UNIVERSIDAD DE ALCAL

Diseo Analgico Avanzado

MODELADO Y SIMULACIN DE UN OTA CON OrCad-PSpice 9

I.T.T.esp: SISTEMAS ELECTRNICOS

Javier Muoz Rodrguez.

Diseo Analgico Avanzado

Modelado y simulacin de un OTA con PSpice

INTRODUCCIN
En la presente memoria se realiza un estudio del amplificador de transconductancia conocido como OTA, cuyo circuito equivalente simplificado es el siguiente:

Ri

vd

io=GMvd

Siendo GM la ganancia de transconductancia, programable mediante una corriente de polarizacin, que caracteriza este dispositivo. En el transcurso de este texto se realiza un estudio de la estructura interna del OTA con el fin de justificar y obtener un macromodelo til para usar en Pspice. Con el macromodelo obtenido se experimenta su funcionamiento en Pspice y se extraen las caractersticas ms importantes que definen a estos dispositivos. Posteriormente se introduce el OTA en circuitos de aplicacin con el fin de comprobar su correcto funcionamiento y entender para que aplicaciones est pensado este. Las caractersticas del macromodelo definido se comparan con las de un OTA real, con la finalidad de comprobar si el componente terico es til para la simulacin. Los parmetros reales se obtienen de las hojas caractersticas de un fabricante en concreto, Intersil, siendo el dispositivo CA3080 el objeto de comparacin. La herramienta software que se utiliza para realizar el estudio del OTA es el OrCad-PSpice 9, cuyo funcionamiento fue descrito en el laboratorio de diseo analgico avanzado. Junto a esta memoria se incluyen los discos con los ficheros correspondientes al presente documento, y a los proyectos y libreras del utilizados en OrCad.

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ESTRUCTURA INTERNA DE UN OTA

En el siguiente circuito se muestra la estructura interna de un OTA bsico. VDD

iC1

iC2

iC2

iO vA vB IX Q3 IX iC1

Q1

Q2

VSS

Los diodos representan transistores con su unin base-colector cortocircuitada. Los subcircuitos encerrados en recuadros rojos son fuentes de corriente Wilson y el recuadro azul contiene un espejo de corriente tpico. Para realizar el anlisis del circuito suponemos elevada (corrientes de base despreciables) y polarizacin en zona activa. En modo diferencial la resistencia de entrada tiene un valor tal que: Ri = 2 r = 2 4 VT = gm IX

Donde se puede apreciar que la resistencia de entrada depende de la corriente de polarizacin IX.

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La ganancia en modo diferencial se obtiene de la siguiente manera: vd v io = i c1 ic 2 = g m d g m = g m vd 2 2 Donde vd = va-vb. La ganancia de transconductancia la obtenemos dividiendo la salida por la entrada como se indica a continuacin: GM = io I = gm = X vd 2VT

De esta expresin se puede deducir como la ganancia de transconductancia del OTA, es directamente proporcional a la corriente de polarizacin IX. La ganancia en modo comn es cero, ya que para vd=0 y vc0 las corrientes de colector de los transistores Q1 y Q2 son iguales (ic1=ic2), por lo tanto io=0. Un valor distinto de cero es un efecto secundario originado principalmente a que los transistores del diferencial no son exactamente iguales. El lmite superior de la seal de entrada en modo comn esta definido por la saturacin de los transistores Q1 y Q2. Por lo tanto, el valor mximo positivo de la seal de entrada comn viene dada por la expresin: VI , max = VDD + V BE , npn 2V BE , pnp V SAT En el lmite inferior el transistor que satura es Q3, siendo el valor mnimo de la tensin comn el dado por la siguiente relacin: VI , min = VSAT ,Q 3 + V BE , npn VSS Con unos valores tpicos de VBE,,npn= VBE,,pnp=0.7V, VDD=15V, VSS=-15V y VSAT=0.2V; se obtienen los siguientes mrgenes de la tensin de entrada en modo comn: -14.1V < VI < 14.1V El margen en pequea seal de la tensin de entrada viene dado por la mxima distorsin permitida. En la siguiente expresin se expresa la relacin de entrada-salida para un OTA en pequea seal: v iO = I X tanh D 2 V T

Siendo vD la tensin diferencial, esta debe ser lo suficientemente pequea como para que la tangente hiperblica se pueda aproximar por el primer trmino de su desarrollo en serie. Esta aproximacin se puede dar para seales vD 40mV, aunque este margen aumenta cuando se trabaja con realimentacin negativa.

