Manual Electronica U2

ELECTRNICA/ELECTRONIC
Ing. E. Sergio Vzquez Castao
2. DISPOSITIVOS EN ESTADO SLIDO.

2.1 Materiales semiconductores.
La denominacin semiconductor advierte en s misma sus caractersticas. El prefijo semi es aplicado normalmente a un rango de nivel entre dos lmites. El trmino conductor se aplica a cualquier material que permite un flujo generoso de carga cuando una fuente de voltaje de magnitud limitada se aplica a travs de sus terminales. Un aislante o dielctrico es un material que presenta un nivel muy inferior de conductividad cuando se encuentra bajo la presin de una fuente de voltaje aplicada. Un semiconductor, por lo tanto, es un material que posee un nivel de conductividad que se localiza entre los extremos de un dielctrico y de un conductor.
Estas sustancias se denominan semiconductores porque su resistencia especfica est entre la de los conductores elctricos (metales) y no-conductores. La conductividad se puede alterar notablemente mediante la adicin de sustancia extraas o por otras influencias, por ejemplo, por la incidencia de la luz, por campos elctricos o magnetismo.
Los materiales semiconductores utilizados en la tcnica son casi exclusivamente elementos (silicio o germanio) o combinaciones qumicas, por ejemplo, arseniuro de galio o antimoniuro de indio, que cristalizan en una red como el diamante. Aqu cada tomo est rodeado por cuatro tomos directamente adyacentes.
Los materiales semiconductores (tabla) han de ser extraordinariamente puros. Utilizando procedimientos especiales tales como la formacin de cristales por crecimiento de monocristales y la fusin por zonas se logran en la preparacin unos grados de pureza en los que hay un solo tomo extrao por cada diez 1010 tomos.
El silicio es hoy da el elemento ms importante utilizado en la tcnica de los semiconductores. Ms del 90% de todos los componentes semiconductores estn fabricados a partir de silicio. Hay tres motivos por los que se prefiere este material: Los componentes de silicio soportan temperaturas ms elevadas (150C) que, por ejemplo, los semiconductores de germanio (75C). La depuracin y el cultivo de los cristales de silicio se dominan muy bien, por intervenir un solo elemento. A temperaturas elevadas, el silicio se recubre de una capa de xido (SiO2) muy resistente, que es un aislante excelente.
Otros materiales semiconductores se emplean nicamente en aquellos casos en que las propiedades del silicio resultan ms desfavorables. Por ejemplo, el germanio tiene un comportamiento ms ventajoso a frecuencias elevadas, y el arseniuro de galio empleado como semiconductor de unin posee mayor movilidad de los portadores de cargas. Estructura atmica. El ncleo de un tomo de silicio contiene 14 protones y 14 neutrones. Est rodeado de una envoltura de electrones que en la capa ms interior lleva 2 electrones, en la intermedia lleva 8 electrones y en la capa exterior lleva 4 electrones. Solo los 4 electrones exteriores pueden intervenir en un enlace qumico. Por eso se denominan electrones de valencia.
Cuando se unen entre s tomos iguales, se produce un enlace atmico. Los dos tomos estn entonces tan prximos que sus envolturas se penetran mutuamente. Entonces sendos electrones exteriores son atrados por el ncleo propio y por el ncleo del tomo adyacente. Cada dos electrones pertenecen, por lo tanto, simultneamente a ambos tomos. Se habla de una pareja de electrones comn. Con este enlace, los cuatro electrones exteriores de un tomo de silicio pueden unir as otros cuatro tomos de Si.
2.2 Semiconductores intrnsecos y disponibles tipo P y tipo N.

