Ingeniera Investigacin y Tecnologa. Vol. XII, Nm.

4, 2011, 409-419 ISSN 1405-7743 FI-UNAM (artculo arbitrado)

Anlisis y evaluacin de los modelos estadsticos para el diseo de circuitos integrados

Analysis and Evaluation of Statistical Models for Integrated Circuits Design

Senz-Noval J.J.
Grupo de diseo de circuitos integrados CIDIC Escuela de Ingeniera Elctrica y Electrnica Universidad Industrial de Santander, Bucaramanga, Colombia E-mail: jsaenz@lsi.usp.br

Roa-Fuentes E.F.
Grupo de diseo de circuitos integrados CIDIC Escuela de Ingeniera Elctrica y Electrnica Universidad Industrial de Santander, Bucaramanga, Colombia E-mail: elkim@purdue.edu

Informacin del artculo: recibido: agosto de 2009, reevaluado: febrero y mayo de 2010, aceptado: noviembre de 2010

Resumen
Los modelos estadsticos para circuitos integrados (CI) permiten estimar antes de la fabricacin el porcentaje de dispositivos aceptables en el lote de fabricacin. Actualmente, Pelgrom es el modelo estadstico ms aceptado en la industria; sin embargo, se deriv de una tecnologa micromtrica, la cual no garantiza conabilidad en los procesos de fabricacin nanomtricos. Este trabajo considera tres de los modelos estadsticos ms relevantes en la industria y evala sus limitaciones y ventajas en el diseo analgico, de manera que el diseador tenga un mejor criterio en su eleccin. Adems, se muestra cmo pueden utilizarse varios modelos estadsticos para cada una de las fases y propsitos de diseo.

Descriptores

mismatch diseo analgico variabilidad rendimiento modelos reduccin del canal

Abstract
Statistical models for integrated circuits (IC) allow us to estimate the percentage of acceptable devices in the batch before fabrication. Actually, Pelgrom is the statistical model most accepted in the industry; however it was derived from a micrometer technology, which does not guarantee reliability in nanometric manufacturing processes. This work considers three of the most relevant statistical models in the industry and evaluates their limitations and advantages in analog design, so that the designer has a be er criterion to make a choice. Moreover, it shows how several statistical models can be used for each one of the stages and design purposes.

Keywords

mismatch analog design variability yield models channel shrinkage

Anlisis y evaluacin de los modelos estadsticos para el diseo de circuitos integrados

Introduccin
El mismatch en los parmetros de un transistor MOS se considera uno de los factores limitantes en el desempeo de los circuitos analgicos. Conforme la tecnologa avanza, las dimensiones de los transistores alcanzan escalas atmicas, produciendo una baja repetibilidad y una alta incertidumbre en su comportamiento elctrico. Pero el problema principal no radica en la alta variabilidad ligada a los nuevos procesos tecnolgicos, sino en la incertidumbre para predecirlos y modelarlos adecuadamente. El modelo del descasamiento simplista, el cual es inversamente proporcional al rea, ha demostrado deciencias para escalas de integracin sub-micrn; adems ste no es consistente con todos los parmetros fsicos del proceso, debido a que cada uno de estos exhibe una dependencia diferente con el dimensionamiento y la polarizacin. Esto lo hace un modelo altamente inadecuado para la validacin nal de un CI. Se ha propuesto un conjunto de nuevos modelos de mismatch, pero muchos presentan deciencias en su implementacin como son tiempo de cmputo y complejidad de sus expresiones (Croon, 2002) y (Drennan, 2003). Frecuentemente, la aplicabilidad de modelos estadsticos de alta correlacin con los resultados de silicio, representa un compromiso en tiempo de cmputo, adems los hacen prcticamente inutilizables para los clculos manuales en el diseo. Al no tener un estimativo correcto del mismatch, el diseador se ve obligado a determinar a ciegas el rendimiento del circuito. La desestimacin de las geometras del transistor produce amplias desviaciones en sus parmetros elctricos. Por otro lado, el uso de geometras de transistor conservadoras tiene como consecuencia el desaprovechamiento del rea que adems conlleva al aumento de las capacitancias (Serrano-Gotarredona, 2004). Este tipo de compromisos entre el desempeo y el rendimiento de los circuitos debe manejarse a travs de modelos estadsticos de alta exactitud en etapas previas a la fabricacin. Una correcta seleccin de modelos, tanto determinsticos como estadsticos, dependen de la etapa y los propsitos de diseo sobre los que se trabaje. Por ejemplo, en etapas iniciales del diseo es comn utilizar modelos con descripciones comportamentales del sistema, pues es primordial analizar su funcionamiento antes que su robustez. Sin embargo, el objetivo del diseo muda conforme la topologa y las variables de diseo se establecen y el anlisis de robustez va tornndose importante, llegando a ser el ms relevante durante el cierre del proceso de diseo de un circuito integrado. Este trabajo pretende evaluar las fortalezas y deciencias de cada uno de los modelos considerados ms relevantes

en la actualidad, estableciendo seis criterios de evaluacin. El propsito es guiar al diseador en la seleccin de los modelos estadsticos usados en cada una de las fases de diseo y extender los anlisis de variabilidad a las etapas ms primarias del diseo como son: la seleccin de la topologa y el dimensionamiento. El establecimiento de los criterios de evaluacin y la fundamentacin terica de los tres modelos a usar sern expuestos en la siguiente seccin. Posteriormente, se muestra un anlisis detallado de cada uno de los modelos seleccionados. Por ltimo, los aspectos y armaciones ms relevantes se condensan como conclusiones en la ltima parte del trabajo.

