula ser programada, nenhuma carga existe no gate flutuante e o dispositivo opera como um MOSFET regular canal n. Veja caracterstica iD - vGS na figura 13 a. Note que neste caso a tenso de limiar (Vt) preferencialmente baixa. Este estado conhecido como no programado (armazena 1). Programando o Tr. de gate flutuante- aplicada uma grande tenso (16-20V) entre o dreno (drain) e a fonte (source) . Simultaneamente uma grande tenso (cerca de 25 V ) , aplicada no select gate . Mostra-se na fig.14 o MOSFET canal n gate flutuante durante a programao. Quando a clula est programada as caractersticas iD - vGS obedecem a fig.13 b e a clula dita ter armazenado 0. A carga negativa armazenada no gate flutuante repele os eltrons da superfcie do substrato. Isto implica que para formar um canal, a tenso positiva que tem que ser aplicada ao select gate , deve ser maior que a necessria quando o gate flutuante no est carregado, ou seja , uma vez programado este dispositivo retm( aproximadamente 100 anos) esta caracterstica (curva b) mesmo que a alimentao seja retirada . Lendo o contedo da clula EPROM- aplicada no select gate , uma tenso VGS qualquer (entre os valores Vt alto e baixo) . Com isso, um dispositivo programado (que armazenou 0) no ir conduzir, mas o dispositivo no programado ir conduzir (armazenou 1). Desprogramar - a carga armazenada no gate flutuante deve retornar ao substrato (apagada). O processo de apagar realizado atravs de exposio da clula (janela de quartzo) a luz ultravioleta no comprimento de onda correto (2537 A0 ) por uma durao especfica. A luz ultra violeta fornece suficiente energia para os ftons que esto presos, permitindo superar a barreira de energia e ento serem transportados atravs do xido, de volta ao substrato.

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3- CMOS EPROM AM27C64 A AM27C64 uma memria s de leitura apagvel por luz ultravioleta e programvel. organizada como 8K palavras de 8-bits. Segue na figura 15, o diagrama de blocos da AM27C64.

Figura 15-Organizao interna da memria EPROM AM27C64

EEPROM
Uma EEPROM (de Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory) um chip de armazenamento no-voltil usado em computadores e outros aparelhos. Ao contrrio de uma EPROM, uma EEPROM pode ser programada e apagada vrias vezes, eletricamente e ainda isoladamente por palavras de dados (bytes individuais) sem necessidade de reprogramao total. Este fato faz com que alteraes sejam efetuadas pelo prprio sistema no qual a memria esteja inserida. Pode ser lida um nmero ilimitado de vezes, mas s pode ser apagada e programada um nmero limitado de vezes, que variam entre as 100.000 e 1 milho. A memria flash uma variao moderna da EEPROM, mas existe na indstria uma conveno para reservar o termo EEPROM para as memrias de escrita bit a bit, no incluindo as memrias de escrita bloco a bloco, como as memrias flash. As EEPROM necessitam de maior rea que as memrias flash, porque cada clula geralmente 15 as

necessita de um transstor de leitura e outro de escrita, ao passo que as clulas da memria flash s necessitam de um.

Dispositivos da srie MAX7000S como o EPM7128SLC84-7 seguintes caractersticas: PLCC (Plastic Leaded Chip Carrier )-package de 84 pinos;

de mdia

densidade, tem internamente elementos de uma EEPROM .Este dispositivo apresenta as

128 macroclulas onde cada macroclula tem um array de AND programvel/OR fixa;registrador reconfigurvel com clock independente programvel, clock enable, clear e funes preset. Capacidade de 2500 gates; Arquitetura simples, ideal para projetos introdutrios, funes lgicas combinatoriais e sequenciais; Tenso de alimentao de 5,0 e 3,3V; Reprogramvel no sistema; Compatvel PCI2; Apresenta alta velocidade (tp=5ns)

Barramento PCI (Peripheral Component Interconnect) surgiu no incio de 1990(Intel). Tem a capacidade de transferir dados a 32 bits e clock de 33 MHz,

como caractersticas

especificaes estas que tornaram o padro capaz de transmitir dados a uma taxa de at 132 MB por segundo. Os slots PCI so menores que os slots ISA(Industry Standard Architecture) padro anterior a este, assim como os seus dispositivos.