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Cuando se trabaja con seales diferenciales en gran seal, la corriente de salida se limita cuando algn transistor del diferencial se corta. Cuando ocurre esto, la corriente de salida ser de IX en funcin del transistor que se corte. Esto es as, debido a que la corriente de polarizacin que alimenta el diferencial es IX, por lo tanto, a la salida no puede haber una corriente mayor a esta, ya que las fuentes de corriente Wilson tienen una ganancia de corriente aproximadamente 1. Con el circuito ya caracterizado se procede a definir un macromodelo en PSpice del mismo. Esto conlleva realizar una simplificacin del circuito a modelar, reduciendo al mximo el nmero de transistores que contiene. Es necesaria esta simplificacin ya que al simular el macromodelo en un circuito de aplicacin con otros subcircuitos, el clculo que debe realizar el PC es demasiado engorroso y en algunos casos redundante. Para conseguir reducir clculos, hay que buscar las partes del circuito que sustituyndolas por un modelo ideal ms sencillo no influyan excesivamente sobre el funcionamiento del conjunto. En resumen, el macromodelo del OTA solo debe contener los dispositivos activos necesarios, que concedan al modelo la mayor aproximacin al circuito real. La estructura interna del OTA real con el que comparamos el macromodelo es muy similar a la anteriormente planteada, salvo que las fuentes de corriente Wilson, estn sustituidas por otro tipo de corriente muy similar. En una primera aproximacin esta diferencia parece mejorar la ganancia en corriente de la fuente de corriente. Como se ver en la definicin del macromodelo estas diferencias no tienen relevancia ya que en dicha definicin se maximizan las caractersticas de la fuente de corriente Wilson. En los prximos apartados se estudian los distintos subcircuitos que contiene la estructura interna del OTA, de esta manera se puede encontrar un equivalente para cada parte de una forma ptima.

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_________ FUENTE DE CORRIENTE WILSON

Las fuentes de corriente Wilson hacen la funcin de una carga activa, adems de copiar las corrientes que circulan por los colectores de los dos transistores de entrada, para obtener su diferencia a la salida. Estas fuentes son susceptibles de ser sustituidas por una fuente de corriente controlada por corriente (CCCS), ya que gracias a su realimentacin de corriente en paralelo, se tiene una resistencia de entrada pequea y una resistencia de salida alta. De esta manera la fuente de corriente Wilson permite realizar la siguiente equivalencia: iO ii Q4 if Q6 Q5
Fuente Wilson Equivalente

ix

ii

iO

ii

En las fuentes Wilson se cumplen las siguientes expresiones: iO 2 + 2 1 = ii 2 + 2 + 2 RO rO 2

La ganancia de corriente como se puede observar es aproximadamente la unidad. Esta aproximacin introduce un pequeo error ya que el equivalente tiene una ganancia exactamente igual a 1 y es totalmente inmune a las variaciones de temperatura, lo que el circuito de partida tiene una cierta dependencia, ya que es funcin de la temperatura. Como tambin se observa en la expresin la resistencia de salida es bastante elevada con lo que la aproximacin a un circuito abierto es bastante aproximada. Sustituir la fuente Wilson por el equivalente CCCS va a provocar una variacin de los mrgenes de la tensin en la seal de entrada, ya que la saturacin de los transistores del diferencial depende de la tensin en sus colectores. Estas, estn subordinadas a la tensin que cae en las cargas activas y la tensin de alimentacin. Por lo tanto, en el macromodelo habr que incluir una pila que emule la cada de tensin en cada fuente de corriente.