Modelos de mismatch
A la hora del anlisis del fenmeno del mismatch en los circuitos integrados, este trabajo plantea seis criterios de evaluacin que se deben tener en cuenta. Estos criterios son:

Significado fsico
El mismatch se origina por variaciones en los parmetros fsicos inherentes al transistor. Cuando se hace la formulacin del mismatch en funcin de parmetros elctricos correlacionados entre s o factores de ajuste de modelado, origina una sobre-estimacin en la variabilidad del dispositivo; es as como un modelo acertado debe fundamentarse en la variacin de los parmetros fsicos esenciales.

Continuidad
La continuidad propia a los procesos fsicos ligada al comportamiento del transistor, los posibilita para modelarse matemticamente por funciones igualmente continuas. Adems, dada la consigna de baja potencia y bajo voltaje en el diseo, el modelo debe incluir regiones como la sub-umbral y la inversin moderada. Para esto, el mismatch debe replantearse como un modelo elctrico continuo en funcin de la polarizacin.

Medibilidad
Muchos de los parmetros fsicos de un transistor no pueden ser directamente medibles, por lo que muchas veces se requiere un ajuste matemtico en el proceso de modelado o una medicin indirecta del mismo. Un modelo altamente medible debe establecer un conjunto de pruebas que garanticen resultados repetibles y una medicin precisa de los parmetros fsicos que involucra.

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Precisin
Capacidad de predecir con bajas tasas de error el comportamiento tanto determinstico como aleatorio de cada uno de los parmetros elctricos. El comportamiento determinstico ser relevante en la estimacin del desempeo del circuito, en contraste con el comportamiento estocstico, el cual ser til para la estimacin del rendimiento.

en el anlisis y determinacin del mismatch. El objetivo es exponer las ideas fundamentales de cada uno de estos tres modelos, para luego establecer en la seccin de Discusin un anlisis bajo los seis criterios anteriores.

Modelo de Pelgrom (1989)

Propuesto en (Pelgrom, 1989), se convirti en el primer modelo de mismatch estandarizado por la industria, debido a su precisin y aplicabilidad adecuadas a las escalas de integracin de su momento. Por primera vez se distinguen matemticamente las variaciones de proceso globales y locales. Adems, se reconocen algunas de las causas fsicas que originan el mismatch en la corriente. Sobre estas consideraciones, se establece una discusin basada en el anlisis y las mediciones del voltaje umbral, el factor de corriente y el factor de substrato del transistor MOS como funcin del rea, la distancia y la orientacin del transistor. Su correcto anlisis, medicin y extrapolacin lo convirtieron en el modelo ms representativo del mismatch y uno de los trabajos ms indexados en el rea de la microelectrnica. Para Pelgrom, el valor de un parmetro P est compuesto por un trmino constante y otro variable aleatoriamente. Para el caso estocstico, se establecen variaciones locales como ruido blanco espacial, caracterizado por una baja correlacin con la distancia. Conjuntamente, dado que la ubicacin del die2 en la oblea antes del empaquetado es desconocida, el efecto de la distribucin circular en el mismatch puede ser modelado como un proceso estocstico adicional de una gran correlacin con la distancia entre dos transistores. De esta manera, Pelgrom dene la varianza en la desviacin del parmetro P de dos transistores con ancho W, longitud L y espaciamiento Dx a lo largo de x, como:

Utilidad
Un modelo estadstico preciso no garantiza su fcil aplicabilidad en el ujo de diseo, ni mucho menos una utilizacin en clculos manuales. Los modelos que precisen pocos parmetros, expresiones matemticas simples y tiempos de convergencia bajos son los ms aptos para el diseo. Adems, deben establecer los componentes que sern incluidos en simulaciones pre-layout1 y en la extraccin pos-layout.

Adaptabilidad
Se debe garantizar que el modelo sea independiente del tipo de proceso utilizado y de la longitud mnima de canal. En consecuencia, debe permitir la inclusin de nuevos fenmenos fsicos sin un drstico cambio en su formulacin. El tema del mismatch ha empezado a ser recurrente en el diseo analgico, llegndose a publicar ms de una docena de modelos al respecto. El modelo que se considera pionero fue propuesto en Lakshmikumar (1986) y brind un punto de partida para el tratamiento y derivacin matemtica del fenmeno aplicado al diseo. Basados en este trabajo surgieron modelos como el de Pelgrom (1989), el cual sera ampliamente aceptado por la industria. Trabajos posteriores se pueden considerar ampliaciones de ste, en donde se incluan los efectos de la reduccin del canal que comenzaban a ser relevantes en procesos de escala nanomtrica. Luego surgen trabajos como los de Serrano (2004) y Galup (2005), que tienen la ventaja de modelar continuamente el mismatch del transistor MOS. Hasta el momento el nico modelo que se ha mantenido como estndar en la industria es Pelgrom, pero las exigencias actuales de conabilidad en los dispositivos requieren un inminente cambio. El estudio de los modelos conduce a tres trabajos que se consideran fundamentales, relevantes e innovadores
1

2 (P) =

AP 2 + S P 2 Dx 2 WL
2

(1)

donde AP es la constante de proporcionalidad con el rea para el parmetro P, mientras que SP describe la variacin del parmetro P con el espaciamiento Dx. Las constantes de proporcionalidad se denen por medio de la varianza de los parmetros. Cualitativamente, las variaciones locales disminuyen a medida que el tamao del dispositivo aumenta, puesto que los parmetros se promedian sobre una mayor rea o distancia.
2

Trmino en ingls utilizado para referir la representacin grca de la disposicin de las mscaras empleadas en el proceso de fabricacin de un CI.

