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Guia de Aulas Práticas de Eletrônica Analógica e Digital

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AULA PRÁTICA 04

CARACTERIZAÇÃO DE DIODOS

1. OBJETIVOS: Verificar experimentalmente as características estáticas e dinâmicas dos diversos tipos de diodos. Critérios para escolha de um modelo para o diodo.

2. PRÉ-REQUISITOS: Capítulo 2 do livro texto.

3. RESUMO TEÓRICO:

3.1 A Característica Tensão-Corrente do Diodo

O diodo é o dispositivo semicondutor elementar, constituido por uma única junção p-n. Conhecer com detalhes as características estáticas e dinâmicas deste dispositivo e construir modelos simplificados para descrever o seu comportamento é essencial para o projetista de circuitos.

A característica tensão-corrente de um diodo é dada pela relação:

I

D

=

I

S

exp

V

D

η

V

T

1

(1)

onde a corrente direta I D é dada em ampéres e é positiva de anodo para catodo. A tensão V D , dada em Volts, é positiva de catodo para anodo. I S é a corrente reversa no diodo. O parâmetro η depende do material semicondutor e é próximo de 2 para o silício. A variável V T , denominada tensão equivalente de temperatura é calculada pela expressão:

(2)

onde T é a temperatura em graus Kelvin. Na temperatura ambiente, T=298 o K, V T = 25,68mV. A figura 1 apresenta a característica tensão-corrente típica de um diodo de silício.

T

11600

V T =

Pela expressão 1 podemos observar que para V D negativo a corrente I D aproxima-

se rapidamente de I S . Para valores de V D >> V T a expressão acima pode ser simplificada para:

(3)

V

D

η V

T

I

D

=

I

S

exp

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D (A)

I

D (A)

I

de Eletrônica Analógica e Digital D (A) I D (A) I V D (V V D
de Eletrônica Analógica e Digital D (A) I D (A) I V D (V V D

V D (V

V D (V

a- Polarização direta

b – Polarização inversa Figura 1 – Característica tensão-corrente de um diodo de silício

Utilizando a expressão 3 pode-se determinar o valor do parâmetro η a partir de uma característica tensão-corrente determinada experimentalmente:

η

=

V

D

V

T

I

I

ln

D

S

(4)

Para isto, toma-se um ponto da característica direta do diodo (V D ,I D ) correspondente a cerca de 20% por cento da corrente nominal do diodo, região onde a expressão 1 representa com maior precisão o comportamento do semicondutor.

Analisando a expressão 1 observa-se que a característica corrente-tensão de um diodo é sensivel à temperatura. Com efeito, a corrente reversa de um diodo, I S , dobra de valor para cada 10 o C de aumento da temperatura. A variável V T também é função da temperatura como mostra a expressão 2. Consequentemente, os fabricantes de semicondutores geralmente fornecem para os diodos, características tensão-corrente em duas ou três temperaturas diferentes. Em outros casos, o fabricante fornece coeficientes de variação dos parâmetros do diodo com a temperatura. Esta dependência das características de um diodo com a temperatura pode ser utilizada de forma positiva. Para uma corrente direta constante, a tensão nos terminais do diodo, V D , decresce com o aumento de temperatura. Nas proximades da temperatura ambiente temos que:

dV

D

mV

dT

o

C

≈ −

2 , 2

Como veremos, esta característica pode ser utilizada na medição de temperatura.

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Através da figura 1 constata-se como características essenciais de um diodo:

Em polarização direta, a corrente no diodo é muito pequena até que seja atingida a tensão de limiar V γ (da ordem de décimos de volt).

A partir deste valor de tensão o diodo apresenta baixa resistência à passagem da corrente.

Na condição de polarização reversa flui uma pequena corrente de catodo para anodo, pois o diodo apresenta uma alta resistência nesta condição.

É claro que os termos grifados acima: corrente muito pequena, baixa resistência, etc … dependem das características do circuito onde o diodo é utilizado. Estas considerações devem ser feitas no momento da escolha de um modelo para representar o diodo em um circuito específico.

