FATOR DE POTNCIA E DISTORO HARMNICA

Apresentao Este texto foi preparado para o curso de extenso "Influncia dos Harmnicos nas Instalaes Eltricas Industriais" promovido pelo Departamento de Engenharia Eltrica da Universidade Federal de Mato Grosso do Sul, ministrado nos dias 17, 18 e 19 de junho de 1997. Trata-se de um curso voltado para profissionais atuantes no setor eltrico e interessados em acompanhar as inovaes tecnolgicas decorrentes da evoluo da Eletrnica de Potncia, especialmente as possibilidades do condicionamento de energia eltrica visando aprimorar a qualidade do produto Energia Eltrica. Inicialmente, no captulo 1, faz-se uma discusso sobre Fator de Potncia e Harmnicas, vinculando-os em termos da influncia das harmnicas sobre o fator de potncia de um sistema. A seguir, no captulo 2, so apresentadas algumas normas e regulamentaes que limitam a contaminao harmnica de um sistema ou a emisso de uma carga. No captulo 3 so apresentados os componentes semicondutores de potncia que so utilizados em conversores estticos que, em ltima instncia, so os responsveis pelo aumento da distoro presente na rede. Paradoxalmente, so estes mesmos conversores que permitem a compensao das distores quando adequadamente empregados. No captulo 4 so apontados os efeitos sobre os componentes de um sistema eltrico e as causas da distoro harmnica. Nos captulos 5, 6 e 7 so apresentadas solues para a minimizao da distoro harmnica, iniciando com correes passivas, passando para as ativas, como os pr-reguladores de fator de potncia e os filtros ativos. Este um material que deve sofrer constantes atualizaes, em funo da constante evoluo tecnolgica na rea da Eletrnica de Potncia, alm do que, o prprio texto pode ainda conter eventuais erros, para os quais pedimos a colaborao dos estudantes e profissionais que eventualmente fizerem uso do mesmo, no sentido de enviarem ao autor uma comunicao sobre as falhas detectadas. Os resultados experimentais includos no texto referem-se a trabalhos executados pelo autor, juntamente com estudantes e outros pesquisadores e foram motivo de publicaes em congressos e revistas, conforme indicado nas referncias bibliogrficas. Textos semelhantes foram, ou esto sendo produzidos referentes s disciplinas de "Fontes de Alimentao com Correo de Fator de Potncia" "Fontes Chaveadas" e "Eletrnica de Potncia". Arquivos em formato .PS esto disponveis a cada captulo.Cursos de Extenso sobre estes assuntos so oferecidos sob demanda atravs da Escola de Extenso da UNICAMP.
Contedo
1. FATOR DE POTNCIA E DISTORO HARMNICA

1.1 FATOR DE POTNCIA 1.1.1 Definio de Fator de Potncia 1.1.2 Caso 1: Tenso e corrente senoidais 1.1.3 Caso 2: Tenso senoidal e corrente distorcida 1.1.4 Caso 3: Tenso e corrente no-senoidais, mas de mesma freqncia. 1.2 DESVANTAGENS DO BAIXO FATOR DE POTNCIA (FP) E DA ALTA DISTORO DA CORRENTE 1.2.1 Perdas 1.2.2 Capacidade de transmisso 2. NORMAS RELATIVAS CORRENTE DE LINHA: FATOR DE POTNCIA E HARMNICAS DE BAIXA FREQNCIA 2.1 FATOR DE POTNCIA 2.2 NORMA IEC 1000-3-2: LIMITES PARA EMISSO DE HARMNICAS DE CORRENTE (<16 A POR FASE) 2.3 RECOMENDAO IEEE PARA PRTICAS E REQUISITOS PARA CONTROLE DE HARMNICAS NO SISTEMA ELTRICO DE POTNCIA: IEEE-519 3. COMPONENTES SEMICONDUTORES DE POTNCIA 3.1 DIODOS DE POTNCIA 3.2 TIRISTOR 3.2.1 Princpio de funcionamento 3.2.2 Maneiras de disparar um tiristor 3.2.3 Parmetros bsicos de tiristores 3.2.4 Circuitos de excitao do gate 3.2.5 Redes Amaciadoras 3.2.6 Associao em Paralelo de Tiristores 3.2.7 Associao em srie de tiristores 3.2.8 Sobre-tenso 3.2.9 Resfriamento 3.3 GTO - GATE TURN-OFF THYRISTOR 3.3.1 Princpio de funcionamento 3.3.2 Parmetros bsicos do GTO 3.3.3 Condies do sinal de porta para chaveamento 3.3.4 Circuitos amaciadores (snubber) 3.3.5 Associaes em srie e em paralelo 3.4 TRANSISTOR BIPOLAR DE POTNCIA (TBP) 3.4.1 Princpio de funcionamento 3.4.2 rea de Operao Segura (AOS) 3.4.3 Conexo Darlington 3.4.4 Mtodos de reduo dos tempos de chaveamento 3.5 MOSFET 3.5.1 Princpio de funcionamento (canal N) 3.5.2 Caracterstica de chaveamento - carga indutiva 3.6 IGBT (INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR) 3.6.1 Princpio de funcionamento 3.7 MCT - MOS-CONTROLLED THYRISTOR 3.7.1 Princpio de funcionamento 3.7.2 Comparao entre P-MCT e N-MCT

4. EFEITOS E CAUSAS DE HARMNICAS NO SISTEMA DE ENERGIA ELTRICA 4.1 EFEITOS DE HARMNICAS EM COMPONENTES DO SISTEMA ELTRICO 4.1.1 Motores e geradores 4.1.2 Transformadores 4.1.3 Cabos de alimentao 4.1.4 Capacitores 4.1.5 Equipamentos eletrnicos 4.1.6 Aparelhos de medio 4.1.7 Rels de proteo e fusveis 4.2 CAUSAS DE DISTORO HARMNICA 4.2.1 Conversores 5. FILTROS PASSIVOS 5.1 FILTROS PASSIVOS APLICADOS A UM CONJUNTO DE CARGAS 5.2 FILTROS PASSIVOS APLICADOS CARGA 5.2.1 Exemplos monofsicos 6. CONDICIONAMENTO DA CORRENTE ABSORVIDA: PR-REGULADORES DE FATOR DE POTNCIA - PFP 6.1 RETIFICADORES MONOFSICOS: ESTUDO DO CONVERSOR ELEVADOR DE TENSO (BOOST) 6.2 O CONVERSOR ELEVADOR DE TENSO (BOOST) COM ENTRADA CC 6.2.1 Conduo contnua 6.2.2 Conduo descontnua 6.2.3 Conversor boost operando como PFP em conduo descontnua 6.2.4 Conversor boost operando como PFP em conduo crtica 6.2.5 Conversor Boost operando como PFP em conduo contnua 6.2.6 Conversor Boost operando em conduo contnua e controle por histerese 6.3 RETIFICADOR TRIFSICO A DIODOS 6.3.1 Conversor trifsicos com entrada indutiva como PFP 6.3.2 Conversor com chaveamento em baixa freqncia 7. FILTROS ATIVOS DE CORRENTE 7.1 SNTESE DE FORMAS DE ONDA UTILIZANDO INVERSORES 7.1.1 Tcnicas de modulao 7.1.2 Sntese de correntes em inversor com acmulo indutivo 7.1.3 Sntese de correntes em inversor com acmulo capacitivo 7.1.4 Sntese de tenses 7.1.5 Modulao vetorial 7.2 FILTROS ATIVOS TRIFSICOS 7.2.1 Gerao de referncias de corrente utilizando a teoria da potncia instantnea de Akagi-Nabae 7.2.2 Estudo de caso com carga desequilibrada 7.2.3 Estudo de caso com alimentao desequilibrada 7.2.4 Estudo de tenses equilibradas, com harmnicas 7.2.5 Produo de compensao de tenso

7.2.6 Consideraes sobre as teorias de potncia 7.3 FILTRO ATIVO MONOFSICO 7.3.1 Estrutura de controle do filtro 7.3.2 Consideraes sobre o filtro de sada e o sistema de controle 7.3.3 Resultados experimentais 7.4 FILTROS HBRIDOS

Fator de Potncia
Consideremos, para efeito das definies posteriores o esquema da figura 1.1.

Figura 1.1 Circuito genrico utilizado nas definies de FP e tringulo de potncia.

Definio de Fator de Potncia

Fator de potncia definido como a relao entre a potncia ativa e a potncia aparente consumidas por um dispositivo ou equipamento, independentemente das formas que as ondas de tenso e corrente apresentem. Os sinais variantes no tempo devem ser peridicos e de mesma frequncia.

(1.1)

Caso 1: Tenso e corrente senoidais

Em um sistema com formas de onda senoidais, a equao 1.1 torna-se igual ao cosseno da defasagem entre as ondas de tenso e de corrente ( ). Analisando em termos das componentes ativa, reativa e aparente da energia, pode-se, a partir de uma descrio geomtrica destas componentes, mostrada na figura 1.1, determinar o fator de potncia como:

(1.2) A figura 1.2 mostra sinais deste tipo, com defasagem nula. O produto das senides d como resultado o valor instantneo da potncia. O valor mdio deste produto a potncia ativa, e tambm est indicada na figura. Em torno deste valor mdio flutua o sinal da potncia instantnea. O valor de pico deste sinal numericamente igual potncia aparente. Quando a defasagem nula o produto (potncia instantnea) ser sempre maior ou igual a zero. Considerando os valores utilizados na figura, os valores de pico das ondas senoidais so de 200V e 100A, o que conduz a valores eficazes de 141,4V e 70,7A, respectivamente. O valor calculado da potncia aparente de 10kW. Estes resultados so consistentes com os obtidos pela figura 1.2. A figura 1.3 mostra situao semelhante mas com uma defasagem de 90 graus entre os sinais. A potncia instantnea apresenta-se com um valor mdio (correspondente potncia ativa) nulo, como de se esperar. A amplitude da onda de potncia numericamente igual potncia aparente. Na figura 1.4 tem-se uma situao intermediria, com uma defasagem de 45 graus. Neste caso a potncia instantnea assume valores positivos e negativos, mas seu valor mdio (que corresponde potncia ativa) positivo. Utilizando a equao (1.2), a potncia ativa ser de 7,07kW, o que equivale ao valor indicado na figura.

Figura 1.2 Potncia com sinais senoidais em fase.

Figura 1.3 Potncia em sinais senoidais defasados de 90 graus.

Figura 1.4 Potncia em sinais senoidais.

Caso 2: Tenso senoidal e corrente distorcida

Quando apenas a tenso de entrada for senoidal, o FP expresso por:

(1.3)

A figura 1.5 mostra uma situao em que se tem uma corrente quadrada (tpica, por exemplo, de retificador monofsico com filtro indutivo no lado cc). Observe que a potncia instantnea no mais uma onda senoidal com o dobro da freqncia da senide. Neste caso especfico ela aparece como uma senide retificada. Neste caso, a potncia ativa de entrada dada pelo produto da tenso (senoidal) por todas as componentes harmnicas da corrente (no-senoidal). Este produto nulo para todas as harmnicas exceto para a fundamental, devendo-se ponderar tal produto pelo cosseno da defasagem entre a tenso e a primeira harmnica da corrente. Desta forma, o fator de potncia expresso como a relao entre o valor RMS da componente fundamental da corrente e a corrente RMS de entrada, multiplicado pelo cosseno da defasagem entre a tenso e a primeira harmnica da corrente. Os valores eficazes de tenso e de corrente so, respectivamente, 141,4V e 100A. Logo, a potncia aparente de 14,14kW. No entanto, a potncia mdia de 12,7kW. Este valor corresponde ao produto dos valor eficaz da tenso pelo valor eficaz da componente fundamental da onda de corrente, j que a defasagem nula. O valor de pico da componente fundamental de 127,3 A, correspondendo a um valor eficaz de 90 A. A figura 1.6 mostra uma decomposio da onda quadrada, indicando as componentes harmnicas (at a de stima ordem). Note que se for feito o produto da onda fundamental por qualquer das harmnicas, o valor mdio ser nulo, uma vez que se alternaro intervalos positivos e negativos de mesma rea.

Figura 1.5 Potncia em sistema com tenso senoidal e corrente no-senoidal.

Figura 1.6 Decomposio harmnica (srie de Fourier) de onda quadrada. A figura 1.7 mostra uma situao em que a corrente est "defasada" da tenso. esta forma de onda tpica, por exemplo, de retificadores controlados (tiristores), com filtro indutivo no lado cc. Nesta situao, a componente fundamental da corrente (que est "em fase" com a onda quadrada) apresenta uma defasagem de 36 graus em relao ao sinal de tenso. Fazendo o clculo do FP pela equao (1.3) chega-se ao valor de 10,3 kW, que corresponde ao valor obtido da figura. Note que no h alterao no valor da potncia aparente.

Figura 1.7 Potncia com onda de corrente no-senoidal. A relao entre as correntes chamada de fator de forma e o termo em cosseno chamado de fator de deslocamento

Por sua vez, o valor RMS da corrente de entrada tambm pode ser expresso em funo das componentes harmnicas:

(1.4) Define-se a Taxa de Distoro Harmnica (TDH) como sendo a relao entre o valor RMS das componentes harmnicas da corrente e a fundamental:

(1.5) Assim, o FP pode ser reescrito como:

(1.6) evidente a relao entre o FP e a distoro da corrente absorvida da linha. Neste sentido, existem normas internacionais que regulamentam os valores mximos das harmnicas de corrente que um dispositivo ou equipamento pode injetar na linha de alimentao.

Caso 3: Tenso e corrente no-senoidais, mas de mesma frequncia.

O clculo do FP, neste caso, deve seguir a equao (1.1), ou seja, necessrio obter o valor mdio do produto dos sinais a fim de se conhecer a potncia ativa. Num caso genrico, tanto a componente fundamental quanto as harmnicas podem produzir potncia, desde que existam as mesmas componentes espectrais na tenso e na corrente, e que sua defasagem no seja 90 graus. A figura 1.8 mostra sinais de tenso e de corrente quadrados e "defasados". Os valores eficazes so, respectivamente, 200 V e 100 A. O que leva a uma potncia aparente de 20kW. Os valores eficazes das componentes fundamentais so, respectivamente, 180 V e 90 A. A defasagem entre elas de 36 graus. Se o clculo da potncia ativa for feito considerando apenas estes componentes, o valor obtido ser de 13,1 kW. No entanto, a potncia mdia obtida da figura, e que corresponde potncia ativa, de 11,9 kW. O motivo da discrepncia devido ao valor mdio a ser produzido por cada componente harmnica presente tanto na tenso quanto na corrente. Valores mdios negativos so possveis desde que a defasagem entre os sinais seja superior a 90 graus. o que ocorre neste exemplo, levando a uma potncia ativa menor do que aquela que seria produzida se apenas as componentes fundamentais estivessem presentes.

Figura 1.8 Potncia para formas de onda quaisquer.

Desvantagens do baixo fator de potncia (FP) e da alta distoro da corrente

Esta anlise feita partindo-se de 2 situaes. Na primeira supe-se constante a potncia ativa, ou seja, parte-se de uma instalao ou carga dada, a qual precisa ser alimentada. Verificam-se algumas conseqncias do baixo FP. Na segunda situao, analisando a partir dos limites de uma linha de transmisso, verifica-se o ganho na disponibilizao de energia para o consumo. Podem ser citadas como desvantagens de um baixo FP e elevada distoro, dentre outros, os seguintes fatos:

A mxima potncia ativa absorvvel da rede fortemente limitada pelo FP; As harmnicas de corrente exigem um sobredimensionamento da instalao eltrica e dos transformadores, alm de aumentar as perdas (efeito pelicular); A componente de 3a harmnica da corrente, em sistema trifsico com neutro, pode ser muito maior do que o normal; O achatamento da onda de tenso, devido ao pico da corrente, alm da distoro da forma de onda, pode causar mau-funcionamento de outros equipamentos conectados mesma rede; As componentes harmnicas podem excitar ressonncias no sistema de potncia, levando a picos de tenso e de corrente, podendo danificar dispositivos conectados linha.

Perdas

As perdas de transmisso de energia eltrica so proporcionais ao quadrado da corrente eficaz que circula pelos condutores. Assim, para uma dada potncia ativa, quanto menor for o FP, maior ser a potncia reativa e, conseqentemente, a corrente pelos condutores. A figura 1.9 mostra o aumento das perdas em funo da reduo do FP.

Figura 1.9 Aumento das perdas devido reduo do FP (com potncia ativa constante). A tabela I.1 mostra um exemplo de reduo de perdas devido elevao do FP. Toma-se como exemplo uma instalao com consumo anual de 200MWh, na qual supe-se uma perda de 5%. e se eleva o FP de 0,78 para 0,92. Observa-se uma reduo nas perdas de 28,1%. Tabela I.1 Anlise comparativa da reduo de perdas devido ao aumento do FP Situao 1 Situao 2 0,78 0,92 5 3,59 10 7,18 28,1%

Fator de potncia Perdas globais (%) Perdas globais (MWh/ano) Reduo das perdas

Uma outra questo relevante, e que ser discutida mais detalhadamente em outros captulos deste texto, refere-se a se fazer a correo do FP em cada equipamento individualmente ou apenas na entrada de uma instalao. A referncia [1.2] estuda o caso de um edifcio comercial com uma instalao de 60 kVA. Verifica o efeito de uma compensao em quatro situaes (em termos do posicionamento do compensador): no primrio do transformador; no secundrio do transformador de entrada (o que elimina as perdas adicionais neste elemento); em centrais de cargas (sub-painis); e em cada carga. A compensao em cada carga faz com que a corrente que circula em todo o sistema seja praticamente senoidal (FP~1). Fazendo-se a compensao de um grupo de cargas, as harmnicas circulao por trechos reduzidos de cabos. Com a compensao no secundrio do transformador, a corrente ser distorcida em toda a instalao, mas no no transformador. Com uma compensao na entrada, apenas o fornecedor de energia ser beneficiado. A tabela I.2 mostra resultados deste estudo. Tabela I.2 Economia (potencial) de energia com compensao de harmnicos em diferentes alocaes Posicionamento da compensao Primrio Secundrio Central de Equipa-

Perdas totais sem compensao (W) Perdas totais com compensao (W) % total de perdas com compensao Reduo de perdas para carga de 60kVA (W) % de reduo de perdas / 60kVA Economia por ano (US$)

trafo de entrada 8148 8125 13,54 23 0,04 10

trafo de entrada 8148 5378 8,96 2770 4,62 1213

cargas 8148 4666 7,78 3482 5,8 1523

mento 8148 3346 5,58 4802 8,0 2101

Capacidade de transmisso
Analisemos agora o caso do sistema de transmisso, para o qual a grandeza constante a potncia aparente, uma vez que ela que define a capacidade trmica das linhas. Uma anlise fasorial s pode ser aplicada para grandezas senoidais e de mesma freqncia. Assim, o tringulo de potncia pode ser usado em anlises dentro destas condies, ou seja, quando as ondas de tenso e/ou de corrente so no-senoidais a anlise s ser correta se for feita uma combinao de fasores relativos a cada componente harmnica. Um baixo FP significa que grande parte da capacidade de conduo de corrente dos condutores utilizados na instalao est sendo usada para transmitir uma corrente que no produzir trabalho na carga alimentada. Mantida a potncia aparente (para a qual dimensionada a instalao), um aumento do FP significa uma maior disponibilidade de potncia ativa, como indicam os diagramas da figura 1.10.

Figura 1.10 Efeito do aumento do FP na ampliao da disponibilidade de potncia ativa. Uma anlise anloga pode ser feita em termos de uma instalao existente, a qual poderia ser utilizada para alimentao de uma carga de maior potncia, ou para uma quantidade maior de cargas. Consideremos aqui aspectos relacionados com o estgio de entrada de fontes de alimentao. As tomadas da rede eltrica domstica ou industrial possuem uma corrente (RMS) mxima que pode ser absorvida (tipicamente 15A nas tomadas domsticas). A figura 1.11 mostra uma forma de onda tpica de um circuito retificador alimentando um filtro capacitivo. Notem-se os picos de corrente e a distoro provocada na tenso de entrada, devido impedncia da linha de alimentao. O espectro da corrente mostra o elevado contedo harmnico.

Figura 1.11 Corrente de entrada e tenso de alimentao de retificador alimentando filtro capacitivo. Espectro da corrente. Tabela 1.3 Comparao da potncia ativa de sada Convencional PF corrigido Potncia disponvel 1440 VA 1440 VA Fator de potncia 0,65 0,99 Eficincia do corretor de FP 100% 95% Eficincia da fonte 75% 75% Potncia disponvel 702 W 1015 W Nota-se que o baixo fator de potncia da soluo convencional (filtro capacitivo) o grande responsvel pela reduzida potncia ativa disponvel para a carga alimentada.

NORMAS RELATIVAS CORRENTE DE LINHA: FATOR DE POTNCIA E HARMNICAS DE BAIXA FREQNCIA

Fator de potncia
A atual regulamentao brasileira do fator de potncia [2.1] estabelece que o mnimo fator de potncia (FP) das unidades consumidoras de 0,92. A partir de abril de 1996 o clculo do FP deve ser feito por mdia horria. O consumo de reativos alm do permitido (0,425 VArh por cada Wh) cobrado do consumidor. No intervalo entre 6 e 24 horas isto ocorre se a energia reativa absorvida for indutiva e das 0 s 6 horas, se for capacitiva. Conforme foi visto anteriormente, as componentes harmnicas da corrente tambm contribuem para o aumento da corrente eficaz, de modo que elevam a potncia aparente sem produzir potncia ativa (supondo a tenso senoidal). Assim, uma correta medio do FP deve levar em conta a distoro da corrente, e no apenas a componente reativa (na freqncia fundamental).

Norma IEC 1000-3-2: Limites para emisso de harmnicas de corrente (<16 A por fase)

Esta norma [2.2] refere-se s limitaes das harmnicas de corrente injetadas na rede pblica de alimentao. Aplica-se a equipamentos eltricos e eletrnicos que tenham uma corrente de entrada de at 16 A por fase, conectado a uma rede pblica de baixa tenso alternada, de 50 ou 60 Hz, com tenso fase-neutro entre 220 e 240 V. Para tenses inferiores, os limites no foram ainda estabelecidos (1996). Os equipamentos so classificados em 4 classes: Classe A: Equipamentos com alimentao trifsica equilibrada e todos os demais no includos nas classes seguintes. Classe B: Ferramentas portteis. Classe C: Dispositivos de iluminao, incluindo reguladores de intensidade (dimmer). Classe D: Equipamento que possua uma corrente de entrada com a forma mostrada na figura 2.1. A potncia ativa de entrada deve ser inferior a 600W, medida esta feita obedecendo s condies de ensaio estabelecidas na norma (que variam de acordo com o tipo de equipamento). Um equipamento includo nesta classe se a corrente de entrada, em cada semi-perodo, se encontra dentro de um envelope como mostrado na fig. 1.2, num intervalo de pelo menos 95% da durao do semi-perodo. Isto significa que formas de onda com pequenos picos de corrente fora do envelope so consideradas dentro desta classe.