Un die es un complejo conjunto de componentes electrnicos y sus interacciones impresos y enclavados en una pequea pieza de material semiconductor.

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Pelgrom establece la expresin del mismatch en la corriente de drenador entre dos transistores como

2I
I
2

4 2Vt (VGS Vt )
2

2 2

(2)

Modelo de Drennan (2003)

Usado exclusivamente durante varios aos por Motorola, este modelo surge como respuesta a una serie de defectos en la implementacin y estimacin del mismatch por Pelgrom. Intenta describir en un sentido ms fsico este fenmeno, obtenindose as un modelo aplicable a un amplio rango en la polarizacin y las condiciones de geometra del transistor. Discrepa en que el aumento del rea en todos los casos genera una inminente disminucin del mismatch. Para el modelado, Drennan considera dos tipos de parmetros: parmetros de proceso y parmetros elctricos. Los parmetros de proceso son aquellos fsicamente independientes de los parmetros que controlan el comportamiento elctrico del dispositivo. Por su parte, los parmetros elctricos son los parmetros de inters para el diseador.
Parmetros de proceso Voltaje de banda plana (Vfb) Movilidad de portadores () Concentracin de dopantes del substrato (NSUB) Desviacin de longitud de canal (L) Desviacin del ancho (W) Efecto de canal corto en Vt (Vtl) Efecto de la estrechez del ancho en Vt (Vtw) Espesor del xido de puerta (tox) Resistencia de drenador-fuente (sh)

La tabla 1 contiene ejemplos de parmetros de proceso incluidos en este modelo y los parmetros elctricos relevantes. Por ejemplo, el voltaje umbral Vt no es un parmetro de proceso, ya que depende de V fb , tox, NSUB, L y W. El parmetro Vt exhibe una dependencia directa con Vfb y tox, inversa con W y L y logartmica con NSUB. Lo anterior signica que la estimacin de la varianza de va la relacin Pelgrom es fsica y matemticamente incorrecta. Fundamentado en la dependencia de la varianza de cada parmetro con el dimensionamiento, en conjunto con la teora de propagacin de la varianza (POV) (Lei, 1998), Drennan establece la ecuacin (3). El signo () en la tabla indica una variable normalizada. El vector del lado izquierdo de (3) es un conjunto de n desviaciones estndar recolectadas de muchos dies, en varias condiciones de polarizacin y geometra. La combinacin de las condiciones se establece de manera que cada una de las varianzas sea medida en sus casos ms signicativos. La matriz en (3), contiene el cuadrado de las sensibilidades de I d , con respecto a cada uno de los parmetros de proceso. Estas sensibilidades son numricamente evaluadas usando SPICE en las condiciones de geometra y polarizacin correspondientes a la medida.
Tabla 1. Parmetros elctricos y de proceso ms relevantes en el mismatch

Parmetros elctricos Corriente de drenador (ID) Voltage puerta-fuente (VGS) Transconductancia principal (gm) Transconductancia de salida (gO)

(3)

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Determinados los valores de las dos matrices en (3), el vector del lado derecho puede calcularse usando una regresin lineal. Bsicamente, cada parmetro se supone independiente, pero si el mtodo determina una correlacin signicativa entre stos, implicar que ha sido tomado un conjunto incorrecto de parmetros.

secciones del canal, sumndose en forma de ruido blanco a lo largo del perl de dopaje (Yang, 2003). Para modelar matemticamente el efecto del perl de dopaje, se dene la constante como el valor que pondera verticalmente la deexin de carga, matemticamente sera:
yd

Modelo Galup-Montoro (2007)

Este modelo fue propuesto como parte integral de una nueva generacin de modelos compactos, que tienen la ventaja de modelar continuamente la operacin del transistor desde inversin dbil hasta inversin fuerte. La derivacin de sus expresiones se hace a partir del modelo elctrico planteado en (Galup, 2007) denominado ACM (Advanced Compact Model). Dado a que el impacto de las uctuaciones locales de dopantes en el mismatch son signicativas (Yang, 2003), este modelo deriva sus expresiones basado en la teora de la uctuacin en el nmero de portadores, usada tambin para determinar el ruido 1/f del transistor en el modelo ACM. Las mediciones hechas por trabajos anteriores (Croon, 2002) y (Serrano, 2004) han mostrado una alta dependencia de la corriente con las variaciones en Vt , las cuales se atribuyen ampliamente a las uctuaciones en los dopantes. Las uctuaciones en la corriente de drenador resultan de la suma de todas las uctuaciones locales a lo largo del canal. Dada la no-uniformidad en los efectos del canal, el transistor se modela como tres dispositivos dispuestos en serie como se muestra en la gura 1a: un transistor superior, un transistor inferior y un pequeo elemento de canal de longitud x, representado por una resistencia. El propsito de esta fragmentacin consiste en promediar de una manera ms acertada los efectos individuales subyacentes al canal. Existen bsicamente dos tipos de uctuaciones de los dopantes: las globales y las locales. Las primeras se reeren al valor promedio a lo largo del canal, y son las responsables de establecer el denominado perl de dopaje como se muestra en la gura 1b, el cual es altamente dependiente de la tecnologa. Mientras tanto, las uctuaciones de dopantes locales ocurren en pequeas a)

