Tutorial de Componentes Electrnicos Introduccin En Electrnica vamos a usar una serie de componentes o elementos que van a formar los

circuitos y conviene saber identificarlos correctamente:

resistencias condensadores transistores diodos bobinas interruptores fusibles lmparas ...etc.

Vamos a describir los componentes ms usados y adems vamos a incluir algunas imgenes para conocerlos de vista. Aprenderemos a determinar algunas caractersticas determinantes que nos ayudarn a elegir los componentes cuando diseemos nuestros circuitos y/o cuando vamos al comercio a comprarlos.

Las Resistencias Las resistencias son unos elementos elctricos cuya misin es difultar el paso de la corriente elctrica a traves de ellas. Su caracterstica principal es su resistencia hmica aunque tienen otra no menos importante que es la potencia mxima que pueden disipar. sta ltima depende principalmente de la construccin fsica del elemento. La resistencia hmica de una resistencia se mide en ohmios, valgan las redundancias. Se suele utilizar esa misma unidad, as como dos de sus mltiplos: el Kilo-Ohmio (1K) y el Mega-Ohmio (1M=106). El valor resistivo puede ser fijo o variable. En el primer caso hablamos de resistencias comunes o fijas y en el segundo de resistencias variables, ajustables, potencimetros y restatos. No centraremos en el primer tipo, las fijas.

Las resistencias fijas pueden clasificarse en dos grupos, de acuerdo con el material con el que estn constituidas: "resistencias de hilo", slamente para disipaciones superiores a 2 W, y "resistencias qumicas" para, en general, potencias inferiores a 2 W.

Resistencias de hilo o bobinadas Generalmente estn constituidas por un soporte de material aisalante y resistente a la temperatura (cermica, esteatita, mica, etc.) alrededor del cual hay la resistencia propiamente dicha, constituida por un hilo cuya seccin y resistividad depende de la potencia y de la resistencia deseadas. En los extremos del soporte hay fijados dos anillos metlicos sujetos con un tornillo o remache cuya misin, adems de fijar en l el hilo de resistencia, consiste en permitir la conexin de la resistencia mediante soldadura. Por lo general, una vez construidas, se recubren de un barniz especial que se somete a un proceso de vitrificacin a alta temperatura con el objeto de proteger el hilo y evitar que las diveras espiras hagan contacto entre s. Sobre este barniz suelen marcarse con serigrafa los valores en ohmios y en vatios, tal como se observa en esta figura. En ella vemos una resistencia de 250 &Omega, que puede disipar una potencia mxima de 10 vatios.

Aqu vemos el aspecto exterior y estructura constructiva de las resistencias de alta disipacin (gran potencia). Pueden soportar corrientes relativamente elevadas y estn protegidas con una capa de esmalte. A. hilo de conexin B. soporte cermico C. arrollamiento D. recubrimiento de esmalte.

Aqu vemos otros tipos de resistencias bobinadas, de diferentes tamaos y potencias, con su valor impreso en el cuerpo. La de la izquierda es de 24 , 5% (inscripcin: 24R 5%) La ms pequea es de 10 , aunque no se aprecia su inscripcin en la foto.

Resistencias qumicas Las resistencias de hilo de valor hmico elevado necesitaran una cantidad de hilo tan grande que en la prctica resultaran muy voluminosas. Las resistencias de este tipo se realizan de forma ms sencilla y econmica emplenado, en lugar de hilo, carbn pulverizado mezclado con sustancias aglomerantes. La relacin entre la cantidad de carbn y la sustancia aglomerante determina la resistividad por centmetro, por lo que es posible fabricar resistencias de diversoso valores. Existen tipos de carbn aglomerado, de pelcula de carbn y de pelcula metlica. Normalmente estn constituidas por un soporte cilndrico aislante (de porcelana u otro material anlogo) sobre el cual se deposita una capa de material resistivo. En las resistencias, adems del valor hmico que se expresa mediante un cdigo de colores, hay una contrasea que determina la precisin de su valor (aproximacin), o sea la tolerancia anunciada por el fabricante. Esta contrasea est constituida por un anillo pintado situado en uno de los extremos del cuerpo. En la imagen de arriba vemos resistencias de pelcula de carbn de diferentes potencias (y tamaos) comparadas con una moneda. De izquierda a derecha, las potencias son de 1/8, , , 1 y 2 W, respectivamente. En ellas se observan las diferentes bandas de color que representan su valor hmico. Aqu abajo vemos unos ejemplos de resistencias de pelcula de carbn y de pelcula metlica, donde se muestra su aspecto constructivo y su aspecto exterior:

Interpretacin del cdigo de colores en las resistencias Las resistencias llevan grabadas sobre su cuerpo unas bandas de color que nos permiten identificar el valor hmico que stas poseen. Esto es cierto para resistencias de potencia pequea (menor de 2 W.), ya que las de potencia mayor generalmente llevan su valor impreso con nmeros sobre su cuerpo, tal como hemos visto antes.

En la resistencia de la izquierda vemos el mtodo de codificacin ms difundido. En el cuerpo de la resistencia hay 4 anillos de color que, considerndolos a partir de un extremo y en direccin al centro, indican el valor hmico de este componente El nmero que corresponde al primer color indica la primera cifra, el segundo color la seguna cifra y el tercer color indica el nmero de ceros que siguen a la cifra obtenida, con lo que se tiene el valor efectivo de la resistencia. El cuarto anillo, o su ausencia, indica la tolerancia. Podemos ver que la resistencia de la izquierda tiene los colores amarillo-violeta-naranja-oro (hemos intentado que los colores queden representados lo mejor posible en el dibujo), de forma que segn la tabla de abajo podramos decir que tiene un valor de: 4-7-3ceros, con una tolerancia del 5%, o sea, 47000 47 K. La tolerancia indica que el valor real estar entre 44650 y 49350 (47 K5%). La resistencia de la derecha, por su parte, tiene una banda ms de color y es que se trata de una resistencia de precisin. Esto adems es corroborado por el color de la banda de tolerancia, que al ser de color rojo indica que es una resistencia del 2%. stas tienen tres cifras

significativas (al contrario que las anteriores, que tenan 2) y los colores son marrn-verdeamarillo-naranja, de forma que segn la tabla de abajo podramos decir que tiene un valor de: 1-5-4-4ceros, con una tolerancia del 2%, o sea, 1540000 1540 K 1.54 M. La tolerancia indica que el valor real estar entre 1509.2 K y 1570.8 K (1.54 M2%). Por ltimo, comentar que una precisin del 2% se considera como muy buena, aunque en la mayora de los circuitos usaremos resistencias del 5%, que son las ms corrientes.

Cdigo de colores en las resistencias COLORES Plata Oro Negro Marrn Rojo Naranja Amarillo Verde Azul Violeta Gris Blanco 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 20% Banda 1 Banda 2 Banda 3 Multiplicador Tolerancia x 0.01 x 0.1 x1 x 10 x 100 x 1000 x 10000 x 100000 x 1000000 0.5% 1% 2% 10% 5%

--Ninguno-- -

Nota: Estos colores se han establecido internacionalmente, aunque algunos de ellos en ocasiones pueden llevar a una confusin a personas con dificultad de distinguir la zona de colores rojo-naranja-marrn-verde. En tales casos, quiz tengan que echar mano en algn momento a un multmetro para saber con certeza el valor de alguna resistencia cuyos colores no pueden distinguir claramente. Tambin es cierto que en resistencias que han tenido un

"calentn" o que son antiguas, a veces los colores pueden haber quedado alterados, en cuyo caso el multmetro nos dar la verdad. Otro caso de confusin puede presentarse cuando por error leemos las bandas de color al revs. Estas resistencias de aqu abajo son las mismas que antes, pero dadas la vuelta. En la primera, si leemos de izquierda a derecha, ahora vemos oro-naranja-violeta-amarillo. El oro no es un color usado para las cifras significativas, as que algo va mal. Adems el amarillo no es un color que represente tolerancias. En un caso extremo, la combinacin naranjavioleta-amarillo (errnea por otro lado porque la banda de tolerancia no va a la izquierda de las otras) nos dara el valor de 370 K, que no es un valor normalizado.

En la segunda, ahora vemos rojo-naranja-amarillo-verde-marrn. La combinacin nos dara el valor 234000000 = 234 M, que es un valor desorbitado (generalmete no suele haber resistencias de ms de 10 M), adems de no ser un valor normalizado. Eso s, la resistencia tendra una tolerancia del 1% (marrn), que no tiene sentido para un valor tan alto de resistencia.

Valores normalizados de resistencias Vamos a mostrar ahora una tabla con los valores normalizados de resistencias, que ayudar a encajarlas segn valores establecidos internacionalmente. Tolerancia 10 % Tolerancia 5 % Tolerancia 2 % 1.0 1.2 1.5 1.8 2.2 2.7 3.3 3.9 1.0, 1.1 1.2, 1.3 1.5, 1.6 1.8, 2.0 2.2, 2.4 2.7, 3.0 3.3, 3.6 3.9, 4.3 1.00, 1.05, 1.1, 1.15 1.21, 1.27, 1.33, 1.40, 1.47 1.54, 1.62, 1.69, 1.78 1.87, 196, 2.00, 2.05, 2.15 2.26, 2.37, 2.49, 2.61 2.74, 2.87, 3.01, 3.16 3.32, 3.48, 3.65, 3.83 4.02, 4.22, 4.42, 4.64

4.7 5.6 6.8 8.2

4.7, 5.1 5.6, 6.2 6.8, 7.5 8.2, 9.1

4.87, 5.11, 5.36 5.62, 5.90, 6.19, 6.49 6.81, 7.15, 7.50, 7.87 8.25, 8.66, 9.09, 9.53

Los Condensadores Bsicamente un condensador es un dispositivo capaz de almacenar energa en forma de campo elctrico. Est formado por dos armaduras metlicas paralelas (generalmente de aluminio) separadas por un material dielctrico. Va a tener una serie de caractersticas tales como capacidad, tensin de trabajo, tolerancia y polaridad, que deberemos aprender a distinguir Aqu a la izquierda vemos esquematizado un condensador, con las dos lminas = placas = armaduras, y el dielctrico entre ellas. En la versin ms sencilla del condensador, no se pone nada entre las armaduras y se las deja con una cierta separacin, en cuyo caso se dice que el dielctrico es el aire.

Capacidad: Se mide en Faradios (F), aunque esta unidad resulta tan grande que se suelen utilizar varios de los submltiplos, tales como microfaradios (F=10-6 F ), nanofaradios (nF=10-9 F) y picofaradios (pF=10-12 F). Tensin de trabajo: Es la mxima tensin que puede aguantar un condensador, que depende del tipo y grososr del dielctrico con que est fabricado. Si se supera dicha tensin, el condensador puede perforarse (quedar cortocircuitado) y/o explotar. En este sentido hay que tener cuidado al elegir un condensador, de forma que nunca trabaje a una tensin superior a la mxima. Tolerancia: Igual que en las resistencias, se refiere al error mximo que puede existir entre la capacidad real del condensador y la capacidad indicada sobre su cuerpo. Polaridad: Los condensadores electrolticos y en general los de capacidad superior a 1 F tienen polaridad, eso es, que se les debe aplicar la tensin prestando atencin a sus terminales positivo y negativo. Al contrario que los inferiores a 1F, a los que se puede aplicar tensin en cualquier sentido, los que tienen polaridad pueden explotar en caso de ser sta la incorrecta.

Tipos de condensadores Vamos a mostrar a continuacin una serie de condensadores de los ms tpicos que se pueden encontrar. Todos ellos estn comparados en tamao a una moneda.

Electrolticos. Tienen el dielctrico formado por papel impregnado en electrlito. Siempre tienen polaridad, y una capacidad superior a 1 F. Arriba observamos claramente que el condensador n 1 es de 2200 F, con una tensin mxima de trabajo de 25v. (Inscripcin: 2200 / 25 V). Abajo a la izquierda vemos un esquema de este tipo de condensadores y a la derecha vemos unos ejemplos de condensadores electrolticos de cierto tamao, de los que se suelen emplear en aplicaciones elctricas (fuentes de alimentacin, etc...). 1.

1. Electrolticos de tntalo o de gota. Emplean como dielctrico una finsima pelcula de xido de tantalio amorfo , que con un menor espesor tiene un poder aislante mucho mayor. Tienen polaridad y una capacidad superior a 1 F. Su forma de gota les da muchas veces ese nombre.

2. De poliester metalizado MKT. Suelen tener capacidades inferiores a 1 F y tensiones de trabajo a partir de 63v. Ms abajo vemos su estructura: dos lminas de policarbonato recubierto por un depsito metlico que se bobinan juntas. Aqu al lado vemos un detalle de un condensador plano de este tipo, donde se observa que es de 0.033 F y 250v. (Inscripcin: 0.033 K/ 250 MKT).

3. De polister. Son similares a los anteriores, aunque con un proceso de fabricacin algo diferente. En ocasiones este tipo de condensadores se presentan en forma plana y llevan sus datos impresos en forma de bandas de color, recibiendo comnmente el nombre de condensadores "de bandera". Su capacidad suele ser como mximo de 470 nF.

1. De polister tubular. Similares a los anteriores, pero enrollados de forma normal, sin aplastar.

2. Cermico "de lenteja" o "de disco". Son los cermicos ms corrientes. Sus valores de capacidad estn comprendidos entre 0.5 pF y 47 nF. En ocasiones llevan sus datos impresos en forma de bandas de color.

Aqu abajo vemos unos ejemplos de condensadores de este tipo.

3. Cermico "de tubo". Sus valores de capacidad son del orden de los picofaradios y generalmente ya no se usan, debido a la gran deriva trmica que tienen (variacin de la capacidad con las variaciones de temperatura).

Identificacin del valor de los condesadores Codificacin por bandas de color Hemos visto que algunos tipos de condensadores llevan sus datos impresos codificados con unas bandas de color. Esta forma de codificacin es muy similar a la empleada en las resistencias, en este caso sabiendo que el valor queda expresado en picofaradios (pF). Las bandas de color son como se observa en esta figura:

En el condensador de la izquierda vemos los siguientes datos: verde-azul-naranja = 56000 pF = 56 nF (recordemos que el "56000" est expresado en

pF). El color negro indica una tolerancia del 20%, tal como veremos en la tabla de abajo y el color rojo indica una tensin mxima de trabajo de 250v.

En el de la derecha vemos: amarillo-violeta-rojo = 4700 pF = 4.7 nF. En los de este tipo no suele aparecer informacin acerca de la tensin ni la tolerancia.

Cdigo de colores en los condesadores COLORES Banda 1 Banda 2 Multiplicador Tensin Negro Marrn Rojo Naranja -1 2 3 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 x1 x 10 x 100 x 1000 x 104 x 105 x 106 630 V. 400 V. 100 V. 250 V.

Amarillo 4 Verde Azul Violeta Gris Blanco 5 6 7 8 9

COLORES Tolerancia (C > 10 pF) Tolerancia (C < 10 pF) Negro Blanco Verde Rojo Marrn +/- 20% +/- 10% +/- 5% +/- 2% +/- 1% +/- 1 pF +/- 1 pF +/- 0.5 pF +/- 0.25 pF +/- 0.1 pF

Codificacin mediante letras Este es otro sistema de inscripcin del valor de los condensadores sobre su cuerpo. En lugar de pintar unas bandas de color se recurre tambin a la escritura de diferentes cdigos mediante letras impresas. A veces aparece impresa en los condensadores la letra "K" a continuacin de las letras; en este caso no se traduce por "kilo", o sea, 1000 sino que significa cermico si se halla en un condensador de tubo o disco. Si el componente es un condensador de dielctrico plstico (en forma de paraleleppedo), "K" significa tolerancia del 10% sobre el valor de la capacidad, en tanto que "M" corresponde a tolerancia del 20% y "J", tolerancia del 5%. LETRA Tolerancia "M" "K" "J" +/- 20% +/- 10% +/- 5%

Detrs de estas letras figura la tensin de trabajo y delante de las mismas el valor de la capacidad indicado con cifras. Para expresar este valor se puede recurrir a la colocain de un punto entre las cifras (con valor cero), refirindose en este caso a la unidad microfaradio (F) o bien al empleo del prefijo "n" (nanofaradio = 1000 pF).

Ejemplo: un condensador marcado con 0,047 J 630 tiene un valor de 47000 pF = 47 nF, tolerancia del 5% sobre dicho valor y tensin mxima de trabajo de 630 v. Tambin se podra haber marcado de las siguientes maneras: 4,7n J 630, o 4n7 J 630.

Cdigo "101" de los condensadores

Por ltimo, vamos a mencionar el cdigo 101 utilizado en los condensadores cermicos como alternativa al cdigo de colores. De acuerdo con este sistema se imprimen 3 cifras, dos de ellas son las significativas y la ltima de ellas indica el nmero de ceros que se deben aadir a las precedentes. El resultado debe expresarse siempre en picofaradios pF. As, 561 significa 560 pF, 564 significa 560000 pF = 560 nF, y en el ejemplo de la figura de la derecha, 403 significa 40000 pF = 40 nF.

Ejercicios prcticos ...y en esta nueva ocasin vamos a poner a prueba los conceptos explicados anteriormente. Vamos a presentar una serie de condensadores elegidos al azar del cajn para ver si son capaces de identificar sus datos correctamente, ok?

0,047 J 630 C=47 nF 5% V=630 V.

403 C=40 nF

0,068 J 250 C=68 nF 5% V=250 V.

47p C=47 pF

22J C=22 pF 5%

2200 C=2.2 nF

10K +/-10% 400 V C=10 nF 10% V=400 V

3300/10 400 V C=3.3 nF 10% V=400 V.

amarillo-violetanaranja-negro C=47 nF 20%

330K 250V C=0.33 F V=250 V.

n47 J C=470 pF 5%

0,1 J 250 C=0.1 F 5% V=250 V.

verde-azul1 250 naranja-negro-rojo C=0.1 F C=56 nF 20% V=250 V. V=250 V.

22K 250 V C=22 nF V=250 V.

n15 K C=150 pF 10%

azul-gris-rojo y marron-negronaranja C1=8.2 nF C2=10 nF

amarillo-violeta-rojo C=4.7 nF

.02F 50V C=20 nF V=50 V.

amarillo-violeta-rojo, rojonegro-marrn y amarillovioleta-marrn C1=4.7 nF C2=200 pF C3=470 pF

Los Transistores

Los transistores son unos componentes que han facilitado, en gran medida, el diseo de circuitos electrnicos de reducido tamao, gran versatilidad y facilidad de control. Vienen a sustituir a las antiguas vlvulas termoinicas de hace unas dcadas. Gracias a ellos fue posible la construccin de receptores de radio porttiles llamados comnmente "transistores", televisores que se encendan en un par de segundos, televisores en color... Antes de aparecer los transistores, los aparatos a vlvulas tenan que trabajar con tensiones bastante altas, tardaban ms de 30 segundos en empezar a funcionar, y en ningn caso podan funcionar a pilas, debido al gran consumo que tenan.

Los transistores tienen multitud de aplicaciones, entre las que se encuentran:

Amplificacin de todo tipo (radio, televisin, instrumentacin) Generacin de seal (osciladores, generadores de ondas, emisin de radiofrecuencia) Conmutacin, actuando de interruptores (control de rels, fuentes de alimentacin conmutadas, control de lmparas, modulacin por anchura de impulsos PWM) Deteccin de radiacin luminosa (fototransistores)

Los transistores de unin (uno de los tipos ms bsicos) tienen 3 terminales llamados Base, Colector y Emisor, que dependiendo del encapsulado que tenga el transistor pueden estar distribuidos de varias formas.

Por otro lado, los Transistores de Efecto de Campo (FET) tienen tambin 3 terminales, que son Puerta (Gate), Drenador (Drain) y Sumidero (Sink), que igualmentedependiendo del encapsulado que tenga el transistor pueden estar distribuidos de varias formas.

Tipos de transistores. Simbologa Existen varios tipos que dependen de su proceso de construccin y de las apliaciones a las que se destinan. Aqu abajo mostramos una tabla con los tipos de uso ms frecuente y su simbologa:

Transistor Bipolar de Unin (BJT)

Transistor de Efecto de Campo, de Unin (JFET)

Transistor de Efecto de Campo, de Metalxido-Semiconductor (MOSFET)

Fototransistor

Nota: En un esquema electrnico, los transistores se representan mediante su smbolo, el nmero de transistor (Q1, Q2, ...) y el tipo de transistor, tal como se muestra aqu:

Aqu podemos ver una seleccin de los transistores ms tpicos, mostrando su encapsulado y distribucin de patillas. (Para ver la imgen en grande se puede hacer click sobre ella).

Encapsulado de transistores

Ahora vamos a ver los transistores por fuera. Estn encapsulados de diferentes formas y tamaos, dependiendo de la funcin que vayan a desempear. Hay varios encapsulados estndar y cada encapsulado tiene una asignacin de terminales que puede consultarse en un catlogo general de transistores. Independientemente de la cpsula que tengan, todos los transistores tienen impreso sobre su cuerpo sus datos, es decir, la referencia que indica el modelo de transistor. Por ejemplo, en los transistores mostrados a la derecha se observa la referencia "MC 140".

Cpsula TO-3. Se utiliza para transistores de gran potencia, que siempre suelen llevar un radiador de aluminio que ayuda a disipar la potencia que se genera en l. Arriba a la izquierda vemos su distribucin de terminales, observando que el colector es el chasis del transistor. Ntese que los otros terminales no estn a la misma distancia de los dos agujeros. A la derecha vemos la forma de colocarlo sobre un radiador, con sus tornillos y la mica aislante. La funcin de la mica es la de aislante elctrico y a la vez conductor trmico. De esta forma, el colector del transistor no est en contacto elctrico con el radiador.

Cpsula TO-220. Se utiliza para transistores de menos potencia, para reguladores de tensin en fuentes de alimentacin y para tiristores y triacs de baja potencia. Generalmente necesitan un radiador de aluminio, aunque a veces no es necesario, si la potencia que van a disipar es reducida. Abajo vemos la forma de colocarle el radiador y el tornillo de sujeccin. Se suele colocar una mica aislante entre el transistor y el radiador, as como un separador de plstico para el tornillo, ya que la parte metlica est conectada al terminal central y a veces no interesa que entre en contacto elctrico con el radiador. Cpsula TO-126. Se utiliza en transistores de potencia reducida, a los que no resulta generalmente necesario colocarles radiador. Arriba a la izquierda vemos la asignacin de terminales de un transistor BJT y de un Tiristor. Abajo vemos dos transistores que tienen esta cpsula colocados sobre pequeos radiadores de aluminio y fijados con su tornillo correspondiente.

Cpsula TO-92. Es muy utilizada en transistores de pequea seal. En el centro vemos la asignacin de terminales en algunos modelos de transistores, vistos desde abajo. Abajo vemos dos transistores de este tipo montados sobre una placa de circuito impreso. Ntese la indicacin "TR5" de la serigrafa, que indica que en ese lugar va montado el transistor nmero 5 del circuito, de acuerdo al esquema elctrnico.

Cpsula TO-18. Se utiliza en transistores de pequea seal. Su cuerpo est formado por una carcasa metlica que tiene un saliente que indica el terminal del Emisor.

Cpsula miniatura. Se utiliza en transistores de pequea seal. Al igual que el anterior, tienen un tamao bastante pequeo.

Para ms informacin acerca del encapsulado de los transistores, hemos colocado aqu estas hojas de caractersticas. En ellas se observan la forma y dimensiones de los diferentes tipos de transistores.

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Como probar componentes electrnicos

Prueba de capacitores Capacitores de bajo valor La prueba de capacitores de bajo valor se limita a saber si los mismos estn o no en cortocircuito. Valores por debajo de 100nf en general no son detectados por el multmetro y con el mismo en posicin R1k se puede saber si el capacitor esta en cortocircuito o no segn muestra la figura.

Si el capacitor posee resistencia infinita significa que el componente no posee prdidas excesivas ni est en cortocircuito. Generalmente esta indicacin es suficiente para considerar que el capacitor est, en buen estado pero en algn caso podra ocurrir que el elemento estuviera "abierto", o que un terminal en el interior del capacitor no hiciera contacto con la placa.

Para confirmar con seguridad el estado del capacitor e incluso conocer su valor, se puede emplear el circuito de la figura.

Para conocer el valor de la capacidad se deben seguir los pasos que se describen a continuacin: 1. Armado el circuito se mide la tensin V1 y se anota. 2. Se calcula la corriente por el resistor que ser la misma que atraviesa el capacitor por estar ambos elementos en serie I = V1 / R 3. Se mide la tensin V2 y se anota. 4. Se calcula la reactancia capacitiva del componente en medicin XC = V2 / I 5. Se calcula el valor de la capacidad del capacitor con los valores obtenidos C = 1 / [ XC . 6 , 28 . f ] Observaciones Se debe emplear un solo voltmetro. La frecuencia ser 50 60Hz segn el pas donde ests ya que es la correspondiente a la red elctrica. Elegir el valor de R segn el valor del capacitor a medir: Capacidad a medir 0 , 01uf < Cx < 0 , 5uf Cx orden de los nanofarad Cx mayores hasta 10uf Resistencia serie 10K 100K 1K

Con este mtodo pueden medirse capacitores cuyos valores estn comprendidos entre 0 , 01uf y 0 , 5uf. Si se desean medir capacidades menores debe tenerse en cuenta la resistencia que posee el multmetro usado como voltmetro cuando se efecte la medicin. Para medir capacidades mayores debe tenerse en cuenta que los capacitores sean no polarizados, debido a que la prueba se realiza con corriente alterna. Capacitores electrolticos Los capacitores electrolticos pueden medirse directamente con el multmetro utilizado como ohmetro. Cuando se conecta un capacitor entre los terminales del multmetro, este har que el componente se cargue con una constante de tiempo que depende de su capacidad y de la resistencia del multmetro. Por lo tanto la aguja deflexionar por completo y luego descender hasta cero indicando que el capacitor est cargado totalmente, ver figura.

El tiempo que tarda la aguja en descender hasta 0 depender del rango en que se encuentra el multmetro y de la capacidad del capacitor. En la prueba es conveniente respetar la tabla I. TABLA I Valor del capacitor Hasta 5uf Hasta 22uf Hasta 220uf Mas de 220uf Rango R1k R100 R10 R1

Si la aguja no se mueve indica que el capacitor est abierto, si va hasta cero sin retornar indica que est en cortocircuito y si retorna pero no a fondo de escala entonces el condensador tendr fugas. En la medida que la capacidad del componente es mayor, es normal que sea menor la resistencia que debe indicar el instrumento. La tabla II indica la resistencia de prdida que deberan tener los capacitores de buena calidad. TABLA II Capacitor 10uf 47uf 100uf 470uf 1000uf 4700uf Resistencia de prdida Mayor que 5M Mayor que 1M Mayor que 700K Mayor que 400K Mayor que 200K Mayor que 50K

Se realizar la prueba dos veces, invirtiendo la conexin de las puntas de prueba del multmetro. Para la medicin de la resistencia de prdida interesa la que resulta menor segn muestra la figura.

Prueba de diodos Los diodos son componentes que conducen la corriente en un solo sentido, teniendo en cuenta esto se pueden probar con un multmetro en la posicin ohmetro. El funcionamiento de tal aparato de medida se basa en la medicin de la corriente que circula por el elemento bajo prueba. Es muy importante conocer la polaridad de la batera interna del los multmetros analgicos en los cuales la punta negra del multmetro corresponde al terminal positivo de la batera interna y la punta roja corresponde al terminal negativo de la batera. Se emplear un multmetro y las medidas se efectuarn colocando el instrumento en las escalas de resistencia y preferiblemente en las escalas ohm x 1, ohm x 10 tambin ohm x 100. As cuando se intenta medir la resistencia de un diodo, se encontrarn dos valores totalmente distintos, segn el sentido de las puntas. Si la punta roja (negativo) se conecta a la zona N (ctodo del diodo) y la punta negra a la P (nodo), la unin se polariza en directo y se hace conductora. El valor concreto indicado por el instrumento no tiene significado alguno, salvo el de mostrar que por la unin circula corriente.

Por el contrario, cuando la punta roja se conecta a la zona P (nodo), y la negra a la zona N (ctodo), se esta aplicando una tensin inversa. La unin no conducir, y esto ser interpretado por el instrumento como una resistencia muy elevada.

Prueba de transistores Un transistor bipolar equivale a dos diodos en oposicin (tiene dos uniones), por lo tanto las medidas deben realizarse sobre cada una de ellas por separado, pensando que el electrodo base es comn a ambas direcciones.

Se emplear un multmetro analgico y las medidas se efectuarn colocando el instrumento en las escalas de resistencia y preferiblemente en las escalas ohm x 1, ohm x 10 tambin ohm x 100. Antes de aplicar las puntas al transistor es conveniente cerciorarse del tipo de ste, ya que si es NPN se proceder de forma contraria que si se trata de un PNP. Para el primer caso (NPN) se situar la punta negra (negativo) del multmetro sobre el terminal de la base y se aplicar la punta roja sobre las patitas correspondientes al emisor y colector. Con esto se habr aplicado entre la base y el emisor o colector, una polarizacin directa, lo que traer como consecuencia la entrada en conduccin de ambas uniones, movindose la aguja del multmetro hasta indicar un cierto valor de resistencia, generalmente baja (algunos ohm) y que depende de muchos factores.

A continuacin se invertir la posicin de las puntas del instrumento, colocando la punta roja (positivo) sobre la base y la punta negra sobre el emisor y despus sobre el colector. De esta manera el transistor recibir una tensin inversa sobre sus uniones con lo que circular por l una corriente muy dbil, traducindose en un pequeo o incluso nulo movimiento de la aguja. Si se tratara de un transistor PNP el mtodo a seguir es justamente el opuesto al descripto, ya que las polaridades directas e inversas de las uniones son las contrarias a las del tipo NPN.

Las comprobaciones anteriores se completan con una medida, situando el multmetro entre los terminales de emisor y colector en las dos posibles combinaciones que puede existir; la indicacin del instrumento ser muy similar a la que se obtuvo en el caso de aplicar polarizacin inversa (alta resistencia), debido a que al dejar la base sin conexin el transistor estar bloqueado. Esta comprobacin no debe olvidarse, ya que se puede detectar un cortocircuito entre emisor y colector y en muchas ocasiones no se descubre con las medidas anteriores.

Manual muy pero que muy bsico de funcionamiento del tster

Aqu tenis un tster bastante comn, hay muchos modelos y marcas, pero bsicamente todos hacen o mismo, por lo que con el ms barato pasamos.

Quiero que quede claro, que con ese manual no aprenderis nada de electrnica tal y como se ensea en los cursillos reales, ya que a parte de ser un poco cutre esta pensado para gente que no entiende nada de electrnica y quiere testear alguna cosilla. Por lo tanto, abstenerse licenciados en el tema

Bueno amigos, lo primero es familiarizarnos un poco con el lenguaje que usamos en el foro o en la web.

Tster: aparato electrnico para medir valores. Voltaje: valor de medida de la corriente (Voltios). Resistencia: Valor en ohmios que tienen dichos componentes. Continuidad: valor que nos marca el tster al comprobar un contacto directo. Infinito: el contrario de la continuidad, o sea que entre los dos puntos no hay ningn tipo de contacto. Masa: negativo. Corriente alterna: corriente que constantemente cambia de polaridad.

Tster marcando Continuidad

Tster marcando Infinito

Conceptos bsicos sobre corriente

En Espaa tenemos una red general de 220 voltios, por lo que nos hemos de percatar que los transformadores que tenemos para las consolas acepten este voltaje de entrada. Para consolas de importacin, necesitamos un transformador de 110 voltios a 220.

En Japn, la red funciona a 110 voltios, por lo que si conectsemos una consola japonesa sin transformador, quemaramos el suyo o la placa alimentadora interna.

Todas las consolas llevan transformadores ya sean externos o internos (internos las ms modernas). Todas las placas madre de consolas suelen funcionar con voltajes pequeos (3, 6, 9, 12 voltios) por lo que no nos podemos electrocutar, ahora bien, con las modernas que llevan el transformador interno ya es otro cantar ya que la corriente de 220 voltios entra dentro la consola y por tanto la cosa ya se nos complica.

Nota: La Game Gear y otras porttiles que funcionen con fluorescentes, poden dar calambres, ya que los fluorescentes trabajan con corriente alterna y valores altos, por tanto precaucin!!!

En caso de tener que hacer pruebas de corriente en las consolas modernas tenemos que ir MUY EN CUIDADO a no tocar con los dedos el transformador, ya que sino la electrocucin es segura. Casi que lo mejor es no hacer dichas pruebas, ya que la cosa puede ser muy fea Por si acaso, la mejor opcin es comprobar los componentes con la corriente cortada, o sea con la consola desenchufada.

Otra cosa a tener en cuenta con estas consolas (con transformador interno) es que antes de manipularla internamente aunque tengamos la consola desenchufada lo mejor es pulsar el botn de encendido para sacar toda la corriente residual que quede y que no de calambrazos.

Volviendo a los transformadores externos, su polaridad normalmente nos viene especificada en el mismo, igual que en muchas consolas en las que hay un pequeo dibujo. Mucha atencin cuando enchufemos un transformador universal en una consola que no sepamos la polaridad, mejor comentarlo o preguntarlo en el foro.

Normalmente las consolas funcionan con negativo a chapa y positivo por pista, esto quiere decir que todas las partes metlicas de una consola nos pueden servir para conectar cables a negativo.

Zona de Mandos del Tster

Aqu tenis la zona de mando del tster:

Parte verdeZona para comprobar continuidad y diodos. En algunos tsters, la continuidad se avisa con una seal acstica.

Parte azulZona para comprobar valores de resistencia.

Parte rojaZona para comprobar voltajes continuos (la mayora).

Parte amarillaZona para comprobar voltajes alternes.

Como comprobar corriente con el tster

Pues, lo primero es tener el tster en posicin para voltaje (Zona Roja o amarilla). Ahora lo que tenemos que hacer es mantener la pinza negativa en un lugar de masa y con la positiva vamos comprobando los puntos necesarios. Si dudamos del lugar de negativo podemos hacer contacto en cualquier parte metlica de la misma.

Para comprobar bien los voltajes, debemos poner la pinza negra del tster a negativo y la roja a positivo, si nos equivocamos, el tster nos lo marca con un smbolo negativo delante del valor, con eso ya sabemos que la polaridad es al revs.

Como comprobar fusibles

Para tal, lo mejor es poner el tster en continuidad (parte verde). Un fusible bueno nos tiene que deja pasar la seal, por lo que s punteamos entre sus dos patas nos tendr que marcar continuidad, sino ya lo podemos cambiar.

Bueno amigos, ya no s que ms contaros, si queris puedo continuar con el cuento de Hansel y Gretel A partir de aqu la cosa ya se complica y tampoco soy yo el ms adecuado para explicroslo. Por lo tanto me despido con una foto bonita, si clikis sobre ella volveris a la Biblia del buen novato

LOS TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

En el tutorial de transistores bipolares, hemos visto que una pequea corriente de base controla una corriente de colector muy superior. Los transistores de efecto de campo son dispositivos triterminales en los que la corriente principal se controla mediante una tensin. Las caractersticas principales son: La potencia de control es nula, es decir, no se absorbe corriente por el terminal de control. Una seal muy dbil puede controlar el dispositivo. La tensin de control se emplea para crear un campo elctrico. Hay dos familias de transistores de efecto de campo: los JFET y los MOSFET. Pese a que el concepto bsico de los FET se conoca ya en 1930, estos dispositivos slo empezaron a fabricarse comercialmente a partir de la dcada de los 60. Y a partir de los 80 los transistores de tipo MOSFET han alcanzado una enorme popularidad. Comparados con los BJT, los transistores MOS ocupan menos espacio, es decir, dentro de un circuito integrado puede incorporase un numero mayor. Adems su proceso de fabricacin es tambin ms simple. Adems, existe un gran nmero de funciones lgicas que pueden ser implementadas nicamente con transistores MOS (sin resistencias ni diodos). Esto ha hecho del transistor MOS el componente estrella de la electrnica digital. En este tutorial se explica el principio de funcionamiento de ambos tipos de dispositivos, as como sus modelos circuitales elementales.

1 TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE UNION (JFET)

Un JFET de canal N se fabrica difundiendo una regin de tipo P en un canal de tipo N, tal y como se muestra en la Figura 1. A ambos lados del canal se conectan los terminales de fuente (S, Source) y drenaje (D, Drain). El tercer terminal se denomina puerta (G, Gate).

Figura 1: Esquema del transistor JFET de canal N Los smbolos de este tipo de dispositivos son:

Figura 2: Smbolos de los transistores JFET Las explicaciones incluidas en este captulo se refieren fundamentalmente al transistor NJFET, teniendo en cuenta que el principio de operacin del PJFET es anlogo.

1.1 PRINCIPIO DE OPERACION DEL NJFET

A continuacin se explica cmo se controla la corriente en un JFET. Al igual que sucede con los transistores BJT el JFET tiene tres regiones de operacin:

Regin de corte Regin lineal Regin de saturacin

Es preciso hacer notar que en este caso, la saturacin alude a un fenmeno completamente distinto al de los transistores BJT.

1.1.1 Regin de corte

Centremos nuestra atencin en la Figura 1. La zona de tipo P conectada a la puerta forma un diodo con el canal, que es de tipo N. Como se recordar, cuando se forma una unin PN aparecen en los bordes de la misma una zona de depleccin en la que no hay portadores de carga libres. La anchura de dicha zona depende de la polarizacin aplicada. Si esta es inversa, la zona se hace ms ancha, proporcionalmente a la tensin aplicada. Aplicando

una tensin VGS negativa aumentamos la anchura de la zona de depleccin, con lo que disminuye la anchura del canal N de conduccin. Si el valor de VGS se hace lo suficientemente negativo, la regin de agotamiento se extender completamente a travs del canal, con lo que la resistencia del mismo se har infinita y se impedir el paso de ID (Figura 3). El potencial al que sucede este fenmeno se denomina potencial de bloqueo (Pinch Voltage, VP).

Figura 3: Esquema del transistor JFET de canal N polarizado con la tensin de bloqueo Por lo tanto, para valores ms negativos que VP el transistor NJFET se encuentra polarizado en la regin de corte, y la corriente de drenaje resulta ser nula.

1.1.2 Regin lineal

Si en la estructura de la Figura 1 se aplica una tensin VDS mayor que cero, aparecer una corriente circulando en el sentido del drenaje a la fuente, corriente que llamaremos ID. El valor de dicha corriente estar limitado por la resistencia del canal N de conduccin. En este caso pueden distinguirse dos situaciones segn sea VDS grande o pequea en comparacin con VGS. 1.1.2.1 Valores pequeos del voltaje drenaje-fuente La Figura 4 presenta la situacin que se obtiene cuando se polariza la unin GS con una tensin negativa, mientras que se aplica una tensin entre D y S menor.

Figura 4:Esquema del transistor JFET de canal N polarizado con VGS < 0 Por el terminal de puerta (G) no circula ms que la corriente de fuga del diodo GS, que en una primera aproximacin podemos considerar despreciable. La corriente ID presenta una doble dependencia:

La corriente ID es directamente proporcional al valor de VDS La anchura del canal es proporcional a la diferencia entre VGS y VP. Como ID est limitada por la resistencia del canal, cuanto mayor sea VGS - VP, mayor ser la anchura del canal, y mayor la corriente obtenida.

Los dos puntos anteriores se recogen en la siguiente expresin:

Por lo tanto, en la regin lineal obtenemos una corriente directamente proporcional a VGS y a VDS. 1.1.2.2 Valores altos del voltaje drenaje-fuente Para valores de VDS comparables y superiores a VGS la situacin cambia con respecto al caso anterior: la resistencia del canal se convierte en no lineal, y el JFET pierde su comportamiento hmico. Veamos por qu sucede esto. Cuando se aplica un voltaje VDS al canal de 5 voltios, por ejemplo, este se distribuye a lo largo del canal, es decir, en las proximidades del terminal D la tensin ser de 5 V, pero a medio camino la corriente circulante habr reducido su potencial a la mitad (2,5 V), y en el terminal S el potencial ser nulo. Por otra parte, si VGS es negativa (- 2 V, por ejemplo), la tensin se distribuir uniformemente a lo largo de la zona P, al no existir ninguna corriente (Figura 5). (NOTA: se desprecia la cada de tensin en las zonas situadas por debajo de los contactos).

