Material

Bolachas silcio oxidado; Acetona; lcool Isoproplico; gua ultra pura; Fotoresiste AZ 6612; AZ 726 MIF Developper: Hidroxido de tetrametilamnio Pina; Tinas; Micropipeta Nichiryo modelo 3100;

Equipamento
Banho de ultra-sons BANDELIN Sonorex Aquecedor Isotemp Fisher Scientific; Cronometro Digital Mquina de fotoresiste Headway PWM32 Karl Sss, Sss Microtec MA6/BA6; Microscpio Panasonic WV- CP 224 Video Monitor - Ecr Panasonic WVCM110A;

Procedimento
Litografia ptica
1. Partiu-se de uma bolacha de SiO2 (silcio cristalino oxidado termicamente); 2. Para a lavagem da bolacha, vazou-se para uma tina uma determinada quantidade de acetona e para uma outra tina uma quantidade semelhante de lcool isoproplico; 3. Colocou-se a bolacha, com o filme de SiO2 voltado para cima, no banho de acetona1; 4. Levou-se a tina com a bolacha imersa em acetona para um banho de ultra-sons2, Bandelin Sonorex, durante 5minutos; 5. Retirou-se a tina do banho de ultra-sons e pousou-se na bancada, ao lado da tina com lcool isoproplico; 6. Transladou-se a bolacha de silcio da tina com acetona para a tina com lcool3; 7. Colocou-se a tina com a bolacha no banho de ultra-sons Bandelin Sonorex durante 5 minutos;

Deve-se assegurar que a superfcie da bolacha encontra-se imersa na soluo de acetona, caso contrrio, deve-se adicionar acetona at que tal acontea; 2 Promove-se a limpeza; 3 A transferncia das bolachas entre tinas deve ser rpida por forma a evitar que a acetona seque E ENTAO?!;

8. Depois do banho de ultra-sons retirou-se a bolacha da tina, lavou-se com gua ultra pura e secou-se com um jacto de azoto posicionado quase paralelamente superfcie da bolacha4; 9. Colocou-se a bolacha numa placa desligada que serviu como base de apoio; 10. Desidratou-se a superfcie da bolacha, colocando-a na placa de aquecimento Isotemp Fisher Scientific a uma temperatura de 115 C5 durante aproximadamente 5 minutos pre-bake; 11. Deixou-se arrefecer as bolachas6 na base de apoio; 12. Posicionou-se a bolacha no spinner Headway Research Inc. PWM 327; 13. Mergulhou-se a pipeta no frasco do fotoresiste AZ 66128e pipetou-se 5 mL, com o auxlio de uma micropipeta Nichiryo modelo 3100; 14. Ligou-se o exaustor; 15. Programou-se o spinner para uma velocidade inicial de 1000 rpm durante 10s e passou-se depois a uma velocidade de 4000 rpm durante 20s9 10; 16. Espalhou-se o fotoresiste sobre a superfcie da bolacha11; 17. Colocou-se a bolacha aps a cobertura com fotoresiste no centro do aquecedor Isotemp Fisher Scientific a 115C durante 1,15 minutos - soft bake12 13; 18. Deixou-se arrefecer as bolachas14 na base de apoio; 19. Colocou-se a bolacha no alinhador de mscaras Karl Sss Microtec MA6/BA6 ; 20. Alinhou-se a bolacha para que ficasse no primeiro quadrante da mscara15 16; 21. Levou-se a amostra contactar com a mscara; 22. Nivelou-se de forma a garantir que a amostra ficasse em contacto perfeito com a mscara; 23. Efectuou-se a exposio por hard contact durante 3,5 segundos; 24. Retirou-se a bolacha do alinhador de mscaras e colocou-se no aquecedor Isotemp Fisher Scientific a 130 C durante 1 minuto - post-exposure baking 17 18;
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O jacto de azoto perpendicular bolacha poderia causar danos nesta, nomeadamente partir; Esta etapa visa eliminar a humidade da superfcie desidratao da superfcie melhorando a adeso do fotoresiste; 6 A temperatura sendo uma varivel da viscosidade, ter-se-ia, caso no se respeita-se esta etapa, uma deficiente cobertura do substrato aquando a aplicao do fotoresiste; 7 A bolacha deve ser colocada no centro do spinner, por forma a cobrir a rea predisposta. Caso no se encontre totalmente coberta, no possvel que seja realizado vcuo e o spinner no inicia a rotao; 8 AZ indica ?!??!; Segundo a referncia do fabricante Micro Chemicals: 66 indica que este fotoresiste especificamente desenhado para dry-etching; 12 significa que em condies normais de spinning: 4000 rpm, obtm-se espessuras mnimas de 1,2m; 9 A menor velocidade promove o espalhamento da camada de fotoresiste, enquanto a velocidade angular maior ir definir a espessura do fotoresiste, garantindo-se uma uniformidade sobre toda superfcie da bolacha; 10 As velocidades reais oscilaram entre 3800 rpm e 4120 rpm constituindo possveis fontes de erro; 11 H sempre acumulao de resiste nas pontas durante o spinnig devido fora centrifuga, sendo este efeito eliminado cortando a bolacha nesse local 12 Pretende-se a evaporao da maior parte dos solventes no fotoresiste, visto estes poderem absorver a radiao e afectar a adeso; 13 Esta etapa foi uma das variveis: underbaking 90 C durante 1 minuto; 14 O arrefecimento nesta etapa antes da exposio evita desalinhamentos por expanso trmica; 15 Para ficar na mscara positiva 16 Constitudo por um substrato de quartzo no qual foi depositado crmio oxidado crmio negro por litografia e-beam. Esta mscara pode ser utilizada para fazer testes de resoluo do fotoresiste;

25. Vazou-se uma determinada quantidade de AZ 726 MIF Developper hidrxido de tetrametilamnio numa tina; 26. Imergiu-se na tina com o revelador por 10segundos tempo de revelao 19; 27. Lavou-se em seguida com gua corrente e jacto de azoto; 28. Observou-se ao microscpio Panasonic WV- CP 224;

Todo o procedimento acima descrito tem como referncia a bolacha I bolacha normal com post-exposure baking - nas restantes bolachas, variaram-se alguns parmetros: tempo e temperatura de baking, tempo de revelao a fim de avaliar a sua influncia na resoluo final.

Bolacha Comentrio I. Normal c/ Postexposure baking Under-baking

Baking Temperatura, Tempo, C min. 115 1,15

Postexposure Baking Sim

Revelao Tempo, s 10

II.

90

10

III.

Under-baking Over-development Under-baking + Under-development

90

30

IV.

90

17

Melhorar a adeso e promover algum rearranjo molecular. Correco de alguns erros que tenham acontecido no baking inicial, suavizar as paredes laterais do fotoresiste e melhorar a resoluo; 18 Apenas na bolacha I fez-se o post exposure baking, nas restantes, revelou-se logo aps exposio; 19 Este tempo foi uma das variveis: under-deveopment 5 segundos; over-development 30 segundos;