N ci =

y N A 1 dy yd

(4)

donde NA es la concentracin neta de dopantes tanto aceptores como donadores en un volumen elemental de la capa de deexin. Galup-Montoro (2007) establece que la varianza de la corriente de un transistor MOS en sub-umbral, saturacin o trodo en trminos de parmetros del modelo ACM est determinada por:

2I
I
2

1+ if N ci 1 ln *2 WLN i f ir 1 + ir

(5)

donde N* se dene como:

N* =

nCoxt q

(6)

La ecuacin (5) puede simplicarse para unas condiciones especcas. En el caso de inversin dbil, i f ir y if<<1, as (5) se convierte para inversin dbil en:

2I

I 2D

N ci WLN *2

(7)

Incluyendo los efectos de primer orden en la variacin de la movilidad, el grosor del xido de puerta y el factor de pendiente se dene BI , incluyendo este factor SQ en la ecuacin (5), para toda regin se tiene

2I
I
2

1+ if 1 N ci 1 ln *2 WL N i f ir 1 i f
b)

+ BI SQ

(8)

Figura 1. a) Modelo del canal en ACM; b) Perfil de la regin de deflexin

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Discusin
Esta seccin se dedica a discutir los tres modelos de mismatch antes mencionados bajo cada uno de los seis criterios establecidos. Se pretende as brindar un enfoque crtico al modelado estadstico y la estimacin del rendimiento en circuitos analgicos, con el n de guiar la eleccin del modelo a utilizar en los distintos contextos del diseo de los CI.

cin de la varianza establecido por Drennan se producen los mismos resultados que (2), por lo que la expresin (9) carece de contexto.

Significado fsico
Pelgrom establece los componentes fsicos mutuamente independientes que inuyen en el factor de corriente , pero tal consideracin no fue tomada para la deduccin de la varianza de Vt. El voltaje umbral es dependiente de Vfb, W, L, tox y NSUB; por su parte, el factor de corriente depende de W, L, y NSUB, en consecuencia, existira una correlacin entre la varianza de y Vt a travs de W, L y tox. La ecuacin (2) al despreciar los trminos comunes entre las dos varianzas, est sobre-estimando el mismatch de la corriente, en conjunto con su derivacin del modelo cuadrtico de nivel 1, lo cual la convierte en una estimacin poco conable. Por su parte, Drennan (2003) teniendo en cuenta esta sobre-estimacin, redene (2) como:

Figura 2. Mismatch de ID vs. VGS-Vt

2I
2 ID

2 + 4 2V

to

(VGS Vt ) 2

(9)

La expresin anterior presenta una inconsistencia de unidades para que sea coherente a este respecto, la 2 varianza del factor de corriente debera estar en [V2]. En la gura 2 se contrastan las expresiones (2) y (9) junto con la estimacin de la varianza de la corriente I D bajo el modelo BSIM3v3. Para este propsito se variaron UO, TOX y VTH0 fundamentados en la informacin extrada de los modelos worst-case3. Luego el resultado se contrast con el clculo de las expresiones tericas de primer nivel. Es interesante destacar la sobre-estimacin de las dos expresiones tericas para valores bajos, debido a las diferencias con BSIM3v3, pero (9) comienza a ser un buen estimativo de la varianza de la corriente para tensiones mayores a 0,3[V]. Por su parte, la expresin (2) de Pelgrom es un mejor tasador de la varianza de la corriente del modelo BSIM, que la ecuacin de Drennan. Siguiendo el esquema de propaga3 Entre los modelos worst-case estn: tpico, peor caso en velocidad, peor caso en potencia, y a nivel digital peor caso del cero y el uno.

En el caso de Drennnan se distinguen correctamente los parmetros de proceso mutuamente independientes, pero es el modelo de simulacin el que determina su correlacin por medio de un anlisis de sensibilidad. A pesar de que los resultados de las sensibilidades sean medianamente dependientes del error tolerable y el paso de simulacin, trabajar directamente sobre el modelo comportamental trae benecios como la reduccin del error de estimacin. Otro aspecto importante de esta formulacin consiste en el carcter ms fsico que adquiere la dependencia de los parmetros a la contribucin total del mismatch, gracias a la teora de la propagacin de la varianza, la cual indaga directamente la dependencia en la ecuacin comportamental. Para Pelgrom, ste era un trmino constante dividido por el rea, sin distincin alguna del parmetro tratado. Por ejemplo, el factor de corriente tiene una dependencia inversa con respecto al ancho W, pero esta caracterstica no es evidenciada en el clculo de , donde se observa una dependencia proporcional. En el trabajo de Galup, las ecuaciones se fundamentan en un modelo totalmente fsico y continuo: el modelo ACM. Las derivaciones a pesar de que no incluyen los efectos en la movilidad, el xido de puerta, o la pendiente de sub-umbral, son coherentes y detallistas. Una amplia deduccin matemtica se lleva a cabo para tomar en cuenta slo un factor de mismatch: el efecto de uctuacin de los portadores locales, lo cual medira lo complejo que podran resultar futuras inclusiones. Se evidencia un problema que surge de la suposicin del parmetro Noi como una cantidad constante. Al parmetro Noi estn ligados fenmenos despreciados en la derivacin del modelo, los cuales estn relacionados con el efecto cuerpo y el efecto de la tensin de drenador-