Figura 5: Esquema del transistor JFET de canal N polarizado con VGS = -2 V y VDS = 5 V Sigamos adelante. En las proximidades del terminal S la tensin inversa aplicada es de 2 V, que se corresponde con la VGS = -2 V. Sin embargo, conforme nos acercamos a D esta tensin aumenta: en la mitad del canal es de 4,5 V, y en D alcanza 7 V. La polarizacin inversa aplicada al canal no es constante, con lo que la anchura de la zona de depleccin tampoco lo ser (Figura 6). Cuando VDS es pequea, esta diferencia de anchuras no afecta a la conduccin en el canal, pero cuando aumenta, la variacin de la

seccin de conduccin hace que la corriente de drenaje sea una funcin no lineal de VDS, y que disminuya con respecto a la obtenida sin tener en cuenta este efecto.

Figura 6: Esquema del transistor JFET de canal N en la regin de conduccin no lineal

1.1.3 Regin de saturacin

Si VDS se incrementa ms, se llegar a un punto donde el espesor del canal en el extremo del drenaje se acerque a cero. A partir de ese momento, la corriente se mantiene independiente de VDS, puesto que los incrementos de tensin provocan un mayor estrechamiento del canal, con lo que la resistencia global aumenta (Figura 7).

Figura 7: Esquema del transistor JFET de canal N en la regin de corriente constante La regin de saturacin se da cuando se estrangula el canal en el drenaje, lo que sucede cuando la tesin puerta-drenaje es ms negativa que VP, es decir: VGD < VP => VGS - VDS < VP => VDS > VGS - VP Antes de seguir adelante, comparemos las figuras Figura 3 y Figura En el caso del bloqueo, todo el canal resulta afectado por la zona de depleccin, que es constante porque la tensin VGS se aplica uniformemente a lo largo de la unin. En cambio, en la regin de corriente

constante slo parte del canal ha llegado al bloqueo (provocado por VDS, que vara a lo largo del mismo), y es lo que permite la circulacin de la corriente.

1.2 CURVAS CARACTERISTICAS

Son dos las curvas que se manejan habitualmente para caracterizar los transistores JFET. En primer lugar, en la representacin de ID frente a VGS, para una VDS dada, se aprecia claramente el paso de la regin de corte a la de saturacin (Figura 8). En la prctica slo se opera en el segundo cuadrante de la grfica, puesto que el primero la VGS positiva hace crecer rpidamente IG.

Figura 8: Caracterstica VGS - ID del transistor NJFET En la caracterstica VDS - ID del transistor NJFET se observa la diferencia entre las regiones lineal y de saturacin (Figura 9). En la regin lineal, para una determinada VGS, la corriente crece proporcionalmente a la tensin VDS. Sin embargo, este crecimiento se atena hasta llegar a ser nulo: se alcanza el valor de saturacin, en donde ID slo depende de VGS.

Figura 9: Caracterstica VDS - ID del transistor NJFET Ntese que, segn esta grfica, la regin de saturacin del JFET se identifica con la regin activa normal de los transistores bipolares. Mientras que en RAN la corriente de colector slo depende de la de base, aqu la magnitud de control es la tensin VGS. Por el contrario, si la resistencia del JFET en la regin lineal es muy pequea puede encontrarse un cierto paralelismo entre las regiones lineal de JFET y de saturacin del BJT.

1.3 PARAMETROS COMERCIALES

Se presenta a continuacin algunas de las caractersticas de los transistores JFET que ofrecen los fabricantes en las hojas de datos:

IDSS: Es la corriente de drenaje cuando el transistor JFET se encuentra en configuracin de fuente comn y se cortocircuita la puerta y la fuente (VGS=0). En la prctica marca la mxima intensidad que puede circular por el transistor. Conviene tener en cuenta que los transistores JFET presentan amplias dispersiones en este valor. VP (Pinch-Off Voltage): es la tensin de estrangulamiento del canal. Al igual que IDSS, presenta fuertes dispersiones en su valor. RDS(ON): Es el inverso de la pendiente de la curva ID/VDS en la zona lineal. Este valor se mantiene constante hasta valores de VGD cercanos a la tensin de estrangulamiento. BVDS (Drain-Source Breakdown Voltage): es la tensin de ruptura entre fuente y drenaje. Tensiones ms altas que BVDS provocan un fuerte incremento de ID. BVGS (Gate-Source Breakdown Voltage): es la tensin de ruptura de la unin entre la puerta y la fuente, que se encuentra polarizada en inversa. Valores mayores de BVGS provocan una conduccin por avalancha de la unin.

1.4 MODELOS DEL TRANSISTOR NJFET

Anlogamente a lo efectuado con el transistor bipolar se van a presentar dos modelos para el JFET: uno para analizar el funcionamiento del transistor JFET con seales continuas y otro para las seales alternas aplicadas sobre un punto de operacin de la regin de saturacin. En primer lugar se presentan los modelos para las diferentes regiones de operacin, a saber, corte, saturacin y zona lineal. A partir de las ecuaciones dictadas por este modelo, se deducen posteriormente las expresiones necesarias para el anlisis de seales de alterna de pequea amplitud.

1.4.1 Modelo esttico ideal

Para el transistor NJFET, el modelo viene representado en la Figura 10. El valor de ID depende de la regin de funcionamiento del transistor.

Figura 10: Esquema circuital del modelo del transistor JFET 1. Regin de corte: la condicin de la regin de corte es que el canal est completamente estrangulado en las proximidades de la fuente, lo que sucede cuando la tensin puerta-fuente alcance la tensin de estrangulamiento (VGS<VP). En este caso ID=0. 2. Regin lineal: es la regin en que se produce un incremento de la intensidad ID al aumentar VDS. Este incremento es lineal para bajos valores de VDS aunque la

linealidad se pierde cuando VDS se acerca a -VP. Para trabajar en la regin lineal se deben dar dos condiciones:

o o

VGS > VP VGD > VP VGS > VP + VDS

Estas condiciones equivalen a admitir que el canal de conduccin no se estrangula por la zona de depleccin en inversa tanto en el extremo de drenaje como en la fuente. El valor que toma la corriente ID es

1. Regin de saturacin: la regin de saturacin tiene lugar cuando la tensin entre drenador y puerta alcanza la tensin de estrangulamiento. Para que ello ocurra, el canal N, tiene que estar estrangulado en el extremo cercano al drenaje, pero no en el extremo del canal cercano a la fuente. Entonces, al igual que en el caso anterior, deben ocurrir dos condiciones:

o o

VGS > VP VGD < VP VGS < VP + VDS

En este caso la intensidad ID ya no depende de VDS, siendo su expresin

Por lo general, en los transistores NJFET tanto VP como VGS toman valores negativos, mientras que VDS e IDSS son positivos, tomando la direccin ID tal y como aparece en el modelo.

1.4.2 Modelo para seales alternas

Para la deduccin del mismo se consideran las siguientes hiptesis:

Transistor polarizado en la regin de saturacin Oscilaciones alternas de baja amplitud y baja frecuencia

1.4.2.1 Expresiones generales De entre las diversas opciones posibles, para la deduccin del modelo se escogen como variables independientes las tensiones VGS y VDS, mientras que las dependientes son las corrientes IG e ID. De este modo, las ecuaciones caractersticas del transistor vendrn dadas por dos funciones f1 y f2 tales que:

Las tensiones y corrientes de un punto de polarizacin concreto vendrn dadas por las expresiones anteriores:

Supongamos que sobre este punto de operacin Q se aade una componente alterna, caracterizada por un VGS y por un VDS. Las oscilaciones de las corrientes pueden calcularse como:

A partir de este momento, para simplificar la notacin se escribirn con letra minscula los incrementos de las variables. La expresin anterior admite una representacin matricial:

en donde los coeficientes yij se llaman parmetros admitancia.

yis : Admitancia de entrada (-1) yrs: Admitancia de transferencia inversa (-1) yfs : Transconductancia (-1). Se suele nombrar como gm yos : Admitancia de salida (-1)

1.4.2.2 Clculo de los parmetros admitancia Para el clculo de los parmetros yij se van a emplear las expresiones resultantes del modelo esttico para la regin de saturacin.

Funcin f1 =>

Funcin f2 =>

La representacin circuital de este modelo simplificado responde al mismo esquema presentado en la Figura 10.

2 TRANSISTOR MOSFET
Las prestaciones del transistor MOSFET son similares a las del JFET, aunque su principio de operacin y su estructura interna son diferentes. Existen cuatro tipos de transistores MOS:

Enriquecimiento de canal N Enriquecimiento de canal P

Empobrecimiento de canal N Empobrecimiento de canal P

Los smbolos son:

Figura 11: Transistores MOSFET La caracterstica constructiva comn a todos los tipos de transistor MOS es que el terminal de puerta (G) est formado por una estructura de tipo Metal/xido/Semiconductor. El xido es aislante, con lo que la corriente de puerta es prcticamente nula, mucho menor que en los JFET. Por ello, los MOS se emplean para tratar seales de muy baja potencia.

2.1 PRINCIPIO DE OPERACION

De entre todos los tipos de transistores MOS existentes se va a analizar el principio de funcionamiento de dos de ellos: los NMOS de enriquecimiento y empobrecimiento.

2.1.1 NMOS de enriquecimiento

En la Figura 12 se presenta el esquema de un MOS de canal N de enriquecimiento.

Figura 12: Esquema del transistor NMOS de enriquecimiento Supongamos que se aplica una tensin VDS mayor que cero mientras que VGS se mantiene en cero. Al aplicar una tensin positiva a la zona N del drenaje, el diodo que forma ste con el sustrato P se polarizar en inversa, con lo que no se permitir el paso de corriente: el MOS estar en corte. Sigamos suponiendo, y pensemos ahora que aplicamos un potencial VGS positivo, mientras mantenemos la VDS positiva tambin. La capa de aislante de la puerta es muy delgada, tanto que permite al potencial positivo aplicado repeler a los huecos y atraer a los electrones del material P. A mayor potencial aplicado, mayor nmero de electrones ser atrado, y mayor nmero de huecos repelido. La consecuencia de este movimiento de cargas es que debajo del terminal G se crea un canal negativo, de tipo N, que pone en contacto el drenaje con la fuente. Por este canal puede circular una corriente. Recapitulando, por encima de un valor positivo VGS = VTH se posibilita la circulacin de corriente ID (Figura 13). Nos encontramos ante una regin de conduccin lineal.

Figura 13: Esquema del transistor NMOS de enriquecimiento en conduccin Si el valor de VDS aumenta, la tensin efectiva sobre el canal en las proximidades del drenaje (VGS - VDS) va disminuyendo, con lo que el canal se estrecha en dicha zona, y se pierde la linealidad en la relacin ID - VDS. Finalmente se llega a una situacin de saturacin similar a la que se obtiene en el caso del JFET.

2.1.2 NMOS de empobrecimiento

En la Figura 14 se presenta el esquema de un MOS de canal N de empobrecimiento.

Figura 14: Esquema del transistor NMOS de empobrecimiento En este caso el canal ya est creado. Por lo tanto, si con VGS = 0 aplicamos una tensin VDS aparecer una corriente de drenaje ID. Para que el transistor pase al estado de corte ser necesario aplicar una tensin VGS menor que cero, que expulse a los electrones del canal.

Figura 15: Esquema del transistor NMOS de empobrecimiento en corte Tambin en este caso, la aplicacin de una VDS mucho mayor que VGS provoca una situacin de corriente independendiente de VDS.

2.2 CURVAS CARACTERISTICAS

Con los transistores MOS se manejan dos tipos de grficas: la caracterstica VGS - ID, con VDS constante, y la VDS - ID con VGS constante.

2.2.1 Transistor NMOS de enriquecimiento

Figura 16: Caracterstica VGS - ID del transistor NMOS de enriquecimiento En la Figura 16 se pone de manifiesto cmo la intensidad ID aumenta bruscamente cuando se supera la tensin umbral VTH (Threshold Voltage) y se crea el canal. Es un componente idneo para conmutacin, puesto que pasa de un estado de corte a uno de conduccin a partir de un valor de la seal de control. En los dispositivos con el terminal de puerta de aluminio y el aislante de xido de silicio, la tensin umbral est en torno a los cinco voltios.

Figura 17: Caracterstica VDS - ID del transistor NMOS de enriquecimiento La caracterstica VDS - ID del transistor NMOS de enriquecimiento es muy similar a la del JFET, pero los valores de VGS cambian: en este caso la conduccin se da para voltajes positivos por encima del umbral.

2.2.2 Transistor NMOS de empobrecimiento

Figura 18: Caracterstica VGS - ID del transistor NMOS de enriquecimiento El NMOS de empobrecimiento puede funcionar tambin como transistor de enriquecimiento. Si la tensin VGS se hace positiva se atraern electrones al canal. Adems, a diferencia de los JFET, la impedancia de entrada continua siendo muy elevada.

Figura 19: Caracterstica VDS - ID del transistor NMOS de empobrecimiento

2.3 PARAMETROS COMERCIALES

Los parmetros comerciales ms importantes del transistor MOS son anlogos a los de los JFET presentados en el apartado 1.3.

2.4 MODELOS CIRCUITALES

Tal y como se ha visto, las curvas de funcionamiento de los transistores MOS son similares a las de los JFET. Por ello, todos admiten una representacin circuital anloga.

2.4.1 Modelo esttico de Schichman-Hodges

El modelo esttico del transistor MOSFET se denomina modelo de Schichman-Hodges. Es un modelo muy parecido al modelo de los transistores JFET, descrito anteriormente. El circuito

equivalente se compone de un interruptor abierto y una fuente de intensidad (Figura 20) cuyo valor ID depende de la regin de funcionamiento del transistor.

Figura 20: Modelo de Schichman-Hodges para el transistor FETMOS Para el transistor NMOS de enriquecimiento las regiones de funcionamiento son: 1. Regin de corte

o o

Condicin VGS<VTH Intensidad ID=0

1. Regin lineal.

Condiciones: VGS>VTH

VGD < VTH VGS < VTH+VDS

Intensidad:

Donde K es una constante que depende del material y de las dimensiones del transistor

me es la movilidad de los electrones, que depende del material y la temperatura W, L son la anchura y la longitud del canal. Factores geomtricos que dependen del diseo del transistor. C'OX es la capacidad por unidad de superficie del condensador que forman el metal de la puerta con el canal. Depende fuertemente del espesor del xido de puerta.

1. Regin de saturacin

Condiciones VGS > VTH

VGD > VTH VGS > VTH+VDS

Intensidad:

2.4.2 Modelo para seales alternas

Para el caso en el que el transistor soporte seales alternas de pequea amplitud y baja frecuencia sobre un punto de polarizacin en regin de saturacin, puede demostrarse de forma anloga a como se ha realizado para el transistor JFET que la transconductancia gm se calcula a travs de la siguiente expresin

3 APLICACIONES DE LOS TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

Las aplicaciones generales de todos los FET son:

3.1 ELECTRONICA ANALOGICA

Para estas aplicaciones de emplean transistores preparados para conducir grandes corrientes y soportar elevadas tensiones en estado de corte.

Resistencias variables de valor gobernable por tensin (variando la anchura del canal). Amplificadores de tensin, especialmente en la amplificacin inicial de seales de muy baja potencia. Control de potencia elctrica entregada a una carga.

En el caso de la amplificacin los circuitos se disean para que el punto de operacin DC del MOS se encuentre en la regin de saturacin. De este modo se logra una corriente de drenaje dependiente slo de la tensin VGS.

3.2 ELECTRONICA DIGITAL

Los MOS se emplean a menudo en electrnica digital, debido a la capacidad de trabajar entre dos estados diferenciados (corte y conduccin) y a su bajo consumo de potencia de control. Para esta aplicacin se emplean dispositivos de muy baja resistencia, de modo que idealmente pueda considerarse que:

La cada de tensin en conduccin es muy pequea. La transicin entre el estado de corte y el de conduccin es instantnea.

1. En un transistor NJFET con IDSS=10mA y VP = - 5 V se mide una intensidad de drenaje ID = 1mA. Hallar cunto vale la tensin VGS si se admite que trabaja en la regin de saturacin. Hallar la tensin de alimentacin E mnima para que el transistor trabaje en saturacin.

1. En el circuito de la figura, se pide:

1.- La tensin VGS si se admite que el transistor est en saturacin. 2.- Si VIN = 5V, calcular cuanto vale VDS. Datos del transistor: IDSS = 5mA; VP= - 3V

1. Sea el circuito de la figura formado por un transistor NJFET y una resistencia. Se pide: 1.- Indicar la regin de funcionamiento del transistor. 2.- Calcular el punto de operacin del transistor. 3.- Si se cambia la resistencia por otra de valor 1k, hallar el nuevo punto de operacin del transistor. Datos del transistor: IDSS = 2mA; VP= - 3V

1. El transistor NJFET de la figura tiene una IDSS=12mA y VP=-4V. Determinar el valor mnimo de E para que el transitor trabaje en la regin de saturacin.

1. Calcular los valores de VDS y VGS del transistor de la figura si se admite que ID=5mA.

1. Determinar el punto de operacin del transistor FET de la figura suponiendo que se encuentra en zona de saturacin. Datos: IDSS=5mA VP=-4V

1. Hallar el punto de operacin del transistor de la figura. Datos: IDSS=15mA; VP=-10V

1. En el circuito de la figura, calcular la resistencia de entrada RIN y la tensin de salida VOUT. Si se conecta una resistencia de 4.7k a la salida del circuito, calcular la tensin de salida. Datos del transistor: IDSS=8mA, VP=-10V

1. En el circuito de la figura se ha utilizado un transistor 2N5460. Calcular la ganancia de tensin del circuito. Nota: Utilizar para ello los valores medios de los parmetros del transistor.

1. Determinar la ganancia de tensin del circuito de la figura. Datos del transistor: gm=3.8 mmhos

1. El sencillo circuito de la figura es una fuente de corriente que alimenta una carga RL. a) Calclese el valor de la corriente I que circula por esa carga si el transistor se encuentra en la regin de saturacin. b) Hallar la resistencia RL mxima que se puede alimentar con la intensidad hallada mediante el circuito anterior Si el transistor JFET de la figura es un transistor comercial 2N5486, calcular entre qu valores se puede esperar que vare la intensidad I cuando el transistor trabaja en la regin de saturacin. Datos: Idss=10mA; VP=-5V.

1. Con el transistor 2N5457 y otros componentes que crea necesarios, disee una fuente de corriente constante de 0.2mA. Cul ser la carga mxima que puede alimentar la fuente de corriente?

1. En el circuito de la figura, calcular la tensin de salida si la tensin de entrada es 3V. Considerar que el transistor trabaja en la regin de saturacin. Datos adicionales: R=100K; E=15V

1. La tensin de entrada Vin es una tensin que vara muy lentamente con el tiempo de manera que, se puede resolver el circuito mediante un anlisis en continua. Si E=10V e ID=1mA, calcular la relacin entre Vout y Vin. Qu intensidad ID se debe establecer en la fuente si se quiere que Vout=Vin? Datos del transistor: IDSS=3mA VP=-5V

1. En el circuito de la figura, si ambos transistores son idnticos y se encuentran trmicamente acoplados. Hallar la relacin entre VOUT y VIN.

1. Determinar el valor de las salidas V01 y V02 cuando VIN valga cero y diez voltios. Datos: VTH = 5 V. ECC = 20 V.

1. Para el diseo de una puerta lgica inversora, se realiza un esquema como el que se representa a continuacin.

a) Calcular aproximadamente la potencia generada en la fuente de 8 Voltios en los estados lgicos '1' y '0' de la entrada (10 V. y 0 V. Respectivamente). b) Qu misin tiene la resistencia de 15 k?. 1. El siguiente circuito lgico est diseado segn la tcnica CMOS (ComplementaryMOS). Se denomina as por que emplea en el mismo circuito transistores NMOS y PMOS.

a) Explicar su funcionamiento y determinar qu tipo de puerta lgica es. b) Comparar este circuito con el del anterior. Qu ventajas presenta en cuanto a consumo de potencia?. 1. Seleccionar el transistor ms apropiado para el circuito lgico siguiente (0 < V IN < 10V) (Calcular los parmetros comerciales del transistor):

1. Determinar a qu tipo de puerta lgica corresponden los dispositivos de la figura (Entradas: V1 y V2; Salida: VO)

Qu consumo de potencia hay en los estados lgico '1' y '0' de ambos circuitos? 1. El circuito de la figura representa a un transistor actuando como un interruptor. Cuando se polariza la puerta con una tensin de 15V, el transistor deja pasar una corriente para alimentar la resistencia de carga. Al polarizar con 0V la puerta, el transistor permanece en corte. Se pide: a) Elegir un transistor MOS adecuado para realizar esta funcin. b) Calcular aproximadamente la prdida de potencia en el transistor si la seal de entrada est comprendida entre 0 y 5V.

1. Un transistor NMOS de depleccin tiene un VP=-2V y K=2mA/V2. Calcular la VDS mnima para operar en la regin de saturacin si VGS=1V. 2. El transistor MOSFET de depleccin de la figura tiene una K=4mA/V2 y VP=-2V. Calcular la tensin de la fuente

1. Calcular los parmetros que toman las resistencias RD y RS del circuito de la figura para que el transistor opere con una ID=0.4mA y VD=1.Datos: VTH=2V; K=0.4mA/V2

1. Se desea disear un circuito de alarma para un coche de manera que al salir del coche con las luces encendidas, suene un zumbador. Para detectar la apertura de la puerta se dispone de un sensor magntico entre la puerta y el coche que se cierra con la puerta y da una seal de 0V. Al abrir la puerta, el sensor da una seal de 5V. Por otro lado, se tiene un dispositivo que detecta el paso de corriente en el circuito de iluminacin. Se obtiene una seal de 5V con las luces encendidas y de 0V con las luces apagadas. El zumbador tiene que estar alimentado entre 1 y 16V y recibir una corriente de 30mA. Disee el circuito con los transistores MOSFET necesarios.

2.

ELECTRONICA DE POTENCIA: TIRISTORES

3. Los tiristores son una familia de dispositivos semiconductores de cuatro capas (pnpn), que se utilizan para controlar grandes cantidades de corriente mediante circuitos electrnicos de bajo consumo de potencia. 4. La palabra tiristor, procedente del griego, significa puerta. El nombre es fiel reflejo de la funcin que efecta este componente: una puerta que permite o impide el paso de la corriente a travs de ella. As como los transistores pueden operar en cualquier punto entre corte y saturacin, los tiristores en cambio slo conmutan entre dos estados: corte y conduccin. 5. Dentro de la familia de los tiristores, trataremos en este tutorial los tipos ms significativos: Diodo Shockley, SCR (Silicon Controlled Rectifier), GCS (Gate Controlled Switch), SCS (Silicon Controlled Switch), Diac y Triac. 6. 1 EL DIODO SHOCKLEY 7. El diodo Shockley es un tiristor con dos terminales: nodo y ctodo. Est constituido por cuatro capas semiconductoras que forman una estructura pnpn. Acta como un interruptor: est abierto hasta que la tensin directa aplicada alcanza un cierto valor, entonces se cierra y permite la conduccin. La conduccin contina hasta que la corriente se reduce por debajo de un valor especfico (IH).

10.

1.1 CARACTERISTICA TENSION-INTENSIDAD

8. 9. Figura 1: Construccin bsica y smbolo del diodo Shockley

11. Para valores negativos del voltaje aplicado, como en un diodo, slo habr una corriente muy pequea hasta que se alcance la tensin de ruptura (VRB).

12.

13. Figura 2: Caracterstica I-V del diodo Shockley 14. En polarizacin positiva, se impide el paso de corriente hasta que se alcanza un valor de tensin VB0. Una vez alcanzado este punto, el diodo entra en conduccin, su tensin disminuye hasta menos de un voltio y la corriente que pasa es limitada, en la prctica, por los componentes externos. La conduccin continuar hasta que de algn modo la corriente se reduzca por debajo de la corriente de mantenimiento IH. 15. La corriente que puede atravesar el dispositivo en polarizacin directa tiene un lmite impuesto por el propio componente (IMAX), que si se supera llevar a la destruccin del mismo. Por esta razn, ser necesario disear el circuito en el que se instale este componente de tal modo que no se supere este valor de corriente. Otro parmetro que al superarse puede provocar la ruptura del dispositivo es VRB, ya que provocara un fenmeno de avalancha similar al de un diodo convencional.

16. 1.2 EJEMPLO DE APLICACION: DETECTOR DE SOBRETENSION

17. En esta aplicacin, se ha seleccionado un diodo Shockley con una tensin de conduccin de 10 V. Por tanto, si la tensin de la fuente es correcta, es decir, de 9 V, el diodo est abierto, no circula corriente por l y la lmpara estar apagada. Pero si

la tensin de la fuente supera, por una falla en su funcionamiento una tensin de 10 V, el diodo entra en saturacin y la lmpara se enciende. Permanecer encendida (y el diodo cerrado) aunque la tensin vuelva a 9V, mostrando de esta manera que ha habido una falla. La nica forma de apagar la lmpara sera desconectar la alimentacin.

19. Figura 3: Detector de sobretensin 20. 2 SCR (SILICON CONTROLLED RECTIFIER) 21. El SCR es un dispositivo de cuatro capas muy similar al diodo Shockley, con la diferencia de poseer tres terminales: nodo, ctodo y puerta (gate). Al igual que el diodo Shockley, presenta dos estados de operacin: abierto y cerrado, como si se tratase de un interruptor.

18.

24.

2.1 CARACTERISTICA TENSION INTENSIDAD

22. 23. Figura 4: Construccin bsica y smbolo del SCR

25. Tal y como se aprecia en la Figura 5, la parte de polarizacin inversa de la curva es anloga a la del diodo Shockley.

26.

27. Figura 5: Caracterstica del SCR 28. En cuanto a la parte de polarizacin positiva, el diodo no conduce hasta que se recibe un pulso de tensin en el terminal de puerta (gate). Una vez recibido, la tensin entre nodo y ctodo cae hasta ser menor que un voltio y la corriente aumenta rpidamente, quedando limitada en la prctica por componentes externos. 29. Podemos ver en la curva cuatro valores importantes. Dos de ellos provocarn la destruccin del SCR si se superan: VRB e IMAX. VRB (Reverse Breakdown Voltage) es, al igual que en el diodo Shockley, la tensin a partir de la cual se produce el fenmeno de avalancha. IMAX es la corriente mxima que puede soportar el SCR sin sufrir dao. Los otros dos valores importantes son la tensin de cebado VBO (Forward Breakover Voltage) y la corriente de mantenimiento IH, magnitudes anlogas a las explicadas para el diodo Shockley.

30.

2.2 METODOS DE CONMUTACION

31. Para que el dispositivo interrumpa la conduccin de la corriente que circula a travs del mismo, sta debe disminuir por debajo del valor IH (corriente de mantenimiento). Hay dos mtodos bsicos para provocar la apertura el dispositivo: interrupcin de corriente andica y conmutacin forzada. Ambos mtodos se presentan en las figuras Figura 6 y Figura 7.

32. 33. Figura 6: Apertura del SCR mediante interrupcin de la corriente andica

34. En la Figura 6 se observa cmo la corriente andica puede ser cortada mediante un interruptor bien en serie (figura izquierda), o bien en paralelo (figura derecha). El interruptor en serie simplemente reduce la corriente a cero y hace que el SCR deje de conducir. El interruptor en paralelo desva parte de la corriente del SCR, reducindola a un valor menor que IH. 35. En el mtodo de conmutacin forzada, que aparece en la Figura 7, se introduce una corriente opuesta a la conduccin en el SCR. Esto se realiza cerrando un interruptor que conecta una batera en paralelo al circuito.

38.

2.3 APLICACIONES DEL SCR

36. 37. Figura 7: Desconexin del SCR mediante conmutacin forzada

39. Una aplicacin muy frecuente de los SCR es el control de potencia en alterna en reguladores (dimmer) de lmparas, calentadores elctricos y motores elctricos. 40. En la Figura 8 se muestra un circuito de control de fase de media onda y resistencia variable. Entre los terminales A y B se aplican 120 V (AC). RL representa la resistencia de la carga (por ejemplo un elemento calefactor o el filamento de una lmpara). R1 es una resistencia limitadora de la corriente y R2 es un potencimetro que ajusta el nivel de disparo para el SCR. Mediante el ajuste del mismo, el SCR se puede disparar en cualquier punto del ciclo positivo de la onda en alterna entre 0 y 180, como se aprecia en la Figura 8.

41.

42. Figura 8: (a) Conduccin durante 180 (b) Conduccin durante 90 43. Cuando el SCR se dispara cerca del principio del ciclo (aproximadamente a 0), como en la Figura 8 (a), conduce durante aproximadamente 180 y se transmite mxima potencia a la carga. Cuando se dispara cerca del pico positivo de la onda, como en la Figura 8 (b), el SCR conduce durante aproximadamente 90 y se transmite menos

potencia a la carga. Mediante el ajuste de RX, el disparo puede retardarse, transmitiendo as una cantidad variable de potencia a la carga. 44. Cuando la entrada en AC es negativa, el SCR se apaga y no conduce otra vez hasta el siguiente disparo durante el ciclo positivo. Es necesario repetir el disparo en cada ciclo como se ilustra en la Figura 9. El diodo se coloca para evitar que voltaje negativo en AC sea aplicado a la gate del SCR.

45. 46. Figura 9: Disparos cclicos para control de potencia 47. 3 GCS (GATE CONTROLLED SWITCH) 48. Este dispositivo es similar al SCR, con la diferencia de que el GCS puede interrumpir el paso de corriente con una seal en el terminal de gate. 49. Igual que el SCR, no permitir el paso de corriente hasta que un pulso positivo se reciba en el terminal de puerta. La diferencia se encuentra en que el GCS puede pasar al estado de corte mediante un pulso negativo 10 20 veces mayor que el pulso positivo aplicado para entrar en conduccin.

50. 51. Figura 10: Smbolo del GCS 52. Los GCS estn diseados para cargas relativamente pequeas y pueden soportar slo unas pocas decenas de amperios. 53. 4 SCS (SILICON CONTROLLED SWITCH) 54. Es similar en cuanto a construccin al SCR. La diferencia est en que posee dos terminales de puerta, uno para entrar en conduccin y otro para corte. El SCS se suele utilizar en rangos de potencia menores que el SCR.

55. 56. Figura 11: Smbolo del SCS 57. El SCS tiene aplicaciones muy similares a las de SCR. Este ltimo tiene la ventaja de poder abrirse ms rpido mediante pulsos en cada uno de los terminales de gate, pero el inconveniente que presenta respecto al SCR es que se encuentra ms limitado en cuanto a valores de tensin y corriente. Tambin se utiliza en aplicaciones digitales como contadores y circuitos temporizadores. 58. 5 EL DIAC

59. Es un tipo de tiristor que puede conducir en los dos sentidos. Es un dispositivo de dos terminales que funciona bsicamente como dos diodos Shockley que conducen en sentidos opuestos.

60. 61. Figura 12: Construccin bsica y smbolo del diac 62. La curva de funcionamiento refleja claramente el comportamiento del diac, que funciona como un diodo Shockley tanto en polarizacin directa como en inversa. 63. Cualquiera que sea la polarizacin del dispositivo, para que cese la conduccin hay que hacer disminuir la corriente por debajo de la corriente de mantenimiento IH. Las partes izquierda y derecha de la curva, a pesar de tener una forma anloga, no tienen por qu ser simtricas.

65. Figura 13: Caracterstica V-I del diac 66. 6 EL TRIAC 67. Este dispositivo es simular al diac pero con un nico terminal de puerta (gate). Se puede disparar mediante un pulso de corriente de gate y no requiere alcanzar el voltaje VBO como el diac.

64.

68. 69. Figura 14: Construccin bsica y smbolo del TRIAC.

70. En la curva caracterstica se indica que para diferentes disparos, es decir, para distintas corrientes aplicadas en gate, el valor de VBO es distinto. En la parte de polarizacin positiva, la curva de ms a la izquierda es la que presenta un valor de VBO ms bajo, y es la que mayor corriente de gate precisa en el disparo. Para que este dispositivo deje de conducir, como en el resto de los casos, hay que hacer bajar la corriente por debajo del valor IH.

72. Figura 15: Caracterstica V-I del triac 73. Al igual que el SCR, se emplean para controlar la potencia suministrada a una carga. El triac puede dispararse de tal modo que la potencia en alterna sea suministrada a la carga durante un tiempo determinado de cada ciclo. La diferencia con el SCR es que se puede disparar tanto en la parte positiva que en la negativa del ciclo, de tal manera que la corriente en la carga puede circular en los dos sentidos.

71.

75. Figura 16 Control bsico de potencia con un Triac 76. 7 RESUMEN 77. Como resumen final del tema se reflejan en una tabla las caractersticas ms importantes de los tiristores que se han presentado. 1 2 0 ON/OFF GATE GATE GATE X X

74.

TIRISTOR UNIDIRECCIONAL BIDIRECCIONAL SHOCKLEY SCR X X

GCS SCS DIAC TRIAC

X X X X

X X X X

X X

78.

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Curso de Electrnica Bsica 1

Indice de temas tratados

tomo Conductores Elctricos y Aislantes Resistencia Elctrica Ley de OHM Tensin Contnua, Alterna y Frecuencia Principios de Ondas Electromagnticas Campo Magntico Induccin Ley de Lenz Autoinduccin Inductancia El Condensador Capacidad Paso de la Corriente alterna a traves de un Condensador Capacitancia Desfase Asociacin de Impedancias Impedancias en Serie Impedancias en Paralelo Resonancia Elctrica Descarga Oscilante Impedancia de un circuito oscilante Resonancia en Serie y en Paralelo Potencia Cdigo de Colores

Antes de comenzar , creo que es importante recordar las primeras nociones de electricidad y para sto debemos comenzar con el tomo , el cual es una de las partculas ms pequeas de la materia. Sabemos que el tomo est rodeado de uno o ms electrones , los que giran alrededor del ncleo. El electrn que gira ms lejos del ncleo , es el ms dbilmente atrado por ste . stos electrones dbiles ,

cuando entran en la esfera de atraccin de un tomo prximo , deficiente en electrones , dejarn la rbita de su propio tomo para equilibrar el tomo vecino . ste fenmeno de movimiento de los electrones , es conocida como la CORRIENTE ELCTRICA de un conductor y es provocado por el desequilibrio que existe en los extremos del conductor , es decir , porque un extremo tiene tomos con demasiados electrones ( Negativo - ) y el otro extremo tiene tomos con una carencia de electrones ( Positivo + ) . sta diferencia de electrones en los extremos de un conductor es conocido como POTENCIAL ELCTRICO , VOLTAJE o TENSIN ELCTRICA.

Los conductores elctricos como las soluciones cidas , alcalinas , carbn , agua , etc.. no necesariamente son metlicos ; ya que tambin sus tomos contienen muchos electrones que escapan muy fcilmente a la atraccin del ncleo .Pero existen otros cuerpos en los cuales los electrones estn fuertemente ligados al ncleo y no pueden salir de su rbita y escapar del tomo ; a stos cuerpos se les conoce como AISLANTES o DIELCTRICOS , los cuales no pueden establecer ningn tipo de corriente elctrica . Adems existe una gran variedad de aislantes , por nombrar algunos : Cuarzo Ebonita mbar Baquelita Vidrio Mica Plstico.... y el mejor aislante es el AIRE SECO .

La corriente elctrica vara de INTENSIDAD ( N de electrones que participan en el movimiento ) , y sta se mide en AMPERES ( Amp. ) , en donde 1 AMPER corresponde al paso de 6.000.000.000.000.000.000 de electrones . Tambin estn los multiplos del Amper : El miliamper ( mA ) = 1/1.000 Amper , el microamper ( A ) = 1/1.000.000 amper . Se debe tener presente que la Intensidad depende de la Tensin aplicada a un conductor y de la RESISTENCIA de ste . La resistencia es la propiedad que tiene un conductor de oponer , una resistencia , mayor o menor al paso de una corriente elctrica . La resistencia de un conductor depende de la naturaleza de ste , es decir del nmero de electrones que son fcilmente separable de sus tomos . Depende tambin de la Longitud del conductor , cuanto ms largo es , mayor es la resistencia . Por ltimo tambin depende de la Seccin del conductor . Si la seccin transversal es grande , pueden pasar ms electrones simultneamente y por consiguiente , menor es la resistencia , la resistencia se mide en OHM .

Para poder calcular la Resistencia de un conductor elctrico se debe tener presente lo siguiente :

- Resistencia Especfica del material a usar ( ) . - Longitud ( cm ) . - Seccin ( cm ) . - Temperatura ( t ) . La Temperatura es un factor determinante en un conductor , es por eso que cuanto ms alta es la Temperatura de un conductor metlico , ms alta es la resistencia por unidad de Longitud y de Seccin .

Si nosotros aumentamos la tensin aplicada en los extremos de un conductor , aumentamos en la misma proporcin el nmero de electrones puestos en movimiento , es decir la intensidad de la corriente . As sabemos que la intensidad de la corriente elctrica es directamente proporcional a la Tensin . Aplicando la Tensin a conductores de resistencias diferentes , se observa que los conductores ms resistentes dejan pasar menor corriente . De sto se desprende que la intensidad de la Corriente es inversamente proporcional a la Resistencia .

INICIO I= Las dos observaciones Corriente anteriores estn V = resumidas en la Voltaje LEY de OHM . R = Resistencia

stas frmulas son aplicables tanto para una :

como para una :

Si observamos bin , notaremos que la Tensin Contnua no sufre variaciones en el tiempo , vemos que es constante en su voltaje y polaridad , adems no tiene Frecuencia , lo contrario sufre la Tensin Alterna , la cual tiene cambios de Voltaje y Polaridad , adems posee una frecuencia .

La frecuencia es el perodo de tiempo ( T = en seg. ) que toma la seal en completar un ciclo , comenzando desde 0 hasta un Mx. de Amplitud (+) volviendo a 0 alcanzando un Max. de Amplitud (-) y terminando en 0 , para luego repetir el ciclo. , y su unidad es el (Hertz).

sta es la Frmula para obtener la Frecuencia . F = Frecuencia T = Perodo ( Tiempo en seg. ) 1 = Constante< td>

ONDAS ELECTROMAGNTICAS Las frecuencias mencionadas 110 - 220 son industriales , demasiado bajas para los radiotcnicos, porque en radio , para generar las ondas transmitidas se utilizan corrientes de ALTA FRECUENCIA , llamadas RADIOFRECUENCIA , de por lo menos 10.000 periodos o ciclos por segundo , o sea que tienen un periodo igual o menor de 0,0001 segundo . Cada periodo de esta corriente en un hilo vertical ( ANTENA DE EMISIN ) origina una onda electromagntica que se propaga en el espacio a modo de un anillo que se agranda constantemente alrededor de la antena . Este agrandamiento se efecta a una velocidad prodigiosa que aleja a la onda de la antena a una velocidad igual a la de la luz . Esto no tiene nada de asombroso puesto que las ondas de la radio y las ondas luminosas son de idntica naturaleza . En ambos casos se trata de ondas electromagnticas . Slo difieren las frecuencias , que en las ondas luminosas son mucho ms elevadas . La distancia entre dos ondas sucesivas transmitidas por la antena se llama LONGITUD DE ONDA . Cuanto ms corto es el perodo ( o ms elevada la frecuencia ) , menor es esta distancia , y las ondas se suceden a intervalos ms cortos . En radio se distinguen varias categoras o gamas de ondas clasificadas de manera algo arbitraria : - Las ondas LARGAS , ms de 600 metros de longitud de onda . - Las ondas MEDIAS , entre 200 y 600 metros . - Las ondas CORTAS , de 10 a 200 metros . - Las ondas ULTRACORTAS , de 1 a 10 metros . - Las ondas DECIMTRICAS , de 10 centmetros a un metro . - Las ondas CENTIMTRICAS , de 1 a 10 centmetros . Estas se asimilan casi a las ms largas de las radiaciones infrarrojas . Observemos tambin que en radioelectricidad en lugar de la palabra perodo se emplea a menudo ciclo y las expresiones perodos por segundo o ciclos por segundo deben ser substituidas por el trmino HERTZ ( del nombre del fsico que demostr experimentalmente la existencia de las ondas electromagnticas u ondas Hertzianas ) . Como en radio se trata a menudo de frecuencias elevadas , se utilizan mltiplos de esta unidad : KILOHERTZ = 1.000 hertz ( o perodos por segundo ) . Tambin se puede decir kilociclos por segundo . MEGAHERTZ = 1.000.000 hertz ( o perodos por segundo ) . Megaciclos por segundo . GEGAHERTZ = 1.000.000.000 hertz ( o periodos por segundo ) . Gegaciclos por segundo .

