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1.2.3. Aplicaciones
1.3. Dispositivos activos
1.3.2.1.1. LED
1.3.2.1.2. Rectificadores 1.3.2.1.3. Zener
1.3.2.2.3. MOSFET
1.3.2.3. Tiristores 1.3.2.3.1. SCR
1.3.2.3.2. SCS
1.3.2.3.3. DIAC 1.3.2.3.4. TRIAC
1.4.1.4. Sumador
1.4.1.5. Restador 1.4.1.6. Integrador
1.4.2. Aplicaciones
Si hacemos que la pila gire a una determinada velocidad, se producir un cambio constante de polaridad en los bornes donde hacen contacto los dos polos de dicha pila.
Es una corriente que siempre tiene el mismo sentido, pero que a medida que va pasando el tiempo su valor va decreciendo, un claro ejemplo lo podemos tener en las pilas o bateras. Si permanecen largo tiempo conectadas, su valor va disminuyendo a medida que se van
Onda cuadrada alcanza su valor mximo instantneamente, permanece durante un tiempo y baja a cero su valor, para permanecer sin tensin durante el mismo tiempo que la ha mantenido
1.1.1. Caractersticas
1.1.1. Caractersticas
1.1.1. Caractersticas
1.2.1 Caractersticas.
Cuando una fuente de tensin v se conecta al capacitor, como en la figura anterior, deposita una carga positiva q en una placa y una carga negativa q en la otra. El monto de carga almacenada, representada por q, es directamente proporcional a la tensin aplicada v de modo que:
1.2.1 Caractersticas.
1 farad=1 coulomb/volt
La capacitancia esta dada por: C=
1.2.1 Caractersticas.
1. El rea superficial de las placas, cuanto ms grande el rea mayor capacitancia. 2. El espaciamiento entre las placas, a menor espaciamiento, mayor capacitancia. 3. La permitividad del material, a permitividad, mayor capacitancia. mayor
1.2.1 Caractersticas.
Capacitores variables:
a) capacitor de compensacin. b) capacitor de placa variable.
1.2.1 Caractersticas.
1.2.1 Caractersticas.
Para obtener el capacitor equivalente de N capacitores en paralelo, como en el siguiente circuito, hay que tomar en cuenta que los capacitores tienen la misma tensin v entre ellos. Al aplicar la LCK( ley de corrientes de kirchhoff) se obtiene que:
= 1 + 2 +
1.2.1 Caractersticas.
1.2.1 Caractersticas.
1.2.1 Caractersticas.
Los capacitores en serie se combinan de la misma manera que los resistores en paralelo. Cuando N=2 se convierte en: 1 2 = 1 + 2
1.2.1 Caractersticas.
1.2.1 Caractersticas.
1.2.1 Caractersticas.
Si se permite que pase corriente por el inductor, se descubre que la tensin es directamente proporcional a la velocidad de cambio de la transformacin de la corriente. =
1.2.1 Caractersticas.
1.2.1 Caractersticas.
La inductancia aumenta si se incrementa el numero de vueltas de la bobina, usando material con mayor permeabilidad a la del ncleo, aumentando el rea de la seccin transversal o disminuyendo la longitud de la bobina. Los inductores prcticos usuales tienen los valores de inductancia que van de unos cuantos microhenrys () como en los sistemas de comunicacin, a decenas de henrys(H), como en los sistemas de potencia. Los inductores pueden ser fijos o variables, el ncleo puede ser de hierro, acero, platico o aire, bobina o reactancia son los
1.2.1 Caractersticas.
1.2.1 Caractersticas.
+ (0 )
Propiedades de un inductor: 1. La tensin de un inductor es de cero cuando la corriente es constante. Acta como un cortocircuito para cd.
1.2.1 Caractersticas.
1.2.1 Caractersticas.
1.2.1 Caractersticas.
= 1 + 2 + 3 +
1.2.1 Caractersticas.
1.2.1 Caractersticas.
1.2.1 Caractersticas.
1.2.1 Caractersticas.
a) 0+ , (0+ )
b) 0+ /, (0+ )/
c) , ()
= 0
0 = 0
Al aplicar LTK a lo largo de la malla 1 + +
= 0
2 =
Donde
denominan frecuencias naturales, medidas en nepers por segundo (Np/s), porque se asocian
= 2
0 =
las races 1 2
se
Los dos valores de s en la ecuacin de las races indican que hay dos posibles soluciones para i.