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fuente sobre el perl de dopaje y la tensin umbral denominado DIBL (Drain Induced Barrier Lowering), entre otros. Un mejor modelado podra llevar a expresiones ms complejas pero que le daran mayor signicado fsico al modelo.

Continuidad
La deduccin del modelo Pelgrom fue hecha exclusivamente para transistores con canal invertido, por lo que sub-umbral est excluido. Debido a esto se intentar ajustar la expresin (2) de la manera ms general, con el propsito de lograr incluir sub-umbral en sta. Otra forma de expresar la varianza de la corriente despreciando los efectos de sera:

I2

2 ID

2 AVt g m WL I D

(10)

En principio, (10) denira la varianza de la corriente de un transistor MOS en un amplio rango de polarizacin que incluye inversin dbil, por lo tanto, Pelgrom sera continuo Pero (10) es una expresin adecuada para I D ? La respuesta es s. Utilizando el concepto de propagacin de la varianza usado en (Drennan, 2003) se tiene:

situacin que se repite en el clculo de las sensibilidades. Pero la continuidad de los parmetros de este modelo, como la pendiente de sub-umbral n y el coeciente DIBL en sub-umbral, estara ampliamente limitada, dado que stos tan slo aparecen o son relevantes para ciertas regiones de operacin. La continuidad de este modelo no es dependiente slo del modelo de simulacin, sino del conjunto de datos recolectados, pues el clculo de cada una de las varianzas de los parmetros debe converger a un valor constante para distintas condiciones de dimensionamiento y polarizacin. En conclusin, se podra armar que el modelo de Drennan es condicionalmente continuo. El modelo de Galup-Montoro es continuo, pues apoya toda su deduccin sobre la base de un modelo continuo como el modelo ACM, del cual propone una expresin para el mismatch, que es vlida para un amplio intervalo de polarizaciones. sta es una gran ventaja en la medida en que el mismatch pasa a ser una expresin determinista como lo es la corriente. Posiblemente la inclusin de fenmenos despreciables en la deduccin del modelo garanticen su continuidad.

Medibilidad
Una cualidad importante del modelo de Pelgrom es su procedimiento original de medida, ya que se calculan tanto los parmetros elctricos (Vt, , K, ) como sus varianzas en un proceso donde se involucran varios lotes durante varios aos. Por lo tanto, la credibilidad de los datos es alta. El clculo de los parmetros elctricos fue realizado por medio del ajuste matemtico, y partiendo de la expresin cuadrtica de la corriente, vlida slo para canales largos. En el contexto de Pelgrom, el error inherente a la aplicacin de la ecuacin cuadrtica es bajo, dado que se trata de un proceso de 1,6 m , pero para escalas menores se hace imprescindible el uso de las ecuaciones comportamentales, que incluyen un conjunto ms amplio de parmetros. De esta manera, los procesos de ajuste de parmetros se van haciendo ms tediosos, por lo cual comnmente se ha optado por el anlisis y la medicin de un nico parmetro elctrico como la corriente. En consecuencia, el valor de las constantes del modelo Pelgrom para cada parmetro es fcilmente calculable dada la simplicidad de la ecuacin (1). La adopcin de la corriente como parmetro esencial en la medicin del mismatch es obvia, ya que el transistor MOS es un transconductor. El proceso de medida en el modelo Drennan parte de una correcta inclusin de parmetros de proceso altamente dependientes, de manera que estos no se vean correlacionados entre s. La etapa ms crtica consiste

I2

2 ID

2 1 I D 2 V 2 I D Vt t

(11)

Pero la derivada de la corriente ID con respecto al voltaje umbral Vt tanto en sub-umbral como en canal invertido es igual a gm. Por lo tanto (11) se convierte en:

I2

2 ID

g 2 = m Vt ID

(12)

la cual corresponde a la misma expresin en (10). De esta manera, se establece una continuidad del modelo Pelgrom, vlida nicamente para un I dependiente tan slo del mismatch en Vt. Cabe aclarar que la continuidad est limitada a la derivacin de la varianza de la corriente por medio de la ecuacin cuadrtica bsica. Para otras ecuaciones y parmetros, es posible que el modelo Pelgrom no sea continuo. La expresin de Drennan es tan continua como el modelo de simulacin usado para calcular las sensibilidades. Para el caso de BSIM3v3, el cual est denido por partes; inicialmente las ecuaciones garantizan una continuidad en el rango de la polarizacin para un dispositivo con dimensiones estticas, que luego se verica calculando el error relativo entre dos iteraciones,
D