CAMPO MAGNTICO

La creacin de las ondas electromagnticas por la corriente elctrica es una de las mltiples manifestaciones de la estrecha relacin que hay entre los fenmenos elctricos y magnticos . Todo desplazamiento de electrones engendra en la proximidad un estado particular del

espacio que se denomina CAMPO MAGNTICO . La aguja imantada de una brjula , orientndose perpendicularmente al conductor , denota la presencia de un campo magntico creado alrededor de un conductor recorrido por una corriente . Si se invierte el sentido de la corriente , la aguja gira media vuelta , lo que demuestra que el campo magntico tiene una polaridad que est determinada por el sentido de la corriente . El campo magntico de un conductor se puede hacer ms intenso arrollando este conductor ( hilo metlico ) en forma de bobina . Los campos magnticos de las espiras se suman y la bobina recorrida por la corriente acta a modo de un verdadero imn recto . La accin de este imn se refuerza introduciendo una barra de hierro en el interior de la bobina .< El hierro presenta a las fuerzas magnticas mayor PERMEABILIDAD que el aire . Entonces el campo magntico se concentra en el NCLEO MAGNTICO as constituido , y obtenemos un ELECTROIMN . Si el ncleo es de hierro dulce , pierde su imantacin cuando se interrumpe la corriente ( no conserva ms que una pequea parte de dicha imantacin ) . Si es de acero , permanece imantado . Por este procedimiento se fabrican actualmente los imanes artificiales .

INDUCCION

As como las variaciones de la corriente elctrica producen variaciones del campo magntico que ha creado , inversamente , las variaciones del campo magntico engendran corrientes variables en los conductores . As es como aproximando o alejando entre s un imn y una bobina hacemos aparecer en sta una corriente pero slo mientras se mueva el imn , es decir durante la variacin del campo . Hay que sealar que es la variacin y no la simple presencia de un campo lo que engendra las corrientes en el conductor . En lugar de un imn , se puede aproximar un electroimn formado por una bobina recorrida por una corriente continua ; el resultado ser el mismo . Tambin se puede fijar esta bobina en la vecindad o proximidad de la otra y hacer que sea recorrida por una corriente variable ; as , una corriente alterna que recorra la primera bobina originar una corriente alterna en la segunda . Estamos en presencia de los fenmenos de INDUCCIN . Sin que sea necesario establecer un contacto material , hay un ACOPLAMIENTO MAGNTICO entre las dos bobinas en el conjunto , constituyendo as un transformador elctrico .

LEY DE LENZ

Prosiguiendo el estudio de la induccin magntica . Se observa, en efecto , que la corriente inducida se opone en cada instante a las variaciones de la corriente inductora . Cuando esta aumenta , la corriente inducida circula en el sentido opuesto . Y cuando la corriente inductora disminuye , la corriente inducida circula en el mismo sentido . Los fenmenos de induccin obedecen segn esto a una ley muy general de la naturaleza : la de la accin y de la reaccin . La corriente inducida depende de la velocidad de variacin de la corriente inductora as como de su intensidad .

AUTOINDUCCION

Si la corriente que circula por una bobina , induce corrientes en otras bobinas colocadas

en su proximidad , con ms razn las induce en las propias espiras de la bobina por la que circula . Este fenmeno de Autoinduccin est sometido a las mismas leyes que las que rigen la induccin . Por consiguiente , cuando la intensidad de la corriente que circula por la bobina tiende a aumentar , se origina una corriente de autoinduccin en sentido opuesto , que retarda el aumento de la corriente inductora . Por esta razn , si se aplica una tensin continua a una bobina , la corriente que en ella se establece no puede alcanzar instantneamente su intensidad normal ; para esto necesita un cierto tiempo , tanto ms largo cuanto ms elevada es la autoinduccin de la bobina . Del mismo modo , cuando aumentamos progresivamente la tensin en los extremos de la bobina , la intensidad de la corriente seguir este aumento con un cierto retardo , actuando la corriente de autoinduccin en sentido opuesto . Por el contrario , si disminuimos la tensin aplicada a la bobina , tambin se producir la disminucin de intensidad con un cierto retardo , circulando entonces la corriente de autoinduccin en el mismo sentido que la corriente inductora y prolongndola en cierto modo . En el caso extremo , cuando se suprime bruscamente la tensin aplicada a una bobina ( abriendo , por ejemplo , un interruptor ) , la variacin muy rpida de la corriente inductora provoca una tensin inducida que puede ser de valor elevado y originar una chispa que salte entre los contactos del interruptor .

INDUCTANCIA

Cuando se aplica una tensin alterna a una bobina de autoinduccin , la corriente alterna que crea entretiene un campo magntico alterno que , a su vez , mantiene una corriente de autoinduccin que se opone constantemente a las variaciones de la corriente inductora y , en consecuencia , impide que sta alcance la intensidad mxima que hubiera podido tener en ausencia de autoinduccin . No olvidemos que , cuando la corriente inductora aumenta , la corriente inducida va en sentido inverso y , por consiguiente , deber ser restada . Todo se produce pues como si la resistencia normal ( se dice hmica ) del conductor se sumase a otra resistencia debida a la autoinduccin . Esta resistencia de autoinduccin o INDUCTANCIA es tanto ms elevada cuanto mayor es la frecuencia de la corriente ( puesto que las variaciones ms rpidas de la corriente inductora suscitan corrientes de autoinduccin ms intensas y puesto que la propia autoinduccin es ms elevada ) . La autoinduccin de una bobina depende nicamente de sus propiedades geomtricas , nmero y dimetro de espiras y su disposicin . Aumenta con el nmero de espiras . La introduccin en ella de un ncleo de hierro intensifica el campo magntico y eleva la autoinduccin en proporciones considerables . La autoinduccin de una bobina se expresa en HENRIOS ( H ) o en submltiplos de esta unidad , el MILIHENRIO ( mH ) que es la milsima del henrio y el MICROHENRIO ( H ) , millonsima del henrio .

Arriba , la corriente alterna . Abajo , la corriente inducida por la representada arriba . - 1. La corriente inductora aumenta muy rpidamente . La corriente inducida es de sentido contrario . - 2. La corriente inductora no vara durante un corto intervalo . La corriente inducida es nula

. - 3. La corriente inductora disminuye . La corriente inducida tiene el mismo sentido . - 4. La corriente inductora no vara durante un corto intervalo . La corriente inducida es nula

ELCONDENSADOR

LOS CONDENSAEDORES , que tienen la CAPACIDAD de acumular cargas elctricas . El condensador se compone de dos conductores ( que forman las placas ) separados por un cuerpo aislante ( DIELCTRICO ) . Si se conectan las dos placas a una fuente de corriente elctrica , se acumulan electrones en la que est conectada al polo negativo y , por el contrario , se desprenden y salen de la conectada al polo positivo . Esta CARGA se intensifica por el fenmeno de repulsin entre los electrones de dos placas prximas . Si estas placas estuviesen ms separadas , no podran almacenar tantas cargas , de electricidad . En el momento en que la fuente ( o generador de electricidad ) es conectada al condensador , establece una CORRIENTE DE CARGA , al principio intensa y despus cada vez menor a medida que los potenciales de las placas se aproximan a los de los polos de la fuente . La corriente cesa cuando se alcanzan estos potenciales . Su duracin total es muy corta .

CAPACIDAD Segn que la cantidad de electricidad que puede almacenar un condensador sea mayor o menor , se dice que su capacidad es mayor o menor . La capacidad se mide en FARADIOS ( F ) o en submltiplos de esta unidad : 1. MICROFARADIO ( F ) = 0,000.001 F , millonsima de faradio . 2. MILIMICROFARADIO 0 NANOFARADIO ( mf o nF ) = 0,000.000.001 F y tambin 3. MICROMICROFARADIO o PICOFARADIO ( F o pF ) = 0,000.000.000.001 F . Evidentemente , la capacidad depende del rea de las caras de las placas y aumenta con stas . Es tanto ms elevada cuanto ms prximas entre s estn las placas , sin que sea posible acercarlas indefinidamente , porque que un espesor muy pequeo puede ser perforado por una chispa bajo el efecto de una tensin aunque sea poco elevada . Finalmente , la capacidad depende de la naturaleza del dielctrico . El mejor ( y el ms barato ) de los dielctricos es el aire seco . Si se le sustituye por cualquier otro dielctrico , la capacidad del condensador aumenta . Observemos que , por el contrario , la capacidad del condensador es independiente de la naturaleza y del espesor de las placas .

PASO DE LA CORRIENTE ALTERNA A TRAVES DE UN CONDENSADOR Nuestro condensador cargado . Al desconectarlo de la fuente de electricidad y conectar sus placas o armaduras a una resistencia rovocaremos su descarga . Los electrones existentes en exceso en las placas negativas tendern a llenar el dficit de la placa positiva , a travs de la reistencia . La corriente de descarga , intensa al principio , se ir haciendo ms dbil a medida que la diferencia de potencial entre las placas disminuya , y finalmente cesar cuando las placas estn al mismo potencial . Se podr producir una sucesin ininterrumpida de cargas y descargas del condensador conectndolo a una fuente de corriente alterna . Las placas se cargan , descargan y se vuelven a cargar al ritmo de la tensin alterna y en el circuito ( se llama as el conjunto de los elementos recorridos por la corriente ) se establece una verdadera circulacin de corriente . Esto permite decir que el condensador es ATRAVESADO por la corriente alterna en que los electrones pasen realmente a travs de su dielctrico

CAPACITANCIA Naturalmente el paso de la corriente alterna a travs de un condensador no se efecta con la misma facilidad que a travs de un conductor ; el condensador opone a la corriente una cierta resistencia capacitiva que se llama CAPACITANCIA . Esta es tanto menor cuanto ms elevada es la capacidad y mayor es la frecuencia de la corriente ; porque cuanto ms variaciones tenga sta por segundo , ms elevado ser el nmero de electrones que atraviesan en un segundo una seccin de los conductores del circuito . Si se designa por C la capacidad medida en faradios de un condensador atravesado por una corriente de frecuencia f , la capacitancia es igual a :

Comparndolas se ve que la inductancia y la capacitancia tienen propiedades opuestas , mientras la inductancia crece con la autoinduccin y la frecuencia , la capacitancia disminuye cuando la capacidad y la frecuencia aumentan .

DEFASAJE

La oposicin entre la autoinduccin y la capacidad se manifiesta adems de otra manera , muy curiosa por cierto . Recordemos que , debido a la autoinduccin , la capacidad de la corriente sigue las variaciones de la tensin alterna con un cierto retardo ( examnese atentamente la figura ) . Este desplazamiento entre la corriente y la tensin recibe el nombre de desfase o desfasamiento . Se dice tambin que corriente y tensin no estn en fase .

Estudiando la circulacin de la corriente alterna en un circuito que comprende un condensador , se observar que el movimiento de los electrones se detiene ( la corriente se anula ) en el momento en que la tensin es mxima ; despus . Cuando la tensin disminuye , la intensidad de la corriente aumenta ; es la mxima cuando la tensin pasa por cero para cambiar de sentido . A continuacin , a medida que el condensador se descarga , es decir que la tensin se eleva en el otro sentido , la intensidad disminuye para anularse en el momento en que la tensin alcance su valor mximo . Este desarrollo de los fenmenos se evidencia particularmente cuando , refirindonos a la figura . se observa que los mximos de tensin corresponden a las posiciones extremas del pistn ( o incurvaciones mximas de la membrana ) y que la tensin pasa por cero cuando el pistn est en la posicin media ( y la membrana est plana ) . Vemos que aqu la intensidad de la corriente vara en avance respecto a las variaciones de la tensin , porque , cuando la intensidad es todava nula , la tensin es ya mxima . Estamos pues en el mismo caso de la autoinduccin en presencia de un desfasamiento , pero en sentido opuesto . Si el circuito no comprende ms que una autoinduccin pura o una capacidad pura , el desfasamiento alcanza un cuarto de perodo . Este es el caso representado grficamente en las figuras , que merecen tener la atencin del lector . En realidad , la autoinduccin o capacidad no existen en estado puro . Es obligatorio que el circuito comprenda tambin una cierta resistencia hmica . As , pues , el desfasamiento no alcanza jams el valor mximo de l/4 de perodo .

ASOCIACION DE IMPEDANCIAS Un examen atento pone en evidencia en todo circuito la presencia detres clases de IMPEDANCIAS , que son la inductancia , la capacitancia y la resistencia hmica . En efecto , no olvidemos que incluso un conductor rectilneo posee una cierta autoinduccin , y pueden ser tambin observados efectos de capacidad entre sus diferentes puntos . No obstante , en la prctica no se tienen en cuenta ms que los valores dominantes; as es que en una bobina que presente una inductancia de 10 .000 ohmios a una corriente de frecuencia dada , se despreciarn los 10 ohmios de su resistencia hmica . ( Pero si esta bobina est sometida a una tensin continua , slo sern considerados estos 10 ohmios , puesto que la autoinduccin no se manifiesta ms que con tensiones variables . ) Las impedancias se pueden agrupar o asociar en un circuito de diversas maneras ms o menos complicadas . Se dice estn conectadas EN SERIE si la corriente las recorre sucesivamente ; estn asociadas EN PARALELO ( o en derivacin , o en SHUNT ) si la corriente las recorre simultneamente bifurcndose . Cuando las impedancias estn dispuestas en serie , los efectos de estos obstculos sucesivos se suman . As , varias resistencias en serie son equivalentes a una resistencia igual a su suma . Las inductancias y las capacitancias en serie se agregan igualmente . Pensando en los efectos contrarios que la autoinduccin y capacidad ejercen sobre la corriente , se comprender fcilmente que deben neutralizarse en cierto modo . Entonces , la impedancia de un circuito formado por una autoinduccin y una capacidad en serie ser menor que su inductancia o su capacitancia consideradas separadamente . La adicin pura y simple de las impedancias en serie no es vlida ms que cuando se componen nicamente de resistencias hmicas , o de capacitancias o de inductancias . En este ltimo caso hay que aadir que no hay induccin mutua entre las diferentes bobinas .

IMPEDANCIAS EN SERIE Puesto que las inductancias en serie se suman , se desprende que las autoinducciones ( a las cuales son proporcionales , no hay que olvidarlo ) , deben sumarse tambin . Dicho de otra manera , en virtud de sus efectos elctricos , varias bobinas colocadas en serie son equivalentes a una sola bobina cuya autoinduccin sea igual a la suma de sus autoinducciones . Suceder lo mismo con los condensadores ? Se comprende que no , puesto que las capacitancias son inversamente proporcionales a las capacidades . Y puesto que las capacitancias de varios condensadores en serie se suman , son las inversas de sus capacidades las que deben ser sumadas para obtener la inversa de la capacidad equivalente . Si designamos por C1 , C2 , C3 , etc . a las , capacidades de los condensadores colocados en serie , la capacidad C del condensador nico que puede reemplazarlos vendr determinada por la expresin :

En el caso particular de dos condensadores C1 y C2 :

Se observar que la capacidad equivalente es siempre menor que la ms pequea de las capacidades componentes . Por otra parte , esto era previsible puesto que es la condicin de aumento de capacitancia que resulta de poner en serie varios condensadores .

IMPEDANCIAS EN PARALELO Estudiemos ahora el comportamiento de las lrnpedancias conectadas en paralelo . As colocadas , presentan a la corriente varios caminos en lugar de un camino nico , y por lo tanto facilitan su paso . Contrariamente a lo que ocurre en el caso de la asociacin en serie , no son sus resistencias , sino sus conductibilidades las que se suman . La conductibilidad es la inversa de la resistencia ( es decir 1/R ) . Cuando varias resistencias hmicas R1 , R2 , R3 , etc . estn asociadas en paralelo , la resistencia R equivalente de este conjunto vendr determinada por la suma de sus conductibilidades a la cual debe ser igual su propia conductibilidad :

En el caso particular de dos resistencias R1 y R2 , la resistencia equivalente :

Y si asociamos en paralelo dos resistencias de igual valor , la resistencia equivalente es igual a la mitad de este valor . Un razonamiento anlogo nos permitira obtener resultados idnticos para las inductancias y para las autoinducciones de las bobinas asociadas en paralelo ( pero no acopladas por induccin ) . Tambin deduciramos , en el caso de condensadores conectados en paralelo , que la inversa de la capacitancia equivalente es igual a la suma de las inversas de las capacitancias componentes . Pero en cuanto a las capacidades , sera imprudente someterlas al mismo tratamiento matemtico . Ya en el caso de las asociaciones en serie hemos visto que las capacidades se distinguen por su extrao carcter . Y la causa de su comportamiento particular radica en que la capacitancia es inversamente proporcional a la capacidad . Concluiremos sencillamente que , si bien las inversas de las capacitancias son las que se deben sumar , los valores que habr que sumar para hallar la capacidad equivalente de varios condensadores en paralelo son los de las capacidades .

RESONANCIA ELCTRICA

Completando las explicaciones expuestas en el concepto de desfasamiento , hemos dicho que , al pasar por una autoinduccin , la corriente se retarda respecto a la tensin , mientras se adelanta cuando pasa por una capacidad. Asimismo , basndonos en que la autoinduccin y la capacidad poseen propiedades opuestas , hemos dicho que , asociadas en serie , inductancia y capacitancia se neutralizan ms o menos . Examinemos ms de cerca la impedancia de tal conjunto ( fig. 1A ) donde en los bornes de una fuente de tensin alterna estn conectados una bobina y un condensador en serie . Admitamos adems que podamos modificar a voluntad la frecuencia de la tensin alterna . Si , con una frecuencia dada , la inductancia es menor que la capacitancia , domina el efecto de la capacitancia . La corriente estar avanzada respecto a la tensin , y la impedancia del conjunto ser igual a la capacitancia menos la inductancia ( despreciando la resistencia hmica ) . Ahora aumentemos progresivamente la frecuencia . Qu se producir ? El aumento de frecuencia tendr por efecto aumentar el valor de la inductancia y disminuir el de la capacitancia . Llegar un momento en que , para una cierta frecuencia , la inductancia ser igual a la capacitancia . Siendo iguales estos dos valores , como se restan uno del otro , la impedancia del conjunto ser nula . El desfasamiento ser tambin nulo , es decir la corriente estar en fase con la tensin . Y , puesto que la impedancia del circuito es nula , la intensidad de la corriente ser infinitamente elevada , por lo menos en teora . En la realidad

el circuito posee siempre una cierta resistencia hmica , de modo que su impedancia no puede llegar a anularse y por consiguiente la corriente ser limitada . Si continuamos aumentando la frecuencia , la inductancia ser mayor que la capacitancia , y la corriente estar en retardo con respecto a la tensin , con lo que la impedancia crece de nuevo . Vemos pues que hay una nica frecuencia para la cual la impedancia se hace , si no nula , por lo menos mnima , y la corriente es mxima . Esta es la frecuencia de RESONANCIA . Se dice tambin , que , para esta frecuencia , la corriente est en resonancia con el circuito .

DESCARGA OSCILANTE Se puede observar el mismo fenmeno de resonancia conectando una bobina a las Placas de un condensador cargado ( fig. 1B ) . Mientras que en una resistencia hmica la corriente se descarga , se debilita y se anula al cabo de un tiempo muy corto , aqu observaremos una descarga oscilante . La autoinduccin , recordmoslo , se opone a la disminucin de la corriente , prolongndola en cierto modo en una corriente de autoinduccin que circula en el mismo sentido . Esta corriente vuelve a cargar el condensador , invirtiendo las polaridades de las placas . El condensador no se descarga del todo ( circulando la corriente en el sentido contrario ) ; se vuelve a cargar por efecto de la autoinduccin y as sucesivamente . Por el circuito circula una corriente alterna sin ninguna aportacin exterior de energa ; no habra razn alguna para que este movimiento cesase... si nuestro circuito no tuviese una resistencia hmica en que , poco a poco , se disipa la energa inicial que estaba contenida en la carga del condensador . Debido a esta prdida progresiva de energa , cada oscilacin sucesiva es menor que la precedente y , finalmente , una vez disipada toda la energa , la oscilacin se extingue . Esta es la forma de las OSCILACIONES AMORTIGUADAS ( fig. 2A ) antiguamente utilizadas en radiotelegrafa , en que cada descarga oscilante estaba provocada por el salto de una chispa . Este mtodo primitivo de ondas amortiguadas fue sustituido posteriormente por el empleo de las ONDAS ENTRETENIDAS ( fig. 2B ) . La corriente que las engendra sigue siendo una corriente alterna originada en un CIRCUITO OSCILANTE , como se llama al circuito compuesto por un condensador conectado en los bornes de una bobina . Para evitar el debilitamiento progresivo de las oscilaciones que tiene lugar en las oscilaciones amortiguadas , basta compensar las prdidas de energa aportando al circuito oscilante desde el exterior , las dosis de energa necesarias y suficientes para mantener constante su amplitud . Es necesario que este aporte , o este reaprovisionamiento , se efecte a la misma cadencia que las oscilaciones propias del circuito las cuales , naturalmente , tienen lugar a su frecuencia de resonancia ( para la que la impedancia es mnima ) . Si los impulsos exteriores son inyectados en este circuito oscilante a una frecuencia diferente de su frecuencia de resonancia , lejos de mantenerlas constantes , se opondrn a las oscilaciones y , en fin de cuentas , no obtendremos en el circuito ms que una corriente muy pequea ( OSCILACIONES FORZADAS ) .

IMPEDANCIA DE UN CIRCUITO OSCILANTE

Siendo la funcin de la fuente de tensin alterna el reaprovisionamiento de energa del circuito oscilante , puede comunicar con este ya sea por induccin ( fig. 3A ) , ya sea directamente ( figura 3B ) . Si el circuito oscilante disipa poca energa ( siendo reducidas las resistencias hmica y las otras causas de prdidas ) , se dice que el circuito est POCO AMORTIGUADO . En este caso la energa que tomar de la fuente de tensin alterna ser pequea ( puesto que es igual a la energa perdida que debe compensar ) . As , cuanto menos amortiguado sea el circuito oscilante , menos energa toma del circuito exterior que le alimenta . Estamos en presencia de una situacin casi paradjica . Mientras que en el interior del circuito oscilante la corriente alterna alcanza una gran intensidad ( tanto mayor cuanto menos amortiguado sea ) , en el circuito exterior ( en trazo fino en la figura 3B ) , la corriente es pequea ( y tanto ms cuanto menos amortiguado sea el circuito ) o bien , y ste es otro aspecto del mismo fenmeno , la impedancia del circuito oscilante es muy pequea para, la corriente que circula por l ; pero a la corriente del circuito exterior le opone una impedancia elevada . Todo esto , evidentemente , para la frecuencia de resonancia . Para hacer comprender mejor las cosas , una comparacin oportuna... en la cocina , asimilando el circuito oscilante a una cacerola llena de agua hirviendo. Si la cacerola pierde poco calor en el aire que la rodea , la temperatura de ebullicin puede ser mantenida con una llama muy dbil ( caso del circuito de pocas prdidas en que las oscilaciones son entretenidas por una pequea aportacin de energa ). Pero si la cacerola pierde mucho calor, por ejemplo a consecuencia de que su superficie de refrigeracin es extensa , ser necesaria una llama intensa para mantener la ebullicin . Este es el caso del circuito oscilante fuertemente amortiguado.

RESONANCIA EN SERIE Y EN PARALELO Resumamos ahora las nociones que hemos adquirido acerca de la resonancia . En el caso de la figura 1A , estamos en presencia de un condensador y de una bobina conectados en serie con la fuente de tensin . Para la frecuencia de resonancia , este circuito ofrece la mnima impedancia , y la intensidad de la corriente alcanza el mximo.En el caso de la figura 3B , el condensador y la bobina estn conectados en paralelo con la fuente de tensin alterna . El circuito oscilante opone entonces a la fuente la impedancia mxima y deja pasar una corriente de intensidad muy pequea ; pero esta pequea corriente es suficiente para entretener en el interior del circuito una corriente de gran intensidad . Examinando este ltimo caso se comprende bien que las tensiones de otras frecuencias que no sean la de resonancia , no poseern las mismas propiedades . Las OSCILACIONES FORZADAS engendradas en el circuito oscilante sern dbiles e igualmente ser dbil la impedancia que le opondr el circuito oscilante .

Todo ste Trabajo realizado por los Electrones genera una Potencia determinada en la Resistencia y su frmula es la siguiente :

P = Potencia ( WATTS ) V = Voltaje I = Corriente

CURSO DE ELECTRNICA BSICA 2

Indice de los temas tratados

GENERALIDADES RECTIFICADORES Rectificadores de xido de cobre Rectificadores de sulfuro de cobre Rectificadores de xido de plomo APLICACION COMO LIMITADORES DE VOLTAJE Rectificadores de selenio Diodos de germanio CARACTERISTICAS GENERALES RECOMENDACIONES Rectificadores de germanio CORRIENTES DE ELECTRONES Y HUECOS Rectificadores de silicio RECOMENDACIONES TRANSISTORES Teora elemental del TRANSISTOR EL Primer TRANSISTOR

No es tan fcil resumir una informacin que tiene una importancia muy grande, especialmente en este siglo, pero tratar de ser lo ms claro posible, teniendo presente que la informacin que a continuacin se presenta es de cultura general.

GENERALIDADES En los ltimos aos las investigaciones realizadas por un gran nmero de cientficos, sobre el comportamiento al paso de la corriente elctrica en los materiales llamados semiconductores, han dado por resultado una serie de descubrimientos y adelantos de tal naturaleza que su desenlace es casi imposible prever. Desde que apareci la primera aplicacin en 1915 con el detector de galena, hasta 1939-40, se puede decir que fue un periodo de incertidumbre, luego en 1948, apareci el transistor de puntas; en 1950 el transistor de Shockley; en 1953 el diodo de tnel; en 1958 el tecnetrn, y en 1960 los circuitos integrados, etc. . Quiz ninguna tcnica ha hecho tan rpidos progresos como la de los semiconductores, los cuales son capaces de representar los mismos papeles que los tubos de vaco, pero con numerosas ventajas.

Los varios congresos cientficos han contribuido a mejorar la colaboracin internacional, dirigida al estudio terico de los semiconductores, en que han participado 1.300 representantes de 22 pases, habindose fijado las directrices de los esfuerzos comunes. El ms conocido de estos elementos es el transistor que, sin embargo, no es ms que un brillante representante de un grupo vastsimo. En gran parte, estos progresos han sido posibles por las pacientes investigaciones para encontrar nuevos mtodos de purificacin de los materiales, llegando a purezas jams logradas, del orden de diez mil millones de tomos del cuerpo investigado, por un tomo solamente de impureza. Por medio de los mtodos qumicos y fiscos habituales es imposible descubrir estos residuos tan nimios de impurezas. Ha sido necesario idear nuevos procedimientos de anlisis basados en los fenmenos elctrico-magnticos, fotomagneto-elctricos, etc. Antes de 1940, los fenmenos que se desarrollaban en los semiconductores eran, desde muchos puntos de vista, bastante misteriosos. La conductibilidad elctrica de estos cuerpos, siendo notablemente inferior a la de los metales, no era suficientemente alta para considerarlos como aislantes; adems, en muchos casos aumentaba rpidamente la conductibilidad con la temperatura, lo que constitua un fenmeno desconocido en los metales. Actualmente, en el vasto campo de los semiconductores se emplean mezclas de xidos de metales: cobre, uranio, manganeso, nquel, cobalto, hierro, etc., segn sea su aplicacin y el fenmeno que se desee utilizar, pues en unos su resistencia elctrica varia con el calor, en otros con el potencial elctrico empleado, en otros an con la luz o con la cantidad de flujo magntico a que estn sometidos. Tambin son muy empleados el selenio, el silicio, el germanio, etc., y ahora empiezan a emplearse combinaciones como antimoniouro de indio, seleniuro de cadmio, sulfuro de plomo, etc. Igualmente se utilizan mezclas de xidos tales como el xido ferroso-frrico o magnetita y combinaciones oxigenadas de titanio, Magnesio, Cromo, Circonio, etc. El Titanato de cinc y el Aluminato de Magnesio, etc. , se emplean principalmente para la fabricacin de los llamados termistores, cuyo nombre deriva de la contraccin del trmino ingls thermal-resistor (resistencia trmica) o resistencias NTC ( Negative Temperature Coefficient ). Antes de seguir conociendo la gran variedad de semiconductores, comenzaremos destacando: En el ao 1947 un grupo de cientficos de los Laboratorios BELL, John Bardeen, William Shockley y Walter Brattain, descubrieron uno de los primeros Semiconductores que podra reemplazar al TUBO, y ese sera el DIODO hecho de GERMANIO (ubicado en la TABLA PERIDICA dentro del grupo de los Metaloides), que teniendo una cierta cantidad de impurezas podra trabajar como rectificador.

RECTIFICADORES. Los Rectificadores, que tienen valores muy diferentes de resistencia segn sea la polaridad de la corriente, tal como el xido de cobre, el selenio, el silicio, el germanio, etc. Dentro de este grupo hay que citar los que, adems, varan con la tensin que se les aplica (diodos de Zener, protectores de contactos y sobretensiones). El funcionamiento de los rectificadores slidos, o sea, de semiconductores, se basa, como ya hemos dicho, en la gran resistencia que presentan al paso de la corriente en un sentido, con diferencias de 5.000 a 25.000 veces ms que en sentido opuesto, segn los materiales.

Existen varias clases de rectificadores a saber:

Rectificadores de xido de cobre Estos rectificadores estn constituidos por una capa de xido cuproso formado sobre una placa de cobre (generalmente de Chile) limpiado qumicamente y oxidado en atmsfera de aire a temperatura de 1.000 C. durante diez o veinte minutos para formar una capa de xido cuproso de aproximadamente 0,1 m/m, sometida despus durante algunos minutos a 550 C. y enfriada bruscamente en agua. En esta segunda fase se ha formado una capa de xido negro que debe ser eliminado por accin qumica. Para establecer el contacto sobre la superficie del xido, se les recubre con una capa metlica depositada por proyeccin a pistola, evaporacin o deposicin galvanoplstica. La corriente circulara fcilmente de la capa de contacto al cobre, pero no en sentido contrario. Este tipo es muy empleado para rectificadores en los aparatos de medidas elctricas por su gran estabilidad y baja resistencia, pero no puede soportar tensiones inversas superiores a 2 o 3 voltios por placa; tambin se recomienda no sobrepasar la temperatura de 50 C. si se quiere lograr larga duracin.

Rectificadores de sulfuro de cobre Tambin existen rectificadores de sulfuro de cobre al magnesio, que se montan en la fabricacin sobre placas de magnesio. Son mucho ms livianos que los de xido de cobre y pueden soportar algo ms de temperatura, pero son menos eficaces.

Rectificadores de xido de plomo En este tipo llamado Ploxid, el disco o placa de cobre oxidado ha sido sustituido por plomo tambin oxidado. Cuando la corriente pasa en sentido xido-plomo encuentra una resistencia de unos 40 ohmios, mientras en sentido contrario la resistencia es de unos 200.000 ohmios (200 K OHM).

APLICACION COMO LIMITADORES DE VOLTAJE Para esta aplicacin se hace variar las caractersticas, o sea, la tensin inversa mxima segn el uso a que estn destinados, por medio de adiciones de pequeas impurezas (tales como talio u otras), o con cambios en los procesos de fabricacin. Estas caractersticas pueden ser aprovechadas en sentido de tensin directa o inversa: Tensin directa: el negativo se aplica al cobre o soporte y el positivo al contacto o recubrimiento exterior. Tensin inversa: el cobre es positivo y el recubrimiento negativo; generalmente esta tensin no debe exceder de cuatro voltios. En la fig.1 se podr observar que, cuando la tensin es directa, al pasar de 0,1 a 1 voltio la resistencia se reduce ms de 1.000 veces y, por tanto, puede ser colocada en paralelo en

cualquier circuito para que acte como derivacin cuando el voltaje correspondiente sobrepasa al valor normal (diodo Zener).

Fig.1 Curva caracterstica de los diodos de Cobre-Talio. La fig.1 corresponde a la curva caracterstica de la resistencia-voltaje de dos diodos TalioCobre de 38 mm de dimetro conectadas en oposicin para lograr una curva simtrica en ambos sentidos (corriente alterna). Hasta 0,1 voltio la resistencia es de 10.000 ohmios (10 K OHM) y al llegar al voltio ha descendido hasta 5 ohmios.

Rectificadores de selenio Su composicin y formacin es distinta a la de los rectificadores de cobre, pues requieren la accin de la corriente elctrica para formar la pelcula rectificadora, y estn compuestos por una placa de hierro recubierta por una cara con una fina capa de selenio el cual, despus de un tratamiento trmico, es recubierto por una capa de un metal blando que, forma el otro electrodo. La corriente circular fcilmente del hierro al selenio, pero en sentido contrario encontrar una gran resistencia. La temperatura mxima de trabajo es de 75 C., la carga continua aproximada que pueden soportar sin refrigeracin es de unos 50 mA por centmetro cuadrado. Las tensiones inversas que pueden soportar oscilan de 14 a 24 voltios, aunque ltimamente y con nuevas tcnicas de fabricacin han aparecido tipos con tensiones inversas bastante mayores. Modernamente, para reducir el peso y evitar algunos otros inconvenientes, ha sido sustituido el hierro de las placas sustentadoras por aluminio con unas capas de plata y nquel. Para lograr la deposicin homognea y sin impurezas de la fina capa de selenio, se utiliza el procedimiento llamado de mentalizacin por alto vaco. Nunca se debe hacer trabajar prolongadamente a estos rectificadores a una corriente continua inversa mxima, pues sta tiende a incrementar lentamente las corrientes inversas llegando a alcanzar valores peligrosos. Por esto hay que tomar siempre valores inferiores a los indicados como mximos en las tablas de los fabricantes. En corriente alterna no se presenta este efecto y por tanto pueden soportar indefinidamente las Corrientes mximas. Si estn destinados a cargadores de bateras es conveniente colocar un interruptor en el circuito de salida; de lo contrario se descargara la batera cuando se produjera un fallo de corriente en la red, o en caso de paro del rectificador sin desconexin de las bateras. Es importante sealar que en esta clase de rectificadores, una dbil variacin de la tensin alterna provoca una variacin mucho ms importante de la intensidad

rectificada, que puede constituir una sobrecarga peligrosa. Se puede indicar a titulo de orientacin que una elevacin del 5% de la tensin alterna puede llegar a aumentar la intensidad rectificada en un 30% o ms, segn el montaje. Al proyectar un rectificador es necesario consultar con el fabricante las cargas mximas de seguridad admisibles y contrastarlas en la practica, teniendo en cuenta que la temperatura de las placas nunca debe llegar a los 70 C. o ms; de lo contrario su destruccin ser rpida. Hay que procurar la mxima refrigeracin, pues cuanto ms fras trabajen dichas placas mejor ser su rendimiento y duracin. El gran nmero de publicaciones aparecidas sobre los rectificadores de Germanio y Silicio ha podido hacer pensar que estos nuevos rectificadores pueden considerarse perfectos y que quedaran eliminados rpidamente los de selenio. Sin embargo, los conocimientos adquiridos estos ltimos aos en la fsica de los slidos y la necesidad de enfrentarse con la competencia, han conducido a mejoras muy importantes en los rendimientos del Selenio, pudindoseles comparar ventajosamente en algunos aspectos con los de Germanio y Silicio.

Diodos de germanio Esta clase de rectificadores consta de un trocito o cristal de germanio y una punta de contacto de hilo de tungsteno, encerrados ambos en una cpsula hermtica o botella de vidrio.

El hecho de que un cristal de germanio, con una reducida rea en la punta de contacto sobre su superficie, acte como rectificador, puede explicarse suponiendo la existencia de una capa barrera natural, formada en el momento de hacerse la unin fsica en la superficie de contacto del cristal, la cual desaparece cuando se aplica tensin positiva (+) al hilo de tungsteno y una tensin negativa (-) al cristal germanio de tipo N, y en cambio presenta una gran resistencia si se le aplican tensiones inversas.

Se dan numerosas explicaciones acerca de la naturaleza de esta barrera, ninguna de las cuales es completamente satisfactoria.

Fig.2 Curva caracterstica de un detector de Germanio.

En la figura puede apreciarse la curva caracterstica del funcionamiento de estos diodos; cuando la tensin inversa excede de un cierto valor, la resistencia decrece repentinamente. El potencial a que se produce este fenmeno se denomina de inversin. Los diodos de germanio se dividen en dos grupos: Los de tipo de alta tensin inversa, fabricados con germanio de gran pureza. Los de baja resistencia que contienen germanio provisto de impurezas apropiadas. Sus aplicaciones son ilimitadas en radio, televisin, instrumentos de medida, etc.

CARACTERISTICAS GENERALES Son de gran robustez, no afectndoles los golpes mecnicos, vibraciones, etc. Tienen gran estabilidad elctrica y elevadas caractersticas. Su capacidad muy pequea (0,8 pf y ms) les permite trabajar con frecuencias de 100 MHz y ms altas. Su vida til es larga, pues se calcula en unas 10.000 horas. Por su construccin hermtica estn completamente protegidos contra las influencias atmosfricas y polvos e incluso pueden ser sumergidos en agua. Recuperan sus caractersticas despus de variaciones de temperaturas de -40 a +70 C, tienen un tamao muy reducido y son de fcil montaje. Permiten Corrientes medias de hasta 50 mA y pueden soportar sin peligro sobrecargas transitorias importantes. Tienen elevadas tensiones inversas (de 50 -120 V), las ltimas investigaciones han permitido ya modelos con tensiones inversas superiores a 350 V Peak. RECOMENDACIONES La transmisin de una temperatura elevada al cuerpo del diodo podra entraar su destruccin. Per tanto se recomienda sostener los terminales con unos alicates durante su soldadura, para que absorban el calor desarrollado e impidan su transmisin al diodo. Tambin se recomienda no ensayar nunca los diodos con meghmetros o instrumentos similares de tensin elevada, pues podran inutilizarlos. Si se les quiere comprobar, se debe hacer con un hmetro de pilas y tensin mxima de 4,5 V, y preferiblemente del modo indicado en la figura con el que se podrn determinar las caractersticas directas e inversas.

Rectificadores de germanio A continuacin describiremos un esbozo de su teora que nos servir para ms adelante ampliarla y poder describir tambin el funcionamiento de los transistores. El germanio fue descubierto por Winkler en 1886, quien le dio el nombre en homenaje a su patria. El germanio tiene especial inters histrico porque su existencia fue prevista 15 aos antes por Mendeleieff (1871) en su famosa escala de clasificacin peridica de los elementos existentes en la naturaleza, con el nombre de (Ekasilisium). Ese cuerpo, cuyas propiedades fsicas y qumicas apenas eran conocidas hace unos aos, puede considerarse en la actualidad como la substancia slida cuyas propiedades han sido estudiadas ms detalladamente. Aparece como una impureza del carbn en una proporcin de 0,002% y al quemarse el cok se aumenta su concentracin, llegando al 1% en el polvo que queda en las grandes chimeneas de las grandes instalaciones siderrgicas. Su aspecto es parecido al estao, pero su precio es tan elevado como el oro. En estado puro es aislante, para su empleo en los transistores, que requiere una gran pureza, se ha llegado a la proporcin de 1 por 10.000.000 siendo uno de los materiales de mayor pureza conseguidos. Cuando se le aaden pequeas impurezas determinadas en proporcin de 1 por 1 milln, conduce la electricidad. La adicin de estas impurezas tan pequeas de modo que queden bien repartidas es una operacin extremadamente difcil. Mezclar una parte de arsnico en un milln de partes de germanio puro, seria lo mismo que aadir una cucharada de sal en un recipiente de sopa equivalente a 6 grandes camiones tanques y garantizar que est bien repartida en todo el recipiente. Como decamos, al adicionarle pequeas cantidades de otras sustancias sus propiedades qumicas y elctricas varan totalmente. Para explicar mejor la teora de los semiconductores, nos adentraremos en el campo de la fsica de estado slido y expondremos algunos de los principales conceptos establecidos. Empezaremos considerando los electrones y su movimiento en los semiconductores. Debe tenerse en cuenta que aunque en un trozo de material semiconductor hay muchos electrones, la mayora de ellos estn fuertemente ligados a sus Atomos afines y no son libres para moverse ni conducir corriente. Solamente muy pocos estn relativamente libres, los electrones ms exteriores del

tomo y que ordinariamente determinan su valencia qumica. Por esta razn a estos electrones libres se les denomina electrones de valencia. La corriente elctrica suele ser considerada como un flujo de electrones. Uno de los conceptos ms importantes en la teora del semiconductor es que la corriente elctrica puede ser considerada no slo como un flujo de electrones, sino tambin como un flujo de huecos (iones) cargados positivamente. Un hueco positivo, o ms sencillamente un hueco, se puede considerar como ausencia de un electrn del puesto en que normalmente est situado. En muchos casos es ms cmodo describir una situacin por medio de huecos y su movimiento; en otros casos es ms cmodo el movimiento de electrones, y en otros el movimiento de ambos. Para hacerse una idea del concepto de huecos y su movimiento, consideremos el siguiente ejemplo: un garaje lleno en el que slo hubiese un espacio de aparcamiento vacante, situado en el fondo del mismo (fig.A). Supongamos ahora que llega un coche a la entrada del garaje. El encargado del aparcamiento desplazar algunos de los coches hacia el fondo para acomodar al nuevo coche. En esencia lo que habr hecho el empleado ser desplazar el espacio vacante hacia delante, o sea, hacia la entrada del garaje (fig.B). Por lo tanto ha sido desplazado el hueco en direccin opuesta al flujo de coches.