Figura 2.1. Envelope da corrente de entrada que define um equipamento como classe D. Independentemente da forma da corrente de entrada, se um equipamento for enquadrado nas classes B ou C, ele no ser considerado como de classe D. Isto tambm vale para aparelhos que contenham motor ca nos quais se faa ajuste de velocidade por controle de fase (SCR ou Triac). Estes limites no se aplicam (ainda esto em estudo) a equipamentos de potncia maior do que 1kW, utilizados profissionalmente.

Para as harmnicas de ordem superior a 19, observa-se globalmente o espectro. Se este estiver dentro de um envelope com decaimento monotnico, ou seja, se suas componentes diminuirem com o aumento da frequncia, as medies podem ser restritas at a 19a harmnica. As correntes harmnicas com valor inferior a 0,6% da corrente de entrada (medida dentro das condies de ensaio), ou inferiores a 5 mA no so consideradas. A Tabela II.1 indica os valores mximos para as harmnicas de corrente, com o equipamento operando em regime permanente. Para o regime transitrio, as correntes harmnicas que surgem na partida de um aparelho e que tenham durao inferior a 10 s no devem ser consideradas. J para as harmnicas pares entre a 2a e a 10a e as mpares entre a 3a e a 19a, valores at 1,5 vezes os dados pela tabela so admissveis para cada harmnica, desde que apaream em um intervalo mximo de 15 segundos (acumulado), em um perodo de observao de 2 minutos e meio. Os valores limites para a classe B so os mesmos da classe A, acrescidos de 50%. Para tenses menores sugere-se usar a seguinte expresso para encontrar o novo valor dos limites das harmnicas [2.3]:

(2.1) Tabela II.1 Limites para as Harmnicas de Corrente Classe C Classe D (>25W) (>10W, Classe D % da <300W) [A] fundamental [mA/W]

Ordem da Harmnica n

Classe A Mxima corrente [A]

Classe B Mxima corrente[A]

Harmnicas mpares 3 5 7 9 11 13 15<n<39

2,30 1,14 0,77 0,40 0,33 0,21

3,45 1,71 1,155 0,60 0,495 0,315

30.FP 10 7 5 3 3 3

3,4 1,9 1,0 0,5 0,35 0,296 3,85/n

2,3 1,14 0,77 0,40 0,33 0,21 2,25/n

Harmnicas Pares

2 4 6 8<n<40 FP: fator de potncia

1,08 0,43 0,3

1,62 0,645 0,45

Recomendao IEEE para prticas e requisitos para controle de harmnicas no sistema eltrico de potncia: IEEE-519
Esta recomendao (no uma norma) produzida pelo IEEE [2.4] descreve os principais fenmenos causadores de distoro harmnica, indica mtodos de medio e limites de distoro. Seu enfoque diverso daquele da IEC, uma vez que os limites estabelecidos referem-se aos valores medidos no Ponto de Acoplamento Comum (PAC), e no em cada equipamento individual. A filosofia que no interessa ao sistema o que ocorre dentro de uma instalao, mas sim o que ela reflete para o exterior, ou seja, para os outros consumidores conectados mesma alimentao. Os limites diferem de acordo com o nvel de tenso e com o nvel de curto-circuito do PAC. Obviamente, quanto maior for a corrente de curto-circuito (Icc) em relao corrente de carga, maiores so as distores de corrente admissveis, uma vez que elas distorcero em menor intensidade a tenso no PAC. medida que se eleva o nvel de tenso menores so os limites aceitveis. A grandeza TDD (Total Demand Distortion) definida como a distoro harmnica da corrente, em % da mxima demanda da corrente de carga demanda de 15 ou 30 minutos. Isto significa que a medio da TDD deve ser feita no pico de consumo. Harmnicas pares so limitadas a 25% dos valores acima. Distores de corrente que resultem em nvel cc no so admissveis. Tabela II.2 Limites de Distoro da Corrente para Sistemas de Distribuio (120V a 69kV) Mxima corrente harmnica em % da corrente de carga (Io - valor da componente fundamental) Harmnica mpares: Icc/Io <11 11<n<17 17<n<23 23<n<35 35<n TDD(%) <20 4 2 1,5 0,6 0,3 5 20<50 7 3,5 2,5 1 0,5 8 50<100 10 4,5 4 1,5 0,7 12 100<1000 12 5,5 5 2 1 15 >1000 15 7 6 2,5 1,4 20

Tabela II.3 Limites de Distoro da Corrente para Sistemas de Sub-distribuio (69001V a 161kV) Limites para harmnicas de corrente de cargas no-lineares no PAC com outras cargas Harmnica mpares: Icc/Io <11 11<n<17 17<n<23 23<n<35 35<n TDD(%) <20 2 1 0,75 0,3 0,15 2,5 20<50 3.5 1,75 1,25 0,5 0,25 4 50<100 5 2,25 2 0,75 0,35 6 100<1000 6 2,75 2,5 1 0,5 7,5 >1000 7.5 3,5 3 1,25 0,7 10 Tabela II.4 Limites de distoro de corrente para sistemas de alta tenso (>161kV) e sistemas de gerao e co-gerao isolados. Harmnica mpares: Icc/Io <11 11<n<17 17<n<23 23<n<35 35<n THD(%) <50 2 1 0,75 0,3 0,15 2,5 >50 3 1,5 1,15 0,45 0,22 3,75 Para os limites de tenso, os valores mais severos so para as tenses menores (nvel de distribuio). Estabelece-se um limite individual por componente e um limite para a distoro harmnica total. Tabela II.5 Limites de distoro de tenso THD 5% 2,5% 1,5%

69kV e abaixo 69001V at 161kV Acima de 161kV

Distoro individual 3% 1,5% 1%

COMPONENTES SEMICONDUTORES DE POTNCIA

Diodos de Potncia
Um diodo semicondutor uma estrutura P-N que, dentro de seus limites de tenso e de corrente, permite a passagem de corrente em um nico sentido. Detalhes de funcionamento, em geral desprezados para diodos de sinal, podem ser significativos para componentes de maior potncia, caracterizados por uma

maior rea (para permitir maiores correntes) e maior comprimento (a fim de suportar tenses mais elevadas). A figura 3.1 mostra, simplificadamente, a estrutura interna de um diodo.

Figura 3.1 Estrutura bsica de um diodo semicondutor

Aplicando-se uma tenso entre as regies P e N, a diferena de potencial aparecer na regio de transio, uma vez que a resistncia desta parte do semicondutor muito maior que a do restante do componente (devido concentrao de portadores). Quando se polariza reversamente um diodo, ou seja, se aplica uma tenso negativa no anodo (regio P) e positiva no catodo (regio N), mais portadores positivos (lacunas) migram para o lado N, e vice-versa, de modo que a largura da regio de transio aumenta, elevando a barreira de potencial. Por difuso ou efeito trmico, uma certa quantidade de portadores minoritrios penetra na regio de transio. So, ento, acelerados pelo campo eltrico, indo at a outra regio neutra do dispositivo. Esta corrente reversa independe da tenso reversa aplicada, variando, basicamente, com a temperatura. Se o campo eltrico na regio de transio for muito intenso, os portadores em trnsito obtero grande velocidade e, ao se chocarem com tomos da estrutura, produziro novos portadores, os quais, tambm acelerados, produziro um efeito de avalanche. Dado o aumento na corrente, sem reduo significativa na tenso na juno, produz-se um pico de potncia que destri o componente. Uma polarizao direta leva ao estreitamento da regio de transio e reduo da barreira de potencial. Quando a tenso aplicada superar o valor natural da barreira, cerca de 0,7V para diodos de Si, os portadores negativos do lado N sero atrados pelo potencial positivo do anodo e vice-versa, levando o componente conduo.

Na verdade, a estrutura interna de um diodo de potncia um pouco diferente desta apresentada. Existe uma regio N intermediria, com baixa dopagem. O papel desta regio permitir ao componente suportar tenses mais elevadas, pois tornar menor o campo eltrico na regio de transio (que ser mais larga, para manter o equilbrio de carga). Esta regio de pequena densidade de dopante dar ao diodo uma significativa caracterstica resistiva quando em conduo, a qual se torna mais significativa quanto maior for a tenso suportvel pelo componente. As camadas que fazem os contatos externos so altamente dopadas, a fim de fazer com que se obtenha um contato com caracterstica hmica e no semi-condutor. O contorno arredondado entre as regies de anodo e catodo tem como funo criar campos eltricos mais suaves (evitando o efeito de pontas). No estado bloqueado, pode-se analisar a regio de transio como um capacitor, cuja carga aquela presente na prpria regio de transio. Na conduo no existe tal carga, no entanto, devido alta dopagem da camada P+, por difuso, existe uma penetrao de lacunas na regio N-. Alm disso, medida que cresce a corrente, mais lacunas so injetadas na regio N-, fazendo com que eltrons venham da regio N+ para manter a neutralidade de carga. Desta forma, cria-se uma carga espacial no catodo, a qual ter que ser removida (ou se recombinar) para permitir a passagem para o estado bloqueado do diodo. O comportamento dinmico de um diodo de potncia , na verdade, muito diferente do de uma chave ideal, como se pode observar na figura 3.2. Suponha-se que se aplica uma tenso vi ao diodo, alimentando uma carga resistiva (cargas diferentes podero alterar alguns aspectos da forma de onda). Durante t1, remove-se a carga acumulada na regio de transio. Como ainda no houve significativa injeo de portadores, a resistncia da regio N- elevada, produzindo um pico de tenso. Indutncias parasitas do componente e das conexes tambm colaboram com a sobre-tenso. Durante t2 tem-se a chegada dos portadores e a reduo da tenso para cerca de 1V. Estes tempos so, tipicamente, da ordem de centenas de ns. No desligamento, a carga espacial presente na regio N- deve ser removida antes que se possa reiniciar a formao da barreira de potencial na juno. Enquanto houver portadores transitando, o diodo se mantm em conduo. A reduo em Von se deve diminuio da queda hmica. Quando a corrente atinge seu pico negativo que foi retirado o excesso de portadores, iniciando-se, ento, o bloqueio do diodo. A taxa de variao da corrente, associada s indutncias do circuito, provoca uma sobre-tenso negativa. Diodos rpidos possuem trr da ordem de, no mximo, poucos micro-segundos, enquanto nos diodos normais de dezenas ou centenas de micro-segundos. O retorno da corrente a zero, aps o bloqueio, devido sua elevada derivada e ao fato de, neste momento, o diodo j estar desligado, uma fonte importante de sobretenses produzidas por indutncias parasitas associadas aos componentes por onde circula tal corrente. A fim de minimizar este fenmeno foram desenvolvidos os diodos "soft-recovery", nos quais esta variao de corrente suavizada, reduzindo os picos de tenso gerados. Em aplicaes nas quais o diodo comuta sob tenso nula no se observa o fenmeno da recombinao reversa.

Figura 3.2. Estrutura tpica de diodo de potncia.e Formas de onda tpicas de comutao de diodo de potncia.

Tiristor
O nome tiristor engloba uma famlia de dispositivos semicondutores que operam em regime chaveado, tendo em comum uma estrutura de 4 camadas semicondutoras numa sequncia p-n-p-n, apresentando um funcionamento biestvel. O tiristor de uso mais difundido o SCR (Retificador Controlado de Silcio), usualmente chamado simplesmente de tiristor. Outros componentes, no entanto, possuem basicamente uma mesma estrutura: LASCR (SCR ativado por luz), tambm chamado de LTT (Light Triggered Thyristor), TRIAC (tiristor triodo bidirecional), DIAC (tiristor diodo bidirecional), GTO (tiristor comutvel pela porta), MCT (Tiristor controlado por MOS).

Princpio de funcionamento
O tiristor formado por quatro camadas semicondutoras, alternadamente p-n-p-n, possuindo 3 terminais: anodo e catodo, pelos quais flui a corrente, e a porta (ou gate) que, a uma injeo de corrente, faz com que se estabelea a corrente andica. A figura 3.3 ilustra uma estrutura simplificada do dispositivo. Se entre anodo e catodo tivermos uma tenso positiva, as junes J1 e J3 estaro diretamente polarizadas, enquanto a juno J2 estar reversamente polarizada. No haver conduo de corrente at que a tenso Vak se eleve a um valor que provoque a ruptura da barreira de potencial em J2 [3.1].

Se houver uma tenso Vgk positiva, circular uma corrente atravs de J3, com portadores negativos indo do catodo para a porta. Por construo, a camada P ligada porta suficientemente estreita para que parte destes eltrons que cruzam J3 possuam energia cintica suficiente para vencer a barreira de potencial existente em J2, sendo ento atrados pelo anodo.

Figura 3.3 Funcionamento bsico do tiristor e seu smbolo. Desta forma, a juno reversamente polarizada tem sua diferena de potencial diminuda e estabelece-se uma corrente entre anodo e catodo, que poder persistir mesmo na ausncia da corrente de porta. Quando a tenso Vak for negativa, J1 e J3 estaro reversamente polarizadas, enquanto J2 estar diretamente polarizada. Uma vez que a juno J3 intermedia regies de alta dopagem, ela no capaz de bloquear tenses elevadas, de modo que cabe juno J1 manter o estado de bloqueio do componente. comum fazer-se uma analogia entre o funcionamento do tiristor e o de uma associao de dois transistores, conforme mostrado na figura 3.4.

Figura 3.4 Analogia entre tiristor e transistores

Quando uma corrente Ig positiva aplicada, Ic2 e Ik crescero. Como Ic2 = Ib1, T1 conduzir e teremos Ib2=Ic1 + Ig, que aumentar Ic2 e assim o dispositivo evoluir at a saturao, mesmo que Ig seja retirada. Tal efeito cumulativo ocorre se os ganhos dos transistores forem maior que 1. O componente se manter em conduo desde que, aps o processo dinmico de entrada em conduo, a corrente de anodo tenha atingido um valor superior ao limite IL, chamado de corrente de "latching". Para que o tiristor deixe de conduzir necessrio que a corrente por ele caia abaixo do valor mnimo de manuteno (IH), permitindo que se restabelea a barreira de potencial em J2. Para a comutao do dispositivo no basta, pois, a aplicao de uma tenso negativa entre anodo e catodo. Tal tenso reversa apressa o processo de desligamento por deslocar nos sentidos adequados os portadores na estrutura cristalina, mas no garante, sozinha, o desligamento. Devido a caractersticas construtivas do dispositivo, a aplicao de uma polarizao reversa do terminal de gate no permite a comutao do SCR. Este ser um comportamento dos GTOs, como se ver adiante.

Maneiras de disparar um tiristor

Podemos considerar cinco maneiras distintas de fazer com que um tiristor entre em conduco: a) Tenso Quando polarizado diretamente, no estado desligado, a tenso de polarizao aplicada sobre a juno J2. O aumento da tenso Vak leva a uma expanso da regio de transio tanto para o interior da camada do gate quanto para a camada N adjacente. Mesmo na ausncia de corrente de gate, por efeito trmico, sempre existiro cargas livre que penetram na regio de transio (no caso, eltrons), as quais so aceleradas pelo campo eltrico presente em J2. Para valores elevados de tenso (e, consequentemente, de campo eltrico), possvel iniciar um processo de avalanche, no qual as cargas aceleradas, ao chocarem-se com tomos vizinhos, provoquem a expulso de novos portadores, os quais reproduzem o processo. Tal fenmeno, do ponto de vista do comportamento do fluxo de cargas pela juno J2, tem efeito similar ao de uma injeo de corrente pelo gate, de modo que, se ao se iniciar a passagem de corrente for atingido o limiar de IL, o dispositivo se manter em conduo.

b) Ao da corrente positiva de porta Sendo o disparo atravs da corrente de porta a maneira mais usual de ser ligado o tiristor, importante o conhecimento dos limites mximos e mnimos para a tenso Vgk e a corrente Ig, como mostrados na figura 3.6. O valor Vgm indica a mnima tenso de gate que garante a conduo de todos os componentes de um dado tipo, na mnima temperatura especificada. O valor Vgo a mxima tenso de gate que garante que nenhum componente de um dado tipo entrar em conduo, na mxima temperatura de operao. A corrente Igm a mnima corrente necessria para garantir a entrada em conduo de qualquer dispositivo de um certo tipo, na mnima temperatura. Para garantir a operao correta do componente, a reta de carga do circuito de acionamento deve garantir a passagem alm dos limites Vgm e Igm, sem exceder os demais limites (tenso, corrente e potncia mximas).

Figura 3.5 Caracterstica esttica do tiristor.

Figura 3.6 Condies para disparo de tiristor atravs de controle pela porta.

c) Taxa de crescimento da tenso direta Quando reversamente polarizadas, a rea de transio de uma juno comporta-se de maneira similar a um capacitor, devido ao campo criado pela carga espacial. Considerando que praticamente toda a tenso est aplicada sobre a juno J2 (quando o SCR estiver desligado e polarizado diretamente), a corrente que atravessa tal juno dada por:

(3.1) Onde Cj a capacitncia da juno. Quando Vak cresce, a capacitncia diminui, uma vez que a regio de transio aumenta de largura. Entretanto, se a taxa de variao da tenso for suficientemente elevada, a corrente que atravessar a juno pode ser suficiente para levar o tiristor conduo. Uma vez que a capacitncia cresce com o aumento da rea do semicondutor, os componentes para correntes mais elevadas tendem a ter um limite de dv/dt menor. Observe-se que a limitao diz respeito apenas ao crescimento da tenso direta (Vak > 0). A taxa de crescimento da tenso reversa no importante, uma vez que as correntes que circulam pelas junes J1 e J3, em tal situao, no tem a capacidade de levar o tiristor a um estado de conduo. Como se ver adiante, utilizam-se circuitos RC em paralelo com os tiristores com o objetivo de limitar a velocidade de crescimento da tenso direta sobre eles. d) Temperatura

A altas temperaturas, a corrente de fuga numa juno p-n reversamente polarizada dobra aproximadamente com o aumento de 8o C. Assim, a elevao da temperatura pode levar a uma corrente atravs de J2 suficiente para levar o tiristor conduo. e) Energia radiante Energia radiante dentro da banda espectral do silcio, incidindo e penetrando no cristal, produz considervel quantidade de pares eltron-lacuna, aumentando a corrente de fuga reversa, possibilitando a conduo do tiristor. Este tipo de acionamento o utilizado nos LASCR, cuja aplicao principal em sistemas que operam em elevado potencial, onde a isolao necessria s obtida por meio de acoplamentos ticos.

Parmetros bsicos de tiristores

Apresentaremos a seguir alguns parmetros tpicos de tiristores e que caracterizam condies limites para sua operao [3.2]. Alguns j foram apresentados e comentados anteriormente e sero, pois, apenas citados aqui. a) Tenso direta de ruptura (VBO) b) Mxima tenso reversa (VBR) c) Mxima corrente de anodo (Ia max): pode ser dada como valor RMS, mdio, de pico e/ou instantneo. d) Mxima temperatura de operao (Tj max): temperatura acima da qual, devido a um possvel processo de avalanche, pode haver destruio do cristal. e) Resistncia trmica (Rth): a diferena de temperatura entre 2 pontos especificados ou regies, dividido pela potncia dissipada sob condies de equilbrio trmico. uma medida das condies de fluxo de calor do cristal para o meio externo. f) Caracterstica I2t: o resultado da integral do quadrado da corrente de anodo num determinado intervalo de tempo, sendo uma medida da mxima potncia dissipvel pelo dispositivo. dado bsico para o projeto dos circuitos de proteo. g) Mxima taxa de crescimento da tenso direta Vak (dv/dt). h) Mxima taxa de crescimento da corrente de anodo (di/dt): fisicamente, o incio do processo de conduo de corrente pelo tiristor ocorre no centro da pastilha de silcio, ao redor da regio onde foi construda a porta, espalhando-se radialmente at ocupar toda a superfcie do catodo, medida que cresce a corrente. Mas se a corrente crescer muito rapidamente, antes que haja a expanso necessria na superfcie condutora, haver um excesso de dissipao de potncia na rea de conduo, danificando a estrutura semicondutora. Este limite ampliado para tiristores de tecnologia mais avanada fazendo-se a interface entre gate e catodo com uma maior rea de contato, por exemplo, 'interdigitando" o gate. A figura 3.7 ilustra este fenmeno. i) Corrente de manuteno de conduo (IH): a mnima corrente de anodo necessria para manter o tiristor em conduo. j) Corrente de disparo (IL): mnima corrente de anodo requerida para manter o SCR ligado imediatamente aps ocorrer a passagem do estado desligado para o ligado e ser removida a corrente de porta.

k) Tempo de disparo (ton): o tempo necessrio para o tiristor sair do estado desligado e atingir a plena conduo. l) Tempo de desligamento (toff): o tempo necessrio para a transio entre o estado de conduo e o de bloqueio. devido a fenmenos de recombinao de portadores no material semicondutor. m) Corrente de recombinao reversa (Irqm): valor de pico da corrente reversa que ocorre durante o intervalo de recombinao dos portadores na juno. A figura 3.8 ilustra algumas destas caractersticas.

Figura 3.7 Expanso da rea de conduo do tiristor a partir das vizinhanas da regio de gate.

Figura 3.8: Caractersticas do tiristor

Circuitos de excitao do gate

a) Conduo Conforme foi visto, a entrada em conduo de um tiristor controlada pela injeo de uma corrente no terminal da porta, devendo este impulso estar dentro da rea delimitada pela figura 3.6. Por exemplo, para um dispositivo que deve conduzir 100 A, um acionador que fornea uma tenso Vgk de 6V com impedncia de sada 12 ohms adequado. A durao do sinal de disparo deve ser tal que permita corrente atingir IL quando, ento, pode ser retirada. Observamos ser bastante simples o circuito de disparo de um SCR e, dado o alto ganho do dispositivo, as exigncias quando ao acionamento so mnimas. b) Comutao Se, por um lado, fcil a entrada em conduo de um tiristor, o mesmo no se pode dizer de sua comutao. Lembramos que a condio de desligamento qua a corrente de anodo fique abaixo do valor IH. Se isto ocorrer, juntamente com a aplicao de uma tenso reversa, o bloqueio se dar mais rapidamente. No existe uma maneira de se desligar o tiristor atravs de seu terminal de controle, sendo necessrio algum arranjo ao nvel do circuito de anodo para reduzir a corrente principal. b.1) Comutao Natural utilizada em sistemas de ca nos quais, em funo do carter ondulatrio da tenso de entrada, em algum instante a corrente tender a se inverter e ter, assim, seu valor diminudo abaixo de IH, desligando o tiristor. Isto ocorrer desde que, num intervalo inferior a toff, no cresa a tenso direta Vak, o que poderia lev-lo novamente conduo. A figura 3.8.1 mostra um circuito de um controlador de tenso ca, alimentando uma carga RL, bem como as respectivas formas de onda. Observe que quando a corrente se anula a tenso sobre a carga se torna zero, indicando que nenhum dos SCRs est em conduo.