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en la seleccin de las dimensiones y condiciones de polarizacin que resultan relevantes para cada parmetro, y que permitiran calcular la varianza relacionada a ese parmetro. Esto representa un inconveniente alto para aquellos conjuntos de valores donde dos o ms parmetros son signicativos al mismatch total, pues se requeriran al menos un nmero de muestras iguales al nmero de parmetros relevantes en una determinada condicin de polarizacin. El diseador est lejano de percibir estos casos excepcionales, por lo que el clculo de la regresin matemtica determinara errneamente las varianzas, en el mejor caso donde no se encuentre una singularidad en la matriz (3). Por lo tanto, se requiere un alto grado de conocimiento del proceso para efectuar una medicin correcta del modelo de Drennan. La caracterizacin de una tecnologa bajo el modelo de mismatch de Galup-Montoro implica la estimacin de dos valores caractersticos: Nci y BI . Por lo tanto, el SQ proceso de caracterizacin basado en una regresin matemtica es sencillo y preciso. El modelo de Galup extrae el parmetro Nci de la curva de la varianza de la corriente en sub-umbral, luego este valor se usa junto con la ecuacin (8) para calcular el parmetro de las medidas hechas en inversin fuerte, tanto para saturacin como para trodo. Pero el perl de dopaje, que determina N ci es altamente dependiente de la polarizacin, tanto de puerta como de drenador-fuente (Yang, 2003). Lo anterior indica que el procedimiento usado por Galup-Montoro para el clculo de BI es incorrecto. Las SQ medidas ratican las suposiciones hechas acerca del carcter fsico de Nci, donde ste exhibe un comportamiento impredecible. Adems, se usan medidas de transistores con efecto cuerpo, las cuales tambin modican el perl de dopaje. Cabe destacar el mtodo de medicin llevado a cabo, el cual usa una estructura de

espejo de corriente. Este proceso incluye la toma de medidas por medio de diferentes unidades de prueba, para luego promediarlas y reducir el error. Ni Drennan ni Galup-Montoro tienen en cuenta la medicin de las variaciones globales.

Precisin
La cualidad de precisin de un modelo depende altamente del proceso de fabricacin bajo el cual ste fue caracterizado. Por lo tanto, intentar comparar modelos medidos bajo distintas condiciones es algo contraproducente. Para analizar la precisin del modelo Pelgrom en escalas de integracin actuales, se comparan las expresiones (7) y (12), que describen la varianza de la corriente en sub-umbral del modelo de Pelgrom y Galup, respectivamente. Ambas tienen dos cosas en comn: incluyen bsicamente el efecto de dopantes locales en el mismatch que inuyen V y poseen la misma estructut ra matemtica, ya que gm/ID en sub-umbral es un trmino constate igual a 1/nUT. Sentencia que puede ser conrmada a partir de la gura 3a, donde se comparan en simulacin los tres modelos discutidos. En este sentido, la precisin de ambos modelos es la misma para el dominio de polarizacin sub-umbral. Los resultados mostrados en (Galup, 2005) muestran una adecuada aproximacin en la estimacin del mismatch, por medio del modelo de Galup, para transistores polarizados en inversin dbil y de tamaos medianos. Estas mismas tasas de precisin no se obtienen para transistores con dimensiones pequeas y en aquellos cuyo cuerpo est polarizado, presentndose as valores impredecibles para el parmetro Nci. Realmente, las caractersticas elctricas de los dispositivos de canal corto son muy dependientes de los efectos de borde en el perl de dopaje. Adems, para

Figura 3. a) Comparacin de los tres modelos; b) Efecto de Nci y de BI en el mismatch

SQ

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dimensiones nanomtricas, las regiones de dopaje del drenador y la fuente estn muy cercanas, tornando altamente sensitiva la capa de deexin debajo del canal. Para analizar la pertinencia de la inclusin de BI , se simula el efecto que tienen las variaciones despreciadas en la ecuacin (5), que para este caso corresponden a tox, NSUB, O , y rsh basadas en los modelos worst-case otorgados por el fabricante del CI. En la gura 3b se observa una tendencia altamente lineal para reas algo mayores a 1 m2. Por lo tanto, es posible que la inclusin de BI SQ modele acertadamente estos efectos para dispositivos medianos y grandes. El modelo Drennan al haber sido ya usado en la industria como el modelo Pelgrom, indicara lo adecuado, y por ende lo preciso que resultara ser en la prctica. Pero la evaluacin del modelo de Drennan involucra inmediatamente dos factores analizados antes: el modelo de simulacin usado y el conjunto de pruebas de caracterizacin llevado a cabo. Por lo tanto, la precisin del modelo de Drennan es altamente dependiente del contexto bajo el cual se haya derivado.
SQ

