EL TRANSISTOR DE UNION BIPOLAR (TBJ)

Es el dispositivo individual de estado slido de uso ms extendido, se utiliza en circuitos discretos y en circuitos integrados, tanto analgicos como digitales en la siguiente figura se muestra un esquema irreal de un TBJ ya que los transistores reales no son as.

como se muestra en la figura anterior el TBJ consta de tres regiones semiconductoras: la regin de emisor (tipo N), la regin de la base (tipo P) y la regin del colector (Tipo N), este elemento es conocido entonces como transistor NPN, y PNP a un transistor como el de la siguiente figura.

cada una de las tres regiones semiconductoras de un transistor tiene una Terminal que la conecta al mundo exterior. Las terminales se marcan emisor (E), base (B) y colector (C).

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El transistor consta de dos uniones o junturas pn, la unin o juntura emisor base (EBJ) y la juntura colector base (CBJ). Dependiendo de la condicin de polarizacin (directa o inversa) de cada una de las uniones, se obtienen diferentes modos de operacin del BJT como se muestra en la siguiente tabla.

Modo Corte Activo Saturacin

Unin EB Inverso Directo Directo

Unin CB Inverso Inverso Directo

El modo activo es el que se utiliza si el transistor va a operar como amplificador. Las operaciones de conmutacin (por ejemplo, circuitos lgicos utilizan tanto el modo de corte como el de saturacin). Operacin del transistor npn en el modo activo. Considerando la operacin fsica del transistor en el modo activo. De acuerdo a la siguiente figura. Dos fuentes externas fijan la polarizacin del transistor.

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El voltaje VBE ocasione que la base p sea ms alta en potencial que el emisor n, polarizando as en forma directa o en sentido de avance la unin o juntura de emisor base. El voltaje VCB de colector base ocasione que el colector n sea ms alto en potencial que la base tipo p, polarizando as en forma inversa la unin de colector base. Flujo de corriente. En la descripcin siguiente de flujo de corriente se consideran solo las componentes de la corriente de difusin. Las corrientes de arrastre o de deriva debidas a los portadores minoritarios generados en forma trmica son usualmente muy pequeas y pueden ser despreciadas. La polarizacin directa en la unin emisor base ocasionar que la corriente fluya a travs de esta unin. La corriente constar de dos componentes: electrones inyectados del emisor hacia la base, y huecos inyectados de la base hacia el emisor. Es altamente deseable tener a la primera componente 8electrones del emisor hacia la base) a un nivel mucho ms alto que la segunda componente (huecos de la base hacia el emisor). Esto puede realizarse fabricando el dispositivo con un emisor densamente impurificado y una base ligeramente impurificada; esto es, se disea el dispositivo para tener una alta densidad de electrones en el emisor y una baja densidad de huecos e la base. La corriente que fluye a travs de la unin emisor base constituir la corriente de emisor iE, como se indica en la figura anterior. La direccin de iE es hacia afuera de la conexin de emisor, que va en direccin de la corriente de huecos y opuesta a la direccin de la corriente de electrones, con la corriente del emisor iE igual a la suma de estas dos componentes. Sin embargo, ya que la componente de electrones es mucho ms grande que la componente de huecos, la corriente de emisor ser dominada por la componente de electrones. Considerndose ahora electrones inyectados del emisor hacia la base. Estos electrones sern portadores de minora en la regin de la base p. Debido a que la base por lo general es muy delgada, en el rgimen permanente la concentracin de portadores (electrones) de minora en exceso en la base tendr un perfil de lnea casi recta. La concentracin ser ms alta en el extremo emisor y ms baja (cero) en el extremo colector. La razn para la concentracin cero en el extremo colector de la base es que el voltaje positivo de colector VCB ocasiona que los electrones en ese extremo sean barridos a travs de la regin de agotamiento o de deteccin de la CBJ.

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