ACTIVIDAD TRABAJO COLABORATIVO 2

WILLIAM EFREN GALEANO Cdigo: 80541198 HUGO ALEJANDRO GARCA Cdigo: 80545540 WILMAR PLAZAS SNCHEZ Cdigo: 80495903.

Pablo Andrs Hernndez Ingeniero Aeronutico Tutor

UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA UNAD ESCUELA DE CIENCIAS BSICAS TECNOLOGA E INGENIERA FISICA ELECTRNICA OCTUBRE DE 2011.

INTRODUCCION

Gran parte de los avances en la sociedad de la informacin se han debido al desarrollo de los semiconductores. Prcticamente podramos decir que vivimos en una sociedad basada en los semiconductores. En casi en todas las actividades humanas se hace uso de los semiconductores, principalmente dentro de los circuitos integrados. El estudio de los semiconductores es fundamental para el entendimiento de los dispositivos electrnicos modernos. Mediante la realizacin del presente trabajo se tomara como referencia la segunda unidad del Modulo de Fsica Electrnica, se realizaran unas simulaciones mediante el programa Workbench para realizar el respectivo anlisis y conclusiones de los circuitos requeridos.

OBJETIVO GENERAL

La finalidad del trabajo es evidenciar la comprensin de los fundamentos, conceptos y la aplicacin de los semiconductores, conductores y aislantes que se encuentra en la segunda unidad del Modulo de Fsica Electrnica.

OBJETIVOS ESPECIFICOS

Describir las caractersticas y diferencias de los materiales aislantes, semiconductores y conductores. Investigar otros tipos de diodos, diferentes a los expuestos en el Modulo de Fsica Electrnica. Identificar las caractersticas y diferencias de los transistores NPN y PNP. Determinar la importancia de los semiconductores en el desarrollo tecnolgico.

Realizar la simulacin, anlisis y conclusiones de los circuitos propuestos en la segunda fase del trabajo.

DESARROLLO DE ACTIVIDADES
1. Enuncie las principales caractersticas y diferencias existentes entre un

material aislante, un conductor y un semiconductor. De algunos ejemplos de cada grupo.

MATERIAL CONDUCTORES TIPOS CARACTERISTICAS Fsicas DIFERENCIAS

Se dice que un cuerpo es Buenos conductores elctricos conductor elctrico y trmicos. cuando puesto en contacto con un Resistencia a la fatiga. cuerpo cargado de electricidad Resistencia a ser rayados. transmite sta a Resistencia longitudinal. todos los puntos de su superficie Qumicas Valencias positivas: tienden a ceder electrones a los tomos Son todos aquellos con los que se enlazan. que poseen menos de 4 electrones en Tienden a formar xidos la capa de bsicos. valencia. Energa de ionizacin baja. Elctricas Mucha resistencia al flujo de electricidad. La elevada conductividad elctrica y trmica de los metales se explica as por el paso de electrones a estas bandas con defecto de electrones, provocado por la absorcin de energa trmica. Lquidos El agua, con sales como cloruros, sulfuros y carbonatos que actan como agentes reductores (donantes de electrones), conduce la electricidad. Algunos otros lquidos pueden

Slidos

tener falta o exceso de electrones que se desplacen en el medio. Son iones, que pueden ser cationes, (+) o aniones (-). Valencias negativas ioniza negativamente). (se

Gaseosos

En los gases la condicin que implica el paso de una corriente se conoce como el fenmeno de descarga o "ruptura" elctrica del gas: paso de un comportamiento no conductor (baja corriente) a conductor. Tienden a adquirir electrones Tienden cidos. a formar xidos

Ejemplos: Nitrgeno, cloro, Nen (ionizados) AISLANTES Un buen aislante entre vueltas de las bobinas de transformadores es el cartn prensado, el cual da forma a estructuras de aislamiento rgidas. En los sistemas de aislamiento de transformadores destacan las cintas sintticas, que se utilizan para envolver los conductores magnticos de los bobinados. Los fluidos o lquidos dielctricos cumplen la doble funcin de aislar los bobinados en los transformadores y disipar el calor al interior de estos equipos. El lquido dielctrico ms empleado es el aceite mineral. El problema es que es altamente inflamable. Se denomina aislante elctrico al material con escasa conductividad elctrica. El comportamiento de los aislantes se debe a la barrera de potencial que se establece entre las bandas de valencia y conduccin que dificulta la existencia de electrones libres capaces de conducir la electricidad a travs del material, el aislante es el que posee ms de 4 electrones en su ltima capa de

