1 UNIVERSIDADE ESTADUAL DE PONTA GROSSA SETOR DE CINCIAS AGRRIAS E TECNOLOGIA DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA DE MATERIAIS

LUCAS OTAVIO TRAMONTIN WILLIAM DELINSKI

RELATRIO DE ELETROELETRNICA TRANSISTORES

PONTA GROSSA 2011

2 UNIVERSIDADE ESTADUAL DE PONTA GROSSA SETOR DE CINCIAS AGRRIAS E TECNOLOGIA DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA DE MATERIAIS

LUCAS OTAVIO TRAMONTIN WILLIAM DELINSKI

RELATRIO DE ELETROELETRNICA TRANSISTORES

Relatrio apresentado na disciplina de Ensaios e Caracterizao de Materiais, ministrada pelo professor Lucas Mximo Alves, realizado pelos alunos do 3 ano do Curso de Engenharia de Materiais.
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PONTA GROSSA 2011

3 SUMRIO 1. 2. 3. 4. 5. 6. OBJETIVOS _________________________________________________4 FUNDAMENTOS TERICOS____________________________________5 MATERIAIS E MTODOS ______________________________________8 RESULTADOS E DISCUSSES _________________________________9 CONCLUSES______________________________________________18 REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS______________________________19

4 1. OBJETIVOS A prtica teve como por objetivo, a compreenso e anlise da montagem de um circuito contendo transistores caracterizando a curva caracterstica deste componente em determinado circuito eltrico 2. REVISO BIBLIOGRFICA TRANSISTORES Cada transistor funciona como uma espcie de interruptor, que pode estar ligado ou desligado, como uma torneira que pode estar aberta ou fechada, ou mesmo como uma vlvula.A mudana de estado de um transistor feito atravs de uma corrente eltrica. Esta mudana de estado por sua vez pode comandar a mudana de estado de vrios outros transistores ligados ao primeiro, permitindo processador dados. Num transistor esta mudana de estado pode ser feita bilhes de vezes por segundo, porm, a cada mudana de estado gerada uma certa quantidade de calor e consumida uma certa quantidade de eletricidade. Transistor um componente constitudo de uma pastilha monocristalina de material semicondutor com regies dopadas com impurezas do tipo N e do Tipo P. Os transistores dependendo do fim a que se destina, pode funcionar como: a) Amplificador de corrente; b) Amplificador de sinal; c) Chave eletrnica.. Tradicionalmente os transistores se dividem em dois grupos 1. Bipolares; 2. Unipolares ou de efeito de campo. Os bipolares so aqueles formados por trs regies semicondutoras de polaridades alternadas existindo entre elas duas junes.As regies recebem os nomes de emissor (E),Base (B),e coletor (C). Podemos obter a estrutura de duas formas diferentes, o que leva a dividir os transistores bipolares, quanto a sua estrutura em dois tipos.

5 Tipo NPN e o tipo PNP, como esquematizado na figura 1, a seguir:

Figura 1 - estruturas e smbolos de transistores Base , coletor e emissor. Base - a parte que controla a passagem da corrente;quando a base est energizada, h passagem de corrente do emissor para o coletor, quando no h sinal no existe essa conduo. A base esquematicamente o centro do transistor. Coletor - uma das extremidades do transistor; nele que entra a

corrente a ser controlada. A relao existente entre o coletor e a base um parmetro ou propriedade do transistor conhecido como (beta) e diferente em cada modelo de transistor. Emissor - a outra extremidade; por onde sai a corrente que foi controlada.

Consideraes gerais Para efeito de um estudo inicial vamos tomar como exemplo uma estrutura NPN, ou seja, um transistor NPN..Cada uma das junes do transistor se comporta como um diodo, mas quando aplicamos tenses no dispositivo de determinada maneira e as duas junes podem entrar em ao ao mesmo tempo, o comportamento da estrutura passa a ser mais complexo do que simplesmente

6 dois diodos ligados juntos.Para que tenhamos a ao diferenciada destas junes, vamos partir da situao em que o transistor seja alimentado com fontes externas de determinadas polaridades e caractersticas. Em suma, para que o transistor funcione, precisamos polariza-lo convenientemente. Polarizao de transistores. Inicialmente vamos fazer uma polarizao que nos permite apenas estudar o seu funcionamento. Na prtica existem outras maneiras de polarizar os

transistores.Tomando o nosso transistor NPN como exemplo, para polariza-lo ligamos uma bateria de tenso maior ( B2) entre o coletor e o emissor e uma bateria de tenso menor( B1) atravs de um potencimetro na base do transistor. Veja a figura, na seqncia:

