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CEF nível II – Técnico de Instalação e Reparação de Computadores Disciplina: ICEI Professor Responsável:

CEF nível II – Técnico de Instalação e Reparação de Computadores

Disciplina: ICEI Professor Responsável: Anselmo Pinheiro Ano Letivo: 2012/2013

MÓDULO _2_

FICHA DE TRABALHO N.º _5

MEMÓRIAS

Memória central ou primária

O computador possui dispositivos que permitem armazenar dados, instruções e resultados. A

esses dipositivos dá-se o nome de memórias. Comunicam diretamente com o processador, estão “perto” dele e armazenam temporariamente (casa da RAM e cache) ou não (caso da ROM) pequenas quantidades de informação. Devido à sua importância fundamental, este tipo

de memória foi designado memória principal, central ou primária.

A memória está organizada em células. Cada célula é uma unidade básica de armazenamento,

podendo conter dados ou instruções. A cada célula corresponde um número, que constitui o seu endereço.

A memória central é, portanto, constituída por três tipos de memórias distintos, que são:

- memória RAM;

- memória ROM;

- memória cache.

Memória RAM

A sigla RAM deriva da expressão Random Access Memory, que significa memória de acesso

aleatório.

Os dados armazenados nesta memória podem ser lidos, escritos e apagados pelo processador.

Quando ligamos o computador é inserida na RAM a informação de que o processador necessita para o seu funcionamento.

Quanto mais memória RAM um computador tiver, mais informação ela pode guardar, o que

se traduz numa otimização do seu funcionamento.

Os chips (circuitos integrados) de memória RAM possuem uma estrutura simples. Para cada bit – 1 ou 0 – a ser armazenado, temos um pequeníssimo condensador (componente eletrónico que armazena corrente elétrica); quando o condensador está carregado eletricamente temos um bit 1, quando ele está descarregado, temos um bit 0. Para cada condensador temos um

transístor (outro componente eletrónico), encarregado de ler o bit armazenado no seu interior

e transmiti-lo ao controlador de memória. Os chips de memória são, então basicamente

compostos pelo conjunto condensador/transístor, que é repetido alguns milhões de vezes.

Para ler e gravar dados na memória, assim como controlar todo o trânsito de dados entre a memória e os demais componentes do computador, é usado o controlador de memória, que faz parte do chipset localizado na placa mãe. Para facilitar o acesso aos dados, dividimos os módulos de memória em linhas e colunas. Para aceder a um determinado transístor (seja para gravar ou ler dados), primeiro o controlador de memória gera o valor RAS, ou o número da linha da qual o transístor faz parte, sendo gerado em seguida o valor CAS, que corresponde à coluna.

Desde as primeiras memórias, no início da década de 80, até às memórias produzidas atualmente, foram realizadas melhorias na forma de organização física e na forma de acesso, que permitiram incrementar consideravelmente a velocidade de acesso. Também foi possível aumentar a velocidade de acesso aos dados depositados na memória através do aumento do barramento de dados. O PC original era capaz de ler 8 bit por ciclo de clock (relógio do sistema que estabelece o tempo de funcionamento dos componentes eletrónicos existentes no computador), enquanto um Pentium pode ler 64 bit por ciclo de clock – 8 vezes mais.

É comum. Atualmente, ouvirmos falar em 512 MBytes e 1 GBytes de memória RAM em

computadores pessoais, algo que era impensável há 10 anos.

Podemos classificar as memórias RAM, quanto à sua forma física, nos seguintes tipos:

Módulo DIP (Dual In - Line Package);

Módulo SIMM de 30 contatos ( Single In - Line Memory Module);

Módulo SIMM de 72 contatos;

Módulo DIMM de 168 contatos ( Double In - Line Memory Module);

Módulo SODIMM de 72, 144 e 200 contatos (Small out - line DIMM);

Módulo DIMM de 184 contatos;

Existem, ainda, outros tipos, mas menos comuns.

Módulo DIP

Nos computadores antigos, principalmente XTs, 286 e primeiros 386, os módulos DIP eram soldados diretamente à placa principal (motherboard – placa mãe) ou, em alguns casos , encaixados individualmente em locais próprios, designados por sockets, disponíveis nessa placa. Este sistema trazia várias desvantagens por dificultar upgrades (acrescentos) de memória ou a substituição de módulos com defeito.

Módulo SIMM de 30 contatos

Neste caso, os módulos de memória são pequenas placas de circuito impresso com chips DIP, que são encaixados em sockets disponíveis na placa mãe.

Módulo SIMM de 72 contatos

Caraterizam-se por apresentarem semelhanças físicas com as memórias SIMM de 30 contatos, mas possuem 72 contatos eletrónicos. Esse tipo de memória foi usado nos computadores com microprocessadores 486 e nos primeiros Pentium, deixando de ser utilizados depois de surgirem os módulos de 168 contatos, que são os mais usados atualmente. Existem dois grupos neste tipo de memórias: as que têm tempo de acesso de 70 ns e as de EDO de 60 ns.

Módulo DIMM de 168 contatos

Enquanto que nos módulos SIMM de 30 e 72 contatos, estes são apenas de um lado, nos módulos DIMM de 168 contatos são utilizados os dois lados do módulo, o que justifica o seu nome, Double In-Line Memory Module.