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_________ ESPEJO DE CORRIENTE

Este subcircuito que compone la estructura interna del OTA tiene la funcin de polarizar el amplificador diferencial con una copia de la corriente de polarizacin IX. En el siguiente esquema recordamos su forma: IX IXO

Q7

Q3

Donde despreciando la corriente por las bases tenemos: I X = IS7 e

VBE VT VBE VT

I Xo = I S 3 e

Considerando que los dos transistores son perfectamente iguales las corrientes IX e IXO son aproximadamente iguales. Es conveniente mantener intacta la estructura del espejo de corriente en el macromodelo, ya que el lmite inferior de la tensin en modo comn est definido por la saturacin del transistor Q3. Tambin es interesante no idealizar este subcircuito para comprobar el efecto de las corrientes de base. Adems el espejo de corriente es bastante dependiente de la temperatura. Esta dependencia va ha afectar a la corriente de polarizacin del diferencial.

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_________ AMPLIFICADOR DIFERENCIAL

El amplificador diferencial no se idealiza ya que es el que ms caractersticas reales aporta al OTA. Tanto es as que con los transistores de entrada podemos simular las siguientes caractersticas: Corriente de entrada de polarizacin. Lmite superior de la tensin comn de entrada. Limites superior e inferior para tensiones diferenciales. Proporciona la ganancia al OTA a travs de la transconductancia propia de los transistores. Errores debidos a la desigualdad de los transistores Q1 y Q2. Influencia de la temperatura en el desplazamiento del punto de trabajo.

El amplificador diferencial acoplado por emisor, amplifica en pequea seal por un factor gm la tensin diferencial de entrada. Para obtener la seal amplificada hay que realizar una resta de las corrientes por colector de los transistores del diferencial, tal y como se realiza en el OTA gracias a la utilizacin de las fuentes de corriente Wilson. Utilizar cargas activas en el amplificador diferencial proporciona un aumento de la ganancia en modo diferencial y una diferencia de la ganancia en modo comn.

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MACROMODELO DEL OTA

Una vez estudiada la estructura interna del OTA solo queda formalizar en cdigo PSpice el macromodelo que lo define. Para tal fin, se parte del siguiente circuito que define grficamente el macromodelo deseado: V+
3

1.4V 7

V1 1.4V
8

V2

F1

in+ 1 Ix
6

Q1

Q2
9

In-

out

F2 Q3
4

Q4

V-

Con los nudos indicados en el circuito es sencillo obtener el modelo en PSpice. Las fuentes de corriente F1 y F2 son fuentes de corriente dependientes de las corrientes por V1 y V2 respectivamente. V1 y V2 adems de utilizarse para medir las corrientes por colector de Q1 y Q2, tambin se utilizan para emular la tensin continua que cae en cada carga activa del circuito real. En PSpice un componente se define como un subcircuito. Para ello, se utiliza la directiva .SUBCKT, con la que comienza la definicin, y se finaliza con la directiva .ENDS. A continuacin de la directiva .SUBCKT, hay que indicar el nombre del componente, seguido de los nudos externos del mismo. En cdigo PSpice la llamada a un subcircuito se realiza con la sentencia: Xyyyyyyy N1 [N2 N3 ..] NOMBRE Siendo NOMBRE el nombre del subcircuito invocado, y N1, N2, N3.. los nudos del subcircuito. Ms tarde se indica como es posible invocar un subcircuito en OrCad-PSpice insertando un smbolo que lo relaciona.

