TEMA 3 TEORIA DE SEMICONDUCTORES

(Gua de clases)

Asignatura: Dispositivos Electrnicos I Dpto. Tecnologa Electrnica

CONTENIDO
PARTCULAS CARGADAS tomo Electrn In Hueco

TEORA DE LAS BANDAS DE ENERGA

AISLANTES, SEMICONDUCTORES Y METALES

MOVILIDAD Modelo de cargas de un metal

DENSIDAD DE CORRIENTE

SEMICONDUCTORES INTRNSECOS Mecanismo de desplazamiento de un hueco

IMPUREZAS DONADORAS Y ACEPTADORAS Semiconductor extrnseco tipo n Semiconductor extrnseco tipo p Ley de accin de masas

DENSIDAD DE CARGA EN SEMICONDUCTORES

EFECTO HALL

MODULACIN DE LA CONDUCTIVIDAD

GENERACIN Y RECOMBINACIN DE CARGAS Tiempo de vida medio de un portador

DIFUSIN

VARIACIN DE POTENCIAL EN UN SEMICONDUCTOR

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PARTCULAS CARGADAS tomo: Menor partcula de un elemento qumico que posee sus propiedades.

Electrn: Partcula elemental del tomo cargada negativamente. Masa: m = 9,11 . 10-31 Kg. Carga: q = 1,6 . 10-19 culombios

In: Partcula cargada que se origina cuando un tomo pierde o gana electrones. Su carga es igual al nmero de electrones perdidos (in positivo) o ganados (in negativo).

Hueco: Ausencia de un electrn en un enlace covalente. Su carga asociada es la del electrn con signo +.

TEORA DE LAS BANDAS DE ENERGA Slido: Cuerpo que tiene forma y volumen constantes.

Cristal: Slido cuyas partculas estn dispuestas regular y peridicamente.

El potencial caracterstico de la estructura cristalina es una funcin peridica en el espacio. Debido al acoplamiento entre las capas ms exteriores de electrones de los tomos, la mecnica cuntica determina que sus niveles de energa estn prximos entre s y forman una banda de energa.

Banda prohibida

Banda conduccin 4N estados 2N e0 electrones subcapa p 6N estados EG

Banda valencia 4N estados 4N electrones

2N esubcapa s 2N estados

Niveles de energa del tomo no afectados d1 d2 d3

Espacio interatmico

ANOTACIONES

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AISLANTES, SEMICONDUCTORES Y METALES

Banda de conduccin Banda prohibida Banda de valencia AISLANTE

Electrones Banda de libres conduccin 1eV Huecos Banda de valencia

Banda de conduccin

EG 6eV

Banda de valencia METAL

SEMICONDUCTOR

Semiconductores prcticos: Silicio (EG = 1,21 eV a 0 K), Germanio (EG = 0,785 eV a 0 K). EG (Si) = 1,21 3,60 . 10-4 T EG (Ge) = 0,785 2,23 . 10-4 T A temperatura ambiente T = 300 K: EG (Si) = 11 eV y EG (Ge) = 072 eV

MOVILIDAD Modelo de cargas de un metal: Regin que contiene una red peridica tridimensional de iones pesados fuertemente enlazados rodeados de una nube de gas electrnico. Al aplicar un campo elctrico se cumple la 1 ley de Newton: a = F/m = q . E/m Hasta que se llega a un equilibrio con la energa perdida en las colisiones y se llega a una velocidad media constante (similar a lo que ocurre con el rozamiento): vmedia = . E => movilidad de los electrones [m2/V . s]

ANOTACIONES

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+ + +

+ + +

+ + +

+ + +

+ + +

Velocidad Velocidad media (v) tiempo

El desplazamiento debido a E se superpone al debido a la agitacin trmica.

DENSIDAD DE CORRIENTE N e- que atraviesan seccin por unidad de tiempo: N/T T: tiempo que tarda e- en recorrer L => T = L/v

N L

I = (N/T) . q = (N . q . v)/L [Amperios] J = I/A = (N . q . v)/(A . L) [Amp./m2] n = N/(A . L) => concentracin de electrones por unidad de volumen [e-/m3] = n . q => densidad de carga [culomb/m3] J=n.q.v=.v J=n.q.v=n.q..E=.E = n . q . => conductividad [1/( . m)]

Densidad trmica de potencia (efecto Joule) es la potencia disipada por unidad de volumen. La energa se cede a los iones en los choques: (V . I)/volumen = (E . L . J . A)/ volumen = E . J = . E2 [watt/m3]

ANOTACIONES

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SEMICONDUCTORES INTRNSECOS

+4 +4 +4 +4

Hueco Enlace Covalente +4 Electrones de Valencia +4

Electrn libre +4 +4 +4 +4

ESTRUCTURA CRISTALINA DEL Ge/Si

ENLACE COVALENTE ROTO

Hueco: Enlace covalente roto

A 0 K los semiconductores intrnsecos son aislantes. A temperatura ambiente existen electrones libres y huecos resultantes del aporte de energa trmica.

El mecanismo de desplazamiento de un hueco no implica electrones libres y supone un movimiento de cargas positivas.

En un semiconductor intrnseco la concentracin de electrones libres (n) es igual a la de huecos (p) e igual a su vez a la concentracin intrnseca. n = p = ni Recombinacin: Desaparicin de pares de electrn-hueco

ANOTACIONES

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IMPUREZAS DONADORAS Y ACEPTADORAS Semiconductor extrnseco: Semiconductor contaminado con tomos de otro material.

Semiconductor extrnseco tipo n: Semiconductor contaminado con impurezas donadoras (elementos qumicos pentavalentes como por ejemplo el Sb, P, As del grupo VA de la tabla peridica).