Un cristal intrnseco es aqul que se encuentra puro (aunque no existe prcticamente un cristal 100% puro); es decir, no contiene impurezas. Conductividad intrnseca A temperaturas muy bajas apenas hay portadores de carga libres en el cristal de silicio. La temperatura ambiente da lugar a que los tomos de la red cristalina oscilen desordenadamente alrededor de su posicin de reposo (movimiento trmico). Debido a esto, se rompen algunos de los enlaces atmicos. Distintos electrones exteriores se separan de sus tomos y se mueven libremente en el interior del cristal (electrones de conduccin). Aplicando al cristal semiconductor una tensin y, por tanto, un campo elctrico, se impulsan los electrones del polo negativo al positivo.
En cuanto un electrn de valencia se separa de su enlace atmico, deja all una laguna, un hueco que se denomina tambin electrn hueco. Los huecos tambin contribuyen a la conduccin de corriente. Un electrn de valencia de un enlace adyacente puede rellenar ese hueco en cuanto se aplique una tensin al cristal semiconductor. En el lugar donde se encontraba antes, se vuelve a formar un hueco. Este proceso se repite constantemente. El hueco migra a travs de todo el cristal.
Un cristal extrnseco es aqul que ha sido impurificado con tomos de otra sustancia. Al proceso de impurificacin se le llama tambin dopado, y se utiliza para obtener electrones libres que sean capaces de transportar la energa elctrica a otros puntos del cristal. Conduccin por imperfecciones (dopado de semiconductores) Si a la masa fundida de un material semiconductor puro se le aade una cantidad muy pequea de sustancia ajena, aumenta enormemente la conductividad elctrica del cristal semiconductor. Si, por ejemplo, se aade a unos 100 000 tomos de silicio un nico tomo ajeno de boro, entonces la conductividad aumenta 1000 veces. Los tomos ajenos, tambin por ejemplo los tomos de aluminio o de fosforo, perturban la estructura cristalina (imperfecciones). El hecho de aadir tomos ajenos a un material semiconductor puro se llama doparlo.
Si se dopa el cristal de silicio con estas imperfecciones artificiales, los tomos de fsforo con sus 5 electrones exteriores crean un exceso de electrones de conduccin, y los tomos de aluminio, con 3 electrones exteriores cada uno, crean huecos adicionales.
Conductores N (semiconductores por excedente). Un tomo de fsforo (o un tomo de arsnico) tiene 5 electrones exteriores. Si se instala en el cristal de silicio, entonces slo cuatro de sus electrones de valencia interviene en los enlaces covalentes. El 5to electrn exterior tiene un enlace imperfecto con su tomo primitivo. Basta con un ligero aumento de temperatura para que se convierta en un electrn de conduccin que se desplaza libremente por el interior del cristal. El cristal de silicio dopado con fsforo se convierte en un conductor N con electrones libres.
Pero si los electrones de conduccin se alejan de los tomos de fsforo, dejan atrs iones positivos, porque estos electrones les faltan a los tomos de fosforo. Los iones estn firmemente incorporados en la red cristalina. En su conjunto, el conductor N se mantiene elctricamente neutro.
La conductividad del semiconductor dopado solamente va aumentando con la temperatura hasta que todos los tomos ajenos se hayan desprendido de su electrn sobrante. Por eso, un semiconductor dopado depende mucho menos de la temperatura que uno que no est dopado. Cuando pasa la corriente a travs del semiconductor con imperfecciones, los electrones de conduccin se desplazan del polo negativo al positivo
Conductor P (semiconductor por huecos). La red cristalina de, por ejemplo, un semiconductor de silicio recibe tambin tomos ajenos con tres electrones de valencia, por ejemplo, oro, aluminio o indio. Si el dopaje se realiza, por ejemplo, con aluminio, entonces al incorporar los tomos ajenos falta un electrn por cada tomo de aluminio para realizar el enlace qumico (enlace atmico). En cuanto haya un ligero movimiento trmico de los tomos, el electrn que falta salta desde un enlace atmico adyacente. Este electrn deja all un hueco. Mediante la instalacin de tomos ajenos trivalentes, se forman por lo tanto huecos en el cristal de Si. El cristal se convierte en un conductor P, pero los tomos de aluminio forman iones de aluminio negativos que se mantienen firmemente ligados a su lugar.
La conductividad del conductor P nicamente aumenta con la temperatura hasta que todos los tomos ajenos hayan recibido sendos electrones de sus tomos adyacentes.
Los diferentes portadores de carga del cristal semiconductor, los electrones de conduccin y los huecos, se desplazan con diferente dificultad al aplicar una tensin. En el cristal de silicio, la movilidad de los electrones es de 0.15 m2/(Vs), y la de los huecos, de 0.06 m2/(Vs); para el germanio estos valores son: 0.38 m2/(Vs) para los electrones y 0.18 m2/(Vs) para los electrones huecos.
2.3 Diodos de unin.

