Conductividad elctrica

Partiendo de la Ley de Ohm, donde V V=IR (Ec. 1)

es el voltaje (V), I es la corriente en amps. (A) y R es

la resistencia en Ohms () presentada al flujo de corriente. Esta ley es aplicable a la mayora (no a todos) de los materiales. La resistencia (R) de un resistor es una caracterstica del tamao, forma y propiedades de los materiales.
R=
l A

l A

(Ec. 2)

Donde: l es la longitud (cm) del resistor, A es el rea transversal (cm2) del resistor, es la resistividad elctrica (ohm-1 cm-1). La magnitud de la resistencia depende de las dimensiones del resistor, as como de la microestructura y de la composicin del material. Y es la conductividad o resistividad elctrica y tambin es el recproco de la . No dependen de las dimensiones del material; por tanto, la resistividad o conductividad nos permite comparar materiales diferentes.

Fig. 1 Clasificacin de los materiales electrnicos ms comunes

La Resistividad es una propiedad sensible a la microestructura, similar a la resistencia a la cedencia,. Por ejemplo, la resistividad el cobre puro es mucho mayor a la del cobre comercialmente puro, ya que las impurezas presentes en el cobre comercial, dispersan los electrones y contribuyen a una mayor resistividad. Es importante hacer nota que la resistividad del BaTiO3 puede variar dependiendo de manera significativa de la presencia de impurezas, dopantes, poros, as como otras caractersticas microestructurales.

En componentes diseados para conducir energa elctrica, es importante minimizar las prdidas, no slo para conservar la energa sino tambin para minimizar el calentamiento. La energa elctrica (P, en watts) perdida cuando fluye una corriente a travs de una resistencia est dada por: P = VI = 12 R Una resistencia R elevada da como resultado prdidas de energa mayores. Estas prdidas elctricas tambin se conocen como prdidas trmicas de Joule.

Fig. 2 (a) los portadores de carga, como los electrones, son desviados por los tomos o por defectos de red, siguiendo una trayectoria irregular a travs de un conductor. La velocidad promedio a la cual se mueven los portadores es la velocidad de deriva

v.

(b) Los electrones

de valencia en la unin metlica se mueven con facilidad. (c) Los enlaces covalentes en los materiales semiconductores y en los aislantes deben romperse para que los electrones puedan moverse. (d) En muchos materiales enlazados inicamente, es necesario que se difundan iones completos para transportar carga.

Mediante la combinacin de las ecuaciones 1 y 2 se obtiene una segunda forma de la ley de Ohm:
I V = A l

(Ec. 3)

Si definimos I/A como la densidad de la corriente J (A/cm2) y V/l como el campo elctrico E (V/cm), entonces J=E

(Ec. 4)

Tambin podemos determinar que la densidad de corriente J es J=n qv (Ec. 5)

Donde n es el nmero de portadores de carga (portadores/cm3), q es la carga en cada uno de los portadores (1,6 x10-19C), y v es la velocidad de deriva o arrastre promedio (cm/s) a la cual se mueven los portadores de carga (figura 2 (a). Por tanto:

E = nqv

= nq v
E

(Ec. 6)

Se hace la distincin entre el movimiento de tomos, molculas, iones, electrones, huecos, etc. Producidos por gradientes de concentracin y de temperatura (difusin) o alguna otra fuerza impulsora como gradientes de densidad, campo elctrico o campo magntico. El movimiento de partculas, tomos, iones, electrones, huecos, etc, bajo las fuerzas

impulsoras distintas a la difusin, se llama arrastre o deriva ara el caso de transporte de carga. El movimiento de iones de una solucin bajo un campo elctrico, produce capas delgadas de metales y aleaciones. A este proceso se le llama electrodeposicin (o galvanoplastia). El principio bsico de este proceso tambin se usa en la extraccin y refinacin de metales como el cobre, y el aluminio. Los anteriores son ejemplos de arrastre o deriva de electrones y la difusin de portadores en semiconductores.