Slidos

Lquidos

Fluidos dielctricos sintticos, valencia. (hidrocarburos) con alto punto Presentan una de inflamacin. resistencia al paso de corriente Entre los nuevos lquidos elctrica hasta 2,5 sintticos destacan las 1024 veces mayor siliconas y los poly-alfa- que la de los olefines. Tienen un alto costo, buenos eso dificulta su masificacin. conductores Los gases aislantes ms elctricos como la utilizados en los plata o el cobre. transformadores son el aire y el nitrgeno, este ltimo a presiones de 1 atmsfera. Estos transformadores son generalmente de construccin sellada. El aire y otros gases tienen elevadsima resistividad y estn prcticamente exentos de prdidas dielctricas En un semiconductor intrnseco tambin hay flujos de electrones y huecos, aunque la corriente total resultante sea cero. Esto se debe a que por accin de la energa trmica se producen los electrones libres y los huecos por pares, por lo tanto hay tantos electrones libres como huecos con lo que la corriente total es cero. Si a un semiconductor intrnseco, como el anterior, se le aade un pequeo porcentaje de impurezas, es decir, elementos trivalentes o pentavalentes, el semiconductor se denomina extrnseco, y se dice que est dopado. Evidentemente, las impurezas debern formar parte de la estructura cristalina sustituyendo al correspondiente tomo de Un semiconductor es una sustancia que se comporta como conductor o como aislante dependiendo del campo elctrico en el que se encuentre, capaz de conducir la electricidad mejor que un aislante, pero peor que un metal.

Gaseosos

SEMICONDUCT ORES

Intrnsecos

Extrnsecos

Son todos aquellos que poseen 4 electrones en la capa de valencia.

silicio. Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de carga libres (en este caso negativas o electrones).Cuando el material dopante es aadido, ste aporta sus electrones ms dbilmente vinculados a los tomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es tambin conocido como material donante ya que da algunos de sus electrones. El propsito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de electrones portadores en el material. Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de carga libres (en este caso positivos o huecos).Cuando el material dopante es aadido, ste libera los electrones ms dbilmente vinculados de los tomos del semiconductor. Este agente dopante es tambin conocido como material aceptor y los tomos del semiconductor que han perdido un electrn son conocidos como huecos. El propsito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos.

Semiconducto r Tipo N:

Semiconducto r Tipo P:

2. Cmo se obtiene un semiconductor tipo N y uno tipo P? Qu cualidades o caractersticas adquiere este material con respecto al semiconductor puro? Cuando a la estructura molecular cristalina del silicio o del germanio se le introduce cierta alteracin, esos elementos semiconductores permiten el paso de la corriente elctrica por su cuerpo en una sola direccin. Para hacer posible, la estructura molecular del semiconductor se dopa (aadir impurezas voluntariamente) mezclando los tomos de silicio o de germanio con pequeas cantidades de tomos de otros elementos o "impurezas". Generalmente los tomos de las impurezas corresponden tambin a elementos semiconductores que, en lugar de cuatro, poseen tres electrones en su ltima rbita (trivalentes) [como el galio (Ga) o el indio (In)] semiconductores tipo P; o que poseen cinco electrones tambin en su ltima rbita (pentavalentes) [como el antimonio (Sb) o el arsnico (As)] semiconductores tipo N. Una vez dopados, el silicio o el germanio se convierten en semiconductores extrnsecos y sern capaces de conducir la corriente elctrica. Caractersticas: En el semiconductor tipo N cuando un elemento con cinco electrones de valencia entra en la red cristalina del silicio, se completan los cuatro electrones de valencia que se precisan para llegar al equilibrio y queda libre un quinto electrn que le hace mucho mejor conductor. En el semiconductor tipo P, si se introduce una impureza trivalente en la red cristalina del silicio, se forman tres enlaces covalentes con tres tomos de silicio vecinos, quedando un cuarto tomo de silicio con un electrn sin enlazar, provocando un hueco en la red cristalina.
3. Consulte sobre otros tipos de diodos, diferentes al rectificador, el