3.2 Modelos para o Diodo

Qual o melhor modelo para representar o diodo no circuito da figura 2 de modo a determinarmos a corrente e a tensão no diodo neste circuito? A resposta depende dos valores de V S e R no circuito.

resposta depende dos valores de V S e R no circuito. Figura 2 - Análise de

Figura 2 - Análise de um circuito a diodo

A solução exata, pode ser determinada a partir da reta de carga do circuito:

I

D

=−

V

D

+

V

S

R

R

(6)

Esta expressão, descreve a relação entre I D e V D no circuito em questão. Quando superposta à característica corrente-tensão do diodo, temos na interseção das duas curvas o ponto de operação do circuito, denominado ponto quiescente, como mostra a figura 3.1. Esta solução no entanto é muito complexa se a fonte V S é variável no tempo. Um modelo mais simples pode ser obtido aproximando as características direta e inversa por trechos lineares como mostra a figura 3.2. Neste caso, o diodo será representado como um resistor de valor elevado quando polarizado reversamente e uma bateria em série com uma pequena resistência em polarização direta. Este modelo deve ser usado por exemplo, quando a resistência do circuito, R, é da ordem de grandeza da resistência direta do diodo. Se a resistência do circuito, R, é muito maior que a resistência direta do diodo, a queda

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nesta resistência pode ser desprezada e o modelo da figura 3.3 mostra-se adequado. Se além disto a tensão da fonte V S for muito maior que a tensão de limiar do diodo, V γ , o diodo ideal da figura 3.4 conduz a resultados de análise satisfatórios.

3.1

I D V D
I D
V
D

Curva Característica

I D 3.2 V D
I D
3.2
V D
 

I

D

  I D

3.3

   
 

I

D

  I D

3.4

     
      I D 3.4       V D V D P o l

V D

    I D 3.4       V D V D P o l a

V D

Polarização Direta

Polarização Reversa

R R R D V S V S R D Vγ
R
R
R
D
V
S
V S
R D
R R V Vγ S V S
R
R
V
S
V S
R R V S V S
R
R
V S
V S

Figura 3 – Modelos estáticos para o diodo

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3.3 Capacitâncias de Junção e Tempos de Comutação

Devido à concentração de portadores minoritários nos dois lados da junção p-n quando polarizada diretamente, não é possível fazer o diodo passar bruscamente do estado de condução para o corte polarizando-o reversamente. É necessário que os portadores minoritários desçam a barreira de potencial e que seja reestabelecida a condição de equilíbrio. Neste momento, flui uma corrente reversa elevada pela junção, como mostra a figura 4. Este efeito é associado no modelo do diodo a uma capacitância em paralelo denominada capacitância de difusão.

Na polarização reversa, a largura da barreira de potencial depende do valor da tensão externa aplicada. O efeito é semelhante a um capacitor de placas paralelas onde a distância entre placas é variável. A esta capacitância denomina-se capacitância de transição. Estas capacitâncias, limitam a máxima frequência de operação do diodo. Na figura 4, o tempo decorrido entre o instante em que a tensão reversa foi aplicada e o instante em que o diodo efetivamente recuperou sua capacidade de bloqueio é denominado tempo de recuperação reversa (t rr ).

V D

tempo de recuperação reversa (t r r ). V D   V   F V  
 

V

 

F

V

 

R

 
). V D   V   F V   R   t I D t rr

t

I D t rr t
I D
t rr
t

Figura 4 – Comutação de um diodo – tempo de recuperação reversa

4. PARTE EXPERIMENTAL

Testando os diodos:

1 - Teste um diodo 1N4148 utilizando o multímetro na posição de teste de diodos. Conecte a ponta de prova preta ao terminal “COM” e a vermelha ao terminal “V- Ω−mA”. Com a ponta vermelha no anodo e a preta no catodo o diodo esta polarizado diretamente e a leitura indica a queda de tensão no diodo. Invertendo a polaridade das pontas de prova o multímetro deve indicar sobrefaixa da leitura. Um diodo em curto deve dar indicação zero em ambas as polaridades. Um diodo aberto deve dar indicação de sobrefaixa em ambas as polaridades.