1 = 1 1 , 2 = 2 2
= (2 + 1 )
La grafica siguiente representa = la cual alcanza un valor mximo de 1 / = 1 una constante de tiempo y despus decrece a cero.
Caso subamortiguado Para < 0 , < 4/2 . Las races pueden escribirse como: 1 = + (0 2 2 ) = +
2 = 0 2 2 =
Con la presencia de las funciones seno y coseno, es claro que la respuesta natural para este caso esta amortiguada exponencialmente y es de naturaleza oscilatoria.
1.2.3 Aplicaciones.
1.2.3 Aplicaciones.
1.2.3 Aplicaciones.
El tomo del germanio contiene 32 electrones en orbita mientras que el silicio cuenta con 14 de ellos. En ambos casos, tenemos 4 electrones en la capa exterior (de valencia). El potencial (de ionizacin) que se requiere para sacar de la estructura a cualquiera de estos 4 electrones de
Al unir un semiconductor de tipo P con otro tipo N, se forma una unin tipo PN.
La acumulacin de cargas elctricas de signos contrarios origina un campo elctrico a travs de la zona de transicin. La cada de tensin en la unin PN es de 0.7 v para el silicio.
Los campos originados por la batera y las cargas coinciden por lo que su efecto es el de tender a aumentar la barrera de potencial.
Canal P
MOS de empobrecimiento: El comportamiento de estos transistores es similar a los JFET, pueden ser canal N, canal P. El terminal de puerta esta aislado elctricamente mediante una capa de oxido.
Superficies de implementacin
Monolticos: la implementacin se realiza sobre la superficie de la oblea. Peliculares: dicha implementacin se realiza sobre una cermica, donde se implementan las pistas
Su grado de anisotropa: se llama grabado anistropo aquel que tiene lugar en una nica direccin, mientras que se llama grabado istropo aquel en que el ataque se realiza en todas direcciones.
2. 3.
2.4.4 CMOS.
2.4.5 Bajo voltaje (LVT, LV, LVC, ALVC)
La operacin AND es exactamente igual que la multiplicacin ordinaria. Siempre que A o B sean cero, su producto ser cero, cuando A y B sean 1, su producto ser 1. Por tanto, podemos decir que en la operacin AND el resultado ser 1 slo si todas las entradas son 1; de lo contrario ser cero.
La operacin AND se ejecuta exactamente igual que la multiplicacin ordinaria de unos y ceros.
Una salida igual a 1 ocurre slo en el caso de que todas las entradas sean 1.
La salida es cero en cualquier caso donde una o ms entradas sean cero.
La tabla de verdad muestra que la salida de la compuerta NOR es el inverso de la salida de la compuerta OR en todas las posibles condiciones de entrada. Mientras que la salida de una compuerta OR se torna ALTA cuando cualquier entrada es ALTA, la salida de la compuerta NOR pasa a BAJA cuando cualquier entrada es ALTA.
La tabla de verdad, muestra que la salida es la inversa exacta de la compuerta AND en todas las posibles condiciones de entrada. La salida AND se vuelve ALTA solo cuando las entradas son ALTAS, en tanto que las salidas NAND se vuelve BAJA slo cuando las entradas son ALTAS
Disee un circuito lgico que tenga tres entradas A, B, C y cuya salida sea ALTA slo cuando la mayor parte de las entradas sean ALTAS.
Ya que cada uno de estos miniterminos resulta 1 = 1 1 = + + = 1 + 4 + 7 En forma similar, es posible leer la expresin para 2 de la tabla:
, , = (0,1,2,4) maxitrmino
sucesivamente como se muestra en la anterior figura, los dems cuadrados se llenan con ceros, es la misma idea que se usa en mapas K de tres y cuatro variables.
3. A fin de que los cuadrados que son adyacentes tanto vertical como horizontal difieran en una sola variable, el marcado de arriba hacia abajo debe hacerse en el orden indicado , , , es izquierda- derecha.
Se dice que es de alto nivel cuando se encuentra una tabla de verdad en la que se reflejan los casos que se pretenden contemplar de manera similar al enunciado del problema.
Vamos a codificar los distintos tipos de monedas con 2 bits y los distintos tipos de productos tambin con 2 bits.