Figura 3.8.1 Controlador de tenso ca com carga RL e formas de onda tpicas.

b.2) Comutao por ressonncia da carga Em algumas aplicaes especficas, possvel que a carga, pela sua dinmica prpria, faa com que a corrente tenda a se inverter, fazendo o tiristor desligar. Isto ocorre, por exemplo, quando existem capacitncias na carga as quais, ressoando com as indutncias do circuito produzem um aumento na tenso ao mesmo tempo em que reduzem a corrente. Caso a corrente se torne menor do que a corrente de manuteno e o tiristor permanea reversamente polarizado pelo tempo suficiente, haver o seu desligamento. A tenso de entrada pode ser tanto ca quanto cc. A figura 3.8.2 ilustra tal comportamento. Observe que enquanto o tiristor conduz a tenso de sada, vo(t) igual tenso de entrada. Quando a corrente se anula e S1 desliga, o que se observa a tenso imposta pela carga ressonante.

Figura 3.8.2 Circuito e formas de onda de comutao por ressonncia da carga.

b.3) Comutao forada utilizada em circuitos com alimentao cc e nos quais no ocorre reverso no sentido da corrente de anodo.

A idia bsica deste tipo de comutao oferecer corrente de carga um caminho alternativo ao tiristor, enquanto se aplica uma tenso reversa sobre ele, desligando-o. Antes do surgimento dos GTOs, este foi um assunto muito discutido, buscando-se topologias eficientes. Com o advento dos dispositivos com comutao pelo gate, os SCRs tiveram sua aplicao concentrada nas aplicaes nas quais ocorrem comutao natural ou pela carga. A figura 3.8.3 mostra um circuito para comutao forada de SCR e as formas de onda tpicas. A figura 3.8.4 mostra detalhes de operao do circuito auxiliar de comutao. Em um tempo anterior a to, a corrente da carga (suposta quase constante, devido elevada constante de tempo do circuito RL) passa pelo diodo de circulao. A tenso sobre o capacitor negativa, com valor igual ao da tenso de entrada. Em t1 o tiristor principal, Sp, disparado, conectando a fonte carga, levando o diodo Df ao desligamento. Ao mesmo tempo surge uma malha formada por Sp, Cr, D2 e Lr, a qual permite a ocorrncia de uma ressonncia entre Cr e Lr, levando inverso na polaridade da tenso do capacitor. Em t1 a tenso atinge seu mximo e o diodo D2 desliga (pois a corrente se anula). O capacitor est preparado para realizar a comutao de Sp. Quanto o tiristor auxiliar, Sa, disparado, em t2, a corrente da carga passa a ser fornecida atravs do caminho formado por Lr, Sa e Cr, levando a corrente por Sp a zero, ao mesmo tempo em que se aplica uma tenso reversa sobre ele, de modo a deslig-lo. Continua a haver corrente por Cr, a qual, em t3, se torna igula corrente da carga, fazendo com que a variao de sua tenso assuma uma forma linear. Esta tenso cresce (no sentido negativo) at levar o diodo de circulao conduo, em t4. Como ainda existe corrente pelo indutor Lr, ocorre uma pequena oscilao na malha Lr, Sa, Cr e D2 e, quando a corrente por Sa se anula, o capacitor se descarrega at a tenso Vcc na malha formada por Cr, D1, Lr, fonte e Df.

Figura 3.8.3 Topologia com comutao forada de SCR e formas de onda tpicas.

Figura 3.8.4 Detalhes das formas de onda durante comutao.

Redes Amaciadoras
O objetivo destas redes evitar problemas advindos de excessivos valores para dv/dt e di/dt, conforme descrito anteriormente. a) O problema di/dt Uma primeira medida capaz de limitar possveis danos causados pelo crescimento excessivamente rpido da corrente de anodo construir um circuito acionador de gate adequado, que tenha alta derivada de corrente de disparo para que seja tambm rpida a expanso da rea condutora. Um reator saturvel em srie com o tiristor tambm limitar o crescimento da corrente de anodo durante a entrada em conduo do dispositivo. Alm deste fato tem-se outra vantagem adicional que a reduo da potncia dissipada no chaveamento pois, quando a corrente de anodo crescer, a tenso Vak ser reduzida pela queda sobre a indutncia. O atraso no crescimento da corrente de anodo pode levar necessidade de um pulso mais longo de disparo, ou ainda a uma sequncia de pulsos, para que seja assegurada a conduo do tiristor. b) O problema do dv/dt A limitao do crescimento da tenso direta Vak, usualmente feita pelo uso de circuitos RC, RCD, RLCD em paralelo com o dispositivo, como mostrado na figura 3.9.

(a) (b) (c) Figura 3.9: Circuitos amaciadores para dv/dt

No caso mais simples (a), quando o tiristor comutado, a tenso Vak segue a dinmica dada por RC que, alm disso desvia a corrente de anodo facilitando a comutao. Quando o SCR ligado o capacitor descarrega-se, ocasionando um pico de corrente no tiristor, limitado pelo valor de R. No caso (b) este pico pode ser reduzido pelo uso de diferentes resistores para os processos de carga e descarga de C. No 3o caso, o pico limitado por L, o que no traz eventuais problemas de alto di/dt. A corrente de descarga de C auxilia a entrada em conduo do tiristor, uma vez que se soma corrente de anodo proveniente da carga. A energia acumulada no capacitor praticamente toda dissipada sobre o resistor de descarga.

Associao em Paralelo de Tiristores

Desde o incio da utilizao do tiristor, em 1958, tm crescido constantemente os limites de tenso e corrente suportveis, atingindo hoje faixas de 5000 V e 4000 A. H, no entanto, diversas aplicaes nas quais necessria a associao de mais de um destes componentes, seja pela elevada tenso de trabalho, seja pela corrente exigida pela carga. Quando a corrente de carga, ou a margem de sobre-corrente necessria, no pode ser suportada por um nico tiristor, essencial a ligao em paralelo. A principal preocupao neste caso a equalizao da corrente entre os dispositivos, tanto em regime, como durante o chaveamento. Diversos fatores influem na distribuio homognea da corrente, desde aspectos relacionados tecnologia construtiva do dispositivo, at o arranjo mecnico da montagem final. Existem duas tecnologias bsicas de construo de tiristores, diferindo basicamente no que se refere regio do catodo e sua juno com a regio da porta. A tecnologia de difuso cria uma regio de fronteira entre catodo e gate pouco definida, formando uma juno no-uniforme, que leva a uma caracterstica de disparo (especialmente quanto ao tempo de atraso e sensibilidade ao disparo) no homognea. A tecnologia epitaxial permite fronteiras bastante definidas, implicando numa maior uniformidade nas caractersticas do tiristor. Conclui-se assim que, quando se faz uma associao (srie ou paralela) destes dispositivos, prefervel empregar componentes de construo epitaxial [3.3].

Em ligaes paralelas de elementos de baixa resistncia, um fator crtico para a distribuio de corrente so variaes no fluxo concatenado pelas malhas do circuito, dependendo, pois, das indutncias das ligaes. Outro fator importante relaciona-se com a caracterstica do coeficiente negativo de temperatura do dispositivo, ou seja, um eventual desequilbrio de corrente provoca uma elevao de temperatura no SCR que, por sua vez, melhora as condies de condutividade do componente, aumentando ainda mais o desequilbrio, podendo lev-lo destruio [3.4]. Uma primeira precauo para reduzir estes desbalanceamentos realizar uma montagem de tal maneira que todos os tiristores estejam a uma mesma temperatura, o que pode ser feito, por exemplo, pela montagem em um nico dissipador. No que se refere indutncia das ligaes, a prpria disposio dos componentes em relao ao barramento afeta significativamente esta distribuio de corrente. Arranjos cilndricos tendem a apresentar um menor desequilbrio.
Estado estacionrio

Alm das consideraes j feitas quanto montagem mecnica, algumas outras providncias podem ser tomadas para melhorar o equilbrio de corrente nos tiristores: a) Impedncia srie A idia adicionar impedncias em srie com cada componente a fim de limitar o eventual desequilbrio. Se a corrente crescer num ramo, haver aumento da tenso, o que far com que a corrente se distribua entre os demais ramos. O uso de resistores implica no aumento das perdas, uma vez que dado o nvel elevado da corrente, a dissipao pode atingir centenas de watts, criando problemas de dissipao e eficincia. Outra alternativa o uso de indutores lineares. b) Reatores acoplados Conforme ilustrado na figura 3.10, se a corrente por SCR1 tende a se tornar maior que por SCR2, uma fora contra-eletro-motriz aparecer sobre a indutncia, proporcionalmente ao desbalanceamento, tendendo a reduzir a corrente por SCR3. Ao mesmo tempo uma tenso induzida do outro lado do enrolamento, aumentando a corrente por SCR2. As mais importantes caractersticas do reator so alto valor da saturao e baixo fluxo residual, para permitir uma grande excurso do fluxo a cada ciclo.

Figura 3.10: Equalizao de corrente com reatores acoplados Disparo

H duas caractersticas do tiristor bastante importantes para boa diviso de corrente entre os componentes no momento em que se deve dar o incio da conduo: o tempo de atraso (td) e a mnima tenso de disparo (Vonmin). O tempo de atraso pode ser interpretado como o intervalo entre a aplicao do sinal de porta e a real conduo do tiristor. A mnima tenso de disparo o valor mnimo da tenso direta entre anodo e catodo com a qual o tiristor pode ser ligado por um sinal adequado de porta. Recorde-se, da caracterstica esttica do tiristor, que quanto menor a tenso Vak, maior deve ser a corrente de gate para levar o dispositivo conduo. Diferenas em td podem fazer com que um componente entre em conduo antes do outro. Com carga indutiva este fato no to crtico pela inerente limitao de di/dt da carga, o que no ocorre com cargas capacitivas e resistivas. Alm disso, como Vonmin maior que a queda de tenso direta sobre o tiristor em conduo, possvel que nem seja factvel ao outro dispositivo entrar em conduo. Esta situao crtica quando se acoplam diretamente os tiristores, sendo minimizada atravs dos dispositivos de equalizao j descritos e ainda por sinais de porta de durao maior que o tempo de atraso.

Desligamento

Especialmente com carga indutiva, deve-se prever algum tipo de arranjo que consiga manter o equilbrio de corrente mesmo que haja diferentes caractersticas entre os tiristores (especialmente relacionadas com os tempos de desligamento). A capacitncia do circuito amaciador limita o desbalanceamento, uma vez que absorve a corrente do tiristor que comea a desligar.
Circuito de disparo

A corrente de porta deve ser alvo de atenes. O uso de um nico circuito de comando para acionar todos os tiristores minimiza os problemas de tempos de atraso. Alm disso, deve-se procurar usar nveis iguais de corrente e tenso de porta, uma vez que influem significativamente no desempenho do disparo. Para minimizar os efeitos das diferenas nas junes porta-catodo de cada componente pode-se fazer uso de um resistor ou indutor em srie com a porta, para procurar equalizar os sinais. importante que se tenha atingido a corrente de disparo (IL) antes da retirada do pulso de porta, o que pode levar necessidade de circuitos mais elaborados para fornecer a energia necessria. Uma seqncia de pulsos tambm pode ser empregada.

Associao em srie de tiristores

Quando o circuito opera com tenso superior quela suportvel por um nico tiristor, preciso associar estes componentes em srie, com precaues para garantir a distribuio equilibrada de tenso entre eles. Devido a diferenas nas correntes de bloqueio, capacitncias de juno, tempos de atraso, quedas de tenso direta e recombinao reversa, redes de equalizao externa so necessrias, bem como cuidados quanto ao circuito de disparo. A figura 3.11 indica uma possvel distribuio de tenso numa associao de 3 tiristores, nas vrias situaes de operao. Durante os estados de bloqueio direto e reverso (I e VI), diferenas nas caractersticas de bloqueio resultam em desigual distribuio de tenso em regime. Ou seja, o tiristor com menor condutncia quando bloqueado ter de suportar a maior tenso. interessante, ento, usar dispositivos com caractersticas o mais prximas possvel. Os estados de conduo (III e IV) no apresentam problema de distribuio de tenso. Estados II e V representam um desbalanceamento indesejado durante os transientes de disparo e comutao. No estado II o tempo de atraso do SCR1 consideravelmente mais longo que o dos outros e, assim, ter que, momentaneamente, suportar toda a tenso. O estado V resulta dos diferentes tempos de recombinao dos componentes. O primeiro a se recombinar suportar toda a tenso.

Figura 3.11: Tenses em associao de tiristores sem rede de equalizao. Estado estacionrio

O mtodo usual de equalizar tenses nas situaes I e VI colocar uma rede resistiva com cada resistor conectado entre anodo e catodo de cada tiristor. Estes resistores representam consumo de potncia, sendo desejvel usar os de maior valor possvel. O projeto do valor da resistncia deve considerar a diferena nos valores das correntes de bloqueio direta e reversa.
Disparo

Um mtodo que pode ser usado para minimizar o desequilbrio do estado II fornecer uma corrente de porta com potncia suficiente e de rpido crescimento, para minimizar as diferenas relativas ao tempo de atraso. A largura do pulso deve ser tal que garanta a continuidade da conduo de todos os tiristores.
Desligamento

Para equalizar a tenso no estado V um capacitor ligado entre anodo e catodo de cada tiristor. Se a impedncia do capacitor suficientemente baixa e/ou se utiliza a constante de tempo necessria, o crescimento da tenso no dispositivo mais rpido ser limitado at que todos se recombinem. Esta implementao tambm alivia a situao no disparo, uma vez que realiza uma injeo de corrente no tiristor, facilitando a entrada em conduo de todos os dispositivos. Mas se o capacitor providencia excelente equalizao de tenso, o pico de corrente injetado no componente no disparo pode ser excessivo, devendo ser limitado por meio de um resistor em srie com o capacitor. interessante um alto valor de R e baixo valor de C para, com o mesmo RC, obter pouca dissipao de energia. Mas se o resistor for de valor muito elevado ser imposta uma tenso de rpido crescimento sobre o tiristor, podendo ocasionar disparo

por dv/dt. Usa-se ento um diodo em paralelo com o resistor, garantindo um caminho de carga pra o capacitor, enquanto a descarga se faz por R. O diodo deve ter uma caracterstica suave de recombinao para evitar efeitos indesejveis associados s indutncias parasitas das ligaes. Recomenda-se o uso de capacitores de baixa indutncia parasita. A figura 3.12 ilustra tais circuitos de equalizao.

Figura 3.12. Circuito de equalizao de tenso em associao srie de tiristores. Circuito de disparo

Em muitas aplicaes, devido necessidade de isolamento eltrico entre o circuito de comando e o de potncia, o sinal de disparo deve ser isolado por meio de algum dispositivo como, por exemplo, transformadores de pulso ou acopladores ticos. a) Transformador de pulso Neste caso, tem-se transformadores capazes de responder apenas em alta frequncia, mas que possibilitam a transferncia de pulsos de curta durao (at centenas de microsegundos), aps o que o transformador satura. Caso seja necessrio um pulso mais largo, ele poder ser obtido por meio de um trem de pulsos, colocando-se um filtro passa-baixas no lado de sada. Com tais dispositivos deve-se prever algum tipo de limitao de tenso no secundrio (onde est conectado o gate), a fim de evitar sobretenses. Quando se usar transformador de pulso preciso garantir que ele suporte pelo menos a tenso de pico da alimentao. Como as condies de disparo podem diferir cosideravelmente entre os tiristores, comum inserir uma impedncia em srie com a porta para evitar que um tiristor com menor impedncia de porta drene o sinal de disparo, impedindo que os demais dispositivos entrem em conduo. Esta impedncia em srie pode ser um resistor ou um capacitor, que tornaria mais rpido o crescimento do pulso de corrente. b) Acoplamento luminoso O acoplamento tico apresenta como principal vantagem a imunidade a interferncias eletromagnticas, alm da alta isolao de potencial. Dois tipos bsicos de acopladores so usados: os opto-acopladores e as fibras ticas. No primeiro caso tem-se um dispositivo onde o emissor e o receptor esto integrados, apresentando uma isolao tpica de 2500V. J para as fibras ticas, o isolamento pode ser de centenas de kV.

A potncia necessria para o disparo provida por duas fontes: uma para alimentar o emissor (em geral a prpria fonte do circuito de controle) e outra para o lado do receptor. Eventualmente, a prpria carga armazenada no capacitor do circuito amaciador (ou rede de equalizao), atravs de um transformador de corrente, pode fornecer a energia para o lado do receptor, a partir da corrente que circula pelo tiristor, assegurando potncia durante todo o perodo de conduo [3.5].

Figura 3.13: Circuitos de acionamento de pulso.

Sobre-tenso
As funes gerais da proteo contra sobre-tenso so: assegurar, to rpido quanto possvel, que qualquer falha em algum componente afete apenas aquele tiristor diretamente associado ao componente; aumentar a confiabilidade do sistema; evitar reaes na rede (como excitao de ressonncias). Estas sobretenses podem ser causadas tanto por aes externas como por distribuio no homognea das tenses entre os dispositivos. Em aplicaes onde as perdas provocadas pelos resistores de equalizao devem ser evitadas, a distribuio de tenso pode ser realizada pelo uso de retificadores de avalanche controlada, que tambm atuam no caso de sobre-tenses. Uma possvel restrio ao uso de supressores de sobre-tenso (geralmente de xido metlico, os varistores), que a falha em um certo componente (um curto em um tiristor) pode levar a uma sobrecarga nos demais supressores, provocando uma destruio em cascata de todos. A fim de evitar disparos indesejados dos tiristores em virtude do aumento repentino da tenso, superando o limite de dv/dt ou o valor da mxima tenso direta de bloqueio, deve-se manter uma polarizao negativa no terminal da porta, aumentado o nvel de tenso suportvel.

Resfriamento
As caractersticas do tiristor so fornecidas a uma certa temperatura da juno. O calor produzido na pastilha deve ser dissipado, devendo transferir-se da pastilha para o encapsulamento, deste para o dissipador e da para o meio de refrigerao (ar ou lquido) [3.6]. Este conjunto possui uma capacidade de armazenamento de calor, ou seja, uma constante de tempo trmica, que permite sobrecargas de corrente por perodos curtos. Tipicamente esta constante da ordem de 3 minutos para refrigerao a ar.

A temperatura de operao da juno deve ser muito menor que o mximo especificado. Ao aumento da temperatura corresponde uma diminuio na capacidade de suportar tenses no estado de bloqueio. Tipicamente esta temperatura no deve exceder 120oC. O sistema de refrigerao deve possuir redundncia, ou seja, uma falha no sistema deve pr em operao um outro, garantindo a troca de calor necessria. Existem vrias maneiras de implementar as trocas: circulao externa de ar filtrado, circulao interna de ar (com trocador de calor), refrigerao com lquido, etc. A escolha do tipo de resfriamento influenciada pelas condies ambientais e preferncias do usurio.

GTO - Gate Turn-Off Thyristor

O GTO, embora tenha sido criado no incio da dcada de 60 [3.7], por problemas de fraco desempenho foi pouco utilizado. Com o avano da tecnologia de construo de dispositivos semicondutores, novas solues foram encontradas para aprimorar tais componentes, que hoje ocupam significativa faixa de aplicao, especialmente naquelas de elevada potncia, uma vez que esto disponveis dispositivos para 5000V, 4000A.

Princpio de funcionamento
O GTO possui uma estrutura de 4 camadas, tpica dos componentes da famlia dos tiristores. Sua caracterstica principal sua capacidade de entrar em conduo e bloquear atravs de comandos adequados no terminal de gate. O mecanismo de disparo semelhante ao do SCR: supondo-o diretamente polarizado, quando a corrente de gate injetada, circula corrente entre gate e catodo. Grande parte de tais portadores, como a camada de gate suficientemente fina, desloca-se at a camada N adjacente, atravessando a barreira de potencial e sendo atrados pelo potencial do anodo, dando incio corrente andica. Se esta corrente se mantiver acima da corrente de manuteno, o dispositivo no necessita do sinal de gate para manter-se conduzindo. A figura 3.14 mostra o smbolo do GTO e uma representao simplificada dos processos de entrada e sada de conduo do componente. A aplicao de uma polarizao reversa na juno gate-catodo pode levar ao desligamento do GTO. Portadores livres (lacunas) presentes nas camadas centrais do dispositivo so atrados pelo gate, fazendo com que seja possvel o reestabelecimento da barreira de potencial na juno J2.

Figura 3.14. Smbolo, processos de chaveamento e estrutura interna de GTO.

Aparentemente seria possvel tal comportamento tambm no SCR. As diferenas, no entanto, esto no nvel da construo do componente. O funcionamento como GTO depende, por exemplo, de fatores como:

facilidade de extrao de portadores pelo terminal de gate - isto possibilitado pelo uso de dopantes com alta mobilidade desaparecimento rpido de portadores nas camadas centrais - uso de dopante com baixo tempo de recombinao. Isto implica que um GTO tem uma maior queda de tenso quando em conduo, comparado a um SCR de mesmas dimenses. suportar tenso reversa na juno porta-catodo, sem entrar em avalanche - menor dopagem na camada de catodo absoro de portadores de toda superfcie condutora - regio de gate e catodo muito interdigitada, com grande rea de contato.

Diferentemente do SCR, um GTO pode no ter capacidade de bloquear tenses reversas. Existem 2 possibilidades de construir a regio de anodo: uma delas utilizando apenas uma camada p+, como nos SCR. Neste caso o GTO apresentar uma caracterstica lenta de comutao, devido maior dificuldade de extrao dos portadores, mas suportar tenses reversas na juno J3. A outra alternativa, mostrada na figura 3.15, introduzir regies n+ que penetrem na regio p+ do anodo, fazendo contato entre a regio intermediria n- e o terminal de anodo. Isto, virtualmente, curto-circuita a juno J1 quando o GTO polarizado reversamente. No entanto, torna-o muito mais rpido no desligamento (com polarizao direta). Como a juno J3 formada por regies muito dopadas, ela no consegue suportar tenses reversas elevadas. Caso um GTO deste tipo deva ser utilizado em circuitos nos quais fique sujeito a tenso reversa, ele deve ser associado em srie com um diodo, o qual bloquear a tenso.

Parmetros bsicos do GTO

Os smbolos utilizados pelos diversos fabricantes diferem [3.8], embora as grandezas representadas sejam, quase sempre, as mesmas.

