Bandas de energia:

O grau de condutividade determinado pela estrutura de bandas de energia de um

slido.

Se um slido um condutor, um semi-condutor
ou um isolante depende do preenchimento da banda de
Valencia e da energia de gap entre as camadas de
valncia e de conduo.


De uma maneira geral os materiais podem ser divididos em:

Isolantes Semicondutores Condutores

Os materiais slidos podem ser divididos em classes principais, conforme a
distribuio atmica da estrutura:

Cristais Policristais Amorfos

Nosso interesse principal est nos semicondutores cristalinos (silcio).
Condutores:
A banda de valncia est tanto somente parcialmente preenchida como se sobrepe com
uma banda vazia.
Um campo eltrico acelera os eltrons.
Com a energia aumentada estes ainda cabem na parte vazia da banda.
Os condutores so opacos.

Isolantes:
A banda de valncia est preenchida, o gap para a banda vazia de alguns eV.
Os eltrons no conseguem campo eltrico tem que atingir 108 V/m para vencer o gap
(campos menores so insuficientes devido as colises).
Os isolantes so normalmente transparentes.
Metal
Observa-se a superposio de
bandas de energia
Semicondutor
Na temperatura de 0 K a banda de
energia repleta com eltrons mais
alta chamada de banda de valncia
e a prxima banda chamada de
banda de conduo.
Isolante
O nvel proibido grande demais
para ser transposto



Semicondutores:
T~0 K:
Semicondutores e isolantes tem resistividades praticamente idnticas a T ambiente.
Nos semicondutores, uma pequena frao de eltrons pode ser excitada termicamente para
o gap da banda vazia.
Estes poucos eltrons so suficientes para permitir que uma pequena corrente flua na
presena de um campo E.
Os isolantes, isto , materiais que no conduzem corrente eltrica, so cristais que tm a
ltima banda completamente cheia. No pode ter fluxo de eltrons nesta banda.
Os materiais condutores, tambm chamados metais, so os que tm a ltima banda
semi-cheia.
Em um cristal isolador, somente na temperatura T=0K a ltima banda, chamada
banda de valncia est completamente cheia. Quando a temperatura maior que zero,
eltrons da banda de valncia podem ganhar energia suficiente para atingirem a banda
seguinte, chamada banda de conduo, que estava vazio a T=0K. A passagem de eltrons
para a banda de conduo deixam na banda de valncia estados que se comportam como
portadores de carga eltrica positiva, chamado lacunas ou buracos.
A condutividade do material depende do nmero de eltrons que passam para a banda
de conduo. Este nmero tanto maior quanto maior for a temperatura e quanto menor for
a energia que separa as duas bandas. Esta energia representada por Eg, onde o ndice g
vem da palavra gap, que significa intervalo, em ingls. Os materiais que so isoladores a
T=0K mas que tm Eg relativamente pequeno, da ordem de 1eV ou menos, temperatura
ambiente tm condutividade e por isso so chamados semicondutores.

Um semicondutor pode conduzir eletricidade apenas se h alguns eltrons em sua
banda de conduo ou lacunas na camada de valncia. A energia na parte inferior da banda
de conduo denominada Ec. O prximo nvel de energia permitido chamado de banda
de valncia. A energia na parte superior da banda de valncia chamada de Ev. Entre as
duas bandas permitidas est o gap de energia ou banda proibida. Sendo que o chamado
bandgap dado por:

Eg = Ec Ev

Esse um dos parmetros mais importante dos semicondutores.


Um semicondutor intrnseco definido pelo fato que a sua condutividade vm dele
prprio. Por exemplo, se falamos de silcio intrnseco, as cargas livres capazes de conduzir
corrente eltrica vm exclusivamente de tomos de silcio. Assim sendo, um semicondutor
intrnseco muito puro e praticamente no contm impurezas.
No semicondutor extrnseco as cargas livres podem vir tambm de tomos
aliengenas, as chamados impurezas. Estas impurezas, sempre em pequena concentrao,
introduzem seus prprios nveis de energia dentro do diagrama de faixas de energia do
semicondutor.
Para que um tomo de impureza possa alterar a concentrao de cargas livres, um de
seus nveis de energia deve se situar dentro da zona proibida do semicondutor. Existem duas
possibilidades para isso.