El proceso de diseo combinacional consiste en: de un circuito
1. Determinar el nmero de variables de entrada y de salida necesarias, identificar las variables de entrada, asignarles un nombre y hacer lo mismo con las de salida.
La figura anterior demuestra que las salidas externas en un circuito secuencial son una funcin no solamente de las entradas externas sino del presente estado de los elementos de memoria.
Sincrnico:
Es un sistema cuyo comportamiento puede definirse a partir del conocimiento de sus seales en instantes discretos de tiempo.
Asincrnico:
Depende del orden en que cambien las seales de entrada y puedan ser afectadas en un instante dado de tiempo.
El flip-flop bsico por si solo es un circuito secuencial asincrnico. Agregando compuertas a las entradas del circuito bsico, puede hacerse que el flip-flop responda a los niveles de entrada durante la ocurrencia del pulso de reloj.
El flip-flop D es una modificacin del flip-flop RS sincronizado. Las compuertas NAND 1 y 2 forman el flip-flop bsico y las compuertas 3 y 4 las modifican para conforman el flip-flop RS sincronizado. La entrada D va directamente a la
El flip-flop D recibe su nombre por la habilidad de trasmitir datos a un flip-flop. Es bsicamente un flip-flop RS con un inversor en la entrada R.
Este es un flip-flop sincronizado la salida Q se aplica con K y CP a una compuerta AND de tal manera que el flip-flop se ponga a cero durante un pulso de reloj solamente si Q fue 1 previamente. De manera similar la salida Q se aplica con J y CP a una compuerta AND de tal manera que el flip-flop se ponga a uno con un pulso de reloj, solamente si Q fue 1.
El primer paso en el diseo de los circuitos secuenciales es obtener una tabla de estado o una representacin equivalente tal como un diagrama de estado o ecuaciones de estado.
1. Se establece la descripcin en palabras del comportamiento del circuito. Esto puede acompaarse por el diagrama de estado, un diagrama de tiempos, u otra informacin pertinente.
Un registro es un grupo de celdas de almacenamiento binario capaz de retener informacin binaria. Un grupo de flip-flops constituyen un registro ya que cada flip-flop es una celda binaria que acumula un bit de informacin. Un registro de n-bits tiene un grupo de n flip-flops y tiene capacidad de acumular cualquier informacin binaria que contiene n bits.
2.4.1 TTL.
2.4.1 TTL.
2.4.1 TTL.
2.4.1 TTL.
2.4.1 TTL.
2.4.1 TTL.
2.4.1 TTL.
2.4.2 ECL.
2.4.2 ECL.
2.4.2 ECL.
NOT/OR ECL
2.4.2 ECL.
3. Los mrgenes de ruido ECL en el peor de los casos son aproximadamente 250mV. Estos mrgenes de ruidos bajos hacen a ECL un tanto insegura para utilizarse en medios industriales con mucho volumen de trabajo.
2.4.2 ECL.
2.4.2 ECL.
2.4.2 ECL.
La principal ventaja de los MOSFET es relativamente simple y poco costoso proceso de fabricacin, es pequeo y consume poca energa.
2.4.3 MOS.
2.4.3 MOS.
2.4.3 MOS.
2. N-MOS que utiliza solamente MOSFET de enriquecimiento de canales N. 3. CMOS, MOS complementaria dispositivos de canales P y N. que usa
2.4.3 MOS.
2.4.3 MOS.
2.4.3 MOS.
Dos compuertas NOR o NAND N-MOS pueden acoplarse transversalmente para formar flip-flops simples. Los flip-flops N-MOS son importantes en algunos tipos de circuitos de memoria para computadora.
2.4.3 MOS.
2.4.3 MOS.
Los smbolos estndar del MOSFET se han sustituido por bloques marcados como P y N para representar un P-MOSFET y un N-MOSFET
2.4.4 CMOS.
Compuerta NAND CMOS Se pueden construir otras funciones lgicas modificando el inversor bsico. La compuerta esta formada por la adiccin de un MOSFET de
2.4.4 CMOS.
2.4.4 CMOS.
2.4.4 CMOS.
2.4.4 CMOS.
El funcionamiento con bajo voltaje es de particular valor en el equipo alimentado con bateras, donde el numero requerido de bateras se reduce de tres a dos.