LED, el zner y el fotodiodo. DIODOS DE TRATAMIENTO DE SEAL (RF): Los diodos de tratamiento de seal necesitan algo ms de calidad de fabricacin que los rectificadores. Estos diodos estn destinados a formar parte de etapas moduladoras, demoduladoras, mezcla y limitacin de seales, etc. Uno de los puntos ms crticos en el diodo, al momento de trabajar con media y alta frecuencia, se encuentra en la capacidad de unin", misma que se debe a que en la zona de la unin PN se forman dos capas de carga de sentido opuesto que conforman una capacidad real. En los diodos de RF (radio frecuencia) se intenta que dicha capacidad sea reducida a su mnima expresin, lo cual ayudar a que el diodo conserve todas sus habilidades rectificadoras, incluso cuando trabaje en altas frecuencias.

Entre los diodos ms preparados para lidiar con las altas frecuencias destaca el diodo denominado Schottky. Este diodo fue desarrollado a principio de los sesenta por la firma Hewletty, deriva de los diodos de punta de contacto y de los de unin PN de los que han heredado el procedimiento de fabricacin. A diferencia del diodo semiconductor normal que tiene una unin PN, el diodo schottky tiene una unin Metal-N. Estos diodos se caracterizan por su velocidad de conmutacin, una baja cada de voltaje cuando estn polarizados en directo (tpicamente de 0.25 a 0.4 voltios). El diodo Schottky est ms cerca del diodo ideal que el diodo semiconductor comn pero tiene algunas caractersticas que hacen imposible su utilizacin en aplicaciones de potencia. Estas son: - El diodo Schottky tiene poca capacidad de conduccin de corriente en directo (en sentido de la flecha). Esta caracterstica no permite que sea utilizado como diodo rectificador. Hay procesos de rectificacin (por ejemplo fuentes de alimentacin) en que la cantidad de corriente que tienen que conducir en sentido directo es bastante grande. - El diodo Schottky no acepta grandes voltajes que lo polaricen inversamente (VCRR). El proceso de rectificacin antes mencionado tambin requiere que la tensin inversa que tiene que soportar el diodo sea grande. Sin embargo el diodo Schottky encuentra gran cantidad de aplicaciones en circuitos de alta velocidad como en computadores donde se necesitan grandes velocidades de conmutacin y su poca cada de voltaje en directo causa poco gasto de energa. El smbolo del diodo Schottky se ve en el diagrama a la derecha.

DIODOS DE CAPACIDAD VARIABLE (VARICAP):

La capacidad formada en los extremos de la unin PN puede resultar de gran utilidad cuando, al contrario de lo que ocurre con los diodos de RF, se busca precisamente utilizar dicha capacidad en provecho del circuito en el cual se est utilizando el diodo. Al polarizar un diodo de forma directa se observa que, adems de las zonas constitutivas de la capacidad buscada, aparece en paralelo con ellas una resistencia de muy bajo valor hmico, lo que conforma un capacitor de elevadas prdidas. Sin embargo, si polarizamos el mismo en sentido inverso la resistencia en paralelo que aparece es de un valor muy alto, lo cual hace que el diodo se pueda comportar como un capacitor con muy bajas prdidas. Si aumentamos la tensin de polarizacin inversa las capas de carga del diodo se esparcan lo suficiente para que el efecto se asemeje a una disminucin de la capacidad del hipottico capacitor (el mismo efecto producido al distanciar las placas del un capacitor estndar). Por esta razn podemos terminar diciendo que los diodos de capacidad variable, ms conocidos como varicap, varan su capacidad interna al ser alterado el valor de la tensin que los polariza de forma inversa. La utilizacin ms solicitada para este tipo de diodos suele ser la de sustituir a complejos sistemas mecnicos de capacitor variable en etapas de sintona en todo tipo de equipos de emisin y recepcin, ejemplo, cuando cambiamos la sintona de un receptor antiguo, se vara mecnicamente el eje de un capacitor variable en la etapa de sintona; pero si por el contrario, pulsamos un botn de sintona de un receptor de televisor moderno, lo que hacemos es variar la tensin de polarizacin de un diodo varicap que se encuentra en el mdulo sintonizador del TV. En el siguiente grfico se muestra las similitudes entre un diodo y un capacitor.