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En el siguiente fichero .lib se define el macromodelo del OTA estudiado:

OTA.lib
* Macromodelo del amplificador de transconductancia 790 * * Conexiones: entrada no invertida * | entrada invertida * | | alimentacin positiva * | | | alimentacin negativa * | | | | salida * | | | | | ganancia * | | | | | | .subckt 790 1 2 3 4 5 6 * *Fuen. de tensin para medir corriente y fijar tensin continua: V1 3 7 1.4V V2 3 8 1.4V *Transistores de entrada: q1 7 1 9 qx q2 8 2 9 qx q3 9 6 4 qx q4 6 6 4 qx *Fuentes de corriente controlada por corriente: F1 3 5 V2 1 F2 5 4 V1 1 *Modelo de los transistores: .model qx NPN(Is=800.0E-18 Bf=124 Tr=5n Tf=10p) .ends *$

Se ha seleccionado una para los transistores de 124 para que el OTA modelado se aproxime a las caractersticas del OTA real. Este valor se ha obtenido deducindolo de las caractersticas indicadas por el fabricante. De tal manera que, para una corriente de polarizacin tpica de 500A, la transconductancia del OTA real es de 9600A/V. Y sabiendo que la resistencia de entrada del OTA real para las mismas condiciones es de 26K, se tiene el resultado comentado operando de la siguiente manera: gm
OTA

= gm

Transistor es del diferencia l

= 9600A / V

= r g m =

Ri 26 K gm = 9600A / V = 124 2 2

Los parmetros Tr y Tf estn indicados en el modelo ya que si se omiten PSpice no realiza correctamente las simulaciones, en las que se conmuta entre los dos valores de saturacin, de la corriente de salida del OTA. Tr indica el tiempo de trnsito en inversa y Tf el tiempo de trnsito en directo. IS indica la corriente de saturacin de transporte, y al igual que Tr y Tf, se les fija un valor tpico. Los dems parmetros tomaran sus valores por defecto, ya que no se indica ninguna modificacin.
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_________ CREACIN LIBRERA OTA

En OrCad-PSpice hay que definir un smbolo grfico para poder realizar la invocacin de un subcircuito. Para este fin, primero se ha de crear una librera en el entorno Capture CIS y crear un componente dentro de la misma, como se indica a continuacin:

Donde en la casilla Name se indica el nombre del componente, en nuestro caso 790, correspondiente al nombre del OTA. Pulsando la opcin Attach Implementation de la ventana anterior, se le indica al Orcad que el smbolo creado invocar un modelo de PSpice. En la ventana siguiente se muestra como se debe actuar:

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Una vez indicado esto se pulsa a OK y aparece una nueva hoja en la que creamos el smbolo del OTA. Este smbolo es el indicado en la siguiente figura:
6

U?
1

+ 4

V+

Ix
5 OUT

V-

790

Una vez terminado el smbolo, hay que indicar la invocacin al subcircuito que debe hacer este. Esto se indica en la opcin Part properties en la lnea de PSpice Template de la siguiente ventana:

En PSpice Template hay que indicar la llamada al subcircuito de la siguiente forma: X^@REFDES %+ %- %V+ %V- %OUT %Ix @MODEL Donde: X^@REFDES: indica invocacin de subcircuito. %+ %- %V+ %V- %OUT %Ix: indican los nodos externos del subcircuito. @MODEL: indica el modelo al que se invoca.

Despus de determinar estos parmetros se almacenan los distintos archivos. Orcad por defecto guarda la librera y crea un archivo de proyecto que contiene la misma. En el momento de realizar un circuito de aplicacin que contenga un OTA hay que incluir la librera creada en este apartado. Adems se debe indicar en el proyecto que utilice el OTA, donde se encuentra el archivo del macromodelo (OTA.lib).

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SIMULACIN DEL OTA

El anlisis de las caractersticas del OTA lo realizamos con ayuda del programa integrado en OrCad para la simulacin, PSpice. En los siguientes apartados se analizan los distintos anlisis realizados con el macromodelo del OTA para obtener sus caractersticas ms importantes, compararlas con las del OTA real y comprobar que el funcionamiento del dispositivo es el esperado.

_________ CURVAS CARACTERSTICAS DEL OTA

Para obtener las curvas caractersticas se utiliza el siguiente circuito en la simulacin:

I1 +Vcc 500uA U5 1 V1 0Vac 0.001Vdc 2 790

+Vcc

V2

0
15Vdc 5

+ 4

V+

Ix
OUT

V-

R1 1k V3 15Vdc -Vcc

0
-Vcc

Se selecciona una alimentacin de 15V ya que esta es la utilizada por el fabricante para realizar las condiciones de test. Siguiendo en la misma lnea, se fija un valor de 500A para la corriente de polarizacin Ix. En los puntos que se exponen a continuacin se muestran los resultados de las distintas configuraciones del anlisis para el circuito anterior.