Aplicando la analoga de la figura al semiconductor, los automviles seran los electrones y los espacios seran los huecos. Como en este caso hay electrones en exceso, stos son los portadores mayoritarios y los huecos son los portadores minoritarios. Un semiconductor de este tipo seria denominado de tipo N a causa de que la mayor parte de la corriente es transportada por electrones (cargas negativas). Cuando prevalece la situacin contraria y son los huecos los que estn en exceso, al semiconductor se le denomina tipo P, a causa de que la mayor parte de la corriente es transportada por cargas positivas (huecos). En este caso los electrones son los portadores minoritarios. El germanio tiene un ncleo y 32 Atomos; 4 de estos Atomos, llamados de valencia, son los que forman las uniones con los dems Atomos de otros elementos; los 28 restantes estn fuertemente ligados y no pueden representar ningn papel en la combinacin elctrica.

Supongamos que introducimos una impureza, por ejemplo el arsnico, que tiene 5 tomos de valencia; como solo se precisan 4 para enlazar con los del germanio, sobra uno, que puede moverse libremente, y como es portador de una carga negativa, este germanio ser denominado de tipo N y tiene la mxima conductibilidad para las cargas negativas. Al arsnico se le denomina <donador> as como al fsforo y al antimonio, tambin empleados para ello. Si en vez de arsnico introducimos boro o aluminio que slo tienen 3 electrones de valencia, el que quedar libre ser uno de germanio, o sea, de los llamados <huecos> que son de signo positivo, denominndose entonces germanio tipo P y a este tipo de impurezas se les llama <aceptadores>. Este tipo de germanio tiene la mxima conductibilidad para las cargas positivas.

CORRIENTES DE ELECTRONES Y HUECOS Cuando se aplica una tensin a travs de un trozo homogneo de silicio o germanio habr deslizamiento de los electrones hacia el electrodo positivo y de los huecos hacia el electrodo negativo, pues polos opuestos se atraen. Si se ponen en contacto dos trozos de germanio de los anteriormente mencionados, o sea, uno positivo y uno negativo, y hacemos circular la corriente de una pila, pueden suceder dos cosas: a) Si aplicamos al polo positivo (+) de la pila al germanio P y el negativo (-) al germanio N, las cargas positivas de las pilas repelern a los electrones positivos y libres del germanio y las cargas negativas a los electrones negativos, respectivamente (pues cargas del mismo nombre se repelen), obligndolas a concentrarse en la zona del contacto de los dos germanios; entonces, como los electrones negativos son atrados por los positivos P (pues las cargas contrarias se atraen), una pequea tensin aplicada ser suficiente para que circulen por la superficie de contacto, corrientes relativamente intensas, y a este sentido de conduccin se le llama polarizacin directa.

b) Si por el contrario, aplicamos al germanio P el polo negativo(-) y al N el polo positivo(+), los electrones se alejarn de la superficie de contacto, aumentando sta su resistencia hasta convertirse casi en aislante; a este sentido se le llama de polarizacin indirecta o inversa.

Estas propiedades hacen que se empleen para la rectificacin, o deteccin, habindose llegado a construir rectificadores de germanio de grandes intensidades y con rendimientos de un 99 %, mientras que con las vlvulas slo se ha llegado a un mximo de un 80 %. Existen tipos de alta conductibilidad para grandes intensidades y bajas tensiones, y tipos de alta resistencia inversa para pequeas intensidades y ms altas tensiones. El rectificador de germanio tiene la gran ventaja de su elevado rendimiento y reducido espacio. Podra calificrsele de ideal si no fuera por su gran sensibilidad a las temperaturas un poco altas de ambiente.

Rectificadores de silicio En los ltimos aos los rectificadores de gran potencia han pasado de elementos de laboratorio al servicio de la industria con grandes ventajas, en precio, volumen y conservacin. Se han construido ya rectificadores de silicio de 50 kW, lo que permite reemplazar a los antiguos rectificadores de vapor de mercurio de descarga gaseosa. Aunque las propiedades del silicio eran conocidas desde muchos aos, hasta 1957, en que fue conseguido el silicio extrapuro, no fue posible su adopcin para grandes potencies. La

pureza es la clave del xito de dichos rectificadores, pues con ellos se han realizado uniones cuya punta de Corriente inversa se aproxima a los 2.000 V. Fig.4

Rectificadores de Germanio para grandes intensidades con Refrigeracin por lquidos y por aire. Dichos rectificadores funcionan por el mismo principio que los de Germanio, pero como ya hemos dicho, poseen mayores resistencias a la corriente inversa, lo que permite utilizarlos a muy altas tensiones fig.5

Rectificadores de silicio para tensiones elevadas. El SILICIO no se encuentra libre en la naturaleza. El hombre emple ya la slice en tiempos prehistricos (pedernal), abundantsimo compuesto de silicio, pero ste no fue reconocido como elemento hasta el siglo pasado y en el ao 1823 fue aislado por primera vez por Berzelius. Se sabe desde hace mucho tiempo que el silicio serva para rectificadores pero resultaba difcil conseguir una elevada pureza, por ser un material que fcilmente reacciona con otros componentes, como son los crisoles de grafito o de cuarzo, etc. Con recursos fsicos y tecnolgicos se han podido vencer las dificultades principales, obtenindose ya silicio de gran pureza, si bien con adiciones de otros materiales para determinar la conductibilidad, en forma anloga a como se hace en el germanio.

El SILICIO tiene 4 electrones de valencia, y adicionando una pequea parte de boro, que tiene 3 electrones de valencia, quedar 1 libre de silicio, o sea, un hueco; Por tanto, ser positivo (+) y se le denominar silicio P.

Si el SILICIO tiene 4 electrones de valencia, y le adicionamos antimonio, que tiene 5 electrones de valencia, el que quedar libre ser 1 de antimonio que, como es donador; Por tanto, ser negativo (-) y se le denominar silicio N. Las ventajas principales del silicio son que puede soportar temperaturas mas altas, normalmente 100 C y en algunos casos 200 C. Pueden tambin soportar Corrientes inversas de varios cientos de voltios por elemento, (2.000 PIV (Peak Inverse Voltage) y 800 Vef(Voltage efective)). Es ms insensible a las atmsferas dainas, pero tambin presenta mayor resistencia al paso de la corriente, pues la tensin de difusin en el Silicio es de 0,6 a 0,7 V, mientras que en el Germanio slo es de 0,2 a 0,3 V y, en consecuencia, el rendimiento para bajas tensiones tambin es inferior.

Fig.6 Curva caracterstica de un rectificador de silicio. Para la misma densidad de corriente, su temperatura ser ms elevada, lo que es una desventaja en contrapartida a sus grandes ventajas. No es conveniente trabajar con temperaturas altas, porque las prdidas con Corrientes inversas aumentan considerablemente y porque es necesario dejar un margen de seguridad para las sobrecargas.

Su resistencia a los cortocircuitos es menor que en los de Germanio, como consecuencia de su mayor resistencia. Tambin son peligrosos los cambios alternativos de temperatura, pues las dilataciones que originan pueden producir grietas en los cristales de silicio muy frgiles y quebradizos; en los de germanio este riesgo no es tan grande, y en los de selenio es mucho menor. En muchos aspectos el rectificador de Silicio es mejor que el de Germanio. Se le construye con placas de pocos milmetros cuadrados, montadas de forma que pueden disipar el calor generado en su interior, siendo sta la principal limitacin de su carga, pues, por lo dems, este material admite grandes intensidades. El material de recubrimiento o contacto normalmente usado es el Indio con una capa de Molibdeno, que tiene una dilatacin muy similar a la del Silicio, para compensar las tensiones mecnicas producidas por las temperaturas.

RECOMENDACIONES Si los rectificadores llevan placas o aletas para su refrigeracin, hay que procurar montarlas de forma que queden en posicin vertical, a fin de que haya una buena circulacin del aire entre ellas por conveccin; cuando se montan varios, no deben estar muy prximos para no dificultar su enfriamiento. En el caso de ambientes con temperaturas muy altas (y esto rige para toda clase de rectificadores) hay que reducir las cargas aplicando los coeficientes establecidos por los fabricantes de cada tipo de rectificador. Por el contrario, con refrigeracin forzada pueden aumentarse las cargas, de acuerdo con las temperaturas resultantes en los elementos rectificadores. La sensibilidad frente a las sobrecargas, aunque sean pasajeras, representa un problema especial para todos los dispositivos de semiconductores, principalmente los de alta potencia, pues la capacidad trmica de las capas de los semiconductores es muy pequea y esto hace subir rpidamente su temperatura, mientras la transmisin de este calor al cuerpo refrigerante adolece de relativa lentitud, resultando, por tanto, muy peligrosa.

TRANSISTORES Ms tarde en 1948, John Bardeen, William Shockley y Walter Brattain, continuando con las investigaciones, descubren que al mezclar ms elementos o cristales pertenecientes al grupo de los Metaloides, midiendo valores resistivos y aplicndoles seales o corrientes, obtenan como resultado una amplificacin de stas. El controlar las resistencias (polarizando sus junturas) es lo que haca al semiconductor, bautizado como Transistor (TRANSFER RESISTOR = Transferencia de Resistencia), ser usado como un conductor o un no conductor y especialmente como Amplificador de seales. Sus fundamentos han sido descrito como el fenmeno fsico ms sorprendente y uno de los avances cientficos ms grandes de nuestra poca, y tambin el ms importante dentro de la electrnica despus de que, a fines del siglo pasado, Fleming, estudiando el efecto Edison, invent la vlvula diodo, que posteriormente perfeccionaron Lee de Forest y Langmuir, ideando el triodo. Los Cientficos Shockley, Brattain y Bardeen (de izquierda a derecha).

Las vlvulas han mantenido su supremaca durante ms de 40 aos, pero a pesar de sus grandes progresos y perfeccionamientos necesitan 1 vatio de consumo para amplificar un microvatio, mientras el transistor tiene un rendimiento de un 25 a un 40 %, y slo necesita una potencia un milln de veces menor que la vlvula; adems, stas tienen actualmente un volumen relativamente grande.

Fig.7 Comparacin del tamao de un transistor con una vlvula normal.

Teora elemental del TRANSISTOR

Sus fundamentos es en ltimo extremo el mismo que el de los rectificadores o diodos de Germanio y Silicio. Los materiales empleados son, entre otros, el Germanio y el Silicio, porque tienen la propiedad de que puede acelerarse grandemente el movimiento de los electrones por medio de una corriente elctrica. Describiremos el sistema de contacto, por ser el que tiene ms parecido al diodo ya descrito. Se compone de tres discos de Germanio o Silicio (algunos del grueso de un cabello) con sus terminales o conexiones, el disco central, llamado base es de polaridad distinta a la de los extremos; por ejemplo, en el transistor tipo NPN, el disco central es de Germanio positivo P, mientras los dos extremos son negativos N; como puede observarse en la figura 8, uno de los discos exteriores N est polarizado en sentido contrario al de la base P, es decir, que el diodo as formado no es conductor, y se le llama colector (la unin PN, base-colector). Fig.8 Transistor de unin.

Fig.9

En cambio, el otro disco exterior N se polariza en sentido directo con respecto a la base P, es decir, que el diodo as formado es conductor, y ste electrodo se denomina emisor (la unin NP, emisor-base).

Mientras en el circuito emisor no se aplica corriente, en el otro circuito, o sea, el colector, aunque est conectada la pila, prcticamente no circular corriente; Pero si cerramos el circuito emisor, los electrones libres de ste pasarn a la base, y tambin parte de ellos sern atrados por el colector polarizado positivamente, provocando as una circulacin de corriente del colector. Entonces, si colocamos en el circuito del colector una elevada impedancia, se puede obtener en ella una tensin controlada por la corriente del emisor, resultando, por tanto, un amplificador. En los transistores PNP el funcionamiento es idntico. Pero con distintas polaridades.

Fig.10 Modo de trabajo Amplificador.

Con el circuito de la figura 10 se pueden obtener ganancias o amplificaciones mucho mayores, pues las Corrientes del Colector tambin circulan por el Emisor. En este circuito cuando los electrones del Emisor llegan a la Base, slo una mnima parte de ellos alcanzarn el borne de la pila de 1,5 V, porque, una vez en la Base, son atrados con mayor fuerza por la pila de 6 V conectada al Colector, necesitando por lo tanto la corriente de Emisor a Base ms pequea, por lo que ser ms ventajoso este circuito.

EL Primer TRANSISTOR.

Es as que comienza a ser usado el SILICIO como elemento primordial en el desarrollo de los TRANSISTORES, se estudian los elementos semimetlicos u xidos en los cuales la conductividad es electrnica. Los encontramos en todas partes, especialmente en nuestra vida diaria, los llevamos de una u otra forma, nos facilitan la forma de vivir, vidas dependen de ellos. Los SEMICONDUCTORES, desde su descubrimiento, son y sern los compaeros inseparables del ser Humano. Actualmente ningn cientfico prudente se atrevera a hacer predicciones acerca de los aparatos que estn actualmente en uso. Se ha dicho, y con razn, que la electrnica, es la ms dinmica de todas las tecnologas.

EL DIODO
1 INTRODUCCION
El diodo ideal es un componente discreto que permite la circulacin de corriente entre sus terminales en un determinado sentido, mientras que la bloquea en el sentido contrario. En la Figura 1 se muestran el smbolo y la curva caracterstica tensin-intensidad del funcionamiento del diodo ideal. El sentido permitido para la corriente es de A a K.

Figura 1: Smbolo y curva caracterstica tensin-corriente del diodo ideal. El funcionamiento del diodo ideal es el de un componente que presenta resistencia nula al paso de la corriente en un determinado sentido, y resistencia infinita en el sentido opuesto. La punta de la flecha del smbolo circuital, representada en la figura 1, indica el sentido permitido de la corriente.

presenta resistencia nula.

presenta resistencia infinita.

Mediante el siguiente ejemplo se pretende mostrar el funcionamiento ideal de un diodo en circuito sencillo.

Figura 2: Ejemplo de funcionamiento del diodo ideal. Segn est colocada la fuente, la corriente debe circular en sentido horario.

En el circuito de la izquierda, el diodo permite dicha circulacin, ya que la corriente entra por el nodo, y ste se comporta como un interruptor cerrado. Debido a esto, se produce una cada de tensin de 10V en la resistencia, y se obtiene una corriente de 5mA. En el circuito de la derecha, el diodo impide el paso de corriente, comportndose como un interruptor abierto, y la cada de tensin en la resistencia es nula: los 10V se aplican al diodo.

2 DIODO DE UNION PN
Actualmente los diodos se fabrican a partir de la unin de dos materiales semiconductores de caractersticas opuestas, es decir, uno de tipo N y otro de tipo P. A esta estructura se le aaden dos terminales metlicos para la conexin con el resto del circuito. En la Figura 3: se presenta el esquema de los dos tipos de diodos que se fabrican actualmente, el diodo vertical y el plano.

Figura 3: Esquemas de diodos de unin PN El hecho de que los diodos se fabriquen con estos materiales conlleva algunas desviaciones de comportamiento con respecto al diodo ideal. En este apartado se presenta en primer lugar el proceso de formacin de los diodos de semiconductores para pasar despus a exponer el comportamiento elctrico y las desviaciones con respecto al comportamiento ideal.

2.1 Formacin de la unin PN

Supongamos que se dispone de un monocristal de silicio puro, dividido en dos zonas con una frontera ntida, definida por un plano. Una zona se dopa con impurezas de tipo P y la otra de tipo N (Figura 4). La zona P tiene un exceso de huecos, y se obtiene introduciendo tomos del grupo III en la red cristalina (por ejemplo, boro). La zona N dispone de electrones en exceso, procedentes de tomos del grupo V (fsforo). En ambos casos se tienen tambin portadores de signo contrario, aunque en una concentracin varios rdenes de magnitud inferior (portadores minoritarios).

Figura 4: Impurificacin del silicio para la obtencin de diodos PN En cada zona la carga total es neutra: por cada electrn hay un ion positivo, y por cada hueco un ion negativo, es decir, no existen distribuciones de carga neta, ni campos elctricos internos. En el momento mismo de crear dos zonas de diferente concentracin de portadores, entra en juego el mecanismo de la difusin. Como se recordar, este fenmeno tiende a llevar partculas de donde hay ms a donde hay menos. El efecto es que los electrones y los huecos cercanos a la unin de las dos zonas la cruzan y se instalan en la zona contraria, es decir:

Electrones de la zona N pasan a la zona P. Huecos de la zona P pasan a la zona N.

Este movimiento de portadores de carga tiene un doble efecto. Centrmonos en la regin de la zona P cercana a la unin: 1. El electrn que pasa la unin se recombina con un hueco. Aparece una carga negativa, ya que antes de que llegara el electrn la carga total era nula. 2. Al pasar el hueco de la zona P a la zona N, provoca un defecto de carga positiva en la zona P, con lo que tambin aparece una carga negativa. El mismo razonamiento, aunque con signos opuestos puede realizarse para la zona N. En consecuencia, a ambos lados de la unin se va creando una zona de carga, que es positiva en la zona N y negativa en la zona P (Figura 5).

Figura 5: Formacin de la unin PN En el ejemplo del captulo 5, los gases difunden completamente hasta llenar las dos estancias de la caja y formar una mezcla uniforme. Sin embargo, a diferencia de lo que ocurre con los gases de aquel ejemplo, en este caso estn difundiendo partculas cargadas. La distribucin de cargas formada en la regin de la unin provoca un campo elctrico desde la zona N a la zona P. Este campo elctrico se opone al movimiento de portadores segn la difusin, y va creciendo conforme pasan ms cargas a la zona opuesta. Al final la fuerza de la difusin y la del campo elctrico se equilibran y cesa el trasiego de portadores. En ese

momento est ya formado el diodo de unin PN, y como resultado del proceso se ha obtenido:

Zona P, semiconductora, con una resistencia RP. Zona N, semiconductora, con una resistencia . Zona de agotamiento (depleccin): No es conductora, puesto que no posee portadores de carga libres. En ella acta un campo elctrico, o bien entre los extremos acta una barrera de potencial.

Hay que tener en cuenta que este proceso sucede instantneamente en el momento en el que se ponen en contacto las zonas N y P, y no necesita de ningn aporte de energa, excepto el de la agitacin trmica.

2.2 Polarizacin directa

El bloque PN descrito en el apartado anterior (Figura 6) en principio no permite el establecimiento de una corriente elctrica entre sus terminales puesto que la zona de depleccin no es conductora.

Figura 6: Diodo PN durante la aplicacin de una tensin inferior a la de barrera Sin embargo, si se aplica una tensin positiva en el nodo, se generar un campo elctrico que "empujar" los huecos hacia la unin, provocando un estrechamiento de la zona de depleccin (Figura 7). Sin embargo, mientras sta exista no ser posible la conduccin.

Figura 7: Diodo PN bajo la accin de una tensin mayor que la de barrera

Si la tensin aplicada supera a la de barrera, desaparece la zona de depleccin y el dispositivo conduce. De forma simplificada e ideal, lo que sucede es lo siguiente (Figura 7): 1. Electrones y huecos se dirigen a la unin. 2. En la unin se recombinan. En resumen, polarizar un diodo PNen directa es aplicar tensin positiva a la zona P y negativa a la zona N. Un diodo PN conduce en directa porque se inunda de cargas mviles la zona de depleccin. La tensin aplicada se emplea en:

Vencer la barrera de potencial. Mover los portadores de carga.

2.3 Polarizacin inversa

Al contrario que en el apartado anterior, al aplicar una tensin positiva a la zona N y negativa a la zona P, se retiran portadores mayoritarios prximos a la unin. Estos portadores son atrados hacia los contactos aumentando la anchura de la zona de depleccin. Esto hace que la corriente debido a los portadores mayoritarios sea nula (Figura 8). Ahora bien, en ambas zonas hay portadores minoritarios. Un diodo polarizado en inversa lo est en directa para los minoritarios, que son atrados hacia la unin. El movimiento de estos portadores minoritarios crea una corriente, aunque muy inferior que la obtenida en polarizacin directa para los mismos niveles de tensin.

Figura 8: Diodo PN polarizado en inversa Al aumentar la tensin inversa, llega un momento en que se produce la ruptura de la zona de depleccin, al igual que sucede en un material aislante: el campo elctrico puede ser tan elevado que arranque electrones que forman los enlaces covalentes entre los tomos de silicio, originando un proceso de rotura por avalancha. (Nota: Sin embargo, ello no conlleva necesariamente la destruccin del diodo, mientras la potencia consumida por el diodo se mantenga en niveles admisibles).

2.4 Caracterstica tensin-corriente

La Figura 9 muestra la caracterstica V-I (tensin-corriente) tpica de un diodo real.

Figura 9: Caracterstica V-I de un diodo de unin PN. En la grfica se aprecian claramente diferenciadas las diversas regiones de funcionamiento explicadas en el apartado anterior:

Regin de conduccin en polarizacin directa (PD). o Regin de corte en polarizacin inversa (PI). o Regin de conduccin en polarizacin inversa.

Por encima de 0 Voltios, la corriente que circula es muy pequea, hasta que no se alcanza la tensin de barrera (VON). El paso de conduccin a corte no es instantneo: a partir de VON la resistencia que ofrece el componente al paso de la corriente disminuye progresivamente, hasta quedar limitada slo por las resistencias internas de las zonas P y N. La intensidad que circula por la unin aumenta rpidamente. En el caso de los diodos de silicio, VON se sita en torno a 0,7 V. Cuando se polariza con tensiones menores de 0 Voltios, la corriente es mucho menor que la que se obtiene para los mismos niveles de tensin que en directa, hasta llegar a la ruptura, en la que de nuevo aumenta.

2.5 Diferencias entre el diodo de unin PN y el diodo ideal

Las principales diferencias entre el comportamiento real y ideal son: 1. 2. 3. 4. La resistencia del diodo en polarizacin directa no es nula. La tensin para la que comienza la conduccin es VON. En polarizacin inversa aparece una pequea corriente. A partir de una tensin en inversa el dispositivo entra en coduccin por avalancha.

En la Figura 10 vemos representadas ms claramente estas diferencias entre los comportamientos del diodo de unin PN e ideal.

Figura 10: Diferencias entre el comportamiento del diodo de unin PN y del diodo ideal

2.6 Principales caractersticas comerciales

A la hora de elegir un diodo para una aplicacin concreta se debe cuidar que presente unas caractersticas apropiadas para dicha aplicacin. Para ello, se debe examinar cuidadosamente la hoja de especificaciones que el fabricante provee. Las caractersticas comerciales ms importantes de los diodos que aparecen en cualquier hoja de especificaciones son: 1. Corriente mxima en directa, IFmax o IFM (DC forward current): Es la corriente continua mxima que puede atravesar el diodo en directa sin que este sufra ningn dao, puesto que una alta corriente puede provocar un calentamiento por efecto Joule excesivo. Los fabricantes suelen distinguir tres lmites:

o o o

Corriente mxima continua (IFM) Corriente de pico transitoria (Peak forward surge current), en la que se especifica tambin el tiempo que dura el pico Corriente de pico repetitivo (Recurrent peak forward current), en la que se especifica la frecuencia mxima del pico

1. Tensin de ruptura en polarizacin inversa (Breakdown Voltage, BV; Peak Inverse Voltage, PIV): Es la tensin a la que se produce el fenmeno de ruptura por avalancha. 2. Tensin mxima de trabajo en inversa (Maximun Working Inverse Voltage): Es la tensin que el fabricante recomienda no sobrepasar para una operacin en inversa segura. 3. Corriente en inversa, IR (Reverse current): Es habitual que se exprese para diferentes valores de la tensin inversa 4. Cada de tensin en PD, VF (Forward Voltage): Pese a que se ha sealado anteriormente los 0.7V como valor tpico, en muchas ocasiones los fabricantes aportan datos detallados de esta cada de tensin, mediante la grfica I-V del dispositivo. Adems, es frecuente que los fabricantes suministren datos adicionales a cerca del comportamiento del dispositivo para otras temperaturas diferentes a la nominal. En el Anejo A.1 de este documento se incluyen unas hojas de datos de diodos a modo de ejemplo.

3 MODELOS DEL DIODO DE UNION PN

A continuacin se van a explicar los diferentes tipos de modelos propuestos para el funcionamiento de un diodo de unin PN.

3.1 Modelos para seales continuas

Bajo el trmino seales continuas se engloban en este apartado tanto las seales constantes en el tiempo como aquellas que varan con una frecuencia muy baja.

3.1.1 Modelo DC del diodo real

El comportamiento del diodo real se corresponde con el indicado por la siguiente expresin:

en donde:

n, es el factor de idealidad. El valor n se ubica dentro del rango entre 1 y 2. Depende de las dimensiones del diodo, del material semiconductor, de la magnitud de la corriente directa y del valor de IS. VT, es el potencial trmico del diodo y es funcin de la constante de Boltzmann (K), la carga del electrn (q) y la temperatura absoluta del diodo T(K). La siguiente expresin permite el clculo de VT:

con

El potencial trmico a temperatura ambiente, T=25C, es VT=271mV.

R es la resistencia combinada de las zonas P y N, de manera que V-IR es la tensin que se est aplicando en la unin PN, siendo I la intensidad que circula por el componente y V la tensin entre terminales externos. IS, es la corriente inversa de saturacin del diodo. Depende de la estructura, del material, del dopado y fuertemente de la temperatura.

La representacin grfica de este modelo se muestra en la Figura 11:

Figura 11: Representacin grfica del modelo del diodo real. Como puede apreciarse, este modelo no da cuenta de la tensin de ruptura en inversa. El modelo puede completarse mediante la adicin de nuevos parmetros que incluyan efectos no contemplados en la teora bsica. Por ejemplo, algunos modelos empleados en los programas simulacin por ordenador constan de hasta quince parmetros. Sin embargo, a la

hora de realizar clculos sobre el papel resulta poco prctico. Por ello es habitual realizar simplificaciones del modelo para obtener soluciones de modo ms simple.

3.1.2 Modelo ideal del diodo de unin PN.

El modelo ideal del diodo de unin PN se obtiene asumiendo las siguientes simplificaciones:

Se toma el factor de idealidad como la unidad, n=1. Se supone que la resistencia interna del diodo es muy pequea y que, por lo tanto, la cada de tensin en las zonas P y N es muy pequea, frente a la cada de tensin en la unin PN.

Para V<0, el trmino exponencial es muy pequeo, despreciable frente a la unidad. Entonces la intensidad tiende al valor IS, que como ya se haba indicado anteriormente, es la corriente inversa del diodo. Para V>0, la exponencial crece rpidamente por encima de la unidad.

3.1.3 Modelo lineal por tramos

Al igual que el modelo real, el modelo ideal sigue siendo poco prctico, dado su carcter no lineal. El modelo lineal por tramos se obtiene como una aproximacin del modelo ideal del diodo de unin PN, considerando las siguientes simplificaciones:

En inversa, la corriente a travs de la unin es nula. En directa, la cada de tensin en la unin PN (VON) es constante e independiente de la intensidad que circule por el diodo.

Para calcular el valor de VON se considera un diodo de unin PN de silicio con una I S= 85 fA a una temperatura ambiente de T=25 C. El potencial trmico a esa temperatura es VT=27 mV. Tomando como variable independiente la intensidad I, la ecuacin ideal del diodo queda:

A partir de esta expresin, se puede calcular la cada de tensin en el diodo para las magnitudes de corriente habituales en los circuitos electrnicos. Por ejemplo, para un intervalo de corrientes 1 mA < I < 1 A se tienen tensiones 0.6 V <VDIODO< 0.77 V. Como se puede apreciar, mientras que la corriente ha variado 3 rdenes de magnitud, la tensin apenas ha experimentado un cambio de 200 mV, por lo que es posible aproximar la cada de tensin en la unin PN a un valor constante de 0.7 V. Con estas simplificaciones se consigue evitar las expresiones exponenciales que complican los clculos en la resolucin del circuito. Sin embargo, se divide el modelo en dos tramos lineales denominados inversa y directa (o corte y conduccin), cada uno de los cuales obedece a ecuaciones diferentes: el diodo queda convertido en un componente biestado. El modelo lineal por tramos queda sintetizado en la siguiente tabla: Estado Conduccin Modelo Condicin

Corte La Figura 12 muestra la curva caracterstica V-I del modelo lineal

Figura 12: Modelo lineal por tramos del diodo. En la Figura 12, quedan reflejados los dos posibles estados del diodo el diodo:

Conduccin o Polarizacin Directa "On", donde la tensin es VON para cualquier valor de la corriente. Corte o Polarizacin Inversa "Off", donde la corriente es nula para cualquier valor de tensin menor que VON.

El uso de este modelo slo est justificado en aquellas ocasiones en las que no se requiere una gran exactitud en los clculos.

3.2 Modelo para pequeas seales de alterna

Hay aplicaciones en las que el diodo se polariza en un punto de tensin positiva, y sobre ese punto se superpone una seal alterna de pequea amplitud.

Figura 13: Diodo polarizado con una seal alterna superpuesta a una continua El funcionamiento del diodo en esta situacin queda representada grficamente en la Figura 14:

Figura 14: Tensin y corriente en un diodo polarizado con una seal alterna superpuesta a una continua Cuando al diodo se le aplica una tensin dada por la expresin:

la corriente que lo atraviesa puede calcularse aplicando cualquiera de los modelos explicados anteriormente. Si se opta por el modelo exponencial ideal:

Supongamos que conocemos la amplitud de las oscilaciones de la tensin aplicada (VD) y queremos conocer la amplitud de las oscilaciones de la corriente (ID). El mtodo de clculo sera:

Como puede apreciarse, el clculo se complica. Si se considera adems que el diodo est dentro de un circuito es posible que ni siquiera pueda obtenerse una solucin analtica. Para obtener la solucin al problema citado de una forma ms simple se linealiza la curva del diodo en el entorno del punto de operacin, es decir, se sustituye dicha curva por la recta que tiene la misma pendiente en el punto de operacin, segn se aprecia en la Figura 15

Figura 15: Aproximacin de la caracterstica exponencial del diodo por la tangente en el punto de operacin Teniendo en cuenta esta aproximacin, la relacin entre los incrementos de tensin y de corriente pueden relacionarse tal y como se indica:

Obviamente, esta aproximacin ser tanto ms cierta cuanto menores sean los valores de VD e ID. A la derivada de la tensin con respecto a la corriente en el punto de operacin se le llama resistencia dinmica del diodo rD, y su expresin puede determinarse a partir del modelo exponencial del diodo, teniendo en cuenta que si VDQ es mayor que VT puede despreciarse la unidad frente al trmino exponencial:

Como VT 25 mV, la expresin vlida para el clculo de la resistencia dinmica de un diodo en funcin de la corriente de polarizacin continua puede escribirse de la siguiente forma, llamada aproximacin de Shockley:

Esta aproximacin slo es vlida en la regin de conduccin en polarizacin directa del diodo.

4 APLICACION DE LOS MODELOS AL ANALISIS DE CIRCUITOS

En este apartado se detallan algunos mtodos vlidos para el anlisis de circuitos con diodos, basndose en los modelos expuestos en el apartado anterior.

4.1 Modelo exponencial

Suponiendo que se dispone de un circuito en el que se desconoce la polarizacin del diodo, los pasos para resolver el problema seran: 1. Sustituir el diodo por una fuente de tensin VD con el signo positivo en el nodo, y nombrar como ID a la corriente que va de nodo a ctodo del diodo 2. Resolver el circuito empleando las variables VD e ID como si fueran conocidas 1. Obtener la expresin que relaciona VD con ID 2. La ecuacin del modelo del diodo proporciona otra relacin entre VD e ID 3. Se resuelve el sistema de dos ecuaciones con dos incgnitas resultante

4.2 Modelo lineal por tramos

Los pasos para calcular las tensiones y corrientes en un circuito con un diodos empleando el modelo lineal por tramos son: 1. Se asume la hiptesis de que el diodo est en uno de los dos estados posibles: corte o conduccin 2. Se sustituye el diodo por el modelo correspondiente y se calculan las tensiones y corrientes del circuito 3. Una vez calculado el punto de polarizacin del diodo se comprueba la validez de la hiptesis: los resultados obtenidos han de ser coherentes con la condicin de existencia. En el caso de que no lo sean, la hiptesis de partida no es correcta y es necesario rehacer todos los clculos desde el punto 1 con el modelo para el estado contrario.

4.3 Mtodo grfico

El procedimiento para el clculo sera ahora: 1. Eliminar el diodo del circuito 2. Calcular el circuito equivalente Thevenin entre los puntos en los que se encontraba conectado el diodo 3. Dibujar la recta de carga correspondiente al circuito Thevenin calculado 4. Dibujar en el mismo grfico la curva caracterstica del diodo 5. Hallar el punto de interseccin de ambas curvas

4.4 Pequeas seales de alterna

Los circuitos en los cuales las excitaciones son suma de una componente continua y otra alterna de pequea amplitud se resuelven aplicando el principio de superposicin (Figura 16)

Figura 16: Anlisis de circuitos con componentes continuas y pequeas seales de alterna El mtodo se resume en los siguientes puntos: 1. Anlisis DC del circuito: Se cortocircuita la fuente de AC y se calcula por cualquiera de lo mtodos anteriores el punto de operacin del diodo. 2. Clculo de la resistencia dinmica del diodo, basndose en los resultados del punto anterior 3. Anlisis AC del circuito: Se cortocircuitan las fuentes DC y se sustituye el diodo por su resistencia dinmica. De ese modo se obtiene el circuito equivalente AC, vlido para el clculo de las amplitudes de las oscilaciones de las seales.

5 DIODOS ZENER
Algunos diodos se disean para aprovechar la tensin inversa de ruptura, con una curva caracterstica brusca o afilada. Esto se consigue bsicamente a travs del control de los dopados. Con ello se logran tensiones de ruptura de 2V a 200V, y potencias mximas desde 0.5W a 50W. La caracterstica de un diodo zener se muestra en la Figura 17. Tericamente no se diferencia mucho del diodo ideal, aunque la filosofa de empleo es distinta: el diodo zener se utiliza para trabajar en la zona de ruptura, ya que mantiene constante la tensin entre sus terminales (tensin zener, VZ). Una aplicacin muy usual es la estabilizacin de tensiones.

Figura 17: Caracterstica V-I de un diodo Zener. Los parmetros comerciales del diodo zener son los mismos que los de un diodo normal, junto con los siguientes:

VZ: Tensin de zener IZM: Corriente mxima en inversa.

NOTA: Hay que tener en cuenta que el fabricante nos da los valores de VZ y IZM en valor absoluto. Al resolver un problema, no hay que olvidar que los valores son negativos con el criterio de signos establecido por el smbolo del componente (Figura 17). El zener es un dispositivo de tres estados operativos:

Conduccin en polarizacin directa: Como en un diodo normal Corte en polarizacin inversa: Como en un diodo normal Conduccin en polarizacin inversa: Mantiene constante la V=VZ, con una corriente entre 0 y IZM.

El modelo lineal por tramos para el diodo zener es el siguiente: Estado Conduccin P.D. Corte Conduccin P.I. Modelo V=VON I=0 V=VZ Condicin I>0 VZ<V<VON I<0

6 EJEMPLO DE APLICACION DEL DIODO: RECTIFICACION

La energa elctrica generada en las centrales de potencia es de tipo alterna sinusoidal. Esta energa se transmite hasta los centros de consumo mediante las redes de distribucin. Sin embargo, en muchas ocasiones, se requiere una tensin de alimentacin continua. Un rectificador es, bsicamente, un dispositivo que transforma la tensin alterna en continua.

Figura 18: Esquema general de la rectificacin. El rectificador es un aparato muy empleado en la vida diaria. Una gran parte de los electrodomsticos utilizados en el hogar llevan incorporado un dispositivo de este tipo. En general, estos aparatos necesitan menos tensin de alimentacin que la suministrada por la red, por ello llevan incorporado en primer lugar un transformador de tensin. El transformador reduce la tensin de la red (220V eficaces es una tensin generalmente demasiado alta para pequeos electrodomsticos) a la tensin deseada. Una vez reducida la tensin, el rectificador convierte la tensin alterna en continua. En este apartado se van a presentar los esquemas rectificadores ms comnmente empleados, partiendo para ello de un circuito bsico, e introduciendo en l los componentes necesarios para mejorar su comportamiento.

6.1 Notaciones
Las notaciones empleadas en este apartado se detallan en la Figura 19.

Figura 19: Notaciones.

vi: tensin de entrada, vi=VMsen(wt). VO: tensin de salida. RL: resistencia asociada al aparato o "carga" que se conecta al rectificador.

En el caso ms general, segn la notacin de la figura, la tensin vi sera la tensin de la red , la VO sera la tensin deseada en continua y la RL simbolizara al aparato musical, video, que por ser un elemento pasivo, puede reducirse a una simple resistencia de carga mediante su circuito equivalente Thevenin. Un rectificador funciona en vaco cuando no se le conecta ningn aparato, es decir, cuando la RL no est unida al circuito. En caso de que s est conectada se dice que funciona en carga.

6.2 Esquema bsico. Rizado de la onda de salida

El esquema de la Figura 20 es el ms sencillo de los rectificadores: el diodo. A continuacin se estudia este circuito, para despus discutir la validez del mismo.

Figura 20: Esquema de un sencillo rectificador. Cuando el valor de la tensin de entrada es superior a la de conduccin del diodo se crea una corriente, y se cumple que: VO = vi -VON. Como se puede apreciar, la tensin de salida VO se parece muy poco a lo que se entiende por tensin continua, es decir, un valor constante en el tiempo. Sin embargo, esta onda no es tan mala como parece. Aunque no es constante, siempre es mayor que cero. Adems, su valor medio es diferente de cero. Con los esquemas ms complejos, se intenta que esta onda de salida se parezca lo ms posible a una lnea horizontal, pero siempre tendremos una desviacin de la ideal, que se cuantifica por el rizado de la onda de salida:

En este caso, el rizado es del 100%. El problema con el que nos encontramos es que cuando el diodo est en corte no se alimenta a la carga. Para disminuir el rizado, es preciso suministrar energa a la carga durante los semiciclos en los que la fuente no acta.

Figura 21: Tensiones en el circuito de la Figura 20.

6.3 El condensador en los rectificadores

Como se recordar, el condensador es un componente que almacena energa. Cuando se somete a una diferencia de potencial, esta obliga a las cargas a situarse entre sus placas. En el momento en el que cesa el potencial, las cargas pueden retornar a un circuito y comportarse como un generador de tensin. En la Figura 22 se presenta el esquema elctrico que aplica este principio a la rectificacin. Lo que se pretende es que sea el condensador el que alimente a la carga cuando no pueda hacerlo la fuente de alimentacin.

Figura 22: Esquema de rectificador con condensador.

6.3.1 Funcionamiento en vaco:

Se estudiar en primer lugar el esquema en vaco, es decir, sin carga aplicada.

Figura 23: Funcionamiento en vaco. Sea vI = VMsen(wt), y la cada de tensin en el diodo en conduccin despreciable. En el instante inicial el condensador se encuentra descargado. En un punto entre , vi es mayor que cero, por lo tanto, el diodo D est polarizado en directa. Por l circula una corriente que carga al condensador. Se considera que el condensador se carga instantneamente (VC = vi). La carga del condensador es posible porque hay un camino en el circuito que se lo permite. En el instante , la tensin de entrada es mxima, vi = VM, as como la tensin del condensador. Cuando la tensin de entrada empieza a decrecer el condensador, cargado con una diferencia de potencial VC = VM, intenta seguir el ritmo que le marque la fuente de tensin, disminuyendo VC. Evidentemente, para que el valor de VC disminuya, es necesario que el condensador pierda parte de su carga ( ). Para ello, la corriente de descarga ha de seguir un camino contrario al de la corriente que lo carg, ya que el circuito se encuentra funcionando en vaco, sin ninguna carga RL conectada. La corriente no puede circular dado que el diodo est en inversa para ese sentido de circulacin, con lo que C no puede descargarse y mantiene fija la tensin VM. La siguiente figura refleja la carga y descarga del condensador:

Figura 24: Funcionamiento del condensador. Se puede deducir fcilmente, aplicando la ley de las mallas que cuando el diodo est en corte , o sea, VD siempre es menor o igual que cero, el diodo nunca conducir y el condensador nunca se descargar.