Vdrxm - Tenso de pico, repetitiva, de estado desligado: sob condies dadas, a mxima tenso instantnea permissvel, em estado desligado, que no ultrapasse o dv/dt mximo, aplicvel repetidamente ao GTO. It - Corrente (RMS) de conduo: mxima corrente (valor RMS) que pode circular continuamente pelo GTO. Itcm - Corrente de conduo repetitiva controlvel: mxima corrente repetitiva, cujo valor instantneo ainda permite o desligamento do GTO, sob determinadas condies. I2t: escala para expressar a capacidade de sobrecorrente no-repetitiva, com respeito a um pulso de curta durao. utilizado no dimensionamento dos fusveis de proteo. di/dt: taxa de crescimento mxima da corrente de anodo. Vgrm - Tenso reversa de pico de gate repetitiva: mxima tenso instantnea permissvel aplicvel juno gate-catodo. dv/dt: mxima taxa de crescimento da tenso direta de anodo para catodo. IH - corrente de manuteno: Corrente de anodo que mantm o GTO em conduo mesmo na ausncia de corrente de porta. IL - corrente de disparo: corrente de anodo necessria para que o GTO entre em conduo com o desligamento da corrente de gate. tgt - tempo de disparo: tempo entre a aplicao da corrente de gate e a queda da tenso Vak. tgq - tempo de desligamento: tempo entre a aplicao de uma corrente negativa de gate e a queda da corrente de anodo (tgq=ts+tf) ts - tempo de armazenamento

Condies do sinal de porta para chaveamento

Desde que, geralmente, o GTO est submetido a condies de alto di/dt, necessrio que o sinal de porta tambm tenha rpido crescimento, tendo um valor de pico relativamente elevado [3.9]. Deve ser mantido neste nvel por um tempo suficiente (tw1) para que a tenso Vak caia a seu valor de conduo direta. conveniente que se mantenha a corrente de gate durante todo o perodo de conduo, especialmente se a corrente de anodo for pequena, de modo a garantir o estado "ligado". A figura 3.16 ilustra as formas de corrente recomendadas para a entrada em conduo e tambm para o desligamento. Durante o intervalo "ligado" existe uma grande quantidade de portadores nas camadas centrais do semicondutor. A comutao do GTO ocorrer pela retirada destes portadores e, ainda, pela impossibilidade da vinda de outros das camadas ligadas ao anodo e ao catodo, de modo que a barreira de potencial da juno J2 possa se reestabelecer. O grande pico reverso de corrente apressa a retirada dos portadores. A taxa de crescimento desta corrente relaciona-se com o temo de armazenamento, ou seja, o tempo decorrido entre a aplicao do pulso negativo e o incio da queda (90%) da corrente de anodo. Quanto maior for a derivada, menor o tempo. Quando a corrente drenada comea a cair, a tenso reversa na juno gate-catodo cresce rapidamente, ocorrendo um processo de avalanche. A tenso negativa de gate deve ser mantida prxima ao valor da tenso de avalanche. A potncia dissipada neste processo controlada (pela prpria construo do dispositivo). Nesta situao a tenso Vak cresce e o GTO desliga. Para evitar o disparo do GTO por efeito dv/dt, uma tenso reversa de porta pode ser mantida durante o intervalo de bloqueio do dispositivo. O ganho de corrente tpico, no desligamento, baixo (de 5 a 10), o que significa que, especialmente para os GTOs de alta corrente, o circuito de acionamento, por si s, envolve a manobra de elevadas correntes.

Figura 3.16. Formas de onda tpicas do circuito de comando de porta de GTO.

Circuitos amaciadores (snubber)

Desligamento

Durante o desligamento, com o progressivo restabelecimento da barreira de potencial na juno reversamente polarizada, a corrente de anodo vai se concentrando em reas cada vez menores, concentrando tambm os pontos de dissipao de potncia. Uma limitao da taxa de crescimento da tenso, alm de impedir o gatilhamento por efeito dv/dt, implicar numa reduo da potncia dissipada nesta transio. O circuito mais simples utilizado para esta funo uma rede RCD, como mostrado na figura 3.17. Supondo uma corrente de carga constante, ao ser desligado o GTO, o capacitor se carrega com a passagem da corrente da carga, com sua tenso vaiando de forma praticamente linear. Assim, o dv/dt determinado pela capacitncia. Quando o GTO entrar em conduo, este capacitor se descarrega atravs do resistor. A descarga deve ocorrer dentro do mnimo tempo em conduo previsto para o GTO, a fim de assegurar tenso nula inicial no prximo desligamento. A resistncia no pode ser muito baixa, a fim de limitar a impulso de corrente injetado no GTO.

Figura 3.17 Circuito amaciador de desligamento tipo RCD.

A energia armazenada no capacitor ser praticamente toda dissipada em R. Especialmente em aplicaes de alta tenso e alta freqncia, esta potncia pode assumir valores excessivos. Em tais casos deve-se buscar solues ativas, nas quais a energia acumulada no capacitor seja devolvida fonte ou carga [3.10]. A potncia a ser retirada do capacitor dada por:

(3.2) onde V a tenso de alimentao e fs a freqncia de chaveamento. Como exemplo, suponhamos um circuito alimentado em 1000V, operando a 1kHz com um capacitor de 1F. Isto significa uma potncia de 500W!
Entrada em conduo

A limitao de di/dt nos GTOs muito menos crtica do que para os SCR. Isto se deve interdigitao entre gate e catodo, o que leva a uma expanso muito mais rpida da superfcie em conduo, no havendo significativa concentrao de corrente em reas restritas.

O problema relacionado ao crescimento da corrente refere-se, para um GTO, principalmente, potncia dissipada na entrada em conduo do dispositivo. Com carga indutiva, dada a necessria existncia de um diodo de livre-circulao (e o seu inevitvel tempo de desligamento), durante alguns instantes em que o GTO j se encontra conduzindo, sobre ele tambm existe uma tenso elevada, produzindo um pico de potncia sobre o componente. Este fato agravado pela corrente reversa do diodo e ainda pela descarga do capacitor do snubber de desligamento (caso exista). A figura 3.18 ilustra este comportamento. Para reduzir este efeito, um circuito snubber para o disparo pode ser necessrio, com o objetivo de reduzir a tenso sobre o GTO em sua entrada em conduo, pode-se utilizar um circuito amaciador formado, basicamente, por um indutor com ncleo saturvel, que atue de maneira significativa apenas durante o incio do crescimento da corrente, mas sem armazenar uma quantidade significativa de energia.

Associaes em srie e em paralelo

Nas situaes em que um componente nico no suporte a tenso ou a corrente de uma dada aplicao, faz-se necessrio associar componentes em srie ou em paralelo. Nestes casos os procedimentos so similares queles empregados, descritos anteriormente, para os SCRs.

Figura 3.18 GTO acionando carga indutiva e amaciador para desligamento.

Transistor Bipolar de Potncia (TBP)

Embora seja um dispositivo tecnologicamente ultrapassado, os TBP representaram um importante passo no desenvolvimento de componentes de mdia potncia, atingindo tenses de bloqueio da ordem de 1000V, conduzindo correntes de 500A. Embora estes valores no permitam sua aplicao direta (mesmo quando associados) em dispositivos FACTS, so suficientes para uma srie de outros conversores para condicionamento de energia eltrica. O desenvolvimento posterior dos MOSFET e dos IGBT ocupou o espao de aplicao dos TBP. A velocidade de chaveamento dos dispositivos de maior potncia era relativamente baixa, limitando a frequncia de chaveamento a poucos kHz.

Princpio de funcionamento
A figura 3.19 mostra a estrutura bsica de um transistor bipolar.

Figura 3.19. Estrutura bsica de transistor bipolar

A operao normal de um transistor feita com a juno J1 (B-E) diretamente polarizada, e com J2 (B-C) reversamente polarizada [3.11]. No caso NPN, os eltrons so atrados do emissor pelo potencial positivo da base. Esta camada central suficientemente fina para que a maior parte dos portadores tenha energia cintica suficiente para atravess-la, chegando regio de transio de J2, sendo, ento, atrados pelo potencial positivo do coletor. O controle de Vbe determina a corrente de base, Ib, que, por sua vez, se relaciona com Ic pelo ganho de corrente do dispositivo. Na realidade, a estrutura interna dos TBPs diferente. Para suportar tenses elevadas, existe uma camada intermediria do coletor, com baixa dopagem, a qual define a tenso de bloqueio do componente. A figura 3.20. mostra uma estrutura tpica de um transistor bipolar de potncia. As bordas arredondadas da regio de emissor permitem uma homogenizao do campo eltrico, necessria manuteno de ligeiras polarizaes reversas entre base e emissor. O TBP no sustenta tenso no sentido oposto porque a alta dopagem do emissor provoca a ruptura de J1 em baixas tenses (5 a 20V).

Figura 3.20. Estrutura interna de TPB e seu smbolo

O uso preferencial de TBP tipo NPN se deve s menores perdas em relao aos PNP, o que ocorre por causa da maior mobilidade dos eltrons em relao s lacunas, reduzindo, principalmente, os tempos de comutao do componente.

rea de Operao Segura (AOS)

A AOS representa a regio do plano Vce x Ic dentro da qual o TBP pode operar sem se danificar. A figura 3.21 mostra uma forma tpica de AOS. medida que a corrente se apresenta em pulsos (no-repetitivos) a rea se expande. Para pulsos repetitivos deve-se analisar o comportamento trmico do componente para se saber se possvel utiliz-lo numa dada aplicao, uma vez que a AOS, por ser definida para um nico pulso, uma restrio mais branda. Esta anlise trmica feita com base no ciclo de trabalho a que o dispositivo est sujeito, aos valores de tenso e corrente e impedncia trmica do transistor, a qual fornecida pelo fabricante.

Figura 3.23. Aspecto tpico de AOS de TBP

A: Mxima corrente contnua de coletor B: Mxima potncia dissipvel (relacionada temperatura na juno) C: Limite de segunda ruptura D: Mxima tenso Vce

Conexo Darlington
Como o ganho dos TBP relativamente baixo, usualmente so utilizadas conexes Darlington (figura 3.22), que apresentam como principais caractersticas: - ganho de corrente = 1(2+1)+2 - T2 no satura, pois sua juno B-C est sempre reversamente polarizada - tanto o disparo quanto o desligamento so seqenciais. No disparo, T1 liga primeiro, fornecendo corrente de base para T2. No desligamento, T1 deve comutar antes, interrompendo a corrente de base de T2. Os tempos totais dependem, assim, de ambos transistores, elevando, em princpio, as perdas de chaveamento.

Figura 3.22. Conexo Darlington.

Mtodos de reduo dos tempos de chaveamento

Um ponto bsico utilizar uma corrente de base adequada. As transies devem ser rpidas, para reduzir os tempo de atraso. Um valor elevado Ib1 permite uma reduo de tri. Quando em conduo, Ib2 deve ter tal valor que faa o TBP operar na regio de quase-saturao. No desligamento, deve-se prover uma corrente negativa, acelerando assim a retirada dos portadores armazenados. Para o acionamento de um transistor nico, pode-se utilizar um arranjo de diodos para evitar a saturao, como mostrado na figura 3.24. Comutaes de transistores bipolares quando operando na regio de saturao se tornam muito mais lentas devido maior quantidade de portadores a ser extrado pela base.

Figura 3.23 Forma de onda de corrente de base recomendada para acionamento de TBP.

Neste arranjo, a tenso mnima na juno B-C zero. Excesso na corrente Ib desviado por D3. D3 permite a circulao de corrente negativa na base.

Figura 3.24. Arranjo de diodos para evitar saturao.

MOSFET
Atualmente no existem transistores MOSFET para aplicaes em potncias mais elevadas. Os componentes disponveis tem caractersticas tpicas na faixa de: 1000V/20A ou 100V/200A. Sua principal vantagem a facilidade de acionamento, feita em tenso, e a elevada velocidade de chaveamento, tornando-o indicado para as aplicaes de freqncia elevada (centenas de kHz).

Princpio de funcionamento (canal N)

O terminal de gate isolado do semicondutor por SiO2. A juno PN- define um diodo entre Source e Drain, o qual conduz quando Vds<0. A operao como transistor ocorre quando Vds>0. A figura 3.25 mostra a estrutura bsica do transistor [3.12]. Quando uma tenso Vgs>0 aplicada, o potencial positivo no gate repele as lacunas na regio P, deixando uma carga negativa, mas sem portadores livres. Quando esta tenso atinge um certo limiar (Vth), eltrons livres (gerados principalmente por efeito trmico) presentes na regio P so atrados e formam um canal N dentro da regio P, pelo qual torna-se possvel a passagem de corrente entre D e S. Elevando Vgs, mais portadores so atrados, ampliando o canal, reduzindo sua resistncia (Rds), permitindo o aumento de Id. Este comportamento caracteriza a chamada "regio resistiva". A passagem de Id pelo canal produz uma queda de tenso que leva ao seu afunilamento, ou seja, o canal mais largo na fronteira com a regio N+ do que quando se liga regio N-. Um aumento de Id leva a uma maior queda de tenso no canal e a um maior afunilamento, o que conduziria ao seu colapso e extino da corrente! Obviamente o fenmeno tende a um ponto de equilbrio, no qual a corrente Id se mantm constante para qualquer Vds, caracterizando a regio ativa do MOSFET. A figura 3.26 mostra a caracterstica esttica do MOSFET,

Figura 3.25. Estrutura bsica de transistor MOSFET.

Uma pequena corrente de gate necessria apenas para carregar e descarregar as capacitncias de entrada do transistor. A resistncia de entrada da ordem de 1012 ohms. Estes transistores, em geral, so de canal N por apresentarem menores perdas e maior velocidade de comutao, devido maior mobilidade dos eltrons em relao s lacunas. A mxima tenso Vds determinada pela ruptura do diodo reverso. Os MOSFETs no apresentam segunda ruptura uma vez que a resistncia do canal aumenta com o crescimento de Id. Este fato facilita a associao em paralelo destes componentes. A tenso Vgs limitada a algumas dezenas de volts, por causa da capacidade de isolao da camada de SiO2.

Caracterstica de chaveamento - carga indutiva

a) Entrada em conduo (figura 3.27) Ao ser aplicada a tenso de acionamento (Vgg), a capacitncia de entrada comea a se carregar, com a corrente limitada por Rg. Quando se atinge a tenso limiar de conduo (Vth), aps td, comea a crescer a corrente de dreno. Enquanto Id<Io, Df se mantm em conduo e Vds=Vdd. Quando Id=Io, Df desliga e

Vds cai. Durante a reduo de Vds ocorre um aparente aumento da capacitncia de entrada (Ciss) do transistor (efeito Miller), fazendo com que a variao de Vgs se torne muito mais lenta (em virtude do "aumento" da capacitncia). Isto se mantm at que Vds caia, quando, ento, a tenso Vgs volta a aumentar, at atingir Vgg.

Figura 3.26. Caracterstica esttica do MOSFET.

O que ocorre que, enquanto Vds se mantm elevado, a capacitncia que drena corrente do circuito de acionamento apenas Cgs. Quando Vds diminui, a capacitncia dentre dreno e source se descarrega, o mesmo ocorrendo com a capacitncia entre gate e dreno. A descarga desta ltima capacitncia se d desviando a corrente do circuito de acionamento, reduzindo a velocidade do processo de carga de Cgs, o que ocorre at que Cgd esteja descarregado. b) Desligamento O processo de desligamento semelhante ao apresentado, mas na ordem inversa. O uso de uma tenso Vgg negativa apressa o desligamento, pois acelera a descarga da capacitncia de entrada. Como os MOSFETs no apresentam cargas estocadas, no existe o tempo de armazenamento, por isso so muito mais rpidos que os TBP.

Figura 3.27 Formas de onda na entrada em conduo de MOSFET com carga indutiva.

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)

O IGBT alia a facilidade de acionamento dos MOSFET com as pequenas perdas em conduo dos TBP. Sua velocidade de chaveamento superior dos transistores bipolares. Os limites atuais de tenso e corrente em dispositivos nicos esto em torno de 2kV e 1000A, o que indica que tal componente pode ser utilizado (quando associado em srie ou em paralelo) em aplicaes de mdia potncia [3.13].

Princpio de funcionamento
A estrutura do IGBT similar do MOSFET, mas com a incluso de uma camada P+ que forma o coletor do IGBT, como se v na figura 3.28. Em termos simplificados pode-se analisar o IGBT como um MOSFET no qual a regio N- tem sua condutividade modulada pela injeo de portadores minoritrios (lacunas), a partir da regio P+, uma vez que J1 est diretamente polarizada. Esta maior condutividade produz uma menor queda de tenso em comparao a um MOSFET similar. O controle de componente anlogo ao do MOSFET, ou seja, pela aplicao de uma polarizao entre gate e emissor. Tambm para o IGBT o acionamento feito por tenso. A mxima tenso suportvel determinada pela juno J2 (polarizao direta) e por J1 (polarizao reversa). Como J1 divide 2 regies muito dopadas, conclui-se que um IGBT no suporta tenses elevadas quando polarizado reversamente.

Os IGBTs apresentam um tiristor parasita. A construo do dispositivo deve ser tal que evite o acionamento deste tiristor, especialmente devido s capacitncias associadas regio P, a qual relaciona-se regio do gate do tiristor parasita. Os modernos componentes no apresentam problemas relativos a este elemento indesejado.

Figura 3.28. Estrutura bsica de IGBT.

A entrada em conduo similar ao MOSFET, sendo um pouco mais lenta a queda da tenso Vce, uma vez que isto depende da chegada dos portadores vindos da regio P+. Para o desligamento, no entanto, tais portadores devem ser retirados. Nos TBPs isto se d pela drenagem dos portadores via base, o que no possvel nos IGBTs, devido ao acionamento isolado. A soluo encontrada foi a incluso de uma camada N+, na qual a taxa de recombinao bastante mais elevada do que na regio N-. Desta forma, as lacunas presentes em N+ recombinam-se com muita rapidez, fazendo com que, por difuso, as lacunas existentes na regio N- refluam, apressando a extino da carga acumulada na regio N-, possibllitando o restabelecimento da barreira de potencial e o bloqueio do componente.

MCT - Mos-Controlled Thyristor

MCT (MOS-Controlled Thyristor) um novo tipo de dispositivo semicondutor de potncia que associa as capacidades de densidade de corrente e de bloqueio de tenso tpicas dos tiristores, com um controle de entrada e de sada de conduo baseado em dispositivos MOS. Isto , enquanto um GTO tem o gate controlado em corrente, o MCT opera com comandos de tenso [3.14].

Os MCTs apresentam uma facilidade de comando muito superior aos GTOs. Relembre-se o baixo ganho de corrente que um GTO apresenta no desligamento, exigindo um circuito de comando relativamente complexo. No entanto, os MCTs ainda (1995) no atingiram nveis de tenso e de corrente comparveis aos dos GTOs, estando limitados a valores da ordem de 2000V e 600A. O fato do MCT ser construdo por milhares de pequenas clulas, muito menores do que as clulas que formam os GTOs, faz com que, para uma mesma rea semicondutora, a capacidade de corrente dos MCTs seja menor do que um GTO equivalente. Mas esta uma limitao tecnolgica atual, associada capacidade de constuirem-se maiores quantidades de clulas com certeza de funcionamento correto.

Princpio de funcionamento
Considerando o modelo de 2 transistores para um tiristor, um MCT pode ser representado como mostrado na figura 3.29. Nesta figura tambm se mostra uma seco transversal de uma clula do dispositivo. Um componente formado pela associao em paralelo de milhares de tais clulas construdas numa mesma pastilha [3.15]. Em um MCT de canal P (P-MCT) o MOSFET responsvel pela entrada em conduo do tiristor (on-FET) tambm de canal P, sendo levado conduo pela aplicao de uma tenso negativa no terminal de gate. Estando o anodo positivo, a conduo do on-FET realiza uma injeo de portadores na base do transistor NPN, levando o componente conduo. Uma vez que o componente formado pela associao de dezenas de milhares de clulas, e como todas elas entram em conduo simultaneamente, o MCT possui excelente capacidade de suportar elevado di/dt. O MCT permanecer em conduo at que a corrente de anodo caia abaixo do valor da corrente de manuteno (como qualquer tiristor), ou ento at que seja ativado o off-FET, o que se faz pela aplicao de uma tenso positiva no gate. A conduo do off-FET, ao curto-circuitar a juno base-emissor do transistor PNP ( possvel tambm uma estrutura que curto-circuita as junes baseemissor de ambos os transistores), reduz o ganho de corrente para um valor menor do que 1, levando ao bloqueio do MCT. A queda de tenso deve ser menor que Vbe. O MCT no apresenta o efeito Miller, de modo que no se observa o patamar de tenso sobre o gate, o qual pode ser modelado apenas como uma capacitncia. Esta capacidade de desligamento est associada a uma intensa interdigitao entre o off-FET e as junes, permitindo absorver portadores de toda superfcie condutora do anodo (e do catodo). Assim como um GTO assimtrico, o MCT no bloqueia tenso reversa acima de poucas dezenas de volts, uma vez que as camadas n+ ligadas ao anodo curtocircuitam a juno J1, e q juno J3, por estar associada a regies de dopagem elevada, no tem capacidade de sustentar tenses mais altas. possvel, no entanto, faz-los com bloqueio simtrico [3.16], tambm sacrificando a velocidade de chaveamento. O sinal de gate deve ser mantido, tanto no estado ligado quanto no desligado, a fim de evitar comutaes (por "latch-down" ou por dv/dt) indesejveis. Na figura 3.30 mostra-se uma comparao entre a queda de tenso entre os terminais principais, em funo da densidade de corrente, para componentes (MCT, IGBT e MOSFET). Nota-se que o MCT apresenta tenses muito menores do que os transistores, devido sua caracterstica de tiristor. Ou seja, as perdas em conduo deste dispositivo so consideravelmente menores, representando uma de suas principais caractersticas no confronto com outros componentes.

Figura 3.29 Circuito equivalente de MCT canal P; corte transversal de uma clula e smbolo do componente.

Mantendo o off-FET operando durante o estado bloqueado, tem-se que a corrente de fuga circula por tal componente auxiliar, resultando numa melhoria na capacidade de bloqueio, mesmo em altas temperaturas. Devido a este desvio da corrente atravs do MOSFET, o limite de temperatura est associado ao encapsulamento, e no a fenmenos de perda da capacidade de bloqueio. Isto significa que possvel oper-los em temperaturas bem mais elevadas do que os outros componentes como, por exemplo, 250 oC. Devido elevada densidade de corrente, e conseqente alto limite de di/dt, suportvel pelo MCT, circuitos amaciadores devem ser considerado basicamente para o desligamento, podendo ser implementados apenas com um capacitor entre anodo e catodo, uma vez que sua descarga sobre o MCT no momento de entrada em conduo deste, no problemtico.

Figura 3.30

Comparao entre componentes para 600V, com 1us de tempo de desligamento, desprezando a resistncia do encapsulamento.

Comparao entre P-MCT e N-MCT

Figura 3.31 Circuito equivalente de MCT canal N; corte transversal de uma clula e smbolo do componente.

Este componente entra em conduo quando um potencial positivo aplicado ao gate, desligando com uma tenso negativa. Como o anodo est em contato apenas com uma camada P, este dispositivo capaz de sustentar tenses com polarizao reversa. Sabe-se que um MOSFET canal N mais rpido e apresenta menor queda de tenso do que um MOSFET canal P. Assim, um P-MCT, por ser desligado por um MOSFET canal N capaz de comutar uma corrente de anodo 2 a 3 vezes maior do que a que se obtm em um NMCT. Em contraposio, por ser ligado por um MOSFET canal P, a entrada em conduo mais lenta do que a que se tem em um N-MCT. possvel construir MCTs que so ligados por um MOSFET de canal N, e desligado por um MOSFET de canal P, como mostrado na figura 3.33. A queda no MOSFET deve ser menor que 0,7V, para garantir que o TBP no conduza. Esta queda de tenso se d com a passagem da totalidade da corrente de anodo pelo MOSFET.

4. Efeitos e causas de harmnicas no sistema de energia eltrica

A anlise aqui feita baseia-se no texto da recomendao IEEE-519 [4.1] que trata de prticas e requisitos para o controle de harmnicas no sistema eltrico de potncia. No referido texto so identificadas diversas referncias especficas sobre os diferentes fenmenos abordados.