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Funcin de transferencia
La funcin de transferencia se obtiene con un anlisis DC Sweep. Con este, se realiza un barrido en continua, donde la fuente de barrido es V1. El barrido lo definimos desde -0.3V a 0.3V con incrementos de 0.1mV. Usamos una corriente de polarizacin de un valor tpico de 500A.
500uA

0A

-500uA -300mV I(R1)

-200mV -100mV -I(I1) I(I1)

0mV V_V1

100mV

200mV

300mV

En esta grfica se puede ver como la corriente de salida puede variar hasta los valores de saturacin (500A aproximadamente). La caracterstica indica adems cmo la curva es prcticamente lineal para mrgenes pequeos de la seal de entrada. Como ya se indic estos mrgenes aumentan al utilizar el OTA en una configuracin con realimentacin negativa. La linealidad de la zona en pequea seal se puede observar mejor en la grfica que representa la ganancia, la cual ser aproximadamente plana en esta zona de trabajo. Como se puede observar, la funcin de transferencia no llega a los valores de saturacin (500A), ya que hay una parte de la corriente que se escapa por las bases de los transistores de entrada y por la base de los transistores del espejo de corriente. En el siguiente ploteado, se puede observar ms detenidamente esta diferencia, para un margen de tensin mayor.

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510uA

15uA Ix=>(400.064m,500.000u)

400uA Ic_q3=>(400.064m,492.064u) 10uA Io=>(400.064m,488.127u) Ib_q3=>(400.064m,3.9682u) 200uA 5uA Ib_q1=>(400.064m,3.9365u)

Ib_q2=>(400.064m,-12.836p) 0A >> 0A 20mV 1

I(R1)

200mV I(I1) IC(X_U5.q3)

400mV IB(X_U5.q1) V_V1

600mV IB(X_U5.q2)

800mV IB(X_U5.q3)

Con unos pequeos clculos se puede comprobar el efecto producido por las corrientes de base de los transistores del amplificador diferencial y del espejo de corriente. IO = IC_q3 - IB_q1 - IB_q2 = 492.064A - 3.9365A + 12.836pA= 488.127A IC_q3 = IX - 2IB_q3 = 500A - 23.9682A = 492.063A La suma de corrientes corresponde con la obtenida en las grficas, por lo tanto, se deduce que la diferencia entre la corriente de saturacin del OTA y la corriente de polarizacin, esta en las corrientes de polarizacin de las bases de los transistores del amplificador diferencial, y las corrientes por las bases de los transistores del espejo de corriente. De esta misma grfica se obtiene el valor de la corriente de polarizacin de entrada, siendo esta IB_Q1+IB_Q2=3.964A. El fabricante para este parmetro indica un valor tpico de 2A. Respecto a la corriente de saturacin el fabricante indica que es igual a la de polarizacin IX, pudiendo variar dentro de un margen de tolerancia. Si en el macromodelo del OTA contuviera todos los transistores correspondientes a su estructura interna, no hubiera habido mucha diferencia con la obtenida, ya que las fuentes de corriente Wilson tienen un comportamiento casi ideal. Existe la posibilidad de que la corriente de saturacin sea mayor que la corriente de polarizacin, esto se produce si los transistores del espejo de corriente no estn perfectamente apareados, y ello conlleva, una multiplicacin por un valor mayor a la unidad, de la corriente de colector de la salida del espejo, respecto a la corriente de polarizacin.
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Curvas de ganancia
- Ganancia en funcin de la tensin de entrada. Esta curva se obtiene con la misma simulacin utilizada para la funcin de transferencia, aunque en este caso la variable y es la derivada de la corriente de salida del OTA.
10m

(-300.000u,9.4367m)

5m

0 -300mV D(I(R1))