Semicondutor tipo n
A primeira possibilidade existe na introduo de um novo nvel de energia Ed perto
do nvel Ec O nvel Ed chamado de nvel doador e deve ser repleto de eltrons. A
impureza que possui um tal nvel se chama impureza doadora.
Se o nvel Ed fica perto do nvel Ec, necessrio pouca energia para que um eltron
passe do nvel Ed para o nvel Ec. temperatura normal quase todos os eltrons do nvel Ed
passam para o nvel Ec e a
Existem vrios elementos que podem servir de impureza doadora para o silcio, o
ltio, o zinco, o fsforo, o boro, etc.
Semicondutor tipo p
A segunda possibilidade de criar mais portadores de cargas livres consiste na
introduo de um novo nvel EA perto do nvel EV. Isso possvel com impurezas de boro,
alumnio, glio, ndio, etc.
Para que as impurezas tenham o efeito desejado, o nvel EA deve ser vazio para
poder aceitar eltrons. Estas impurezas se chamam aceitadores.
Pela pequena distncia entre EV e EA, muitos eltrons podem sair da faixa de
valncia e atingir o nvel EA, aumentando assim a concentrao de lacunas (cargas
positivas) na banda de valncia.
Tanto os eltrons na banda de conduo como as lacunas na banda de valncia
podem se mover - eles esto livres. Em seguida calculamos os valores de n e p.
Definimos:
n concentrao de eltrons livres
p concentrao de lacunas livres.

Para isso, introduzimos a funo de distribuio de Fermi-Dirac que descreve a
probabilidade que um eltron possa ter um determinado valor de energia E:

F E
E E
kT
F
( )
exp
=
+

1
1

onde
EF energia de Fermi
k constante de Boltzmann
T temperatura absoluta
Ao analisar a funo observamos que para valores elevados de energia a
probabilidade muito pequena enquanto a probabilidade para valores baixos de energia
passa a se aproximar a 1. A probabilidade que um eltron tenha a energia E=EF
exatamente 1/2. A temperatura determina a inclinao do grfico da funo no ponto E=EF:
para T=0 a funo F(E) passa a ser um degrau, sendo que no existe neste caso eltrons com
energia maior que EF.
Alm da distribuio de Fermi-Dirac, a concentrao de eltrons depende tambm
das faixas de energia do cristal do semicondutor. Dentro da faixa de conduo, a densidade
dos nveis de energia N(E) varia aproximadamente conforme a funo seguinte:

N E M
E E
m
c
C
e
( ) =

2
2 3
3 2
t
(1)
Onde Mc constante de valor inteira dependente do tipo do
cristal
me massa efetiva de um eltron.
Para obter a concentrao de eltrons, temos que combinar a probabilidade de um
eltron ter uma determinada energia com a densidade de nveis de energia, isto , a
densidade de lugares disponveis para eltrons. Assim temos a concentrao de eltrons em
funo da energia:

n E F E N E ( ) ( ) ( ) =
(2)
Para obter a concentrao de eltrons em toda a banda de conduo necessrio calcular o
integral:

n F E N E E
E
C
=

}
( ) ( ) d
(3)
Quando EC-EF >> kT, o integral pode ser aproximado por

n N
E E
kT
C
F C
=

exp
(4)
onde

N
m kT
h
M
C
e
C
=
|
\

|
.
| 2
2
2
3 2
t
(5)
Da mesma maneira possvel determinar a concentrao de lacunas:

p N
E E
kT
V
V F
=

exp
(6)
Multiplicando as equaes obtemos

np N N
E
kT
C V
g
=

exp
(7)
Como Eg uma constante, percebemos que o produto das concentraes de eltrons e
lacunas livres temperatura fixa sempre uma constante.