Figura 25: Tensiones en el circuito de la Figura 22. Por lo tanto el condensador mantiene la diferencia de potencial entre sus terminales. La Figura 25 resume todo lo visto en este subapartado. La onda de salida es perfecta para nuestros propsitos, ya que salvo entre 0 y es totalmente horizontal; pero vamos a ver qu pasa cuando el dispositivo funciona en carga.

6.3.2 Funcionamiento en carga:

Segn se ha definido previamente, el funcionamiento en carga es el que se obtiene al conectar una carga RL al dispositivo objeto de estudio.

Figura 26: Dispositivo en carga. Dado un valor de vi entre 0<wt<p/2. Al ser un valor positivo, el diodo est en conduccin. Hay dos caminos posibles para la intensidad que salga del generador. Por un lado, hay una corriente que carga el condensador, y por otro, una corriente que circule por R L. Si suponemos que estamos en bajas frecuencias, el valor de la intensidad que absorbe el condensador es despreciable frente a la que circula por RL, y se puede determinar el valor de la corriente que atraviesa la carga como:

Cuando wt>p/2 como en el caso anterior el diodo entra en corte al intentar descargarse el condensador por l. Sin embargo, ahora el condensador tiene un camino para descargarse a travs de RL. Mientras el diodo est en corte, la parte derecha del circuito se comporta independientemente con respecto al generador.

Figura 27: Descarga de C a travs de RL. El condensador va perdiendo su carga al poder cerrarse una corriente a travs de RL. De este modo, se cumple el objetivo de este diseo: C alimenta a la carga. Volviendo al circuito original. D estar en corte mientras VB sea menor que VA. Por lo tanto hay un punto en el que D vuelve a conducir (VB=VA), repitindose a partir de aqu toda la secuencia. Dicho funcionamiento se muestra en la Figura 28.

Figura 28: Tensiones en el circuito de la Figura 26. Tal como se aprecia en la figura Figura 28, el rizado obtenido es menor que el del esquema anterior. Su valor depende de la rapidez con que se descargue C a travs de la resistencia. Como se recordar, cuanto mayor sea el valor de C, mayor ser el tiempo que necesita para descargarse, y menor el rizado. Como contrapartida, si C es muy grande es posible que no tenga tiempo suficiente para cargarse durante el tiempo de conduccin de D.

6.3.3 Seleccin de los componentes

Una vez finalizado el anlisis del esquema elctrico de la Figura 22, se aborda seguidamente la tarea de la seleccin de los componentes adecuados para una aplicacin concreta. 6.3.3.1 Diodo A la vista de las grficas de la Figura 28, se pueden calcular las caractersticas comerciales exigibles al diodo del esquema.

Corriente mxima en polarizacin directa, IFmax: Mientras est en conduccin y, despreciando su cada de tensin (V(ON)):

Tambin se desprecia la corriente que absorbe C para cargarse.

Tensin mxima en inversa, PIV: Cuando est en corte, VD=vi-VC. VC es siempre mayor que cero, tal y como se aprecia en la figura, y su valor mximo es VM. En este

aspecto es ms exigente el funcionamiento en vaco que en carga, ya que cuando llega a ser -VM, VC sigue siendo VM, y se tiene VD=vi-VC=-VM-VM=-2VM. Los parmetros comerciales del diodo sern, por lo tanto:

PIV=2VM 6.3.3.2 Condensador El valor de la capacidad del condensador se ha de calcular teniendo en cuenta el rizado mximo exigido al aparato. Para la frecuencia de la red elctrica domstica, es posible emplear la siguiente expresin:

en la que:

I0: cociente entre la tensin mxima, VM, y la resistencia de carga, RL. tc: tiempo de descarga del condensador. VRIZADO: Diferencia entre la tensin mxima y mnima admisible.

La deduccin de esta frmula ha sido discutida ya en el captulo segundo de estos apuntes.

6.4 Rectificador de onda completa

el esquema anterior produce una onda de salida bastante aceptable, cuando el condensador es lo suficientemente grande como para alimentar la carga durante un semiciclo aproximadamente. Sin embargo, se desaprovecha medio ciclo de la red, con lo que la potencia transmitida a la carga se limita. En el siguiente circuito, el puente de diodos consigue que durante el semiciclo negativo tambin alimente la red a la carga.

Figura 29: Rectificador de onda completa. Dado un valor positivo de la tensin de entrada, vi=V>0. El punto A est sometido al mayor potencial del circuito, V, mientras que D se encuentra a potencial nulo, el menor en ese instante. Por lo tanto, los puntos B y C se encontrarn a un potencial intermedio entre 0 y V

voltios. Un circuito que est alimentado entre 0 y 10V, por ejemplo, no tiene sentido que haya un punto del mismo que tenga un potencial mayor que 10V con respecto a la referencia, ya que la tensin slo puede disminuir entre los nodos de los componentes del circuito (esto es vlido slo para el rgimen permanente). Suponiendo que hay una corriente intentando circular. Como VA es mayor que VC el diodo D2 esta en condiciones de conducir, mientras que D1 est en corte. La corriente circular de C. D4 est en corte, puesto que VDC=VD-VC<0, por lo tanto la intensidad atraviesa RL de arriba a abajo. El retorno de corriente ser por D3, puesto que VB<VA y VB>VD. As pues, D1 y D4 no conducen en el semiciclo positivo de vi. El esquema equivalente sera: a

Figura 30: Rectificador de onda completa durante los semiciclos positivos. Mediante un razonamiento anlogo se consigue determinar el esquema equivalente mostrado en la Figura 31.

Figura 31: Rectificador de onda completa durante los semiciclos negativos.

Figura 32: Tensiones en el rectificador de onda completa. En ambos casos, la corriente que circula por RL circula en el mismo sentido, luego la cada de tensin en RL siempre es del mismo signo: Si ahora se filtrase esta seal mediante un condensador, mejorara su rizado. El condensador necesario es de menor capacidad que en el esquema anterior, puesto que debe alimentar durante menos tiempo a la carga. 1 Si se aplican 18 V al siguiente circuito, qu tensin medir el voltmetro si D 1 es de silicio?

2 Si el diodo D del circuito del problema 3 puede soportar una corriente mxima de 500 mA, cul es el mnimo valor de la resistencia R con el que se puede utilizar el circuito si se aplican 20 V? 3 Si la resistencia R de la figura es de 100 y se aplican 10 V al circuito, cunto valdr la potencia disipada en el diodo D?

4 Si el diodo D de la figura del problema 5 tiene un pico inverso de voltaje (PIV) de 100 V, cunto es la tensin mxima que se puede aplicar al circuito?, y si se conecta una resistencia en paralelo con el diodo R2=2.7 kW? 5 Cul ser la potencia disipada el en diodo D de la figura si se aplican 60 V al circuito?, y si se conecta una resistencia de 2.7 kW en paralelo con el diodo?

6 Calcular la corriente que atraviesa el diodo en el circuito de la figura, empleando el modelo lineal por tramos.

7 En el problema de la figura anterior, calcular la corriente que circula por el diodo mediante el mtodo grfico, tomando como caracterstica V-I del diodo la curva que se presenta a continuacin.

8 El generador del el circuito de la figura puede aportar una tensin comprendida entre -20 y +20 V. Se pide determinar las expresiones que permitan calcular VOUT en funcin de VIN dentro del rango indicado.

9 Calcular el punto de operacin del diodo (corriente y tensin en el mismo) para ECC=10V, R1= R2= R3=1k.

Aplicando el modelo lineal por tramos del diodo. Mediante un mtodo grfico.

10 En el circuito de la figura adjunta se pide:

Potencia suministrada por la fuente. Potencia disipada por cada una de las resistencias. Potencia disipada por el diodo.

11 En el circuito de la figura representar las ondas de tensin y corriente de salida (vo(t), io(t)) del circuito de la figura, siendo e(t) la tensin de red domstica europea.

12 Si el generador de seal "e" de la figura produce una onda senoidal de 10 V entre pico y pico, y la resistencia R tiene un valor de 500 ohmios, qu caractersticas debemos exigir a un diodo de silicio para utilizarlo como se indica en la figura?

13 Se quiere fabricar un circuito como el de la figura adjunta. Qu caractersticas deberamos exigir al diodo? (e = 10 sen t)

14 Calcular la tensin y la corriente en la resistencia RL (VM = 10 V; RL = 2,2 k).

15 Deducir la expresin de la resistencia dinmica de un diodo partiendo del modelo exponencial del mismo. Si VT = 25 mV para T = 25 C, comparar el resultado obtenido con la aproximacin de Shockley. 16 Calcular la resistencia esttica del diodo, cuya curva caracterstica se incluye a continuacin, en los puntos A, B, C y D de la curva. (Nota: Las escalas de los ejes x positivo y negativo son diferentes)

17 Calcular la resistencia dinmica del diodo del problema anterior en los cuatro puntos indicados. Comparar el mtodo grfico de clculo con la aproximacin de Shockley. 18 Hallar la resistencia esttica y dinmica en el punto A de la figura.

19 Sea el circuito de la figura con VZC=10 V e IZM=0,05 A. Entre qu valores puede variar RL mantenindose alimentada a 10 V?

20 Para una tensin de entrada de 28 V (DC), calcular la corriente en TP1 para el circuito de la figura. R1=1 K, RL=1 K, Vz=9.6 V.

21 Cunta potencia ser disipada por un diodo Zener de 9 V cuando le atraviesa una corriente de 100 mA en polarizacin directa? Y si a ese mismo diodo le atraviesa la misma corriente en inversa? 22 En el siguiente circuito:

Determinar la mxima corriente que se puede aplicar a la carga antes de que el Zener deje de regular la tensin. Si RL es 1 k, hallar la corriente y la potencia disipada en el Zener, la corriente en la carga y V0. Idem si RL toma el valor 10 k.

23 Mediante la recta de carga hallar el punto de operacin del zener del problema 20 para R2=400, si se cambia el zener por otro que tenga IZM=0.1A. 24 En el circuito de la figura,

Determinar la mxima corriente que se puede aplicar a la carga Rc antes de que el Zener falle. Si Rc fuera 2 k, hallar la corriente del Zener y la corriente en la carga. Hallar la potencia que disipa el Zener en los casos en que Rc tome como valor 2 k.

25 Para el circuito de la figura:

Representar grficamente la tensin de salida vo si en la entrada se aplica una seal alterna vi = V sen t. (Para el diodo despreciar la cada de tensin en directa). Si V = 200 voltios, R1 = R2 = 1 k , determinar las caractersticas comerciales del diodo apropiado para esta aplicacin. Si nos interesara disminuir el rizado de la onda vo: Qu esquema adicional podra aadrsele a este?.

26 Dado el circuito siguiente:

Hallar la tensin de salida del dispositivo, funcionando en vaco (sin carga en la salida). Despreciar la cada de tensin en el diodo. Qu misin tiene la resistencia R?. Se podra quitar?. Calcular las caractersticas comerciales del diodo D. Discutir la posibilidad de sustituir la rama AB por un diodo Zener. Qu comportamiento tendr entonces el dispositivo?. Qu caractersticas debera tener este diodo para que no se deteriore?.

DATOS: e = 500 sen t ; E = 100 V ; R = 1 K 27 En el dispositivo de la figura:

Cul es la situacin ms desfavorable para el diodo, el funcionamiento en vaco o con una carga resistiva colocada entre A y B?. (El valor de E es menor que eMAX). 28 El circuito de la figura adjunta est preparado para rectificar ondas sinusoidales de 220 V de valor eficaz ( V de valor de pico). Debido a un error de manipulacin, se conecta el dispositivo en carga a una tensin continua de 500 V. A los pocos segundos de dicha conexin se impregna el ambiente de un olor a plstico quemado, y el dispositivo deja de funcionar (no se reciben seales en la carga). Sabras decir qu componente/s se ha/n quemado y por qu?. Datos adicionales: Potencia disipable mxima en las resistencias = 100 W.

29 Dado el circuito de la figura:

Dibujar aproximadamente las formas de onda de las tensiones V0 y V0' para dos ciclos completos de la onda de entrada Vi. Caractersticas comerciales del diodo D2. Podra ser C un condensador electroltico?. Justificar la respuesta.

DATOS: e = 200 sen(100t) V. R = 1 k VZ = 50 V. RL = 1 k Despreciar las cadas de tensin en los diodos en conduccin. Considerar que la velocidad de descarga de C sobre RL es pequea comparada con la frecuencia de la red.

30 Disear un puente rectificador de onda completa que entregue 10V en tensin continua con un rizado menor de 0.1 V de pico a pico a una carga que requiere 10 mA. Elegir una adecuada tensin de entrada al circuito.

31 Se quiere proteger un circuito conectado a la salida Vout del circuito de la figura frente a posibles sobretensiones producidas por una seal de entrada Vin excesivamente fuerte.

Si se desea que Vout sea menor que 5V, cual debe ser la tensin a la que se conecta el diodo. 32 Disear con un diodo Zener una fuente de tensin regulada de 12V para corrientes entre 0 y 100mA. La tensin de entrada puede variar entre +20V y +25V. La corriente mnima que debe atravesar el Zener debe de ser de 10mA en las condiciones ms desfavorables de trabajo. Cual es la potencia disipada por el zener?

EL TRANSISTOR BIPOLAR
1 INTRODUCCION
La Figura 1 muestra el smbolo de un transistor bipolar o BJT (Bipolar Junction Transistor), con la nomenclatura habitual de sus terminales.

Figura 1: Smbolo y tipos de transistor BJT Internamente, el BJT se compone de tres capas de silicio, segn la configuracin mostrada en la Figura 2.

Figura 2: Estructura interna del transistor bipolar Como puede apreciarse, la flecha que indica el tipo de transistor, apunta al sentido de la corriente en polarizacin directa del diodo BE. En principio, parece una estructura simtrica, en la que es imposible distinguir el emisor del colector. Sin embargo la funcin que cumple cada uno es completamente distinta, y en consecuencia, se fabrican con diferentes caractersticas. Por lo tanto no es un componente simtrico. Un transistor tiene dos formas principales de operacin: como un interruptor o como una resistencia variable.

1.1 TRANSISTOR COMO INTERRUPTOR

La funcin del transistor como interruptor es exactamente igual que la de un dispositivo mecnico: o bien deja pasar la corriente, o bien la corta. La diferencia est en que mientras en el primero es necesario que haya algn tipo de control mecnico, en el BJT la seal de control es electrnica. En la Figura 3 se muestra la aplicacin al encendido de una bombilla.

Figura 3: El transistor bipolar como interruptor de corriente En el primer caso, bajo la seal de control adecuada, que es introducida a travs de la base, el transistor se comporta como un circuito abierto entre el emisor y el colector, no existe corriente y la bombilla estar apagada. En el segundo caso, cambiando la seal de control, se cierra el circuito entre C y E, y los 12 V se aplican a la bombilla, que se enciende. Este funcionamiento entre los estados de corte y conduccin se denomina operacin en conmutacin. Las aplicaciones tpicas de este modo de operacin son la electrnica de potencia y la electrnica digital, en la que los circuitos operan con dos niveles de tensin fijos equivalentes al y lgicos.

1.2 TRANSISTOR COMO RESISTENCIA VARIABLE

En la Figura 4 se presenta la comparacin entre un potencimetro y un transistor colocados en un circuito.

Figura 4: Transistor bipolar operando como resistencia variable Si el valor de la resistencia del potencimetro se fija en 5 kW, la tensin de salida V OUT ser de 5 V. Al aumentar esta resistencia, la salida tambin aumentar de valor. Por ejemplo, con 20 kW VOUT resulta ser 8 V. Modificando el valor del potencimetro se puede obtener cualquier valor en la salida comprendido entre 0 V y 10 V, ya que:

Al igual que en el potencimetro, en el transistor se puede ajustar su resistencia entre colector y emisor, con la diferencia de que la seal de mando no es mecnica, sino elctrica a travs de la base. Como se ver ms adelante, con una pequea seal aplicada en la base puede gobernarse el BJT, con lo que aparece un concepto nuevo: la amplificacin de seales. Esta funcin es la base de la electrnica analgica, aquella en la que se procesan seales de tensin respetando su forma de onda temporal.

2 PRINCIPIO DE OPERACION
En este apartado se va a trabajar exclusivamente con el transistor NPN. No obstante, cabe sealar que los razonamientos necesarios para entender el transistor PNP son completamente anlogos, por lo que se deja al lector la tarea de deducir los modelos caractersticos de su funcionamiento. En la Figura 2 pueden verse las dos uniones PN del transistor: la unin Base-Emisor (BE), y la unin Base-Colector (BC). Cada una por separado constituye un diodo, pero la conjuncin de ambas provoca un efecto nuevo, denominado efecto transistor. Obviamente, el estado global del transistor depende de la polarizacin, directa (PD) o inversa (PI), de las dos uniones. Los casos posibles se adjuntan en la tabla siguiente: Estado Corte Saturacin RAN RAI

Unin PI PD PD PI

Unin PI PD PI PD

Los dos ltimos casos, la Regin Activa Normal (RAN) y la Regin Activa Inversa (RAI) son conceptualmente similares. Si el transistor fuera simtrico, estaramos ante la misma regin

de funcionamiento, solo que con los terminales intercambiados. Sin embargo el colector y el emisor se fabrican de forma diferente, precisamente para adaptar su funcionamiento a la RAN. Por ello no se suele trabajar en la RAI. Una vez aclarado este punto se va a analizar el funcionamiento en cada regin de operacin.

2.1 REGION DE CORTE

Como elemento bsico para la discusin en este apartado se va a emplear el circuito de la Figura 5.

Figura 5: Transistor BJT polarizado en la regin de corte En el circuito de la Figura 5:

En este caso las dos uniones estn polarizadas en inversa, por lo que existen zonas de depleccin en torno a las uniones BE y BC. En estas zonas no hay portadores de carga mviles, por lo tanto, no puede establecerse ninguna corriente de mayoritarios. Los portadores minoritarios s pueden atravesar las uniones polarizadas en inversa, pero dan lugar a corrientes muy dbiles. Por lo tanto, un transistor en corte equivale a efectos prcticos, a un circuito abierto. A partir de esta definicin, se pueden deducir fcilmente los modelos matemtico y circuital simplificados para este estado. El transistor BJT en la regin de corte se resume en la Figura

Figura Modelo del

en corte para seales de continua

Obviamente, en estos modelos no se tiene en cuenta el efecto de las corrientes de fuga de las dos uniones, y slo son vlidos para realizar una primera aproximacin al comportamiento de un circuito. EJEMPLO 1: Calcular las tensiones VBE, VBC y VCE as como las corrientes IB, IC e IE del circuito de la figura 7, cuando EB = 0 V.

Figura 7: Circuito del ejemplo 1 SOLUCIN: La base del transistor est conectada a la fuente a travs de una resistencia RB. Puesto que la diferencia de potencial entre los extremos del generador es nula, no puede polarizarse la unin BE en directa, por lo que el transistor est en corte, es decir:

VBC = VBE - VCE = 0 - 10 = - 10 V Pueden obtenerse los mismos resultados si se sustituye el transistor en el circuito por su modelo equivalente:

2.2 REGION ACTIVA NORMAL

Para facilitar el estudio y comprensin de los fenmenos que suceden cuando se polariza el transistor en RAN, se va a analizar en primer lugar el comportamiento del transistor en las situaciones descritas en la Figura 8 a) y b).

Figura 8: Transistor NPN. En la Figura 8 a), como la tensin EC est aplicada al colector, la unin base-colector estar polarizada en inversa. A ambos lados de la unin se crear la zona de depleccin, que impide la corriente de portadores mayoritarios. No existir corriente de colector significativa, y el transistor se encontrar operando en la regin de corte. En el caso de la Figura 8 b), la fuente EB polariza la unin base-emisor en directa, que se comporta como un diodo normal, es decir, la zona P inyecta huecos en la zona N, y esta electrones en aquella. Si el dopado de la base es muy inferior al del emisor, la inyeccin de huecos ser muy inferior a la de electrones, y se puede describir el proceso as: el emisor inyecta electrones en la base. Estos se recombinan con los huecos que provienen de la fuente de alimentacin y se crea una corriente IB. En este caso el colector no entra en juego. La operacin en RAN se da cuando la unin BE se polariza en directa y la BC en inversa. Los tres puntos caractersticos de esta regin de operacin son: 1. Corriente de colector no nula: conduccin a travs de la unin BC pese a que est polarizada en inversa. 2. La corriente de base es muy inferior a la de colector. 3. La corriente de colector es proporcional a la corriente de base.

Figura 9: Transistor NPN en RAN. Conduccin a travs de la unin BC En el circuito de la Figura 9 la unin BE se polariza en directa, mientras que si EC es mayor que EB, la unin BC estar en inversa, luego no debera circular corriente a travs de esta ltima. Lo que sucede es que el emisor (tipo N) inyecta electrones en la base (tipo P), en la que los portadores mayoritarios son los huecos, y los minoritarios son los electrones. Como se explic anteriormente, una unin PN en inversa bloquea el paso de mayoritarios, pero no de minoritarios (que constituyen la corriente de fuga en inversa). Por lo tanto, los electrones inyectados desde el emisor a la base, atrados por el potencial positivo aplicado al colector, pueden atravesar la unin BC, y dar origen a la corriente de colector IC. Mediante el emisor, se inunda la base de electrones, aumenta drsticamente el nmero de portadores minoritarios del diodo base-colector, con lo que su corriente inversa aumenta tambin. As que la primera contradiccin queda resuelta. El diodo BC no conduce realmente en inversa, sino que sus corrientes de fuga se equiparan con la corriente normal gracias al aporte de electrones que provienen del emisor. La corriente de base es muy inferior a la de colector En este punto de la explicacin surge una pregunta: y por qu los electrones llegan hasta la unin BC y no se recombinan como en la Figura 8.b)?. La Figura 10 muestra la distribucin de corrientes.

Figura 10: Distribucin de corrientes en un transistor NPN en RAN. Si la base es estrecha y est poco dopada, es relativamente probable que un electrn la atraviese sin encontrarse con un hueco. Tpicamente, los BJT se construyen para que se recombine el 1% de los electrones. En este caso se obtiene una ganancia de corriente de 100, es decir, la corriente de base es 100 veces inferior a la del colector. Como la corriente de emisor es la suma de estas dos, es obvio que su valor es cercano al de la corriente de colector, con lo que en la prctica se consideran iguales (slo operando en RAN). La corriente de colector es proporcional a la corriente de base Centrando la atencin en la recombinacin de los electrones en la base procedentes del emisor. All donde haba un hueco pasa a haber, tras la recombinacin, un ion negativo inmvil. Si desaparecen los huecos de la base y se llena de iones negativos, se carga negativamente, y se repelen los electrones procedentes del emisor. En este caso se impedira la circulacin de corriente, es decir, es necesario que la corriente de base reponga huecos para que haya corriente de colector. Por tanto, por cada electrn recombinado hay que introducir un hueco nuevo que neutralice la carga negativa. Si la reposicin de huecos es lenta (corriente IB pequea), la capacidad de inyectar electrones ser baja, debido a la repulsin elctrica. Este fenmeno tiene la propiedad de ser aproximadamente lineal, con lo que se puede establecer que:

en donde es un coeficiente adimensional denominado ganancia directa de corriente, o bien ganancia esttica de corriente.

Resumiendo. El transistor bipolar operando en la RAN se comporta como un amplificador de corriente. La corriente dbil se reproduce amplificada en un factor en .

Los modelos y condicin de existencia se presentan en la Figura 11. De nuevo hay que resear que se trata de un modelo muy simplificado, que slo da cuenta de los fenmenos bsicos sealados anteriormente.

Figura 11: Modelo del BJT en RAN para seales de continua. La condicin de corriente de base mayor que cero se refiere a corriente entrante en el dispositivo, es decir, la corriente debe entrar por la base para que el est en RAN. Para los valores habituales de IB, la tensin VBE se sita en torno a los 0,7 V. Por ello, en muchas ocasiones se toma este valor para realizar un anlisis aproximado de los circuitos. EJEMPLO 2: En el circuito de la Figura 7 calcular VBE, VBC y VCE as como las corrientes IB, IC e IE cuando EB = 5 V y cuando EB = 7 V. La ganancia de corriente del transistor es F = 100. SOLUCIN: Al aplicar una diferencia de potencial positiva (> 0,7) a la base se polariza la unin BE en directa. Adems, si EB, es inferior a la de la fuente conectada al colector, la tensin de colector ser superior a la de la base, con lo que la unin BC estar polarizada en inversa. Se dan, por lo tanto, las condiciones necesarias para la operacin en RAN, con lo que se verifica aproximadamente que:

; Estas dos ecuaciones pueden introducirse en el circuito empleando el modelo equivalente:

Figura : Anlisis del transistor en RAN El anlisis del circuito permite aadir dos ecuaciones nuevas para el clculo de IB, IC y VCE:

De la primera expresin se obtiene

Teniendo en cuenta que

Finalmente:

En la tabla siguiente se adjuntan los resultados numricos de los dos casos requeridos en el enunciado: IB EB = 5 V EB = 7 V 43 A 63 A IC 4,3 mA 6,3 mA IE 4,343 mA 6,363 mA VBE 0,7 V 0,7 V VCE 5,7 V 3,7 V VBC -5 V -3 V

Los resultados obtenidos en el ejemplo 2 sugieren los siguientes comentarios:

La tensin VBC obtenida en ambos casos es negativa, lo que significa que la polarizacin de la unin BC es inversa. Como adems la corriente de la base es positiva queda comprobado que el transistor est operando en RAN.

La corriente IE tiene un valor muy cercano al de IC. En la prctica, sera difcil de detectar la diferencia entre ambas mediante aparatos de medida convencionales. Por ello, en ocasiones se realiza la aproximacin IC = IE. Una variacin de corriente en la base de tan slo 20 A provoca una variacin en la tensin VCE de 2 V. Este es el principio de la amplificacin analgica de seales.

Centremos ahora la atencin en la evolucin de VCE. Cuando el transistor est en corte VCE = 0 V. En la RAN, a medida que aumenta EB disminuye VCE. Este resultado es lgico, puesto que IC es directamente proporcional a EB. Como VCE = EC - RCIC, al aumentar el trmino negativo disminuye el valor de la resta. Grficamente puede representarse este hecho como sigue (Figura 13):

Figura 13: Evolucin de las tensiones y corrientes en el ejemplo 2 Si RC fuera una bombilla, en el caso A estara apagada, mientras que en los casos B y C proporcionara luz. Evidentemente, en el caso C la intensidad de la luz ser mayor que en el B, puesto que la tensin aplicada es mayor. Aqu se pone de manifiesto claramente el funcionamiento del transistor como resistencia variable, ya que el comportamiento entre C y E es similar al de un potencimetro: modificando la seal de control convenientemente podemos variar la tensin de alimentacin de la bombilla entre 0 y 10 V.

2.3 REGION DE SATURACION

Supongamos que tenemos un transistor polarizado en la RAN segn el circuito de la Figura 7). En la tabla de resultados del ejemplo 2 queda claro que segn aumenta la tensin EB (o bien la corriente IB) el valor absoluto de la tensin VBC disminuye. Llegar un momento en el que, si IB crece lo suficiente VBC cambiar de signo y pasar a ser positiva. En ese instante, la unin BC dejar de estar polarizada en inversa, y entrar en polarizacin directa. La consecuencia es que el colector pierde su capacidad de recolectar electrones, y la corriente IC resulta ser inferior al valor IB.

Figura 14: Transistor BJT polarizado en la regin de saturacin

Por otra parte, segn se muestra en la Figura 14, al estar las dos uniones polarizadas en directa, la tensin entre el colector y el emisor en saturacin ser: VCE SAT = VBE ON - VBC ON Si los diodos BE y BC fueran idnticos, la tensin de conduccin de ambos sera prcticamente igual, y entonces la tensin VCE SAT sera nula. Sin embargo, tal y como se ha comentado anteriormente, el colector y el emisor se fabrican con distintas caractersticas. Normalmente la tensin VBE ON es aproximadamente igual a 0,7 V, mientras que VBC ON se sita en torno a los 0,5 V. Ello conlleva una tensin cercana a 0,2 V. Dado que la tensin de codo de los diodos permanece prcticamente constante para las corrientes de operacin habituales, la tensin VCE SAT es tambin independiente de las corrientes IB IC. Con ello el transistor pierde su capacidad de gobierno sobre la corriente de colector, que ser controlada nicamente por el circuito externo. Anlogamente al resto de regiones de funcionamiento, tambin puede hallarse un modelo simplificado para realizar clculos con un transistor polarizado en la regin de saturacin:

Figura 15. Modelo simplificado del BJT en saturacin. Como puede observarse, en este modelo se toma la tensin VCE SAT nula, pero podra considerarse cualquier valor sin ms que incluir una fuente de tensin independiente del valor deseado entre el colector y el emisor. EJEMPLO 3: En el circuito de la Figura 7 calcular VBE, VBC y VCE as como las corrientes IB, IC e IE cuando EB = 15 y 20 V. La ganancia de corriente del transistor es F = 100. SOLUCIN: En este caso la tensin aplicada a la base con respecto al emisor es claramente superior a la aplicada al colector. Por lo tanto el transistor est operando en la regin de saturacin. Sustituyendo el modelo correspondiente en el circuito original se tiene que:

En la tabla siguiente se presentan los resultados numricos para los casos indicados en el enunciado del problema: IB EB = 5 V EB = 7 V 143 A 193 A IC 10 mA 10 mA IE 10,14 mA 10,19 mA VBE 0,7 V 0,7 V VCE 0 0 VBC 0,7 V 0,7 V

La corriente IC se mantiene constante en 10 mA, pese a las variaciones de IB, puesto que la tensin VCE es ahora constante. Ntese adems que en ambos casos se cumple que IC es menor que el producto FIB. Retomando de nuevo el caso en el que RC sea una bombilla, los resultados obtenidos muestran que ahora la intensidad luminosa ser ahora constante, luego se ha perdido la capacidad de regular, y el dispositivo se comporta ahora como un interruptor cerrado. A modo de recapitulacin, la siguiente figura muestra la evolucin global de IC con respecto a EB, donde se puede apreciar el paso del transistor por las tres regiones de operacin.

Figura 16: Grfica

frente a

3 CURVAS CARACTERISTICAS. PUNTO DE OPERACION

Al ser el transistor bipolar un dispositivo triterminal son necesarios seis parmetros para determinar el estado elctrico del mismo: tres tensiones y tres corrientes. Aplicando las leyes bsicas de resolucin de circuitos pueden presentarse dos ecuaciones:

Por ello, los parmetros independientes se reducen a cuatro. En un circuito determinado y bajo la accin de unas excitaciones concretas, existirn unos valores de estos cuatro parmetros que caracterizan por completo el estado del transistor. Dicho cuarteto se denomina punto de operacin (Q). Las curvas caractersticas ms empleadas en la prctica son las que relacionan VBE con IB y VCE con IC e IB. Con frecuencia, estas curvas son facilitadas por los fabricantes.

3.1 CARACTERISTICA VBE-IB

La funcin que liga VBE con IB es la caracterstica de un diodo, y puede aplicarse todo lo dicho cuando se estudi aqul.

Figura 17: Caracterstica IB-VBE. La curva representada en la Figura 17 sigue la expresin:

3.2 CARACTERISTICA VCE-IC

Segn lo explicado hasta ahora, la caracterstica VCE - IC debera ser la siguiente:

Figura 18: Caracterstica VCE -IC ideal. Idealmente, en la RAN la corriente de colector depende exclusivamente de la de base, a travs de la relacin . Por lo tanto, en el plano , la representacin estar formada por rectas horizontales (independientes de VCE) para los diversos valores de IB (en este caso se ha representado el ejemplo para ). Evidentemente, no se

dibujan ms que unos valores de IB para no emborronar el grfico. Para , la corriente de colector tambin debe ser nula. La regin de corte est representada por el eje de abscisas. Por contra, para el transistor entra en saturacin, luego esta regin queda representada por el eje de ordenadas. Hasta aqu se presenta la caracterstica ideal, pero como era de esperar, la realidad es un poco ms compleja (Figura 19):

Figura 19: Caracterstica Las diferencias son claras:

real.

En la RAN la corriente de colector no es totalmente independiente de la tensin colector-emisor. Para valores altos de la corriente cobra importancia la resistencia interna del transistor. La regin de saturacin no aparece bruscamente para , sino que hay una transicin gradual. Tpicamente se suele considerar una tensin de saturacin comprendida entre 0,1 V y 0,3 V.

3.3 PRINCIPALES PARAMETROS COMERCIALES

De entre los numerosos datos que suministran los fabricantes de componentes electrnicos, con respecto a los transistores cabe destacar los siguientes:

Tensin mxima en entre colector y emisor, colector-base y emisor-base (VCEO, VCBO y VEBO): son las tensiones mximas a las que se puede someter a los terminales del transistor. Tensiones mayores pueden provocar una ruptura en inversa y la destruccin del transistor. Corriente continua mxima de colector, : es la corriente mxima que puede circular por el colector sin que el transistor sufra ningn dao. Ganancia de corriente en DC (DC Current Gain): se suele especificar la ganancia para varios puntos de operacin, incluso pueden ser suministradas las grficas de la ganancia en funcin de la corriente de colector. La fluctuacin de su valor es debida a los efectos de segundo orden. Tensiones de saturacin VCE(sat), VBE(sat): son las tensiones que aparecen entre los terminales en la regin de saturacin. Potencia mxima disipable (Total Device Dissipation): la potencia mxima que puede disipar el transistor sin sufrir ningn dao. es

Adems es habitual facilitar la influencia de la temperatura en el funcionamiento del transistor.

4 MODELOS DELTRANSISTOR BIPOLAR

Existen dos tipos principales de seales aplicadas al transistor BJT:

Seales de continua Seales de alterna de pequea amplitud que oscilan respecto a un punto de operacin en RAN

En este apartado se presentan modelos del transistor BJT vlidos para el anlisis de ambas situaciones. En primer lugar se presenta el modelo de Ebers-Moll, con el que puede realizarse el clculo de las corrientes y tensiones de polarizacin de un transistor sea cual fuere su regin de operacin. A partir de las ecuaciones dictadas por este modelo, se deducen posteriormente las expresiones necesarias para el anlisis de seales de alterna de pequea amplitud, a travs del modelo de parmetros hbridos.

4.1 MODELO DE EBERS-MOLL

En el apartado 2 se han presentado los modelos parciales para cada una de las regiones de funcionamiento (corte, saturacin, RAN) del transistor bipolar. Sin embargo, existe un modelo esttico general vlido para las tres regiones: el modelo de Ebers-Moll. El modelo est basado en el hecho de que un transistor BJT se compone de dos uniones PN, la unin base-emisor y la unin base-colector. Por lo tanto se puede expresar las corrientes del transistor como la superposicin de las corrientes en las dos uniones PN. En la Figura 20 se muestra la notacin empleada durante este apartado.

Figura 20: Notaciones empleadas en este apartado Considerando el modelo ideal para los diodos BE y BC se tiene que:

donde ICS, IES son las corrientes de saturacin de ambos diodos. Sin embargo, el comportamiento del transistor es ms complejo que el de dos diodos conectados en serie. Se debe tener el cuenta el efecto transistor descrito en el captulo 2: debido a que las uniones se encuentran muy prximas entre s se produce una interaccin electrnica entre ellas. En la Figura 7.21 se muestra el modelo de Ebers-Moll para un transistor NPN. Este se compone de dos diodos de unin PN y dos fuentes de intensidad dependientes.

Figura 7.21: Modelo de Ebers-Moll para el transistor bipolar NPN. El efecto transistor viene caracterizado por las fuentes de corriente dependientes. Como se ha explicado, parte de la corriente IDBE, que circula por la unin base-emisor es atrapada por la unin base-colector. Este hecho se modela mediante la fuente de corriente aFIDBE. aF es un parmetro caracterstico de cada transistor que toma valores prximos a la unidad. De igual manera, parte de la corriente IDBC atraviesa la regin de base para alcanzar el emisor. Esto se modela con la fuente de corriente aRIDBC. Debido a que la estructura de un

transistor no es simtrica, sino que est optimizada para obtener valores altos de a F, aR es generalmente pequea (desde 0.02 a 0.5). Adems, aplicando las leyes de la fsica de semiconductores se obtiene la condicin de reciprocidad, que se concreta en la siguiente expresin:

IS toma valores entre 10-14 y 10-15A para transistores de baja potencia. Si se aplica la ley de los nudos en el emisor, el colector y la base

Se puede sustituir en esta ecuacin las corrientes de los diodos IDBE y IDBC. Adems, si se definen las constantes bF y bR de manera que

las ecuaciones anteriores, resultan

que son las ecuaciones de las intensidades en los tres terminales del transistor NPN segn el modelo de Ebers-Moll. Estas ecuaciones son vlidas para cualquier regin de funcionamiento. An siendo un modelo complejo del transistor, el modelo de Ebers-Moll no describe todos los efectos que tienen lugar en el dispositivo. Los llamados efectos de segundo orden como la tensin de ruptura en inversa de las uniones PN, o la dependencia de IC con VCE no estn incluidos en este modelo.

4.2 APLICACION DEL MODELO DE EBERS-MOLL A LA REGION ACTIVA NORMAL

En este apartado se van a simplificar las ecuaciones de Ebers-Moll, deducidas en el apartado anterior para el caso de que el transistor se encuentre funcionando en la RAN. Como ya se ha comentado, el funcionamiento en la RAN de un transistor se caracteriza por tener la unin PN polarizada en directa (con VBE 0.7V) y la unin base colector polarizada en inversa (VBC < 0). Obsrvese que bajo estas condiciones las expresiones exponenciales de las ecuaciones de Ebers_Moll se pueden simplificar

y las ecuaciones quedan reducidas a:

Como el segundo sumando de estas ecuaciones suele ser despreciable frente al valor de IB, IC e IE, a partir de las ecuaciones B. y C., se puede obtener la relacin

que concuerda con la deducida en el apartado 2.2.

4.3 MODELO HIBRIDO PARA PEQUENTILDE;AS SENTILDE;ALES DE ALTERNA

En este subapartado se presenta el modelo hbrido del transistor BJT, uno de los ms ampliamente utilizados para el anlisis de las pequeas seales de alterna. Para la deduccin del mismo se consideran las siguientes hiptesis:

Transistor polarizado en RAN Oscilaciones alternas de baja amplitud y baja frecuencia

4.3.1 Expresiones generales

Segn se ha indicado en el apartado 3, el punto de operacin de un transistor bipolar viene indicado por cuatro variables elctricas. De entre las diversas opciones posibles, para la deduccin del modelo hbrido se escogen como variables independientes la corriente I B y la tensin VCE, mientras que las dependientes son VBE e IC. De este modo, las ecuaciones caractersticas del transistor vendrn dadas por dos funciones f1 y f2 tales que:

Las tensiones y corrientes de un punto de polarizacin concreto vendrn dadas por las expresiones anteriores:

Supongamos que sobre este punto de operacin Q se aade una componente alterna, caracterizada por un IB y por un VCE. Para calcular el VBE y el IC pueden sustituirse las funciones f1 y f2 en las cercanas del punto Q por las tangentes respectivas en dicho punto. Como se trata de funciones de dos variables independientes, las expresiones sern las siguientes:

A partir de este momento, para simplificar la notacin se escribirn con letra minscula los incrementos de las variables. La expresin anterior admite una representacin matricial:

en donde los coeficientes hij se llaman parmetros hbridos, puesto que tienen diferentes unidades entre s.

hie : Impedancia de entrada () hre: Ganancia inversa de tensin hfe : Ganancia directa de corriente, o ganancia dinmica hoe : Admitancia de salida (-1)

4.3.2 Clculo de los parmetros hbridos

Para el clculo de los parmetros hij se van a emplear las expresiones resultantes del modelo de Ebers-Moll para la RAN.

Funcin f1 => Funcin f2 =>

Tal y como puede observarse, los coeficientes hre y hoe son nulos segn estos clculos. Este resultado refleja las limitaciones del modelo de Ebers-Moll propuesto, ya que en realidad hre 5 -5 y hoe 6 x 10-6 -1. Sin embargo, su valor es tan pequeo que en muchos casos son x 10 aceptables las expresiones obtenidas anteriormente.

4.3.3 Representacin grfica

El modelo hbrido , con las simplificaciones mostradas en el subapartado anterior, admite la siguiente representacin grfica:

Figura 22: Modelo hbrido para pequeas seales de alterna

5 EJEMPLO DE APLICACION: EL AMPLIFICADOR DE SEALES ALTERNAS

El mundo est lleno de pequeas seales que necesitan amplificarse para procesar la informacin que contienen. Por ejemplo: una guitarra elctrica. El movimiento de una cuerda metlica en el interior de un campo magntico (creado por los captadores o pastillas) provoca una pequea variacin de tensin entre dos terminales de una bobina. Para que esa dbil seal pueda llegar a los odos de todo un auditorio, es evidente que se necesita una amplificacin. La seal producida por la pastilla de la guitarra viaja por un par de terminales hasta el amplificador. Aqu se produce la transformacin de la pequea seal, que es capaz ahora de excitar la membrana de un altavoz con la potencia que se desee. Para que se pueda or lo que se toca realmente, la amplificacin debe cumplir ciertas condiciones: 1. Debe respetar la forma de onda de la tensin de entrada. Si no lo hace as, se produce una distorsin, una prdida de la informacin que aporta. 2. La energa absorbida de la fuente que emite la onda que se desea amplificar ha de ser mnima. El circuito amplificador necesita una fuente de alimentacin propia.