Figura 2 - Esquema de uma polazirao com transistor NPN. Se uma corrente de base de 0,1mA provoca uma corrente no coletor de 10mA, dizemos que o ganho de corrente ou Fator de amplificao do transistor 100vezes, ou seja a corrente de coletor 100 vezes maior que a corrente de base.A proporcionalidade entre a corrente de base e a corrente de coletor

entretanto no se mantm em toda a faixa possvel de valores.

3. MATERIAIS E MTODOS
Os materiais utilizados para realizao desta prtica no simulador Multisim 7 foram: Resistor de 10 k Resistor de 470 Multmetros Transistor 2N5210 Baterias permitindo ajuste de voltagem

O circuito foi ento montado como esquematizado na Figura 5, onde temos representados por R1 e R2 os resistores, Q1 ao transistor, V1 e V2 correspondem s baterias, e XMM os multmetros.

Fig. 5 - Circuito montado no software Multisim.7 para realizao do experimento

Com o circuito montado como mostrado na figura 3 acima, foi ento ajustado o multmetro XMM1 para indicar a corrente sobre de base do transistor VBE, e nos multmetros XMM2 e XMM3 indicando a tenso coletor-emissor VCE e a corrente sobre o coletor, respectivamente, sendo que os valores de tenso de V2 de 20 volts foram variados para para 30 volts com intervalos de 2 em 2, anotando-se os valores obtidos nos multimetros. A partir das anlises dos multimetros variando a tenso de V2 em intervalos citados acima pudemos obter a tenso do transistor sobre o emissor VCE, intensidade

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de corrente sobre coletor Ic. Com os dados anotados foi feita a montagem de uma tabela com os valores obtidos para cada variao de tenso em V2, variando V1 em 3, 6 e 9V, para posterior obteno do grfico de Ic como ordenada e VCE como abscissa. Aps concluida essa primeira etapa, fez-se outro circuito que est esquematizado na figura 4 abaixo:

Figura 4 - Circuito montado no simulador Multisim

Este circuito consiste basicamente no circuito apresentado anteriormente, s foi adicionado outro multmetro XMM4 para medir a tenso base-emissor. Sendo que neste procedimento foi feita a variao da tenso V1 de 1 a 10 V e variando V2 em 10 e 15 V. Sendo que a cada variao foram anotados os valores observados pela mudana da voltagem como no caso anterior para obteno de um grfico de VBE x Ib.

4. RESULTADOS E DISCUSSES Curva VCE x Ic A partir da montagem do circuito que foi descrito no procedimento experimental pudemos obter os valores da tenso do transistor sobre o emissor VCE,a intensidade de corrente sobre coletor Ic e pode ser ento calculada a potncia do circuito. Vale lembra foram medidas a corrente da base e do coletor, e as tenses coletor-emissor, variando V2 de 20 a 30 V para V1 igual a 3, 6 e 9 V.

9 Os dados obtidos atravs do procedimento, assim como a potncia do circuito esto indicadas na Tabela I abaixo:

Tabela I - Resultados obtidos para obteno da curva VCE x Ic.

A potncia pode ser calculada atravs de: P = VCE x Ic, Essa potncia faz aumentar a temperatura da unio do coletor, assim

quanto maior for a potncia, maior ser o valor da temperatura na juno. muito importante o conhecimento desta potncia pois ela relacionada com a potencia mxima suportada pela juno do transistor, tendo de ser bem controlada. Posteriormente, calculou-se o fator de ganho mdio para cada um dos trs casos que foram feitos, onde foram encontrados:
Para V1 = 3V, obteve-se = 518 Para V1 = 6V, encontrou-se = 446

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Para V1 = 9V, obteve-se = 380

As curvas podem ser vistas na figura 5 abaixo, que apresenta o grfico de VCE x Ic:

5. CONCLUSES

6. REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS

[1] http://www.demar.eel.usp.br/eletronica/aulas/Transistor.pdf [2] http://pt.scribd.com/doc/7155293/Eletronica-Transistores