DIODO GUNN. EFECTO GUNN. El efecto fue descubierto por Gunn en 1963. Este efecto es un instrumento eficaz para la generacin de oscilaciones en el rango de las microondas en los materiales semiconductores. Gunn observ esta caracterstica en el Arseniuro de Galio (GaAs) y el Fsforo de Indio (InP) El efecto Gunn es una propiedad del cuerpo de los semiconductores y no depende de la unin misma, ni de los contactos, tampoco depende de los valores de voltaje y corriente y no es afectado por campos magnticos. Cuando se aplica un pequeo voltaje continuo a travs de una plaquita delgada de Arseniuro de Galio (GaAs), sta presenta caractersticas de resistencia negativa. Todo esto bajo la condicin de que el voltaje en la plaquita sea mayor a los 3.3 voltios / cm. Ahora, si esta plaquita es conectada a un circuito sintonizado (generalmente una cavidad resonante), se producirn oscilaciones y todo el conjunto se puede utilizar como oscilador. Este efecto Gunn slo se da en materiales tipo N (material con exceso de electrones) y las oscilaciones se dan slo cuando existe un campo elctrico. Estas oscilaciones corresponden aproximadamente al tiempo que los electrones necesitan para atravesar una plaquita de material tipo N cuando se aplica el voltaje en continua. Resistencia negativa en el diodo Gunn El Arseniuro de Galio (GaAs) es uno de los pocos materiales semiconductores que en una muestra con dopado tipo N, tiene una banda de energa vaca ms alta que la ms elevada de las que se encuentran ocupadas parcial o totalmente. Funcionamiento de resistencia positiva: Cuando se aplica un voltaje a la plaquita (tipo N) de Arseniuro de Galio (GaAs), los electrones, que el material

tiene en exceso, circulan y producen una corriente al terminal positivo. Si se aumenta la tensin, la velocidad de la corriente aumenta. Funcionamiento de resistencia negativa: Si a plaquita anterior se le sigue aumentando el voltaje, se les comunica a los electrones una mayor energa, pero en lugar de moverse ms rpido, los electrones saltan a una banda de energa ms elevada, que normalmente esta vaca, disminuyen su velocidad y por ende la corriente. De esta manera una elevacin del voltaje en este elemento causa una disminucin de la corriente. Eventualmente, el voltaje en la plaquita se hace suficiente para extraer electrones de la banda de mayor energa y menor movilidad, por lo que la corriente aumentar de nuevo con el voltaje. La caracterstica voltaje contra corriente se parece mucho a la del diodo tunel DIODO TUNNEL (CARACTERSTICA DE RESISTENCIA NEGATIVA)

El diodo Tunnel se comporta de una manera muy interesante conforme se le va aumentando una tensin aplicada en sentido directo. - Cuando se aplica una pequea tensin, el diodo tunnel empieza a conducir (la corriente empieza a fluir). - Si se sigue aumentando esta tensin la corriente aumentar hasta llegar un punto despus del cual la corriente disminuye. - La corriente continuar disminuyendo hasta llegar al punto mnimo de un "valle" - Despus volver a incrementarse. En esta ocasin la corriente continuar aumentando conforme aumenta la tensin. Este comportamiento de la corriente en funcin de la tensin en el diodo tunnel se puede ver en el siguiente grfico.

Vp: Tensin de pico. Vv: Tensin de valle. Ip: corriente de pico. Iv: corriente de valle.