La unin PN es la base del diodo.
El diodo es un elemento semiconductor que slo permite la circulacin de corriente en un solo sentido.
Su aplicacin es especialmente interesante en aquellos dispositivos en que sea necesaria esta cualidad, como, por ejemplo, en los rectificadores, que son capaces de convertir la C.A. en C.C. Cuando nosotros polarizamos directamente un diodo, ste no comienza a conducir de una forma apreciable hasta que le apliquemos la mnima diferencia potencial de barrera, conocida por el nombre de tensin umbral. En el caso del germanio esta tensin es de 0.3 V y en el silicio 0.7 V. Por debajo de esta tensin la corriente es muy pequea y por encima aumenta considerablemente.
Un diodo ideal acta como un interruptor que se cierra al tener polarizacin directa y se abre con polarizacin inversa.
2.4 Polarizacin.
El ctodo de un diodo semiconductor suele estar marcado por medio de un anillo. All es donde hay que conectar el polo negativo para el sentido de paso.
Segn el material del semiconductor se diferencian los valores caractersticos de los diodos (tabla).
En sentido de paso (directo, Foward (inlgs) = hacia adelante ) fluye una corriente de paso YP (curva caracterstica, figura 2) que al aumentar la tensin de paso (UF), aumenta rpidamente por encima de la tensin de exclusa UTO (valor umbral). En sentido de corte (inverso, Reverse (ingls) = en sentido opuesto), pasa a travs del diodo semiconductor una corriente de corte UR apenas medible, incluso al aumentar la tensin de corte IR. Por encima de la tensin de corte mxima admisible, la corriente de corte aumenta de tal manera que se puede destruir el diodo.
2.5 Comportamiento del diodo de unin real.

Transicin PN Todo diodo semiconductor lleva una transicin PN que causa su efecto de vlvula. Tambin la transicin entre metal y semiconductor tiene el mismo efecto porque el metal y semiconductor tiene el mismo efecto porque el metal contiene exceso de electrones libres. Si no se aplica ninguna tensin, entonces el lmite entre el conductor N y el conductor P penetran, debido al movimiento trmico, electrones procedentes del conductor N que pasa al conductor P y que all se recombinan con los huecos. A la inversa, los huecos del conductor P se difunden en el conductor N y se combinan all con los electrones libres. A ambos lados del lmite el cristal semiconductor queda empobrecido de portadores de carga libres: la capa lmite acta como un aislador y forma una capa de barrera.
Pero si en la capa lmite faltan electrones de conduccin y huecos, entonces ejercen su influencia las cargas de iones fijos: la zona N tiene carga positiva y la zona lmite P tiene carga negativa. Esta zona de carga especial impiden que contine la difusin: el lmite P negativo retiene los huecos, y la capa lmite positiva N retiene los electrones. Las cargas situadas en la capa lmite, que tiene aproximadamente una micra mtrica de espesor, provocan una tensin de difusin en la transicin PN, cuya magnitud coincide con la tensin de exclusa.
La transicin PN acta como un condensador. La capa de barrea tiene una capacidad (capacidad de la capa de barrera). Los conductores P y N llevan contactos metlicos en los extremos.
El diodo trabaja en sentido de corte si el polo positivo de una fuente de tensin exterior est unido al conductor N (ctodo), y el polo negativo al conductor P (nodo). La tensin de corte UR tiene entonces el mismo sentido que la tensin de difusin, y ensancha la capa de corte.
En el sentido de paso, el polo positivo de la fuente de tensin exterior est conectada al conductor P (nodo), y el polo negativo al conductor N (ctodo). La tensin de paso UF est orientada en sentido opuesto a la tensin de difusin, y anula la capa de corte: el diodo es atravesado por una corriente de paso IF.
2.6 Punto zener.