5.1 EL TRANSISTOR BIPOLAR

El esquema ms sencillo de amplificador de seales es el propio transistor bipolar.

Figura 23: Circuito con un transistor bipolar.

Si el transistor se encuentra en la RAN, hay una relacin lineal entre

Como es reflejo de la entrada e lo es de la salida, este esquema proporciona una ganancia en corriente. Sin embargo presenta dos limitaciones muy importantes:

1. Slo amplifica la parte positiva de la seal: Cuando

es menor que 0,7 V Q pasa al

estado de corte, con lo que . 2. Requiere seales de tensin grandes, por lo menos mayores que 0,7 V, ya que la seal de entrada ha de polarizar en directa la unin BE y llevar el transistor a la RAN. Con este dispositivo slo se puede trabajar con seales positivas mayores de 0,7 V. Por lo tanto no es capaz de amplificar seales de alterna. La figura siguiente representa aproximadamente la respuesta que se obtendra al tratar seales de alterna:

Figura 24: Corrientes en el circuito de la Figura 23.

5.2 POLARIZACION DEL TRANSISTOR Q A TRAVES DE LA BASE

Figura 25: Transistor polarizado a travs de la base. Este esquema presenta la novedad de la resistencia RB. Gracias a ella, la base se polariza mediante la fuente de alimentacin EC y no mediante proviene de dos fuentes: . La corriente que llega a la base

: Es la seal que queremos amplificar, por lo tanto, ser variable en el tiempo. : Esta corriente es la suministrada por EC, que es una fuente de continua, para la polarizacin del transistor.

La intensidad de colector ser, si Q est en la RAN:

Finalmente, puede calcularse la tensin de salida

La siguiente figura ayuda a comprender mejor estos conceptos.

Figura 26: Tensiones y corrientes en el circuito de la Figura 25. La onda de salida es, efectivamente, proporcional a la entrada, pero est desplazada en el eje de las "Y", es decir, tiene una componente de continua que ha sido introducida por la fuente de polarizacin del transistor. LOGROS DEL ESQUEMA: 1. El transistor es tambin capaz de amplificar la parte negativa de la seal. 2. La tensin de entrada puede ser pequea, ya que ahora el transistor se polariza a travs de una fuente de alimentacin ajena a la entrada. 3. En la salida se dispone de una seal de tensin, gracias a RC, que cumple dos misiones:

o o

Transforma en una tensin . Junto con RB lleva el transistor a la RAN.

INCONVENIENTES: 1. Al conectar directamente el generador de seal a la entrada, IB ira a tierra a travs de l. Esto podra daar el generador (en el ejemplo de la introduccin, las pastillas o captadores de la guitarra elctrica)

2. Al conectar directamente la salida a la carga (altavoz), IC ira a tierra a travs de ella, dandola. Los inconvenientes de este esquema estn introducidos por la corriente continua de polarizacin. Estas corrientes deben quedar limitadas al interior del dispositivo amplificador.

5.3 EL CONDENSADOR DE ACOPLAMIENTO

El condensador es un componente que se comporta como un circuito abierto para la corriente continua. Por medio de l, se asla tanto la entrada como la salida de las componentes de continua. Si elegimos correctamente el valor de la capacidad de acuerdo con la frecuencia a la que se espera que trabaje el dispositivo, se logra adems que estos condensadores se comporten como un cortocircuito para las seales de alterna que se quieren amplificar. En cualquier caso, la respuesta frecuencial del amplificador queda limitada por los valores de C1 y C2.

Figura 27: Esquema amplificador con condensadores de acoplamiento. Una vez visto el esquema bsico de un amplificador, se enuncian los parmetros ms importantes de ste:

: Seal de entrada (pequea seal AC). : Corriente de entrada, que se absorbe del generador de seal de entrada (AC). : Seal de salida (AC). , , : Corrientes de polarizacin del transistor (DC). : Resistencias de polarizacin.

: Carga sobre la que se aplica la tensin de salida. : Asla la entrada del circuito de la polarizacin en continua. : Asla la salida del circuito de la polarizacin continua.

5.4 GANANCIA Y RESISTENCIA DE ENTRADA DE UN AMPLIFICADOR

El esquema presentado es slo una de las posibles soluciones vlidas para la amplificacin de seales. Para comparar las caractersticas de todos ellos, se definen dos parmetros de AC: la ganancia en tensin y la resistencia de entrada: Ganancia en tensin: Es el cociente entre la seal de salida y la aplicada al dispositivo. Normalmente, la ganancia depende de la carga que se conecte ( ).

Ntese que en este parmetro se relacionan las amplitudes de las seales alternas entrada y de salida y no los valores instantneos. Se da por supuesto que el circuito va a mantener en gran medida la similitud de las formas de onda, y de lo que se trata es de cuantificar la magnitud de la amplificacin. (El grado de distorsin de la seal de salida con respecto a la de entrada se valora mediante otros parmetros). Resistencia de entrada: La resistencia de entrada da una idea de la cantidad de corriente que absorbe la fuente de seal que se desea amplificar (no hay que confundir la con la fuente de alimentacin del amplificador). Dado que interesa absorber poca energa de la fuente, el amplificador ser tanto mejor cuanto mayor sea su resistencia de entrada.

Puesto que la seal de entrada es alterna, estamos de nuevo ante un parmetro que relaciona las amplitudes de las oscilaciones de las magnitudes elctricas implicadas

5.5 METODO DE CALCULO

Cuando todos los componentes de un circuito responden a ecuaciones lineales, se puede aplicar el principio de superposicin. En este caso, los transistores no son componentes lineales. Sin embargo, teniendo en cuenta que las seales aplicadas son de baja amplitud, el transistor opera soportando pequeas oscilaciones con respecto a unas magnitudes continuas, luego s que es posible aplicar la superposicin teniendo en cuenta el punto de operacin: 1. Clculo del punto de operacin DC: Se sustituyen los condensadores por circuito abierto. A continuacin se introduce el modelo DC del transistor en RAN y se calculan los valores de las corrientes y tensiones de polarizacin. 2. Determinacin del modelo AC del transistor: Ha de emplearse el modelo de pequeas seales, particularizando para en los resultados del punto 1. 3. Estudio del circuito en AC. En este estudio las componentes de continua no afectan a la relacin de las amplitudes de las ondas AC. Por consiguiente pueden cortocircuitarse las fuentes de tensin continua. Si el diseo del circuito es correcto, los condensadores pasan a comportarse como cortocircuitos.

5.6 EJEMPLO DE CALCULO

A continuacin se aplica este procedimiento al clculo de presentado, en su funcionamiento en vaco. y en el ltimo esquema

1) Punto de operacin DC

Figura 28: Esquema equivalente DC del circuito Figura 27. Segn el circuito equivalente DC:

2) Parmetros del modelo equivalente AC

Los parmetros del modelo AC son la resistencia de entrada corriente

y la ganancia dinmica de

. Ambos han sido definidos en el subapartado 4.3.2 de este captulo.

; 3) Estudio AC La figura 24 muestra el esquema equivalente del circuito para las seales de alterna.

Figura 29: Circuito equivalente AC La resistencia RB est conectada por un terminal a la fuente de seales y a la base, y por el otro a la fuente de alimentacin EC. Idealmente, esta fuente no ofrece ningn obstculo para las seales de alterna (si su resistencia interna es nula), se comporta como un cortocircuito que conecta RB con tierra. En el lado derecho del esquema, RC se une por una parte con el colector del transistor, y por la otra con tierra a travs de la fuente de alimentacin. Es de vital importancia que se tenga en cuenta que en este esquema slo se relacionan las amplitudes de las ondas, y no sus valores instantneos. Los valores de rIN y AV pueden obtenerse a partir del esquema de la figura 24.

Como

Ntese que para el clculo de los parmetros rIN y AV no es necesario definir el valor de vIN, ya que en ambos casos se calcular variaciones de una magnitud con respecto a esa tensin de entrada.

ETAPAS DE AMPLIFICACION ESTABILIZADAS

El esquema de la Figura 27 presenta un claro problema de inestabilidad: La tensin de la base depende directamente de la corriente de base. Cualquier pequea variacin debido a la influencia de la temperatura sobre la resistencia RB modificar el punto de operacin, y con l la ganancia. El esquema de la Figura 30 incluye dos mejoras con respecto al anterior:

Polarizacin de la base a travs de un divisor de tensin. Estabilizacin mediante resistencia de emisor.

Figura 30: Circuito amplificador estabilizado. Las funciones de estos subcircuitos son:

Divisor de tensiones: Mediante una correcta seleccin de las resistencias

puede conseguirse que la corriente sea muy superior a . Entonces, la tensin de la base quedar fijada nicamente por el valor de las resistencias del divisor.

Resistencia de emisor ( ): Un aumento de la corriente de colector provocar una elevacin de la tensin de emisor. Con ello, como la tensin de base es fija, la tensin base emisor disminuir, la corriente de base tambin y finalmente, la corriente de colector volver a su valor de diseo. El condensador se encarga de cortocircuitar esta resistencia en alterna.

1 Un transistor est polarizado en RAN como se indica en la figura. Tiene una corriente de base de 8 mA y una corriente en el colector de 1.2 mA. Cul es valor de la corriente en el emisor?. Cul es la ganancia (b) del transistor?.

2 Un transistor se conecta como se muestra en la figura del problema anterior. La corriente del emisor es de 2.42 mA y la del colector es de 2.4 mA. Cunto vale la corriente en la base?. Y el valor de b? 3 Un transistor est conectado como se indica en la figura del problema 1. Tiene una corriente de base de 16 mA y una ganancia de 80. Cunto vale la corriente en el colector?. Y en el emisor?

4 En el circuito de la figura b =80, IB = 10 mA, R1 = 50 KW, R2 = 6 KW y V2=10V.

Qu valor tomarn los medidores IE, IC y VCE, si se admite la hiptesis de que el transistor est polarizado en la RAN?. A la vista de los resultados del apartado 1, comprobar la validez de la hiptesis.

5 Si la corriente de base es 30 A y la corriente de emisor es 4mA, Cul es el valor de ? 6 Encontrar la tensin en el colector cuando el transistor de la figura del problema 8 se encuentra en saturacin. 7 Encontrar la tensin del colector del transistor de la figura del problema 8 cuando se encuentra en corte. 8 Si la b del transistor de la figura es 50, Qu tensin es necesaria a la entrada para saturar el transistor?

9 Si la tensin de mnima en la entrada es de 3.7 V, Cul es el valor lmite de la resistencia R1 de la figura del problema 8 antes de entrar en saturacin para un valor de b de 50? 10 Cuando la entrada en la figura del problema 8 es de 5V, Qu b se requiere para saturar el transistor? 11 En el circuito de la figura del problema 8 suponer que la corriente del colector es de 4 mA cuando la corriente de entrada es de 0.5 mA. En estas condiciones, Cul ser la corriente del emisor? 12 En el circuito de la figura del problema 8 suponer que la corriente del colector es de 4 mA cuando la corriente de entrada es de 0.5mA. Si la corriente de entrada se aumenta a 1.0 mA, Qu le suceder a la corriente del colector? 13 Considerando el circuito y el grfico de la figura:

Calcular y dibujar la lnea de carga del circuito entre C y E.

Localizar el punto de operacin Q en la grfica cuando IC = 1,25 mA. Determinar la tensin de VCE en el punto Q. Calcular el valor de IB en el punto Q.

14 Sabiendo que VCC =12 V y dada la grfica de la figura, calcular el valor de R C y RB necesario para que el transistor dado en la figura opere en el punto Q dado.

15 Calcular las tensiones y corrientes de polarizacin en DC para el circuito de la figura ( = 80).

16 Que resistencia RB se requiere para que el transistor opere en el punto medio de la recta de carga si ECC es 20 V, RC es 5 KW y b es 125? 17 En el circuito amplificador de la figura:

Calcular el punto de operacin DC del transistor. Determinar el modelo AC para pequeas seales Calcular la ganancia y la resistencia de entrada del dispositivo

18 En el circuito de la figura:

Hallar el punto de operacin DC del transistor. Determinar el modelo AC de pequeas seales equivalente para ese punto de operacin Hallar el valor de la impedancia de entrada y la ganancia en tensin. Tensin de salida del circuito si la entrada es una onda sinusoidal de 20 mV de tensin entre pico y pico.

19 En el esquema amplificador de la figura:

Calcular RB y RC para que VCEQ = 5 V, e ICQ = 1 mA. Determinar y dibujar el circuito equivalente para las seales de alterna.

20 Se tiene un amplificador como el de la figura, con un potencimetro en la entrada que puede variar entre 0 y 1 KW.

Ganancia cuando RP = 0 KW. Ganancia cuando RP = 1 KW.

21 Para el amplificador de la figura calcular:

Punto de operacin DC Circuito equivalente AC Ganancia y resistencia de entrada

1. 22 En el circuito de la figura calcular:

La ganancia de tensin. La resistencia de entrada que opone al generador de seal. Las tensiones y corrientes de polarizacin.

23 Para el circuito de la figura:

Encontrar la tensin en el colector cuando el transistor se encuentra en saturacin. Encontrar la tensin del colector del transistor cuando se encuentra en corte. Calcular la potencia consumida por el transistor en ambos casos.

24 Qu resistencia Rb se requiere para que el transistor opere en el punto medio de la recta si Ecc es 20V, Rc es 4K y es 100? 25 Para el circuito de la figura, determinar:

Las tensiones y las corrientes de polarizacin del transistor. Representar en la grfica Ic/Vce la recta de carga y el punto de operacin Q. Calcular la resistencia de entrada. Si manteniendo constantes los restantes valores dados en la figura, variamos Rb, para qu valores de Rb el transistor se encontrara en saturacin?. Para esos valores de Rb, determinar Vce, Vbe, Ic.

26 El transistor de la figura esta en configuracin de colector comn, tambin llamada seguidor de tensin y adaptador de impedancias. En este sencillo circuito se pide:

1.- Hallar la relacin entre Vin y Vout (Vout=f(Vin)) 2.- Particularizar la expresin del apartado anterior para Vin1=0.3V y Vin2=4V. Calcular las intensidades de base para ambos casos. 3.- Calcular la resistencia de entrada Rin (Rin=Vin/Iin) entre la puerta de entrada y tierra. 4.- Calcular la resistencia de salida Rout entre la puerta de salida y tierra. 5.- Cual crees que es la tensin mxima que se puede aplicar a la base del circuito de manera que el circuito siga comportndose como un seguidor?Por qu?

27 El esquema de la figura representa un circuito seguidor de tensin para pequeas seales. Se pide calcular:

El circuito equivalente en DC. El punto de operacin del transistor (VCEQ,ICQ). El circuito equivalente en AC con sus parmetros. Ganancia de tensin y resistencia de entrada.

28 En el sistema electrnico de la figura se pide el valor de VIN para que Q1 se sature suponiendo que Q2 no se satura.

Datos: Vcc=15V; Vee=-15V; Rc=10KW; Re=1KW; VBE1(on)= VBE2(on)= 0.7V; b1=b2=100 29 El LED de la figura tiene una tensin de conduccin en directa Vf=1.5V y requiere al menos de 1mA de corriente para conseguir un nivel apropiado de iluminacin. El LED puede disipar como mximo 15mW. El valor de VCC es de 5V y el valor de la entrada Vin es producida por una fuente digital con una tensin de salida de 5V. Calcular:

La mxima corriente admisible en el diodo. Los valores mximos y mnimos de las resistencias RB y RC para que el diodo LED ilumine correctamente.

TUTORIAL DE FUENTES DE ALIMENTACIN (parte 1)

INTRODUCCIN: Los diodos son dispositivos electrnicos cuyo funcionamiento consiste en permitir el paso de la corriente en un sentido y oponerse en el opuesto. Vamos a ver una de las aplicaciones de los diodos gracias a esta caracterstica. Las fuentes de alimentacin son usadas para suministrar corriente elctrica a nuestros aparatos electrnicos pero como parten de una corriente alterna es necesario transformarla a corriente continua. En este objetivo vamos a tener como grandes aliados a los diodos.

La fuente de alimentacin, es a un dispositivo electrnico, como los "alimentos" son a los seres humanos. Es evidente que cualquier equipo necesita de ella para funcionar. Si falla la fuente falla todo el equipo. La forma en que est disponible la energa elctrica de nuestros hogares no es la adecuada para los aparatos que todos conocemos: televisores, lavadoras, heladeras, etc. Ya que la mayor parte de estos aparatos necesitan corriente continua para funcionar, mientras que de la que disponemos en nuestros enchufes, es de corriente alterna.

Tenemos dos soluciones, la primera es usar pilas o bateras pero esto nos saldra muy caro; la segunda es transformar la corriente. De ahora en adelante nuestro objetivo va a consistir en transformar la corriente alterna en corriente continua. El proceso se divide en distintas etapas bien diferenciadas, como puede verse en la ilustracin correspondiente. La corriente elctrica en "bruto" viene como corriente alterna y con tensin variable; sin embargo, tras atravesar la fuente de alimentacin, obtenemos corriente continua con tensin constante... y esta es la que nos interesa pues es la que vamos a conectar a nuestros dispositivos.

La primera etapa por la que va a tener que pasar la corriente va a ser por un transformador de potencia. Este no hace ms que elevar la diferencia de potencial o disminuirla (depende del tipo de transformador), esto se traduce en una "elongacin" de su grfica.

Con los transformadores podemos conseguir que la tensin aumente, igual que aumenta la presin del agua al estrecharse la manguera. Siguiendo con la similitud entre la corriente y un chorro de agua, podemos imaginar el efecto de este primer paso, que es el transformador, como si a una manguera por la que est circulando agua la pisramos. Veramos que al disminuir el ancho de la manguera, seguira saliendo la misma cantidad de agua, pero a mayor presin. Este ejemplo equivaldra a un transformador cuya funcin fuese la de aumentar la tensin. Por el contrario un transformador que disminuyese la tensin se podra comparar con una manguera en la que la mitad de ella tuviera una anchura, y la otra mitad tuviera una anchura mayor. El agua al pasar del trozo de manguera ms estrecho al trozo ms ancho sufrira un "frenazo" en su camino de un extremo de la manguera al otro. As entrara a una presin y saldra a una presin menor. El segundo paso para la corriente se conoce con el nombre de rectificador. La finalidad de ste, tcnicamente hablando, se dice que es convertir la tensin y corriente alterna en tensin y corriente "unidireccionales". En nuestro ejemplo es bien sencillo darse cuenta de lo que esto significa; como hemos visto, la corriente alterna se puede equiparar al agua circulando ahora en este sentido... ahora en el contrario... y as sucesivamente. Pues un rectrificador no sera ms que una vlvula de seguridad.

Como muestra la ilustracin correspondiente donde se permite al agua circular nica y exclusivamente en un sentido pero no en el contrario. As pues, la polaridad de la tensin que salga del rectificador va a ser siempre la misma y por tanto, a partir de aqu, ya tenemos corriente continua. Sin embargo la tensin de que disponemos todava no es la adecuada ya que, a pesar de no hacerse negativa, todava sigue oscilando entre cero, un mximo... y de nuevo cero. En el siguiente paso, el filtro, va a ser el encargado de "apaciguar" estas oscilaciones de la tensin consiguiendo una tensin con unas oscilaciones bastante menores. De nuevo podramos imaginar una manguera que tuviese un trozo ancho y a continuacin otro estrecho y as de principio a fin; algo similar a una "ristra de chorizos". El agua circulara oscilando constantemente su presin, siendo esta mayor en los trozos estrechos y menor en los anchos, pues bien, nuestro filtro sera "algo" que alisara esas rugosidades de la manguera consiguiendo que el agua no sufriera tan grandes cambios de presin y fluyera de una forma ms continua. Por ltimo, podemos encontrarnos, aunque no siempre se utiliza, un regulador. La finalidad de dicho dispositivo no es otra que atenuar ms si cabe esas pequeas variaciones de tensin que todava se producen, proporcionando una tensin constante entre los bornes. En nuestro ejemplo es como si por fin dispusiramos de una manguera lisa y uniforme a travs de la cual circula una corriente de agua constante sin sufrir ningn tipo de variacin en su presin ni en su caudal. RECTIFICADORES: A continuacin, vamos a examinar cada uno de los dispositivos (etapas) con ms detalle con el fin de poder llegar a un mayor entendimiento sobre cules son las propiedades y caractersticas de cada uno de ellos. Rectificador de Media Onda El primero de los rectificadores que vamos a ver es el llamado RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA. Es el ms sencillo de todos los rectificadores y tambin el ms barato

pero, como nadie es perfecto, el rectificador de media onda tampoco lo es y tiene numerosas desventajas que luego enumeraremos. Es uno de los menos usados cuando se requiere eficacia y buen rendimiento, pero el ms utilizado si lo que se requiere es un bajo costo.

Este circuito rectificador est formado por un solo diodo. La tensin de entrada al circuito es tensin de corriente alterna y, como sabemos, esta tensin viene representada por una sinusoide con dos ciclos uno positivo y otro negativo. Durante el ciclo positivo el nodo del diodo es ms positivo que el ctodo y la corriente puede circular a travs del diodo. Pero cuando estamos en el ciclo negativo, el nodo va a ser ms negativo que el ctodo y no va a estar permitido el paso de corriente por el diodo. La tensin de salida va a ser igual que la de entrada en el primer caso, es decir, un ciclo positivo, mientras que en el segundo caso, cuando la tensin de entrada es negativa, la de salida va a ser nula. La onda de salida ha quedado reducida a la mitad y de ah viene el nombre de rectificador de media onda. Una tensin de corriente alterna tiene dos "mitades", una positiva y otra negativa, en el caso anterior hemos usado el rectificador para anular la parte negativa y nos hemos "quedado" con la positiva. Pero tambin podemos "quedarnos" con la negativa, simplemente con cambiar el sentido del diodo dentro del circuito rectificador. Como hemos visto, la tensin de salida de un circuito rectificador de media onda se compone de un ciclo con un valor positivo igual al de la tensin de entrada (en el caso ms normal) y un ciclo con un valor nulo. Esto es la causa de que este tipo de rectificadores casi no se usen, ya que durante un tiempo no fluye corriente alguna en la salida. El voltaje que se produce no es muy til para hacer funcionar nuestros aparatos, de ah la necesidad de filtrarlo primero, no siendo muy fcil este filtrado. Rectificador de Onda Completa con transformador de toma intermedia Es el rectificador ms usado. La gran diferencia con el rectificador de onda media es que, en este caso, obtenemos a la salida tensin en todo instante y no tenemos intervalos de tiempo con una tensin nula como ocurra con el otro rectificador. Es un poco ms caro ya que est constituido por un nmero mayor de componentes pero merece la pena dada su mayor eficacia.

Estos rectificadores estn constituidos principalmente por dos diodos y un transformador con toma intermedia. Para explicar su funcionamiento tenemos que recordar que un diodo slo permite el paso de la corriente en un sentido; en este circuito tenemos dos diodos y cada uno de ellos va a permitir el paso a la corriente en un caso opuesto. As, uno circular cuando la tensin de corriente alterna de entrada se encuentre en el ciclo positivo y, el otro, cuando se encuentre en el negativo. Pero si no tuviramos la toma central el circuito estara cortado siempre, ya que cuando uno puede conducir el otro no, y viceversa, al estar colocados en sentidos opuestos; por eso tenemos que darle una "ruta alternativa" a la corriente para que se produzca tensin de salida en los dos ciclos de entrada. La tensin de entrada a los circuitos de onda completa no es aprovechada en su totalidad, ya que cada uno de los diodos trabaja con la mitad de tensin al estar la toma central en la mitad de la bobina; por eso, aunque vamos a obtener una tensin de corriente continua a la salida, en todo instante de tiempo su valor va a ser la mitad del de la tensin de entrada. Rectificador de Onda Completa en puente de Graetz Con este tipo de rectificadores vamos a conseguir una tensin de salida de corriente continua en todo instante, al igual que en el rectificador de onda completa. La ventaja de los rectificadores tipo puente es que la tensin de salida es de la misma magnitud que la de entrada, no perdemos la mitad como ocurra en los anteriores. La

desventaja es que aqu necesitamos cuatro diodos, por lo que el costo de este tipo de circuitos es superior a los vistos anteriormente.

El rectificador puente est formado por cuatro diodos que forman un puente entre la entrada y la salida. Estos diodos estn conectados en paralelo con el transformador, y no tienen ninguna toma central como ocurra en los de onda completa, segn podemos ver en la figura anterior. Si el ciclo de tensin de la corriente alterna es el positivo circula corriente por los diodos 1 y 2, obteniendo en la salida una tensin igual que la de entrada. Si el ciclo de entrada es negativo circula corriente por los diodos 3 y 4, y obtenemos a la salida una tensin igual en amplitud que la de entrada pero positiva en vez de negativa. Por tanto, en cada ciclo estamos obteniendo en la salida una tensin de corriente continua positiva y de igual amplitud que la de entrada. Con estos rectificadores aprovechamos toda la tensin de entrada y conseguimos una rectificacin de onda completa, aunque su precio es el ms elevado de todos. Otros circuitos rectificadores que todava no hemos nombrado son los dobladores de media onda, dobladores de onda completa y triplicadores de voltaje. FILTRADO: Los condensadores como depsito de energa. Antes de pasar a ver cmo funciona un filtro debemos hacer un alto en el camino y comentar brevemente qu son y cmo funcionan los dispositivos bsicos de cualquier equipo electrnico, los condensadores.

Un condensador almacena energa elctrica, adems de circular a travs de l. Algo as ocurre en un tanque de agua convencional. Un condensador se puede concebir como un almacn (depsito) de energa donde al ser aplicada corriente entre sus terminales ste la va reteniendo hasta llegar a un tope que vendr determinado por el tipo de condensador que sea. Una vez alcanzado dicho tope, se pueden dar dos casos: El primero sera que la corriente siguiese circulando, el segundo que dejase de circular. En el primero de los casos el condensador ya no afectara al paso de la corriente pues al estar cargado no necesita ms energa, ahora bien, si la corriente cesara sera entonces el momento en que el condensador comenzase a "soltar" su energa, siempre y cuando tuviese a quien "soltarla", es decir, siempre y cuando estuviese conectado a "algo". En caso de no tener a quien "soltar" esta energa almacenada, esperara pacientemente a que fuese conectado para cederla. Supongo que todos hemos sido avisados del peligro de "destripar" aparatos viejos como televisores o equipos musicales, incluso estando desenchufados, pues bien, la razn de este consejo paternal se debe precisamente a que estos aparatos poseen condensadores muy grandes, capaces de almacenar la suficiente energa como para propiciar una descarga elctrica nada recomendable. Filtro de la tensin rectificada Ya hemos visto cmo la tensin que entrega un rectificador no es del todo til debido a su constante variacin a lo largo del tiempo. Adems, sus oscilaciones van desde

un valor tope, o mximo, hasta "cero" y este es otro inconveniente ya que en el momento en que la tensin es cero, no se entrega energa alguna. Pues bien, gracias al uso de un filtro conseguiremos "alisar" esas ondulaciones en la tensin, a fin de obtener una tensin lo ms parecida a una constante; adems el valor mnimo no ser cero sino que tendr un valor algo positivo.

Como vemos en la ilustracin correspondiente, hemos aadido un condensador en paralelo. En esta situacin, si no se conectase nada entre los puntos A y B (llamados carga) el condensador comenzara a cargarse hasta llegar a su tope. Es entonces cuando nuestro filtro ofrece una tensin constante. Esta situacin sera suficiente siempre y cuando no se entregase corriente a la carga, es decir, no se conectase algo. Pero, evidentemente, sera absurdo disear un dispositivo electrnico para no utilizarlo. Qu pasa, cuando conectamos algo a las salidas del filtro? Pues que cualquier aparato electrnico que se conecte necesita energa para funcionar. Y esta energa elctrica que necesita la va a tomar de dos partes; por un lado toma energa de la propia fuente y por otro de la que tiene almacenada el condensador. Esto no tendra gran importancia si no fuera por el hecho de que el condensador al descargarse va perdiendo diferencia de potencial entre sus bornes, por tanto, vuelve a bajar la tensin. Sin embargo, como la fuente est constantemente suministrando energa elctrica, el condensador vuelve a cargarse y la tensin por tanto vuelve a subir. Es una oscilacin de tensin que depender de qu cantidad de energa requiera el dispositivo conectado. No obstante, estas oscilaciones son bastante menores que las obtenidas directamente del rectificador, as pues, su utilizacin est justificada. El funcionamiento de un filtro formado por un condensador est basado en que dicho condensador puede almacenar energa. Hay otro tipo de dispositivos capaces de almacenar la energa, son los inductores. Podemos tener un filtro formado por un inductor, un condensador o ambos juntos. APLICACINES: S, a veces no basta con rectificar una tensin alterna. El tratamiento de los diodos rectificadores se ve apoyado por otros diodos que, convenientemente configurados, pueden limitar y recortar tensiones. Adems de esto vamos a ver cmo filtrar una seal con objeto de que se asimile lo ms posible a una Corriente Continua.

La tensin alterna, o las seales alternas cualquiera que sea su tipo, se utilizan en electrnica tal cual o se tratan para adaptarse lo ms posible al tipo y magnitud de la seal requerida. Para conseguir este fin los componentes electrnicos nos ofrecen diferentes posibilidades. Slo tenemos que combinarlos de la forma adecuada y constituir as los circuitos de tratamiento que estn ya inventados o, por qu no?, inventar nosotros algn otro circuito. En la electrnica, como en el arte, todo es cuestin de imaginacin e inventiva. Filtros Bajo este escueto nombre se engloban un buen nmero de circuitos que tienden a adecuar una tensin alterna para, por ejemplo, utilizarla como alimentacin continua de cualquier circuito. Los filtros de alimentacin son slo una de las aplicaciones de estos pero, debido a su utilidad y simplicidad, vamos a comenzar con ellos. Los filtros se basan en la propiedad de almacenamiento de energa que ofrecen los componentes reactivos, esto es, los condensadores y las bobinas. Los tipos ms sencillos y utilizados son los siguientes:

Filtro con condensador: Este tipo de filtros tan solo precisa de la colocacin de un condensador de gran capacidad entre el diodo (o diodos) encargado de rectificar la Corriente Alterna y la salida de la misma hacia la carga (o circuito) a alimentar (Rc). En la ilustracin correspondiente nos podemos hacer cargo de cmo se conecta este condensador.

Debido a las constantes de tiempo asociadas a las resistencias a travs de las que se realizan las secuencias sucesivas de carga y descarga del condensador se obtiene una salida de forma bastante ms "plana" que la seal que obtenemos en la salida de una etapa rectificadora. Filtro en pi : En la ilustracin correspondiente podemos observar cmo se configura en la prctica un filtro de este tipo. Como vemos, la denominacin "pi" se debe a la forma que se obtiene en el esquema que representa el citado filtro. La resistencia, junto al par de condensadores, muestra la mencionada "pi ".

Su funcionamiento intenta proteger al diodo D de los posibles picos de intensidad debidos a una carga excesivamente brusca. Ahora se vuelve a filtrar la resistencia R y el condensador C2 la seal obtenida ya en el tipo de filtro anterior, con lo que conseguimos atenuar an ms las oscilaciones de la tensin que llega a la carga (Rc). Factor de rizado La calidad de la seal, o tensin, continua que obtenemos despus de hacer pasar una seal alterna por un circuito de filtro depender de la complejidad de ste. Podemos, por ejemplo, encadenar circuitos de filtro para conseguir mejores seales de salida (que lleven menos "rizado" sobre el componente de continua). El valor que determina esta calidad se conoce como factor de rizado o, ms simplemente, rizado. Si tenemos una tensin continua, cuyo valor llamamos VDC, e incorpora sobre ella una tensin de rizado a cuyo valor pico a pico (as denominamos la medida de una tensin sinusoidal cuando nos referimos a la mxima distancia entre el pico superior y el inferior de la misma) llamamos VAC, el valor del factor de rizado (Fr) ser:

Circuitos limitadores Los circuitos limitadores (o recortadores) hacen uso de los diodos pero de un modo distinto al que hemos estudiado desde el punto de vista de la rectificacin. Desde una ptica prctica, podemos dividir a los recortadores en recortadores serie, recortadores paralelo y recortadores polarizados paralelo. Recortador serie: La posibilidad de colocar el diodo serie en uno u otro sentido posibilita que "recortemos" semiciclos positivos o negativos.

Recortador paralelo: Este tipo de recortador vara la posicin del diodo pero basa su operativa en similares premisas. Recortador polarizado: Esta clase de recortados utiliza una segunda polarizacin en serie con el diodo paralelo recortador. Esto se traduce en que el lmite de conduccin se ve incrementado, mientras que el valor absoluto de VP (segunda polarizacin) ser mayor que el valor absoluto de la tensin alterna de entrada (V AC). En la ilustracin correspondiente vemos un recortador polarizado negativo y un recortador doble que utiliza dos polarizaciones contrarias sobre dos diodos (Va y Vb).

El diodo zener como regulador de tensin Al colocar un diodo tipo zener intercalado en un circuito la carga a alimentar (R c) y el condensador de filtro (Cf), se origina una regulacin real de tensin en la alimentacin de la carga. Esto se debe a que estos diodos zener se fabrican de forma especfica para que se comporten como un diodo normal si no se alcanza la tensin zener (ya comentada) y responden, con una elevada corriente ante pequeas variaciones de tensin si trabajamos en esa zona. La utilizacin de esta caracterstica hace que el diodo realice una regulacin de tensin. Dicha tensin es indicada en la cpsula del mismo y viene prefijada de fbrica. De todos modos el diodo necesita el concurso de una resistencia limitadora para configurar totalmente la etapa "reguladora". El clculo de dicha resistencia es sencillo si aplicamos la frmula siguiente:

Siendo: V: Tensin en la salida del filtro (Cf) VZ: Tensin zener o tensin de salida IC: Corriente que circula por la carga. IZ: Corriente que circula por el zener (IZ = 20 % IC) Por ejemplo, si deseamos estabilizar a 12 V una tensin de entrada de 18 V y si la carga consume 100 mA tenemos que:

Si aplicamos la Ley de Ohm podemos deducir que la potencia de la resistencia y del diodo zener debern ser de:

Dobladores de tensin Existe un mtodo que hace uso de los diodos y del efecto capacidad a fin de duplicar (o triplicar, cuadriplicar, etc.) una tensin dada pero con el inconveniente de no poder manejar una intensidad elevada, es decir, se eleva la tensin pero solo se puede utilizar estas para consumos pequeos.

En la ilustracin anterior, podemos ver un circuito doblador de tensin. Como vemos este circuito tambin hace uso de la propiedad de almacenamiento de energa de los condensadores as como del efecto de circulacin en un solo sentido de que gozan los diodos. Su funcionamiento comienza con la carga de C1 a la tensin Ve cuando D1 se polariza directamente, tal y como se ve en la grfica, debido al semiciclo negativo de entrada. En el ciclo siguiente D1 se polariza inversamente, D2 lo hace de forma directa y as se obtiene la carga de C2, pero esta vez la carga se hace a una tensin que es la suma de la almacenada en C1 y la proporcionada por Ve, es decir, C2 se carga a una tensin 2 x Ve , lo que es igual, en bornes de C2 se obtiene una tensin doble a la de entrada del circuito. Este tipo de circuitos se puede encadenar en cascada y lograr as, por ejemplo, triplicadores de tensin, los cuales son muy utilizados en la polarizacin de los TRC de los televisores, pero... eso es ya otra historia.

utorial de Fuentes de Alimentacin (parte 2)

Fuentes Reguladas y Estabilizadas Introduccin: La tensin continua disponible a la salida del filtro del rectificador puede que no sea lo suficientemente buena, debida al rizado, o que vare su valor ante determinado tipo de perturbaciones, como variaciones de la tensin de entrada, de la carga o de la temperatura. En estos casos se necesitan circuitos de regulacin o estabilizacin para conseguir que la tensin continua a utilizar sea lo ms constante posible. Lo ideal sera que la tensin de salida fuera constante para cualquier condicin del circuito, pero esto es imposible debido a: a) La tensin de red puede tener variaciones de hasta el 20% de su valor nominal. b) El circuito de carga conectado al rectificador puede absorver ms o menos corriente. Al aumentar la corriente por la carga, la tensin de salida disminuir debido a la caida en la resistencia del transformador y la de los diodos. c) En la salida aparece un rizado. d) Cuando se utilizan dispositivos semiconductores, la tensin de salida vara con la temperatura

Una fuente de tensin estabilizada o regulada es aquella que cumple: D Vs / Vs < D Ve / Ve Una fuente de corriente estabilizada o regulada es aquella que cumple: D Is / Is < D Ie / Ie Adems de la clasificacin en fuentes de corriente y fuentes de tensin, cabe distinguir dos tipos: a) Fuentes estabilizadas: Consiguen la estabilizacin de la magnitud de salida (tensin corriente) utilizando directamente la caracterstica no lineal de un dispositivo electrnico. b) Fuentes reguladas: consiguen la estabilizacin de la magnitud de salida mediante un sistema de control o de realimentacin negativa que corrige automticamente dicha magnitud de salida. FUENTE ESTABILIZADA DE TENSION. El rizado y la resistencia de salida de una fuente no estabilizada (transformador, rectificador filtro ) resultan ser demasiado grandes para algunas aplicaciones. Se trata de reducirlos mediante una fuente estabilizada que utiliza un diodo zener.

F A. no estabilizada Los datos de salida suelen ser:

estabilizador

carga

Vs deseada Is mxima e Is mnima Rr

Se desea calcular el zener y Rs El margen de variacin de la resistencia de carga ser: RLmx = Vs / Ismn RLmn = Vs / Ismx Eleccin del zener: La tensin nominal del zener ha de ser igual a la tensin deseada: Vz = Vs Eleccin de Rs: Para calcularl deberemos ver primero el circuito equivalente del zener

Diodo ideal
rz

Vz rz , Iz y Vz son caractersticas de cada zener en particular, y son suministradas por el fabricante

El circuito resultante es:

en el que R's = Rr + Rs Resulta: Vs = Iz rz + Vz Vs = Is RL Ve = Ie R's + Vs = (Iz + Is) R's + VsDe donde operando :

Los valores lmites de

que garantizan que el zener trabaja en la zona deseada son :

El valor de R's que se escoja debe cumplir : R's mn < R's < R's mx Se deber procurar que el valor comercial de R's escogido est ms cerca de R's mx de R's mn, a fin de evitar que el zener se caliente excesivamente. Recurdese que R's = Rr + Rs FUENTES REGULADAS:. Una fuente regulada de tensin utiliza una realimentacin negativa que detecta de un modo instantneo las variaciones de tensin de salida, actuando como control que las corrige automticamente. La regulacin puede ser en serie o en paralelo. REGULACION SERIE Una fraccin de la tensin de salida, m Vs, es comparada con una tensin de referencia VR. La diferencia de las dos es amplificada por el amplificador de error y aplicada al control. que

Si VR = m Vs => El control no acta. Si VR < m Vs => El control debe conducir menos para disminuir la tensin a la salida. Si VR > m Vs => El control debe conducir ms para aumentar la tensin a la salida.

REGULACION EN PARALELO En este montaje, el control trabaja en corriente (en la regulacin serie lo hace en tensin), siendo RS la encargada de producir la caida de tensin necesaria. El comparador compara una fraccin de la tensin de salida, m Vs, con una tensin de referencia, VR. La diferencia entre estas dos es amplificada por el amplificador de error y aplicada al control.

Si VR = m Vs => El control no acta. Si VR > m Vs => El control debe conducir menos, para, al drenar menos corriente por RS, disminuir la cada de tensin en sta y aumentar la de salida.

Si VR < m Vs => El control debe conducir ms para, al drenar ms corriente por Rs, aumentar la cada en sta y disminuir la salida.