1. Efeitos de harmnicas em componentes do sistema eltrico

O grau com que harmnicas podem ser toleradas em um sistema de alimentao depende da susceptibilidade da carga (ou da fonte de potncia). Os equipamentos menos sensveis, geralmente, so os de aquecimento (carga resistiva), para os quais a forma de onda no relevante. Os mais sensveis so aqueles que, em seu projeto, assumem a existncia de uma alimentao senoidal como, por exemplo, equipamentos de comunicao e processamento de dados. No entanto, mesmo para as cargas de baixa susceptibilidade, a presena de harmnicas (de tenso ou de corrente) podem ser prejudiciais, produzindo maiores esforos nos componentes e isolantes.

1. Motores e geradores O maior efeito dos harmnicos em mquinas rotativas (induo e sncrona) o aumento do aquecimento devido ao aumento das perdas no ferro e no cobre. Afeta-se, assim, sua eficincia e o torque disponvel. Alm disso, tem-se um possvel aumento do rudo audvel, quando comparado com alimentao senoidal.

Outro fenmeno a presena de harmnicos no fluxo, produzindo alteraes no acionamento, como componentes de torque que atuam no sentido oposto ao da fundamental, como ocorre com o 5o , 11o, 17o, etc. harmnicos. Isto significa que tanto o quinto componente, quanto o stimo induzem uma sexta harmnica no rotor. O mesmo ocorre com outros pares de componentes. O sobre-aquecimento que pode ser tolerado depende do tipo de rotor utilizado. Rotores bobinados so mais seriamente afetados do que os de gaiola. Os de gaiola profunda, por causa do efeito pelicular, que conduz a conduo da corrente para a superfcie do condutor em freqncias elevadas, produzem maior elevao de temperatura do que os de gaiola convencional. O efeito cumulativo do aumento das perdas reflete-se numa diminuio da eficincia e da vida til da mquina. A reduo na eficincia indicada na literatura como de 5 a 10% dos valores obtidos com uma alimentao senoidal. Este fato no se aplica a mquinas projetadas para alimentao a partir de inversores, mas apenas quelas de uso em alimentao direta da rede. Algumas componentes harmnicas, ou pares de componentes (por exemplo, 5a e 7a, produzindo uma resultante de 6a harmnica) podem estimular oscilaes mecnicas em sistemas turbina-gerador ou motor-carga, devido a uma potencial excitao de ressonncias mecnicas. Isto pode levar a problemas de industriais como, por exemplo, na produo de fios, em que a preciso no acionamento elemento fundamental para a qualidade do produto.

2. Transformadores Tambm neste caso tem-se um aumento nas perdas. Harmnicos na tenso aumentam as perdas ferro, enquanto harmnicos na corrente elevam as perdas cobre. A elevao das perdas cobre deve-se principalmente ao efeito pelicular, que implica numa reduo da rea efetivamente condutora medida que se eleva a frequncia da corrente. Normalmente as componentes harmnicas possuem amplitude reduzida, o que colabora para no tornar esses aumentos de perdas excessivos. No entanto, podem surgir situaes especficas (ressonncias, por exemplo) em que surjam componentes de alta freqncia e amplitude elevada. Alm disso o efeito das reatncias de disperso fica ampliado, uma vez que seu valor aumenta com a freqncia. Associada disperso existe ainda outro fator de perdas que se refere s correntes induzidas pelo fluxo disperso. Esta corrente manifesta-se nos enrolamentos, no ncleo, e nas peas metlicas adjacentes aos enrolamentos. Estas perdas crescem proporcionalmente ao quadrado da freqncia e da corrente. Tem-se ainda uma maior influncia das capacitncias parasitas (entre espiras e entre enrolamento) que podem realizar acoplamentos no desejados e, eventualmente, produzir ressonncias no prprio dispositivo.

3. Cabos de alimentao Em razo do efeito pelicular, que restringe a seco condutora para componentes de freqncia elevada, tambm os cabos de alimentao tm um aumento de perdas devido s harmnicas de corrente. Alm disso tem-se o chamado "efeito de proximidade", o qual relaciona um aumento na resistncia do condutor em funo do efeito dos campos magnticos produzidos pelos demais condutores colocados nas adjacncias. A figura 4.1 mostra curvas que indicam a seo transversal e o dimetro de condutores de cobre que devem ser utilizados para que o efeito pelicular no seja significativo (aumento menor que 1% na resistncia). Note que para 3kHz o mximo dimetro aconselhvel aproximadamente 1 ordem de grandeza menor do que para 50Hz. Ou seja, para frequncias acima de 3 kHz um condutor com dimetro maior do que 2,5 mm j comea a ser significativo em termos de eleito pelicular. Alm disso, caso os cabos sejam longos e os sistemas conectados tenham suas ressonncias excitadas pelas componentes harmnicas, podem aparecer elevadas sobre-tenses ao longo da linha, podendo danificar o cabo. Na figura 4.2 tem-se a resposta em freqncia, para uma entrada em tenso, de um cabo de 10 km de comprimento, com parmetros obtidos de um cabo trifsico 2 AWG, 6 kV. As curvas mostram o mdulo da tenso no final do cabo, ou seja, sobre a carga (do tipo RL). Dada a caracterstica indutiva da carga, esta comporta-se praticamente como um circuito aberto em frequncias elevadas. Quando o comprimento do cabo for igual a do comprimento de onda do sinal injetado, este "circuito aberto" no final da linha reflete-se como um curto-circuito na fonte. Isto repete-se para todos os mltiplos mpares desta freqncia. As duas curvas mostradas referem-se resposta em freqncia sem e com o efeito pelicular. Nota-se que considerando este efeito tem-se uma reduo na amplitude das ressonncias, devido ao maior amortecimento apresentado pelo cabo por causa do aumento de sua resistncia. Na figura 4.3 tem-se a perfil do mdula da tenso ao longo do cabo quando o sinal de entrada apresentar-se na primeira freqncia de ressonncia. Observe que a sobre-tenso na carga atinge quase 4 vezes a tenso de entrada (j considerando a ao do efeito pelicular). O valor mximo no ocorre exatamente sobre a carga porque ela no , efetivamente, um circuito aberto nesta freqncia de aproximadamente 2,3 kHz.

Figura 4.1 rea de seo e dimetro de fio de cobre que deve ser usado em funo da freqncia da corrente para que o aumento da resistncia seja menor que 1%.

Figura 4.2 Resposta em freqncia de cabo trifsico (10 km).

Figura 4.3 Perfil de tenso ao longo do cabo na freqncia de ressonncia.

Na figura 4.4 tem-se a resposta no tempo de uma linha de 40 km (no incluindo o efeito pelicular), para uma entrada senoidal (50Hz), na qual existe uma componente de 1% da harmnica que coincide com a freqncia de ressonncia do sistema (11a). Observe como esta componente aparece ampificada sobre a carga. medida que aumenta o comprimento do cabo a ressonncia se d em freqncia mais baixa, aumentando a possibilidade de amplificar os harmnicos mais comuns do sistema.

Figura 4.4 Resposta no tempo de cabo de transmisso a uma entrada com componente na freqncia de ressonncia.

4. Capacitores O maior problema aqui a possibilidade de ocorrncia de ressonncias (excitadas pelas harmnicas), podendo produzir nveis excessivos de corrente e/ou de tenso. Alm disso, como a reatncia capacitiva diminui com a freqncia, tem-se um aumento nas correntes relativas s harmnicas presentes na tenso. As correntes de alta freqncia, que encontraro um caminho de menor impedncia pelos capacitores, elevaro as suas perdas hmicas. O decorrente aumento no aquecimento do dispositivo encurta a vida til do capacitor. A figura 4.5 mostra um exemplo de correo do fator de potncia de uma carga e que leva ocorrncia de ressonncia no sistema. Na figura 4.6 so mostradas as figuras relativas tenso e s correntes da fonte nos diferentes circuitos. Considere o circuito (a), no qual alimentada uma carga do tipo RL, apresentando um baixo fator de potncia. No circuito (b), inserido um capacitor que corrige o fator de potncia, como se observa pela forma da corrente mostrada na figura 4.6 (intermediria). Suponhamos que o sistema de alimentao possua uma reatncia indutiva, a qual interage com o capacitor e produz uma ressonncia srie (que conduz a um curto-circuito na frequncia de sintonia). Caso a tenso de alimentao possua uma componente nesta freqncia, esta harmnica ser amplificada. Isto observado na figura 4.6 (inferior), considerando a presena de uma componente de tenso de 5a harmnica, com 3% de amplitude. Observe a notvel amplificao na corrente, o que poderia produzir importantes efeitos sobre o sistema.

(a) (b) (c) Figura 4.5 Circuitos equivalentes para anlise de ressonncia da linha com capacitor de correo do fator de potncia.

Figura 4.6 Formas de onda relativas aos circuitos da figura 4.5: (a) - superior; (b) - intermedirio; (c) - inferior. 5. Equipamentos eletrnicos Alguns equipamentos podem ser muito sensveis a distores na forma de onda de tenso. Por exemplo, se um aparelho utiliza os cruzamento com o zero (ou outros aspectos da onda de tenso) para realizar alguma ao, distores na forma de onda podem alterar, ou mesmo inviabilizar, seu funcionamento. Caso as harmnicas penetrem na alimentao do equipamento por meio de acoplamentos indutivos e capacitivos (que se tornam mais efetivos com a aumento da freqncia), eles podem tambm alterar o bom funcionamento do aparelho. 6. Aparelhos de medio Aparelhos de medio e instrumentao em geral so afetados por harmnicas, especialmente se ocorrerem ressonncias que afetam a grandeza medida. Dispositivos com discos de induo, como os medidores de energia, so sensveis a componentes harmnicas, podendo apresentar erros positivos ou negativos, dependendo do tipo de medidor e da harmnica presente. Em geral a distoro deve ser elevada (>20%) para produzir erro significativo. 7. Rels de proteo e fusveis Um aumento da corrente eficaz devida a harmnicas sempre provocar um maior aquecimento dos dispositivos pelos quais circula a corrente, podendo ocasionar uma reduo em sua vida til e, eventualmente, sua operao inadequada. Em termos dos rels de proteo no possvel definir completamente as respostas devido variedade de distores possveis e aos diferentes tipos de dispositivos existentes. A referncia [4.2] um estudo no qual se afirma que os rels de proteo geralmente no respondem a qualquer parmetro identificvel, tais como valores eficazes da grandeza de interesse ou a amplitude de sua componente fundamental. O desempenho de um rel considerando uma faixa de freqncias de entrada no uma indicao de como aquele componente responder a uma onda distorcida contendo aquelas mesmas componentes espectrais. Rels com mltiplas entradas so ainda mais imprevisveis. 2. Causas de distoro harmnica Sero apresentados a seguir equipamentos e fenmenos que produzem contominao harmnica no sistema eltrico. Quando se fizer referncia ao termo ideal, significa que est sendo desconsiderada os efeitos indutivos do sistema de alimentao, ou seja, considera-se a alimentao feita a partir de uma fonte ideal.

1. Conversores Sero vistos aqui alguns casos tpicos de componentes harmnicas produzidas por conversores eletrnicos de potncia, tais como retificadores e controladores CA. 1. Formas de onda em conversores ideais A figura 4.7 mostra um retificador a diodos alimentando uma carga do tipo RL, ou seja, que tende a consumir uma corrente constante, caso sua constante de tempo seja muito maior do que o perodo da rede. Na figuras 4.8 tem-se a forma de tenso de sada do retificador, numa situao ideal. Supondo uma corrente constante, sem ondulao sendo consumida pela carga, a forma de onda da corrente na entrada do retificador mostrada na figura 4.9. As amplitudes das componentes harmnicas deste sinal sinal seguem a equao (4.1)

(4.1) onde: h a ordem harmnica; k qualquer inteiro positivo; q o nmero de pulsos do circuito retificador (6, no exemplo).

Figura 4.7 Circuito retificador trifsico, com carga RL.

Figura 4.8 Tenso de sada de retificador ideal.

Figura 4.9 Tenses e corrente de entrada com carga indutiva ideal e espectro da corrente.

2. A comutao Uma forma de corrente retangular como a suposta na figura 4.9 pressupe a no existncia de indutncias em seu caminho, ou ento uma fonte de tenso infinita, que garante a presena de tenso qualquer que seja a derivada da corrente. Na presena de indutncias, como mostrado na figura 4.10, no entanto, a transferncia de corrente de uma fase para outra no pode ser instantnea. Ao invs disso, existe um intervalo no qual estaro em conduo o diodo que est entrando e aquele que est em processo de desligamento. Isto configura um curto-circuito na entrada do retificador. A durao deste curto-circuito depende de quo rapidamente se d o crescimento da corrente pela fase que est entrando em conduo, ou seja, da diferena de tenso entre as fases que esto envolvidas na comutao.

Figura 4.10 Topologia de retificador trifsico, no-controlado, com carga indutiva . Formas de onda tpicas, indicando o fenmeno da comutao.

A figura 4.11 mostra um resultado experimental relativo a um retificador deste tipo. Neste caso a corrente no plana, mas apresenta uma ondulao determinada pelo filtro indutivo do lado CC. Mesmo neste caso pode-se notar que as transies da corrente de entrada no so instantneas e que durante as transies, nota-se uma perturbao na tenso na entrada do retificador. O valor intantneo desta tenso a mdia das tenses das fases que esto comutando, supondo iguais as indutncias da linha. Este "afundamento" da tenso chamado de "notching". Como se nota, a distoro na tenso ocorre devido distoro na corrente associada reatncia da linha.

Figura 4.11 Distoro na tenso devido ao fenmeno de comutao. 3. Reator controlado a tiristores (RCT) A figura 4.12 mostra o circuito de um RCT, elemento utilizado para fazer controle de tenso no sistema eltrico. Isto feito pela sntese de uma reatncia equivalente, que varia entre 0 e L, em funo do intervalo de conduo do par de tiristores. A forma de onda da corrente, bem como seu espectro esto mostrados na figura 4.13. Observe a presena de harmnicos mpares. medida que o intervalo de conduo se reduz aumenta a THD da corrente.

Figura 4.12 Diagrama eltrico de RCT.

Figura 4.13 Formas de onda e espectro da corrente em RCT.

A corrente obedece seguinte expresso:

(4.2)

o ngulo de disparo do SCR, medido a partir do cruzamento da tenso com o zero. Vi o valor de pico da tenso. As componentes harmnicas (valor eficaz) so dadas pela equao (4.3), existindo para todas as componentes mpares. A figura 4.14 mostra o comportamento de algumas harmnicas em funo do ngulo . Note que a terceira componente pode atingir quase 14% do valor da fundamental.

(4.3)

Figura 4.14 Variao do valor eficaz de cada componente harmnica em relao fundamental. 4. Forno de arco As harmnicas produzidas por um forno de arco, usado na produo de ao, so imprevisveis devida variao aleatria do arco. A corrente do arco no-peridica e sua anlise revela um espectro contnuo, incluindo harmnicas de ordem inteira e fracionria. Entretanto, medies indicam que harmnicas inteiras entre a 2a e a 7a predominam sobre as demais, sendo que sua amplitude decai com a ordem. Quando o forno atua no refino do material, a forma de onda se torna simtrica, desaparecendo as harmnicas pares. Na fase de fuso, tipicamente, as componentes harmnicas apresentam amplitude de at 8% da fundamental, enquanto no refino valores tpicos so em torno de 2%. 5. Retificadores com filtro capacitivo Conforme j foi visto, a grande parte dos equipamentos eletrnicos possuem um estgio de entrada constitudo por um retificador monofsico com filtro capacitivo. este tipo de circuito produz na rede correntes de forma impulsiva, centrados aproximadamente no pico da onda senoidal. O circuito est mostrado na figura 4.15. Na figura 4.16 tem-se formas de onda da tenso e da corrente, obtidas por simulao, bem como o espectro da corrente. Nota-se a grande amplitude das harmnicas, produzindo, certamente, uma elevada THD.

Situao semelhante ocorre com entrada trifsica, quando so observados 2 impulsos de corrente em cada semi-ciclo, como mostra a figura 4.17. Nota-se, mais uma vez, a significativa distoro que pode ocorrer na forma da tenso devido queda de tenso que ocorre na reatncia da linha.

Figura 4.15 Retificador monofsico com filtro capacitivo.

(a) (b) Figura 4.16 (a)Corrente de entrada e tenso de alimentao de retificador alimentando filtro capacitivo. (b) Espectro da corrente.

Figura 4.17 Tenso na entrada (superior) e corrente de linha (inferior) em retificador trifsico com filtro capacitivo.

5. Filtros passivos
A soluo clssica para a reduo da contaminao harmnica em sistemas eltricos o uso de filtros sintonizados (LC conectados em srie) em derivao. Outra possibilidade a melhoria do comportamento de cada carga individualmente, tambm utilizando apenas componentes passivos (indutores e capacitores). Estas alternativas sero apresentadas neste captulo e discutidas.

1. Filtros passivos aplicados a um conjunto de cargas A estrutura tpica de um filtro passivo de harmnicas de corrente mostrado na figura 5.1 [5.1]. As vrias clulas LC srie so sintonizadas nas freqncias que se deseja eliminar, o que, via de regra, so as harmnicas de ordem inferior. Para as freqncias mais elevadas usado, em geral, um simples capacitor. Na figura 5.2 tem-se a resposta em freqncia de um filtro sintonizado na quinta harmnica (em relao a 50Hz). Note que nesta freqncia a impedncia da clula se reduz, caindo a um valor determinado pelo fator de qualidade da clula. Ainda na mesma figura tem-se a resposta de um filtro composto (quinta, stima, dcima-primeira e passa-altas). Observe que mantm-se a mnima impedncia nas frequncias projetadas. Entretanto surgem ressonncias paralelas entre os elementos de filtragem, o que se observa pelo fato da impedncia crescer. Caso existam componentes harmnicas nestas freqncias elas produziro um ganho em tenso, sendo amplificadas.

Na freqncia da rede os diferentes filtros apresentam uma reatncia capacitiva, de modo que contribuem para a correo do fator de potncia (na freqncia fundamental), supondo que a carga alimentada seja de caracterstica indutiva. Uma vez que o fator de qualidade das clulas no infinito, ou seja, mesmo na ressonncia existe uma resistncia no caminho da corrente, isto faz com que a compensao no seja ideal e, mais do que isso, que exista uma componente distorcida tambm na tenso do barramento. De maneira oposta, se a rede j possuir componentes harmnicas na tenso, elas produziro correntes pelos filtros que podero assumir valores muito elevados. Assim, pode-se concluir que a presena de vrios filtros numa mesma rede produz interferncias mtuas, com o resultado que cada filtro pode facilmente ser influenciado pela presena dos outros filtros e outras cargas.

Figura 5.1 Filtragem passiva de corrente em carga no-linear.

Figura 5.2 Impedncia de filtro de quinta ordem (superior) e de filtro composto (inferior).

A existncia de uma reatncia de linha, em geral desconhecida, afeta o desempenho do filtro, como pode ser verificado pela figura 5.3. Ali se mostra a resposta de um filtro de terceira harmnica, supondo uma reatncia de linha desprezvel (como foi feito na simulao da figura 5.2). Observe que a impedncia mnima em 150Hz. Quanfo se introduz uma reatncia em srie com a fonte de alimentao a freqncia da ressonncia srie se desloca para um valor mais baixo, comprometendo a eficcia do filtro na freqncia desejada. Conclui-se que para uma operao tima dos filtros passivos importante um conhecimento preciso das caractersticas da linha de alimentao.

Figura 5.3 Efeito da reatncia de linha sobre a resposta em freqncia do filtro.

A figura 5.4 mostra um sistema simulado, com uma carga no-linear, que absorve uma corrente aproximadamente quadrada. Insere-se um filtro de terceira ordem, cujo resultado observa-se na figura 5.5 (superior). Quando se utilizam tambm filtros de quinta e stima ordem, alm de um capacitor para correo do fator de potncia, obtm-se o resultado mostrado na parte inferior da mesma figura. Note a significativa melhoria na forma de onda. Na prpria simulao possvel verificar como facilmente podem ocorrer ressonncias entre a impedncia da rede e este capacitor de correo do FP. Alm disso importante que os filtros possuam atenuao de modo a que os transitrios (que excitam as ressonncias) sejam rapidamente atenuados.

Figura 5.4 Sistema simulado para verificao do comportamento de filtros passivos.

Figura 5.5 Formas de onda da tenso da fonte (antes do indutor) e da corrente:

com filtro de 3a ordem (superior) e com filtros de 3a, 5a e 7a ordem e correo de FP.

Uma maneira de reduzir a interao entre filtros e a rede fazer o acoplamento dos filtros com o barramento atravs de uma indutncia, procurando isolar eletricamente (em alta freqncia) os diversos sistemas. Esta soluo, no entanto, custosa e aumenta as perdas e a queda de tenso para a carga. Alm disso, tal indutncia deve ser includa no clculo dos filtros, uma vez que ela altera as ressonncias do sistema. Um outro problema que existe o de adequar a potncia do filtro efetiva condio da carga. Teoricamente, se cada filtro tivesse um fator de qualidade infinito, o filtro absorveria toda a componente harmnica. Na prtica, verifica-se que melhor limitar a corrente absorvida ao nvel necessrio para obter a filtragem desejada. Isto pode ser feito apenas de modo discretizado, dividindo cada filtro em estgios, cada um com capacidade de conduo de parte da corrente. A entrada ou sada de mdulos seria feita em funo da distoro produzida pela carga, que pode variar. Este procedimento, alm de caro de difcil implementao.

2. Filtros passivos aplicados carga

Solues passivas para a correo do FP [5.2] [5.3] [5.4] oferecem caractersticas como robustez, alta confiabilidade, insensibilidade a surtos, operao silenciosa. No entanto, existem diversas desvantagens, tais como:

So pesados e volumosos (em comparao com solues ativas); Afetam as formas de onda na freqncia fundamental; Alguns circuitos no podem operar numa larga faixa da tenso de entrada (90 a 240V); No possibilitam regulao da tenso; A resposta dinmica pobre; O correto dimensionamento no simples.

A principal vantagem, bvia, a no-presena de elementos ativos.

1. Exemplos monofsicos A figura 5.6 mostra um retificador monofsico com um filtro LC no lado cc.

A colocao de um filtro indutivo (sem capacitor) na sada do retificador produz uma melhoria significativa do FP uma vez que absorvida uma corrente quadrada da rede, o que leva a um FP de 0,90, contra um FP tipicamente de 0,7. Apesar da melhoria do fator de potncia os limites de harmnicas estabelecidos pela IEC 1000-3-2 so superados. Como grandes indutncias so indesejveis, um filtro LC pode permitir ainda o mesmo FP, mas com elementos significativamente menores [5.2]. A presena do indutor em srie com o retificador reduz o valor de pico com que se carrega o capacitor, uma vez que h uma queda de tenso sobre ele. O valor da tenso mdia sobre o capacitor ser cerca de 72% do valor obtido sem o indutor, num projeto otimizado [5.2].

Figura 5.6 Filtro LC de sada

A figura 5.7 mostra as formas de onda relativas s correntes de entrada com filtro capacitivo e com filtro LC. Pelos espectros de tais correntes nota-se a reduo significativa no contedo harmnico da "onda quadrada" em relao "onda impulsiva". Note ainda a maior amplitude da componente fundamental obtida no circuito com filtro capacitivo, devido sua defasagem em relao tenso da rede.