Utilidad
La sencillez y adecuada precisin de su tiempo convirtieron a Pelgrom en un modelo estndar en la industria e indudablemente en el modelo ms til, hasta el momento, de la microelectrnica. La utilidad del modelo Pelgrom se fundamenta en una premisa esencial: el aumento de rea del dispositivo disminuye proporcionalmente su variabilidad. A pesar de que esta consigna se haya usado ampliamente en el diseo, no resuelve preguntas que buscan controlar ms a nivel fsico y de circuito el fenmeno del mismatch. Adems, el diseo ha migrado a distintas regiones de polarizacin y los procesos de fabricacin han incluido nuevas estrategias de implantes de impurezas que no pueden ser modelados por las mismas ecuaciones que derivaron este modelo. Otro aporte esencial del modelo Pelgrom consiste en la inclusin de las variaciones globales en los procesos que involucran el diseo del layout, y que fundamentaron tcnicas como el centroide comn. La utilidad del modelo Pelgrom es indudable: las varianzas de los parmetros en relacin con el dimensionamiento del dispositivo pueden ser utilizadas para estimar y diezmar el efecto del mismatch como tambin para proponer nuevos modelos. La utilidad del modelo Drennan se enfoca en la etapa de vericacin del diseo, pero no en el diseo mismo, pues las expresiones en (3) slo pueden evaluarse por medio de simulacin, partiendo de un dimensionamiento previo del circuito. Para efectuar

estimaciones manuales de mismatch, se debe recurrir a modelos como el de Pelgrom. Adems, bajo el modelo de Drennan no pueden efectuarse fcilmente compromisos como mnima rea y variabilidad, dado a que en cada parmetro est ligada una sensibilidad dependiente del dimensionamiento. La evaluacin de este tipo de compromisos implicara la caracterizacin de la sensibilidad para un amplio rango de dimensiones, en conjunto con tcnicas computacionales. El modelo de Drennan no propone una estrategia distinta que pueda llevarse a nivel de layout, por lo que el circuito es transparente a los efectos de la disposicin de los elementos en el layout. El modelo de Galup-Montoro es til en la medida en que el modelo ACM se asocie con las herramientas de simulacin y diseo. El modelo ACM ya se ha implementado en simulacin (Filho, 1999) y sus parmetros se han extrado del modelo BSIM3v2 por dos mtodos: confrontacin de ecuaciones y simulacin (Coitinho, 2001). A pesar de eso, no existen herramientas comerciales que tengan a su disposicin la implementacin del ACM, por lo que contrastar resultados en el proceso de diseo bajo dos modelos diferentes se convierte en un proceso tedioso. La principal utilidad de Galup es la obtencin de un modelo fsico, continuo y relativamente sencillo que describe acertadamente el fenmeno del mismatch. Por ltimo, es bueno establecer que en este modelo no se consideran las variaciones globales, por lo tanto, resulta poco til para simulaciones posteriores del layout.

Adaptabilidad
En el modelo Pelgrom, se ha presentado una disminucin en el valor de AV con la reduccin del tamao de T los transistores MOS (Kinget, 2005). Por lo tanto, un dispositivo que ocupe un rea constante mejorar su precisin en futuros procesos sub-micrn. Pero esta tendencia de mejoramiento se ve contrastada con el aumento de la densidad de integracin, ligada a una menor rea por dispositivo, lo que conduce a un aumento en la variabilidad. La disminucin del tamao caracterstico es cuadrtica comparada con la disminucin lineal de AV (Kinget, 2005). Adems, las nuevas tenT dencias en circuitos promueven un bajo (VGS Vt ) , por lo que una proporcin alta de (gm/ID), tal que los errores en Vt debido a los fenmenos inherentes al canal comienzan a ser considerables. En consecuencia, la variabilidad de muchos parmetros se torna ms dependiente a la longitud de canal que del ancho del transistor, razn por la cual el exponente de 1/L debe ser aumentado con respecto al exponente de 1/W.

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Anlisis y evaluacin de los modelos estadsticos para el diseo de circuitos integrados

La insuciencia del modelado en Pelgrom es notoria en tecnologas de escalas sub-micrn. Para estimar el mismatch en la corriente de procesos futuros, se debe llevar a cabo una nueva derivacin del modelo basada en ecuaciones de canal corto. A pesar de esto, la esencia de la ecuacin (1) se seguir manteniendo para muchos de los parmetros durante los aos futuros. En general, se puede decir que la escalabilidad en el modelo Pelgrom es limitada. En Drennan se siguen manteniendo la dependencia del dimensionamiento con la varianza de los parmetros dispuesta por Pelgrom, pero se le agrega un nuevo componente: las sensibilidades. El anlisis entre las sensibilidades y el escalamiento muestra un aumento de stas conforme se reduce el dimensionamiento. Esta deduccin es consecuente con el recurrente concepto del mismatch, por lo que el escalamiento produce resultados coherentes en el modelo Drennan. Se podra armar de esta manera que el modelo de Drennan es altamente escalable. Finalmente se analiza la escalabilidad del modelo de Galup-Montoro. Inicialmente, la ecuacin (7) evidencia una tendencia similar a la establecida por Pelgrom, esto puede corroborse a partir de los resultados comparativos de los tres modelos presentados en la gura 3a. El efecto de escalamiento sobre las corrientes if e ir es mnimo, dado a que stas son parmetros normalizados. La gran diferencia se establece en Nci, el cual es altamente sensible al escalamiento como conrm el anlisis de medibilidad de este modelo. Para adecuarlo a futuras generaciones de proceso, el modelo se torna fcilmente escalable si se incluye la dependencia de los voltajes dreno-fuente VDS y fuente-substrato VSB sobre el parmetro Nci. Adems si se reconrma la pertinencia de la inclusin del factor BI SQ para modelar los efectos de la variabilidad de otros parmetros como tox, NSUB y O.