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Memria Flash
1-Introduo As memrias Flash (Flash EEProm) foram uma resposta da indstria s memrias EPROM e EEPROM, que oferecem as vantagens destas memrias sem o alto custo, apresentando as seguintes caractersticas:

No-Voltil Apagvel e escrita feitos eletricamente como as EEPROMS Apagvel eletricamente total ou por setor, no circuito Grande Densidade Alta Velocidade de Acesso (igual a EPROM e a EEPROMs) Baixo custo A Memria Flash uma memria de computador do tipo EEPROM que permite

que mltiplos endereos sejam apagados ou escritos numa s operao. Trata-se de um dispositivo reprogramvel e ao contrrio de uma RAM, preserva o seu contedo sem a necessidade de fonte de alimentao. Esta memria comumente usada em cartes de memria drives flash, USB e em iPod . Tambm vem sendo chamada de disco slido pelas suas perspectivas de uso, no somente devido a sua maior resistncia quando comparada aos discos rgidos atuais, mais por apresentar menor consumo, maiores taxas de transferncia, latncias e peso muito mais baixos. Chega a utilizar apenas 5% dos recursos normalmente empregados na alimentao de discos rgidos. Utilizada em notebooks.

2. A Clula A clula de uma memria Flash semelhante clula de uma EPROM, e constituda por um nico transistor. Na memria Flash, uma fina camada de xido de silcio forma a porta (gate) do transistor, permitindo apagar eletricamente a memria e 17

uma maior densidade que as EEPROMs, com um custo menor. A Figura 16 compara os dois tipos de clulas de memria, onde a camada de xido entre a porta e o substrato na clula Flash 100 Angstroms, aproximadamente, e na EPROM maior que 150 Angstroms.

Figura 16- Clula Flash e Clula EPROM

2.1 Operao de escrita / leitura/Apagamento Na operao de escrita, uma alta tenso de programao (VPP=12 Volts) aplicada na porta de controle (Control Gate), a tenso no dreno (Drain) aumentada para 6 Volts enquanto a tenso na fonte (Source) permanece em 0 Volts. Isto forma uma regio reversa, crescendo a corrente dreno-fonte, provocando um aumento na energia dos eltrons que vencem a barreira de xido e so capturados pela porta flutuante (floating gate) Fig.17.

Figura 17 - Clula Flash - Operao de Escrita

Depois da escrita ser concluda, uma carga negativa na porta flutuante aumenta a tenso de limiar (Vt) da clula acima da tenso equivalente a 1 lgico da linha de 18

seleo de palavra (worldline). Quando a linha de seleo de palavra de uma clula escrita levada ao nvel lgico 1 durante uma leitura, a clula no conduzir. Um amplificador sensor detecta e amplifica a corrente da clula, e fornece uma sada 0 para uma clula escrita. Para apagar o contedo de uma clula Flash, a tenso de fonte (Source) colocada em VPP=12 Volts, a port (Control Gate) de controle aterrada e o dreno (Drain) fica flutuando ( Fig. 18).Devido a grande tenso aplicada na fonte (em relao tenso na porta), h uma atrao dos eltrons negativamente carregados da porta flutuante para a fonte atravs da fina camada de xido.

Figura 18- Clula Flash - Operao de Apagar

Depois da operao de apagar ser completada, a ausncia de cargas na porta flutuante baixa a tenso Vt da clula para um valor abaixo da tenso equivalente a 1 lgico da linha de seleo de palavra (worldline). Quando uma clula apagada tem a linha de seleo de palavra (wordline) colocada no nvel lgico 1 durante uma leitura, o transistor conduzir mais corrente que uma clula escrita, fornecendo sada lgica 1. 3- Circuito Integrado (CI) - Memria Flash CMOS A28F256A mostrado na figura 19, o smbolo lgico para o CI da memria Flash, CMOS A28F256A (DIP-dual-in-line), da Intel , cuja capacidade 32K X 8-palavrasXbits.