-200mV

-100mV

0mV V_V1

100mV

200mV

300mV

Como se puede observar la ganancia para una corriente de polarizacin de 500A es de 9.436mA/V. Valor que se aproxima al dado por el fabricante para la misma corriente de ensayo, siendo este de 9.6mA/V. Haciendo un zoom de la zona ms prxima a 10mV se puede observar el como la ganancia es aproximadamente plana. Esta diferencia es menor cuando se trabaja con realimentacin negativa.
10m (-300.000u,9.4367m)

(10.000m,9.0923m)

5m

0 -20mV D(I(R1))

-10mV

0V V_V1

10mV

20mV

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- Ganancia en funcin de la corriente de polarizacin IX. Para obtener esta curva es necesario modificar los parmetros de simulacin. En este sentido, en el anlisis DC Sweep, se introduce como variable de barrido la fuente de corriente I1, que corresponde con la corriente de polarizacin. A esta, se le fuerza un rango de barrido en la zona tpica de funcionamiento, segn el fabricante, va desde 0.1uA a 1mA. Con el fin de obtener la ganancia que tiene el dispositivo en pequea seal se dispone como tensin diferencial una fuente de corriente continua de valor 1mV. La ganancia en este caso se obtiene dividiendo la corriente de salida I(R1) por la tensin de entrada V(V1:+). A continuacin se muestra el resultado de esta simulacin donde los ejes estn representados en escala logartmica, tal y como suele presentarlos el fabricante.
100m (504.495u,9.520m) 10m (1.0000m,18.870m)

1.0m

100u (100.000n,1.8876u) 10u

1.0u 100nA 200nA 400nA 800nA I(R1) / V(V1:+)

2.0uA 4.0uA 8.0uA I_I1

20uA

40uA 70uA

200uA 400uA 800uA

En este ploteado se indican puntos ms significativos de los valores de ganancia, como el de 500A, que es el valor tpico utilizado por el fabricante para calcular las caractersticas del dispositivo. La grfica de la ganancia, en funcin de la corriente de polarizacin, est disponible en las hojas caractersticas del fabricante, esta la mostramos a continuacin para demostrar como la obtenida por el modelo PSpice es similar.

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Curva de ganancia en funcin de la corriente de polarizacin dada por el fabricante:

A simple vista existe una gran similitud entre la grfica obtenida con el macromodelo del OTA y con la dada por el fabricante, para una temperatura normal de funcionamiento.

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Modo comn
Para simular lo las caractersticas del modo comn se utiliza el siguiente circuito:
I1 +Vcc 500uA 3 VOFF = 0 VAMPL = 1mV FREQ = 1kHz U5 1 6 V4 V2 +Vcc

0
15Vdc 5

+ 4

V+

Ix
OUT

V6 0Vdc

V5 VOFF = 0 VAMPL = 1mV FREQ = 1kHz

2 790

V-

R1 1k V3 15Vdc -Vcc

-Vcc

En modo comn el OTA proporciona una salida nula de corriente ya que los transistores del amplificador diferencial estn perfectamente apareados. El fabricante, para este aspecto, indica que para una tensin de entrada en modo comn se produce una atenuacin tpica de 110dB. En la siguiente grfica se puede observar como la ganancia es nula en todo el intervalo de la tensin en modo comn, para una seal diferencial nula, como se ha comentado anteriormente.
1.0u

-1.0u -15V -10V D(I(R1))

-5V

0V V_V1

5V

10V

15V

A pesar de este hecho, y que a simple vista parezca que la tensin en modo comn no tiene efecto alguno en el dispositivo, esto no es cierto, ya que si aumentamos mucho la tensin en modo comn, el punto de trabajo de los transistores cambia pudiendo llegar a la saturacin. Este efecto lo podemos observar si variamos la tensin en modo comn con una seal diferencial pequea determinada.