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Determinando experimentalmente as características tensão-corrente:

2 – Faça a montagem indicada na figura abaixo para determinar as características de

polarização direta e inversa do diodo. Preencha a tabela abaixo.Utilize a fonte variável de

0 a 15 V disponível na bancada. Sabendo que a impedância de entrada do multímetro é igual a 10 Mexplique a conexão dos multímetros para medição da característica reversa.

dos multímetros para medição da característica reversa. I D 10 20 30 40 50 60 70

I

D

10

20

30

40

50

60

70

80

90

(mA)

V

D

                 

(V)

I

D

               

(nA)

V

D

−1

−2

−3

−5

−10

−14

−10

(V)

3 - Determine através da expressão 4 a constante η. Traçe no MATLAB as características

direta e reversa dadas pela expressão 1 e a característica experimental. Compare os resultados com as características típicas do diodo fornecidas no catálogo do fabricante.

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4 - Determine os parâmetros deste diodo para cada um dos modelos da figura 4.

Traçando a característica IxV no osciloscópio:

5 - As curvas características do diodo podem ser observadas no osciloscópio utilizando-se

o circuito mostrado na figura abaixo e substituindo o sinal de dente de serra da varredura interna do osciloscópio por um sinal externo. A polaridade do sinal do canal 2 deve ser invertida para obtermos a polaridade correta da corrente no diodo.

para obtermos a polaridade correta da corrente no diodo. 6 - Troque o diodo da montagem

6 - Troque o diodo da montagem acima por um diodo zener de 10V. Explique esta nova característica.

Medindo o tempo de recuperação reversa:

7 - A montagem abaixo permitirá a medição do tempo de recuperação reversa do diodo

1N 4148. Neste caso alimente o circuito com uma tensão quadrada de +/- 5V e aumente gradativamente a frequência até que o tempo de comutação do diodo não seja desprezível. Meça então o tempo de recuperação reversa do diodo. Troque o diodo nesta montagem pelo diodo retificador 1N4007. Meça o t rr deste diodo. Compare os resultados.

8 – Discuta com o professor de aula prática o significado de todos os parâmetros dos

professor de aula prática o significado de todos os parâmetros dos diodos 1N4148 e 1N4007 no

diodos 1N4148 e 1N4007 no catálogo do fabricante.

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LEITURA COMPLEMENTAR 03

CAPACITORES ELETROLÍTICOS DE ALUMÍNIO

Basicamente, todo capacitor é composto de duas armaduras e de um dielétrico interposto às armaduras. Embora isto também seja verdade para os capacitores eletrolíticos, a principal diferença em relação aos outros tipos de capacitores reside no

fato de que um dos eletrodos, o catodo, é constituido de um fluido condutor, o eletrólito.

O outro eletrodo, o anodo, é constituido de uma folha de alumínio em cuja superfície é

formada, por deposição eletrolítica, uma camada de óxido de alumínio que serve como dielétrico. A figura 1 apresenta um corte de um capacitor eletrolítico de alumínio

anodo em folha de alumínio

eletrolítico de alumínio anodo em folha de alumínio película de óxido de alumínio papel embebido em
eletrolítico de alumínio anodo em folha de alumínio película de óxido de alumínio papel embebido em
eletrolítico de alumínio anodo em folha de alumínio película de óxido de alumínio papel embebido em

película de óxido de alumínio

papel embebido em eletrólito (catodo)