Este é o tipo de RAM que a motherboard da figura 3.3 suporta, sendo encaixada nos locais com a referência DIMM1, DIMM2 ou DIMM3.

Existem placas com 32 MByte, 64 MByte, 128 MByte e 512 MByte.

DRAM

RAM dinâmica – é a memória mais comum. Este tipo de RAM é a que pode armazenar mais bits num chip e a menos cara, apesar de ser a mais lenta. As DRAM têm tempo de acesso (leitura ou escrita) da ordem dos 80 a 150 ns (nanossegundos – é um bilionésimo de segundo) pelo computador.

O tempo de acesso representa o tempo que demora o acesso a um dado.

A lentidão associada a esta memória é devida ao processo memory refresh, ou refrescamento

de memória, que mantém os dados armazenados durante o funcionamento e que se repete em curtos intervalos de tempo.

FPM RAM

É um dos mais antigos tipos de DRAM. Foi a primeira melhoria significativa na arquitetura

das memórias.

A tecnologia FPM (Fast Page Mode) utiliza um modo de acesso rápido. A ideia é que os

dados estão, na maioria das vezes, gravados sequencialmente, de modo que, ao ler uma informação qualquer, não seria preciso enviar os endereços RAS e CAS para cada bit a ser

lido, mas simplesmente enviar o endereço RAS (linha) uma vez e em seguida enviar vários endereços CAS (coluna).

Foram utilizadas em computadores 386, 486 e nos primeiros computadores Pentium, em forma de SIMM de 30 ou 72 contatos e as mais comuns são as de 70 ns.

Quanto mais baixo forem os tempos de espera, mais rápidas serão as memórias.

EDO RAM

É um tipo de DRAM que surgiu depois da tecnologia FPM RAM, com a vantagem de ter um tempo de acesso mais rápido que na tecnologia FPM – cerca de 60 ns com os primeiros Pentium (principalmente os de 100, 133, 166 ou 200 MHz, cuja velocidade de barramento, bus, é de 66 MHz).

A diferença de tempo de acesso deve-se a um pequeno buffer que equipa estas memórias e

permite o armazenamento dos pedidos do processador enquanto processa o acesso à memória.

As memórias EDO não são, neste momento, utilizadas. Podem ser encontradas em computadores antigos, em módulos de 72 contatos e, em alguns casos raros, em módulos SIMM. Basicamente, apenas as placas para processadores Pentium e algumas placas mãe para 486 com slots PCI aceitavam trabalhar com memórias EDO.

BEDO RAM

Constituíram uma evolução das memórias EDO RAM, conseguindo-se obter tempos de acesso da ordem dos 50 ns quando utilizadas em placas mãe com barramentos (bus) externo

de 66 MHz.

A não compatibilidade com as EDO RAM foi a causa principal para que estas memórias não

tivessem sido muito utilizadas.

SDRAM

Tanto as memórias FPM como as memórias EDO são assíncronas, isto é, trabalham com o seu próprio ritmo, independentemente dos ciclos de relógio da placa mãe. Isso explica por que memórias FPM, que foram projetadas para funcionar nas placas para processadores 386 ou 486 ( que trabalham com barramentos de 25 ou 33 MHz9, funcionam sem problemas em placas para processadores Pentium, que trabalham a 66 MHz ou a 133 MHz.

As memórias SDRAM, por sua vez, são capazes de trabalhar sincronizadas com os ciclos de relógio da placa mãe, sem tempos de espera. Isto significa que a temporização de uma memória SDRAM é sempre de uma leitura por ciclo, independentemente da velocidade de barramento utilizada.

FSB (Front Side Bus) – Velocidade externa ao processador, ou seja, a velocidade a que o processador comunica com a memória e componentes da placa mãe.

Como é necessário que a memória SDRAM seja tão rápida como a placa mãe, encontramos

no mercado versões com tempos de acesso entre 15 ns e 6 ns.

O facto de funcionarem sincronizadas com os ciclos da placa mãe torna-as muito mais rápidas que as suas antecessoras.

Existem SDRAM do tipo PC-66, PC-100 e PC-133. O número significa o valor da frequência para a qual o fabricante projetou a memória: para motherboard com bus de 66 MHz, para bus

de 100 MHz ou para bus de 133 MHz, respetivamente.

VRAM

Trata-se de uma memória de vídeo, que está fisicamente localizada nas placas de vídeo, e que é independente da RAM do sistema.

DDR

Trata-se de um novo tipo de memória RAM.

A sigla DDR vem de Double Data Rate e indica, justamente, a capacidade das memórias

DDR transmitirem dados duas vezes por ciclo: uma transferência no inicio do ciclo de clock e

uma segunda transferência no final. Um módulo DDR de 266 MHz, por exemplo, não

trabalha a 266 MHz, mas sim a apenas 133 MHz, no entanto, como são feitas duas transferências por ciclo, o desempenho é equivalente ao que seria alcançado por um módulo

de 266 MHz.

Atualmente, existem memórias DDR em módulos de 186 e 200 contatos e permitem uma taxa

de transmissão de 533 MHz.

Algumas velocidades para as memórias mais comuns:

Memória

Velocidade

SDRAM PC100

800 MB/s

SDRAM PC133

1064

MB/s

DDR200 ou PC1600

1600

MB/s

DDR266 ou PC2100

2100

MB/s

DDR333 ou PC2700

2700

MB/s

DDR400 ou PC3200

3200

MB/s

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