COMPARACION ENTRE LOS DOSTIPOS DE REGULACIN La diferencia entre los dos tipos estriba en el elemento de control. Regulacin en serie El control soporta toda la corriente de carga. Est sometido a una diferencia de potencial en extremos igual a Vs - Ve. Regulacin en paralelo El control deriva menos corriente cuanto mayor es la corriente de carga. Con cargas muy fuertes, el control estar trabajando con pequeas corrientes. La diferencia de potencial aplicada al control es Vs, ya que est en paralelo con la salida. De las anteriores consideraciones se deduce que, a fin de no cargar excesivamente el control, la regulacin en serie es apropiada para pequeas corrientes de carga y/o grandes tensiones de salida, en tanto que la regulacin en paralelo es apta para grandes corrientes de carga y/o pequeas tensiones de salida. En algunos casos, en que el margen de tensiones y corrientes en que va a trabajar la fuente es muy grande, se recurre al montaje de dos fuentes, una en serie y otra en paralelo, con un conmutador que selecciona una u otra, segn las condiciones de trabajo. Una fraccin de la tensin de salida, m Vs, es comparada con una tensin de referencia VR. La diferencia de las dos es amplificada por el amplificador de error y aplicada al control. ELEMENTO DE REFERENCIA

Deber ser tal que proporcione una tensin VR lo ms constante posible. Se utilizar un diodo zener. Es preciso que IZ sea lo ms constante posible. Para ello ha de procurarse que I1 >> I2 Las variaciones de la tensin de salidaafectarn a la de referencia (al aumentar IZ, aumenta VR, y al contrario) Si rZ es pequea (idealmente, cero), VR = VZ independiente de IZ ELEMENTO DE MUESTRA Ha de tomarse una fraccin de la tensin de salida para medir sus variaciones y compararlas con la de referencia.

Se utiliza un divisor resistivo La corriente que absorbe el comparador debe ser despreciable frente a I1, a fin de no cargar apreciablemente al divisor. En estas condiciones: R ( 1 - a) + R2 m Vs = --------------------- x Vs R1 + R + R2 ELEMENTO COMPARADOR La seal de salida del comparador debe ser proporcional a la diferencia entre la tensin suministrada por el muestreador (m Vs) y la de referencia (VR).

Si m Vs aumenta, aumentar la corriente de base o, lo que es lo mismo, VBE, produciendo un aumento en la corriente de colector m Vs - VR - VBE m Vs - VR IC = -------------------- -----------rz rzObsrvese que IC depende pues de la diferencia entre la tensin de muestra y la tensin de referenciam ( VS - VR) Debido pues a que como tanto el zener como el transistor son elementos semiconductores, el funcionamiento de nuestro circuito variar con la temperatura.. Se conseguir una buena compensacin trmica cuando: D VBE D VR ---------- y --------- sean del mismo valor DT D Ty de signos opuestos. A este fin, son muy apropiados los diodos zener de tensiones nominales alrededor de los seis voltios, por lo que, siempre que se pueda, se utilizarn estos valores. AMPLIFICADOR DE LA SEAL DE ERROR Suele ser un amplificador de acoplo directo, generalmente constituido por un solo transistor. Su objetivo es elevar la seal de error procedente del comparador a un nivel suficiente para atacar el control. En muchos casos, el mismo comparador hace las veces de amplificador de error. ELEMENTO DE CONTROL Interpreta la seal de error y corrige las variaciones de la tensin de salida, VS. Se suele utilizar un transistor conectado como indica la figura:

Si Vs, por ejemplo, tiende a aumentar, la seal de error ha de ejercer sobre el transistor una accin tal que haga que Vs tienda a disminuir (realimentacin negativa), contrarrestando la variacin inicial. Por tanto, deber aumentar VCE en el caso de regulacin en serie, y aumentar Ic en el caso de regulacin en paralelo.Supongamos que Ve tiende a aumentar (debido a fluctuaciones en la red); => Vs tender a aumentar. Este aumento de Vs, a travs del comparador, har que vare Ic. Como la corriente la corriente que entra en el nudo, suministrada por un generador de corriente, es constante, al aumentar Ic disminuir IB, con lo que el transistor conducir menos, aumentando VCE. As pues, vemos que un aumento de de Ve es absorbido entre colector y emisor, mantenindose de ese modo Vs constante.

Un aumento de la corriente de carga producir una disminucin de Vs (debida a la resistencia de salida de la fuente). El circuito reaccionar de manera que Ic disminuir, por lo tanto aumentar IB con lo que el transistor conducir ms, disminuyendo la VCE. De esta manera, variaciones de la carga son compensadas por el circuito. En muchos casos, el generador de corriente est constituido por una simple resistencia. Cuando se quiera mayor precisin, se montar un transistor como generador de corriente, es decir, fijando la tensin de base y haciendo la salida por colector. Para obtener la tensin de base constante se utiliza un zener. El conjunto recibe el nombre de prerregulador.

Prerregulador VZ - VBE VZ ---------- ------ = cte. R3 R3 Icte : significa " corriente constante "

Icte = Nota:

R2 es la resistencia de polarizacin del zener. Se debe cumplir que Icte sea mayor o igual que 2 IBmx. En el caso de utilizar una resistencia: Ve - Vs - VBEcontrol Ve - V s R = ----------------------------------- ------------Icte Icte CONSIDERACIONES SOBRE LA TENSION DE SALIDA A.- Tensin mnima de salida. Vsmn = VR No se puede bajar de este valor, por lo que, si se quieren obtener pequeas tensiones de salida, es preciso utilizar zeners de baja tensin. B.-Tensin mxima de salida. Vsmx = Ve En este punto se pierde la regulacin, por lo que no es aconsejable acercarse a l. Conviene que la tensin de entrada sea bastante mayor que la de salida deseada. Ahora bien, si la de salida es variable (por medio del potencimetro del elemento de muestra), cuando a la salida est presenta la tensin mnima (VR), VCE alcanzar valores elevados, lo que habr que prever a fin de evitar la destruccin del transistor. Habr que contar con el caso peor, en que Vs = VR y Is = mxima. En este caso; VCE = Ve - VR y la potencia disipada por el control P = VCE . Ismx. CIRCUITO COMPLETO Un circuito elemental basado en los elementos explicados en los puntos anteriores sera:

Observar que hemos colocado en el elemento de control un transistor ms ( el T3) montado con el T2 en Darlington, de esa manera aumentamos la eficiencia del elemento de control al aumentar la b correspondiente. PROTECCION CONTRA CORTOCIRCUITOS En la fuente regulada en serie, un cortocircuito es fatal para el transistor de control, ya que tiene que soportar toda la corriente de cortocircuito. No es as en la fuente regulada en paralelo, en la que al producirse un corto y quedar la tensin de salida a cero, todos los elementos quedan sin polarizacin. En este caso, es la resistencia serie, Rs, la que soporta toda la corriente. En las fuentes reguladas en serie es conveniente aadir, pues, un elemento de proteccin contra cortocircuitos, que desconecte el control cuando se produzca alguno. Los dos tipos ms usados son:

En ambos casos, cuando la corriente de slida excede de cierto valor, los diodos conducen en un caso o el transistor conmuta en el otro, saturndose y drenando la corriente de base del transistor de control, que queda sin polarizacin y, por tanto, desconectado. OSCILACIONES EN UNA FUENTE Puede ocurrir, y de hecho ocurre en multitud de ocasiones, que la realimentacin, que en contnua es negativa, se convierta en positiva para alguna frecuencia, generalmente muy alta, dando lugar a que la fuente oscile. Para evitar esta eventualidad, se conecta en paralelo con la salida un condensador de gran capacidad, (condensador C2 de la figura ) que cortocircuitar las componentes de alta frecuencia debidas a la oscilacin.

Otra solucin consiste en conectar un condensador (C1) entre el colector y la base del transistor comparador (T1); de este modo queda cortocircuitado para las altas frecuencias, con lo que no hay amplificacin. Algunas veces, en que la fuente tiene fuerte tendencia a la oscilacin, se utilizan las dos soluciones simultneamente.

FUENTES VARIABLES HASTA CERO VOLTIOS Se ha dicho que la mnima tensin en una fuente regulada en serie es VR. Cuando se necesita que la fuente suministre tensin variable, desde un cierto valor mximo hasta cero voltios, es preciso recurrir a la alimentacin simtrica: una tensin positiva y otra negativa respecto de masa. De este modo si VR es positiva respecto de su barra de alimentacin, y esta, a su vez, es negativa respecto de masa, puede conseguirse que el emisor del comparador quede a cero voltios respecto de masa, con lo que, realmente, est comparando mVs con cero voltios.

Huelga decir que todo lo que se ha dicho de las fuentes aqu estudiadas, con negativo a masa, es vlido para fuentes con positivo a masa, sin ms que cambiar la polaridad de todos los elementos que la tengan (transistores, diodos y condensadores electrolticos). REGULADORES MONOLITICOS Existen pastillas de circuito integrado que funcionan como reguladores de tensin, lo que representa ventajas respecto a los circuitos con elementos discretos. Los mdulos bsicos pueden usarse directamente o agregando componentes exteriores. Con este tipo de dispositivos se alcanzan tensiones de salida reguladas que varan entre cero voltios y algunos centenares. El fabricante suministra toda la informacin necesaria para un uso de terminales hacia afuera: tensin de salida (fija o ajustable), corriente mxima de salida, regulacin, rizado, margen de la tensin de entrada, margen de temperatura de funcionamiento, tc. Tambin se indica la misin hacia afuera de los distintos terminales. Como ejemplo,

se ver un circuito en que, adems del C.I., se utilizan componentes discretos exteriore, y cul es la funcin de cada terminal. REGULADOR DE TENSION DE PRECISION: CA723, CA723C The CA723 and CA723C are silicon monolithic integrated circuits designed for service as voltage regulators at output voltages ranging from 2V to 37V at currents up to 150mA.

o o o o

Alimentacin positiva o negativa Serie, shunt, conmutacin u operacin flotante Salida de tensin ajustable de 2 a 37 voltios. Corriente de salida hasta 150 mA. sin transistor externo de paso.

Valores mximos absolutos (TA = 25 C)

o o o o

Tensin desde V+ a VTensin diferencial entre entrada y salida Mxima corriente de salida Rango de temperaturas

40 V. 40 V. 150 mA. de 0C a 70C.

Diagrama de conexiones:

1.- No conectar 2.-Limitacin de corriente 3.- Sensor de corriente 4.- Entrada inversora 5.- Entrada no inversora 6.- VREF 7.- V-

8.- No conectar 9.- Vz 10.- Vs 11.- Vc 12.- V+ 13.- Compensacin de frecuencia 14.- No conectar

CIRCUITO EQUIVALENTE

Caractersticas elctricas

Parmetro Rechazo del rizado Rechazo del rizado

Condiciones Mn Tp Mx Unidades de medida F = 50 Hz a 74 dB 10 Kz. CREF = 0uF F = 50 Hz a 86 dB 10 Kz. CREF = 5uF Vs = 0 65 6,80 7,15 7,50 9'5 40 3 38 2 37 mA V. V. V. V.

Corriente de Rsc = 10 cortocircuito Tensin de referencia Tensin de entrada Tensin diferencial Tensin de salida

Aplicacin del CA723 como regulador de tensiones bajas ( 2 a 7 V.)

R3 debe ser igual al paralelo de R1 y R2 (tambin puede ser eliminada)

Usando un transistor externo (p-n-p)

R2 Vs = VREF ---------------Frmula vlida para las dos figuras R1 + R2 anteriores Aplicacin del CA723 como regulador de tensiones de ( 7 a 37 V.)

R3 debe ser igual al paralelo de R1 y R2 (tambin puede ser eliminada)

Usando un transistor externo (n-p-n)

R1 + R2 Vs = VREF ---------------Frmula vlida para las dos figuras R2 anteriores REGULADOR DE TENSION NEGATIVA

VREF R1 + R2 Vs = ---------- --------------2 R1

( R3 = R4 )

REGULADOR DE POSITIVO FLOTANTE

VREF R2 - R1 Vs = ---------- --------------2 R1

( R3 = R4 )

Limitacin de corriente (para todos los casos): VSENSE ILIMIT = ---------------Rsc

OPTOELECTRONICA
1 INTRODUCCION
La optoelectrnica es el nexo de unin entre los sistemas pticos y los sistemas electrnicos. Los componentes optoelectrnicos son aquellos cuyo funcionamiento est relacionado directamente con la luz. Los sistemas optoelectrnicos estn cada vez ms de moda. Hoy en da parece imposible mirar cualquier aparato elctrico y no ver un panel lleno de luces o de dgitos ms o menos espectaculares. Por ejemplo, la mayora de los walkman disponen de un piloto rojo que nos avisa, siempre en el momento ms inoportuno, que las pilas se han agotado y que deben cambiarse. Los tubos de rayos catdicos con los que funcionan los osciloscopios analgicos y los televisores, las pantallas de cristal lquido, los modernos sistemas de comunicaciones mediante fibra ptica,... son algunos de los ejemplos de aplicacin de las propiedades pticas de los materiales que nos disponemos a desglosar en este captulo. Pero antes debemos recordar los conceptos elementales acerca de la luz.

LA RADIACION ELECTROMAGNETICA
No se pretende aqu realizar un estudio riguroso a cerca de la radiacin electromagntica. Simplemente se recordarn algunos conceptos bsicos, imprescindibles para comprender el captulo. 1. La radiacin electromagntica est formada por fotones.

1. Cada fotn lleva asociada una energa que se caracteriza por su longitud de onda segn la ecuacin E=hc/ donde

E = energa del fotn c = velocidad de la luz 3108m/s h = constante de Planck = longitud de onda del fotn.

El numerador de la expresin de la energa es una constante. Por eso, la energa de un fotn es mayor cuanto menor sea la longitud de onda , que se encuentra en el denominador. 1. La luz, tal y como la entiende la persona de a pie, no es mas que una parte de la radiacin electromagntica que es capaz de excitar las clulas de la retina del ojo. La radiacin electromagntica abarca un concepto ms general.

Figura 1: El espectro electromagntico La radiacin electromagntica queda dividida segn su longitud de onda (Figura 1). A continuacin se comentan algunos aspectos relativos a estas divisiones:

Las ondas de radio son generadas por circuitos electrnicos, como osciladores LC, y son utilizadas en comunicaciones. Las microondas abarcan la zona desde 1 mm hasta 30 cm. Resultan adecuadas para los sistemas de radar, navegacin area y para el estudio de las propiedades atmicas de la materia. Las ondas infrarrojas son llamadas tambin ondas trmicas ya que estas ondas son producidas principalmente por cuerpos calientes y son absorbidas fcilmente por la mayora de los materiales. La energa absorbida aparece como calor. Estas ondas comprenden longitudes de onda desde 1 mm hasta 4x10-7 m. o La luz visible es la parte del espectro que puede percibir el ojo humano. Incluye las longitudes de onda desde 4x10-7 hasta 7x10-7 metros o lo que es lo mismo, desde 400nm hasta 700nm. Los diferentes colores corresponden a ondas de diferente longitud de onda. o La luz ultravioleta (6x10-8 - 3.8x10-7) es producida principalmente por el sol. Es la causa de que la gente se ponga morena. o Los rayos X y los rayos gamma son ondas de gran energa que daan la estructura de los tejidos humanos.

La optoelectrnica se centra principalmente en la parte del espectro electromagntico correspondiente a la luz visible y la parte del infrarrojo cercano a la luz visible.

2 DISPOSITIVOS OPTOELECTRONICOS BASICOS

A nivel de componentes podemos distinguir tres tipos de dispositivos:

Dispositivos emisores: emiten luz al ser activados por energa elctrica. Son dispositivos que transforman la energa elctrica en energa luminosa. A este nivel corresponden los diodos LED o los LSER. Dispositivos detectores: generan una pequea seal elctrica al ser iluminados. Transforma, pues, la energa luminosa en energa elctrica. Dispositivos fotoconductores: Conducen la radiacin luminosa desde un emisor a un receptor. No se producen transformaciones de energa.

Tras esta amena introduccin, nos adentramos en el maravilloso mundo de la optoelectrnica.

DISPOSITIVOS EMISORES
Los dispositivos emisores son aquellos que varan sus propiedades pticas con la aplicacin de un determinado potencial. Estas propiedades pueden ser la emisin de luz o simplemente la absorcin o reflexin de la luz En este apartado se presentan los siguientes componentes:

Diodos LED Diodos lser Tubo de rayos Catdicos Cristales lquidos

DIODOS EMISORES DE LUZ (LEDS)

Un diodo emisor de luz es un dispositivo de unin PN que cuando se polariza directamente emite luz. Al aplicarse una tensin directa a la unin, se inyectan huecos en la capa P y electrones en la capa N. Como resultado de ello, ambas capas tienen una mayor concentracin de portadores (electrones y huecos) que la existente en equilibrio. Debido a esto, se produce una

recombinacin de portadores, liberndose en dicha recombinacin la energa que les ha sido comunicada mediante la aplicacin de la tensin directa. Se pueden distinguir dos tipos de recombinacin en funcin del tipo de energa que es liberada:

Recombinacin no radiante : la mayora de la energa de recombinacin se libera al cristal como energa trmica. Recombinacin radiante: la mayora de la energa de recombinacin se libera en forma de radiacin. La energa liberada cumple la ecuacin:

Si se despeja la longitud de onda:

siendo E la diferencia de energa entre el electrn y el hueco que se recombinan expresada en electrn-voltios. Esta energa depende del material que forma la unin PN. Para caracterizar la eficacia en la generacin de fotones se definen una serie de parmetros: La eficacia cuntica interna (s) es la relacin entre el nmero de fotones generados y el nmero de portadores (electrones y huecos) que cruzan la unin PN y se recombinan. Este parmetro debe hacerse tan grande como sea posible. Su valor depende de las probabilidades relativas de los procesos de combinacin radiante y combinacin no radiante, que a su vez dependen de la estructura de la unin el tipo de impurezas, y sobre todo, del material semiconductor. Sin embargo, la obtencin de una alta eficacia cuntica interna no garantiza que la emisin de fotones del LED sea alta. La radiacin generada en la unin es radiada en todas las direcciones. Es esencial que esa radiacin generada en el interior del material pueda salir de l. A la relacin entre el nmero de fotones emitidos y el nmero de portadores que cruzan la unin PN se le llama eficacia cuntica externa (ext). Las causas de que ext sea menor que s son tres:

Slo la luz emitida en la direccin de la superficie entre el semiconductor y el aire es til. En la superficie entre el semiconductor y el aire se pueden dar fenmenos de reflexin, quedando los fotones atrapados en el interior del material. Los fotones pueden ser absorbidos por el material para volverse a formar un par electrn-hueco.

Consideraciones prcticas
En la Figura 2 se muestra el smbolo circuital ms extendido del diodo LED.

Figura 2: Smbolo circuital del diodo LED En el anlisis de un circuito, el diodo LED puede ser tratado de manera anloga a un diodo normal. Sin embargo conviene tener en cuenta que los diodos LED no estn fabricados de silicio monocristalino, ya que el silicio monocristalino es incapaz de emitir fotones. Debido a ello, la tensin de polarizacin directa VD depende del material con el que est fabricado el diodo. Cuando se utilizan LEDs con tensin alterna se suele utilizar el esquema de la Figura 3:

Figura 3: Diodo LED en alterna Este esquema se utiliza para que el diodo LED no se encuentre nunca polarizado en inversa. Al situar un diodo normal en antiparalelo, la tensin mxima en inversa entre las terminales del LED es de 0,7 V. Esto se realiza as porque un diodo LED puede resultar daado ms fcilmente que un diodo normal cuando se le aplica una polarizacin inversa.

Materiales utilizados
Tal y como se ha expuesto anteriormente, los diodos LED no estn fabricados de silicio monocristalino. El material que compone el diodo es importante ya que el color de la luz emitida por el LED depende nicamente del material y del proceso de fabricacin (principalmente de los dopados). En la tabla adjunta aparecen algunos ejemplos de materiales utilizados junto con los colores conseguidos: Material AsGa InGaAsP AsGaAl AsGaP InGaAlP CSi Longitud de onda 904 nm 1300 nm 750-850 nm 590 nm 560 nm 480 nm Color IR IR Rojo Amarillo Verde Azul VD tpica 1V 1V 1,5 V 1,6 2,7 V 3V

Una aplicacin de los LEDs: el display de 7 segmentos

Una de las aplicaciones ms populares de los LEDs es la de sealizacin. Quizs la ms utilizada sea la de 7 LEDs colocados en forma de ocho tal y como se indica en la figura.

Figura 4: Display de 7 segmentos. A la izquierda aparecen las dos posibles formas de construir el circuito Polarizando los diferentes diodos, se iluminarn los segmentos correspondientes. De esta manera podemos sealizar todos los nmeros en base 10. Por ejemplo, si queremos representar el nmero 1 en el display deberemos mandar seal a los diodos b y c, y los otros diodos deben de tener tensin cero. Esto lo podemos escribir as: 0110000(0). El primer dgito representa al diodo a, el segundo al b, el tercero al c,... y as sucesivamente. Un cero representa que no polarizamos el diodo, es decir, no le aplicamos tensin. Un uno representa que el diodo est polarizado, y por lo tanto, emite luz. Muchas veces aparece un octavo segmento, entre parntesis en el ejemplo anterior, que funciona como punto decimal.

DIODOS LASER
LASER es un acrnimo de Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation. Las aplicaciones de estos diodos son muy diversas y cubren desde el corte de materiales con haces de gran energa hasta la transmisin de datos por fibra ptica.

Caractersticas: ventajas frente a los diodos LED

Los diodos lser son constructivamente diferentes a los diodos LED normales. Las caractersticas de un diodo lser son 1. La emisin de luz es dirigida en una sola direccin: Un diodo LED emite fotones en muchas direcciones. Un diodo lser, en cambio, consigue realizar un guiado de la luz preferencial una sola direccin.

Figura 5: Corte esquemtico de la emisin de luz en diodos LED y lser 1. La emisin de luz lser es monocromtica: Los fotones emitidos por un lser poseen longitudes de onda muy cercanas entre s. En cambio, en la luz emitida por diodos LED, existen fotones con mayores dispersiones en cuanto a las longitudes de onda.

Figura 6 :Intensidad de luz en funcin de la longitud de onda para diodos LED y lser Debido a estas dos propiedades, con el lser se pueden conseguir rayos de luz monocromtica dirigidos en una direccin determinada. Como adems tambin puede controlarse la potencia emitida, el lser resulta un dispositivo ideal para aquellas operaciones en las que sea necesario entregar energa con precisin.

Materiales utilizados
Los materiales utilizados para la fabricacin de diodos lser son prcticamente los mismos que en diodos LED. En comunicaciones se utilizan predominantemente diodos lser que emiten en el infrarrojo. Tambin se utilizan de luz roja.

Ejemplo de aplicacin: El lector de discos compactos

Una de las muchas aplicaciones de los diodos lser es la de lectura de informacin digital de soportes de datos tipo CD-ROM o la reproduccin de discos compactos musicales. El principio de operacin de uno y otro es idntico.

Figura 7: Esquema del funcionamiento del CD-ROM Un haz lser es guiado mediante lentes hasta la superficie del CD. A efectos prcticos, se puede suponer dicha superficie formada por zonas reflectantes y zonas absorbentes de luz. Al incidir el haz lser en una zona reflectante, la luz ser guiada hasta un detector de luz: el sistema ha detectado un uno digital. Si el haz no es reflejado, al detector no le llega ninguna luz: el sistema ha detectado un cero digital. Un conjunto de unos y ceros es una informacin digital, que puede ser convertida en informacin analgica en un convertidor digital-analgico. Pero esa es otra historia que debe de ser contada en otra ocasin.

3. DISPLAY DE CRISTAL LIQUIDO (LCDS)

Los LCDs difieren de otros tipos de displays en que no generan luz sino que trabajan con la reflexin de la luz. El principio de funcionamiento es sencillo. Estos cristales lquidos estn formados por unas molculas alargadas con forma de puro, que se llaman molculas nemticas y se alinean con una estructura simtrica. En este estado el material es transparente. Un campo elctrico provoca que las molculas se desalinien de manera que se vuelven opacas a la luz. De esta manera, aplicando o no aplicando un campo elctrico (es decir, polarizando o no polarizando), podemos jugar con oscuridad o transparencia respectivamente. Si aplicamos el campo localmente en geometras iguales al display de 7 segmentos, conseguiremos un display anlogo al de los LEDs pero con cristal lquido.

Figura 8: Esquema constructivo de un LCD En la construccin de un LCD se depositan electrodos transparentes en la cara interior de los cristales, tal y como aparece en la figura superior. Estos electrodos tienen la geometra deseada, por ejemplo, el display de 7 segmentos. El espesor del cristal lquido es muy pequeo, del orden de 0.01mm. Ya tenemos nuestro invento preparado. Si no se polarizan los terminales, al incidir la luz sobre el cristal frontal, pasa a travs del cristal lquido y es reflejada por el espejo incidiendo en el ojo que est mirando. El resultado: todo se ve de color claro. Si polarizamos un electrodo, por ejemplo, el electrodo a, el cristal lquido pegado al electrodo se vuelve opaco, negro, oscuro. La luz ya no es reflejada.

Caractersticas elctricas del LCD

Desde el punto de vista elctrico, se puede representar el LCD como una capacidad de valor muy pequeo en paralelo con una resistencia muy grande.

Figura 9: Circuito equivalente de un LCD.

Se necesita una seal pequea en AC de 3 a 7 voltios para polarizar el LCD. Tensiones mayores romperan la fina capa de cristal lquido. La frecuencia de la tensin puede variar entre 30 y 50 Hz. Frecuencias ms bajas producen un efecto de parpadeo, frecuencias ms altas producen un aumento del consumo.

4. FOTODETECTORES
Ya se ha explicado que los componentes fotodetectores son aquellos componentes que varan algn parmetro elctrico en funcin de la luz. Todos los componentes fotodetectores estn basados en el mismo principio. Si construimos un componente con un material semiconductor de manera que la luz pueda incidir sobre dicho material, la luz generar pares electrn - hueco. Esta generacin se realiza de manera anloga a la generacin trmica de portadores ya estudiada. En este capitulo se estudiarn principalmente el funcionamiento de tres componentes:

Fotorresistencias Fotodiodos Fototransistores

FOTORRESISTENCIAS
Una fotorresistencia se compone de un material semiconductor cuya resistencia varia en funcin de la iluminacin. La fotorresistencia reduce su valor resistivo en presencia de rayos luminosos. Es por ello por lo que tambin se le llama resistencias dependientes de luz (light dependent resistors), fotoconductores o clulas fotoconductoras. Cuando incide la luz en el material fotoconductor se generan pares electrn - hueco. Al haber un mayor nmero de portadores, el valor de la resistencia disminuye. De este modo, la fotorresistencia iluminada tiene un valor de resistencia bajo.

Figura 10: Fotogeneracin de portadores Si dejamos de iluminar, los portadores fotogenerados se recombinarn hasta volver hasta sus valores iniciales. Por lo tanto el nmero de portadores disminuir y el valor de la resistencia ser mayor.

Figura 11: Estado de conduccin sin fotogeneracin Por supuesto, el material de la fotorresistencia responder a unas longitudes de onda determinadas. Es decir, la variacin de resistencia ser mxima para una longitud de onda determinada. Esta longitud de onda depende del material y el dopado, y deber ser suministrada por el proveedor. En general, la variacin de resistencia en funcin de la longitud de onda presentan curvas como las de la figura siguiente.

Figura 12: Variacin de resistencia en funcin de la longitud de onda de la radiacin. El material mas utilizado como sensor es el CdS, aunque tambin puede utilizarse Silicio, GaAsP y GaP.

FOTODIODOS
Los fotodiodos son diodos de unin PN cuyas caractersticas elctricas dependen de la cantidad de luz que incide sobre la unin. En la figura siguiente se muestra su smbolo circuital.

Figura 13: Smbolo circuital del fotodiodo

Caractersticas

Figura 14: Curvas caractersticas de un fotodiodo El efecto fundamental bajo el cual opera un fotodiodo es la generacin de pares electrn hueco debido a la energa luminosa. Este hecho es lo que le diferencia del diodo rectificador de silicio en el que, solamente existe generacin trmica de portadores de carga. La generacin luminosa, tiene una mayor incidencia en los portadores minoritarios, que son los responsables de que el diodo conduzca ligeramente en inversa. El comportamiento del fotodiodo en inversa se ve claramente influenciado por la incidencia de luz. Conviene recordar que el diodo real presenta unas pequeas corrientes de fugas de valor IS. Las corrientes de fugas son debidas a los portadores minoritarios, electrones en la zona P y huecos en la zona N. La generacin de portadores debido a la luz provoca un aumento sustancial de portadores minoritarios, lo que se traduce en un aumento de la corriente de fuga en inversa tal y como se ve en la figura. El comportamiento del fotodiodo en directa apenas se ve alterado por la generacin luminosa de portadores. Esto es debido a que los portadores provenientes del dopado (portadores mayoritarios) son mucho ms numerosos que los portadores de generacin luminosa. Para caracterizar el funcionamiento del fotodiodo se definen los siguientes parmetros:

Se denomina corriente oscura (dark current), a la corriente en inversa del fotodiodo cuando no existe luz incidente. Se define la sensibilidad del fotodiodo al incremento de intensidad al polarizar el dispositivo en inversa por unidad de intensidad de luz, expresada en luxes o en mW/cm2.

Esta relacin es constante para un amplio intervalo de iluminaciones. El modelo circuital del fotodiodo en inversa est formado por un generador de intensidad cuyo valor depende de la cantidad de luz. En directa, el fotodiodo se comporta como un diodo normal. Si est fabricado en silicio, la tensin que cae en el dispositivo ser aproximadamente 0,7 V. Los fotodiodos son ms rpidos que las fotorresistencias, es decir, tienen un tiempo de respuesta menor, sin embargo solo pueden conducir en una polarizacin directa corrientes relativamente pequeas.

Geometra

Un fotodiodo presenta una construccin anloga a la de un diodo LED, en el sentido que necesita una ventana transparente a la luz por la que se introduzcan los rayos luminosas para incidir en la unin PN. En la Figura 15, aparece una geometra tpica. Por supuesto, el encapsulado es transparente a la luz.

Figura 15: Corte transversal de un fotodiodo comercial

5. FOTOTRANSISTOR
Se trata de un transistor bipolar sensible a la luz.

Figura 16: Smbolo del fototransistor La radiacin luminosa se hace incidir sobre la unin colector base cuando ste opera en la RAN. En esta unin se generan los pares electrn - hueco, que provocan la corriente elctrica. El funcionamiento de un fototransistor viene caracterizado por los siguientes puntos: 1. Un fototransistor opera, generalmente sin terminal de base (Ib=0) aunque en algunos casos hay fototransistores tienen disponible un terminal de base para trabajar como un transistor normal. 2. La sensibilidad de un fototransistor es superior a la de un fotodiodo, ya que la pequea corriente fotogenerada es multiplicada por la ganacia del transistor. 3. Las curvas de funcionamiento de un fototransistor son las que aparecen en la Figura 17. Como se puede apreciar, son curvas anlogas a las del transistor BJT, sustituyendo la intensidad de base por la potencia luminosa por unidad de rea que incide en el fototransistor.

Figura 17: Curvas caractersticas de un fototransistor tpico

6. EL OPTOACOPLADOR
Un optoacoplador es un componente formado por la unin de un diodo LED y un fototransistor acoplados a travs de un medio conductor de luz y encapsulados en una cpsula cerrada y opaca a la luz.

Figura 18: Esquema de un optoacoplador Cuanta mayor intensidad atraviesa el fotodiodo, mayor ser la cantidad de fotones emitidos y, por tanto, mayor ser la corriente que recorra el fototransistor. Se trata de una manera de transmitir una seal de un circuito elctrico a otro. Obsrvese que no existe comunicacin elctrica entre los dos circuitos, es decir existe un trasiego de informacin pero no existe una conexin elctrica: la conexin es ptica. Las implementaciones de un optoacoplador son variadas y dependen de la casa que los fabrique. Una de las ms populares se ve en la Figura 1 Se puede observar como el LED, en la parte superior, emite fotones que, tras atravesar el vidrio, inciden sobre el fototransistor.

Figura 19: Esquema constructivo de un optoacoplador Obsrvese tambin el aislamiento elctrico entre fototransistor y LED ya mencionado.

1. Calcular el valor mnimo de la resistencia R si se quiere que el LED CQX12 no sufra ningn dao al conectar la fuente de tensin.

1. En el siguiente circuito, D1 es un LED de color rojo, D2 naranja y D3 verde. Calcular los valores de R1, R2 y R3 para que se iluminen los tres diodos con If = 20 mA al conectarse la fuente de tensin.

DATOS: Cada de tensin (Voltios) en los diodos para If = 20 mA: rojo 1.8 naranja 2 verde 2.2

1.

Calcular el mnimo valor de R para que se enciendan los diodos de la figura sin sufrir ningn dao, sabiendo que D1 es rojo, D2 naranja y D3 verde (tomar los datos del problema anterior).

1. El montaje de la figura se utiliza cuando se quiere conectar un LED en AC. Como su tensin de ruptura en inversa es muy pobre, se conecta en paralelo un diodo convencional, para que conduzca en el semiciclo negativo y el LED no sufra daos. Se pide seleccionar el LED si se quiere que sea rojo.

1. Calcular el valor de R para que cuando se conecte la fuente de alimentacin de 5 Voltios se enciendan los tres LED a la vez, con una corriente de 20 mA.

1. Se quiere que cuando se apliquen seales lgicas en la entrada, se encienda un LED de la serie SOD-76. Qu colores podemos escoger?. Qu seal habra que aplicar en la entrada para saturar Q? (Usar la gua rpida de seleccin).

1. Para la pantalla de un termmetro digital se ha utilizado un dispositivo tipo CQ216X, que incluye dos dgitos en el mismo soporte. Para que en el dgito de la derecha se lea el nmero dos, qu tensiones hay que aplicar en los terminales de dicho dispositivo?. Qu potencia se estar consumiendo en l si se alimentan con 10 mA? 1. En el circuito de la figura:

1. Calcular la corriente que atravesar al transistor cuando se ilumine con una luz de 10 W/m2.

1. Podra realizarse con este transistor el esquema de la figura 2?. Por qu?. 1. Un fotodiodo con sensibilidad S=25mA por mW/cm2 debe ser utilizado para vigilar la intensidad de la luz solar que incide sobre una estacin de energa solar. Disee un circuito con dicho fotodiodo, que pueda proporcionar una seal en el rango de 0-5V que sea indicativo de la luz incidente. La intensidad pico promedio de la luz solar a medio da es aproximadamente 0.1mW/cm2 en la mayor parte de las regiones de la tierra. 1. Un fotodiodo con sesibilidad de 20mA por mW/cm2 de iluminacin, se utiliza para decodificar una seal digital enviada a travs de un cable de fibra ptica utilizando el arreglo que se muestra en la figura. En el extremo transmisor, un diodo LED de eficacia E=50mW/mA y Vf=1.3V est alimentado por una fuente de tensin que conmuta entre los niveles lgicos de 0 y 5V. El circuito hace que el LED produzca una seal ptica digital en el cable de fibra ptica. El arreglo fsico es tal que el 20% de la luz emitida por el LED queda acoplado al cable de fibra ptica. En el extremo receptor, el 80% de la luz del cable se acopla al fotodiodo en un rea de 1mm2. Si se desea reproducir los niveles lgicos de 0 y 5V, determinar los valores apropiados de VCC y RL.

1. Se quiere transmitir una seal de pulsos (VIN) a travs de un entorno con ruidos electromagnticos. Para ello, se piensa en utilizar fibra ptica, ya que no se ve afectada por dichos ruidos (un cable convencional s se vera afectado y falseara la informacin).

Si los transistores Q1 y Q2 funcionan nicamente en corte y saturacin:

1. Explicar el funcionamiento del circuito 2. Seleccionar D1 y D2 1. Dado el dispositivo de la figura:

1.- Explicar qu tipo de circuito es y su funcionamiento. 2.- Comprobar que el diodo del optoacoplador no sufre ningn dao cuando VIN=0. 3.- Calcular la corriente absorbida de la fuente de 20 V cuando no se aplica ninguna seal de la entrada.

CIRCUITOS ELECTRICOS
TEOREMAS Y LEYES FUNDAMENTALES En este tutorial se presentan los conceptos bsicos necesarios para el anlisis de circuitos elctricos sencillos.

1 DEFINICIONES BASICAS
Las siguientes definiciones sern empleadas habitualmente a lo largo del presente tutorial.

1.1 NOMENCLATURA DE LAS TENSIONES

En la Figura 1 se muestran las dos nomenclaturas ms extendidas para marcar la diferencia de potencial o tensin entre dos puntos de un circuito.

Figura 1: Notaciones empleadas para las diferencias de potencial. La diferencia de potencial entre los puntos A y B se representa como VAB, que se corresponde con la diferencia VA - VB, es decir, el potencial en el punto A menos el potencial en el punto B. El signo + o la flecha apuntan al primer subndice. Con esta notacin no se pretende indicar que el potencial en A sea mayor que en B, sino simplemente dejar claro que el valor VAB ser la diferencia entre ambos. Por ejemplo:

Si VA = 7 V y VB = 5 V VAB = 2 V ; VBA = -2 V Si VA = 6 V y VB = 9 V VAB = -3 V ; VBA = 3 V

Por lo tanto, es lo mismo decir que VAB es 2 V, que decir VBA es -2 V.

1.2 SIMBOLO DE TIERRA

El smbolo de tierra significa que cualquier punto conectado con l se encuentra a potencial nulo. Es la referencia de tensiones de todo el circuito.

1.3 INSTRUMENTOS DE MEDIDA IDEALES

La Figura 2 muestra el smbolo de los instrumentos de medida ideales. Su significado es el siguiente:

VOLTMETRO: Mide la diferencia de potencial entre los puntos a los que se conecta. Se considera que su resistencia interna es infinita y que no absorbe potencia del circuito al que se conecta. Se coloca en paralelo al componente del cul se quiere conocer su cada de tensin. AMPERMETRO: Mide la corriente que lo atraviesa. Su resistencia interna es nula y tampoco absorbe potencia. Se coloca en serie.

En el siguiente circuito, el ampermetro ofrecera una lectura de 1 amperio, mientras que el voltmetro marcara 5 voltios.

Figura 2: Elementos de medida ideales

1.4 NUDOS Y MALLAS

NUDO: Un nudo es el punto de confluencia de tres o ms conductores. MALLA: Es un camino cerrado a travs del circuito.

Figura 3: Nudos y mallas en un circuito elctrico Los puntos A y B son nudos del circuito de la figura, ya que en ellos confluyen tres conductores. Los puntos 1, 2, 3, y 4 no se consideran nudos, ya que slo confluyen dos. Una malla estara formada, por ejemplo, por los componentes que se encuentran en el camino que une los puntos 1-A-B-3-1. En este circuito hay tres mallas: 1-A-B-3-1, 1-2-4-3-1 y A-2-4-B-A.

1.5 REGIMEN TRANSITORIO Y PERMANENTE

Hemos visto en el captulo anterior que hay dos componentes, la bobina y el condensador, cuya respuesta depende del tiempo a travs de las derivadas de la tensin y de la corriente. Supongamos que tenemos un circuito formado por una fuente de alimentacin de tensin continua y una serie de mallas con condensadores, bobinas y resistencias. Al conectar la fuente de tensin se crearn una serie de corrientes que, en principio dependern del tiempo. Al cabo de un cierto tiempo, las corrientes tendern a un valor fijo e invariable en el tiempo. A partir del momento en que se alcance este punto de equilibrio entraremos en lo que se denomina rgimen permanente, mientras que el estado anterior se llama rgimen transitorio. Se puede demostrar que en un circuito con componentes lineales, las corrientes en rgimen permanente (R.P.), siempre tienen la misma forma de onda que las excitaciones del circuito. As, si tenemos fuentes de tensin continua, sabemos que las corrientes del R.P. sern tambin continuas, y si tenemos fuentes de alterna sinusoidales de una determinada frecuencia, las corrientes sern sinusoides de la misma frecuencia, aunque desfasadas en el

tiempo y de diferente amplitud. En la Figura 4 se refleja este concepto para las excitaciones continuas y alternas.

Figura 4: Rgimen transitorio y rgimen permanente

1.6 RECTA DE CARGA

Supongamos que en el circuito de la Figura 5 se conecta entre los puntos A y B un componente desconocido.

Figura 5: Circuito con un componente desconocido entre A y B Pese a no conocer las ecuaciones caractersticas del componente, puede escribirse que:

En un sistema de coordenadas en el que VAB sea el eje de abscisas e IAB el de ordenadas, la expresin anterior admite la representacin grfica mostrada en la Figura 6, que se llama recta de carga.

Figura 6: Recta de carga Hay dos puntos caractersticos que definen esta recta:

Tensin VAB cuando IAB es nula Tensin de circuito abierto VCC: Es la tensin que puede medirse cuando la resistencia del componente colocado entre A y B es infinita, o bien, cuando el circuito est abierto. Corriente IAB cuando VAB es nula Corriente de cortocircuito ICC: Es la corriente que se obtiene cuando la resistencia del componente colocado entre A y B es nula, o bien, cuando se cortocircuitan ambos puntos.