Diodos limitadores (diodos Z)
El diodo Zener se comporta como un diodo normal al estar polarizado directamente, comenzando a conducir, aproximadamente, a una tensin de 0.7 V. Hay que indicar que este tipo de funcionamiento en los diodos Zener no es habitual, ya que estn diseados para trabajar en polarizacin inversa. Los diodos Zener se fabrican a base de silicio y en una gama de tensiones Zener escalonadas desde 2 hasta 200 V.
2.7 Rectificacin
Diodos rectificadores
Los diodos de potencia pueden rectificar y conmutar grandes potencias de corriente alterna. Para poder disipar mejor el valor, el semiconductor de silicio est instalado en un encapsulado metlico, que puede roscar directamente sobre una chapa o sobre un elemento radiador. Los diodos de Si soportan en la capa de barrera unas temperaturas de hasta 150C. Se construyen para tensiones de corte nominales de 4000 V y para corrientes de paso hasta 1000 A.
Los diodos de punta tienen capacidad muy pequea ( 1 pF). Se componen de una plaquita de germanio conductora N sobre la cual apoya elsticamente una punta metlica. Un impulso de corriente suelda las puntas de cristal de Ge (formateado). En las proximidades de la punta metlica se forma una transicin PN casi puntual, con una capacidad de capa de corte sumamente reducida. El diodo de punta permite slo unas corrientes de paso muy reducidas (IF 100 mA). Se emplean para rectificar corrientes de alta frecuencia y como diodos de conmutacin rpida.
2.8 Filtrado
La corriente de salida de un rectificador no se corresponde a una corriente continua ideal, por ejemplo la que proporcionan las pilas y acumuladores. Normalmente esta corriente es de tipo pulsatorio, lo cual implica que existen variaciones de amplitud en la misma. Este tipo de corriente no es muy recomendable en la mayora de las aplicaciones, sobre todo para la alimentacin de equipos electrnicos. As, por ejemplo, si alimentsemos un amplificador de sonido, o un receptor de radio, con un circuito rectificador sin filtrado podramos comprobar cmo aparece un zumbido de baja frecuencia en la salida del altavoz. En la siguiente figura se muestra el aspecto de una C.C. pura, tal como la proporciona una pila.
En contraste, en la siguiente figura aparece una C. C. pulsatoria procedente de un rectificador de onda completa.
La misin de los circuitos de filtrado es la de reducir las variaciones de amplitud de la corriente y conseguir que la corriente sea lo ms constante posible en la carga a alimentar. Cuando se
consigue esto se dice que se ha reducido la componente de corriente alterna de la corriente de salida del rectificador, que se ha reducido el rizado. Los circuitos de filtrado se pueden realizar con: a) Un condensador, b) Redes formadas por inductancias y condensadores.
2.9 Rectificadores de media onda

En la conexin de media onda, un rectificador est conectado en serie con el consumo. Slo se aprovecha una semionda de la tensin alterna. La segunda semionda es bloqueada por el rectificador.
La corriente que circula en el lado de corriente continua est formada por impulsos individuales. Dicha corriente presenta una ondulacin elevada; por tanto, la conexin de media onda slo se emplea cuando la ondulacin de la corriente rectificadora no tiene importancia y cuando las corrientes en cuestin son pequeas. Otro inconveniente de la conexin de media onda es que el ncleo del transformador de alimentacin resulta premagnetizada por la corriente continua del devanado de salida. En consecuencia, la corriente del devanado de entrada puede provocar la saturacin del ncleo en un sentido; por ello, el ncleo del transformador de alimentacin debe ser ms grande de lo normal. En el caso de carga resistiva, la tensin de conexin (tensin en el lado de salida del transformador) puede ser igual a la tensin nominal de bloqueo. En el caso de carga con contratensin, el rectificador debe ser capaz de bloquear adems dicha contratensin. En conexin de media onda sometida a carga con tensin opuesta, la tensin nominal de bloqueo debe ser el doble de la tensin aplicada.
2.10 Rectificadores de onda completa

Conexin de punto medio En la conexin de punto medio se aprovechan las dos semiondas de la corriente alterna. Para ello son necesarias dos series de placas. La ondulacin de la corriente rectificada en menor que en la conexin de media onda. El lado de salida del transformador debe estar provisto de una toma en el centro de su devanado. Por medio de la conexin de punto medio se evita la premagnetizacin del transformador. El aprovechamiento del transformador es por tanto mejor que en el caso anterior; en consecuencia, dicho transformador puede ser ms pequeo.
La conexin en puente monofsico (Rectificador en puente). Consta de cuatro ramales. En cada instante, la corriente circula simultneamente por dos de dichos ramales. En el caso de carga resistiva, la tensin continua es del orden del 80% y en el de carga capacitiva del 110% del valor efectivo de la tensin de conexin. La ondulacin de la corriente rectificada es igual que en le conexin de punto medio. Para tensiones alternas monofsicas, la conexin en puente es la conexin rectificadora ms econmica y permite el mximo aprovechamiento del transformador.

Manual Electronica U2

Caricato da

Informazioni sul documento

Titolo originale

Copyright

Formati disponibili

Condividi questo documento

Condividi o incorpora il documento

Opzioni di condivisione

Hai trovato utile questo documento?

Questo contenuto è inappropriato?

Copyright:

Formati disponibili

Manual Electronica U2

Caricato da

Copyright:

Formati disponibili

ELECTRNICA/ELECTRONIC

Ing. E. Sergio Vzquez Castao

2. DISPOSITIVOS EN ESTADO SLIDO.

2.2 Semiconductores intrnsecos y disponibles tipo P y tipo N.

2.3 Diodos de unin.

2.5 Comportamiento del diodo de unin real.

2.6 Punto zener.

2.9 Rectificadores de media onda

2.10 Rectificadores de onda completa

Potrebbero piacerti anche