Figura 5.7 Formas de onda e espectro da corrente de retificador monofsico com filtro capacitivo e com filtro LC.

Outra alternativa, e que no reduz significativamente a tenso disponvel para o retificador, o uso de filtros LC paralelo sintonizados (na 3a harmnica, por exemplo) na entrada do retificador [5.3]. Com tal circuito, mostrado na figura 5.8, no se permite que as componentes selecionadas circulem pela rede. Obviamente necessrio oferecer um caminho para elas, o que feito com a adio de um capacitor. Com este mtodo, supondo ainda uma corrente quadrada na entrada do retificador, chega-se a FP elevado (0,95). As harmnicas no bloqueadas pelo filtro sintonizado podero ainda circular pela rede, mas encontraro um caminho alternativo pelo capacitor. A figura 5.9 mostra as formas de onda na entrada do retificador e na rede, bem como seus respectivos espectros.

Figura 5.8 Filtro LC sintonizado de entrada.

Figura 5.9 Correntes na rede e na entrada do retificador e respectivos espectros.

6. Condicionamento da corrente absorvida: Pr-reguladores de Fator de Potncia - PFP

Veremos neste captulo alguns mtodos de condicionar o estgio de entrada de um conversor, de modo a faz-lo absorver uma corrente com forma de onda que maximize o fator de potncia, ou seja, que tenha a mesma forma da tenso da rede qual est conectado. Retificadores monofsicos: estudo do conversor elevador de tenso (boost)

Este tipo de conversor tem sido o mais utilizado como PFP em funo de suas vantagens estruturais como [6.1]:

a presena do indutor na entrada bloqueia variaes bruscas na tenso de rede ("spikes"), alm de facilitar a obteno da forma desejada da corrente (senoidal). Energia armazenada mais eficientemente no capacitor de sada, o qual opera em alta tenso (Vo>E), permitindo valores relativamente menores de capacitncia. O controle da forma de onda mantido para todo valor instantneo da tenso de entrada, inclusive o zero. Como a corrente de entrada no interrompida (no modo de conduo contnuo), as exigncias de filtros de IEM so minimizadas. O transistor deve suportar uma tenso igual tenso de sada e seu acionamento simples, uma vez que pode ser feito por um sinal de baixa tenso referenciado ao terra.

Como desvantagens tem-se:

O conversor posterior deve operar com uma tenso de entrada relativamente elevada. A posio do interruptor no permite proteo contra curto-circuito na carga ou sobre-corrente. No possvel isolao entre entrada e sada.

Outras topologias tambm podem ser utilizadas como PFP, mas no sero discutidas neste captulo, o qual tem como objetivo indicar algumas possibilidades gerais de melhoria na forma de onda fornecida pela rede a uma carga qualquer. O Conversor elevador de tenso (boost) com entrada CC

Consideremos inicialmente um conversor elevador de tenso com entrada CC (fig. 6.1). As formas de onda tpicas esto mostradas na figura 6.2.

Quando o transistor ligado (intervalo t1=.T), a tenso E aplicada ao indutor. O diodo fica reversamente polarizado (pois Vo>E). Acumula-se energia em L, a qual ser enviada ao capacitor e carga quando T desligar. A corrente de sada, Io, sempre descontnua, enquanto Ii (corrente de entrada) pode ser contnua ou descontnua.

Figura 6.1 Conversor elevador de tenso com entrada CC.

Figura 6.2 Formas de onda tpicas de conversor elevador de tenso com entrada CC Conduo contnua Com o transistor ligado, a corrente pelo indutor cresce linearmente. O diodo est reversamente polarizado (Vo>E) e a carga alimentada apenas pelo capacitor Co. Quando o interruptor S aberto, a corrente da indutncia tem continuidade pela conduo do diodo. A energia armazenada em L transferida para a sada, recarregando o capacitor e alimentando a carga. No modo contnuo, ao se iniciar o ciclo seguinte, ainda existe corrente pelo indutor.

Quando o transistor conduz (intervalo T), a tenso sobre a indutncia igual tenso de alimentao, E. Durante a conduo do diodo de sada, esta tenso se torna (Vo-E). Do balano de tenses, obtm-se a relao esttica no modo contnuo:

(6.1)

Teoricamente a tenso de sada vai para valores infinitos para ciclos de trabalho que tendam unidade. No entanto, devido principalmente s perdas resistivas da fonte, dos semicondutores e do indutor, o valor mximo da tenso fica limitado, uma vez que a potncia dissipada se torna maior do que a potncia entregue sada. Conduo descontnua Caso, durante a conduo do diodo de sada, a energia armazenada na indutncia durante a conduo do transistor se esgote, ou seja, se a corrente vai a zero, tem-se caracterizado o modo de conduo descontnuo. Neste caso tem-se um terceiro intervalo, chamado tx na figura 6.2, no qual no existe corrente pelo indutor. A caracterstica esttica escrita como:

(6.2)

O limiar para a passagem de uma situao de conduo contnua para a descontnua ocorre quando a ondulao da corrente (Ii) igual ao dobro da corrente mdia de entrada, Ii. Esta situao implica num limite inferior para a indutncia, a qual depende de um valor mnimo para a corrente de sada. Para permitir conduo contnua a indutncia deve ser:

(6.3)

No modo de conduo descontnua o transistor entra em conduo com corrente zero e o diodo desliga tambm com corrente nula, o que colabora para reduzir as perdas da topologia. Por outro lado, para obter uma mesma corrente mdia de entrada os valores de pico da corrente devem ser maiores, aumentando as perdas em conduo. Conversor boost operando como PFP em conduo descontnua Consideremos o circuito da figura 6.3, a qual mostra um conversor elevador de tenso funcionando como PFP monofsico [6.2]. Consideremos que o conversor opera em conduo descontnua, ou seja, a cada perodo de chaveamento a corrente pelo indutor vai a zero. Com freqncia constante e modulao por largura de pulso, com o tempo de conduo determinado diretamente pelo erro da tenso de sada, o valor do pico da corrente no indutor de entrada diretamente proporcional tenso de alimentao. A figura 6.2 mostra formas de onda tpicas, indicando a tenso de entrada (senoidal) e a corrente pelo indutor (que a corrente absorvida da rede), a qual apresenta um variao, em baixa freqncia, tambm senoidal.

Figura 6.3 Conversor elevador de tenso operando como pr-regulador de fator de potncia

Seja a tenso de entrada dada por:

(6.4)

A corrente de pico em cada perodo de chaveamento :

(6.5)

Figura 6.4 Formas de onda de conversor boost, operando como PFP no modo de conduo descontnua.

Para se ter conduo descontnua durante todo semi-perodo de rede deve-se estabelecer o mximo ciclo de trabalho, o qual determinado quando a tenso de entrada mxima (Vp). O intervalo de diminuio da corrente :

(6.6)

Existe uma mximo ciclo de trabalho que permite ainda conduo descontnua, o qual determinado no pico da tenso de entrada, e vale:

(6.7) Caracterstica de sada A corrente de sada existe durante a conduo do diodo. Seu valor mdio, em cada perodo de chaveamento vale:

(6.8)

Sejam:

(6.9)

(6.10)

Utilizando as equaes anteriores tem-se

(6.11)

A corrente mdia de sada em um semi-perodo da rede :

(6.12)

onde

(6.13)

A figura 6.5 mostra a variao da corrente de sada (normalizada em relao a K) para diferentes valores de (relao de tenses entrada/sada), em funo do ciclo de trabalho.

Figura 6.5 Variao da corrente mdia de sada (normalizada em relao a K), em funo do ciclo de trabalho, para diferentes relaes de tenso Indutncia de entrada O mximo ciclo de trabalho obtido anteriormente define uma mxima corrente de sada a qual, para uma certa tenso de sada, implica na mxima potncia para o conversor. Esta potncia dada por:

(6.14)

Com (6.12) e (6.14) determina-se a mxima indutncia de entrada para a qual ocorre operao no modo descontnuo:

(6.16)

A figura 6.6 mostra o valor da indutncia mxima (parametrizada em relao a K") em funo da relao de tenses.

Figura 6.6 Mxima indutncia de entrada (parametrizada) em funo de Caracterstica de entrada A corrente de entrada tem uma forma triangular. Seu valor mdio, calculado em cada ciclo de chaveamento, dado por:

(6.16)

A corrente mdia de entrada, calculada em um semi-perodo da rede ser:

(6.17)

Note-se que a corrente mdia de entrada no senoidal! Isto ocorre porque no intervalo t2 a reduo da corrente depende tambm da tenso de sada, que constante, e no apenas da tenso senoidal de entrada. Quanto maior for Vo, menor ser t2. Assim, a corrente mdia depender mais efetivamente apenas de i(t), tendendo a uma forma senoidal. A corrente eficaz de entrada, calculada a partir da expresso para a corrente mdia de entrada dada por:

(6.18)

(6.19)

A potncia ativa de entrada :

(6.20)

O fator de potncia dado por:

(6.21)

A figura 6.7 mostra a variao do FP e da TDH com a tenso de sada.

Figura 6.7 Variao do fator de potncia e da taxa de distoro harmnica

O FP menor do que a unidade porque a corrente de entrada no-senoidal. Quando tende a zero, a corrente mdia tende a ser senoidal e, assim, o fator de potncia tende a 1. Como estes resultados so obtidos a partir da expresso da corrente mdia de entrada, eles ignoram o efeito advindo do chaveamento em alta freqncia sobre o valor eficaz da corrente e sobre o fator de potncia. Em outras palavras, estes valores para o Fator de Potncia seriam os obtidos com a incluso de um filtro passa-baixas na entrada do conversor, de modo que a corrente absorvida da rede fosse apenas a sua componente mdia, ficando as harmnicas de alta freqncia sendo fornecidas pela capacitncia deste filtro. Na figura 6.7.a tem-se resultados de simulao, mostrando a corrente no indutor interno e na rede (aps a filtragem)

Figura 6.7.a Corrente no indutor (superior) e na rede (inferior), aps filtragem. Conversor boost operando como PFP em conduo crtica A fim de reduzir a corrente eficaz pelos interruptores, que relativamente elevada em funo da operao no modo descontnuo, pode-se fazer o circuito operar no modo de conduo crtico [6.3], ou seja, fazendo o transistor entrar em conduo no momento em que a corrente atinge o zero. Desta forma se mantm a caracterstica de fazer o desligamento do diodo e a entrada em conduo do transistor sob corrente nula. Como

no existe o intervalo de corrente zero, naturalmente a corrente eficaz de entrada menor do que a do caso anterior. A obteno de um elevado FP feita naturalmente, definindo-se um tempo de conduo constante para o transistor. Isto faz com que os picos da corrente de entrada naturalmente sigam uma envoltria senoidal. O tempo desligado varivel, o que faz com que a freqncia de funcionamento no seja fixa. O circuito, tambm aqui, tem necessidade apenas da malha de tenso, que determina a durao do tempo de conduo. O controle pode ser feito por CIs dedicados os quais detectam o momento em que a corrente se anula, levando nova conduo do transistor. Consideremos a corrente do indutor como mostrada na figura 6.8.

Figura 6.8 Corrente no indutor no modo de conduo crtico

Do balano de tenso sobre a indutncia, obtm-se uma expresso para o ciclo de trabalho:

(6.22)

Os picos de corrente na entrada so obtidos de:

(6.23)

A corrente mdia de entrada em cada perodo de chaveamento dada por:

(6.24)

A corrente mdia de entrada, que segue um comportamento senoidal, tem seu valor mximo coincidente com o pico da tenso. Isto leva a um fator de potncia unitrio. Novamente aqui se pressupe um filtro passa-baixas na entrada o qual fax com que apenas a corrente mdia (60Hz) venha da linha. Todas as componentes de alta freqncia so fornecidas pela capacitncia do filtro. Do ponto de vista dos nveis de IEM conduzida, uma topologia que opere com freqncia varivel , em princpio, mais interessante, uma vez que o espectro aparece distribudo em torno da freqncia mdia e no concentrado na freqncia de chaveamento [6.4], reduzindo a amplitude. Por outro lado, a variao da freqncia obriga dimensionar os componentes para a mnima freqncia, de modo que, em valores mais elevados tem-se um super-dimensionamento. Conversor Boost operando como PFP em conduo contnua O conversor elevador de tenso operando no modo contnuo tem sido a topologia mais utilizada como PFP devido s suas vantagens, especialmente o reduzido ripple presente na corrente de entrada. Alm disso os componentes ficam sujeitos a menores valores de corrente (em relao s solues apresentadas anteriormente). Por outro lado, exige, alm da realimentao da tenso de sada (varivel a ser controlada), uma medida do valor

instantneo da tenso de entrada, a fim de permitir o adequado controle da corrente absorvida da rede. Problemas de estabilidade tambm so caractersticos, devido no-linearidade do sistema. Princpio de operao Consideremos com exemplo o funcionamento da topologia utilizando um circuito integrado tpico, o qual opera a freqncia constante, com controle tipo MLP. O CI produz uma corrente de referncia que acompanha a forma da tenso de entrada. Esta referncia formada pela multiplicao de um sinal de sincronismo (que define a forma e a freqncia da corrente de referncia) e de um sinal da realimentao da tenso de sada (o qual determina a amplitude da referncia de corrente). Mede-se a corrente de entrada, a qual ser regulada de acordo com a referncia gerada. Gera-se um sinal que determina a largura de pulso a ser utilizada para dar corrente a forma desejada. A figura 6.9 mostra o diagrama geral do circuito e do controle.

Figura 6.9 Diagrama de blocos do conversor elevador de tenso, com circuito de controle por corrente mdia.

O ciclo de trabalho varia com o valor instantneo da tenso de entrada. Dada a eq. (6.1), o valor da largura de pulso, para cada semi-ciclo da rede, obtido de:

(6.25) A figura 6.10 mostra uma forma de onda tpica da corrente no conversor.

Figura 6.10 Formas de onda tpicas da corrente pelo indutor e no interruptor Conversor Boost operando em conduo contnua e controle por histerese Neste caso, a ondulao da corrente de entrada mantida constante, fazendo-se com que seu valor mdio siga uma referncia senoidal. Como o ripple constante, a freqncia de chaveamento varia em funo da tenso de entrada. A figura 6.11 mostra o diagrama esquemtico do sistema.

Como I constante, pode-se escrever:

(6.26)

O valor do ciclo de trabalho obtido de (6.26):

(6.27)

De (6.26) e (6.27) pode-se obter uma expresso para a freqncia de chaveamento:

(6.28) Em relao ao mtodo anterior, uma vantagem a melhor estabilidade do sistema, dada a robustez do controle por histerese. A variao da freqncia um inconveniente para um dimensionamento timo dos elementos de filtragem. A figura 6.12 mostra resultado de simulao. Nota-se que a ondulao da corrente se mantm constante para qualquer tenso de entrada.

Figura 6.11 Diagrama do circuito controlado via histerese

Figura 6.12 Simulao de conversor elevador de tenso operando como PFP, com controle por histerese. Retificador trifsico a diodos A seguir so mostrados 2 exemplos de conversores com entrada trifsica e retificador a diodos. Conversor trifsicos com entrada indutiva como PFP A figura 6.13 mostra a topologia de um conversor Cuk com uma entrada trifsica e retificador a diodos [6.5]. A indutncia de entrada colocada no lado alternado, dividida entre as 3 fases. A tenso sobre C1 aproximadamente igual tenso retificada somada tenso de sada. O funcionamento como PFP ocorre com o circuito operando em freqncia e ciclo de trabalho constantes e com a corrente de entrada, em cada indutncia de entrada, descontnua. A figura 6.14 mostra uma situao deste tipo. A corrente mdia obedece a uma variao aproximadamente senoidal. J quando esta corrente de entrada contnua (figura 6.15), o circuito no emula uma carga resistiva. A figura 6.16 mostra resultados experimentais.

Figura 6.13 Conversor Cuk com entrada trifsica

O elevado contedo harmnico, na freqncia de chaveamento, pode ser minimizado pela incluso de filtros capacitivos a montante das indutncias de entrada, de modo que da rede absorva-se apenas a corrente mdia (componente em 60Hz).

Figura 6.14 Tenso e corrente de entrada em conduo descontinua (na indutncia de entrada)

Figura 6.15 Tenso e corrente de entrada com conduo contnua (na indutncia de entrada).

Figura 6.16 Tenso (50V/div) e corrente de fase (1A/div) Horiz.: 4ms/div Conversor com chaveamento em baixa freqncia Os circuitos vistos anteriormente baseiam-se no aproveitamento de topologias de conversores CC-CC existentes. Industrialmente, no entanto, a grande maioria das fontes de tenso so constitudas por simples retificadores a diodo alimentando um filtro capacitivo, como j visto anteriormente. Circuitos que permitam, sem alteraes significativas, elevar o FP destes conversores, com baixo custo, so de grande interesse [6.6]. A idia forar a existncia de uma corrente na fase que estaria desenergizada. Tal corrente circula inicialmente apenas pela alimentao, no alterando o comportamento da sada. Este conversor prov uma melhoria no fator de potncia utilizando uma tcnica de chaveamento em baixa freqncia. Neste circuito existe um caminho para a corrente presente nos indutores quando a chave abre. A continuidade se d pela conduo dos diodos da ponte retificadora trifsica, passando pelos capacitores de filtro. Como mantm-se o chaveamento em baixa freqncia, as perdas de comutao nos interruptores mnima. Os indutores possuem, tipicamente, ncleo de ferro e, embora de baixo custo e fcil realizao, so pesados e potencialmente fonte de rudo acstico.

Uma variao nos tempos de conduo dos interruptores permite ainda um pequeno ajuste na tenso de sada, funcionando como uma espcie de conversor boost operando em baixa freqncia. Os interruptores so implementados com chaves bidirecionais em tenso e corrente, como mostrado na figura 6.17. A figura 6.18 mostra 2 resultados de simulao, com carga elevada e carga leve. As TDH em cada caso so, respectivamente, 11,4% e 39,4%. No primeiro caso a defasagem da componente fundamental da corrente em relao tenso de apenas 0,7o, enquanto no segundo caso de 26,3o. Os fatores de potncia so, respectivamente 0,994 e 0,834. A figura 6.19 mostra os espectros da corrente de entrada para ambos os casos, sendo evidente o bom comportamento no caso de corrente elevada.

Figura 6.17 Conversor Curi.

Figura 6.18 Corrente de entrada de conversor Curi para corrente alta e baixa.

Figura 6.19 Espectro das correntes de entrada.

Filtros Ativos de corrente

Filtragem ativa de uma carga nica, ou um conjunto delas, uma opo a fazer-se a correo do fator de potncia no estgio de entrada de cada equipamento, utilizado os chamados pr-reguladores de fator de potncia. O objetivo da filtragem da corrente obter uma forma de onda que siga a forma da tenso, ou seja, que o conjunto carga + filtro represente uma carga resistiva, maximizando o fator de potncia, o que vale dizer, minimizando a corrente eficaz absorvida da fonte, mantida a potncia ativa da carga.

Sntese de formas de onda utilizando inversores

Abordaremos diferentes maneiras de sintetizar correntes ou tenses, com forma, freqncia e amplitude arbitrrias, de maneira a ser possvel a utilizao de topologias inversoras no condicionamento da energia eltrica. Tais circuitos podem operar como Filtros Ativos, para os quais deve-se produzir uma forma de corrente (ou tenso) que compense as distores presentes no sistema. Quando a energia transferida para o sistema no contm parcela ativa, a fonte que alimenta o inversor pode ser realizada apenas com elementos de acmulo de energia, como capacitores ou indutores. Devido s menores perdas produzidas pelos capacitores, seu uso mais difundido. No entanto, a tecnologia de supercondutores j permite (embora com custos elevados) o armazenamento de grandes quantidades de energia sem perdas, nos chamados SMES (Superconductive Magnetic Energy Storage) [7.1], tornando este tipo de circuito mais indicado para eventuais aplicaes em potncia elevada. A figura 7.1 mostra estrutura de inversores trifsicos que podem sintetizar diferentes formas de corrente em seus terminais. Se, em regime, tais conversores no fornecem potncia ativa, eles no necessitam de uma fonte de potncia em sua alimentao. O circuito deve operar de maneira a manter sob controle o valor da corrente no indutor ou da tenso do capacitor de armazenamento de energia. Uma descrio do mtodo de controle ser feita posteriormente.

Figura 7.1. Topologias de inversores trifsicos.

Note-se que para o inversor de corrente, as chaves semicondutores devem ser unidirecionais em corrente. O diodo em srie protege o transistor em situaes de polarizao reversa. Uma vez que a linha ca apresenta uma caracterstica indutiva, a fim de evitar surtos de tenso na sada do inversor, deve-se inserir elementos capacitivos, capazes de absorver as diferenas instantneas das correntes. Alm disso realizam uma filtragem de alta freqncia, de modo que a corrente que flui para a linha apenas o valor mdio da corrente sintetizada pelo inversor. A presena deste filtro capacitivo pode levar ao surgimento de ressonncias entre a linha e o filtro, as quais devem ser evitadas e/ou amortecidas adequadamente. Neste tipo de circuito, para que haja um caminho fechado para a corrente, necessariamente deve estar em conduo uma chave de cada semi-ponte. De maneira anloga, em um inversor de tenso (acmulo capacitivo), o acoplamento com a rede exige a presena de elementos indutivos, uma vez que as tenses do barramento cc (capacitor) e da rede no so iguais. As chaves semicondutoras devem ser bidirecionais em corrente e unidirecionais em tenso. A operao correta do circuito exige que nunca conduzam 2 chaves de um mesmo ramo do inversor, pois isso colocaria em curto o capacitor. bvio que para que seja possvel o controle das formas de onda (seja de corrente ou de tenso), os valores de Io ou de Vcc devem ser maiores do que os valores de pico mximos, respectivamente de corrente e de tenso, presentes no sistema. Tcnicas de modulao Diferentes tcnicas de modulao podem ser empregadas. As mais usuais so a MLP e a por histerese (quando se trata de controle de corrente). Outras possibilidades so, por exemplo, modos deslizantes (sliding mode), lgica nebulosa (fuzzy), etc. Modulao por Largura de Pulso - MLP Uma maneira de obter um sinal alternado de baixa frequncia atravs de uma modulao em alta frequncia. possvel obter este tipo de modulao ao comparar uma tenso de referncia (que seja imagem da tenso de sada buscada), com um sinal triangular simtrico cuja frequncia determine a frequncia de chaveamento. A frequncia da onda triangular (chamada portadora) deve ser, no mnimo 20 vezes superior mxima frequncia da onda de referncia, para que se obtenha uma reproduo aceitvel da forma de ondadesejada, aps efetuada a filtragem. A largura do pulso de sada do modulador varia de acordo com a amplitude relativa da referncia em comparao com a portadora (triangular). Tem-se, assim, uma Modulao por Largura de Pulso. A tenso de sada formada por uma sucesso de ondas retangulares de amplitude igual tenso de alimentao CC e durao varivel. A figura 7.2 mostra a modulao de uma onda senoidal, produzindo na sada uma tenso com 2 nveis, na frequncia da onda triangular. possvel ainda obter uma modulao a 3 nveis (positivo, zero e negativo). Este tipo de modulao apresenta um menor contedo harmnico. A produo deste sinal de 3 nveis ligeiramente mais complicado para ser gerado analogicamente. Quando se trata de um inversor trifsico, 2 arranjos podem ser feitos: utilizando 3 inversores monofsicos (o que exige 12 transistores, e chamado de ponte completa) ou um arranjo chamado de semi-ponte, com 6 transistores, como o mostrado na figura 7.3.