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En el siguiente ploteado se muestra como se produce la saturacin para valores negativos de la seal en modo comn, a partir de -14.1V como se calculo en el apartado de la estructura interna del OTA.
20uA (250.286u,18.863u)=>V6=-14 (250.286u,18.850u)=>V6=-14.1 (250.286u,18.257u)=>V6=-14.2 (250.286u,8.1876u)=>V6=-14.3 10uA (250.286u,357.251n)=>V6=-14.4 (250.286u,7.6897n)=>V6=-14.5

0A

-10uA

-20uA 0s

0.2ms I(R1)

0.4ms Time

0.6ms

0.8ms

1.0ms

En el siguiente se ve el caso opuesto de saturacin par una tensin comn mayor de 14.1V.
20uA (250.286u,18.848u)=>14.1

(250.286u,18.122u)=>14.2 0A (250.286u,-16.531u)=>14.3

-20uA 0s I(R1)

0.2ms

0.4ms Time

0.6ms

0.8ms

1.0ms

El fabricante indica un rango de tensin comn de funcionamiento entre -14.6 a 13.6. Esta diferencia es debida a que la tensin de la carga activa del OTA real es de 3VBE (esto hace variar el lmite superior), y la tensin VBE del OTA real es inferior a la de los transistores del macromodelo.

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Seales de Entrada/Salida en el dominio temporal y frecuencial

Una forma sencilla de ver si el dispositivo funciona correctamente es introduciendo una seal se excitacin simple, como por ejemplo, una seal sinusoidal. Para este efecto, se realiza una simulacin en el dominio del tiempo con un seno como entrada diferencial, y con una tensin comn nula. A la seal diferencial se le impone como parmetro la amplitud de la misma, y dando una lista de valores a esta amplitud se puede observar como la seal de salida va distorsionando hasta llegar a la saturacin.
500uA 80mV 200mV 2V

20mV

2mV 0A

-500uA 0s

0.2ms I(R1)

0.4ms Time

0.6ms

0.8ms

1.0ms

A simple vista se puede intuir que para seales diferenciales de entrada con una amplitud mayor a 20mV la seal de salida est distorsionada. El efecto de la distorsin se puede observar con mayor precisin, visualizando el contenido frecuencial de estas mismas seales, como se muestran en el siguiente ploteado.

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En esta grfica se muestra la transformada de Fourier de las corrientes de salida para tensiones diferenciales de entrada con distintas amplitudes.
515uA

400uA

200uA

0A 0Hz

5.0KHz -I(R1)

10.0KHz

15.0KHz Frequency

20.0KHz

25.0KHz

29.8KHz

Como se ha comentado, en el dominio de la frecuencia se observa con mayor claridad la distorsin producida por el OTA. Con amplitudes pequeas, en torno a los 2mV la seal es casi perfecta, mientras que al ir aumentando la amplitud el nmero de armnicos aumenta, signo unvoco que indica el deterioro de la seal de entrada, debido a la distorsin introducida por el dispositivo amplificador.

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CIRCUITOS DE APLICACIN
En este apartado se procede a mostrar distintos circuitos de aplicacin, donde se puede encontrar un amplificador de transconductancia.

_________ SCHMITT-TRIGGER
Un ejemplo de aplicacin es un comparador de ventana Schmitt-Trigger como se muestra a continuacin:
+Vcc

R2 230k 3 6 U1 Vin 1 +Vcc V1 12Vdc 5 Vout V4 VOFF = 0 VAMPL = 1 FREQ = 1k 2 790 4

+ -

V+

Ix
OUT

V0
-Vcc

0
R1 5k

V2 12Vdc

-Vcc

El resultado de una simulacin temporal es el siguiente:

(561.871u,-379.032m) 1.0V (1.0609m,368.209m)

0V

-1.0V

0s V(VIN)

0.5ms V(VOUT)

1.0ms Time

1.5ms

2.0ms

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Modelado y simulacin de un OTA con PSpice

Siendo la funcin de transferencia del circuito comparador la siguiente:

1.0V (-375.723m,491.331m) (372.832m,457.842m)

0V

(-373.330m,-479.028m) -1.0V -1.0V V(VOUT) -0.5V 0V V(Vin)

(373.333m,-495.325m)

0.5V

1.0V

Los picos de tensin que sobresalen de la ventana tienen su origen en los parmetros temporales Tr y Tf introducidos en el modelo de los transistores del macromodelo del OTA.