Al trmino v /E se le conoce como la movilidad (

cm V s

) de los

portadores ( en el caso de los metales, se trata de la movilidad de los electrones):

=v E

(Ec. 7)

Finalmente : = nq (Ec. 8) Donde la carga q es una constante; observando la ecuacin 8 encontramos que podemos controlar la conductividad elctrica de los materiales, ya sea: 1) controlando el nmero de portadores de carga en el material o 2), controlando la movilidad; es decir, la facilidad de movimiento de los portadores de carga. La movilidad es de particular importancia en el caso de los metales.

En los semiconductores, tanto los electrones como los huecos son portadores de electricidad. Por tanto, es posible modificar la ecuacin 8 como sigue, para expresar la conductividad de los semiconductores = nq En esta ecuacin
n n

pq
p

(Ec.9)

son las movilidades de electrones y huecos,

respectivamente. Los trminos n y p representan las concentraciones de electrones y huecos libres en el semiconductor. En los materiales cermicos, cuando ocurre la conduccin, puede ser resultado de electrones que saltan de un defeco a otro o debido al movimiento de los iones (figs. 2 (b)-(d) La movilidad depende de los enlaces atmicos, de las imperfecciones, de la microestructura y, en el caso de compuestos inicos, de las velocidades de difusin.

Debido a estos efectos, la conductividad elctrica de los materiales vara tremendamente, como se ilustra en la tabla 1.

Tabla 1 conductividad elctrica de algunos materiales a T = 300 K

Obsrvese que los valores de conductividad para materiales metlicos y semiconductores dependen de manera muy importante de la temperatura.

Los materiales electrnicos se pueden clasificar como: (a) superconductores (b) conductores normales (c) semiconductores y (d) materiales dielctricos o aislantes Dependiendo de la magnitud de su conductividad elctrica. Los materiales con una conductividad inferior a 10-12 -1 cm-1 o una resistividad superior a 1012 - cm se consideran como aislantes o dielctricos. Los materiales con una conductividad superior a 103 -1 cm-1 o una resistividad inferior a 10-3 -1 cm-1 se consideran conductores. Los materiales con una conductividad inferior a 103 -1 cm-1 pero superiores a 10-12 -1 cm-1 se consideran semiconductores. (Estos rangos de valores son aproximados) Utilizamos el trmino dielctrico para designar a aquellos materiales utilizados en aplicaciones donde la constante dielctrica es de importancia. Que entendemos por propiedad dielctrica ? Es la propiedad que tienen algunos materiales no metlicos de no conducir la electricidad, es decir, tienen una gran resistencia elctrica. Los materiales con mejores propiedades dielctricas son los cermicos.

Un material cermico se hace mejor conductor de la electricidad cuando se eleva su temperatura a un punto cercano al punto de fusin, y esto se debe a que aumenta la movilidad de sus iones. La constante dielctrica (k) de un material es una propiedad sensible a la microestructura relacionada con la capacidad de dicho material para almacenar carga elctrica. Constante dielctrica es la constante de proporcionalidad entre la carga almacenada entre dos placas separadas por un material dielctrico, en comparacin con la que se almacena cuando las placas estn separadas por un vaco. La caracterstica dielctrica en los materiales se debe a la ausencia de electrones libres y la lentitud de los iones como portadores de carga. Se entiende por fuerza dielctrica la tensin necesaria para el rompimiento dielctrico por volumen del aislamiento (sus unidades son el volts / Pg.) Se entiende por prdida dielctrica la reduccin de energa que se produce cuando se invierte el campo que acta sobre un aislador, lo cual da como resultado una conversin de energa elctrica en trmica. Ejemplos de aplicaciones de dielctricas comunes: 1) Capacitor, 2) condensador Utilizamos el trmino aislante para describir la capacidad de un material para detener el flujo de una corriente directa o alterna, en contraposicin a su capacidad para almacenar una carga. Una medida de qu tan buen aislante es un material es el campo elctrico mximo que puede soportar sin ruptura.