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Figura19- Pinagem do dispositivo 28F256A

As funes executadas por cada pino do diagrama acima esto indicadas na tabela 3.

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Tabela 3-Pinagem e funo dos pinos.

Diagrama Funcional ou diagrama de blocos para a memria Flash A28F256A (Fig. 20 ). Todas as operaes associadas com alteraes no contedo da memria identificador inteligente, apagar, verificao de apagar, programar e verificao de programa - so acessadas atravs do registrador de comando, interno memria.

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Figura20- Diagrama de blocos para a memria Flash A28F256A.

As operaes de leitura, escrita e 'standby' so controladas pelas entradas de controle WE#, CE# e OE#. A tabela 4 mostra resumidamente o que acontece com os pinos de dados DQ0 a DQ7 para diferentes nveis das entradas de controle. Na tabela 5 tm-se as informaes completas da operao, dadas pelo fabricante.

Tabela 4 - Da Operao

Input Modo
READ WRITE* STANDBY

Output
WE
LOW X

CE
LOW LOW HIGH

OE
LOW HIGH X

Dados

HIGH DATA OUT DATA IN HIGH-Z

*Note: se VPP6,5V a operao de escrita no pode ser executada. Isto assegura memria Flash um comportamento de ROM. Em outra palavras, se a tenso VPP for menor que 6,5Volts, o registrador de comando vai para 00H e a memria entra no modo de somente leitura

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Tabela 5- Memria Flash A28F256A-operao

O Registrador de Comando usado para gerenciar dispositivo, como : Apagar; Apagar e Verificar; Programar ; Verificar programa;

todas as funes do

Para que a memria realize qualquer uma das operaes listadas na tabela 5 necessrio alterar o contedo do registrador de comando da memria. As operaes da memria so selecionadas aplicando um tenso maior que 6,5V no pino VPP , em seguida, escreve-se uma palavra de dados especfica no registrador de comandos. A tabela 6 mostra as definies para cada comando.Veja que alguns comandos precisam de dois ciclos de clock.

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Tabela 6- Definies dos comandos -memria Flash A28F256A

4-Resumo Comparativo entre as ROMs Tabela 7-

Observaes finais: H uma certa padronizao/compatibilidade das pastilhas UVEPROM dos diversos fabricantes. Para as memrias flash, entretanto, a preocupao com compatibilidade no visvel.
A2 * A1

5-Aplicaes
Computadores Notebook e Pessoais

(PDAs) -Personal Digital Assistants Cameras Digital Global Positioning Systems (GPS) Telefones Celulares 24

 Instruments musical Electronics : MP3 players A memria Flash tambm usada em muitas aplicaes industriais onde so necessrios a confiabilidade e a reteno de dados na situao de power -off , tais como: Sistemas de segurana Sistemas Militares Embedded computers Produtos de Comunicao e Rede Dispositivos de comunicao Wireless Produtos Mdicos

Carto de memria Carto de memria ou carto de memria flash um dispositivo de armazenamento de dados com memria flash utilizado em videogames, cmeras digitais, telefones celulares, palms/PDAs, MP3 players, computadores e outros aparelhos eletrnicos. Podem ser regravados vrias vezes, no necessitam de eletricidade para manter os dados armazenados, so portteis e suportam condies de uso e armazenamento mais rigorosos que outros dispositivos baseados em peas mveis.

Figura 21- Modelos de cartes de memria.Em sentido horrio a partir do topo, CompactFlash, xD-Picture Card, MultiMediaCard e Secure Digital Card.

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Com advento dos jogos distribudos em discos ticos, os consoles de video game adotaram como soluo de armazenamento de dados os cartes de memria, conhecidos como memory cards apesar de ter sido adotado tambm no console NeoGeo em 1990 para troca de dados entre as verses domstica e arcade.