2 TEOREMAS Y LEYES FUNDAMENTALES

En los siguientes subapartados se repasan los teoremas y leyes fundamentales que se aplican habitualmente en el anlisis de circuitos elctricos:

Leyes de Teorema Teorema Teorema Teorema Teorema

Kirchoff de la superposicin de la sustitucin de Millmann de Thevenin de Norton

Mientras que las leyes de Kirchoff tienen un carcter general, los teoremas citados slo pueden ser aplicados directamente a circuitos que posean componentes lineales.

2.1 LEYES DE KIRCHOFF

Las Leyes de Kirchoff son el punto de partida para el anlisis de cualquier circuito elctrico. De forma simplificada, pueden enunciarse tal y como se indica a continuacin:

1 Ley de Kirchoff: La suma de las intensidades que se dirigen hacia un nudo es igual a la suma de las corrientes que abandonan dicho nudo. 2 Ley de Kirchoff: La suma de las cadas de tensin o diferencias de potencial a lo largo de un circuito cerrado es nula

Ley de los NUDOS Ley de las MALLAS Figura 7: Leyes de Kirchoff

2.2 TEOREMA DE LA SUPERPOSICION

En un circuito con varias excitaciones, el estado global del circuito es la suma de los estados parciales que se obtienen considerando por separado cada una de las excitaciones. Los pasos que deben seguirse para aplicar a un circuito este teorema son: 1. Eliminar todos los generadores independientes menos uno y hallar la respuesta debida solamente a dicho generador. 2. Repetir el primer paso para cada uno de los generadores independientes que haya en el circuito. Sumar las repuestas parciales obtenidas para cada generador. Los generadores independientes de tensin se anulan cortocircuitndolos (as se impone la condicin de tensin generada nula), mientras que los de corriente se anulan abriendo el circuito (corriente nula). Ejemplo 1: Hallar mediante el principio de la superposicin la corriente que circula en el circuito alimentado por los generadores E1 y E2. SOLUCIN: El circuito global puede descomponerse en los subcircuitos 1 y 2.

En el subcircuito 1:

En el subcircuito 2:

La suma de ambos subcircuitos:

El resultado coincide obviamente con el que se obtendra aplicando la ley de las mallas en el circuito global:

2.3 TEOREMA DE LA SUSTITUCION

Segn el teorema de la sustitucin, cualquier conjunto de componentes pasivos puede sustituirse por un generador de tensin o de corriente de valor igual a la tensin o corriente que aparezca entre los terminales del conjunto, sin que por ello se modifiquen las magnitudes en el resto del circuito.

Figura 8: Teorema de la sustitucin En otras palabras, el teorema de la sustitucin dice que si en un circuito semejante al indicado en la Figura 8 se sustituye la red pasiva por un generador que imponga la misma tensin VR, la intensidad IR ser la misma en ambos casos. Este teorema es de gran utilidad cuando se analizan circuitos complejos formados por diversas redes pasivas diferenciadas, puesto que permite simplificar el esquema inicial

2.4 TEOREMA DE MILLMANN

Este teorema se aplica a redes que poseen slo dos nudos. Proporciona la diferencia de potencial entre ambos en funcin de los parmetros del circuito. Sea una red con slo dos nudos principales en la que hay n ramas con componentes pasivos y generadores de tensin, m ramas slo con componentes pasivos y p ramas con generadores de corriente, tal y como puede verse en la Figura 9.

Figura 9: Teorema de Millmann La tensin entre los puntos A y B viene dada por la siguiente expresin:

Una de las aplicaciones tpicas de este teorema es el anlisis de circuitos con varios generadores reales en paralelo alimentando a una carga.

2.5 TEOREMA DE THEVENIN. RECTA DE CARGA

El teorema de Thevenin es una herramienta muy til para el estudio de circuitos complejos. Se basa en que todo circuito que contenga nicamente componentes y generadores lineales puede reducirse a otro ms sencillo, denominado circuito equivalente Thevenin, de la forma (Figura 10):

Figura 10: Circuito equivalente Thevenin en donde:

ETH = Tensin de Thevenin RTH = Resistencia de Thevenin

Para calcularlo se procede de la siguiente forma: 1. Se calcula la tensin que aparece entre A y B cuando no hay nada conectado entre ambos terminales (tensin de circuito abierto). 2. Se calcula la intensidad que circular entre A y B si se cortocircuitan ambos puntos (intensidad de cortocircuito):

Figura 11: Ensayos necesarios para la determinacin del circuito equivalente Thevenin Una vez obtenidos estos resultados, la resistencia de Thevenin (RTH) puede calcularse como:

En definitiva, lo que el teorema de Thevenin viene a indicar es que la relacin entre la tensin y la intensidad entre dos puntos de un circuito que slo est compuesto por componentes lineales admite una representacin grfica como la vista en el 1.6. En efecto, si conectamos un componente cualquiera entre A y B puede calcularse fcilmente la relacin VAB-I:

La expresin anterior se corresponde con la ecuacin de una recta en el plano V AB-I, de ordenada en el origen ETH/RTH. La representacin grfica de esta ecuacin en el plano VAB, I es:

Figura 12: Representacin grfica del circuito equivalente Thevenin Como puede observarse, esta recta es idntica a la mostrada en el apartado 1.6 al referirse a la recta de carga. Ejemplo 2 Hallar la corriente que circula por la resistencia R 3 empleando el Teorema de Thevenin.

Figura 13: Ejemplo 2 SOLUCIN: Se va a sustituir la zona incluida en el cuadro por un circuito ms sencillo, de forma que sea ms fcil hallar la corriente que circula por R Por lo tanto, de momento nos "olvidamos" de R3 y trabajamos con la otra parte del circuito para simplificarla.

1) Clculo de ETH: I1 = -I2

I1R1 - E1 - E2 - I2R2 = 0 I1R1 - E1 - E2 + I1R2 = 0 I1 = Por lo tanto:

ETH = E1 - R1I1 = E1 - R1 2) Clculo de RTH:

ICC = I1 + I2

E1 - R1I1 = 0

E2 + R2I2 = 0

ICC =

RTH = 3) Clculo de la intensidad que circula por R3: Hasta ahora lo nico que hemos hecho es hallar un circuito equivalente para una determinada zona del circuito. Ahora es el momento de conectar de nuevo la resistencia R3 en su sitio y calcular la corriente.

RTH + R3 =

I3 =

2.6 TEOREMA DE NORTON

Es un teorema similar al de Thevenin, que se emplea cuando se tienen generadores de corriente en el circuito. El circuito equivalente de Norton est formado por un generador de intensidad con una resistencia en paralelo.

Figura 14: Circuito equivalente de Norton La relacin con el circuito equivalente de Thevenin viene dada por las siguientes expresiones:

El generador equivalente de Norton debe proporcionar una corriente igual a la de cortocircuito entre los terminales A y B del circuito original. Adems, la resistencia equivalente de Norton es el cociente entre la tensin de circuito abierto y la corriente de cortocircuito.

3 ANALISIS DE CIRCUITOS ELECTRICOS 1 PRINCIPALES TIPOS DE SEALES ELECTRICAS

En la mayora de los casos, las seales (tensiones o corrientes) aplicadas a los circuitos elctricos pueden encuadrarse dentro de una de las siguientes categoras:

Seales continuas (DC): Se trata de seales de valor medio no nulo con una frecuencia de variacin muy lenta, por lo que se pueden considerar como constantes en el tiempo. Seales alternas (AC): Son seales que cambian de signo peridicamente, de tal forma que su valor medio en una oscilacin completa es nulo. El caso ms simple es el de una seal sinusoidal Seales de alterna superpuestas a un valor de continua: Obviamente, se trata de una superposicin de los dos casos anteriores. Al valor medio de la seal se le llama componente continua, mientras que la oscilacin recibe el nombre de componente de alterna.

En la Figura 15 se representan grficamente estos tipos de seales.

Figura 15: Tipos de seales elctricas

2 REGIMEN TRANSITORIO
El anlisis del rgimen transitorio de un circuito ha de realizarse teniendo en cuenta las ecuaciones caractersticas de cada componente. Puesto que en caso de la bobina y el condensador estas ecuaciones incluyen como variable adicional el tiempo (a travs de las derivadas temporales), ser necesario considerar:

Origen de tiempos Condiciones iniciales: En el caso del condensador ha de conocerse la carga o la diferencia de placas en el instante inicial. En el de la bobina se ha de indicar la corriente inicial en la misma.

Obviamente, en los circuitos con varios condensadores y bobinas, los clculos necesarios se complican notablemente. Sin embargo, existen otras herramientas matemticas con las que el estudio de los fenmenos transitorios puede abordarse de forma mucho ms simple (NOTA: La explicacin de estas herramientas queda fuera del mbito de este curso).

3 REGIMEN PERMANENTE
Para el anlisis de circuitos en rgimen permanente pueden realizarse algunas simplificaciones. Tal y como se ha expuesto en el apartado 1.5, las corrientes y tensiones de un circuito en rgimen permanente tienden a imitar la forma de onda de la alimentacin del circuito.

1 Seales continuas
En un circuito con generadores de tensin o intensidad constantes, las seales en rgimen permanente sern tambin constantes. Por lo tanto sern asumibles las siguientes simplificaciones:

Los condensadores se comportan como un circuito abierto Las bobinas se comportan como cortocircuitos

As pues, podemos obtener un circuito equivalente para las seales continuas en rgimen permanente (circuito equivalente DC) sin ms que sustituir los condensadores por un interruptor cerrado y las bobinas por un interruptor abierto.

2 Seales alternas
En alterna podemos hallar dos circuitos equivalentes AC:

Frecuencia muy baja: Condensadores CA; Bobinas CC Frecuencia muy alta: Condensadores CC; Bobinas CA

Para situaciones de frecuencias medias, es necesario realizar un clculo teniendo en cuenta los condensadores y bobinas. Este anlisis puede efectuarse como un anlisis transitorio normal. Sin embargo, la introduccin de un mtodo matemtico basado en los nmeros complejos simplifica notablemente los clculos (NOTA: La explicacin de este mtodo queda fuera del mbito de este curso).

3 Seales mixtas
El anlisis de circuitos con seales mixtas puede realizarse mediante el principio de superposicin.

Figura 16: Anlisis de circuitos con seales mixtas

El anlisis del circuito equivalente DC proporcionar la componente continua IDC de la corriente, mientras que con el circuito equivalente AC calcularemos la componente alterne iAC.

4 EJEMPLO: RESOLUCION DE UN CIRCUITO SENCILLO

Una vez conocidos los componentes y las herramientas de resolucin de circuitos, es el momento de lanzarse a atacar los primeros ejemplos. En este apartado se presenta la resolucin de circuitos muy sencillos, con el objeto de fijar una posible metodologa. Esta explicacin se dirige a aquellos lectores que no dispongan de una mnima experiencia previa en estas lides. Ejemplo 3: Hallar las corrientes que en rgimen permanente circulan por el circuito de la figura.

Figura 17: Ejemplo 3 1) Simplificacin del circuito: Como se trata de un anlisis DC en rgimen permanente las bobinas pueden cortocircuitarse, y los condensadores abrirse. Tambin podemos asociar R3 y R4, que estn en serie (R5 = R3 + R4).

Todava podemos hacer una simplificacin ms. Por R 2 no puede circular ninguna corriente, ya que no hay ningn camino por el que se pueda cerrar. No afecta pues al anlisis numrico, pero cuidado, no significa que no exista. Hemos hecho una serie de transformaciones al circuito inicial, pero son solo "trucos" matemticos. 2) Seleccin de las corrientes del circuito: Una vez que hemos simplificado el esquema y slo tenemos resistencias y fuentes de alimentacin hay que nombrar a las corrientes del circuito. Esto lo hacemos colocando una flecha y un nombre. En principio, podemos colocar tantas flechas como queramos, y en la

direccin que se nos antoje. La nica condicin es que no haya ningn conductor que no tenga definida la intensidad que lo atraviesa.

En este caso, se nota que estamos ante un alumno precavido, que ha puesto todas las flechas que ha podido. No est mal, pero vamos a hacerle alguna observacin. Est claro que I = I1, ya que por doblar una esquina no se va a perder corriente. Por la misma razn I2 = I3 = I7 = I4. En cambio I = I1 = -I5. Podemos coger todas las intensidades que queramos, pero ya se ve que slo hay tres fundamentales: I, I2 e I6, por ejemplo. Vuelvo a repetir que la seleccin de la direccin de la flecha es totalmente arbitraria. 3) Planteamiento de ecuaciones:

Las ecuaciones en los nudos se plantean con las corrientes. La suma de las corrientes que confluyen en un nudo ha de ser nula, o bien, lo que "entra" es igual a lo que "sale": Ecuaciones en los nudos: NUDO B: I = I2 + I6 (1) NUDO C: I = I2 + I6 (2) Las ecuaciones de las mallas se plantean en trminos de cadas de potencial. El procedimiento es el siguiente: Nos situamos en un punto del circuito, y efectuamos un recorrido por el mismo de manera que volvamos al punto de partida. La suma de las cadas de potencial que nos encontremos ha de ser nula. Supongamos que nos situamos en el punto A. Vamos a realizar nuestro primer viaje a travs del circuito juntos, y lo vamos a hacer a travs de la malla A-B-C-D-A. Entre A y B no hay ningn elemento, salvo un conductor ideal, no hay ninguna causa para que el potencial disminuya, luego VAB = 0. Sigamos. Entre B y C hay una resistencia. Ahora viene lo ms importante. Hemos de ser coherentes con los signos tomados para las intensidades. Al definir las corrientes, hemos supuesto que la intensidad va del nudo B al nudo C. Por lo tanto, el nudo B estar a mayor potencial que el C, la cada de potencial entre B y C es positiva, y vale I6R1. Entre D y C slo

hay un conductor, VCD = 0. Ya estamos llegando al final. Entre D y A hay una fuente de tensin. Si os fijis bien, el punto D est conectado al extremo (-) de la fuente, mientras que A lo est al (+). Esto significa que en este tramo la tensin no cae, sino que aumenta, por lo tanto: VDA = - E. A modo de resumen de lo expuesto: VAB + VBC + VCD + VDA = 0 ==> 0 + I6R1 + 0 + (-E) = 0 Ecuaciones en las mallas: MALLA ABCDA: E - R1I6 = 0 (3) MALLA AEFDA: E - R5I2 = 0 (4) MALLA BEFCB: R1I1 - R2I2 = 0 (5) Como podis apreciar tenemos 5 ecuaciones y 3 incgnitas. Sin embargo no todas las ecuaciones son independientes: La ecuacin (1) es idntica a la (2), y se cumple que (3) + (4) = (5). Por lo tanto, slo hay tres ecuaciones independientes. 4) Resolucin del problema: Ahora ya es bastante fcil, puesto que solo tenemos que resolver un sencillo sistema de ecuaciones: I = I2 + I6 E = R1I6 I6 = E/R1 E = R5I2 I2 = E/R5 I = E/R1 + E/R5 El problema ya est resuelto, pero ahora me gustara llamar vuestra atencin sobre algunos aspectos importantes. Vamos a repasar las diferentes etapas del mtodo de resolucin. La primera es sencilla, es la particularizacin del circuito a las condiciones del tipo de anlisis. Es sencilla, porque apenas es necesario pensar. Sin embargo, puede inducirnos a graves fallos de concepto. A ver, puede explicarme alguien con detalle qu sucede con el condensador?. Lo normal es que os dejara la pregunta al aire, para que lo pensarais, pero .... El condensador inicialmente se encuentra descargado. Cuando conectamos la fuente se crean unas corrientes que van cargndole. Esto suceder hasta que se alcance una tensin de equilibrio con el resto del circuito. En ese momento la corriente se anular y comenzar el rgimen estacionario. Vamos a calcular dicha tensin. La cada de tensin entre los puntos B y C ser: VBC = R1I6 = R5 I2 = E Por otra parte, VBC = VR2 + VCondensador ; Como por esa rama no circula corriente, VR2=0, y entonces, VCondensador = E. Qu suceder si, en ese momento, separamos la zona del izquierda del circuito y nos quedamos con un esquema como el siguiente?:

El condensador estaba cargado por que haba una fuente de tensin que "sostena" ese estado. Al desaparecer esta fuente de tensin, el condensador tiende a descargarse y recuperar su estado de equilibrio. Como tiene un camino libre a travs de R2, R3, y R4 se descargar por ellas, comportndose como un generador de tensin cuyo valor decrece con el tiempo. La segunda de las etapas es la seleccin de las corrientes bsicas del circuito, es decir aquellas sobre las que plantearemos el sistema de ecuaciones. Este paso es un poco ms complicado que el anterior. Recordar quese pueden elegir la direccin de las corrientes, siempre que, al final, se interpreten bien los resultados. No s por qu, pero esto es lo que ms les cuesta aceptar. Cuando se aborda un problema no es necesario pensar en qu sentido van las corrientes, ni qu recorridos hacen, eso saldr con el signo de la respuesta. Voy a resolver el problema suponiendo otras corrientes, para ver si as les queda ms claro.

En este caso Ib = -E/R5. Este resultado significa que, por esa rama, la intensidad vale E/R5 pero circula en el sentido contrario al dibujado en el esquema. Esto concuerda totalmente con el resultado anterior. En el planteamiento de las ecuaciones es en donde hay que echar toda la carne en el asador y pararse a pensar un poco. Siempre vamos a escribir ecuaciones ciertas (si no aplicamos mal los teoremas), aunque a veces nos conducirn ms rpidamente a la solucin que otras. 1. Determinar las expresiones de i(t) y v(t) en el circuito de la figura adjunta, sabiendo que la tensin inicial del condensador es V0. 1. Determinar las expresiones de i(t) y v(t) en el circuito de la figura adjunta, sabiendo que la carga inicial del condensador es 0.

1. Un condensador cargado a una determinada tensin se conecta a una resistencia de 1000 , tal y como se muestra en la figura. Calcular el valor de C necesario para que al cabo de 20 ms desde la conexin la tensin sea: a) 90% de la inicial b) 50% de la inicial 1. Un condensador C1 = 10 F se carga con 1000 C. A continuacin se unen sus terminales con una resistencia de 1500 . Al cabo de 15 ms se agrega otra

resistencia, de 1500 en paralelo con la anterior. Calcular el tiempo que tarda el condensador en perder el 90% de su carga. 2. Calcular la carga final que tendr el condensador de la figura. Cunto tardar en captar el 95% de la misma?.

1. Demostrar que si t es un valor muy pequeo, en la descarga de un condensador a travs de una resistencia se cumple que:

Siendo I0 la corriente que se establece en t = 0, y VRIZADO la diferencia entre la tensin para t = 0 y la tensin para un tiempo t. 1. Calcular la carga que tendr el condensador de la figura en rgimen estacionario.

1. En el circuito de la figura el interruptor conmuta automticamente entre los estados cerrado y abierto cada 5 ms. En concreto, para t = 0 est cerrado (permite el paso de corriente), para t = 5 ms se abre (no permite el pase de corriente), para t = 10 ms se vuelve a cerrar y as sucesivamente.

a) Determinar la expresin de iC(t) entre t = 0 y t = 5ms. b) Calcular el valor mximo admisible de C para que en t = 5 ms el condensador est cargado al 95%. c) Si suponemos que en t = 5 ms el condensador est cargado a su mximo valor, calcular el valor mnimo de la capacidad para que al final de ese ciclo (t = 10 ms) no pierda ms del 50% de la carga (NOTA: este apartado es independiente del b).

d) Segn los resultados obtenidos en los apartados b) y c) estimar el rango de valores de la capacidad admisibles para que se cumplan simultneamente ambas condiciones, es decir, que la carga a para t = 5 ms sea mayor que el 95% y que para t = 10 ms sea mayor que el 50%. 1. Se alimenta en paralelo a un condensador y una resistencia mediante una fuente de tensin alterna, segn se muestra en la figura:

a) Para una frecuencia de 50 Hz, calcular la relacin iC/iR. b) Idem para 100 MHz. Comparar los resultados obtenidos en los dos apartados. Datos:C=10 F; R=1k 1. En el siguiente circuito RL calcular la expresin de la intensidad que circula por el circuito, suponiendo que en t = 0 se cierra el interruptor.

1. Se toman los valores de los componentes en el circuito anterior R=1K, L=1mH y E=10V. Cuando se ha alcanzado el rgimen permanente se eleva sbitamente la tensin de fuente E a 15V. Cunto tiempo transcurrir hasta alcanzarse una corriente un 5% inferior a la del nuevo rgimen permanente 1. El circuito de la figura se denomina diferenciador. Calcular:

a) La ecuacin diferencial del circuito Vout =f(Vin)

b) Si se eligen R y C lo suficientemente pequeos de manera que , simplificar la ecuacin diferencial del apartado anterior y calcular el valor de Vout si aplicamos una tensin de entrada como la de la figura.

1. El circuito de la figura se denomina integrador. Se pide:

a) Calcular la relacin entre Vout y Vin. b) Si se eligen R y C lo suficientemente altos de manera que Vout<<Vin, calcular el valor de la tensin de salida Vout para el caso de que Vin=V0sen t. Considerando la combinacin de resistencias de la figura, hallar la resistencia entre los puntos a y b. Si la corriente en R=5 es de 1A, Cual es la diferencia de potencial entre los puntos a y b?

1. En el circuito de la figura a) Hallar la intensidad que recorre la resistencia de 15. b) Hallar la diferencia de potencial entre a y b. c) Calcular el equivalente de Thevenin entre a y b, para estudiar la intensidad y la tensin que recorren la resistencia de 10 .

1. Hallar la resistencia equivalente del circuito de la figura. Si R=10 y se aplica una diferencia de potencial de 80V entre los terminales a y b, hallar la intensidad de corriente que circula por cada resistencia.

1. En estado estacionario, la carga sobre el condensador de 5 F del circuito de la figura es de 1000 C, a travs de R2 pasa una corriente de 5 A hacia abajo y una corriente de 5 A recorre la resistencia de 50 . a) Determinar la corriente de la batera b) Determinar las resistencias R1, R2 y R3

1. El circuito de la figura es un puente de Wheatstone de hilo. Se utiliza para determinar una resistencia incgnita Rx en funcin de las resistencias conocidas R1, R2 y R0. Las resistencias R1 y R2 comprenden un alambre de un metro de longitud. El punto a es un contacto deslizante que se mueve a lo largo del alambre modificando estas resistencias. La resistencia R1 es proporcional a la distancia desde el extremo izquierdo del alambre (0 cm) al punto a, y R2 es proporcional a la distancia desde el punto a al extremo de dicho alambre (100 cm). Cuando los puntos a y b estn a igual potencial, no pasa corriente por el ampermetro y se dice que el puente est equilibrado. Si R0 vale 200, hallar la resistencia incgnita Rx si a) el puente se equilibra en la marca de 18 cm 1. el puente se equilibra en la marca de 60 cm c) el puente se equilibra en la marca de 95 cm

1. En el problema anterior, si R0=200?, el puente se equilibra en la marca de 98 cm. a) Cual es la resistencia incgnita? b) Qu influencia tendra un error de 2 mm sobre el valor medido de la resistencia incgnita? c) Cmo debera variarse R0 para que esta resistencia incgnita diese un punto de equilibrio ms prximo a la marca de 50 cm? 1. Hallar la resistencia equivalente del circuito formado por una cadena infinita de resistencias de la figura entre los puntos a y b.

1. Calcular el circuito equivalente Thevenin del circuito de polarizacin de la figura entre los puntos a y b.

COMPONENTES ELCTRICOS
Los componentes empleados para construir circuitos elctricos pueden ser agrupados en dos bloques principales:

Componentes pasivos: Aquellos que suponen un gasto de energa Componentes activos: Encargados de suministrar la energa a los pasivos

Para el anlisis de los circuitos elctricos en los que son empleados estos componentes se efectan dos aproximaciones sucesivas:

Componentes ideales: Slo se tiene en cuenta el efecto electromagntico principal que caracteriza al componente. Suponen una simplificacin del comportamiento real Componentes reales: La modelizacin incluye tambin otros efectos secundarios. Los modelos se construyen como combinacin de componentes ideales

Los componentes ideales permiten realizar una primera aproximacin a un circuito elctrico, proporcionando una respuesta ms simple de calcular, que en muchas ocasiones no difiere en exceso del comportamiento real del circuito. Sin embargo, en determinadas ocasiones no son aceptables estas aproximaciones, y es imprescindible el clculo a travs de los componentes reales. 1 COMPONENTES PASIVOS IDEALES Los fenmenos electromagnticos bsicos empleados en los circuitos elctricos son tres:

Efecto resistivo: Representa la cada de tensin electrocintica en el interior de un conductor. Efecto capacitivo: Se produce por el almacenamiento de cargas en un sistema formado por dos conductores separados por una pequea distancia. Efecto inductivo: Producido por la influencia de los campos magnticos.

Los componentes ideales pasivos basan su funcionamiento en uno de estos tres efectos electromagnticos 1.1 RESISTENCIA La Figura 1 muestra el smbolo y la frmula que relaciona la tensin y la intensidad en una resistencia:

Figura 1: Resistencia ideal La potencia consumida en una resistencia vale P = V I = R I La caracterstica fundamental de este componente es que la tensin que aparece entre sus extremos slo depende del valor instantneo de la corriente que lo atraviesa (y viceversa). Adems la relacin tensin-intensidad es lineal. 1.2 CONDENSADOR Un condensador es un dispositivo almacenador de carga. Bsicamente consta de dos conductores enfrentados, separados por un dielctrico. El dielctrico impide que circule corriente de placa a placa, pero ambas estn lo suficientemente cercanas como para que las distribuciones de carga generadas en una placa afecten a la otra. En el siguiente subapartado se va a explicar el principio de operacin de este componente, para pasar posteriormente al anlisis matemtico que permitir deducir la ecuacin de comportamiento. 1.1 Principio de operacin La explicacin que se presenta a continuacin a cerca del funcionamiento de este componente se basa en el condensador de placas paralelas. Tal y como se aprecia en la Figura 2, este condensador consta de dos placas conductoras enfrentadas, separadas por

una distancia muy inferior al lado de la placa. Para simplificar y facilitar la comprensin del principio de operacin se ha omitido el dielctrico intermedio.

Figura 2: Condensador de placas planas Imaginemos que a la placa izquierda llega un electrn a travs del cable conectado a ella. Como las dos placas estn lo suficientemente cercanas, enfrentado a ese electrn tender a situarse una carga positiva (o lo que es lo mismo, se repeler una carga negativa). Si este proceso se repite regularmente, el efecto global es el de una corriente elctrica atravesando el dispositivo de derecha a izquierda (en la Figura 2). Adems, al existir una separacin de cargas, se crear un campo elctrico, y por lo tanto una diferencia de potencial entre ambas placas. Antes de seguir adelante, es preciso hacer notar las siguientes consideraciones: 1. Antes de que llegaran las cargas a las placas del condensador, estas eran conductores en equilibrio (es decir, la carga neta era nula). Los electrones que llegan por el cable rompen este equilibrio y es necesario que alguna fuerza les empuje para que lleguen hasta ah. Dicho de otro modo, el condensador cargado se encuentra en una situacin inestable, y tender a descargarse en cuanto cese la fuerza que impulsa el proceso de carga. 2. Para que la carga (+) pueda enfrentarse a la (-) es preciso que haya un circuito exterior que permita este movimiento de cargas. En el ejemplo de la Figura 3 el condensador no se carga, puesto que el interruptor abierto impide la creacin de una corriente. Por lo tanto, la tensin de ambas placas ser la misma: VA = VB

Figura 3: Circuito en el que C no se carga 1. No hay contacto fsico entre las placas, luego los electrones no pasan de una placa a otra. Sin efecto, el efecto global es similar al de una corriente atravesando el dispositivo, que se denomina corriente de desplazamiento. El proceso de carga del condensador no dura indefinidamente. Cuando la fuerza que impulsa a las cargas a dirigirse hacia al condensador se iguala con la ejercida por el campo creado por stas entre las placas, el proceso alcanza un punto de equilibrio y cesa la corriente, ya que no hay cargas en movimiento (Figura 4).

Figura 4 Evolucin transitoria de las corrientes durante el proceso de carga del condensador Si cuando hemos cargado C separamos los terminales del circuito, al no existir ningn camino de descarga, mantendr idealmente la tensin constante (Figura 5).

Figura 5: Condensador cargado Si en este momento unimos A con B, (por ejemplo, a travs de una resistencia) estamos posibilitando que la intensidad circule. El condensador se descargar, comportndose como un generador cuyo valor desciende en el tiempo hasta anularse.

Figura 6: Descarga del condensador a travs de una resistencia 1.2 Capacidad del condensador de placas planas Si en las placas del condensador se almacena una carga Q, y el rea enfrentada de las placas es A, la densidad superficial de carga en dichas placas ser:

Si la separacin entre las placas (d) es muy pequea, puede suponerse que entre ambas el campo elctrico es uniforme y perpendicular a ellas. Aplicando la ley de Gauss

El factor de proporcionalidad entre V y Q se llama capacidad del condensador:

[Faradio] La capacidad slo depende de las caractersticas constructivas del condensador. En la prctica, el espacio entre placas se rellena con materiales dielctricos, ya que poseen una constante dielctrica mayor que la del vaco. 1.3 Relacin tensin - intensidad en un condensador ideal Aplicando la definicin de intensidad de corriente elctrica, puede hallarse la relacin entre tensin y corriente:

La expresin anterior puede interpretarse de la siguiente forma: si existe un cambio de tensin entre los conductores sometidos a influencia, existir una corriente provocada por la redistribucin de cargas en los mismos. Esta corriente se diferencia de la obtenida en una resistencia en que no atraviesa el sistema. Por ello se denomina corriente de desplazamiento. 1.3 BOBINA Al igual que en el caso del condensador, primero se va a exponer el principio de operacin, para abordar posteriormente el estudio matemtico. 1.3.1 Principio de operacin El modelo fsico de la bobina ideal es el de un solenoide cilndrico de N espiras de radio a y longitud total l. El material que forma el solenoide se supone conductor con resistencia nula. Una corriente elctrica crea un campo magntico en la regin del espacio que la rodea (Ley de Biot y Savart). A su vez, un campo magntico variable induce una f.e.m. en un conductor que lo abrace (Ley de Faraday). Entonces, si por el solenoide circula una corriente variable en el tiempo, el campo magntico creado por esta inducir en el propio solenoide una f.e.m. de oposicin (Figura 7).

Figura 7: Bobina ideal En la prctica, tal y como se muestra en la figura 7, en el interior del solenoide se introduce un ncleo ferromagntico, que incrementa el campo magntico. Finalmente, qu sucedera si no se arrolla en conductor en espiral?. En este caso, el campo magntico creado por la corriente no induce f.e.m., ya que no existe flujo magntico en el componente. La diferencia de potencial entre sus extremos ser nula, es decir:

Potencia consumida arrollando el conductor: P = VLIL Potencia consumida sin arrollar el conductor: P = 0 IL = 0

En el caso de la bobina, es necesario suministrar una potencia para que circule la corriente. Esta potencia no se pierde por efecto Joule, ya que hemos admitido que la resistencia del conductor es nula, sino que se almacena en el ncleo en forma de energa magntica. 1.3.2 Relacin tensin - intensidad en una bobina ideal Para la caracterizacin de los fenmenos explicados en el apartado anterior se van a emplear las leyes de Ampere y Faraday. Aplicando la primera ley puede calcularse el campo magntico en el interior de un solenoide:

La ley de Faraday permite el clculo de la f.e.m. inducida en las N espiras:

Como puede observarse, la diferencia de potencial VL es directamente proporcional a la variacin temporal de IL. El coeficiente de proporcionalidad se denomina autoinductancia (L), y su unidad en el Sistema Internacional es el henrio.

Con ello, la relacin entre VL e IL resulta ser:

Esta expresin es coherente con el principio de operacin sealado en el subapartado anterior. Tan slo una corriente variable en el tiempo es capaz de provocar una diferencia de potencial entre los extremos de la bobina. 1.4 INDUCTANCIA MUTUA Los efectos magnticos no se reducen a la autoinduccin explicada en el apartado anterior. Dos circuitos por los que circula corriente alterna pueden generar campos magnticos que induzcan en ellos tensiones recprocamente. Este es el fenmeno de la induccin mutua:

Figura 8: Fenmeno de autoinduccin mutua El flujo que atraviesa cada bobina es la suma del flujo propio y la del provocado por la otra. Supongamos que las dos bobinas se arrollan juntas, sobre el mismo ncleo magntico, por ejemplo. En ese caso, el flujo que atraviesa a las dos bobinas es el mismo, que ser la suma de los provocados por cada una:

Las tensiones inducidas en cada bobina sern:

El coeficiente que cuantifica la influencia cruzada se denomina inductancia mutua:

Lo ms interesante es la relacin entre las tensiones V1 y V2:

Es decir, mediante la relacin del nmero de espiras de los dos devanados podemos aumentar o disminuir la tensin V1. En este es el principio se basa el funcionamiento de uno de los aparatos domsticos ms populares: el transformador. 2 COMPONENTES ACTIVOS: GENERADORES IDEALES Los generadores o fuentes son los componentes que aportan la energa para que exista circulacin de corriente en un circuito elctrico. Los generadores se pueden clasificar de dos modos diferentes:

Por la forma de suministrar la energa: o Generadores de tensin o Generadores de corriente Por la dependencia con otras tensiones o corrientes del circuito: o Generadores dependientes o Generadores independientes

1 GENERADOR DE TENSION INDEPENDIENTE El generador de tensin independiente mantiene una tensin fija entre sus bornes, independientemente de la corriente que lo atraviesa. La corriente generada queda determinada por el circuito exterior a la fuente.

Figura 9: Circuitos con fuentes independientes de tensin En estos tres ejemplos de la figura anterior, la diferencia de potencial entre los bornes de E 1 es 5 V, a pesar de que la intensidad vara de sentido. En la prctica, hay dos tipos de generadores principales: Los de tensin continua y los de alterna. Los primeros generan una f.e.m. invariable en el tiempo, mientras que los segundos se rigen por una ley variable sinusoidalmente con el tiempo.

Generador de continua: E = cte. Generador de alterna sinusoidal: Ejemplo: Pilas E = E0sen wt Ejemplo: Alimentacin domstica (enchufes) 2 GENERADORES DE TENSION DEPENDIENTES El generador de tensin dependiente mantiene una tensin fija entre sus bornes, cuyo valor depende de una tensin o de una corriente del circuito. De esta forma se puede distinguir entre:

Generadores de tensin dependientes de tensin. Generadores de tensin dependientes de corriente.

3 GENERADOR DE CORRIENTE INDEPENDIENTE El generador de corriente independiente mantiene fija la corriente que le atraviesa, independientemente de la tensin que exista entre sus bornes. La tensin depende del circuito exterior a la fuente.

Figura 10: Circuito con un generador independiente de corriente En el ejemplo de la figura, la tensin en bornes del generador de corriente es de 10 V, ya que la corriente impuesta por l de 5 A provoca una cada de tensin en la resistencia de 2 x 5 A = 10 V. 4 GENERADORES DE CORRIENTE DEPENDIENTES El generador de corriente dependiente mantiene una corriente entre sus bornes, que es funcin de una tensin o de una corriente del circuito. De esta forma se puede distinguir entre:

Generadores de corriente dependientes de tensin Generadores de corriente dependientes de corriente

3 COMPONENTES REALES En los apartados anteriores de este tema se han presentado los componentes ideales, que son aquellos que responden un fenmeno electromagntico fundamental. Sin embargo, a la hora de fabricar estos componentes es muy difcil aislar totalmente estos efectos. En el caso ms general, un componente pasivo real puede considerarse como una asociacin de una resistencia, un condensador y una bobina ideal. No obstante, en la prctica no suelen presentarse juntos los tres fenmenos. A continuacin se presentan los casos reales ms comunes. 3.1 RESISTENCIA REAL En una resistencia real el fenmeno secundario ms importante es el inductivo. El efecto capacitivo normalmente es muy pequeo. Por lo tanto, la resistencia real puede representarse como una asociacin de una resistencia y una bobina ideal en serie.

Figura 11: Resistencia real Obviamente, el efecto resistivo ser mayor que el inductivo, aunque esta situacin puede invertirse: el fenmeno inductivo se acenta con la frecuencia de trabajo. 3.2 BOBINA REAL El efecto principal en una bobina es el inductivo. Si dicho efecto es mucho mayor que el resistivo, su representacin puede ser una autoinductancia; pero si la resistencia del conductor utilizado es lo suficientemente grande, habr que representar la bobina por una inductancia en serie con una resistencia. Solamente a frecuencias elevadas habr que tener en cuenta un posible efecto capacitivo. 3.3 CONDENSADOR REAL Un condensador se representa habitualmente mediante una capacidad. Sin embargo, debido a que siempre existen corrientes de fuga a travs del dielctrico, en el componente real debe incluirse adems una resistencia en paralelo.

Figura 12: Condensador real Generalmente el efecto inductivo es despreciable 3.4 GENERADORES REALES Los generadores reales pueden representarse por un generador ideal de tensin en serie con elementos pasivos (resistencia, inductancia, etc.), o bien por un generador ideal de corriente en paralelo con alguno de estos elementos.

Figura 13: Generadores reales de tensin y de corriente En el esquema de la parte izquierda de la Figura 13 se muestra un generador real de tensin. Segn este esquema el generador real slo proporciona la tensin ideal cuando la corriente que suministra es nula, es decir, cuando est en circuito abierto. De forma anloga, el generador real de corriente slo suministra la corriente ideal cuando la tensin de salida es nula, es decir, cuando se encuentra en cortocircuito.

1 Un condensador de placas paralelas tiene un rea de A = 2 cm2 y una separacin entre placas de 1 mm. Calcular la capacidad. 2 Un condensador de placas paralelas tiene un rea de A = 2 cm2 y una separacin entre placas de 1 mm. El espacio entre ambas se rellena con papel (k = 3.7; resistencia dielctrica = 16x106 V/m)

Calcular la capacidad del condensador y comparar el resultado con el obtenido en el ejercicio 1. Cul es la mxima carga que puede almacenar el dispositivo?.

3 Un condensador de placas planas tiene una separacin d entre las placas, y un rea A de las mismas. Se introduce una plancha metlica descargada, de espesor a (a < d), en la mitad del espacio entre las placas. Determinar la capacidad de este dispositivo. 4 Se construye un condensador con dos placas cuadradas de lados l y con una separacin d. Se introduce un material de constante dielctrica k una distancia x dentro del condensador, tal y como se muestra en la figura. Determinar la capacidad.

5 Se forma un condensador con aire como dielctrico por medio de dos placas no paralelas, cada una de rea A. La placa superior est inclinada en relacin a la inferior, de modo que en uno de los lados la separacin entre las placas es d + d, en tanto que en el otro lado es d d. Suponiendo que d << d, y que d es pequea en comparacin con la longitud de la placa, determinar la capacidad del dispositivo.

6 Se carga un condensador de 4 F hasta una diferencia de potencial de 800 V. Despus se desconecta de la fuente de alimentacin y cada una de sus placas se unen a las placas de un condensador descargado de 6 F. Cul es la carga resultante en cada condensador?. 7 Los condensadores C1 = 4 F y C2 = 2 F se cargan en un circuito en serie con una fuente de alimentacin de 100 V. Los dos condensadores se separan entre s y de la batera, y se conectan placa positiva con positiva, y negativa con negativa. Calcular la carga resultante en cada condensador.

8 Los condensadores C1 = 6 F y C2 = 2 F se cargan como una combinacin en paralelo a travs de una batera de 250 V. Posteriormente se desconectan y se unen placa positiva con negativa. Calcular la carga resultante en cada condensador.

9 Disear un condensador de placas paralelas, con aire entre las placas, que pueda cargarse hasta una diferencia de potencial mxima de 1000 V (resistencia dielctrica del aire = 3 kV/mm).

Cul es la mnima separacin posible entre las placas? Con esa separacin,. cul ser el valor del rea necesario para obtener una capacidad de 1 pF.

10 Un condensador de placas paralelas se construye introduciendo una capa de dixido de silicio de espesor 5 m entre dos pelculas conductoras. La constante dielctrica del silicio es 3.8, y su resistencia dielctrica 8x106 V/m.

Qu voltaje mximo puede aplicarse a travs de este condensador sin que se produzca la ruptura dielctrica?. Cul debe ser el rea superficial de la capa de dixido de silicio para que la capacidad del condensador sea de 100 pF?.

11 En los siguientes circuitos hallar la diferencia de potencial V y la intensidad I que atraviesa la resistencia de 100W. Calcular la potencia disipada en dicha resistencia y la potencia aportada por la fuente de tensin de 10V.

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