óxido de alumínio papel embebido em eletrólito (catodo) folha de alumínio para contato com o eletrólito
óxido de alumínio papel embebido em eletrólito (catodo) folha de alumínio para contato com o eletrólito

folha de alumínio para contato com o eletrólito

Figura 1 - Camadas de um capacitor eletrolítico em alumínio

O processo de formação da camada de óxido de alumínio é denominada oxidação anódica. Aplica-se de catodo para anodo uma tensão muito superior à tensão nominal do capacitor, que cria por deposição eletrolítica uma camada de óxido de alumínio sobre a placa de anodo. Esta tensão é denominada tensão de formação. A espessura da camada é praticamente proporcional à tensão de formação (ou de oxidação) aplicada. Como durante este processo ocorre liberação de gases e calor, ele é realizado com o capacitor ainda aberto. Após a formação da camada de óxido, o processo de eletrodeposicão não ocorre para tensões abaixo da tensão de formação. A tensão de formação utilizada é portanto bem maior que os valores das tensões de pico e nominal especificadas para o capacitor.

Como em outros capacitores, sua capacitância é diretamente proporcional à área

das armaduras em confronto e inversamente proporcional à distância entre ambas. Nos capacitores eletrolíticos, essa distância é determinada pela espessura da camada de óxido.

O óxido de alumínio apresenta, sobre os outros dielétricos não só a vantagem de poder ser

obtido em filmes de menor espessura mas também a vantagem de suportar altas tensões

elétricas. A taxa de crescimento da camada de óxido é de aproximadamente 0,0012

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µm/Volt, isto é, mesmo em capacitores de tensão mais elevada (630V) teremos, no

máximo, um afastamento entre armaduras de 0,7 µm, que explica em parte sua alta

capacitância específica (a espessura mínima de um dielétrico como o papel é

exemplo, 6 a 8 µm). Outro fator é o aumento da superfície dos eletrodos resultante da cauterização eletroquímica, processo que torna a folha de alumínio do anodo rugosa. Como o catodo do capacitor eletrolítico é constituido por eletrólito, este preenche idealmente as reentrâncias da folha de anodo, aumentando de forma significativa a área das armaduras.

por

O capacitor eletrolítico construído da forma descrita acima só funciona convenientemente quando ligamos o pólo positivo à folha de alumínio de anodo e o pólo negativo à outra folha. Se fizermos a ligação de maneira contrária, inicia-se o processo de deposição de uma camada de óxido sobre a folha de alumínio para contato com o catodo. Durante este processo ocorre liberação de calor e formação de gases no interior do capacitor. O capacitor eletrolítico é, portanto empregado em aplicações com tensão contínua exigindo altos valores de capacitâncias (1µF até 10 5 µF). Deve-se salientar que uma componente alternada pode estar sobreposta à tensão contínua.

Existem também capacitores eletrolíticos não polarizados (bipolares). Nestes, forma-se uma segunda camada de óxido sobre a folha de contato com o catodo, formada nas mesmas condições da primeira. Uma construção deste tipo permite tanto um funcionamento sob tensão contínua em qualquer polaridade, como em tensões alternadas.

Especificações:

Tensão Nominal - é a tensão para a qual o capacitor foi construído. Os valôres normalmente encontrados são:

 

Baixa Tensão (V)

   

Alta Tensão (V)

 

6,3

10

16

25

40

63

100

160

250

350

Tensão de Pico - é a máxima tensão que pode ser aplicada ao capacitor por curtos períodos de tempo, até 5 vezes por minuto durante 1 hora. Normalmente de 1,1 a 1,15 vezes a tensão nominal.

Corrente nominal de ondulação - É o valor eficaz da corrente alternada que pode ser aplicada ao capacitor. Este valor depende da frequência e temperatura de operação.

Corrente de fuga - Devido às características particulares da camada de óxido de alumínio que serve como dielétrico, flui uma pequena corrente mesmo após um longo período de aplicação de tensão contínua pura, denominada corrente de fuga. A corrente de fuga pode ser considerada uma medida da qualidade do capacitor.

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Fator de perdas - tg δδδδ é a relação entre a resistência série e a reatância capacitiva do circuito equivalente do capacitor

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