O nvel de Fermi no semicondutor tipo n
Quando impurezas so introduzidas no semicondutor, o nvel de Fermi deve se
adaptar para preservar a neutralidade de carga. No caso representado na transparncia T3(b),
impurezas na concentrao ND so introduzidos no semicondutor. Tambm no caso do
semicondutor extrnseco, o produto np ainda dado pela equao (13). Para temperaturas
normais, quase todos os tomos doadores e aceitadores so ionizados e a equao de
neutralidade de cargas pode ser aproximada como:

n N p N
A D
+ = +
(1)
Equaes (13) e (17) podem ser combinadas para obter a concentrao de lacunas e eltrons
num semicondutor tipo n:

( ) ( ) n N N N N n N
n D A D A i D 0
2
2
1
2
4 = + +
|
\

|
.
|
~
(2)
se
N N n
D A i
>>
e
N N
D A
>>
.
Assim, o nvel de Fermi dado por

E E kT
N
N
kT
n
n
E
F C
C
D
n
i
i
= = + ln ln
0
(3)
O nvel de Fermi no semicondutor extrnseco
De forma geral, as concentraes de cargas livres, eltrons e lacunas, num
semicondutor tipo n ou tipo p, podem ser obtidas atravs do mesmo nvel de Fermi:

n n
E E
kT
i
F i
=

exp
(4)

p n
E E
kT
i
i F
=

exp
(5)
Num semicondutor tipo n, o nvel de Fermi acima do nvel intrnseco e num
semicondutor tipo p o nvel de Fermi abaixo do nvel intrnseco.

O nvel de Fermi no semicondutor intrnseco
Num semicondutor intrnseco, um eltron que recebe a energia necessria pode
passar da banda de valncia para a banda de conduo, deixando uma lacuna na banda de
valncia.
Definimos:
ni concentrao intrnseca de eltrons livres,
pi concentrao intrnseca de lacunas livres.
Como a criao de um eltron livre sempre resulta tambm na criao de uma lacuna livre,
temos no caso do semicondutor intrnseco:
ni = pi (1)
Usando equao (0) chegamos a uma relao muito importante para as concentraes de
cargas livres:
np = ni2 (6)
Usando novamente (0) consegue-se calcular ni:

n N N
E
kT
i C V
g
=

exp
(7)
A concentrao intrnseca cresce com aumento da temperatura.
O valor de ni para silcio a temperatura normal de 1,45E10/cm3. Este valor xtremamente
pequeno se comparado a concentrao de tomos no cristal de silcio: 5E22/cm3.
A energia de Fermi associado a concentrao intrnseca obtido a partir das equaes (0),
(0), e (5)

E
E E kT N
N
i
C V V
C
=
+
+
2 2
ln
(8)
Como NC e NV tm valores prximos e kT<<|EC+EV| podemos aproximar

E
E E
i
C V
~
+
2
(9)
Isto significa que a energia de Fermi de um semicondutor intrnseco situada no centro da
banda proibida.
RESUMO

Semi-condutores intrnsecos e extrnsecos
Semi-condutores so geralmente semi-metais do grupo 14/IV Si e Ge:
4 eltrons na banda de conduo.
Formam 4 ligaes no muito fortes.
Semi-condutores extrnsecos so obtidos por dopagem adio de pequenas
quantidades de impurezas.
Semi-condutividade controlada.
Extrnseco tipo-n os condutores so eltrons em excesso:
Dopa-se o semi-condutor com um elemento com 5 eltrons na banda de conduo
As ou P em Si slido.
O eltron em excesso ir ocupar o nvel de energia do dopante que est prximo ao
nvel vazio do semi-condutor.
Extrnseco tipo-p os condutores so buracos eletrnicos:
Dopagem com um elemento com apenas 3 eltrons na banda de conduo - B em Si
slido.
A banda de conduo no fica totalmente cheia.
Conduo por buracos eletrnicos.
Cargas positivas conduzem eletricidade.