CONDUCTIVIDAD DE LOS METALES Y ALEACIONES. La conductividad de un metal puro y libre de defectos est determinada por la estructura electrnica de los tomos. Pero podemos modificar la conductividad al cambiar la movilidad. , de los portadores. La movilidad es proporcional a la velocidad de deriva promedio v , la cual es baja si los electrones chocan contra imperfecciones en la red cristalina. La trayectoria media libre de los electrones (e) se define como: e = v

(Ec. 10)

El tiempo promedio entre colisiones es . La trayectoria media libre define la distancia promedio entre colisiones; una trayectoria media libre ms larga permite mayores movilidades y conductividades. Efecto de la temperatura. Cuando se incrementa la temperatura de un metal, la energa trmica hace que los tomos vibren (Fig. 3). En cualquier instante, el tomo puede no estar en su posicin de equilibrio, y por ello interactuar y dispersar los electrones. Se reducirn la trayectoria media libre y la movilidad de los electrones, y aumentar la resistividad.

Fig. 3 Movimiento de un electrn a travs de (a) un cristal perfecto, (b) un cristal calentado a una temperatura elevada y (c) un cristal con defectos a nivel atmico. La dispersin de los electrones reduce la movilidad y la conductividad.

Tabla 2 Coeficiente de resistividad por temperatura R para algunos metales

SUPERCONDUCTIVIDAD Un superconductor es un material que tiene una resistencia elctrica igual a cero bajo ciertas condiciones y rechaza completamente un campo magntico (es decir, un superconductor es tambin un perfecto diamagneto). El descubrimiento de fenmenos de la superconduccin, se debe a Heike Kammerlingh Onnes, quien en 1911, encontr que la resistencia del mercurio desapareca cuando se enfriaba a temperatura de helio (He) lquido (-4 K). (De hecho, Onnes estaba trabajando en la licuefaccin del helio y no estaba investigando la superconductividad). Despus de su descubrimiento, se han encontrado muchos metales puros (por ejemplo ,el Nb) que son superconductores. Otro adelanto en la superconductividad se present cuando, nuevamente debido de la casualidad, Bendorz y Muller descubrieron el primer superconductor cermico de Tc (Temperatura crtica) elevada, con base en un xido de La-Sr-Cu. Posteriormente surgi el superconductor Yba2Cu3O7-x, hecho por Chu y sus colegas. La superconductividad est relacionada con el acoplamiento electrnfonn y la formacin resultante de parejas de electrones de conduccin. Esto se explica utilizando la teora de Bardeen, Cooper y Schrifer; es decir, la teora BCS. Segn esta teora, la superconductividad ocurre como un resultado de la formacin de pares de electrones conocidos como pares de Cooper. Esta teora explica las propiedades de la

superconductividad en superconductores metlicos; sin embargo, a la fecha no se ha emitido teora alguna para explicar plenamente la existencia de la superconductividad en los materiales cermicos. La superconductividad en los materiales desparece por encima de una cierta temperatura, conocida como la temperatura crtica (Tc). El cambio de conduccin normal a superconduccin ocurre de manera abrupta. La superconductividad tambin desaparece cuando est presente un cierto nivel de campo magntico. Tambin existe una densidad de corriente crtica Tc por arriba de la cual el estado de superconduccin no puede mantenerse. CONDUCTIVIDAD DE OTROS MATERIALES La conductividad elctrica por lo general es muy baja en la mayora de los materiales cermicos y polimricos. Sin embargo, algunos materiales especiales proporcionan una conduccin limitada o incluso buena. Mediante el uso de dopantes es posible tomar muchos materiales cermicos. (por ejemplo, BaTiO3, TiO2, ZrO2) que son normalmente aislantes y convertirlos en xidos conductores. La conduccin en estos materiales puede ocurrir como resultado del movimiento de iones o de electrones y huecos.