La regin en el grfico en que la corriente disminuye cuando la tensin aumenta (entre Vp y Vv) se llama "zona de resistencia negativa" El diodo tunnel se llama tambin diodo Esaki en honor a su inventor japons Leo Esaki Los diodos tunnel tienen la cualidad de pasar entre los niveles de corriente Ip e Iv muy rpidamente, cambiando de estado de conduccin al de no conduccin incluso ms rpido que los diodos Schottky. Desgraciadamente, este tipo de diodo no se puede utilizar como rectificador debido a que tiene una corriente de fuga muy grande cuando estn polarizados en reversa. As estos diodos slo encuentran aplicaciones reducidas circuitos osciladores de alta frecuencia. DIODO LSER. LUZ MONOCROMTICA COHERENTE. El diodo lser se obtuvo como resultado de la continuacin del desarrollo del diodo LED. La palabra LASER proviene de las siglas en ingls: Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation que significa: Amplificacin de luz por Emisin estimulada de radiacin Lo anterior se refiere a un extrao proceso cuntico, donde la luz caracterstica emitida por electrones cuando pasan de un estado de alta energa a un estado de menor energa, estimula a otros electrones para crear "saltos" similares. El resultado es una luz sincronizada que sale del material. Otra caracterstica importante es que la luz emitida no slo tiene la misma frecuencia (color), sino tambin la misma fase. (Tambin est sincronizada). Este es el motivo por el cual la luz lser se mantiene enfocada an a grandes distancias. como en

En el caso de una fuente de luz blanca comn, esta genera todos los diferentes colores (a sus respectivas frecuencias) en forma de rayos dispersos (van en diferentes direcciones) y no estn en fase. En el caso de una fuente de luz lser todos los rayos son del mismo color (monocromticos) o lo que es lo mismo, tienen la misma frecuencia y estn en fase. Los diodos LED comunes, irradian una sola luz (son monocromticos), una sola frecuencia, pero no estn en fase y se propagan en forma dispersa. En cambio los diodos LASER, producen una luz coherente. Esta luz no slo es monocromtica (un solo color), sino que es monofsica (estn en fase), resultando en un rayo de luz muy preciso. Los diodos LASER tienen una gran cantidad de aplicaciones, lectura y escritura de discos pticos, donde slo un rayo de luz muy angosto puede ver un rea microscpica en la superficie de un disco. Para mediciones precisas en donde es indispensable un rayo de luz que no se disperse. Algunos diodos lser requieren de circuitos que generen pulsos de alta potencia, para entregar grandes cantidades de voltaje y corriente en pequeos instantes de tiempo. Otros diodos lser necesitan de un funcionamiento continuo pero a menor potencia. Con el envejecimiento los diodos lser podran necesitar mas corriente para generar la misma potencia entregada. Pero no hay que olvidarse que estos elementos tienen una vida larga.

4. Cules son las principales caractersticas y diferencias existentes

entre un transistor NPN y uno PNP. Cada transistor tiene una disposicin distinta.

Otra diferencia entre los transistores NPN y PNP es la polarizacin, una polarizacin correcta permite el funcionamiento de este componente. No es lo mismo polarizar un transistor NPN que PNP.

Polarizacin de un transistor NPN

Polarizacin de un transistor PNP

Generalmente podemos decir que la unin base - emisor se polariza directamente y la unin base - colector inversamente. En ausencia de tensiones de polarizacin, las barreras de potencial existente se muestran en la siguiente figura.

El transistor NPN tiene una frecuencia de respuesta mucho mayor, ya que el flujo de electrones es ms rpido. En un transistor NPN en conduccin, la corriente por emisor, colector y base circula en sentido contrario a la de un PNP.
5. Cul es la importancia de los elementos semiconductores en el

actual desarrollo tecnolgico? Actualmente, ninguna de las tecnologas que han transformado al mundo sera concebible sin los semiconductores. Decenas de miles de investigadores en cientos de laboratorios investigan sobre las propiedades y aplicaciones de los semiconductores. Entre las revistas de fsica de mayor prestigio, la presencia de artculos dedicados a la fsica de semiconductores es tan masiva, que, por ejemplo, una revista como physicla Review B les dedica monogrficamente uno de los dos nmeros que publica mensualmente (http://www.uv.es/elecfis/Concepto.htm). Entre los elementos electrnicos que trabajan en base a los semiconductores, los transistores es el principal componente que ha facilitado el diseo de circuitos elctrico de tamao reducido, facilidad de control y velocidad de respuesta adems del bajo consumo de energa si los comparamos con las antiguas vlvulas de vaco que se utilizaban anteriormente. Sin los transistores no sera posible que la mayora de personas contramos con un computador en casa o con aparatos elctricos porttiles como los mismos computadores, radios, celulares, cmaras, en fin la gran cantidad de aparatos que utilizamos que nos facilitan la vida y hasta no la hacen ms entretenida.