Conclusiones
El modelo Pelgrom, al establecer de manera sencilla una tendencia y no un estimativo de variabilidad en el circuito, resulta adecuado como punto inicial para su dimensionamiento. De esta manera, la ecuacin (1) fcilmente acotara el espacio de diseo en el contexto de la determinacin de las mnimas reas permisibles, de forma tal que etapas posteriores de dimensionamiento sean garantizadas en el marco del diseo para fabricacin. Por su parte, los bajos niveles de precisin del modelo Pelgrom en tecnologas sub-micrn, hacen de ste un estimativo inadecuado para las fases que involucran la validacin del diseo. La sobreestimacin del mis-

match en las etapas de validacin del diseo origina un re-dimensionamiento que tender a exceder el rea a niveles poco permisibles. Paralelamente, una sub-estimacin del mismatch conduce a resultados de rendimiento sobreestimados que enaltecen la robustez del circuito en conjunto con las herramientas y metodologas asociadas al diseo. De esta manera, en bsqueda de una adecuada estimacin para la validacin nal del diseo y habiendo descartado el modelo de Pelgrom para tal propsito, el diseador se encuentra ante los dos modelos restantes estudiados en el presente trabajo. Por un lado, el modelo de mismatch fundamentado en el modelo ACM resulta ser un estimativo relativamente sencillo y considerablemente adecuado para la fase de vericacin y re-dimensionamiento del circuito, pero presenta dos limitantes importantes. Primero, no existen las herramientas comerciales que permitan una aplicabilidad global del modelo ACM en el ujo de diseo y entonces se requiere la implementacin de por lo menos dos modelos para la fase de diseo. Y segundo, la expresin que propone la varianza de la corriente se reduce a la establecida por Pelgrom en transistores polarizados en sub-umbral, representando una transparencia en la aplicabilidad de estos dos modelos para diseos que requieran bajo consumo de potencia. Al ser ACM un modelo relativamente reciente, requiere de desarrollos posteriores que lo extiendan para transistores en subumbral y fenmenos no tenidos en cuenta como las variaciones en el xido de puerta. Por otro lado, Drennan propone un modelo lo sucientemente complejo como para no usarlo en la etapa de diseo, dado que su expresin involucra de manera distinta las sensibilidades de cada uno de los parmetros fsicos relevantes. El tedioso clculo ligado a la determinacin de las dimensiones en la expresin (3), hacen de ste un modelo inadecuado para establecer compromisos entre variables de diseo ligadas al dimensionamiento con las especicaciones de rendimiento y desempeo establecidas. Pero la expresin en (3) se torna fcilmente calculable cuando las dimensiones y polarizaciones han sido denidas previamente, es decir, cuando ya se cuenta con un diseo preliminar para vericacin. De esta manera, la seleccin de los modelos a usar requiere el anlisis bajo marcos de diseo distintos. Primero, dadas unas exigencias iniciales de circuito a nivel de variabilidad, el rea debe ser restringida a los valores mnimos permisibles. Este proceso al requerir slo una tendencia de variabilidad y excluyndose del anlisis de un circuito ya dimensionado, puede bordarse ampliamente por medio de un modelo como Pelgrom. Por consiguiente, el diseo nal al involucrar altas exi-

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Senz-Noval J.J. y Roa-Fuentes E.F.

gencias de precisin en la estimacin de su desempeo y rendimiento, requiere un modelo bastante acorde con los resultados de silicio. Al haber descartado tanto Pelgrom como ACM para este propsito, convierten a Drennan en el modelo adecuado para la validacin del diseo. Debe ser clara la idea de que la eleccin de un modelo de mismatch est ampliamente ligada al contexto bajo el cual se requiera determinar la variabilidad. Por ejemplo, para transistores polarizados en saturacin, la expresin (5) que propone el modelo ACM podra usarse en la etapa de vericacin, ya que describe adecuadamente la varianza de la corriente en esta regin. De otra manera, la variabilidad de inversin dbil al ser ms alta que la de saturacin, requiere un proceso de estimacin ms riguroso. Dependiendo de la metodologa de diseo adoptada, la eleccin de los modelos del mismatch debe adecuarse a las intenciones y medios presentes de cada una de las etapas del ujo de diseo.

Referencias
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Semblanza de los autores

Jorge Johanny Senz-Noval. Ingeniero electrnico de la Universidad Industrial de Santander en Bucaramanga, Colombia. Es asesor de investigacin del grupo de diseo en circuitos integrados CIDIC, en el cual elabora en conjunto, un receptor inalmbrico en un solo chip. Sus reas de investigacin son: metodologas de diseo para fabricacin (DFM), herramientas de diseo electrnico asistido por computador EDA y circuitos de baja potencia. Actualmente realiza sus estudios de maestra en ingeniera electrnica en la Universidad de So Paulo. lkim Felipe Roa-Fuentes. Ingeniero elctrico de la Universidad Industrial de Santander en Bucaramanga, Colombia. Obtuvo el grado de maestro en la Universidad de So Paulo en Brasil con la tesis Una metodologa para el diseo de un amplicador de bajo ruido CMOS. Es director del grupo de diseo en circuitos integrados CIDIC. Fue profesor asistente de la Universidad Industrial de Santander en los cursos de diseo de circuitos analgicos, microelectrnica I y microelectrnica II. Actualmente est realizando sus estudios de doctorado en Purdue University, EU.

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