(a)
(b)

Figura 22- (a) Visual Memory Unit para Dreamcast. (b) Memory Card para PlayStation

Personal digital assistants (PDAs ou Handhelds), ou Assistente Pessoal Digital, um computador (pocket pc) de dimenses reduzidas, dotado de grande capacidade computacional, cumprindo as funes de agenda e sistema informtico de escritrio elementar, com possibilidade de interconexo com um computador pessoal e uma rede informtica sem fios - wi-fi - para acesso a correio electrnico e internet. Os PDAs atuais possuem grande quantidade de memria e diversos softwares para vrias reas de interesse. Os modelos mais sofisticados possuem modem (para acesso internet), cmera digital acoplada (para fotos e filmagens), tela colorida, rede sem fio embutida. Os PDAs antigos guardam das agendas eletrnicas somente as dimenses, pois sua utilidade e aplicabilidade esto se aproximando cada vez mais rapidamente dos computadores de mesa.

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Figura 23-Um exemplo de PDA USB Flashdisk Memria USB Flash Drive, tambm designada como Pen Drive (fig.24 e 25), um dispositivo de armazenamento constitudo por uma memria flash tendo uma semelhana de um isqueiro ou chaveiro e uma ligao USB tipo A, permitindo a sua conexo a uma porta USB de um computador. Uma vez encaixado na porta USB, o Flash Drive aparece como um disco removvel, similar a um disco rgido ou disquete. As capacidades de armazenamento so 64 MB, 128 MB, 256 MB, 512 MB, 1 GB a 64 GB. A velocidade de transferncia de dados pode variar dependendo do tipo de entrada: USB 1.1: 1,5 a 12 Mbits/s; USB 2.0: Apesar do USB 2.0 poder transferir dados at 480 Mbit/s, as flash drives esto limitadas pela largura de banda da memria nelas contida, com uma velocidade mxima real de, aproximadamente, 100 Mbits/s. Em condies ideais as memrias flash podem armazenar informao durante 10 anos. Alguns fabricantes de memrias flash : Imation, Kingston, Corsair, SanDisk, HP, Sony, Markvision, Extralife , LG e Toshiba.

(a)

(b)

Figura 24- (a) Memria USB Flash Drive. (b) Pen Drive da Toshiba, de 1 GB

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Figura25- Aparncia interna do USB Flash Drive

Em computadores com sistema operacional Windows XP ou com as verses recentes do Linux ou MacOS, os flash drives so reconhecidos automaticamente como dispositivos de armazenamento removvel. Em sistemas operacionais mais antigos (como o Windows 98) necessrio instalar um pacote de software denominado "device driver", especfico para o dispositivo utilizado, que permite ao sistema operacional reconhec-lo. H alguns "device drivers" anunciados como genricos ou universais para Windows 98, mas nem sempre funcionam perfeitamente com qualquer dispositivo. Alguns modelos podem reproduzir msica MP3 e sintonizar FM. Em contrapartida, so um pouco mais caros, volumosos e pesados ( por causa do peso da pilha), e utilizam uma pilha interna (geralmente no tamanho de uma pilha AAA ).

Componentes essenciais de uma drive flash Conector USB macho do tipo A Interface com o computador Controlador USB Mass Storage Acesso memria flash NAND flash Armazena a informao Oscilador de cristal Produz um sinal de relgio com 12 MHz, que usado para ler ou enviar dados a cada pulso

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Componentes opcionais Alguns drivers podem tambm incluir: Jumpers e pinos de teste Para testes durante a sua produo LEDs Que indicam quando se est lendo ou escrevendo no drive Interruptor de modo de escrita Para que no se possa apagar algo do dispositivo Reconhecedor de inpresso digital - Para que nenhuma pessoa no autorizada utilize o dispositivo .

