Projetos de Circuitos Integrados.

Tecnologia

Processo de Fabricao Introduo

O conhecimento do processo de fabricao permite ao projetista:
otimizar o projeto; propor idias inovadoras usando as caractersticas do processo; inferir sobre o efeito do layout no desempenho do circuito.

Etapas do Processo de Fabricao de um Circuito integrado

Preparao do Cristal - o substrato dos circuitos integrados bipolares ou MOS so lminas de silcio cristalino com dimetro de 4 a 6 polegadas e espessura de 250u a 400u.

Silicon wafer fabrication

Taken from www.egg.or.jp/MSIL/english/index-e.html

MEMS Design & Fab

ksjp, 7/01

Silicon wafer fabrication slicing and polishing

Taken from www.egg.or.jp/MSIL/english/index-e.html

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 Mscaras - so fotografias positiva ou negativa de alto contraste. Elas so usadas para delinear as partes onde incidir (ou no incidir) luz no fotoresiste. H basicamente 3 formas de ger-las:
tcnicas fotogrficas; feixe de laser; feixe de eltrons.

Processo Fotolitogrfico- Este processo consiste na aplicao do fotoresiste sobre a superfcie da lmina. Quando submetido exposio de luz o fotoresiste muda suas caractersticas fsicas podendo ser removido de forma seletiva

 Deposio - Filmes de vrios materiais precisam ser aplicados durante a fabricao de um circuito integrado. Estes filmes produzem isoladores, resistores, condutores, dieltricos e dopantes. A deposio pode usar uma das seguintes tcnicas:
evaporao; sputtering; deposio por vapor qumico (CDV)

Etching - Designa a remoo seletiva de material no desejado.

Etching mido; Etching seco
sputtering feixe de ons; plasma.

Etching Issues - Anisotropy

Isotropic etchants etch at the same rate in

every direction mask An-isotropic

Isotropic
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 Difuso - refere-se a migrao controlada de impurezas no substrato. Este processo controlado atravs da temperatura e do tempo. A difuso um processo cujo controle da direo com preciso difcil. Outra tcnica usada para inserir impurezas a implantao inica. Condutor e Resistor - O alumnio ou outro metal podem ser usados como condutores na interconexo entre componentes do circuito integrado. O polissilcio, um condutor no metlico usado nas portas dos transistores MOS, como resistor e como eletrodos de um capacitor.

 Oxidao - processo onde o oxignio combina com o substrato ou outros materiais para formar um xido. SiO2 - serve como um bom isolante e tambm pode ser usado como material dieltrico em capacitores. Quando crescido sobre o substrato consome parte do silcio. O crescimento de x microns de SiO2 consome 0.47x microns de silcio do substrato. Si3N4 (nitrido) - usado como dieltrico pois sua constante dieltrica 4 vezes maior que a do SiO2.

Thermal Oxidation
O2 SiO2 Silicon

Silicon

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Silicon is consumed as the silicon dioxide is grown. Growth occurs in oxygen and/or steam at 8001200 C. ~2um films are maximum practical

Thermal Oxidation

Oxidation can be masked with silicon nitride,

which prevents O2 diffusion Silicon nitride SiO2 Silicon

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 Epitaxia - o crescimento epitaxial geralmente feito por deposio por vapor qumico (CVD). Este processo usado na tecnologia bipolar criando uma camada de silcio cristalino. Testes e Encapsulamento - Aps a sua fabricao os circuitos integrados precisam ser testados. O projetista precisa prever os pontos de testes para identificar possveis falhas de projeto ou de mau funcionamento. Quanto a tecnologia de encapsulamento houve poucos avanos desde a dcada de 70. Trata-se de uma rea que necessita novas tecnologias.

Processo de Fabricao dos Circuitos Integrados

Existem trs processos bsicos de fabricao de circuitos integrados monolticos: NMOS, CMOS e bipolar. Cada um destes processos sero descritos a seguir. Antes ser introduzida uma nomenclatura comum na descrio de processos de fabricao.
n+ indica regio fortemente dopada e n- regio fracamente dopada. Quando a regio for denominada de n indica uma dopagem intermediria entre n+ e n-. A mesma denominao se aplica a p.

 Resistividade - em um material homogneo uma medida volumtrica da caracterstica resistiva do material.

 Resistivadade de Folha - em processo de fabricao de circuito integrado a resistividade do material definida por

Processo MOS
Inicialmente ser feita uma breve discusso sobre o princpio de operao do transistor MOS.

Simbologia
H uma grande variedade de smbolos usados para representar os transistores MOS sendo os mais usuais os seguintes:

Processo NMOS
No processo NMOS os seguintes dispositivos esto disponveis:
MOSFET canal n de enriquecimento; MOSFET canal n de depleo; capacitores; e resistores.