Semiconductor extrnseco tipo p: Semiconductor contaminado con impurezas aceptadoras (elementos qumicos trivalentes como por ejemplo el B, Ga, In del grupo IIIA de la tabla peridica).

Ley de accin de masas A una temperatura T de equilibrio trmico se cumple que: n . p = ni2

ni => concentracin intrnseca. Aumenta con la temperatura. Semiconductor tipo n: e- (n) -> portadores mayoritarios -> nn Huecos (p) -> portadores minoritarios -> pn Semiconductor tipo p: e- (n) -> portadores minoritarios -> np Huecos (p) -> portadores mayoritarios -> pp Las impurezas aumentan la conductividad.

DENSIDAD DE CARGA EN UN SEMICONDUCTOR

Ley de accin de masas: n . p = ni2

Ley de la neutralidad elctrica (n cargas + = n cargas -): p + ND = n + NA

Semiconductor tipo n: NA = 0 => n = ND + p ND nn ND ; como nn . pn = ni2 => pn = ni2 / ND

ANOTACIONES

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Semiconductor tipo p: ND = 0 => p = NA + n NA pp NA ; como np . pp = ni2 => np = ni2 / NA

Concentracin intrnseca ni2 = A0 . T3 . e-EG0/K.T

EG0: ancho de la banda prohibida a 0 K K: constante de Boltzman = 1,381 . 10-23 julios/K A0: constante independiente de T Conductividad de un semiconductor: = n . n . q + p . p . q

EFECTO HALL

SEMICONDUCTOR TIPO N y FH I 1 F 2 z B d EH w x _ + VH

En equilibrio: q . EH = q . v . B VH = EH . d Aplicaciones: ANOTACIONES Medida tipo de semiconductor (n o p) segn el signo de la tensin de Hall Medida de la densidad de carga = (B . I)/(w . VH) => VH = d . v . B; VH : Tensin de Hall

Medida de la movilidad y conductividad Medida de campo magntico B = . w . (VH/I) Multiplicador de efecto Hall VH = (1/ . w) . B . I

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MODULACIN DE LA CONDUCTIVIDAD La conductividad puede elevarse incrementando n o p por medio de: a) Elevacin de temperatura b) Dopaje c) Iluminacin. Fotoconductores o fotorresistores o LDR (Light Dependent Resistors) c = 1,24/EG [m]

GENERACIN Y RECOMBINACIN DE CARGAS Tiempo de vida medio de un portador: (p o n) Es el tiempo de existencia de un hueco (electrn) antes de recombinarse.

Supongamos barra de Silicio tipo n con una concentracin en equilibrio n0 y p0, que en t se ilumina alcanzndose las concentraciones p y n. Lgicamente p p0 = n n0 En un tiempo t=0 se suprime la iluminacin.

p(t) p p = p0 + p(0) p0 t' 0 t

t p

p = p0 + p'(0) e

Silicio tipo n => p/p0 >> n/n0 => La generacin de portadores (en este caso por iluminacin) afecta principalmente a los portadores minoritarios. Por tanto vamos a realizar el estudio de los portadores minoritarios, en este caso de los huecos. p/p : decrecimiento del n de huecos por unidad de tiempo g : Incremento de huecos (por generacin trmica) por unidad de tiempo dp/dt = g p/p En equilibrio => dp/dt = 0 y p = p0 => g = p0/p

dp/dt = (p0 p)/p = - p/p Como p = p p0 => dp/dt = dp/dt => dp/dt = - p/p ANOTACIONES

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p(t) = p(0) . e-t/p => p p0 = p(0) . e-t/p => p = p0 + p(0) . e-t/p

Una vez creados los portadores ha de transcurrir un cierto tiempo hasta que se recombinen.

DIFUSIN Adems de producirse una I (corriente de conduccin) en un semiconductor al aplicar un campo elctrico E, se puede tener otra corriente I de difusin de portadores entre dos zonas de diferente concentracin.

Jp = - q . Dp . dp/dx : Densidad de corriente de difusin de huecos Jn = q . Dn . dn/dx : Densidad de corriente de difusin de electrones Dp y Dn : Constante de difusin Relacin de Einstein: Dp/p = Dn/n = VT = T(K)/11600 ( 26 mV a 300 K) VT : Potencial equivalente de temperatura Corriente total: Jp = q . p . p . E q . Dp . dp/dx Jn = q . n . n . E + q . Dn . dn/dx

VARIACIN DE POTENCIAL EN UN SEMICONDUCTOR Supongamos una barra impurificada no uniformemente

BARRA IMPURIFICADA NO UNIFORMEMENTE V1 JD x1 p1 JE x2 p2 V2

ANOTACIONES

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Si est en circuito abierto: I = 0 => Jp = q . p . p . E q . Dp . dp/dx = 0 E = (Dp/p . p) . dp/dx = (VT/p) . dp/dx Adems tenemos que E = - dV/dx => dV = - E . dx Por lo tanto dV = - VT . dp/p V21 = - VT . I dp/p = VT . ln (p1/p2) => p1 = p2 . eV21/Vt

Anlogamente se tiene: Jn = q . n . n . E + q . Dn . dn/dx = 0 => n1 = n2 . e-V21/Vt

Lo anterior implica que: p1 . n1 = p2 . n2 => p . n es independiente de x n . p = ni2 Demostracin de la ley de accin de masas.

Supongamos una unin abrupta en circuito abierto:

UNIN ABRUPTA EN CIRCUITO ABIERTO P NA x1 V0 ND x2 N

V0 = V12 = VT . ln (pp/pn) pp NA y pn ni2/ND V0 = VT . ln (NA . ND/ni2) : Diferencia de potencial de contacto

ANOTACIONES