Figura 26- Componentes internos de um pen drive tpico. (Na foto um da marca Seite USB1.1)

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1 Conector USB 2 Dispositivo de controle de armazenamento USB 3 Pontos de teste 4 Chip de memria flash 5 Cristal oscilador 6 LED 7 Chave de proteo contra gravao 8 Espao para um chip de memria flash adicional

5-Tecnologias flash NAND e NOR

A memria Flash por ser no-voltil, mesmo se o dispositivo removido de uma

cmera digital, as fotografias permanecem salvas no dispositivo flash. Por esta habilidade a Flash aplicada em cmeras digitais, telefones celulares, PDAs e outros dispositivos transportveis. As duas tecnologias principais de memria Flash so: NOR e NAND. Cada uma delas tem vantagens que as tornam ideais para diversos tipos de aplicaes, conforme resumido na tabela 8:
Tabela 8- Tecnologias da Flash

*para sistema operacional ** para armazenamento de dados 30

MEMRIA FLASH NOR A NOR, uma abreviao da tecnologia de mapeamento de dados especficos (Not OR), uma tecnologia Flash de alta velocidade. A memria Flash NOR fornece capacidade de acesso aleatrio de alta velocidade, sendo capaz de ler e gravar dados em locais especficos da memria sem ter de acess-la no modo seqencial. Diferentemente da Flash NAND, a Flash NOR permite a recuperao de dados to pequenos quanto um nico byte. A Flash NOR destaca-se em aplicaes nas quais os dados so recuperados ou gravados aleatoriamente. A NOR normalmente incorporada em telefones celulares (para armazenamento de sistema operacional destes) e PDAs, e tambm usada em computadores para armazenar o programa BIOS executado para fornecer a funcionalidade de inicializao.

MEMRIA FLASH NAND A Flash NAND foi inventada depois da Flash NOR e recebeu esse nome graas tecnologia de mapeamento especfico usada para dados (Not AND). A memria Flash NAND l e grava em alta velocidade, no modo seqencial, e trata dos dados em pequenos blocos (pginas). A Flash NAND pode recuperar ou gravar dados como pginas simples, mas no pode recuperar bytes individuais como a Flash NOR. A memria Flash NAND normalmente encontrada em unidades de disco em estado slido, em dispositivos de mdia Flash de udio e vdeo, em set-top boxes para televiso, em cmeras digitais, telefones celulares (para armazenamento de dados) e em outros dispositivos nos quais os dados so geralmente gravados ou lidos em ordem seqencial. Por exemplo, a maioria das cmeras digitais usa filme digital baseado em Flash NAND, j que as fotos geralmente so tiradas e armazenadas seqencialmente. A Flash NAND tambm mais eficiente na releitura das fotos, pois transfere pginas inteiras de dados com muita rapidez. Por ser uma mdia de armazenamento seqencial, a Flash NAND ideal para armazenar dado. A memria Flash NAND mais acessvel do que a memria Flash NOR e tem mais capacidade de armazenamento em um molde com o mesmo tamanho. A memria Flash que armazena um nico bit por clula (por exemplo, o valor de 0 ou 1) conhecida como Flash SLC (Single-Level Cell). As memrias flash acrescentam reprogramabilidade e apagamento eltrico do chip EPROM no voltil e facilidade de uso. A memria flash ideal para armazenar cdigos de programas e/ou tabelas de dados, em aplicaes onde atualizaes peridicas 31

so necessrias. As memrias flash tambm servem como um meio de aquisio e armazenamento no voltil de dados. Com apagamento e reprogramao eltricos, a memria flash pode ser soldada na placa do circuito. Os cdigos de teste so carregados na memria flash quando esta montada na placa do circuito. Ento, o cdigo final pode ser carregado no dispositivo. A programao da memria flash no circuito elimina manuseios desnecessrios e conexes menos confiveis em soquetes, enquanto acrescenta maior flexibilidade de teste. Projetar com memrias flash alterveis no circuito elimina memrias em soquetes, reduz o custo total de material e corta drasticamente os custos de trabalho associados com atualizaes de cdigos. Com memrias flash, atualizaes de cdigos so feitas localmente atravs de um conector, ou remotamente por meio de uma comunicao serial. Referncias http://www.gdhpress.com.br/hardware/leia/index.php?p=cap4-13

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