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4.1.- Introduccin y estructura bsica 4.2.- Curvas caractersticas estticas. Regiones de funcionamiento 4.3.- Polarizacin del transistor FET 4.4.- Modelo en pequea de seal del FET. Amplificacin monoetapa
Fuente (S)
4.1.- Introduccin y estructura bsica MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)
Comportamiento resistivo
Corte
Electrnica Bsica. Curso 2012-2013 Grado en Ingeniera en Sonido e Imagen en Telecomunicacin
Caracterstica IDS - VDS 1) Comportamiento resistivo: - Relacin lineal entre IDS y VDS - El FET acta como una resistencia controlada por VGS 2) Saturacin: - IDS se mantiene constante - Aplicaciones de amplificacin - Ecuacin de Shockley 3) Corte: VGS = -VP IDS=0
VGS<0 IDSS: corriente de saturacin para VGS=0
SATURACIN
Electrnica Bsica. Curso 2012-2013 Grado en Ingeniera en Sonido e Imagen en Telecomunicacin
Seal a amplificar
Seal amplificada