SIMULACIN DE CIRCUITOS ELECTRNICOS Realice la simulacin de los siguientes circuitos y analice los resultados obtenidos.
1. Polarizacin del Diodo Comn. Construya los siguientes circuitos y

realice su simulacin por medio del software Workbench. Explique lo sucedido.

En la polarizacin del diodo comn, en la figura de la izquierda, vemos el comportamiento del diodo como circuito cerrado, por su polarizacin directa se rompe la barrera de potencial y permite el paso de corriente, lo que hace que el indicador rojo se encienda. Ocurre lo contrario en la figura de la izquierda, por estar el diodo polarizado de manera inversa, la barrera de potencial no se rompe y no permite el paso de corriente, se comporta como un circuito abierto.
2. Aplicacin del Diodo como Rectificador. Construya los siguientes

circuitos y realice su simulacin por medio del software Workbench. Anexe al informe las grficas obtenidas en el osciloscopio. Compare la seal de entrada con la seal de salida. Explique lo sucedido. a) Rectificador de Media Onda

Seal de un rectificador de media onda

Explicacin: En el circuito de la figura anterior, vemos el diodo polarizado directamente lo que permite que la corriente circule, pero, como observamos en el osciloscopio el diodo permite el paso nicamente del semiciclo positivo, es decir si conectramos un indicador luminoso y variamos la frecuencia a1Hz ocurrira que 1 instante de tiempo estara apagado y en otro instante estara encendido. (Sugiero hacer la prctica con el simulador).

Ejemplo de rectificacin de media onda con baja frecuencia.

b) Rectificador de Onda Completa con Puente de Greatz

Explicacin:

Con el rectificador de onda completa, durante el semiciclo positivo los diodos D1 y D3 conducen dando lugar a un semiciclo positivo en la resistencia de carga, como se muestra en la siguiente figura.

Cuando el semiciclo es negativo los diodos D2 y D4 conducen dando lugar a otro semiciclo positivo en la resistencia de carga como se muestra en la siguiente figura.

Cuando usamos los cuatro diodos para rectificar la seal alterna el resultado es siempre un semiciclo positivo en la resistencia de carga pues cuando no conduce por un lado, conduce por el otro, es lo que llamamos comnmente corriente continua.
3. Aplicacin del Transistor como Amplificador. Construya el siguiente

circuito y realice su simulacin por medio del software Workbench. Anexe al informe las grficas obtenidas en el osciloscopio. Compare la seal de entrada con la seal de salida. Explique lo sucedido.

Se hizo el montaje en el simulador de la forma sugerida en la gua de actividades, en el generador de impulsos se coloc la amplitud a 12 V y la frecuencia en 1 Hz, para visualizar ms claro el efecto que produce el transistor, para no entrar en explicaciones complicadas lo que vemos es una amplificacin de la seal efectuada por el transistor y evidenciada por el osciloscopio, en las siguientes figuras se resalta el valor de la seal de salida en diferentes momentos de la seal de entrada.

CONCLUSIONES

Se realizo una tabla comparativa en la cual se describen las diferencias, caractersticas y ejemplos de los materiales semiconductores, aislantes y conductores.

Se hizo una investigacin sobre tipos de diodos, sus aplicaciones y caractersticas.

Se identificaron las caractersticas y diferencias entre los transistores NPN y PNP. Se determino la importancia de los semiconductores en el desarrollo actual de la tecnologa. Mediante la simulacin en el programa Workbench de los circuitos, Rectificador de Media Onda, Rectificador de Onda Completa y Aplicacin del Transistor como Amplificador, se determino su respectivo anlisis.

BIBLIOGRAFA Y CIBERGRAFA TELLEZ ACUA, Freddy Reynaldo. Modulo de Fsica Electrnica. 2006. www.planetaelectronico.com http://www.electronica2000.com http://www.unicrom.com/Tut_Diodo_Gunn.asp