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Modelado y simulacin de un OTA con PSpice

_________ MODULADOR DE AMPLITUD

Un ejemplo de modulador implementado con un OTA se representa en el siguiente circuito:
V4 R2 50k +Vcc V1 +Vcc 3 R3 Vin 100k V3 VOFF = 0 VAMPL = 5mV FREQ = 50KHz 2 790 4 1 U1 6 15Vdc

FREQ = 1kHz VAMPL = 5V VOFF = 1

+ -

V+

Ix
5 Vout OUT

0
R1 1k 15Vdc V2

V-

0 0
-Vcc

-Vcc

Donde V4 es la seal modulada (informacin a transmitir) y V3 es la portadora de alta frecuencia. En el siguiente ploteado se muestra la respuesta temporal, y frecuencial de las seales de salida y portadora.
400mV

200mV

0V

-200mV 0s V(VIN)
20mV

0.5ms V(VOUT) Time

1.0ms

1.5ms

10mV

0V 0Hz V(VIN)

20KHz V(VOUT) Frequency

40KHz

60KHz

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Modelado y simulacin de un OTA con PSpice

_________ OTA CON REALIMENTACIN NEGATIVA

Una configuracin del OTA con realimentacin negativa es la siguiente:
+Vcc +Vcc V1 15Vdc

R6 58k 3 6

R8 Vin V3 VOFF = 0 VAMPL = 5mV FREQ = 1KHz 10k 2 790 1

U1

+ 4

V+

Ix
5 OUT Vout V2 15Vdc R5

V-

-Vcc R1 10k

1k

-Vcc

Con este circuito se consigue tener una ganancia con una zona lineal ms amplia que en el caso de amplificar en lazo abierto.
2.5m

2.0m

1.0m

0 -100mV D(-I(R5))

-50mV

0V V(Vin)

50mV

100mV

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Modelado y simulacin de un OTA con PSpice

CONCLUSIONES
La principal idea que se intenta exponer en este trabajo es la versatilidad del programa OrCad-PSpice. Este, ofrece al ingeniero de diseo una herramienta muy potente para el desarrollo de estudios de dispositivos y circuitos, mediante la simulacin de los mismos. La posibilidad de integrar gran cantidad de parmetros a los dispositivos permite aproximar mucho la simulacin a la realidad fsica. En referencia al dispositivo caracterizado en esta memoria, es necesario comentar que se consigue un dispositivo muy aproximado a la realidad con el macromodelo obtenido. Para obtener unas caractersticas mejores, habra que hacer ms hincapi en el modelo de los transistores, incluyndoles ms parmetros. De todos los anlisis que se pueden realizar con PSpice, uno de entre tantos no incluido en el desarrollo del problema, es la simulacin en funcin de la temperatura, aspecto importante para dispositivos semiconductores debido a la gran dependencia a esta magnitud fsica.

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Modelado y simulacin de un OTA con PSpice

BIBLIOGRAFIA
En la realizacin de este trabajo se ha recurrido a las siguientes fuentes de informacin bibliogrfica y electrnica: "Circuitos Electrnicos. Anlisis, simulacin y diseo". Autor: Norbert R. Malik. Editorial: Prentice Hall. "Anlisis y Diseo de Circuitos integrados Analgicos". Autores: Paul R. Gray / Robert G. Meyer. Editorial: Prentice Hall. "PSpice. Manual de Referencia Rpida". Departamento de Electrnica. Universidad de Alcal de Henares. Apuntes de la asignatura de Diseo Analgico Avanzado. Archivos PDF de hojas caractersticas de fabricantes de componentes: CA3080, de Intersil. LM3080, de National Semiconductor.

Ya que se hacen varias referencias durante el desarrollo de la prctica al documento que caracteriza el CA3080, este se incluye como anexo. Los valores aludidos estn resaltados en rojo.

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