Figura 7.2 Sinal MLP de 2 nveis.

Figura 7.3 Topologias de inversor em ponte completa e em semi-ponte.

Em termos do conversor em semi-ponte, o sinal de comando enviado a cada ramo do inversor do tipo 2 nveis (quando um transistor liga, o complementar desliga). Assim, a tenso de fase apresenta-se em 2 nveis. No entanto, a tenso de linha (entre 2 fases) apresenta-se de 3 nveis, como se observa na figura 7.4. Alm disso, a frequncia de chaveamento da tenso de linha apresenta o dobro da frequncia da onda triangular, como se nota no espectro. O obteno de uma onda senoidal que recupere a onda de referncia facilitada pela forma do espectro. Note-se que, aps a componente espectral relativa referncia, aparecem componentes nas vizinhanas da frequncia de chaveamento. Ou seja, um filtro passa baixas com frequncia de corte acima e 50/60 Hz perfeitamente capaz de produzir uma atenuao bastante efetiva em componentes na faixa dos kHz. Na figura 7.4 tem-se tambm as formas de onda filtradas (filtro LC, 2mH, 20F). Uma reduo ainda mais efetiva das componentes de alta frequncis obtida com o uso de filtro de ordem superior. O uso de um filtro no amortecido pode levar ao surgimento de componentes oscilatrias na frequncia de ressonncia, que podem ser excitadas na ocorrncia de transitrios na rede ou na carga. Em regime elas no se manifestam, uma vez que o espectro da onda MLP no as excita. O uso de filtros amortecidos pode ser indicado em situaes em que tais transitrios possam ser problemticos, com a inevitvel perda de eficincia do filtro.

Figura 7.4 Formas de onda da tenso de fase e de linha em inversor trifsico em semi-ponte. Indica-se ainda os respectivos sinais MLP filtrados. Espectro dos sinais MLP de 2 e 3 nveis. Modulao MLP com frequncia de portadora varivel Uma alternativa que apresenta como vantagem o espalhamento do espectro o uso de uma frequncia de chaveamento no fixa, mas que varie, dentro de limites aceitveis, de uma forma, idealmente, aleatria. Ista faz com que as componentes de alta frequncia do espectro no estejam concentradas, mas apaream em torno da frequncia base, como se observa na figura 7.5. Note-se que a referncia, neste caso um nvel contnuo, no sofre alterao.

Figura 7.5. Espectro de sinal MLP (referncia cc) com portadora de frequncia varivel. Modulao por limites de corrente - MLC (Histerese) Neste caso, so estabelecidos os limites mximo e/ou mnimo da corrente, fazendo-se o chaveamento em funo de serem atingidos tais valores extremos. O valor instantneo da corrente, em regime, mantido sempre dentro dos limites estabelecidos e o conversor comporta-se como uma fonte de corrente. Tanto a freqncia como o ciclo de trabalho so variveis, dependendo dos parmetros do circuito e dos limites impostos. A figura 7.6 mostra as formas de onda para este tipo de controlador. MLC s possvel em malha fechada, pois necessrio medir instantaneamente a varivel de sada. Este tipo de modulao usado, principalmente, em fontes com controle de corrente e que tenha um elemento de filtro indutivo na sada.

Figura 7.6. Formas de onda de corrente e da tenso instantnea de sada com controle MLC.

A obteno de um sinal MLC pode ser conseguida com o uso de um comparador com histerese, atuando a partir da realimentao do valor instantneo da corrente. A referncia de corrente dada pelo erro da tenso de sada (atravs de um controlador integral). A figura 7.7 ilustra este sistema de controle. Na figura 7.8 v-se a forma de onda da tenso de sada, aplicada carga e o respectivo espectro. Note-se o espalhamento devido ao fato de a frequncia no ser constante.

Figura 7.7 Controlador com histerese.

Figura 7.8 Forma de onda e espectro de sinal MLC (referncia cc). Sntese de correntes em inversor com acmulo indutivo

A figura 7.9 mostra as tenses de entrada e referncias de corrente a serem seguidas. Consideremos, sem perda de validade para uma anlise geral, que as referncias de corrente a serem seguidas esto em fase com as tenses da rede. Em cada perodo da rede existem 6 intervalos, que se iniciam nos cruzamentos das referncias de corrente. Cada intervalo corresponde a um modo de funcionamento distinto. Consideremos o intervalo (t1 - t2). A referncia ira a maior positiva e irb a maior negativa. Considerando que a corrente de sada Io perfeitamente contnua, o interruptor S1 pode ser acionado de acordo com uma lei de modulao senoidal, m1, de modo que a corrente ia siga a referncia ira em termos dos componentes de baixa freqncia do espectro. Da mesma forma, uma lei de modulao m5 pode ser adotada para S5, fazendo com que ib siga a referncia irb.

Figura 7.9 Tenses de entrada e referncia de corrente.

Quando a chave S1 aberta, uma outra chave da semi-ponte superior deve ser fechada para permitir a continuidade da corrente. Quando S5 aberta, outro interruptor da semi-ponte negativa deve entrar em conduo. Para estas funes, S3 e S6 so usadas, uma vez que elas no alteram as correntes pelas fases a e b. A forma senoidal desejada para a fase c resultado do fato que a soma das correntes nas 3 fases nula. Quando S3 e S6 conduzirem simultaneamente, criase um caminho de livre-circulao para a corrente cc. A figura 7.10 mostra os sinais de comando para os interruptores e a forma de onda da tenso instantnea

sobre o indutor cc, a qual apresenta um comportamento de 3 nveis. Uma vez que a freqncia de chaveamento deve ser muito maior do que a freqncia da rede, pode-se considerar que, dentro de cada ciclo de chaveamento as tenses da rede so constantes. As formas de onda mostradas correspondem ao intervalo t1<t<t2, no qual va>vb, em mdulo e, conseqentemente, a> b.

Figura 7.10. Sinais de comando para os interruptores e tenso instantnea no lado cc.

As correntes instantneas pelas fases tem forma retangular, com amplitude dada pela corrente cc e largura determinada pela lei de modulao (figura 7.11). Simultaneamente haver corrente apenas por 2 das 3 fases, uma vez que a existncia de 3 correntes simultneas colocaria em curto 2 das fases. A corrente injetada na rede acompanhar o valor mdio desta corrente.

Figura 7.11 Forma de onda instantnea das correntes no lado CA. Equaes bsicas Seja x(t) uma funo lgica que descreve o estado de uma chave genrica S. Correspondentemente, a lei de modulao m(t) pode ser definida como uma funo contnua dada pelo contedo de baixa freqncia de x(t). Como x(t) assume apenas valores 0 e 1, m(t) limitada entre 0 e 1. O fato de apenas um interruptor estar fechado em cada semi-ponte ao mesmo tempo, faz com que apenas um x(t), relacionado a cada semi-ponte, a cada instante, possa ser 1 [7.2]:

(7.1)

A tenso instantnea no lado cc :

(7.2)

Desprezando as componentes de alta freqncia no espectro de x(t), as equaes (7.1)e (7.2) podem ser rescritas como:

(7.3)

(7.4)

No intervalo t1 - t2, dadas as amplitudes das tenses da rede, as seguintes condies devem ser satisfeitas:

(7.5)

Para obter as correntes senoidais de entrada tem-se (note que estamos supondo corrente em fase com a tenso, mas esta anlise vale para qualquer tipo de corrente):

(7.6)

onde M o ndice de modulao que determina a amplitude das correntes.

De (7.3) e (7.6) tem-se:

(7.7)

Assim, desde que a corrente de sada seja perfeitamente contnua, as correntes de entrada desejadas sero obtidas. Procedendo analogamente para a expresso da tenso mdia do lado cc, e considerando as tenses de entrada senoidais, simtricas e em fase com as referncias de corrente, a tenso mdia do lado cc apresenta-se constante, sendo dada por:

(7.8)

onde Vp a valor de pico das tenses de alimentao (fase - neutro). Ou seja, a tenso cc no afetada por componentes de baixa freqncia. O ndice de modulao, M, determina tanto a amplitude da tenso mdia do lado cc quanto a amplitude das correntes alternadas do lado ca. Observe-se ainda que a sntese da corrente desejada pode ser feita em malha aberta, ou seja, preciso apenas que se disponha da referncia adequada. Absoro de reativos Esta tcnica de controle pode ser estendida variando-se a fase entre a tenso de entrada e as respectivas correntes, permitindo assim a circulao de uma quantidade controlvel de potncia reativa. Para este objetivo, as referncias de corrente, ir, devem estar defasadas das tenses de entrada de uma fase adequada, . As equaes das correntes no sofrem alteraes, enquanto a tenso de sada passa a ser expressa por:

(7.9)

Note que se o inversor fornece apenas energia reativa a tenso mdia no lado cc nula, como de se esperar, j que se trata de um elemento puramente indutivo. Generalizando um pouco mais, qualquer forma de corrente pode ser absorvida da rede, desde que uma referncia adequada seja utilizada, o que torna esta topologia bastante prpria para a implementao de filtros ativos de potncia. Controle da corrente cc Numa situao de regime, para que no haja mudana na corrente cc, a tenso mdia sobre o indutor deve ser nula, como mostrado na equao (7.9). Como o indutor possui perdas, ou ainda, porque transitoriamente houve uma absoro (ou entrega) de potncia ativa, possvel que ocorra uma variao no nvel da corrente cc. O controle do conversor deve prever um modo de manter, em regime, a corrente no valor Io desejado. Isto pode ser feito alterando a fase das referncias de corrente. Se a defasagem entre tenso e corrente for 90o, o inversor s trabalha com energia reativa. Se a fase for menor do que 90o, isto significa que o inversor est entregando ao resto do sistema um pouco de potncia ativa, o que faz com que a corrente Io tenda a diminuir (aparece uma tenso mdia positiva no lado cc). Fazendo com que a defasagem seja maior do que 90o o inversor absorve potncia ativa do sistema, levando ao crescimento da corrente Io. Uma vez atingido o valor Io desejado, o controle deve retornar referncia de regime. O mesmo efeito pode ser obtido controlando-se a amplitude do sinal de referncia em funo do erro da corrente cc.

Sntese de correntes em inversor com acmulo capacitivo Neste caso, a corrente mdia de sada determinada pela diferena entre as tenses mdias da rede e da sada do inversor. Tal diferena aplicada sobre os indutores de filtro, definindo, assim, a corrente. As diferenas instantneas determinam a ondulao da corrente na freqncia de chaveamento. Como no se faz uma sntese direta da corrente, a correta operao desta topologia necessita da realimentao da corrente, a ser comparada com a referncia, gerando um sinal de erro que, se necessrio, corrige a largura de pulso. Esta realimentao da corrente permite, tambm para este conversor, a sntese de qualquer forma de corrente. Controle da tenso cc A tenso presente no capacitor, numa situao de regime na qual o inversor fornea apenas energia no ativa ao sistema, constante. Transitoriamente, no entanto, possvel que esta tenso varie em funo de mudanas na carga ou na rede. A correo do erro de tenso feita controlando-se a amplitude do sinal de referncia de corrente. Por exemplo, caso a tenso cc diminua, o circuito de controle deve produzir um ajuste na amplitude da corrente em relao tenso da rede de modo a absorver potncia ativa, elevando a tenso do capacitor. O ajuste da fase da referncia tambm permite a correo da tenso cc. O valor da tenso cc deve ser maior do que o valor de pico da tenso da rede, permitindo, assim, a sntese de corrente mesmo em condies de mnima diferena de tenso aplicada sobre a indutncia de sada. Sntese de tenses As mesmas topologias que so capazes de produzir formas arbitrrias de corrente, podem tambm faz-lo em relao tenso sintetizada em suas sada, valendo aqui as mesmas observaes relativas ao tipo de elemento de armazenamento de energia, isto , caso o inversor fornea apenas energia reativa, ele no precisa de uma fonte de potncia, podendo operar a partir apenas de elementos de armazenamento de energia. O estgio de sada deve ser adaptado de modo a ser obtida uma tenso filtrada dos componentes relativos freqncia de chaveamento, obtendo-se apenas a tenso mdia sintetizada pelo inversor. As figuras 7.12 e 7.13 mostram tais conversores. A tenso CA que aparece sobre os capacitores de filtro, Cf, representam o valor mdio da tenso de sada sintetizada pelo filtro. Esta tenso est aplicada ao primrio dos transformadores, os quais transferem a tenso rede, de modo que a tenso aplicada carga seja a soma da tenso inicial da rede com a tenso de compensao. Dependendo da fase entre a corrente da carga e esta tenso tem-se que o inversor pode ou no estar entregando (ou absorvendo) potncia ativa. No caso de compensao reativa pura, as tenses sintetizadas devem estar defasadas de 90 graus das correntes, como mostrado na figura 7.14, na qual o compensador est

sintetizando um capacitor. Na tenso nota-se a presena de componentes de alta freqncia, enquanto a corrente, por efeito da carga simulada, surge melhor filtrada.

Figura 7.12 Inversor trifsico, com acmulo capacitivo, para sntese de tenso.

Figura 7.13 Inversor trifsico, com acmulo indutivo, para sntese de tenso.

De maneira similar ao que se viu para os sintetizadores de corrente, neste caso o circuito com acmulo capacitivo pode operar em malha aberta (em relao tenso mdia produzida). J no inversor com acmulo indutivo, como a tenso resultado da passagem da corrente pelos capacitores de filtro, necessrio fazer uma realimentao desta tenso para certificar-se que ela acompanha a referncia.

Figura 7.14 Formas de onda sintetizadas de tenso, caracterizando elemento capacitivo.

Modulao vetorial Existem diferentes tcnicas de gerao dos padres MLP em um inversor trifsico. O mtodo analgico consiste em comparar a referncia de cada fase com uma onda triangular na frequncia de chaveamento. Seu inconveniente propriamente a gerao dos sinais analgicos de referncia, com defasagens e amplitudes corretas. Outra modo de determinar as larguras de pulso dos interruptores da ponte inversora pela chamada modulao vetorial, que se baseia num modelo fasorial no plano , [7.3] [7.4]. Consideremos a ttulo de exemplo, mas sem perda de generalidade um inversor trifsico de corrente com acmulo indutivo. Como j foi dito, a produo de uma forma qualquer de corrente, neste circuito, pode, em princpio, ser feita em malha aberta, desde que seja utilizada a referncia correta. Como visto anteriormente, devem estar em conduo simultaneamente um interruptor de cada semi-ponte. O par que conduzir determina o valor da tenso instantnea aplicada no lado cc e a corrente instantnea de sada (+Io, -Io ou 0). O conversor pode assumir 9 diferentes estados, os quais podem ser representados no plano por um vetor, como indicado no diagrama da figura 7.15. A transformao das correntes das fases a,b,c para o plano feita segundo o sistema (7.10)

(7.10) Para esta anlise, representa-se cada corrente ca (em p.u.,sendo Io a base) por um vetor unitrio (j que, instantaneamente as correntes ca s podem assumir este valor ou serem nulas) na direo dos eixos a,b,c. Por exemplo, quando a corrente ia for igual a +Io, ela ser representada pelo vetor +1 sobre o eixo a. Sua representao ser -1, sobre o mesmo eixo quando ia=-Io e ser o vetor nulo quando ia=0. Os vetores obtidos pela adio de todos os pares de vetores no-nulos podem ser usados para representar o estado do conversor. Como resultado tem-se 6 vetores de estado, j1 a j6, mais o vetor zero (o vetor zero corresponde a estados de livre-circulao, quando conduzem interruptores do mesmo ramo).

Figura 7.15 Representao das correntes do conversor em vetores espaciais.

O hexgono definido por estes vetores de estado incluem todas as referncias de corrente (no plano ) que podem ser reproduzidas pela modulao das chaves do conversor. Por exemplo, o estado j1 corresponde a uma situao em que ia>0 e ib<0, ou seja esto conduzindo S1 e S5. O estado j6 definido para ic>0 e ib<0, ou seja, conduzem S3 e S5. Observe que entre estados adjacentes o estado de um dos interruptores comum. Os padres de modulao podem ser obtidos de acordo com tcnicas de modulao vetorial [7.5] [7.6]. Consideremos inicialmente o diagrama vetorial mostrado na figura 7.16, que se refere a uma operao normal (sem saturao). Dado um vetor de referncia i*, suas componentes i' e i", projetadas nos vetores adjacentes (j1, j6) so computadas. As projees (em p.u.) determinam os ciclos de trabalho ' e ", e , portanto, os intervalos de tempo em que o conversor deve ser mantido nos estados correspondentes. Para o restante do perodo o conversor mantido no estado zero (livre-circulao). Os ciclos de trabalho so:

(7.11)

(7.12)

(7.13)

Figura 7.16 Modulao vetorial em condies normais.

H diferentes maneiras de fazer o comando dos interruptores. Neste caso, por exemplo, o interruptor S5, por ser comum aos dois estados adjacentes, fica sempre ligado. Durante ', S1 mantido ligado. Ao ser desligada essa chave, S3 entra em conduo, durante ". Ao se encerrar este intervalo, desliga-se S3 e

liga-se S2, realizando o intervalo de livre-circulao (durante o). Observe que neste estratgia de comando dos interruptores h uma comutao a menos do que a obtida na estratgia indicada na figura 7.10, o que contribui para reduzir as perdas de comutao do conversor. Na situao mostrada na figura 7.16 o vetor sintetizado i coincide com a referncia i*. Isto no ocorre em situaes saturadas, como mostrado na figura 7.17. Entende-se por saturao o fato de no ser possvel sintetizar exatamente a corrente de referncia. Quando o vetor de referncia, i*, est fora do hexgono, a maior componente, i', mantida constante (i'=i*'), enquanto a outra, i", reduzida at trazer o vetor sintetizado, i, para o limite do hexgono. O estado nulo desaparece. O vetor sintetizado difere da referncia em fase e magnitude. Os ciclos de trabalho so:

(7.14)

(7.15)

(7.16) A figura 7.17 mostra tambm uma situao de saturao profunda, que ocorre quando a maior das componentes de i* resulta fora do hexgono. Neste caso esta componente feita igual ao vetor mais prximo (j1, no exemplo) e a corrente de sada do conversor se torna quadrada. Os ciclos de trabalho so:

(7.17)

(7.18)

(7.19)

Figura 7.17 Modulao vetorial nos casos de a) saturao e b) saturao profunda.

Esta maneira de tratar a saturao intermediria entre outra que ou mantm a amplitude da referncia ou a sua fase e possui algums interessantes propriedades: permite sobre-modulao; realiza uma passagem suave entre um sinal MLP e a operao em onda quadrada; o erro de corrente (i'-i*) menor que nas outras tcnicas; sua implementao simples. A figura 7.18 mostra a passagem entre os diferentes modos de operao.

Figura 7.18 Corrente de sada do inversor e corrente filtrada, passando de operao normal saturada. Filtros Ativos trifsicos

Analisaremos neste item maneiras de obter as referncias de corrente (ou de tenso) necessrias compensao de fator de potncia ou de harmnicas em sistemas trifsicos. Mtodos de, a partir de referncias dadas, gerar os sinais de comando para os interruptores dos inversores j foram discutidos. Gerao de referncias de corrente utilizando a teoria da potncia instantnea de Akagi-Nabae Consideremos inicialmente um sistema trifsico equilibrado, como mostrado na figura 7.19, com carga equilibrada. A teoria de Akagi-Nabae [7.7], realizando uma transformao das variveis do plano abc para o plano permite determinar expresses para as potncias ativa e reativa, identificando termos mdios e oscilatrios. Em uma situao deste tipo a componente de seqncia zero nula. A compensao desejada aquela que mantm a potncia mdia na carga e compensa todos os outros termos, produzindo uma corrente senoidal, em fase com a tenso, ou seja, produzindo um fator de potncia unitrio.

Figura 7.19 Tenses de alimentao equilibradas.

A transformao das tenses para o plano feita utilizando a matriz de transformao:

(7.20)

Aplicando tal transformao obtm-se as tenses projetadas, mostradas na figura 7.20.

Figura 7.20 Tenses no plano . Carga com harmnicas Consideremos uma carga que absorva uma corrente no-senoidal como, por exemplo, um retificador trifsico com filtro LC no lado contnuo. Este conversor absorve uma corrente semelhante mostrada na figura 7.21.

Figura 7.21 Corrente de linha.

A mesma transformao das tenses aplica-se s correntes, produzindo as correntes no novo plano, mostradas na figura 7.22.

Figura 7.22 Correntes no plano .

As potncias instantneas so dadas por:

(7.21) (7.22)

Tais potncias esto mostradas na figura 7.23. Note que a potncia ativa possui um valor mdio e uma parte oscilatria. J a potncia reativa tem valor mdio nulo. Isto se deve ao fato de as correntes serem simtricas e estarem centradas em relao s respectivas tenses. As potncias, separadas em suas

componentes mdia e varivel esto mostradas nas figuras 7.24 e 7.25. Os valores mdios so calculados tomando-se um intervalo mnimo de 1/6 de perodo da rede.

Figura 7.23 Potncias instantneas ativa e reativa.

Figura 7.24 Separao da potncia ativa em seus termos mdio e varivel.

Figura 7.25 Separao da potncia reativa em seus termos mdio e varivel.

Utilizando estes valores de potncia e definindo uma norma de tenso, possvel identificar as parcelas de corrente relacionadas com cada tipo de potncia:

(7.23)

(7.24)

(7.25)

(7.26)

(7.27)

As figuras 7.26 e 7.27 mostram tais componentes.

Figura 7.26 Decomposio da corrente i.

Figura 7.27 Decomposio da corrente i.

O filtro ativo deve ser capaz de compensar todos os elementos de potncia, exceto a potncia ativa mdia, que a que, efetivamente, est realizando trabalho junto carga. Utilizando os termos de potncia a serem compensados, as equaes anteriores permitem obter as correntes de compensao no plano .

(7.28)

(7.29)

Aplicando-se a transformao inversa a, obtm-se as correntes nas fases abc que devem ser geradas para compensar a corrente:

(7.30)

A corrente de compensao necessria para a fase a est mostrada na figura 7.28. Este sinal deve servir de referncia para produzir o padro MLP para o inversor. A figura 7.29 mostra a tenso da fase a, a corrente da carga e a corrente fornecida aps a compensao. Observa-se que o fator de potncia resultante unitrio e que todas as harmnicas foram compensadas.

Figura 7.28 Corrente de compensao da fase a.

Figura 7.29 Tenso da fase a, corrente de carga e corrente compensada. Cargas reativas passivas Verificaremos agora o comportamento desta teoria tratando de cargas reativas (equilibradas), mas sem harmnicas. Um exemplo de correntes est mostrado na figura 7.30, para cargas com caracterstica indutiva.

Figura 7.30 Correntes de linha para carga tipo RL.

As figura 7.31 mostra as correntes no plano , que tambm possuem amplitudes iguais e so senoidais.

Figura 7.31 Correntes no plano .

As potncias ativa e reativa instantneas calculadas esto mostradas na figura 7.32. Como no h componentes harmnicas estas potncias no apresentam as componentes variveis. Como tem-se presente apenas os valores mdios, a obteno de seu valor instantnea, ou seja, no preciso integrar p(t) ou q(t) para obter os termos mdios. O produto instantneo dado pelas equaes (7.21) e (7.22) j fornecem o valor desejado.

Figura 7.32 Potncias ativa e reativa instantneas.

As figura 7.33 mostra as correntes em decompostas em seus termos ativos e reativos.

Figura 7.33 Decomposio das correntes em parcelas ativa e reativa.

A figura 7.34 mostra a corrente de compensao da fase a, e na figura 7.35 tem-se as formas de onda da tenso desta fase, juntamente com a corrente da carga e a da linha (j compensada). Nota-se o fator de potncia unitrio.

Figura 7.34 Corrente de compensao da fase a.

Figura 7.35 Tenso, corrente da carga e corrente compensada na fase a. Estudo de caso com carga desequilibrada Veremos nesta situao uma alimentao equilibrada alimentando uma carga resistiva desequilibrada, cujas correntes de linha esto mostradas na figura 7.36.

Figura 7.36 Correntes de linha com carga (resistiva) desequilibrada.

Como se nota na figura 7.37, como as tenses so equilibradas, as projees no plano tambm o so, e no h componente de seqncia zero.

Figura 7.37 Tenses no plano 0.

Uma vez que o sistema a 3 fios, tambm no existe corrente de seqncia zero, como se v na figura 7.38.

Figura 7.38 Correntes no plano 0.

As potncias instantneas esto mostradas na figura 7.39. Observa-se que, dado o desequilbrio, aparecem componentes variveis tanto na potncia ativa quanto na reativa. Como a carga suposta resistiva, o valor mdio da potncia reativa nulo. Para se obter uma medida das potncias mdias preciso fazer uma integrao com durao de de perodo.

Figura 7.39 Potncias instantneas.

As componentes ativa e reativa das correntes no plano 0 esto mostradas nas figuras 7.40 e 7.41. Observa-se que estas correntes so no-senoidais.

Figura 7.40 Componentes ativa e reativa da corrente i.

Figura 7.41 Componentes ativa e reativa da corrente i.

A corrente de compensao para a fase a est mostrada na figura 7.42. Ela senoidal e leva compensao da corrente de linha, como mostrado na figura 7.43. Observa-se que possvel compensar o desequilbrio e obter um fator de potncia unitrio.

Figura 7.42 Corrente de compensao da fase a.

Figura 7.43 Tenso, corrente de carga e da rede nas fases a e b, aps compensao. Estudo de caso com alimentao desequilibrada Temos aqui tenses de entrada desequilibradas e uma carga resistiva equilibrada. As tenses esto mostradas na figura 7.44. A figura 7.45 mostra as tenses no plano 0. Note-se a presena de tenso de seqncia zero. As tenses de linha so mostradas na figura 7.46, e tambm apresentam desequilbrio.

Figura 7.44 Tenses desequilibradas de entrada.

Figura 7.45 Tenses transformadas para o plano 0.

Figura 7.46 Correntes de linha.

As correntes no plano 0 esto na figura 7.47. Por ser um sistema a 3 fios, no tem-se corrente de seqncia zero.

Figura 7.47 Correntes no plano 0.

A figura 7.48 mostra as potncias instantneas. Observe que tanto a potncia reativa quanto a de seqncia zero so nulas. Temos apenas potncia ativa, com um valor mdio e uma parcela varivel. A obteno do valor mdio exige uma integrao por ciclo. A figura 7.49 mostra as componentes ativa e reativa no plano 0. Como a potncia reativa nula, suas componentes tambm o so.

Figura 7.48 Potncias instantneas.

Figura 7.49 Componentes ativa e reativa das correntes no plano 0.

Como h uma parcela varivel de potncia ativa a ser compensada, este mtodo produz uma corrente de compensao, mostrada na figura 7.50 para a fase a. Esta corrente no-senoidal e, portanto, introduzir distoro harmnica na corrente da rede, aps a compensao. Na figura 7.51 tem-se as correntes compensadas nas fases a e b, juntamente com as tenses de fase e as correntes de carga.

Figura 7.50 Corrente de compensao da fase a.

Figura 7.51 Tenso, corrente na carga e na linha (aps compensao), nas fases a e b.

O uso deste mtodo, como se nota, no se aplica a sistemas com alimentao desequilibrada, uma vez que seu objetivo o de compensar todas as parcelas de potncia exceto a potncia ativa mdia. Como se v na figura 7.52, este objetivo conseguido, mas isto no significa que se tenha o mximo fator de potncia, como evidenciam as formas de onda mostradas em 7.51.

Figura 7.52 Potncia ativa antes e depois da compensao. Estudo de tenses equilibradas, com harmnicas Consideremos um sistema com tenses equilibradas, mas com uma 5a harmnica superposta, como mostrado na figura 7.53. Supondo carga resistiva e equilibrada, as correntes tero a mesma forma das tenses.

Figura 7.53 Tenso de entrada com distoro harmnica.

Sendo o sistema equilibrado, e para a 5a harmnica, no h corrente de seqncia zero, como se v na figura 7.54. Na figura 7.55 tm-se as correntes no plano 0.

Figura 7.54 Tenses no plano 0.

Figura 7.55 Correntes no plano 0.

Sendo a carga resistiva, no h potncia reativa. A potncia ativa apresenta um valor mdio e uma parte varivel, como mostrado na figura 7.56.

Figura 7.56 Potncias ativa, reativa e de seqncia zero.

A corrente de compensao produzida para a fase a est mostrada na figura 7.57. Sua injeo no sistema leva s formas de onda mostradas na figura 7.58. Note-se que, sem compensao, a corrente da fase a segue a mesma forma da tenso, dado que a carga equilibrada e resistiva. A ao da corrente de compensao distorce a corrente resultante, de modo que a rede no mais v uma carga resistiva. A figura 7.41 mostra que o objetivo do mtodo, que o de obter apenas a potncia ativa mdia foi atingido.

Figura 7.57 Corrente de compensao da fase a.

Figura 7.58 Tenso, corrente da carga e corrente compensada das fases a e b.

Figura 7.59 Potncia ativa instantnea antes e depois da compensao. Produo de compensao de tenso Todos os exemplo mostrados tratam de compensao de corrente. Esta , de fato, a aplicao mais usual destes compensadores. No entanto, plenamente possvel utilizar o mesmo mtodo para fazer a compensao de tenses, bastando para isso gerar os sinais de compensao utilizando as equaes (7.21) a (7.27), identificando tenses vp, vq, vp, vq, a partir das correntes i e i.

Consideraes sobre as teorias de potncia No enfoque de compensao, ou seja, quando se buscam medidas de variveis eltricas para identificar componentes nas correntes que devam ser compensadas para que se obtenha o mximo fator de potncia possvel, as atuais teorias no fornecem resultados satisfatrios para sistemas nos quais as tenses de entrada no seja senoidais, simtricas e equilibradas. Isto vale para as teorias de Akagi, Tenti [7.8], etc. Os mtodos de medida de potncia que so baseados no domnio da freqncia ou que apenas tratem com valores mdios (e no instantneos) no possibilitam a identificao de grandezas temporais, de modo que no se aplicam no caso de compensao de componentes harmnicas. As matrizes de transformao usadas na teoria de Akagi-Nabae advm de uma hiptese de tenses simtricas e, portanto, no so vlidas para sistemas em que as fases no estejam defasadas de 120o. Por outro lado, como seu paradigma a compensao das potncias reativa e ativa varivel, isto no significa, como j foi dito, que o fator de potncia seja mximo em situaes de desequilbrio. Um paradigma mais geral, e que garante o fator de potncia unitrio, qualquer que sejam as tenses (incluindo distores harmnicas), de sintetizar uma carga resistiva. No entanto, ainda no se dispe de um mtodo instantneo que permita a um compensador agir segundo este paradigma em sistemas trifsicos. O caso monofsico A sntese de uma corrente senoidal, mesmo na presena de distores na tenso, apresenta alguns inconvenientes que so discutidos a seguir. Caso o sistema apresente uma tenso senoidal e nenhuma no-linearidade, realizar uma compensao que emule uma carga resistiva ou que absorva uma corrente senoidal seria equivalente. Como o sistema apresenta distores e a tenso nunca perfeitamente senoidal, sempre existiro elementos harmnicos capazes de excitar ressonncias. Os elementos que introduzem amortecimento no sistema so, essencialmente, as cargas, uma vez que as perdas prprias das linhas e transformadores so baixas. Assim, um sistema sem carga tende a ver amplificadas as possveis ressonncias presentes. Quando um filtro ativo leva absoro apenas de uma corrente senoidal, isto significa que a rede v uma carga aberta para as outras freqncias, ou seja, a carga deixa de atuar como fator de amortecimento para as eventuais ressonncias do sistema. Alm disso, essa corrente senoidal absorvida no minimiza a corrente eficaz e, conseqentemente, no maximiza o fator de potncia. A defesa desta ltima tcnica feita com o argumento de que a absoro de correntes senoidais melhoraria a forma da tenso da rede. Isto verdade, mas tambm ocorre com o mtodo de sintetizar uma carga resistiva, sem as desvantagens da perda de amortecimento. A figura 7.60 mostra resultados de simulao com ambos mtodos aplicados. A fonte de entrada possui uma 9a harmnica com 1% de amplitude da fundamental. O indutor (20mH) e o capacitor (6.25uF) produzem uma ressonncia nesta 9a harmnica. Quando tem-se uma carga resistiva, devido ao amortecimento introduzido, praticamente no se observa o efeito desta harmnica, pois ela continua afetando as tenses em um nvel muito baixo. Quando se fora a carga a absorver uma corrente apenas na freqncia fundamental (50Hz), nota-se a ressonncia e a conseqente distoro na tenso.

Figura 7.60 Formas de onda e circuitos simulados para cargas resistiva e "senoidal". Filtro ativo monofsico Filtros ativos monofsicos podem ser utilizados na correo do fator de potncia de cargas de pequena e mdia potncia. As aplicaes restringem-se tipicamente a potncias de 4kVA (para alimentao em 220V), dado que cargas maiores possuem entrada trifsica [7.9]. A figura 7.61 mostra resultados de simulao em um filtro monofsico (acmulo capacitivo) com controle MLP. As formas de onda de uma carga no-linear (prxima que se tem em um retificador monofsico com filtro capacitivo) e a corrente a ser produzida pelo filtro para compens-la so mostradas. Como esta simulao foi feita em malha aberta, no se tem um controle mais preciso da corrente na linha, o que explica algumas oscilaes decorrentes da excitao de ressonncias do sistema. A figura 7.62 mostra a corrente obtida aps o filtro de sada. Observe que o circuito no conseguiu fazer uma compensao perfeita, devido aos problemas citados. O espectro est mostrado na figura 7.63, onde se v que a corrente no senoidal e que restam componentes na freqncia de chaveamento. De qualquer forma, a distoro harmnica da corrente caiu de 155% (sem o filtro ativo) para 7,5%. De maneira anloga, a figura 7.64 mostra uma corrente "trapezoidal" a ser compensada, bem como a corrente a ser produzida pelo filtro. Na figura 7.65 tem-se a corrente de linha aps a filtragem. Nota-se aqui uma melhor forma de onda, o que se justifica por 2 fatores. O primeiro que a corrente da carga apresenta um espectro mais concentrado nas harmnicas de baixa ordem, facilitando a compensao pelo filtro. A segunda que as maiores variaes ocorrem quando a tenso da rede baixa, ou seja, quando a diferena entre a tenso da rede e a tenso contnua do barramento do filtro grande, havendo uma grande folga de tenso para a imposio da corrente desejada. O espectro das correntes da carga e da rede (aps a filtragem) esto mostradas na figura 7.66.

Figura 7.61 Forma de onda na carga e corrente do filtro necessria para compens-la.

Figura 7.62 Corrente da rede com atuao do filtro ativo.

Figura 7.63 Espectro da corrente de sada do filtro.

Figura 7.64 Formas de onda da corrente da carga e do filtro.

Figura 7.65 Forma de onda da corrente da rede aps filtragem.

Figura 7.66 Espectro da corrente da carga e da rede (filtrada). Estrutura de controle do filtro

A figura 7.67 mostra uma possvel estrutura do sistema de controle para um filtro de acmulo capacitivo operando em MLP. A forma da referncia da corrente obtida da prpria tenso. A amplitude desta referncia modulada de modo a manter a tenso cc no valor desejado. O sinal do erro da tenso cc, passado por um compensador tipo PI (que anula o erro em regime para uma entrada constante) uma das entradas do bloco multiplicador. Sendo um valor contnuo (que varia muito mais lentamente do que a referncia de corrente, que varia na freqncia da rede), funciona como fator de escalonamento da forma da corrente. A corrente da rede realimentada, produzindo, em relao referncia de corrente, um erro o qual, passando por um compensador (tipicamente tipo P) produz a tenso de controle, que comparada com a portadora MLP, gerando os pulsos para o comando dos transistores.

Figura 7.67 Diagrama de controle de filtro ativo paralelo.

Retornando questo do controle da tenso Vcc, consideremos este caso a ttulo de exemplo. Supondo que a tenso no barramento no se altere significativamente, a corrente absorvida pela carga tem uma forma tpica e estvel.

A diferena instantnea entre ir e ic deve fluir pelo filtro. Se a amplitude da corrente da rede for tal que a potncia ativa absorvida da rede for maior do que a consumida pela carga, seu nico caminho circular pelo filtro ativo, acumulando energia na capacitncia (subindo a tenso). O erro de tenso eventualmente produzido leva, sendo multiplicado pela "forma" da corrente, a uma reduo da referncia da corrente restabelecendo o balano de potncia e, conseqentemente, retornando ao valor correto de referncia, Vcc. Consideraes sobre o filtro de sada e o sistema de controle O filtro de sada o responsvel pela atenuao das componentes de alta freqncia advindas do chaveamento. O fato do filtro estar dentro da malha de controle indica que, em princpio, qualquer anomalia por ele introduzida (ressonncias, defasagens, etc.) podem ser corrigidas pelo sistema, pois o objetivo sempre ter uma corrente "senoidal" sendo consumida da rede. No entanto, caso estas perturbaes ocorram em freqncias elevadas, o sistema possivelmente no ter capacidade de compens-las adequadamente. Este limite poderia ser, em primeira anlise, limitado a freqncias 10 vezes menores do que o valor da freqncia de chaveamento. Outro aspecto muito importante que o filtro no deve, idealmente, apresentar amortecimento. A razo para isso que, como a tenso Vcc deve ser maior do que a tenso de pico presente na rede, o conversor deve atuar, nos momento de acmulo de energia no capacitor, como um elevador de tenso. Conforme j foi dito, isto se d pelo aumento da corrente absorvida da rede, a qual flui para o filtro. Caso o filtro passivo apresente amortecimento, esta potncia adicional poder ser dissipada nos elementos resistivos, impedindo sua efetiva transferncia para o capacitor. Obviamente a eficincia de um filtro com amortecimento comprometida, tanto no aspecto energtico, devido s maiores perdas, como na resposta em freqncia, pois reduz a ordem resultante. Desprezando as perdas nos conversores, o nico fator de amortecimento que resta a prpria carga. Conclui-se que, quanto maior a potncia (ativa) consumida pela carga, mais amortecido se mostrar o sistema como um todo, e vice-versa. Ou seja, deve-se prever uma estratgia de superviso do filtro para evitar instabilidades em vazio. Desta forma, como o filtro de sada apresenta ressonncias, elas devem ser devidamente atenuadas pelo circuito de controle, garantindo a estabilidade do sistema. Considerando o diagrama mostrado na figura 7.68, um dos blocos capaz de realizar esta funo o chamado "condicionador de sinal", que atua na realimentao da corrente. O comportamento deste "condicionador" vital para o bom desempenho do filtro. Dado que ele atua sobre a forma real da corrente da linha, um bom resultado na compensao da corrente s ocorre se o sinal realimentado for fiel corrente da linha. Uma vez que, em princpio, deseja-se fazer a compensao total das harmnicas, a faixa de passagem deste bloco deveria apresentar um ganho constante e uma defasagem nula na faixa at 3kHz (50a harmnica). Alm desta freqncia deve-se atenuar o sinal de modo que, nas freqncias de ressonncia do filtro o ganho (em malha aberta) do sistema seja menor do que 0dB (condio de estabilidade). Via de regra esta no uma condio simples de ser satisfeita, visto que para ter uma atenuao adequada na freqncia de chaveamento (digamos em 20kHz), a freqncia de ressonncia do filtro de sada estar na faixa dos kHz, ou mesmo inferior, dependendo da ordem deste filtro. Conclui-se assim que o filtro de sada (tipicamente numa estrutura LC) deve ser de ordem mais elevada, o que vem permitir usar componentes de menor valor (individualmente), e tambm produzir ressonncias em valores elevados de freqncia.

Quanto ao condicionador de sinais, ele, em princpio, no deve ser um simples filtro passa-baixas, uma vez que para satisfazer ao papel de atenuar as ressonncias, teria que possuir uma freqncia de corte bastante baixa, o que implica em produzir defasagens importantes na faixa de interesse para a corrente da linha. Deve-se, assim, buscar circuitos que mantenham o ganho, no alterem a fase e atenuem satisfatoriamente os sinais fora desta faixa.

Figura 7.68 Circuito de teste para verificao da resposta em freqncia do sistema. Resultados experimentais Os resultados a seguir foram obtidos em um prottipo de baixa potncia [7.2]. A carga no-linear um retificador monofsico. A malha de realimentao conta com um compensador com avano de fase. O filtro de sada de quarta ordem. A figura 7.69 mostra correntes da rede quando se emprega um filtro indutivo no lado cc de retificador. Mostra tambm a tenso da rede e a corrente aps a atuao do filtro. Ao ser ligado o filtro observa-se uma efetiva melhora na corrente fornecida pela rede. Nota-se que as distores presentes na tenso tambm so observadas na corrente, indicando que o sistema est se comportando como uma carga resistiva. A oscilao observada na corrente deve-se impossibilidade do sistema responder a um degrau de carga, como ocorre neste caso. Na figura 7.70 tem-se os resultado com um filtro capacitivo no lado cc do retificador. Neste caso, como as transies de corrente so mais suaves, a corrente compensada apresenta-se praticamente sem distores de alta freqncia.

A diminuio no valor eficaz da corrente deveria ser proporcional (inversamente) ao aumento do fator de potncia (que sobe de 0,7 a 1). No entanto, como o filtro ativo apresenta perdas, a rede tem que fornecer uma potncia ativa suplementar. Este efeito muito marcante em baixas potncias. Quando se eleva a potncia da carga a parcela dissipada no inversor se torna relativamente menor, aumentando a eficincia do sistema.

Figura 7.69 Tenso da rede (superior - 150V/div.), corrente aps compensao (intermedirio - 5A/div.) e corrente sem compensar (inferior - 5A/div.)

Figura 7.70 Figura 7.14 Tenso da rede (superior - 150V/div.), corrente aps compensao (intermedirio - 5A/div.) e corrente sem compensar (inferior 5A/div.)

A figura 7.71 mostra a corrente de sada do filtro, aps ser filtrada pelo filtro passivo, para o caso do retificador com filtro capacitivo.

Figura 7.71 Corrente (filtrada) de sada do filtro ativo.

A figura 7.72 mostra os espectros da corrente da linha antes e depois do atuao do filtro. Nota-se a expressiva melhoria, representada pela reduo da amplitude das harmnicas. A diminuio na 5a componente no to significativa porque esta uma harmnica presente na tenso e que, portanto, deve tambm surgir na corrente compensada.

Figura 7.72 Espectros da corrente da rede antes e depois da ao do filtro.

A figura 7.73 mostra a corrente de sada do inversor antes de passar pelo filtro passivo e em um estgio intermedirio. Um dos parmetros a ser utilizado no dimensionamento deste filtro respeitar os limites impostos pelas normas de Interferncia Eletromagntica (IEM) conduzida, uma vez que, do ponto de vista da rede, o filtro faz parte da carga.

Figura 7.73 Corrente de sada do inversor e aps o primeiro estgio do filtro passivo.

Na figura 7.74 mostra-se a resposta dinmica do sistema a uma variao em degrau na carga. Observe que ao ser aumentada a carga ocorre uma reduo na tenso do barramento cc, uma vez que a energia consumida vem, inicialmente, dos capacitores que alimentam o inversor. Uma vez detectada esta reduo, o circuito de controle atua no sentido de aumentar a corrente absorvida da rede visando recuperar o valor de referncia. Ocorre uma sobre-corrente que serve para repor a carga do capacitor do barramento.

Figura 7.74 Resposta do sistema a variaes da carga: Tenso no barramento cc (superior -50 V/div.) e corrente de linha (inferior - 5 A/div.). Filtros hbridos

A fim de reduzir a potncia a ser manobrada pelo filtro ativo possvel utiliz-lo em associao com filtros passivos, de maneira que a parte ativa deve atuar apenas sobre as componentes no corrigidas pelo filtro passivo [7.11]. A figura 7.75 ilustra o princpio de um filtro hbrido monofsico. Na figura tem-se o esquema geral, considerando a existncia de uma fonte de tenso na freqncia fundamental (Vs) e uma fonte de tenso que representa a distoro harmnica da tenso (Vsh). A carga modelada como uma fonte de corrente (IL), a qual tambm possui componente harmnica (Ilh). Existe uma reatncia da fonte, (Zs) e um filtro LC srie sintonizado na freqncia da harmnica de interesse. O filtro ativo modelado como uma fonte de corrente. Observe-se que a componente harmnica a ser drenada pelo filtro passivo no ter que circular pelo filtro ativo, de modo que tem-se uma reduo na corrente eficaz a ser controlada pela parte ativa. Entretanto, no h diminuio na tenso de projeto do filtro ativo.

Figura 7.75 Esquema simplificado de filtro hbrido monofsico de corrente.

Na figura 7.76 tem-se uma outra alternativa topolgica, na qual o filtro ativo colocado em srie com um filtro passivo. Na verdade podem estar colocados diversos filtros passivos, sintonizados ou passa-altas.

Figura 7.76 Princpio de operao de filtro hbrido de corrente: (a)Esquema geral; (b) Operao na freqncia fundamental; (c) Operao na freqncia de sintonia do filtro; (d) Operao nas demais harmnicas.

O sistema de controle do filtro ativo tal que ele absorve uma componente de corrente na freqncia fundamental com tal valor que produza sobre a parte passiva do filtro uma queda de tenso igual tenso da rede,Vs, como indica a figura (b). Isto faz com que a tenso a ser suportada pelo estgio ativo seja somente a tenso relativa s componentes harmnicas. Alm desta componente, o filtro absorve uma corrente igual ao contedo harmnico da carga, de modo que pela fonte circule apenas uma corrente na freqncia fundamental. Na freqncia de ressonncia do filtro passivo a parte ativa dever suportar uma tenso aproximadamente igual parcela distorcida da tenso da rede (figura (c)). Nas demais freqncias a tenso harmnica divide-se entre o filtro passivo e o ativo (figura (d)).